Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

Lucrarea 9
Studiul conducţiei electrice la solide pe baza modelului Bloch- Brillouin
Determinarea energiei de activare a unui semiconductor intrinsec

Contextul teoretic
Conductibilitatea electrică. Noțiuni introductive
Conductibilitatea electrică, sau conducția electrică este fenomenul care se referă la capacitatea unui corp
de a întreține un curent electric de conducție. Una dintre mărimile care evaluează această capacitate se numeşte
conductivitate electrică şi se notează cu litera grecească sigma,  . Unitatea de măsură în SI este

 SI
  1  m 1  S  m 1 (1)

în care   ohm = unitatea de măsură în SI a rezistenței electrice R  şi S  siemens = unitatea de măsură în SI a

conductanței electrice G  .
O altă mărime legată de fenomenul de conducție electrică este rezistivitatea electrică, care se notează cu
litera grecească ro,  , definită ca inversul conductivității electrice

   1 (2)

având unitatea de măsură în SI  SI

 m.
Cu cât un material este caracterizat printr-o valoare  mai mare (deci printr-o valoare  mai mică) cu atât va
conduce mai bine curentul electric.
Curentul electric de conducție constă în mişcarea dirijată a unor particule încărcate electric cvasilibere
(aproape libere) printr-un corp, sub acţiunea unui câmp electric exterior. În cazul corpurilor solide, aceste
particule încărcate electric sunt electronii cvasiliberi şi golurile (holes în limba engleză). Se foloseşte noțiunea de
particule cvasilibere, deoarece aceste particule se pot mişca liber prin interiorul corpului, dar nu părăsesc acel corp
[8], [9].
Pentru un eşantion de material de formă regulată, cu lungimea l (paralelă cu direcţia curentului electric), aria
secțiunii transversale (sau perpendiculare pe direcția curentului electric) S şi rezistivitatea  , rezitența electrică se
calculează conform formulei
2
dl proba omogena l
R      R   (3)
1
S S

R SI
  . Rezistenţa electrică măsoară capacitatea unui eşantion de material de a se opune trecerii curentului
electric de conducţie. Conductanța electrică exprimă uşurinţa cu care un eşantion de material permite trecerea
curentului electric ( G SI
  1  S )

G  R 1 (4)
Noțiuni de fizică cuantică. Ecuația lui Schrödinger
Explicarea riguroasă şi completă a fenomenului de conductibilitate electrică se face în cadrul fizicii cuantice.
În cazul materialelor solide, la curentul electric de conducție participă două tipuri de particule încărcate
1

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei
electric: electronii cvasiliberi (particule reale, încărcate cu sarcină electrică negativă) şi golurile (modele teoretice de
particule încărcate cu sarcină electrică pozitivă, egală în modul cu cea a electronilor). Deocamdată, ne vom referi la
prima categorie de particule, electronii cvasiliberi.
Electronii cvasiliberi numiţi şi electroni de conducţie provin din electronii de valenţă, mai slab atraşi de
nucleul atomic comparativ cu ceilalţi electroni. Electronii de conducţie se pot deplasa de la un atom la altul şi la
aplicarea unui câmp electric exterior sunt dirijați către polaritatea pozitivă a câmpului, generând un curent electric de
conducție prin material. Atât timp cât electronii sunt în interiorul materialului ei se mai numesc electroni cvasiliberi
(aproximativ liberi) [8], [9].

Conform fizicii cuantice, electronului i se asociază o funcție de undă  r , t  cu ajutorul căreia se determină
probabilitatea de localizare în spațiu a acestuia
 2
PD, t     r , t  dV (5)
(D)

În relația (5) P D, t  este probabilitatea ca electronul să se afle la momentul t în domeniul spaţiul tridimensional

D  . Modulul funcției de undă se calculează din formula

 2  
 r , t    r , t    * r , t  (6)
  
unde  * r , t  este complex-conjugata funcției de undă  r , t  şi r = vectorul de poziție pentru electron [1], [2].
Cunoaşterea funcției de undă asociată electronului permite determinarea valorilor medii ale mărimilor
observabile caracteristice acestuia (coordonata spațială medie, impulsul mediu, momentul cinetic orbital mediu etc.)
[8], [9].

