Dispozitive electronice

2.2. Transportul purtitorilor mobili de sarcini

int-un semiconductoromogen, aflat la echilibru termic, elechonii gi golurile suferi doar o migcare
de agitafie termici (migcare cu caractcr haotic), ?nsofitii de oiocniri cu releaua Ca urrnare, in medie,
electonii qi golurile nu suferd o deplasarenetd- Rezultti ci nu existi curenli electrici macroscopici de
conducgie.
in semiconductoare,curenfii electrici de conduclie sunt cauza{ide:
- cflmpul electric (rezulti curenli de cdmp saude drift);
- gradientul concentrafiilor de impuritfti (rezulti curen{i de difu7ie).

2.2.1. Curenfi de cimp

Dacd se aplicd un cdmp electri", i, unui semiconductor,purtiitorii mobili de sarcin6 vor

^up*
c[plta o vitezd nAi (medie) pe direc{ia cdmpului electric.
+-+
y,= -l t,.E ( 2. 15)

io=po.i (2.16)

unde i,, io reprezinta viteza de camp (drift) a electronilor, respectiv a golurilor" iar p,, p;rfrrez-inti,
mobilitatea electronilor, rospectiv a golurilor.
Rel4iili: (2.15) qi (2.16) srmt insd valabile numai la valori mici ale c6mpului electric, pentru care
vitezade cimp estemult mai mici decdt viteza cavzatide agitafia termicd (aprox. 107cm/s). Pentru cdnrpuri

intense,mobilitatea purtitorilor nu mai esteconstantiioaceastascadedacd i

"a"q*.
Mobilitatea purtitorilor de sarcini este influenpd de ciocnirile cu atomii din re{ea Valoarea
mobilitifii purtiitorilor de sarcin[ depindede conccntrafiade impuritiifi, a;a cum esteilustat in fig. 2.6, unde
cu Nr s-anotat concenta{ia netil de impuritdf (donoaresauacceptoare).
Dependenfade temperaturda mobilitiilii esteinfluenfatii atdt de ciocnirile cu reteaua(p scadedacl T
creqte),cdt gi de ciocnirile cu atomii de impuritnli (p crestedacAT cre$te).La temperaturi normale (in jurul

t03
p [cm2lv4 electroni

102 goluri

10
1014 N1[cm-3] 1o2r

Fig: 2.6. Dependenfamobilitl{ii purtitorilor de

sarcini de concentrafiade impuritii,ti.

temperaturii T: 300 K), majoritatea impuritiifilor sunt ionizate gi conteazl ciocnirile cu re,teauaCa urmare,
p scadecu cregtereatemperaturii.
 Nofiuni de lizica semiconductoarelor

Rezistivitatea

Plecdnd de la vitezele purtitorilor de sarcin6"relafiile (2.1a) qi (2.15), se pot exprima densitlfile

curenfllor de odrnpde electoni, respectiv de goluri:

j o " =- e , f i - V n Q.r7)
++
i * = Q' P -vp (2.r7a)

din care se obfine, prin tnsumare, dansitatea de curent de cdmp:

+++- ) - ) -+1->
j = j * + i p " = - g.n.vR + e. = --
p-v p = Q(n.Fn+ p- po)EE=:.8 (2.18)
" p

Proporfionalitateadintre densitata de curent de cdmp qi.i este de fapt legea lui Ohm. Din relalia
(2.13) se deduceexpresiarezistivit{ii electrice p:

p- (2.re)
q(n' p, + p' pp)

Se observi c[ rezistivitatea depinde inven propo{ional de concentra{iilen gi p de purtiitori de sarcind-Din

rela,tiile(2.11) qi (2.13) rezulti cd, la temperaturinornralede lucrq concentra{iapurtitorilor majorrlari pentru
semiconductoarele tip p sau n este datii de concentratia de impurit{i. Ca urmare, materialele
semiconductoareputernic dopate(cu Na sauNo mare) vor ptezentarenstivitate electric[ mic6.
La semiconductoare,p depinde puternic de temperaturtr,aga cum se poate observa qi tn fig. 2.7.
Existi trei zone ale caracteristicii p : flT):
a\ Zanal, care cuprinde gi T : 0 K, unde p ---' "o. Cregtereatemperaturii conducela ionizareaimpuritdfilor, n
gi p crescAi ca unnare p soade.
b) Zona II, care cuprindc qi temperaturaT : 300 K (adice 27 "C), in caren qi p rimdn constante,dar p scade,
astfel cl p cregte.
oC), io
c) Zana III, cu temperaturi mari (peste 150-200
care au loc ruperi masive de legituri covalente. Ca
lunnare, concentrafia intrinseci r\ creste, depi.$ind
concentrafiile de impurit$i; materialul semiconductor
?qi pierde caracterul n sau p, iar rezistivitatea scade
foartemult.

