Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Laser
Laser
Principiul de funcionare
Exist dou tipuri de radiaii: spontan i stimulat. Spontan nseamn c radiaia are
loc fr cauze externe. Exact acest lucru se ntmpl n LED-uri: electronii excitai din
banda de conducie cad, fr nici un stimulent extern, n banda de valene, producnd
radiaie spontan.
Proprietile radiaiei spontane sunt urmtoarele:
1. Saltul electronilor ntre diferite nivele energetice ale benzii de conducie i benzii
de valen determin producerea radiaiei, ceea ce explic limea spectral aa de
mare a acestor surse. Din acest motiv un LED are o lime sprectral de cca 60
nm pentru o funcionare pe lungimea de und de 850 nm i de 170 nm pentru
funcionarea pe 1300 nm.
2. Deoarece fotonii sunt radiai pe direcii arbitrare, foarte puini dintre ei particip
la crearea luminii pe direcia dorit, ceea ce reduce puterea de ieire a unui LED.
Aceasta nseamn c conversia current-lumin are loc cu eficien redus.
3. Fotonii care contribuie la puterea de ieire, nu se mic strict ntr-o singur
direcie. Prin urmare, ei se propag n interiorul unui con, ceea ce conduce la o
mprtiere spatial a radiaiei. Din acest motiv, LED-ul este modelat ca o surs
Lambertian.
4. Tranziia electronilor, i prin urmare emisia fotonilor, are loc la momente aleatorii
de timp, deci fotonii sunt creai independent unul de altul. Prin urmare nu exist
nici o corelare de faz ntre fotoni, motiv pentru care radiaia este numit
necoerent.
Cele patru caracteristici de mai sus ale radiaiei unui LED, fac din aceast emitor o
component inutilizabil pentru legturile optice la mare distan.
Un alt proces are loc atunci cnd un foton extern lovete un electron excitat, fig.&.1.
Interaciunea dintre ei include o tranziie i o radiaie de nou foton. n acest caz, emisia
indus este stimulat de fotonul extern. Prin urmare, aceast radiaie este numit
stimulat.
Radiaia stimulat are urmtoarele proprieti:
1. un foton extern foreaz emisia unui foton cu energie similar ( E p ). Cu alte
cuvinte, fotonul extern stimuleaza radiaie cu aceeai lungime de und ca a lui.
Aceast proprietate face ca limea spectral a luminii radiate s fie mai ngust.
1
fig.&.1.
Este obinuit ca la un laser, limea spectral s fie n jur de 1nm, att la 1300 nm
ct i la 1550 nm.
2. Deoarece toi fotonii se propag n aceeai direcie, toi contribuie la puterea
luminoas. Prin urmare, eficiena conversiei curent-lumin este mare i drept
consecin i puterea de ieire va fi la fel. De exemplu, n comparaie cu un LED
pentru care o putere de ieire de 1 mW poate necesita un curent direct de pn la
150 mA, o diod laser poate radia 1 mW la doar 10 mA.
3. Fotonii stimulai se propag n aceeai direcie cu fotonii care i-au stimulat. Prin
urmare, lumina stimulat va fi bine direcionat.
4. Deoarece un foton stimulat este radiat doar cnd un foton extern amorseaz
aceast aciune, ambii fotoni se spune c sunt sincronizai. Aceasta nseamn c
ambii fotoni sunt n faz i astfel radiaia stimulat este coerent.
Reacia pozitiv
Fig.&.2.
2
Doi electroni, unul extern i unul stimulat, sunt astfel reflectai napoi nspre regiunea
activ. Aceti doi electroni vor funciona acum radiaie extern i vor stimula emisia altor
doi fotoni. Aceti patru fotoni sunt reflectai de o a doua oglind, poziionat la cellalt
capt a regiunii active. Cnd aceti fotoni vor trece prin regiunea activ, ei vor stimula
emisia altor patru fotoni. Aceti opt fotoni vor fi reflectai napoi n regiunea activ de
prima oglind i procesul continu la infinit.
Prin urmare, cele dou oglinzi realizeaz o reacie optic pozitiv. Pozitiva deoarece
reacia adun ieirea (fotonii stimulai) la intrare (fotonii externi). Aceste dou oglinzi
formeaz un rezonator.
Trebuie reinut c explicatia data este supersimplificat. Lucrul important de reinut este
c am discutat un proces dinamic si aleator. un numr nedeterminat de fotoni i perechi
electron-gol sunt implicate n proces. Excitaia i radiaia sunt guvernate de legi statistice.
Albert Einstein este cel care a explicat diferenta dintre emisia spontan i cea stimulat,
introducnd parametrii cei poart numele pentru a calcula probabilitile acestor dou
tipuri de emisii.
Inversiunea de populaie
3
Fig.&.3.
Peste aceast conditie de prag, dioda ncepe s se comporta ca o diod laser. Dac
continum s cretem curentul direct, (adic, ctigul) numrul de fotoni emii stimulat
continu s creasc, ceea ce induce i o cretere a puterii luminoase. Se obtine astfel o
diod semiconductoare care emite o limin monocromatic, bine direcionat, foarte
intens i coerent. De reinut c pentru a face o diod laser s genereze lumin, ctigul
trebuie s depeasc pierderile.
4
Fig.&.4.
Fig.&.5.
5
Structura este similare cu a unui SLED, cu dou excepii: prima, grosimea regiunii active
ntr-o dioda laser este foarte mic, tipic de ordinul 0.1 m. A doua, ambele capete ale
diodei laser au suprafee clivate pentru a functiona ca oglinzi. Deoarece indicele de
refracie al GaAs din care este fcut regiunea activ, este n jur de 3.6, mai mult de 30%
din lumina incident va fi reflectat napoi n regiunea activ la interfaa dintre GaAs i
aer. Acest tip de laser se numete laser de arie larg.
Pentru a confina purttorii i mai sigur n interiorul micii regiuni active a diodei, se poate
folosi i un contact metalic, fig.&.6.