Funcția de undă  r , t  este de forma

   i W t
 r , t    r   e (7)

în care  r  este componenta staţionară a funcției de undă, W reprezintă energia totală a particulei, i  1 C ,
h
 este constanta redusă a lui Planck, iar h = constanta lui Planck = 6.626  1034 J  s .
2

Componenta  r  a funcției de undă se determină prin rezolvarea unei ecuații diferențiale, numită ecuația
lui Schrödinger staționară, care are expresia matematică
 2m

 

  r   2 0 W  W p  r   0 (8)


unde m0 reprezintă masa de repaus a electronului, W p este energia potențială şi   r  este operatorul lui Laplace

aplicat funcției  r  .

Prin rezolvarea ecuației (8) se determină valorile posibile ale energiei totale W1 , W2 , W3 ,  (care va avea un

spectru discret) şi funcţiile de undă  r  . În cazul electronilor din interiorul atomului (cristalului), valorile

W1 , W2 , W3 ,  se numesc nivelurile energetice ale electronilor [1], [2], [8], [9].

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

Modelul Bloch-Brillouin sau modelul benzilor de energie

Vom explica în continuare fenomenul de conductibilitatea electrică la materialele solide apelând la modelul
Bloch-Brillouin, cunoscut şi ca teoria cuantică a benzilor de energie.
Din determinările experimentale se constată că rețelele cristaline ale materialelor solide sunt periodice în
spațiu. Această periodicitate se referă la faptul că o anumită structură (dispunere de atomi) se repetă în spațiu. Prin
urmare, energia potențială W p din ecuația (8) este şi ea o funcție periodică, de perioadă egală cu cea a rețelei

cristaline.
Prin rezolvarea ecuației lui Schrödinger, se demonstrează că energia unui electron în mişcare, în câmpul
periodic al rețelei cristaline, prezintă o structură de benzi de energie [3]. Aceste benzi au o dispunere
alternativă, de benzi premise şi benzi interzise (fig.1).
În figura 1 este reprezentată pe axa verticală (pe ordonată) energia electronilor în cristal, iar pe axa orizontală
 
(pe abscisă) modulul vectorului de undă k  k . Vectorul k a primit denumirea de vector de undă prin analogie cu

 2  2 v
mărimea specifică undelor din mecanică şi electromagnetism, care este definită prin formula k  n   .
  v
Denumirea se justifică numai prin faptul că unitatea de măsură a mărimii reprezentate pe abscisă este aceeaşi cu a
mărimii ondulatorii [3]. Mărimea a este periodicitatea unidimensională a rețelei [8], [9].
parabola
W electronului liber

zonă (bandă)
permisă

2 V2

2 V1
zonă (bandă) interzisă

- 3 a - 2 a -  0  2 3 k
a a a a

Fig.1 Formarea benzilor de energie ale electronilor în cristale [8], [9]

Parabola trasată întrerupt reprezintă energia electronilor liberi, care s-ar mişca în exteriorul cristalului, în
absența oricăror câmpuri de interacțiune. Curbele trasate continuu corespund energiei electronilor din cristal, care
interacționează cu câmpul electric periodic al ionilor pozitivi din nodurile rețelei cristaline [8], [9].
Prin rezolvarea ecuației lui Schrödinger, se obțin valorile energiilor pentru electronii din cristal [4], de forma

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

2  k 2
W  Wk   Vk g (9)
2m 
 termenul
parabola care creeaza
corespunzatoare discontinuitati
electronului
liber

