Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
01 - Circuite Cu Componente Electronice Analogice I
01 - Circuite Cu Componente Electronice Analogice I
Proiect cofinanţat din Fondul Social European în cadrul POS DRU 2007-2013
Beneficiar – Centrul Naţional de Dezvoltare a Învăţământului Profesional şi Tehnic
str. Spiru Haret nr. 10-12, sector 1, Bucureşti-010176, tel. 021-3111162, fax. 021-3125498, vet@tvet.ro
2009
AUTOR:
DANIELA CONDEI – Profesor grad didactic I
COORDONATOR:
CONSULTANŢĂ:
2
Cuprins
I. Introducere...................................................................................................................................4
II. Resurse........................................................................................................................................8
Tema 1. Diode semiconductoare..................................................................................................9
Fişa de documentare 1.1. Diode semiconductoare..................................................................9
Activitatea de învăţare 1.1. Măsurarea rezistenţelor diodei semiconductoare......................13
Activitatea de învăţare 1.2. Ridicarea caracteristicii curent – tensiune a diodelor
semiconductoare....................................................................................................................15
Activitatea de învăţare 1.3. Ridicarea caracteristicii curent – tensiune a diodei Zener.........17
Activitatea de învăţare 1.4. Funcţionarea diodei semiconductoare.......................................19
Activitatea de învăţare 1.5. Tipuri de diode semiconductoare...............................................20
Activitatea de învăţare 1.6. Parametrii diodelor Zener..........................................................21
Tema 2. Tranzistorul bipolar......................................................................................................22
Fişa de documentare 2.1. Tranzistorul bipolar......................................................................22
Activitatea de învăţare 2.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar......25
Activitatea de învăţare 2.2. Ce ştim despre tranzistorul bipolar............................................27
Activitatea de învăţare 2.3. Caracteristicile tranzistorului bipolar........................................28
Activitatea de învăţare 2.4. Moduri de conectare a tranzistorului bipolar.............................29
Tema 3. Tranzistoare cu efect de câmp......................................................................................30
Fişa de documentare 3.1. Tranzistoare cu efect de câmp......................................................30
Activitatea de învăţare 3.1. Ridicarea caracteristicilor de ieşire pentru TEC-J.....................34
Activitatea de învăţare 3.2. Identificare TEC - J...................................................................36
Activitatea de învăţare 3.3. Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată........................37
Activitatea de învăţare 3.4. Regiunile caracteristicilor de ieşire ale unui TEC - MOS.........38
Tema 4. Tiristorul.......................................................................................................................39
Fişa de documentare 4.1. Tiristorul.......................................................................................39
Activitatea de învăţare 4.1. Ridicarea caracteristicilor anodice ale tiristorului.....................41
Activitatea de învăţare 4.2. Tiristorul – dispozitiv multijoncţiune........................................43
Activitatea de învăţare 4.3. Identificarea tiristorului.............................................................44
Activitatea de învăţare 4.4. Funcţionarea tiristorului............................................................45
Tema 5. Dispozitive optoelectronice.........................................................................................46
Fişa de documentare 5.1. Dispozitive optoelectronice..........................................................46
Activitatea de învăţare 5.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale fotodiodei........................49
Activitatea de învăţare 5.2. Ridicarea caracteristicilor statice ale fototranzistorului............51
Activitatea de învăţare 5.3. Ridicarea caracteristicii statice a diodei electroluminiscente....52
Activitatea de învăţare 5.4. Ridicarea caracteristicii de transfer a optocuplorului................53
Activitatea de învăţare 5.5. Tipuri de dispozitive optoelectronice........................................54
Activitatea de învăţare 5.6. Simbolurile dispozitivelor optoelectronice................................55
III. Glosar.......................................................................................................................................56
IV. Bibliografie..............................................................................................................................57
I. Introducere
Materialul de invatare are rolul de a conduce elevul la dobandirea competentelor
pentru:
Domeniul: Electronică şi automatizări
Calificarea: Tehnician în automatizări
Nivelul de calificare 3
Materialul cuprinde:
- fişe de documentare
- activităţi de învăţare
- glosar
Prezentul material de invatare se adresează elevilor din cadrul şcolilor liceale, domeniul
Electronică şi automatizări, calificarea Tehnician în automatizări.
