CONSTANTIN MIHOLCĂ

ELECTRONICĂ
PENTRU FACULTĂŢILE CU PROFIL NEELECTRIC

GALAŢI 2007

CUPRINS
Introducere ............................................................................................
1

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă ......................... 1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci ............................................................................. 1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă ...................... 1.2 Joncţiunea p-n .................................................................................. 1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare ... 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare ................ 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice .............................. 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar ........................... 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF ............................ 1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcţionare ............................... 1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare ........................ 1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) ............................................ 1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare.. 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic ............................................................................... 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) ... 1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS având canal de tip n ......................................... 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 1.5.2 Triacul ........................................................................................ 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) ................................................ 1.6. Întrebări şi problemă................................................ 3 3 4 5 6 8 9 10 12 12 14 16 16 18 19 19 21 22 24 25 26 27 28 28 31 32 34

vi

Cuprins

CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A .................................... 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B .................................... 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington ..... 2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial .......... 2.4 Reacţia negativă la amplificatoare şi consecinţele ei ...................... 2.5 Amplificatoare operaţionale ............................................................ 2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 2.7. Întrebări ....................................................................................... 35 35 37 39 40 40 43 44 45 46 47 47 49 51 54 58

CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere ............................. 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă .... 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă ... 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere .................................... 3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 3.4. Întrebări............................................................................................ 59 61 61 61 64 66 66 68 69 72

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric ................................. 4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având element de control serie şi amplificator de eroare ................................................................ 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 73 73 74 77 78

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere ..................................................................................... 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor ............ 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte ................................... 5.4. Întrebări şi problemă ..................................................................................... 82 86 88 90

...................................................... 6..............................................................................1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH ... 6........ 6.........6 Circuite de memorie .............................. Microcalculatorul (μC) ......... 7....................................1 Poarta logică integrată NOR (SAU-Nu)..............1 Circuite secvenţiale elementare .................... 7.............................................7 Microprocesorul (μP).............Cuprins vii CAP............ 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii ........................ 6................. 6........................1 Noţiuni generale ...................................................8.....................Slave ..................2 Analiza circuitelor logice combinaţionale .............1 Circuitul secvenţial de tip Master ......... 124 .................4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND-TTL)...................................................1 Circuite LATCH ........................................................................4.......5.................. Bibliografie ................................................1......7 Întrebări şi probleme... Întrebări ........................................... 7. 7......................................5 Circuite logice combinaţionale ......................... 7................................ 6.........3 Circuite de multiplexare şi demultiplexare ............. 6.............................. 6.... 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE LOGICE 110 110 111 113 114 115 117 122 123 7..2 Codificatoare şi decodificatoare .................... 6............ 91 94 95 97 99 100 100 101 103 104 107 109 CAP...................6..... 7................................. 7........ Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice .....6............3 Circuite logice......................................5 Convertoare ............1 Funcţii logice elementare ............5................................................................ 6............6 Circuite logice secvenţiale .4 Numărătoare electronice ................................... 7......................................................... 6....

electronica să fie utilizată aproape în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii.000 şi 1. în prezent. Ţinând seama de aspectele esenţiale ale electronicii şi fără pretenţia de a formula o definiţie atotcuprinzătoare. se poate spune că electronica este ramura ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu studiul fenomenelor şi aplicaţiile acestora privind conducţia electrică în semiconductoare. Posibilităţile remarcabile ale electronicii şi progresele ei deosebit de rapide (mai ales în privinţa realizării tehnologice a dispozitivelor semiconductoare şi circuitelor integrate) au făcut ca. De exemplu. Aceste tehnologii permit înglobarea unui număr foarte mare (între 50. În 1960 se construiesc primele dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare şi triacuri) care au condus la modernizarea şi creşterea performanţelor în sistemele de acţionări electrice reglabile. Ca domeniu independent. începând cu anul 1970.000. iar în 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat. În prezent numărul de tranzistoare înglobate într-o capsulă depăşeşte 5 milioane. cu avantajele consumului redus şi densitate mare de integrare. permiţând dezvoltarea tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI –Large Scale Integration). După 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration). pe 8 biţi. încât astăzi nu există domeniu de activitate umană în care microprocesorul să nu poată fi implicat. microprocesorul 486 conţine 1. Microprocesorul a determinat o revoluţie tehnică denumită ”revoluţia microelectronicii”. care a antrenat toate domeniile tehnologiei.INTRODUCERE Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii. Primele cinci decenii au reprezentat ”epoca” tuburilor electronice. Începând cu anii 1949-1952 s-au realizat primele tranzistoare. dimensiunea unui tranzistor fiind ≤ 1μm. astfel că după şase ani (în 1958) s-a realizat primul circuit integrat. oferite de tehnologia CMOS. După anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration). Perfecţionarea rapidă a tehnologiilor electronice a condus la apariţia familiilor de circuite integrate logice MOS. . în 1971. Aceste circuite au condus la realizarea primului microprocesor. utilizate fiind atât tehnologia CMOS cât şi bipolară. Începând cu anul 1962 s-a trecut la producţia industrială a circuitelor integrate. cu numeroase aplicaţii în telecomunicaţii şi industrie.000) de tranzistoare într-o capsulă. dar s-a trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaţie între tehnologia bipolară şi tehnologia CMOS. care pot îngloba peste un milion de tranzistoare CMOS într-o capsulă.2 milioane de tranzistoare. gaze şi vid. la început în tehnologie bipolară şi apoi în tehnologie MOS (după 1965). Această tehnologie (BiCMOS) îmbină avantajele de viteză şi curent mare la ieşire ale tehnologiei bipolare. fiind denumită la începuturile ei “electrotehnica curenţilor slabi” şi având ca aplicaţie principală domeniul telecomunicaţiilor cu şi fără fir. circuitele integrate se realizează în tehnologie CMOS. Electronica se constituie la începutul secolului XX. În prezent.

în scopul realizării unei funcţiuni (redresare. Dispozitivul electronic este un ansamblu format din părţi componente. Părţile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice) sau regiuni cu proprietăţi diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele semiconductoare).2 Introducere Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele electronice cât şi circuitele electronice se impune definirea celor două noţiuni. transformatoare. detecţie etc). gaze sau semiconductoare. Prin extensie. gaze sau semiconductoare. modulaţie. numit şi element electronic de circuit. producerea oscilaţiilor. Circuitul electronic este un ansamblu electric în care se folosesc unul sau mai multe dispozitive electronice la care se leagă elemente electrice de circuit. În aplicaţii. între care se produce conducţia electrică prin vid. . condensatoare etc). imobile una faţă de alta. se consideră dispozitive electronice şi acele dispozitive realizate dintr-un singur material omogen. dispozitivul electronic reprezintă un element de circuit. alimentându-se de la surse de energie. amplificare. spre deosebire de elementele electrice de circuit obişnuite (rezistoare. care are una dintre proprietăţile fundamentale ale conducţiei prin vid. bobine.

Figura 1. • semiconductor de conductibilitate extrinsecă. Structura benzilor energetice pentru un semiconductor .1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex. adică sub influenţa unui câmp electric ei pot da naştere curentului electric de conducţie.1. semiconductoarele se pot clasifica astfel: • semiconductor de conductibilitate intrinsecă. Aceşti purtători se generează simultan sub formă de perechi şi au o anumită mobilitate. figura 1. Germaniu). reprezentat prin lăţimea benzii interzise (∆w). Conducţia electrică în medii semiconductoare se realizează prin două categorii ale purtătorilor de sarcină: electronii şi golurile.1. După modul de generare a purtătorilor.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi materialele izolatoare. Siliciu.CAPITOLUL 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT 1. Generarea perechilor electron-gol se produce datorită aportului energetic extern. 1.

ΔT∈[-200oC.este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă electrică variază cu temperatura. ce reprezintă inerţia termică a termistorului. RTo[Ω].aportul energetic extern (lăţimea benzii interzise).1). în aparatura de măsură şi automatizare. 1.temperatura absolută ( grade Kelvin). Δw . notată cu ni .. ca în figura 1. Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub acţiunea unei radiaţii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infraroşu. T1 [s].2.2. în care performanţele termistorului sunt stabile. unde T0=20 oC. d) domeniul de temperatură.2. Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci (realizate cu materiale omogene) 1.4 Capitolul 1 La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia electronilor. este egală cu concentraţia de goluri.constanta lui Boltzmann. Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura - Utilizări: detector în traductoare de temperatură. c) constanta de timp.+300oC].100 → [%/oC] exprimă viteza de variaţie a . K . T . b) sensibilitatea S = − 1 dR T .1. Figura 1. Termistorul . R To dT rezistenţei RT la o variaţie dată de un grad Celsius a temperaturii. fiind exprimată prin relaţia: n i = pi = AT unde: 3/ 2 ⎛ − Δw ⎞ exp⎜ ⎟ ⎝ 2KT ⎠ (1. ceea ce conduce la o descreştere exponenţială a rezistenţei electrice. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la temperatura de referinţă. Conductibilitatea termistorului este direct proporţională cu numărul de purtători ni daţi de relaţia (1. detector în construcţia sesizoarelor de incendiu.. notată cu pi .1) A .constantă ce depinde de natura semiconductorului. Variaţia rezistenţei electrice a fotorezistorului se datorează modificării concentraţiei . 2.

Caracteristica spectrală a fotorezistenţei Fotorezistenţele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc. c) caracteristica spectrală. T1 caracterizează viteza de variaţie a rezistenţei electrice la o variaţie bruscă a fluxului luminos. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate. Ro[Ω]. În funcţie de valoarea lui λo (la care sensibilitatea este maximă) fotorezistenţele se pot construi pentru spectrele vizibil sau infraroşu. Procesul prin care se introduc impurităţi riguros dozate în semiconductor se numeşte dopare.Dispozitive electronice de circuit 5 purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol). se defineşte asemănător constantei de timp a termistorului. în construcţia releelor fotoelectrice.4. b) sensibilitatea. Conductibilitatea extrinsecă se obţine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a unui semiconductor. ilustrată în figura 1. d) constanta de timp. 1.1. fiind ilustrată în figura 1. T1[s]. Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică neliniară.4. Figura 1.3. exprimă dependenţa sensibilităţii faţă de lungimea de undă. a cărui conductanţă creşte odată cu creşterea tensiunii aplicate la borne. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la întuneric. Figura 1. îl face utilizabil ca dispozitiv de protecţie împotriva supratensiunilor. Sφ = − 1 dR . a 3.3. . R o dφ unde lm simbolizează lumenul (unitatea de măsură pentru intensitatea luminoasă). ca urmare a aportului energetic al radiaţiei incidente. Forma caracteristicii statice.100 → [%/lm]. Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în care este plasat varistorul. Sφ=f(λ).3. În funcţie de natura elementului de impuritate .

numit şi curent invers al joncţiunii: ic = inm + ipm . sarcină care nu mai este compensată de sarcina . Aluminiu etc) are ca efect creşterea numărului de goluri. Lăţimea totală a regiunii de trecere creşte odată cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii. Electronii sunt purtători majoritari iar golurile reprezintă purtătorii minoritari. care devin purtători majoritari. 2. deoarece atomii trivalenţi captează uşor câte un electron de la un atom vecin. ce devine electron liber (purtător). Aceste concentraţii scad până la zero la nivelul joncţiunii. astfel încât distanţa dintre cele două zone să fie cel mult 10-5 mm.5 se explică funcţionarea joncţiunii.2 Joncţiunea p-n Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând procedee speciale) o zonă p cu impurităţi acceptoare şi o zonă n cu impurităţi donoare.3) În figura 1. Se obţine o sarcină a ionilor imobili (fixaţi în reţea) pentru purtătorii din fiecare zonă. 3. • Doparea cu impurităţi trivalente (Indiu.6 Capitolul 1 există două modalităţi de dopare care generează corespunzător. Semiconductorul obţinut are purtătorii majoritari pozitivi (goluri) fiind de tip p. Arsen etc) are ca efect creşterea numărului de purtători negativi (electroni) deoarece atomii pentavalenţi de impuritate cedează uşor câte un electron.curent direct (1. Ndo . De regulă concentraţiile impurităţilor din cele două zone nu sunt egale (Nao > Ndo). Semiconductoarele de tip n şi p sunt corpuri neutre din punct de vedere electric. Se folosesc notaţiile: Naoconcentraţia iniţială de goluri. două tipuri de semiconductoare extrinseci. 1. formând curentul de conducţie. care este mai slab dopată cu impurităţi.2) Câmpul intern antrenează dintr-o zonă în alta purtătorii minoritari. Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraţia purtătorilor este foarte mică). Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n): 1. trec dintr-o zonă în alta şi dau naştere curentului de difuzie. simbolizaţi prin m.curent invers (1. în vecinătatea de separaţie a celor două zone p şi n. Regiunea de trecere se extinde mai mult în zona n. care au suficientă energie. Din cauza difuziei şi a recombinării purtătorilor majoritari cu cei difuzaţi rezultă. simbolizaţi prin M. Diferenţa de concentraţii dintre cele două zone determină difuzia purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. numit şi curentul direct al joncţiunii: id = inM + ipM . iar semiconductorul obţinut este de tip n. se realizează o joncţiune p-n care reprezintă structura de bază pentru majoritatea componentelor electronice. deoarece sarcina ionilor imobilizaţi în reţeaua cristalină compensează sarcina suplimentară a purtătorilor majoritari. Purtătorii majoritari. Aceşti atomi de impurităţi se numesc atomi acceptori şi se transformă în ioni imobilizaţi în reţeaua cristalină. • Doparea cu impurităţi pentavalente (Stibiu.concentraţia iniţială de electroni. o variaţie a concentraţiei de goluri (cp) şi electroni (cn). Atomii acestor impurităţi se numesc donori.

Dacă joncţiunii p-n i se ataşează două contacte metalice. Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a sarcinii ρ. cu polaritatea (+) la zona p şi. Efectul potenţialelor de contact asupra barierei de potenţial Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n a) Polarizarea directă (figura 1. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. Regiunea în care apare câmpul electric Ei şi sarcina spaţială ρ se numeşte regiune de trecere. astfel încât la bornele joncţiunii potenţialul rezultant este zero (figura 1. ilustrată prin zona haşurată.6). Prezenţa câmpului intern Ei determină apariţia unei bariere de potenţial notate cu U0 (figura 1. în zona regiunii de trecere.5-e).6. Această sarcină creează câmpul electric care se opune trecerii purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta.7).5 Figura 1.Dispozitive electronice de circuit 7 purtătorilor majoritari din zona respectivă. potenţialele de tip M-S (metal-semiconductor) anulează bariera de potenţial U0. Ca urmare. Figura 1. respectiv polaritatea (−) la zona n. potenţialul iniţial (U0) al barierei scade cu .

Cei doi electrozi.3 Dioda semiconductoare Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care are ataşate două contacte M-S (metal-semiconductor). cu polaritate negativă în timpul conducţiei. i . În starea de conducţie tensiunea anodică directă este: Ua ≅ 0. cu polaritatea (−) la zona p şi.U a ).9. Figura 1. 1. lipiţi prin procedee speciale de contactele M-S. numit curent direct al joncţiunii.8).8. Tensiunea anodică inversă se notează cu (-Ua) sau (. Curentul de conducţie (ic). C = Catod.8 Capitolul 1 valoarea tensiunii de alimentare Ua. Caracteristica statică a diodei este reprezentată în figura 1. respectiv polaritatea (+) la zona n. cu polaritate pozitivă în timpul conducţiei. iar joncţiunea se consideră blocată. numit curent invers al joncţiunii. Polarizarea directă a joncţiunii p-n b) Polarizarea inversă (figura 1. Polarizarea inversă a joncţiunii p-n În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de alimentare. se numesc: A = Anod. este neglijabil. Curentul direct al joncţiunii este neglijabil.7V pentru diodele cu Si şi Ua≅0.7. Figura 1. Acest lucru permite trecerea putătorilor majoritari care formează curentul de difuzie (Id). Valoarea curentului de conducţie este de ordinul microamperilor. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua.3V pentru diodele cu Ge. Ua.

10. rezultată din a IIa teoremă a lui Kirchhoff aplicată circuitului din figura 1.4) Tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi: E/R → pentru Ua=0 şi E → pentru ia=0. De asemenea. pentru ramura de polarizare directă (cadranul I).1 Dioda în circuit. Caracteristica externă a diodei Pentru determinarea punctului static de funcţionare.11.10). Dioda în circuit Figura 1. determinarea punctului static de funcţionare Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de limitare a curentului anodic (figura 1. se rezolvă grafo-analitic sistemul format din ecuaţia dreptei statice de sarcină.3.11): ⎧E = R ⋅ i a + U a ⎨ ⎩ i a = f (U a ) (1. Se observă că înclinaţia dreptei de sarcină este egală cu .9.Dispozitive electronice de circuit 9 Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi atinge valoarea de străpungere a joncţiunii. figura 1.11. aceasta se distruge prin efect termic datorită creşterii în avalanşă a curentului invers.10 şi ecuaţia caracteristicii anodice (figura 1. Figura 1. Figura 1. se cunoaşte caracteristica anodică. PSF (M). Caracteristica curent-tensiune a diodei 1.

Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil. c) puterea disipată: Pd<10W. obţinute din proiecţiile punctului M pe cele două axe. deci se comportă ca o capacitate comandată prin tensiune.A]. Simbolizarea şi variaţia capacităţii echivalente ale diodei varicap sunt prezentate în figura 1. în porţiunea de lucru a caracteristicii statice.5 V .. d) frecvenţa de lucru: fl ∈ [50 Hz .100 [%/oC]. aceasta echivalează cu depărtarea armăturilor ”condensatorului”. max ≤ 1800 V.3. 4) Diode cu contact punctiform.. Sunt diode realizate cu siliciu la care se utilizează ramura caracteristicii corespunzătoare polarizării inverse.. 180 V]. 5) Dioda varicap. iar în figura 1.. Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din starea ”blocat” în starea de ”conducţie” .12-a este ilustrată polarizarea diodei Zener.12-b este reprezentată caracteristica statică inversată (în cadranul I)... 2) Diode stabilizatoare (diode Zener). Pe măsură ce aplicăm o tensiune mai mare la bornele diodei. Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b) Parametrii de catalog: a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz ∈[2. Coordonatele PSF sunt iao şi Uao. 20 KHz]. De regulă sunt utilizate în tehnica de calcul. c) temperatura maximă admisă a joncţiunii: Tj max ≤ 140 oC. d) coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura: αz = 1 ΔU z .10 Capitolul 1 valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R. Sunt utilizate în circuite de detecţie şi comutaţie la frecvenţe de lucru până la 10 MHz. rz. U z ΔTa e) rezistenţa internă (dinamică). b) curentul Zener – curentul corespunzător tensiunii de stabilizare: Iz∈[mA.2 Tipuri de diode semiconductoare 1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog: a) curentul mediu în sens direct: IF ≤ 600 A.13. 3) Diode de comutaţie.12. În figura 1. Figura 1. 1.de ordinul nanosecundelor. b) tensiunea inversă: Uinv. . . Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa joncţiunii foarte mică.

Dispozitive electronice de circuit 11 Figura 1. la reclame etc.c). Caracteristica curent-tensiune este neliniară şi prezintă în porţiunea MN rezistenţă internă negativă. Această proprietate permite utilizarea diodei tunel în construcţia oscilatoarelor (vezi § 2. figura 1. Aceasta emite un flux de radiaţii luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purtătorilor de sarcină.15. Figura 1.13.b.14. caracteristica spectrală (c) 7) Dioda electroluminiscentă – LED (Light Emitting Diode) se utilizează cu polarizare directă A-C. Curentul de purtători majoritari se datorează fluxului luminos incident.14 (a. optocuplor realizat cu LED+fotodiodă (b). Culoarea radiaţiei depinde de natura semiconductorului şi de impuritatea activatoare. Dioda varicap: simbolizare şi principiu de funcţionare 6) Fotodioda este utilizată cu polarizare inversă. caracteristicile anodice şi caracteristica spectrală sunt reprezentate în figura 1. .15-b şi 1.6).15-c. realizând şi o foarte bună separare galvanică. Frecvenţa de lucru este cuprinsă între 0.16. Optocuplorul este un dispozitiv electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieşire. Este utilizată în construcţia afişoarelor numerice. Figura 1.15-a. figurile 1. Simbolizarea şi caracteristica anodică sunt ilustrate în figura 1. astfel încât regiunea de trecere este foarte îngustă. Polarizarea. Polarizarea fotodiodei (a). Din combinarea unui LED cu o fotodiodă rezultă un optocuplor (cuplor optic). iar purtătorii majoritari traversează bariera de potenţial prin ”efectul tunel” (efect cuantic). optocuplor realizat cu LED+fototranzistor (c) 8) Dioda tunel – are joncţiunea p-n cu cele două zone foarte apropiate şi puternic dopate cu impurităţi. LED în circuit (a).5 şi 5 GHz. dioda Tunel fiind utilizată şi în circuite de comutaţie. Fotodioda este utilizată în construcţia detectoarelor opto-electronice ce lucrează în spectrele vizibil sau infraroşu. familia caracteristicilor curent-tensiune (b).

