Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Metalografie cantitativ
Bucureti, 2017
Cuprins
Introducere............................................................................................................................. 3
Determinri metalografice cantitative.................................................................................... 5
Aspecte teoretice................................................................................................................ 5
Msurarea dimensiunilor liniare.......................................................................................... 5
Determinarea cantitii de constitueni structurali..............................................................6
Determinarea mrimii de grunte....................................................................................... 9
Determinarea fraciei volumice ocupat de un constituent metalografic.............................16
Estimarea bidimensional a ariilor i liniilor tridimensional...............................................19
Microscopul electronic de baleaj (SEM- Scanning electron microscope)...............................21
Volumul de interacie al fasciculului primar cu corpul solid...............................................23
Tipuri de semnale.............................................................................................................. 24
Principii tehnice ale microscopiei electronice de baleiaj....................................................29
Concluzii............................................................................................................................... 33
Bibliografie........................................................................................................................... 34
Introducere
Microscoapele metalografice sunt microscoape optice, la care se analizeaza n lumina reflectata
materialele opace, cum sunt materialele metalice, ceramice, compozite, etc.
n 1848 petrograful francez A. Delesse a dezvoltat prima metod de analiz cantitativ a structurii
unui material metalic. Acesta a demonstrat matematic, c la baleierea unei seciuni a unui agregat
policristalin, aria ocupat de fiecare constituent este direct proporional cu volumul acestuia n material.
Tot un petrograf , de data aceasta englez, H.C. Sorby , a reuit s msoare frac ia volumic a unui
constituent metalografic prin proiecia mrit a imaginii structurii respective pe o coal de hrtie, trasarea
limitelor constituentului, decuparea i cntrirea acestuia. Pornind de la aceasta Sorby a continuat studiile
asupra caracteristicilor structurale ale perlitei introducnd noiunea de spaiu (distan) interlamelar.
De asemenea, savani precum A. Martens , i A.Saveur att de binecunoscu i prin contribuiile lor
la dezvoltarea metalografiei, au avut contribuii importante n determinarea unor relaii cantitative dintre
mrimea de grunte i proprietile mecanice ale materialelor metalice.
Odat cu descoperirea i interpretarea, n 1900, de ctre Gibbs, a legii echilibrului fizic,
n termeni de numr de faze care pot coexista ntr-un sistem n anumite condiii, metalografia calitativ i
cantitativ a devenit absolut indispensabil n studiul i caracterizarea materialelor metalice.
Cel mai important pas, a fost fcut apoi odat cu dezvoltarea statisticii matematice i aplicarea
relaiilor asupra unor constitueni ai unui material situat pe o seciune oarecare plan.
Astfel s-a demonstrat (1953, C.S.Smith i L. Guttman) directa proporionalitate ntre lungimea unei
muchii sau linii dintr-o unitate de volum a unei probe i numrul de intercepii pe care muchia sau linia le
are cu unitatea de suprafa a unei seciuni bidimensionale oarecare.
S-a demonstrat de asemenea, (Fullman - 1953) c distana dintre particule este numeric egal cu
suportul dintre frac ia volumic a matricei i aria suprafe ei din unitatea de volum a unei probe. Tot
atunci (Duffin - 1953) s-a demonstrat c numrul de particule convexe interceptate de unitatea de
suprafa a unei seciuni bidimensionale oarecare este numeric egal cu suma diametrelor tuturor
particulelor din unitatea de volum a probei.
Iat deci c obiectivele metalografiei cantitative sunt de a furniza date care s conduc la
determinarea legturilor dintre constituia, proprietile i caracteristicile de exploatare ale materialelor
metalice, n vederea proiectrii i obinerii unor asemenea materiale cu combinaii de proprieti
predeterminate.
Sarcina metalografiei cantitative este nu numai de a g si cile de m surare a unor entiti
geometrice familiare, cunoscute, ci i de a descoperi noi parametri posibil de a fi cuantificai i care sunt
utilizai n stabilirea relaiilor dintre structur i proprieti.
Este foarte important de neles c, n cutarea unor parametri structurali n vederea msurrii lor
i utilizrii la stabilirea relaiilor dintre structur i proprieti trebuie impuse anumite limite n ceea ce
privete efortul depus, pentru c altfel determinrile realizate vor avea un scop difuz fr nelegere
concret . Astfel, metodele cantitative trebuiesc limitate la determinarea unor factori de structur care pot
fi observai cu ochiul liber, sau cu ajutorul microscoapelor optice sau electronice. Se exclud
caracteristicile atomice sau subatomice cu excepia ctorva aspecte locale ale cristalinitii cum ar fi :
simetria cristalelor, orientarea cristalin, imperfeciuni cristaline.
Metalografia cantitativ se realizeaz deci prin analiza de imagine - contrast. Odat definite aceste
limite metalografia cantitativ poate fi utilizat la evidenierea mecanismelor optice i electronice de
msurare a unor factori pn la punctul n care aceti factori trebuiesc nelei n vederea dezvoltrii
performanelor tehnicilor de msurare. Acest lucru presupune utilizarea att de metode de msurare
manuale ct i mai ales automate, precum i cu ajutorul relaiilor din statistica matematic.
a)
b)
Fig. .1. Msurarea diametrului nodulilor de grafit la o font cu grafit nodular. a) etalonarea; b)
msurarea.
