Capitolul 1.

INTRODUCERE IN ELECTRONICA DE PUTERE

1.1. OBIECTUL DE STUDIU AL ELECTRONICII DE PUTERE
1.2. SINTEZA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
1.2.1. Prezentarea principalelor dispozitive semiconductoare de putere (DSP)
1.2.2. Clasificari ale DSP
1.2.3. Ilustrari ale functionarii DSP la alimentarea in c.c. si c.a. pe sarcina rezistiva R
1.2.3.1. Functionarea diodei de putere Shockley
1.2.3.2. Functionarea tiristorului conventional
1.2.3.3. Functionarea tiristoarelor GTO si MCT
1.2.3.4. Functionarea triacului
1.2.3.5. Functionarea tranzistoarelor TBP, VMOS si IGBT

CURS NR.1 (11 pagini)

Capitolul 1. INTRODUCERE IN ELECTRONICA DE PUTERE

1.1. OBIECTUL DE STUDIU AL ELECTRONICII DE PUTERE

In urma cu cateva decenii termenii de electronica aplicata (EA, definit ca obiect de studiu in
anul 1972), electronica industriala (EI, definit ca obiect de studiu in anul 1982) si electronica de
putere (EP, definit ca obiect de studiu in anul 1986) se confundau deoarece numarul de aplicatii ale
electronicii in industrie era restrans, iar termenul de informatica industriala (II, definit ca obiect de
studiu abia in anul 2005) inca nu se inventase. In prezent, relatia intre termenii de mai sus este cea de
incluziune ilustrata in fig.1.1, anume EA include EI, care la randul ei include EP, fiind in prezent in
legatura stransa cu II datorita evolutiei tehnicii de calcul.

Fig.1.1. Relatia actuala intre domeniile EP, EI, EA si II

Definirea obiectelor de studiu ale EA, EI, EP si II se face in permanenta concordanta cu evolutia
stiintei si tehnicii actuale, reprezentand apanajul organizatiei tehnice mondiale IEEE ( Institute of
Electrical and Electronics Engineers - în româneste, „Institutul Inginerilor Electrotehnisti si Electronisti” - cea mai mare
organizatie de tehnicieni profesionisti din lume, numărând peste 365.000 de membri în peste 150 de tari, fiind de tip non-
profit de mare renume, care sprijină evolutia tehnologiilor bazate pe electricitate), anume:
 EA cuprinde aplicatiile electrice si electronice in economie, incluzand urmatoarele ramuri:
agricultura, medicina, tehnologii industriale, transporturi, sisteme utilitare, echipamente
militare, aeronautica, bunuri electrocasnice, etc. Evident, aceste aplicatii includ EI, care la
randul ei include convertoarele electronice de putere, deci implicit EP.
Revista IEEE Transactions On Industry Applications (1972-prezent):
“Aims&Scope: The scope of the IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS
includes all scope items of the IEEE Industry Applications Society, that is, the
advancement of the theory and practice of electrical and electronic

