Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
ELECTRONICĂ ANALOGICĂ
NOTE DE CURS
Cap. 9
REDRESOARE MONOFAZATE
64
unde puterea absorbită de la reţea Pa este definită prin integrarea puterii instantenee pe durata
unei perioade T a tensiunii alternative de alimentare a redresorului:
în care u şi i reprezintă valori instantanee ale curentului respectiv tensiunii de la intrarea
redresorului.
Calitatea tensiunii redresate se apreciază prin intermediul următorilor parametrii:
a. forma de undă a tensiunii redresate reprezentând graficul de variaţie în raport cu timpul al
tensiunii redresate:
T
1
T ∫
Pa = ⋅ u ⋅ i ⋅ d(ωt )
0
(9.2)
b. valoarea medie a tensiunii redresate Udm definită prin integrarea tensiunii instantenee
obţinută după redresare pe durata unei perioade T:
T
1
U dm
T ∫
= ⋅ u (ωt ) ⋅ d(ωt )
0
(9.3)
U de
F= (9.5)
Udm
în funcţie de care se apreciază că un redresor este cu atât mai bun cu cât valoarea acestui
parametru se apropie de 1.
e. Coeficientul de ondulaţie dat de relaţia:
γ = F2 − 1 (9.6)
în funcţie de care se apreciază că un redresor este cu atât mai bun cu cât valoarea acestui
parametru se apropie de 0.
În continuare în studiul circuitelor de redresare se va considera o sarcină pur rezistivă a
acestora adică se vor neglija componentele reactive determinate de elemente capacitive sau
inductive.
65
9.2. Redresoare monoalternanţă
Ia
+ U0 U AC TR + − () +
ωt D
+ u = 2U sin(ωt ) u Rs Ud
− −
−(+) b)
ωt
a) Ud
Ud
U max
U de
U dm
π 2π 3π ωt
c)
Fig.9.2. Redresarea monofazată monoalternaţă
Schema de principiu a unui redresor monofazat monoalternanţă este prezentată în
fig.9.2.b. Redresorul realizat cu dioda D este alimentat prin intermediul unui transformator TR cu
tensiunea u care este o tensiune alternativă (periodică) de forma:
u = U m ⋅ sin (ωt ) = 2 ⋅ U ⋅ sin (ωt ) (9.7)
Ţinând seama de conducţia unilaterală a diodei şi considerând liniarizată caracteristica
statică a acesteia şi de asemenea prin neglijarea valorii tensiunii de deschidere a diodei se obţine
graficul procesului de conversie prezentat în fig.9.2.a. Deci prin rezistenţa de sarcină RS se va
obţine o circulaţie de curent numai pe durata semialternanţei cât dioda D este polarizată direct
(plus – ul tensiunii din secundarul transformatorului aplicat pe anodul diodei)
Dacă se consideră valoarea r2 a rezistenţei înfăşurării secundare a transformatorului şi
ţinând seama şi de proprietatea de transfer a acestuia (prezentată în cap.1) rezultă o rezistenţă
echivalentă în secundarul transformatorului, RT:
2
⎛n ⎞
R T = r2 + r1 ⋅ ⎜⎜ 2 ⎟⎟ (9.8)
⎝ n1 ⎠
unde n2 şi n1 reprezintă numărul de spire al înfăşurării secundare respectiv primare ale
transformatorului.
La valoarea aceste rezistenţe se adaugă şi rezistenţa Rd a diodei aflată în conducţie, cele
două rezistenţe fiind conectate în serie astfel că se poate considera rezistenţa internă a circuitului
de redresare Ri:
66
R i =R T + R d (9.9)
aceasta la rândul ei fiind conectată în serie cu rezistenţa de sarcină.
Pe durata conducţiei prin acest circuit serie se stabileşte curentul:
u 2 ⋅ U ⋅ sin (ωt )
i= = (9.10)
Ri + RS Ri + RS
iar pe rezistenţa de sarcină rezultă o tensiune uS:
RS
uS = R S ⋅ i = ⋅ 2 ⋅ U ⋅ sin (ωt ) (9.11)
Ri + RS
În conformitate cu relaţia generală (9.3) şi având în vedere forma sinusoidală, fig. 9.2.a,
9.2.c (cu perioada T = 2 ⋅ π ) a tensiunii supuse procesului de redresare, valoarea medie a tensiunii
redresate Udm va fi:
2π 2π π
1 1 RS 2 ⋅ RS ⋅ U
U dm =
2π ∫
u S ⋅ d(ωt ) =
0
2π ∫0
Ri + RS
⋅ 2 ⋅ sin (ωt ) ⋅ d (ωt ) = −
2π ⋅ (R i + R S )
⋅ cos =
0
(9.12)
RS 2⋅U 1 2 ⋅U
= ⋅ = ⋅
Ri + RS π Ri π
+1
RS
Deoarece Ri << RS expresia (9.12) devine:
2 ⋅U
U dm = ≅ 0,45 ⋅ U (9.13)
π
ceea ce înseamnă că valoarea medie a tensiunii redresate reprezintă aproximativ 45 % din
valoarea efectivă a tensiunii alternative de la intrarea redresorului
Valoarea medie a curentului redresat va fi:
U dm 2⋅U U U
I dm = = ≅ 0,45 ⋅ ≅ dm (9.14)
R i + R S π ⋅ (R i + R S ) Ri + RS RS
Valoarea efectivă a tensiunii redresate Ude va fi determinată în baza relaţiei (9.4)
rezultând:
2π π
1 1 − cos(2ωt )
2
1 RS RS
U de =
2π ∫
2 ⋅ U2 ⋅
0
(R i + R S )2
⋅ sin 2 (ωt ) ⋅ d (ωt ) =
Ri + RS
⋅U⋅
π 2 ∫
0
⋅ d (ωt ) =
(9.15)
1 ⎡1
π π⎤
RS 1 1 RS U 1 U
= ⋅U⋅ ⋅ ⎢ ⋅ (ωt ) − ⋅ ⋅ sin (2ωt ) ⎥ = ⋅ = ⋅
Ri + RS π ⎢⎣ 2 Ri
0 2 2 ⎦ Ri + RS 2
0⎥ +1 2
Rs
Deoarece Ri << RS expresia (9.15) devine:
67
U
U de = ≅ 0,707 ⋅ U (9.16)
2
ceea ce înseamnă că valoarea efectivă a tensiunii redresate reprezintă aproximativ 45 % din
valoarea efectivă a tensiunii alternative de la intrarea redresorului.
Factorul de formă F şi respectiv coeficientul de ondulaţie γ conform relaţiilor de definire
ale acestor parametrii vor fi:
U de U π π
F= = ⋅ = ≅ 1,57
U dm 2 2 ⋅U 2 (9.17)
γ = F 2 − 1 = 1,57 2 − 1 ≅ 1,21
şi se observă că valorile acestor parametri sunt superioare valorilor ideale 1 pentru factorul de
formă F şi respectiv 0 pentru coeficientul de ondulaţie γ.
Pentru determinarea randamentului este necesară calcularea puterii utile Pu şi a puterii
absorbite Pa, acestea fiind:
1 2 ⋅ U2
Pu = U dm ⋅ I dm = R S ⋅ I dm 2 = R S ⋅ ⋅ (9.18)
(R i + R S )2 π2
2π π
1 1 2 ⋅ U2 U2
Pa =
2π ∫
uidωt =
0
∫
2π R i + R S
0
⋅ sin 2 (ωt ) ⋅ d(ωt ) =
2 ⋅ (R i + R S )
(9.19)
Pu ⎛⎜ 1 2 ⋅ U 2 ⎞⎟ 2 ⋅ (R i + R S ) 4 RS 4 1
η= = RS ⋅ ⋅ ⋅ = 2⋅ = 2⋅ (9.20)
Pa ⎜⎝ (R i + R S ) π ⎟⎠
2 2
U 2
π Ri + RS π Ri +1
RS
şi se observă că dacă Ri << RS se poate neglija raportul celor două rezistenţe şi se obţine un
randament η ≅ 40,5 % iar în cazul în care nu se poate neglija rezistenţa internă a redresorului Ri
în raport cu rezistenţa de sarcină RS, adică rezistenţa de sarcină are o valoare mică se obţine un
randament η < 40 %, deci un randament mic al conversiei.
Analizând indicatorii de performanţă calculaţi pentru acest redresor se constată că
performanţele acestuia sunt modeste singura lui calitate fiind aceea că utilizează un singur
element redresor (diodă). Astfel de scheme se utilizează pentru puteri mici şi pentru consumatori
puţini pretenţioşi în ceea ce priveşte calitatea tensiunii redresate.