Rezult: doc =
dob zob
[mm].
z
oc
n a doua etap are loc msurtoarea propriu-zis. n locul micrometrului obiectiv se aeaz
proba. Dup clarare imaginea structurii se suprapune peste scara micrometrului ocular (fig. 6.1.b).
Prin deplasarea msuei sau rotirea ocularului se suprapune scara micrometrului ocular peste
lungimea de msurat.
Valoarea lungimii msurate este L = doc z [mm] unde z este numrul de diviziuni de-a lungul
dimensiunii msurate.
La analiza vizual la microscop se folosete ocularul 7x cu reea rectangular sau un caroiaj trasat
pe calc, care se suprapune peste imaginea obinut pe sticla mat a camerei fotografice. n cazul
micrografiilor se folosete trasarea direct sau pe calc a unui caroiaj.
Se face presupunerea c proporia constituenilor n planul metalografic este aceeai cu cea din
volumul aliajului. Rezult cantitatea de constituent structural n procente de volum V1 care este dat
de raportul dintre numrul N1 de noduri care cad pe constituent i numrul total de noduri N al
reelei:
N
V1 = N1 100 [%]
Determinarea procentelor de greutate se face cu relaia:
C=
1
V1 1 + V 2 2
1
100 [%],
unde
-V1, V2- procentul de volum al constituenilor 1, 2; -
1 , 2 greutile specifice ale constituenilor 1, 2.
n tabelele 1 i 2 se dau greutile specifice ale principalilor constitueni structurali de la oeluri i
fonte.
Tabelul 1
Densitatea, [g/cm3]
Constituent structural
Ferit
7,88
Cementit
7,40
Fosfur de fier
6,74
Grafit
2,25
Perlit
7,80
Eutectic fosforos
7,20
Tabelul 2
Austenit
Martensit
[g/cm3]
[g/cm3]
%C
0,2
8,16
7,84
0,6
8,11
7,77
1,0
8,06
7,71
1,2
8,00
7,68
1,4
7,98
7,65
V1 =
i=1
Pentru grunii echiaxiali se poate aplica orice metod, la grunii neaxiali se aplic numai
metoda ultim.
Metoda comparrii vizuale se aplic la ncercri curente de control-recepie; celelalte
metode se aplic n cazul unei precizii mai mari. n absena indicrii metodei de determinare a
mrimii de grunte se aplic prima metod.
a. Metoda comparrii vizuale a grunilor.
Se examineaz la microscop la mrirea 100 x ntreaga suprafa a probei i se compar
grunii vizibili cu imaginile etalon din scrile 1,2,3 de la anexa 2 STAS 5490-80.
Compararea se face observnd imaginea n ocularul microscopului (limitat de diafragma de
cmp la un diametru 0,8 mm), pe sticl mat sau micrografii cu diametrul 80 mm. Scrile etalon
sunt formate din 10 etaloane de punctaj 1-10, invers proporional cu mrimea de grunte, la mrire
100 x. Dac dimensiunea grunilor probei examinate la mrirea 100 x nu se ncadreaz n scrile
etalon, se pot folosi i alte mriri. Echivalarea la punctajul scrilor etalon la mrirea 100 x , se face
cu ajutorul tabelului 3.
Tabelul 3 Echivalarea punctajului de granulaie, pentru diferite mriri
Mrirea
PUNCTAJUL GRUNTELUI
X 100
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
X 25
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
X 50
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
X 200
1
2
3
4
5
6
X 400
1
2
3
4
X 800
1
2
9
7
5
3
10
8
6
4
11
9
7
5
12
10
8
6
13
9
7
14
10
8
Dac n microstructur exist mai multe mrimi de grunte, rezultatul se poate exprima
prin: -punctajul mediu Pm= media aritmetic a punctajelor existente;
-punctajul real Pr= suma neefectuat a mrimii grunilor cu procentul de suprafa ocupat
de fiecare mrime de grunte (Ex. 940%+730%+400%).
b. Metoda numrrii grunilor.
Se determin numrul de gruni ce revin pe unitatea de suprafa a probei metalografice i
punctajul de granulaie.
Se traseaz pe micrografie sau pe sticl mat un cerc de diametru 79,8 mm, ceea ce
corespunde la mrirea 100x a unei suprafee de 0,5 mm 2. Mrirea se alege astfel nct n interiorul
cercului s fie minim 50 gruni.
Numrul de gruni ce revin suprafeei de referin la mrirea g este:
mg = m1 + 0.5 m2
unde m1 este numrul de gruni cuprini n cerc, iar m2 este numrul de gruni intersectai de cerc.
Mg =2
100
Dup examinarea a trei cmpuri se calculeaz:
2
[mm ]
= M med
d
S
med
= med [mm].
