Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
3 Dioda redresoare
Diodele redresoare folosesc proprietatea de
conducie unilateral a jonciunii p-n n scopul
redresrii curentului alternativ.
Caracteristica static a unei diode redresoare
respect variaia de tip exponenial a curentului funcie
de tensiune pentru valori mici i medii ale curentului
dar n domeniul curenilor mari curentul crete mai
ncet dect indic ecuaia caracteristic. Acest fapt este
datorat faptului c tensiunea aplicat ntre A i C se regsete doar parial n zona de trecere a
jonciunii, diferena constituind cderi de tensiuni ohmice pe regiunile neutre. Din aceast cauz
tensiunea la bornele unei diode redresoare parcurs de cureni foarte mari, de ordinul amperilor
sau zecilor de amperi, poate ajunge pn la 1,2...1,5V.
Fcnd o comparaie ntre caracteristicile diodelor din Si i Ge, pe baza reprezentrilor din
Fig. 4.10, rezult:
- tensiunea de prag aparent, U P , a diodelor din Ge este mai mic (0,1...0,2V) dect a celor
din Si (0,5...0,6V);
- panta caracteristicii statice a diodelor din Si este mult mai abrupt dect a celor din Ge;
- curentul invers al diodelor din Si (1...10nA) este cu cteva ordine de mrime mai mic
dect al celor din Ge (1...100A);
- tensiunea invers la care dioda se strpunge prin apariia brusc a curenilor de conducie
este mai mare n cazul Si.
IA, [A] IA, [A]
8 0
Si
Si
1
4
Ge Ge
2
0
0 1 2 -0,4 -0,2 0 U , [V]
a. UA, [V] b. A
IA, [A]
-2 Si Ge
-4
-1000 -500
UA, [V] 0
c.
Fig. 4.10 Comparaie ntre caracteristicile statice ale diodelor din Si i Ge:
a.-polarizare direct b., c.-polarizare invers.
Cu excepia tensiunii de prag aparent, dioda din Si se apropie mai mult de dioda ideal
dect cea din Ge, motiv pentru care este mult mai folosit n practic. Diodele din Ge se utilizeaz
2 Curs 10
foarte rar i numai n cazul n care este necesar o tensiune de prag ct mai redus.
Principalii parametrii ce caracterizeaz o dioda redresoare i care se regsesc n foaia de
catalog sunt exemplificai mai jos pentru dioda 6Si15
(6 semnific curentul mediu redresat, Si materialul din care este construit dioda iar 15
reprezint numrul sutelor de voli ai tensiunii inverse maxime):
Att n polarizare invers dar mai ales n polarizare direct, dioda redresoare consum
putere electric de la sursele de alimentare pe care o transform n cldur rezultnd nclzirea
jonciunii. Nu trebuie depit temperatura maxim admisibil a jonciunii deoarece dioda se
distruge ireversibil. Mrimea ce caracterizeaz capacitatea diodei de a transmite mediului ambiant
cldura disipat pe jonciunea p-n se numete rezisten termic jonciune-ambient fiind definit
prin relaia:
RTj a
t j ta
P
o
C /W ,
unde: - t j - temperatura jonciunii;
- t a - temperatura mediului ambiant;
- P - puterea electric disipat pe diod.
Puterea maxim care poate fi disipat de ctre diod rezult din relaia:
Pmax
t j max ta
RTj a
C / W .
o
Temperatura maxim admisibil a jonciunii depinde n primul rnd de materialul din care este
construit dioda avnd valori reprezentative:
85...125o C Ge
t j max .
175...200o C Si
Rezistena termic prezint dou componente: rezisten termic jonciune-capsul i rezisten
termic capsul-ambient:
RTj a RTj c RTc a .
Dac prima component caracterizeaz fiecare diod n parte avnd o valoare constant ce
apare ca dat de catalog, valoarea celei de a doua componente poate fi redus prin montarea unor
radiatoare adecvate ce faciliteaz transferul de cldur de la capsula diodei ctre mediul ambiant.
Dispozitive electronice - Dioda semiconductoare 3
4.1.4
Redresoare monofazate
u
u u u U
t t t t t
fiind aplicat tensiunea u1, considerat sinusoidal. n secundar se obine tot o tensiune
sinusoidal de forma:
u2 2U 2 sin t ,
avnd valoarea efectiv dependent de tensiunea primar i raportul numrului de spire din primar
i secundar:
U 2 n2
.