C1-1
engineering in the development, design, manufacture, and application of
electrical systems, apparatus, devices, and controls to the processes and
equipment of industry and commerce; the promotion of safe, reliable, and
economic installations; industry leadership in energy conservation and
environmental, health, and safety issues; the creation of voluntary engineering
standards and recommended practices; and the professional development of its
membership.”
 EI se ocupa de unele aplicatii ale electronicii in industrie, concentrandu-se in special asupra
sistemelor inteligente de control comandate cu calculatorul, robotilor, comunicatiilor
industriale, automatizarilor, achizitiilor si prelucrarilor de date, incluzand si electronica de
putere (EP);
Revista IEEE Transactions on Industrial Electronics (1982-prezent):
Aims&Scope: IEEE Transactions on Industrial Electronics is published monthly. Its
scope encompasses the applications of electronics, controls and
communications, instrumentation and computational intelligence for the
enhancement of industrial and manufacturing systems and processes.
Included are power electronics and drive control techniques, system control and
signal processing, fault detection and diagnosis, power systems, instrumentation,
measurement and testing, modeling and simulation, motion control, robotics, sensors
and actuators, implementation of neural nets, fuzzy logic, and artificial intelligence in
industrial systems, factory automation, communication, and computer networks.
 EP este acea parte a electronicii industriale care asigura adaptarea formei, parametrilor si
nivelului energiei electrice furnizate de o sursa de alimentare la necesitatile de tensiune si curent
(deci de putere) ale sarcinii. Ea se ocupa cu studiul dispozitivele semiconductoare de putere
(DSP), al circuitelor electronice ce contin DSP numite convertoare electronice de putere si al
sistemelor electronice de putere construite cu acestea;
Revista IEEE Transactions on Power Electronics (1986-prezent):
“Aims&Scope: The Journal covers all issues of widespread or generic interest to
engineers who work in the field of power electronics. The Journal editors will enforce
standards and a review policy equivalent to the IEEE Transactions, and only papers of
high technical quality will be accepted. Papers which treat new and novel
device, circuit or system issues which are of generic interest to power
electronics engineers are published. Papers which are not within the scope of
this Journal will be forwarded to the appropriate IEEE Journal or Transactions editors.
Examples of papers which would be more appropriately published in other Journals or
Transactions include: 1) Papers describing semiconductor or electron device physics.
These papers would be more appropriate for the IEEE Transactions on Electron
Devices. 2) Papers describing applications in specific areas: e.g., industry,
instrumentation, utility power systems, aerospace, industrial electronics, etc. These
papers would be more appropriate for the Transactions of the Society which is
concerned with these applications. 3) Papers describing magnetic materials and
magnetic device physics. These papers would be more appropriate for the IEEE
Transactions on Magnetics. 4) Papers on machine theory. These papers would be
more appropriate for the IEEE Transactions on Power Systems.  While original papers
of significant technical content will comprise the major portion of the Journal, tutorial
papers and papers of historical value are also reviewed for publication.”

 In anul 2005 IEEE a definit pentru prima oara termenul de informatica industriala (II) ca fiind
acea parte a automaticii ce se implementeaza in fabrici/firme pentru cresterea eficientei
C1-2
 proceselor industriale. De regula, II depaseste cadrul EP, EI si EA, completandu-l si
modernizandu-l prin introducerea calculatoarelor si a retelelor de calculatoare industriale, cu tot
software-ul complex pe care acestea il necesita.
Revista IEEE Transactions on Industrial Informatics (2005-prezent):
“Aims&Scope: Knowledge in the IST (Information Society Technologies) field
envisions a technology bifurcation in the field of intelligent automation systems
and real-time middle-ware technologies in the next 5-10 years. This technology
bifurcation extends networked embedded intelligence at the real-time production
control and re-scheduling levels further than is currently possible, allowing for a
completely new range of intelligent automation products and services. Such products
and services enables new paradigms of production and new concepts of product-
services and new intelligent production automation concepts, which are more agile,
flexible and integrated, based on agent-based technology. The scope of the
journal considers the industry’s transition towards more knowledge-based
production and systems organization and considers production from a more
holistic perspective, encompassing not only hardware and software, but
also people and the way in which they learn and share knowledge. Such a
framework accommodates ideas related to: radical shifts in industrial structures with
capabilities in networks and mastering; new hybrid technologies; development of new
processes and devices and flexible and intelligent manufacturing systems; tools for
the control of complex distributed production systems; realization of an ambient
intelligence landscape at industrial level. The journal focuses on the following main
topics: Flexible, collaborative factory automation, Distributed industrial
control and computing paradigms, Internet-based monitoring and control
systems, Real-time control software for industrial processes, Java and Jini in
industrial environments, Control of wireless sensors and actuators, Systems
interoperability and human machine interface.”

Odata stabiliti si delimitati termenii de EP, EI, EA si II in acceptiunea lor actuala, obiectul
prezentului curs de Electronica si Informatica Industriala (EII), care este o parte din EP ce include si
elemente de II, se va concentra exclusiv asupra DSP si a unora dintre tipurile de convertoare
electronice de putere construite cu acestea.

