Convertoare fotovoltaice

Expunerea a III-a



Efectul fotoelectric intern

Conversia fotoelectric a energiei folosete
efectul fotoelectric intern (efectul fotovoltaic):
generarea unor perechi electron gol ntr-un
material semiconductor, atunci cnd acesta
este supus radiaiei unui flux luminos.
Radiaia luminoas primit de la soare (o radiaie
electromagnetic) poate fi reprezentat de un flux
de fotoni, fiecare fiind o particul (de mas nul)
cu energia, Wf:
[h]=J/s- constanta lui Planck;
frecventa radiaiei solare
Ciocnirea unui foton incident cu atomii reelei
cristaline poate avea dou efecte:
Energia fotonului este transmis reelei
cristaline sub form de energie termic;
Energia fotonului servete la extragerea unui
electron dintr-un atom al reelei cristaline a
semiconductorului. Electronul eliberat
reprezint o sarcin liber, iar sarcina
pozitiv rezultat poate fi ocupat de un
electron al atomilor vecini i astfel,
deplasarea manifestndu-se ca a unui gol
pozitiv mobil.

34
10 6254 , 6 h

=
u h W
f
=
Fig. 3.1

Generarea are loc dac: h>Wi
unde: Wi este o mrime caracteristic a fiecrui material semiconductor denumit
energie interzis.

Efectul fotoelectric intern are drept consecin
conversiunea fotoelectric a energiei numai dac
are loc n regiunea de barier a unei jonciuni
semiconductoare p n .
Analiza acestui efect denumit i fotovoltaic
presupune o analiz a conduciei n
semiconductoare i a funcionrii unei jonciuni
semiconductoare p n.
2) Conducia electric
Conducia electric ntr-un semiconductor se va
aborda pe baza evalurii strii energetice a
electronilor din material.
Acetia ocup, n funcie de energia lor,
anumite benzi energetice.
ntr-un semiconductor pur, numit
semiconductor intrinsec, ocuparea n ordine
cresctoare a nivelurilor energetice permise
de ctre electronii atomilor reelei cristaline
duce la rezultatul c, la temperatura T=0gr.
K, exist o ultim band energetic complet
ocupat band de valen separat prin
aa numita band interzis, de o band
energetic complet liber band de
conducie (figura 3.2).

Fig. 3.2
La temperaturi absolute nenule T > 0 K
Agitaia termic a reelei cristaline face ca
unor electroni extrem de puini din
banda de valen s capete o energie critic
mai mare dect amplitudinea benzii
interzise, suficient pentru ca s treac n
banda de conducie, lsnd astfel un loc
gol n banda de valen (figura 3.3).
Materialul semiconductor fiind n
ansamblu neutru electric, concentraiile
purttorilor de sarcin electric liberi
electroni (negative) i goluri (pozitive)
sunt egale.

Materialele izolante prezint acelai tip de
structur de benzi energetice ca a
semiconductoarelor. Deosebirea ntre
semiconductoare i izolatoare este dat de
diferenele mari ntre benzile Ei : 1 2 V
la semiconductoare i > 5V la izolatoare.
Astfel, la o temperatur ambiant de 300K
la semiconductoare intrinseci apare un
numr mic de perechi electron gol, dar
nu exist nici un purttor de sarcin la
izolatori.
Fig. 3.3


















A. Semiconductoare dopate cu impuriti din grupa a V-a de tip N (donoare),
la temperatura T0 = 0K

Impuritile determin apariia n
banda interzis, n apropierea benzii
de conducie, de regul, a unor
niveluri energetice ocupate de
electroni


Fig. 3.4
B. Semiconductoarele dopate cu impuriti acceptoare (bor , aluminiu)- din grupa
a III-a acceptoare

Se face simit prezena acestor impuriti prin apariia n banda interzis, n apropierea
benzii de valen, de regul, a unor niveluri energetice libere de electroni.
Fig. 3.5
A. Semiconductoare de tip N, la temperatura absolut nenul
T >0K
Electronii ce ocup niveluri donoare au
nevoie de o cantitate mai mic de
energie dect electronii de valen
pentru a trece n banda de conducie
i a se manifesta drept electroni liberi
n semiconductor fig. 3.4. Pe seama
agitaiei termice a reelei cristaline, la
temperatura ambiant, practic toi
electronii de pe nivelurile donoare trec
n banda de conducie, lsnd atomii
donori ca ioni pozitivi fici. Pe lng
electronii liberi i ionii pozitivi astfel
generai apar i perechi electron gol
minoritari, prin generare termic.


