232

CAP.7. INTRODUCERE N ELECTRONIC

n acest capitol se va prezenta principalele dispozitive electronice de circuit (diode, tranzistoare, tiristoare, circuite integrate etc.) precum i schemele electronice realizate cu aceste elemente, insistnd n special asupra funcionrii principalelor circuite electronice ntlnite mai frecvent n instalaii electronice industriale. n prezent, n ara noastr, industria electrotehnic i ramura ei, electronica, are un ritm de dezvoltare mai nalt fa de alte ramuri industriale. Dezvoltarea cu precdere a industriei electronice n ara noastr ct i creterea ponderii electronicii industriale n raport cu electronica bunurilor de larg consum, reclam o atenie sporit pregtirii specialitilor din alte domenii de activitate, inclusiv cei din industria alimentar, pentru a utiliza i exploata n cele mai bune condiii instalaiile i aparatura electronic.

7.1. Dispozitive electronice de circuit

7.1.1. Tuburi electronice cu vid
ntruct n prezent, tuburile cu vid i cu gaz sunt ntlnite doar n unele cazuri particulare, ne vom ocupa doar de tubul catodic, care este un tip special de tub cu vid i este ntlnit n special n construcia aparatelor de vizualizat i oscilografiat. n cazul tubului catodic fasciculul de electroni emis de catod lovete un ecran fluorescent (ecran prevzut cu o substan numit luminofor), care are proprietatea de a emite radiaii luminoase la lovirea de ctre electroni. n locul de inciden al fascicolului, apare pe ecran un punct sau spot luminos. Poziia i luminozitatea spotului pe ecran pot fi comandate electric. Tubul catodic este alctuit din urmtoarele pri principale: - balonul de sticl n care are loc deplasarea electronilor; - sistemul electrono-optic sau tunul electronic care accelereaz electronii i i strnge n fascicul; - ecranul fluorescent; - dispozitivul de deviere sau deflexie, prin intermediul cruia se poate comanda traiectoria electronilor i poziia punctului luminos pe ecran. Exist dou tipuri de tuburi catodice: - tubul catodic cu comand electrostatic; - tubul catodic cu comand magnetic. Tubul catodic cu comand electrostatic: este reprezentat schematic n fig.7.1 Modulatorul M i anozii A1,A2 au forma unor cilindri metalici de diferite diametre, prevzui cu diafragme circulare interioare (discuri

233

Fig.7.1 plane cu un orificiu central). Modulatorul M, care are rol de gril de comand, funcioneaz la un potenial negativ de ordinul zecilor de voli. Prin variaia acestui potenial se controleaz intensitatea curentului n fasciculul de electroni i deci se realizeaz comanda luminozitii spotului pe ecranul fluorescent E. Pentru o anumit tensiune negativ, numit tensiune de tiere, toi electronii emii de catodul K sunt respini i spotul luminos se stinge. Anodul A1, numit anod de focalizare, funcioneaz la un potenial pozitiv de ordinul sutelor de voli, iar anodul A2 , funcioneaz la un potenial pozitiv mai mare, de ordinul 0,5 5 KV. Cmpul electric produs de anozii A1 i A2 accelereaz electronii spre ecranul fluorescent i totodat formeaz un sistem de lentile electrostatice convergente, care concentreaz electronii ntr-un fascicul ngust. Potenialul anodului A1 este variabil, pentru a se putea regla focalizarea spotului luminos, care trebuie s aib o suprafa ct mai mic i o strlucire ct mai mare. Dispozitivul de deviere a fasciculului de electroni este alctuit din dou perechi de plci metalice, fixate n interiorul tubului. Cmpurile electrice dintre plci pot devia fasciculul pe cele dou direcii perpendiculare, deplasnd spotul luminos pe ntreaga suprafa a ecranului. Un fascicul de electroni dirijat printr-un cilindru metalic prevzut cu diafragma circular poate fi comparat cu un fascicul de raze luminoase ce strbate o lentil dup cum vom vedea. Dac se reprezint un fascicul de raze luminoase care strbat o lentil convergent, divergent sau o prism optic i un fascicul de electroni care strbat spaiul dintre dou plci supuse la diferite poteniale (fig.7.2) se constat c: - n cazul plcilor ncrcate cu sarcini negative electronii sunt respini pe direcia axei orizontale, iar sistemul electric este analog cu o lentil optic convergent (fig.7.2a);

234 - n cazul plcilor ncrcate cu sarcini pozitive electronii se deprteaz, iar sistemul acioneaz ca o lentil divera) gent (fig.7.2.b); a)- n cazul cnd plcile sunt ncrcate cu sarcini diferite, fasciculul de electroni deviaz spre placa ncrcat b) cu sarcini pozitive, aciunea unui astfel de sistem fiind echivalent Fig.7.2cu aciuc) Fig.7.2 nea unei prisme optice (fig.7.2c). Cu ct este mai mic timpul n care electronii sunt supui aciunii cmpului electric, cu att mai redus va fi aciunea de deviere a lor fa de direcia orizontal. Deplasarea spotului luminos pe ecranul fluorescent corespunztoare unei tensiuni deflectoare de 1V, definete sensibilitatea tubului. Tuburile catodice de tensiune joas sau medie au sensibilitatea de 0,2 0,5 mm/V. Dac semnalul aplicat dispozitivului de deviere este mic, el este n prealabil amplificat. De obicei faa interioar a balonului se acoper cu un strat subire de grafit coloidal care este supus la acelai potenial ca i anodul A2 . Acest strat colecteaz electronii secundari i ecraneaz tubul fa de cmpurile electrice i magnetice exterioare. Parametrii principali ai tubului catodic sunt: - diametrul ecranului fluorescent; - tensiunea de lucru a electrozilor; - sensibilitatea; - culoarea radiaiei; - persistena. Tuburile catodice se construiesc i cu dou, patru sau mai multe sisteme electrooptice, adic se formeaz mai multe fascicule de electroni fiecare putnd fi comandat n mod independent. Aceste tuburi se folosesc la construcia osciloscoapelor cu destinaie special. Tubul catodic este folosit la construcia osciloscoapelor catodice.

7.1.2. Elemente semiconductoare

Din punct de vedere al conduciei electrice materialele sunt: conductoare (conductoare), izolatoare (dielectrice) i semiconductoare. Semiconductoarele au o rezistivitate cuprins n ordinul de mrime 104 10+4 m . Dintre acestea se disting: siliciul, germaniul, sele-

235 niul, casiul, arseniul, fosforul, borul, telurul, precum i o serie de compui chimici. Conductivitatea electric a semiconductoarelor se realizeaz prin dou categorii de purttori: electroni i goluri. Aceasta se explic pe baza teoriei zonale, care nlocuiete teoria clasic aproximativ a conductivitii electrice, bazat pe modelul atomic a lui Bohr, prin mecanica cuantic, unde electronii nu mai sunt acceptai ca simple corpuscule ce graviteaz n jurul nucleului, ci, sunt luate n considerare i proprietile lor ondulatorii. Astfel, starea unui electron n atom este caracterizat prin patru numere cuantice, dintre care unul se refer la nivelul energetic coninut de electron n stare considerat. n cazul unui atom izolat, teoria stabilete c electronii nu pot avea orice nivel energetic, ci un numr discret i finit de stri compatibile cu echilibrul lor i c n strile de echilibru posibile se poate gsi cel mult un electron, conform principiului de excluziune a lui Pauli. Teoria zonal nlocuiete ipoteza electronilor liberi, provenii din electronii periferici, n formaia unui gaz electronic ipotetic, cu posibilitatea pe care o au electronii de a ocupa anumite nivele energetice permise, numite benzi sau zone permise. Astfel electronii tind s ocupe nivelul energetic corespunztor zonei de valen i de ndat ce se transmite metalului o form de energie, electronii pot trece pe nivelele energetice superioare, formnd zona de conducie, devenind electroni de conducie sau electroni liberi, capabili de a se deplasa prin reeaua cristalin (fig.7.3a). n cazul conductoarelor, zona de conducie se

zon liber (de conducie)

zon liber zon interzis

zon liber zon interzis zon de valen

zon de valen

zon de valen

Fig.7.3 ntreptrunde cu zona de valen sau se nvecineaz direct. Numrul electronilor liberi n aceast situaie fiind foarte mare, un cmp electric orict de slab orienteaz micarea electronilor n sens invers liniilor de cmp electric, formnd ceea ce se numete curent electric de conducie. La izolani i semiconductoare, ntre banda de valen i banda de conducie se afl o band (zon) interzis (fig.7.3.b i c). La izolani limea zonei interzise W este de 5 10 eV i conducia electric apare

236 numai dac unii electroni din banda ocupat (de valen ) capt, datorit agitaiei termice sau datorit unui cmp electric intens, energie suficient de mare pentru a deveni liberi, deci pentru a trece din banda de valen n banda de conducie prin banda interzis. Numrul acestor electroni liberi este n general mic i deci asemenea corpuri nu conduc. n locul unui electron care trece din zona ocupat n zona liber rmne un gol de nivel energetic, care poate fi ocupat de un alt electron situat pe un nivel energetic mai apropiat de nucleu. Prin creterea temperaturii unui izolant, energia pe care o capt electronii nu este suficient pentru a le permite s treac din banda de valen n cea de conducie. Dup modul de generare a purttorilor, semiconductoarele pot fi de conductibilitate intrinsec i extrinsec. Semiconductoarele pure sau intrinseci se comport ca izolani dar au o band interzis relativ ngust (limea benzii este aproximativ un electron-volt; de exemplu: - la germaniu W = 0,72eV ; - la siliciu W = 1,12eV ; - la seleniu W = 1,6eV ; etc.). n practic semiconductoarele au impuriti care influeneaz conductivitatea lor electric i la temperatur obinuit, unii electroni reuesc s treac n banda de conducie formndu-se astfel perechi de electroni liber-gol energetic. Totodat alte perechi se recombin prin ntoarcerea electronilor n banda ocupat, stabilindu-se un echilibru funcie de temperatur. Conductivitatea semiconductoarelor intrinsece se explic prin deplasarea golurilor, care se comport ca sarcini pozitive, n sensul cmpului electric i a electronilor n sens invers. La temperatura de 00K electronii nu dispun de energii suficiente pentru saltul zonei interzise, dar, de ndat ce temperatura crete, densitatea volumic de electroni din zona de conducie crete primind valoarea: ne = 2,5 10 e KT . (7.1) unde: - W este limea zonei interzise n electron-voli; - K=8,62.10-5 eV/0K constanta lui Boltzmann; - T este temperatura n 0 K. Semiconductoarele intrinsece dispun deci de o conductivitate mixt (electronic i prin goluri), dnd o densitate de curent: (7.2) J=( + + )ne.e.E = E , + unde: i sunt mobilitile golurilor, respectiv ale electronilor, date de raportul dintre vitez i intensitate cmp (la germaniu + = 1700cm 2 / Vs i = 3600cm 2 / Vs ); ne - densitatea purttorilor
19

237 (electronilor ) pe 1 cm3; e - sarcina electronului, 1,6.10-19C; E - intensitatea cmpului electric, n V/cm; - conductivitatea electric, n [ cm]-1. Conductibilitatea semiconductoarelor rezult din relaiile (7.2) i (7.1) . (7.3) Densitatea electronilor n zona de conducie pentru germaniu la T=3000K este ne=2,5.1013 [1/cm3], ceea ce corespunde unei rezistiviti de 50 cm (densitatea electronilor liberi crete cu 5% pentru fiecare 0C). Comparnd cu valorile corespunztoare la cupru, ne = 2,5 1022 [1 / cm3 ]