1.2. SINTEZA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE DE PUTERE (DSP)

1.2.1. Prezentarea principalelor DSP

DSP principale sunt prezentate în Tabelul 1.1 ca denumire, simbol, tipuri, caracteristici statice
de iesire, valori maxime de tensiune şi curent, frecvenţa maximă de lucru, timp de comutaţie, precum si
modalitatea de comanda a acestora din blocare in conductie (numita comutatie ON), respectiv din
conductie in blocare (numita comutatie OFF).
In prezent, DSP-urile cele mai utilizate in schemele de convertoare actuale sunt dioda,
tiristorul conventional, tranzistorul MOS de putere (VMOS) si tranzistorul IGBT. Pe piata actuala
există şi alte DSP-uri care nu figureaza in Tabelul 1.1 deoarece sunt mai rar utilizate sau in prezent nu
se mai fabrica dar inca se regasesc in unele scheme mai vechi de convertoare, cum ar fi tetroda,
tranzistorul unijoncţiune (TUJ), etc.
De asemenea, in Tabelul 1.1 nu sunt mentionate nici cele mai noi DSP-uri ce sunt inca in faza
de testare in aplicatii de foarte mare putere, cum ar fi diodele de putere si tranzistoarele VMOS
realizate din materialele SiC (carbura de siliciu) sau NaC (carbura de sodiu), a caror simpla utilizare

C1-3
in locul DSP clasice (de exemplu, utilizarea tranzistorului SiC-MOS in locul celui IGBT clasic) se pare
ca determina cresterea randamentului energetic al convertorului din care face parte.

Tabelul 1.1. Prezentarea principalelor dispozitive semiconductoare de putere

Valori Modalitate de comutatie
maxime Frecventa Timp de
Caracteristica
DSP Simbol Tipuri tensiune maxima de comuta- comutatia
curent-tensiune / tie comutatia OFF
lucru ON
curent
de uz 5000V/
1KHz 100μs uAK>0 uAK<0
general 5000A si/sau si/sau
dioda
pn+n- iA>0 iA≤0
Shockley 3000V/ 2…5
rapida
1000A
10KHz
μs (polarizar (polarizare
Dioda e directa) inversa)

dioda pnpn 40V/

Schottky 60A
20KHz 0,23 μs uAK>US IA<IH

uE1E2>0
(E1→E2)
Diacul -
350V/
1KHz 100μs sau i=0
250A
uE1E2<0
(E2→E1)
cu blocare inversă 5000V/ cu impuls
1KHz 200 μs
(conven-ţionale) 5000A
Tiristor iG>0
cu conducţie 2500V/
conventional inversă 1000A
5KHz 40 μs atunci uAK<0
(Thyristor, cand si/sau
Sillicon uAK>0 iA≤0
Controlled 1200V/
rapide 10KHz 20 μs (polarizar (ca la dioda)
Rectifier SCR) 1500A
e directa)

cu impuls
iG<0,
chiar cand
Idem uAK>0
Tiristorul GTO
4500V/ tiristor (polarizare
(Gate Turn-off 10KHz 15 μs
3000A conventio directa), sau
Thyristor)
nal uGK<0
(polarizare
inversa)
P-MCT
Tiristorul (G e in paralel
MCT numai cu simbolul
A)
600V/ uGK>0 uGK<0
(MOS 20KHz 2,2 μs
60A
Controlled N-MCT
Thyristor) (simbolul G e in
paralel numai cu K)
cu impuls iG=0
iG>0 si
si uE1E2=0
200...
1200V/ uE1E2>0 (in originea
Triacul - 400KHz ...400
300A (E1→E2) axelor)
μs
sau sau
uE1E2<0 in cadranele II
(E2→E1) si IV
400V/
Tranzistorul uzuale 20KHz 9 μs
250A
bipolar cu
jonctiuni de
in configuraţie
1200V/
iB>0 iB≤0
Darligton (dubla 10KHz 30 μs
putere 400A
sau tripla)

C1-4
 Tranzistorul
IGBT
1200V/
(Insulated -
400A
20KHz 2,3 μs uGE>VGE-P uGE<VGE-P
Gate Bipolar
Transistor)

