(ft l o , ll, taL{

Tranzistoare bipolare

( rt \
Ic= F r .tr j+ le e - l
\ r,c .,
undeV4reprczintitensiuneaEarly gi a fost ilustratin fig. 4.10.

4.8. Polarizarea tranzistorului bipolar in circuite discrete

Pentru polarizareaTB se pot utiliza diverse circuite. in continuare vom analizadoui variante.

Polarizarea tranzistorului bipolar c.uun rezistor in bazi

in fig. 4.19 este prezentatun circuit in care TB primegteun curent constant inbazd:
- vtt - 0,6
J " :vr, =vcc
"RuRB Vcc
De remarcat cd pentru V6s suficient de mare (de exemplu peste 15 V), curentul de
bazi se poateaproxima cu: Rc
V V6
t u= ff T
Vg
Eroarea introdusd prin realizarea acestei aproximiri este mai micd de 5 %opentru
Vcc > 15 V. F ig . 4 . 1 9T. B
polarizatcu curent
Aplica(ia 4.4 debazdconstant.

Pentrucircuituldin fig. 4.19secunoagteci: fu : 10kO, pp: 150$i Vcc : I2V.

Secere s[ sedimensioneze rezistorulRs astfelincdtTB (cu siliciu) si fie polarizatin mijlocul RAN.

Rezolvare
in mijloculRAN:
v." 12=un
vrr=-?=
,
,,=b#=P#:o,6mA
Curentul de bazd necesareste:

,, =E=# =o,oo4mA:4pA
Valoarea necesardpentru Rs este:

Ro =fee-!.oz=t? ^!:u = 2850rd):2,85

Me
" Iu 0,004
AlegemRs:3 MO. Daci refacemcalculelecu valoareaaleas[,oQ{inem:
I u = 3,8pA, Vgu= 6,3V

Aplicalia 4.5

in circuitul din aplicafia anterioardin care Re: 3 Mf) s-a schimbat TB cu unul care are Bp: 300.
Se cere sd se determine regiuneade lucru pentru TB.

13
 Dispozitive electronice

Rezolvare
Curentul de bazL va fi acelagi. Presupunemc[ TB a rdmas in RAN qi determindm curentul de
colector gi tensiuneacolector-emitor:
Ic = Fe'In =300 '0'0038=I,l4mA
Vca=Vcc - R.' I" =12 -10' 1,14= 0,6V
Se gtie ci pentru ca TB sd fie in RAN, o condilie esteca:
Vcu)Vcr.ro,= 0,6V
in cazul de fafi TB se afl6 la limita dintre regiunea d9 saturafie qi RAN. in concluzie, polarizareaTB prin
injectarea unui curent constant in bazd (fig. a.l9) nu este o solulie practici deoarece punctul static de
funclionare (PSF) al TB este foarte sensibil la schimbareavalorii parametrului Be.Cum acestparametruare
o dispersiede fabricafie foarte mare (in catalog poate fi precizatcu o toleranlE de *100 %) qi o variafie rapidi
cu modificarea temperaturii dispozitivului, circuitul de polarizare din fig. 4.16 se utilizeazd rar in aplicafii.

Polarizarea tranzistorului bipolar cu divizor in bazi gi rezistor in emitor

in fig. 4.20 este prezentatdcea mai ttilizatdvariantd de polarizare a TB in circuitele discrete.Rsr $i

Rs2formeazdun divizor de tensiur,repentru care s-a realizat echivalareaTh6venin cu relatiile:
Rut' Ru,
n*:#h r,,, Ruu
-
Ru,+ Ru,
Se ob{ine astfel circuitul echivalent din fig. 4.20b, in care se pot scrie urm6toareleecualii:
Vnn= Raa.Iu+Vuu+ RE'IE

Ir:(Fe +l).Iu
[-fVcc
R " ,* fn . RC
Ic = Fo'Iu
I FV.
Vcc = Rc'1, +Vr" + RE.IE

rn care s-a neglijat Isss. Prin rezolvarea'sistemuluide

uffiu.- V6
ecuatii de mai sus se obfine: R",l f n'
;:,:### RE
II
a) b)
vr, -*vr, - Rr.I, - Rr'1, Fig. 4.2A;'a)TB,polari2atcu divizor in bazdqi
rezistorin emitor; b) circuit echivalent
(echivalareaTh6venina divizorului de
Aplica{ia 4.6 tensiune).

