STABILIZATOR DE TENSIUNE

EXEMPLU DE PROIECTARE
Presupunem ca se doreste obtinerea unui stabilizator cu urmatoarele performante

♦ Tensiunea de iesire reglabila in intervalul: 15÷20 V;

♦ Sarcina la iesire 3Ω;
♦ Deriva termica <2mV/ C
0

♦ Protectie la suprasarcina prin limitarea temperaturii tranzistoarelor regulatoare serie la

0
120 C.
♦ Tensiune de intrare in intervalul 25-30V

O posibila implementare a unui stabilizator de acest tip este reprezentata in fig 1:

Fig. 1 – Schema electrica a stabilizatorului de tensiune.

Circuitul este compus din urmatoarele blocuri:

!" Amplificator de eroare: Q1, Q2, Q4, D, R2 si generatoarele de curent Q6, R1; Q3, R7; Q5.
!" Referinta de tensiune: Dz.
!" Retea reactie negativa R10, R11, R12.
!" Regulator serie: Q10, Q11, Q12, Q13, , R13, R14 , R8, R9 .
!" Circuit de pornire R13, D2-D6;
!" Protectie termica: Q7, Q18, Q9, R13, R4 , R5, R3 .

1
 1. Referinta de tensiune.

Va fi in esenta o dioda Zener de 5.6V. Pentru acest tip de diode (daca sunt polarizate la curent
0
constant) se constata un drift termic foarte mic in intervalul 0-60 C.
Dioda se va polariza in curent constant prin intermediul Q6, R1. Pentru a minimiza efectul
rezistentei finite de iesire a generatorului de curent astfel obtinut, acesta va fi alimenta dintr-o
tensiune prestabilizata (emitorul lui Q11). Incarcarea in curent a referintei este extrem de
redusa, practic numai curentul de baza al Q7 .
Pentru acest circuit se va verifica:
1. incarcarea in curent (trebuie sa fie << decat curentul prin Q6);
2. lipsa interferentelor cu circuitul de pornire in regim normal de functionare.
Daca este posibil se va dimensiona R1 in punctul de drift nul cu temperatura al TEC-J pentru
a asigura o independenta sporita fata de acest parametru.

2. Amplificatorul de eroare

Tranzistoarele din etajul diferential de intrare Q1,2 vor functiona in mod simetric la un
curent mai mic decat IDSS / 2 (Q1, Q2, Q3 se aleg de tip BF256 cu parametri de catalog
IDSS=6…10mA, VT = -1…-3V, VDSmax = 30V) pentru a putea permite maximum excursiei
asimetrice in curent intre tranzistoare.
Suma curentilor de drena ai Q1,2 este:

I D1 + I D 2 = I D 3 (1)

Curentul ID3 este dat de ecuatiiile:

−VGS 3
I D3 = (2)
R7
2
 V 
si I D3 = I DSS 3  1 − GS 3  (3)
 VT 
Presupunind pentru parametri IDSS, VT valorile tipice: IDSS = 8mA respectiv VT = -2V rezulta ID3 =
2mA. In cazurile cele mai defavorabile avem:
(IDSS=6mA, VT=-3V) ⇒ ID3 ≈ 1.6mA
(IDSS=10mA, VT=-1V) ⇒ ID3 ≈ 2.8mA
deci intotdeuna tranzistoarele de intrare Q1,2 vor functiona la un curent static de drena mai mic
decat IDSS /2.
Curentul prin Q1 este dat de relatia:

VBE 4
I D1 = (4)
R2

2
Alegem Q4 de tip BC 177 (pnp de mica putere) la care, conform curbelor de catalog, VBE =
0.5…0.7V pentu IC = 10mA (la t = 25°C). Tinanad sema de toleranta lui R2 (5%)
putem determina:
ID1min=0.8mA; ID1max=1.2mA
Intotdeauna avem un curent diferit de 0 prin Q2.
Curentul prin Q4 ≈ IDSS5 (BF256, IDSS5= 6…10mA)
Compensarea functionarii nesimetrice a Q1, Q2 se va face prin R1. Alegem R1=1KΩ
(20%) deoarece in cel mai defavorabil caz (R1min, ID3min) se poate compensa o tensiune de
1.12V (mai mare decat diferenta (VGS1- VGS2)max=0.8V.
Pentru acest circuit pe chema de regim dinamic avand drept sarcina regulatorul serie cuplat la
sarcina se vor determina: a (este necesar ca a>10.000), RI, Ro
Obs. Pentru amplificatorul de eroare (cu reactie negativa) se vor calcula marimile de
semnal mic T si Ro pentru care vor fi satisfacute inegalitatile: T > 1000, R0 < 1mohm.

3. Circuitul de protectie termica

Senzorul de temperatura este Q8. Acest tranzistor va fi plast pe radiatorul tranzistoarelor Q12,
Q13 cat mai aproape de acestea pentru a realiza un bun contact termic. Tensiunea VBE la care
0
acest tranzistor poate sa conduca un curent semnificativ scade cu 2mV/ C. In consecinta se va
ajusta valoarea divizorului de tensiune R4, R5 astfel incat tensiunea din emitorul lui Q7 sa
0
deschida pe Q8 la circa 120 C.
o
Tensiunea in emitorul lui Q7 are la 27 C valoarea:
VE 7 = Vz − VBE 7

Alegem tranzistorul Q7 de tip BC107.