Fig.&.6.
Fig.&.7.
6
Pentru a face aciunea laser mai eficient, se poate folosi o tehnic de fabricare care
permite realizarea unor regiuni active foarte nguste, de ordinul 4 la 20 nm grosime (vezi
fig.&.8 pentru definirea dimensiunilor).
Fig.&.8.
Aceast tehnic conduce la aa numitul laser cu perete cuatic. Tehnica peretelui cuatic
modific densitatea nivelelor energetice disponibile pentru electroni i goluri. Rezultatul
este un ctig optic mult mai mare. Din punctul de vedere al jonciunii p-n, o diod cu
perete cuantic este caracterizat printr-un potenial de barier mai redus, ceea ce face ca
electronii i golurile s se poat recombina mai uor. Cu alte cuvinte, va fi necesar un
curent mai mic pentru a susine aciunea laser n acest tip de diode laser. n fig.&.9 este
prezentat structura unei diode laser cu perete cuatic.
Fig.&.9.
n fig.&.10 este prezentat regiunea activa a unei diode laser, cu cele dou oglinzi
laterale.
S ne reamintim ca aceste oglinzi sunt necesare pentru a rentoarce fotonii stimulai n
mediul activ n vederea stimulrii altor fotoni.
7
Fig.&.10.
S presupunem o und arbitrar care se propaga de la oglinda din stnga spre cea din
dreapta, ca n fig.&.11.
Fig.&.11.
La oglinda din dreapta unda este reflectat, captnd un defazaj de 180. Aa cum se
observ n fig.&.11, acest fapt determin o ruptur in caracteristica de faz, ceea ce nu
este posibil fizic. Prin urmare aceast und nu este suportat de rezonator.
S considerm o alt und, ca cea din figura &.12.
Fig.&.12.
La oglinda din dreapta, unda capt un defazaj de 180 i continu s se propage spre
oglinda din stnga. Aici va suferi acelai defazaj i propagarea se reia spre dreapta. Prin
urmare aceast und prezint o configuratie stabil numit und stationar.
Prin urmare, un rezonator poate s suporte doar o und cu o anumit lungime de und, i
anume unda care prezint o configuratie de und staionar. Aceast conditie fizic se
poate exprima matematic prin relaia:
2L = N (&.1)
unde L este lungimea dintre oglinzi i N este un ntreg. De exemplu, dac L = 0.4 mm i
1300 nm, atunci N = 615. Ceea ce este important de observat este c acest rezonator
8
suport o lungime de und la care 2L N = 1300.8 nm. Dar acest rezonator suport i
lungimi de und egale cu 2L (N 1) , 2L (N 2 ) , 2L (N 3) , i aa mai departe. Prin
urmare, toate lungimile de und care satisfac relatia (&.1) pot exista in rezonator. Aceste
lungimi de und se numesc moduri longitudinale. Cnd lungimea rezonatorului crete sau
scade, laserul comuta de la o lungime de unda la alta, fenomen numit salt modal.
ntrebarea, acum, este: cte moduri poate radia un laser ? Rezonatorul poate suporta un
numr infinit de moduri, ns mediul activ ofer ctig doar pentru un interval redus de
lungimi de und. (S ne amintim c cerina: < hc E g .) Deoarece un laser este format
dintr-un rezonator si un mediu activ, iar radiaia este rezultatul interaciunii dintre ele,
doar cteva lungimi de und, care cad in interiorul curbei de ctig, pot fi radiate. Acest
lucru este artat n fig. &.13.
Fig.&.13.
Evident ca radiaia ncepe s aib loc doar cnd ctigul depete pierderile. Undele cu
N , N 1 i N 2 pot fi radiate, dar n realitate vor fi doar N i N 1 .
Pentru a face aceste explicatii mai precise, s introducem distanta dintre doua moduri
longitudinale adiacente, N N +1 . Din relaia (&.1) obinem:
N N +1 2L N 2 = 2 2L (&.2)
9
Fig.&.14.
Pentru a reduce limea spectral, avem nevoie s facem laserul sa radieze doar un singur
mod longitudinal. Acest lucru se obine ntr-o dioda laser cu reactie distribuit, fig.&.15.
O asemenea diod are o gril de difracie Bragg incorporat n vecintatea regiunii active.
Aceast gril functioneaza ca o oglind care reflecta selectiv doar o singura lungime de
und, B , dat de relaia Bragg:
2n sin = B (&.3)
Fig.&.15.
unde este perioada grilei, n este indicele de refracie a mediului. Toate mrimile sunt
prezentate in fig.&.16.
Fig.&.16.
10
Termenul de reacie subliniaz c avem un mijloc prin care putem ntoarce fotonii
stimulati n regiunea activ. Acest lucru se realizeaza prin reflexia unei poriuni din
lumin pe fiecare pant a grilei, ceea ce se arat n fig.&.16 pentru o raz. Toate prile
reflectate n lungul acestei grile se combin astfel nct cea mai mare parte din lumin
este reflectat napoi. Rezultatul net al acestui aranjament este c dioda radiaz doar o
und, cu lungimea de und B , vezi fig.&.17.
Fig.&.17.
Aceste diode au fost propuse pentru prima dat in 1960, dar au fost produse comercial
abia din 1980. Cele mai noi dezvoltri sunt diode care radiaza pn la 30 mW la 1550 nm.
Toate diodele laser care au fost prezentate pna acum sunt diode cu emisie lateral. Ele
sunt caracterizate printr-o regiune activ de lungime semnificativ, de ordinul a sute de
micrometri, i de o configuraiei asimetric a radiaiei, cu un con de 10x30.
Recent, a fost realizata dioda laser cu cavitate vertical i emisie de suprafa, [1].
Deoarece spaiul dintr-un rezonator este numit i cavitate, cuvintele cavitate vertical
nseamn c structura care ofer reacia pozitiv este plasat pe direcia vertical.