Pentru alegerea diodei redresoare se ţine seama de valoarea maximă (de vârf) a tensiunii
inverse aplicate diodei şi egală cu valoarea de vârf a tensiunii din secundarul transformatorului
U max = 2 ⋅ U precum şi de valoarea curentului mediu prin diodă Idm. Aceste două valori sunt
utilizate pentru alegerea diodei pe baza datelor de catalog, astfel:
U RWM > 2 ⋅ U max
(9.34)
I 0 > I dm
68
Unde URWM reprezintă tensiunea repetitivă vârf – vârf maximă pe care o suportă dioda iar
I0 reprezintă valoarea maximă a curentul pe care îl suportă de asemenea dioda. Valorile celor doi
parametrii sunt specificate în catalog de producător şi acestea nu pot fi depăşite fără a fi afectată
buna funcţionare a diodei
TR 1 D1 TR 1
+ D1
+
D2
u
~ 0
Ud
~ u
u Rs >Um
URWM Rs
D2 D4 I0>Idm
Ud
2 2
a )
− b )
−
Ud
Ud
U max
U de
Udm
ωt
c )
69
D1 şi D3 va fi polarizate direct şi curentul Id se închide prin circuitul serie: 2-D3-Rs-D1-1 faţă de
polul negativ al tensiunii u.
Indiferent de schema de redresare forma tensiunii redresate Ud va fi aceiaşi şi considerând
la intrare o tensiune alternativă descrisă de (9.7) forma tensiunii redresate este corespunzătoare
diagramei prezentată în fig.9.3.c.
Dacă se consideră rezistenţa echivalentă în secundarul transformatorului, RT dată de relaţia (9.8)
şi având în vedere că pe fiecare semialternanţă se află în conducţie câte două diode se obţine
rezistenţa internă circuitului de redresare Ri:
R i = R T +2 ⋅ R d (9.22)
aceasta la rândul ei fiind conectată în serie cu rezistenţa de sarcină.
Pe durata conducţiei prin acest circuit serie se stabileşte curentul:
u 2 ⋅ U ⋅ sin (ωt )
i= = (9.23)
Ri + RS Ri + RS
iar pe rezistenţa de sarcină rezultă o tensiune uS:
RS
uS = R S ⋅ i = ⋅ 2 ⋅ U ⋅ sin (ωt ) (9.24)
Ri + RS
În conformitate cu relaţia generală (9.3) şi având în vedere că perioada tensiunii redresate
va fi în acest caz T = 2 ⋅ π , valoarea medie a tensiunii redresate Udm va fi:
π π π
1 1 RS 2 ⋅ RS ⋅ U
U dm = ∫ u S ⋅ d (ωt ) = ∫ ⋅ 2 ⋅ sin (ωt ) ⋅ d(ωt ) = − ⋅ cos =
π0 π 0 Ri + RS π ⋅ (R i + R S )
0
(9.25)
RS 2⋅ 2 ⋅U 1 2⋅ 2 ⋅U
= ⋅ = ⋅
Ri + RS π Ri π
+1
RS
70
1 1 − cos(2ωt )
π 2 π
1 RS 2 ⋅ RS
∫ ⋅ sin 2 (ωt ) ⋅ d(ωt ) = ⋅ d(ωt ) =
π ∫0
U de = 2 ⋅ U2 ⋅ ⋅U⋅
π0 (R i + R S )2 Ri + RS 2
π π⎤
(9.28)
2 ⋅ RS 1 ⎡1 1 1 2 ⋅ RS U 1
= ⋅U⋅ ⋅ ⎢ ⋅ (ωt ) − ⋅ ⋅ sin (2ωt ) ⎥ = ⋅ = ⋅U
Ri + RS π ⎢⎣ 2 0 2 2 0⎥ R + R 2 Ri
⎦ i S +1
Rs
Deoarece Ri << RS expresia (9.28) devine:
U de = U (9.29)
ceea ce înseamnă că valoarea efectivă a tensiunii redresate este egală cu valoarea efectivă a
tensiunii alternative de la intrarea redresorului.
Factorul de formă F şi respectiv coeficientul de ondulaţie γ conform relaţiilor de definire
ale acestor parametrii vor fi:
U de π π
F= = U⋅ = ≅ 1,11
U dm 2⋅ 2 ⋅U 2⋅ 2 (9.30)
γ = F 2 − 1 = 1,112 − 1 ≅ 0,48
şi se observă că valorile acestor parametri sunt superioare valorilor corespunzătoare obţinute
pentru redresorul monoalternanţă, deci calitativ un redresor dublă alternanţă este mai bun decât
un redresor monoalternanţă.
Pentru determinarea randamentului este necesară calcularea puterii utile Pu şi a puterii
absorbite Pa, acestea fiind:
1 8⋅ U2
Pu = U dm ⋅ I dm = R S ⋅ I dm 2 = R S ⋅ ⋅ (9.31)
(R i + R S )2 π2
2π π
1 1 2 ⋅ U2 U2
∫ ( ) ( )
π ∫0 R i + R S
2
Pa = uidωt = ⋅ sin ω t ⋅ d ω t = (9.32)
π 0
Ri + RS
Astfel că randamentul conversiei rezultă:
Pu ⎛⎜ 1 8 ⋅ U 2 ⎞⎟ R i + R S 8 RS 8 1
η= = RS ⋅ ⋅ 2 ⋅ = 2⋅ = ⋅ (9.33)
Pa ⎝⎜ (R i + R S ) π ⎠ U
2 ⎟ 2
π Ri + RS π Ri +1
RS
şi se observă că dacă Ri << RS se poate neglija raportul celor două rezistenţe şi se obţine un
randament η ≅ 81 % iar în cazul în care nu se poate neglija rezistenţa internă a redresorului Ri în
raport cu rezistenţa de sarcină RS, adică rezistenţa de sarcină are o valoare mică se obţine un
randament η < 80 %, deci un randament conversiei monoalternanţă.
Analizând indicatorii de performanţă calculaţi pentru acest redresor se constată că
performanţele acestuia sunt superioare redresorului monoalternanţă având însă dezavantajul că
utilizează două sau patru elemente redresoare (diode). Astfel de scheme se utilizează pentru
71
puteri mai mari şi pentru consumatori mai pretenţioşi în ceea ce priveşte calitatea tensiunii
redresate.
Pentru alegerea diodelor redresoare se ţine seama de valoarea maximă (de vârf) a tensiunii
inverse aplicate diodei şi egală cu valoarea de vârf a tensiunii din secundarul transformatorului
U max = 2 ⋅ U precum şi de valoarea curentului mediu prin diodă Idm. Aceste două valori sunt
utilizate pentru alegerea diodei pe baza datelor de catalog, astfel:
¾ Pentru redresorul dublă alternanţă cu priză mediană:
U RWM > 2 ⋅ U max
(9.34)
I 0 > I dm
¾ Pentru redresorul dublă alternanţă în punte
U RWM > U max
(9.35)
I 0 > I dm
Unde URWM reprezintă tensiunea repetitivă vârf – vârf maximă pe care o suportă dioda iar I0
reprezintă valoarea maximă a curentul pe care îl suportă de asemenea dioda. Valorile celor doi
parametrii sunt specificate în catalog de producător şi acestea nu pot fi depăşite fără a fi afectată
buna funcţionare a diodelor.
~ u, f U d = f (α ), f = 0 ωt
α α
72
trecerea prin 0 a tensiunii UAC. Dacă impulsul de deschidere furnizat de un circuit numit
dispozitiv de comandă pe grilă DCG apare după un timp reprezentat pe abscisă de unghiul α faţă
de momentul trecerii prin 0 a tensiunii , în funcţie de valoarea acestuia tiristorul va conduce o
porţiune mai mare sau mai mică din semialternanţa pozitivă, fig.9.4. Unghiul α se numeşte unghi
de deschidere al tiristorului
Considerând cazul unui redresor comandat monoalternanţă (fig.9.5.) şi considerând de
asemenea că la intrarea acestuia se aplică o tensiune alternativă de formă sinusoidală descrisă de
relaţia (9.7) se poate determina valoarea medie Udmα respectiv valoarea efectivă Udeα a tensiunii
redresate. Astfel valoarea medie va fi :
2π π π
1 2 ⋅U 2 ⋅ Um
U dmα = ∫ 2 ⋅ U ⋅ sin (ωt ) ⋅ d(ωt ) = ∫ sin (ωt ) ⋅ d(ωt ) = − cos(ωt ) =
2π 2π α 2π
α α (9.36)
2⋅U 2 ⋅U 2 ⋅U
= + ⋅ cos α = ⋅ (1 + cos α )
2π 2π 2π
şi se observă că această valoare depinde de unghiul de deschidere α şi de asemenea se observă că
pentru α = 0 ceea ce corespunde funcţionării redresorului comandat în aceleaşi condiţii ca şi
redresorul monoalternanţă cu diode valoarea medie a tensiunii redresate este:
2 ⋅U
U dm α = 0 = (1 + 1) = 2U (9.37)
2π π
similară relaţiei (9.12) pentru Ri << RS.
