Sunteți pe pagina 1din 39

Dioda LASER

Principiul de funcionare Acronimul LASER nseamn Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation. Primul laser funcional a fost construit pe rubin de ctre americanul Theodore Meiman, n 1960. Fundamentele teoretice i practice pentru acest realizare au fost oferite de americanul Charles Townes i ruii Alexander Prokhorov i Nikolay Basov, care au i partajat premiul Nobel n fizic pentru anul 1964. Interesant este c laserul nu este un amplificator de lumin, sa cum sugereaz numele, ci un generator de lumin. Laerul este un dispozitiv care genereaz lumina prin emisie stimulat de radiaie. Ce nseamn emisie stimulat de radiaie ? Radiatie spontan i stimulat Exist dou tipuri de radiaii: spontan i stimulat. Spontan nseamn c radiaia are loc fr cauze externe. Exact acest lucru se ntmpl n LED-uri: electronii excitai din banda de conducie cad, fr nici un stimulent extern, n banda de valene, producnd radiaie spontan. Proprietile radiaiei spontane sunt urmtoarele: 1. Saltul electronilor ntre diferite nivele energetice ale benzii de conducie i benzii de valen determin producerea radiaiei, ceea ce explic limea spectral aa de mare a acestor surse. Din acest motiv un LED are o lime sprectral de cca 60 nm pentru o funcionare pe lungimea de und de 850 nm i de 170 nm pentru funcionarea pe 1300 nm. 2. Deoarece fotonii sunt radiai pe direcii arbitrare, foarte puini dintre ei particip la crearea luminii pe direcia dorit, ceea ce reduce puterea de ieire a unui LED. Aceasta nseamn c conversia current-lumin are loc cu eficien redus. 3. Fotonii care contribuie la puterea de ieire, nu se mic strict ntr-o singur direcie. Prin urmare, ei se propag n interiorul unui con, ceea ce conduce la o mprtiere spatial a radiaiei. Din acest motiv, LED-ul este modelat ca o surs Lambertian. 4. Tranziia electronilor, i prin urmare emisia fotonilor, are loc la momente aleatorii de timp, deci fotonii sunt creai independent unul de altul. Prin urmare nu exist nici o corelare de faz ntre fotoni, motiv pentru care radiaia este numit necoerent. Cele patru caracteristici de mai sus ale radiaiei unui LED, fac din aceast emitor o component inutilizabil pentru legturile optice la mare distan. Un alt proces are loc atunci cnd un foton extern lovete un electron excitat, fig.&.1. Interaciunea dintre ei include o tranziie i o radiaie de nou foton. n acest caz, emisia indus este stimulat de fotonul extern. Prin urmare, aceast radiaie este numit stimulat. Radiaia stimulat are urmtoarele proprieti: 1. un foton extern foreaz emisia unui foton cu energie similar ( E p ). Cu alte cuvinte, fotonul extern stimuleaza radiaie cu aceeai lungime de und ca a lui. Aceast proprietate face ca limea spectral a luminii radiate s fie mai ngust. 1

fig.&.1. Este obinuit ca la un laser, limea spectral s fie n jur de 1nm, att la 1300 nm ct i la 1550 nm. 2. Deoarece toi fotonii se propag n aceeai direcie, toi contribuie la puterea luminoas. Prin urmare, eficiena conversiei curent-lumin este mare i drept consecin i puterea de ieire va fi la fel. De exemplu, n comparaie cu un LED pentru care o putere de ieire de 1 mW poate necesita un curent direct de pn la 150 mA, o diod laser poate radia 1 mW la doar 10 mA. 3. Fotonii stimulai se propag n aceeai direcie cu fotonii care i-au stimulat. Prin urmare, lumina stimulat va fi bine direcionat. 4. Deoarece un foton stimulat este radiat doar cnd un foton extern amorseaz aceast aciune, ambii fotoni se spune c sunt sincronizai. Aceasta nseamn c ambii fotoni sunt n faz i astfel radiaia stimulat este coerent. Reacia pozitiv Pentru a radia lumin stimulat cu putere semnificativa, avem nevoie de milioane de milioane de fotoni. Pentru a stimula o astfel de radiaie, se plaseaz o oglind la un capt al regiunii active, ca n fig.&.2.

Fig.&.2.

Doi electroni, unul extern i unul stimulat, sunt astfel reflectai napoi nspre regiunea activ. Aceti doi electroni vor funciona acum radiaie extern i vor stimula emisia altor doi fotoni. Aceti patru fotoni sunt reflectai de o a doua oglind, poziionat la cellalt capt a regiunii active. Cnd aceti fotoni vor trece prin regiunea activ, ei vor stimula emisia altor patru fotoni. Aceti opt fotoni vor fi reflectai napoi n regiunea activ de prima oglind i procesul continu la infinit. Prin urmare, cele dou oglinzi realizeaz o reacie optic pozitiv. Pozitiva deoarece reacia adun ieirea (fotonii stimulai) la intrare (fotonii externi). Aceste dou oglinzi formeaz un rezonator. Trebuie reinut c explicatia data este supersimplificat. Lucrul important de reinut este c am discutat un proces dinamic si aleator. un numr nedeterminat de fotoni i perechi electron-gol sunt implicate n proces. Excitaia i radiaia sunt guvernate de legi statistice. Albert Einstein este cel care a explicat diferenta dintre emisia spontan i cea stimulat, introducnd parametrii cei poart numele pentru a calcula probabilitile acestor dou tipuri de emisii. Inversiunea de populaie Referindu-ne la fig.&.2, de notat ct de repede crete numrul de fotoni stimulai. Pentru a susine acest proces, avem nevoie de un numr mare de electroni excitai disponibili n banda de conducie. tim c folosind energie extern - curentul direct pentru un LED este posibil s excitm un numr de electroni. ns n laser, golirea benzii de conducie se face mult mai repede dect ntr-un LED. Prin urmare, avem nevoie s excitm electroni la o viteza mult mai mare decit o facem ntr-un LED. n fapt, pentru un proces laser avem nevoie s avem mai muli electroni n banda de conducie dect n banda de valen. Aceast situaie se numete inversiune de populaie, deoarece, n mod normal, banda de valen este mult mai populat decit banda de conducie. Pentru a creea aceast inversiune de populaie, se trece o densitate mare de curent printr-o regiune activ ngust. Inversiunea de populaie este o condiie necesar pentru a crea efectul laser deoarece cu cit este mai mare numarul de electroni excitai, cu att mai mare este numrul de fotoni stimulai care pot fi radiai. Cu alte cuvinte, numrul de electroni excitai determin ctigul diodei laser. Pe de alt parte, o dioda laser introduce i anumite pierderi. Exist dou mecanisme principale: absorbia i transmisia fotonilor stimulai. Astfel, o parte din fotonii stimulati sunt absorbii n semiconductor nainte de a ajunge sa scape sub forma de radiatie. n al doilea rnd, oblinzile nu reflect 100% fotonii incideni. Privind la fig.&.2, s-ar prea c numrul de fotoni stimulai continu s creasc infinit, ceea ce, evident, nu este adevrat. Aceast figura nu prezint i pierderile de fotoni. La nceputul procesului laser, numrul de fotoni continua sa ceasc, liniar, cu vitez exploziv; dar, pe msur ce procesul continu, cu cit sunt mai muli fotoni stimulai, cu att sunt mai muli fotoni pierdui. Din fericire, pierderea este constant pentru o diod dat, n timp ce ctigul poate fi modificat, aa cum se poate observa n fig.&.3. Creterea ctigului este obinut prin creterea curentului direct. La un moment dat, ctigul devine egal cu pierderile, situaie numit condiie de prag. (curentul corespunztor se numete curent de prag).

Fig.&.3. Peste aceast conditie de prag, dioda ncepe s se comporta ca o diod laser. Dac continum s cretem curentul direct, (adic, ctigul) numrul de fotoni emii stimulat continu s creasc, ceea ce induce i o cretere a puterii luminoase. Se obtine astfel o diod semiconductoare care emite o limin monocromatic, bine direcionat, foarte intens i coerent. De reinut c pentru a face o diod laser s genereze lumin, ctigul trebuie s depeasc pierderile. Efectul laser i caracteristica intrare-ieire Din consideraiile anterioare putem concluziona c o diod semiconductoare funcioneaz ca un laser dac sunt ntrunite urmtoarele condiii: Inversiunea de populaie Emisia stimulat Reacia negativ S ncercm s construim o caracteristic intrare-ieire a unei diode laser (fig.&.4). Intrarea fiind curentul direct (I) i ieirea puterea luminoas (P), vom reprezenta caracteristica P-I. Cnd este aplicat un curent direct mic, sunt excitai un anumit numr de electroni i dioda radiaz ca un LED. Astfel ne ateptm s vedem aceeai dreapt ca la un LED. Cnd densitatea de curent devine suficient pentru a creea inversiunea de populaie i se atinge valoarea de prag (cnd ctigul egaleaz pierderile), dioda ncepe s funcioneze ca un laser. n acest moment vei ncepe s vedei o lumin mult mai intens, de o culoare saturat i bine directionat. Aceast cretere de pant este prezentat n fig.&.4, care arat c dioda laser emite mult mai mult putere. O dioda laser care emite 1 mW putere are n jur de 30 mA curent de prag i 60 mA curent de comand.