În relația (9) primul termen este o funcție de gradul doi în variabila k , deci semnifică o parabolă, iar termenul al
 2
doilea este cel care creează discontinuitățile, sau acele „întreruperi” din figura 1, în punctele k   , ,
a a
Termenul Vk g provine din expresia energiei potențiale a electronilor din cristal
 
W p r    Vk g  e g
i  k r
(10)
kg

Formula (10) repezintă o descompunere în serie Fourier a energiei potențiale periodice, scrisă în formă complexă, în

care i   1  C şi r este vectorul de poziție [4], [8], [9].
Regiunile haşurate reprezintă benzile energetice permise pentru energia electronilor în cristale, iar regiunile
pe alb corespund benzilor energetice interzise. Lărgimea unei benzi interzise este

W g  2 Vk g (11)

Se demonstrează că odată cu creşterea energiei W  Wk , lărgimea benzilor interzise se micşorează, iar

lărgimea benzilor permise se măreşte.

Ca o concluzie la cele discutate, putem spune că valorile energiilor electronilor din cristal, numite şi niveluri
energetice W1 , W2 , W3 ,  , sunt grupate în interiorul unor benzi energetice permise. Fiecare bandă permisă conține

un număr de niveluri energetice apropiate între ele, egal cu numărul de atomi din volumul de cristal considerat
[5]. Conform teoriei cuantice, electronii cristalului nu pot avea nivelurile energetice în interiorul benzilor interzise [8],
[9].
Conform fizicii cuantice comportarea electronului este descrisă de un set de numere cuantice, printre care şi
de un număr cuantic notat cu s , numit numărul cuantic de spin. În cazul electronului s  1 / 2 . Din punct de vedere
al valorii numărul cuantic de spin, particulele elementare se împart în două clase: fermioni (cele cu s de valori
semiîntregi) şi bosoni (cele cu s de valori întregi).
Conform clasificării anterioare, electronii sunt fermioni şi „repartizarea” electronilor din materialele solide
pe nivelurile energetice este dată de funcția de distribuție cuantică Fermi-Dirac
1
f F (WK )  Wk W F (12)
e kB T
1
Relația (12) exprimă probabilitatea ca o stare cuantică cu energia Wk să fie ocupată. WF se numeşte nivelul Fermi,

k B  1.38 10 23 J / K este constanta lui Boltzmann şi T este temperatura absolută [4].
În figura 2 este reprezentată funcția de distribuție Fermi-Dirac la diverse temperaturi, a cărei comportare la
temperatura T  0 este următoarea

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei
1 , pentru Wk  WF
lim f F WK    . (13)
T 0
 0 , pentru Wk  WF
Astfel, rezultă următoare interpretare a nivelului Fermi la temperatura T  0 K : toate nivelurile energetice care

îndeplinesc condiția Wk  WF sunt ocupate cu electroni, în timp ce nivelurile energetice Wk  WF sunt libere. În

consecință, putem formula semnificația nivelului Fermi ca nivelul de energie maximă pe care îl pot ocupa
electronii la temperatura de zero absolut ( T  0 K ). La temperatura de zero absolut nivelul Fermi separă nivelurile
ocupate cu electroni de cele neocupate [8], [9].
f(W)

1 T=0K
T1
T2

0,5 0<T1<T2

0
WF W

Fig.2. Reprezentarea funcției de distribuție Fermi-Dirac la diverse temperaturi

Din figura 2 se observă că la T  0 K (linia trasată punctat), pentru Wk  WF , funcția de distribuție are

valoarea 0.5 . De aici rezultă următoarea interpretare: la orice valoare a temperaturii, nivelul Fermi reprezintă
starea energetică pentru care probabilitatea de ocupare este 1 / 2 [4], [8], [9].
Energia Fermi are semnificația şi de potențial chimic al „gazului de electroni” cvasiliberi din cristal şi este un
parametru care depinde de concentrația electronilor şi de temperatură [4].
La temperaturi T  0 K , funcțiile de distribuție din figura 2 au o astfel de comportare încât, pe măsură ce
temperatura creşte, granița dintre nivelurile energetice ocupate şi cele neocupate cu electroni devine tot mai puțin
abruptă. Aceasta se datorează faptului că la creşterea temperaturii materialului electronilor li se comunică energie
suplimentară care le permite trecerea pe niveluri superioare nivelului Fermi, [5], [8], [9].