4 Tranzistoare Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a amplifica semnale electrice. la care conducţia electrică este asigurată de o singură categorie de purtători: fie numai electroni. La aceste tranzistoare semnalul de intrare (xi) în DA este o tensiune. în figura 1.17 s-a reprezentat schema simplificată a unui amplificator. Zona E este puternic dopată cu impurităţi. În această schemă tranzistorul reprezintă dispozitivul de amplificare.1 Tranzistoare bipolare . Tranzistoare bipolare. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor După modul în care se realizează conducţia electrică a semnalului prin DA. iar zona C este mai puţin dopată decât zona E. Structura fizică a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentată în figura 1. 2. . În acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent. o rezistenţă de limitare a curentului de sarcină (R) şi sursa de alimentare E. Figura 1. tranzistoarele sunt de două tipuri: 1. Simbolizarea acestora este dată în figura 1.structura fizică şi funcţionare Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone şi două joncţiuni.12 Capitolul 1 Figura 1. zona B este slab dopată cu impurităţi şi este foarte îngustă (de ordinul micronilor).16. 1. Cei trei electrozi se numesc: emitor. iar joncţiunea B-C este polarizată invers. colector şi bază. la care conducţia electrică este asigurată atât de electroni cât şi de goluri.19. La funcţionarea în regim de amplificare joncţiunea E-B este polarizată direct. fie numai goluri.4. Tranzistoare unipolare. Simbolizarea diodei tunel şi caracteristica curent-tensiune 1. Considerând un dispozitiv de amplificare (DA) comandat prin semnalul de intrare xi. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn.17.18.

Figura 1.8) unde: ICBo este curentul de purtători minoritari. Puterea la ieşire. În modul.Dispozitive electronice de circuit 13 Curentul de difuzie prin joncţiunea emitorului este format din purtătorii majoritari care sunt golurile. Observaţie: Curentul de purtători minoritari ICBo este foarte mic.18. Structura şi simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp şi npn) Figura 1. Transferul aproape integral în colector a golurilor difuzate în bază poartă numele de efect de tranzistor. UCB > Pi = UEB .5) Un procent foarte mic de goluri se recombină cu electroni din bază formând atomi neutri.19.7) (1. Pe = IC . (Pe). Din schema structurală rezultă ecuaţia curenţilor prin tranzistor: I C = α n I E + I CBo (1. IB . Structura fizică şi polarizarea tranzistorului pnp I α n = E ≅ 0.6) I B = (1 − α n )I E − I CBo IE = IC + IB (1.factor static de amplificare în curent IC (1.9) Această inegalitate explică posibilitatea funcţionării tranzistorului în regim de amplificare.995 . golurile din emitor difuzate în bază (B) sunt preluate şi transportate în colector de câmpul electric intern Ei al joncţiunii colectorului. Întrucât lăţimea bazei este foarte mică iar regiunea de trecere a joncţiunii B-C se extinde mult în zona bazei (n). tensiunea între colector şi bază este mult mai mare decât tensiunea dintre emitor şi bază: U CB >> U EB . este mai mare decât puterea de intrare (Pi): (1. rezultând I C ≈ I E .

Tranzistorul bipolar în conexiune emitor comun Figura 1.20.14 Capitolul 1 1. rezultă că un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca bornă comună pentru intrare şi ieşire. În oricare dintre cele 3 scheme se are în vedere că joncţiunea E-B este polarizată direct. iar joncţiunea C-B este polarizată invers. c) Schema de conexiuni – colector comun (CC – figura 1. De aceea sunt posibile trei scheme fundamentale de conexiune ale tranzistorului în regim de amplificare.24) I B = f ( U BE ) U CE = ct .22.20). Tranzistorul bipolar în conexiune bază comună b) Schema de conexiuni – emitor comun (EC – figura 1.23.21.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice Întrucât în regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol (simbolizat în figura 1. având 4 borne. Simbolizarea unui amplificator a) Schema de conexiuni – bază comună (BC – figura 1. iar în continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru această conexiune. Figura 1. emitor). Tranzistorul bipolar în conexiune colector comun Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1. Figura 1. iar tranzistorul având numai 3 terminale (bază.21). colector.23).22) – este cea mai utilizată.4. . se utilizează ca amplificator de putere (etaj final). Figura 1.

în care se disting principalele regiuni de lucru. de ieşire pentru conexiunea EC: I C = f ( U CE ) I B = ct Familiile caracteristicilor de ieşire sunt date în figura 1. Regiunea 1 – zona de blocare (de tăiere) este caracterizată de polarizarea inversă a joncţiunii E-B sau de lipsa polarizării acestei joncţiuni. Regiunea 2 – regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea directă a joncţiunii E-B şi de polarizarea inversă a joncţiunii C-B. βn 1 + βn (1.Dispozitive electronice de circuit 15 Figura 1. Caracteristici statice de intrare Caracteristici statice .11) . Familiile caracteristicilor de ieşire Relaţia între factorul de amplificare βn şi factorul static de amplificare în curent αn – pentru conexiunea bază comună este: αn = unde β n = [30 L 1000] .25.24.25.10) unde: β n = αn se numeşte factor static de amplificare în curent pentru 1 − αn conexiunea emitor comun. I C = β n I B + (1 + β n )I Co (1. Figura 1.

Aceste trei valori reprezintă parametri de catalog.26. figura 1.stabilizarea punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii.determinarea punctului static de funcţionare (PSF). limita tensiunii de colector (UCEmax) şi limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax).3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar Considerând familia caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun (EC).10) rezultă: I C ≅ (1 + β n )I Co (1.U CE max (1.4.12) unde ICo este curentul de purtători minoritari (curentul invers al joncţiunii BC).26 sunt ilustrate cele 3 limitări esenţiale în funcţionarea tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax). Caracteristicile au o ramură comună sub formă de dreaptă cu înclinaţia de aproape 90o.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit.27. Stabilirea PSF Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare.13) Figura 1. . Regiunea 3 – este numită şi zonă de saturaţie şi corespunde situaţiei când ambele joncţiuni sunt polarizate direct. La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate două probleme: . Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar 1. ce nu trebuie depăşiţi în timpul funcţionării tranzistorului. în figura 1. din relaţia (1. Relaţiile care trebuie respectate între valorile de lucru şi valorile limită ale celor trei parametri sunt: I C ≤ I C max U CE ≤ U CE max Pd < Pmax = I C max .16 Capitolul 1 În regiunea de tăiere curentul de bază fiind nul. . Această dreaptă se numeşte ”dreaptă de saturaţie”. realizat cu un tranzistor de tip npn. 1.

27. Se cere: PSF → M(UCEo. iCo) Figura 1. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn Se dau: EC. iC=f(UCE).14) Procedând similar pentru circuitul de intrare se obţine: EC = RB ⋅ iB + UBE (1. . trasată prin tăieturile sale ( IC = EC şi U CE = E C ). RC şi familia caracteristicilor externe ale tranzistorului. prezentată în figura 1. Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire (figura 1. (1.28.Dispozitive electronice de circuit 17 Figura 1.15) Neglijând UBE în raport cu EC ( UBE ≅ 0). se obţine la intersecţia caracteristicii externe (aferentă curentului iBo) cu dreapta de sarcină.27) se obţine: EC = RC ⋅ iC + UCE .28. iCo). RB.16) Punctul static de funcţionare.ecuaţia dreptei de sarcină. din relaţia (1. M(UCEo.15) se obţine: iBo ≅ EC RB (1. Panta (înclinarea) dreptei de sarcină se exprimă prin RC tg(α)=RC.

dar cea mai utilizată este schema din figura 1. ceea ce conduce la creşterea curentului de emitor (iE ≈ iC). cu ajutorul rezistenţei de emitor (RE) se rezolvă problema stabilizării PSF. Dacă deplasarea PSF este mare.) şi ca urmare modificarea caracteristicilor de intrare. Figura 1. care utilizează diverse scheme. Stabilizarea punctului static de funcţionare Dacă temperatura creşte iCo creşte. Modificarea PSF la variaţia temperaturii Există mai multe metode de stabilizare.29. Deci se compensează creşterea iniţială a curentului iC iar punctul static de funcţionare este adus din poziţia M’ în poziţia iniţială M.4. Schemă utilizată pentru stabilizarea PSF-ului la variaţia temperaturii Stabilizarea PSF se explică prin relaţiile: (1. rezultând o creştere a curentului de colector care deplasează punctul static de funcţionare M în M’ (figura 1. ceea ce conduce la creşterea factorului de amplificare βn.29).18 Capitolul 1 1. atât în conexiunea EC cât şi în conexiunea BC. cresc factorii statici de amplificare în curent βn şi αn.17) Dacă T ↑ ⇒ iC ↑ (punctul M se deplasează în M’).30. realizând astfel stabilizarea PSF la variaţia temperaturii.RE . sau IB=ct. iE ⇒ UBE = U . Un alt efect al creşterii temperaturii îl reprezintă micşorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct.17) se observă că UBE scade ceea ce conduce la micşorarea curentului de colector. Pentru restabilirea funcţionării normale este necesară readucerea PSF (M’) în poziţia iniţială (M).30 în care. iE . U = UBE + RE . Figura 1. Din (1.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. atunci funcţionarea etajului de amplificare este defectuoasă. De asemenea.

sunt prezentate în figura 1. pentru stabilizarea punctului static de funcţionare În figura 1. . rezultat din nodul A. are rolul de a scurtcircuita rezistenţa de emitor atunci când etajul funcţionează în curent alternativ. deci are loc compensarea efectului de creştere a curentului iC cu temperatura.Dispozitive electronice de circuit 19 Observaţii: • Divizorul de tensiune format din rezistenţele RB1 şi RB2 permite impunerea valorii curentului de bază în regim static (iBo).33-a).4. Dioda D fiind polarizată în sens de blocare. 1. rezistenţa termistorului scade.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare utilizând un tranzistor bipolar npn în conexiune emitor-comun (figura 1.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare se pot utiliza şi elemente de compensare ce au caracteristici neliniare.31 este prezentată o schemă de stabilizare utilizând un termistor ca element de compensare.33-b. scade corespunzător. De regulă se adoptă curentul prin RD la valoarea: iD≅10⋅iBo.31. la creşterea temperaturii va creşte curentul invers idi.32 este dată o schemă de stabilizare termică utilizând o diodă ca element de compensare. CE. Figura 1.1 ⋅ RE.32. La creşterea temperaturii. În figura 1. • Condensatorul din emitor. Schemă cu diodă de static de funcţionare utilizând termistor compensare. cum sunt termistoarele şi diodele semiconductoare. având ca efect micşorarea curentului iB. 1.4. în paralel cu rezistenţa de emitor.iE ≅ 0. iar curentul prin termistor creşte.2⋅EC. La funcţionarea etajului în curent alternativ condensatorul CE elimină reacţia negativă de tensiune dacă reactanţa condensatorului de emitor este de cel puţin 10 ori mai mică decât RE: XE ≤ 0. astfel încât curentul iB. pentru care diagramele curenţilor şi tensiunilor. • În regim static de funcţionare căderea de tensiune pe rezistenţa din emitor se poate calcula cu relaţia: RE. Schema de stabilizare a punctului Figura 1.5. acţionând în sensul compensării efectului de creştere a curentului de colector cu temperatura. corespunzătoare punctului static de funcţionare M.

rezistenţa la ieşire (zeci sau sute de Ω). între punctele A şi B se face cu frecvenţa semnalului de intrare (iB~) şi are ca efect apariţia componentelor alternative pentru curentul de colector (adică iC~) şi pentru tensiunea de la ieşire (UCE~). U2 = UCE. peste componentele continue (iB0. AU. marcat cu linie groasă.22) Rezistenţele de intrare şi ieşire ale etajului de amplificare sunt: ≅ U CE (val. I1 = IB. adică segmentul AB. iar Pi = UBE ⋅ IB (1. ZC. Curentul de la ieşire (iC~) este în fază cu cel de la intrare (iB~). unde Pe = UCE ⋅ IC. Re . unde: U1 = UBE. Construcţia grafică (reprezentată la scară) a caracteristicilor în regim dinamic permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare. b) Conexiunea colector-comun (CC): Ri .20 Capitolul 1 Datorită semnalului alternativ de la intrare. a) Conexiunea bază-comună (BC): Ri . R E = 2 . Proprietăţi calitative ale etajelor de amplificare în raport cu schema de conexiune utilizată.18) De asemenea. Re .21) I1 IB Amplificarea în putere: AP = Pe/Pi. iC0) ale curenţilor din tranzistor se suprapun componentele alternative.23) Observaţie: Dacă tensiunea de intrare Ui este de înaltă frecvenţă sau dacă sarcina nu este rezistivă parametrii etajului sunt mărimi complexe: Zi. adică este inductivă sau capacitivă.tg β) este diferită faţă de panta caracteristicii statice (tg α). panta caracteristicii dinamice (panta segmentului A’B’ . tensiunea colector-emitor are două componente: (1.rezistenţa la ieşire (sute de kΩ sau MΩ). I2 = IC I1 I2 (1.rezistenţa la intrare (zeci sau sute de kΩ). eficace). Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt: Amplificarea în tensiune: A U = A = U CE = U CEo + U CE ~ U2 Ui U BE I I Amplificarea în curent: A I = 2 = C (val. punctul static de funcţionare (M) se deplasează pe dreapta de sarcină. AI. (1. Deplasarea alternativă a punctului static (M) pe dreapta statică de sarcină. În regim dinamic punctul static M se deplasează în ambele sensuri pe dreapta de sarcină şi descrie caracteristica dinamică. Deci caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor statice de funcţionare când la intrarea etajului se aplică semnalul alternativ. Tensiunea de la ieşirea etajului (UCE~) este în antifază faţă de curentul de intrare alternativ (iB~). Curenţii prin tranzistor vor fi: i B = i Bo + i B ~ i C = i Co + i C ~ (1. efective) (1. Dacă sarcina etajului nu este rezistivă. AU =zeci sau sute.20) Ri = U U1 . În timpul funcţionării etajului de amplificare în curent alternativ.19) Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative şi blochează componenta continuă (dacă există) a semnalului de intrare.rezistenţa la intrare (zeci de Ω). . Ai ≤ 1. corespunzător valorilor maxime ale curentului iB~ .

Calea de trecere se numeşte canal şi este situat între doi electrozi numiţi sursă (S) şi drenă (D).7 Tranzistoare unipolare În cazul tranzistoarelor unipolare. Se mai utilizează abrevierea FET. AU ≤1. Figura 1. fiind canal de tip n. Ai = zeci sau sute.33.rezistenţa la intrare (kΩ). Re . • Schema bază-comună (BC) creează dificultăţi la cuplarea etajelor în cascadă (serie) datorită diferenţelor foarte mari între impedanţa (sau rezistenţa) de intrare şi cea de ieşire. în construcţia amplificatoarelor de putere. fie goluri. Funcţionarea acestora se bazează pe modificarea conductanţei unei căi de trecere a purtătorilor care produc curentul electric prin dispozitiv.rezistenţa la ieşire (zeci kΩ). conducţia este asigurată de o singură categorie de purtători: fie electroni. canalul fiind de tip p. • Pentru amplificatoarele de tensiune. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar 1. Canalul poate fi realizat din purtători de sarcină negativi (electroni). Concluzii: • Schema colector-comun este utilizată în circuitele de adaptare pentru că are rezistenţa la ieşire mică sau. . schema cea mai utilizată este cea cu emitorul-comun. sau goluri (care au sarcină pozitivă). AU= zeci sau sute. care în limba engleză are aceeaşi semnificaţie: Field Effect Transistor.4. c) Conexiunea emitor-comun (EC): Ri .Dispozitive electronice de circuit 21 Ai = zeci sau sute. Tranzistoarele unipolare se mai numesc Tranzistoare cu Efect de Câmp (TEC).

7.34. regiunile de trecere (reprezentate prin zonele haşurate din figura 1.35-a) se extind în zona canalului micşorând .structura fizică (a). Zona p a grilei formează cu zona n a canalului o joncţiune polarizată invers. Rezistenţa internă a acestor tranzistoare este foarte mare ( 108 . regiunile de trecere au lăţime neglijabilă (deci nu apar zonele haşurate) şi ca urmare secţiunea canalului este maximă..35-b.35-a. Distribuţia spaţială a potenţialului la nivelul canalului este prezentată în figura 1. Figura 1. 1. respectiv curentul de drenă este maxim (ID=IDmax). Baza fiind legată la grila negativată de către tensiunea UG.TEC-MOS. Din acest motiv tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de câmp. TEC sunt comandate în tensiune.35. b) Când grila este negativată (UG<0). Deoarece conductanţa canalului depinde de potenţialul grilei. distribuţia potenţialului (b) Zonele haşurate reprezintă regiunile de trecere ale celor două joncţiuni. În funcţionarea tranzistorului TEC-J se disting următoarele situaţii: a) Dacă grila nu este polarizată (UG =0). Deci canalul de tip n este situat între două joncţiuni polarizate invers.. 1012 Ω).22 Capitolul 1 Figura 1. figura 1. După modul în care se realizează controlul (reglajul) conductanţei canalului există două categorii de tranzistoare unipolare: 1) TEC cu joncţiuni (TEC-J).1 TEC-J având canal de tip n.4. având structură MOS (Metal Oxid Semiconductor). 2) TEC cu grilă (poartă) izolată. rezultă altă joncţiune p-n polarizată invers. Simbolizarea tranzistoarelor unipolare Conductanţa canalului se modifică sub influenţa câmpului electric produs de tensiunea aplicată la al 3-lea electrod numit grilă (G) sau poartă (P). TEC-J . Structură fizică şi funcţionare Tranzistoarele cu efect de câmp şi joncţiuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n sau p. În cele ce urmează se prezintă structura fizică a unui tranzistor TEC-J având canal de tip n.

38. Familia caracteristicilor de intrare .36a şi b. Figura 1. Figura 1.37) şi de intrare (figura 1.zona de amplificare. b) canal p Importanţă deosebită prezintă familia caracteristicilor de ieşire (figura 1. Familia caracteristicilor de ieşire În familia caracteristicilor de intrare se observă că tensiunea de prag (Up) reprezintă valoarea tensiunii de grilă la care se anulează curentul de drenă (ID).37. iar curentul de drenă care circulă între sursă (S) şi drenă (D) se micşorează.Dispozitive electronice de circuit 23 secţiunea acestuia. c) Dacă grila este puternic negativată (UG<<0) regiunile de trecere se unesc anulând secţiunea canalului şi ca urmare se anulează curentul de drenă (ID≅0). Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n. II – zona de saturaţie.36. Figura 1. Familia caracteristicilor de ieşire prezintă două zone: I.38). În zona de amplificare curentul de drenă este reglat prin modificarea tensiunii de grilă. Simbolizarea în circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentată în figura 1. indiferent de tensiunea aplicată pe drenă.

În schema din figura 1. Condensatoarele CC1 şi CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare şi respectiv la ieşirea etajului. Curentul de drenă (curentul de sarcină al etajului) este limitat prin rezistenţa de drenă (RD).39. acestea având rolul de blocare a componentei continue din semnalul de intrare şi/sau ieşire.4.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J Funcţionarea unui etaj de amplificare.24) Condensatorul CS decuplează (scurtcircuitează) rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. Schema din figura 1.24 Capitolul 1 1.39-a şi b. În figura 1. se aplică între sursă şi grilă (prin rezistenţa Rg). realizat cu tranzistori TEC-J (canal n).25) .39-a etajul de amplificare utilizează o sursă separată (Eg) pentru negativarea grilei. dată de relaţia: UG0 = − RS ⋅ ID0 S (1. Figura 1. întrucât reactanţa X C a acestuia este neglijabilă la frecvenţa de lucru a etajului. Rezultă că între rezistenţa Rg şi reactanţa X C trebuie să existe C1 relaţia: X C C1 ≤ Rg 100 (1. Căderea de tensiune pe rezistenţa sursei (RS). b) cu negativare automată a grilei. adică atunci când grila (G) este negativă în raport cu sursa (S). utilizând o singură sursă de alimentare (sursa de drenă ED). Observaţie: În proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie îndeplinite două condiţii esenţiale: • Căderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului să nu fie mai mare de un procent (0. Etaj de amplificare cu TEC-J: a) cu sursă separată pentru negativarea grilei. dacă se utilizează una dintre schemele prezentate în figura 1. Rezistenţa Rg se adoptă de ordinul megohmilor (MΩ) şi are rolul de a transmite pe grilă potenţialul negativ al sursei (bateriei) Eg. valoarea mare a rezistenţei Rg asigură o rezistenţă (impedanţă) de intrare ridicată pentru etajul de amplificare. Aceste condiţii impuse etajului de amplificare pot fi îndeplinite.7. În acelaşi timp. este posibilă dacă tranzistorul este polarizat corect. dată de componenta continuă a curentului de drenă ID0 = IS0.01) din valoarea nominală a semnalului de intrare.39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = −Eg. iar pe drenă (D) se aplică o tensiune pozitivă.39-b realizează negativarea automată a grilei în raport cu sursa. cu semnul plus (+) la sursă şi minus (−) la grilă. Rezultă tensiunea de negativare a grilei.