Valoarea medie a tensiunii redresate va putea fi reglată prin intermediul valorii unghiului
α între limitele:
⎧ max 2 ⋅U
⎪U dmα = U dm α=0 =
⎨ π (9.38)
⎪U min = U
⎩ dmα dm α =π = 0
1 ⎡1
π π⎤
1 ⎡
= U⋅
1 1
⋅ ⎢ ⋅ (ωt ) − ⋅ ⋅ sin (2ωt ) ⎥ = U ⋅ ⎢ (π − α ) − 1 (sin 2π − sin 2α )⎤⎥ = (9.39)
π ⎣⎢ 2 α 2 2 ⎥
α⎦ 2π ⎣ 2 ⎦
1 α sin 2α
= U⋅ − +
2 2π 4π
Şi se observă că şi valoarea efectivă este dependentă de valoarea unghiului de deschidere şi de
asemenea se observă că pentru α = 0 ceea ce corespunde funcţionării redresorului comandat în
aceleaşi condiţii ca şi redresorul monoalternanţă cu diode valoarea medie a tensiunii redresate
este:
1 U
U de α=0 = U = (9.40)
2 2
similară relaţiei (9.15) pentru Ri << RS.
73
Valoarea efectivă a tensiunii redresate va putea fi deci reglată prin intermediul valorii
unghiului α între limitele:
⎧ max U
⎪U deα = U de α =0 = 2
⎨ (9.41)
⎪U = U
min
⎩ deα de α = π = 0
74
Cap. 10
CIRCUITE PENTRU FILTRAREA TENSIUNII REDRESATE
După cum am văzut în urma redresării tensiunea continuă obţinută este continuă
numai prin faptul că nu îşi schimbă polaritatea dar ca formă sunt departe de forma ideală a
tensiunii continue având o formă pulsatorie. Pentru atenuarea acestor pulsaţii sunt utilizate
circuite de filtrare conectate după redresor.
Circuitele de filtrare a tensiunii redresate sunt realizate cu elemente de circuit
acumulatoare de energie (bobină, condensator) şi au rolul atenuării pulsaţiilor obţinute după
redresarea tensiunii alternative adică micşorarea factorului de ondulaţie.
10.1.Filtrul cu condensator
Ri Condensatorul C care este
iS
element acumulator de energie se
i iC montează în paralel cu sarcina căreia
~ Ud UC U S i se transmite tensiunea redresată şi
C filtrată. Astfel aceiaşi tensiune este
Rs
atât pe condensatorul de filtrare C cât
şi pe rezistenţa de sarcină RS. Schema
Fig.10.1. Filtrul cu condensator filtrului cu condensator este
prezentată în fig.10.1 în care Ri
reprezintă rezistenţa internă a circuitului de redresare formată din rezistenţa înfăşurării
secundare a transformatorului şi rezistenţa internă echivalentă a diodelor aflate în conducţie
pe o semialternanţă
Aplicând teorema II Kirchhoff se poate scrie:
U d = R ⋅ i + US (10.1)
Aplicând teorema I Kirchhoff se poate scrie:
i = i C + iS (10.2)
⎧ dU C dU S
⎪⎪i C = C ⋅ dt = C ⋅ dt
unde ⎨ (10.3)
⎪i S = U S
⎩⎪ RS
Înlocuind succesiv relaţiile (10.3) în relaţia (10.2) şi după aceea în relaţia (10.1) se
obţine:
⎛ dU U ⎞ dU R
U d = R ⋅ ⎜⎜ C ⋅ S + S ⎟⎟ + U S = R ⋅ C ⋅ S + US + US (10.4)
⎝ dt R S ⎠ dt R S
R + RS
După efectuarea calculelor şi prin împărţire cu cantitatea ≠ 0 se obţine
RS
succesiv
dU S R + R S
R ⋅C⋅ + ⋅ US = U d
dt RS
(10.5)
R ⋅ RS dU RS
⋅ C ⋅ S + US = ⋅ Ud
R + RS dt R + RS
75
Se introduc următoarele notaţii
⎧ R ⋅ RS
⎪ R + R ⋅ C = T − cons tan ta de timp a filtrului
⎪ S
⎨ (10.6)
⎪ R S = k − coeficientul de transfer
⎪⎩ R + R S
Astfel că relaţia (10.5) se poate scrie:
dU S
T⋅ + US = k ⋅ U d (10.7)
dt
şi aceasta reprezintă ecuaţia de funcţionare a filtrului cu condensator sau modelul matematic
al acestuia şi este o ecuaţie diferenţială liniară de ordinul I neomogenă în raport cu tensiunea
pe rezistenţa de sarcină US a cărei soluţie este:
t
−
US (t) = k ⋅ e T ⋅ U d (t) (10.8)
Adică tensiunea filtrată va urma
US sensul de variaţie al tensiunii redresate,
U d , US dar forma de variaţie va fi după o
Ud exponenţială având o întârziere dată de
valoarea constantei de timp T (fig.10.2).
Explicaţia fenomenului de
filtrare a tensiuni este dată prin faptul că
ωt condensatorul C se încarcă până la
Fig.10.2. Forma grafică a tensiunii după filtrare valoarea de vârf în porţiunea crescătoare
după care se descarcă peste sarcină în
porţiunea descrescătoare a tensiunii redresate Ud.
Pentru o bună filtrare constanta de timp trebuie să fie mai mare decât pulsaţia tensiunii
redresat, astfel că se obţine succesiv.
1 ⎫
T≥ ⎪
ω ⎪
1 ⎪ R + RS 1
T≥ ⎬ ⇒ C≥ ⋅ (10.9)
2πf ⎪ R ⋅ R S 2πf
R ⋅ Rs 1 ⎪
⋅C ≥
R + Rs 2πf ⎪⎭
Practic sunt necesare condensatoarea a căror capacitate se alege astfel încât să existe
1500 ÷ 3000µF pe fiecare amper de curent continuu.
76
Schema filtrului cu condensator este prezentată în fig.10.3 în care Ri reprezintă rezistenţa
internă a circuitului de redresare formată din rezistenţa înfăşurării secundare a
transformatorului şi rezistenţa internă echivalentă a diodelor aflate în conducţie pe o
semialternanţă
Aplicând teorema II Kirchhoff se poate scrie:
di S
U d = U R + U L + US = R i ⋅ iS + L ⋅ + US (10.10)
dt
Dar curentul serie iS poate fi scris în raport cu tensiunea pe rezistenţa de sarcină:
US
iS = (10.11)
RS
astfel că prin înlocuirea acestuia în relaţia (10.10) rezultă:
Ri L dU S ⎛ R ⎞ L dU S R + R S L dU S
Ud = ⋅ US + ⋅ + U S = ⎜⎜ + 1⎟⎟ ⋅ U S + ⋅ = ⋅ US + ⋅ (10.12)
RS R S dt ⎝ RS ⎠ R S dt RS R S dt
R + RS
Prin împărţire cu cantitatea ≠ 0 se obţine:
RS
RS L dU
⋅ Ud = ⋅ S + US (10.13)
R + RS R + R S dt
Se introduc următoarele notaţii
⎧ 1
⎪ R + R ⋅ L = T − cons tan ta de timp a filtrului
⎪ S
⎨ (10.14)
⎪ R S = k − coeficientul de transfer
⎪⎩ R + R S
Astfel că relaţia (10.13) se poate scrie:
dU S
T⋅ + US = k ⋅ U d (10.15)
dt
şi aceasta reprezintă ecuaţia de funcţionare a filtrului cu bobină sau modelul matematic al
acestuia şi este o ecuaţie diferenţială liniară de ordinul I neomogenă în raport cu tensiunea pe
rezistenţa de sarcină US similară ecuaţie (10.7) a cărei soluţie este:
t
−
US (t) = k ⋅ e T ⋅ U d (t) (10.16)
Adică tensiunea filtrată va urma sensul de variaţie al tensiunii redresate, dar forma de
variaţie va fi după o exponenţială având o întârziere dată de valoarea constantei de timp T.
Pentru o bună filtrare constanta de timp trebuie să fie mai mare decât pulsaţia tensiunii
redresat, astfel că se obţine succesiv.
1 ⎫
T≥ ⎪
ω ⎪
1 ⎪ 1
T≥ ⎬ ⇒ L ≥ (R + R S ) ⋅ (10.17)
2πf ⎪ 2πf
1s 1 ⎪
⋅L ≥
R + Rs 2πf ⎪⎭
77
Cap. 11
STABILIZATOARE DE TENSIUNE
Pentru valori mici ale curenţilor (<250mA) se pot utiliza stabilizatoare cu diode
Zener, dar pentru variaţii mari se utilizează scheme ce au un element de reglare şi care este de
regulă un tranzistor. Acesta este comandat prin intermediul unei mărimi proporţionale cu
mărimea de ieşire numită mărimea de reacţie.