Clasificarea corpurilor solide pe baza modelului de benzi energetice

Importanța modelului Bloch-Brillouin sau a modelului de benzi energetice rezidă în aceea că permite
explicarea distincției dintre conductori, izolatori (sau dielectrici) şi semiconductori. Clasificarea corpurilor solide
în cele trei categorii se bazează, în primul rând, pe gradul de ocupare cu electroni a nivelurilor energetice din interiorul
benzilor şi mai puțin pe structura benzilor care se formează în principiu la fel la toate cele trei categorii.
În figura 3 sunt reprezentate cele două moduri posibile de ocupare a benzilor energetice cu electroni, la
temperatura de zero absolut [4], [8], [9].
Cazul a. O categorie de corpuri solide se caracterizează prin faptul că electronii ocupă complet un anumit
număr de benzi energetice (fig.3.a). Aceasta înseamnă că ultimul nivel ocupat cu electroni coincide cu marginea
superioară a ultimei benzi energetice permise ocupate. Ultima bandă permisă ocupată conține electroni de valență ai

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei
atomilor cristalului şi de aceea o numim bandă de valență (BV). Următoarea bandă de energie permisă este complet
liberă şi se numeşte banda de conducție (BC). Cele două benzi, BV şi BC sunt separate printr-o bandă interzisă
(BI).
Dacă se aplică un câmp electric exterior de valori obişnuite ( E  108 V m) , electronii de valență nu vor putea
să tranziteze pe niveluri energetice superioare în BC, din cauza lărgimii benzii interzise. Prin urmare, la aplicarea unui
câmp electric exterior, nu este posibilă apariția unui curent electric de conducție, deci materialul se comportă la zero
absolut ca un izolator (dielectric) [8], [9].

Fig.3

Cazul b. O altă categorie de materiale (fig.3.b) se caracterizează prin faptul că electronii nu ocupă complet
toate nivelurile energetice ale ultimei benzi permise de energie. Deci, cel mai înalt nivel energetic ocupat la zero
absolut (nivelul Fermi) se află în interiorul unei benzi permise, banda electronilor de valență (BV) [8], [9].
La aplicarea unui câmp electric exterior de intensități mici, electronii din apropierea nivelului Fermi vor fi
accelerați şi vor putea să tranziteze pe niveluri energetice superioare neocupate. Acesți electroni vor da naştere unui
curent electric de conducție şi se numesc electroni de conducție. Prin urmare, materialul se va comporta ca un
conductor. Nivelurile energetice superioare celor corespunzătoare electronilor de valență se numesc niveluri
energetice de conducție. După cum se observă din fig.3.b, în acest caz există o suprapunere a nivelurilor energetice din
BV cu cele din BC.
Din cele discutate anterior, concluzionăm că la temperatura de zero absolut există numai două categorii
de materiale solide: izolatorii şi conductorii [4], [7], [8], [9].
Ne punem întrebarea firească: conform acestei teorii, unde plasăm materialele semiconductoare? Răspunsul
este următorul: din punct de vedere al gradului de ocupare cu electroni a benzilor de energie, la temperatura de
zero absolut, nu există nicio deosebire între izolatori şi semiconductori.
La temperaturi T  0 K , comportarea semiconductorilor este diferită de cea a izolatorilor. Aceasta se explică