= 2,5.10 e( + )e
19 +

W 2 KT

i = 1,7 106 [cm] , se observ c rezistivitatea cuprului este de cca. 108 ori mai mic dect cea a semiconductorului pur. Semiconductoarele de conductivitate intrinsec se mai numesc semiconductoare de tip i. Funcionarea unor dispozitive semiconductoare simple, cum sunt: termistoarele, fotorezistenele i varistoarele se bazeaz pe proprietile semiconductoarelor de tip i. Termistorul este dispozitivul semiconductor a crui rezisten variaz n mod substanial cu temperatura (rezistena scade mult cu creterea temperaturii, dup o curb exponenial). n fabricarea termistoarelor se ntrebuineaz oxidul cupric, sulfura de argint, oxizi de nichel, mangan sau cobalt etc.. Materialul semiconductor, sub forma unei pastile sinterizate, se monteaz ntr-un balon de sticl cu vid sau cu gaz inert (azot). n fig.7.4 se reprezint variaia rezistivitii unui termistor n funcie de temperatur: curba 1 pentru oxid de uraniu i curba 2 pentru oxid de nichel i mangan. Termistoarele se folosesc ca traductoare i ca elemente de reglare n circuitele electronice sau electrice pentru a meninerea constant a unor tensiuni, a unor temperaturi, ca relee de ntrziere etc. Fotorezistena este dispozitivul semiconductor la care rezistena variaz cu fluxul luminos incident. Energia primit de semiconductor, pentru formarea perechilor electron-gol, este n acest caz energia unei radiaii n spectrul infrarou. Corespunztor spectrului radiaiilor incidente, n care variaia rezistenei cu fluxul luminos este nsemFig.7.4 nat, fotorezistenele pot fi:

238 pentru spectrul vizibil i pentru spectrul infrarou. Varistorul: este dispozitivul semiconductor la care formarea perechilor electron-gol se realizeaz pe seama energiei unui cmp electric n care este plasat semiconductorul. Aceste elemente semiconductoare au caracteristica static i=f(u) neliniar i poate fi aproximat printr-o relaie de forma I=KU, de unde are valori diferite, funcie de material i tehnologie. Cele mai multe dispozitive semiconductoare utilizeaz conductibilitate extrinsec, produs prin impurificarea semiconductoarelor cu mici adausuri. Procesul conductivitii se schimb cnd n semiconductor apar impuriti, chiar i n proporie foarte mic de 1/108. Se tie c germaniu i siliciu sunt tetravalente. n reeaua cristalin fiecare atom de germaniu, de exemplu, care are patru electroni de valen, este aezat la distan egal de patru atomi nvecinai, mprind cu fiecare din acetia
W

W
Wa nivel donor x

a)

b)

c)

Fig.7.5 cte unul dintre cei patru electroni de valen. n fig.7.5.a este indicat modul reelei cristaline a germaniului, n reprezentare plan. S presupunem c s-a introdus ca impuritate arseniul sau fosforul, care sunt pentavalente. Intrnd n reea, fiecare nucleu al impuritii se cupleaz cu patru nuclee vecine de germaniu i introduce cte un electron liber (fig.7.5.b). Aceste elemente se numesc donore. n reprezentarea zonal, impuritile donore, care n reea intervin ca sarcini pozitive fixe, introduc noi nivele energetice aezate la distana Wa micornd limea benzii interzise (fig.7.5.c). Electronii suplimentari ai impuritilor pentavalente se plaseaz pe aceste nivele energetice i trec cu uurin n banda de conducie. n acest caz avem un semiconductor de tip n, n care conducia este datorat sarcinilor negative (electronilor). Cei mai muli din aceti electroni sunt pui n libertate de atomii donori, totui n banda de conducie mai exist un anumit numr de electroni corespunznd conductivitii semiconductorului pur.

239 Dac impuritatea este trivalent (bor, indiu, taliu, aluminiu), atomii respectivi intr n reea numai cu trei electroni de valen. Legtura a patra, rmas neocupat, poate fi completat cu un electron de la un atom vecin de germaniu (fig.7.6); acest atom devenind ion pozitiv, atrage la rndul lui un alt electron. Astfel se formeaz un gol de nivel energetic, care se deplaseaz n mod dezordonat n reea, ca i electronii liberi. Dac ns exist un cmp electric aplicat, golurile se vor deplasa n sensul cmpului electric i se vor comporta ca sarcini pozitive. Impuritile de acest tip se numesc acceptoare i dau natere n reea la sarcini negative fixe. Potrivit teoriei zonale, atomii acceptori introduc nivele suplimentare, aezate la distana Wa deasupra limitei de sus a benzii de valen (fig.7.7). Pe aceste nivele trec din banda de valen, electronii captai de atomii impuritii. Semiconductoarele de tipul acesta se numesc de tip p, iar conducia se realizeaz prin deplasarea golurilor, n calitate de purttori majoritari, n banda de valen. Conducia

Fig.7.6

Fig.7.7

purttori majoritari, n banda de valen. Conducia determinat de electronii din banda liber (de purttorii minoritari) este neglijabil. Jonciunea p-n. Dioda semiconductoare. Dac dou semiconductoare de tip p i n sunt aduse n contact direct se formeaz o jonciune p-n. Notnd cu Na concentraia atomilor acceptori i cu Nd concentraia atomilor donori, se constat c n vecintatea suprafeei de separaiei a celor dou zone exist o variaie puternic a concentraiei purttorilor majoritari. Datorit acestei variaii a concentraiei (gradient al concentraiei), se produce un fenomen de difuzie a purttorilor majoritari dintr-o zon n alta. Golurile din zona p, difuzeaz n zona n i se recombin cu electronii din aceast zon, formnd atomii neutri. n acelai mod, electronii din zona n difuzeaz n zona p recombinndu-se cu golurile din aceast zon. Ca urmare, n vecintatea suprafeei de separaie are loc o micorare a concentraiei purttorilor majoritari. n consecin, sarcina ionilor imobilizai n reeaua cristalin nu va fi compensat de sarcina purttorilor majoritari i n vecintatea suprafeei de sepa-

240 raie va apare o sarcin spaial fixat n reeaua cristalin (negativ n zona p i pozitiv n zona n fig.7.8a). n acest fel, n vecintatea suprafeei de separaie se formeaz dou straturi cu sarcini egale i de semn contrar, reprezentnd regiunea de trecere a jonciunii p-n. Sarcina spaial din regiunea de trecere produce un cmp electric intern, ndreptat nspre zona p i determin o distribuie a potenialului electric ca n fig. 7.8 b. Cmpul electric intern tinde s se opune difuziei purttorilor majoritari dintr-o zon n alta. Va exista totui un curent de difuzie id, produs de acei purttori care au o energie suficient de mare pentru a nvinge bariera de potenial U0 din regiunea de trecere. Curentul de difuzie, format prin difuzarea purttorilor majoritari dintr-o zon n alta, depinde foarte mult de mriV mea barierei de potenial (mrimea intensitii cmpului electric intern ce se opune difuziei). La o jonciune nealimentat, n echilibru termic, bariera de potenial U0 este mai mare i curentul de difuzie este foarte mic. Cmpul intern al jonciunii p-n se opune curentului de conducie ic de sens opus Fig.7.8 curentului de difuzie. Curentul de purttori minoritari ic este foarte mic, deoarece concentraia purttorilor minoritari este foarte mic. n regimul staionar termic al unei jonciuni p-n nealimentate, curentul de difuzie id este egal i de sens contrar cu curentul de conducie ic, astfel nct curentul rezultat prin jonciune este egal cu zero. Distribuia sarcinii spaiale , n funcie de distana de la suprafaa de contact este reprezentat n fig.7.8b. Cunoscnd distribuia sarcinii spaiale se poate deduce variaia potenialului i a intensitii cmpului electric n zona jonciunii p-n, con d 2V dE form relaiei: = = 2 dx dx

241 Pe extremitile semiconductoarelor p i n se aplic de obicei dou contacte metalice de suprafa mare (electrozi). Dac electrozii se pun n scurtcircuit (fig 7.9.a) prin jonciune nu mai trece curent deoarece nu mai exist surs de energie, practic diferena de potenial Uo este echilibrat de diferena de potenial de contact la suprafaa electrozilor.

Fig.7.9 Dac conectm cele dou semiconductoare la o surs de curent continuu ca n fig.7.9b, diferena de potenial Uo scade la valoarea Uo-u. Dac t.e.m. a sursei este mare, trecerea purttorilor de sarcini este uurat i curentul crete ajungnd s fie limitat de rezistena circuitului exterior (cmpul electric se suprapune peste cmpul intern E, iar electronii i golurile se vor deplasa spre suprafaa de contact). n acest caz trecerea curentului se numete direct. Dac se inverseaz polaritatea sursei (fig.7.9c) electronii i golurile se deprteaz mai mult de suprafaa de contact i grosimea stratului de trecere (de blocare) se mrete, iar prin circuit va trece un curent foarte mic datorat purttorilor minoritari. Datorit comportrii inegale a jonciunii p-n din punct de vedere al proprietilor de conductivitate, circuitul electric se abate de la legea lui Ohm (rezistena ohmic n sens direct este de cca. 1000 ori mai mic dect n sens invers) i deci jonciunea p-n se va comporta ca o rezisten neliniar. Diodele semiconductoare sunt, n esen, jonciuni p-n. n fig.7.10 se reprezint caracteristica curent-tensiune, numit i caracteristica voltamper, a unei diode semiconductoare. Ea se traseaz lund scri diferite pentru curent i tensiune la sens direct i la sens invers. Se observ, n

242 cazul aplicrii unei anumite tensiuni n sens invers, numit tensiune de strpungere, curentul n Id [mA] sens invers are o cretere 600 brusc. Dac n circuitul 400 semiconductorului nu este un rezistor de protec200 Ud[V] Uinv [V] ie, valoarea curentului 50 0.5 invers crete foarte mult, ducnd prin efect termic 20 la depirea disipaiei de 40 Iinv [A] cldur admisibil. n acest caz n semiconductor au loc procese ireverFig.7.10 sibile care duc la deteriorarea jonciuni. Cele mai ntlnite diode cu elemente semiconductoare sunt cu siliciu, seleniu i cu oxid cupros. Datorit caracteristicile lor diodele semiconductoare sunt utilizate la redresare, detecie, n circuitele de comutaie, la modulaia n frecven etc. Diodele stabilizatoare mai sunt numite i diode Zener. Ele lucreaz n domeniul tensiunilor inverse, pe poriunea n care curentul are o cretere brusc. n fig.7.11 se arat reprezentarea simbolic i caracteristica volt-amper a unei + Id diode Zener. Deoarece lucreaz pe poriunea Ud Uinv Uinv practic vertical a caracteZ risticii, poriune pe care tensiunea la borne variaz foarte puin (din aceast Iinv cauz este folosit ca stabilizatoare de tensiune), Fig.7.11 este obligatoriu ca n serie cu diode Zener s se conecteze un rezistor. Diodele de comutaie snt de putere mic i au proprietatea c, viteza de stabilire a curentului la schimbarea polaritii tensiunii de alimentare este mare. Aceste diode se utilizeaz frecvent n realizarea circuitelor logice de comand, ct i n alte circuite electronice. Fotodiodele au o construcie aparte, fiind alimentate n sens invers. n fig.7.12 este reprezentat schematic o fotodiod i caracteristica volt-amper. Dac jonciunea p-n (dioda propriu-zis) 1, este expus

243 unui flux luminos incident focalizat pe jonciune cu ajutorul lentilei 2, curentul invers, fiind un curent de purttori minoritari, depinde de energia primit de jonciune, din exterior. n consecin curentul invers depinde de fluxul luminos incident. Id
Uinv

Uinv

-20V

-10V =20lx =500lx =1000lx

Ud

40A 80A Iinv

Fig.7.12

7.1.3. Tranzistoare
7.1.3.1. Tranzistoare bipolare Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni, n care conducia se realizeaz prin electroni i goluri. Ele se pot realiza n dou forme distincte: p-n-p (fig.7.13) i n-p-n (fig.7.15).

a) Fig.7.13

b)

Tranzistorul de tip p-n-p format dintr-un cristal de germaniu prezint, din punct de vedere al dotrii cu impuriti, trei regiuni distincte (fig.7.14 a). Cele trei regiuni ale monocristalului sunt numite: emitor (E), baz (B) i colector (C). n funcionarea normal jonciunea p-n dintre emitor i baza lucreaz n sens direct , iar jonciunea n-p dintre baz i colector, lucreaz n sens invers . Regiunea central de tip n este foarte ngust,