Fig. 3.6
A. Semiconductoare de tip P, la temperatura absolut nenul
T >0K
La semiconductorul de tip P, la
temperaturi absolute nenule T > 0K,
electronii din banda de valen au nevoie
de o energie mult mai mic pentru a
ocupa nivelurile acceptoare libere dect
pentru a trece n banda de conducie i a
manifesta drept electroni liberi n
semiconductor (figura 6.4). n consecin,
pe seama agitaiei termice a reelei
cristaline, la temperatura ambiant
practic toate nivelurile acceptoare sunt
ocupate de electroni provenii din banda
de valen, lsnd atomii acceptori ca
ioni negativi fici i aducnd un surplus
de goluri libere n banda de valen.
n consecin, in semiconductorul P, n
ansamblu neutru din punct de vedere
electric, exist purttori de sarcin
electric liberi i sarcini fixe: exist
purttori de sarcin majoritari goluri
formai prin ionizarea atomilor acceptori
i sarcini negative fixe ale ionilor
acceptori; apar i perechi electron gol
formate prin generare termic.
FIG.

Fig. 3.7
Concluzie
Deoarece concentraia impuritilor donoare
sau acceptoare este neglijabil n raport cu
concentraia atomilor reelei cristaline a unui
semiconductor, interaciunea primar a radiaiei
cu substana este practic neafectat de
prezen impuritilor. Efectul fotoelectric intern,
adic generarea perechilor electron gol, are
loc atunci cnd un electron de valen primete
de la un foton incident energia >Wi




3. Jonciunea p n
Jonciunea p n reprezint suprafaa de separaie dintre
dou regimuri semiconductoare de tip p respectiv de tip n
ale unui monocristal semiconductor, precum i regiunile
adiacente suprafeei de separaie.
La temperatura T0 = 0K regimurile P i N sunt fiecare
peste tot neutre electric. La temperatura T > 0K purttorii
de sarcin electric liberi majoritari din domeniile P i N
vor difuza dintr-o regiune n alta: electronii majoritari din
regiunea N difuzeaz n regiunea P (n care electronii sunt
minoritari) iar golurile majoritare n regiunea P difuzeaz
n regiunea N (unde golurile sunt minoritare); procesul de
difuziune este puternic, mai ales n regiunea de trecere.
Difuzia electronilor din regiunea N n P las
necompensat sarcina pozitiv fix a ionilor donori, n
regiunea de tip N i aduce un surplus de sarcin negativ
n regiunea P. similar, difuzia golurilor majoritare din
regiunea P n regiunea N las necompensat sarcina
negativ fix a ionilor acceptori n domeniul P i aduce un
surplus de sarcin pozitiv n regiunea P.
Scderea concentraiei purttorilor majoritari este foarte
accentuat n regiunea din care pleac, iar creterea
purttorilor minoritari adus de ei n regiunea n care
ajung nu este nsemnat, din cauza recombinrilor cu
purttorii opui majoritari ntlnii n domeniul de tip
opus. Aceasta face ca n jurul suprafeei de separaie s se
formeze o zon de trecere, + n regiunea de tip N i n
regiunea de tip P cu sarcina spaial reprezentat aproape
n majoritate de sarcinile fixe ale ionilor donori n N i
acceptori n P. Regiunea cu sarcin spaial din jurul
jonciunii propriu zise este astfel un domeniu srcit n
purttorii de sarcin electric liberi.
Sarcina din regiunea de trecere determin cmpul care se
opune difuziei n continuare a purttorilor majoritari i
favorizeaz deplasarea purttorilor minoritari, dar acetia
sunt n numr redus, deci efectul este redus.




Fig. 3.8

4. Polarizarea direct a jonciunii p n.

Electrodului conectat la regiune de tip P
i se aplic polaritatea unei surse
exterioare ue (u > 0, considernd sensul
+ de la regiunea de tip P N). Aceast
tensiune u este opus tensiunii
imprimate de contact UPN, bariera de
potenial este micorat chiar cu
valoarea tensiunii aplicate, la valoarea
UPN u (figura 6.5) ceea ce conduce la
micorarea cmpului imprimat de
contact (Ec) cu cel corespunztor
tensiunii aplicate din exterior, E.
Efectele barierei de potenial sunt
micorate, purttorii majoritari se
deplaseaz i formeaz un curent
electric important prin jonciune