Pentrucircuituldin fig.4,20secunoapteci: Rs1:84 kQ, Rgz:36 kO, fu:5 kC),Re=5 kf),

T(Fn: 100,Ver - 0,6V) $iVcc = 12Y.
Secere si sedeterminePSF-ulgi regimulde funclionarepentruTB.

Rezolvare
36.84 _ ) 5 ) ko
vuu= =y - .12=3,6v, Ruu_
36+84 36+ 84
1 0 0.(3 ,6 --
0 ,6 ) =
Ic= 0,566mA, Vcu=12- 10.0,566= 6,34V
(too+ t).s
25,2+
T(Vuu: 0,6 V; Vcp: 6,34V; Ir: 0,566mA\ > T estein RAN.
t4
qlx

Tranzistoare bipolare

Aplicafia 4.7

in aplicafla anterioard s-a schimbat TB cu unul care are Bp: 200.

Se cere s6 se determine regiunea de lucru pentru TB.
Rezolvare

r"= 0:9)-
=o,58zmA
" -?o-o'!'-'9
25,2+ ( 200+ l) .5
Vr, 7I2-10'0,582= 6,I8V
T(Vm:0,6V; Vcs:6,18V;Ir:0,582 mA):> T este
in RAN.
in aplicafiile 4.5 gi 4.7 s-aconsideratcd parametrulBpigi dubleazdvaloarea.Compardndreztltatele
pentru cele doui aplicafii se observd cd la circuitul din fig. 4.19 s-aobfinut o varia{ie pentru VcE de la 6 V la
0,6 V, pe cdnd la circuitul din fig. 4.2OVcEs-a modificat doar de la 6,34 V la 6,18 V. in concluzie,circuitul
de polarizare cu divizor in bazd gi rezistor in emitor asigurd o polarizare a TB practic insensibild la
modificarea parametrului 9r in limite foarte largi. Trebuie insd sd se indeplineasci urmdtoareacondilie in
alegereavalorilor rezistenfelorpentru rezistoareleRs1,Rs2gi Rs:
' t\-82
R'il
I'
.. (F, + t). n,
Rut+ Ru,

Dependen{ade temperaturi a parametrilor TB

. VsE,scadecu cregtereatemperaturii, la curent de emitor constant,cu 2 + 2,5 mY PC.

r oC. Practic, pentru TB cu siliciu, Igsse
Icsose dubleazdla fiecare cregterea temperaturii cu 10
oC.
neglijabil dacl temperaturaestemai mici de 50
o Factorul de amplificare in curent in conexiuneaemitor coruun, Bpdepinde puternic de temperaturd:
( T-7\
p,(r)=p(r)ll+T
'"'\ I
k )
Pentrusiliciu,k=50.

Determinareapunctului de disipafiemaximi de putere

Pentrucircuituldin fig. 4.20, dreaptade sarcindeste:

Vc c : Rc ' 1 , + V " u+ Rr. I ,
Putereadisipati detranzistoreste:

p, =V rr.I, =(V "r-(Ru + Rr). I r)' 1 , = rr, (n : ..n:t)

IR" + R./
Derivdnd expresiaoblinute in raport cu tensiuneaVcr gi punAndcondifia ca aceastdderivati sd fie zero, se
obline valoareatensiunii V5s pentru care putereadisipati de tranzistor estemaximd:
aP v-.,
? =0 = - 2' Vr r +Vr r = 0 = Vr r = r ?
dV'" 2
Tranzistorul disipd putere maxim[ in punctul de pe dreaptade sarcinl de coordonate:

15
 Dispozitive electronice

r/* V,
lg

,(vr, . )
[ 2 2 (R u +R r)
Curba de putere disipatd constantd,Pp2 este
tangentdin punctul M la dreaptade sarcin6.
De remarcat c[ punctul M de pe.dreapta de Pp3:cSt.