244 grosimea ei fiind 0,001-0,02 mm. Dotarea cu impuriti a acestei regiuni (deci, concentraia purttorilor majoritari) este mai mic dect la regiunile laterale de tip p. n fig.7.13 b este dat simbolul de reprezentare al unui tranzistor de tip p-n-p. Jonciunea E-B fiind alimentat n sens direct , un numr mare de goluri difuzeaz din E n B determinnd un curent Ie, numit curent de goluri din emitor (fig.7.14.). Deoarece baza are o grosime mic, numai un numr foarte mic de goluri emise se vor recombina n baz, majoritatea ns, sunt preluate de cmpul electric intern i transportate n zona colectorului, ca i golurile deja existente n baz care reprezint pentru baz purttori minoritari de sarcin. Se noteaz cu raportul curentului de goluri, provenit din emitor, care traverseaz zona bazacolector i curentul de emitor . La jonciunea B-C, alimentat n sens invers, circula un curent invers notat cu ICB o. Din fig.7.14 rezult relaiile: Ic = Ie+ICB0, (7.4) pentru curentul de colector i Ib = (l- ) Ie-ICB0, (7.5) pentru curentul de baz. Evident (7.6) se obine : Ie = Ic + Ib innd seama ca = 0,98 0,995 i c ICB0 este cu mult mai mic dect curentul de colector se poate folosi relaia aproximativ: Ic=Ie Tranzistoarele de tip n-p-n au baza un semiconductor Fig.7.14 de tip p. Ele funcioneaz n acelai mod ca i tranzistoarele p-n-p descrise anterior, ns polaritatea tensiunilor aplicate i sensurile curenilor sunt inversate. Reprezentarea simbolic a unui tranzistor n-p-n este dat n C E fig.7.15. Relaia dintre tensiunile aplicate electrozilor unui tranzistor este: Uce = Ucb + Ube. (7.7) Din relaiile scrise anterior se observ B c exist patru mrimi distincte, care caracterizeaz funcionarea unui tranzistor: Ie; Ic; Fig.7.15 Ueb (tensiunea emitorului fa de baz) i Ucb (tensiunea colectorului fa de baz ). Relaiile dintre tensiunile i curenii unui tranzistor, necesare pentru calculul circuitelor n care este utilizat tranzistorul se determin

245 pe baza caracteristicilor statice, care se ridic experimental (prin msurtori) . n general se folosesc dou familii de caracteristici statice. Alegerea acestor dou familii de caracteristici din mulimea celor posibile se face n funcie de modul cum sunt conectate i utilizate tranzistoarele n circuitele. Pentru exemplificare, n fig.7.16 a i b sunt indicate dou din familiile de caracteristici statice mai utilizate. n diagrama a) este prezentat familia de caracteristici Ic(Uce), pentru diferii cureni ib=constant, numite i caracteristicile de ieire, iar n diagrama b) familia Ib(Ube) pentru diferite tensiuni Uce=constant, numite i caracteristicile de intrare. Aceste caracteristici s-au trasat pentru un tranzistor p-n-p n schema cu emitorul la mas.

Fig.7.16 Tranzistoarele pot fi utilizate ca elemente amplificatoare, n schemele logice, la modulaia semnalelor, la autooscilatoare, n circuitele de comutaie etc. Printre avantajele utilizrii tranzistoarelor se citeaz: alimentarea cu tensiunea sczut, consum mic de energie, randament ridicat, volum mic, lipsa de inerie (ntruct nu are filament), durat foarte mare de serviciu (peste 50.000 ore) etc. Ca dezavantaje, tranzistoarele au un zgomot de fond i un consum de energie la intrare (emitor) mai ridicat dect la tuburile cu vid; temperatura influeneaz defavorabil proprietile tranzistoarelor (limita maxim admis n explorare este de 80oC pentru germaniu i CO2 120oC pentru siliciu, iar peste aceasta limit proprietile semiconductoare dispar i curenii cresc foarte mult).

7.1.4. Dispozitive de comutaie special

Cele mai importante dispozitive semiconductoare construite special pentru funcionarea n calitate de ntreruptor comandat sunt tiristorul i triacul.

246
7.1.4.1. Tiristoare Tiristoarele sunt dispozitive semiconductoare cu trei jonciuni, de tip p-n-p-n. Acestea au proprietatea de comutator de trecere brusc, la comanda printr-un impuls, din starea blocat (rezisten interioar foarte mare, 108- 109 ohmi) la starea de conducie (rezisten interioar foarte mic). n fig.7.17 se reprezint structura schematic i simbolizarea unui tiristor p-n-p-n. Zonele terminale p i n se numesc anod (A) sau colector i catod (K) sau emitor, deoarece n regimul de conducie al tiristorului anodul este supus unui potenial pozitiv i catodul unui potenial negativ. Pe zona p central A exist un contact chimic la care se leag A electrodul de comanp d numit poart (P) Rs p Ia n sau gril de comand. Ip Ua Tiristoarele se fabric p p din cristale de siliciu, + + n care au o stabilitate k ea Up - ep foarte bun fa de variaiile de temperak tur. n ceea ce Fig.7.17 privete principiul de funcionare al tiristorului, dac ne referim la reprezentarea schematic, constatm c atunci cnd anodul este supus la un potenial pozitiv i catodul la un potenial negativ, jonciunile laterale sunt polarizate n sens direct, iar jonciunea central n sens invers. n acest caz dac Ua nu este prea mare, prin tiristor va trece un curent foarte mic, determinat de curentul invers al jonciunii centrale. Dac meninem tensiunea ntre poart i catod Up egal cu zero i mrim tensiunea Ua, n jonciunea central se injecteaz din ce n ce mai muli purttori minoritari care lovind atomii reelei cristaline, smulg, pe msura creterii lui Ua, din ce n ce mai muli purttori liberi suplimentari. Din cauza acestui efect de multiplicare, curentul prin tiristor crete o dat cu creterea lui Ua. La o anumit valoare a tensiunii Ua pe care o notm cu Uam0 (numit tensiune de amorsare la Up=0), efectul de multiplicare a curentului devine att de intens nct, prin cderea de tensiune produs n jonciunile laterale, polarizarea jonciunii centrale se inverseaz i devine direct. n acest moment, toate jonciunile fiind polarizate n sens direct, se produce amorsarea tiristorului care ncepe s

247 conduc brusc; tensiunea Ua scade de la valoarea Uam0 la o valoare mic (1,5-2 V), iar curentul Ia, determinat de sursa ea, va fi limitat de rezistena de sarcin Rs. Variaia Ia(Ua), reprezint caracteristica anodic a tiristorului, pentru Up=const. i este dat n figura 7.18. Dac iniial se aplic porii P un potenial pozitiv fa de catod, multiplicarea puttorilor liberi n jonciunea central este accelerat i Uam2 Uam1 Uam0 amorsarea se va produce la Fig.7.18 o tensiune Uam cu att mai mic cu ct Up, va fi mai mare (Uam2<Uam1). Dup amorsare poarta nu mai are nici un efect de control, tiristorul revenind la starea de blocare numai atunci cnd Ua se micoreaz att de mult nct Ia scade sub o anumit limit minim, denumit curent de meninere. Dac t.e.m. este alternativ, rezult c tiristorul nu se va amorsa dac valoarea maxim Em este mai mic dect Uam0 (pentru Up=0). Dac ns n circuitul porii aplicm impulsuri pozitive cu o durat de cel puin 10s, atunci amorsarea va avea loc n momentul apariiei impulsului. Reglnd durata dintre dou impulsuri, putem regla durata de conducie, deci putem regla componenta continu a curentului Ia. Comanda amorsrii se poate face i cu o t.e.m. ep sinusoidal al crei defazaj fa de ea poate fi reglat. n fig. 7.19 se d caracteristica de comand a unui tiristor, reprezentnd dependena tensiunii anodice Uam, de amorsare (de basculare) n funcie de tensiunea de poart up. n stare de blocare tiristorul poate fi considerat ca un contact deschis, n stare de conducie el se consider practic ca un contact nchis. Tiristoarele se construiesc pentru valori ale tensiunilor inverse admisibile de sute sau chiar de mii de voli i cureni pn la sute de amperi. Ele sunt utilizate n schemele de redresoare comandate, care au aplicaii n acionarea motoarelor de curent continuu, la excitarea mainilor electrice de curent continuu, etc. De asemenea tiristoarele sunt folosite la construcia convertizoarelor statice de frecven, ca Fig.7.19 relee, etc. Tiristoarele prezint urmtoarele avantaje: volum mic, vitez foarte mare de comutaie (de ordinul s); randament ridicat; stabilitate

248 termic mare; siguran ridicat n funcionare; cdere de tensiune (direct) relativ mic (sub 3 voli) i tensiune invers mare.

7.1.4.2. Triacul
Triacul este un dispozitiv semiconductor cu cinci straturi. Structura i simbolizarea sa este dat n fig. 7.20. Fcnd abstracie de unele particulariti constructive, n structura zonelor semiconductoare, se poate arta c un triac este echivalent cu dou tiristoare montate n opoziie. Porile P1 i P2 ale acestor tiristoare sunt legate ntre ele, deci tensiunea de comand up poate fi pozitiv sau negativ, astfel nct caracteristica static a triacului are forma din fig.7.21. Tensiunea anodic de amorsare (adic valorile pozitive sau negative ale acestei tensiuni) depinde de tensiunea de poart Up, la fel ca n cazul tiristorului. Avnd n vedere aceste proprieti, triacul poate fi ntrebuinat ca un ntreruptor de c.a. n Fig.7.20 Fig.7.21 general triacul se utilizeaz la tensiuni i cureni mai mici dect ale tiristoarelor, avnd o structur mai complex i mai delicat dect acestea.

7.2. Redresoare
7.2.1. Generaliti Redresoarele au rolul de a transforma energia de c.a n energie de c.c.. Ele fac parte dintr-o gam mai larg de instalaii numite mutatoare. Mutatoarele transform, prin elemente neliniare unidirecionale, energia electromagnetic primit la intrare cu anumii parametri, n energie electromagnetic debitat la ieire cu ali parametri. Principalele circuite care intr n categoria mutatoarelor sunt: - redresoarele (fig.7.22a) transform c.a n c.c. - invertoarele sau onduloarele (fig.7.22b) au rolul de a obine, pornind de la o surs de tensiune continu, un curent alternativ cu o form suficient de apropiat de cea sinusoidal pentru a fi utilizat industrial.

249 Un ondulator poate fi autonom, atunci cnd debiteaz ntr-un circuit independent de alte circuite de c.a. sau neautonom, atunci cnd debiteaz ntr-o reea cu frecven constant (cum sunt reelele din sistemul energetic naional). Un ondulator neautonom poate ndeplini i funcia de redresor, dup regimul de lucru care se impune circuitului (fig.7.22c). - convertizoarele statice de frecven transform c.a. de o anumit frecven, n c.a. de alt frecven. Dac se urmrete obinerea unei tensiuni cu o frecven variabil, pornind de la reeaua industrial cu frecvena de 50 Hz, ceea ce corespunde celor mai frecvente aplicaii ale acestor circuite, se utilizeaz o schem cu ondulator autonom (fig.7.22d). - convertizoarele de curent continuu transform tensiunea continu prin urmtoarele operaii: tensiunea continu de intrare este transformat de un invertor n tensiune alternativ, care se aplic la nfurarea primar a unui transformator, iar tensiunea secundar se aplic unui redresor, obinndu-se o tensiune continu diferit de cea de intrare (fig.7.22e). Redresoarele sunt cele mai rspndite circuite din categoria mutatoarelor. Ele pot fi: necomandate, atunci cnd tensiunea continu obinut la ieire nu poate fi reglat prin elementele componente ale redresorului, sau comandate, cnd redresorul este conceput cu elemente i dup scheme ce permit ajustarea tensiunii continue de ieire.