22.2. Cnrenfii de ditozie

Prcznnla unor concentafi neuniforme de OK 300K

3OOK T
electroni sau de golwi determin[transportul acestorain Fig,2-7 . DependenJade temperaturl a
semiconductor, cu tendinta de uniforrnizare a rezistivit{ii electricea semiconductoarelor.
disfribu{iei lor. Ca urmare, rez'u,ll5o proporlionalitate
t
intre fluxul de particule, F qi gradientul concentratieide impuritiili, Vc:
+l
F = -D-Ye Q.2a)
unde f' reprezinti numfuul de particule ce traverseazdo suprafa{i unitar6, perpendiculari pe direcfia de
transport,in unitateaAetimp, iat n est" coencie"tol dPdi
I
 Dispozitive electronice

Densitateade curent de difirzie de electroni, respectivde goluri, sepot exprima astfel:

1
j ra =-e. F,: q. D,.Yn Q.2r
?
iA=4'Fp='q.Dp'YP (2.22

RelaSile lui Einstein exprimd legdturadinfre coeficientul de difuzi6 qi mobilitate.

+.T k.T
D,= t.F, $i Dp= Uo Q.23
n
Valoriletipicealecoeficien$lordedifuziunepentnrsilicirl la tempraturacarnereisunt:

D, = 3 4 c m' ls

Do =l3cm' / s

2.23. Ecuafiilecurenfilor in semieonductoare

?-t_)
j = j n+ j p (2.24
-+ -+ -' -t
j o = j *+ j oa= Q-n - pn - E+ q. Do -Yn (2.2s
-++-t-+
i o = i *+ i oo= 4' P' ltp'E- q' Dr'Vp Q.26
Pentru cdrnpuri electrice cu componentiivariabill in timp apareqi densitateade curent de deplasare
Rezultii:

?11 ai (2.27
J= J,+ Jo+ e.-

2.3. Generarea gi recombinarea purtltorilor de sarcini

Electronii iqi modificd permancntgi in mod natural nivelul energetic.

Generarea este fenomenul conform cdruia un electron al refelei fiece in banda de conducfie @C),
saupdrdseqtebandade valenfi (BV). Primul fenomendetermindgenemreaunui electron de conducfie,iar al
doilea determini generrea unui gol.

Ef El u+ E

Eclrl+-- .+ l.
"1| ....-
EcL-rr-
E{ | J- *lf * Ec
Ea

EVIL-
t" "|]-+
b) Geneiare
Ev

ino' '
Fig. 2.8. Generareaqi recombinareapurtitorilor mobili de sarcind
 Notinni de fizica seniconductoarelor

Recombinarea este fenomenul conform cdruia un electron al re{elei pdrdseqtebandade conducfie

A-^
(BC), sautrecdfianda de valenli (BV). Primul fenomenconducela disparilia unui electron de conduclig iar
al doilea conducela disparifia unui go1.

Obsewa{ie
Generare/recombinaleanu conducela aparilia/disparilia de particule fizice, ci de purtitori mobili de
sarcini, care si contribuie la conducfiaelecfic[-

Viteza de generare/recombinarer gnrgprfnl fp

yitezade genorare/recombinare in unitatea de

reprezinti numdrul de particule generate/recombinate
volum qi in unitatea de timp. Generarease poate datora unor factori externi, cum ar fi de exemplu,
luminacaz ln careviteza de generaresepoatenota cu: Gm, Glp-
Vitezele nete de recombinaresunt datede relaliile:
& = r, -g n (2.28)
R o= ro-gp (2.2e)

Pentru cazul in care generarealrecombinarea se face direct (Band6-bandi), adici electronii trec direct
din BC in BV gi invers, fhri nivele energeticeinterrrediare' seobf;ne:
g,= 8o Et

fo=7p

Rezult5: Rr=Ro=U

P'n-ni
unde U-
r* (p + p , )+ r* (n + r, )
Concluzii:
l.Laechilibrutermic (p-n=Po'flo=n,'\, &=0 $i ftr=0 deoareceg,=rn $i gp=rr,ftrtca

acesteasd fie nule.

