CIRCUITE INTEGRATE

Circuitele integrate bipolare sunt realizate prin tehnologia bipolar (figura 15.3).
Componentele cele mai importante ale CI bipolare sunt tranzistoarele (figura 15.7) care, ca și
componentele discrete, pot fi de tip npn si pnp. Deoarece electronii (purtătorii de sarcină în
tranzistorii npn) au o mobilitate mult mai mare decât găurile (purtătorii de sarcină din
tranzistorii pnp) rezultă că tranzistorii npn vor avea caracteristici electrice (amplificare, timp de
răspuns) mai bune, fiind în consecință mai utilizați. Un tranzistor într-un CI bipolar în afară de
contactele bazei, emitorului și colectorului, conține regiuni de izolare față de alte component
ale circuitului și un strat ingropat pentru a asigura o cale mai conductivă între colector-bază-
emitor (fig. 15.7, a). Circuitele integrante bipolare sunt pasivate deseori cu un strat de pasivare
secundară, de exemplu sticla fosfosilicatică. Dezvoltarea tehnologiei bipolare a avut drept
urmare apariția în afară de CI bipolar standard de noi tipuri de structuri de CI bipolare ca de
pildă CI bipolar Schottky (fig. 15.7, c) care conține în plus o dioda Schottky și circuitul integrat
(logic) cu injecție de curent( I²L) care folosește o combinație între tranzistoarele npn verticale
și tranzistoarele pnp laterale. Ultimul circuit a fost realizat , în deosebi datorită posibilității
depunerii de straturi epitaxiale subțiri, având o durată de viață mare a purtătorilor de sarcină.
Circuitele integrate bipolar avansate de performanțe ridicate se bazeaza pe structuri și
procese bipolare simplificate, care se realizează prin îmbunătățirea proceselor de reducere a
elementelor parazite, anume a izolarii. Într-adevăr, în CI monolitice exista mii de componente
active și pasive învecinate pe o bucată de plachetă. În vederea atingerii unei densități mari, este
necesar cacomponentele să fie cât mai apropiate. Totuși ele trebuie să fie izolate electric una de
alta pentru a se evita interacțiile electrice intre componente ca de pildă, scurgerile de curent,
capacitățile parazite, străpungerile la tensiune. [181]
Izolarea între componente este realizată de obicei prin jonctiuni p-n polarizate invers
care formează pereții laterali ai fiecarui dispozitiv, iar substratul delimitează spatele
dispozitivului. Dar existența joncțiunilor implică inerent capacități și curenți de scurgere
normali, ceea ce înseamnă că nu se realizează o izolare completă. Deși se folosesc unele
modificații avantajoase ale metodei convenționale (fig.15.8) ca izolarea prin difuzia unui perete
în colector, izolarea prin difuzia bazei, autoizolarea sau izolarea epitaxială, totuși gradul de
izolare este limitat de capacitatea și curentul de scurgere prezent in jonctiune.
Metoda izolării dielectrice care se realizează pe mai multe căi, procesul bazat pe oxid,
procesul cu canal în V, procesul cu polisiliciu sau procesul cu ceramică înlătură aceste
inconveniente. Procesul cu oxid, cel mai folosit în industria semiconductoarelor, se utilizează în
mai multe variante ca: oxidarea locală a siliciului (LOCOS), procesul izoplanar, procesul
izolării cu oxid scufundat, procesul poliplanar, izolarea cu siliciu poros oxidat (IPOS) și
izolarea electrică cu SIO2 printr-o tehnică de corodare-reumplere (fig. 15.9).
Izolarea dielectrica prin coordonare-reumplere (fig. 15.9, A) folosește ca
metodă de izolare a dispozitivelor un strat de SIO 2 în locul procesului de difuzie. Dielectricul
izolator formează atât laturile cât și fundul fiecărui dispozitiv. Procesul realizează densități de
împachetare mai bune decât izolarea prin joncțiuni, însă mai costisitor, mai complex și necesită
miniplachete mai mari, deoarece necesită corodarea unor șanțuri mari, pe suprafața siliciului.
Procesul poliplanar (fig. 15.9, B) se bazeaza pe formarea de șanțuri de izolare prin
corodarea anizotropă a Si(100).