Tranzistorul
500V/
MOS de putere -
50A
100KHz 0,6 μs UGS>VGS-P UGS<VGS-P
(VMOS)

In fig.1.2 sunt prezentate schemele echivalente functional a unor DSP compuse din DSP simple,
realizate fie in tehnologie bipolara (diacul si triacul) fie in tehnologie hibrida bipolara-unipolara MOS
(IGBT si MCT). Se observa ca schema echivalenta a diacului este formata din doua diode conectate in
antiparalel, a triacului din doua tiristoare conectate in antiparalel avand comun electrodul grila G, a
tranzistorului bipolar cu poarta izolata (prescurtat, IGBT) dintr-un tranzistor MOS conectat in paralel
cu un tranzistor bipolar si a tiristorului controlat prin poarta (prescurtat, MCT) dintr-un tranzistor MOS
conectat in paralel cu un tiristor conventional. Rolul tehnologiei hibride este de a combina avantajele
tehnologiilor MOS (comanda prin poarta nu consuma putere) si bipolara (puterea medie pentru IGBT si
mare pentru MCT la iesirea dispozitivului).

a) schema electrica echivalenta a diacului b) schema electrica echivalenta a triacului

C A
A
C D
D

G G
G
G
u GE u GK S
E
S K K
E

c) schema electrica echivalenta a tranzistorului IGBT d) schema electrica echivalenta a tiristorului MCT
Fig.1.2. Scheme electrice echivalente functionale ale unor DSP compuse

1.2.2. Clasificari ale dispozitivelor semiconductoare de putere (DSP)

DSP se pot clasifica dupa mai multe criterii:
a) dupa existenta sau nu a dispozitivului semiconductor omolog de mica putere, exista:
 DSP care au omolog in electronica de mica putere (ex: dioda, tranzistorul TBJ,
tranzistorul MOS);
 DSP care nu au omolog in electronica de mica putere (toate DSP ramase nementionate
imediat anterior: diacul, tiristorul conventional, tiristoarele GTO si MCT, triacul,
tranzistorul IGBT, tranzistorul unijonctiune TUJ etc).
Exista deosebiri majore intre DSP si dispozitivele semiconductoare de mica putere:
- dispozitivele de mica putere functioneaza in regim liniar (regim activ normal, specific
amplificatoarelor), in timp ce DSP functioneaza in marea majoritate a aplicatilor in regim de
comutatie, adica in cadrul unei perioade de comutatie T=Tc+Tb ele sunt in conductie/saturate un
interval de timp (numit timp de conductie, Tc), respectiv sunt blocate un alt interval de timp
(numit timp de blocare, Tb). Se numeste frecventa de comutatie f=1/T inversul perioadei de
comutatie T. De aceea, un DSP ideal este reprezentat in schemele electrice echivalente printr-un
comutator ideal aflat intr-una din urmatoarele patru situatii posibile (daca se tine cont si de
starile de tranzitie ON si OFF):
C1-5
 o comutator deschis, atunci cand DSP e blocat (fig.1.2bis.a);
o comutator inchis, atunci cand DSP conduce/ e saturat (fig.1.2bis.b);
o comutator in comutatie (tranzitie) ON, atunci cand DSP comuta din blocare in
conductie/saturatie (fig.1.2bis.c);
o comutator in comutatie (tranzitie) OFF, atunci cand DSP comuta din conductie/saturatie
in blocare (fig.1.2bis.d).