sarcind permite o excursie maxim[ de Poz:cst.

tensiune(adicd se afld la distanle aproximativ
egale, mdsurate pe dreapta de sarcinl, de
regiunea de saturalie qi de regiunea de Vcr vcc
blocare).
Fig. 4.2l.Determinareapunctului de disipa,tiemaximdde
in fig. 4.2l,Py < Prz < Pp:.
putere pe dreaptade:sarcind

TB in schemede comuta{ie
*Vcc
TB poate fi utllizat ca qi comutator comandat electronic. Pentru aceasta se
comand[ TB sd funcfioneze:
Rc
- fie in regim de saturafie,cdnd VcE : Vce,,uF0,6V;
- fie in regim de blocare, cdnd Ig = 6.
I
Controlul se realizdazdprin Ie sari prin VsB. TrecereaTB din stare de blocare in stare I v""
de satura{iese va face prin RAN. Si considerdmcd TB se afl6la limita dintre saturafie t-'
Y
qi RAN, cAndincd se mai poate consideracd:
Ic=fr .Iu
DeoareceTB este la limita de saturafie,se poate scrie: Fig.4.22.TBin
v-. -l/' Ce,sat comutafie
r t
L L:JU'
,P. C
.rI
7 _'C .s at
'B,s al
R

lentru asigurarea saturaliei TB se recomandd un curent de bazd mai mare dec6t cel rentltat din relatia
anterioard(Ie > IB..ut).

Temi

DeterminalicurentuldebazdpentruTB din fig.4.22,dacdsecunosc:Vcc: 12V, R6: I kC),pp= 100,

Vsp :0,7V.

Tensiunitipice pentru TB

posibilepentrutensiuneaVss atuncicAndun TB tip npn seafl6

in tabelul4.2 sunt prezentatevalori
in diverseregiunide lucru gi pentrutensiuneaV5Bin regimde saturafie.
4.2.
Tabeh,il
V.o V o o ." , = V V oo na* V nr.,r" ." :V Vnp t;i"'"
0.2v 0,8v 0,7v 0.5v OV

t6
r
1:r:

Tranzistoare bipolare

Multiplicarea in avalangi in regiunea colectorului

Polaizarea inversd a joncfiunii colectorului la tensiuni mari determind aparifia de perechi electron-
gol, ceeace conduce la multiplicarea curentului inifial. Coeficientul de multiplicare al curentului de colector
'
estedat de relafia:
I
![= -
/t

r-l llel'),
\v, )'
unde: Voestetensiuneade strdpungereajoncfiunii pn;
n este un coeficient care se determini.experimental.

in conexiuneabazdcomuni, ip esteconstant,iar
ic=M'(ur'i"+Iruo)
De remarcatci tensiunea de stripungere nu depinde de in.
io"on'are,dacdV63Cf€$t9,rezu|tdc6igcreqteqideci
iB cregte.Se obline astfel o cregterenelimitafi:
ic = M'(a"'iu + Iruo) gi i, =i, +iu implicS: i, - M'dr'ic = M'dp'ia+ M' IcBo'
de unde se obline:
M'do M'oo
ir: 'i-+
'B ' 'l--.
'cBo
7-M.ao l-M.a,
in relafiaanterioar6,"i, -->a dacb I- M 'dF -+ 0 .
Deci M .dp ) TB. Se obline:
1 determindstrdpungerea

I ,t / n
---; =I = v, =v"(r- do)""
tv -,'dF
1
I -l --.1 |
\v,)
seoblineVs: (1/10...1/3)V^.
Practic

Vgss= 30V,Vpeo:5V, V6s,ru1=

TB de tip2N2222:Vceo:60V,
Exemplu: l,6V la Ic:500 mA.

Observafii:
- ceamai maretensiunesuportatd
l. V6n;cno deTB'
2' Vrea16eo(( Vrsntcso.
3. Vrentcroesteo tensiunede susfinere.

