Senzori fotoelectrici 1

5 SENZORI FOTOELECTRICI

3.9. Senzori fotorezistivi

1. Principiul de funcţionare
Principiul fizic ce stă la baza funcţionării senzorului fotorezistiv este fotoconducţia, care
reprezintă un efect fotoelectric intern: sub influenţa radiaţiei luminoase, în materialul sensibil are
loc generarea de sarcini electrice şi, deci, creşterea corespunzătoare a conductivităţii electrice.
Pentru a analiza acest fenomen, se consideră un model simplificat al senzorului (fig. 1),
constituit dintr-o plăcuţă de material semiconductor dopat cu atomi donori de densitate Nd, având
energie inferioară celei caracteristici benzii de conducţie (Wd). La întuneric şi la temperatură
ambiantă valoarea pragului Wd este destul de ridicată astfel încât densitatea n0 a donorilor
ionizaţi prin activare termică să fie slabă.

Radiaţie luminoasă
U
Ip

L
Figura 1. Schema de principiu a unei celule fotoconductoare

In aceste condiţii, densitatea de electroni eliberaţi în fiecare secundă prin activare termică
este proporţională cu densitatea celor care nu sunt ionizaţi, adică a·(Nd-n0), unde a reprezintă
importanţa activării termice. Numărul electronilor care se recombină în fiecare secundă cu atomi
ionizaţi este proporţional cu densitatea atomilor ionizaţi (n0) şi cu densitatea de electroni
echivalentă (rn02, unde r este coeficientul de recombinare). Ecuaţia cineticii de generare –
recombinare este de forma:
dn0 2
 a  ( N d  n0 )  r  n0
dt
La echilibru:
1
dn0 a  a 2 aN d  2
 0  n0     2  
dt 2r  4r r 
Expresia conductivităţii la întuneric este:
 0  q    n0 ,
unde μ – mobilitatea electronului; q – valoarea absolută a sarcinii sale.
Senzori fotoelectrici 2

La creşterea temperaturii, mobilitatea purtătorilor se reduce, dar densitatea n0 creşte ca

urmare a activării termice şi influenţa sa este, în general, preponderentă asupra conductivităţii.

hν hν
Banda de
conducţie - - - - - -
Wd
+ + + + + +

Figura 2 Transferul electronic în semiconductor sub acţiunea radiaţiei luminoase

La iluminarea semiconductorului, fotonii de energie hν≥Wd ionizează donorii, generând g

electroni pe secundă şi pe unitatea de volum, care se adaugă la cei eliberaţi prin excitare termică
(fig. 2):
G 1  (1  R )
g    ,
V SL h 
unde V=S∙L (S, L – suprafaţa, respectiv lăţimea plăcuţei semiconductoare); G – numărul de
sarcini eliberate pe secundă.
In acest caz, ecuaţia cineticii de generare – recombinare devine:
dn
 a  ( N d  n)  g  r  n 2
dt
Radiaţia luminoasă incidentă este, în general, suficient de importantă astfel încât numărul de
electroni pe care îi generează să fie mult superior numărului de electroni proveniţi din activarea
termică:
g  a  ( N d  n) şi n  n0
In aceste condiţii, densitatea de electroni la echilibru sub acţiunea radiaţiei luminoase
este:
1
g 2
n 
r
Conductivitatea electrică a materialului devine:
  q n
Ţinând cont de expresia lui g, se constată că valoarea conductivităţii este funcţie neliniară de
fluxul luminos. Conform modelului simplificat analizat, ea depinde de Φ1/2, însă, aşa cum rezultă
din verificările experimentale, exponentul lui Φ este în general cuprins între 0.5 şi 1.
Numărul de electroni care se recombină în fiecare secundă în unitatea de volum este
proporţional cu densitatea de electroni prezenţi (n) şi invers proporţional cu durata lor de viaţă
(τn). La echilibru, numărul de electroni care se recombină în fiecare secundă, n/τn pe unitate de
Senzori fotoelectrici 3

volum, este egal cu numărul de electroni generaţi de către radiaţia luminoasă pe unitatea de
volum (g):
n  g  n
Valoarea rezistenţei electrice a plăcuţei fotoconductoare este:
1 L 1 L
R   
 S q n S
Sub acţiunea unei diferenţe de potenţial U, placa este parcursă de un curent:
S
I p  q    n  U
L
Se definesc următorii parametri:
- câmpul electric al plăcii: E  U / L ;
- viteza medie a electronilor în sensul câmpului: v    E ;
- timpul de tranzit al electronilor în placă:  tr  L / v .
In aceste condiţii, expresia curentului fotoelectric se poate scrie:
n
Ip  q G  q  F G ,
 tr
 n  n   U
unde F   se numeşte factor de amplificare.
 tr L2
Se observă că valoarea curentului Ip rezultant este cu atât mai mare cu cât: durata de viaţă τn a
electronilor liber este mai lungă; diferenţa de potenţial aplicată celulei este mai mare; lăţimea
stratului fotoconductor (L) este mai mică. Această ultimă condiţie explică structura în formă de
“pieptene” uzual folosită la senzorii fotorezistivi, care permite obţinerea unei suprafeţe mari
supuse radiaţiei luminoase, menţinând o lăţime redusă a stratului sensibil.