Competenţa / Rezultatul
Teme Elemente component
învăţării
5
Competenţa / Rezultatul
Teme Elemente component
învăţării
6
Competenţa / Rezultatul
Teme Elemente component
învăţării
7
II. Resurse
Prezentul material de invatare cuprinde diferite tipuri de resurse care pot fi folosite
de elevi:
- fişe de documentare;
- activităţi de învăţare.
Elevii pot folosi atât materialul prezent (în forma printată) cât şi varianta echivalentă
online.
8
Tema 1. Diode semiconductoare
anod catod
9
Punctul Static de Funcţionare furnizează întotdeauna informaţii despre regimul în care
funcţionează dioda. Această observaţie este valabilă şi pentru alte tipuri de dispozitive
semiconductoare.
Polarizarea diodei este realizată prin intermediul unui circuit special, numit circuit de
polarizare.
Diodele varicap (varactoare), cu simbolul din Fig. 1.1.3, prezintă capacităţi diferite în
funcţie de tensiunea de polarizare. Denumirea diodei provine de la VARIable CAPacitor.
anod catod
10
Aceste diode utilizează proprietatea joncţiunii p-n de a se comporta ca o capacitate ce
depinde de tensiunea continuă de polarizare inversă (aceasta este capacitatea de
barieră).
Diodele Zener (diode stabilizatoare), cu simbolul din Fig. 1.1.4, sunt diode de
construcţie specială, care nu se distrug în cazul în care se străpung, ci funcţionează
chiar în regiunea de străpungere şi se utilizează ca stabilizatoare de tensiune.
anod catod
11
Diodele tunel, cu simbolul din Fig. 1.1.6, sunt un tip de diode semiconductoare
capabile de operare la viteze foarte mari.
anod catod
12
Activitatea de învăţare 1.1. Măsurarea rezistenţelor diodei
semiconductoare
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- identifici terminalele diodelor;
- testezi starea diodelor.
Durata: 20 min.
Sarcina de lucru:
Determinaţi cu ajutorul Ω-metrului, rezistenţa în curent continuu la polarizare directă şi
inversă a diodelor semiconductoare puse la dispozitie. Se vor efectua măsurătorile pe
fiecare din cele patru game de lucru ale aparatului de măsură: x1, x10, x100, x1K.
Mod de lucru:
Cu ajutorul unui ohmmetru sau a unui multimetrului MAVO-35 se măsoară
rezistenţa unor diode cu Ge şi Si în conducţie directă şi inversă, pe toate gamele
ohmmetrului, rezultatele notându-se în Tab.1.
Tab. 1. Datele experimentale pentru măsurarea rezistenţei directe şi inverse unor diode
cu Ge şi Si.
R() Ge Si
Gama Direct Invers Direct Invers
1
10
100
k1
13
Se observă că valorile obţinute pentru Rdir şi Rinv diferă de la o gamă de masură
la alta, fapt datorat modificării rezistenţei interne a aparatului de la o scală la alta.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 1.1 şi refaceţi activitatea.
14
Activitatea de învăţare 1.2. Ridicarea caracteristicii curent – tensiune
a diodelor semiconductoare
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- ridici caracteristica unei diode polarizate direct şi invers;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile curent – tensiune pentru o diodă de Ge şi una de Si.
Mod de lucru:
Ridicarea caracteristicii în polarizare directă
Realizaţi montajul din Fig. 1, utilizând o diodă de Ge.
R = 330Ω
IA
mA
+ -
1 2
+ A
+
E U
- UA
- C
15
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica directă a celor două diode
IA (mA) 0,1 0,5 1 5 10 15 20 25
Ge
UA (V)
Si
Pentru curenţi mai mici de 1mA se fixează voltmetrul în poziţia 1, iar pentru curenţi
mai mari de 1mA se conectează voltmetrul în poziţia 2
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 1.1 şi refaceţi activitatea.
16
Activitatea de învăţare 1.3. Ridicarea caracteristicii curent – tensiune
a diodei Zener
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- ridici caracteristica unei diode Zener polarizate direct şi invers;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru
Reprezentaţi grafic caracteristica curent – tensiune pentru o diodă Zener.
Mod de lucru:
Ridicarea carcteristicii în polarizare inversă
Realizaţi montajul din Fig. 1, utilizând o diodă Zener.