Fig. 3.9
Polarizarea invers
La polarizarea invers (fig. 6.5 C) ntre
electrozi se aplic o tensiune cu
polaritate + la regiunea N i la
regiunea de tip P (u > 0). Tensiunea u
aplicat va fi n acelai sens cu
tensiunea imprimat de contact UPN,
rezultnd o tensiune imprimat UPN +
u mrit, aplicat n sensul lui UPN,
care contribuie la mrirea cmpului
imprimat de contact: . Efectul va fi de
mrire a curenilor purttorilor
minoritari dar pn la o limit curent
limit de saturaie, deoarece numrul
purttorilor minoritari este limitat; n
acelai timp sunt puternic redui
curenii purttorilor majoritari.
n consecin, la polarizarea invers,
prin jonciunea semiconductorului
circul, n sens invers, un curent
electric nesemnificativ.
Dispozitivul prezentat este o diod
semiconductoare.
Fig. 3.10
Caracteristica diodei
Caracteristica tensiune curent, V I, a
unei diode semiconductoare este
influenat mai ales de procesele care au
loc n regiunea de barier, la rndul lor
influenate de gradul impurificrii cu
elemente acceptoare i donoare precum i
de suprafaa de separaie dintre domeniile
P i N.
Expresia folosit a caracteristicii V I a
unei diode este:



Unde i intensitatea curentului electric n
sens direct prin jonciune; U tensiunea
aplicat n sens direct jonciunii P N;
I0 intensitatea curentului electric
invers de saturaie al jonciunii;
A constanta numeric de ordinul
unitilor (n funcie de gradul doprii cu
impuriti); UT tensiunea termic
echivalent temperaturii de funcionare:
UT=kT/e
K = 1,38049 10-23 J/grad -
constanta lui Boltzmann; e = 1,60209 10-
19 C sarcina electronului.

Caracteristica diodei
(
(

= 1 e I i
T
AU
U
0 d
Fig. 3.11
5. Comportarea semiconductorului P N la iluminarea cu o radiaie
electromagnetic
Radiaie electromagnetic de frecven susceptibil a determina
manifestarea unui efect fotoelectric intern n semiconductor: Fig.

Dac radiaia electromagnetic genereaz o pereche electron
gol n regiunea neutr (P sau N) atunci purttorii de sarcin liberi
rezultai sunt supui unui proces lent de difuziune, iar purttorii
de sarcin minoritari se combin rapid cu purttorii majoritari
prezeni n regiunea respectiv, acumulnd astfel efectul
generrii.
Dac nc, generarea unei perechi electron gol are loc n
apropierea jonciunii P N (n regiunea barierei de potenial),
unde purttorii majoritari sunt aproape abseni, atunci electronul
i golul sunt instantaneu separai de cmpul electric imprimat
prezent i mpini, fiecare, ctre regiunea n care sunt majoritari:
golurile ctre P i electronii ctre N.
Odat ajuni n regimurile neutre, aceti purttori n exces
difuzeaz ctre contactele regimurilor respective, determinnd
prin semiconductor un curent electric generat, de intensitate Ig,
n sensul N P (figura ).
Efect fotovoltaic activ generarea energiei electrice pe seama
energiei radiante incidente.
Structura descris este, de fapt, o diod semiconductoare. Dac
la bornele elementului astfel descris se conecteaz un receptor
(un rezistor de exemplu) nchiderea curentului generat prin
acesta determin apariia unei tensiuni ntre bornele diodei,
orientat n sens direct, adic dinspre P N. n aceast situaie
dioda semiconductoare conduce un curent direct, id, n sens
invers curentului Ig. Curentul net prin structura analizat i va fi:
i=Ig-id
Ig, pentru o structur dat, depinde de fluxul radiant incident, iar
id depinde de tensiunea ud la bornele ei, adic de regimul de
funcionare.
Structura prezentat constituie cel mai simplu generator
fotoelectric sau generator fotovoltaic.
Fig. 3.12





6.2 Generatorul fotoelectric- caracteristica externa, scheme echivalente
Dupa cum s-a vazut:
d g
i I i =
|
|
.
|

\
|
= 1
0
T
d
AU
u
d
e I i
|
|
.
|

\
|
= 1
0
T
d
AU
u
g
e I I i
Iar
nct elementul i va fi:

Care reprezint ecuaia caracteristicii externe i(u).