2. Tipuri constructive. Caracteristici

La realizarea senzorilor fotorezistivi se utilizează materiale semiconductoare omogene
policristaline (CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, PbTe, etc.) sau monocristaline, intrinseci (pure) sau
extrinseci (Ge şi Si pur sau dopat cu Au, Cu, Sb, Zn; SbIn, AsIn, CdHgTe). Domeniile spectrale
de utilizare a celulelor sunt specifice materialelor semiconductoare folosite.
In figura 3 sunt prezentate două tipuri constructive de senzori fotorezistivi.
La întuneric, valoarea rezistenţei electrice a senzorului (Rc0) depinde de forma
geometrică, de dimensiunile, de temperatura şi de natura fizico-chimică a stratului fotoconductor.
Ea poate fi foarte ridicată (104 ÷ 109Ω la 25˚C), pentru materiale semiconductoare ca PbS, CdS,
CdSe sau relativ mică (10 ÷ 103Ω la 25˚C) pentru SbIn, SbAs, CdHgTe. In prezenţa radiaţiei
luminoase rezistenţa celulei (Rc) scade foarte rapid (figura 3.70). In aceste condiţii, dependenţa
rezistenţei Rc de fluxul luminos are expresia:
Rc  a     ,
Senzori fotoelectrici 4

unde a – factor dependent de material, temperatură şi de spectrul radiaţiei incidente; γ –

constantă cu valori cuprinse, în general, între 0.5 şi 1.
Se observă că variaţia rezistenţei în funcţie de fluxul incident nu este liniară; ea poate fi,
însă, liniarizată într-un domeniu limitat al fluxului luminos cu ajutorul unei rezistenţe fixe
conectată în paralel cu senzorul fotorezistiv.

material
fotoconductor
câmp vizual fereastră

electrozi

Figura 3 Tipuri constructive de senzori fotorezistivi

Rc [Ω]
108
107
106

105
104
103
102
0.01 0.1 1 10 100 1000 Iluminare
[lux]

Figura 4 Exemplu de caracteristică rezistenţă – iluminare la un senzor fotorezistiv

Puterea maximă disipată pe suprafaţa fotosensibilă este de ordinul a câţiva mW pe mm 2.

Variaţia puterii disipate (Pd) în funcţie de rezistenţa senzorului (Rc) depinde de modul de
alimentare:
- la tensiune constantă U: Pd  U 2 / Rc
- la curent constant I: Pd  Rc  I 2
- montaj potenţiometric, în care ansamblul senzor - rezistenţă suplimentară în serie (Rs) este
alimentat de la o sursă de tensiune E :
Rc E 2
Pd 
( Rc  Rs ) 2
Senzori fotoelectrici 5