Fig.1.2bis. Ilustrarea starilor posibile ale unui DSP ideal

In regim de comutatie DSP consuma mult mai putina putere decat in regimul liniar, motiv
pentru care randamentul circuitelor realizate cu DSP (convertoarelor) este mult mai mare decat
al circuitelor realizate cu dispozitive semiconductoare de mica putere.
- dispozitivele de mica putere functioneaza la curenti de ordinul unitatilor de amperi si tensiuni
de ordinul zecilor de volti, in timp ce DSP ating ordine de zeci, sute sau mii de amperi si volti
(vezi Tabelul 1.1 anterior). Pentru a se putea realiza practic acest deziderat tehnologia de
fabricatie a DSP difera de cea a dispozitivelor de mica putere in sensul ca:
o DSP sunt realizate in adancimea materialului semiconductor si nu pe suprafata acestuia;
o DSP sunt realizate in general ca dispozitive multijonctiune (ex: dioda de putere de uz
general Schokley are 3 straturi semiconductoare pn+n- fata de cele doua straturi pn la
dioda de mica putere, al treilea strat n + suplimentar fiind numit regiune de drift, care este
mult mai putin dopat cu impuritati (1014 atomi/cm3 fata de straturile normale care au 1019
atomi/cm3) pentru ca DSP sa poata sustine tensiunile inverse de valori mari in timpul
blocarii.
b) după posibilitatea de control în conducţie/blocare există:
 dispozitive necontrolabile (dioda de putere şi diacul), deoarece nu au electrod de
comandă. De exemplu, dioda intră în conducţie când este polarizata direct de catre
circuitul de putere în care este montata, respectiv intră în blocare când este polarizata
invers;
 dispozitive controlabile unilateral (tiristorul conventional si triacul). De exemplu,
tiristorul conventional intră în:
- conducţie prin impuls pozitiv (dreptunghiular sau exponential) aplicat electrodului de
comandă (grila G) şi polarizare directa (uAK>0);
- blocare:
 fie în curent (atunci când curentul prin dispozitiv se anulează, proces numit
comutatie naturala in blocare);
 fie în tensiune (prin aplicarea unei tensiuni de polarizare inverse pe electrozi
uAK<0, ce trebuie menţinută pe un interval de timp numit timp de polarizare
inversa t i  t q , unde tq se numeşte timp de dezamorsare şi este dat în catalog).
Blocarea in tensiune prin polarizare inversa se numeste comutatie fortata si
necesita un circuit auxiliar suplimentar numit circuit de stingere a DSP.
Facem observatia ca in industrie comutatia ON a unui tiristor se mai numeşte amorsare
sau aprindere, iar comutatia OFF se mai numeşte dezamorsare sau stingere.

C1-6
  dispozitive controlabile bilateral, numite si COMUTATOARE STATICE (tiristoarele
GTO si MCT, tranzistoarele TBP, VMOS, IGBT), adică şi în conducţie şi în blocare,
prin semnal aplicat pe electrodul de comandă. Astfel, tiristorul GTO daca este polarizat
direct (uAK>0) si i se aplica un impuls pozitiv pe poartă amorsează (intră în conducţie),
respectiv daca i se aplica un impuls negativ pe poartă se stinge (intră în blocare), ca şi
tiristorul MCT cu control de poarta. De asemenea, tranzistorul bipolar de putere TBP la
aplicarea unui curent mare iB>0 intră în saturaţie şi daca curentul iB≤0 se blochează.
Tranzistorul MOS de putere la tensiune uGS>0 comută în conducţie şi la tensiune uGS<0
comută în blocare. Tranzistorul IGBT cu poartă izolată la tensiune uGE>0 comută în
conducţie şi la tensiune uGE<0 comută în blocare).
c) după sensul de conducţie al curentului ce le traversează, există:
 dispozitive unidirecţionale, ce conduc curentul electric într-un singur sens. Din aceasta
categorie fac parte majoritatea DSP (dioda de putere, tiristoarele convenţionale, GTO şi
MCT, tranzistoarele TBP, MOS şi IGBT);
 dispozitive bidirecţionale, ce pot conduce curentul electric în ambele sensuri, în funcţie
de polarizarea aplicată pe electrozii notati E1 şi E2. Din aceasta categorie fac parte
numai diacul şi triacul.
d) după durata comenzii aplicate există:
 dispozitive cu comandă în impulsuri (tiristorul convenţional, GTO şi MCT, triacul);
 dispozitive cu comandă menţinută (tranzistoarele TBP, VMOS, IGBT).
e) după natura comenzii aplicate, exista ca si in cazul dispozitivelor de mica putere:
 DSP cu comandă electrică;
 DSP cu comandă optică (fotodioda, fototiristorul, fototranzistorul), care sunt amorsate
prin bombardarea unei ferestre practicate in dreptul electrodului de comandă cu un flux
luminos de o anumită frecvenţă şi intensitate, la polarizarea directa a respectivului
dispozitiv.
Aceste clasificari sunt sintetizate pentru fiecare DSP din Tabelul 1.1 in Tabelul 1.2 de mai jos.