2. La neechilibru, in exces de purtdtori (ceea ce este echivalentcu p'n>n,'1, tezttlt*, R>0, adici

r, ) g oSirp 2 g p(predominl fenomenulde recombinare).

3. La neechilibrt+ in lipsi de purtiitori (ceea ce este echivalent cu p'ft(fl,'), rezulti: n<0, adic5

lo I g,gi t < go (Predominl fenomenul degenerare).

Se poate spunecd un semiconductor aflat la neechilibru isi dezvoltii mecanismele canetind si[-I
aductr la echilibru.
Pmtu vitezele nete de recombinarese poatescrie:
'Ro='*no (2.30
Tn

Ro -U (2.3r
' Tp

unde zngi ro sunt timpi de via{6 ai purtiitorilor in exces.

 Dispozitive ehctron ice

2.4. Ecua{ii de continuitate

Cauzelevariafiei concentrafei de purtitori mobili de sarcini pot fi:

- generaredeterminati de agenfi externi;
- generare-recombinareintern{
- fenomenede transport (curenli electrici).
Tin6nd cont de acestecauzese pot scrie ecua$ile de continuitate:
0n - l--+
* = G, - Ro *:-V ql
' j, (2.32)
oI

9. =c, - n, -Lv .i, (2.33)

otLYq
Pentru cazul particulm ln cme Gr.=O, modelul este unidimensional gi recombindrile nete sunt date de
relafiile (2.31) qi (2.32) se ob,tinurmitoarele ecuafii de continuitate:

!dt. = - n-
rn
no
*!.+
qdx
e.34)
o p _ _ p -p o _ ! . o ju
(2'35)
ot rD q ox

2.5. Ecuafii de bazii ale semiconductoarelor

Un diE;ozitivsemiconductor poatefi descriscu ajutorulunui sistemde ecuafiiliniaregi diferen{iale,

ln condiSileprecizdriicondiliilor:la limitn, inifialeqi dedopaj(Np fi Ne).

Ecuafiile de curent
l+
j n=q.n. FnE+q.Dn.yn
-+ -+
i r= e . p . lt o E -q -Do . Y p
J

] =j,*j 'ot
"*".9:
Eeuafiile de continuitete
An __n-no
*l .Aj,
rn 'q
At- A;
ap= - p- po
- !.0j,
0t to (I Ax
Ecua{ia lui Poisson

m =_!( p_n+ Ni._N:)

u
g ^t
-

in carez estepotenfialul electric ce genereazdcdrnpul elecfic de inte,nsitate,Etnfe z qi.6 existii rela{ia:

i =-vu
Densitateatotald de sarcinl elecfricdinn-un semiconductoreste:
p , = q lp _ n + N. o _ N))

10
 Notiuni de fizica semiconductoarelor

Aplicafii

Ap. f. intr-un semiconductordopat cu impurit4i donoare se cunoa$teconcentalia atomilor de imptnitnfi

cares-au iotnzat"Np'. Presupun6ndci la orice temperaturi semiconductorulestenedegenerat,se c€re:
a) concentra{iapurtitorilor mobili de sarcin6,n0: ?, k: ?;
b) sd se aproximezerelaliile obfinute pentru:
bl) temperaturinomrale, (la careNo- >> nJ;
b2) temperaturiinatte, (la careNp* << q.

Rezolvere

Condilia de neutralitate: n, = po+ N,

Semiconductornedegeneratla echilibru termic: Po'no = n?
a) Rezolv'andsistemul cu cele dou[ ecuafii de mai sus,obfinem:

p o = -M
]+{l /rMY
*n,'
- l\ ' /
|
z

qi
" n,
bl) n r= N ; Po = ,r'
I\D

b2) n o34 qi PoZflt

Lp.Z.Un monocristalde siliciu a fost dopatcu Na: 1,1'1016 cm-3gi No: 1016cm-t.PentruT - 300 K si se
calculeze:
a) concentraJiapurtiitorilor mobili de sarcinE,Do: ?, p0: ?;
b) pozifianiveluluiFermi, Ep;
c) rezistivitate4 p.
Sevor considera: &: 1,45'1010 cm-t,p": 1000cmtlv's Sipp:400 cm2A/'s,k: 1,38'10"t YK.