Redresor

Invertor (ondulator)

Redresor ondulator neautonom

a) ~
REDRESOR

b)
ONDULOR AUTONOM

c) ~

d) =
INVERTOR TRANSFORMATOR REDRESOR

e) Fig. 7.22

250
Redresoarele electrice sunt formate din doi electrozi: un anod i un catod, separai printr-un mediu cu proprieti speciale (permite ca sarcinile negative s circule numai de la catod la anod, circulaia n sens invers fiind oprit, iar sarcinile pozitive pot circula numai de la anod la catod, circulaia n sens invers fiind de asemenea oprit ). Reprezentarea simbolic a unui redresor electric este dat n fig.7.23 (A-anodul i K-catodul). Prin redresor curentul circul de la anod la catod, sens direct. Dup felul tensiunii alternative de intrare, redresoarele pot fi monofazate sau polifazate. Redresoarele monofazate se construiesc de obicei la puteri mici. Redresoarele polifazate (trifazate, hexafazate, etc.), de regul comandate, se construiesc la puteri medii i mari, care n general sunt utilizate la alimentarea motoarelor de c.c.. k A Mrimile ce caracterizeaz un redresor sunt: - tensiunea redresat, n sarcin Uo; - curentul redresat, n sarcin Io; - tensiunea Fig.7.23 de strpungere, definit ca tensiunea limit n perioada de ne-conducie (deci tensiunea invers, care strpunge spaiul dintre anod i catod); - curentul invers, definit drept curent limit admis n perioada de ne-conducie; - randamentul, definit ca raportul dintre puterea dat sarcinii i puterea primit de redresor n perioada de conducie. Principalele caracteristici ale unui redresor de uz general sunt: - puterea nominal a redresorului - egal cu puterea pe care o poate debita n sarcin, n regim nominal de funcionare, fr a exista pericolul deteriorrii redresorului datorit depirii temperaturii de funcionare sau a unor valori maxime admise pentru elementele schemei; - tensiunea nominal a redresorului - egal cu tensiunea la bornele de ieire atunci cnd redresorul funcioneaz la puterea nominal. Cunoscnd puterea nominal i tensiunea nominal rezult curentul nominal al redresorului: P I on = n (7.8) U on - caracteristica extern a redresorului reprezint dependena tensiunii redresate Uo, n funcie de curentul redresat Io, atunci cnd curentul variaz ntre zero i Ion . Modificnd rezistena de sarcin Rs (fig.7.24) se obine dependena Uo(Io) a crei form de variaie este reprezentat n fig.7.25.

251 Io REDRESOR Uo R1 Uon Io[A] Ion Fig.7.25 Uo[v]

Fig.7.24

7.2.2. Redresoare monofazate Dup modul de utilizare a celor dou semialternane, redresoarele monofazate pot fi: monoalternan i dubl alternan. Schema redresorului monoalternan este dat n fig.7.26. n timpul semialternanei pozitive prin elementul redresor R curentul trece n sens direct, iar n timpul semialternanei negative curentul va fi zero (n cazul unui element redresor ideal). Curbele de variaie a tensiunilor u2(t) i u0(t) i a curentului i0(t) sunt date n fig.7.27. Tensiunea u2 fiind de forma: u 2 = U 2 m sin t , (7.9) Tr valoarea medie(componenta continu) a D tensiunii redresate va fi:

U 2 1 1 2 U 0 = u 2 dt = U 2 2 sin tdt = 2 T 0 T 0 (7.10) 0,45 U2 Fig.7.26 Transformatorul intermediar, montat n majoritatea schemelor de redresare, are rolul s schimbe valoarea tensiunii alternative a sursei de alimentare, astfel ca dup redresare aceasta s aib valoarea dorit. Pentru redresarea ambelor alternane ale curentului se utilizeaz dou scheme fundamentale: - schema cu priz median la transformator (fig.7.28) - schema n punte (fig.7.29). Se observ c cele dou Fig.7.27 tensiuni ale nfurrilor secundare, U0a i U0b se afl n opoziie de faz. Pentru una din semiperioade cnd
T

252 tensiunea din nfurarea ab acioneaz n sens pozitiv, borna b este pozitiv fa de punctul 0 i prin urmare, curentul trece prin elementul redresor 1 (sgeata figurat cu linie continu). n aceast semiperioad borna a a nfurrii 0a este negativ fa de priza median i prin urmare, elementul redresor 2 nu conduce. n perioada urmtoare, cnd tensiunile din nfurarea primar i cea secundar i inverseaz sensul, curentul va trece prin elementul redresor 2 (sgeata figurat cu linie ntrerupt), iar elementul redresor 1 se blocheaz.

Fig.14.8 Fig.7.28

Fig.7.29
Variaia tensiunilor i a curenilor din circuitul reprezentat n fig.7.28 este dat n fig. 7.30. Curentul care trece prin rezistena de sarcin (Io) are o variaie dublu pulsativ n intervalul unei perioade i constituie curentul redresat. Valoarea medie a tensiunii redresate Uo se calculeaz n mod analog, ca n cazul redresrii unei singure alternane i rezult evident: 2U 2 2 U0 = = 0,9U 2

Fig.7.30

(7.11) unde U2=U0b=U0a reprezint valoarea efectiv a tensiunii de la bornele celor dou poriuni ale nfurrii secundare

253 a transformatorului. n cazul schemei n punte exist patru elemente redresoare, care pot fi legate direct la reea, fr intermediul transformatorului, cu condiia ca tensiunea invers admisibil a elementelor redresoare s fie mai mare dect U 2 (U este valoarea efectiv a tensiunii reelei). Elementele redresoare se conecteaz astfel nct ntr-o semiperioad s conduc redresoarele 1 i 2 (sensul curentului este figurat cu sgeat cu linie continu), iar n cealalt semiperioad s conduc redresoarele 3 i 4 (sensul curentului este figurat cu sgeat cu linie ntrerupt). Curentul Io trece prin rezistena de sarcin Rs tot timpul n acelai sens, variaia fiind dublu pulsativ (fig.7.30.b). Valorile medii ale tensiunii redresate sunt aceleai ca i n schema precedent (U2=Uab). Redresoarele dubl alternan au urmtoarele avantaje fa de cele monoalternan: - tensiunea redresat Uo este de dou ori mai mare fa de tensiunea dat de redresorul monoalternan; - componenta alternativ din tensiunea redresat este mai mic i are frecvena dubl fa de frecvena tensiunii redresate.
7.2.3. Filtrarea tensiunii redresate Netezirea pulsaiilor tensiunii redresate se face cu ajutorul filtrelor. Filtrele se conecteaz dup blocul redresor propriu zis i au rolul de a pondera ct mai mult componenta alternativ din tensiunea redresat. Cea mai simpl schem de redresoare cu filtru este cea din fig.7.31 (filtru compus dintr-un condensator legat n paralel fa de sarcin). Funcionarea schemei se poate urmri din diagrama dat n fig.7.32. Aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul secundarului transformatorului rezult: u2 = ua+uc n care tensiunea de la bornele condensatorului uc este egal cu tensiunea de la bornele rezistenei de sarcin Rs.

254 Tensiune anodic ua, de la bornele elementului redresor este ua = u2-uc Urmrind funcionarea schemei din momentul aplicrii tensiunii de alimentare, se constat c pe poriunea de cretere a tensiunii u2 din prima semiperioad, avem u 2 > u c i deci u a > 0 . Elementul redresor va conduce i condensatorul C se u,i u2 ncarc de la secundarul transforuc Uo matorului. Rezistena de ncrcare a condensatorului fiind foarte ia ia mic (intervine numai rezistena t1 t2 t3 t ohmic a nfurrii secundare a transformatorului i rezistena n sens direct a elementului redresor, Fig.7.32 considerat egal cu zero, prin idealizare), constanta de timp a circuitului este mic i deci ncrcarea condensatorului se va face foarte rapid, urmrind ndeaproape tensiunea u2. n momentul t1 avem u2 = uc, deci ua = 0, iar n momentul urmtor u2 scade sub uc, deci u a < 0 . Elementul redresor se blocheaz i condensatorul C se va descrca pe rezistena de sarcin Rs. Constanta de timp la descrcare d = Rs C , este mai mare i rezult o scdere lent a tensiunii uc. n momentul t = t2 avem din nou u2 = uc, deci ua = 0, iar n momentul urmtor tensiunea ua devine pozitiv i elementul redresor va conduce, permind ncrcarea rapid a condensatorului C, pn la t = t3. n continuare condensatorul se descarc, pn cnd elementul redresor va conduce din nou, i aa mai departe. Tensiunea uc are mici oscilaii n jurul valorii constante Uo, care reprezint, n acelai timp, tensiunea continu de la bornele rezistenei de sarcin. Se remarc faptul c Uo are o valoare mai mare dect tensiunea Uo din schema redresorului monoalternan fr filtru (vezi fig.7.27). n acelai timp, n cazul redresorului cu filtru, componenta alternativ (oscilaie n jurul valorii Uo) rezult mult mai mic. n schema redresorului cu filtru capacitiv, elementul redresor conduce numai n intervalul de timp cnd u2 mai mare dect uc (0-t1; t2-t3; etc.), iar curentul prin elementul redresor ia are forma dat n fig.7.32. Performanele redresorului cu filtru depind de valoarea rezistenei de sarcin Rs. n fig.7.33 este reluat diagrama din fig .7.32 pentru o rezisten Rs mai mic. Constanta de timp de descrcare ( d = Rs C ) este mai mic, deci descrcarea condensatorului se face mai rapid.

255 Tensiunea U0 scade, iar componenta alternativ crete fa de cazul precedent. Pentru acelai tip de filtru performanele sunt mult u2 uc mai bune n cazul redresorului uc dubl alternan. Acest lucru Uo u2 se poate remarca n fig.7.34, unde se d variaia tensiunii uc n cazul redresrii ambelor alternane cnd constanta de timp de descrcare a condensatorului are aceeai valoare ca n cazul diagramei din fig.7.33. Pentru ca eficiena filtrrii s fie bun uc uc este necesar ca valoarea capacitii condensatoruUo lui de filtrare s fie ct mai mare. Din acest mot tiv, n schemele filtrelor se utilizeaz condensaFig..7.34 toare electrolitice, care pot funciona la valori mari ale capacitilor. n afara filtrelor cu un condensator se pot utiliza filtre cu inductane de filtraj. n acest caz blocul de filtraj 1 2 din fig.7.31 cu bornele de intrare 1-1 i L bornele de ieire 2-2, se nlocuiete cu un bloc avnd schema dat n fig.7.35. Bobi1 2 na are o rezisten ohmic practic neglijabil, ns reactana inductiv fiind mai Fig.7.35 mare va duce la diminuarea transmiterii la sarcin a componentei alternative din tensiunea redresat. Bobina de filtraj se mai numete i bobin de oc sau drosel. Filtrele cu condensator i inductan sunt filtre elementare, fr performane deosebite. Principalul criteriu de apreciere a calitii unui U filtru este factorul de ondulaie a tensiunii de la ieirea filtrului: = 1m , U0 n care U1meste amplitudinea primei armonici din tensiunea de ieire, iar U0 este componenta continu. Pentru obinerea unor factori de ondulaie mai mici se utilizeaz filtre combinate: L-C sau C-L-C (fig.7.36). Deoarece bobinele de filtraj sunt elemente costisitoare, n multe scheme care

256 nu necesit performane deosebite ele se nlocuiesc cu rezistoare, obinndu-se filtre de tip R-C sau C-R-C (fig.7.37).

1 L 1 C

1 C L C 2

Fig.7.36 2 C 2 Fig.7.37
7.2.4. Redresoare trifazate Redresoarele trifazate se construiesc pentru puteri nominale mari. Cea mai simpl schem de redresor trifazat (fig.7.38) utilizeaz un transformator trifazat, avnd secundarul conectat n stea. Funcionarea schemei se poate urmri n diagrama din (fig 7.39). La un moment oarecare conduce elementul redresor care are Fig.7.38 anodul la potenialul cel mai ridicat. Curentul de sarcin este: i0 = i1 + i2 + i3 (7.12) i are, n cazul sarcinii rezistive, o form pulsatorie.

