CURRICULUM LA DECIZIA SCOLII

(tip A)

CLASA a- VIII-a
Durata: 1 an
Nr. de ore: 1or / sptmn

2011-2010

Cuprins

Introducere.............................................................................................................................................3
Cap.1. Componente pasive de circuit......................................................................................................4
1.1. Rezistorul..................................................................................................................................4
1.2. Condensatorul..........................................................................................................................7
1.3. Bobina......................................................................................................................................9
Cap. 2. Diode semiconductoare ............................................................................................................. 11
2.1 Dioda semiconductoare ........................................................................................................... 11
2.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................................................................ 12
Cap. 3. Tranzistorul bipolar .................................................................................................................. 155
3.1 Funcionarea tranzistorul bipolar .......................................................................................... 155
3.2 Carateristicile tranzistorul bipolar ........................................................................................... 17
Cap. 4. Tranzistoare cu efect de cmp ................................................................................................... 20
4.1 Tranzistoare cu efect de cmp ................................................................................................. 20
4.2 Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TECJ) ............................................................... 21
4.3 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat ..................................................................... 23
Cap. 5. Tiristorul ..................................................................................................................................... 25
5.1 Tiristorul ................................................................................................................................... 25
Cap. 6. Dispozitive optoelectronice ....................................................................................................... 27
6.1 Dispozitive optoelectronice bazate pe efectul fotoelectric intern ........................................ 277
6.2 Dispozitive optoelectronice electroluminiscente .................................................................... 29
Bibliografie ............................................................................................................................................. 31
Anexe ..................................................................................................................................................... 32
Anexa 1 Tipuri de diode i utilizrile acestora ................................................................................... 32
Anexa 2 Caractertisticile statice ale tranzistorului bipolar n conexiune EC ..................................... 33

I. Introducere
Materialele de predare reprezint o resurs suport pentru activitatea de predare, instrumente
auxiliare care includ un mesaj sau o informaie didactic.
Prezentul material de predare, se adreseaz cadrelor didactice care predau n cadrul invatamantului
gimnazial.
El a fost elaborat pentru Curriculum la Decizia Scolii, si se desfoar n 36 ore, din care:
Laborator tehnologic 18 ore
Competene

Capitol

Teme

1. Componente pasive de
circuit

1.1.Rezistoare
1.2.Condensatoare
1.3. Bobine

2. Diode semiconductoare

2.1 Dioda semiconductoare

2..2 Tipuri de diode semiconductoare
3.1 Funcionarea tranzistorului bipolar

3. Tranzistorul bipolar
Identific
componentele
electronice
analogice

4. Tranzistoare cu efect de
cmp

4.1 Tranzistoare cu efect de cmp

4.2 Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune
4.3 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat

5 Tiristorul

5.1 Tiristorul

6.1 Dispozitive optoelectronice bazate pe efectul

fotoelectric intern
6.2 Dispozitive optoelectronice electroluminiscente

2
3
Verific
funcionalitatea
componentelor
electronice
analogice

Dispozitive
optoelectronice

Diode semiconductoare

2.1 Dioda semiconductoare

2.2 Tipuri de diode semiconductoare

Tranzistorul bipolar

3.1 Funcionarea tranzistorului bipolar

3.2 Caracteristicile tranzistorului bipolar

4 Tranzistoare cu efect de
cmp

4.2 Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

4.3 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat

5.1 Tiristorul

Tiristorul
Dispozitive
optoelectronice

6.1 Dispozitive optoelectronice bazate pe efectul

fotoelectric intern
6.2 Dispozitive optoelectronice electroluminiscente

Cap.1. Componente pasive de circuit

1.1. Rezistoare
Componentele pasive sunt elemente disipative (consum putere activ i o transform n cldur) i nu
pot controla fluxul de energie dintr-un circuit electric. Exemplu: rezistoare, condensatoare, bobine de
inductan, transformatoare . Circuitele formate numai din componente pasive nu pot efectua cea mai
important funcie electronic: amplificarea.
Def.: Rezistorul este o pies component din circuitele electrice i electronice a crei principal
proprietate este rezistena electric ( proprietatea de a se opune trecerii curentului electric).
Tipuri
Rezistoarele sunt de forme i dimensiuni variate, putnd fi clasificate dup mai multe criterii.
n funcie de tipul constructiv: - fixe
- variabile poteniometre
- semireglabile
n funcie de intensitatea curenilor care le strbat:
pentru cureni slabi:
- liniare peliculare
- bobinate
- de volum
- neliniare termistoare
- varistoare
- fotorezistene
Dup modul de marcare:
- n clar
- n codul culorilor
Simbolizarea
Rezistoarele sunt reprezentate convenional printr-o serie de simboluri, ce ilustreaz tipul acestora (Fig.
1.1.1)
a: rezistor,semn general
b: rezistor,semn tolerat
c: rezistor, semn nestandardizat
d: rezistor cu rezisten variabil
e: rezistor cu contact mobil
f: rezistor cu contact mobil cu
poziie de ntrerupere
g: poteniometru cu contact mobil
h: poteniometru cu contact mobil, semn
general
i: poteniometru cu ajustare predeterminat
j: rezisten cu dou prize fixe
k: unt
l: element de nclzire
m: rezistor cu rezisten neliniar dependent de temperatur (termistor)
n: rezistor cu rezisten neliniar dependent de temperatur, semn tolerat (termistor)
o: rezistor cu rezisten neliniar dependent de tensiune (varistor)
p: rezistor cu rezisten neliniar dependent de tensiune, semn tolerat

(varistor)

Marcare
Indiferent de modalitatea de marcare, pe orice tip de rezistor se trece obligatoriu:
o

Rezistena nominal, Rn, cu unitatea ei de masur

Tolerana valorii nominale n %

Marcarea poate fi realizat prin:

Codul n clar, sau codul de litere i cifre, care cuprinde trei sau patru caractere, n funcie de
numrul cifrelor semnificative ce trebuie marcate pe rezistoare. Literele codului nlocuiesc virgula
zecimal. La marcarea rezistoarelor se folosesc literele R, K, M, G, T, pentru a reprezenta coeficienii de
multiplicare, conform tabelului 1.1.1
Tab.1.1.1.
Litera

Coeficient de
multiplicare

103

106

109

1012

Iar pentru marcarea toleranelor, corespondena din tabelul 1.1.2

Tab. 1.1.2
Litera

Tolerana
%

0,1

0,25

0,5

10

20

30

Codul de culori cuprinde benzi, inele colorate, pe corpul rezistorului, avnd urmtoarea
semnificaie:
marcarea cu cinci benzi colorate:

marcarea cu patru benzi colorate:

Fig. 1.1.2

Fig.1.1.3

- primele trei culori indic primele

- primele dou culori indic primele

trei cifre semnificative;

dou cifre semnificative;

- a patra culoare indic

coeficientul de multiplicare;

- a treia culoare indic coeficientul de

multiplicare;

- a cincea culoare, tolerana;

- a patra culoare, tolerana

- pentru tolerana de 20%, exist doar trei, respectiv patru inele colorate pe corpul rezistorului;
- citirea se face ncepnd cu banda cea mai apropiat de unul dintre terminale;
Tab. 1.1.3 Codul culorilor pentru rezistoare:

Gri

Alb

Violet

10

Albastru

10-1

Verde

Toleran( % )

10-2

Galben

Multiplicator

Portocaliu

a doua i a treia
cifr
semnificativ

Rou

10

102

103

104

105

106

107

108

109

Negru

Auriu

Maro

Valoare

Prima,

Argintiu

Culoare

fr culoare 20

Parametri
Principalii parametrii ce caracterizeaz un rezistor sunt :

- rezistena nominal Rn - este valoarea n ohmi , pentru care a fost construit rezistorul, msurat la
200 C;
- toleranta - t - exprimat n procente, reprezint abaterea maxim admisibil a valorii reale a
rezistenei, fa de valoarea nominal Rn;
- tensiunea nominal Un - exprimat n voli, reprezint tensiunea electric maxim ce se poate
aplica rezistorului n regim de funcionare ndelungat, fr a-i modifica caracteristicile.
Caracteristici
1. Rezistoarele sunt elemente de circuit cu dou borne ( dipoli ), care respect legea lui Ohm.
2. Pentru regimul de curent continuu, tensiunea la bornele rezistorului este direct proporional cu
intensitatea curentului prin acel rezistor:
U= f (I),
caracteristic static care definete caracterul de element liniar al rezistorului.