Fig.&.4. Analiza luminii unei diode laser O dioda laser emite lumin care poate fi caracterizat astfel: 1. Monocromatic. Ltimea spectral a radiaiei este foarte ngust. Aceasta poate fi o zecime sau chiar o sutime dintr-un nm. 2. Bine direcionat. O diod laser radiaz un fascicol ngust, bine direcionat, care poate fi uor lansat ntr-o fibr. 3. Foarte intens i eficient. O diod laser poate radia sute de mW. Cel mai nou tip de laser poate radia 1 mW la 10 mA curent direct, ceea ce nseamna c aven o conversie curent-lumin de 10 ori mai eficient decit la un LED. 4. Coerent. Lumina radiat de o diod laser este coerent, adic toate oscilatiile sunt n faz. Aceast proprietate este important pentru transmisia i detecia informaiei. De reinut c doar combinaia dintre un rezonator i un mediu activ produce lumina cu aceste propieti remarcabile. Structura de baz a unei diode laser i tipuri de diode laser Construcia de baz a unei diode laser este prezentat n fig.&.5.

Fig.&.5.

Structura este similare cu a unui SLED, cu dou excepii: prima, grosimea regiunii active ntr-o dioda laser este foarte mic, tipic de ordinul 0.1 m. A doua, ambele capete ale diodei laser au suprafee clivate pentru a functiona ca oglinzi. Deoarece indicele de refracie al GaAs din care este fcut regiunea activ, este n jur de 3.6, mai mult de 30% din lumina incident va fi reflectat napoi n regiunea activ la interfaa dintre GaAs i aer. Acest tip de laser se numete laser de arie larg. Pentru a confina purttorii i mai sigur n interiorul micii regiuni active a diodei, se poate folosi i un contact metalic, fig.&.6.

Fig.&.6. Aceast construcie restrictioneaz curgerea curentului n interiorul acestei regiuni nguste definit de banda metalic. Deoarece curgerea curentului produce ctig n regiunea activ, acest tip de laser se numete laser cu ctig ghidat. Un alt mijloc de a defini mai precis regiunea activ este nconjurarea ei cu material avnd un indice de refracie mai mic. O asemenea diod este numit laser cu indice ghidat, fig.&.7.

Fig.&.7.

Pentru a face aciunea laser mai eficient, se poate folosi o tehnic de fabricare care permite realizarea unor regiuni active foarte nguste, de ordinul 4 la 20 nm grosime (vezi fig.&.8 pentru definirea dimensiunilor).

Fig.&.8. Aceast tehnic conduce la aa numitul laser cu perete cuatic. Tehnica peretelui cuatic modific densitatea nivelelor energetice disponibile pentru electroni i goluri. Rezultatul este un ctig optic mult mai mare. Din punctul de vedere al jonciunii p-n, o diod cu perete cuantic este caracterizat printr-un potenial de barier mai redus, ceea ce face ca electronii i golurile s se poat recombina mai uor. Cu alte cuvinte, va fi necesar un curent mai mic pentru a susine aciunea laser n acest tip de diode laser. n fig.&.9 este prezentat structura unei diode laser cu perete cuatic.

Fig.&.9. Dioda laser Fabry-Perot n fig.&.10 este prezentat regiunea activa a unei diode laser, cu cele dou oglinzi laterale. S ne reamintim ca aceste oglinzi sunt necesare pentru a rentoarce fotonii stimulai n mediul activ n vederea stimulrii altor fotoni.

Fig.&.10. S presupunem o und arbitrar care se propaga de la oglinda din stnga spre cea din dreapta, ca n fig.&.11.

Fig.&.11. La oglinda din dreapta unda este reflectat, captnd un defazaj de 180. Aa cum se observ n fig.&.11, acest fapt determin o ruptur in caracteristica de faz, ceea ce nu este posibil fizic. Prin urmare aceast und nu este suportat de rezonator. S considerm o alt und, ca cea din figura &.12.

Fig.&.12. La oglinda din dreapta, unda capt un defazaj de 180 i continu s se propage spre oglinda din stnga. Aici va suferi acelai defazaj i propagarea se reia spre dreapta. Prin urmare aceast und prezint o configuratie stabil numit und stationar. Prin urmare, un rezonator poate s suporte doar o und cu o anumit lungime de und, i anume unda care prezint o configuratie de und staionar. Aceast conditie fizic se poate exprima matematic prin relaia:
2L = N

(&.1)

unde L este lungimea dintre oglinzi i N este un ntreg. De exemplu, dac L = 0.4 mm i 1300 nm, atunci N = 615. Ceea ce este important de observat este c acest rezonator 8

suport o lungime de und la care 2L N = 1300.8 nm. Dar acest rezonator suport i lungimi de und egale cu 2L (N 1) , 2L (N 2 ) , 2L (N 3) , i aa mai departe. Prin urmare, toate lungimile de und care satisfac relatia (&.1) pot exista in rezonator. Aceste lungimi de und se numesc moduri longitudinale. Cnd lungimea rezonatorului crete sau scade, laserul comuta de la o lungime de unda la alta, fenomen numit salt modal. ntrebarea, acum, este: cte moduri poate radia un laser ? Rezonatorul poate suporta un numr infinit de moduri, ns mediul activ ofer ctig doar pentru un interval redus de lungimi de und. (S ne amintim c cerina: < hc E g .) Deoarece un laser este format dintr-un rezonator si un mediu activ, iar radiaia este rezultatul interaciunii dintre ele, doar cteva lungimi de und, care cad in interiorul curbei de ctig, pot fi radiate. Acest lucru este artat n fig. &.13.

Fig.&.13. Evident ca radiaia ncepe s aib loc doar cnd ctigul depete pierderile. Undele cu N , N 1 i N 2 pot fi radiate, dar n realitate vor fi doar N i N 1 . Pentru a face aceste explicatii mai precise, s introducem distanta dintre doua moduri longitudinale adiacente, N N +1 . Din relaia (&.1) obinem:

N N +1 2L N 2 = 2 2L

(&.2)

De exemplu, pentru un rezonator cu L = 0.4 mm i care lucreaz la de cca. 1300 nm, putem calcula o distan N N +1 2.1 nm. Presupunnd c limea curvei de ctig este de 7 nm, aflm c acest mediu activ poate suporta trei lungimi de und. Un alt element ce trebuie considerat este limea spectral real a diodei laser. Este limea spectral a curbei de ctig sau limea spectral a unui mod longitudinal individual ? Nici una dintre ele. Din punctul de vedere al receptorului, aceasta este limea la jumtate din cantitatea maxim de lumin radia n realitate. Deci, limea spectral este msurat ntre cele mai exterioare dou moduri longitudinale, la jumtate din puterea maxim de ieire, ca n fig.&.14. Regula este urmtoarea: cu ct un laser poate genera mai multe moduri longitudinale, cu att limea spectral este mai mare. Cu toate aceste moduri, limea spectral tipic a unui laser este n jur de 1...2 nm. (S ne aducem aminte ca limea spectral a unui LED este ntre 60 i 170 nm.)

Fig.&.14.
Dioda laser cu reacie distribuit

Pentru a reduce limea spectral, avem nevoie s facem laserul sa radieze doar un singur mod longitudinal. Acest lucru se obine ntr-o dioda laser cu reactie distribuit, fig.&.15. O asemenea diod are o gril de difracie Bragg incorporat n vecintatea regiunii active. Aceast gril functioneaza ca o oglind care reflecta selectiv doar o singura lungime de und, B , dat de relaia Bragg:
2n sin = B

(&.3)

Fig.&.15. unde este perioada grilei, n este indicele de refracie a mediului. Toate mrimile sunt prezentate in fig.&.16.

Fig.&.16.

10

Termenul de reacie subliniaz c avem un mijloc prin care putem ntoarce fotonii stimulati n regiunea activ. Acest lucru se realizeaza prin reflexia unei poriuni din lumin pe fiecare pant a grilei, ceea ce se arat n fig.&.16 pentru o raz. Toate prile reflectate n lungul acestei grile se combin astfel nct cea mai mare parte din lumin este reflectat napoi. Rezultatul net al acestui aranjament este c dioda radiaz doar o und, cu lungimea de und B , vezi fig.&.17.