Fig. 15.7 Tranzistorii în circuitele integrate
biplolare:
a - tranzistor npn cu strat îngropat;
b - tranzistor npn cu strat de pasivizare
secundara ( sticlă silicatică) format prin
DCV;
c – tranzistor npn custat îngropat cu bariera
Schottky; d – tranzistor multi-electrod npn
cuplat cu un tranzstor pnp din construcția
circuitelor integrate bipolare I2L
Fig. 15.8. Tehnici de izolare a
componentelor circuitelor integrate prin
joncțiuni polarizate invers:
a – izolarea prin joncțiuni în care difuzia de
izolare p+(I= zona de izolare) se face
separat înainte de difuzia bazei și
emitorului (izolarea convențională); b–
izolarea utilizând o depunere epitaxială
dublă la care se face odată cu difuzia
bazei (izolarea epitaxială);
c – procedeu bazat pe o difuzie de izolare
efectuata cu difuzia bazei (izolare prin
difuzia bazei); d – procedeu in care difuzia
de izolare este efectuată odată cu difuzia
colectorului (izolarea prin difuzia
colectorului)

Tehnica de izolare a circuitelor integrate cu siliciu policristalin (fig. 15.9, C) se bazează

pe depunerea simultană a straturilor de siliciu epitaxial și de siliciu policristalin, ultimul fiind
depus pe un strat de SIO2 în regiunile de izolare. Difuzia de izolare se face concomitent cu
difuzia bazei, deoarece dopantul difuzează mult mai rapid în Si policristalin. O variantă a
metodei emite etapa difuziei, izolarea electrică obținându-se cu ajutorul siliciului policristalin
de înaltă rezistență.
Fig. 15.9. Tehnici de izolare dielectrică a circuitelor integrate:
A – metoda corodării – reumplerii pentru obtinerea de plachete de siliciu cu locasuri izolate dielectric (cu SiO2 și
siliciu policristalin): a – substrat de Si; b – cresterea de SiO2 și corodare prin masca de fotorezist; c – corodarea
șanturilor de izolare; d – depunerea siliciului epitaxial n+; e – creșterea oxidului de izolare; f – depunerea siliciului
policristalin; g – corodarea spateluiplachetei și lustruire, cu obținerea în final a unor zone de Si epitaxial izolate
intre ele.
B – procesul poliplanar: a – substrat initial p—cu stratul îngropat n+ și stratul epitaxial n--; b – definirea configurației
de izolare și corodarea șanțurilor; c – creșterea oxidului de izolare; d – depunerea polisiliciului; e – îndepartarea
excesului de polisiliciu.
C – metoda de izolare a circuitelor integrate cu siliciu policristlin: a – depnerea straturilor de siliciu
epitaxial/policristalin; b – difuzia bazei și a siliciului policristalin de izolare.
D – tehnica izoplanară de izolare cu oxid, bazata pe utilizarea Si3N4 depus chimic din vapori: a – mascarea
plachetei cu Si3N4; b – creșterea oxidului de izolare; c – formarea dispozitivului izolat.
E – tehnica izolării cu siliciu poros oxidat.
F – tehnica izolăriicu SiO2 scufundat: a – parțial sau b – total in plachete de siliciu
 Un proces nou derivat din tehnica LOCOS este izolarea izoplanară (fig. 15.9, D) , care
permite obținerea de circuite integrate de geometrie mică și densitate mare, cu o topologie
esențială planară. Regiunea de izolare este acum un izolator, astfel că atât regiunea bazei cât și
regiune de izolare este acum un izolator, astfel că atât regiunea colectorului pot fi plasate în
apropierea acesteia. Tehnica izoplanară de izolare cu oxid utilizeaza Si3N4 DCV.
Tehnologia IPOS este o tehnologie de izolare similară în principiu cu tehnologia
LOCOS sau izoplanară, cu excepția că zona de oxidat este convertită în siliciu poros înainte de
oxidare, prin anodizarea siliciului într-o soluție de acid fluorhidric. (fig.15.9, E).

Fig. 15.10. Structuri de tranzistoare în CI
MOS: a - tranzistor cu efect de câmp metal-oxid-
semiconductor (TEC-MOS) cu canal p cu poarta
metalica (Al) pasivat cu SiO2 (sau SiO2-Si3N4);
b - TEC-MOS cu canal n cu poartă metalică (Al)
pasivat cu SiO2- Si3N4 (sau numai cu SiO2);
c – TEC-MOS cu canal p cu poartă de siliciu
policristalin; d – structură complementară MOS (C-
MOS) formată dintr-un TEC-MOS cu canal p, pe
același substrat.
Procesul izolării cu oxid scufundat,
contribuie la creșterea performanței și
densității circuitelor integrate cu siliciu prin
folosirea de procedee de izolare dielectrică
a componentelor active cu SO2 termi care
conduc la dispozitive. Utilizând mascarea
Si3N4 corodarea anizotropă cu KOH a
substratului de Si (100) și oxidarea termică
se fabrică structuri în care SO2 este complet
sau semiscufundat sub suprafața initială
(fig.15.9.F).
Circuite integrate MOS sunt constituite din
numeroase componente interconectate, în
special tranzistorii MOS. Odată cu
obținerea de dispozitive cu tensiunea de
prag stabilită, ca urmare a îndepărtării
surselor de impurități din oxidul de poartă
(în special Na+, Li+, K+), fabricarea
dispozitivelor MOS a cunoscut o puternică
dezvoltare în prezent tehnologia CI
bipolare.