Rezolvare

a) PresupunemionizareatotalI a impuritdfilor deoarecetemperaturaestede 300 K. Ca urmare:

N, = N.o qi Nn=N)
Utilizim conddia de neuffalitate gi ecuafiapentru concentr{iile de electroni qi goluri la echilibru termic:
n"+ N)= po+ Np
Po''no=4

Deoarececoncentra{iade impuritii{i acceptoargNa este mai mare decflt cea a imprnit{ilor donoare,Np iar
diferentracelor doui concentra{iiestemult mai mare decdtni, semiconductorulva aveamult mai multe goluri
decdtelectroni. Ca urmare, sepoateneglija noin condilia de neutralitate:
Po 7 N e- Np = 1,1'1016- 1016= l1tucm*
Pentru concentraliade electroni seobfine:
'_ft,+s.to'ol
_jt.ra.
h =;- -
l o , r- - z , r' I
la
nedegenerat
b) Pentruun semiconductor echilibrutennic degoluri astfel:
sepoateexprimaconcentra{ia

ll
 Ilispozitive electronice

(8 , -8 , \
po=nt.exp[
ftr J
Prin logaritmarearela{iei anterioarese obline:

E,- E, = k .T.m&[,r] = - -10:'J00 . tn, rto','r,u

k' T btfu-l"vl=l'3s ev
Vvl: 0,348
n,'-t q fl,' ' 1,6'10-t' 1,45'lo'"- -
NoGi
LaT:300 K tensiuneatsrmicaV6 este:
= 0,026V
V n =k' T =0,025875Y =26m V
q
De remarcat ci nivelul Fermi se afla in banda interzisi (ceea ce confirrni ci semiconductorul este
nedegenerat),in apropiereanivelului maxim al benzii de valenld, Ev. Aceastl pozi|e a nivelului Fermi este
specificdsemiconductoarelortip p.
c) Rezistivitatease calculeazAcu relafia:
111 =l-56Q'cm
o=-- - :=i : \
-
q(". p, + p - p') . 104. 1000+ 1Otu
1,6.I 0-'e(2,1 . 400) - 1,6'10-te'I 0'u' 400
'
in acest semiconductor,purtitorii majoritari sunt golurile, conc,entrafiaacestoradeterminind rezistivitatea
materialului:

Ap. 3. S[ se calcrrleze-pozilianivelului Fermi pentru monocristalede siliciu dopateastfel:

a) Na: | OrEcm-' si Np : 0 cm-3;
b) Ne: 1,01'101e cm-3qiNo: l0le cm-3.
Sdse indice, pentru fiecare caz, dacdsemiconductorulestedegenerat.
Sevor considera: T 300K, ri : 1,45'1010
: cm-3,Ec : 1,11eV, k : 1,38 10-23J/I(-

Rezolvare

Calculele sunt similare cu cele din aplica.tiaprecedentS.Se obfin urmEtoarelerezultate:

a) po: lors cm", q - Er:0,467 ev;

b) po: 1017cm-3,B - Er: 0,408ev.

Ap. 4. La o probi omogeni realizatL dintr-un material semiconductorpur s-a misurat rezistenla in doui
condifii de temperatur[:
a) 0r :25oC, Rr:250 O;
b) 01:100"C,&:3,1 Q'
Si se indice din ce material estrerealizati proba.

Ap 5. La o probl omogeni rerllizatil dintr-un material semiconductorpur s-a misurat rezistenla tn doui
condifii de temperaturi:
c) Qr:25oC,Rr:736 Q;
d) 0r = 100oC, Rz:2,7 Q.
Si se indice din ce material estrerealizati proba

Ap. 6. I-a o probi omogenl realizatil dintr-un material semiconductorpur s-a mdsurat rezistenfa ?n doud
condi,tiide temperaturi:
e) 0r :25oC, Rr: 565O;
0 0r:100oC,&:36O.
Si se indice din ce material estrerealizatii proba.

L2