Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Tranzistorul 1 New PDF
Tranzistorul 1 New PDF
1. Introducere
1
2. Procese fizice
2
3. Ecuaţii de funcţionare
Ipoteze simplificatoare
- model unidimensional;
- concentraţii constante de impurităţi;
- grosimile zonelor neutre ale E şi C >> lungimile de difuzie;
- nivele mici de injecţie (conc. purtători injectaţi << conc. maj.);
- se neglijează fenomenele de generare-recombinare în regiunile de
trecere;
- se presupune absenţa altor agenţi externi;
- tranzistor PNP în RAN;
'
- d << L p , p p , p p >> nn → se neglijează regiunea de trecere EB.
3
j p (0)
p( x) = p (0) − x (variaţie liniară);
qD p
j p (0)
Se calculează: p ( w) = p (0) − w şi rezultă:
qD p
qD p qD p pn ⎛ qukTE qu C
⎞
j p (0) = [ p(0) − p( w)] sau: j p (0) = ⎜e − e kT ⎟
⎟
w w ⎜⎝ ⎠
kT qD p pn qukTE
Pentru RAN: uC < 0, uC >> → j p ( 0) = e
q w
Dacă uC ↓ ⇒ w ↑ ⇒ efect de modulaţie a grosimii bazei (ceea ce duce la
ideea de reacţie internă în tranzistor).
Etapa II:
Se calculează curentul de recombinare pornind de la ecuaţia de
continuitate, în regim staţionar:
∂p p − pn 1 dj p ( x)
=− − = 0 sau:
∂t τp q dx
q dj ( x)
[ p( x) − pn ] + p = 0 Se integrează pe toată lungimea bazei:
τp dx
w w
q
∫ [ p( x) − pn ]dx + ∫ dj p ( x) = 0 Dar:
τp 0 0
w
∫ dj p ( x) = j p ( w) − j p (0) = − jr Rezultă:
0
4
q w
q w⎡ j p ( 0) ⎤
jr = ∫ [ p ( x ) − p n ]dx = ∫⎢ p ( 0 ) − p n − x ⎥dx =
τp 0 τ p 0 ⎣⎢ qD p ⎦⎥
q q j p (0) 2
= [ p(0) − pn ]w − 1 w =
τp 2 τ p qD p
qw ⎡
qu E
1 w qD p pn ⎤⎛⎜ kTE
qu qu C
⎞
⎢p e kT
− pn − ⎥⎜ e − e kT ⎟=
τ p ⎢⎣ n 2 qD p w ⎥⎦⎝ ⎟
⎠
qwpn ⎛⎜ kTE
qu qu
1 kTE 1 kTC
qu
⎞
= e −1 − e + e ⎟ Rezultă:
τ p ⎜⎝ 2 2 ⎟
⎠
qpn w ⎡ kTE ⎤
qu qu C
jr = ⎢e +e kT
− 2⎥
2τ p ⎢⎣ ⎥⎦
qu
qpn w kTE
Pentru RAN: jr ≅ e .
2Dp
Etapa III:
- curentul local de electroni la joncţiunea emitor-bază:
qDn n p ⎛ qukTE ⎞
jn (0) = ⎜e − 1⎟
Ln ⎜⎝ ⎟
⎠
Etapa IV:
- curentul propriu la joncţiunea colector-bază (ca la o joncţiune PN
polarizată invers, dar cu zona P “subţire”→w):
⎛ qD p pn qDn' n 'p ⎞⎛ qu C ⎞
− jco = ⎜ + ⎟⎜ e kT
− 1⎟ (colectorul este dopat
⎜ w '
Ln ⎠⎝ ⎟⎜ ⎟
⎝ ⎠
diferit cu impurităţi în comparaţie cu emitorul);
⎛ qD p pn qDn' n 'p ⎞
jco = ⎜ + ⎟ pentru RAN
⎜ w L ' ⎟
⎝ n ⎠
(pentru jco s-a luat semnul corelat cu semnul curentului de colector).
Dacă A este aria secţiunilor transversale ale joncţiunilor, curenţii vor
fi:
5
iE = A ⎡⎣ j p (0) + jn (0) ⎤⎦
iC = A ⎡⎣ j p ( w) + jco ⎤⎦ = A ⎡⎣ j p (0) − jr + jco ⎤⎦
iB = A [ jn (0) + jr − jco ] = iE − iC
Se observă:
iC = i p ( w) + ico = β t i p (0) + ico = γβ t iE + ico = α oiE + ico
- relaţia fundamentală a tranzistorului.
1 ⎡ ⎛
1 w ⎞
2
⎤ w σn 1 ⎜ w ⎟⎛ ⎞
2
α0 ≅ ⎢1 − ⎜ ⎟ ⎥ ≅ 1 − −
w σ n ⎢ 2 ⎜ Lp ⎟ ⎥ L σ 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠
1+ ⎣ ⎝ ⎠ ⎦ n p
Ln σ p
α 0 este factorul de curent al tranzistorului în conexiunea BC. Valorile tipice
sunt apropiate de 1 dar mai mici decât 1.
6
- ii (vi ) cu parametru vo sau io ; - vi (ii ) cu parametru vo sau io .
iC = α oiE + ico
Observaţii:
- caracteristici aproape orizontale, abaterea provenind de la variaţia lui
ico şi a lui α 0 cu tensiunea uC prin intermediul lui w ;
- caracteristici aproape echidistante la creşteri egale ale curentului de
emitor provenind de la variaţia lui α 0 cu curentul de emitor (colector);
- anularea curentului de colector se face pentru tensiuni de colector
pozitive, mici şi foarte apropiate ca valoare pentru diferite valori ale
curentului de emitor.
Regimuri de funcţionare:
- regiunea de blocare (tăiere), pentru iE ≤ 0 ;
- regiunea activă normală;
- regiunea de saturaţie.
7
caracteristica de intrare iE = iE (u E ) u = ct .
C
Relaţii:
qD p pn ⎛ qukTE qu C
⎞ qD p pn qukTE
iE = A ⎜e − e kT ⎟≅ A e (pentru RAN)
w ⎝ ⎜ ⎟ w
⎠
Observaţii:
- caracteristica exponenţială;
- pentru uC = 0 , caracteristica trece prin origine;
- influenţa lui uC este mică, prin intermediul lui w;
• Model PNP
8
- la intrare, tranzistorul poate fi modelat în cea mai simplă formă cu o
tensiune de prag, VBE , cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge şi 0,6 V pentru
Si; curentul de bază este stabilit de circuitul exterior;
- în colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din bază; de cele mai multe ori se foloseşte egalitatea
iC ≅ iE , care presupune că relaţia pentru curentul de colector devine:
iC = β 0iB prin neglijarea curentului rezidual, ico .
Se elimină iE şi rezultă:
α0
iC = β 0iB + iceo cu β0 = (factorul de curent al
1 − α0
ico
tranzistorului în conexiune EC) şi iceo = .
1 − α0
9
Observaţii:
- caracteristicile trec printr-un punct foarte apropiat de origine;
- caracteristicile nu sunt echidistante deoarece dependenţa de curentul
de colector a factorului de curent în conexiune EC este mai mare decât în
cazul conexiunii BC.
Observaţii:
- carateristicile nu trec prin origine;
- tensiunea u'C are o influenţă mică.
10