4. depinde numai de valoarea rezistenţei de drenă RD: tg(α)=RD.30) . prin CC2.26) 1. exprimată prin tg(α). Această condiţie este îndeplinită dacă între rezistenţa sursei RS şi reactanţa X C există relaţia: S X CS ≤ RS 10 (1.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic Considerând etajul de amplificare din figura 1. utilizând punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină cu axele de coordonate: ID = ED .27) Presupunând dată familia caracteristicilor de ieşire I D = f ( U DS ) U = ct.28) Punctul static de funcţionare (M) se obţine la intersecţia caracteristicii de ieşire. a punctului static M pe dreapta de sarcină între punctele A şi B. o rezistenţă de sarcină RS (sau o impedanţă ZS). pentru UG0= −Eg . figurat cu linie groasă. Astfel segmentul AB. Dacă la intrarea etajului se aplică un semnal alternativ (u~). expresiile curenţilor şi tensiunilor în regim dinamic sunt: UG = UG0+ UG ~ UDS = UDS0+ UDS ~ ID = ID0+ ID ~ (1. Astfel. Proiecţiile duse din punctul static (M) pe axele ID şi UDS determină coordonatele ID0 şi UDS0 ale punctului M. În acest caz panta caracteristicii dinamice va fi: tg β = f (RD + RS) sau tg β = g (RD + ZS) (1. Panta dreptei statice de sarcină. astfel încât să se elimine reacţia negativă de tensiune. cu frecvenţa semnalului UG ~ .40 se observă că la funcţionarea etajului în regim dinamic apar componentele alternative ale curenţilor şi tensiunilor prin tranzistor care se suprapun peste componentele continue ale acestora.Dispozitive electronice de circuit • 25 Condensatorul CS conectat în paralel cu RS trebuie să şunteze rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ.39-a). G pentru tranzistorul TEC-J utilizat în etajul de amplificare (figura 1. RD U DS = E D (1. atunci componenta alternativă a tensiunii de grilă (UG ~) determină deplasarea rectilinie alternativă.29) Din figura 1.40). cu dreapta statică de sarcină.7. reprezintă caracteristica dinamică a tranzistorului TEC-J.39-a şi aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ED = RD ⋅ ID + UDS (1. Panta caracteristicii dinamice (tg β) va fi diferită de panta dreptei statice (tg α) dacă la ieşirea etajului se conectează. se trasează dreapta statică de sarcină în planul caracteristicilor de ieşire (figura 1.

În figura 1.42-b sunt marcate regiunile I şi II. Dacă grila este la potenţial pozitiv. reprezentând: I-regiunea de amplificare. iar curentul de drenă creşte.26 • • Capitolul 1 Observaţii: Curentul de la ieşirea etajului (ID~) este în fază cu semnalul alternativ de la intrare (UG ~). i D = g( U G ) U D = ct (1.. rezistenţa de intrare rezultă foarte mare: Ri≅1014 Ω.42-a iar familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare este dată în figura 1. Figura 1. În cazul tranzistoarelor TEC-MOS având canal permanent. Pentru Ri mică. În figura 1. PSF se alege pe dreapta de sarcină în zona de îmbogăţire (grilă pozitivă).42-b sunt reprezentate caracteristicile de ieşire şi intrare: i D = f ( U D ) U G = ct Valoarea tensiunii de grilă pentru care curentul de drenă se anulează (iD=0) poartă numele de tensiune de prag (Up).40.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) Structura MOS este prezentată în figura 1. b) canal de tip p (goluri). Metalul depus pe oxid joacă rol de grilă. ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcină prin tranzistor. La suprafaţa semiconductorului de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 . II – regiunea de saturaţie. la care grila este izolată de canal prin stratul de oxid. deci modifică conductivitatea canalului. se alege PSF în regiunea de sărăcire (grilă negativă)..7.31) .42-b. Observaţii: Dacă se cere o rezistenţă de intrare (Ri) cât mai mare a etajului de amplificare. Diagramele tensiunilor şi curenţilor la funcţionarea etajului în regim dinamic 1.10-6) mm. Structura MOS poate avea două tipuri de canale: a) canal de tip n (electroni). Tensiunea de ieşire (UDS ~) este în antifază cu semnalul de intrare (UG~).4. deoarece modifică prin potenţialul său proprietăţile semiconductorului la suprafaţa dinspre oxid. Structura fizică este prezentată în figura 1.41. atunci regimul de funcţionare este un regim de îmbogăţire (în purtători).

la fel ca în cazul TEC-J. Astfel de amplificatoare cu impedanţe de intrare foarte mari sunt necesare în construcţia adaptoarelor traductoarelor de pH.CS asigură negativarea automată a grilei în raport cu sursa de alimentare. este alimentat de la o singură sursă (+ED). Structura tranzistorului MOS Figura 1. În figura 1. Grupul RS . Structura fizică (a). familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare (b) 1.43) se elimină elementele RS. Dacă din schema etajului de amplificare (figura 1. CS şi RG. considerând că în PSF tensiunea de grilă este negativă (UGo<0). Rezistenţa de grilă (RG) se adoptă suficient de mare (de ordinul MΩ) astfel încât să asigure o impedanţă mare la intrarea etajului de amplificare.41.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TECMOS având canal de tip n.Dispozitive electronice de circuit 27 Figura 1.43 este prezentată schema unui etaj de amplificare la care tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n). atunci se obţine un etaj de amplificare ce asigură o impedanţă de intrare (Zi) foarte mare (≈1012 Ω).42. a .

tiristorul.1 Tiristorul Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat în electronica de putere.47. Etaj de amplificare cu TEC-MOS având canal n 1. Din acest motiv aceste dispozitive semiconductoare se mai numesc şi multijoncţiune. Cele mai utilizate dispozitive multijoncţiune sunt: dioda pnpn (numită diodă Shockley sau dinistor).47. Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este asemănător celui prezentat la tranzistorul TEC-J (§ 1.28 Capitolul 1 traductoarelor piezoelectrice etc.5. Un dispozitiv semiconductor special care are o singură joncţiune şi trei electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Joncţiune (TUJ). Figura 1. Structura fizică şi simbolizarea tiristorului .5 Dispozitive semiconductoare speciale În electronica aplicată se utilizează frecvent dispozitivele semiconductoare speciale. caracteristicile şi funcţionarea următoarelor dispozitive semiconductoare: 1. Structura fizică a acestor dispozitive conţine mai multe straturi în succesiune pnpn.3) Figura 1. În cele ce urmează se va prezenta structura.4. structura acestuia şi simbolizarea fiind prezentate în figura 1. catod (C) şi poartă sau grilă (P sau G). triacul. Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A). El este format din 4 zone şi 3 joncţiuni.43. deci mai multe joncţiuni. diacul.7.

Figura 1. ceea ce duce la creşterea lui i C = i B . Pentru amorsare se aplică tensiune pozitivă la anod şi negativă la catod. Curentul prin tiristor (care circulă de la anod la catod) trebuie limitat printr-o rezistenţă de sarcină.49.49. La început ambele tranzistoare sunt blocate. ia=f(Ua).48 se observă că: i B 2 = i C1 + i G . Acest lucru conduce la creşterea lui i B . după care este necesar un curent de grilă pozitiv care se aplică sub formă de impuls. conectate ca în figura 1. adică i B creşte şi 2 1 1 deschide T1 rezultând creşterea curentului de colector al tranzistorului T1. adică ia scade sub valoarea curentului de menţinere iam (parametru de catalog). b) blocarea tiristorului are loc atunci când curentul prin tiristor se micşorează.48.Dispozitive electronice de circuit 29 Tiristorul este echivalent cu două tranzistoare bipolare complementare (pnp şi npn).48. iar i B 2 este dat numai de curentul de grilă care trebuie să fie suficient de mare. Figura 1. fenomenul de conducţie (creştere a curenţilor 2 prin tranzistoare) accelerându-se până când ambele tranzistoare intră în saturaţie. Schema echivalentă a unui tiristor Funcţionarea tiristorului cuprinde două etape: a) amorsarea (intrarea în conducţie sau aprinderea). ilustrată în figura 1. figura 1.49. Caracteristica anodică a tiristorului . În continuare se deschide puţin T2. astfel încât acesta să nu depăşească valoarea nominală (care este un parametru de catalog). Pentru un tiristor prezintă importanţă caracteristica anodică. Din figura 1.

. • tensiunea inversă Uinv = sute (mii) volţi (tensiunea anodică inversă). Caracteristica de comandă (caracteristica de grilă) reprezintă dependenţa tensiunii de amorsare în raport cu valoarea curentului de grilă (figura 1.49. Figura 1. iar curentul anodic are o creştere mică). Grupul Rp-Cp asigură atenuarea gradienţilor de tensiune inversă (periculoşi pentru joncţiunile tiristorului) ce apar în momentul blocării acestuia.32) zona III – corespunde regimului de conducţie (curentul creşte brusc după o caracteristică aproape verticală. Această caracteristică separă zona de blocare faţă de zona de conducţie şi explică faptul că pentru tensiuni de amorsare mari. figura 1. Observaţii: Dacă între tensiunile de amorsare Uam1 şi Uam2 există inegalitatea (Uam1<Uam2). în [1]).50. figura 1. valorile curenţilor de grilă necesari amorsării sunt mai mici şi invers (fenomen ilustrat şi în figura 1. În regimul de tranziţie rezistenţa internă a tiristorului este negativă: R Ti = − • ΔU a < 0. • temperatura maximă a joncţiunii Tj max ≤ 140 oC. atunci între curenţii de grilă corespunzători există inegalitatea inversă: i G1 > i G 2 .49).30 Capitolul 1 În planul caracteristicilor anodice. • zona II – corespunzătoare regimului de tranziţie din starea blocat în starea de conducţie (când tensiunea scade pronunţat. iar pentru protecţia acestuia împotriva gradienţilor de tensiune inversă se utilizează un circuit Rp-Cp serie conectat în paralel cu tiristorul (figura 1.51). e.50). se înseriază cu tiristorul o bobină de inductivitate L (calculată ca şi grupul Rp-Cp după o metodologie utilizată de exemplu. se disting 3 zone corespunzătoare regimurilor de funcţionare ale tiristorului: • zona I – corespunzătoare regimului de blocare (curentul creşte foarte puţin. fiind neglijabil). Pentru protecţia tiristorului la curenţi de scurtcircuit se utilizează o siguranţă fuzibilă specială (ultrarapidă. Caracteristica de comandă a tiristorului • • • Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt: • curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN ≤ 1000A. iar căderea de tensiune între anod şi catod rămâne aproximativ constantă).51). Pentru limitarea vitezei de creştere a curentului la o valoare sub viteza critică (parametru de catalog). Δi a (1.

iar funcţionarea corespunde cadranului III.53). Asemănător fenomenelor întâlnite la tiristor. • temperatura maximă a joncţiunii. ia=f(ua). Tj-max≤ 140 oC. Întrucât triacul are conducţie bidirecţională. este formată din două ramuri situate în cadranele I şi III (figura 1. • tensiunea maximă inversă. astfel încât curentul prin tiristor (ia – figura 1. Triacul reprezintă un întrerupător static în curent alternativ şi este utilizat pentru reglarea tensiunii alternative (în structura variatoarelor de tensiune alternativă) la bornele receptoarelor mono sau trifazate. LS). intrarea în conducţie se face pentru curenţi de grilă pozitivi (iG>0).49) să depăşească valoarea curentului de menţinere iam. Figura 1. se poate considera că triacul este echivalent cu două tiristoare în conexiune antiparalelă comandate printr-o grilă comună (figura 1. Pentru amorsarea tiristorului este necesar ca durata impulsului de comandă (iG) să fie suficient de mare. Tiristorul reprezintă un întrerupător static în curent continuu şi este utilizat în construcţia variatoarelor de tensiune continuă monofazate sau polifazate.2 Triacul Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structură complexă. sunt următorii: • curentul nominal. b) Dacă anodul A2 este negativ faţă de anodul A1. Uinv-max≤ 1200V. La funcţionarea triacului într-un circuit de sarcină se disting două situaţii: a) Dacă anodul A2 este pozitiv faţă de anodul A1.51. Conectarea triacului în circuit este prezentată în figura 1. Principalii parametrii de catalog. Făcând abstracţie de structura fizică. ce trebuie luaţi în considerare la alegerea unui triac. iar funcţionarea corespunde cadranului I. curentul de sarcină (curentul anodic) este limitat numai de rezistenţa şi/sau inductivitatea de sarcină (RS. IN≤ 75A.Dispozitive electronice de circuit • 31 După intrarea în conducţie a tiristorului. caracteristica anodică.52-b. Observaţie: Valorile absolute ale curenţilor de grilă |iG1| şi |iG2| necesari amorsării triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului (Uam1 şi Uam2). care este o ramură distinctă a electronicii industriale. Acest domeniu de aplicaţie aparţine electronicii de putere. Tiristorul în circuit • • Amplitudinea impulsului de comandă pe grilă (iG) reprezintă un parametru de catalog a cărui valoare nu trebuie depăşită.52-a). Elementele de protecţie necesare triacului sunt aceleaşi ca în cazul tiristorului. dacă tensiunile de . 1. trecerea în starea de conducţie are loc pentru curenţi de grilă negativi (iG<0).5.

32 Capitolul 1 amorsare aplicate triacului sunt mai mari.54. triacul în circuit (b) Figura 1. Joncţiunea p-n este realizată în zona mediană a blocului semiconductor de tip n.5. iar rezistenţa RBB între bazele B1 şi B2 este relativ mare (de ordinul kΩ). Caracteristicile anodice ale triacului 1.53.54. curenţii de grilă necesari intrării în conducţie vor fi mai mici şi invers. Zona p a emitorului este puternic . (a) (b) Figura 1. Figura 1. Simbolizarea triacului (a).52.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) Acest dispozitiv semiconductor se mai numeşte şi diodă cu două baze. Structura fizică şi simbolizarea sunt prezentate în figura 1. Structura fizică şi simbolizarea tranzistorului unijoncţiune La acest tranzistor zona n este slab dopată cu impurităţi.

Dispozitive electronice de circuit 33 dopată cu impurităţi. După terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor creşte brusc (pe ramura AB comună caracteristicilor). curentul de emitor (iE) creşte lent pe durata regimului tranzitoriu.55. între punctul din dreptul joncţiunii emitorului şi cele două baze. La aplicarea unei tensiuni uBB>0 între cele două baze potenţialul punctului M situat pe joncţiune va fi egal cu η⋅uBB. unde η se numeşte raport intrinsec (coeficient subunitar) exprimat prin relaţia: η= rB1 + rB 2 rB1 (1. Figura 1. (semnul plus la borna B2). Când aceste condiţii sunt îndeplinite joncţiunea p-n este polarizată direct. De regulă η=0. fiind limitat numai de valoarea rezistenţei de sarcină. Care sunt proprietăţile regiunii de trecere a unei joncţiuni pn? 3.8 . Pe durata regimului tranzitoriu (porţiunea OA din caracteristici) rezistenţa internă a TUJ este negativă. 1.. în cazul Termistorului şi Fotodiodei ? . Familia caracteristicilor curent-tensiune Datorită formei de variaţie a curentului de emitor (în regim de conducţie).8. Intrarea în conducţie a tranzistorului unijoncţiune are loc dacă sunt îndeplinite condiţiile: a) uBB > 0.33) în care rB1 şi rB2 sunt rezistenţele barei de semiconductor. Care este legea de variaţie a purtătorilor de sarcină în cazul semiconductoarelor omogene? Precizaţi semnificaţia parametrilor din expresia analitică ! 2. tranzistorul unijoncţiune este utilizat ca formator de impulsuri în circuitele de comandă ale tiristoarelor sau triacurilor.55).5 ··· 0. iar uEB1 scade până la valoarea de 0. 1 V (punctul A din figura 1. Care sunt parametrii de catalog şi semnificaţia acestora..6 Întrebări şi problemă 1. b) uEB1 > η·uBB.

canal de tip “n” (permanent) ? 10. Care element (componentă) din schema etajului de amplificare – asigură stabilizarea PSF la variaţia temperaturii mediului ? Problemă Considerând schema unui etaj de amplificare. Se cere să se calculeze valorile elementelor: R S . I DS0 = 8m [ A ] . Ce reprezintă caracteristica dinamică în cazul tranzistorului bipolar şi de cine depinde panta acesteia ? 8. Prin ce parametru (variabil) se poate modifica secţiunea canalului (de tip n) în cazul TEC-J ? 9. Cum (în câte moduri) se poate măsura o tensiune alternativă cu parametrii: Uef = 80V. C2 = CS .34 Capitolul 1 4. f = 20 KHz ? 6. . Care sunt relaţiile analitice ce justifică proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar ? 5. în care se cunoaşte: U DS0 = 10 [ V ] . cu TEC-J (prezentată mai jos). R D . U G0 = −5 [ V ] . Re = 40 KΩ ? 7. C1 . Ce modalităţi (variante) există pentru negativarea grilei – în cazul TEC-J. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. f min = 200 [ Hz ] .

se pot defini următorii parametri: • Amplificarea de putere Ap: A p = P2 >1 P1 (2. caracterizată de tensiunea U2 şi respectiv curentul I2.1) . printr-un cuadripol activ care are două perechi de borne.1.CAPITOLUL 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE 2. Bornele de ieşire (2 – 2’) reprezintă poarta de ieşire. Amplificarea semnalului de la intrare se face utilizând energie preluată de la sursa de alimentare (Uo). respectiv I1. Schema de principiu a unui amplificator Bornele de intrare (1 – 1’) reprezintă poarta de intrare.1. ca în figura 2. Un amplificator are rolul de dezvolta în circuitul de ieşire o putere mai mare decât cea aplicată la intrare. caracterizată de tensiunea şi curentul de intrare.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor Dacă notăm cu P1 puterea în circuitul de intrare şi cu P2 puterea obţinută la ieşire. în condiţia ca semnalul de la ieşire să păstreze forma semnalului aplicat la intrare.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor Un amplificator este simbolizat. U1. Figura 2. Sarcina sa poate fi rezistivă sau poate fi o impedanţă. care de regulă nu se simbolizează în schemele bloc.1. 2.

tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor electromagnetice din mediul înconjurător. Ze.componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (când filtrarea acestei tensiuni este necorespunzătoare). Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora: .2) Frecvent se utilizează unitatea logaritmică pentru amplificare.dacă A = 10n → AdB = 20⋅n. se pot defini amplificările în tensiune şi curent prin relaţiile: A= • U2 .6) . U1 I Ai = 2 I1 (2. Amplificarea în curent se defineşte prin relaţia: A i = • I2 I1 (2.3) . • Impedanţa de ieşire. Amplificarea în decibeli se calculează utilizând relaţia: A[dB] = 20 ⋅ log A = 20 ⋅ log Exemple: • [dB] (A > 0) (2. Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină în condiţiile când factorul de distorsiuni.1012] Ω.4) Considerând reprezentările în complex ale mărimilor intrare-ieşire.5) Impedanţa de intrare este impedanţa echivalentă la bornele de intrare atunci când la bornele de ieşire este conectată impedanţa de sarcină nominală (ZSN). . atunci când amplificatoarele se utilizează în aparatura de măsurare (voltmetre electronice..dacă A = 1 → AdB = 0.agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare prin rezistoare şi tranzistoare. Aceasta se defineşte prin relaţia: Zi = Valoarea impedanţei de intrare trebuie să fie de ordinul meghomilor [MΩ]. osciloscoape etc). impedanţa de intrare (Zi) trebuie să fie foarte mare: Zi∈[108. Un amplificator performant trebuie să aibă raportul dintre semnalul util şi zgomot cât mai mare. nu depăşeşte o limită impusă (de exemplu 5%). numită decibel [dB]. trebuie să fie mică (zeci de Ω) pentru ca la ieşire să se poată debita un curent (o putere) cât mai mare în impedanţa de sarcină nominală (ZSN).36 • Amplificarea în tensiune Au: A u ≡ A = Capitolul 2 U2 U1 U2 U1 (2. U1 I1 (2. ce caracterizează deformarea unui semnal sinusoidal. . În aceste cazuri primul etaj al amplificatorului se realizează cu tranzistoare MOS. • Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zează efectul tensiunii fluctuante la ieşirea amplificatorului – care există şi atunci când nu se aplică semnal la intrare. .. Când amplificatoarele intră în componenţa traductoarelor piezoelectrice. piezorezistive sau de pH.

iar punctul B – în zona de tăiere. (a) (b) Figura 2. Dacă PSF se alege în zona mediană a caracteristicii statice ( soluţia corectă – figura 2... A2. b) Distorsiuni datorate alegerii greşite a poziţiei PSF . Pentru a explica apariţia distorsiunilor de neliniaritate şi efectul poziţiei punctului static de funcţionare (PSF) al tranzistorului asupra lărgimii zonei de liniaritate în caracteristica intrare-ieşire.. Se defineşte factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin relaţia: 2 2 2 A 2 + A 3 + A 4 + . În figura 2. A4 . când la intrare se aplică un semnal perfect sinusoidal.3. Caracteristica externă a amplificatorului În figură se disting două zone: zona OA (zona I) corespunzătoare regiunii liniare a caracteristicii. Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni de neliniaritate.3-a) semnalul de ieşire (ue2) va fi distorsionat atunci când amplitudinea semnalului de intrare (ui 2) depăşeşte valoarea maximă (ui max) delimitată de curbele c1 şi c2. Dacă Ui>Uimax atunci semnalul de ieşire este distorsionat (deformat).2.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor Caracteristica externă reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire în raport cu tensiunea de intrare. reprezintă amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t). fiind dată în figura 2. Figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 37 2.3 sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului împreună cu dreapta de sarcină (AB). a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare.7) A1 unde: A1 – este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieşire u2(t) – distorsionat.2. în care este valabilă relaţia A[dB]=20⋅logA şi zona AB (zona II) corespunzătoare regiunii neliniare de saturaţie. unde punctul A este situat în zona de saturaţie.. ( U 2 = f ( U1 ) ). se consideră un etaj de amplificare cu tranzistor bipolar la intrarea căruia se aplică un semnal sinusoidal.1. A3. d[%] = ⋅ 100 (2.