Fig. 3.13
Comentarii
n afar de prezena unui generator de curent Ig i de o diod semiconductoare
parcurs de curentul id (fig. 6.7.a), n reprezentarea schemei echivalente a
generatorului fotoelectric trebuie s inem seama de diferena ntre tensiunea ud
aplicat direct jonciunii P N i tensiunea u de la bornele diodei este o diferen
determinat de o rezisten echivalent r a regimurilor semiconductoare neutre, P i
N. Rezistena de pierderi RP ntre borne, prin startul izolant protector al structurii,
este mult mai mare ca rezistena de sarcin R.
Schemei echivalente din figura 6.7 a, ii corespunde caracteristica din figura 6.7 b i
ecuaia:

Pentru construirea caracteristicii se poate folosi, pentru fiecare pereche (u, i) o
procedur iterativ:

, Care poate fi oprit atunci cnd ameliorarea relativ a soluiei scade sub un prag
admis:
|
|
.
|

\
|
=
+
1 e I I i
T
i
AU
r u
0 g
|
|
.
|

\
|
=

+
1 ) (
) 1 (
0
T
n
i
AU
r u
g
e I I n i
g
I i =
) 0 (
) ( ) 1 ( ) ( n
M
n
M
n
M
i g i i s

Rescrierea ecuatiei- ca u(i)
T
i
AU
r u
g
e I i I I
+
= +
0 0
T
AU
ri u
g
e I I I i
+
+ =
0 0
(

+ =
+
0 0
1 ln
I
i
I
I
AU
r u
g
T
i
( )
0
0
0 0
1 ln
I
i
rI
I
i
I
I
AU u
g
T

(

+ =
Alura caracteristicii:
o poriune curentul este practic constant pe o
plaj a tensiunii la borne, urmat de o
poriune de descretere foarte rapid a
curentului prin borne pn la anularea sa.
n apropierea curentului de scurtcircuit
(a valorii maxime a curentului) caracteristica
u(i)
se calculeaz cu valori mai dese i mai rare pe
msura reducerii curentului.
Fig. 3.14
Schema simplificata echivalenta- se renunta la r
Ecuatiile corespunzatoare:
Functionarea in scc.
|
|
.
|

\
|
~ 1
0
T
AU
u
g
e I I i
|
|
.
|

\
|
=
+
1
0
T
AU
ri u
g
e I I i
|
|
.
|

\
|
+ ~
0 0
1 ln
I
i
I
I
AU u
g
T
0 = u S u
I i =
=0
|
|
.
|

\
|
=

1
0
T
S
AU
I r
g S
e I I I
|
|
.
|

\
|
=

1 ) (
) 1 (
0
T
n
S
AU
rI
g S
e I I n I
g S
I I =
) 0 (
cnd R = 0,
care poate fi rezolvat printr-un procedeu iterativ:

,
Fig. 3.15
0 0
U u
i

=
|
|
.
|

\
|
+ = = +
|
|
.
|

\
|
= 1 ln 1 1 0
0
0
0
0
0 0
I
I
AU U e
I
I
e I I
g
T
AU
U
g AU
U
g
T T
|
|
.
|

\
|
~ 1
0
T
AU
u
g
e I I i
g S u
I I i =
=0
|
|
.
|

\
|
+ =
=
0
0 0
1 ln
I
I
AU U u
g
T i
Funcionarea n gol (i = 0 cnd R ) se obine pentru tensiunea de mers n gol
ecuaia:

Din ecuaia simplificat:

Pentru u = 0
Generatorul fotoelectric puteri i randament.

1) n studiul unui sistem de conversie a energiei sunt importante valori
caracteristice pentru funcionarea la puterea electric maxim cedat pe la
borne.
Condiia de maxim o deducem din:
Valoarea tensiunii pentru care puterea la borne este maxim:
De aici se ajunge la o ecuaie iterativ:
Care poate fi abordat pornind de la o valoare iniial . Procesul iterativ
poate fi oprit atunci cnd ameliorarea relativ a soluiei scade sub un prag.
Cu valoarea UM astfel determinat, ca puterea stabilit sa fie maxim se
obine curentul IM debitat n aceste condiii:
Cu valoarea lui UM determinat se obine:
Valoarea rezistenei RM a rezistorului cruia i se transmite puterea electric
maxim:
i
Observaii:
Lucrnd tot cu ecuaia aproximativ a caracteristicii u(i); puterea electric
cedat pe la borne poate fi explicitat n funcie de curent.
Condiia de maxim fiind:
Se determin: i se poate demonstra c relaiile sunt echivalente.