3. Pentru regimul de curent alternativ, curentul la un moment, depinde numai de tensiunea la

momentul respectiv:
u(t)=Ri(t),
ceea ce nseamn c rezistorul este un element de circuit fr memorie.
4. Rezistena R, fiind o constant pozitiv, tensiunea i curentul au n orice moment acelai semn. n
consecin, rezistorul este un consumator de energie.

1.2. Condensatoare
Condensatorul reprezint o component pasiv de circuit, caracterizat prin proprietatea , numit
capacitate, de-a nmagazina o cantitate de electricitate, cnd i se aplic o tensiune la borne. Este format
din dou suprafee metalice, numite armturi, separate printr-un material izolator, numit dielectric.
Tipuri
Condensatoarele se pot clasifica dup urmtoarele criterii:
Dup natura dielectricului - gazos
- solid
- lichid
Dup tipul constructiv:
- fixe
- semireglabile
- variabile
Dup domeniul frecvenelor de lucru:
- pentru curent continuu ( f=0)
- pentru frecvene joase: 30 20kHz
- pentru frecvene nalte: 0,1 100 MHz
- pentru regim de impulsuri: f > 108 Hz
Dup tensiunea nominal:
- de joas tensiune sub 100 V
- de nalt tensiune peste 100 V
Dup material : - n carcas de material plastic
- n carcas metalic
- ceramice

Simboluri
a. condensator(n general)
b. condensator(n general), simbol tolerat
c. condensator de trecere
d. condensator de trecere, simbol tolerat
e. condensator de trecere, simbol nestandardizat
f. condensator electrolitic
g. condensator electrolitic , simbol tolerat
Fig. 1.2.1.
h. condensator electrolitic, simbol nestandardizat
i. condensator variabil
j. condensator variabil, simbol tolerat
k. condensator semireglabil, semiajustabil, trimer
l. condensator semireglabil, semiajustabil, trimer, simbol tolerat
Marcare
Condensatoarele pot fi marcate :
1. n clar, cunoscndu-se n acest caz:
- valoarea nominal i unitatea de msur
- tensiunea nominal
- coeficientul de temperatur
- polaritatea (dac este cazul)
2. n codul culorilor: notarea se face ncepnd cu extremitatea mai apropiat de terminalele
condensatorului plachet, sau de la inelul, banda mai groas, pentru condensatorul tubular. Semnificaia
benzilor colorate este n acest sens (fig.1.2.2):
- prima culoare coeficient de variaie cu temperatura (1)
- a doua i a treia culoare primele cifre semnificative ale capacitii (2,3)
- a patra culoare coeficient de multiplicare (4)
- a cincea culoare tolerana (5)

Fig.1.2.2.

Semnificaia culorilor este precizat n tabelul 1.2.1:

Maro

Rou

Portocaliu

Galben

Verde

Albastru

Violet

Gri

Alb

Auriu

Coeficient
de
variaie
cu
temperatura
(ppm/0C)
Valoarea
Prima
cifr
capacitii
semnificativ
A
doua
cifr
semnificativ
Coeficient
de
multiplicare
Tolerana
c>10pF
c<10pF

Negru

Tab.1.2.1

-33

-75

-150

-220

-330

-470

-750

+120

+100

10

102

103

104

105

10-2

10-1

20
2

1
0,1

2
0,25

2,5
-

100
-

5
0,5

0,25

10
1

Parametri
Principalii parametrii electrici ai condensatoarelor sunt:
- capacitatea nominal Cn- valoarea pentru care a fost construit condensatorul exprimat n farazi;
- tensiunea nominal Un este tensiunea continu maxim, sau tensiunea alternativ eficace maxim
ce poate fi aplicat la bornele condensatorului timp ndelungat la temperatura maxim de funcionare ;
- tensiunea de strpungere Ustr reprezint valoarea tensiunii la care dielectricul i pierde
proprietile izolante;
- reactana capacitiv XC - mrime caracteristic condensatorului n curent alternativ, de natura unei
rezistene, msurate n ohmi
Xc =

1
C

Caracteristici
1. n curent continuu, condensatorul constituie un element de blocare a curentului. Aplicnd o tensiune
continu la bornele condensatorului, datorit proprietilor de izolant ale dielectricului, prin circuit nu
apare curent.
2. Dac unui condensator ideal i se aplic la borne o tensiune alternativ, n circuit apare un curent
alternativ defazat cu 900 n faa tensiunii.

1.3. Bobine
Bobina reprezint un conductor electric astfel nfurat nct s formeze una sau mai multe spire.
Tipuri
Bobinele pot fi clasificate dup mai multe criterii:
Dup domeniul de utilizare:
- pentru cureni slabi
- pentru cureni tari
- de inducie

 Dup construcie:
- fr carcas
- cu carcas
Dup form:
- cilindrice
- paralelipipedice
- toroidale
Dup frecvena de utilizare:
- de joas frecven
- de nalt frecven ( radiofrecven)
- de audiofrecven
Simboluri

Parametri
- Inductivitatea L - reprezint mrimea specific a unei bobine, definit prin proprietatea acesteia de a
se opune oricrei variaii a curentului electric ce-o strbate. Fiind o mrime care caracterizeaz
producerea fluxului de inducie electromagnetic ntr-un circuit, se poate exprima ca raportul dintre
variaia fluxului magnetic i variaia intensitii curentului electric ce l-a provocat:
L =

se msoar n SI n Henry ( H );
I

a). Dac fluxul este produs de curentul electric ce strbate circuitul considerat, inductivitatea se
numete proprie, dac fluxul este produs de un alt circuit, inductivitatea se numete mutual.
b). Bobinele fr miez, sau cu miez din material neferomagnetic au inductane sczute, iar bobinele cu
miez din material feromagnetic, au inductane mari.
- Reactana inductiv - XL - se manifest numai n curent alternativ, are semnificaia de rezisten, se
msoar n ohmi.
XL= L
Caracteristici
1.n curent alternativ, datorit fenomenului de autoinducie, la aplicarea unei tensiuni la bornele unei
bobine ideale, curentul prin bobin prezint o ntrziere, ceea ce face ca tensiunea s fie defazat cu 900
n faa curentului.
2.n curent alternativ, bobina prezint o rezisten mult mai mare dect n curent continuu.
3. O bobin este cu att mai bun cu ct puterea de pierderi ( P) este mai mic n comparaie cu cea
reactiv( Pr), raportul acestora determinnd factorul de calitate al bobinei ( QL)
QL =

Pr L
=
R
P

4. Bobina este un acumulator de energie magnetic ( WL), energie care datorit dependenei de curentul
electric , este de tip cinetic.
WL =

1 2
LI
2

10

Cap. 2. Diode semiconductoare

Dispozitivele semiconductoare au n construcia lor regiuni ale reelei monocristaline cu diverse
impurificri att ca mrime a concentraiei ct i ca tip de impuritate (regiune de tip donor - n, regiune
tip acceptor - p). Cele mai utilizate materiale semiconductoare folosite n construcia dispozitivelor
semiconductoare de circuit sunt siliciul i germaniul.
Jonciunea pn (Fig.2.1.1) reprezint o zon de contact dintre dou cristale semiconductoare, unul de tip
p i unul de tip n, avnd o grosime foarte mic de aproximativ 10-8 ... 10-6 m.
Datorit faptului c n zona jonciunii se creeaz un cmp electric intern, se obine o barier de
potenial, al crei efect principal const n modificarea rezistenei de trecere a jonciunii, n funcie de
polarizarea exterioar a terminalelor cristalelor.