1 R 1 C

1 R C

257 Tensiunea redresat u0, de la bornele rezistorului Rs, este egal cu tensiunea pe faz n care elementul redresor conduce i are forma curbei cu linie ntrit (n intervalul unei perioade exist trei pulsuri) din fig.7.39.n momentele t1, t2, t3 se produce comutarea conduciei de pe o faz pe alta. Valoarea medie a tensiunii redresate U0, de la bornele rezistorului Rs, se obine din relaia:
u0 u3 t1 i1 t i2 i3 t t uo u1 t2 T/2 t3 u2 T t4 u3 t 3T/2
t

1 U0 = T 3

5T

U
12

12

2 sin tdt

Rezult: 3 6 U0 = U f 1,17U f 2 (7.13)

unde Uf este valoarea efectiv a tensiunii pe io faz de la bornele secunt T T 5T darului transformatorului. 12 3 12 n schema considerat, tensiunea invers Fig.7.39 la bornele unui element redresor este determinat de tensiunea ntre fazele nfurrii secundare. Valoarea maxim a tensiunii inverse este egal cu valoarea maxim a tensiunii ntre faze: U i max = 3U f 2 = 2,09U 0 (7.14) nfurarea primar a transformatorului trifazat se leag fie n stea, fie n triunghi. Fiecare din aceste conexiuni introduce anumite particulariti n funcionarea schemei. O alt schem foarte des folosit n practic datorit performanelor superioare pe care le prezint, este schema de redresare trifazat n punte (fig.7.40). n aceast schem, la un moment oarecare conduc dou elemente redresoare: elementul redresor cu anodul supus la potenial cel mai ridicat i elementul redresor cu catodul supus la potenialul cel mai sczut. Astfel, n intervalul t1-t2 conduc elementele redresoare 1 i 5 ; n intervalul t2-t3 conduc redresoarele 1 i 6 ; n intervalul t3-t4 conduc redresoarele 2 i 6 etc. Se remarc faptul c frecvena comutrilor este de dou ori mai mare dect n cazul redresorului trifazat obinuit, deci perioada pulsaiilor tensiunii redresate este de dou ori mai mic.

258 n fig.7.41 sunt prezentate diagramele de variaie ale tensiunilor pe

Fig.7.40 faz de la secundarul transformatorului, ale curenilor i1 , i2 , i3 prin elementele redresoare, diagrama curentului redresat i a tensiunii redresate. Tensiunea redresat uo, de la bornele rezistenei de sarcin Rs corespunde diferenei potenialelor ntre acele borne ale nfurrii secundare la care sunt legate elementele redresoare n conducie (uo corespunde segmentelor verticale cuprinse ntre curbele trasate cu linie ntrit n fig.7.41 ). Valoarea medie a tensiunii continue Uo este de dou ori mai mare dect n cazul redresorului trifazat simplu: 3 6 U0 = U f 2,34 Uf

(9.15)

Fig.7.41

259

7.3. Amplificatoarele electronice

7.3.1. Parametrii i caracteristicile amplificatoarelor
Un amplificator poate fi reprezentat printr-un ansamblu avnd dou borne de intrare la care se aplic un semnal ce urmeaz a fi amplificat, dou borne ieire - la care se conecteaz sarcina pe care se obine semnalul amplificat, precum i dou borne (reprezentate punctat n fig.7.42) la care se face alimentarea amplificatorului de la o surs exterioar. De obicei, n reprezentarea amplificatoarelor prin scheme bloc nu se mai figureaz bornele de alimentare, astfel amplificatorul apare ca un cuadripol. Proprietile unui amplificator sunt date de un ansamblu de parametri i caracteristici cum sunt: - amplificrile n tensiune, n U0 putere i n curent; I1 I2 - caracteristica extern; - caracteristica de frecven; U1 U2 Rs - impedana de intrare i impedana de ieire; - zgomotul propriu; Fig.7.42 n cele ce urmeaz se prezint succint parametrii mai importani i caracteristicele amplificatoarelor. Amplificarea n putere este definit prin relaia: P (7.16) Ap = 2 P1 unde P2 este puterea semnalului de ieire, iar P1 este puterea semnalului la intrare. Principala proprietate a unui amplificator const n faptul c are amplificarea n putere supraunitar. Ctigul de putere obinut la ieirea amplificatorului rezult pe seama consumului de energie de la sursa de alimentare a acestuia. Amplificarea n putere a semnalului se obine prin amplificarea n tensiune i (sau) n curent a acestuia. Amplificarea n tensiune se numete, simplu, amplificarea i se definete prin relaia: U (7.17) A = 2m U 1m

260 Frecvent se utilizeaz pentru amplificare, o unitate logaritmic, numit decibel [db]. Amplificarea msurat n decibeli se definete prin relaia: U Adb=20 log 2 = 20 log A (7.18) U1 Amplificarea n curent se definete prin relaia: I (7.19) A1 = 2 I1 Caracteristica extern, numit i caracteristica intrare-ieire, reprezint relaia: U2= f(U1)i are forma dat n fig. 7.43. Dependena este practic U2 liniar pentru U1 U 1M . Dac U 1 >U1M se U2M obine o saturaie, adic tensiunea U2 variaz foarte puin la creterea tensiunii de intrare U1. La amplificatoarele obinuite, regiunea util din caracteristica extern este regiunea liniar. Pe aceast poriune este U1 U1M valabil relaia U2 = AU1 dedus din forFig.7.43 mula de definiie a amplificrii n tensiune. n consecin, semnalul de intrare nu trebuie s depeasc valoarea maxim U1M, corespunztoare limitei regiunii liniare. Pentru a justifica aceast condiie subliniem c un amplificator trebuie s realizeze amplificarea unui semnal fr a-i modifica forma de variaie n timp (fr distorsiuni). Atta timp ct U1<U1M, elementele active din circuit (tuburile electronice sau tranzistoarele) lucreaz n regiunea liniar a caracteristicilor statice i semnalului de ieire al amplificatorului este reprodus fr distorsiuni. Dac U1>U1M se lucreaz n zona de saturaie a caracteristicii externe (haurat n fig. 7.43) i n acest caz semnalul de ieire va fi distorsionat, ca urmare a faptului c tranzistoarele sau tuburile electronice vor lucra i n regiunile neliniare ale caracteristicilor statice. Pentru obinerea unei zone de liniaritate ct mai largi n caracteristica extern a unui amplificator, este necesar ca fiecare tranzistor sau tub electronic s lucreze ntr-un punct static de funcionare din mijlocul domeniului de liniaritate de pe dreapta de sarcin. Distorsiunile semnalului de ieire, ca urmare a funcionrii amplificatorului n regiunea neliniar a caracteristicii externe, se numesc distorsiuni de neliniaritate. Pentru aprecierea acestor distorsiuni se consider

261 c la intrarea amplificatorului se aplic un semnal sinusoidal de amplitudine U1. Semnalul la ieire, periodic ns nesinusoidal, se poate descompune ntr-o sum de armonici de amplitudini A1, A1, A3, A4 ..... Factorul de distorsiuni de neliniaritate se definete prin relaia:
(7.20) 100% A1 i reprezint procentul armonicile care apar datorit deformrii semnalului amplificat fa de componenta fundamental cu amplitudinea A1. Un amplificator liniar ideal are tensiunea de ieire U2 de aceeai form cu tensiunea de intrare U1, deci A1 = U2, A2 = 0, A3=0,.... i n consecin d=0. n audiofrecven, distorsiunile sub 1% se consider ca fiind sub limitele de apreciere a urechii, iar de la 5% n sus audiia pierde sensibil din punct de vedere calitativ; limita maxim acceptabil este de 10%. Caracteristica de frecven a unui amplificator reprezint dependena amplificrii A de frecvena semnalului amplificat. Un amplificator ideal are aceeai amplificare la orice frecven a semnalului U1. Amplificatoarele au caracteristici de frecven de diferite forme (fig.7.44), adic amplificarea variaz cu frecvena semnalului. n practic intereseaz n mod deosebit domeniul frecvenelor n care amplificarea este aproximativ constant. Acest domeniu se numete band de trecere a amplificatorului i se definete ca fiind intervalul pe axa frecvenelor n interiorul cruia amplificarea AdB nu variaz cu mai mult de 3 dB (adic A nu variaz mai mult de 2 ori). n fig.7.44.c se arat modul de determinare grafic a benzii de trecere a unui amplificator, pentru o caracteristic de frecven de tipul celei din fig. 7.44a. Frecvenele pentru care amplificarea scade la A0/ 2 , unde A0 este amplificarea la frecvenele medii, se numesc frecvene de tiere. AdB A A A A0[dB] A0 3dB A0 2 log f log fj log fi log f log f a) b) c) Fig.7.44 Frecvena fj este frecvena joas de tiere, iar fi este frecvena nalt de tiere. Intervalul (fj,fi) reprezint banda de trecere a amplificatorului. Se tie c un semnal de o form oarecare poate fi considerat ca o nsumare a unor semnale sinusoidale, numite armonici, de d=
2 2 A2 + A32 + A4 + ...

262 nsumare a unor semnale sinusoidale, numite armonici, de diferite amplitudini i frecvene. Ansamblul armonicilor unui semnal formeaz spectrul semnalului respectiv. Teoretic spectrele cuprind armonici cu frecvene mergnd pn la infinit, practic ns spectrele semnalelor sunt cuprinse ntre o frecven minim fmin i o frecven maxim fmax. Pentru amplificarea unui semnal fr distorsionarea acestuia este necesar ca toate armonicile din spectrul semnalului respectiv s fie amplificate n aceeai msur. Deci, amplificarea trebuie s fie practic constant n domeniul (fmin,fmax). Aceast condiie este ndeplinit atunci cnd spectrul semnalului amplificat este inclus n banda de trecere a amplificatorului. Dac nu este satisfcut aceast condiie, unele armonici vor fi amplificate mai mult altele mai puin, astfel nct prin nsumarea lor se obine un semnal la ieire de o form diferit de cea a semnalului de intrare. Asemenea distorsiuni se numesc distorsiuni de frecven. Impedana de intrare este un parametru important al amplificatoarelor electronice. Ea poate avea valori n limite foarte largi (de la zeci de ohmi pn la 1011ohmi). n cele mai multe situaii se cere ca impedana de intrare a amplificatorului s fie foarte mare (de ordinul megaohmilor), ceea ce se realizeaz uor la amplificatoarele electronice cu tuburi i cu tranzistoare unipolare. n unele aplicaii, cum sunt traductoarele de pH i alte tipuri de traductoare, impedana de intrare a amplificatorului din componena aparatului respectiv trebuie s fie de ordinul 1010-1012 ohmi. n aceste situaii, amplificatorul are primul etaj realizat fie cu tranzistoare MOS, fie cu tuburi electronice speciale (tuburi electromerice). Impedana de ieire a unui amplificator trebuie s fie mic, pentru a se putea debita pe rezistena de sarcin o putere util ct mai mare. Zgomotul propriu al unui amplificator reprezint tensiunea fluctuant de la ieirea amplificatorului, atunci cnd nu se aplic semnal de intrare. Evident, zgomotul propriu al unui amplificator electronic trebuie s fie ct mai mic cu putin. ntr-un amplificator, cel mai mult sunt amplificate zgomotele de la intrarea primului etaj. Prin urmare, nivelul semnalului util aplicat primului etaj trebuie s fie mai mare dect nivelul zgomotului produs la intrarea primului etaj. Rezult de aici c amplificatoarele sunt caracterizate prin sensibilitate, determinat de pragul inferior deasupra cruia trebuie s se situeze semnalul util. Zgomotele sunt inerente n amplificatoare i sunt datorate urmtoarelor cauze principale: agitaia termic din orice conductor electric;

263 caracterul discret al curentului anodic i al emisiunii catodice (n cazul amplificatoarelor cu tuburi electronice); zgomotul produs de reeaua de alimentare, att din cauze de filtraj a curentului redresat ct i prin inducie electromagnetic (transformatoarele de reea, circuitele de alimentare ale filamentelor tuburilor electronice etc.); zgomote produse de vibraiile mecanice ale electrozilor tuburilor. Acest efect este denumit curent microfonic. n general, n amplificatoarele cu tranzistoare apar zgomote importante provocate de variaia conductivitii semiconductorului datorit fluctuaiilor concentraiei de purttori minoritari. Aceste zgomote sunt mult mai importante dect cele care ar putea fi deduse prin analiza zgomotelor de natur termic. Clasificarea amplificatoarelor se poate face dup mai multe criterii: dup forma caracteristicii de frecven: amplificatoare de c.a. i amplificatoare de c.c.. dup ordinul de mrime al frecvenelor de lucru: amplificatoare de joas frecven sau audiofrecven (amplificatoarele care lucreaz n banda de audiofrecven 20 20.000 Hz); amplificatoare de radiofrecven (n radiodifuziune); amplificatoare de band larg (de exemplu, n televiziune); amplificatoare de frecvene foarte nalte etc.. Amplificatoarele utilizate n tehnica impulsurilor sunt denumite amplificatoare de impulsuri, iar amplificatoarele utilizate n calculatoare analogice sunt denumite amplificatoare operaionale (sumatoare, sumatoare-integratoare etc.). Amplificatoarele electronice de care ne vom ocupa n acest capitol sunt realizate cu ajutorul tranzistoarelor (cele construite cu tuburi electronice fiind realizate n trecut, se ntlnesc mai rar i n aceast cauz nu vor fi tratate). dup lrgimea benzii de trecere, amplificatoarele pot fi: selective (de band ngust); obinuite (cum sunt amplificatoarele de joas frecven); de band larg. dup regimul de amplificare a dispozitivului electronic: amplificatoare n clas A; n clas B; n clas C i n clas AB. Regimul de funcionare a dispozitivului electronic este dat de poziia punctului static de funcionare i de amplitudinea semnalului la intrare. Analiza acestor regimuri se va face n cadrul funcionrii tranzistorului n regim dinamic.