figura 2.38 Capitolul 2 Dacă PSF este greşit ales spre punctul A. Dacă spectrul semnalului de intrare nu este inclus în totalitate în banda de trecere a amplificatorului. unde ϕ este defazajul introdus de amplificator. Acest domeniu se numeşte banda de trecere a amplificatorului (Bt) şi reprezintă domeniul cuprins între frecvenţa joasă de tăiere (ftj) şi frecvenţa de tăiere înaltă (ftî) pentru care amplificarea A[dB] nu se micşorează cu mai mult de 3dB.4 şi exprimă dependenţa modulului amplificării în raport cu frecvenţa (f): A[dB] = g(f) (2. Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2. Pentru amplificarea fără distorsiuni a semnalului de intrare este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia să fie amplificate în aceeaşi măsură.707 ⋅ A 0 . semnalul de ieşire (ue) va fi distorsionat numai pentru semialternanţa pozitivă deoarece numai prima semialternanţă din semnalul de intrare (ui) depăşeşte valoarea maximă. Detalii privind caracteristica de fază a amplificatoarelor sunt date în [3]. la extremităţile benzii de trecere. Ansamblul acestor armonici formează spectrul semnalului de intrare. este echivalentă cu scăderea amplificării A la valoarea 1 ⋅ A 0 = 0.3-b.8) Figura 2. delimitată prin caracteristica c1. Caracteristica de fază este importantă la amplificatoarele utilizate în: osciloscoape. 2 unde A0 este amplificarea medie în banda de trecere Bt. dar nici mult mai largă decât acest spectru pentru a nu micşora raportul semnal util/zgomot. Semnalul de intrare în amplificator este rezultatul însumării unor armonici de diferite amplitudini şi frecvenţe. Observaţii: • La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie să fie mai îngustă decât spectrul semnalului util (de intrare). • În afara caracteristicii de frecvenţă. în funcţie de frecvenţa f (datorită elementelor reactive din circuitul acestora). televiziune. pentru a nu avea distorsiuni de frecvenţă. Micşorarea cu 3dB a amplificării. . vor rezulta distorsiuni de frecvenţă numite şi distorsiuni de liniaritate (când amplificatorul funcţionează în regiunea liniară a caracteristicii intrare-ieşire). un amplificator este caracterizat prin dependenţa defazajului ϕ. iar f este frecvenţa semnalului de intrare.4. Caracteristica de frecvenţă În aplicaţiile practice interesează domeniul de frecvenţă în care amplificarea este aproximativ constantă. Această dependenţă se numeşte caracteristică de fază: ϕ = g’(f). transmisii de date etc. Această condiţie este îndeplinită atunci când spectrul semnalului aplicat la intrare este cuprins în banda de trecere a amplificatorului. introdus de amplificator.

sunt relativ mari. e) După poziţia punctului static de funcţionare (PSF). • amplificatoare de curent alternativ. unde f0 este frecvenţa centrală a benzii de trecere.. în mod deosebit. numite şi selective. • amplificatoare de înaltă frecvenţă.3 Tipuri de amplificatoare Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri şi se pot clasifica după următoarele criterii: a) După tipul semnalului de amplificat: • amplificatoare de curent continuu – destinate amplificării semnalelor lent variabile. caracterizate prin factorul de calitate Q. este de ordinul 105. Aceste amplificatoare se numesc de tensiune. la care variaţiile de tensiune şi de curent. c) După valoarea frecvenţei medii din spectrul semnalului amplificat: • amplificatoare de joasă frecvenţă. Caracteristica de frecvenţă a unui amplificator pentru semnale lent variabile b) După nivelul semnalului amplificat: • amplificatoare de semnal mic.. când frecvenţa medie este de ordinul MHz sau GHz. în mod deosebit. amplificatoarele pot fi: . unde variaţiile de curent şi tensiune.5.106. 60].. corespunzătoare semnalului de intrare. sunt mici în comparaţie cu valorile tensiunilor şi curenţilor de la ieşire. la care raportul dintre frecvenţa înaltă de tăiere şi frecvenţa joasă de tăiere (ftî/ftj).. deoarece se urmăreşte. • amplificatoare de semnal mare. corespunzătoare semnalului de intrare. La aceste amplificatoare se urmăreşte. ale căror spectre conţin şi componenta continuă (armonica de frecvenţă nulă). În categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de videofrecvenţă. Figura 2.4.1.6.Amplificatoare şi oscilatoare 39 2. d) După lărgimea benzii de trecere: • amplificatoare de bandă îngustă. Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de putere. • amplificatoare de bandă largă.ftj). definit prin relaţia Q=f0/(ftî .5. care amplifică semnale fără componentă continuă şi au caracteristica de frecvenţă de tipul celei din figura 2. ilustrat în figura 2. Valoarea curentă a factorului de calitate este cuprinsă în domeniul [10. obţinerea unei amplificări în tensiune. când frecvenţa medie este mai mică de 1MHz. Caracteristică de frecvenţă a acestui tip de amplificator este prezentată în figura 2. obţinerea unei anumite puteri pe sarcină. În această categorie sunt incluse şi amplificatoarele de audiofrecvenţă.

7. au în componenţă două blocuri funcţionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de tensiune (numit preamplificator. Figura 2. • amplificatoare în clasă B (PSF se află în punctul de tăiere. figura 2.20 kHz. • amplificatoare în clasă A-B (PSF se află aproape de punctul de tăiere. punctul M2). iar al doilea bloc este un amplificator de putere (etaj final. aplicată la intrarea AP. punctul M)..2 Amplificatoare de curent alternativ Un exemplu tipic al acestor amplificatoare îl reprezintă amplificatorul de audiofrecvenţă. Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1).7. la care PSF se alege în profunzimea regiunii de blocare. punctul M1). Amplificatoarele de curent alternativ. AT-PA).40 • Capitolul 2 amplificatoare în clasă A (PSF se află în regiunea mediană a dreptei de sarcină.2. Figura 2. acesta să poată furniza puterea P2 cerută la . Poziţia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare 2.1 Amplificatoare de tensiune Aceste amplificatoare trebuie să asigure la ieşire o tensiune U (suficient de mare) încât. AP-EF). Observaţie: Există şi amplificatoare în clasă C. impedanţa de sarcină (ZS) sau rezistenţa de sarcină şi puterea necesară la ieşire (P2). 2..6. Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprinsă în domeniul 20Hz. Se cere: proiectarea amplificatorului de tensiune şi a amplificatorului de putere astfel încât să se debiteze pe ZS puterea impusă la ieşire. aceste amplificatoare fiind utilizate în construcţia triploarelor de frecvenţă şi în tehnica semnalelor modulate în frecvenţă.

condensatoare sau transformatoare de cuplaj. C2 şi C3 se numesc condensatoare de cuplaj şi au următoarele roluri: C1 blochează componenta continuă a semnalului aplicat la intrarea primului etaj de amplificare.8. CE2) sunt astfel alese încât reactanţele acestora să fie neglijabile (să reprezinte scurtcircuite) la frecvenţele de lucru ale amplificatorului.8. Din acest motiv. Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi a condensatoarelor de decuplare (CE1. CE2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune la funcţionarea etajelor de amplificare în regim dinamic. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu tranzistoare bipolare Perechile de rezistoare RB1 − RB2 şi RB3 – RB4 reprezintă divizoare de tensiune prin care se stabilesc valorile curenţilor de bază. . Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând tranzistoare bipolare (figura 2.9. Figura 2. Rezistoarele RC1. dar are şi dezavantaje: gabarit mare şi preţ de cost ridicat. Observaţie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj între etaje oferă avantajul unei adaptări facile între sarcină şi etaj.Amplificatoare şi oscilatoare 41 ieşire. RC2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de colector). către amplificatorul de putere. C3 blochează componenta continuă care s-ar putea transmite la ieşirea etajului al II-lea. Exemple de amplificatoare de tensiune 1. Rezistoarele RE1. C2 are rolul de a bloca componenta continuă care s-ar transmite de la primul etaj la următorul. Figura 2. Structura generală a unui amplificator de tensiune Cuplarea etajelor se poate realiza în două moduri: a) utilizând elemente de cuplaj . RE2 au rolul de a stabiliza poziţia punctelor statice de funcţionare (PSF) în cele două etaje de amplificare. Condensatoarele C1.9). b) cuplajul direct între etaje (ca în cazul circuitelor integrate). amplificatoarele de tensiune se realizează din mai multe etaje legate în serie (cascadă) ca în figura 2. Condensatoarele CE1.

11 este prezentat un amplificator de audiofrecvenţă. atât componenta alternativă cât şi componenta continuă ale semnalului. C3 au acelaşi rol (de cuplaj). 2 – alimentare (+E). Acest fenomen complică – într-o anumită măsură – calculul regimului staţionar al amplificatorului (în faza de proiectare). Rezistoarele RS1. polarizează baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P şi RB).10. Capitolul 2 Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând TEC-J (figura 2. Rezistenţele RD1. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu TEC-J Ca şi în schema din figura 2. la rândul său. deci blochează componentele continue (la intrare prin C1.42 2. Condensatoarele CS1. 4 – bornă de masă (−E).10) Figura 2. CS2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune în regim dinamic. RS2 au rolul de negativare automată a grilelor cât şi de a stabiliza poziţiile punctelor statice de funcţionare (PSF) la variaţia temperaturii ambiante. • Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utilizând tranzistoare bipolare în loc de tranzistoare TEC-J. Rezistenţa RB împreună cu potenţiometrul P realizează un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului . Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 – intrare. Rezistenţele RG1. Observaţii: • Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi de decuplare (CS1. de la un etaj la altul. Amplificator de joasă frecvenţă realizat prin cuplare directă între etaje În cazul cuplajului direct între etajele de amplificare se transmite. CS2) trebuie să asigure reactanţe capacitive neglijabile la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. iar tensiunea din colectorul lui T2 (UCE2) determină poziţia PSF pentru tranzistorul T3 care. În figura 2. C2. RG2 (cu valori de ordinul MΩ) au rolul de a realiza impedanţe mari la intrarea etajelor. Se observă că cele trei etaje de amplificare (din structura circuitului integrat) sunt cuplate direct. Din această cauză punctul static de funcţionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj depinde de poziţia PSF a tranzistorului din etajul anterior. Funcţionarea corectă a circuitului presupune ca în circuitul bazei primului tranzistor (T1) să existe un curent de polarizare iBo care să determine funcţionarea tranzistorului în regiunea activă. Tensiunea din colectorul lui T1 (UCE1) asigură polarizarea corectă a bazei lui T2. 3. 3 – ieşire. RD2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de drenă). condensatoarele C1.9. realizat cu circuitul integrat TAA-263. între etaje prin C2 şi la ieşire prin C3).

11. puterea debitată pe RS va fi maximă dacă este îndeplinită condiţia: Re (AP) ≤ RS (2. Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimină reacţia negativă de tensiune la frecvenţele de lucru ale amplificatorului). se va înseria un rezistor R1 ( ≅ 1 kΩ) înaintea condensatorului C. la un generator dat se obţine puterea maximă pe sarcină atunci când rezistenţa internă a generatorului (Rg) este mai mică sau egală cu rezistenţa de sarcină (RS). Schema echivalentă a unui amplificator de putere Există două metode pentru creşterea puterii debitate la ieşire: a) adaptarea sarcinii la etajul de ieşire prin intermediul transformatoarelor (de adaptare). b) adaptarea etajului la sarcină utilizând pentru etajul final o schemă de conexiune adecvată. schema echivalentă a amplificatorului (AP) este dată în figura 2. Cu prima metodă se adaptează rezistenţa de sarcină la etaj. o valoare impusă a puterii P2 (la ieşire). Deci. Figura 2. În conformitate cu teorema transferului maxim de putere. ţinând seama de schema echivalentă (figura 2. Reprezentând amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu rezistenţa internă Rg egală cu rezistenţa de ieşire a etajului (Re).2 Amplificatoare de putere (AP) Aşa cum s-a arătat anterior amplificatoarele de putere.9) Figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 43 tranzistor. au rolul de a debita pe un rezistor de sarcină dat.12.2. Acest lucru este posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de . numite şi etaje finale. Amplificator de audiofrecvenţă realizat cu CI de tip TAA-263 Observaţie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare (U1∼).12.12). 2.

În acest caz trebuie urmărită condiţia ca punctul A’ să nu ajungă în zona de saturaţie şi punctul B’ să nu ajungă pe caracteristica iB=0 (zona de tăiere). Acest lucru este ilustrat în diagramele de semnale aferente funcţionării în regim dinamic al etajului.2.11) R S ≅ rS ⋅ K t Adaptarea etajului la sarcină este posibilă dacă alegem o schemă de conexiuni adecvată transferului maxim de putere.12) Creşterea puterii debitate la ieşire datorată creşterii semnalului de intrare poate avea loc dacă punctul A’ nu intră în zona de saturaţie. figura 2.13.13. unde N1 şi N2 reprezintă numărul de spire din primarul transformatorului. O metodă de creştere a puterii debitate de AP constă în creşterea amplitudinii semnalului de la intrare. se obţine relaţia aproximativă de calcul pentru RS: 2 (2. Rezistenţa generatorului (Rg) din schema echivalentă se adoptă egală cu rezistenţa de ieşire (Re) a etajului amplificator de putere (AP). adică pentru un curent de ieşire (curent de colector) mare. puterea utilă (Pu) debitată pe rS reprezintă puterea dezvoltată în circuitul monofazat din secundarul transformatorului şi se calculează utilizând relaţia: Pu = U ef I ef cos(ϕ) = U CE max I C max U ⋅I ⋅ = CE max C max = 2 2 2 CM ⋅ AC = = aria (ΔMAC). Rezistenţa de sarcină raportată la primarul transformatorului se poate calcula folosind relaţia: 2 ⎛ N1 ⎞ (2. figura 2. pentru o putere mare la ieşire. Aria triunghiului poate fi mărită dacă PSF iniţial (M) se adoptă prin proiectare astfel încât dreapta de sarcină să fie tangentă în M la hiperbola de disipaţie a puterii tranzistorului (vezi figura 1.2. 2. respectiv din secundarul acestuia. se alege o schemă de conexiuni cu rezistenţă de ieşire mică (conexiune colector comun).14 care funcţionează în clasă A având sarcina cuplată prin transformator.15. Figura 2. Sarcină cuplată la AP prin transformator Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt ≅ N1/N2.10) R S = r1 + (r2 + rS ) ⋅ ⎜ ⎜N ⎟ ⎟ ⎝ 2⎠ Dacă se neglijează r1 şi r2.26).1 Amplificatoare de putere în clasă A Se consideră etajul de amplificare din figura 2. 2 (2. Astfel. . În cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieşirea amplificatorului prin transformator.44 Capitolul 2 cuplaj.

figura 2.14.Amplificatoare şi oscilatoare 45 Randamentul unui amplificator în clasă A nu depăşeşte 50% (η=Pu/Pc. Figura 2. Pentru ca semnalul de ieşire să fie tot . Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă B Dacă semnalul de intrare iB~ creşte excesiv. Figura 2. în cazul acestor amplificatoare PSF se alege în zona de tăiere a dreptei de sarcină. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă A 2.2 Amplificatoare de putere în clasă B Considerând planul caracteristicilor de ieşire. semnalul fiind distorsionat.15. Amplificator de putere în clasă A Figura 2.2.16.16).16. Dacă amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor. PSF (punctul M) poate ajunge în poziţia A”. atunci PSF va descrie la ieşire un semnal redresat monoalternanţă (ca în figura 2. unde Pc este puterea consumată de amplificator de la sursa auxiliară de alimentare).2.

13) În schema prezentată este necesar ca tranzistoarele să aibă caracteristici statice identice.18. iar în figura 2. Curentul de sarcină pentru din figura 2.19-a conexiunea Darlington este realizată cu două tranzistoare npn (fără inversare de polaritate). iC1 şi iC2. invers.15) Din ultima relaţie se observă că tranzistorul compus realizează o amplificare în curent mare. Randamentul acestui amplificator în clasă B este de circa (70÷75)%. numită şi tranzistor compus. Curentul de colector al tranzistorului compus este: i C = i C1 + i C2 ≅ β N1i B1 + β N2i B2 = β N2i B + β N2i E 2 = β N 2i B + + β N1 (i C2 + i B2 ) = β N 2i B + β N1β N 2i B2 + β N1i B2 = β N i B (2. iar al doilea este un tranzistor de putere (T1).18. În acest ultim caz conexiunea Darlington se numeşte cu inversare de polaritate. β N = β N1 + β N2 + β N1 β N2 ≅ β N1β N2 . T2 –pnp).3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utilizând conexiunea Darlington.46 Capitolul 2 sinusoidal (ca cel de intrare). Această conexiune este formată din două tranzistoare (figura 2. i S = i C1 + i C 2 (2. aceeaşi conexiune este realizată cu două tranzistoare complementare (T1 –npn.17: 1-npn şi 2-pnp.19-b. Figura 2. În figura 2.17 Dacă la intrare se aplică semialternanţa pozitivă. Ansamblul tranzistoarelor într-o conexiune Darlington se numeşte dublet. figura 2.19).14) unde: (2. pentru semialternanţa negativă. dintre care primul este numit tranzistor de comandă (T2 . figura 2. conduce T1 iar T2 este blocat şi. 2. Cei doi curenţi de colector.de putere mică sau medie). Amplificator de putere amplificatorul în clasă B Figura 2.2. formează prin însumare curentul alternativ de sarcină (iS) prin RS.17.2. pentru ca amplificarea celor două alternanţe să se facă în cantităţi egale (amplitudini egale). etajul de amplificare se realizează cu două tranzistoare complementare.

1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial În figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 47 Figura 2. Ele sunt utilizate în construcţia aparatelor de măsură şi automatizare. . rezultă în timpul funcţionării un fenomen numit ”deriva nulului” (sau derivă termică). Acest fenomen constă în modificarea în timp a tensiunilor la ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea acestuia semnalul se menţine constant sau este nul.două divizoare de tensiune la intrări.19. b) utilizarea schemei de amplificare care se bazează pe principiul modulăriidemodulării.două intrări simetrice Ui1 şi Ui2 . .două ieşiri nesimetrice (Ue1 şi Ue2). Etaj de amplificare diferenţial .3. ca urmare. 2. Conexiune Darlington: fără schimbare de polaritate 2. Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea directă între etajele de amplificare. Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizează două metode: a) folosirea unui montaj diferenţial în schema de amplificare.20.o ieşire simetrică între bornele AB (Ue ≡UAB). care asigură tensiunile U1 şi U2. Figura 2. . unde se disting: .20 este prezentat etajul de amplificare în montaj diferenţial.3 Amplificatoare de curent continuu Acestea sunt destinate amplificării semnalelor lent variabile care au frecvenţa minimă din spectru egală cu zero.

Ui1= 0 ⇒ U1= const.17) Dacă iE1 ↑.22-a se dă schema unui etaj diferenţial.21.17) ⇒ U BE 2 ↓ ⇒ iB2 ↓ ⇒ iC2 ↓ ⇒ Ue2 ↑ Cazul II. având ca elemente de echilibrare potenţiometrul P şi reostatul R. Ue2 au variaţii opuse în raport cu creşterea semnalului la una dintre intrările amplificatorului. Cazul I: Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitele de emitor rezultă ecuaţiile: Ui1 ≠ 0 (Ui1 ↑) Ui2 = 0 ⇒ U2 = const. ⇒ (2. ↓ ≡ scade. Tensiunile de ieşire ale amplificatorului diferenţial Observaţii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dublă faţă de pantele caracteristicilor referitoare la ieşirile simetrice. din (2. În figura 2. Funcţionarea în regim de amplificator Pe parcursul explicaţiilor se utilizează notaţiile simbolice: ↑ ≡ creşte. figura 2. din (2.48 Capitolul 2 Explicarea atenuării fenomenului de derivă: considerăm Ui1=Ui2=constant şi că temperatura T creşte. Ui2 ≠ 0 (Ui2 ↑) Dacă Ui2 ↑. Figura 2.21. Aceste variaţii sunt ilustrate în planul caracteristicilor de transfer. Dacă Ui1 ↑ ⇒ iB1 ↑ ⇒ iC1 ↑ ≈ iE1 ↑ ⇒ Ue1 ↓ U BE1 = U1 − R E (i E1 + i E 2 ) U BE 2 = U 2 − R E (i E1 + i E 2 ) (2. unde K este factorul de amplificare pentru montajul diferenţial. ⇒ iB2 ↑ ⇒ iC2 ↑ ⇒ Ue2 ↓. tensiunea la ieşire va fi dată de relaţia: Ue=K⋅(Ui1-Ui2). rezultând o tensiune constantă la ieşirea simetrică (Ue =UAB=const). . deci iB1 ↓ ⇒ iC1 ↓ (scade) ⇒ Ue1 ↑(creşte) Concluzie: Cele două tensiuni la ieşirile nesimetrice Ue1. dar iC2 ≈ iE2 ↑.16) (2.16). considerând aceste semnale neegale (Ui1 ≠ Ui2). ceea ce conduce la scăderi ale tensiunilor Ue1 şi Ue2 în cantităţi egale. În acest caz rezultă: iC1 creşte şi iC2 creşte.18) U BE1 ↓. Dacă se aplică simultan semnale la ambele intrări.

Se consideră un amplificator cu reacţie negativă de tensiune.22-b). Prin ajustarea potenţiometrului P se deplasează caracteristicile pe orizontală. adică intersecţia caracteristicilor statice nu are loc în origine (figura 2.23.Amplificatoare şi oscilatoare 49 S-a considerat iniţial că etajul nu este echilibrat. Figura 2. determinând o deplasare în sus a caracteristicilor. fiind determinată de cuplaje parazite. iar tensiunea de ieşire comună creşte. Există însă şi situaţii în care reacţia negativă apare accidental.23. până când se obţine echilibrarea amplificatorului (intersecţia caracteristicilor statice are loc în originea axelor de coordonate). Exemplu: Prin creşterea rezistenţei R curentul iC ≅ iE1+iE2 se micşorează. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie negativă de tensiune . Când reacţia negativă este necesară în amplificatoare. b) deplasarea caracteristicilor statice. Echilibrarea etajului diferenţial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare. a cărui schemă bloc este prezentată în figura 2. Figura 2. iar cu ajutorul reostatului R se deplasează caracteristicile pe verticală. acesta se realizează prin circuite specializate (dimensionate în faza de proiectare). prin intermediul unei legături inverse (ieşire-intrare). 2.22.4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei Reacţia – în cazul amplificatoarelor – constă în aplicarea (introducerea) la intrarea acestuia a unei părţi din energia mărimii de la ieşire.