Cuvintele emisie de suprafa nseamn, n acest context, c fascicolul laser este emis
perpendicular pe substrat.
O structur de baz a acestei diode este prezentat in fig.&.18.
Fig.&.18.
11
Mai muli pereti cuantici sunt realizati n aceasta strucutra pentru a nbunti ctigul de
lumin. Regiunea activ este plasat ntre reflectoare Bragg - realizate din straturi
alternative de materiale cu indice de refracie mare i mic, fiecare dintre aceste straturi
avnd grosimea /4 i fiind realizate din GaAs (n = 3.6) i AlAs (n = 2.9).
Alte avantaje ale acestei structuri de dioda sunt:
1. Dimensiunea regiunii active este foarte mic, de ordinul a 2 m. Aceasta
determina o distan mare ntre modurile longitudinale adiacente. De exemplu,
pentru = 850 nm i L = 2 m, avem N N +1 = 72.25 nm. Limea spectrala
a curbei de ctig este doar de civa nm, prin urmare nu poate exista decit un
singur mod n interiorul curbei de ctig. Prin urmare o diod VCSEL opereaz n
regim monomod, vezi fig.&.19.
Fig.&.19.
2. Diodele VCSEL au dimensiuni foarte mici. Regiunea activa are dimensiuni tipice
ntre 1 i 5 m, iar grosimea stratului activ este n jur de 25 nm. Aceasta permite
fabricantilor sa realizeze mai multe diode pe acelasi substrat, realiznd matrici
mono sau bidimensionale de diode pentru sisteme de comunicaii multicanal.
3. Dimensiunile mici ale regiunii active conduc la dou avantaje simultan: consum
mic de putere i viteze mari de comutare. Astfel, o diod VCSEL poate radia 3
mW la un curent de 10 mA i are o band de modulaie de 200 GHz.
12
G
k = k = 2 (&.4)
iar direcia este cea a vitezei electronului, v. Asociat acestei mrimi, definim momentul
G
electronului, p , ca fiind vectorul a crui modul este:
p = m*v (&.5)
p=h (&.6)
unde h este constanta lui Planck ( h = 6.63 10 34 Js ). Direcia momentului este aceeai
cu a vitezei, prin urmare cu a vectorului de und, relatia dintre ele fiind:
G G
p = =k (&.7)
unde = = h 2 .
Prin urmare, legea conservrii momentului pentru o tranziie optic din banda de
conducie (starea iniial) n banda de valen (starea final) este reductibil la regula de
conservare a numrului de und k:
k = k e k h + k opt = 0 (&.8)
unde k e este vectorul de und al electronului (starea iniial), k h este vectorul de und al
golului (starea final), iar k opt este vectorul de und al fotonului. Mrimea vectorului de
und a fotonului este cu dou ordine de mrime mai mic decit valorile att ale
electronului ct i a golului; n consecin, putem folosi urmtoarea aproximaia [2]:
ke k h 0 (&.9)
Diagrama E-k
G
Exista o relatie ntre energie, E, i vectorii de und, k , a tuturor elementelor implicate in
tranziia optic dintr-o diod laser. Ceea ce este i mai important, relaia E-k ofer o
informaie util despre disponibilitatea strilor in banda de conducie si banda de valen.
G
Legtura dintre energie E i vectorul de und k este [2]:
13
E = 1 m*v 2 = p 2 2m* = (h )2 k 2 2m* (&.10)
2
Dac acum reprezentm grafic benzile energetice energia E pe axa vertical i vectorul
de und k pe axa orizontal vom obtine parabole atit pentru banda de conducie ct si
pentru banda de valen. Trebuie acum s ne aducem aminte c suntem n lumea
G G
guvernat de regulile mecanicii cuantice, n care momentul p i vectorul de und k sunt
mrimi cuantizate. Prin urmare relaia (&.10) ne d un set de nivele energetice diferite
pentru fiecare valoare a lui k. Ne readucem aminte din capitolul despre LED c aceste
nivele sunt att de apropiate ntr-un material semiconductor nct noi le reprezentm ca
benzi de energie. Un asemenea desen este prezentat in fig.&.20.
Fig.&.20.
14
Fig.&.21.
Fig.&.22.
15
particulelor implicate n tranziie un electron, un gol i un foton procesul de radiaie n
semiconductorii indireci este acompaniat de emisia unui fonon. Eficiena cuantic
intern a unui laser este esenial determinata de raportul dintre recombinrile radiative i
cele neradiative.
S ne ocupm de relaia dintre puterea de ieire a unei diode laser, P, i curentul direct de
la intrare, I F , peste valoarea de prag. Puterea de ieire este dat de relaia :
(
P = E p Nesc t ) (&.11)
unde E p ( J ) = hf = hc este energia unui foton, N esc este numrul de fotoni care ies
din rezonatorul laserului, iar t(s) este timpul radiaiei. Numrul de fotono care prsesc
rezonatorul, N esc , este egal cu numrul purttorilor de sarcin injectai n regiunea
activ multiplicat cu eficiena cuantic extern, ext . Astfel :
ext = (numr de fotoni ieii din rezonator)/(numr de purttori de sarcina injectai) (&.12)
Deoarece procesul de radiaie ntr-o arie activ este determinat n principal de electroni,
putem aproxima numrul de purttori de sarcin prin numrul de electroni. Acesta este
egal cu:
unde I F ( A) este curentul direct i e(C) este sarcina electronului. Din (&.13) i (&.12),
deducem:
Substituind formula (&.14) n formula (&.11), putem determina relaia dintre puterea de
iesire i curentul direct de la intrare:
( ) ( )
P = E p N esc t = E p e ext I F (&.15)
Pentru o lungime de unda radiat dat, toi coeficienii din (&.15) sunt constani i putem
nota acest lucru cu S. Deoarece am discutat despre relatia dintre putere i curentul peste
pragul laserului, putem considera in realitate P Pth = P i I I th = I . Prin urmare,
putem scrie:
P = SI (&.16)
16
unde S este panta eficienei, recuperabil din datele de catalog ale diodei. Astfel:
( )
S (W A) = E p e ext (&.17)
( )
S (W A) = E g e ext (&.17a)
Exemplu
Calculai eficiena pantei unei diode laser care functioneaz la = 1300nm , dac
eficeina cuantic extern este ext = 0.1 .