264 Dup destinaie, amplificatoarele pot fi foarte diverse att prin proprieti specifice, ct i prin principiul constructiv. Avnd n vedere marea diversitate a amplificatoarelor, n cele ce urmeaz se vor prezenta problemele principale la amplificatoarele clasice cu tranzistoare.
7.3.2.Amplificatoare cu tranzistoare 7.3.2.1. Tranzistorul n circuit. Stabilirea punctului static de funcionare Existena a dou surse pentru alimentarea unui tranzistor, reprezint o soluie incomod i neutilizat n practic. Pentru asigurarea unui punct static de funcionare la un tranzistor n conexiune EC, funcionnd ca amplificator, este necesar s se stabileasc un curent de baz hibo, o tensiune colector emitor uceo i un curent de colector ico, atunci cnd tranzistorul are n circuitul de ieire o rezisten de sarcin Rs, conectat n serie cu tranzistorul i cu sursa de alimentare. Pentru obinerea curentului de baz hibo se poate renuna la o surs separat, alimentarea bazei fcndu-se de la sursa de colector, printr-o rezisten Rb aleas corespunztor ( fig.7.45a - pentru tranzistorul p-n-p i fig.7.45.b-pentru tranzistorul n-p-n); se obine cea mai simpl schem a Rs Rs unui etaj de amplificare cu tranzistor. Pentru determinarea punctului static de funcionare se scrie teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de Fig.7.45 alimentare a bazei. Pentru schema din fig.7.45.a rezult: EC=Rsic uce (7.21) EC=Rbib ube (7.22) Pentru schema din fig.7.45b rezult: Ec=Rsic + uce (7.23) Ec=Rbib + ube (7.24) Dar |ube|<<Ec i deci relaiile (7.22) i (7.24) devin Ec Rbib (7.25) Ecuaiile scrise se completeaz cu relaia: Ic = f(uce); ib = const. (7.26) dat grafic sub forma familiei caracteristicilor de ieire. Pentru deducerea punctului static de funcionare al tranzistorului n schemele din fig.7.45 se rezolv grafic sistemul ecuaiilor (7.21),

265 (7.25) i (7.26) pentru tranzistorul p-n-p sau sistemul (7.23), (7.25) i (7.26) pentru tranzistorul n-p-n. Din ecuaia (7.25) rezult: E ibo c (7.27) Rb n planul caracteristicilor de ieire ale tranzistorului se face reprezentarea grafic a dreptei de sarcin, corespunztoare relaiilor (7.24) sau (7.26). Subliniem ca la familia caracteristicilor ic(uce) ale unui tranzistor p-n-p, n abscis se consider uce, iar la un tranzistor n-p-n se consider +uce. Din aceast cauz, cu toate c ecuaiile (7.24) i (7.26) difer prin semnul termenului uce, reprezentarea dreptei de sarcin are acelai aspect. n fig.7.46 s-a reprezentat dreapta static de sarcin i modul de stabilire a punctului static de funcionare M. Intersecia dreptei statice de sarcin cu caracteristica ic(uce) pentru ib=ibe=const. ne d punctul static de funcionare M al tranzistorului, avnd coordonatele -ucec i ico. Utilizarea circuitelor din fig.7.45 prezint un dezavantaj important: punctul static de funcionare se modific cu temperatura tranzistorului. Acest lucru se datoreaz faptului c n componenta curentului ic intr curentul invers al diodei baz-colector iCBo, care este un curent de purttori minoritari, iar numrul purttorilor minoritari variaz exponenial cu temperatura, ducnd la creterea curentului de colector ic i la modificarea familiei de curbe ic(uce), aa cum sunt prezentate curbele cu linie ntrerupt din fig.7.47, pentru 400C- curbele cu linie continu. La creterea temperaturii, punctul de funcionare al tranzistorului se modific din M n M, deci ic
Ec RS 8 ico 4 2 5 -uceo10 Ib=300A Ib=250A Ib=200A Ib=150A Ib=100A Ib=50A

ic
Ec RS 8 ico 4

Ib=300A Ib=250A Ib=200A M1 M Ib=150A Ib=100A Ib=50A Ib=30A tg =Rs 5 -uceo10 15

Ib=30A 2 tg =Rs 15

Ec -uce

Ec -uce

Fig.7.46

Fig.7.47

uce scade,iar ic crete. Exist dou ci pentru diminuarea efectului variaiei temperaturii asupra funcionrii unui tranzistor:

266 1. Utilizarea unor tranzistoare la care ponderea curentului iCBo este mai mic dect la celelalte tranzistoare. Deoarece tranzistoarele cu siliciu au curentul iCBo cu un ordin de mrime mai mic dect la tranzistoarele cu germaniu, iar temperatura limit de funcionare a tranzistoarelor cu siliciu este destul de ridicat, n prezent tranzistoarele cu siliciu sunt cele mai utilizate n circuitele electronice din industrie. 2. Utilizarea unor montaje pentru alimentarea tranzistoarelor care s asigure stabilitatea punctului static de funcionare la variaia temperaturii. n fig. 7.48a se prezint un circuit simplu de polarizare a

u1 a)

u1 b) Fig.7.48

tranzistorului n care se asigur stabilizarea punctului static de funcionare. Creterea temperaturii duce la creterea curentului de colector i la scderea tensiunii uce. Curentul de baz ib este asigurat de rezistena Rb, alimentat de la colectorul tranzistorului (ib uce/Rb). Cnd scade uce, scade i curentul ib, ceea ce duce la o scdere a curentului ic, compensnd creterea acestuia datorit variaiei temperaturii. La utilizarea acestei scheme ntr-un etaj de amplificare, prin rezistena Rb se realizeaz rentoarcerea la intrare a unei pri din semnalul de ieire al amplificatorului. Acest fenomen este numit reacie. Pentru nlturarea reaciei, rezistena Rb se divizeaz n dou rezistene Rb1 i Rb2, iar punctul comun de conexiune A se leag la borna comun (masa montajului), prin intermediul condensatorului C (fig.7.48.b). Deoarece reactana condensatorului este neglijabil, punctul A st practic legat la mas n curent alternativ, astfel nct se elimin reacia din amplificator. Variaia temperaturii are mai multe influene asupra funcionrii tranzistorului. Pe lng mrimea curentului de colector, ca urmare a creterii curentului iCBo, crete i curentul de emitor. Pe baza acestui efect funcioneaz schema de stabilizare a punctului static de funcionare, dat n fig.7.49. Dac se aplic teorema a II-a a lui Kirchhoff pe conturul nchis din circuitul de baz-emitor, rezult:

267 ube = u1-Reie (7.28) La creterea temperaturii va crete ic (deci scade uce) i crete curentul emitor ie. Deoarece tensiunea u1 este constant i ie crete, tensiunea ube scade, conducnd la scderea curentului ib. n consecin se va micora i ic, deci se obine un efect de compensare a efectului iniial al variaiei temperaturii. Condensatorul Ce are o reactan neglijabil la frecvena de lucru a ube circuitului, astfel nct emitorul tranzistorului este n curent alternativ, practic conectat la mas. Schema din fig.7.49 este cel mai frecvent utilizat ca etaj elementar de amplificare cu tranzistor. Fig.7.49
7.3.2.2. Regimul dinamic al tranzistorului. Funcionarea unui etaj de amplificare cu tranzistoare. Se consider cel mai simplu etaj de amplificare fig.7.50, ce lucreaz cu un tranzistor pentru care familia caracteristicilor de ieire ic(uce), dreapta static de sarcin i punctul static de funcionare sunt date n fig 7.51. Cnd etajul primete la intrare un semnal alternativ ui, curentul de baz va avea, pe lng componenta continu de regim staionar ib0, o component alternativ produs de tensiunea ui. Considernd c amplitudinea tensiunii ui este 0,5 mV iar amplitudinea componentei alternative a curentului de baz este de 50 A, puterea de intrare a semnalului la intrare este: 1 Pi = U im I im = 0,5 0,5 10 3 50 10 6 W 2 =0,0125.10-6W Fig.7.50

n fig.7.51 este ilustrat principiul de funcionare al etajului n regim dinamic. Punctul de funcionare M se deplaseaz pe poriunea AB a dreptei de sarcin n aa fel nct se obine cte o component alternativ a tensiunii uce i a curentului ic. Msurnd amplitudinile semnalelor de ieire (tensiune i curent), n diagrama dat n fig.9.65, rezult:

268

1 1 Pe = U em I em = 4,7 2 10 3 W = 4,7 10 3 W 2 2 Din acest exemplu numeric se constat ic [mA] c etajul realizeaz o ib considerabil amplificaib=250A re a semnalului aplicat ib=200A 50A t A la intrare. 8 ib=150A n paragraful 1 Ic= 2mA M B ib=100A s-a specificat c este 4 necesar pentru a nltuib=50A ico ra distorsiunile de neli2 t niaritate ca fiecare tran5 10 15V zistor i ndeosebi cele Ec -uce ue=4,7V din etajele finale de uceo amplificare, s lucreze ntr-un punct static de funcionare din mijlocul t domeniului de liniaritaFig.7.51 te de pe dreapta de sarcin. n fig. 7.52 s-a reluat diagrama regimului dinamic, dat n fig.7.51, pentru diferite valori ale amplitudinii semnalului de intrare. Se remarc faptul c, pentru valorile mici ale semnalului de intrare, semnalul de ieire este reprodus corect. Dac amplitudinea semnalului are o valoare pentru care punctul de funcionare ajunge n punctele extreme P i Q ale dreptei de sarcin, semnalul de ieire apare trunchiat, deci distorsionat. n punctul P tranzistorul lucreaz n regim de saturaie, tensiunea pe tranzistor uce fiind practic egal cu zero, iar curentul de colector are valoare maxim pentru rezistena respectiv de sarcin Rs. n punctul Q tranzistorul lucreaz n regim de tiere, curentul de colector ic fiind practic egal cu zero, iar uce este foarte apropiat de Ec. Domeniul amplitudinii semnalului de intrare, pentru care punctul de funcionare nu intr n regim de saturaie sau de tiere, corespunde regiunii liniare din caracteristica extern a amplificatorului. Pentru ca domeniul de liniaritate s fie ct mai larg, este necesar ca punctul static de funcionare al fiecrui tranzistor din amplificator s fie corect alese. Acest regim de funcionare este n clas A. Dac punctul static de funcionare se alege n Q, regimul de funcionare a amplificatorului va fi n clas B , iar dac punctul M se alege pentru o tensiune u c 0 > E c regimul de funcionare va fi n clas C.