Fig.&.17. Aceste diode au fost propuse pentru prima dat in 1960, dar au fost produse comercial abia din 1980. Cele mai noi dezvoltri sunt diode care radiaza pn la 30 mW la 1550 nm.
Diode laser cu cavitate vertical i emisie de suprafat - VCSEL

Toate diodele laser care au fost prezentate pna acum sunt diode cu emisie lateral. Ele sunt caracterizate printr-o regiune activ de lungime semnificativ, de ordinul a sute de micrometri, i de o configuraiei asimetric a radiaiei, cu un con de 10x30. Recent, a fost realizata dioda laser cu cavitate vertical i emisie de suprafa, [1]. Deoarece spaiul dintr-un rezonator este numit i cavitate, cuvintele cavitate vertical nseamn c structura care ofer reacia pozitiv este plasat pe direcia vertical. Cuvintele emisie de suprafa nseamn, n acest context, c fascicolul laser este emis perpendicular pe substrat. O structur de baz a acestei diode este prezentat in fig.&.18.

Fig.&.18. 11

Mai muli pereti cuantici sunt realizati n aceasta strucutra pentru a nbunti ctigul de lumin. Regiunea activ este plasat ntre reflectoare Bragg - realizate din straturi alternative de materiale cu indice de refracie mare i mic, fiecare dintre aceste straturi avnd grosimea /4 i fiind realizate din GaAs (n = 3.6) i AlAs (n = 2.9). Alte avantaje ale acestei structuri de dioda sunt: 1. Dimensiunea regiunii active este foarte mic, de ordinul a 2 m. Aceasta determina o distan mare ntre modurile longitudinale adiacente. De exemplu, pentru = 850 nm i L = 2 m, avem N N +1 = 72.25 nm. Limea spectrala a curbei de ctig este doar de civa nm, prin urmare nu poate exista decit un singur mod n interiorul curbei de ctig. Prin urmare o diod VCSEL opereaz n regim monomod, vezi fig.&.19.

Fig.&.19. 2. Diodele VCSEL au dimensiuni foarte mici. Regiunea activa are dimensiuni tipice ntre 1 i 5 m, iar grosimea stratului activ este n jur de 25 nm. Aceasta permite fabricantilor sa realizeze mai multe diode pe acelasi substrat, realiznd matrici mono sau bidimensionale de diode pentru sisteme de comunicaii multicanal. 3. Dimensiunile mici ale regiunii active conduc la dou avantaje simultan: consum mic de putere i viteze mari de comutare. Astfel, o diod VCSEL poate radia 3 mW la un curent de 10 mA i are o band de modulaie de 200 GHz.
Conservarea energiei i momentului

Diagrama benzilor de energie considerat pn n acest moment ne-a ajutat s nelegem funcionarea de baz a unui laser semiconductor. Ea a fost schiat pe baza unei reguli simple: pe axa vertical este artat energia, iar axa orizontal servete pentru vizualizare. Cnd descriem absorbia i emisia de fotoni, noi operm cu nivelele energetice E 2 i E1 din banda de conducie i de valen, ca n fig.&.1. Astfel, energia unui foton, E p , este egal cu E 2 E1 . Aceasta nu este suficient ns pentru tranziiile optice din semiconductoare. Procesele de radiaie i absorbie ntr-o diod laser trebuie sa satisfac legile de conservare atit pentru energie ct i pentru moment. Pn n acest moment nu am luat n considerare legea de conservare a momentului. G S introducem noiunea de vector de und a electronului, k , ca fiind vectorul a crui modul este :

12

G k = k = 2

(&.4)

iar direcia este cea a vitezei electronului, v. Asociat acestei mrimi, definim momentul G electronului, p , ca fiind vectorul a crui modul este: p = m*v (&.5)

unde m* este masa efectiv a electronului, care descrie mobilitatea sa n reeaua cristalina a semiconductorului. Ea este mult mai mic dect masa electronului liber, m0 = 9.0194 10 31 kg . Astfel, n GaAs, m* = 0.067 m0 . Aceast mas intervine n modelul dual, und-corpuscul, al electronului, dualitate descris formal prin relatia lui de Broglie:
p=h

(&.6)

unde h este constanta lui Planck ( h = 6.63 10 34 Js ). Direcia momentului este aceeai cu a vitezei, prin urmare cu a vectorului de und, relatia dintre ele fiind:

G G p = =k

(&.7)

unde = = h 2 . Prin urmare, legea conservrii momentului pentru o tranziie optic din banda de conducie (starea iniial) n banda de valen (starea final) este reductibil la regula de conservare a numrului de und k:
k = k e k h + k opt = 0

(&.8)

unde k e este vectorul de und al electronului (starea iniial), k h este vectorul de und al golului (starea final), iar k opt este vectorul de und al fotonului. Mrimea vectorului de und a fotonului este cu dou ordine de mrime mai mic decit valorile att ale electronului ct i a golului; n consecin, putem folosi urmtoarea aproximaia [2]:

ke k h 0
Diagrama E-k

(&.9)

G Exista o relatie ntre energie, E, i vectorii de und, k , a tuturor elementelor implicate in tranziia optic dintr-o diod laser. Ceea ce este i mai important, relaia E-k ofer o informaie util despre disponibilitatea strilor in banda de conducie si banda de valen. G Legtura dintre energie E i vectorul de und k este [2]:

13

2 * E = 1 m*v 2 = p 2 2m* = (h )2 k 2m 2

(&.10)

Dac acum reprezentm grafic benzile energetice energia E pe axa vertical i vectorul de und k pe axa orizontal vom obtine parabole atit pentru banda de conducie ct si pentru banda de valen. Trebuie acum s ne aducem aminte c suntem n lumea G G guvernat de regulile mecanicii cuantice, n care momentul p i vectorul de und k sunt mrimi cuantizate. Prin urmare relaia (&.10) ne d un set de nivele energetice diferite pentru fiecare valoare a lui k. Ne readucem aminte din capitolul despre LED c aceste nivele sunt att de apropiate ntr-un material semiconductor nct noi le reprezentm ca benzi de energie. Un asemenea desen este prezentat in fig.&.20.

Fig.&.20. Propietile majore ale unui semiconductor sunt determinate de tranziiile electronului ntre segmentele cele mai apropiate ale benzilor de conductie i valen. Acesta este motivul pentru care neglijm celelalte segmente.
Benzi interzise directe si indirecte

n localizarea reciproc a benzilor de conductie i de valen n spaiul E-k, exist doar dou posibiliti. Una este accea n care minimul benzii de conductie este localizat chiar deasupra maximului benzii de valen. Aceast situaie este prezentat n fig.&.21.

14

Fig.&.21. Un asemenea material se numete semiconductor cu band interzis direct. Cea dea doua posibilitate este ca minimul benzii de conducie i maximul benzii de valen s fie decalate. Un asemenea material se numete semiconductor cu band interzis indirect, vezi fig.&.22.

Fig.&.22. n semiconductorii direci, legile de conservare ale energiei i momentului sunt respectate cu mare precizie. n semiconductorii indireci, aceste legi nu mai sunt respectate. Acesta este motivul pentru care semiconductorii direci prezint interacii puternice si foarte probabile ntre radiatia externa i material adica emisie stimulat, n timp ce n semiconductorii indireci aceste interacii sunt slabe i puin probabile. Pe cale de consecin, n construcia diodelor LED sau LASER se folosesc doar semiconductori direci. Asemenea semiconductori direci sunt GaAs, AlGaAs, Inp i InGaAsP. S nu uitm scopul discuiei noastre: sursele de lumin. Din acest punct de vedere, tranziiile electronilor excitai din banda de conducie n banda de valen sunt pur radiative n semiconductorii direci, n timp ce n semiconductorii indireci ele sunt acompaniate de tranziii neradiative. Astfel, pentru a conserva momentul tuturor

15

particulelor implicate n tranziie un electron, un gol i un foton procesul de radiaie n semiconductorii indireci este acompaniat de emisia unui fonon. Eficiena cuantic intern a unui laser este esenial determinata de raportul dintre recombinrile radiative i cele neradiative.
Eficiena unei diode laser

Relaia intrare - ieire


S ne ocupm de relaia dintre puterea de ieire a unei diode laser, P, i curentul direct de la intrare, I F , peste valoarea de prag. Puterea de ieire este dat de relaia :
P = E p Nesc t

(&.11)

unde E p ( J ) = hf = hc este energia unui foton, N esc este numrul de fotoni care ies din rezonatorul laserului, iar t(s) este timpul radiaiei. Numrul de fotono care prsesc rezonatorul, N esc , este egal cu numrul purttorilor de sarcin injectai n regiunea activ multiplicat cu eficiena cuantic extern, ext . Astfel :

ext = (numr de fotoni ieii din rezonator)/(numr de purttori de sarcina injectai)

(&.12)