Soluie
Tipuri de eficien
p = P Pcc (&.18)
Pcc este puterea electric disipat pe dioda laser. Aceast putere are dou componente;
una este puterea disipat in jonciune, egala cu I F V . V este tensiunea pe jonciune,
egal cu E g e (vezi fig.&.21 sau 22), cu valori cuprinse ntre 1 si 2V. Prin urmare,
aceast component poate fi prezentat ca I F E g e . A doua component este puterea
disipat pe contactele i rezistena semiconductorului, desemnata global prin R. Astfel,
aceast component va fi I F 2 R . Rezistena R este de ordinul a 1 2 . Prin urmare,
( )
p = P I F + E g e + I F
2 R
(&.19)
17
Exemplu
Calculati eficienta in putere a unei diode VCSEL avnd datele de catalog din fig.&.23
Fig.&.23
Soluie
Din figura &.23 vedem c puterea optic radiat de diod este 1.7 mW la I = 12 mA.
Avem nevoie acum de tensiunea pe jonciune, dat de V = E g e . Valoarea lui E g se
poate calcula din E g (eV ) = 1248 (nm ) . Deoarece = 840nm din fig.&.23,
E g = 1.48eV . Prin urmare, V = 1.48V.
Not. Valoarea tipic a tensiunii directe, msurata la I = 12mA este 1.9V, vezi fig.&.23.
Aceasta este tensiunea la bornele diodei, n timp ce noi am calculat tensiunea n lungul
jonciunii p-n.
( )
p = Popt I F + E g e + I F
2 R = 1.7mW (17.76mW + 0.144mW ) = 0.095 = 9.5%
Aceasta este eficiena n putere a uneia din cele mai performante diode laser existente pe
pia.
18
extern am definit-o n relaia (&.12). Pentru a gsi relaia ntre aceasta i eficiena n
putere, s exprimm ext n functie de puterea de ieire. Din formulele (&.16) i (&.17)
gsim:
( )
ext = e E g P I (&.20)
( )
ext e E g (P (I I th )) (&.21)
Fig.&.24.
Relatia (&.21) ne permite sa exprimm eficiena in putere prin eficiena cuantic extern:
Eficiena cuantic intern. Eficienta cuantic externa acoper dou mecanisme: radiaia
fotonilor din regiunea activ i transmiterea acestora din regiunea activ n exteriorul
19
diodei. Primul mecanism este descris de eficiena cuantica intern, int , iar cel de-al
doilea de eficiena cavitii, cav . Putem scrie:
Eficinaa cuantica intern. int este raportul dintre numrul de fotoni radiai din regiunea
activ i numrul de purttori de sarcin injectai:
ext int = (numr de fotoni ieii din rezonator)/(numr de fotoni radiai) (&.25)
Cu alte cuvinte, nu toi fotonii radiai reuesc s scape din rezonator i s contribuie la
puterea optica de ieire a diodei laser. ntr-un LED bun, int poate atinge o.5, iar ntr-un
laser, int este aproape de 1.
cav = ext int = (numr de fotoni ieii din rezonator)/(numr de fotoni radiai) (&.26)
Exist dou mecanisme care determin pierderi de fotoni radiai: pierderi n materialul
semiconductor i transmisia parial prin oglinzi. n acest context, termenul material
acoper tot ceea ce ntlnete fotonul ntre punctul de origine i oglind. Termenul oglinzi
se refer la orice mijloc de a ogeri reactie optic pozitiv ntr-o diod laser, inclusiv grile
Bragg. Prin urmare, al doilea motiv de pierderi ia n consideratie faptul c nu toi fotonii
radiai vor fi reflectai n regiunea activ.
Aceste considerente pot fi scrise sub forma, [4]:
n cazul reflectoarelor concentrate, cum sunt oglinzile din care este format rezonatorul
Fabry-Perot, pierderile de transmisie, tr , pot fi exprimate sub forma:
20
reflectan r1 i r2 , unda electromagnetic se rentoarce n poziia iniial. n regim
staionar, amplitudinea iniial A trebuie s fie egal cu amplitudinea undei rentoarse,
adic:
((
A = r1r2 A exp g ( f ) mat d )) (&.29)
Pentru ca dioda laser s funcioneze, ctigul trebuie sa fie cel puin egal cu pierderile
totale:
((
g ( f ) mat + 1 2 d ln 1 R1 R2 )) (&.30)
Fig.&.25.
Este important de subliniat c ctigul depinde de frecven n timp ce pierderile nu. Prin
[ ]
urmare, efectul laser poate fi obinut doar ntr-un anumit interval de frecven, f1 , f 2 n
care ctigul depete pierderile.
= mat + tr (&.31)
21
Reziltatul acestei discuii este urmtorul. Eficiena cuantic intern arat ct de eficient
convertete regiunea activ purttorii injectai n fotoni. Eficienta cavitii arat ct de
eficient las cavitatea diodei s scape fotonii. Prin urmare, aceti doi parametri arat ct
de eficient o dioda laser convertete purttorii injectai ( intrare) n fotoni ejectai (ieire).
Aceti doi parametri sunt cumulai n unul singur; eficiena cuantic extern.
Deoarece fotonii sunt produi n urma recombinrilor, putem spune ca int arat ce
fracie din recombinrile totale sunt radiative.
Factorul major care reduce eficiena cuantic intern este recombinarea neradiativ.