Limitiri in func{ionare cauzate de temperaturi

o Temperaturaminimi de stocareeste-50oC(sau -75"C) gi estelimitatd de tensiunilemecanicece pot

sd apard.
o Temperatura maximi de stocare este de 300oC (la siliciu) gi este limitati de topirea sudurilor sau
cregtereaactivit5fii chimice c contaminanfllor da la suprafalasemiconductorului.
o Temperaturaminimi de funcfionare este impusd de ionizarea impuritdlilor dar este mai mare dec6t
ceade stocare.
o Temperaturd maximi de funcfionare este de 200oC, deoarece peste aceasti temperaturd
semiconductorultinde sd devind intrinsec.

T7
 Dispozitive electronice

4.9. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

in fig. 4.23, ciraitul de polaizare al TB determini funclionarea acestuia in punctul static de

funcfionare Q al caracteristicii de transfer. in fig. 4.24 esteilustratd aplicareaunei sursede semnalmic, v6"in
serie cu sursade polarizareVsp. Aceastava determinao varialie a curentului de colector in jurul punctului Q,
ca in fig. 4.23. Curentulde colectorare expresia:

T Vcc
Vse
vbe'
tt
Vss
i
Fi5.4.23.Aproximarea liniari a Fig.4.24.Circuitde amplificare
caracteristiciidetransfera TB. cu TB.

",(t)=,,*o(7)
=,,"",(7)
("
i.L = Irr 'expl e
'l
vT
f,/
-)
)
l:7,
| "",(r,#l (4.16)

Dacd seindeplineqtecondifia de semnal mic:

ru 11Vr G.l7\
atunci se poate aproxima ultima exponenfiali din relafia (4.16) cu primii doi termeni. Adic6:
/\
b l= t*!t" (4.18)
' \v,
"*o l ) vr
Ca urmare, curentul de colector se poate aproxima astfel:
/\
i. = I '(
.l t+bl (4.r9)
v' )
Se observdcd i6 are doud componente:una continuS,16gi una variabilb, i", aceastadin urmi putdndfi scrisd
qi sub forma:
. I" = gm:ybe (4.20)
," =
t'vbe
cu panta
unde g. este panta tranzistorului sau transconductanfa,definiti gi in relafia (4.8), qi corespunde
caracteristicii de transfer in punctul static de funcfionare Q din fig. 4.23.
il

s-=#l^=,,=
nL=4''Ic G'zr\
Relafia (4.19) aproximeazi caracteristicaexponenfialddin fi9. 4.23 cu o dreapti, in vecindtateapunctului Q.

18
f

$L'r::

Tranzistoare bipolare

4.9.1.Modelareatranzistorului bipolar la semnal mic Ai frecven{ejoase

Modelul natural

Dacd indeplinirea condifiei de semnal mic permite aproximarea liniard a caracteristicii de transfer a
TB in jurul PSF-ului, lucrul la frecvenfejoase permite neglijarea capacitililor paraziteale TB. Astfel, TB se
poate modela cu o sursd de cur,ent comandati in tensiune, insd trebuie s[ finem cont qi de dependenfa
curentului debazdde tensiuneav6.. Curentul debazdare urmdtoareaexpresie:

iB= (4.22)
,oL=#.#.hL'uu"
Al doilea termen in relafia anterioar[ reprezintd,componentavariabild:

=!'s.'rb"
,r:++.uu" (4.23)
V,F, F,
Rezistenfadintrebazbgi emitor,la semnalmic, senoteazdcu 16"soucu rngi sedefinegteastfel:
vw
, =; = -F;r u'24\
Pentru ca sursade curent comandatdin tensiune s[ determine un cdgtig de tensiuneeste necesarsd se
conectezeun rezistor in colector qi si se mdsoaretensiuneape acesta,ca in fig. 4.24.Ftezultd:
lc =Vcc - Rc ' i, :Vr, - (1, + i,)Rc = (Vr, - R, ' Ir) - Rc 'i" =Vc - R, 'i, (4.2s)
Componenta
variabildareexpresia:
l, = -RC'i, = -Rc' 8.'lnn (4.26)
din care rezultd,amplificarea in tensiune (sau cdqtigul in tensiune) la semnal mic:

a, =L=-g*.Rc (4.27)
lb"

Nu trebuie uitat c[ g- depinde de 16.