Tabelul 1.2. Criterii de clasificare a dispozitivelor semiconductoare de putere

Clasificarea Clasificare
Clasificarea după Clasificare după
Dispozitivul după sensul de după durate
controlabilitatea în natura comenzii
semiconductor de putere conducţie a comenzii
conducţie/blocare aplicate
curentului aplicate
Sens _ _
Diodă necontrolabil
unidirecţional
Sens _ _
Diacul necontrolabil
bidirectional
Tiristor (SCR) Controlabil Sens Comandă electrică Comandă în
SCR=Silicon Controlled Rectifier unilateral unidirecţional pe grila (G) impulsuri
Fototiristor (LASCR) Controlabil Sens Comandă optica pe Comandă în
LASCR=Light Activated SCR unilateral unidirecţional grila (G) impulsuri
Tiristor cu blocare pe Controlabil Sens Comandă electrică Comandă în
poartă (GTO) bilateral unidirecţional pe grila (G) impulsuri
Tiristor cu poartă MOS Controlabil Sens Comandă electrică Comandă în
(MCT) unilateral unidirecţional pe grila (G) impulsuri
Triac Controlabil Sens Comandă electrică Comandă în
unilateral bidirecţional pe grila (G) impulsuri
Tranzistor bipolar cu Controlabil Sens Comandă electrică Comandă

C1-7
joncţiuni (TBJ) bilateral unidirecţional pe baza (B) menţinută
Tranzistor bipolar cu Controlabil Sens Comandă electrică Comandă
poartă izolată (IGBT) bilateral unidirecţional pe grila (G) menţinută
Tranzistor cu efect de Controlabil Sens Comandă electrică Comandă
câmp – MOS bilateral unidirecţional pe grila (G) menţinută

1.2.3. Ilustrari ale functionarii DSP la alimentarea in c.c. si c.a. pe sarcina rezistiva R
In continuare se va ilustra prin exemple functionarea principalelor DSP prezentate in Tabelul
1.1.
1.2.3.1. Functionarea diodei de putere Schockley la alimentarea in c.c., respectiv in c.a.
In fig.1.3 este prezentata functionarea diodei de putere Schockley la alimentarea in c.a. Ea
functioneaza ca si dioda de mica putere anume, fiind un DSP necontrolabil prin electrod de comanda
nici in conductie nici in blocare, comanda ei este asigurata prin circuitul in care este plasata (fig.1.3.a):
atunci cand este polarizata direct (uAK>0) de alternanta pozitiva a tensiunii de alimentare ui de c.a. dioda
conduce (echivalent ideal cu comutator inchis, fig.1.2bis.b) si lasa sa treaca aceasta alternanta ce se
regaseste si pe sarcina rezistiva R, in timp ce atunci cand este polarizata invers (u AK<0) de alternanta
negativa a tensiunii de alimentare ui de c.a. dioda se blocheaza (echivalent ideal cu comutator deschis,
fig.1.2bis.a), curentul prin sarcina devine id=0, deci uR=R·id =0 (fig.1.3.b).

a) schema electrica utilizata b) formele de unda specifice

Fig.1.3. Functionarea diodei de putere la alimentarea cu c.a.

1.2.3.2. Functionarea tiristorului conventional la alimentarea in c.c., respectiv in c.a.

In fig.1.4 este prezentata functionarea tiristorului conventional la alimentarea in c.c. Tiristorul
intra in conductie daca este polarizat direct (ca si dioda la carui simbol il preia partial, trebuie ca u AK
>0) si primeste un impuls pozitiv de poarta (iG>0). Fiind un DSP controlabil numai in conductie, odata
amorsat, poarta G pierde controlul asupra tiristorului care nu se mai poate bloca decat daca se
completeaza schema cu un circuit auxiliar de stingere a tiristorului. In concluzie, un tiristor poate fi
privit simplist ca o dioda controlabila numai in conductie.