Cu aceste valori, din tabelul 6.3, se extrage punctajul de
granulaie. n fig. 6.3 se prezint un exemplu de calcul.
m200=m1 + 0,5
m2 m1= 84; m2=
31; m200= 99,5;
200 2
Cum g =200, rezult M 200 = 2
99,5
100
M200 = 796
Din tabelul 3 rezult punctaj 7 de granulaie cu
768 < M <1536.
med
10
D = L
conv n
11
Fig..5. Determinarea numrului de gruni pe unitatea de suprafaa in cazul unui material cu gruni neechiaxiali
Nr.
punctaj
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
Numr gruni
2
pe mm
min.
med.
max.
min.
med.
max.
mm3
[mm]
[mm]
0,640
0,320
0,160
0,080
0,040
0,020
0,010
0,005
0,0025
0,00125
0,000625
1,024
0,512
0,256
0,128
0,064
0,032
0,016
0.008
0,004
0,002
0,001
1,280
0,640
0,320
0,160
0,080
0,040
0,020
0,010
0,005
0,0025
0,00125
0,75
1,5
3
6
12
24
48
96
192
384
768
1
2
4
8
16
32
64
128
256
512
1024
1,5
3
6
12
24
48
96
192
384
768
1536
1
2,7
8
21
64
179
512
1446
4096
11417
32768
1,00
0,694
0,500
0,352
0,250
0,177
0,125
0,088
0,060
0,041
0,031
0,875
0,650
0,444
0,313
0,222
0,167
0,111
0,0788
0,0553
0,0391
0,0267
12
8
9
10
11
12
13
14
0,000312
0,000156
0,000078
0,000039
0,000019
0,000010
0,000005
0,0005
0.00025
0,000125
0,0000625
0,0000312
0.000016
0,000008
0,000625
0,000312
0,000156
0,000078
0,000039
0,000020
0,000010
1536
2048
3072
4096
6144
8192
12288 16384
24576 32768
49152 65532
98304 131072
3072
6144
12288
24576
49152
98304
196608
92160
262144
737280
2097152
5930808
16777216
47448064
0,022
0,015
0,012
0,0079
0,0056
0,0039
0,0027
0,0196
0,0138
0,0099
0,0069
0,0049
0,0032
Clasa
De la
x1
x1+a
.
.
.
x1+(i-1)a
Pn la
x1+a
x1+2a
.
.
.
x1+ia
xci
ni
x1+a/2
x1+3a/2
.
.
.
x1+(2i-1)a/2
n1
n2
.
.
.
ni
Observaii
13
media aritmetic x =
n x
i
ci
mediana x m = x +w
1
2
modulul M este valoarea cea mai frecvent.
Aceti indici caracterizeaz reglajul procesului fizic din care rezult elementul msurat i dau
ordinul de mrime al colectivitii de date.
Pentru distribuia normal de date valoarea adevrat cea mai probabil este :
x = x 3
unde =
( x xi )2
n
V1 (100 V1 )
La determinarea cantitii de constitueni structurali: =
n
unde n-numrul nodurilor ce cad pe constituent.
Abaterea medie ptratic este un indicator al dispersiei datelor msurate i scade cu numrul
de msurtori. Permite calculul erorii statistice absolute a analizei efectuate
= t ;
unde
t - eroarea normat (tabelul 6) care depinde de precizia analizei;
P - precizia, reprezint probabilitatea de a realiza rezultate a cror abatere fa de medie s
nu depeasc eroarea .
Tabel 6 Legtura dintre eroarea normat i probabilitate
14
0,500
0,600
0,700
1,800
0,900
0,950
0,990
0,995
0,6745
0,8416
1,0364
1,2816
1,6449
1,960
2,5138
3,2905
15
poriunea de segment aflat n interiorul unui constituent c , dintr-un segment de dreapt trasat
la ntmplare n planul de referin al unei probe metalografice este egal cu fracia de arie a
acelui constituent n planul de referin considerat:
%Lc = %Ac
deci
%Lc = %Vc
unde: %Lc lungimea segmentului de dreapt cuprins n constituentul considerat.
- Probabilitatea p(%) ca un punct s cad n volumul ocupat de constituentul c este
egal cu fracia volumic a acelui constituent:
p = %Vc
16
n metalografie , de cele mai multe ori ns, exist dou cazuri obinuite n care condiiile mai sus
amintite nu sunt satisfcute fig 10, respectiv atunci cnd un constituent este evideniat prin lefuire
i atac cu reactiv metalografic i atunci cnd acest constituent este evideniat prin microscopie
electronic de transmisie la probe subiri.