 Tranzistorul cu efect de câmp MOS, care stă la baza realizării CI-MOS, format pe un
strat de siliciu n sau p, poate exista în mai multe configurații (fig 15.10) tranzistor cu canal p
sau n, cu poartă metalică sau de siliciu, cu pasivare secundară de Si3N4 sau Al2O3. Includerea de
tranzistori cu canal p cât si cu canal n pe aceeași miniplachetă a condus la realizarea de circuite
MOS complementare (CMOS). Această structură permite o disipare foarte scăzută a puterii,
viteze de comutație mari și realizarea unor aranjamente de densitate mare.
Tehnologia realizării structurilor MOS cu poarta de metal, cu poartă de siliciu și a
structurilor complementare este prezentată în fig 15.4. În comparație cu dispozitivele MOS cu
poartă metalicădispozitivele cu poartă de siliciu policristalin obținut prin DCV au o tensiune
de prag mai scăzută, vitezele de lucru mai mari datorită reducerii capacităților interne parazite
și și este posibilă realizarea de densități mai mari de componente pe plachetă, dar procedeul de
fabricație este mai complex. Folosirea unui dielectric dublu SiO2-Si3N4 sau SiO2-Al2O3 într-un
dispozitiv MOS, conduce de asemenea la scăderea tensiunii de prag (dispozitiv MNOS
respectiv MAOS). structurile MOS noi, D-MOS si V-MOS (fig 16.6. k-i) prezintă avantaje
importante. dispozitivele D-MOS obținută printr-o difuzie dublă (două difuzii succesive prin
aceeași fereastră de oxid) au un canal dintre difuziile de sursă și drenă mai îngust, fiind în
consecință mai rapide. Dispozitivele V-MOS au porți pe șanțurile în formăde V de pe
suprafața miniplachetei, sistemele fiind astfel extrem de compacte și dense.
Două clase noi de dispositive tip MOS care au influiențat puternic tehnologia proceselor
și dispozitivelor circuitelor integrate cu siliciu sunt dispozitivele de memorie cu
semiconductoare nevolatile și dispozitivele cu transfer de sarcină.
Memoriile semiconductoarelor nevolatile se bazează pe tranzistori MNOS. Înaceste
dispozitive este posibil ca sarcina să fie stocată în SiO 2-Si3N4 și să poată fi folosită in circuitele
de memorie. Deoarece stratul de SiO2 are o grosime doar de 15-30Å, sarcinile induse de un
potențial aplicat tunelează de la Si prin oxid la interfata SiO 2- Si3N4 . Avantajul acestei
structurii față de memoriile convenționale bipolare sau MOS constă în aceia că informația
stocată nu este pierdută în cazul întreruperii alimentării cu curent. Structura poate fi modificată
prin înlocuirea Si3N4 cu Al2O3 sau prin introducerea de particule de W la interfața SiO 2- Si3N4
pentru a crește sarcina captată. Înrudită cu structura MNOS este memoria cu poartă flotantă.
Această structură folosește o poartă de siliciu policristalin îngropată pentru stocarea sarcinilor.
Dispozitivul are o capacitate de reținere a datelor mai bună decât structura MNOS dar se sterge
mai greu. Deoarece subpoarta îngropatăexistă un strat de SiO2 mai gros (1000 Å) dispozitivul
implică migrarea electronilor în avalanșă prin injecție prin oxid.
Dispozitivele de transfer de sarcină (fig. 15.11) desemnează o clasă de dispozitive și
circuitele care pot deplasa plachete discrete de sarcinăelectrică într-un mod controlat de-a
lungul unui substrat semiconductor prin aplicarea unei segvențe adegvate de impulsuri de
semiconductoare. Dispozitivele cuplate prin sarcină, cele mai importante din această clasă,
stochează sarcina în gropile de potential create la suprafața semiconductorului și transferă
sarcina prin sincronizarea plăcilor capacitorilor MOS, aranjate în forma unor electrozi
conductori învecinați pe un strat dielectric adegvat de obicei SiO2 [182].
Fig. 15.11. Etapele de obținerea
dispozitivelor cuplate prin sarcină
(a) Dispozitiv cuplat prin sarcină
(registrul de deplasare) bifat, cu
canal îngropat (b
Fig. 15.12. Structuri de tranzistori în CI SOS/MOS: Secțiunea
transversală a dispozitivelor care folosesc straturi de siliciu
epitaxial pe un un substrat izolator ca safirul (dispozitive SOS).
a – tranzistor cu efect de câmp SOS/MOS cu canal p (SOS-PMOS);
b – tranzistor cu efect de câmp SOS/MOS cu canal n (SOS-NMOS);
c- tranzistor cu efect de câmp SOS/MOS cu canal n, funcționând în
regim de depresiune adâncă; d – tranzistor cu efect de câmp SOS/MOS
cu canal p cu poartă de siliciu policristalin; e – tranzistor SOS-CMOS
format dintr-un tranzistor P-MOS și un tranzistor N-MOS; f – tranzistor
SOS/CMOS cu poarta de Si