C1-8
a) schema electrica utilizata la alimentarea in c.c.
b) formele de unda specifice schemei a)
Fig.1.4. Functionarea tiristorului conventional la alimentarea cu c.c.

In fig.1.5b este prezentata functionarea tiristorului conventional la alimentarea in c.a. Ca si la

alimentarea cu c.c., tiristorul polarizat direct (uAK>0) de alternanta pozitiva a sursei ui de tensiune
alternativa sinusoidala incepe sa conduca la aplicarea primului impuls pozitiv pe grila (i G>0), restul de
impulsuri nemaiavand nicio influenta. Blocarea tiristorului se face ca la dioda, adica atunci cand
curentul prin el se anuleaza (iR=0) si/sau apare polarizarea inversa (uAK<0), lucru ce are loc pe durata
alternantei negative a tensiunii de alimentare de c.a. Impulsurile negative pe poarta (iG<0) nu au efect
asupra acestui DSP.

b) forme de unda specifice c) definirea unghiurilor

a) schema electrica utilizata la schemei a) pentru comanda specifice tiristorului pentru
alimentarea in c.a. aleatorie comanda periodica corecta
Fig.1.5. Functionarea tiristorului conventional si a tiristorului MCT la alimentarea cu c.a.

In fig.1.5c sunt marcate unghiurile specifice tiristorului conventional:

 α – unghiul de amorsare al tiristorului, care este unghiul de intrare in conductie a tiristorului
masurat de la trecerea prin zero a alternantei pozitive a tensiunii de alimentare pana la aplicarea
impulsului de comanda pe poarta;
 β – unghuli de stingere al tiristorului, care este unghiul de iesire din conductie a tiristoului,
masurat de la trecerea prin zero a alternantei pozitive a tensiunii de alimentare pana la anularea
curentului prin tiristor (pentru sarcina rezistiva anularea curentului coincide cu anularea
tensiunii de alimentare deoarece i R  u R / R  u i / R  0 / R  0 );
 θ=β-α – unghiul de conductie al tiristorului, care indica intervalul de conductie al tiristorului,
anume de la α la β.

C1-9
OBSERVATIE IMPORTANTA: Se constata ca un tiristor conventional comandat la unghi de
amorsare α=0 este echivalent functional cu o dioda, adica pentru α=0 forma de unda a tensiunii pe
sarcina uR din fig.1.5c devine forma de unda uR din fig.1.3b.

1.2.3.3. Functionarea tiristoarelor GTO si MCT la alimentarea in c.c., respectiv in c.a.

In fig.1.6 este ilustrata functionarea unui tiristor GTO sau a unui tiristor MCT la alimentarea in
c.c. Daca este polarizat direct (uAK>0), un tiristor GTO este un DSP controlabil bilateral, atat in
conductie prin aplicarea primului impuls pozitiv pe poarta (i G>0) cat si in blocare prin aplicarea
primului impuls negativ pe poarta (iG<0). Mai multe impulsuri succesive de acelasi semn nu mai au
efect asupra starii de conductie/blocare a tiristorului GTO.

a) schema electrica utilizata la alimentarea in c.c. b) formele de unda specifice schemei a)

Fig.1.6. Functionarea tiristorului cu blocare pe poarta GTO la alimentarea cu c.c.
In fig.1.7b este ilustrata functionarea tiristorului GTO alimentat in c.a. din fig.1.7a, precum si
definirea unghiurilor sale specifice pe baza acelorasi definitii de la tiristorul conventional din fig.1.5c.
Este de remarcat faptul ca primele impulsuri pozitive sau negative pe poarta nu au efect decat daca
tiristorul GTO este polarizat direct de alternanta pozitiva a sursei de alimentare ui de c.a.

a) schema electrica utilizata la alimentarea in c.a. b) formele de unda specifice schemei a)

Fig.1.7. Functionarea tiristorului cu blocare pe poarta GTO la alimentarea cu c.a.