Acest mecanism este reflectat de urmtoarea relatie:
int = nr (&.33)
unde nr este timpul de via neradiativ. Acesta este o msur a timpului ct exist
purttorii de sarcin ntre momentul cnd ei intr n regiunea activ i momentul
recombinrii neradiative. Introducnd timpul de via radiativ, r , putem defini timpul
total de via de recombinare, , ca fiind: 1 = 1 r + 1 nr .
Prin urmare, eficiena cuantic este, pe de o parte, raportul dintre numrul de fotoni
radiai i numrul de electroni injectai, conform formulei (&.24), i, pe de cealalta parte,
raportul dintre timpul total de viat de recombinare i timpul de viat radiativ, conform
formulei (&.33). Relatia dintre aceste condiii poate fi gsita astfel.
Fie n densitatea volumetric de electroni care intr n regiunea activ. Viteza de
recombinare, d(n)/dt, poate fi exprimat prin:
d (n ) dt = n (&.34)
Trebuie s nu uitm ca acelai lucru este valabil pentru goluri. Semnul minus ne spune c
n scade n timpul procesului de recombunare.
Pentru a lua n considerare ambele recombinri, radiative i nonradiative, trebuie s
introducem timpii de via respectivi, r i nr . Vitezele de recombinare ale proceselor
radiative i neradiative sunt egale cu n r i respectiv n nr . Procesul general de
recombinare este suma acestora dou, astfel c:
n = n r + n nr (&.35)
int = (n r ) (n ) = (1 r ) (1 r + 1 nr ) = nr (&.36)
22
Din formula de mai sus putem deduce o alt formul cunoscut pentru eficiena cuantic
intern:
int = r (&.37)
ntr-o diod laser bun, recombinarea radiativ are loc aproape imediat dup ce purttorii
de sarcin intr n regiunea activ. Aceasta nseamn c timpul de via pentru procesul
radiativ este aproximativ zero. n schimb, procesul neradiativ are un timp de via relativ
lung, adic timpul de via neradiativ este reprezentat printr-un numr mult mai mare
dect cel ce reprezint timpul de via radiativ. n consecin, al doilea termen de la
numitorul relaie
int = nr = 1 (1 + r nr ) (&.38)
devine aproape zero, deci eficieta cuantica interna a unei diode laser bune tinde spre 1.
Eficiena unei diode laser poate fi descris n termenii diagramei E-k, aa cum se rata in
fig.&.26.
Fig.&.26.
f (E ) = 1 pentru E < E F
(&.39)
f (E ) = 0 pentru E > E F
23
unde E F este nivelul Fermi de energie.
1
f (E ) =
E EF (&.40)
1 + exp
k T
B
1 1
fV ( E ) f C ( E )
E E FV E E FC (&.41)
1 + exp V 1 + exp C
k T k T
B B
EC E FC E E FV
exp exp V (&.42)
k BT k BT
Pentru a face ca dioda laser s radieze, avem nevoie sa obtinem un ctig, i nu pierdere.
Dar ctigul poate fi interpretat ca pierderi negative. Prin urmare pentru a obine <0,
trebuie s avem:
E E FC E E FV
exp C < exp V (&.43)
k BT k BT
Manipulri simple ale formulei de mai sus conduc la urmtoarea condiie pentru a avea
ctig ntr-o diod laser:
E FC E FV > EC EV = E g (&.44)
Formula de mai sus ne spune c pentru a obine ctig ntr-un material semiconductor ,
nivelele cvasi-Fermi trebuie s fie n interiorul benzilor de conducie i de valent. Dar
acest fapt implic imediat ca electronii vor umple poriunea inferioar a benzii de
24
conducie pna la E FC , i vor goli partea superioar a benzii de valen pn la E FV
deoarece ei ocup nivelele din banda de valen pn la nivelul E FV . Altfel spus, partea
superioar a benzii de valen este disponibil pentru acceptarea electronilor excitai care
cad din banda de conductie. Aceast situatie este prezentat n fig.&.26.
S ne readucem aminte c ctigul poate fi oinut cnd se creaz inversiunea de populaie.
Prin urmare, relaia (&.44) exprim condiia realizrii inversiunii de populaie, iar
fig.&.26 reprezint vizual aceast condiie. Din aceast figur se poate observa de ce
dioda laser este atit de eficient: electronii stimulai s cada n banda de valen gsesc
aici nivele vacante pe care se pot opri cu emiterea de fotoni. Pe de alta parte, un foton cu
energia E p cel mai probabil nu va fi absorbit de dioda cu inversiune de populatie
deoarece partea inferioar a benzii de conducie este ocupat i, prin urmare, nu sunt
nivele vacante care sa permit tranziia din banda de valen n banda de conductie a
electronilor. ntr-un asemenea sistem, probabilitatea emisiei stimulate este foarte mare,
iar probabilitatea absorbiei este foarte mic.
Rolul diagramei E-k n aceasta discuie poate fi explicat considernd viteza de
recombinare. Viteza globala de recombinare, R, este proportional cu numrul de
electroni i goluri disponibili pentru recombinare. Prin urmare putem scrie:
R = rrec np (&.45)
( )
unde rrec m 3 sec este o constant de recombinare, iar n i p sunt densitile volumetrice
de purttori ( 1 m 3 ). Relatia (&.45) statutez c pentru doi semiconductori cu aceeai
populare, radiatia depinde doar de constanta de recombinare. Astfel, pentru
semiconductorii direci, constanta de recombinare este mai mare dect la semiconductorii
indirecti cu trei pna la cinci ordine de mrime. Iat de ce semiconductorii direci sunt de
o mie pn la o sut de mii de ori mai eficieni decit semiconductorii indireci. Diagrama
E-k ajut la identificarea semiconductorilor directi si indireci.
Ceea ce a mai ramas de precizat sunt n si p. Ei sunt definii , conform statisticii Fermi-
Dirac, prin relaia (&.40) unde coeficienii de proporionalitate, N C i NV , sunt calculai
cu relaiile (&.45)
[( )
N C = 2 mn* k BT 2= 2 ]
32
[(
i NV = 2 m*p k B T ) 2= 2 ]3 2 (&.45a)
Curentul de prag este curentul la care dioda ncepe s funcioneze ca un laser, fig.&.4.