Fig. 2.1.1 Jonciunea pn

Jonciunea pn are o importan esenial n funcionarea unei clase mari de dispozitive electronice.
Majoritatea dispozitivelor electronice semiconductoare conin una sau mai multe jonciuni.
Dioda (grec.: di - doi, dublu; hodos - drum) este o component electronic constituit dintr-o jonciune
pn prevzut cu contacte metalice la regiunile p i n i introdus ntr-o capsul din sticl, material
plastic, ceramic sau metal.
Regiunea p a jonciunii constituie anodul diodei, iar regiunea n, catodul.
2.1. Dioda semiconductoare, al crei simbol este reprezentat n Fig. .2.1.1, se caracterizeaz prin
conducie unidirecional:
- n cazul polarizrii n sens direct permite trecerea unui curent mare (curent direct),
- n cazul polarizrii n sens invers permite trecerea unui curent mic (curent invers).

catod

anod

Fig. 2.1.1 Simbolul general al diodei semiconductoare

Funcionarea diodei este descris prin intermediul unui grafic denumit caracteristica static de
funcionare (Fig. 2.1.2.). Aceasta furnizeaz informaii despre modul n care curentul prin diod variaz
n funcie de tensiunea care se aplic ntre terminalele acesteia.

Fig.2.1.2 Caracteristica de funcionare a diodei semiconductoare

11

n cazul n care tensiunea pe diod este pozitiv, se spune c aceasta funcioneaz n conducie direct.
n cazul n care tensiunea pe diod este negativ, se spune c aceasta funcioneaz n conducie invers.
Prin noiunea de polarizare a unei diode se nelege stabilirea tipului de conducie n curent continuu.
Astfel, dac dioda funcioneaz n curent continuu n conducie direct, se spune c aceasta este
polarizat direct. Analog, dac dioda funcioneaz n curent continuu n conducie invers, se spune c
aceasta este polarizat invers.
Funcionarea n curent continuu a unei diode este complet caracterizat de ctre valorea curentului
continuu care trece prin aceasta i de tensiunea continu ntre terminalele diodei.
Perechea de mrimi electrice compus din curentul continuu prin diod i de tensiunea continu pe
diod se numete Punct Static de Funionare, prescurtat PSF, fiind reprezentat n planul caracteristicii,
cu coordonatele iA, uA.
Punctul Static de Funcionare furnizeaz ntotdeauna informaii despre regimul n care funcioneaz
dioda. Aceast observaie este valabil i pentru alte tipuri de dispozitive semiconductoare.
Polarizarea diodei este realizat prin intermediul unui circuit special, numit circuit de polarizare. Circuitul
de polarizare conine ntotdeauna o surs de alimentare (o surs de tensiune continu sau o surs de
curent continuu), care se mai numete i surs de polarizare i o rezisten de polarizare care are rolul
de a limita curentul prin diod astfel nct aceasta s nu se distrug.
Principalii parametrii ai diodei semiconductoare sunt:
Tensiunea de deschidere, (UD) - la diodele care sunt construite din germaniu UD este cuprins ntre
0,2V- 0,4V, iar cele din siliciu ntre 0,4V- 0,8V;
Curentul maxim direct, (IAm);
Tensiunea maxim invers, (UBR).
2.2 Tipuri de diode semiconductoare
Diodele redresoare sunt utilizate pentru redresarea curentului electric alternativ.
Frecvena semnalelor redresate este, de regul, frecvena industrial (50/60Hz).
Se pot construi cu germaniu, cu siliciu, iar la puteri mici, cu seleniu. Cele mai rspndite sunt cele cu
siliciu.
Avantajele diodelor cu siliciu fa de cele cu germaniu sunt:
- curentul invers este mult mai mic;
- tensiunea de strpungere este mult mai mare;
- temperatura maxim de lucru de 190 grade fa de 90 grade la germaniu.
Dezavantajul diodelor cu siliciu fa de cele cu germaniu este:
- tensiunea de deschidere puin mai mare.
Performanele unei diode redresoare sunt caracteristice prin 2 mrimi limit care nu trebuie depite n
timpul funcionrii:
- Intensitatea maxim a curentului direct (IM), de ordinul amperi - zeci de mii de amperi;

12

- Tensiunea invers maxim (UM), de ordinul zeci de voli - zeci de mii de voli.
Parametrii acestor diode sunt:
Tensiunea invers repetitiv maxim admis, (URM);
Curentul mediu redresat (curentul mediu la care poate fi solicitat dioda), I0;
Cderea de tensiune n regim de polarizare direct la un curent dat, (UFM);
Rezistena termic jonciune capsul, (Rthj-c), sau jonciune ambiant, (Rthj-a).
Diodele varicap (varactoare), cu simbolul din Fig. 2.2.1, prezint capaciti diferite n funcie de
tensiunea de polarizare.
Denumirea diodei provine de la VARIable CAPacitor.

anod

catod

Fig. 2.2.1 Simbolul diodei varicap

Aceste diode utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a se comporta ca o capacitate ce depinde de
tensiunea continu de polarizare invers (aceasta este capacitatea de barier).
Posibilitatea de a varia o capacitate ntr-un circuit prin varierea unei surse de polarizare este necesar n
circuitele de schimbare a frecvenei, circuitele de reglaj automat al frecvenei, precum i modulaia
frecvenei.
Diodele varicap au capaciti de ordinul pF sau zecilor de pF i se construiesc cu siliciu pentru a avea o
rezisten intern mai mare n polarizarea invers. n acest fel ele pot fi asimilate cu un condensator cu
pierderi neglijabile.
Diodele Zener (diode stabilizatoare), cu simbolul din Fig. 2.2.2, sunt diode de construcie special, care
nu se distrug n cazul n care se strpung, ci funcioneaz chiar n regiunea de strpungere i se utilizeaz
ca stabilizatoare de tensiune.

anod

catod

Fig. 2.2.2 Simbolul diodei Zener

Funcionarea acestora se bazeaz pe proprietatea jonciunii p-n de a avea n regiunea de strpungere, o
tensiune la borne constant ntr-o gam larg de variaie a curentului invers, cum se poate observa n
caracteristica curent tensiune (Fig. 2.2.3).

Fig. 2.2.3 Caracteristica curent - tensiune a diodei Zener

13

Dioda funcioneaz ntr-un regim de strpungere controlat, n care att curentul ct i puterea disipat
sunt meninute la valori pe care dioda le poate suporta n regim permanent, fr s se distrug.
Dioda Zener este construit cu siliciu, caracteristica de funcionare a acesteia modificndu-se la variaia
temperaturii de lucru.
Cnd este polarizat direct (+ pe anod i pe catod) funcioneaz ca o diod cu jonciune i cnd este
polarizat invers (- pe anod i + pe catod) funcioneaz n regim de strpungere.
Parametrii principali ai diodelor Zener sunt:
Tensinea nominal de stabilizare, (UZ);
Rezistena dinamic, (Rzd);
Curentul maxim admis n polarizare invers, (IZmax);
Puterea de disipaie a diodei, (Pd);
Coeficientul de variaie a tensiunii stabilizate cu temperatura, ().
Diodele tunel, cu simbolul din Fig. 2.2.4, sunt un tip de diode semiconductoare capabile de operare la
viteze foarte mari.

anod

catod

Fig. 2.2.4 Simbolul diodei tunel

La baza funcionrii diodelor tunel st aa - numitul efect tunel.
Efectul tunel const n faptul c un electron cu energie mai mic dect bariera energetic
corespunztoare barierei de potenial reuete s treac dincolo de aceasta nu peste barier ci prin ea
(ca printr-un tunel).
Diodele tunel au concentraii mari de impuriti att n zona p ct i n zona n (jonciune de tip p+n+). De
aceea, regiunea de trecere este foarte ngust n raport cu diodele obinuite.
La polarizare direct caracteristica curent - tensiune (Fig.2.2.5) are forma literei N i posed o zon p-v
de rezisten negativ de valoarea zecilor de ohmi. La polarizare invers dioda tunel nu are regim de
saturaie, ci are o rezisten intern foarte mic. De aceea o inversare a tensiunii pe dioda tunel poate
duce la distrugerea acesteia. Diodele tunel au o vitez de comutare foarte mare.