1,2
n care:
A aria unui constituent n suprafaa examinat
N numrul de arii ale constituentului considerat sau numrul de intersecii generate la
traversarea acestor arii de o linie de test
Vv fracia volumic a
constituentului - deviaia
standard
n cazul analizelor de linii calculul erorii este realizat cu relaia :
2 (1 - V ) 2 [ 2 (l ) - 2 (l ) ]
v
l 2
l 2
n care:
- constituentul sau faza , care este studiat;
- ali constitueni (restul probei)
n sfrit, n cazul analizei de puncte efectuat sistematic calculul erorii se realizeaz cu
relaia:
1 = 1 (1 - V ) P
pa
pVv
n care : P - numrul de puncte test incluse n constituentul sau faza
N
17
SV = 2 NL
( mm2 /mm3 )
n care:
LA - lungimea unei linii pe unitatea de arie n mm/mm2 ;
NL numrul mediu de intersecii cu linia pe unitatea de lungime a liniei de test
(L) orientat la ntmplare n mm-1 (NL = n/L cu N numrul de puncte de
intersecie)
LV lungimea unei limite de grunte pe unitatea de volum n mm/mm3 ( l linia de
intersecie a trei suprafee de gruni egal cu lungimea unei muchii de grunte)
Pa numrul mediu de intersecii ale liniilor l cu suprafaa de test sau numrul de
noduri dintr- o reea plan de puncte test din unitatea de-2suprafa examinat
(numrul de puncte n aa numitele puncte triple) n mm
SV interfaa gruni raportat la volum n mm2/mm3
Aceste trei ecuaii pot fi prelucrate n vederea obinerii unor relaii i mai comode, iar n
particular, pentru o seciune dintr-un material monofazic policristalin se poate considera c
inversul lui NL este l
respectiv media intercepiei grunilor.
18
V*
D
S **
3D
2
Sv ***
0,6495D +1,5Dh
Prism hexagonal
0,6495D h
Dodecaedron rombic
0,7071 D
2,121 D
Octaedron trunchiat
1,414D3
3,35 D
3/D
1/h + 2,31/D
3/D
2,37/D
Microscopia electronic de baleiaj, frecvent utilizat n diferite domenii ale tiinei materialelor,
prezint aplicaii nstudiul materialelor ceramice, al materialelor compozite (structur, interfaa dintre
componente, defecte etc.), materialelor semiconductoare; studiul funcionrii circuitelor integrate, n
microelectronic; studiul orientrii grunilor cristalini n materialele policristaline; studiul defectelor
de reea n monocristale; studiul depunerilor de filme subiri etc. n cazul filmelor subiri prezint
interes studiul formei, mrimii i distribuiei dup mrime a cristalitelor, ct i compactitatea stratului
depus.
fizice diferite pentru obinerea tunurilor de electroni, dar au ca scop comun generarea unui fascicul de
electroni direcionat, avnd curent stabil i diametru ct mai mic posibil. Electronii parcurg tunul ca un
fascicul divergent. O serie de lentile electromagnetice i de diafragme din coloan reconverg i
focalizeaz fasciculul ntr-o imagine micorat. Aproape de zona de jos a coloanei exist cteva bobine
de scanare n rastere, care deflecteaz fasciculul de electroni ntr-o gril de baleiere pe suprafaa probei.
Lentila final focalizeaz fasciculul ntr-o arie cu o dimensiune ct mai mic pe suprafaa probei.
Dup parcurgerea coloanei de electroni, fasciculul ajunge n camera probei. Aceasta ncorporeaz
dispozitivul de manevrare a probei, o u pentru introducerea sau extragerea eantionului analizat i
cteva dispozitive pentru montarea detectorilor de semnale sau a altor accesorii. n momentul interaciei
fasciculului de electroni cu suprafaa probei rezult o serie de semnale, care dup ce sunt detectate,
amplificate i procesate permit obinerea unor informaii privind morfologia, structura i compoziia
probelor.
Semnalele rezultate n urma interaciei fasciculului primar cu proba sunt: electronii secundari,
electronii retrodifuzai (retromprtiai), electronii Auger, electronii transmii (n cazul probelor foarte
subiri), radiaiile X, catodoluminiscena i tensiunea electromotoare indus. Mrimea semnalelor
obinute, depinde de trei factori: grosimea probei investigate, compoziia chimic a acesteia i tensiunea
de accelerare a electronilor.
O reprezentare schematic a diverselor tipuri de interaciuni ale unui fascicul electronic cu o prob
solid este prezentat n figura 2, unde sunt evideniate mecanismele de interaciune utilizabile n
diversele moduri de lucru specifice microscopiei electronice.
Electroni retroimparstiati
(reflectati elastic)
Fascicul electronic
incident
Electroni secundari
(emisi)
Radiatii X
Radiatii infrarosii
Radiatii luminoase
(fotoni optici)
Microscopie
electronica cu
baleiaj sau de
tip analitic
PROBA
Electroni
absorbiti
Curent indus
Imprastiere elastica
necoerenta
Imprastiere neelastica
Imprastiere elastica
coerenta
Fascicul nedeviat
de electroni transmisi
Microscopie
electronica prin
transmisie,
microsopie
electronica cu
baleiaj prin
transmisie,
analiza
dispersiva in
energie
solid
n microscopia electronic de baleiaj, al crui principiu a fost expus anterior, se utilizeaz fascicule
de electroni incideni, cu energii de 1-50 keV, care fie sunt parial mprtiai napoi (retromprtiai, prin
reflexie elastic pe atomii probei), fie determin emisia de electroni secundari prin interaciune cu proba.