∂US
= Ri (11.3)
∂iS U i =ct , T =ct
∂US
= ST
∂T US =ct , iS =ct
78
Dacă se neglijează variaţiile datorate temperaturii şi se consideră că curentul de
sarcină este dependent de tensiunea de sarcină şi de valoarea sarcinii:
∆US
∆iS = (11.5)
RS
se obţine:
1 R
∆US = ⋅ ∆U i − i ⋅ ∆US (11.6)
S RS
de unde:
∆U i ⎛ R ⎞
= K = S ⋅ ⎜⎜1 + i ⎟⎟ (11.7)
∆US ⎝ RS ⎠
relaţie ce reprezintă ecuaţia internă a stabilizatorului în care K este un parametru ala cestuia
denumit coeficient de stabilizare.
Parametrii definiţi prin relaţiile (11.3) şi (11.7) reprezintă parametrii de bază ai
stabilizatorului în funcţie de care se apreciază performanţele acestuia şi la cere se adaugă un
coeficient CT denumit coeficient de temperatură pentru aprecierea comportării la variaţii de
temperatură:
uS ST
CT = (11.8)
US
US α Performanţele unui stabilizator sunt cu atât mai
tgα = Ri bune cu cât coeficientul de stabilizare are valori mai mari
iar rezistenţa internă şi coeficientul de temperatură au
iS valori mai mici.
Caracteristica de curent denumită şi caracteristică
Fig.11.2. Caracteristica externă externă a stabilizatorului de tensiune este prezentată în
fig.11.2
79
Presupunând că apar variaţii ale tensiunii ∆U pe rezistenţa de sarcină în jurul valorii
constante impuse U SC , rezultă:
U BE = U Z − U SC ± ∆U (11.10)
şi deci aceste variaţii se transmit tensiunii bază – emitor UBE a tranzistorului
U BE m ∆U = U Z − U SC (11.11)
astfel încât sensurile de variaţie sunt opuse pentru cele două tensiuni, US şi UBE adică pentru o
creştere a tensiunii US cu cantitatea ∆U tensiunea UBE scade cu aceiaşi cantitate ∆U şi invers.
Se spune că cele două mărimi sunt în antifază.
Ştiind că între curentul de emitor IE şi tensiunea UBE există relaţia (vezi subcap.4.4):
U BE
I E = Ii ⋅ (11.12)
UT
rezultă că variaţiile tensiunii UBE se vor regăsi în variaţii ale curentului IE având aceleaşi
sensuri de variaţie.
Deoarece (I E = i S ) şi tensiunea US poate fi scrisă în raport de curentul prin rezistenţa
de sarcină RS se obţine:
U S = R S ⋅ iS = R S ⋅ I E (11.13)
ceea ce înseamnă că se realizează compensarea variaţiilor de tensiune pe rezistenţa de sarcină
prin variaţia inversă a curentului transmis acesteia.
Se poate rezuma funcţionarea stabilizatorului prin următorul algoritm:
U S ↓ ⇒ U BE ↑ ⇒ (I E = i S ) ↑⇒ U S = (R S ⋅ i S ) ↑
(11.14)
U S ↑ ⇒ U BE ↓⇒ (I E = i S ) ↓⇒ US = (R S ⋅ i )S ↓
Pentru determinarea valorii rezistenţei R se aplică teorema I şi teorema II Kirchhoff pe
circuitul de intrare şi se pot scrie relaţiile:
i1 = I B + I Z ⎫
⎪ ui − UZ
u i = R ⋅ i1 + U Z ⎬ ⇒ R= (11.15)
i
i S = I E = (β + 1) ⋅ I B ⎪⎭ IZ + S
β +1
Pentru tranzistorul T de putere se impun următoarele restricţii :
I E max > i s max
U CE max > u i max − U z (11.16)
Pmax > (u i max − U z ) ⋅ i s max
unde IEmax, UCEmax şi Pmax reprezintă valorile maxim admisibile pentru curentul de emitor,
tensiunea colector – emitor şi respectiv puterea disipată pentru tranzistor iar iSmax şi uimax
reprezintă valorile maxime ce pot apărea în timpul funcţionării pentru curentul cerut de
sarcină şi respectiv tensiunea de la intrare.
Această schemă de stabilizare este simplă ca structură dar are dezavantajul că
realizează comparaţia cu întreaga valoare a tensiunii stabilizate US care poate avea variaţii
mari ceea ce determină şi variaţii corespunzătoare mari ale tensiunii UBE astfel încât se pot
depăşi limitele de funcţionare normale ale tranzistorului T.
80
11.3. Stabilizatoare de tensiune cu amplificator de eroare
Pentru eliminarea acestui dezavantaj se utilizează o schemă prin intermediul căreia
comparaţia se va face cu fracţie a tensiunii stabilizate obţinută printr-un divizor de tensiune.
Schema acestui stabilizator numit stabilizator cu amplificator de eroare care se completează şi
cu un circuit de protecţie la supracurent este prezentată în fig.11.4.
T1 r
IE1 iS
R2 U BE 2 R4
R1 T2
I1 I B1
I C3 US
R3
ui IB3
T3
ε = U BE 3 R5
UR
UZ
81
Aplicând teorema I Kirchhoff în baza tranzistorului T1 se poate scrie:
I B1 = I1 − I C3 = I1 − β3 ⋅ I B3 (11.19)
Deci curentul în baza tranzistorului T1 care este şi tranzistorul regulator este în
antifază cu curentul din baza tranzistorului T3 adică prin extrapolare în antifază cu tensiunea
stabilizată US ceea ce înseamnă că pentru creşteri sau scăderi ale tensiunii US curentul IB1 se
modifică în sens invers adică scade sau creşte corespunzător relaţiei dintre cele două mărimi.
Dacă se neglijează curentul prin rezistenţa de polarizare a diodei Zener şi curentul în
baza tranzistorului T2 rezultă că I E1 = i S unde IE1 este curentul de emitor al tranzistorului T1
iar iS este curentul transmis sarcinii.
Pentru tranzistorul T1 conform ecuaţiilor de funcţionare şi având în vedere relaţia
dintre curentul de emitor al acestuia şi curentul de sarcină şi relaţia (11.19) rezultă:
I E1 = i S = (β1 + 1) ⋅ I B1 ≅ β1 ⋅ I B1 = β1 ⋅ I1 − β1 ⋅ β 3 ⋅ I B3 (11.20)
Din relaţia (11.20) se observă că orice variaţie a tensiunii stabilizate US care determină
variaţii în acelaşi sens pentru curentul IB3 vor fi compensate prin variaţia în sens opus a
curentului de sarcină.
Schema de stabilizare cu amplificator de eroare prezintă două avantaje majore:
1. comparaţia nu se realizează cu întreaga valoare a tensiunii stabilizate ci numai cu o fracţie
a acesteia conform relaţiei (11.17);
2. variaţii foarte mici ale tensiunii stabilizate US cărora le corespund variaţii de asemenea
foarte mici ale curentul IB3 vor fi sesizate deoarece conform relaţiei (11.20) aceste variaţii
vor fi multiplicate cu produsul coeficienţilor de transfer în curent β1 ⋅ β3 fiecare dintre
aceştia având valori mari.
Prin intermediul tranzistorului T2 şi al rezistenţei r se asigură protecţia la supracurent. Se
ştie că tensiunea bază – emitor de deschidere a tranzistorului este U BE 2 = (0,6K 0,7 ) V şi
dacă se impune o valoare i L = i S de limitare a curentului rezultă succesiv:
U BE 2 = r ⋅ i L
U BE 2 0,7 (11.21)
r= =
iL iL
deci prin alegerea valorii rezistenţei r conform relaţiei
uS (11.21) pentru o valoare impusă a curentului de limitare
US se atinge valoarea tensiunii de deschidere a tranzistorului
T2. Prin circuitul emitor – colector al acestuia baza
tranzistorului regulator T1 va fi conectată la un potenţial
negativ, joncţiunea emitorului acestui tranzistor va fi
polarizată invers astfel că tranzistorul regulator se
blochează şi curentul de emitor al acestuia identic cu
iS
curentul cedat sarcinii devine nul.
ISC iL
Caracteristica externă a stabilizatorului în cazul în
Fig.11.2. Caracteristica externă care acesta este prevăzut şi cu limitarea curentului este
pentru protecţie la supracurent prezentată în fig.11.5.
82
Cap. 12
AMPLIFICATOARE ELECTRONICE
83
¾ clasa A: P.S.F. se află la mijlocul zonei active astfel că vor fi amplificate la fel
ambele semialternanţe ale semnalului de intrare;
¾ clasa B: P.S.F. se află în zona de saturaţie sau în zona de blocare (B sau B’) astfel că
vor fi amplificate doar semialternanţele negative respectiv pozitive;
¾ clasa C: intermediară claselor A şi B.