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei
prin faptul că lărgimea BI dintre BV şi BC de la semiconductori are o valoare mai mică decât cea a izolatorilor.
Prin urmare, la o temperatură T  0 K , un anumit număr de electroni ai materialului semiconductor poate tranzita de
pe nivelurile energetice ale BV pe nivelurile superioare din BC. Sub acțiunea unui câmp electric exterior, electronii
din BC se vor mişca dirijat, generând un curent electric de conducție.
Lărgimea energetică a BI dintre BV şi BC se numeşte energie de activare a materialului şi se notează cu
Wg sau cu  W . Energia de activare se defineşte şi ca energia minimă necesară unui electron de valență pentru
a tranzita în banda de conducție.
Câteva exemple de semiconductori sunt: germaniul, siliciul, seleniul, oxidul cupros ( Cu2O ),

PbTe , SiC , InSb , GaAs , grafitul [7], [8], [9].

Conducția electrică la semiconductorii intrinseci (puri)

Atunci când vorbim despre funcţionarea calculatoarelor trebuie să avem în vedere că acestea au în alcătuire
circuite integrate, tranzistori, cu alte cuvinte, componente din materiale semiconductoare.
Să presupunem unul dintre semiconductorii puri bine-cunoscuți, și anume germaniul (Ge), element din grupa
a IV-a a tabelului periodic. Germaniul are următoarea configurație electronică a ultimului strat 4 s 2 4 p 2 . Prin urmare,

numărul electronilor de valență, adică al electronilor de pe ultimul strat este 4 .

Se cunoaște că stabilitatea atomului este realizată la configurația completă 4 s 2 4 p 6 , de 8 electroni pe ultimul
strat. Pentru a-și crea structură stabilă de octet, fiecare atom de germaniu din structura cristalină va realiza câte patru
legături covalente cu cei patru atomi vecini din apropiere. Astfel, atomii de germaniu își vor stabili configurația
completă de octet (fig.4) [8], [9].
Prin intensificarea mișcării de agitație termică, deci prin încălzirea cristalului, pot fi eliberați electroni din
legăturile covalente, astfel încât aceștia devin electroni cvasiliberi prin cristal și vor participa la curentul electric de
conducție.

Ge
Ge

electron liber
Ge

gol

Ge Ge

Fig. 4. Cristalul de germaniu [8], [9]

Prin părăsirea de către electron a legăturii covalente, rezultă o sarcină spațială pozitivă, căreia i se asociază
denumirea de gol. Perechea electron-gol se numește în teoria solidului exciton. Golul este un model teoretic de

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei
particulă, cu ajutorul căruia se explică fenomenul de conducție electrică în cazul semiconductorilor. Golul are sarcina
egală în modul cu cea a electronului, (sarcina electronului, e   1.6  1019 C ), dar de semn contrar. Sarcina golului

este e   1.6  1019 C [8], [9].

E ext
W (-) (+)

e electron liber
e B.C.
e
e
Wc

Wg =  W B.I.

e Wv
e
gol e B.V.
e

Fig.5. Structura de benzi de energie pentru un semiconductor intrinsec (pur)

Vom explica în continuare modul în care variază conductivitatea electrică a unui semiconductor
intrinsec cu temperatura. La o încălzire a semiconductorului, se intensifică mişcarea de agitație termică şi dacă unii
dintre electronii din BV vor primi o cantitate de energie mai mare sau cel puțin egală cu energia de activare,  W , vor

tranzita pe niveluri energetice din BC (figura 5). La aplicarea unui câmp electric exterior ( Eext ), electronii cvasiliberi

din BC se vor mişca ordonat prin cristalul semiconductor de la polaritatea “-” către polaritatea „+” a câmpului electric
extern, generând un curent electric de conducție. Golurile vor genera un curent electric de conducție de sens contrar
celui produs de electroni, acestea deplasându-se către polaritatea negativă a câmpului electric extern (fig.5) [8], [9].
Fenomenul de tranziție al electronilor din BV se poate produce prin intensificarea mișcării de agitație termică,
adică prin creșterea temperaturii, prin iradiere cu unde electromagnetice, sau sub acțiunea unor câmpuri electrice sau
magnetice exterioare.
Pe măsură ce creşte temperatura, numărul de electroni din BC creşte şi prin urmare va creşte şi conductivitatea
electrică a semiconductorului.
Relația care exprimă conductivitatea electrică a unui semiconductor intrinsec în funcţie de temperatură este
W

  Ae 2 k B T
(14)
unde A este o notaţie convenţională pentru o mărime care în lucrare va fi presupusă constantă,  W este energia de

activare, k B  1.38  1023 J / K este constanta lui Boltzmann şi T este temperatura absolută.