20).26) Rezultă că.28) şi împărţind membrul drept prin A. de obicei. Dacă circuitul de reacţie este format numai din rezistoare atunci β este un număr real.27) În cazul reacţiei negative semnalul de la ieşire (Ue) este în antifază cu semnalul de la intrare (U). amplificarea este exprimată prin relaţia: Ar = (2. printr-o reţea de elemente pasive şi este caracterizat prin factorul de reacţie β: β= Ur Ue (2. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare şi cel de reacţie (figura 2.24) (2.20) unde: U i este tensiunea aplicată la intrare.20) şi (2. se obţine: Ue U +β e =1 A ⋅ Ui Ui Ţinând seama de expresia lui Ar (2.23) Din relaţiile (2.50 Capitolul 2 Semnificaţiile notaţiilor din figură sunt: . se pot scrie următoarele ecuaţii: U + U r − Ui = 0 (2. U . Amplificarea unui amplificator cu reacţie pozitivă de tensiune este dată prin relaţia: Ar = A 1−β⋅A (2. .23). din relaţia precedentă se obţine: (2. (2. exprimat prin relaţia: A= Ue U (2.25) Ar + β ⋅ Ar = 1 A A 1+β⋅A (2.21) se obţine: Ue + β ⋅ Ue = Ui A Împărţind ultima relaţie la U i .28) Pornind de la relaţia (2.este tensiunea la intrarea amplificatorului fără reacţie. Conform figurii 2.23 acest factor este exprimat prin relaţia: Ar = Ue Ui (2.19).Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacţie de tensiune.este tensiunea la ieşirea amplificatorului.19) unde: Ue .A este factorul de amplificare al amplificatorului fără reacţie. pentru cazul reacţiei negative de tensiune (figura 2.23).21) unde: Ur este tensiunea de reacţie. Reacţia pozitivă se obţine când tensiunea Ue de la ieşire este în fază cu semnalul U. Circuitul de reacţie este realizat. rezultă: .22) Ur = β ⋅ Ue (2.

iar erorile introduse sunt în limitele admise. • 2. 3) curentul de polarizare pe cele două intrări neglijabil. Amplificatorul inclus în structura oricărui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenţial integrat). Uieşire=0 în orice moment în care la intrare nu se aplică semnal). • Creşte lăţimea benzii de trecere. Observaţie: Datorită avantajelor oferite de reacţia negativă. • Se ameliorează (îmbunătăţesc) parametrii calitativi ai amplificării. proprietate foarte utilă în echipamentele de măsură şi de automatizare.5 Amplificatoare operaţionale Un amplificator operaţional (AO) este un amplificator la care cuplarea între etaje se face direct. Relaţia (dependenţa) intrare-ieşire poate fi liniară sau neliniară. fiind conceput să funcţioneze într-o gamă largă de frecvenţe. Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaţii de calcul simple. scădere. 2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabilă. AO este caracterizat de o amplificare foarte mare. în funcţie de structura circuitului de reacţie aferent amplificatorului. dar acest lucru nu reprezintă un inconvenient prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A mai mare decât cea dorită. Principalii parametri idealizaţi sunt: 1) amplificarea în buclă deschisă A0 → ∞. Cele mai utilizate scheme cu AO sunt: . (foarte mare) rezultă: A r ≅ (2. astfel încât amplificarea cu reacţie să rezulte la valoarea impusă. 5) impedanţa de ieşire Ze → 0.29) Pentru A→ ∞ . Amplificatoarele operaţionale se clasifică după natura relaţiei intrare-ieşire. 6) 1ăţimea benzii de trecere B → ∞. • Se micşorează distorsiunile de neliniaritate.Amplificatoare şi oscilatoare 51 Ar = 1 1 +β A 1 β (2. diferenţiere etc). Un AO foloseşte reţele de reacţie a căror structură (rezistenţe şi capacităţi) permite realizarea unor operaţii matematice (adunare. • Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului. integrare.30) Consecinţele reacţiei negative în amplificatoare: Se micşorează amplificarea A. 7) variaţia defazajului Δϕ ≅ 0. 4) impedanţa de intrare Zi → ∞. • Creşte stabilitatea în timp a amplificării. • Se modifică favorabil impedanţele intrare-ieşire. majoritatea amplificatoarelor utilizează acest tip de reacţie.

32) Ţinând seama de (2.33) Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicată în nodul de curenţi M rezultă: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată în circuitul de ieşire rezultă: i = io + i1 .33). Schema electrică a acestui amplificator este dată în figura 2.25.31) se obţine: i o ≅ Ui Ro (2.52 Capitolul 2 1) Amplificator operaţional în montaj inversor . Simbolizarea unui AO inversor Întrucât amplificatorul de curent continuu are impedanţa de intrare şi amplificarea în circuit deschis foarte mari.31) se obţine: i1 ≅ Din (2.31) Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare. ⇒ io ≅ − i1 Ue=R1i1+U Ue R1 se (2.26.24. rezultă: Ui=Roio+U (2.34) şi (2. Figura 2. unde K = R1/Ro (2.35) Ue U =− i R1 Ro sau U e = − R1 Rezultă: Ue= . iar schema simbolică este dată în figura 2. Schema de principiu a unui AO în montaj inversor Figura 2.34) (2.27. i ≅ 0 ş i U ≅0 (2.37) 2) Amplificator operaţional în montaj neinversor – realizează înmulţirea tensiunii de intrare cu o constantă pozitivă supraunitară.27. pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui) se consideră ipotezele: Z i → ∞ .K Ui .25.36) obţine: Ţinând cont de (2.24. Schema de principiu este prezentată în figura 2. Figura 2.35) (2. Ro ⋅ Ui . iar simbolizarea este prezentată în figura 2.realizează înmulţirea cu o constantă şi inversarea semnului tensiunii de intrare. Schema de principiu a unui AO în montaj neinversor Figura 2. Simbolizarea unui AO neinversor . (2.26.

28. U≅0. conform relaţiei (2. i on = in R 01 R 02 R 0n (2..44) (2. iar simbolizarea este dată în figura 2.41).i1 Ue = −i 0 R1 (2.45) componentele curentului i0 din relaţia (2...29.Amplificatoare şi oscilatoare Utilizând aceleaşi ipoteze din (2. utilizat frecvent ca element de adaptare.31). se determină (utilizând legea lui Ohm) curenţii prin rezistoarele conectate la intrările amplificatorului: i o1 = U i1 U U . din (2. Simbolizarea unui sumator-inversor Considerând aceleaşi ipoteze din (2. aplicată în cele două noduri de curenţi. a tensiunilor de intrare. i o 2 = i 2 .45) i1=Ue/R1 sau Înlocuind în (2. 3) Amplificatorul sumator-inversor realizează suma ponderată. conduce la relaţiile: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire se obţine: i0=i01 + i02+ . Figura 2. adică Zi → ∞ .39) unde: K =1+ R1 Ro (2.41) Teorema I-a a lui Kirchhoff..31). Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2. cu semn schimbat.42) (2...38) rezultă expresia caracteristicii externe: Ue = K⋅Ui (2. i ≅ 0.38) Neglijând mărimile U şi i. Schema de principiu a unui AO în montaj sumator-inversor AO Figura 2.31) şi aplicând aceeaşi procedură se obţin: 53 ⎧ R 0i 0 + U + U i = 0 ⎪ ⎨U e + R 0i 0 − R1i1 = 0 ⎪ i = i 0 + i1 ⎩ (2. întrucât asigură rezistenţa de intrare foarte mare şi rezistenţa de ieşire mică. + i0n i0= . se obţine: Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ .28.40) Observaţie: Pentru R0 → ∞ şi R1 = 0 se obţine circuitul repetor.. +KnUin) (2.29..43) (2.46) .

iar capacitatea C se exprimă în farazi.49) rezultă: t Ue = − 0 Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din circuitul de reacţie) în momentul aplicării semnalului de intrare (t=0).48).31. ∑ K jUij (2.31). dacă valoarea rezistenţei R este exprimată în ohmi. iar simbolizarea este dată în figura 2. Tensiunea Ue(0) se figurează la borna de ”condiţie iniţială” (figura 2. Schema de principiu a unui AO montaj integrator-inversor Figura 2. unde K = ∫ 1 1 = Ti RC (2. generează semnale periodice de forma: U(t)=U⋅sin(ωt) sau de orice altă formă. tensiunea de ieşire se poate exprima prin relaţia: ∫ Uidt sau U e = − Ti 1 ∫ Ui (τ)dτ + U e (0) (2.31) şi relaţiile (2.. se obţin relaţiile: Ui = R⋅i0 şi i0 = -i1 (2.48) Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire rezultă: Ue = 1 CR 1 i1dt +U C ∫ (2. exprimat în secunde. din (2.30. caracteristica de transfer se poate exprima prin relaţia (2. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2. U≅0) şi procedând similar. K n = n R 01 R 02 R 0n Ue = − În general.31.54 unde Capitolul 2 K1 = R1 R R .47) Figura 2.50) U e = − K U i dt + U e (0) . Dacă timpul de integrare nu este limitat. K 2 = 2 . Atunci când .30.51) 2. Ue(0)=0 dacă condensatorul este descărcat la momentul aplicării semnalului de intrare şi Ue(0)≠0 dacă condensatorul este încărcat la momentul aplicării semnalului de intrare. Simbolizarea unui AO în integrator-inversor Utilizând aceleaşi ipoteze (Zi → ∞ .. i ≅ 0.. utilizând dispozitive electronice active.49) Ţinând seama de ipotezele (2.6 Oscilatoare Acestea sunt circuit care. . Ti=RC este timpul de integrare.47): n j=1 4) Amplificatorul integrator-inversor furnizează la ieşire un semnal proporţional cu integrala tensiunii aplicate la intrare.

iar R este conductanţa de pierderi a condensatorului. Figura 2.32.32.33-b.33-a Pentru a realiza oscilaţii întreţinute (cu amplitudine constantă). tiristorul etc). figura 2. figura 2. Schema echivalentă a circuitului oscilant LC din figura 2. controlate prin curenţi sau prin tensiune.Amplificatoare şi oscilatoare 55 semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numeşte armonic. Figura 2. Schema de principiu a unui oscilator Principiul de întreţinere a oscilaţiilor Se consideră circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C în paralel cu o inductivitate L. cu energie adusă din exterior prin intermediul unor rezistenţe negative. adică amortizarea oscilaţiilor. Figura 2. în circuitul oscilant real este necesar să se recupereze (compenseze) energia pierdută.34. unde: r este rezistenţa electrică a bobinei care are inductanţa L. se va amortiza în timp (îşi micşorează amplitudinea) datorită pierderilor de energie prin rezistenţa electrică echivalentă a circuitului capacitiv-inductiv (L-C). În acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare care să funcţioneze în regiunea de rezistenţă negativă (dioda tunel. Schema de principiu este prezentată în figura 2. semnalul util produs de oscilator. . Circuit oscilant LC Figura 2.33-b. Semnalul produs de circuitul LC Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie care determină stingerea. Pierderile de energie care duc la micşorarea amplitudinii se datorează lui r şi R.33-a.34. Sub acţiunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau naştere oscilaţii armonice având frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă dată de relaţia: f0 = 1 2π LC (2.52) Semnalul U(t). Schema echivalentă a circuitului oscilant anterior este ilustrată în figura 2.33-a.

34). deci semnalul de reacţie trebuie să fie în fază cu semnalul de intrare. la care amplificarea complexă este: A r = A . După modul de realizare. b) respectarea condiţiei de fază: ϕ A + ϕβ = 2kπ .. Acestea au calea . unde: A = A ⋅ exp( j ⋅ ϕ A ) şi β = β ⋅ exp( j ⋅ ϕβ ) (2. Condiţia întreţinerii oscilaţiilor implică respectarea a două principii: a) respectarea relaţiei lui Barkhausen (de autooscilaţie).35-a şi 2. 2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistenţe negative (oscilatoare de relaxare). Rezultă că reţeaua de reacţie trebuie să introducă un defazaj nul.. ϕβ este defazajul dintre semnalul de reacţie ( U r ) şi semnalul de ieşire ( Ue ). k=0. b) Caracteristica curent-tensiune a tiristorului.53) Prin ϕA s-a notat defazajul dintre semnalul de ieşire ( Ue . 1. dau o rezistenţă echivalentă egală cu zero. este un fapt real şi o metodă utilizată în proiectarea oscilatoarelor. dacă defazajul amplificatorului (cu număr impar de etaje) este (2k+1)π.figura 2. Cele mai utilizate oscilatoare cu reacţie de tip LC sunt oscilatoarele în trei puncte.56 Capitolul 2 Caracteristica statică a diodei tunel şi respectiv a tiristorului sunt date în figura 2. Oscilatoarele cu reacţie pot fi de tip LC sau RC. 1 − βA În acest caz. care arată că produsul în modul al amplitudinilor trebuie să fie egal cu unitatea. Figura 2.53) arată că defazajul total introdus de amplificator şi circuitul de reacţie trebuie să fie un multiplu întreg de 2π.. oscilatoarele pot fi: 1) oscilatoare de tip amplificator cu reacţie pozitivă. dacă produsul βA tinde la valoarea 1. care însumate cu rezistenţele r şi R (figura 2. c)Schema bloc a unui oscilator cu reacţie Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistenţe negative.35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel. n (argumentul lui Acomplex + argumentul lui βcomplex = 2kπ) adică: arg A + arg β = 2kπ (2. Producerea oscilaţiilor întreţinute prin anularea rezistenţei din circuit cu ajutorul unor rezistenţe dinamice negative. Oscilatoarele pot fi realizate şi cu amplificatoare ce au reacţie pozitivă. sau un defazaj de 1800. β ⋅ A = 1 .54) Relaţia (2.35-b. dacă defazajul amplificatorului este 2kπ (cu un număr par de etaje). 2.35-c) şi semnalul de intrare ( U i ). atunci A r → ∞ . .

Schema de principiu a oscilatorului cu reţea RC .56) f0 = 1 6 + 4R / R C 2πRC (2. Schema de principiu a oscilatorului Hartley La acest oscilator emitorul este legat la masă. Exemple de oscilatoare în trei puncte Oscilatorul Hartley (realizat cu reţea de defazare trece sus). Δϕ = arctgRC = Se obţine un defazaj total al semnalului de reacţie. alimentarea este serie iar sarcina este cuplată inductiv. În figura 2. În timpul funcţionării singurul condensator care nu este scurtcircuitat este condensatorul variabil C. egal cu π (180o): π 3 (2. automatizări.57) Figura 2.37.36. Defazajul fiecărei celule este de 60o.55) ϕ t = 3 ⋅ Δϕ = π Frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă se poate calcula folosind relaţia: (2. formată din trei celule RC.Amplificatoare şi oscilatoare 57 de reacţie formată dintr-un circuit LC selectiv (care reprezintă un filtru cu trei borne de acces). aparatură electromedicală etc) fiind specifice benzilor de joasă frecvenţă. Figura 2.37 este prezentată schema electrică a unui oscilator având reţea de defazare ”trece jos”. Oscilator având reţea RC (reţea de defazare trece-jos) Aceste oscilatoare au o largă utilizare în diferite domenii ale electronicii industriale (telecomunicaţii.36. are schema de principiu prezentată în figura 2.

Re = 80 KΩ ? 8. Ce formă de variaţie are tensiunea UCE la ieşirea unui etaj de amplificare în clasă B. Ce este reacţia negativă în cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obţine practic reacţia negativă? 2. Ce sunt distorsiunile de neliniaritate în cazul amplificatorului de joasă frecvenţă şi cum se elimină acestea ? 12. Când apar distorsiunile de frecvenţă la amplificatoare şi cum se elimină acestea? 4. Ce diferenţă există între caracteristicile A[dB] = g(f) în cazurile: a) amplificatoare de radiofrecvenţă ? b) amplificatoare de audiofrecvenţă ? 5.58 Capitolul 2 2. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. Ce semnifică borna de condiţie iniţială în cazul A. Re = 40 KΩ ? 10. integrator şi ce se poate măsura la această bornă ? 7. Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o sarcină rezistivă (rs = 4 Ω). Când un tiristor funcţionează ca şi o diodă ? Care este schema şi denumirea celui mai simplu amplificator de putere ? .7 Întrebări 1. realizat cu un singur tranzistor? 6. ştiind că amplificatorul în clasă A are rezistenţa de ieşire.O. Ce este deriva termică (deriva nulului) în cazul amplificatoarelor de curent continuu şi cum se atenuează aceasta ? 11. Care este deosebirea între un AO inversor şi un AO integrator – inversor? (Utilizaţi schemele electrice !) 9. Ce se înţelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se înţelege prin tensiune de zgomot (Uz) în cazul redresoarelor cu filtre ? 3.

de regulă 50 Hz (când se numesc invertoare de reţea sau neautonome). Mutatoarele din această categorie stau la baza sistemelor de acţionări recuperative cu maşini de c. figura 3. Convertorul de c.3-b). (figura 3. tensiunea .) – fie în regim de redresor. numite mutatoare.a.3-a) sau direct. când maşina electrică lucrează ca generator de c. Mutatoarele transformă. obţinându-se transferul energetic (recuperarea) de la reţeaua de c.1-a.a. fie în regim de invertor (neautonom). Convertorul de c.1 Noţiuni generale Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clasă mai largă de echipamente electrice.2-a) şi sub formă de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3.c. În regim de frânare.a.c. Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor îl reprezintă funcţiile realizate de acestea. prin elemente neliniare unidirecţionale (diode. Este însă posibil ca aceeaşi schemă de mutator să funcţioneze – în funcţie de condiţiile de lucru (comanda primită. polaritatea tensiunii continue etc. cu alţi parametri.a.c. Frecvenţa f2 a curentului alternativ poate fi variabilă (în cazul invertoarelor autonome) sau fixată la o anumită valoare. În schemele din figura 3. Redresorul este un circuit electronic care transformă curentul alternativ (c. numit şi variator de c. Pentru convertorul cu circuit intermediar. în ambele sensuri.c. (figura 3. tiristoare etc). în curent continuu (c.CAPITOLUL 3 REDRESOARE 3. Dacă mutatorul funcţionează în regim de redresor. Transferul energetic se poate face.c. (figura 3.c.c. comanda mutatorului poate asigura funcţionarea acestuia în regim de invertor (neautonom). În primul caz.).1-c).). (figura 3. cu anumiţi parametri..2-c) se mai numeşte variator de c. în energie electromagnetică debitată la ieşire.a.a. în acest caz. transferul energetic se face într-un singur sens. (figura 3. energia electromagnetică primită la intrare.1-b). Invertorul transformă curentul continuu în curent alternativ (figura 3. după cum urmează. Convertorul care modifică amplitudinea tensiunii de c. converteşte frecvenţa sau amplitudinea curentului alternativ. maşina electrică funcţionează ca motor şi transferul energetic se face de la reţeaua de c. El poate fi: cu circuit intermediar de c. mutatorul se mai numeşte convertor static de frecvenţă şi poate fi realizat în două variante: cu circuit intermediar de c.c.2-b). de frecvenţă f1. furnizează la ieşire o tensiune continuă diferită de cea de la intrare. la reţeaua de c.1-a şi b.

Figura 3.a. pe fiecare fază a reţelei de c. Mutatoarele care au comutaţie naturală sunt redresoare cu diode. Convertoare statice de c. mutatoarele se împart în următoarele categorii: • Mutatoare având comutaţie naturală. funcţionarea acestor elemente este ciclică. Figura 3. Mutatoare Figura 3.60 Capitolul 3 de ieşire (U2) poate fi mai mică sau mai mare decât tensiunea de intrare (U1). Comutaţia forţată externă se întâlneşte în redresoarele comandate. când energia reactivă necesară este furnizată de însuşi mutatorul respectiv. elemente de conducţie unidirecţională numite şi “ventile” semiconductoare (diode şi/sau tiristoare). dincolo de momentul comutaţiei naturale. mutatorul are comutaţie (forţată) de la sarcină. În majoritatea mutatoarelor. utilizează.1.a. respectiv ridicător de tensiune. după cum transformatorul este coborâtor.a. Convertor de c. presupune – de regulă – un consum de energie reactivă din exterior.2. • Mutatoare având comutaţie forţată. ƒ Mutatoare având comutaţie proprie. După modul de realizare a comutaţiei. când condiţia de comutaţie naturală nu este respectată. Prelungirea conducţiei unui ventil.3. Dacă energia este dată de circuitul sarcinii (de la ieşire). După provenienţa acestei energii. Mutatoarele care funcţionează cu intrarea şi/sau ieşirea în c. mutatorul va avea comutaţie (forţată) de la reţea. Dacă această energie provine de la reţea. când energia reactivă este preluată din exterior. mutatoarele care au comutaţie forţată pot fi: ƒ Mutatoare având comutaţie externă. când valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care preia conducţia este întotdeauna mai mare decât valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care cedează conducţia.c. invertoare neautonome şi . Trecerea conducţiei de la un ventil la altul se numeşte comutaţie..

