Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
MICRO ȘI NANOTEHNOLOGII
Contents
6.1. Anizotropia
a-celulă cristalină elementară; b-npduri ale unei rețele; c- direcții cristaline; d- direcții cristaline
echivalente; e- determinarea indicilor Miller; f- plane cristaline; g- plane cristaline echivalente
Figura 6.2 e, este un exemplu general de obținere a indicilor Miller; sau pentru sistemul
cubic – fig. 6.2 f, notarea planului care cuprinde fețele cubului – (100), a planului care cuprinde
diagonalele fețelor – (110) și a planului care cuprinde diagonal cubului – (111).
Planele echivalente se noteaza cu acolade { }. De exemplu, toate fețele celulei elementare
ale sistemului cubic formează planele echivalente {100} ( fig.6.2 g).
Profilele de corodare obținute prin eroziune chimică pot fi diferite în funcție de corelarea
anizotropiei substanței de atac cu anizotropia materialului de structurare. Fig.6.3 arată câteva din
formele astfel obținute și cele mai utilizate în practică.
Siliciul cristalizează in sistemul cubic și are structura diamantului. Celula sa elementară
este un octaedru limitat de familia de plane {111} și asa se explică unghiurile formate de pereții
înclinați ai cavităților cu planurile, după care sunt debitate plachetele în care se formează
cavitățile sau canalele.
Astfel, eroziunea chimică anizotropă formează pe suprafața unei plachete debitată după
planul (100), cavități cu conturul unui patrulater cu unghiuri drepte, ai cărui pereți laterali
formează cu planul (100), unghiuri de 57,74º. Lățimea 1 și adâncimea h ale unei cavități
piramidale sunt dependente una de cealaltă l/h=√ 2 .
Orientarea măștii în raport cu planele cristaline influențează atât forma cavității cât și
capacitatea de realizare a structurilor suspendate de tipul grindă sau micropunte rezonantă
(fig.6.3 g,h). De aceea, orientarea plachetei de siliciu prin teșire, în primele operații de prelucrare
mecanică, este cu atât mai importantă la obținerea structurilor micromecanice.
Orientarea sau eroarea de orientare a măștii pe direcția plachetei (100) va duce, oricum, la
apariția cavităților piramidale cu pereți înclinați (fig.6.5 a). Pe placheta (110) corodarea
anizotropă va duce la apariția unui contur paralelipipedic (fig.6.5 b).
Pentru obținerea structurilor suspendate, orientarea lor pe lungime trebuie să țină cont
încă din proiectare de evoluția corodării de-a lungul planelor cristaline (fig.6.6 a).
O posibilitate de a pune în evidență comportarea anizotropă a siliciului monocristalin este
oferită de corodarea unei sfere din siliciu monocristalin într-o soluție specificî: de exemplu
CsOH.
6.2. “Selectivitatea” procesului de corodare
Fig.6.7. Succesiunea etapelor de lucru pentru limitarea adancimii de corodare prin “strat de stopare”
În figura 6.8 d, se vede rezultatul unui proces cu: S M = 0; S MS=max ; 0<A<1; forma
structurii rezultate este posibilă la materialele cristaline, debitate după anumite plane de
cristalizare, care, cu cât sunt mai dense cu atât sunt mai greu de corodat.
Au fost folosite plachete din siliciu monocristalin crescut prin metoda Czochralski.
Masca în oxid a fost obținută prin corodare izotropă cu NH4OH:HF, 4:1, utilizând
protecție foto cu fotorezist negativ. Suprafața acoperită cu cavități piramidale nu a necesitat
mască.
La corodarea anizotropă a plachetelor din siliciu s-a folosit KOH.
Pentru reducerea reflexiei pe suprafețele nestructurate ale plachetelor, s-a aplicat în final
o corodare izotropa pentru matarea suprafeței și teșirea muchiilor.
Această tehnică are la bază depunerea și configurarea unor straturi subțiri sau groase al
căror profil în plan sau în spațiu prezintă negativul unor spații sau cavități necesare obținerii
micro sau nanostructurilor și care în finalul procesului tehnologic, dispar.
Materialele din care sunt confecționate straturile de sacrificiu pot fi:
- Materiale sublimabile ( camfor, naftalină, iod )
- Polimeri care ard sau se topesc la temperaturi nu mai mari de 150º C
- Substanțe care se dizolvă în diferiți solvenți
Substanțele mai frecvent folosite sunt: fotoreziștii și bioxidul de siliciu. Substanțele de
dizolvare trebuie: să fie capabile de a ataca preferențial straturile de sacrificiu respectând
porțiunile structurate, să aibă o vâscozitate adecvată și tensiuni superficiale cu valori
corespunzătoare îndepărtării eficiente a stratului de sacrificiu, să nu lase reziduuri.
Exemplul cel mai simplu, care poate fi și o ilustrare a tehnicii straturilor de sacrificiu,
este obținerea unei structuri rezonante, ceea ce unui specialist de formație mecanică îi sugerează
un arc lamelar preformat simplu sau încastrat la ambele capete ( fig.7.2 ).
Se pot distinge două variante constructive:
- Structuri suprapuse
- Structuri planare
Un alt exemplu de aplicare a tehnicii straturilor de sacrificiu îl poate oferi realizarea unor
cavități închise de diferite forme și dimensiuni.