Electronii retromprtiai i electronii secundari sunt efectiv utilizai pentru formarea imaginii n
microscopul electronic de baleiaj. n microscopia electronic de transmisie convenional, informaia este
obinut prin intermediul electronilor transmii, nedeviai, sau mprtiai nainte, n diafragma unei
lentile care va forma imaginea electronomicroscopic. n acest caz, energiile electronilor fasciculului
incident sunt cuprinse ntre 40 i 200 keV, pentru microscopele convenionale i ntre 200 keV i 3 MeV
pentru microscoapele electronice de nalt tensiune.
mprtierea electronilor poate fi elastic (fr pierderi energetice importante i cu schimbare de
direcie) sau inelastic (cu pierderi energetice n care energia poate fi transferat atomilor probei sau
probei ca atare n diverse moduri). n cazul mprtierii inelastice, transferul energetic poate produce
excitarea sau ionizarea electronilor legai, fie excitarea electronilor liberi sau a vibraiilor reelei (vibraii
fononice), fie nclzirea probei sau formarea de defecte de iradiere. Msurarea acestor pierderi energetice
poate da informaii asupra naturii chimice a probei.
O alt clasificare a mprtierii electronilor ine seama de numrul de evenimente de mprtiere
implicate: monomprtiere i mprtiere multipl. n primul caz, electronul sufer o singur interaciune,
fapt observat de exemplu n straturile sau foliile subiri studiate n microscopul electronic de transmisie.
mprtierea multipl conduce la o mprtiere de tip difuziv n care micarea electronilor devine
ntmpltoare. Acest tip de mprtiere este caracteristic probelor masive, groase, studiate n microscopia
electronic de baleiaj.
La impactul fasciculului electronic cu proba are loc o emisie de radiaii X care poate fi analizat
cu aparate dispozitive speciale (spectrometre), care permit identificarea i determinarea concentraiei
elementelor constituente ale probei.
Tipuri de semnale
Electronii secundari
Electronii secundari (SE) sunt electronii atomilor din prob care sunt ejectai n mediu datorit
interaciei cu electronii primari din fascicul. n general, ei au energii foarte mici (prin convenie mai mici
de 50 eV). Datorit faptului c au energii foarte mici, acest tip de electroni poate scpa din suprafaa
probei doar dintr-o regiune de foarte mic adncime. Prin urmare, electronii secundari ofer imagini de
cea mai bun rezoluie. n imaginile de electroni secundari este oferit n principal de toporafia suprafeei
probei. Cu ct volumul de interacie este mai aproape de suprafaa probei, cu att mai muli electroni
secundari pot fi emii din prob, acest fenomen producndu-se att n zonele cu vrfuri, ct i n cele mai
joase. Astfel se obin imagini n care vrfurile vor fi mai luminoase, iar vile mai ntunecate. Datorit
acestui fapt, interpretarea imaginilor de electroni secundari devine foarte intuitiv.
Electronii retrodifuzai
Electronii retrodifuzai (BSE), sunt electronii primari care au fost mprtiai n afara suprafeei
probei, datorit ciocnirilor elastice cu nucleele din atomii probei. Aceti electroni posed energii mari,
cuprinse (prin convenie ntre 50eV i tensiunea de accelerare a fasciculului). Acest tip de electroni provin
dintr-un volum mai mare de interacie cu substana, ceea ce contribuie la pierderea rezoluiei n imaginile
de electroni retrodifuzai. n aceste imagini, contrastul este determinat de diferena numerelor atomice din
fiecare punct bombardat cu fasciculul de electroni, de la media numerelor atomice ale elementelor din
compoziia probei. Din zonele ce conin elementele cu numere atomice mai mari vor fi reflectai mai
muli electroni, ceea ce conduce la obinerea unei arii mai luminoase n imagine. Imaginile de electroni
retrodifuzai nu sunt att de uor de interpretat dar, evaluate corect, pot oferi informaii importante privind
compoziia probei.
n general, intensitatea curentului de electroni retromprtiai crete cu creterea unghiului de
mprtiere, nu variaz sensibil cu energia fasciculului primar i crete cu numrul atomic al probei.
Semnalul oferit de electronii retrodifuzai este detectat de doi detectori cu corp solid, care lucrnd n
regim de substituie, adiie permit obinerea unor imagini privind topografia sau compoziia suprafeelor
analizate.
Recombinarea i catodoluminiscena
Prin interaciunea unui fascicul incident cu o prob, muli electroni secundari produi nu pot prsi
proba i sunt anihilai, n urma mprtierilor, prin procese de recombinare electron-gol. Dac procesul de
recombinare este nsoit de emisia de fotoni optici, apare fenomenul de catodoluminiscen. Mecanismul
acestei fotoemisii este similar cu luminiscena n sensul c este stimulat de o serie de elemente active,
aflate n cantiti foarte mici n aria probei bombardate cu fasciculul de electroni. Exact la fel ca n cazul
luminiscenei normale, catodoluminiscena poate indica distribuia n prob a acestor elemente cu
concentraii mici, completnd astfel informaia privind compoziia chimic a ariei bombardate, obinute
prin emisie de radiaii X sau electroni Auger.