Redresoare 61 convertoare directe de frecvenţă. 3. Scopul urmărit este de a obţine o tensiune continuă. Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativă din înfăşurarea primară la valoarea U2 (în secundar). fie din cauza modificării rezistenţei de sarcină Rs. precum şi tratarea lor specifică. fie din cauza variaţiei tensiunii de alimentare U1.2 Redresoare monofazate necomandate 3. Diagramele tensiunilor u2. variatoare de c. mutatoarele reprezintă circuite electronice de putere. Comutaţia proprie este specifică unei categorii de mutatoare.4.c. Schema bloc a unui redresor monofazat de mică putere 3.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă Schema redresorului monofazat monoalternanţă este dată în figura 3. dioda D (care reprezintă redresorul) este polarizată în sens direct şi conduce. Filtrul F are rolul de a diminua componenta alternativă din tensiunea redresată. toate redresoarele se încadrează în categoria mutatoarelor. Aceste circumstanţe au determinat includerea în capitolul de mutatoare a redresoarelor de mică putere realizate sub forma redresoarelor monofazate. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u 2 = 2U 2 sin ωt . la bornele sarcinii Rs. la puteri mici. Sub aspectul funcţiei realizate. . într-un paragraf distinct.4 este dată schema-bloc a unui redresor monofazat de mică putere. La ieşirea lui se obţine tensiunea redresată ur. În figura 3. STC. în care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de “blocare” forţată: invertoare autonome. Figura 3. U0. de valoare impusă. dioda este blocată şi ur = 0. de la ieşirea filtrului se poate modifica. are rolul de a menţine constantă tensiunea U0 (stabilizatoarele vor fi prezentate în capitolul 4). U0. Redresorul R este elementul esenţial al schemei. În timpul semialternanţei negative. Stabilizatorul de tensiune continuă.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere Redresoarele monofazate se utilizează. datorită polarizării inverse. care are o componentă continuă (utilă) şi o componentă alternativă.2. etc.5-a. conectat între filtru şi sarcină. definind un domeniu cunoscut sub numele ”electronică de putere”. deci ur = u2.2.5-b. în condiţiile cunoaşterii tensiunii de alimentare U1. ur şi a curentului prin sarcină sunt date în figura 3. cu valoare de asemenea impusă. necesară obţinerii tensiunii continue U0. În acelaşi timp. de regulă. Tensiunea continuă.

Din relaţia (3.3) se obţine: π [0.1) Figura 3. iar în intervalul [π. ur= 1 U0 = ⋅ 2π = ∫ 0 1 u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = ⋅ 2π ∫ 0 π 2U 2 sin(ωt ) ⋅ d (ωt ) = (3.6) u r (ωt ) = U 0 + ∑ 2U n sin( nωt + ϕ n ) n =1 . deci este periodic şi pulsatoriu.62 Capitolul 3 Se observă că tensiunea redresată ur este o tensiune periodică pulsatorie având perioada T = 2π. 2π].4) π 2 2 ⋅ U 2 [− cos(ωt )] = ⋅ U 2 ≅ 0.3) ⎥ 2π ⎢ 0 π ⎣0 ⎦ ∫ ∫ Din diagramele tensiunilor (figura 3.2) se poate exprima 1 U0 = ⋅ T ∫ 2π ⎤ 1 ⎢ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = u r (ωt ) ⋅ d (ωt ) + u r (ωt ) ⋅ d (ωt )⎥ (3. Tensiunea redresată conţine o componentă continuă (U0) şi o componentă alternativă (u~): ur = U0+ u~ (3.5. Redresor monofazat monoalternanţă Componenta continuă U0 este egală cu valoarea medie a tensiunii redresate şi se calculează cu relaţia: T U0 = 1 ⋅ T ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) 0 (3. ur= 0.45 ⋅ U 2 2π π 0 Curentul redresat prin rezistenţa de sarcină este proporţional cu tensiunea ur . exprimat prin relaţia: ir = ur Rs (3. astfel: 2π ⎡π 2π). π]. integrala din (3.2) Înlocuind valoarea perioadei (T = printr-o sumă de două integrale. atunci tensiunea redresată se poate exprima prin relaţia: ∞ (3.5) Dacă se doreşte exprimarea detaliată a componentei alternative (u~).5-b) se observă că în intervalul u2.

Relaţia (3. F.Redresoare 63 unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n.45 U 2 π (3. 2 π n −1 ∫ 0 π sin(ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d(ωt ) = (3. ur.⎟ . 2π 1 = 2π ∫ π 2U 2 sin(ωt ) d (ωt ) = 2 U 2 ≅ 0.9) sin( ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d ( ωt ) 2U 2 π ∫ 0 u r (ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 −2 ⋅ .7) coeficienţii b0.8).9) şi (3. iar coeficienţii an şi bn se pot calcula utilizând relaţiile (3..10). (3..11) ⎜1 + sin(ωt ) − 2 1⋅ 3 π ⎝ 3⋅5 ⎠ Raportul dintre tensiunea continuă pe sarcină şi valoarea eficace a tensiunii din secundar se numeşte coeficient de redresare.12) Ponderea componentei alternative în tensiunea redresată se poate evalua prin factorul de formă. (3. Factorul de formă este raportul dintre valoarea eficace a tensiunii redresate. an şi bn din relaţiile (3. şi componenta continuă U0 : . şi factorul de ondulaţie.6) se poate scrie sub forma trigonometrică a unei serii Fourier şi devine: ∞ ∞ (3. În cazul analizat coeficientul de redresare Kr este: Kr = U0 U2 = 0.10) Înlocuind în relaţia (3.7) u r (ωt ) = b 0 + ∑ a n sin( n ⋅ ωt ) + ∑ b n cos(n ⋅ ωt ) n =1 n =1 Coeficienţii seriei Fourier se definesc prin: T 2π ⎡π ⎤ 1 b0 = U0 = T ∫ 0 u r ( ωt ) d ( ωt ) = 1 ⎢ u ( ωt ) d ( ωt ) + u r ( ωt ) d ( ωt ) ⎥ = ⎥ 2π ⎢ r ⎢0 ⎥ π ⎣ ⎦ ∫ ∫ 0 Se observă că valoarea componentei continue (U0) este exprimată de coeficientul b0 al seriei Fourier.45 (3.8) an = 1 π ∫ 0 u r (ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 π = 1 bn = π = 2π ∫ 0 π (3. iar ϕn – faza iniţială a armonicii de ordinul n.10) se obţine: u r ( ωt ) = 2U 2 ⎛ 2 2 π ⎞ cos(2 ωt ) − cos(4 ωt ) − .9) şi (3. γ.

. iar diodele D1 şi D3 sunt blocate.7. Cele două secţiuni ale înfăşurării secundarului transformatorului sunt identice ' " şi deci u 2 = − u 2 . necesară transformatorului.6-c.18) În cazul redresorului monoalternanţă se obţine Puterea în curent continuu este: γ = 1. … .. Cunoscând valorile eficace Un ale armonicilor de ordin n = 1.16) sau 2 2 U∼ = U r − U 0 (3. valoarea eficace U∼ este: 2 2 U∼ = U1 + U 2 + .17) şi rezultă U γ = ~ = U0 U1 + U 2 + . şi componenta continuă. D2 şi D4 fiind blocate. U P0 = U 0 I 0 = 0 Rs 2 (3.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă Redresoarele dublă alternanţă se realizează după două scheme: cu transformator având priză mediană în secundar. Diodele D1 şi D2 conduc alternativ.57 2 2 U2 (3. . La redresorul monoalternanţă avem: 1T 2 1 π 2 2 2 Ur = u r ( ωt ) d ( ωt ) = 2U 2 sin (ωt ) d (ωt ) = U (3. 3. (3.211.14) ∫ ∫ T0 2π 0 2 2 F= 2 U 2 2 π π = = 1.. astfel încât tensiunea redresată şi curentul prin sarcină au forma din figura 3. cu atât ponderea componentei alternative în tensiunea redresată este mai mică. În semialternanţa negativă conduc diodele D2 şi D4 .6-a. 2.15) Factorul de ondulaţie se defineşte ca raportul dintre valoarea eficace a componentei alternative. Schema redresorului având transformator cu priză mediană este dată în figura 3. Redresorul în punte are schema din figura 3. = U0 2 2 U r − U0 = U0 2 2 ⎛ Ur ⎞ ⎜ ⎟ −1 = ⎜U ⎟ ⎝ 0⎠ 2 F −1 2 (3. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 .13) Cu cât F este mai apropiat de unitate. sau utilizând schema de redresare în punte.19) Aceasta determină o anumită putere aparentă.64 Capitolul 3 F= ur U0 (3.2. U∼ ..

pentru o putere P0 dată. respectiv I0) şi o componentă alternativă. Redresor dublă alternanţă folosind transformator cu priză mediană: a) schema.6.3) ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. pentru schema cu priză mediană.11.9). c) diagrama tensiunii şi a curentului redresat Figura 3.21) Coeficientul de redresare este dublu faţă de schema monoalternanţă (Kr = 0. Comparând cele două scheme de redresare dublă alternanţă se pot reţine următoarele: • pentru aceeaşi putere P0 în sarcină. tensiunea şi curentul prin sarcină au două componente: o componentă continuă (U0 . iar la schema în punte. puterea aparentă necesară a transformatorului este mai mare la schema cu punct median. De asemenea. cu deosebirea că în acest caz perioada este egală cu durata unei semialternanţe (T = π). pe o perioadă a tensiunii u2 este: ⎧ ⎡ T⎤ 2 U sin( ω t ) pentru t ∈ 0. Redresor dublă alternanţă în punte Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. Expresia analitică a tensiunii redresate.9 ⋅ U 2 π (3.48 P0. 2 ⎪ ⎢ ⎣ 2⎥ ⎦ ⎪ ur = ⎨ ⎪− 2U sin(ωt ) pentru t ∈ ⎡ T . puterile aparente în înfăşurarea secundară şi înfăşurarea primară ale transformatorului se micşorează.7. . iar componenta continuă este: U0 = 2 2 ⋅ U 2 ≅ 0. b) diagrama tensiunilor din secundar.23 P0. Astfel.482. γ = 0. T ⎤ 2 ⎢ ⎪ ⎣2 ⎥ ⎦ ⎩ (3.20) Componenta continuă a tensiunii redresate (U0) se calculează cu aceeaşi relaţie (3. iar factorul de formă şi coeficientul de ondulaţie se ameliorează: F = 1. ST = 1. puterea de calcul a transformatorului este ST = 1.Redresoare 65 Figura 3.

9-b. (uc).66 Capitolul 3 • • la schema în punte.4. Se observă că în intervalul (0 … ωt1) tensiunea din secundarul transformatorului (u2) este mai mare decât tensiunea la bornele condensatorului ua = u2 – uc. condensatorul C este descărcat. de a şunta armonicele de ordin superior. Din relaţia anterioară rezultă căderea de tensiune (ua) pe dioda în conducţie: Presupunem că în momentul aplicării tensiunii de alimentare. tensiunea inversă maximă pe diode.CLC sau CRC 3. Funcţionarea ei se poate urmări în diagrama din figura 3.4 Filtrarea tensiunii redresate Pentru obţinerea unei tensiuni cu factor de ondulaţie mic la bornele rezistenţei de sarcină. este necesară diminuarea componentei alternative din tensiunea redresată. Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din figura 3. Figura 3. Dioda conduce şi condensatorul se încarcă prin . pentru aceeaşi tensiune redresată este de două ori mai mare la schema cu punct median faţă schema de redresare în punte (deoarece tensiunea inversă ce apare în momentul blocării diodelor se distribuie pe două diode). (u2 > uc) şi deci ua > 0.2. 3. rezultă o cădere de tensiune pe diode dublă faţă de schema cu punct median.9-a.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este dată în figura 3.2. rezultă: (3. cu ajutorul filtrelor.22) u2 = ua + uc Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este în acelaşi timp. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului. b) inductiv-capacitiv. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea bobinelor de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului şi o reactanţă mare pentru componenta alternativă din curentul redresat.8. tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină (us) cât şi tensiunea după elementul redresor. ur.8. Parametrul principal care le caracterizează este factorul de ondulaţie al tensiunii de la ieşire. cât şi pe proprietatea capacităţilor mari (conectate în paralel cu sarcina). datorită conducţiei în permanenţă a două diode. c) tip π . Tipuri de filtre: a) capacitiv.

trecerea prin zero spre valori pozitive a tensiunii u2). adică β = π. aceasta incluzând rezistenţa echivalentă serie în secundarul transformatorului. rezultă foarte mică.ωt2) u2 < uc. La funcţionarea fără filtru capacitiv. până în momentul ωt2.24) (3. iar ua < 0. este foarte mică..9-b s-a notat cu α unghiul de la care începe încărcarea condensatorului (considerând ca moment de referinţă. care reprezintă componenta continuă a tensiunii la bornele sarcinii. Micşorarea rezistenţei de sarcină (Rs) are ca efect creşterea curentului de sarcină (Is) şi ca urmare tensiunea U0 scade. deci condensatorul se încarcă rapid.ωt3). În intervalul de conducţie secundarul transformatorului şi diodă.Redresoare 67 Ri ≅ RS(Tr). În momentul ωt1 se obţine egalitatea uc = u2. Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducţie şi de blocare.23) [ 2 U 2 sin(ωt ) = ω C 2 U 2 cos(ωt ) 2 U2 sin(ωt ) Rs ] (3.. Constanta de timp la încărcarea condensatorului. care este neglijabilă. ωt2. Unghiul la care încetează încărcarea condensatorului s-a notat cu ψ = α + β şi se numeşte unghi de blocare. RDc. dioda conduce pe întreaga semiperioadă a tensiunii u2 din secundarul transformatorului. Constanta de timp de descărcare a condensatorului este Td = RsC şi este relativ mare (pentru că Rs este mai mare decât Ri). Ti = Ri C. precum şi amplitudinea componentei alternative. Filtrul capacitiv micşorează durata de conducţie a diodei în intervalul 0 < β < π.. Ri. deci ua = 0. sau Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaţii (având forma dinţilor de ferăstrău) în jurul valorii U0. iar dioda se blochează. În intervalul (ωt1. Rezistenţa de încărcare. Deci Ri = RS(Tr) + RDc β = ωt3 . adică intervalul de timp în care se încarcă condensatorul. Valoarea tensiunii continue U0. depind mult de valoarea rezistenţei de sarcină. Cu β s-a notat unghiul de conducţie. În continuare dioda conduce în intervalul (ωt2 . Dioda rămâne blocată şi condensatorul se descarcă prin rezistenţa de sarcină Rs. care – la rândul lor – sunt determinate de mărimile C şi Rs.. iar componenta alternativă (u~) a tensiunii redresate creşte. tensiunea uc scade lent.. RS(Tr) şi rezistenţa diodei în conducţie. În figura 3. curentul prin diodă este: unde: ia = ic + is ic = C du c d =C dt dt is = (3.25) ..

PN . • factorul de ondulaţie.9. Se observă o cădere de tensiune (la curent nominal) mică (ΔU01). γ .5 Parametrii redresoarelor de mică putere În cazul redresoarelor de mică putere parametrii şi caracteristicile importante sunt: puterea nominală a redresorului. ilustrată în figura 3. U0N . definit prin relaţia (3. b) diagrama tensiunilor şi curenţilor 3. influenţa rezistenţei de sarcină RS asupra tensiunii US este importantă.18) când redresorul funcţionează la putere nominală. reprezintă dependenţa US = f(IS). atunci când redresorul funcţionează la putere nominală.10). Cele trei caracteristici reprezintă: • Curba 1 este caracteristica externă în cazul redresorului fără filtru. exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N . în cazul redresoarelor cu filtru capacitiv. în regim nominal de funcţionare. aceste caracteristici ar trebui să fie orizontale (liniile punctate din figura 3.10. I0N .2. în condiţia 0 ≤ IS ≤ I0N .68 Capitolul 3 Figura 3. reprezintă puterea pe care o poate debita redresorul în sarcină. Ideal. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv: a) schema. mai ales. • . • tensiunea nominală. egală cu tensiunea continuă la bornele de ieşire. • caracteristica externă. dar aşa cum s-a precizat anterior. • curentul nominal.

Deoarece majoritatea consumatorilor industriali. În această situaţie se observă o cădere de tensiune (ΔU03) mai mică decât în cazul redresorului cu filtru capacitiv. Curentul prin sarcină este: is = i1 + i2 + i3 (3. polifazate) se construiesc pentru puteri nominale mari. Curba 3 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru π (CLC).26) Figura 3. este evidentă necesitatea utilizării filtrelor. ΔU S ΔIS (3.11.Redresoare • 69 • Curba 2 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru capacitiv. ce funcţionează în curent continuu. În capitolul 4 se vor trata principiile de funcţionare şi schemele principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continuă.3 Redresoare trifazate necomandate Redresoarele trifazate (în general. Caracteristicile externe ale redresorului 3.12. Un parametru care determină panta caracteristicii externe este rezistenţa internă a redresorului. dată de relaţia următoare: Ri = − Această rezistenţă este de dorit să rezulte cât mai mică. Dezavantajul pe care îl introduc filtrele – exprimat prin căderile de tensiune (ΔU02 . Cea mai simplă schemă de redresor trifazat utilizează un transformator trifazat având secundarul conectat în stea (figura 3. necesită o tensiune redresată cu un factor de ondulaţie cât mai mic. ΔU03) – poate fi compensat prin utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continuă (STC) conectate între filtre şi consumatori (sarcini). astfel încât caracteristica externă reală să fie cât mai apropiată de caracteristica ideală. La un moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenţialul cel mai ridicat.27) .10.) Funcţionarea schemei se poate urmări în diagrama din figura 3. Se remarcă o cădere mult mai mare de tensiune (ΔU02) corespunzătoare curentului nominal.

a curentului i0 (curentul prin sarcină) şi a tensiunii redresate. Astfel.29).28) π 2π 3 6+ 3 3 6 = 2U 2 sin(ω t )d(ω t ) = U 2 ≅ 1. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei RS este egală cu tensiunea pe faza în care dioda conduce şi are forma curbei cu linie întărită din figura 3. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei de sarcină este egală cu diferenţa potenţialelor între acele borne ale înfăşurării secundare. Funcţionarea acestui redresor se explică utilizând diagramele curenţilor prin faze. la care sunt legate diode în conducţie.70 Capitolul 3 şi are. ωt2 . deci intervin inductanţele de scăpări ale acestuia. împărţită la perioadă (T). în intervalul (t1. apar efecte care complică funcţionarea redresorului. În momentele ωt1 . În schema redresor O schemă foarte des utilizată în practică. Valoarea tensiunii continue. prezentate în figura 3.34 U 2 π (3. în cazul sarcinii rezistive. calculată în relaţia (3.13). deci perioada pulsaţiilor tensiunii redresate este de două ori mai mică.17 U 2 π 2π 2π 6 Descrierea funcţionării redresorului trifazat s-a făcut în ipoteza că transformatorul este ideal (are inductanţele de scăpări neglijabile). situaţie ilustrată în figura 3. Descrierea proceselor dintr-un redresor real cu sarcină inductivă se poate urmări în lucrarea [2]. în special la producerea comutaţiei de pe o fază pe alta. este schema de redresare trifazată în punte (figura 3. datorită performan-ţelor superioare pe care le prezintă. Tensiunea continuă tensiunii U0 de la bornele rezistenţei de sarcină este.14. În cazul când se admite că transformatorul nu este ideal.14. t2) conduc diodele D1 şi D5 . Perioada (3. iar sarcina redresorului este rezistivă. ωt3 … se produce comutarea conducţiei de pe o fază pe alta.29) . o formă pulsatorie. integrala pe o perioadă a tensiunii ur fiind 2π/3. sau când sarcina are caracter inductiv.12. în intervalul (t2. este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat simplu (conectat în stea): rezultă valoarea tensiunii U0: π 2π 1 α0 +T 1 6+ 3 U0 = u r (ω t )d (ω t ) = u r (ω t )d(ω t ) = 2π π T α0 3 6 ∫ ∫ ∫ U0 = 3 6 U 2 ≅ 2. ur. prin definiţie. Deci. tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele trasate cu linie întărită şi axa timpului. Se remarcă faptul că frecvenţa comutărilor este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat în stea. În schema redresorului se observă că la un moment oarecare conduc două diode: dioda cu potenţialul anodului cel mai ridicat şi dioda cu potenţialul catodului cel mai scăzut. t3) conduc diodele D1 şi D6 etc.

11. Redresor trifazat în stea Figura 3. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul în punte .12.14.Redresoare 71 Figura 3. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul trifazat în stea Figura 3. Redresor trifazat în punte Figura 3.13.

γ ? .4 Întrebări 1. Cum se explică (justifică) relaţia τ d >> τ i în cazul redresorului cu filtru capacitiv ? 4. F. Ce condiţie trebuie să îndeplinească cele două diode ale unui redresor bialternanţă. Care sunt semnificaţiile şi expresiile analitice ale parametrilor redresorului de mică putere Kr . conectate la un transformator cu două secundare şi punct median? 3.72 Capitolul 3 3. Ce este deosebirea dintre un invertor (I) şi un convertor – static de frecvenţă? 2.

care fac parte componentă din alimentatoarele celor mai diverse circuite .1.1. În acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice şi cu reacţie.CAPITOLUL 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE 4. Parametrii stabilizatoarelor Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menţine. iar în funcţie de metoda de stabilizare există stabilizatoare electromecanice (pentru tensiuni alternative şi continue la consumatori de mare putere). În lipsa stabilizatorului.2 Stabilizatoare parametrice Cele mai răspândite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune continuă. ale unei instalaţii industriale sau de laborator. sau în paralel cu sarcina) şi cu reacţie (care funcţionează pe principiul sistemelor de reglare automată cu reacţie negativă). pot fi depăşite limitele admise şi pot să apară dereglări în funcţionarea instalaţiilor sau/şi erori de măsurare nepermise.1 Noţiuni generale. electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate). În principiu tensiunea continuă poate fi stabilizată şi înainte de redresor. în limite strânse. menţinând constantă tensiunea alternativă cu stabilizatoare corespunzătoare.1 are avantajul că menţine constantă tensiunea pe sarcină indiferent de cauzele care tind să o modifice. Varianta din figura 4. În funcţie de mărimea electrică de stabilizat există stabilizatoare de tensiune şi de curent. Ele se pot conecta ca în figura 4. valorile tensiunii sau curentului de alimentare. motiv pentru care această variantă este cel mai des utilizată în practică. În prezent există un număr relativ mare de categorii şi tipuri de stabilizatoare electronice. Figura 4. dacă tensiunea stabilizată este continuă. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic 4. parametrice (cu elemente neliniare. montate în serie.

