Fotolitografia

Fotorezistii sunt sensibili la expunerea cu lumina din domeniul violet, ultraviolet

apropiat (400-450 nanometri), ultraviolet mediu (300-400 nanom) si ultraviolet indepartat
(<300 nanom).
Fotorezistii pozitivi au in prezent cea mai mare gama de aplicatii, in special in
fabricatia de microcomponente, datorita rezolutiei mult mai bune si absentei fenomenului de
umflare la developare, comparativ cu cei negativi.
Exista 2 categorii de sisteme optice de expunere: sisteme prin umbrire (contact sau in
proximitate) si sisteme prin proiectie (1 la 1 sau 10 la 1). Rezolutia sistemelor de expunere
prin umbrire este limitata de difractia luminii pe configuratiile mastii. In cazul expunerii in
proximitate, rezolutia scade corespunzator cu cresterea interstitiului dintre masca si substrat.
Litografia optica este in prezent tehnica dominanta in microtehnologie pentru
productia de masa prezentand avantajele in privinta productivitatii costului echipamentelor si
materialelor folosite. De aceea, apare ca firesc efortul de a perfectiona continuu procesele de
litografie optica in paralel cu echipamentele de expunere pentru a folosi la maxim rezolutia
acestora din urma.
In acest scop se utilizeaza:
1. tratamentul termic post-expunere realizat la o temperatura cu 5 pana la 10 grade C,
mai mare decat temperatura de uscare.
2. fotorezisti colorati, respectiv se adauga un colorant neutru fara sensibilitate
fotochimica pentru cresterea absorbitiei luminii in fotorezist in cazul substraturilor
puternic reflectatante, efectul secundar este scaderea sensibilitatii.
3. un strat antireflex, respectiv un strat subtire, aplicat pe un substrat reflectant inainte
de depunerea fotorezistului.
4. un strat de amplificarea a contrastului constand dintr-un strat subtire de material
special aplicat peste stratul de fotorezist.
5. litografia cu rezisti multistrat.
6. rezisti anorganici.

Litografia cu fasciculi de electroni

Substraturile acoperite cu rezisti sensibili la fascicule de electroni pot fi expuse in 2
moduri: prin baleaj si prin proiectie.
???????
Consta in focalizarea unui fascicul de electroni sub forma unui spot de dimensiuni mai
mici de ¼-1/5 ori decat dimensiunea minima a configuratiilor ce urmeaza a fi definite.
Teoretic, fasciculul de electroni poate fi focalizat pana la ordinul nanometrilor
 Elemente componente:
1. tun electronic
2. lentile magnetice
3. bobine de deflexie
4. intrerupator electrostatic
5. aperturi
6. detector de electroni
7. masa XY
8. substrat
Rezolutia litografiei cu fascicul de electroni este insa limitata de efectele de
imprastiere al electronilor in rezist si de substrat si de apropiere.
Electronii incidenti sufera ciocniri neelastice cu atomii rezistului si substratului prin
care isi pierd treptat energia, precum si ciocniri elastice care conduc la schimbarea directiei
lor de miscare. Astfel doza de expunere trimisa spre o regiune (linie) actioneaza prin
electronii reflectati si asupra marginilor benzilor sau profilelor deja expuse care, de aceea, nu
apar bine delimitate in desenul transpus pe substrat. Extinderea laterala depinde de energia
electronilor incidenti, grosimea si tipul rezistului si parametrii fizici ai substratului. Datorita
acestor efecte, latimea liniei obtinute este limitata la aproximativ 0.15 micrometri.

Litografia cu fascicul de electroni este un procedeu consacrat in cazul fabricatiei

mastilor. Dezavantajul principal este productivitatea cu aproximativ un ordin de marime mai
mica decat a masinilor de aliniere expunere optice. Daca aceasta caracteristica este
acceptabila in cazul fabricatiei de masti, productivitatea redusa poate fi scumpa pentru
litografia directa pe substrat.

Litografia fotoelectronica
Se mai numeste si litografia prin proiectie cu electroni ai imaginii. Aceasta utilizeaza o
masca speciala care converteste in zonele transparente radia ultravioleta in fascicule de
electroni ce expun substratul acoperit cu electronorezist.
 Componente
1. masca
2. bobina
3. substrat
Masca 1 este realizata dintr-un substrat de cuart pe care sunt configurate geometriile
intr-un strat subtire din material opac la lumina UV. Peste acesta este depus un alt strat subtire
dintr-o substanta fotorezistiva (paladiu), iar masca este pozitionata intr-o incinta vidata la cca
10 mm de substratul sensibilizat 3. Iluminarea mastii cu lumina UV determina emisia unei
configuratii de fascicule electronice, corespunzatoare zonelor transparente ale mastii.
Electronii emisi sunt accelerati de un camp electric si focalizati cu ajutorul unui camp
magnetic trasata astfek in imaginea in electronul rezist???
Procedeul ofera posibilitatea litografierii cu o rezolutie foarte buna a unor substraturi
de dimensiuni mari in timpi foarte scurti. Imprastierea electronilor in rezist afecteaza rezolutia
similar litografiei cu fascicul de electroni, dar masurile de corectie sunt mai dificile intrucat
doza de expunere nu poate fi usor variata de la o geometrie la alta.

Litografia cu raze X
Problemele de difractie care limiteaza expunerea optica in proximitate pot fi micsorate
prin reducerea lungimii de unda. Aceste probleme sunt practic eliminate la expunerea cu raze
de energie joasa (1-10 kiloelectrodvolt). lunigimlor de unda este de la 4 la 50 armstrong. In
plus, nu apar nici efectele imprastierii inversa caracteristice litografiei cu fascicul de electroni.
Ceva cu rezolutia mare, metoda expunerii cu raze X mai prezinta si avantajele de
aputea lucra cu straturi groase de rezist, rezultand dupa developare profile cu pereti verticali si
de a fi mai putin sensibila la particulele care contamineaza masca.
Schema instalatiei este:
Componente:
1. sistem de incalzire
2. rezervor
3. galiu topit
4. electrod de Wolfram
5. duza
6. electrod extractie
7. diafragma
8. electrozii ceva cu accelerare
9. electrod fvjebkd electrostatic
10. ceva electronic
11. substrat
 Litografia holografica
Aceasta consta in expunerea substratului acoperit cu fotorezist in regiunile pe care
interfera 2 fascicule laser, formand unde stationare. Procedeul este aplicabil pentru expunerea
topologiilor care au structuri periodice sau cvasiperiodice (de ex: retele de retractie, inceput
de rezistor, linii de transmisie, elemente de circuit pentru tehnica microundelor)

Implantarea ionica
Implantarea de ioni este un procedeu prin purificare controlata a unui substrat
(material masiv) sau strat subtire prin bombardarea suprafetei cu un fascicol de ioni a caror
energie poate ajuta la mai multe sute de kiloelectronivolti. Prin comparatie cu difuzia
implantarea prezinta urmatoarele avantaje:
- are loc la temperatura camerei
- asigura un control riguros al concentratiei si adancimii de patrundere a
impuritatilor, rezulta straturi impurificate cu imprastiere laterala redusa ceva cu
utilizarea unei game largi de materiale pentru masca de protectie si este un proces
curat, avand loc in vid.
Dintre dezavantaje pot fi mentionate: echipament foarte complex, deteriorarea
cristalinului a substraturlui ceea ce impune efectuarea unui tratament termic de dezvoltarea a
structurii.
Comparatie intre implantare ionica (a) si difuzie (b)

desfasurare examen:
- scheme si scurte descrieri