Deoarece procesul de radiaie ntr-o arie activ este determinat n principal de electroni, putem aproxima numrul de purttori de sarcin prin numrul de electroni. Acesta este egal cu: numrul de electroni injectai = (I F t ) e (&.13)

unde I F ( A) este curentul direct i e(C) este sarcina electronului. Din (&.13) i (&.12), deducem:

N esc = ((I F t ) e ) ext

(&.14)

Substituind formula (&.14) n formula (&.11), putem determina relaia dintre puterea de iesire i curentul direct de la intrare:
P = E p N esc t = E p e ext I F

(&.15)

Pentru o lungime de unda radiat dat, toi coeficienii din (&.15) sunt constani i putem nota acest lucru cu S. Deoarece am discutat despre relatia dintre putere i curentul peste pragul laserului, putem considera in realitate P Pth = P i I I th = I . Prin urmare, putem scrie:
P = SI

(&.16) 16

unde S este panta eficienei, recuperabil din datele de catalog ale diodei. Astfel:
S (W A) = E p e ext

(&.17)

Deoarece E p E g , unde E g este banda interzis a semiconductorului, putem rescrie relaia (&.17) sub forma:
S (W A) = E g e ext

(&.17a)

Exemplu Calculai eficiena pantei unei diode laser care functioneaz la = 1300nm , dac eficeina cuantic extern este ext = 0.1 .

Soluie
Pentru = 1300nm , E p = 0.0153 10 17 J i reamintindu-ne c e = 1.6 10 19 C, putem calcula P = 0.956 ext I = 0.956 0.1 I = 0.096I . Deoarece J/C = W/A, S = 0.096.
Tipuri de eficien
Eficienta n putere. n paragraful anterior am artat c relaia intrare ieire este determinat de eficiena cuantic extern. nainte de a investiga mai n amnunime acest parametru, s definim un alt parametru: eficiena n putere, p . Eficiena n putere este definit ca raportul dintre puterea optic de ieire radiat de dioda laser, P, i puterea electric de alimentare, Pcc :

p = P Pcc

(&.18)

Pcc este puterea electric disipat pe dioda laser. Aceast putere are dou componente; una este puterea disipat in jonciune, egala cu I F V . V este tensiunea pe jonciune, egal cu E g e (vezi fig.&.21 sau 22), cu valori cuprinse ntre 1 si 2V. Prin urmare, aceast component poate fi prezentat ca I F E g e . A doua component este puterea disipat pe contactele i rezistena semiconductorului, desemnata global prin R. Astfel, 2 R . Rezistena R este de ordinul a 1 2 . Prin urmare, aceast component va fi I F eficiena n putere va fi [3]: 2 p = P I F + Eg e + I F R

(&.19)

17

Exemplu Calculati eficienta in putere a unei diode VCSEL avnd datele de catalog din fig.&.23

Fig.&.23 Soluie Din figura &.23 vedem c puterea optic radiat de diod este 1.7 mW la I = 12 mA. Avem nevoie acum de tensiunea pe jonciune, dat de V = E g e . Valoarea lui E g se poate calcula din
E g (eV ) = 1248 (nm ) . Deoarece

= 840nm

din fig.&.23,

E g = 1.48eV . Prin urmare, V = 1.48V.

Not. Valoarea tipic a tensiunii directe, msurata la I = 12mA este 1.9V, vezi fig.&.23. Aceasta este tensiunea la bornele diodei, n timp ce noi am calculat tensiunea n lungul jonciunii p-n.

Avem nevoie i de valoarea rezistentei R. S presupunem c R = 1. Folosind aceste date n formula (&.19), obinem: 2 p = Popt I F + Eg e + I F R = 1.7mW (17.76mW + 0.144mW ) = 0.095 = 9.5% Aceasta este eficiena n putere a uneia din cele mai performante diode laser existente pe pia.
Eficiena cuantic extern. Dorim sa examinm toate procesele care au loc, de la injectarea purttorilor de sarcin pn la ieirea fotonilor din rezonator. Eficiena cuantica

18

extern am definit-o n relaia (&.12). Pentru a gsi relaia ntre aceasta i eficiena n putere, s exprimm ext n functie de puterea de ieire. Din formulele (&.16) i (&.17) gsim:

ext = e E g P I

(&.20)

unde P Pth = P i I I th = I , P i I fiind valorile maxime ale puterii i curentului. De notat c puterea de prag este mic n comparaie cu puterea P. De exemplu, n fig.&.24, unde se prezint datele de catalog ale unei diode laser de arie larg, puterea de prag este Pth < 50W i P = 1mW. Prin urmare, formula (&.20) poate fi scris ca:

ext e E g (P (I I th ))

(&.21)

Fig.&.24. Relatia (&.21) ne permite sa exprimm eficiena in putere prin eficiena cuantic extern:

p ext ((I I th ) I )

(&.22)

n relatia de mai sus am folosit aproximaia I 2 R << I E g e . Trebuie s fim ntotdeauna ateni cu utilizarea relaiei (&.22) i s verificm dac datele diodei i precizia cu care calculm permit aproximarea I 2 R << I E g e . Dac nu, atunci trebuie folosite relaiile (&.19) i (&.21).
Eficiena cuantic intern. Eficienta cuantic externa acoper dou mecanisme: radiaia fotonilor din regiunea activ i transmiterea acestora din regiunea activ n exteriorul

19

diodei. Primul mecanism este descris de eficiena cuantica intern, int , iar cel de-al doilea de eficiena cavitii, cav . Putem scrie:

ext = int cav

(&.23)

Eficinaa cuantica intern. int este raportul dintre numrul de fotoni radiai din regiunea activ i numrul de purttori de sarcin injectai:

int = (numr de fotoni radiai)/(numr de purttori de sarcina injectai)


O comparaie dintre relaiile (&.12) i (&.24) ne arat c:

(&.24)

ext int = (numr de fotoni ieii din rezonator)/(numr de fotoni radiai)

(&.25)

Cu alte cuvinte, nu toi fotonii radiai reuesc s scape din rezonator i s contribuie la puterea optica de ieire a diodei laser. ntr-un LED bun, int poate atinge o.5, iar ntr-un laser, int este aproape de 1. Eficiena cavitii. cav este practic definit de relaia (&.25):

cav = ext int = (numr de fotoni ieii din rezonator)/(numr de fotoni radiai) (&.26)
Exist dou mecanisme care determin pierderi de fotoni radiai: pierderi n materialul semiconductor i transmisia parial prin oglinzi. n acest context, termenul material acoper tot ceea ce ntlnete fotonul ntre punctul de origine i oglind. Termenul oglinzi se refer la orice mijloc de a ogeri reactie optic pozitiv ntr-o diod laser, inclusiv grile Bragg. Prin urmare, al doilea motiv de pierderi ia n consideratie faptul c nu toi fotonii radiai vor fi reflectai n regiunea activ. Aceste considerente pot fi scrise sub forma, [4]:

cav = ext int = (pierderi de transmisie)/(pierderi totale)

(&.27)

n cazul reflectoarelor concentrate, cum sunt oglinzile din care este format rezonatorul Fabry-Perot, pierderile de transmisie, tr , pot fi exprimate sub forma:

tr = (1 2d ) ln(1 (R1 R2 ))

(&.28)

unde d este lungimea regiunii active i R1 i R2 sunt coeficienii de reflexie a oglinzilor laser. Pentru a demonstra aceast relaie, fie g(f) (1/m) ctigul regiunii active i mat (1/m) pierderile n materialul semiconductor. Amplitudinea A a unei unde electromagnetice vare se propag ntre cele dou oglinzi, sufer o amplificare egal cu exp( g d ) i o pierdere egala cu exp( mat d ) . Dup incidenele cu oglinzile de 20

reflectan r1 i r2 , unda electromagnetic se rentoarce n poziia iniial. n regim staionar, amplitudinea iniial A trebuie s fie egal cu amplitudinea undei rentoarse, adic:

A = r1r2 A exp g ( f ) mat d

((

))
))

(&.29)

Pentru ca dioda laser s funcioneze, ctigul trebuie sa fie cel puin egal cu pierderile totale: (&.30) g ( f ) mat + 1 2 d ln 1 R1 R2

((

2 sunt coeficienii de reflexie n putere ai oglinzilor unde R1 = r12 i R2 = r2 rezonatorului. Termenul al doilea din relaia de mai sus justific relaia (&.28) Semnificatia formulei (&.30) este prezentat n fig.&.25.

Fig.&.25. Este important de subliniat c ctigul depinde de frecven n timp ce pierderile nu. Prin urmare, efectul laser poate fi obinut doar ntr-un anumit interval de frecven, f1 , f 2 n

care ctigul depete pierderile.

