MEMS - Curs nr.

2
Microsisteme electromecanice
Tehnologii de fabricaţie a MEMS-urilor - partea întâi
La fabricarea MEMS-urilor trebuie ţinut cont de o serie de probleme
specifice cum ar fi:
- frecările sunt mai mari decât forţele inerţiale; forţele capilare, electrostatice şi
atomice la nivel microscopic sunt semnificative;
- căldura dezvoltată în astfel de sisteme are valori relativ ridicate, ceea ce poate
pune probleme în ceea ce priveşte transportul şi disiparea căldurii;
- pentru microsistemele hidraulice, spaţiile mici de lucru şi transport ale
fluidului sunt predispuse la blocaje, dar în acelaşi timp pot regulariza curgerea
fluidului dacă sunt corelate cu densitatea acestuia;
- trebuie să se ţină cont de proprietăţile de material (modulul Young,
coeficientul Poisson, etc.) şi să se aplice teoria mecanicii la nivel microscopic;
- utilizarea MEMS-urilor pe structura unui circuit integrat este complexă şi
specifică fiecărui microsistem în parte;
- realizarea şi testarea MEMS-urilor este o operaţie complexă; anumiţi
microsenzori necesită contactul direct cu mediul, ceea ce presupune asigurarea
protecţiei acestora la perturbaţii externe, iar testarea este mai costisitoare decât
în cazul circuitelor integrate clasice.

Depunerea straturilor subţiri (de la câtiva nm la circa 100 μm) pe substrat

se realizează prin următoarele metode:
- epitaxie
Este o metodă de depunere prin care se cre şte un strat subţire de siliciu cristalin
pe o pastilă de siliciu, siliciul depus având un tip diferit de dopant cu
concentraţie diferită. Stratul crescut epitaxial are aceeaşi orientare cristalografică
ca şi cristalul din substratul pe care a crescut. Dacă stratul epitaxial este crescut
pe un material amorf, atunci va fi policristalin. Epitaxia poate fi folosită şi
pentru a creşte un strat de siliciu cristalin pe alte tipuri de substraturi cristaline.
- oxidare
Dioxidul de siliciu în strare naturală este izolator electric de înaltă calitate şi
poate fi folosit ca material de barieră contra difuziei sau implantului
impurităţilor, pentru izolarea electrică a dispozitivelor semiconductoare, ca şi
componentă în tranzistoarele MOS sau ca dielectric separator de straturi la
structurile cu metalizare multistrat cum ar fi modulele multicip. Proprietatea de
a forma acest oxid a fost una din considerentele pentru care siliciul a fost
adoptat ca material semiconductor de bază folosit la circuitele integrate. Siliciul
se oxidează termic uşor prin încălzirea substratului la temperaturi din domeniul
(900-1200) 0C. Atmosfera din cuptorul în care are loc oxidarea poate conţine
oxigen pur sau vapori de apă. Aceste molecule difuzează uşor în stratul crescut
de SiO2 la aceste temperaturi mari. Oxigenul care ajunge pe suprafaţa siliciului
se poate astfel combina cu siliciul fomând dioxidul de siliciu dorit.
- depunere prin împroşcare (sputtering deposition)
La depunerea prin împroşcare o ţintă facută din materialul cae urmează a fi
depus este bombardată de un flux de ioni ai unui gaz inert (de obicei argon),
într-o incint ă vidată la o presiune de 0.1–10 Pa. Atomii sau moleculele din ţintă
se desprind şi se depun pe o pastilă. Acestă metodă se foloseşte la fabricaţia
MEMS-urilor pentru depuneri la temperaturi joase de straturi subţiri metalice,
cum ar fi Al şi Ti.
- evaporare
Evaporarea înseamnă încălzirea materialului sursă la o temperatură înaltă astfel
încât să genereze vapori care condensează pe un substrat pentru a forma un strat
subţire. Metoda poate fi aplicată aproape oricărui element (de ex. Al, Si, Ti,
Au), inclusiv multor metale şi compuşi cu temperetură de topire ridicată
(refractare) (de ex. Cr, Mo, Ta, Pd, Pt, Ni/Cr, Al2O3).
- depunere chimică în fază de vapori (chemical-vapor deposition,
CVD/LPCVD/PECVD)
Metoda CVD funcţionează pe principiul iniţierii unei reacţii chimice de
suprafaţă într-o atmosferă controlată, care are ca rezultat depunerea unei
substanţe rezultate din reacţie pe un substrat încălzit. Procesul are loc la
temperaturi ridicate. Depunerea poate avea loc la presiune atmosferică (şi atunci
se numeşte APCVD), la presiune scăzută (metoda LPCVD), sau în plasmă
catalizatoare (metoda PECVD), cu varianta în palsmă de înaltă densitate
(metoda HDP-CVD). Metodele APCVD şi LPCVD operează la temperaturi şi
mai ridicate (400º– 800ºC) . La metodele PECVD şi HDP-CVD, temperatura
substratului este tipic în jur de 300ºC.
- depunere centrifugală
Este un proces de depunere a straturilor de izolatori dielectrici şi materiale
organice. Echipamentul este simplu, necesitând o masă care se roteşte cu viteză
variabilă, înconjurată de un ecran de protecţie. Un ajutaj dispensează materialul
de depus sub formă de soluţie lichidă în centrul unei pastile substrat. Prin rotirea
substratului cu viteze de 500 până la 5000 rpm timp de 30 până la 60 secunde,
materialul este împrăştiat cu o grosime uniformă.