Fig. 2.2.5 Caracteristica curent tensiune a diodei tunel

Pentru o bun funcionare este de dorit ca raportul dintre curentul maxim i curentul minim s fie ct
mai mare. Dac se folosete ca material semiconductor, arseniura de galiu acest raport depete
valoare 15.

14

Dioda tunel lucreaz la puteri mici de ordinul wailor. Caracteristica diodei nu depinde de variaiile de
temperatur de aceea ea poate lucra la frecvene foarte nalte de ordinul 104 MHz.
Parametrii diodei tunel sunt:
Punctul de vale corespunztor curentului Iv i tensiunii Uv;
Punctul de vrf corespunztor curentului Ip i tensiunii Up.
Aceast diod este folosit la realizarea urmtoarelor circuite:
- amplificatoare de frecvene foarte nalte;
- oscilatoare de frecvene foarte nalte;
- circuite basculante monostabile, bistabile i astabile.
Dezavantajul diodei tunel este c are numai dou borne i deci nu se poate face separarea ntre circuitul
de intrare i cel de ieire.

Cap.3. Tranzistorul bipolar

3.1 Funcionarea tranzistorul bipolar
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor cu dou jonciuni n succesiune npn sau pnp. Cele
trei zone se numesc emitor (E), baz (B), colector (C).
Se numete bipolar deoarece conducia este asigurat de dou tipuri de purttori de sarcin, electroni i
goluri.
Se folosete n circuitele electronice att digitale ct i analogice, de obicei pentru amplifica sau
transmite un semnal electric.
Particulariti constructive:
- E este mult mai impurificat dect B sau C;
- B este mult mai subire dect E i C (de ordinul micronilor sau chiar zecimilor de microni).
n simbolurile grafice corespunztoare celor dou structuri, npn i pnp (Fig. 2.1.1), sgeata din simbol
corespunde jonciunii pn emitor-baz (vrful sgeii merge ntotdeauna de la zona p spre zona n) i arat
i sensul normal pozitiv al curentului principal prin tranzistor.

Fig. 3.1.1 Structura i simbolurile grafice ale tranzistorului bipolar

Se pot defini trei cureni i trei tensiuni (Fig.3.1.2), dar pentru descrierea funcionrii nu sunt necesare
toate aceste ase mrimi. Tensiunile i curenii sunt legate prin relaiile:
uCB = uCE + uEB

15

iE = iB + iC

Fig. 3.1.2 Curenii i tensiunile tranzistorului bipolar

Tranzistorul poate fi asimilat cu un nod n care suma algebric a curenilor este zero,deci numai dou
tensiuni i doi cureni sunt independeni. Alegerea mrimilor electrice care descriu comportarea
tranzistorului se poate face n moduri diferite. Se consider tranzistorul ca un diport (cuadripol), adic
un bloc cu dou intrri i cu dou ieiri dar dat fiind faptul c tranzistorul are numai trei borne, una
trebuie s fie comun intrrii i ieirii. Borna comun definete conexiunea tranzistorului.
n principiu un tranzistor bipolar este o pastil de siliciu dopat astfel inct s se creeze trei straturi
dopate diferit, i deci dou jonciuni pn; una emitor-baz i alta baz-colector. Tranzistoarele pot fi
pnp (zona din mijloc dopat cu elemente donoare de electroni, celelalte dou dopate cu elemente
acceptoare), sau npn (dopat invers). Totui, din cauza grosimii foarte mici a zonei centrale (baza),
cele dou jonciuni nu funcioneaz independent i ntre terminalele extreme (colector i emitor) poate
aprea un curent, aceasta fiind i proprietatea cea mai important a tranzistorului, i aceea care permite
folosirea lui pe post de amplificator.

Fig. 3.1.3
Structura tranzistorului npn n circuitul de alimentare i distribuia curenilor
Pentru funcionarea tranzistorului a crui structur i alimentare sunt prezentate n Fig. 3.1.3, pe
jonciunea baz-colector, se aplic o tensiune invers, cu polul pozitiv la partea n, adic la colector.
Deoarece n zona p nu sunt electroni liberi care s fie atrai de polul pozitiv de la colector, n circuitul
colectorului curentul este practic nul. Dac n baz se injecteaz electroni din emitor, prin aplicarea unei
tensiuni directe pe jonciunea emitor-baz, electronii injectati vor fi atrai de colectorul pozitiv i n
circuitul colectorului va circula curent. n acest fel curentul n circuitul colectorului este comandat de
curentul din circuitul emitorului, care la rndul su este determinat de tensiunea aplicat ntre emitor i
baz (EE). Peste anumite valori ale tensiunii baz-colector (EC) toi electronii injectai n baz sunt
colectai de colector, curentul de colector atinge valori de saturaie i curentul de baz (care circul ntre
baz i sursa EC) este foarte mic. Se observ c pe msur ce crete curentul emitorului crete i curentul
colectorului, iar tensiunea baz-colector, practic, nu influeneaz curentul colectorului.
Aplicnd ntre emitor i baz o tensiune alternativ, variaiile de tensiune provoac variaii ale curentului
emitorului, care produc variaii ale curentului colectorului. Pe rezistorul de sarcin Rs, mare, din circuitul