Pierderile totale, , sunt egale cu:

= mat + tr

(&.31)

unde mat sunt pierderile de material, cauzate de absorbie, mprtiere i alte mecanisme care mpiedica ieirea fotonilor din cavitate. Prin urmare, relaia dintre eficiena cuantica extern i eficiena cuantica intern va fi dat de:

ext = int ( tr ( mat + tr ))

(&.32)

21

Reziltatul acestei discuii este urmtorul. Eficiena cuantic intern arat ct de eficient convertete regiunea activ purttorii injectai n fotoni. Eficienta cavitii arat ct de eficient las cavitatea diodei s scape fotonii. Prin urmare, aceti doi parametri arat ct de eficient o dioda laser convertete purttorii injectai ( intrare) n fotoni ejectai (ieire). Aceti doi parametri sunt cumulai n unul singur; eficiena cuantic extern.
Eficiena cuantic intern i timpii de via de recombinare

Deoarece fotonii sunt produi n urma recombinrilor, putem spune ca int arat ce fracie din recombinrile totale sunt radiative. Factorul major care reduce eficiena cuantic intern este recombinarea neradiativ. Acest mecanism este reflectat de urmtoarea relatie:

int = nr

(&.33)

unde nr este timpul de via neradiativ. Acesta este o msur a timpului ct exist purttorii de sarcin ntre momentul cnd ei intr n regiunea activ i momentul recombinrii neradiative. Introducnd timpul de via radiativ, r , putem defini timpul total de via de recombinare, , ca fiind: 1 = 1 r + 1 nr . Prin urmare, eficiena cuantic este, pe de o parte, raportul dintre numrul de fotoni radiai i numrul de electroni injectai, conform formulei (&.24), i, pe de cealalta parte, raportul dintre timpul total de viat de recombinare i timpul de viat radiativ, conform formulei (&.33). Relatia dintre aceste condiii poate fi gsita astfel. Fie n densitatea volumetric de electroni care intr n regiunea activ. Viteza de recombinare, d(n)/dt, poate fi exprimat prin:
d (n ) dt = n

(&.34)

Trebuie s nu uitm ca acelai lucru este valabil pentru goluri. Semnul minus ne spune c n scade n timpul procesului de recombunare. Pentru a lua n considerare ambele recombinri, radiative i nonradiative, trebuie s introducem timpii de via respectivi, r i nr . Vitezele de recombinare ale proceselor

radiative i neradiative sunt egale cu n r i respectiv n nr . Procesul general de recombinare este suma acestora dou, astfel c:

n = n r + n nr

(&.35)

ceea ce justifica o formul folosit mai sus. Eficiena cuantic intern poate fi definit ca raportul vitezele de recombinare ale procesului radiativ i procesului total, adic:

int = (n r ) (n ) = (1 r ) (1 r + 1 nr ) = nr

(&.36)

22

Din formula de mai sus putem deduce o alt formul cunoscut pentru eficiena cuantic intern:

int = r

(&.37)

ntr-o diod laser bun, recombinarea radiativ are loc aproape imediat dup ce purttorii de sarcin intr n regiunea activ. Aceasta nseamn c timpul de via pentru procesul radiativ este aproximativ zero. n schimb, procesul neradiativ are un timp de via relativ lung, adic timpul de via neradiativ este reprezentat printr-un numr mult mai mare dect cel ce reprezint timpul de via radiativ. n consecin, al doilea termen de la numitorul relaie

int = nr = 1 (1 + r nr )

(&.38)

devine aproape zero, deci eficieta cuantica interna a unei diode laser bune tinde spre 1.
Eficiena n termenii diagramei E-k

Eficiena unei diode laser poate fi descris n termenii diagramei E-k, aa cum se rata in fig.&.26.

Fig.&.26. ntr-o situaie normala, materialul semiconductor absoarbe fotoni, ceea ce conduce la o pierdere de putere luminoas. Aceast absorbtie este proporional cu diferena de populaie ntre banda de valen i banda de conducie. Aceste populaii sunt descrise de statistica Fermi-Dirac, conform creia:

Propoziia 1. La temperatura T = 0 K , probabilitatea ca electronul s aib energia E, notat cu f(E), este: f (E ) = 1 f (E ) = 0 pentru E < E F pentru E > E F
(&.39)

23

unde E F este nivelul Fermi de energie.

Propoziia 2. La temperatura T > 0 K , probabilitatea ca electronul s aib energia E, notat cu f(E), este: f (E ) =
1 E EF 1 + exp k T B

(&.40)

unde k B este constanta lui Boltzman: k B = 1.38 10 23 J K . Prin urmare, putem scrie:

fV ( E ) f C ( E )

1 1 E E FC E E FV 1 + exp C 1 + exp V k T k T B B

(&.41)

unde reprezint pierderile totale, iar EV i EC sunt marginile benzii de valen i de conducie, astfel nct EC EV = E g . E FV i E FC sunt nivelele cvasi-Fermi din banda de valena i banda de conducie, vezi fig.&.26. Prin urmare, pierderile sunt proporionale cu:

exp

EC E FC k BT

E E FV exp V k BT

(&.42)

Pentru a face ca dioda laser s radieze, avem nevoie sa obtinem un ctig, i nu pierdere. Dar ctigul poate fi interpretat ca pierderi negative. Prin urmare pentru a obine <0, trebuie s avem:

E E FC exp C k BT

E E FV < exp V k BT

(&.43)

Manipulri simple ale formulei de mai sus conduc la urmtoarea condiie pentru a avea ctig ntr-o diod laser:

E FC E FV > EC EV = E g

(&.44)

Formula de mai sus ne spune c pentru a obine ctig ntr-un material semiconductor , nivelele cvasi-Fermi trebuie s fie n interiorul benzilor de conducie i de valent. Dar acest fapt implic imediat ca electronii vor umple poriunea inferioar a benzii de

24

conducie pna la E FC , i vor goli partea superioar a benzii de valen pn la E FV deoarece ei ocup nivelele din banda de valen pn la nivelul E FV . Altfel spus, partea superioar a benzii de valen este disponibil pentru acceptarea electronilor excitai care cad din banda de conductie. Aceast situatie este prezentat n fig.&.26. S ne readucem aminte c ctigul poate fi oinut cnd se creaz inversiunea de populaie. Prin urmare, relaia (&.44) exprim condiia realizrii inversiunii de populaie, iar fig.&.26 reprezint vizual aceast condiie. Din aceast figur se poate observa de ce dioda laser este atit de eficient: electronii stimulai s cada n banda de valen gsesc aici nivele vacante pe care se pot opri cu emiterea de fotoni. Pe de alta parte, un foton cu energia E p cel mai probabil nu va fi absorbit de dioda cu inversiune de populatie

deoarece partea inferioar a benzii de conducie este ocupat i, prin urmare, nu sunt nivele vacante care sa permit tranziia din banda de valen n banda de conductie a electronilor. ntr-un asemenea sistem, probabilitatea emisiei stimulate este foarte mare, iar probabilitatea absorbiei este foarte mic. Rolul diagramei E-k n aceasta discuie poate fi explicat considernd viteza de recombinare. Viteza globala de recombinare, R, este proportional cu numrul de electroni i goluri disponibili pentru recombinare. Prin urmare putem scrie: R = rrec np
(&.45)

unde rrec m 3 sec este o constant de recombinare, iar n i p sunt densitile volumetrice de purttori ( 1 m 3 ). Relatia (&.45) statutez c pentru doi semiconductori cu aceeai populare, radiatia depinde doar de constanta de recombinare. Astfel, pentru semiconductorii direci, constanta de recombinare este mai mare dect la semiconductorii indirecti cu trei pna la cinci ordine de mrime. Iat de ce semiconductorii direci sunt de o mie pn la o sut de mii de ori mai eficieni decit semiconductorii indireci. Diagrama E-k ajut la identificarea semiconductorilor directi si indireci. Ceea ce a mai ramas de precizat sunt n si p. Ei sunt definii , conform statisticii FermiDirac, prin relaia (&.40) unde coeficienii de proporionalitate, N C i NV , sunt calculai cu relaiile (&.45)
* N C = 2 mn k BT 2= 2

[(

32

i N V = 2 m * p k BT

[(

) 2= 2 ]3 2

(&.45a)

Pentru a v da o idee despre ordinul de mrime al lui n, pentru o homojonciune laser cu E FC EC = 0.05eV n este 1017 1 cm 3 .
Caracteristicile unei diode laser Curentul de prag i curentul de polarizare

Curentul de prag este curentul la care dioda ncepe s funcioneze ca un laser, fig.&.4. Valoarea acestuia este determinat de ctigul de prag dat de relaia (&.30). n lumina efectului de ghid de und descris mai sus, relaia (&.30) poate fi rescris sub forma:

25

g th = tr + mat

(&.46)

unde este factorul de confinare care msoar ghidajul fotonilor radiai de ctre o structur cu indice ghidat sau cu ctig ghidat. ntr-o prim aproximaie, putem considera c densitatea curentului de prag, J th , este proporional cu ctigul de prag: J th = (1 )( tr + mat ) (&.47)

unde coeficientul include factorul de confinare. Interesant de subliniat c termenul mat (1/cm) pentru GaAs se modific de la valoarea 100 pentru homojonciuni la 15 pentru heterostructuri. Pentru acelai material, coeficientul (cm/A) se modific de la 3 10 3 pentru homojonciuni la 1.5 10 2 pentru heterostructuri. Proiectanii de diode laser caut mereu s reduc densitatea curentului de prag deoarece acesta determin consumul de putere al diodei. Progresul realizat este urmtorul: prima homojonciune avea o densitate de curent de 19000 A cm 2 , ea fiind redus la 1600 A cm 2 cu apariia heterostructurilor i la 500 A cm 2 n cazul diodelor cu perete cuantic. Dezvoltrile recente raporteaza valori de 65 A cm 2 i sunt semne ca se poate i mai bine. Curentul de prag depinde de temperatur. Aceast dependen este aproximat de formula: I th (T ) = I 0 exp(T T0 ) (&.48)

unde I 0 i T0 sunt constante care depinde de materialul diodei i de structura ei. Pentru o dioda comerciala pe GaAs, I 0 este de ordinul a zeci de mA, T0 este de cca. 100C. Fenomenul fizic care st la baza acestei comportri cu temperatura este creterea ratei de recombinri neradiative cu temperatura. Aceasta scade eficiena cuantica intern, ceea ce nseamn c mai muli purtatori de sarcin - adica mai mult curent - sunt necesari pentru a atinge ctigul de prag.
Exemplu Aflai I 0 i T0 pentru o dioda laser pe InGaAsP care are datele de catalog din fig.&.24.

Soluie Privind n fig.&.24 gsim c: (a) I th este egal cu 25 mA, 40 mA i 65 mA, la 0C, 25C i 65C. La T = 0C , folosind formula (&.46) obinem I 0 = 25mA . nlocuind I th = 40mA la T = 25C , gsim T0 = 53C . Dac introducem aceast valoare lui T0 i

26

T = 65C obinem I th = 88mA , n timp ce specificaia de catalog indic un I th egal cu aproximativ 75 mA.

Lungimea de und radiat i limea spectral Lungimea de und. Un mediu activ poate suporta ntregul interval de lungimi de und posibile, dat de relatia (&.44), rescrisa mai jos:
E FC E FV > E p > E C E V = E g

(&.49)

unde toate notaiile sunt clare n fig.&.26. Deoarece E p = hc , domeniul lungimilor de und radiate este determinat de:
hc (E FC E FV ) < < hc E g

(&.50)

Relatia de mai sus ne da doar intervalul de valori pe care-l poate emite o diod laser. Lungimea de und real va fi rezultatul interactiunii dintre mediul activ al diodei i resonator. Acesta alege lungimea de und radiat din intervalul oferit de mediul active.
Limea spectrului. Trebuie sa distingem de la bun nceput ntre doi parametric: limea spectral i limea liniei spectrale. Limea spectral a radiaiei de la un laser multimod este determinat esenial de curba ctigului deoarece dioada radiaz mai multe moduri (linii spectrale) care snt nscrise n curba de ctig. Msurat la jumtate din maxim, limea spectral a unei astfel de diode laser este de mai muli nanometri. Diodele VCSEL funcioneaz n regim monomod, ceea ce nseamn c radiaz un singur mod, sau linie. Limea spectral a acestor diode este limea unei linii spectrale. Acelai lucru este valabil i pentru diodele laser cu reacie distribuit. Limea unei linii spectrale este guvernat de relaia:
2 f = R sp 1 + e 2 N rad

(&.51)

unde R sp este viteza emisiei spontane, e este factorul de ameliorare a ltimii liniei i N rad este numrul de fotoni radiai n interiorul caviti laser. Repetnd raionamentul fcut anterior n acest capitol, putem lega N rad de puterea radiat, P, ltimea liniei devenind:
2 f = R sp 1 + e P M

( (

unde M = E p v tr 8 , iar v tr este rata cu care fotonii scap din rezonatorul laserului. v este viteza de grup a luminii n regiunea active a crui indice de refractie este n ri . Pierderile de transmisie, tr , au fost definite n relaia (&.30). S ne concentrm acum asupra altor parametri.

) )

(&.52)

27

Mai nti, limea liniei este invers proporional cu puterea. de ieire, P. Aceast afirmaie este valabil n general, indifferent de tipul laserului sau chiar a generatorului. Pentru lasere, aceast relaie se pstreaz pentru puteri P de pn la 10 mW, tinznd spre saturaie la puteri semnificativ mai mari. n al doilea rnd, limea liniei este proporional cu rata de emisie spontan, R sp , ceea ce este perfect de neles. Tranziiile spontane au loc ntre diverse nivele energetice fr control, ceea ce determin emisia diverselor lungimi de und. Aceast emisie contribuie la radiatia luminoasa de ieire i lrgete linia spectral. Un alt parametru important este e , care caracterizeaz cuplajul dintre amplitudinea undei electromagnetice i faza ei, n interiorul regiunii active. Putem nelege fizica acestui fenomen examinnd urmtoarea formul: e = ( 4 )(dn ri dn dg dn ) (&.53)

unde dn ri dn este viteza de schimbare a indicelui de refractie n ri n funcie de densitatea purttorilor injectai, n, iar dg/dn este ctigul diferenial. Din relaia (&.51) rezult ca indicele de refracie al mediului activ, n ri , este o funcie de densitatea de purttori; aceast derivat se modific n funcie de ctigul diferenial. Aceeai formul arat c e depinde i de lungimea de und radiat. Aceast dependen este prezentat n fig.&.27.

Fig.&.27. Aa cum se poate vedea din figura de mai sus, acest factor are valori cuprinse ntre 1.5 i 12. Proiectanii de diode fac eforturi pentru micorarea acestui parametru.
Forma radiaiei

O diod laser radiaz un fascicol mai bine direcionat dect un LED. n fig.&.28 se prezint configuraia de radiaie a unei diode laser conventionale.

28

Fig.&.28. O dioda cu dimensiunile specificate pe figur radiaz un fascicol eliptic care se nscrie ntr-un dreptunghi definit de limea i grosimea regiunii active. Aceasta configuratie se numete "cmp apropiat". Departe de diod, fascicolul laser este nc eliptic, dar axa majora este acum vertical. Acest lucru se ntmpl deoarece radiatia orizontal i pstreaz dimensiunea, n timp ce radiaia vertical diverge. O asemenea configuraie se numete "cmp deprtat". Rezultatul net este c o diod laser convenional radiaz un fascicol eliptic, ceea ce nseamn pentru fabricanii de fibre optice c vor avea de furc la cuplarea unui asemenea fascicol n miezul circular al fibrei. Unghiurile de divergen tipice ale acestei configuraii sunt 30 10 .
Moduri longitudinale i transversale

Pentru simplitate vom vorbi despre o diod laser cu rezonator Febry-Perot. Aa cum s-a artat, rezonatorul suport doar acele unde electromagnetice a cror lungime de und satisface criteriul 2L = N , unde L este lungimea rezonatorului i N este un ntreg. Aceste unde electromagnetice sunt numite moduri longitudinale i sunt prezentate in fig.&.13. Modurile longitudinale sunt configuraii ale cmpului electromagnetic care au vectorii E i H perpendiculari pe direcia de propagare. Toate modurile longitudinale se propag pe aceeai direcie: axa rezonatorului. Ele se disting doar prin frecventa lor (adica prin valoarea lui N). Modurile longitudinale nu sunt singurele configuratii electromagnetice pe care le poate suporta o diod laser. Exist i unde pentru care vectorii E i H sunt uor nclinai fa de axa rezonatorului. Acestea se numesc moduri transversale. Aceste moduri se propag pe diferite directii n rezonatorul laserului, formnd diverse configuraii de radiaie. Numarul modurilor longitudinale crete odat cu ctigul. Pe de alta parte, ctigul poate fi mrit prin creterea curentului direct i/sau prin creterea produsului lime-grosime a stratului activ, fig.&.29.

29

Fig.&.29 Ceea ce avem de reinut este c: (1) avem nevoie de o dioda laser care s transmita un semnal luminos pe o fibra optic, (2) avem nevoie de un fascicol circular nedivergent pentru a cupla eficient aceast lumin n fibra optic, (3) aa cum am vzut, o dioda laser obinuit nu ne furnizeaza un astfel de fascicol.
Modulaia laserului

Exista dou tipuri de modulaie a unei diode laser: digital i analogic. Schema cea mai simpl de modulaie digital const dintr-un 0 logic reprezentat de o perioad de ntuneric i un 1 logic reprezentat de un fle de lumin. Pentru a obine acest lucru, semnalul modulator modific curentul direct prin dioda laser de la valori sub pag la valori peste prag, fig.&.30.