R = 680Ω
IA
mA
+ -
1 2
+ DZ
+
E U
- UA
-
17
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica inversă a diodei Zener
Iz (mA) 0,05 0,1 0,5 0,8 1 2 5 10 15 25
Uz (V)
Pentru curenţi mai mici de 1mA se fixează voltmetrul în poziţia 1, iar pentru curenţi
mai mari de 1mA se conectează voltmetrul în poziţia 2.
R = 680Ω IA
mA
+ -
1 2
+ DZ
+
E U UA
-
-
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 1.1 şi refaceţi activitatea.
18
Activitatea de învăţare 1.4. Funcţionarea diodei semiconductoare
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- descrii principiul de funcţionare al diodelor semiconductoare;
- identifici punctul static de funcţionare al diodei semiconductoare;
- diferenţiezi regimurile de funcţionare ale diodei semiconductoare.
Durata: 15 min.
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
Pornind de la următoarele două enunţuri incomplete, realizaţi un eseu de aproximativ
10 rânduri în care să dezvoltaţi ideile conţinute în enunţuri. În realizarea eseului trebuie
să folosiţi minim 7 cuvinte din lista de mai jos.
„Din caracteristica curent tensiune a diodei semiconductoare se observă că aceasta
poate funcţiona în regim de ...................................”
„Funcţionarea în curent continuu a diodei semiconductoare este caracterizată
de ............................”
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 1.1 şi refaceţi activitatea.
19
Activitatea de învăţare 1.5. Tipuri de diode semiconductoare
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- identifici tipuri de diode semiconductoare;
- precizezi principalii parametri pentru fiecare tip de diodă semiconductoare;
- descrii funcţionarea fiecărui tip de diodă semiconductoare;
- identifici utilizările fiecărui tip de diodă semiconductoare.
Durata: 20 min.
Sarcina de lucru:
Având la dispoziţie 10 minute, fiecare grupă va completa câte o linie a tabelului de mai
jos, folosind surse diferite.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 1.1 şi refaceţi activitatea.
20
Activitatea de învăţare 1.6. Parametrii diodelor Zener
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- precizezi principalii parametri ai diodelor Zener;
- identifici notaţiile principalilor parametrii ai diodelor Zener.
Durata: 10 min.
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe mici (2 – 3 elevi) sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
În coloana A sunt enumeraţi principalii parametrii ai diodelor Zener, iar în coloana B
notaţiile parametrilor. Scrieţi pe foaie asocierile corecte dintre fiecare cifră din coloana A
şi litera corespunzătoare din coloana B.
2. Rezisenţa dinamică b. UZ
3. Curentul maxim admis în polarizare c. α
inversă
4. Puterea de disipaţie d. Rzd
5. Coeficientul de variaţie a tensiunii e. Pd
stabilizate cu temperatura
Dacă aţi realizat corect toate asocierile, treceţi la activitatea următoare, în caz
contrar consultaţi fişa de documentare 1.1 şi refaceţi activitatea.
21
Tema 2. Tranzistorul bipolar
Particularităţi constructive:
- E este mult mai impurificat decât B sau C;
- B este mult mai subţire decât E şi C (de ordinul micronilor sau chiar zecimilor de
microni).
În simbolurile grafice corespunzătoare celor două structuri, npn şi pnp (Fig. 2.1),
săgeata din simbol corespunde joncţiunii pn emitor-bază (vârful săgeţii merge
întotdeauna de la zona p spre zona n) şi arată şi sensul normal pozitiv al curentului
principal prin tranzistor.
22
Deoarece tranzistorul amplifică în putere, adică transferă curentul din circuitul de intrare
de rezistenţă mică în circuitul de ieşire de rezistenţă mare, de aici denumirea TRANSfer
reZISTOR adică transfer de rezistenţă.
23
Caracteristicile statice ale unui tranzistor bipolar sunt grafice ce reprezintă
dependenţa dintre curenţii ce trec prin bornele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la
aceste borne.
Tranzistorului fiind un dispozitiv cu trei borne, în orice schemă electrică el poate fi
conectat în trei moduri diferite: conectare cu baza comună (BC) (Fig. 2.3.a), conectare
cu emitorul comun (EC) (Fig. 2.3.b) şi cu colectorul comun (CC) (Fig. 3.3.c).