În teoria cuantică a semiconductorilor intrinseci se demonstrează pentru A formula

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei

3/ 2
 2 k B T 
A  2e 
2
 
 mn* m *p    T    T 
3/ 4
n p (15)
 h 
Se cunoaşte că mărimile  n ,  p prezintă o dependenţă de temperatura absolută. Astfel, în cazul semiconductorilor

intrinseci, la T  200 K dependenţa este de tipul T 3 / 2 , iar la T din jurul valorii de 400K sau mai mari este de tipul

T 3 / 2 [11]. Considerând că mn* , m*p nu variază cu temperatura şi ţinând cont de faptul că funcţia exponenţială din
relaţia (14) are o contribuţie cu mult mai mare comparativ cu celelalte mărimi dependente de temperatură din expresia
(15), în lucrarea experimentală se va presupune mărimea A constantă. Mărimile  n ,  p se numesc mobilitatea

electronului de conducţie, respectiv a golului, mn* , m*p sunt masele efective ale celor două tipuri de

particule, e   modulul sarcinii electrice a electronului, h = constanta lui Planck [10], [11].

Ținând cont de relația (2), din formula (14) rezultă

W

  Be 2 kB T
(16)

în care B  1 / A . Introducând (16) în relația (3) se obține formula rezistenței electrice în funcţie de temperatură
pentru un semiconductor intrinsec
W
~
R  R e 2 kB T
(17)

~ l l
în care s-a folosit substituţia R  B  .
S A S
Modelul descris explică fenomenul conducției electrice la materiale semiconductoare pure, la
temperaturi nu foarte depărtate de temperatura camerei (considerată în majoritatea lucrărilor de specialitate
t  27 0 C , T  27  273  300 K ), la care termenul corespunzător energiei termice este
J
k B  T  1.38  10 23  300 K  1.38  3  10 21 J  4.14  10 21 J (18)
K
Ținând cont de relația care exprimă valoarea unui electrton-volt, unitate de măsură tolerată în SI pentru energie în
funcție de J (joule)
1 eV  1.6  1019 J (19)
din relația (18) rezultă la temperatura camerei

4.14  1021 J
kB  T   2.587 10 2 eV  0.026 eV (20)
19 J
1.6 10
eV
În general, energia de activare a semiconductorilor variază cu temperatura şi cu valoarea concentrației
purtătorilor de sarcină electrică cvasiliberi care participă la curentul electric de conducție. Dacă este
îndeplinită condiția din relaţia (20), atunci într-o aproximație destul de bună se poate pesupune
 W  ct  f T  . În acest caz,  W poate fi considerată o constantă caracteristică a semiconductorului