Fig.&.30. In modulaia analogic, proiectantul utilizeaz poriunea liniar a caracteristicii P-I , pentru a evita distorsiunile neliniare ale semnalului de ieire. Acest lucru se obine aplicnd un curent de polarizare, I b , mpreun cu semnalul modulator, ca n fig.&.31. 30

Fig.&.31. Cele mai multe semnale sunt transmise astzi sub form digital. Din acest motiv nelegerea fenomenelor fizice din dioda laser, n condiiile acestui tip de modulaie, este foarte important. Astfel, timpii de viat implicai n procesul de modulaie digital sunt: timpul de realizare a inversiunii de populaie, pi , timpul de via de recombinare,

(care este mprit n spontan, sp , i stimulat, st ), i timpul de via al fotonilor,

ph . Acesta din urm este timpul necesar fotonilor pentru a parcurge distana de la locul
unde au fost generai pna la ieirea din diod. Timpul de via al fotonilor pune o limit superioar asupra capacitii de modulaie a unei diode laser, deoarece nimic nu se mai poate face dup ce fotonul a fost creat. Acest timp de via poate fi corelat cu caracteristicile diodei laser n felul urmtor [5]: pierderile dup o un drum de t secunde sunt egale cu pierderile dup un drum de x metri: exp t ph = exp( x ) Timpul i distana sunt legate prin viteza de propagare: x = vt = c nri t Combinnd relaiile (&.54) cu (&.55), obinem:

(&.54)

(&.55)

ph = nri ( c ) = nri (g th c )

(&.56)

Astfel, pentru = 10 3 1 m i nri = 3.6 , timpul de viaa a unui foton este de 0.12 ps, ceea ce nseamn o limit superioar teoretica de modulatie de 8.3 THz. Din nefericire, realitatea este mult deprtata de acesta limit Pentru a ntelege limitrile reale ale capacitii de modulaie ale unei diode laser, trebuie s lum n consideraie ecuaiile de viteze.

31

Ecuaiile de viteze

Ecuaiile de vitez descriu cum se modific n timp densitatea electronilor, n 1 m 3 i a fotonilor, s 1 m 3 , depinznd, evident i de parametrii diodei laser, [3] i [5]: dn dt = J (ed ) n sp Dns dn dt = Dns s ph + n sp (&.57) (&.58)

( )

( )

Ecuaiile (&.57) i (&.58) spun ca modificrile lui n i s n regiunea activ depind de echilibrul dintre termenii pozitivi i negativi din partea dreapt ai ecuaiilor: densitatea volumetric a electronilor, n, crete cu ct sunt injectai mai muli electroni n regiunea activ. Acest trend este reprezentat de primul terment din membrul drept al relaiei (&.57): densitatea de curent, J A m 2 , mprit la sarcina electronului, e(C ) , i la grosimea regiunii active, d (m ) densitatea volumetric a electronilor, n, descrete cu ct se recombina mai muli electroni. Acest lucru este reprezentat de doi termeni negativi: (1) viteza de emisie spontan,
Dn = vg (1 s ) . Astfel, constanta D arat intensitatea emisiei stimulate: D = vg n densitatea volumetric a fotonilor, s, n modul laser, crete odat cu creterea numrului de fotoni radiati prin emisie stimulat. Acest fapt este artat prin

n sp 1 m 3 s , i (2) viteza emisiei stimulate,

Dns , unde

termenul pozitiv Dns 1 m 3 s . Exist i o mic cretere a lui s prin emisie spontan. Aceasta este reprezentat de termenul pozitiv n sp . Coeficientul este de obicei foarte mic, reflectnd faptul c foarte puini fotoni emii spontan se mic n aceeai directie ca fotonii stimulai. densitatea volumetric a fotonilor, s, descrete datorit oierderilor de fotoni prin absorbie i emisie nafara diodei laser. Acest fapt este reprezentat de termenul s ph , unde timpul de via al fotonilor este dat de relatia (&.56). Utiliznd

formulele (&.46) i (&.30), putem exprima ph n functie de parametrii diodei laser: 1 sp = (v ) mat + tr = (v ) mat + 1 2 d ln 1 R1 R2

((

)))

(&.59)

Ecuatiile de viteze contin foarte multe informatii despre functionarea unei diode laser. Astfel, s artam cum se poate deduce condiia de prag plecnd de la aceste ecuaii. Conditia de prag poate fi obinut din relatiile (&.57) i (&.58). n momentul atingerii pragului, dn/dt i ds/dt trebuie sa fie egale cu zero, J = J th , n = nth i sth = 0 . Astfel, ecuaia (&.57) devine: J th (ed ) = nth sp 32 (&.60)

iar ecuatia (&.58) devine: nth = 1 D ph = vg th D Deci: 1 ph = vg th ceea ce a fost deja statutat prin formula (&.56). nlocuin relatia (&.61) n (&.60) i reamintindu-ne relatia (&.46), obinem : J th (ed ) = vg th (&.62)

) ( )

(&.61)

( (

) (D sp ) = (v ) (D sp ) ) (D sp ) = (v ) (D sp )

(&.63)

Comparnd aceast relaie cu (&.46), gsim c : J th (ed ) = vg th (&.64)

Fcnd acum comparatia cu relatia (&.47), vedem c: J th = (1 ) , unde 1 = (edv ) D sp

(&.65)

Trebuie subliniat aici c peste nivelul de prag, densitatea volumetric de stri stationare a electronilor n banda de conducie, n, este tot timpul egal cu valoarea de prag, nth . Acest lucru se ntmpl deoarece creterea lui n, prin creterea curentului injectat, determin o cretere a numrului de tranziii stimulate. Cu alte cuvinte, cu ct sunt mai muli electroni excitati in banda de conducie, cu att mai muli vor fi electronii stimulai i disponibili sa treac in banda de valen i s radieze mai muli fotoni. Iat dece creterea curentului injectat crete puterea de ieire, dar nu crete populaia pe termen lung n banda de conducie. Acest fenomen se numete clamping. Soluiile stationare ale ecuaiilor de viteze, n0 i s0 , pot fi obinute punnd dn dt = 0 i
ds dt = 0 . Modulatia de semnal mic, poate fi cercetat plecnd de la ecuaiile (&.57) i (&.58) n care substituim n = n0 + n(t ) i s = s0 + s (t ) , unde n(t ) i s (t ) sunt

obinute prin modularea curentului injectat. (semnal mic nseamn ca restrngem discuia la aproximarea liniar). n literatura, [5], se arat ca ecuaiile de viteze devin ecuaii difereniale ordinare de ordinul doi care descriu oscilatii amortizate ale lui n(t ) :
2 d 2 ( n ) dt 2 + 2 d ( n ) dt + r n = 0

(&.66)

O ecuatie similara poate fi dedusa pentru s . este constanta de atenuare laser, egala cu:

33

= Dn0 + 1 sp
Frecvena oscilaiilor de relaxare ale laserului, r , este dat de:
2 r = D 2 nth s0

(&.67)

(&.68)

unde: nth = 1 D ph

(&.69)

este densitatea de prag a purttorilor. Ecuaia (&.66) ne arat ca o dioda laser se comporta ca un sistem cu oscilaii amortizate. Soluia acestei ecuatii este cunoscut:

n = (1 D )exp( t )sin (1t )


unde 1 =

(nth s0 ) exp( t )sin (1t )

(&.70)

(r2 2 ) i se poate folosi aproximaia 1 r .

Avem acum toate elementele pentru a putea cerceta rspunsul unei diode laser la semnalul modulator. Pentru o modulatie digital, aplicam un semnal de tip trept. Densitile volumetrice de electroni i fotoni vor prezenta un comportament de oscilatii amortizate, fig.(&.32). tim c ieirea laserului este un ir de fotoni; prin urmare s(t) este puterea de ieire la o alt scar. Punctle crora trebuie sa le dm atenie sunt: (10 exista o ntrziere nainte ca laserul sa nceapa sa genereze lumin dup ce a dost aplicat impulsul modulator ( 1.5 ns n fig.(&.32)) i (2) dureaza cam 8 ns pn cnd oscilaiile laser se stabilizeaz. Nu exist nici o cale de a elimina timpul de instabilitate, dar din fericire nu este nevoie sa ateptm 8 ns pentru a deduce 1 logic. Prin urmare punctul critic este ntrzierea. Aceasta, t d , poate fi redus utiliznd un curent de polarizare, I b . Dac I p este amplitudinea curentului de modulatie, atunci t d poate fi calculat cu rimtoarea formul, [6]: t d = ln I p I p + I b I th

[ (

)]

(&.71)

unde este timpul de via de recombinare al purttorilor. Prin urmare, pentru modulatia digitala avem o limit de ordinul a Gbit/s.