0
Cea mai mare tensiune VE4 apare la temperaturi ridicate (VBemin; tmax= 60 C) si este de circa
0
5.2V. Cea mai mica tensiune apare la temperaturi scazute (VBemax; tmin= 0 C) si este de circa
4.8V.
Alegem tranzistorul Q8 de tip BC 107. La 120 C acest dispozitiv are un VBEon≈0.2..0.4V
0

In consecinta divizorului de tensiune R4, R5 va trece tensiunea de 5.4..4.8V in 0.2..0.4V

Acest lucru se poate realiza alegand R4= 10K reglabil in functie de tolerantele mentionate si
R5=1K.
Atunci cand Q8 intra in conductie, Q9 se va satura prin intermdiul R13, R3. R13 va proteja Q8
impotriva unui maxim de curent iar R3 va rejecta curentul rezidual al Q8 fata de baza lui Q9.
Alegem R13, R3=1K, (ICMAXQ8≈30mA<ICMAX).
Alegem Q9 de tip BC177 cu VCesat<0.1..0.3V la Ic=50mA. Deci acest tranzistor cand va fi
comandat va bloca pe Q4 care la randul sau nu va mai alimenta in curent baza tranzistorului
echivalent regulator serie, iar acesta se va bloca.

3
 4. Circuitul de pornire

La pornire sau dupa inactivarea regulatorului serie, functionarea circuitului nu se

autoregenereaza in sensul ca dioda DZ nu va fi polarizata. Apare un punct stabil de functionare
cu toate componentele active blocate. Acest punct nedorit de functionare este eliminat prin
fortarea in conductie la pornire a Q1 prin D2-D6 (alimentate prin R13 direct din circuitul
principal). Q1 in conductie insemna curent prin Q4 si apoi prin regulatorul serie, deci si prin Q6.
Tensiunea la bornele Dz va creste catre valoarea nominala, circuitul intrand in regim normal de
functionare. Dioda D2 se va bloca si va izola circuitul de pornire de circuitul principal. Pentru
acest circuit se vor verifica in functie de tolerantele diodelor alese daca:
- Potentialul in grila lui Q1 la pornire creste suficientastfel incat Q4 va putea genera un curent
mai mare decat IDSS5;
- Dupa pornire, D2 se blocheaza sigura.

5. Regulatorul serie
Acesta, in cel mai defavorabil caz, va suporta un curent de aproximativ 7A la o tensiune
de 10V (PD = 70W).
Alegem Q12, Q13 de tip 2N3055 cu datele de catalog (PDmax=117W, β=15…100, curent
maxim de colector in puls non-repetitiv 80A, ICMAX = 20A) . Pentru echilibrarea curentilor se
folosesc rezistoare de egalizare (au si rol de protectie). Rezistentele de protectie disipa in cel
mai defavorabil caz circa 3.2W. Pentru siguranta se aleg rezistori de 6W. In caz de scurtcircuit
curentul maxim prin circuit se va limita la circa 100A (cand tranzistorele finale se vor satura,
Pdtotal=100W) inainte de arderea sigurantei de protectie. Acest circuit va fi in mod obligatoriu
prevazut cu o siguranta rapida de circa 10A.
Curentii prin Q12, Q13 sunt in cel mai defavorabil regim (R9=0.68Ω+20%; R8=0.68Ω-20%)
aproximativ 2.8A (Pd=28W) repectiv 4.2A (Pd=42W) deci tranzistoarele nu se vor distruge.
Curentul maxim de baza pentru perechea Q12, Q13 este de, considerand un β pesimist de circa
10, 0.7A.
Alegem Q11 de tipul BD435. Pentru a forta un curent mare prin acest tranzistor si cand sarcina
circuitului este mare se conecteaza in paralel pe jonctiunea BE a lui Q12 o rezistenta care sa
aigure un curent de circa 0.1-0.5A. Se va folosi R7=1Ω. Pentru a asigura un β foarte mare
regulatorului serie se mai introduce un tranzistor de mica putere: Q10 (BC107). Aceste doua
tranzistoare vor fi verificate din urmatoarele puncte de vedere (in cele mai defavorabile cazuri):
- curent maxim,
- putere maxima disipata,
- tensiune maxima.
β echivalent al regulatorului serie va fi mai mare de 10.000.

4
 6. Reteaua de reactie negativa.
Tensiunea de iesire din acest circuit este data de formula:
V0=Vz(R10’+ R11’)/ R11’

’ ’
Unde R10 , R11 sunt R10, R11 ajustate cu valorile bratelor potentiometrului R12. Se vor alege R10,
R11, R12 astfel incat sa se acopere plaja de reglaj a tensiunii Vo. (Obs. uneori R10 se poate lua
0).

CONTINUTUL MINIM AL PROIECTULUI

1. Schema bloc a circuitului.

2. Schema electrica de detaliu si calculele de dimensionare pentru fiecare din blocurile
componente ale schemei.
• Se vor prezenta schemele electrice (cu elementele numerotate si valorile sau tipul
componentelor). Pentru fiecare componenta va fi justificata alegerea valorii (sau tipului) pe
baza relatiilor de dimensionare disponibile.
• Componentele pasive vor avea valori STANDARD (se va preciza si tipul constructiv al
componentei - de exemplu, pentru rezistoare, RBC, RPM, etc.). Dispozitivele
semiconductoare vor fi de catalog.
• Pentru TOATE componentele se demonstreaza prin calcul functionarea sigura
(nedistructiva). De exemplu, pentru orice tranzistor bipolar se va arata ca nu se depasesc
valorile maxime admisibile: ICMAX, VCEMAX, PdMAX, etc. .
• De asemenea se va demonstra prin calcul atingerea parametrilor functionali impusi in tema
de proiectare.

OPTIONAL
3. Simularile PSPICE (fisierele .CIR, forme de unda, puncte statice de functionare, etc.)