IC
Ec
Rc IC IC
B
ωt
A
ωt
B' U CE
Clasa A
Clasa B
84
poate defini numai pentru amplificatoarele liniare (amplificatoare la care semnalul de intrare este
sinusoidal şi care lucrează în clasa A de amplificare). În raport cu natura parametrului faţă de care
se calculează factorul de amplificare sau amplificarea poate fi în tensiune AU, în curent AI sau în
putere AP, definite astfel:
ue ie Pe u e ⋅ i e
AU = , AI = , AP = = (12.2)
ui ii Pi u i ⋅ ii
Se poate utiliza în locul amplificării o mărime logaritmică echivalentă denumită câştig G,
exprimată în decibeli (dB) şi definită pe baza amplificării prin relaţia:
A G U ,.I [dB] = 20 ⋅ lg A U ,I
(12.3)
A0 G P [dB] = 100 ⋅ lg A P
A0 Mărimea amplificare A, din relaţia (12.3)
2 se poate înlocui cu oricare din amplificările AU,
0,707 ⋅ A 0
AI respectiv AP din relaţia (12.2).
B
Pentru stabilirea benzii de frecvenţă se
consideră că funcţionarea amplificatorului este
fi f0 fS corespunzătoare dacă puterea la ieşirea acestuia
Fig.12.3. Variaţia amplificării cu frecvenţa Pe nu scade sub jumătate din puterea Pe0
corespunzătoare mijlocului benzii (fig.12.3)
Pe 1
=
Pe 0 2
(12.4)
1
G P [dB] = 10 ⋅ lg A P = 10 ⋅ lg = −3 dB
2
Considerând frecvenţele inferioară fi şi superioară fS corespunzător cărora amplificarea
scade cu 3dB, între aceste două limite se defineşte banda de frecvenţă, B.
B = fS − fi (12.5)
85
+ Ec
R C2
R1 R C1 R3
C C1 CC2
CB1 T2
T1
I2
I1 U2
G R2 R e1 R 4 R e2
Ce2
U1 C e1 RS
Cele două etaje de amplificare sunt realizate cu tranzistorii T1 respectiv T2 iar cuplajul
dintre cele două etaje este realizat cu condensatorul CC1. Condensatoarele CB1 şi CC2 asigură
cuplajul cu sursa de semnal reprezentată de generatorul G respectiv cu sarcina. Aceste
condensatoare au rolul de blocare a curentului continuu astfel încât curenţii de polarizare pentru
tranzistori să fie dependenţi numai de circuitele de polarizare ale fiecărui tranzistor în parte.
Rezistenţele formează circuitele de polarizare pentru tranzistorii T1 respectiv T2.
Pentru analiza primului etaj se consideră cel de-al doilea ca fiind sarcina primului şi se
înlocuieşte cu RS ce reprezintă rezistenţa de intrare a celui de-al doilea etaj. Se consideră de
asemenea că valoarea tensiunii furnizată de sursa G este suficient de mică astfel încât să se poată
considera amplificatorul ca fiind de semnal mic şi pentru analiza acestuia să se poată utiliza
ecuaţiile cu parametrii hibrizi:
⎧U1 = h11 ⋅ I1 + h12 ⋅ U 2
⎨ (12.6)
⎩I 2 = h 21 ⋅ I1 + h 22 ⋅ U 2
La aceste ecuaţii se adaugă ecuaţia corespunzătoare căderii de tensiune U2 pe rezistenţa de
sarcină a etajului de amplificare
U 2 = −R S ⋅ I 2 (12.7)
În ecuaţia (12.7) semnul “ - ” reprezintă proprietatea unui etaj de amplificare cu un
tranzistor de a introduce un defazaj de 180o a semnalului de ieşire faţă de semnalul de intrare,
adică cele două semnale de intrare şi de ieşire sunt în antifază.
Analiza amplificatorului înseamnă calculul parametrilor definiţi în subcapitolul anterior
astfel pentru calculul amplificării în curent AI, prin înlocuirea tensiunii U2 conform relaţiei (12.7)
în ecuaţia a doua din sistemul de ecuaţii cu parametrii hibrizi (12.7), rezultă succesiv:
I 2 = h 21 ⋅ I1 + h 22 ⋅ U 2 = h 21 ⋅ I1 − h 22 ⋅ R S ⋅ I 2
(12.8)
I 2 ⋅ (1 + h 22 ⋅ R s ) = h 21 ⋅ I1
86
Rezultă astfel amplificarea în curent:
I2 h 21
AI = = (12.9)
I1 1 + h 22 ⋅ R S
Pentru calculul amplificării în tensiune se explicitează curentul I1 în funcţie de tensiunea U2:
1 + h 22 ⋅ R S 1 + h 22 ⋅ R S U 2
I1 = ⋅ I2 = − ⋅ (12.10)
h 21 h 21 RS
şi prin înlocuirea acestuia în ecuaţia a doua din sistemul de ecuaţii cu parametrii hibrizi (12.7),
rezultă succesiv:
h11 ⋅ (1 + h 22 ⋅ R S ) U 2 ⎛ h + h ⋅h ⋅R ⎞
U1 = − ⋅ + h12 ⋅ U 2 = U 2 ⋅ ⎜⎜ h12 − 11 11 22 S ⎟⎟ =
h 21 RS ⎝ h 21 ⋅ R S ⎠ (12.11)
h ⋅ h ⋅ R − h11 − h11 ⋅ h 22 ⋅ R S
= 12 21 S ⋅ U2
h 21 ⋅ R S
După efectuarea calculelor şi gruparea termenilor rezultă:
− h11 + (h12 ⋅ h 21 − h11 ⋅ h 22 ) ⋅ R S
U1 = ⋅ U2 (12.12)
h 21 ⋅ R S
astfel că amplificarea de tensiune va fi:
U2 − h 21 ⋅ R S ⎫
AU = = ⎪ U2 − h 21 ⋅ R S
U1 h11 − (h12 ⋅ h 21 − h11 ⋅ h 22 ) ⋅ R S
⎬ ⇒ AU = = (12.13)
⎪ U1 h11 − ∆h ⋅ R S
h12 ⋅ h 21 − h11 ⋅ h 22 = ∆h ⎭
există situaţii în care cantitatea ∆h se neglijează astfel că amplificarea în tensiune se poate
aproxima:
h 21 ⋅ R s β⋅ Rs
Pentru ∆h ≅ 0 ⇒ AU = − =− (12.14)
h11 h11
Amplificarea în putere AP se obţine prin produsul amplificărilor în curent şi tensiune:
AP = AI ⋅ AU (12.15)
În mod similar se pot calcula şi impedanţele de intrare şi respectiv de ieşire, astfel pentru
impedanţa de intrare Zi se obţine:
h11 + ∆h ⋅ R s' RC ⋅ RS
Zi = unde R s' = R c R s = (12.15)
1 + h 22 ⋅ R s' RC + RS
iar pentru impedanţa de ieşire se obţine:
h11 + R 'g RG ⋅RB
Zi = unde R 'G = R G R B = (12.16)
h 22 ⋅ R 'g + ∆h RG + RB
87
Amplificarea globală a unui lanţ de amplificatoare este egală cu produsul amplificărilor
fiecărui etaj în parte, iar pentru amplificarea de tensiune semnalul amplificat în final va avea
amplitudinea cel mult egală cu valoarea tensiunii de alimentare.
88
Rc
k = η⋅ (12.17)
Rs
TD TE
R e1
y Dif
2 y
u
y
R e2 2
T2
b
a
Fig.12.7. Amplificator de putere în clasa B în contratimp
Pe înfăşurarea primară a transformatorului de ieşire TE (Tr2) rezultă pe fiecare
semialternanţă semnalul amplificat y/2 ce vor fi însumate în secundar rezultând semnalul de
ieşire ce se aplică difuzorului sau unui alt element de execuţie.
O astfel de schemă de amplificare reprezintă schema unui amplificator în clasă B în
contratimp (push-pull).
89
Transformatorul defazor
poate fi înlocuit cu scheme realizate
cu tranzistori care se îndeplinească
aceiaşi funcţie adică să genereze două
semnale în antifază dar identice ca
formă, amplitudine şi frecvenţă cu
semnalul de intrare.
Înlocuirea se poate face cu
un singur tranzistor de la cere
semnalele în antifază se culeg din
colectorul respectiv emitorul
acestuia, fig.12.8
Fig.12.8. Generarea semnalelor în antifază Transformatorul defazor TD
cu un singur tranzistor poate fi înlocuit cu două tranzistoare
complementare (fig.12.9) ce lucrează
ca repetor pe emitor T1 şi T2 astfel încât semialternanţele pozitive vor fi transmise prin T1, iar
cele negative prin T2 şi vor fi amplificate de T2 şi respectiv T4. transformatorul de ieşire TE este
înlocuit cu un condensator de mare capacitate Cc.
T1
T3
CB
Dif
u y
T4
T2
90
Blocul comparator realizează compunerea cu semn a semnalului de intrare u şi a
semnalului de reacţie ur mărimea rezultantă a acestei compuneri fiind semnalul eroare ε.