269 Regimul de funcic [mA] ionare n clas A este ib folosit la amplificatoareib=300A le liniare de tensiune i 10 P ib=250A puteri mici. Folosirea ib=200A t unui tranzistor funcioib=150A nnd n clas B va intro5 duce distorsiuni excesiM ib=100A ve (tranzistorul lucreaz ib=50A 2,5 n regim de tiere). Penib=0A Q tru a nltura acest ne5 10 15 ajuns se folosesc dou -uce tranzistoare care lucrea-Ec _-uco z pe rnd (n contratimp), semialternana pozitiv a semnalului t fiind amplificat de un tranzistor, iar cea negaFig.7.52 tiv de cellalt tranzistor. n acest fel se face sinusoida complet, iar distorsiunile devin de acelai ordin de mrime ca la regimul n clas A. Din aceast clas fac parte, de obicei, amplificatoarele de putere de joas frecven. n cazul regimului de funcionare n clas C ce amplifica numai vrfurile semiperioadei pozitive a semnalului aplicat, i din aceast cauz la ieire se obine un semnal puternic distorsionat. n acest regim funcioneaz, de exemplu, amplificatoarele de putere de radiofrecven. Exist i regimul de funcionare n clas AB, care se caracterizeaz prin aceea c punctul de funcionare M se alege n apropierea punctului de taiere Q, n aa fel nct pentru un semnal de intrare de mic amplitudine funcionarea va fi n clas A, iar pentru un semnal de amplitudine mare regimul de funcionare va fi n clas B.
7.3.3.. Reacia la amplificatoare n schema dat n fig.7.49, care reprezint un etaj elementar de amplificare, se remarc sensul unidirecional al efectelor electrice de la intrare spre ieirea fiecrui etaj: o variaie de tensiune la ieire, eventual aplicat din afar, nu produce nici un efect n circuitul de intrare. Se poate ns, ca din circuitul de ieire dup unul sau mai multe etaje de amplificare, s se introduc la intrare printr-un circuit de reacie CR

270 (fig.7.53) o tensiune de reacie ur, n serie cu semnalul de intrare ui, aplicat din exterior. Tensiunea u1 la intrarea amplificatorului va fi: u1=ui-ur sau (7.29) U1 = Ui - Ur Aceast tensiune se va amplifica i o parte din ea va trece din nou la intrare .a.m.d.. Dac tensiunea de reacie ur este n faz cu Fig.7.53 semnalul aplicat ui atunci se spune c avem o reacie pozitiv, iar dac ur este n opoziie de faz cu ui se spune c avem o reacie negativ. Reacia pozitiv mrete amplificarea, pe cnd cea negativ o micoreaz. n unele cazuri ntre ur i ui apare un defazaj oarecare, care este de obicei funcie de frecvena de lucru. Tensiunea de reacie ur poate fi proporional cu tensiunea de ieire u2 i n cazul acesta avem reacie de tensiune (fig.7.54.a), sau cu intensitatea curentului de ieire i2-reacie de curent (fig.7.54.b).
i2

b) Fig.7.54 Dac considerm tensiunile de intrare i ieire exprimate n complex, amplificarea se poate defini ca o mrime complex A, al crui modul ne arat de cte ori este mai mare valoarea eficace a tensiunii de ieire U2 dect valoarea eficace a tensiunii de intrare i al crui argument este egal cu defazajul tensiunii de ieire fa de tensiunea de intrare, deci se poate scrie: (7.30) U2 = A U1 Tensiunea de reacie Ur este proporional cu tensiunea de ieire a amplificatorului: (7.31) Ur = U2

a)

271 Unde este coeficientul de transfer al circuitului de reacie, definit n reprezentarea simbolic ca i mrimea A. Mrimea depinde de structura i valoarea elementelor circuitului de reacie. Amplificarea amplificatorului cu reacia negativ, atunci cnd se cunoate amplificarea A a amplificatorului fr reacie i coeficientul al legturii inverse se calculeaz innd cont de relaia (7.13) - scris pentru reacie negativ - i nlocuind Ur i U1. Se obine: U2 + U 2 = U i A sau: U2 A = (7.32) Ar = U i 1 + A n care Ar este amplificarea amplificatorului cu reacie negativ. Se constat c la un amplificator cu reacie negativ amplificarea scade cu att mai mult, cu ct reacia este mai puternic (coeficientul este mai mare). n afara acestui efect, exist i alte consecine, deosebit de importante, n privina modificrii caracteristicilor amplificatorului la introducerea reaciei negative. Dintre acestea amintim: - lrgirea benzii de trecere a amplificatorului i micorarea distorsiunilor de frecven cauzate de neuniformitile caracteristicii de frecven; - mbuntirea liniaritii caracteristicii externe i prin urmare, micorarea distorsiunilor de neliniaritate; - micorarea zgomotului propriu al amplificatorului. n concluzie, prin introducerea reaciei negative la un amplificator, toi indicatorii calitativi ai acestuia se mbuntesc. Din acest motiv, n amplificatoarele de performan reacia negativ este foarte frecvent utilizat. Att la amplificatoarele de c.a., ct i la amplificatoarele de c.c.. n schema etajului amplificator prezentat n fig.7.49 dac se scoate condensatorul de capacitate Ce, funcionarea va fi cu reacie negativ de curent. n acest caz tensiunea pe rezistena Re are dou componente: o component continu Reieo, corespunztoare curentului de regim staionar ieo i o component alternativ ur=Reie Reic. Tensiunea ntre baza i emitorul tranzistorului va fi ube = u1 = ui ur. Rezult c din tensiunea de intrare se scade o tensiune de reacie proporional cu curentul din circuitul de ieire al amplificatorului. n fig.7.55 se prezint schema unui amplificator de c.a. cu reacie negativ de tensiune. Transformatorul Tr are dou nfurri secundare la care se obin tensiunile de ieire ue i de reacie ur. Coeficientul de

272 proporionalitate dintre cele dou tensiuni depinde de raportul numrului de spire din cele dou nfurri secundare: Ur= Ue (N2/N2).Ue Tensiunea de reacie este adus la intrare n aa fel nct s fie n opoziie de faz fa de tensiunea Ui. Deoarece Ur este n opoziie de faz cu Ui reacia este negativ. n cazul reaciei pozitive tensiunea de reacie se nsumeaz cu tensiunea de intrare, iar amplificarea amplificatorului devine: A Fig.7.55 (7.33) Ar= 1 A Reacia pozitiv se utilizeaz numai n acele situaii cnd se urmrete transformarea unui amplificator ntr-un circuit cu alte funcii. Astfel, dac amplificatorul este de c.c. i A 1, reacia pozitiv transform amplificatorul ntr-un circuit basculant. Dac amplificatorul este de c.a. i se ndeplinete condiia A = 1 amplificarea Ar devine teoretic infinit, ceea ce nseamn c circuitul electronic va da la ieire un semnal diferit de zero, chiar dac nu primete la intrare nici un semnal. Un asemenea circuit se numete generator sau oscilator electronic.

7.3.4. Amplificatoare de curent alternativ

Un exemplu tipic de amplificator de curent alternativ este amplificatorul de audiofrecven, cu banda de trecere ntre 20Hz i 20kHz. n general, un amplificator de c.a. are frecvena minim de tiere fmin diferit de zero, deci caracteristica de frecven are forma de la fig.7.44a. Structura unui amplificator de c.a. ca de altfel a oricrui amplificator, este dat n fig.7.56. El conine un preamplificator PA, numit i amplificator de tensiune, urmat de un Fig.7.56 etaj final E.F. Etajul final are rolul de a debita n rezistena de

273 sarcin Rs o putere util dat semnalului amplificat. Preamplificatorul trebuie s realimenteze o amplificare n tensiune suficient de mare, pentru ca la aplicarea semnalului de intrare u1 s rezulte le ieire, deci la intrarea etajului final, o tensiune u2 suficient de mare pentru obinerea puterii dorite n rezistena de sarcin. Preamplificatorul, numit frecvent i amplificator de tensiune, este realizat de obicei cu mai multe etaje de amplificare conectate n cascad. Se tie c tensiunea de la ieirea unui etaj amplificator conine dou componente: component continu, corespunztoare punctului static de funcionare al tranzistorului sau tubului electronic; component alternativ, reprezentnd semnalul amplificat de etajul respectiv (componenta util). Legarea etajelor n cascad se face prin intermediul unor elemente de cuplaj, care au rolul s permit trecerea componentei alternative (componenta util) i s blocheze transmiterea de la un etaj la altul a componentei continue. Dup natura elementelor de cuplaj dintre dou etaje succesive putem avea: - amplificatoare de tensiune cu cuplaj prin rezisten i condensator, denumite uzual amplificatoare RC; - amplificatoare de tensiune cu bobin de reactan; - amplificatoare de tensiune cu transformator. Amplificatoare de tensiune RC . n fig.7.57 se d schema unui amplificator de tensiune RC, cu dou etaje. Cuplajul celor dou etaje se realizeaz prin condensatorul C2. Condensatoarele C1 i C3 servesc la blocarea componentelor continue ale semnalelor ce intr n etajul de amplificare i ce iese din etajul de amplificare. Caracteristica de frecven a amplificatorului, la frecvene joase, este influenat de condensatoarele C1, C2,C3 i de condensatoarele din circuitul emitorului(C4, C5). n fig.7.58 este dat schema unui amplificator cu dou etaje, cu cuplaj prin transformator. Transformatorul Tr1 transmite la al doilea etaj numai componenta alternativ a tensiunii de la ieirea primului etaj. Tensiunea de ieire Ue a amplificatorului se culege la secundarul transformatorului Tr2. Etajul final, numit i etaj amplificator de putere, trebuie s debiteze n rezistena de sarcin Rs (de exemplu un difuzor) o putere util semnalului amplificat. Etajul poate fi reprezentat, la bornele sale de ieire, printr-un generator cu o anumit t.e.m. i cu o rezisten intern egal cu rezistena de ieire a amplificatorului. Se tie c transferul maxim de putere ntr-o rezisten de sarcin Rs se obine atunci cnd Rs=Ri, Ri fiind

274 rezistena intern a generatorului. Deci pentru un etaj final dat, puterea maxim se obine atunci cnd Rs este egal cu rezistena de ieire a etajului. Valoarea puterii maxime este cu att mai mare, cu ct rezistena de ieire este mai mic. Din cele artate mai sus rezult c cuplarea sarcinii la etajul final trebuie s se fac astfel, nct s se asigure un transfer maxim de putere n sarcin. Acest lucru se poate realiza pe dou ci:

T1

T2

ue

Fig.7.57

ue

Fig.7.58 utiliznd un transformator de adaptare, pentru cuplajul sarcinii la etajul final;

275 utiliznd schema de conexiuni a tranzistorului n etajul final, prin care se asigur adaptarea sarcinii la etajul final, adic egalitatea rezistenei de ieire cu Rs. Prima soluie este ilustrat de schema din fig.7.59 a unui etaj final. Transformatorul Tr, numit transformator de ieire, are raportul de transformare astfel ales, nct rezistena la bornele primarului pentru o valoare a sarcinii Rs s fie egal cu rezistena de ieire a etajului. Punctul static de funcionare al tranzistorului trebuie ales la mijlocul domeniului de liniaritate n planul caracteristicilor tranzistorului, n aa fel nct s se obin valori maxime pentru amplitudinile tensiunii de colector, fr a se depi o valoare dat a factorului de distorsiune de neliniaritate -

Fig.7.59 Fig.7.60 (adic tranzistorul trebuie s funcioneze n clas A). n practic ns se utilizeaz amplificatoare de putere n clas B care au avantaje nete n comparaie cu cele care funcioneaz n clas A. Astfel, randamentul lor este mai bun (teoretic pn la 78,5% n comparaie cu 40-50% pentru montajul cu tranzistorul n clas A), iar distorsiunile sunt mai mici. n afar de aceste avantaje, n clas B curentul de repaus - curentul n lipsa semnalului este foarte mic, aa c n pauze consumul amplificatorului este redus. Schema cea mai simpl a unui etaj amplificator n clas B, realizat cu dou tranzistoare p-n-p, lucrnd n contratimp este reprezentat n fig.7.60 Tensiunea ui se aplic pe baza celor dou tranzistoare prin intermediul transformatorului ridictor de tensiune Tr1. Datorit prizei mediane a secundarului transformatorului Tr vom avea ui = ui. Rezult c pe baza celor dou tranzistoare se vor aplica poteniale egale ca amplitudine, dar opuse ca semn. Sensul curentului n circuitul colectorului ntr-un moment cnd ui este pozitiv este indicat pe figur