Catodoluminiscena n probele semiconductoare este dependent de tensiunea electric aplicat i,
n consecin, strile de suprafa n unele materiale semiconductoare pot fi studiate prin acest efect care
furnizeaz date privind timpul de via al purttorilor de sarcin majoritari, lungimi de difuzie, etc.
Fenomenul de catodoluminiscen este afectat de asemenea de topografia superficial i de prezena unor
defecte interne (dislocaii, precipitate, limite intercristaline).
Acest fenomen de excitare a luminiscenei prin bombardament electronic a fost observat i n
unele materiale plastice, organice i n unele probe minerale.
Emisia de radiaii X se produce dac un electron de pe un nivel energetic inferior este excitat de
fasciculul primar de electroni i trece pe un nivel energetic superior, sau prsete complet atomul
(fotoelectron). Locul vacant este ulterior ocupat de un alt electron care cade de pe un nivel energetic
superior i emite un foton de radiaie X, de energie h egal cu diferena dintre energiile
corespunztoare celor dou niveluri energetice ntre care a avut loc tranziia.
Este posibil ca anumii electroni s fie reflectai din prob, dup ce n prealabil au interacionat
neelastic cu atomii din prob. Ceilali electroni, care sunt mprtiai la unghiuri mai mici spre interiorul
probei, i pierd din ce n ce mai mult din energie, dup fiecare coliziune, pn cnd nu mai pot participa
la un proces de ionizare prin impact (de obicei energia de ionizare este cuprins ntre 3 i 8 eV).
Energia rezultat n urma frnrii acestor electroni este emis sub forma unor fotoni de radiaii X ce
alctuiesc spectrul continuu de emisie a probei. Intensitatea maxim a spectrului continuu crete cu
tensiunea de accelerare, cu intensitatea fasciculului i cu numrul atomic al probei.
Un proces de ionizare se desfoar astfel: un electron rapid, din fasciculul incident, se apropie de
un electron legat de unul din atomii probei (situat pe unul din nivelele interioare ale atomului) i n urma
schimbului de energie produs datorit interaciunii ntre cmpurile coulombiene ale celor doi electroni,
electronul legat este forat s treac pe o stare excitat permis, adic pe un nivel energetic superior din
atom sau este expulzat din atom (fotoelectron), n timp ce electronul incident i pierde din energie. Locul
vacant de pe nivelul energetic inferior va fi ocupat de ctre un electron de pe un nivel energetic superior,
j 1
1 j o
cu respectarea regulilor de tranziie (
i
sau
), iar diferena dintre energia pe care o
avea electronul pe nivelul superior i cea pe care o are pe noul nivel se va emite sub forma unui foton
(cuant) ce corespunde domeniului radiaiilor X.
Energia fotonilor rezultai n urma tranziiilor electronice depinde de energia nivelelor ntre care au
h k E k E L
I K 2
chimic posed un spectru unic de radiaii X. Partea discret a spectrului (adic partea format din linii de
maxime distincte) cuprinde linii care corespund tranziiilor electronilor ntre pturile electronice L i K
din atom, tranziiilor ntre pturile M i K, tranziiilor ntre pturile M i L. Spectrul continuu de radiaii X
cuprinde fotonii provenii din ciocnirile inelastice ale electronilor fasciculului incident cu electronii intei.
Prezena spectrului unic de radiaii X servete deci att la analiza elementelor constituente dintr-un
material, ct i ca surs potenial de contrast de imagine.
n scopul producerii radiaiei X caracteristice unui element, este necesar ca tensiunea de accelerare
s depeasc un potenial critic. n cazul unei tensiuni de accelerare de 30 kV, o radiaie K suficient de
intens poate fi excitat n atomi cu numrul de ordine pn la Z=40.
n general, radiaiile X provin dintr-un volum al probei de ordinul ctorva m2 situat n imediata
vecintate a suprafeei, din partea inferioar a volumului de interacie a fasciculului cu substana (vezi
figura 3). Analiza radiaiei X emise de prob se poate efectua cu ajutorul unor spectrometre de construcie
special, prin dou moduri: metoda dispersiv dup lungimea de und i metoda dispersiv dup energii.
Rezultatul este prezentat sub forma unui spectru compus din intensitatea semnalului radiaiilor X, pe
axa vertical, respectiv energia, pe axa orizontal. Maximele reprezentate n spectrul de radiaii X
corespund elementelor prezente n prob, care se identific dup energia caracteristic. Concentraia
elementelor prezente n prob se evalueaz dup intensitatea maximelor caracteristice.
Din schema volumului de interacie a fasciculului de electroni cu substana prezentat anterior,
rezult c rezoluia spaial n imaginile de radiaii X este mai sczut dect n imaginile de electroni
secundari sau n imaginile de electroni retrodifuzai (volumul de prob de unde provin radiaiile X este
mult mai mare dect cel din care provin electronii secundari).