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei
intrinsec. La temperatura camerei se cunosc:
 pentru Si   W  1.14 eV
 (21)
 pentru Ge   W  0.67 eV
Din figura 5 se observă că în urma tranziției unui electron de valeță din BV în BC, apare un gol în BV. În
cazul semiconductorilor intrinseci, numărul golurilor din BV este egal cu numărul electronilor cvasiliberi din
BC. Aceasta se scrie astfel
N goluri BV N electroni BC
p n (22)
V V
unde V este volumul eşantionului de cristal semiconductor, p se numeşte concentrația volumică a golurilor din BV şi
n reprezintă concentrația volumică a electronilor cvasiliberi din BC. Notația n derivă de la cuvântul negativ, aşa cum
p derivă de la pozitiv.
Conducția electrică la semiconductori se explică prin existența a doi curenți electrici de conducţie al
căror efect se cumulează, curentul electronilor din BC şi cel al golurilor din BV.
Deoarece la semiconductorii intrinseci concentraţia golurilor este egală cu cea a electronilor de conducţie,
dacă densităţile stărilor energetice în cele două benzi sunt egale, atunci nivelul Fermi se află la mijlocul benzii
interzise. Dacă densităţile de stări din cele două benzi nu sunt identice, atunci nivelul Fermi se va afla mai aproape de
banda cu densitate mai mică de stări, pentru ca funcţia de distribuţie să fie mai întinsă în această bandă, şi
concentraţiile purtătorilor liberi în cele două benzi să rămână egale [5], [8], [9].

Aplicaţie practică
Modelarea matematică din experiment

Fig.6. Dispozitiv experimental, [5].

Cu ajutorul montajului redat în figura 6, compus dintr-un „cuptor” termostat în care se găseşte
semiconductorul intrinsec, conectat la un aparat de măsură a rezistenţei, precum şi un termocuplu conectat la un
galvanometru G, etalonat în unităţi de temperatură, se determină R pentru diverse temperaturi indicate de
galvanometru [5], [8], [9].
Pentru a verifica experimental formula care descrie scăderea exponențială a rezistenței semiconductorului
intrinsec cu temperatura, se liniarizează relația (17) prin logaritmare

10

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei
~ W
ln R  ln R  (23)
2 kB T
Se apelează la următorul artificiu de calcul

~ W 10 3
ln R  ln R   (24)
2 k B  10 3 T
şi se fac substituțiile:

10 3 ~ W
ln R  y ,  x , ln R  a , b (25)
T 2 k B 10 3
Prin urmare, relația (24) este de forma ecuației unei drepte
y  bx  a (26)

cu panta b şi termenul liber a (fig.7).

ln R
y=bx+a

b = . 3
W
2kB 10
x
x .
N
x

x
x

x x
x

.
0(0,0) x
x 3
x
a x 10 (K-1 )
M T
x

. x - punct experimental
- punct construit prin
metoda de fitare

Fig. 7
Modul de lucru
1. Se conectează dispozitivul experimental la sursa de tensiune electrică.
2. Se variază temperatura începând de la valoarea de 28 C , până la valoarea de 72 C , din 4 în 4 grade şi se
determină rezistența semiconductorului. Citirea rezistenței pe ohm-metru se face în momentul în care becul care
luminează scărița temperaturilor pâlpâie. Astfel se indică atingerea temperaturii fixate, la care se va face determinarea.
3. Se transformă valorile temperaturilor din grade Celsius în Kelvin, conform relației
T  t  273 (27)
4. Se introduc valorile în tabelul 1.
5. Se introduc valorile x şi y din tabelul 1, în programul de calcul în C++ şi se determină coeficienții reprezentării
liniare (24).
6. Din valoarea pantei reprezentării se determină energia de activare a semiconductorului, considerată în cazul de față
o mărime constată, caracteristică semiconductorului. Energia de activare se calculează în J şi se transformă în eV.

11

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei
7. Se trasează graficul corespunzător relației (24).

Nr.
 
t C T K 
x K  
103 1 R   y  ln R
T
1 28
2 32
3 36
4 40
5 44

12 72

Tabel 1
8. Se interpretează rezultatele.

