Tranzistorul bipolar

1. Introducere

Semiconductor eterogen dotat cu impurităţi astfel încât se formează

două joncţiuni pn.
- regiunea din mijloc – foarte îngustă → d << L p , ordin de mărime: 0,1μ .
- regiuni laterale – emitor, colector
- mult mai dotate
- de acelaşi tip
- au proprietăţi electrice şi fizice diferite (prin dotări
diferite şi prin dimensiuni diferite).

Procedee de fabricare: - aliere

- difuzie – profilul şi adâncimea zonei difuzate pot
fi controlate prin concentraţia de impurităţi, prin temperatura de difuzie şi
prin durata procesului de difuzie.

Regimurile de lucru se stabilesc după modul de polarizare a celor 2

joncţiuni:
joncţiunea EB joncţiunea CB
- regiunea activă normală (RAN) direct invers
- regiunea de saturaţie (SAT) direct direct
- regiunea de blocare (BL) invers invers
- regiunea activă inversă (RAI) invers direct

Simboluri pentru tranzistorul bipolar

1
 2. Procese fizice

Tranzistorul este de tip P+NP+, funcţionând în RAN.

Fenomene fizice:
a) joncţiunea EB este polarizată direct: golurile din emitor trec în
bază, dar d << L p , puţine goluri se recombină, cele mai multe ajung la
colector; acesta este polarizat invers, este un câmp electric puternic care
favorizează trecerea golurilor în colector.
- goluri injectate de emitor → colectate de colector
iP ( w) + ir = iP (0)
- w este grosimea efectivă a bazei, w < d
Se defineşte: factorul de transport în bază:
iP ( w) i
βt = = 1− r →1
iP (0) iP (0)
b) joncţiunea EB este polarizată direct: circulă un curent de electroni
local datorat difuziei electronilor din bază în emitor. Deoarece baza este
mult mai puţin dopată cu impurităţi decât emitorul, curentul de electroni va
fi mult mai mic decât curentul de goluri:
i E = i P ( 0 ) + in
Se defineşte: eficienţa emitorului:
iP (0) i
γ= = 1− n →1
iE iE
c) joncţiunea CB este polarizată invers: există un curent local al
joncţiunii (ca la dioda polarizată invers), iinv .

2
3. Ecuaţii de funcţionare

Ipoteze simplificatoare
- model unidimensional;
- concentraţii constante de impurităţi;
- grosimile zonelor neutre ale E şi C >> lungimile de difuzie;
- nivele mici de injecţie (conc. purtători injectaţi << conc. maj.);
- se neglijează fenomenele de generare-recombinare în regiunile de
trecere;
- se presupune absenţa altor agenţi externi;
- tranzistor PNP în RAN;
'
- d << L p , p p , p p >> nn → se neglijează regiunea de trecere EB.

Condiţii la limită (de tip Shokley):

qu E qu E
n(−l1 ) = n p e kT
; p(l2 ) = pn e kT
≅ p(0)
qu C qu C
n(l4 ) = '
n p e kT ; p(l3 ) = pn e kT
≅ p( w)
Etapa I:
Se neglijează curentul de recombinare din bază → curentul de goluri
din bază este constant →
dp dp j p ( 0)
j p ( x) = − qD p = j p (0) = ct. sau: =−
dx dx qD p
Se integrează:
j p (0) x = 0 → p( x) = p (0) = C
p ( x) = C − x cu condiţiile:
qD p x = w → p( x) = p( w)

3
 j p (0)
p( x) = p (0) − x (variaţie liniară);
qD p

j p (0)
Se calculează: p ( w) = p (0) − w şi rezultă:
qD p
qD p qD p pn ⎛ qukTE qu C
⎞
j p (0) = [ p(0) − p( w)] sau: j p (0) = ⎜e − e kT ⎟
⎟
w w ⎜⎝ ⎠
kT qD p pn qukTE
Pentru RAN: uC < 0, uC >> → j p ( 0) = e
q w
Dacă uC ↓ ⇒ w ↑ ⇒ efect de modulaţie a grosimii bazei (ceea ce duce la
ideea de reacţie internă în tranzistor).

Etapa II:
Se calculează curentul de recombinare pornind de la ecuaţia de
continuitate, în regim staţionar:
∂p p − pn 1 dj p ( x)
=− − = 0 sau:
∂t τp q dx
q dj ( x)
[ p( x) − pn ] + p = 0 Se integrează pe toată lungimea bazei:
τp dx
w w
q
∫ [ p( x) − pn ]dx + ∫ dj p ( x) = 0 Dar:
τp 0 0
w
∫ dj p ( x) = j p ( w) − j p (0) = − jr Rezultă:
0