1) ΔI z = Iz max − I z min ΔU z = U z max − U z min (4. Schema unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener este dată în figura 4. Practic. electronice. Principiul stabilizatorului parametric cu diodă Zener: a) schema. rezistenţa de sarcină se limitează astfel încât punctul de funcţionare M să se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii. tuburi cu gaz de tip stabilovolt sau stabilitron.2.3) 4. Figura 4.2-a) a cărei proprietate principală este de a prelua variaţii importante ale curentului ( ΔI z ). punctul de funcţionare al diodei se găseşte în A. creşte curentul i2 din RS.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric Stabilizatoarele parametrice au ca elemente esenţiale diode Zener. Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda Zener (figura 4. Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice. Invers.2-b): (4. a căror caracteristică tensiune-curent asigură stabilizarea tensiunii. Pe măsură ce RS scade.2) Pentru RS = ∞. cu variaţii reduse ale tensiunii ( ΔU z ) la bornele ei (figura 4. care să asigure valoare maximă admisă a curentului I z max prin dioda Zener. punctul de funcţionare se deplasează spre B. electromagnetice). iar punctul M de funcţionare se deplasează spre A. În mod similar funcţionează stabilizatorul şi în cazul variaţiei tensiunii de reţea: dacă tensiunea reţelei creşte. . dacă tensiunea reţelei scade. cresc atât i 2 (într-o mică măsură).3. iar punctul de funcţionare se deplasează spre B şi în continuare spre 0. pentru a nu se ajunge în zona neliniară a caracteristicii. b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener Pentru o funcţionare normală a stabilizatorului este necesar ca rezistenţa de balast R să îndeplinească următoarea condiţie: R min < R < R max (4. cât şi i z (într-o măsură mult mai mare).74 Capitolul 4 electronice.2. În cazul funcţionării în gol (RS = ∞) se alege o valoare pentru rezistenţa R (de “balast”).

4.4) E = R ⋅ I + Ua I = I a + Is U Is = a Rs (4.2-b.Stabilizatoare electronice 75 Figura 4.3.5) (4. Pentru deducerea punctului static de funcţionare (PSF) al diodei se utilizează relaţiile: (4. Stabilizator parametric cu diodă Zener În această schemă sensurile adoptate pentru ia şi ua sunt inversate faţă de schema din figura 4.4). Tensiunea aplicată la intrarea în stabilizator este tensiunea de ieşire din filtrul redresorului şi s-a notat cu E în schema din figura 4.6) precum şi dependenţa ia Zener. Tensiunea de ieşire de pe rezistenţa de sarcină Rs este identică cu tensiunea anodică ua a diodei Zenner (DZ).6) rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ⎛ R ⎞ E = R ⋅ Ia + ⎜ ⎜ R + 1⎟ ⎟ ⋅ Ua ⎝ S ⎠ (4.7) Punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină (tăieturile) cu axele de coordonate sunt: . dată grafic sub forma caracteristicii statice a diodei Figura 4. astfel încât zona de stabilizare parametrică din caracteristica statică a diodei se va desena în cadranul 1 (figura 4. Modificarea PSF al diodei Zener la variaţia tensiunii de intrare (a) şi la variaţia rezistenţei de sarcină (b) Din relaţiile (4.3. = f(ua).4) … (4.

R U' = E' Rs + R Rs . Proiecţiile duse din M pe axele de coordonate determină coordonatele PSF. Înclinarea dreptei va fi aceeaşi (vezi figura 4.4-a).10) Se observă că E’ > E şi E” < E. tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. iar Rs = ct. I" = E" . R Ua = E ⋅ Rs + R Rs (4.4-b): " ' E Rs Rs I = I' = I" = . R U" = E" Rs + R Rs (4.. U" = E (4. La intersecţia dintre caracteristica statică a diodei Zener şi dreapta de sarcină se obţine PSF notat cu M. însă tensiunea la bornele diodei. Şi în acest caz modificarea poziţiei punctului static de funcţionare afectează curentul prin diodă. deci tensiunea pe sarcină este practic constantă dacă PSF (M) nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice.8) În figura 4.4-b). tensiunea Ua rămânând practic constantă (vezi figura 4. Deci. iar tensiunea de la intrare rămâne constantă (E = ct. S-a considerat: R s > R s şi R s < R s . modificarea tensiunii de intrare duce la modificarea curentului Ia . Panta dreptei statice de sarcină se exprimă prin relaţia: tg α = RR s R + Rs (4. Aceste coordonate sunt: Ia 0 şi Ua 0 ≡ Uz.76 Capitolul 4 Ia = E . " ' b) Presupunând că rezistenţa de sarcină Rs variază între valorile R s şi R s .4-a): I' = E' . În funcţionarea stabilizatorului parametric pot exista două regimuri distincte de lucru: a) Dacă tensiunea de intrare E se modifică (creşte la valoarea E’. dacă punctul de funcţionare M nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice a diodei Zener (DZ). respectiv U’ > U şi U” < U.11) " ' R Rs + R Rs + R ' " Observaţie. dacă PSF nu intră în zona de curbură a caracteristicii statice.9) Rezultă că înclinaţia (panta) dreptei statice de sarcină nu depinde de valoarea tensiunii E de la intrarea stabilizatorului. Concluzie: Proprietatea de stabilizare se păstrează în orice regim de lucru. sau scade la valoarea E”).). Punctul static de funcţionare al diodei Zener se păstrează pe porţiunea în care tensiunea Ua este practic constantă.4-a dreapta statică de sarcină este reprezentată printr-o linie continuă. U' = E . atunci tăieturile dreptei statice de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. .

ceea ce reprezintă compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. elementul de comparaţie 5 sesizează abaterea.13) E = U'+ U 0 dată de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conservă în orice condiţie. Dacă. Acesta se construieşte după schema din figura 4.5. întrucât egalitatea: (4.6 este dată schema detaliată a stabilizatorului cu ECS. obţinută la ieşirea elementului de comparaţie 5.5.Stabilizatoare electronice 77 4. . este constantă şi proporţională cu valoarea prescrisă a tensiunii U0 (tensiunea de ieşire pe Rs). Elementul de execuţie 1 se comportă ca o rezistenţă în serie. Figura 4. În figura 4. amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi comandă. Amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi acţionează asupra elementului de control 1 (ECS) în aşa fel. în sensul scăderii rezistenţei acestuia. prin ieşirea sa. încât să se compenseze variaţiile tensiunii de ieşire (±ΔU0) faţă de valoarea prescrisă. elementul de execuţie 1. prezentată în figura 4. de exemplu.2 Stabilizatoare cu reacţie având elemente de control serie şi amplificator de eroare Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) şi amplificator de eroare este cel mai răspândit. a cărei valoare este comandată de semnalul de ieşire al amplificatorului 2. Schema bloc a stabilizatorului cu element de control serie şi amplificator de eroare Elementul de comparaţie 5 compară două tensiuni: E0 şi Ur. tensiunea U0 tinde să scadă faţă de valoarea nominală.2. Micşorarea rezistenţei elementului 1 duce la micşorarea căderii de tensiune U’ pe acest element.12) Diferenţa dintre aceste două tensiuni. dată de un stabilizator parametric (diodă Zener). reprezintă eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescrisă. Tensiunea de referinţă E0. deci la creşterea tensiunii U0.5. Tensiunea Ur este proporţională cu valoarea reală a tensiunii U0: U r = U0 R1 = k ⋅ U0 R1 + R 2 (4.

4. În figura 4. Curentul de bază al tranzistorului T1 se micşorează ducând la reducerea curentului de colector. Astfel. dată de relaţia 4. Elementul de control serie este tranzistorul T2.14) şi reprezintă mărimea de intrare în amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1 şi rezistenţa R4.7-b).2. va scădea şi tensiunea Ur (conform relaţiei 4. . creşterea potenţialului în colectorul tranzistorului T1 are ca efect o pozitivare accentuată a bazei tranzistorului T2.14. iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare operaţionale (AO).6 Schema detaliată a stabilizatorului prezentat în figura 4. Dacă tensiunea U0 tinde să scadă. Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat direct la baza tranzistorului T2.7-a amplificatorul de eroare lucrează în regim de amplificator neinversor. Semnalul de eroare este: U be = U r − E 0 (4. are loc compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0.78 Capitolul 4 Figura 4.7-b amplificatorul de eroare lucrează în regim de repetor. se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 creşte).12) deci scade şi tensiunea Ube. deci la creşterea tensiunii de colector Uc1. tensiunea colector – emitor U’ scade.7-a) cât şi pentru tensiuni mici (figura 4. Acesta. a cărui rezistenţă este comandată de tensiunea de ieşire a amplificatorului de eroare.13). ducând la creşterea tensiunii U0 conform relaţiei (4. Elementele de control serie (ECS) sunt componente integrate. fiind un tranzistor npn.5 Tensiunea de referinţă E0 este dată de un stabilizator parametric format din dioda Zener (Dz) şi rezistenţa R3. iar în figura 4.3 Stabilizatoare integrate de tensiune Aceste stabilizatoare au performanţe superioare faţă de circuitele de stabilizare având componente discrete şi pot fi realizate atât pentru tensiuni mari (figura 4.

În figura 4. deoarece în afara circuitului integrat sunt necesare numai două condensatoare iar prezenţa diodei de protecţie este facultativă. prin limitarea tensiunii inverse care poate să apară între intrare şi ieşire. Condensatorul C1 este indispensabil în montaj. Acest montaj se caracterizează printr-o simplitate deosebită. Uin > U0nom + 2. Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesită un număr redus de componente discrete externe (pasive şi active). adică: U0 = Unom ± 5% unde Unom = 5V. ieşire şi bornă de masă.pentru tensiuni mici Figura 4. în prezent se realizează circuite stabilizatoare de tensiune fixă şi curenţi de sarcină relativ mari. reducând suplimentar tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului. figura 4.7-a: Tensiunea de ieşire R + R2 U2 = 1 ⋅ Ur R1 R1 ⋅ Ur R1 + R 2 (4.5V (4.pentru tensiuni mari (b).9).8 se prezintă schema clasică a unui stabilizator de tensiune integrat cu trei pini. Stabilizatoare de tensiune integrate U2 în funcţie de tensiunea de referinţă Ur are valorile: a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur).16) U2 = Pentru a îmbunătăţi fiabilitatea stabilizatoarelor integrate şi pentru a elimina căderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieşire). Tensiunea de ieşire stabilizată în acest caz este: Stabilizatoarele din seria 78XX pot funcţiona corect numai dacă tensiunea de intrare este cu cel puţin 2.Stabilizatoare electronice 79 (a).8 se constituie într-un stabilizator de tensiune fixă (5V) dacă STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4.7.17) .5V superioară tensiunii de ieşire U0. figura 4. schema generală din figura 4. Exemplificând. fiind prevăzute cu trei terminale: intrare. în special atunci când STC se află la o distanţă oarecare faţă de circuitul de filtrare care îl precede (la ieşirea redresorului). Condensatorul C2 de la ieşire are tot rol de filtrare. Dioda D protejează circuitul integrat.7-b: (4.15) b) pentru stabilizarea tensiunilor mici (U2 < Ur). în montajele la care tensiunea de ieşire se menţine şi după anularea tensiunii de intrare (cazul montajelor cu sarcini capacitive importante).

80 Capitolul 4 Stabilizatoarele integrate pot îndeplini şi funcţia de regulatoare de tensiune.8. la un curent maxim de 1. Variaţiile curentului rezidual Ir în funcţie de curentul de ieşire ar putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieşire. se adoptă R1 = 390 Ω. Din motive de stabilitate. realizat cu circuitul LM7815. Schema de principiu pentru un stabilizator integrat – tensiune fixă Figura 4.5A.. astfel încât prin el să treacă un curent de cel puţin cinci ori mai mare decât curentul rezidual (IR1 ≥ 5 Ir).19) U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4. este prezentat un variator de tensiune (în limite mici) utilizând circuitul specializat 7805.8 mA. Variaţiile curentului rezidual Ir (în funcţie de curentul de ieşire) vor avea o anumită influenţă asupra tensiunii de ieşire când se reglează valoarea lui R2 către maxim.9. cu mai mult de 50%. dacă schemei din figura 4. Tensiunea de ieşire se poate determina folosind relaţia: Uout = 1. Stabilizator integrat de tensiune fixă (5V) Figura 4. Şi în acest caz protecţia împotriva suprasarcinilor rămâne activă în condiţia că tensiunea de intrare nu depăşeşte valoarea maximă admisă (de firmă) care este de regulă de 35 V.9 i se ataşează un divizor rezistiv la care unul dintre rezistoare este reglabil. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Tensiunea obţinută la ieşire are expresia: curentului Ir este de 8 mA.11 este prezentată schema unui stabilizator de tensiune variabilă utilizând circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni negative)..10.10. în figura 4. Tensiunea de ieşire a stabilizatorului LM317 poate fi reglată între 1.5V în cazul stabilizatorului de 5V. Pentru un stabilizator de 15V.18) reprezintă circa 0. se alege R1 = 120 Ω pentru stabilizatorul LM7805 utilizat în acest caz. În acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de ieşire (4.2V şi 37V.25⋅(1 + R2/R1) (4. faţă de tensiunea nominală. Întrucât valoarea cea mai mare a . Din acest motiv se alege R2 ≅ R1/2.18) Curentul Ir (obţinut la pinul 3) are valori cuprinse în domeniul 4. Figura 4. Pentru a minimiza acest efect se alege rezistorul R1. nu este indicat să se depăşească plaja de variaţie a tensiunii de ieşire. În figura 4. Astfel.

25V. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Condensatorul C3 are rolul de a ameliora. . baza de calcul suferă o modificare generată de faptul că stabilizatoarele variabile dezvoltă o tensiune de referinţă egală cu 1.11. totuşi. Diodele D1 şi D2 au rolul de proteja circuitul integrat în cazul apariţiei unor descărcări inverse ale condensatoarelor. factorul de rejecţie global.Stabilizatoare electronice 81 Figura 4. între pinul ADJ şi pinul VOUT (de ieşire). Observaţii: Deşi schema utilizată în cazul stabilizatoarelor ajustabile de tensiune este identică cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe. suplimentar.

CAPITOLUL 5

REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere
Pentru ilustrarea unor noţiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor în mutatoare se consideră cel mai simplu redresor comandat, în schema monofazată, monoalternanţă, cu sarcină rezistivă (figura 5.1). El conţine un dispozitiv de comandă pe grilă, DCG, la intrarea căruia se aplică semnalul de comandă, uc. Scopul urmărit este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de comandă uc.

Figura 5.1. Redresor comandat monoalternanţă

Figura 5.2. Circuit de defazare

După modul cum DCG realizează amorsarea tiristorului (intrarea în conducţie), există două metode de comandă pe grilă: comanda pe orizontală şi comanda pe verticală. Dispozitivul de comandă pe grilă transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la fiecare semialternanţă pozitivă a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc amorsarea tiristorului. Până la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul. După deschiderea tiristorului curentul variază proporţional cu tensiunea aplicată u2.

iG care produce amorsarea tiristorului, se numeşte unghi de amorsare şi s-a notat cu αa.
Intervalul cuprins între începutul semialternanţei pozitive şi apariţia impulsului amorsare αa1 şi curentul mediu prin tiristor este proporţional cu suprafaţa dintre curba Din figura 5.3 se observă că modificarea unghiului de amorsare se realizează (1) prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizează unghiul de

ωt

Redresoare comandate de mică putere

83

şi abscisă. Tensiunea continuă de pe rezistenţa de sarcină, proporţională cu valoarea curentului mediu, rezultă mai mică decât în cazul când unghiul de amorsare este zero, adică la redresorul necomandat. Dacă unghiul de amorsare creşte la (2) valoarea αa2, corespunzătoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o valoare proporţională cu suprafaţa dublu haşurată.

ia

Figura 5.3. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe orizontală

Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comandă, se poate modifica unghiul de amorsare de la 0° la 180° şi tensiunea continuă variază de la 100% la zero. Acest principiu este valabil în ambele metode de comandă pe grilă (comanda pe orizontală şi comanda pe verticală). La comanda pe orizontală, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin deplasarea pe orizontală a unei tensiuni alternative de comandă. În figura 5.3-c este prezentată această tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel construit, încât se generează impulsurile iG în momentul trecerii tensiunii u~ prin zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aşa cum este cel din figura 5.2. În acest caz comanda defazajului, deci şi a tensiunii redresate, se face printr-o acţiune de reglare manuală asupra reostatului R. Dacă se impune ca tensiunea continuă să fie ajustată printr-un semnal de comandă uc, DCG trebuie să conţină un oscilator electronic care generează o tensiune periodică, liniar variabilă în timp, uLV, precum şi un circuit ce formează un impuls de comandă, iG, atunci când se produce intersectarea tensiunilor uLV şi uc pe panta

83

84

Capitolul 5

descendentă a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comandă conduce la modificarea corespunzătoare a fazei impulsurilor iG. Comanda pe verticală a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrată în figura 5.4. Dispozitivul de comandă pe grilă (DCG) generează iniţial o tensiune alternativă U~, defazată cu 900 în urma tensiunii U2. (a ) Impulsul de comandă pe grilă i G se formează iniţial la intersecţia cu abscisa (pe porţiunea ascendentă a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de amorsare a tiristorului are valoarea iniţială αa = 90 . Principiul comenzii pe verticală constă în variaţia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe verticală a tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micşorarea sau creşterea unghiului de amorsare faţă de unghiul iniţial αa. Pentru a realiza deplasarea pe verticală a tensiunii U~, la nivelul DCG se însumează o tensiune continuă de comandă (Uc – pozitivă sau negativă) cu tensiunea U~.
0

Figura 5.4. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe verticală

Redresoare comandate de mică putere
Ajustarea tensiunii de comandă astfel: a. Creşterea tensiunii

85

Uc determină reglarea unghiului de amorsare (Uc > 0) are [00 ... 900], iar
ca efect reglarea valoarea medie a

Uc

în valori pozitive

unghiului de amorsare

tensiunii redresate creşte (proporţional cu valoarea unghiului de conducţie α1) în cadrul unei semialternanţe pozitive; b. Creşterea tensiunii Uc în valori negative

(α1)

în intervalul

(Uc < 0) are ca efect reglarea 0 0 unghiului de amorsare (α2) în intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a tensiunii redresate scade proporţional cu creşterea unghiului α2, între [900 ... 1800].

[0 [0% ... 100%] din Ur.

0

Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, în domeniul ...1800], iar tensiunea medie redresată poate fi ajustată continuu, în domeniul

La evaluarea comparativă a performanţelor redresoarelor având comandă pe orizontală faţă de cele ce au comanda pe verticală, un criteriu important este forma dependenţei tensiunii continue U0 în raport cu semnalul de comandă uc. Expresia tensiunii continue sarcină rezistivă este: 2π

U0

la un redresor monofazat comandat cu

1 U0 = 2⋅π


0

1 u r d ( ωt ) = 2⋅π

αa

π

2 ⋅U 2 sin(ωt ) ⋅ d(ωt ) =
(5.1)

=

2 ⋅U 2 (1 + cos α a ) 2⋅π

La comanda pe orizontală, figura 5.3.d, unghiul de amorsare în funcţie de tensiunea de comandă uc prin relaţia:

αa se exprimă
(5.2)

α a = π ⋅ (1 −

uc

Înlocuind α a în relaţia (5.1) rezultă:

u c max

)

U0 =

π uc 2 ⋅U 2 (1 − cos ) 2⋅π u c max

(5.3)

deci dependenţa U0 = f(uc) este neliniară. La comanda pe verticală, considerând că tensiunea de comandă maximă, ucmax, este egală cu amplitudinea tensiunii u~ , relaţia dintre unghiul de amorsare

(αa) şi tensiunea uc este:

α a = arccos(

uc u c max

)

(5.4)

Înlocuind relaţia 5.4 în ultima formă a relaţiei 5.1 se obţine:

85

Alimentare ( I ) 6.Intrare de sincronizare 10. Dispozitiv de comandă pe grilă realizat cu ßAA-145 . destinat comenzii în fază a elementelor de redresare. întrucât redresorul comandat poate fi utilizat ca element de execuţie într-un sistem liniar de reglare automată (de exemplu reglarea turaţiei motorului de curent continuu).5) deci.5.Masă − 13. Schema electronică test pentru o aplicaţie tipică (cu posibilităţi de comandă a două tiristoare) realizată cu circuitul integrat ßAA145 este prezentată în figura 5.86 Capitolul 5 U0 = 2 ⋅U 2 uc (1 + ) u c max 2⋅π (5. dependenţa U0 = f(uc) este liniară. 5. Unul dintre cele mai utilizate circuite integrate.Ieşire ( E1 ) 11.Comandă fază ( V8 ) 9.Comandă durată (tp) 14.Ieşire monostabil 3.Rampă de tensiune 8.Alimentare (+V) 2. Făcând abstracţie de schema electronică detaliată prezentată în [9]. care pot fi realizate cu ajutorul componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate.5.Blocare impuls 7.Ieşire (E2) 15.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor Pentru reglarea unghiului de conducţie a tiristoarelor şi/sau triacurilor se pot utiliza dispozitive electronice specializate.Referinţa de tensiune (-V) 16.Sincronizare paralel Figura 5. este circuitul integrat ßAA-145. Această proprietate reprezintă un avantaj important al comenzii pe verticală faţă de comanda pe orizontală. semnificaţia terminalelor (pinilor) este următoarea: 1.