[6]
1. Definiți fenomenul de conductibilitate electrică.
2. Ce este conductivitatea electrică?
3. Ce este rezistivitatea electrică?
4. Care este formula ce exprimă legătura între rezistența electrică a unei probe cu dimensiuni regulate şi rezistivitatea
acesteia?
5. Definiți curentul electric de conducție.
6. Ce este conductanța electrică?
7. Specificaţi pentru fiecare caz în parte care dintre materiale (1 sau 2) conduce cu mai mare uşurinţă curentul electric:
a. 1   2 ; b.  1   2 .
8. Specificaţi pentru fiecare caz în parte care dintre eşantioanele de material (1 sau 2) conduce cu mai mare uşurinţă
1 1
curentul electric: a. G1  G2 ; b.  ; c.  1   2 , l1  l2 , S1  S 2 .
R2 R1

9. Ce reprezintă mărimea  r , t  asociată electronului în fizica cuantică? Ce se determină cu ajutorul acesteia?

10. Ce reprezintă mărimile W şi W p din ecuația lui Schrödinger staţionară?

11. Ce reprezintă mărimile W1 , W2 , W3 ,  care se obțin din rezolvarea ecuației lui Schrödinger?

12. Ce sunt electronii cvasiliberi?

13. Ce sunt golurile? Cum se formează?

12

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM

 Iulia Brînduşa Ciobanu, Gabriela Apreotesei
14. La ce se referă modelul Bloch-Brillouin din fizica cuantică?
15. Câte tipuri de benzi de energie cunoaşteți?
16. Ce sunt benzile de energie permise?
17. Ce sunt benzile de energie interzise?
18. Ce înseamnă că electronul este un fermion? Care este valoarea numărului cuantic de spin?
19. Care este legea de distribuţie a electronilor după energii?
20. Câte categorii de corpuri solide există la temperatura de zero absolut, din punct de vedere al modelului Bloch-
Brillouin din fizica cuantică?
21. Care este asemănarea între un dielectric şi un semiconductor? Dar deosebirea?
22. Ce este un semiconductor intrinsec?
23. Ce puteţi spune despre mărimile p şi n în cazul semiconductorilor intrinseci?
24. Explicați modul în care variază conductivitatea electrică un semiconductor intrinsec la creşterea temperaturii.
25. Definiți energia de activare.
26. Cum variază rezistența unui semiconductor intrinsec la o creştere a temperaturii?
27. Căror mărimi fizice le corespund următoarele unităţi de măsură: ohm, siemens, ohm·metru, S·m-1, joule, kelvin,
electron-volt, coulomb?

Bibliografie
1. I. B. Ciobanu, Elemente de mecanică cuantică, Editura PIM, Iasi, 2009
2. E. Luca, Gh. Zet, C. Ciubotaru, A. Păduraru, Fizică generală, Editura Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1981
3. I. M. Popescu, Fizica, Noțiuni de mecanică cuantică, Editura Politehnica Press, Bucureşti, 2006
4. I. Licea, Fizica metalelor, Editura Științifică şi Enciclopedică, Bucureşti, 1986
5. www.phys.tuiasi.ro→Studenți → Facultatea de Automatică şi Calculatoare → Laboratoare
6. http://drnabihagaber.blogspot.ro/
7. C. Kittel, Introducere în fizica corpului solid, Editura Tehnică, Bucureşti, 1971
8. I. B. Ciobanu, G. Apreotesei, Elemente de fizică tehnică. Aplicaţii, Editura PIM, Iaşi, 2014; G. Apreotesei, I. B. Ciobanu,
Fenomene fizice cu aplicaţii în inginerie, Editura PIM, Iaşi, 2014
9. I. B. Ciobanu, G. Apreotesei, Modelarea fenomenelor fizice cu aplicaţii în inginerie, Editura PIM, Iaşi, 2015; G. Apreotesei, I.
B. Ciobanu, Fizică tehnică pentru învăţământul superior, Editura PIM, Iaşi, 2015
10. G. M. G. Rusu, Gh. I. Rusu, Bazele fizicii semiconductorilor, Vol. 3, Statistica purtătorilor de sarcină. Fenomene de transport,
Editura Universităţii “Al. Ioan Cuza”, Iaşi, 2015
11. E. D. Green, Temperature dependence of semiconductor conductivity, Materials Engineering 25, San Jose State University,
Lab Notes.

13

Introducere în studiul fizicii, Editura PIM