16

colectorului, variaiile de curent produc variaii de tensiune mai mari dect ale tensiunii de intrare.
Aadar tranzistorul poate funciona ca amplificator de tensiune. Pentru ca semnalul amplificat s nu fie
deformat, n circuitul emitorului se introduce o tensiune continu U0 care are rolul de a stabili un punct
de funcionare al tranzistorului: tensiunea U0 produce un anumit curent de emitor, n jurul cruia se
produc variaiile de tensiunea alternativ. Aceast amplificare poate lua valori mari. Deoarece
tranzistorul amplific n putere, adic transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic n
circuitul de ieire de rezisten mare, de aici denumirea TRANSfer reZISTOR adic transfer de rezisten.
Acest efect de comand a curentului printr-o jonciune polarizat invers cu ajutorul curentului unei
jonciuni polarizate direct i plasat n apropiere, se numeste efect de tranzistor.
3.2 Carateristicile tranzistorul bipolar
n funcie de modul n care sunt polarizate cele dou jonciuni, un tranzistor bipolar se poate afla n
urmtoarele regimuri de funcionare:
a) regimul activ normal, n care jonciunea emitor-baz este polarizat direct iar jonciunea colectorbaz este polarizat invers. n acest regim se obine cea mai mare amplificare;
b) regimul invers n care jonciunile sunt polarizate invers fa de cazul anterior;
c) regimul de blocare n care ambele jonciuni sunt polarizate invers. n acest caz tranzistorul este blocat
(prin el nu circul curent);
d) regimul de saturaie n care cele dou jonciuni sunt polarizate direct.
Cea mai mare parte a aplicailor folosesc tranzistorul bipolar n regimul activ normal de funcionare.
n regim activ normal al unui tranzistor npn, curentul total al emitorului IE = IEn + IEp + IErec este alctuit din
curentul IEn de electroni, injectai din emitor n baz, curentul IEp a golurilor, injectai din baz n emitor,
i curentul IErec de recombinare a purttorilor de sarcin n jonciunea emitorului. n aceast sum numai
prima component este util, deoarece anume ea influeneaz asupra curentului colectorului, celelalte
componente sunt duntoare, i se tinde de obinut valorile lor ct mai mici. Micarea electronilor,
injectai n baz este condus de recombinarea unei pri e electronilor, de aceea curentul electronilor
ICn ce se apropie de jonciunea colectorului, este mai mic ca curentul IEn cu mrimea IBrec, ce se numete
curentul de recombinare n baz, care se tinde de a fi micorat.
Curenii tranzistorului. Notnd IE ( unde - coeficient de transfer al emitorului) acea parte a
curentului emitorului care trece prin jonciunea colectorului, vom scrie expresia pentru curentul
colectorului n modul urmtor:
IC = IE + ICB0
Curentul invers al colectorului. ICB0 este egal cu curentul ce trece prin jonciunea colectorului, cnd la
colector se aplic tensiune invers i cnd curentul emitorului este egal cu zero.
Prin contactul bazei trece curentul IB, care este egal cu diferena dintre curentul emitorului i
colectorului:
IB = IE IC
Din cele dou relaii avem:

17

IB = IE (1 ) ICB0
Dac vom deconecta circuitul emitorului (IE = 0 i IC = ICB0), atunci vom avea:
IB = ICB0
n aa mod, prin contactul emitorului (circuitul emitor - baz) curge curentul de dirijare IE (de intrare),
prin contactul colectorului (circuitul colector - baza) curentul de dirijare IE (de ieire) i curentul invers
al colectorului ICB0, iar prin contactul bazei diferena curentului emitorului i colectorului.
n tranzistoarele reale curenii IE i IC i creterile lor IE i IC sunt aproximativ egale dup valori.
Coeficienii de transfer a curenilor. Modificarea curentului colectorului rezultat din modificarea
curentului emitorului este condiionat numai de electroni. ns, curentul total al emitorului este
determinat att de electroni ct i de goluri. Cu ct mai muli electroni (n comparaie cu numrul
golurilor) trec prin jonciunea emitorului i cu ct mai puini din aceti electroni se recombin n baz,
neajungnd la jonciunea colectorului, cu att mai bine tranzistorul transmite schimbrile curentului
emitorului n circuitul colectorului.
Coeficientul static de transfer al emitorului poate fi determinat dup formula:

I C I CB0
IE

Coeficientul static de transfer al curentului bazei poate fi determinat dup formula:

I C I CB0
I B I CB0

Caracteristicile statice ale unui tranzistor bipolar sunt grafice ce reprezint dependena dintre curenii
ce trec prin bornele tranzistorului i tensiunile ce se aplic la aceste borne.
Tranzistorului fiind un dispozitiv cu trei borne, n orice schem electric el poate fi conectat n trei
moduri diferite: conectare cu baza comun (BC) (Fig. 3.2.1.a), conectare cu emitorul comun (EC) (Fig.
3.2.1.b) i cu colectorul comun (CC) (Fig. 3.2.1.c).

a baz comun;

b emitor comun;

c colector comun

Fig. 3.2.1 Moduri fundamentale de conectare ale tranzistorului

18

Fiecare din schemele de conectare ale tranzistorului se caracterizeaz prin patru familii de caracteristici:

Iie = f (Uie) la Iin = const caracteristici de ieire;

Uin = f (Iin) la Uie = const caracteristici de intrare;

Iie = f (Iin) la Uie = const caracteristici de transfer a curentului;

Uin = f (Uie) la Iin = const caracteristici de reacie invers dup tensiune.

n cataloage de obicei sunt prezentate primele dou tipuri de caracteristici (de intrare i de ieire), cci
sunt cele mai importante i utilizabile. n anexa 2 prezentm caracteristicile statice ale tranzistorului
bipolar n conexiune EC.
Indiferent de tipul tranzistorului, n planul caracteristicilor de ieire se disting trei regiuni de lucru :
- regiunea de saturaie care se afl n extremitatea stng a caracteristicilor de ieire;
- regiunea de blocare care se afl sub caracteristica IB = 0;
- regiunea activ normal de lucru care se afl ntre cele dou regiuni de blocare i saturaie.
Asigurarea integritii tranzistoarelor necesit considerarea unor limitri impuse mrimilor ce le
determin regimul de lucru. Valorile maxime absolute sunt valori care nu trebuie depite n timpul
funcionrii montajului, deoarece se pot produce defectarea tranzistorului. De regul n aceast grup
apar:
tensiunile maxime ntre terminale: VCB0, VCE0, VEB0;
curentul maxim de collector i de baz: ICM, IBM;
puterea maxim disipat: Ptot;
temperature maxim a jonciunii: TjM.
O regul practic util recomand ncrcarea tranzistorului la cel mult, 0,75 din valorile de catalog ale
acestor parametri.
Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele electronice cu componente discrete, n amplificatoare de
semnal (n domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentaie, oscilatoare, modulatoare i
demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau n comutaie sau n circuite integrate, tehnologia
de astzi permind integrarea ntr-o singur capsul a milioane de tranzistori.

19

Cap. 4. Tranzistoare cu efect de cmp

4.1 Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistoarele cu efect de cmp prescurtate TEC sau FET (Field Effect Transistor) fac parte din familia
tranzistoarelor unipolare. Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, unde conducia electric este
asigurat de dou categorii de purttori, electroni i goluri, la tranzistoarele unipolare conducia
electric este asigurat de un singur tip de purttor de sarcin, fie electroni, fie goluri. Funcionarea lor
se bazeaz pe variaia conductivitii unui "canal" dintr-un material semiconductor, ale crui dimensiuni
transversale sau concentraii de purttori de sarcin mobili pot fi controlate cu ajutorul cmpului
electric transversal, creat ntre un electrod de comand numit poart (gate) situat n vecintatea
canalului i masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal.
Ele se impart n dou categorii, n funcie de tipul de purttori care produc curentul electric:
- TEC cu canal de tip n, n care purttorii sunt electroni;
- TEC cu canal de tip p, n care purttorii sunt goluri.
Dup modul de realizare a controlului conductanei canalului, TEC se mpart n:
- TEC cu jonciuni (TECJ sau J-FET);
- TEC cu gril (poart izolat), avnd la baz structura metal oxid semiconductor (MOS), numit
prescurtat TECMOS sau TECMIS (metal izolator semiconductor)
Tranzistoarele cu efect de cmp sunt larg utilizate n prezent, datorit avantajelor:

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv comandat n curent, iar TEC, un dispozitiv comandat n
tensiune;

Impedana de intrare emitor-baz a tranzistoarelor bipolare este mic de ordinul x (0.1 1)

k - reprezentnd impedana unei diode polarizate direct. Tranzistoarele unipolare au impedan de
intrare foarte mare de ordinul x 100 M. La TEC-J, aceast impedan corespunde unei jonciuni
polarizate invers (n circuitul de intrare gril-surs);

Tranzistoarele cu efect de cmp prezint o capacitate de intrare i ieire mai redus, comparativ
cu cele bipolare, ceea ce le confer avantaje la amplificarea semnalelor de frecvene nalte;

Structurile TEC-MOS se obin cu o tehnologie mai simpl dect tranzistoarele bipolare (circuitele
integrate TEC-MOS se formeaz prin utilizarea a numai 2/3 din numrul de operaii necesar circuitelor
integrate bipolare) i implicit, au un pre de cost mai redus;
TEC prezint unele dezavantaje fa de tranzistoarele bipolare, cum ar fi:

vitez de comutaie mai redus;

tensiune de saturaie mai mare;

pericol de distrugere n prezena cmpurilor electrice, prin strpungerea instalaiei dintre gril i
substrat (la tranzistoarele TEC-MOS).
Protecia intern a dispozitivelor TEC-MOS mpotriva strpungerii prin cmp electric se realizeaz prin
diode nglobate n capsul, iar protecia extern prin scurtcircuitarea terminalelor (cu un inel) i
respectarea unor tehnologii speciale de testare, montare i depanare.