ε = u ± ur (12.18)
Blocul amplificator realizează amplificarea semnalului de intrare ε cu factorul de
amplificare A iar blocul atenuator realizează atenuarea semnalului de intrare y cu factorul de
atenuare β.
y = A⋅ε
(12.19)
ur = β⋅ y
Având în vedere relaţiile (12.18) şi (12.19) se poate scrie succesiv:
ε = u ± β ⋅ y;
y = A ⋅ (u ± βy); y ⋅ (1 m β ⋅ A) = A ⋅ u (12.20)
A
y= ⋅u
1m β⋅ A
de unde rezultă amplificarea globală AU a amplificatorului cu reacţie şi variaţia amplificării dAU
y A
AU = = (12.21)
u 1m β ⋅ A
Dacă se consideră amplificarea A şi atenuarea β ca fiind mărimi complexe de
amplitudine A respectiv β şi fază φA respectiv φβ de forma:
A = A ⋅ e jϕA
jϕβ
(12.22)
β = β⋅e
Rezultă forma complexă a amplificării globale:
A ⋅ e jϕ A A ⋅ e jϕ A A ⋅ e jϕ A
AU = ( ) = 1 − β ⋅ A ⋅ e jϕ Σ = (12.23)
1− β ⋅ A ⋅ e
j ϕ A + ϕβ 1 − β ⋅ A ⋅ (cos ϕΣ + j ⋅ sin ϕΣ )
şi care va avea modulul:
A
AU = (12.24)
1 − 2 ⋅ β ⋅ A ⋅ cos ϕΣ + (βA )2
Din analiza relaţiei modului amplificării globale, în funcţie de defazajul global φΣ
introdus de amplificatorul de pe calea directă şi atenuatorul de pe reacţie, rezultă:
¾ dacă semnalul de intrare u şi semnalul de reacţie ur sunt în antifază adică:
ϕ Σ = (2 ⋅ k + 1) ⋅ π ⇒ cos ϕΣ = −1
reacţia se numeşte negativă şi valoarea reacţiei globale va fi:
91
y A
AU = =
u 1+ β⋅ A
(12.25)
dA
dA U =
(1 + β ⋅ A )2
¾ dacă semnalul de intrare u şi semnalul de reacţie ur sunt în fază adică:
ϕΣ = 2 ⋅ k ⋅ π ⇒ cos ϕΣ = 1
reacţia se numeşte pozitivă şi valoarea reacţiei globale va fi:
y A
AU = = (12.26)
u 1− β⋅ A
Pentru determinarea influenţei reacţiei asupra parametrilor amplificatorului din analiza
relaţiilor (12.25) şi (12.26) se observă că:
¾ amplificarea globală scade în cazul reacţiei negative;
¾ variaţiile amplificării globale sunt mult mai mici decât variaţiile amplificatorului fără
reacţie dA U << dA , deci reacţia negativă îmbunătăţeşte stabilitatea amplificatorului
¾ amplificarea globală creşte în cazul reacţiei pozitive
Dacă legătura inversă sau reacţia este practicată peste un singur etaj reacţia se numeşte
locală, iar dacă este practicată peste mai multe etaje, reacţia se numeşte globală.
Dacă mărimea de reacţie este proporţională cu o tensiune avem o reacţie de tensiune şi în
funcţie de mărimea de intrare cu care se face compararea poate fi reacţie de tensiune cu
comparare în
+ Ec tensiune sau reacţie
de tensiune cu
R C2 comparare în
R1 R C1 R 3 curent.
C C1 C C2
Un exemplu
de reacţie locală de
T1 T2 tensiune este cazul
polarizării
u y tranzistorului prin
R2 R e1 R4 Re
2 C e2 metoda de
C e1 polarizare cu
reacţie de colector.
Dacă
mărimea de reacţie
este proporţională
R5 C R6 cu curentul de la
ieşire este de curent
şi poate fi reacţie de
Fig.12.11. Amplificator cu reacţie globală curent cu
comparare în curent
sau reacţie de curent cu comparare în tensiune.
În fig.12.11 este prezentată schema de principiu a unui amplificator cu două etaje şi
reacţie globală realizată prin cvadripolul R6CR5,. Mărimea de reacţie este proporţională cu
92
tensiunea la ieşire, iar comparaţia este realizată în faza tranzistorului T1 (reacţie de tensiune cu
comparare în tensiune). La frecvenţe joase reactanţa capacitivă este foarte mare astfel că mărimea
de reacţie depinde numai de R5 şi R6. La frecvenţe înalte, reactanţa capacitivă scade, deci scade şi
mărimea de reacţie astfel că amplificarea creşte având ca efect o mărire a benzii de trecere a
amplificatorului. Deci reacţia negativă, pe lângă îmbunătăţirea stabilităţii amplificatorului
realizează şi o mărire a benzii de trecere a acestuia.
IC R C2
R C1
R3
R1 IB
T1 T2
I1 U BE
y
u R E1 y1 R4
R2 R E2
I2 IE
93
I1 = I 2 + I B
(12.28)
IE = IC + IB I B <<IC
≅ IC = β ⋅ IB
Prin înlocuire în relaţia 1 din ecuaţiile (12.27) rezultă succesiv expresia curentului I2:
u = R1 ⋅ I2 + R1 ⋅ IB + R 2 ⋅ I2
1 (12.29)
I2 = ⋅ (u − R 1 ⋅I B )
R1 + R 2
Înlocuind expresia curentului I2 în relaţia 2 din ecuaţiile (12.27) şi ţinând seama de
relaţia 2 din ecuaţiile (12.28) se obţine o ecuaţie din care se poate explicita curentul de bază IB:
R2
⋅ (u − R 1 ⋅ I B ) = U BE + β ⋅ I B ⋅ R E
R1 + R 2
R2
⋅ u − U BE (12.30)
R1 + R 2
IB =
R ⋅R
β⋅RE + 1 2
R1 + R 2
Pentru determinarea expresiei mărimii de ieşire y1 se consideră ecuaţia corespunzătoare
aplicării teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector – emitor al tranzistorului T1 (relaţia 3 din
ecuaţiile (12.27)) în care se ţine seama de expresia curentului de colector, rezultând succesiv
E C = R C11 ⋅ β ⋅ I B + y1
R2
⋅ u − U BE
R1 + R 2
E C = β ⋅ R C1 ⋅ + y1 (12.31)
R1 ⋅ R 2
+β⋅RE
R1 + R 2
R2
⋅ u − U BE
R1 + R 2
y1 = E C − β ⋅ R C1
R1 ⋅ R 2
+β⋅RE
R1 + R 2
R2
Prin neglijarea valorii tensiunii UBE şi după împărţire cu se obţine:
R1 + R 2
u
y1 = E C − β ⋅ R C1 ⋅ (12.32)
R2
R1 + β ⋅ R E ⋅
R1 + R 2
Astfel că amplificarea definită variaţia mărimii de ieşire y1 în raport cu variaţia mărimii
de intrare va fi:
94
dy1 R C1
AU = = −β ⋅ (12.33)
du R2
R1 + β ⋅ R E ⋅
R1 + R 2
Pentru stabilirea modalităţilor de creştere a amplificării conform relaţiei se identifică
două cazuri particulare:
95
Pentru determinarea coeficientului de transfer în curent β al montajului Darlington
pentru configuraţia curenţilor din fig.12.14 se scriu pe baza ecuaţiilor de funcţionare ale
tranzistorului următoarele relaţii:
I C1 = β1 ⋅ I B1 = β1 ⋅ I B ⎫
⎪
I E1 = I B 2 = (β1 + 1) ⋅ I B1 = (β1 + 1) ⋅ I B ⎪
⎪
I C 2 = β 2 ⋅ I B 2 = (β 2 + β1 ⋅ β 2 ) ⋅ I B ⎬ ⇒ β = β1 + β 2 + β1 ⋅ β 2 (12.34)
I C = I C1 + I C 2 ⎪
⎪
I C = β ⋅ I B = (β1 + β 2 + β1 ⋅ β 2 ) ⋅ I B ⎪⎭
Având în vedere valori coeficienţilor β1 şi β2 se poate obţine deci un coeficientului de
transfer în curent foarte mare
R C1 ∆y R C2
R B1 R B2
T1 T2
y1 y2 u2
u1
R1 R E1 R E2 R2
RE
− EC
Fig.12.15. Schema de principiu a amplificatorului diferenţial
Realizarea unui astfel de amplificator impune ca cele două etaje trebuie să fie simetrice,
adică tranzistorii T1 şi T2 să aibă aceeaşi parametrii constructivi şi de asemenea să fie îndeplinite
condiţiile:
R C1 = R C 2 = R C
R B1 = R B 2 = R B (12.35)
R E1 = R E 2 = R E
96
Considerând îndeplinite condiţiile celui de-al doilea caz particular al unui amplificator de
curent continuu pentru fiecare etaj din structura amplificatorului diferenţial rezultă mărimile de
ieşire y1 şi y2 ale acestora conform relaţiilor
R C1
y1 = A U1 ⋅ u 1 = − ⋅ u1
R E1
(12.36)
R
y 2 = A U 2 ⋅ u 2 = − C2 ⋅ u 2
R E2
deoarece mărimea de ieşire a amplificatorului diferenţial este dată de diferenţa mărimilor
de ieşire ale celor două etaje, având în vedere şi condiţiile impuse prin relaţiile (12.35), rezultă:
R C1 R R R R
∆y = y1 − y 2 = − u 1 + C 2 u 2 = − C u 1 + C u 2 = − C (u 1 − u 2 )
R E1 R E2 RE RE RE (12.37)
∆y = A U ⋅ ∆u
Cum influenţele externe modifică simultan intrările u1 şi u2 cu aceeaşi cantitate, mărimea
de intrare ∆u rămâne constantă astfel că ieşirea nu va fi influenţată de variaţiile factorilor paraziţi.