Valoarea acestuia este determinat de ctigul de prag dat de relaia (&.30). n lumina
efectului de ghid de und descris mai sus, relaia (&.30) poate fi rescris sub forma:
25
g th = tr + mat (&.46)
unde este factorul de confinare care msoar ghidajul fotonilor radiai de ctre o
structur cu indice ghidat sau cu ctig ghidat.
ntr-o prim aproximaie, putem considera c densitatea curentului de prag, J th , este
proporional cu ctigul de prag:
J th = (1 )( tr + mat ) (&.47)
I th (T ) = I 0 exp(T T0 ) (&.48)
unde I 0 i T0 sunt constante care depinde de materialul diodei i de structura ei. Pentru o
dioda comerciala pe GaAs, I 0 este de ordinul a zeci de mA, T0 este de cca. 100C.
Fenomenul fizic care st la baza acestei comportri cu temperatura este creterea ratei de
recombinri neradiative cu temperatura. Aceasta scade eficiena cuantica intern, ceea ce
nseamn c mai muli purtatori de sarcin - adica mai mult curent - sunt necesari pentru
a atinge ctigul de prag.
Exemplu
Aflai I 0 i T0 pentru o dioda laser pe InGaAsP care are datele de catalog din fig.&.24.
Soluie
Privind n fig.&.24 gsim c: (a) I th este egal cu 25 mA, 40 mA i 65 mA, la 0C, 25C
i 65C. La T = 0C , folosind formula (&.46) obinem I 0 = 25mA . nlocuind
I th = 40mA la T = 25C , gsim T0 = 53C . Dac introducem aceast valoare lui T0 i
26
T = 65C obinem I th = 88mA , n timp ce specificaia de catalog indic un I th egal cu
aproximativ 75 mA.
Lungimea de und. Un mediu activ poate suporta ntregul interval de lungimi de und
posibile, dat de relatia (&.44), rescrisa mai jos:
Relatia de mai sus ne da doar intervalul de valori pe care-l poate emite o diod laser.
Lungimea de und real va fi rezultatul interactiunii dintre mediul activ al diodei i
resonator. Acesta alege lungimea de und radiat din intervalul oferit de mediul active.
Limea spectrului. Trebuie sa distingem de la bun nceput ntre doi parametric: limea
spectral i limea liniei spectrale. Limea spectral a radiaiei de la un laser multimod
este determinat esenial de curba ctigului deoarece dioada radiaz mai multe moduri
(linii spectrale) care snt nscrise n curba de ctig. Msurat la jumtate din maxim,
limea spectral a unei astfel de diode laser este de mai muli nanometri.
Diodele VCSEL funcioneaz n regim monomod, ceea ce nseamn c radiaz un singur
mod, sau linie. Limea spectral a acestor diode este limea unei linii spectrale. Acelai
lucru este valabil i pentru diodele laser cu reacie distribuit.
Limea unei linii spectrale este guvernat de relaia:
( )
f = R sp 1 + e2 2 N rad (&.51)
unde R sp este viteza emisiei spontane, e este factorul de ameliorare a ltimii liniei i
N rad este numrul de fotoni radiai n interiorul caviti laser. Repetnd raionamentul
fcut anterior n acest capitol, putem lega N rad de puterea radiat, P, ltimea liniei
devenind:
( ( ) )
f = R sp 1 + e2 P M (&.52)
( )
unde M = E p v tr 8 , iar v tr este rata cu care fotonii scap din rezonatorul laserului.
v este viteza de grup a luminii n regiunea active a crui indice de refractie este n ri .
Pierderile de transmisie, tr , au fost definite n relaia (&.30). S ne concentrm acum
asupra altor parametri.
27
Mai nti, limea liniei este invers proporional cu puterea. de ieire, P. Aceast
afirmaie este valabil n general, indifferent de tipul laserului sau chiar a generatorului.
Pentru lasere, aceast relaie se pstreaz pentru puteri P de pn la 10 mW, tinznd spre
saturaie la puteri semnificativ mai mari.
n al doilea rnd, limea liniei este proporional cu rata de emisie spontan, R sp , ceea
ce este perfect de neles. Tranziiile spontane au loc ntre diverse nivele energetice fr
control, ceea ce determin emisia diverselor lungimi de und. Aceast emisie contribuie
la radiatia luminoasa de ieire i lrgete linia spectral.
Un alt parametru important este e , care caracterizeaz cuplajul dintre amplitudinea
undei electromagnetice i faza ei, n interiorul regiunii active. Putem nelege fizica
acestui fenomen examinnd urmtoarea formul:
e = ( 4 )(dn ri dn dg dn ) (&.53)
Fig.&.27.
Aa cum se poate vedea din figura de mai sus, acest factor are valori cuprinse ntre 1.5 i
12. Proiectanii de diode fac eforturi pentru micorarea acestui parametru.
Forma radiaiei
O diod laser radiaz un fascicol mai bine direcionat dect un LED. n fig.&.28 se
prezint configuraia de radiaie a unei diode laser conventionale.
28
Fig.&.28.
Pentru simplitate vom vorbi despre o diod laser cu rezonator Febry-Perot. Aa cum s-a
artat, rezonatorul suport doar acele unde electromagnetice a cror lungime de und
satisface criteriul 2L = N , unde L este lungimea rezonatorului i N este un ntreg.
Aceste unde electromagnetice sunt numite moduri longitudinale i sunt prezentate in
fig.&.13. Modurile longitudinale sunt configuraii ale cmpului electromagnetic care au
vectorii E i H perpendiculari pe direcia de propagare. Toate modurile longitudinale se
propag pe aceeai direcie: axa rezonatorului. Ele se disting doar prin frecventa lor
(adica prin valoarea lui N).