20

4.2 Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TECJ)

Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J) funcioneaz cu purttori majoritari (electroni n
canalul n, respectiv goluri n canalul p). Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J) a fost propus
de Schockley n 1952 i este n esen un rezistor a crui seciune este controlat de grosimea regiunii
sarcinii spaiale a unei jonciuni pn. Termenul de efect de cmp este legat de existena cmpului electric
n zona de sarcin spaial, cmp a crui intensitate este determinat de tensiunea aplicat pe
terminalul poart (gate).

Fig.4.2.1 Structura unui TEC-J cu canal n

Conducia are loc ntr-un canal n (Fig. 4.2.1) ntre contactele surs (care emite electroni) i respectiv
dren (care i colecteaz). Electrodul denumit poart contacteaz zona difuzat p+ care mpreun cu
substratul p+ delimiteaz canalul n. Jonciunea pn poart-canal este polarizat invers, iar grosimea
regiunii de sarcin spaial asociat acestei jonciuni face ca seciunea conductiv a canalului (regiunea n
neutr) s fie mai mic dect distana dintre cele doua jonciuni. Aceast seciune este controlabil
electric prin diferena de potenial care exist ntre poart i canal.
Pe de alt parte TEC-J nu amplific n curent, iar amplificarea n tensiune este mai mic. De obicei n
circuitele electronice discrete se ntlnete i n combinaie cu tranzistorul bipolar (se exploateaz
avantajele ambelor tipuri de tranzistoare).

Fig. 4.2.2 Simboluri grafice pentru TEC - J

Trebuie remarcat faptul c sgeata din simbolul grafic (Fig. 4.2.2) i n acest caz desemneaz o jonciune
pn (sensul sgeii de la plan). Curentul de poart este foarte mic (de ordinul nA) i va fi considerat
practic nul. Curentul de dren iD este normal pozitiv intr n drena tranzistorului cu canal n (electrod care
evacueaz electroni) i iese din drena tranzistorului cu canal p. Curentul de surs este egal cu cel de
dren.

21

Caracteristicile statice ale TEC-J

a.

Caracteristicile de ieire (Fig.4.2.3) iD = iD (uDS ) cu uGS = constant numite i caracteristici de dren.

Fig. 4.2.3 Caracteristici de ieire ale TEC-J

TEC-J este folosit n zona liniar la tensiuni mici dren-surs ca rezisten controlat n tensiune. Aici
conductana dren-surs este identic cu conductana canalului i rezistena dren-surs este funcie
liniar de tensiunea poart-surs aplicat.
Pentru tensiuni mai mari, distingem a zona neliniar, o zona de saturaie a curentului de dren (aici
curentul de dren depinde foarte slab de tensiunea dren-surs), dup care urmeaz o zon de cretere
abrupt (strpungere) a curentului, nemarcat pe grafic.
Zona neliniar este caracterizat de uDS < uDS,sat, unde uDS,sat este tensiunea la care apare saturaia
curentului de dren.
Zona de saturaie este caracterizat de faptul c ID nu mai crete cu uDS.
uDS < uDS,sat,

iD = iD,sat

Saturaia corespunde momentului n care canalul este strangulat lng dren. Aceast strangulare apare
la rndul ei atunci cnd diferena de potenial ntre poart i extremitatea de lng dren a canalului
este egal cu tensiunea de prag.
b.
Caracteristicile de transfer (Fig. 4.2.4) sunt iD = iD(uGS). Dispozitivul este folosit ca amplificator n
zona de saturaie caracterizat de uDS >uDS,sat , unde iD este practic independent de uDS.

Fig.4.2.4 Caracteristicile de transfer ale TEC-J

22

Zona preferat de lucru este cea de la cureni mari, acolo unde i panta caracteristicii este mai mare. Aici
curentul scade cu creterea temperaturii (la UGS = const) dar problema ambalrii termice nu se pune n
cazul TEC-J.
4.3 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat
Tranzistorul TEC-MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducia curentului electric la suprafaa
semiconductorului. Proprietile conductive ale suprafeei semiconductorului sunt controlate de un
cmp electric aplicat printr-un electrod izolat de semiconductor (poart). Aceste aspecte constructive
definesc familia tranzistoarelor cu efect de cmp cu poarta izolat sau, pe scurt, TEC-MIS (tranzistor cu
efect de cmp-metal-izolator-semiconductor). Izolatorul folosit este un strat subire de oxid (SiO2)
crescut prin oxidarea termic a suprafeei siliciului (de unde denumirea TEC-MOS, adic tranzistor cu
efect de cmp-metal-oxid-semiconductor).
Conducia se realizeaz pe suprafaa substratului de siliciu, ntre doua zone cu tip de conductivitate opus
celui al substratului; numite surs (S) i dren (D).
n funcie de modul de formare a canalului i de tipul su, TEC-MOS urile sunt de patru categorii:
cu canal n, iniial;
cu canal p, iniial;
cu canal n, Indus;
cu canal p, Indus.

Fig. 4.3.1 Structura unui TEC-MOS cu canal iniial de tip p

n figura 4.3.1 s-a considerat un substrat de tip n; n acest caz sursa i drena sunt de tip p. Pentru a se
putea stabili un curent electric ntre surs i dren, suprafaa semiconductorului trebuie inversat ca tip
de conductivitate, adic s devin de tip p. n acest caz, la suprafa apare un canal conductor, de tip p,
care leag sursa de dren. Inversarea tipului de conductivitate a suprafeei, precum i controlul
rezistivitii canalului se face de ctre poart. Simbolurile grafice pentru tranzistoare MOS cu canal n i p
sunt prezentate n figura 3.3.2:

Fig.4.3.2 Simboluri pentru TEC-MOS

De obicei n aplicaii obinuite substratul se leag la surs, dar exist dispozitive la care substratul apare
ca un terminal separat. Se observ aceeai semnificaie pentru sgeata din simbolul grafic.

23

Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS

Fie un TEC-MOS cu canal n (cel cu canal p se descrie identic) la care substratul se leag la surs.
Tensiunile de poart UGS i de dren UDS sunt pozitive. Pentru tensiuni de poart mai mici de tensiunea
de prag UT nu apare canal la suprafa i ca urmare curentul de dren ID este nul.Dac tensiunea de
poart depeste valoarea de prag, ntre surs i dren se formeaz un canal n care permite conducia
curentului electric (cu att mai bine cu ct tensiunea UGS este mai mare). Caracteristicile statice ale
tranzistorului MOS reprezint dependena curentului de dren de tensiunile de poart i de dren:
ID = ID (UGS, UDS)
a.
Caracteristicile de dren sau de ieire (Fig. 4.3.3) reprezint dependena curentului de dren n
funcie de tensiunea dren surs pentru diferite valori ale tensiunii gril surs.