Pentru obținerea unui senzor capacitiv de presiune cu membrană metalică (fig.7.3) și
dimensiunile aproximative prezentate în figură, se propune soluția tehnologică simplificat
prezentată în continuare: după structurarea parțial a senzorului prin procedee caracteristice
straturilor subțiri (fig.7.3 a), aplicarea membranei metalice nu se poate face decât asigurându-i un
suport în timpul depunerii; de aceea cavitatea se va umple cu o soluție de polimetilstirol în
metilcellosolveacetat, nivelată la înălțimea distanțierului (fig.7.3 b); pe partea opusă senzorului,
prin eroziune chimică selectivă sau prin eroziune cu laser, se deschide un orificiu care are atât rol
funcțional cât și tehnologic (fig.7.3 c); se depune membrana metalică (fig.7.3 d); încălzind la
aproximativ 150ºC materialul plastic – suport de sacrificiu – este eliminat prin orificiul anterior
prelucrat (fig.7.3 e).
Pentru obținerea unor cavități tridimensionale de formă complexă și precizie scazută se
poate realiza forma negativului cavității printr-o succesiune de straturi groase felurit configurate
în plan și aplicate prin serigrafiere (fig7.4).
În figura 7.5 se prezintă procesul tehnologic simplificat al unui senzor de presiune
confecționat pe siliciu și care funcționează pe baza efectului piezorezistiv. În tehnologia de
realizare se observă că sunt configurate în paralel două plachete de siliciu 1 și 9: placheta 1
reprezintă suportul senzorului, iar placheta 9 contribuie la formarea membranei piezorezistive 7
și reprezintă materialul de sacrificiu.
Subansamblul din fig.7.12 poate fi utlizat în orice structură care necesită mișcare de
rotație pe un maxim de 180º.
În succesiunea etapelor de lucru (fig.7.13) se remarcă două operații de depunere a
materialului de structurare – poli-Si, două operații de depunere a straturilor de sacrificiu, și trei
măști pentru structurarea diferitelor straturi.
După prelucrarea mecanică a substratului de siliciu monocristalin ( fig.7.13 a), se
depunde o succesiune de straturi: pentru pasivarea substratului, un strat de sacrificiu (PSG)
pentru eliberarea structurii de substrat, apoi un strat din poli-Si nedopat din care se va obține
ulterior partea mobilă, urmat de un nou strat PSG dopat; toate depunerile se fac prin procedeul
LPCVD. O recoacere de o ora la 950º C, în mediu de N2, asigură eliberarea tensiunilor interne
(fig.7.13 b), configurarea din fig.7.13 c fiind utilizată de către o mască.
O nouă depunere a straturilor de sacrificiu ( fig.7.14 d ) va crea spațiul necesar
desprinderii părții mobile de partea fixă.
O nouă configurare (fig.7.13 e) a celor două straturi de sacrificiu face legătura dintre
viitoarea parte fixă a microbalamalei și substratul de siliciu monocristalin. Se folosește o nouă
mască iar corodarea se face prin procedeul RIE.
Depunerea LPCVD a poli-Si (fig.7.13 f) va forma partea fixă a subansamblului, în urma
configurării acestui strat prin masca de oxid modelată cu M3 (fig.7.13 g).
Straturile de sacrificiu sunt îndepartate cu HF concentrat 49% (fig.7.13 h).
8. Procedeul LIGA
Stratul gros de PMMA depus și developat poate constitui el însuși o microstructură din
polimer. Pentru obținerea microstructurilor metalice este necesară depunerea galvanică, folosind
ca electrod suportul mecanic al măștii; dar, depunerea galvanică este necesară și la obținerea
unor forme metalice rigide pentru injectarea în serie a microstructurilor din polimeri – în acest
caz placa metalică a instalației de injectat fiind utilizată ca electrod.
Dificultățile ridicate de microgalvanizare sunt urmatoarele:
- Aderența insuficientă care ar putea duce la desprinderea microstructurilor;
- Depunerile metalice de la baza structurii de PMMA;
- Tensiunile interne din interiorul stratului depus galvanic duc la deformarea
microstructurii;
- Lipsa de uniformitate a stratului depus poate fi evitată sau numai redusă prin aplicarea
unor măști profilate de corecție din material dielectric și prin introducerea în compoziția
băii de depunere a unui agent de planarizare;
- Raportul foarte mare între înălțimea și lățimea microstructurii, face ca depunerile
metalice în canalele foarte înguste să nu fie uniforme;
- Degajarea hidrogenului în timpul depunerii favorizează formarea structurilor poroase sau
chiar structuri incomplete.
Impuritățile organice sunt eliminate adăugând cărbune activ.
Metalul din care se realizează cel mai adesea microstructurile prin procedeul LIGA este
nichelul.
Microstructura metalică astfel obținută poate fi utilizată ca atare sau poate constitui forma
în care va fi injectat sau preset polimerul unor viitoare microstructuri dintr-un asemenea material.
La realizarea formei de presare sau injectare cu rigiditate sporită, se va proceda așa cum rezultă
din fig.8.6.
Pe o placă de bază, care ulterior va fi sacrificată, este realizată microstructura din rezist
prin litografie adâncă cu radiație X sincrotronică (fig.8.6 a). Utilizând placa de bază drept
electrod se obține negativul metalic din nichel al microstructurii din rezist (fig.8.6 b). Depunerea
continuă pentru a forma o placă metalică groasă ( aprox. 5mm) menită să rigidizeze
microstructurile metalice. Prelucrarea mecanică finală trebuie să micșoreze abaterile de planitate
ale plăcii de rigidizare ( fig.8.6 c ).