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- ridici caracteristicile staticile ale unui tranzistor bipolar;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru un tranzistor bipolar.
Mod de lucru:
25
10 UBE [v]
Ridicarea caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului în conexiune EC
Modificaţi curentul de bază IB din sursa S1, modificaţi tensiunea UCE din sursa S2
şi completaţi Tab. 2.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 2.1 şi refaceţi activitatea.
26
Activitatea de învăţare 2.2. Ce ştim despre tranzistorul bipolar
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- descrii principiul de funcţionare a tranzistorului bipolar;
- identifici tipuri de tranzistoare bipolare;
- identifici modurile de conectare a tranzitorului bipolar;
- deduci ecuaţiile fundamentale in cc;
- reprezinţi caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar;
- precizezi principalii parametri care limitează funcţionarea tranzistorului bipolar;
- identifici utilizările tranzistorului bipolar.
Durata: 20 min.
Sarcina de lucru:
Pe feţele unui cub se înscriu următoarele sarcini de lucru referitoare la tranzistorul
bipolar.
33
Tipuride
de
Tipuri
conexiuni
conexiuni
1.
1. 22 44 66
Principiulde
de Structurăşişi Ecuaţii Parametriicare
carelimiteză
limiteză
Principiul Structură Ecuaţii Parametrii
funcţionare simbolurigrafice
grafice fundamentale
fundamentalede
de funcţionarea
funcţionareaşişiutilizări
utilizări
funcţionare simboluri
cc
cc
55
Caracteristici
Caracteristici
statice
statice
Fiecare grup de elevi îşi va alege câte un coordonator, acesta va rostogoli cubul şi
fiecărei grupe îi va reveni o sarcină de lucru care va fi rezolvată pe o foaie de hârtie A 3.
După 10 minute foile scrise vor fi lipite astfel încât să alcătuiască un cub desfăşurat.
Se va analiza fiecare foaie şi se vor face completări acolo unde este cazul.
27
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 2.1 şi refaceţi activitatea.
28
Activitatea de învăţare 2.3. Caracteristicile tranzistorului bipolar
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- precizezi principalele familii de caracteristici ale tranzistorului bipolar;
- identifici expresiile matematice corespunzătoare fiecărei familii de caracteristici.
Durata: 10 min.
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe mici (2 – 3 elevi) sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
În coloana A sunt enumerate principalele familii de caracteristici ale tranzistorului
bipolar, iar în coloana B expresiile matematice ale acestora. Scrieţi pe foaie asocierile
corecte dintre fiecare cifră din coloana A şi litera corespunzătoare din coloana B.
Dacă aţi realizat corect toate asocierile, treceţi la activitatea următoare, în caz
contrar consultaţi fişa de documentare 2.1 şi refaceţi activitatea.
29
Activitatea de învăţare 2.4. Moduri de conectare a tranzistorului
bipolar
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- identifici principalele moduri de conectare a tranzistorului bipolar.
Durata: 15 min.
Sarcina de lucru:
Folosind diferite surse, obţineţi informaţii despre modurile de conectare a tranzistorului
bipolar şi organizaţi-le după modelul următor:
Bază comună
Colector comun
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 3.1 şi refaceţi activitatea.
30
Tema 3. Tranzistoare cu efect de câmp
Tranzistoarele cu efect de câmp prescurtate TEC sau FET (Field Effect Transistor)
fac parte din familia tranzistoarelor unipolare. la care conducţia electrică este asigurată
de un singur tip de purtător de sarcină, fie electroni, fie goluri. Funcţionarea lor se
bazează pe variaţia conductivităţii unui "canal" dintr-un material semiconductor, ale
cărui dimensiuni transversale sau concentraţii de purtători de sarcină mobili pot fi
controlate cu ajutorul câmpului electric transversal, creat între un electrod de comandă
numit poartă (gate) situat în vecinătatea canalului şi masa semiconductorului unde este
format sau indus acest canal.
31
Caracteristicile statice ale TEC-J
a. Caracteristicile de ieşire (Fig.3.3) iD = iD (uDS ) cu uGS = constant, numite şi
caracteristici de drenă.