Fig. 4.3.3 Caracteristicile de ieire ale unui TEC- MOS

Pentru toate tipurile de TEC caracteristicile de ieire sunt asemntoare i se pot deosebi trei regiuni:
- Regiunea liniar, pentru valori mici ale tensiunii dren surs, curentul de dren crete proporional
cu tensiunea;
- Regiunea de saturaie, curentul de dren rmne aproape constant chiar la creteri relative mari ale
tensiunii de dren surs;
- Regiunea de strpungere, creterea tensiunii dren- surs peste o anumit valoare produce o
multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin.
b.
Caracteristicile de transfer reprezint variaia curentului de dren n funcie de tensiunea gril
surs pentru diferite valori ale tensiunii de dren surs.

tip n

tip p

Fig. 4.3.4 Caracteristicile de transfer pentru TEC-MOS cu canal indus

24

n cazul TEC-MOS cu canal indus (Fig. 4.3.4), dac acesta este de tip p ambele tensiuni UGS, UDS sunt
negative. Aceste tranzistoare au canal indus prin aplicarea unei tensiuni UGS mai mari dect valoarea de
prag. Unele tranzistoare prezint canal chiar la tensiuni poart-surs nule (UGS = 0) i se numesc
tranzistoare MOS cu canal iniial (Fig. 4.3.5). Aceast situaie se ntlnete n special la tranzistoare cu
canal n. Un asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate a tensiunii de poart. Dac tensiunea de
poart este pozitiv UGS > 0, regimul se numete regim de mbogire datorit creterii concentraiei de
electroni n canal; dac tensiunea de poart este negativ UGS < 0, regimul poart denumirea de regim
de srcire i duce la scderea concentraiei de electroni din canal pn la dispariia lui (la UGS = U T).

tip n

tip p

Fig. 4.3.5 Caracteristica de transfer pentru TEC-MOS cu canal iniial

Din punctul de vedere al dependenei de temperatur, tranzistorul MOS prezint avantaje deosebite
fa de tranzistoarele bipolare. La creterea temperaturii, curentul de dren scade, dar dependena este
foarte slab. Ca urmare tranzistoarele MOS nu prezint fenomenele de strpungere secundar i
ambalare termic.

Cap. 5. Tiristorul
5.1 Tiristorul
Dispozitivele multijonciune au trei sau mai multe jonciuni, au la baz structura pnpn, care are patru
straturi i trei jonciuni i care, datorit caracteristicii sale statice curent-tensiune cu dou stri stabile,
se folosete n circuitele de comutaie. Din aceast categorie cele mai utilizate sunt: tiristorul, diacul,
triacul.
Tiristorul
Denumirea de tiristor provine de la numele unui tub electronic cu gaz numit tiratron (TIRatron
transISTOR). Tiristorul este o structur pnpn prevzut cu electrod de comand prin conectarea zonei p
adiacente catodului (Fig. 5.1.1. a)

a structur;

b - simbol
Fig. 5.1.1. Tiristorul

25

Electrodul de comand, poarta, G (gate), anod i catod sunt cele trei terminale ale tiristorului simbolizat
n Fig. 5.1.1.b).
Amorsarea tiristorului se realizeaz prin injectarea unui curent pe poart, la o tensiune mai mic dect
cea de autoamorsare sau la tensiunea de autoamorsare fr curent de poart, mod utilizat foarte rar
sau deloc.
Analiza fenomenelor fizice ce au loc la amorsarea tiristorului prin injectarea unui curent de poart se
poate face echivalnd structura cu dou tranzistoare complementare , dup cum se vede n schema
echivalent (Fig. 5.1.2)

Fig. 5.1.2 Schema echivalent a unui tiristor

Din caracteristicile statice curent tensiune ale tiristorului (Fig. 5.1.3) se observ posibilitatea creterii
nelimitate a curentului prin structur, dac este ndeplinit condiia de amorsare, amorsarea poate avea
loc la o tensiune anodic mai mic dect tensiunea de autoamorsare. Iniierea amorsrii este provocat
prin injectarea unui curent iG prin jonciunea J3 i nu prin creterea tensiunii anodice. Dependena
factorilor de curent de curentul prin dispozitiv st la baza procesului de amorsare a tiristorului. Se
observ c la curenii de poart mai mari tensiunea de amorsare este mic, peste o anumit valoare a
curentului de poart, amorsarea are loc pe curba punctat, ca la o jonciune pn (tiristorul este de fapt o
diod comandat).

Fig. 5.1.3 Caracteristicile statice curent tensiune ale tiristorului

n funcionare normal, tensiunea anodic trebuie s fie mai mic dect tensiunea de autoaprindere
UBO. Pentru comutare direct se aplic un curent de poart cruia i corespunde o tensiune de
aprindere UA<UBO.
n polarizare invers, tiristorul se comport ca o dioda pnpn, prin el trecnd un curent mic, iar la
tensiunea UB are loc strpungerea tiristorului.

26

Pentru a bloca tiristorul trebuie micorat curentul prin structur sub valoarea de meninere IH (HOLD)
(tensiunea la borne scade i ea sub valoarea de meninere UH), deoarece dup amorsare, poarta si
pierde rolul de electrod de comand, n sensul c nu poate aciona i pentru blocarea tiristorului, totui
acest rol va fi reluat dar numai dup blocarea tiristorului.
Semnalul de comand pentru amorsarea tiristorului poate fi att semnal continuu ct i impulsuri de
polaritate corespunztoare. Comutarea direct i blocarea tiristorului au loc n timp finit, fiind legate de
procese fizice de injecie i extracie de purttori de sarcin. Timpul de comutare direct crete cu
temperatura i cu curentul anodic, dar scade cnd amplitudinea semnalului de comand crete. Dac
semnalul de comand este un impuls, trebuie sa aib o durat minim, timp de meninere pe poart,
sub care comutarea nu are loc.Timpul de comutare invers crete de asemenea cu temperatura i
curentul anodic i scade cnd amplitudinea semnalului de comutare crete. Astfel, pentru blocare este
suficient s micorm tensiunea anodic sub valoarea de meninere, dar timpul de comutare invers
scade dac inversm polaritatea tensiunii pe anod. Dac semnalul de blocare este un impuls, exist o
durat minim a acestuia, numit timp de revenire pe poart sub care blocarea nu are loc. n tiristoarele
rapide timpii de comutare sunt de ordinul a cteva microsecunde, iar timpul de blocare este n general
mai mare dect cel de comutare direct.
Cu ajutorul tiristorului pot fi controlate puteri mari, fiind utilizat frecvent n circuitele redresoare
comandate i invertoare. Posibilitatea de control a momentului amorsrii determin un domeniu larg de
aplicaii pentru acest dispozitiv care poate fi alimentat de la tensiuni de ordinul zecilor la tensiuni de
ordinul sutelor de voli i corespunztor curenilor de ordinul sutelor de amperi.

Cap. 6. Dispozitive optoelectronice

6.1 Dispozitive optoelectronice bazate pe efectul fotoelectric intern
Dispozitivele optoelectronice reprezint elemente care transform energia radiaiilor luminoase (sau a
altor radiaii din spectrul invizibil) n energie electric sau invers. Transformarea energiei radiaiei
electromagnetice n energie electric i invers se face n mod direct, fr intermediul altor forme de
energie. Fenomenele fizice fundamentale care stau la baza funcionrii dispozitivelor optoelectronice
sunt absorbia radiaiei electromagnetice n corpul solid i recombinarea radiativ a purttorilor de
sarcin n semiconductor.
Dispozitivele optoelectronice se mpart n dou mari categorii:
- dispozitive bazate pe efectul fotoelectric intern;
- dispozitive optoelectronice electroluminescente.
Dispozitive optoelectronice bazate pe efectul fotoelectric intern
Fotoelementul, simbolizat n Fig. 6.1.1, reprezint un dispozitiv optoelectronic care nu necesit
alimentarea de la o surs de tensiune exterioar, el genernd o anumit tensiune atunci cnd este
iluminat. Valoarea tensiunii care este msurat pe o asemenea celul care nu este conectat ntr-un
circuit poart denumirea de tensiune de circuit deschis i are o variaie pronunat la iluminri mici, iar
curentul care strbate terminalele celulei n timpul unui scurtcircuit poart denumirea de curent de
scurtcircuit i are o variaie pronunat cu ct iluminarea este mai puternic. Cu ct aria unei celule este
mai mare cu att curentul de scurtcircuit este mai mare.