4
 q w
q w⎡ j p ( 0) ⎤
jr = ∫ [ p ( x ) − p n ]dx = ∫⎢ p ( 0 ) − p n − x ⎥dx =
τp 0 τ p 0 ⎣⎢ qD p ⎦⎥
q q j p (0) 2
= [ p(0) − pn ]w − 1 w =
τp 2 τ p qD p
qw ⎡
qu E
1 w qD p pn ⎤⎛⎜ kTE
qu qu C
⎞
⎢p e kT
− pn − ⎥⎜ e − e kT ⎟=
τ p ⎢⎣ n 2 qD p w ⎥⎦⎝ ⎟
⎠
qwpn ⎛⎜ kTE
qu qu
1 kTE 1 kTC
qu
⎞
= e −1 − e + e ⎟ Rezultă:
τ p ⎜⎝ 2 2 ⎟
⎠
qpn w ⎡ kTE ⎤
qu qu C
jr = ⎢e +e kT
− 2⎥
2τ p ⎢⎣ ⎥⎦
qu
qpn w kTE
Pentru RAN: jr ≅ e .
2Dp
Etapa III:
- curentul local de electroni la joncţiunea emitor-bază:
qDn n p ⎛ qukTE ⎞
jn (0) = ⎜e − 1⎟
Ln ⎜⎝ ⎟
⎠
Etapa IV:
- curentul propriu la joncţiunea colector-bază (ca la o joncţiune PN
polarizată invers, dar cu zona P “subţire”→w):
⎛ qD p pn qDn' n 'p ⎞⎛ qu C ⎞
− jco = ⎜ + ⎟⎜ e kT
− 1⎟ (colectorul este dopat
⎜ w '
Ln ⎠⎝ ⎟⎜ ⎟
⎝ ⎠
diferit cu impurităţi în comparaţie cu emitorul);
⎛ qD p pn qDn' n 'p ⎞
jco = ⎜ + ⎟ pentru RAN
⎜ w L ' ⎟
⎝ n ⎠
(pentru jco s-a luat semnul corelat cu semnul curentului de colector).
Dacă A este aria secţiunilor transversale ale joncţiunilor, curenţii vor
fi:

5
 iE = A ⎡⎣ j p (0) + jn (0) ⎤⎦
iC = A ⎡⎣ j p ( w) + jco ⎤⎦ = A ⎡⎣ j p (0) − jr + jco ⎤⎦
iB = A [ jn (0) + jr − jco ] = iE − iC
Se observă:
iC = i p ( w) + ico = β t i p (0) + ico = γβ t iE + ico = α oiE + ico
- relaţia fundamentală a tranzistorului.

1 ⎡ ⎛
1 w ⎞
2
⎤ w σn 1 ⎜ w ⎟⎛ ⎞
2

α0 ≅ ⎢1 − ⎜ ⎟ ⎥ ≅ 1 − −
w σ n ⎢ 2 ⎜ Lp ⎟ ⎥ L σ 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠
1+ ⎣ ⎝ ⎠ ⎦ n p
Ln σ p
α 0 este factorul de curent al tranzistorului în conexiunea BC. Valorile tipice
sunt apropiate de 1 dar mai mici decât 1.

4. Caracteristicile statice ale TBIP

a) caracteristicile statice (în general)

• caracteristica de transfer – o mărime de ieşire în funcţie de o

mărime de intrare: - v0 (vi ) sau io (vi ) cu parametru ii sau
- v0 (ii ) sau io (ii ) cu parametru vi ;
• caracteristica de ieşire – o mărime de ieşire în funcţie de
cealaltă mărime de ieşire cu parametru o mărime de intrare:
- io (vo ) cu parametru ii sau vi sau - vo (io ) cu parametru vo sau ii ;
• caracteristica de intrare – o mărime de intrare în funcţie de
cealaltă mărime de intrare cu parametru o mărime de ieşire:

6
- ii (vi ) cu parametru vo sau io ; - vi (ii ) cu parametru vo sau io .

b) caracteristicile statice ale TBIP în conexiunea BC

caracteristica de ieşire iC = iC (uC ) i = ct .

E

iC = α oiE + ico

Observaţii:
- caracteristici aproape orizontale, abaterea provenind de la variaţia lui
ico şi a lui α 0 cu tensiunea uC prin intermediul lui w ;
- caracteristici aproape echidistante la creşteri egale ale curentului de
emitor provenind de la variaţia lui α 0 cu curentul de emitor (colector);
- anularea curentului de colector se face pentru tensiuni de colector
pozitive, mici şi foarte apropiate ca valoare pentru diferite valori ale
curentului de emitor.

Regimuri de funcţionare:
- regiunea de blocare (tăiere), pentru iE ≤ 0 ;
- regiunea activă normală;
- regiunea de saturaţie.

7
 caracteristica de intrare iE = iE (u E ) u = ct .
C
Relaţii:
qD p pn ⎛ qukTE qu C
⎞ qD p pn qukTE
iE = A ⎜e − e kT ⎟≅ A e (pentru RAN)
w ⎝ ⎜ ⎟ w
⎠

Observaţii:
- caracteristica exponenţială;
- pentru uC = 0 , caracteristica trece prin origine;
- influenţa lui uC este mică, prin intermediul lui w;
• Model PNP

8
 - la intrare, tranzistorul poate fi modelat în cea mai simplă formă cu o
tensiune de prag, VBE , cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge şi 0,6 V pentru
Si; curentul de bază este stabilit de circuitul exterior;
- în colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din bază; de cele mai multe ori se foloseşte egalitatea
iC ≅ iE , care presupune că relaţia pentru curentul de colector devine:
iC = β 0iB prin neglijarea curentului rezidual, ico .

c) caracteristicile statice ale TBIP în conexiunea EC

) caracteristica de ieEşire iC = iC (u 'C ) i = ct .

B
Relaţii:
iC = α oiE + ico
iE = iC + iB

Se elimină iE şi rezultă:
α0
iC = β 0iB + iceo cu β0 = (factorul de curent al
1 − α0
ico
tranzistorului în conexiune EC) şi iceo = .
1 − α0

9
Observaţii:
- caracteristicile trec printr-un punct foarte apropiat de origine;
- caracteristicile nu sunt echidistante deoarece dependenţa de curentul
de colector a factorului de curent în conexiune EC este mai mare decât în
cazul conexiunii BC.

Caracteristica de intrare iB = i ' B (u ' B ) u ' = ct .

C
Relaţii:
iB = iE − iC = iE − α 0iE − ico = (1 − α 0 )iE − ico

Observaţii:
- carateristicile nu trec prin origine;
- tensiunea u'C are o influenţă mică.

10