Zona preferată de lucru este cea de la curenţi mari, acolo unde şi panta
caracteristicii este mai mare. Aici curentul scade cu creşterea temperaturii (la UGS =
const) dar problema ambalării termice nu se pune în cazul TEC-J.
32
În funcţie de modul de formare a canalului şi de tipul său, TEC-MOS – urile sunt de
patru categorii:
- cu canal n, iniţial;
- cu canal p, iniţial;
- cu canal n, Indus;
- cu canal p, Indus.
33
b. Caracteristicile de transfer, iD = iD(uGS).
34
Activitatea de învăţare 3.1. Ridicarea caracteristicilor de ieşire pentru
TEC-J
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- ridici caracteristicile de ieşire pentru TEC-J;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile de ieşire pentru TEC - J.
Mod de lucru:
Realizaţi montajul din Fig. 1.
ID
10K
mA +
2M2
-
UDS S2
V
S1 V UGS
+ -
35
Aveţi grijă ca ID să nu depăşească 15 mA şi UDS să nu depăşească 30 V.
Reprezentaţi grafic pe o foaie caracteristicile de ieşire pentru TEC – J.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 3.1 şi refaceţi activitatea.
36
Activitatea de învăţare 3.2. Identificare TEC - J
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- identifici terminalele unui TEC-J;
- identifici mărimile specifice unui TEC - J.
Durata: 10 min.
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
Pornind de la simbolul TEC – J reprezentat în figură, identificaţi terminalele acestuia şi
mărimile specifice reprezentate.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 3.1 şi refaceţi activitatea.
37
Activitatea de învăţare 3.3. Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă
izolată
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- descrii principiul de funcţionare al tranzistoarelor cu efect de câmp cu poartă
izolată;
- clasifici tranzistoarele cu efect de câmp cu poartă izolată;
- diferenţiezi principalele caracteristici statice ale tranzistoarelor cu efect de câmp
cu poartă izolată.
Durata: 10 min.
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
Pornind de la următoarele două enunţuri incomplete, realizaţi un eseu de aproximativ
10 rânduri în care să dezvoltaţi ideile conţinute în enunţuri. În realizarea eseului trebuie
să folosiţi minim 7 cuvinte din lista de mai jos.
„Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată este un dispozitiv electronic bazat pe
conducţia curentului la suprafaţa....................”
„În funcţie de modul de formare a canalului şi de tipul său, tranzistoarele cu efect de
câmp cu poartă izolată sunt ............................”
Lista de cuvinte: poartă, semicondutor, oxid, sursă, drenă, canal n, canal p, iniţial,
indus, substrat, caracterstici statice, transfer, ieşire.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 3.1 şi refaceţi activitatea.
38
Activitatea de învăţare 3.4. Regiunile caracteristicilor de ieşire ale
unui TEC - MOS
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- precizezi principalele regiuni ale caracteristicilor de ieşire ale unui TEC - MOS;
- identifici caracteristicile fiecărei regiuni .
Durata: 10 min.
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe mici (2 – 3 elevi) sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
În coloana A sunt enumerate principalele regiuni ale caracteristicilor de ieşire ale unui
TEC-MOS, iar în coloana B caracteristicile acestora. Scrieţi pe foaie asocierile corecte
dintre fiecare cifră din coloana A şi litera corespunzătoare din coloana B.
Dacă aţi realizat corect toate asocierile, treceţi la activitatea următoare, în caz
contrar consultaţi fişa de documentare 3.1 şi refaceţi activitatea.
39
Tema 4. Tiristorul
a – structură; b – simbol
Fig. 4.1.1. Tiristorul
Electrodul de comandă, poarta, G (gate), anod şi catod sunt cele trei terminale ale
tiristorului simbolizat în Fig. 4.1.1.b.
40
În funcţionare normală, tensiunea anodică trebuie să fie mai mică decât tensiunea de
autoaprindere UBO. Pentru comutare directă se aplică un curent de poartă căruia îi
corespunde o tensiune de aprindere UA<UBO.
În polarizare inversă, tiristorul se comportă ca o dioda pnpn, prin el trecând un curent
mic, iar la tensiunea UB are loc străpungerea tiristorului.