Amplificatoarele diferenţiale se
+ construie sc, de regulă, sub formă integrată,
V
I−
ud
− fig.12.16, constituind
amplificatoarelor operaţionale.
baza realizării
97
Parametrul Valori uzuale Valori ideale
Amplificarea diferenţială, Ad 105 – 106 → ∞
Rezistenţa de intrare, Ri 106 Ω → ∞
Rezistenţa de intrare, Re 10 – 103 Ω
2
0
Curenţi de intrare, I+, I– 10-9 A 0
Rejecţia modului comun, CMR 60 – 100 dB → ∞
Tensiunea diferenţială de intrare, ud 10-5 V 0
−
− pentru amplificatoarele operaţionale acestea
fiind, în esenţă, bazate pe principiul
u i1 i AO
+ y amplificatoarelor diferenţiale la care se
utilizează reacţia negativă pe intrarea
inversoare prin impedanţa Z2 şi intrarea
neinversoare conectată de regulă la potenţialul
Fig.12.17. Principiul amplificatorului operaţional de referinţă (sursă), fig.12.17.
Dacă se consideră cazul ideal al
amplificatorului operaţional adică îndeplinite condiţiile:
A → ∞⎫ −
⎬ ⇒ i =0 (12.38)
Ri = 0 ⎭
adică pe intrarea inversoare curentul este nul şi de asemenea căderea de tensiune uiAO pe
rezistenţa de intrare Ri a amplificatorului va fi nulă u iAO = R i ⋅ i − identică tensiunii diferenţiale
de intrare pentru amplificatorul diferenţial ideal.
Prin aplicarea teoremei I Kirchhoff la intrarea inversoare şi a teoremei II Kirchhoff pe
circuitele de intrare şi de ieşire se pot scrie următoarele relaţii:
⎧ ⎫
⎪ ⎪
i1 + i 2 = i − = 0 ⎫ ⎪i1 = −i 2 ⎪
⎪ ⎪⎪ u ⎪ u y Z2
u = Z1 ⋅ i1 + u iAO = Z1 ⋅ i1 ⎬ ⇒ ⎨i1 = ⎬ ⇒ =− ⇒ y=− ⋅ u (12.39)
Z1 ⎪ Z1 Z2 Z1
y = Z 2 ⋅ i 2 + u iAO = Z 2 ⋅ i 2 ⎪ ⎪
⎭ ⎪ y ⎪
⎪i 2 = ⎪
⎪⎩ Z2 ⎭
Considerând a fi mărimi complexe atât impedanţele Z1 şi Z2 cât şi mărimile de intrare u
şi de ieşire z, aplicând transformata Laplace asupra relaţie de dependenţă y = f (u ) se obţine:
Z 2 (s)
Y(s) = − U(s) (12.40)
Z1 (s)
98
Relaţia (12.40) reprezintă ecuaţia operaţională a amplificatorului operaţional şi prin
particularizarea celor două impedanţe de pe calea de reacţie Z2(s) şi de la intrare Z1(s) se obţin
diverse funcţii matematice:
1. Sumator
R
n
∑U
R R
R Y (s) = − U i1 (s ) − U i 2 (s ) − K = (s )
u i1
R
− y
R R i =1
in
u i2 AO n
u i3 R + L−1
⎯⎯→ y = − ∑u
i =1
in
Fig.12.18. Sumator
2. Înmulţire cu o constantă (amplificator inversor)
R2
R1 Z1 = R 1
u
− y Z2 = R 2
AO
+ R2
y=− ⋅u
R1
4. Derivator
R
1
Z1 =
u C C ⋅s
− y Z2 = R
AO Y (s) = −RC ⋅ s ⋅ U (s)
+
du
y = − RC
dt
Fig.12.21. Derivator
99
5. Amplificator neinversor
Prin aplicarea teoremei I Kirchhoff pentru
u
+ y intrarea inversoare şi teorema II Kirchhoff pe
AO circuitele de intrare (a) şi de ieşire (b) se pot scrie
i−
− relaţiile:
R2 i 2 = i1 + i − ⎫ ⎧i1 = i 2
i2 ⎪ ⎪
a u = R 1 ⋅ i1 + u iA 0 ⎬ ⇒ ⎨u = R 1 ⋅ i1 (12.41)
i1 ⎪ ⎪
b y = R 2 ⋅ i 2 + R 1 ⋅ i1 ⎭ ⎩ y = R 2 ⋅ i 2 + R 1 ⋅ i1
R1
De unde prin înlocuiri se obţine dependenţa y = f (u ) :
R2 ⎛ R ⎞
y= ⋅ u + u = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ ⋅ u (12.42)
Fig.12.19. Amplificator neinversor R1 ⎝ R1 ⎠
100
Cap.13.
OSCILATOARE ELECTRONICE ŞI CIRCUITE DE IMPULSURI
101
În cazul realizării oscilatoarelor cu reţeaua de reacţie de tip circuit LC îndeplinirea
condiţiei ca aceasta să realizeze un defazaj de 180o se poate realiza printr-o priză de bobină şi
se obţine schema de oscilator Hartley (fig.13.2) sau printr-o priză pe condensator şi se obţine
schema de oscilator Colpitts (fig.13.3).
+ EC + EC
R1 CC R1 CC
CB CB
y y
RE CE CE
R2 R2 RE
Reţea de L1 Reţea de C1
C L
reacţie reacţie
L2 C2
1 1 C1 ⋅ C 2
f= ; L = L1 + L 2 f = ; C=
2⋅π⋅ L⋅C 2 ⋅ π ⋅ LC C1 + C 2
102
În fig.13.5. este
prezentată schema de
realizare practică a unui
oscilator sinusoidal cu
reţea RC şi cristal de cuarţ
având frecvenţa de
oscilaţie:
1
f=
CQ ⋅ CP
2 ⋅ π ⋅ LQ ⋅
CQ + C P
unde LQ şi CQ reprezintă
parametrii cristalului de
cuarţ adică inductanţa şi
capacitatea acestuia iar CP
reprezintă capacitatea
dintre electrozii plani între
care se află cristalul, Fig.13.5. Oscilator sinusoidal cu reţea RC şi cristal de cuarţ
confom schemei
echivalente a cristalului de cuarţ prezentată în fig.13.6.
CS LQ rQ
CQ
CP
103
când tensiunea acumulată pe C1 este
+ E C suficientă, T2 se va satura punând la
R1 masă baza lui T1 care se va bloca. Acum
R C1 R2 R C2 C2 se încarcă prin R2, polaritatea
C1 C2
pozitivă fiind aplicată bazei lui T1. După
un timp, când tensiunea pe C2 este
suficientă, T1 se va deschide şi T2 se va
T1 T2 y bloca revenind astfel la starea iniţială.
y
Fenomenul de basculare (trecerea din
blocat în saturat şi invers a celor două
tranziţii) se continuă atâta timp cât
circuitul este sub tensiune. Se obţin la
Fig.13.7. Circuit basculant astabil cele două ieşiri semnalele
cu componente discrete complementare y şi y având forma de
undă prezentată în fig.13.8.
t
t1 t2 t1 ≅ 0,69 ⋅ R1 ⋅ C1
y
t 2 ≅ 0,69 ⋅ R 2 ⋅ C 2
(13.7)
T = t1 + t 2
t
1
f=
T T
104
se observă că depind de elementele schemei circuitului basculant astabil.
Circuite basculante astabile pot fi realizate şi cu utilizare unor circuite integrate cum
este cazul circuitului E555.
Circuitul basculant astabil este realizat cu circuitul integrat E555 utilizat într-o
conexiune de oscilator de relaxare.
Conexiunea de oscilator de relaxare (astabil) se obţine prin conectarea împreunã a
celor doua intrări de pe condensatorul C (fig.13.9).
Condensatorul C se încarcă de la sursa de alimentare V+ prin rezistentele RA şi RB
(tranzistorul de descărcare blocat).În momentul când tensiunea pe condensator atinge pragul
de sus (0,66 V+) schema basculează şi tranzistorul de descărcare se saturează.