Circuitul echivalent al TB la semnal mic (v6" aa Vr) gi frecven,tejoase trebuie sd verifice relafiile
(4.21) gi@.2\. Acest circuit este cunoscut ca modelul natural simplificat, in cele doud variante ilustrate in
fig.4.25. Pentru cregtereaacurateleimodelului TB la semnalmic, frecvenfejoase, se adaugdun rezistor ro
igtre colector gi emitor gi un rezistor ru intre colector Sibaz6,,a$acum se va ilustra in modelul de semnalmic
qi frecvenli inaltd din secliuneaurmitoare.

i6 lc
C B C
I LiiLi
I ri.i
I :l
l:i
I .,

i:

Fig.4.25. Modelul natural al TB la semnalmic: a) cu generatorde curent

comandatin tensiune;b) cu generatorde curentcomandatin curent.

t9
 Dispozitive electronice

Utilizarea modelului de semnal mic al tranzistorului bipolar

Analizaunui circuit electronic cu TB utilizAnd modelul de semnal mic se face astfel:

1. Se determind PSF-ul pentru TB gi se verificd funclionarea acestuiain RAN. Valoarea curentului de
colector se va folosi in pasul urmdtor.
2. Se calculeazdparametriimodelului de semnalmic: g" 9i rn, cunosculigi ca parametriidinamici.
3. Se determind (deseneazd) schema echivalenti de curent altemativ prin inlocuirea surselor de
tensiune continud cu scurtcircuit gi a surselor de curent continuu cu intrerupere (rezisten!6infinita).
Daci existd in circuit condensatoare considerate C-, acestea se vor inlocui cu scurtcircuit.
CondensatoareleC- sunt condensatoarecare la frecvenla de lucru au o impedanlSneglijabilS (nul5).
4. Se determind(deseneazd)schemaechivalentbde semnalmic a circuitului prin inlocuireain schema
de la punctul precedenta TB cu modelul de semnalmic. Din cele doud varianteilustratein frg. 4.25
se va alege aceeacare oferd posibilitatea unei analize mai simple a circuitului.
5. Analiza circuitului oblinut la punctul4.
Vcc
Analiza grafici a unui amplificator cu tranzistor bipolar
Rs
Pentru o mai bund infele$Orea funcliondrii unu.icircuit amplificator i6
cu TB se poate utiliza metoda graficl de analiz6. Considerdm circuitul din
fig.4.26. Mai intdi se determindcurentul debazd' Is (sau tensiuneaVse). T
Iu"'
Pentru aceastase scrie ecualia Kirchhoff pe ochiul de'circuit ce cuprinde:
Vss, Rs $i Ves. Acest ochi il vom numi in continuareochiul de intrare.
Vna= Rn.Iu +V*
l'"; I
V Y
I I
Dreapta de sarcini corespunzdtoare ecuafiei precedente va intersecta Fig.4.26.Amplificatorcu
caracteristicade intrare a tranzistdrului, is : ie(vss) in punctul M(VBE, IB). TB.
in pasul al doilea se scrie ecualiaKirchhoff pe ochiul de iegire,ce
cuprinde: Vcc, Rc $i Vcn.
Vcc = Rc.I, +Vr" (4.28)
Dreapta de sarcind corespunzdtoare ecua,tiei anterioare intersecteazd caracteristica de iegire a TB,
i" = ir(vrr)l,u=,u in punctul Q(Vce,16).Coordonatelepunctului Q din fig. 4.27 repreztntAPSF-ulTB.
in fig. 4.28 s-a ilustrat deplasareapunctului instantaneu de funcfionare pe dreapta de sarcin6. O
deplasarepe dreapta de sarcin[ p6nd in punctul vcp : Vcc determind un curent de colector ic = 0, adici se
ajunge in regiunea de blocare a TB. O deplasarespre stAngape dreapta de sarcind pdnd la vcs : Vcr,satface
ca TB sd ajungd in regiuneade saturafie.

Vsr Vss V"" Vcs Vcc vcr,

a) b)
Fig.4.27. Determinareagraficd,a PSF-ului.
20