Pentru a bloca tiristorul trebuie micşorat curentul prin structură sub valoarea de
menţinere IH (HOLD) (tensiunea la borne scade şi ea sub valoarea de menţinere U H),
deoarece după amorsare, poarta îsi pierde rolul de electrod de comandă, în sensul că
nu poate acţiona şi pentru blocarea tiristorului, totuşi acest rol va fi reluat dar numai
după blocarea tiristorului.
Cu ajutorul tiristorului pot fi controlate puteri mari, fiind utilizat frecvent în circuitele
redresoare comandate şi invertoare. Posibilitatea de control a momentului amorsării
determină un domeniu larg de aplicaţii pentru acest dispozitiv care poate fi alimentat de
la tensiuni de ordinul zecilor la tensiuni de ordinul sutelor de volţi şi corespunzător
curenţilor de ordinul sutelor de amperi.
41
Activitatea de învăţare 4.1. Ridicarea caracteristicilor anodice ale
tiristorului
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- ridici caracteristicile anodice ale tiristorului;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile anodice ale tiristorului.
Mod de lucru:
Realizaţi montajul din Fig. 1.
42
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicile anodice ale tiristorului
IA [mA] 0 5 10 15 20 25
IG = 0 UAK [V]
IG = 2 mA UAK [V]
IG = 4 mA UAK [V]
IG = 6 mA UAK [V]
IG = 8 mA UAK [V]
IG = 10 mA UAK [V]
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 4.1 şi refaceţi activitatea.
43
Activitatea de învăţare 4.2. Tiristorul – dispozitiv multijoncţiune
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- identifici tiristorul;
- descrii principiul de funcţionare;
- reprezinţi caracteristicile tiristorului;
- precizezi principalele utilizări ale tiristorului.
Durata: 15 min.
Sarcina de lucru:
Folosind diferite surse, obţineţi informaţii despre tiristor şi organizaţi-le după modelul
următor:
Simbol
Simbol
Caracteristici
Caracteristici Tiristorul
Tiristorul Principiul
Principiulde
defuncţionare
funcţionare
Utilizări
Utilizări
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 4.1 şi refaceţi activitatea.
44
Activitatea de învăţare 4.3. Identificarea tiristorului
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- identifici terminalele tiristorului;
- identifici mărimile specifice tiristorului.
Durata: 10 min.
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
Pornind de la simbolul tiristorului reprezentat în figură, identificaţi terminalele acestuia şi
mărimile specifice reprezentate.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 4.1 şi refaceţi activitatea.
45
Activitatea de învăţare 4.4. Funcţionarea tiristorului
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- identifici mărimile caracteristice tiristorului;
- explici funcţionarea tiristorului.
Durata: 15 min.
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
În figura de mai jos sunt reprezentate caracteristicile curent tensiune ale tiristorului.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 4.1 şi refaceţi activitatea.
46
Tema 5. Dispozitive optoelectronice
47
Principalii parametri ai fotorezistenţei sunt:
Rezistenţa de întuneric, (R0);
Sensibilitatea, (S).
Fototranzistorul, simbolizat în Fig. 5.1.4, este format din trei zone (pnp sau npn)
numite colector, bază şi emitor. Zona sensibilă la lumină formând-o joncţiune bază-
colector. Spre deosebire de fotodiode fototranzistoarele realizează şi o amplificare a
curentului fotoelectric. Fluxul luminos are rolul curentului de bază de aceea
fototranzistorul nu este prevăzut cu terminalul pentru bază. În circuite fototranzistorul se
montează în conexiune emitor comun, polarizarea făcânduse ca şi la tranzistor, emitorul
la potenţialul negativ iar colectorul la potenţialul pozitiv pentru un tranzistor npn.
Inerţia în funcţionare a fototranzistorului este mai mare decât a fotodiodei.
48
Dioda electroluminiscentă (LED- ul), simbolizată în Fig. 5.2.1, numită LED-Light
Emmiting Diode se bazează pe fenomenul invers fotodiodei. Culoarea luminii emise
depinde de semiconductorul utilizat.
Aceste dispozitive au o gamă largă de aplicaţii ele putând înlocuii relee, putând
izola partea de forţă de partea de comandă în sistemele automate şi în multe alte
aplicaţii. Într-un astfel de dispozitiv se transmit într-un singur sens de la intrare la ieşire.