Condensatorul C se descarcã prin rezistenta RB la masa. În momentul în care tensiunea
pe condensatorul C atinge nivelul pragului
VC
de jos (0,33 V+) schema rebasculeazã ,
0,66 V+
tranzistorul de descărcare se blochează şi ca
urmare , se reia procesul de încărcare. În
0,33 V+ t consecinţă, tensiunea pe condensatorul C va
evolua între 0,33 V+ şi 0,66 V+ după o lege
VO exponenţiala. În acelaşi timp, tensiunea de
ieşire din circuitul integrat ∃E555 fiind
impusã de starea circuitului basculant intern
t (CBB) va comuta între doua nivele , unul
coborât (VCESAT) iar celãlalt ridicat (V+ -
t1 t 2
2VBE).
T Variaţia în timp a tensiunii pe
condensator VC şi a tensiunii de ieşire este
Fig.13.10. Diagrama tensiunilor redatã în fig.13.10.
Calculul perioadei de oscilaţie pleacă
de la relaţia care descrie încărcarea unui condensator printr-o rezistentã de la o sursã de
tensiune:
⎛ − 1 ⎞
t
VC = (VCf − VCi ) ⋅ ⎜1 − e τ ⎟ + VCi (13.8)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
relaţie în care s-au utilizat următoarele notaţii:
- VC -tensiunea pe condensator
- VCf -tensiunea finalã la care se încarcă condensatorul după un timp infinit (tensiunea de
alimentare)
- VCi -tensiunea iniţială de pe condensator
- τ -constanta de timp de încărcare
În cazul schemei din fig.13.9. durata de încărcare t1 rezultă din ecuaţia :
⎛ t1 ⎞
( )
−
+ + ⎜ +
0,66 ⋅ V = V − 0,33 ⋅ V ⋅ 1 − e (R A + R B )⋅C ⎟
(13.9)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
cu soluţia:
t 1 = (R A + R B ) ⋅ C ⋅ ln 2 ≅ 0,69 ⋅ (R A + R B ) ⋅ C (13.10)
Descărcarea condensatorului prin rezistenţa RB este descrisã de relaţia :
105
t2
VC = VCi ⋅e τ (13.11)
din care rezultã pentru durata de descărcare t2, relaţia:
t 2 = R B ⋅ C ⋅ ln 2 ≅ 0,693 ⋅ R B ⋅ C (13.12)
cu soluţia:
t2
−
+ + R B ⋅C
0,33 ⋅ V = 0,66 ⋅ V ⋅ e (13.14)
Perioada oscilaţiei T, va fi dată de suma celor doua durate de încărcare , respectiv de
descărcare T = t1 + t2 adică:
T = 0,693 ⋅ (R A + R B ) ⋅ C + 0,693 ⋅ R B C = 0,693 ⋅ (2 ⋅ R B + R A ) ⋅ C (13.15)
iar frecvenţa oscilaţiei f va fi:
1 1,442 1 1
f= ≅ ⋅ = k⋅ (13.16)
T 2⋅RB + RA C C
unde:
1,442
k= (13.17)
2 ⋅R B + R A
106
funcţionării circuitelor basculante astabile.
Dacă pe intrarea de comandă u se aplică potenţial pozitiv corespunzător se deschide T1
şi se blochează T2. Cei doi tranzistori rămân în această stare şi după ce potenţialul intrării u se
anulează şi chiar dacă pe această intrare se aplică din nou potenţial pozitiv corespunzător.
Aceasta este starea cvasistabilă şi trecerea în starea stabilă se realizează numai după ce
tensiunea pe condensatorul C este suficientă ca să deschidă tranzistorul T2 care îl bloca
tranzistorul T1. Circuitul rămâne în această stare (stare stabilă) până când se aplică un nou
potenţial pozitiv corespunzător pe intrarea u.
Diagrama de semnale ce caracterizează funcţionarea circuitului basculant monostabil
este prezentată în fig.13.10.
Durata stării instabile este determinată de timpul de încărcare al condensatorului C,
care se încarcă prin rezistenţa R şi timpul de încărcare reprezintă constanta de timp a grupului
RC , adică
t ≅ 0,69 ⋅ R ⋅ C (13.18)
107
1
y (t ) = ⋅E⋅t (13.21)
RC
Metodele practice de obţinere a acestei tensiuni constau în utilizarea de tranzistori
bipolari sau de circuite integrate cum ar fi E555. Schema de principiu şi diagrama de semnale
a unui generator de tensiune liniar variabilă cu tranzistor bipolar este prezentată în fig.13.12.a
respectiv fig.13.12.b.
u
+E
E
t
R I
ti
R1 T
y y
C
u U CE U CEsat Um
R2 t
RL
tU tR
a) b)
Fig.13.15. Principiu generatorului de tensiune liniar variabilă
Se consideră că în momentul iniţial tranzistorul T este saturat, condensatorul C
descărcat iar la intrare se aplică semnalul u care va avea valoarea u = E ce va ţine tranzistorul
saturat. Deoarece tranzistorul este saturat tensiunea pe condensator care este aceeaşi cu
tensiunea colector – emitor a tranzistorului UCE va fi egală cu valoarea de saturaţie a acesteia
UCEsat. Când semnalul de intrare va face saltul de la u = E la u = 0 tranzistorul se va bloca
astfel că dacă se neglijează curentul de colector al acestuia întreg curentul dat de sursa +E şi
limitat de rezistenţa R va determina încărcarea condensatorului C. Începutul fenomenului de
încărcare al condensatorului este întârziat faţă de momentul saltului semnalului de comandă u
de la valoarea E la valoarea 0 cu intervalul de timp ti acesta reprezentând timpul necesar
realizării comutaţie inverse a tranzistorului. După revenirea mărimii de comandă prin salt de
la u = 0 la u = E tranzistorul se va satura astfel că în paralel cu rezistenţa echivalentă RE va
apare şi o rezistenţa virtuală a circuitului colector – emitor şi care în cazul tranzistorului
saturat va fi foarte mică. Condensatorul se va descărca deci pe o rezistenţa echivalentă R 'E .
RE Rezistenţa RL constituie
R 'E
rezistenţa de sarcină şi aceasta prin
intermediul sursei de alimentare +E
E i C y i C y va fi conectată în paralel cu
rezistenţa R formând cu aceasta
rezistenţa echivalentă RE.
a) b) R ⋅RL
Fig.13.16. Încărcarea şi descărcarea condensatorului RE = (13.22)
R + RL
Astfel circuitul de încărcare al condensatorului va fi cel
prezentat în fig.13.16.a. iar circuitul de descărcare al acestuia va fi cel din fig.13.16.b. ţinând
seama de stările blocat şi respectiv saturat ale tranzistorului T.
Aplicând teorema II Kirchhoff pe circuitul din fig.13.16.a. se poate scrie:
E = RE ⋅i + y (13.23)
108
dar se ştie că tensiunea pe condensator este:
dU C dy
iC = i = C ⋅ = C⋅ (13.24)
dt dt
astfel că rezultă prin înlocuire în relaţia (13.23) se obţine:
dy
E = RE ⋅C⋅ +y (13.25)
dt
care este o ecuaţie diferenţială neomogenă de ordinul I a cărei soluţie analitică va fi:
⎛ −
t ⎞
⎜
y = E ⋅ 1− e R E ⋅C ⎟
(13.26)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
şi care va reprezenta ecuaţia de variaţie a mărimii de ieşire pe durata de timp tU.
Deci tensiunea la ieşire y creşte exponenţial astfel că după timpul tU valoarea mărimii
de ieşire va fi y = Um şi se poate astfel, determina valoarea constantei de timp de încărcare
τ = R E ⋅ C utilă pentru stabilirea valorilor rezistenţei echivalente RE şi a capacităţii C pentru
ca eroarea de neliniaritate ∆U m să fie cât mai mică astfel ca exponenţială să poată fi
aproximată cu o dreaptă pe domeniul definit de timpul tU:
⎛ − U ⎞⎫
t
⎜
Um = E ⋅ 1− e R E ⋅C ⎟ ⎪
⎜ ⎟⎪ t
⎝ ⎠⎬ ⇒ − U = ln (E − U m ) ⇒ R E ⋅ C = t U ⋅ ln (E − U m ) (13.27)
t ⎪ RE ⋅C
− U
e R E ⋅C = E − U m ⎪
⎭
Scriind teorema II Kirchhoff pe circuitul din fig.13.16.a echivalent circuitului de
descărcare al condensatorului rezultă:
0 = R 'E ⋅ i + y (13.28)
şi ţinând seama de relaţia (13.24) se obţine:
dy
R 'E ⋅ C ⋅ +y=0 (13.29)
dt
care este o ecuaţie diferenţială omogenă de ordinul I a cărei soluţie analitică va fi:
⎛ − 't ⎞
y = U m ⋅ ⎜ e R E ⋅C ⎟ (13.30)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
şi care va reprezenta ecuaţia de variaţie a mărimii de ieşire pe durata de timp de revenire tR.
Ţinând seama de valoarea rezistenţei echivalente R 'E de descărcare a condensatorului care
este mică se obţine un timp de descărcare astfel încât să se poată realiza condiţia t R << t U
109