1.2.3.4. Functionarea triacului la alimentarea in c.a.

In fig.1.8 este ilustrata functionarea unui triac la alimentarea in c.a., care tine cont de schema
electrica echivalenta a triacului din fig.1.2b, ce contine doua tiristoare conventionale montate in
antiparalel, avand electrodul de control (grila G) comun. El este mai lent in functionare decat tiristorul.
Deosebirea dintre un triac si 2 tiristoare montate in antiparalel este ca triacul poate fi comandat
cu impuls pozitiv sau negativ (numita comanda bipolara) indiferent de polaritatea tensiunii u E1E 2
(fig.1.8b), dar in practica se recomanda aplicarea de impulsuri pozitive pentru tensiuni u E1E 2 pozitive

C1-10
si respectiv aplicarea de impulsuri negative pentru tensiuni u E1E 2 negative pentru a obtine o
sensibilitate mare a raspunsului triacului la aplicarea impulsurilor de comanda bipolare, conform
Tabelului 1.3 de mai jos (modurile de comanda 1 si 4). De aceea, in fig.1.8b s-au marcat punctat
impulsurile de comanda nerecomandabile pentru respectiva alternanta a tensiunii de alimentare
sinusoidala de c.a. Totusi, pentru simplificarea comenzii (unipolara, adica doar cu impulsuri de
comanda negative), se pot utiliza si modurile de comanda 2 si 4.

Tabelul 1.3. Modurile posibile de comanda ale triacului

Modul de Tensiunea uE1E2 Impulsul de comanda iG Cadranul de functionare al triacului de Sensibilitatea triacului
comanda pe caracteristica i=i(uE1E2)
1 pozitiva pozitiv I mare
2 pozitiva negativ I medie
3 negativa pozitiv III mica
4 negativa negativ III mare/medie

a) schema electrica utilizata la alimentarea in c.a. b) formele de unda specifice schemei a)

Fig.1.8. Functionarea triacului la alimentarea cu c.a.
Astfel, pe alternanta pozitiva a tensiunii de alimentare ui si cu impuls de comanda pozitiv
functioneaza tiristorul echivalent T1, iar pe alternanta negativa a tensiunii de alimentare u i si cu impuls
de comanda negativ functioneaza tiristorul echivalent T2. Blocarea se face ca la dioda, anume prin
comutatie naturala (adica prin anularea curentului prin dispozitiv (i R=0) are loc pentru sarcina rezistiva
R odata cu anularea tensiunii de alimentare de c.a. (ui=0).

1.2.3.5. Functionarea tranzistoarelor TBP, VMOS si IGBT

In fig.1.9 este prezentata functionarea DSP controlabile bilateral prin comanda mentinuta
(tranzistoarele TBP, VMOS, IGBT), care functioneaza in ritmul comenzii adica tensiunea pe sarcină uR
urmăreşte fidel prezenţa/absenţa comenzii iB/uGS/ /uGE ale TBP/MOS/IGBT. Mentionam ca tranzistorul
VMOS de putere se numeste astfel datorita canalului sub forma de V din structura tehnologica de
fabricatie a acestui DSP.

a) schema electrica utilizata la alimentarea in c.a. b) formele de unda specifice schemei a)

Fig.1.9. Functionarea tranzistoarelor (TBP, MOS si IGBT)

C1-11
SUBIECTE DE EXAMEN DIN ACEST CURS: definitii de termeni (ex: EP, EI, EA, II,
comutatie ON, conductie bilaterala, contactor static etc), clasificari (teorie), functionari
(probleme) ale DSP pentru alte secvente de comanda.

EXEMPLE DE SUBIECTE:
TEORIE:
1) Definitii notiuni specifice EP/EII (ex: comutatie naturala, circuit de stingere, controlabilitate unilaterala,
comanda bipolara, unghi de amorsare etc);
2) Prezentare diverse DPP-uri: (definitie), simbol, caracteristica, (tipuri), modalitati de comutatie ON si OFF,
(schema electrica echivalenta), clasificare dupa cele 4 criterii
PROBLEME: explicarea functionarii (in cuvinte pentru fiecare impuls/interval de comanda si in forme de unda,)
la alimentarea in c.c. si/sau c.a., pentru diverse secvente de impulsuri de comanda date si diverse DSP

C1-12