Puterea disipată maximă este limitată de încălzirea elementului sensibil; dacă este posibil,
se poate utiliza un radiator care permite reducerea temperaturii senzorului şi, astfel, împiedică
degradarea performanţelor.
Pentru a determina sensibilitatea senzorului fotorezistiv, se defineşte raportul de transfer
static pentru un flux de radiaţie a cărui repartiţie spectrală este specificată:
I U
    1 ,
 a
unde I=I0+Ip – curentul care străbate celula alimentată la tensiunea constantă U; I0 – curentul de
întuneric; Ip – curentul datorat efectului fotoconductor sub acţiunea fluxului Φ. Întrucât
U U
I 0  I p  I  I p     .
Rc a
Ca urmare, sensibilitatea este dată de relaţia:
I U
S       1
 a
Din aceste relaţii, se poate observa că funcţionarea senzorului fotorezistiv este neliniară,
sensibilitatea scăzând odată cu creşterea fluxului, cu excepţia cazului particular în care γ=1. O
funcţionare cvasi-liniară se poate obţine în cazul unor semnale mici, atunci când informaţia este
asociată unor variaţii slabe de flux în jurul unei valori constante ridicate.
In cazul unui flux de radiaţie monocromatică, curentul Ip este funcţie de lungimea de
undă λ. Sensibilitatea spectrală S(λ)=ΔI/ΔΦ(λ) este în general specificată în valori relative prin
curba de răspuns spectrală. Dacă radiaţia nu este monocromatică, curentul Ip şi, deci,
sensibilitatea totală depind de repartiţia spectrală a fluxului faţă de curba de răspuns spectrală a
celulei.
Timpul de răspuns al senzorului fotorezistiv reprezintă timpul necesar pentru ca variaţia
rezistenţei electrice determinată de un flux luminos să atingă un procent specific (de exemplu,
63%) din variaţia totală. Legea de variaţie a rezistenţei în funcţie de timp nu este, în general,
exponenţială şi timpul de răspuns la stabilirea fluxului este de obicei mai mic decât la
întreruperea sa. Timpul de răspuns al senzorului este determinat de fenomenele fizice care
stabilesc durata de viaţă a sarcinilor libere şi este în general de acelaşi ordin de mărime ca şi
aceasta; factorul F fiind proporţional cu durata de viaţă a purtătorilor, rezultă că o sensibilitate
ridicată este contradictorie cu un timp de răspuns scurt. Valoarea timpului de răspuns depinde de
natura materialului fotorezistiv şi de modul de realizare a acestuia; de exemplu, pentru SbIn,
AsIn, CdHgTe timpul de răspuns este de ordinul 0.1μs; pentru PbS, PbSe, CdSe valoarea sa este
cuprinsă între 0.1 şi 100ms. De asemeni, timpul de răspuns este sensibil redus dacă senzorul este
supus la variaţii de flux ΔΦ în jurul unei valori medii Φ0 net superioare.
Senzorul fiind supus la variaţii periodice de flux, sensibilitatea sa este afectată atunci
când durata de iluminare sau de întuneric devine de acelaşi ordin de mărime sau chiar mai mică
decât timpul de răspuns la stabilirea, respectiv întreruperea fluxului luminos. In aceste condiţii,
curentul Ip nu mai atinge valoarea de echilibru a regimului static corespunzător; rezultă, astfel, o
Senzori fotoelectrici 6

reducere a sensibilităţii, caracterizată prin frecvenţa de tăiere pentru care valoarea lui S a scăzut
cu 3dB. Această frecvenţă de tăiere are, în general, valori de 10 2 – 105Hz.

3. Utilizări ale senzorilor fotorezistivi

Avantajul principal al senzorilor fotorezistivi constă în valorile ridicate ale raportului de
transfer static şi sensibilităţii, de unde rezultă simplitatea anumitor circuite de utilizare. Cele mai
importante inconveniente sunt:
- neliniaritatea răspunsului în funcţie de flux;
- timp de răspuns în general ridicat;
- instabilitatea (îmbătrânirea) caracteristicilor;
- sensibilitate termică.
Senzorii fotorezistivi sunt utilizaţi nu atât la măsurarea cu precizie a fluxului luminos, ci
mai ales la detectarea diferitelor nivele de flux. Este posibilă, de asemeni, utilizarea lor în
fotometrie, cu condiţia ca parametrii caracteristici să fie determinaţi cu precizie şi stabilizaţi.
Pentru măsurarea rezistenţei senzorului sau detecţia variaţiilor sale, se pot utiliza circuite
specifice senzorilor rezistivi: alimentare la curent constant, montaj potenţiometric, punte
Wheatstone, amplificator operaţional, oscilator RC.
O aplicaţie tipică a senzorilor fotorezistivi o reprezintă comanda unor dispozitive.
Receptarea unui flux luminos superior pragului prestabilit conduce la stabilirea unui curent I care
determină, direct sau prin amplificare, comutaţia unui dispozitiv cu două stări (deschiderea-
închiderea unui releu – figura 5, starea de blocare sau de conducţie a unui tiristor, etc.).
De asemeni, senzorii fotorezistivi sunt utilizaţi ca receptori de impulsuri optice, care sunt
convertite în semnale electrice cu ajutorul unor circuite de condiţionare de semnal. Un astfel de
sistem, în care senzorul fotorezistiv este periodic iluminat, poate fi utilizat în diverse aplicaţii,
cum ar fi: numărarea unor obiecte, măsurarea vitezei de rotaţie, etc. Frecvenţa maximă a
impulsurilor luminoase trebuie, însă, să fie inferioară frecvenţei de tăiere a senzorului.

+ +

a. b.

Figura 5 Utilizarea senzorului fotorezistiv la comanda unui releu

a. comandă directă; b. prin intermediul unui tranzistor amplificator