34

Fig.&32.
Exemplu. Calculati timpul de ntrziere pentru un laser de arie larga avnd datele de catalog din fig.&.24. Presupunei timpul de viaa de recombinare egal cu 2 ns.

Soluie Din fig.&.24 vedem ca amplitudinea curentului de modulaie la o putere de ieire de 1 mW este de la 10 mA la 40 mA, iar curentul de prag este de 90 mA. Prin urmare ramne sa alegem I b . Dac considerm ca I p = 40mA i I b = 80mA , atunci t d = 0.56ns . Dac I b = 70mA , t d = 1.38ns , iar dac I b = 90mA , t d = 0ns . Prin urmare, cel puin teoretic, ntirzierea poate fi eliminat prin polarizare. Pentru a investiga modulatia analogic, reprezentm curentul de modulaie precum si densitile volumetrice de electroni i fotoni n complex:

J (t ) = e[ J ( ) exp( jt )]

(&.72)

Raportul s ( ) J ( ) este cunoscut ca funcie de transfer a diodei laser. n literatura se arat c [4]:
2 s( ) J ( ) = ph ed r

[(

) ] ( 2 r2 )2 + 2 (1 + phr2 )2

12

(&.73)

relaia de mai sus este modulul funciei de transfer a unui filtru trece-jos. n fig.&.33 sunt prezentate grafic, amplitudinea i faza acestei functii de transfer. Ele sunt reprezentrile grafice ale soluiei sub forma complex (&.72) ale ecuaiei (&.66).

35

Fig.&.33. Reprezentind formula (&.72) n funcie de frecvena de modulaie, obinem rspunsul n frecven din fig.&.34.

Fig.&.34. Aceast figur relev faptul c limita superiora a capacitii de modulaie analogic a unei diode laser este stabilit de frecvena oscilatiilor de relaxare, r . Aceeai figura releva i faptul ca aceast frecven depinde de puterea de ieire, aa cum prezice relaia (&.68). Din relaia (&.73) se poate calcula banda la 3 dB. In concluzie, indiferent de tipul de modulaie, digital sau analogic, limita superioara a frecventei de modulatie, deci si viteza de bit, a unei diode laser este fixata de frecvena oscilatiilor de relaxare (numit i frecven de rezonan a diodei). Acesta frecven este

36

data de relaia (&.68) i, n completare cu definiia lui nth data n formula (&.69) i definiia lui D din relaia D = vg n , putem scrie:

r = D 2 nth s0 = Ds0 ph = 1 ph (vgs0 n )

(&.74)

Deoarece raportul s 0 n este n cele din urm eficienta cuantic intern, relaia (&.74) relev faptul ca r este determinat de timpul de via al fotonilor, ph , i de puterea diodei:

r = (MP ) ph

(&.75)

unde M este o constant, iar P este puterea de ieire a diodei laser. Relatia (&.75) arat c rspunsul unei diode laser este cu atit mai rapid cu cit mai mare este puterea de ieire i mai mic timpul de via al fotonilor.
Zgomotul diodei laser

Lumina radiat de o dioda laser fluctueaz n intensitate i faza chiar dac curentul de polarizare este perfect constant. Aceste fluctuatii, datorate in principal emisiei spontane, au caracter aleator. Ele reprezint zgomotul laserului. Fluctuatiile de faz, pe scurt zgomot, au drept consecin o lrgire a liniei spectrale a radiaiei emise. Fluctuatiile de intensitate determina ceea ce se numete zgomotul n intensitate al diodei laser. Acest zgomot este caracterizat de obicei prin parametrul RIN (relative intensity noise), [7]:

RIN (1 Hz ) =

2 Pn

P 2 BW

(&.76)

unde

2 Pn

este puterea medie de zgomot, P este puterea medie de la ieire i BW

este banda de frecven. De obicei RIN se exprim n dB/Hz, astfel c formula de mai sus devine:
RIN (dB Hz ) = 10 log
2 Pn

(&.77) P 2 BW Dou mecanisme majore produc RIN n dioda laser. Unul a fost mentionat mai sus. Al doilea este orice reflexie care se produce pe orice componenta a legturii optice (conectori, splice-uri, i chiar fibra nsi). Lumina reflectat napoi n diod, este

37

amplificat de regiunea activa i este adugat fluxului principal, rezultnd fluctuaiile de intensitate. Iat de ce pierderile de ntoarcere sunt un parametru foarte important ntr-o legtur pe fibr optic. RIN descrie distribuia n frecven a puterii de zgomot i depinde de frecvena de rezonan a diodei i de puterea emis de laser, fig.&.35.

Fig.&.35. Din figura de mai sus se observa c o diod laser funcioneaza ca un filtru trece-jos. Dependena de putere a RIN-ului este o problem complex. Aceasta variaz de la P 3 la puteri mici, pna la P 1 la puteri mar, [8].
Exemplu Calculai puterea de zgomot detectat de un receptor dac (1) RIN este -160 dB/Hz, (2) puterea recepionat este 100 W, (3) banda receptorului este 100 MHz, (4) banda legturii este 500 MHz.

Soluie RIN = 60 dB Hz = 10 16 1 Hz Pn =
2 Pn 2 = RIN (1 Hz ) P BW = 10 16 (1 Hz ) 10 4 (W )2 108 (Hz ) = 0.01W

Chirp-ul diodei laser

Pna acum am considerat doar un model liniar, n care frecvena luminii radiate nu depindea de amplitudinea luminii radiate. n realitate, aceast presupunere nu este adevrat; astfel, o modificare in intensitatea luminii n timpul modulaiei detewrmin o modificare a frecvenei luminii. Acest fenomen se numete chirp. Chirp este deviaia frecvenei laser de la frecvena central de radiaie. Orul de mrime al mrimii chirp-ului este 100 MHz 1 GHz per 1 mA de modificare al curentului direct. Trebuie realizat ca vorbim de, s spunem, 1 GHz schimbare a unei frecvene centrale de 100000 GHz. Cu alte cuvinte, chirpul unei diode laser este de ordinul de mrime a 0.001%. Mecanismul 38

fizic al chirp-ului este acela c o modificare n populaia purttorilor si deci a ctigului determin o modificare a indicelui de refracie a regiunii active. Valoarea chirp-ului - adic deviaia instantanee de frecven, f(t), de la frecvena central de radiaie, f 0 - poate fi evaluat cu formula [9]:

f (t ) = ( e 4 )[d dt ln(P ) + P ]

(&.77)

unde e factorul de ameliorare a imii liniei spectrale (formula (&.53), P este variaia puterii optice corespunztoare comutrii de la 1 logic la 0 logic, iar este constanta. n membrul drept al relaiei (&.77) sunt doi termeni. Primul, numit chirp instantaneu, este cauzat de oscilaiile de relaxare. Al doilea termen, chirp-ul adiabatic, este produs de modificarea densitaii purttorilor datorit variaiei puterii (P). Efectul vizibil al chirp-ului este lirea liniei spectrale. Reamintim aici c dispersia cromatic este proporional cu limea spectral a sursei; prin urmare, chirp degradeaz performana unui sistem de comunicaii pe fibr optic. Acest lucru este evident valabil pentru sistemele care folosesc modulaia de amplitudine, ceea ce este adevrat pentru totalitatea sistemelor instalate pn in prezent. Metoda principal de combatere a chirpului este folosirea modulaiei externe.
Bibliografie

[1] P.Courley, K. Lear, R. Schneider, "Surface-Emmiting Lasers", IEEE Spectrum, August 1994, pag. 31-37. [2] Christopher Davis, Laser and Electro-Optics Fundamentals and Engineering, New York: Cambridge University Press, 1996. [3] Chin-Lin Chen, elements of Optoelectronics and fiber Optics, Chicago:Irwin, 1996. [4] Shun Lien Chuang, Physics of Optoelectronics Devices, New York: Jojn Wiley & Sons, 1995. [5] Leonid Kazovvsky, Sergio Benedetto, Alan Willner, Optical Fiber Communication Systems, Artech House, 1996. [6] Paul Shumate, Lightwave Transmitters, capitol n Optical Fiber Telecommunication-II, editat de S.E.Miller, I.P. Kaminow, Academic Press, 1988, pag. 723-758. [7] Rajappa Papannareddy, Introduction to Lightwave Communication Systems, Artech house, 1997. [8] Govind Agrawal, Fiber Optic Communication Systems, John Wiley and Sons, 1997. [9] Tien Pei Lee, Recent advances in long-wavelength semiconductor lasers for optical fiber communication, IRE Proceedings, March 1991, pag. 253-276.

39