U1 n1
n analiza circuitului se utilizeaz modelul diodei ideale: n polarizare direct se consider
dioda echivalent cu un scurtcircuit (se neglijeaz cderea de tensiune la bornele diodei) iar n
polarizare invers echivalent cu o ramur n gol.
n alternana pozitiv, plusul tensiunii de la intrarea redresorului se aplica anodului diodei D
iar minusul, prin intermediul rezistorului de sarcin, se aplic catodului. Dioda este direct
polarizat i intr n conducie, aa cum se observ n Fig. 4.13. Se obine:
t 0, T / 2 iA iO 0 , A C uO uCM u AM u2
alternaa
A C pozitiv
alternaa
pozitiv
t i0 t
0 T/2
alternaa
A C negativ
t i0 t
T/2 T
alternaa
negativ
iO t
0 T 2T 3T
u2
Variaia n timp a tensiunii i curentului de ieire este prezentat n Fig. 4.14, iar expresia
matematic a tensiunii de ieire are forma:
u t 0 , T / 2
uO 2 .
0 t T / 2 , T
La ieirea redresorului se regsete numai alternana pozitiv, alternana negativ fiind suprimat.
De aici provine denumirea de redresor monoalternan. Tensiunea de ieire are o form
pulsatorie, mult diferit de o tensiune continu dar avnd doar variaii pozitive.
Pentru nceput se determin componenta continu a tensiunii de ieire, care este valoarea
medie pe o perioad. De menionat c aceast component reprezint partea util a tensiunii de
ieire.
Pentru simplificarea calculelor, n vederea obinerii principalelor valori caracteristice de
interes, se recurge la o schimbare de variabil:
not
t , t 0, T 0, 2
1 2 1 2U 2
U0 u2d 2U 2sind sind
2U 2
cos 0 2U 2
2 0 2 0 2 0 2
2U 2
U0 .
Se evalueaz n continuare valoarea efectiv a tensiunii de la ieire:
1 2 2 1 2 2 1
1 - cos2d
2U 2
U 0ef u2 d 2U 2 sin d U 2
2 0 2 0 0 2
2U 2
U 0ef .
2
Raportul ntre valoarea efectiv i valoarea medie a tensiunii de ieire se numete factor de
form. Acesta furnizeaz informaii referitoare la msura n care forma tensiunii de ieire se
apropie de forma tensiunii ideale, respectiv tensiunea continu. Valorile apropiate de unitate ale
factorului de form indic o tensiune apropiat ca form de cea continu.
2U 2
U 0ef
2 ,
U0 2U 2 2
1,57 .
2
U 02
P R U2 1
0 2s 20 2 ,
Pt U 0ef U 0ef
Rs
1
0,405 .
2
Redresorul monofazat monoalternan are o construcie simpl fiind ieftin i fiabil dar
calitatea tensiunii de la ieire este nesatisfctoare. Este utilizat rar, n special n aplicaiile care
necesit un consum redus de curent i deci o putere mic la ieire.
Observaie. Situaia cea mai defavorabil n cazul diodei redresoare se obine la momentul
t (3 / 4)T , cnd dioda este polarizat invers cu tensiunea maxim u A inv. max 2U 2 . Lund n
calcul un coeficient de siguran de valoare 2, rezult valoarea necesar a tensiunii inverse
maxime a diodei: VRM 2 2U 2 .
A1 IA1 C iO
D1
n1 n2 u 2' IA2 uO Rs
u1
punct median
M
n2 u ''
2 D2
A2 redresor
n alternana pozitiv, plusul tensiunii de intrare din seciunea superioar se aplic anodului
diodei D1 iar minusul, prin intermediul lui Rs, catodului. Dioda D1 este polarizat direct i intr n
conducie, dup cum se observ n Fig. 4.16. n seciunea inferioar, plusul tensiunii de intrarea se
aplic, prin intermediul lui Rs, catodului diodei D2 iar minusul, anodului. Dioda D2 este polarizat
invers i n consecin blocat. Astfel:
Dispozitive electronice - Dioda semiconductoare 7
i A1 iO 0 , A1 C uO uCM u A1M u2
t 0, T / 2
i A2 0
alternaa
alternaa
pozitiv
pozitiv
t t
0 T/2
alternaa
negativ
t t
T/2 T
alternaa
negativ
u t 0 , T / 2
uO 2 .
u2 t T / 2 , T
La ieire se obin dou alternane ale tensiunii i curentului de ieire n decursul unei
perioade a tensiunii de intrare, fr intervale de pauz. Alternana negativ, care la redresorul
monoalternan era suprimat, este redat la ieire integral dar inversat, adic tot cu valori
pozitive ca i alternana pozitiv.
Utiliznd aceeai schimbare a variabilei de integrare, se calculeaz valoarea medie
(componenta continu) i valoarea efectiv a tensiunii de la ieire:
8 Curs 10
1 1 2U 2
U0 u2d 2U 2sind sind
2U2
cos0 2 2U2
0 0 2 0
2 2U2
U0
1 2 1 2 2 1
U 0ef u2 d 2U 2 sin d 2U 2 1 - cos2d U 2
0 0 0
U 0ef U2
u2
t
0 T 2T 3T
u, i
uO
iO
t
i
iA1 iA2
maxime VRM 4 2U 2 .