Este posibil ca n urma tranziiilor electronice ntre nivelele interne ale unui atom s nu rezulte un
foton de radiaii X, ci energia rezultat s fie preluat de un electron legat i acesta s fie emis. Energia
electronului emuis este egal cu energia sa de pe nivelul pe care se afla plus energia rezultat din tranziie.
Electronnul astfel emmis se numete electron Auger.
Pentru elementele uoare, probabilitatea de emisie a unui electron Auger este mai mare dect cea de
emisie a unui foton de radiaii X.
Mecanismul de producere a unui elecron Auger este urmtorul: dac un electron de pe nivelul L I va
efectua o tranziie pe nivelul K, unde exist un loc neocupat creat prin ionizare, i energia rezltat
E k E LI
Energia electronului expulzat va fi egal cu energia pe care o are nivelul K minus suma energiilor
nivelelor
atomice.
E LI
E LII
E E k ( E LI E LII )
Deoarece energia electronilor Auger este foarte mic pot s ias din prob numai acei electroni
formai n imediata apropiere a suprafeei, fenomen evideniat n schema volumului de interacie a
fasciculului cu substana prezentat anterior. Se consider c reuesc s emearg din prob numai
electronii formai n primele dou trei plane atomice de la suprafa.
un set de bobine electromagnetice de deflecie. Similar cu SEM-ul, sistemul CRT utiliza un fascicul de
electroni accelerai spre suprafaa acoperit cu fosfor. Bobinele de deflecie scanau cu fasciculul tiparul
imaginii pe suprafaa afiajului. Fosforul avea rolul de a realiza conversia energiei electronilor incideni n
lumin vizibil. Intensitatea luminii depindea de intensitatea curentului din fasciculul de electroni. Prin
sincronizarea sistemului de scanare CRT cu sistemul de scanare SEM i prin modularea curentului din
CRT cu semnalul imaginii, sistemul cartografia semnalul punct cu punct pe o suprafa de formare a
imaginii a sistemului CRT, ceea ce ducea la obinerea unei imagini de electroni.
Avnd n vedere cele prezentate mai sus, schematic, funcionarea unui microscop electronic de
baleiaj se bazeaz pe cteva etape:
formarea i accelerarea unui fascicul de electroni;
fasciculul de electroni este delimitat si concentrat folosind diafragmele metalice i lentilele
condensoare;
utiliznd lentila obiectiv (final), fasciculul este focalizat pe suprafaa probei;
interaciile generate n interiorul probei bombardate genereaz semnale care sunt identificate i
transformate ntr-o imagine sau n date privind coninutul sau concentraia elementelor din prob.
Lentila final, fie c este vorba de o coloan cu dou lentile, fie de una cu trei, este cea mai
important; adesea este denumit lentila obiectiv, dei rolul este de focalizare final a fasciculului pe
preparat. n partea central ea include sistemul de deflexie sau de baleiaj al fasciculului i un stigmator
pentru corectarea astigmatismului lentilei.
n partea inferioar a coloanei se afl camera probei i detectorii pentru semnalele emise de ctre
prob. n interior, camera propriu-zis este circular, cu diametrul i nalimea variabile, n funcie de
instrument.
Suportul pentru probe este format dintr-o msu pe care se pot fixa preparate, cu diametrul de pn
la 50 mm i nalimea de 10-20 mm, sau chiar mai mari. Suportul este mobil, astfel c preparatul poate fi
rotit i nclinat sub diferite unghiuri, pentru a fi expus fasciculului de electroni. De asemenea, el poate fi
adus pn la 5 mm distan de lentila final, n special pentru obinerea unor imagini de nalt rezoluie.
Sistemul de detectori reprezint partea cea mai important a microscoapelor de baleiaj, care permit
funcionarea instrumentelor n unul sau mai multe moduri de operare. Sistemul de baz, din dotarea
standard a microscoapelor, este format din detectorul pentru electroni secundari i detectorul de electroni
retrodifuzai.
Foarte multe dintre cele mai moderne microscoape de baleiaj au i detectori pentru electroni
transmii, catodoluminiscen, fore electronomotoare i detectorul de radiaii X, utilizat pentru analize
privind compoziia chimic a probei. Tipurile de semnale care se obin n microscopia electronic de
baleiaj i modalitile de detectare pot fi diferite.
Fiecare detector este conectat cu o unitate electronic montat pe consola de control. Cu ajutorul
unitilor de control se poate trece uor de la captarea unui semnal la altul, dac aparatul este dotat cu
toate tipurile de detectori.
Deoarece la toate microscoapele se utilizeaz n principal electroni secundari i retrodifuzai,
prezentm n cele ce urmeaz principiul de detectare i amplificare a acestora.
Detectorul de electroni este format dintr-un colector, un scintilator i un fotomultiplicator.
Electronii rezultai din prob n numar destul de mic, sunt captai de colector i accelerai cu o
tensiune de peste 10.000 V, nainte de a atinge scintilatorul. Acesta din urm este confecionat fie din
materiale plastice, dar n acest caz are o via scurt i sensibilitate redus, fie din silicat de ytriu,
cunoscut in literatur i sub denumirea de P-47 i care are sensibilitate ridicat i o durat lung de
exploatare. n urma impactului cu scintilatorul, fiecare electron d natere la un numar mare de fotoni care
sunt dirijai ntr-un fotomultiplicator, unde fiecare fotoelectron formeaz un numr impresionant de mare
de electroni secundari care sunt trimii n tubul catodic i utilizai la modularea fasciculului acestuia.