27

Fig. 6.1.1 Simbolul fotoelementului

Dac n aplicaii dorim s utilizm curentul unei astfel de celule se vor utiliza rezistori de sarcini mici, iar
dac dorim utilizarea tensiunii, rezistorul de sarcin trebuie s aib o valoare mare. Valoarea curentului
de scurtcircuit depinde i de lungimea de und a luminii (culoarea) care lumineaza fotocelula.
Fotorezistena, simbolizat n Fig. 6.1.2, este format dintr-o pelicul semiconductoare depus prin
evaporarea n vid pe un grtar metalic fixat n prealabil pe o plac izolatoare. Aceast pelicul se
protejeaz de obicei prin acoperire cu lac sau pelicul de mas plastic.
Acestea au proprietatea de a-i modifica valoarea rezistenei electrice sub aciunea fluxului luminos.
ntr-un circuit care conine un astfel de dispozitiv alimentat de la o surs de tensiune constant, curentul
va crete odat cu iluminarea fotorezistorului.
Variaia rezistenei lor cu temperature i ineria ridicat n funcionare, constituie inconvenientele
acestor dispozitive.

Fig. 6.1.2 Sombolul fotorezistenei

Principalii parametri ai fotorezistenei sunt:
Rezistena de ntuneric, (R0);
Sensibilitatea, (S).
Fotodioda, simbolizat n Fig. 6.1.3 nu difer din punct de vedere a structurii fizice fa de diodele
obinuite. Fotodioda este constituit dintr-o jonctiune pn de construcie special, astfel nct s fac
posibil incidena razelor de lumin n domeniul zonei de difuzie a acesteia. n funcionarea normal
jonctiunea pn este polarizat invers cu ajutorul unei sursei externe. Incidena razelor de lumin n zona
de difuzie determin o cretere a curentului invers. Pot fi folosite la frecvene de ordinul miilor de Hz.

Fig. 6.1.3 Simbolul fotodiodei

28

Principalii parametrii ai unei fotodiode sunt:

Curentul de ntuneric, (ID);
Tensiunea invers maxim, (URM);
Curentul de iluminare, (IL);
Sensibilitatea, (S).
Fototranzistorul, simbolizat n Fig. 6.1.4, este format din trei zone (pnp sau npn) numite colector, baz i
emitor. Zona sensibil la lumin formnd-o jonciune baz- colector. Spre deosebire de fotodiode
fototranzistoarele realizeaz i o amplificare a curentului fotoelectric. Fluxul luminos are rolul curentului
de baz de aceea fototranzistorul nu este prevzut cu terminalul pentru baz. n circuite fototranzistorul
se monteaz n conexiune emitor comun, polarizarea fcnduse ca i la tranzistor, emitorul la
potenialul negativ iar colectorul la potenialul pozitiv pentru un tranzistor npn.
Ineria n funcionare a fototranzistorului este mai mare dect a fotodiodei.

Fig. 6.1.4 Simbolul fototranzistorul

Fototiristorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structur de tiristor, a crui aprindere se
face sub aciunea unui flux luminos. i n acest caz tensiunea de amorsare scade cu creterea intensitii
fluxului luminos.

6.2 Dispozitive optoelectronice electroluminiscente

Dioda electroluminiscent (LED- ul), simbolizat n Fig. 6.2.1, numit LED-Light Emmiting Diode se
bazeaz pe fenomenul invers fotodiodei. Culoarea luminii emise depinde de semiconductorul utilizat.
LED-urile pot fi folosite ca indicatoare numerice sau indicatoare optice pe panourile aparatelor. LED-ul
emite lumina ntr-o anumit band foarte ngust de lungimi de und care este caracteristic unei
anumite culori.
Pentru LED-uri RGB, poate fi un singur LED cu trei structuri (Red/Green/Blue) ncorporate care sunt
comandate pe trei linii separate de comand a culorii, sau un punct luminos", compus din structuri LED
rou/verde/albastru distincte. Prin comanda separat a fiecrei culori din cele trei se obin peste 16
milioane de nuane (principiu care este utilizat i n monitoarele cu LED-uri

Fig. 6.2.1 Simbolul diodei electroluminiscente

29

Parametrii electrici ai LED-urilor sunt identici cu cei ai diodelor:

Curentul direct, (IF);
Tensiunea de deschidere a jonciunii, (UF);
Tensiunea invers, (UR).
Optocuplorul, simbolizat n Fig. 6.2.2, este ansamblul format dintr-un LED i un receptor luminos
(fotodiod, fototranzistor) montat ntr-o capsul comun opac.

Fig. 6.2.2 Simbolul optocuplorului

Aceste dispozitive au o gam larg de aplicaii ele putnd nlocuii relee, putnd izola partea de for de
partea de comand n sistemele automate i n multe alte aplicaii. ntr-un astfel de dispozitiv se
transmit ntr-un singur sens de la intrare la ieire.
De obicei randamente de transfer relativ ridicate se obin n domeniul frecvenelor infraroii.
Optocuploarele pot fi utilizate pentru transfer de semnale att de curent continuu, ct i de curent
alternativ, frecvena limit fiind ordinul zecilor de MHz.
Pe lng parametrii ce se refer separate la emitor i receptor, parametrii specifici optocuplorului
sunt:
Tensiunea de lucru care este diferena de potenial ntre emitor i receptor;
Factorul de transfer n curent care este egal cu raportul dintre variaia curentului la ieire i variaia
curentului la intrare;
Timpul de rspuns care reprezint timpul scurs ntre momentul aplicrii semnalului luminos i cel la
care fotocurentul crete pn la 0,1 din valoarea sa maxim.

30

Bibliografie
1. Chivu, A.,Cosma, D. ( 2005). Electronic analogic. Electronic digital Lucrri practice,
Craiova: Editura ARVES
2. Dragulescu, N., Miroiu, M., Moraru, D.( 1990). ABC - Electronica in imagini - Componente pasive,
Bucuresti:Editura Tehnica
3.
4. Bioiu, Adrian. Blu, Gheorghe. Icou, Corneliu. Lingvaz, Iosif. (1984). Practica
electronistului amator, Bucureti: Editura Albatros
5. Creang, Emil. Saimac, Anton. Banu, Emilian. (1981). Electronic Industrial, Bucureti: Editura
didactic i pedagogic
6. Dascalu, Dan. Rusu, Adrian. Profirescu, Marcel. Costea, Ioan. (1982). Dispozitive i circuite
electronice, Bucureti: Editura didactic i pedagogic
7. Vasilescu, Gabriel. Lungu, erban. (1981). Electronic, Bucureti: Editura Didactic i Pedagogic

31

Anexe
Anexa 1 Tipuri de diode i utilizrile acestora
Tipul diodei

Utilizarea

Diode cu contact punctiform

Detectoare de nalt frecven pentru semnal mic. Demodulatoare

Diode varicap (varactoare)

Acordul circuitelor oscilante

Modulaie de frecven
Multiplicare de frecven

Diode tunel

Generatoare de oscilaii n domeniul microundelor

Diode redresoare

Redresoare

Diode Zener

Stabilizatoare de tensiune
Limitatoare de tensiune

Diode PIN

Rezisten reglabil n nalt frecven

32

Anexa 2 Caractertisticile statice ale tranzistorului bipolar n conexiune EC

33