De obicei randamente de transfer relativ ridicate se obţin în domeniul frecvenţelor
infraroşii. Optocuploarele pot fi utilizate pentru transfer de semnale atât de curent
continuu, cât şi de curent alternativ, frecvenţa limită fiind ordinul zecilor de MHz.
49
Activitatea de învăţare 5.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale
fotodiodei
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- ridici caracteristicile statice ale fotodiodei;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile statice ale fotodiodei.
Mod de lucru:
Realizaţi montajul din Fig. 1.
50
Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristicile statice la iluminare a fotodiodei
I1 [mA] UFD [V] 0 .........................................................................U Rmax
IFD [mA]
IFD [mA]
IFD [mA]
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 5.1 şi refaceţi activitatea.
51
Activitatea de învăţare 5.2. Ridicarea caracteristicilor statice ale
fototranzistorului
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- ridici caracteristicile statice ale fototranzisorului;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile statice ale fototranzistorului.
Mod de lucru:
Realizaţi montajul din Fig. 1.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 5.1 şi refaceţi activitatea.
52
Activitatea de învăţare 5.3. Ridicarea caracteristicii statice a diodei
electroluminiscente
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- ridici caracteristica statică a diodei electroluminiscente;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristica statică a diodei electroluminiscente.
Mod de lucru:
Realizaţi montajul din Fig. 1.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 5.1 şi refaceţi activitatea.
53
Activitatea de învăţare 5.4. Ridicarea caracteristicii de transfer a
optocuplorului
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- ridici caracteristica de transfer a optocuplorului;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristica de transfer a optocuplorului.
Mod de lucru:
Realizaţi montajul din Fig. 1.
Reglaţi sursa S2 la 12 V;
Pentru diferite valori ale curentului prin elementul emiţător (LED), I L, măsuraţi
curentul prin fototranzistor, IC;
Completaţi Tab.1;
54
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 5.1 şi refaceţi activitatea.
55
Activitatea de învăţare 5.5. Tipuri de dispozitive optoelectronice
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- identifici tipuri de dispozitive optoelectronice;
- precizezi principalii parametri pentru fiecare tip de dispozitiv optoelectronic;
- descrii funcţionarea fiecărui tip de dipozitiv optoelectronic;
- identifici utilizările fiecărui tip de dispozitiv optoelectronic.
Durata: 20 min.
Sarcina de lucru:
Având la dispoziţie 10 minute, fiecare grupă va completa câte o linie a tabelului de mai
jos, folosind surse diferite.
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 5.1 şi refaceţi activitatea.
56
Activitatea de învăţare 5.6. Simbolurile dispozitivelor optoelectronice
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- precizezi principalele dispozitive optoelectronice;
- identifici simbolurile dispozitivelor optoelectronice.
Durata: 10 min.
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe mici (2 – 3 elevi) sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
În coloana A sunt enumerate pricipalele dispozitive optoelectronice, iar în coloana B
simbolurile acestora. Scrieţi pe foaie asocierile corecte dintre fiecare cifră din coloana A
şi litera corespunzătoare din coloana B.
a.
2. Fotorezistenţa
b.
3. Fotodioda
c.
4. Fototranzistorul
d.
5. Dioda electroluminiscentă
e.
6. Optocuplorul
f.
Dacă aţi realizat corect toate asocierile, treceţi la activitatea următoare, în caz
contrar consultaţi fişa de documentare 5.1 şi refaceţi activitatea.
57
58
III. Glosar
Amorsare – comutarea dispozitivului electronic din starea de blocare în starea de
conducţie.
Comutaţie – trecerea rapidă a unei joncţiuni din stare de conducţie în stare de blocare
şi invers.
Tranzistorul bipolar - o pastilă de siliciu dopată astfel incât să se creeze trei straturi
dopate diferit, şi deci două joncţiuni pn; una emitor-bază şi alta bază-colector.
59
IV. Bibliografie
1. Biţoiu, Adrian. Băluţă, Gheorghe. Iţcou, Corneliu. Lingvaz, Iosif. (1984).
Practica electronistului amator, Bucureşti: Editura Albatros
5. Dan, Pentru Alexandru. Luca, Dan Mihai. Albu, Adrian. Dunca, Tudor. Primejdie,
George. (1986). Diode cu siliciu - catalog, Bucureşti: Editura Tehnică
60