Modurile longitudinale nu sunt singurele configuratii electromagnetice pe care le poate
suporta o diod laser. Exist i unde pentru care vectorii E i H sunt uor nclinai fa de
axa rezonatorului. Acestea se numesc moduri transversale. Aceste moduri se propag pe
diferite directii n rezonatorul laserului, formnd diverse configuraii de radiaie. Numarul
modurilor longitudinale crete odat cu ctigul. Pe de alta parte, ctigul poate fi mrit
prin creterea curentului direct i/sau prin creterea produsului lime-grosime a stratului
activ, fig.&.29.
29
Fig.&.29
Ceea ce avem de reinut este c: (1) avem nevoie de o dioda laser care s transmita un
semnal luminos pe o fibra optic, (2) avem nevoie de un fascicol circular nedivergent
pentru a cupla eficient aceast lumin n fibra optic, (3) aa cum am vzut, o dioda laser
obinuit nu ne furnizeaza un astfel de fascicol.
Modulaia laserului
Exista dou tipuri de modulaie a unei diode laser: digital i analogic. Schema cea mai
simpl de modulaie digital const dintr-un 0 logic reprezentat de o perioad de ntuneric
i un 1 logic reprezentat de un fle de lumin. Pentru a obine acest lucru, semnalul
modulator modific curentul direct prin dioda laser de la valori sub pag la valori peste
prag, fig.&.30.
Fig.&.30.
In modulaia analogic, proiectantul utilizeaz poriunea liniar a caracteristicii P-I ,
pentru a evita distorsiunile neliniare ale semnalului de ieire. Acest lucru se obine
aplicnd un curent de polarizare, I b , mpreun cu semnalul modulator, ca n fig.&.31.
30
Fig.&.31.
Cele mai multe semnale sunt transmise astzi sub form digital. Din acest motiv
nelegerea fenomenelor fizice din dioda laser, n condiiile acestui tip de modulaie, este
foarte important. Astfel, timpii de viat implicai n procesul de modulaie digital sunt:
timpul de realizare a inversiunii de populaie, pi , timpul de via de recombinare,
(care este mprit n spontan, sp , i stimulat, st ), i timpul de via al fotonilor,
ph . Acesta din urm este timpul necesar fotonilor pentru a parcurge distana de la locul
unde au fost generai pna la ieirea din diod.
Timpul de via al fotonilor pune o limit superioar asupra capacitii de modulaie a
unei diode laser, deoarece nimic nu se mai poate face dup ce fotonul a fost creat. Acest
timp de via poate fi corelat cu caracteristicile diodei laser n felul urmtor [5]: pierderile
dup o un drum de t secunde sunt egale cu pierderile dup un drum de x metri:
( )
exp t ph = exp( x ) (&.54)
(
x = vt = c nri t ) (&.55)
Astfel, pentru = 10 3 1 m i nri = 3.6 , timpul de viaa a unui foton este de 0.12 ps, ceea
ce nseamn o limit superioar teoretica de modulatie de 8.3 THz. Din nefericire,
realitatea este mult deprtata de acesta limit Pentru a ntelege limitrile reale ale
capacitii de modulaie ale unei diode laser, trebuie s lum n consideraie ecuaiile de
viteze.
31
Ecuaiile de viteze
( ) ( ((
1 sp = (v ) mat + tr = (v ) mat + 1 2 d ln 1 R1 R2 ))) (&.59)
Ecuatiile de viteze contin foarte multe informatii despre functionarea unei diode laser.
Astfel, s artam cum se poate deduce condiia de prag plecnd de la aceste ecuaii.
Conditia de prag poate fi obinut din relatiile (&.57) i (&.58). n momentul atingerii
pragului, dn/dt i ds/dt trebuie sa fie egale cu zero, J = J th , n = nth i sth = 0 . Astfel,
ecuaia (&.57) devine:
32
iar ecuatia (&.58) devine:
( ) ( )
nth = 1 D ph = vg th D (&.61)
Deci:
1 ph = vg th (&.62)
(
J th (ed ) = vg th ) (D sp ) = (v ) (D sp ) (&.63)
(
J th (ed ) = vg th ) (D sp ) = (v ) (D sp ) (&.64)
(
J th = (1 ) , unde 1 = (edv ) D sp ) (&.65)
Trebuie subliniat aici c peste nivelul de prag, densitatea volumetric de stri stationare a
electronilor n banda de conducie, n, este tot timpul egal cu valoarea de prag, nth .
Acest lucru se ntmpl deoarece creterea lui n, prin creterea curentului injectat,
determin o cretere a numrului de tranziii stimulate. Cu alte cuvinte, cu ct sunt mai
muli electroni excitati in banda de conducie, cu att mai muli vor fi electronii stimulai
i disponibili sa treac in banda de valen i s radieze mai muli fotoni. Iat dece
creterea curentului injectat crete puterea de ieire, dar nu crete populaia pe termen
lung n banda de conducie. Acest fenomen se numete clamping.
Soluiile stationare ale ecuaiilor de viteze, n0 i s0 , pot fi obinute punnd dn dt = 0 i
ds dt = 0 . Modulatia de semnal mic, poate fi cercetat plecnd de la ecuaiile (&.57) i
(&.58) n care substituim n = n0 + n(t ) i s = s0 + s (t ) , unde n(t ) i s (t ) sunt
obinute prin modularea curentului injectat. (semnal mic nseamn ca restrngem discuia
la aproximarea liniar). n literatura, [5], se arat ca ecuaiile de viteze devin ecuaii
difereniale ordinare de ordinul doi care descriu oscilatii amortizate ale lui n(t ) :
d 2 ( n ) dt 2 + 2 d ( n ) dt + r2 n = 0 (&.66)
O ecuatie similara poate fi dedusa pentru s . este constanta de atenuare laser, egala
cu:
33
= Dn0 + 1 sp (&.67)
r2 = D 2 nth s0 (&.68)
unde:
(
nth = 1 D ph ) (&.69)
[ (
t d = ln I p I p + I b I th )] (&.71)
unde este timpul de via de recombinare al purttorilor. Prin urmare, pentru modulatia
digitala avem o limit de ordinul a Gbit/s.