Electroni secundari
emii
Luminiscen
Fotoni
Topografie
Potenial electric
Cmpuri electrice i
magnetice
Compoziional
10 nm
100 nm
1 m
100 nm
Conducie
Absorbie
Radiaii X
Auger
Transmisie
Cureni de prob
Cureni de prob
absorbii
Fotoni X
Electroni Auger
Electroni transmii
Conductibilitate indus
Topografie
100 nm
1 m
Compoziional
Compoziional
Cristalografic
1 m
1 m
1-10 nm
Concluzii
Proprietatile unui aliaj depind de natura, cantitatea, marimea si modul de distributie al constituentilor
sai structurali. Metalografia cantitativa permite determinarea marimii si cantitatii constituentilor structurali,
specifice starii unui aliaj, dnd indicatii privind proprietatile aliajului, procesul de elaborare si prelucrare
metalurgica la care acesta a fost supus.
Proprietatile specifice starilor de echilibru se pot obtine si prin analiza chimica corelata cu diagrama
de echilibru. Metalografia cantitativa poate evita executarea analizei chimice de durata si permite o apreciere
corecta a materialului si la stari n afara de echilibru, ca si pentru aliaje cu numeroase elemente de aliere la
care reprezentarea diagramei de echilibru este dificila.
Deasemenea, cunoscnd structura de echilibru a unui aliaj se poate deduce rapid pe baza diagramei
de echilibru, compozitia chimica a acestuia.
Msurtorile cantitative se pot efectua asupra tuturor caracteristicilor sau selectiv. Pot fi eliminate,
astfel, caracteristici pe baz de mrime, sau form. Spre exemplu n cazul fontelor nodulare se pot
cuantifica doar acele separri de grafic cu un anumit coeficient de form (> 0,7) care s evidenieze gradul
de nodulizare ( 1). Pe baza m rimii particulelor se pot separa n fontele albe carburile primare de cele
eutectice i secundare sau pe baza factorului de form se poate determina gradul de modificare al
structurii acestor fonte cu modificatori, etc.
n funcie de programul de analiz disponibil este posibil ca toate operaiile dintr-o succesiune dat
s fie executat dintr-o dat (automatizare complet) sau pe etape. Pentru a se putea efectua msur tori
complet automate este necesar o pregtire a probelor care s asigure n permanen o structur perfect
evideniat.
De altfel prin analiza de imagini se poate face comparaie ntre diferitele metode de pregtire a
probelor metalografice.
O caracteristic important a msurtorilor cantitative n general este aceea c sunt statistice
pentru a se putea obine informaii cu erori ct mai mici. Din acest motiv analiza automat de imagine
trebuie s fie fcut pe un numr ct mai mare de cmpuri adoptate aleator sau pe o suprafa de prob ct
mai mare alctuit din mai multe cmpuri al turate. Pentru aceasta este necesar ca microscoapele
utilizate s fie dotate cu mese automate a cror deplasare pe axele de coordonate este realizat cu ajutorul
unor motorae electrice n pai, de mare precizie i eventual i cu autofocusare comandate direct din
programul de analiz disponibil.
Bibliografie
1.A. Tudor, M. Moraru, D. Panuru Metalografie cantitativa i calitativ
2.Suzana Gdea , Maria Petrescu - Metalurgia fizic i studiul metalelor
3.Suzana Gdea,F. Oprea, Iosif Tripa, N. Geru. - Manualul inginerului metalurg Vol. I
4. S. ontea, M. Vldoi, N. Zaharia Determinari metalografice
5.Jilveanu, C., Petre, N., (coord), Studiul materialelor. Tehnologie, Editura LVS Crepuscul Phare 2000
6.G. Mller, M. Konijnenberg, G. Krafft i C. Schultheiss, "Deposition by means of
Pulsed Electron Beam Ablation," Science and Technology of Thin Films, vol. 89, 1995.
7.X. Obradors, T. Puig, A. Pomar, F. Sandiumenge, S. Piol, N. Mesres, O. Castao, M.
Coll, A. Cavallaro, A. Palau, J. Gazquesz, J. C. Gonzlez, J. Gutirrez, N. Rom, S. Ricart, J.
M. Moret, M. D. Rossell i G. V. Tendelooo, "Chemical solution deposition: a path towards low cost
coated conductors," Superconductivity Science and Technology vol. 17, pp. 1055 1064, 2004.
8.T. P. Niesen i R. d. Guire, "Deposition of Ceramic Thin film at low temperatures from aqueous
solutions," Journal of Electroceramics, vol. 6, pp. 169207, 2001.
9.Nanu, A., (1977), Tehnologia materialelor, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti
10. Colecia revistei ,,T&T-Revist de informare Tehnic i Tehnologie 2001-2005.