276 (T2 conduce iar T1 este blocat). Cnd ui este negativ, funcionarea tranzistoarelor se schimb: T1 conduce iar T2 este blocat. n felul acesta, regimul de funcionare a tranzistoarelor va fi n clas B, iar distorsiunile semnalului amplificat vor fi de acelai ordin de mrime ca la funcionarea n clas A. Exist i scheme de amplificatoare n clas B fr transformator de ieire (folosesc a doua soluie pentru asigurarea transferului maxim de putere n sarcin). Acestea au avantajul c au un volum redus, C sunt foarte simple i ieftine. n fig. 7.61 s-a reprezentat o schem de principiu realizat cu tranzistoare cu caracteristici identice, ns de Rs structuri diferite: p-n-p, n-p-n. Aceste tranzistoare se numesc complementare. Sarcina Rs este Fig.7.61 conectat n emitor; deci tranzistoarele nu sunt conectate n schema EC, ci ntr-o schem care asigur o rezisten de ieire foarte mic (schema cu colector comun). n acest fel se rezolv problema transferului de putere n rezistena de sarcin Rs, pentru obinerea unei puteri utile dorite. Cnd nu se mai aplic semnal la intrare, punctul static de funcionare al tranzistoarelor complementare corespunde regimului de tiere (punctul Q din fig.7.61). La aplicarea unui asemenea semnal de intrare (de exemplu, un semnal sinusoidal), cele dou tranzistoare vor conduce succesiv n cele dou semialternane ale semnalului. n semialternana pozitiv conduce tranzistorul n-p-n, iar n semialternana negativ conduce tranzistorul p-n-p. Semialternanele curenilor de colector trec prin rezistena de sarcin Rs, astfel nct ele se compun rezultnd un semnal de ieire de aceeai form cu semnalul de intrare.
7.3.5. Amplificatoare de curent continuu 7.3.5.1. Noiuni generale Amplificatoarele de c.c. permit s se amplifice cureni cu frecvene foarte mici (sub 1 Hz, cum ar fi de exemplu cazul amplificrii tensiunii la bornele reci ale unui termocuplu, care variaz lent n timp). La aceste amplificatoare nu mai este posibil cuplarea diferitelor etaje ntre ele prin condensatoare sau bobine de reactan deoarece componenta alternativ a semnalului este foarte mic. Din aceast cauz cuplajul ntre etaje se face direct, fr condensatoare sau inductane. Aceast situaie duce la apariia unui fenomen foarte duntor, numit deriv a nulului.

277 Se tie c modificarea temperaturii mediului ambiant produce modificarea punctului static de funcionare al unui tranzistor dintr-un etaj de amplificare (schemele de stabilizare perfect). Variaia tensiunii colector-emitor din primul etaj, ca urmare a modificrii punctului static de funcionare, este amplificat de etajele urmtoare din amplificator. n acest mod, chiar dac tensiunea de intrare a amplificatorului este egal cu zero, tensiunea de ieire nu rmne zero, ci se modific n timp datorit variaiei temperaturii mediului ambiant. Acest fenomen poart numele de deriv a nulului. Deoarece variaiile parazite ale tensiunii de ieire, datorit derivei nulului, se suprapun peste variaiile semnalului util, cele dou componente avnd proprieti asemntoare, nu se poate discerne semnalul util de component parazit dat de deriv. Este clar c un amplificator de c.c. cu deriv mai mare este practic inutilizabil, deoarece forma semnalului de ieire nu corespunde ntru totul formei semnalului de intrare datorit componentei Fig.7.62 parazite produs de fenomenul de deriv. n fig.7.62 este dat schema de principiu a unui amplificator cu cuplaj direct, cu dou tranzistoare T1 i T2. Conform notaiilor din figur, n absena semnalului de la intrare, trebuie s avem: Ue=VC2 Va = 0, deci VC2 = Va, ceea ce se realizeaz cu divizorul de tensiune R7,R8. La intrare trebuie aplicat o surs de semnal mare pentru R1 pentru a micora deriva provocat de variaia tensiunii bazemitor.
7.3.5.2. Amplificatoare difereniale. Pentru reducerea derivei datorit variaiei tensiunii baz-emitor cu temperatura se utilizeaz frecvent montajele difereniale cu intrarea simetric. n fig.7.63 este artat schema de principiu a unui amplificator diferenial. Se constat c ntr-un etaj diferenial exist dou tranzistoare de acelai tip. Acestea sunt selecionate pentru a avea proprieti ct mai apropiate. Etajul diferenial este simetric, adic: R3=R4, R1=R6, R2=R7,

278 ns rezistena de emitor R5 este comun. Diminuarea substanial a fenomenului de deriv se poate modifica n felul urmtor: dac temperatura variaz se vor modifica curenii ic1 i ic2 i, n consecin, se vor modifica potenialele bornelor A i B, ale etajului; deoarece etajul este simetric, bornele A i B i modific potenialele n aceeai msur, deci tensiunea de ieire ue, fiind diferena potenialelor celor dou borne, va rmne constant. Dac etajul este perfect simetric i ui1=ct, ui2=ct, la variaiile temperaturii, variaiile potenialilor bornelor A i B vor fi egale i deci deriva nul este complet eliminat. n realitate, cu toate c tranzistoarele care compun etajul diferenial sunt selecionate, astfel nct s aib caracteristici ct mai apropiate, deriva nu poate fi anulat, deoarece practic vor exista ntotdeauna mici diferene ntre cele dou ramuri ale etajului diferenial.

ib2

Fig.7.63 La un amplificator diferenial se poate utiliza fie ieirea simetric (ntre bornele A i B), fie una din cele dou ieiri nesimetrice (ntre borna A, respectiv B i pmnt). S-a artat c deriva nulului la ieirea simetric este foarte mic. La ieirile nesimetrice deriva este mai mare dect la ieirea simetric, ns mai mic dect n cazul unui etaj simplu, cu un singur tranzistor i cu stabilizarea punctului static de funcionare prin intermediul unei rezistene n circuitul emitorului (ca n fig.7.49 fr condensatoarele C i Ce). Pentru a arta acest lucru, se observ c n schema din fig.7.63 tensiunile ube1 i ube2 sunt: (7.34) ube1 = u1 R5(ie1 + ie2) (7.35) ube2 = u2 R5(ie1 + ie2) Atunci cnd ui1 = ct i ui2= ct iar temperatura variaz, se modific curenii de colector i de emitor. Astfel, dac temperatura crete, vor crete i curenii ie1 i ie2, cderea de tensiune R5(ie1 + ie2), crete, deci

ue1

279 tensiunile ube1 i ube2 scad. Se vor micora i curenii de baz ib1 i ib2 ai tranzistoarelor i n consecin, scad curenii de colector, obinndu-se efectul invers celui iniial (creterea curentului de colector datorit temperaturii). Efectul de stabilizare este mai puternic dect n schema din fig.7.49 deoarece variaia cderii de tensiune pe rezistena R5, care duce la obinerea efectului de stabilizare, este de dou ori mai mare la etajul diferenial. Dac ui2=0 i ui1 crete, va crete curentul de baz ib1, deci i curentul de colector ic1. Deoarece ui2=0, rezult c u2=ct i din (7.35) se constat c la creterea curentului ic1, deci i a lui ie1, tensiunea ube2 scade. n consecin, curentul ib2 scade, ducnd la scderea curentului de colector ic2. Rezult c la creterea tensiunii de intrare ui1, atunci cnd ui2=0, curentul ic1 crete iar ic2 scade (curenii de colector variaz n antifaz). Se tie c la un etaj cu tranzistor, atunci cnd curentul de colector crete, tensiunea de colector scade, i invers. Deci la creterea tensiunii ui1, tensiunile de colector precum i tensiunile de ieire ue1 i ue2 vor varia n antifaz: ue1 scade i ue2 crete, curenii de colector i tensiunile de ieire vor avea variaii de sensuri opuse fa de cazul anterior. Caracteristicile statice ale amplificatorului diferenial reprezint relaii dintre tensiunile de ieire i tensiunile de intrare. Utiliznd numai o intrare nesimetric, fie cea cu semue1 nalul de intrare ui1 (fig.7.63), dependenele ue1(ui1) i ue2(ui1) sunt ue2 ue date n fig.7.64. Se remarc faptul ue c tensiunile ue1 i ue2 variaz n antifaz, atunci cnd se modific ue2 tensiunea de intrare. Caracteristicile sunt liniare numai ntr-un domeniu relativ ngust de variaie a tensiunii ui1 de intrare. Zonele n care tensiunile de ieire sunt practic constante se ue1 numesc zone de saturaie i trebuie evitate n funcionarea amplificatorului. Utiliznd ieirea simetric, tensiunea ue este diferena tensiunilor ue1 i ue2 i, n consecin, se obine o caracteristic ue(ui1) cu o Fig.7.64 pant dubl (fig.7.64), ceea ce nseamn o amplificare dubl a amplificatorului, fa de cazul ieirii nesimetrice. Dac se aplic simultan semnalele de intrare ui1 i ui2, se poate constata c tensiunea ue depinde

280 de diferena ui1-ui2, astfel caracteristica static a amplificatorului diferenial se poate pune sub forma: u e = f (u i1 u i 2 ) Deci, la utilizarea ieirii simetrice, un amplificator diferenial amplific diferena semnalelor aplicate la intrare.
7.3.5.3. Amplificatoare de c.c. cu modulare-demodulare. Pentru diminuarea fenomenului de deriv a nulului foarte adesea, n special n construcia aparaturii de automatizare, sunt folosite amplificatoarele de c.c. cu modulare-demodulare. Ele au deriv extrem de mic n comparaie cu toate celelalte tipuri de amplificatoare de c.c.

Fig.7.65 Schema bloc a unui amplificator cu modularedemodulare este dat n fig.7.65 n care M este un modulator, A c.a un amplificator de curent alternativ, D este un demodulator, iar O este un oscilator, adic un montaj care genereaz un semnal sinusoidal. Semnalul de intrare ui (fig.7.66.a) se aplic modulatorului M care d la ieire o tensiune sinusoidal modulat (fig.7.66.b). nfurtoarea tensiunii modulate u1 corespunde tensiunii de intrare ui. Semnalul ui este amplificat ntr-un amplificator de curent alternativ (la care nu exist fenomenul de deriv a nulu-

Fig.7.66

281 lui), obinndu-se semnalul u2 (fig.7.66.c). Demodulatorul D extrage nfurtoarea semnalului u2 , deci d la ieire un semnal ue care este, de fapt semnalul de intrare amplificat n fig 7.67 i 7.68 sunt prezentate schema n detaliu i schema bloc pentru un amplificator de curent continuu diferenial, cu trei etaje, cu reacia negativ. Se tie c tensiunea de ieire a unui etaj de amplificare n schema EC este n opoziie de faz cu tensiunea de intrare. ntruct fiecare etaj inverseaz faza semnalului amplificat, la un numr par de etaje semnalul de ieire ue1 este n faz cu semnalul de intrare i ue2 este n opoziie de faz, iar la un numr impar de etaje ue1 este n opoziie de faz i ue2 este n faz. Legtura de reacie se realizeaz prin intermediul

Fig.7.67

Fig.7.68 rezistenelor R0 i R1. Presupunnd c impedana de intrare a amplificatorului este foarte mare, adic curentul i absorbit este neglijabil, se poate considera c prin R1 va trece acelai curent ca i prin R0. Curentul i1 se obine scriind teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de reacie negativ:

282 ue1 ui1 = R1i1 + R0i1, sau: i1 =

u e1 u i1 R1 + R0

(7.36)

Tensiunea pe rezistena Rc este: R0 R0 (7.37) u R0 = R0 i1 = u e1 u i1 R1 + R0 R1 + R0 Deci pe rezistena R0 se obine o component a scderii de tensiune, proporional cu tensiunea de ieire ue1. Aceast component reprezint R0 u e1 = u e1 unde mrimea de reacie a amplificatorului: u r = R1 + R0 R0 = (7.38) R1 + R0 Coeficientul de reacie se poate ajusta prin rezistenele R0 i R1. Dac se mrete rezistena R0 sau se micoreaz rezistena R1, reacia negativ devine mai puternic. n fig.7.69 sunt date caracteristicile statice ale amplificatorului diferenial, pentru diferite valori ale coeficientului de reacie . Curba 1 corespunde cazului cnd amplificatorul nu are reacie, iar la curbele 2, 3 i 4 se obin pentru valori cresctoare ale coeficientului . Se remarc faptul c pe msur ce reacia negativ devine mai puternic, amplificarea scade ns domeniul de liniaritate al caracteristicii statice se lrgete.

Fig.7.69