34
Fig.&32.
Exemplu.
Calculati timpul de ntrziere pentru un laser de arie larga avnd datele de catalog din
fig.&.24. Presupunei timpul de viaa de recombinare egal cu 2 ns.
Soluie
J (t ) = e[ J ( ) exp( jt )] (&.72)
[( ) ] ( 2 r2 )2 + 2 (1 + phr2 )2
12
s( ) J ( ) = ph ed r2 (&.73)
relaia de mai sus este modulul funciei de transfer a unui filtru trece-jos. n fig.&.33 sunt
prezentate grafic, amplitudinea i faza acestei functii de transfer. Ele sunt reprezentrile
grafice ale soluiei sub forma complex (&.72) ale ecuaiei (&.66).
35
Fig.&.33.
Fig.&.34.
36
data de relaia (&.68) i, n completare cu definiia lui nth data n formula (&.69) i
definiia lui D din relaia D = vg n , putem scrie:
( )
r = D 2 nth s0 = Ds0 ph = 1 ph (vgs0 n ) (&.74)
Deoarece raportul s 0 n este n cele din urm eficienta cuantic intern, relaia (&.74)
relev faptul ca r este determinat de timpul de via al fotonilor, ph , i de puterea
diodei:
r = (MP ) ph (&.75)
unde M este o constant, iar P este puterea de ieire a diodei laser. Relatia (&.75) arat
c rspunsul unei diode laser este cu atit mai rapid cu cit mai mare este puterea de ieire
i mai mic timpul de via al fotonilor.
Lumina radiat de o dioda laser fluctueaz n intensitate i faza chiar dac curentul de
polarizare este perfect constant. Aceste fluctuatii, datorate in principal emisiei spontane,
au caracter aleator. Ele reprezint zgomotul laserului.
Fluctuatiile de faz, pe scurt zgomot, au drept consecin o lrgire a liniei spectrale a
radiaiei emise.
Fluctuatiile de intensitate determina ceea ce se numete zgomotul n intensitate al diodei
laser. Acest zgomot este caracterizat de obicei prin parametrul RIN (relative intensity
noise), [7]:
Pn2
RIN (1 Hz ) = (&.76)
P 2 BW
unde Pn2 este puterea medie de zgomot, P este puterea medie de la ieire i BW
este banda de frecven. De obicei RIN se exprim n dB/Hz, astfel c formula de mai sus
devine:
Pn2
RIN (dB Hz ) = 10 log (&.77)
P 2 BW
Dou mecanisme majore produc RIN n dioda laser. Unul a fost mentionat mai sus. Al
doilea este orice reflexie care se produce pe orice componenta a legturii optice
(conectori, splice-uri, i chiar fibra nsi). Lumina reflectat napoi n diod, este
37
amplificat de regiunea activa i este adugat fluxului principal, rezultnd fluctuaiile de
intensitate. Iat de ce pierderile de ntoarcere sunt un parametru foarte important ntr-o
legtur pe fibr optic.
RIN descrie distribuia n frecven a puterii de zgomot i depinde de frecvena de
rezonan a diodei i de puterea emis de laser, fig.&.35.
Fig.&.35.
Din figura de mai sus se observa c o diod laser funcioneaza ca un filtru trece-jos.
Dependena de putere a RIN-ului este o problem complex. Aceasta variaz de la P 3
la puteri mici, pna la P 1 la puteri mar, [8].
Exemplu
Calculai puterea de zgomot detectat de un receptor dac (1) RIN este -160 dB/Hz, (2)
puterea recepionat este 100 W, (3) banda receptorului este 100 MHz, (4) banda
legturii este 500 MHz.
Soluie
RIN = 60 dB Hz = 10 16 1 Hz
Pna acum am considerat doar un model liniar, n care frecvena luminii radiate nu
depindea de amplitudinea luminii radiate. n realitate, aceast presupunere nu este
adevrat; astfel, o modificare in intensitatea luminii n timpul modulaiei detewrmin o
modificare a frecvenei luminii. Acest fenomen se numete chirp. Chirp este deviaia
frecvenei laser de la frecvena central de radiaie. Orul de mrime al mrimii chirp-ului
este 100 MHz 1 GHz per 1 mA de modificare al curentului direct. Trebuie realizat ca
vorbim de, s spunem, 1 GHz schimbare a unei frecvene centrale de 100000 GHz. Cu
alte cuvinte, chirpul unei diode laser este de ordinul de mrime a 0.001%. Mecanismul
38
fizic al chirp-ului este acela c o modificare n populaia purttorilor si deci a ctigului
determin o modificare a indicelui de refracie a regiunii active.
Valoarea chirp-ului - adic deviaia instantanee de frecven, f(t), de la frecvena
central de radiaie, f 0 - poate fi evaluat cu formula [9]:
unde e factorul de ameliorare a imii liniei spectrale (formula (&.53), P este variaia
puterii optice corespunztoare comutrii de la 1 logic la 0 logic, iar este constanta. n
membrul drept al relaiei (&.77) sunt doi termeni. Primul, numit chirp instantaneu, este
cauzat de oscilaiile de relaxare. Al doilea termen, chirp-ul adiabatic, este produs de
modificarea densitaii purttorilor datorit variaiei puterii (P).
Efectul vizibil al chirp-ului este lirea liniei spectrale. Reamintim aici c dispersia
cromatic este proporional cu limea spectral a sursei; prin urmare, chirp degradeaz
performana unui sistem de comunicaii pe fibr optic. Acest lucru este evident valabil
pentru sistemele care folosesc modulaia de amplitudine, ceea ce este adevrat pentru
totalitatea sistemelor instalate pn in prezent. Metoda principal de combatere a chirp-
ului este folosirea modulaiei externe.
Bibliografie
39