Acest circuit permite reglarea unghiului de conducţie (φ) în domeniul 0-180 grade. Diagrama impulsurilor de comandă Impulsurile de comandă. Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu ajutorul unui potenţiometru semireglabil (Rt) de 250 KΩ conectat la pinul 11.6. Variaţia unghiului de conducţie Figura 5. atunci când tensiunea de comandă aplicată la pinul 8 variază în domeniul 0.. această valoare fiind un parametru de catalog. În acest caz valorile rezistenţelor divizorului se adoptă astfel încât curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) să aibă valoarea de 10 mA.8V.7.6.Redresoare comandate de mică putere 87 Observaţie: Este recomandat să se utilizeze un transformator coborâtor de tensiune. 87 . pentru separare galvanică (220V~/24V~). Variaţia unghiului de conducţie în raport cu tensiunea de comandă (V8) este prezentată în figura 5. ce urmează a fi aplicate pe porţile tiristoarelor sau triacurilor.. se obţin la pinii 10 şi 14. asociat cu divizorul rezistiv pentru alimentarea pinului de sincronizare (9). Figura 5.

. impulsul de amorsare (aprindere) a fiecărui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil. Aceste transformatoare realizează separare galvanică Între circuitul de forţă (tiristor sau triac) şi circuitul de comandă unde se află circuitul integrat βAA – 145. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată (cu sarcină inductiv-rezistivă) este prezentată în figura 5..8. realizate cu miezuri de ferită şi dimensionate corespunzător.88 Capitolul 5 Cele două impulsuri de comandă (V10 şi V14) sunt decalate permanent cu un unghi constant de 180 grade. dar unghiul de conducţie ϕ se poate regla în intervalul 0. Unghiul de comandă (α) exprimă intervalul de timp cuprins între momentul începutului blocării tiristorului T1 şi momentul în care începe conducţia tiristorului T2. Blocarea impulsurilor de comandă (inhibarea circuitului ßAA-145) se poate face conectând pinul 6 la masă. figura 5. Momentul în care tensiunea pe tiristor este nulă şi urmează să devină pozitivă în sensul anod .3 Redresor monofazat semicomandat în punte În cazul redresorului semicomandat. iar formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor prin circuitul redresor-sarcină sunt date în figura 5.. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunzătoare a tiristoarelor din circuit.7.. În raport cu referinţa. acestea trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington. tensiunea de ieşire Ud este reglabilă în limitele [0.8. În punctul A al diagramelor. Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porţile tiristoarelor/triacurilor prin intermediul unor transformatoare de impulsuri. 5. Figura 5..100%]. începe ieşirea din conducţie a tiristorului T2 şi intrarea în conducţie a diodei D1.9. Exprimat în radiani. Întrucât impulsurile de comandă (V10 şi V14) sunt de mică putere. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul în care tensiunea lor în sensul anod – catod este pozitivă. în cazul redresorului monofazat. se alege ca moment de referinţă pentru comanda pe grilă.180 grade datorită translaţiei pe orizontală a celor două impulsuri. Momentul de referinţă pentru unghiul de comandă este momentul trecerii prin zero a tensiunii reţelei.catod. acest interval defineşte unghiul de comandă (α) pentru tiristoare.

Figura 5. RS) se obţine în intervalele de timp în care are loc conducţia simultană pe T1. D2 . iar tiristorul T2 se blochează natural în momentele A.6) unde: US – este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 ). Tiristorul T1 se stinge natural în punctele (momentele) B şi D. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor 89 .9.Redresoare comandate de mică putere 89 Intervalele de comutaţie γ1 şi γ 2 definesc timpii necesari blocării tiristoarelor şi intrării în conducţie a diodelor. α – este unghiul de conducţie al tiristoarelor. Tensiunea redresată Ud pe sarcină (LS. curentul de sarcină trece în întregime prin T1 şi D1. Tensiunea medie redresată (Ud) este dată de relaţia: Ud = 2 U S (cos α + 1) . C şi E. După intervalul de conducţie γ 2 . π (5. D1 şi respectiv T2.

b) Tensiunea între punctele M şi N (U MN ) .90 Capitolul 5 Observaţii: a) Pe durata conducţiei tiristoarelor.4 Întrebări şi problemă 1. 5. α c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului ) Se cere: a) Tensiunea medie redresată U 0 . Care este rolul şi seminificaţia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat βAA145. Valoarea minimă a unghiului de comandă (α) se adoptă în intervalul 5÷8 grade electrice. diodele de acelaşi indice (nume) joacă rolul de redresor. rDZ = 8 [ Ω ] . K TR = 8.1[ V ] . c) Tensiunea redresată (Ud) creşte dacă unghiul de comandă α scade. asigurând curentul neîntrerupt prin sarcina RS. specializat pentru comanda în fază a tiristoarelor şi triacurilor? Problemă Se dă circuitul de redresareşi stabilizare din figură pentru care se cunoaşte: u1 ( t ) = 240 ⋅ sin ( ωt ) [ V ] . U Z = 9. iar în intervalul unghiului de comandă cele două diode D1 şi D2 joacă rolul de protecţie (descărcare) împotriva tensiunilor de autoinducţie ce apar în momentul blocării tiristoarelor. d) Valoarea curentului de sarcină (I S ) . b) Durata de conducţie a diodelor este mult mai mare decât durata de conducţie a tiristoarelor. R = 200 [ Ω ] . R S = 50 [ Ω ] . interval de timp necesar preluării conducţiei de la tiristoare de către diode. LS. c) Unghuiul de conducţie θ al diodei Zenner. Ce avantaj oferă comanda pe verticală. faţă de metoda comenzii pe orizontală (în cazul redresoarelor comandate) ? 2.

se vor introduce – în cele ce urmează – funcţiile logice elementare.1-a).1-b) i se poate asocia variabila binară y. acesta îşi deschide contactul. 1815-1864).1-a. când propoziţia este adevărată şi valoarea 0 când propoziţia este falsă. contactul electric este închis) şi valoarea 0 dacă propoziţia este falsă (contactul electric deschis). care are valoarea 1. În algebra booleană se utilizează logica bivalentă.1. propoziţia a doua este adevărată când prima propoziţie este adevărată şi invers. 2 Negaţia logică. conform căreia o propoziţie poate fi adevărată sau falsă. propoziţia: “butonul X este acţionat” (figura 6. Figura 6. Fiecărei propoziţii i se poate asocia o variabilă. Boole. având o semnificaţie asemănătoare.1) Identităţii logice îi corespunde tabelul de adevăr 6. Definirea funcţiilor logice elementare.3. circuitul se .2. Realizarea identităţii logice. Veridicitatea unei propoziţii poate să depindă de veridicitatea altor propoziţii. Ilustrând această idee prin exemple simple. În cadrul schemei din figura 6. Fie de exemplu. Referindu-ne la cele două propoziţii menţionate anterior constatăm că în schema din figura 6. Deci se obţine identitatea logică: y≡x (6. contactul butonului X este normal închis. numită variabilă logică sau binară. 1 Identitatea logică. propoziţiei “releul Y este acţionat” (figura 6.2. În mod similar.CAPITOLUL 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6.1 Funcţii logice elementare Algebra logicii. la care interesează veridicitatea acestora. care are valoarea 1 dacă propoziţia este adevărată (butonul fiind acţionat. Acestei propoziţii i se poate asocia variabila binară x. operează cu propoziţii. Când butonul este acţionat. numită şi algebră booleană (după numele matematicianului irlandez G. Figura 6. luate din domeniul schemelor de comandă cu relee şi contacte.

4.3 se constată că numai atunci când x1 şi x2 au valoarea logică 1.6) În cazul negaţiei logice. Din acest motiv. disjuncţia logică poate conţine n variabile binare. situaţie în care funcţia ”ŞI” este: y = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ . corespondenţa dintre variabila dependentă (y) şi cea independentă (x) este dată de tabelul de adevăr 6.2) Figura 6.2 al disjuncţiei logice arată că aceasta are valoarea 1 dacă x1 sau x2 au valoarea ”1” logic sau x1 şi x2 au valoarea logică 1. Din tabelul de adevăr 6. Interpretarea fizică a acesteia este ilustrată prin schema dată în figura 6. Ca urmare. notată simbolic: y= x (6. disjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “SAU”. conjuncţia logică are valoarea 1.5..4) . situaţie în care funcţia ”SAU” este: y = x1 + x2 + x3 + .3.4. Disjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1+x2 şi are valoarea 1 dacă una dintre variabile are valoarea 1.1-b. Realizarea negaţiei logice Figura 6. conjuncţia logică se realizează cu n variabile binare..5) În cazul general.. Se realizează deci negaţia logică. iar releul Y nu va fi acţionat.2 a) x y ≡x x y= x 0 0 0 1 1 1 1 0 x1 x2 y=x1+x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 b) x ⋅x 4 Conjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin 1 2 şi are valoarea 1 dacă ambele variabile au valoarea 1. Realizarea fizică a funcţiei “ŞI” cu două variabile este dată în schema din figura 6.92 Capitolul 6 întrerupe. de unde rezultă: y = x1 ⋅ x 2 (6.. Tabelul de adevăr 6. + xn (6. ⋅ xn (6.3) Generalizând.1 Tabelul 6. Realizarea funcţiei logice SAU Tabelul 6. sau ambele variabile au valoarea 1. din care rezultă: y = x1 + x2 (6. conjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “ŞI”.

Funcţia logică NUMAI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. cum sunt: NICI. funcţia SAU-EXCLUSIV este disjuncţia termenilor x1 ⋅ x 2 şi x1 ⋅ x 2 . Tabelul 6.4. se constată că funcţia NICI reprezintă. Funcţia logică NICI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.5 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 Tabelul 6. Se remarcă faptul că funcţia are valoarea 1. x1 x2 y= x1 + x 2 Tabelul 6. iar în terminologia engleză NAND (Not –AND): x1 ↑ x 2 = x 1 ⋅ x 2 (6. fapt ce exclude posibilitatea de a fi adevărate simultan cele două alternative implicate în propoziţie.3. atunci când nici x1.8) x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 Din acest motiv. şi 6. iar în terminologia engleză este NOR (Not-OR). Comparând tabelele de adevăr 6. nici x2 nu sunt egale cu 1. funcţia SAU negată: (6.5. NUMAI.4.9) Observaţie: Şi în cazul funcţiilor NOR şi NAND. SAU EXCLUSIV etc.2 şi 6. adică: (6.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6. y = x1 ∩ x2 (6.7) Funcţiile logice NU.10) .4. SAU.5 rezultă că funcţia NUMAI se obţine prin negarea funcţiei ŞI.3 93 Figura 6. funcţia NICI se mai numeşte funcţie SAU-NU. Semnificaţia şi denumirea funcţiei este legată de interpretarea propoziţiilor de forma: “Maşina electrică funcţionează în regim de motor sau în regim de generator”. Funcţia logică SAU-EXCLUSIV a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1⊕x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. În conformitate cu tabelul de adevăr 6. simbolizarea disjuncţiei logice şi respectiv a conjuncţiei logice realizate cu două variabile (ca în exemplul de faţă) se poate face astfel: y =x1 ∪ x2 . adică se mai numeşte funcţia ŞI-NU.5.6 x1 x2 y= x1 ⋅ x 2 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 x1 x2 x1⊕x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 Din compararea tabelelor de adevăr 6. acestea se pot realiza cu n variabile binare. Uneori.6. de fapt. ŞI reprezintă funcţii elementare în algebra propoziţiilor. se mai utilizează şi alte funcţii logice (derivate).6. În afara acestora.

12) Transformările inverse. echivalente celor iniţiale. Verificarea acestor proprietăţi se poate face cu uşurinţă utilizând tabelele de adevăr ale funcţiilor logice elementare. SAU.94 Capitolul 6 6.8) şi (6.14) (6. utilizând relaţiile de definiţie (6. date în tabelul 6.7.7 Nr.7 permit exprimarea funcţiilor NICI. SAU. ŞI. Tabelul 6. la funcţiile NU.15) . se realizează astfel: x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 (6. se folosesc o serie de relaţii (proprietăţi) fundamentale. Relaţiile date în tabelul 6. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Proprietatea de idempotenţă Proprietatea de asociativitate Proprietatea de comutativitate Proprietatea de distributivitate Proprietatea de absorbţie Teoremele lui De Morgan Principiul contradicţiei Principiul terţului exclus Principiul dublei negaţii Denumirea relaţiei logice Proprietăţile constantelor logice 0 şi 1 x+0=x x ⋅0 = 0 x + 1 = 1 x ⋅1 = x x+x=x x⋅x=x (x1⋅x2)⋅x3 = x1⋅(x2⋅x3) (x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3) x1⋅x2 = x2⋅x1 x1+x2 = x2+x1 x1⋅(x2+x3) = (x1⋅x2)+(x1⋅x3) x1+(x2⋅x3) = (x1+x2)⋅(x1+x3) x1+x1⋅x2 = x1 x1⋅(x1+x2) = x1 x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x⋅ x =0 x+ x =1 x =x Astfel. însă cu o structură mai simplă. de la funcţiile NICI şi NUMAI.9) precum şi teoremele lui De Morgan rezultă: (6.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii Pentru transformarea unor expresii logice în altele. ŞI.13) (6. crt.11) x=x+x=x↓x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 (6. NUMAI şi SAU–EXCLUSIV prin intermediul funcţiilor elementare NU.

9 x 1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x 1 ↑ x 2 x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 x1 ↓ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 + x 2 = x1 ↑ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 În algebra propoziţiilor. ŞI. 6. Punctul static de funcţionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe dreapta de sarcină în M” (regim de saturaţie) – corespunzător unei tensiuni neglijabile în colector. Diodele semiconductoare se consideră ideale (cu rezistenţă internă nulă). .17) x = x⋅x = x↑ x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 (6. ea va fi asimilată cu un element conductor ideal (contact închis). numite circuite logice.High). .16) (6..Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 95 (6. . De asemenea. cât şi funcţia NUMAI pot juca rolul unui sistem complet de funcţii elementare.18) Relaţiile de transformare (6. căderea de tensiune pe tranzistor este mai mare decât la tranzistorul bipolar. Tranzistoarele utilizate în circuitele logice funcţionează în regim de comutaţie. Funcţiile logice se pot realiza şi cu ajutorul unor circuite electronice. Relaţiile (6. punctul static poate fi în poziţia M’ (regim de blocare).1 s-a arătat modul de realizare a funcţiilor logice elementare prin intermediul contactelor. ceea ce echivalează cu semnalul “1” logic..+ ε1 )V → L " 1" logic → (+ E − ε 2 .19) . SAU formează un sistem complet de funcţii. se consideră ca un izolator ideal (contact deschis).18) sunt sintetizate în tabelele recapitulative 6. funcţiile logice elementare NU. întrucât prin intermediul lor se poate exprima orice altă funcţie logică.8 şi 6. Tabelul 6.3 Circuite logice.. În mod similar se consideră şi tranzistoarele unipolare. iar dacă este polarizată invers. când tensiunea în colectorul tranzistorului este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare.13) … (6. în componenţa cărora intră diode şi tranzistoare. Regula de asociere: " 0" logic → (0.9.. .8 Tabelul 6. care lucrează în regim de comutaţie. cu deosebirea că în starea “0” logic (tranzistor saturat). Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice În § 6.18) arată că atât funcţia NICI. Dacă dioda este polarizată în sens direct. Valorilor logice ”0” şi ”1” li se asociază două niveluri de tensiuni electrice: nivel coborât (L -Low) şi nivel ridicat (H .13)…(6. E ) → H (6. ceea ce le oferă o importanţă deosebită în circuitele logice de comandă. ceea ce echivalează cu semnalul “0” logic.

bornele de intrare având potenţialul +E ( E ≥ E1 ). realizat cu diode. . În mod similar rezultă y = 0 când x1 = 0. x2 = 1.9. Funcţionarea acestui circuit este următoarea: dacă x1 = 0. respectiv ŞI. circuitele logice conţineau componente discrete. tensiunea de intrare ux este egală cu 0 V. În figura 6. x2 = 0. E şi tranzistorul lucrează în saturaţie. respectiv 6.7 este dată schema unui circuit SAU cu diode. în logică pozitivă este dată în figura 6. lucrând în logica pozitivă.7. deci y = 0. E. la ieşire se obţine o tensiune uy = 0 V. Circuit logic NU Figura 6.6 este dată schema unui circuit logic NU (logică pozitivă). . de exemplu.. Dacă x1 = 1 şi x2 = 0. tranzistorul este blocat.−ε1 ) V → L (6.. intrările sunt conectate la potenţialul bornei comune şi diodele D1. astfel încât y = 1. dioda D1 conduce.96 Capitolul 6 în care ε1 şi ε2 sunt toleranţe admise. respectiv D1 şi D2. ambele diode sunt blocate (având semnal pozitiv la catozi). ca de exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp. circuitele logice se pot realiza utilizând componente discrete sau sub formă de circuite integrate. . deci y = 1. În alte situaţii. corespunde logicii pozitive şi se aplică. deci la ieşire se obţine uy. rezistoare şi tranzistoare) se obţin prin conectarea în serie a circuitului SAU. Atunci când x1 = 1 şi x2 = 1. deci y = 0. conduce dioda D2. respectiv circuitul ŞI-NU (NAND) realizate cu ajutorul componentelor discrete (diode.8. Schemele acestor circuite. În primele variante constructive. funcţionarea este similară. cu circuitul NU. tensiunea de intrare este ux. Dacă x1 = 0 şi x2 = 0. adică y = 1. sunt date în figurile 6. . adică tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V. iar D1 este blocată. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe dioda D2. respectiv D2 conduc. căreia îi corespunde regula de asociere: " 0" logic → (0. deci rezultă y ≅ 0.. baza este negativată (prin sursa –Eb). Dacă x = 1. deci y = 0.6. Dacă x = 0.− E ) → H Figura 6.20) Sub aspect tehnologic. precum şi simbolizarea lor. dacă x1 = 1. adică ≅ 0V. la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn. D2 este blocată şi tensiunea de ieşire este egală cu cea de la prima intrare. " l" logic → (− E + ε 2 . se adoptă logica negativă. iar la ieşire rezultă semnal logic y = 1. Circuit SAU Figura 6. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe diodele care conduc. Schema unui circuit ŞI cu două intrări. toate punctele circuitului se vor afla la potenţial nul. x2 = 0. atunci când x1 = 0.10. Circuit ŞI Circuitele SAU-NU (NOR). .. conducând D2. În figura 6. x2 = 1 sau x1 = 1 şi x2 = 1.8.

realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS.TTL) În prezent circuitele logice se realizează aproape în exclusivitate sub formă de circuite integrate. conectate la bazele tranzistoarelor bipolare. a cărui schemă este dată în figura 6. Circuitele TTL (Transistor.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND . în ordinea în care s-au succedat. Circuitele RTL şi DTL având performanţe reduse. tipurile: RTL. Astfel curentul i în colectorul lui T1 este neglijabil. adică intrarea respectivă se leagă la masă. TTL. DTL. Circuit ŞI-NU (NAND) 6. Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similară circuitelor cu componente discrete. Tranzistorul de intrare. HLL şi I2L. T1. în care se utilizează tranzistoare bipolare.10. este de tip multiemitor. potenţialul bazei este practic egal cu 0V iar joncţiunea bazăcolector nu conduce. Dacă la una dintre intrări se aplică tensiunea 0V.11. La realizarea CLI bipolare s-au adoptat mai multe tipuri de structuri de bază. joncţiunea bază-emitor respectivă conduce. adică are o joncţiune bazăcolector şi mai multe joncţiuni bază-emitor.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 97 Figura 6. Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrările prin rezistenţe. circuitele logice integrate (CLI) se clasifică în: CLI bipolare. şi CLI-MOS. Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul ŞI-NU. în prezent nu mai sunt utilizate.Transistor-Logic) sunt în prezent cele mai utilizate CLI.9. Circuit SAU-NU (NOR) gura 6. . După tehnologia utilizată. dintre care menţionăm.

deci şi acest tranzistor este blocat. stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea în saturaţie a tranzistorului T2. valorile tensiunilor pentru ”0” logic şi ”1” sunt: VH 0. potenţialul bazei tranzistorului T4 este practic egal cu 0V. Figura 6.5 V pentru y=”1” logic Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V şi 5V.12. Întrucât T3 se comportă ca un contact deschis. care determină saturarea tranzistorului T4. Observaţii: Când ieşirea este ”1” logic (y = 1). iar T4 ca un contact închis. Deci. 1 2 Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este prezentată în figura 6. Ca urmare. deoarece tensiunea bază-emitor aplicată acestuia este neglijabilă. potenţialul colectorului acestui tranzistor (T4). adică potenţialul bornei de ieşire este practic egal cu +E. generând curentul de sarcină. Dacă la toate intrările se aplică tensiunea +E. Dioda D este conectată între tranzistorele T3 şi T4 din motive tehnologice. În acelaşi timp tranzistorul T3 este blocat. întrucât T3 este în conducţie (saturat). în această situaţie.4 V pentru y=”0” logic VH 3. iar curentul prin sarcina conectată la ieşire este asigurat de tranzistorul T3 care este în saturaţie. se asigură o cădere de tensiune pe rezistenţa RE. tensiunea de ieşire este 0V. Practic.98 Capitolul 6 Figura 6. cât şi în situaţiile când mai multe intrări au tensiunea de 0V.12. . Curentul iE2 fiind mare. tranzistorul T3 se comportă ca un repetor pe emitor. joncţiunile bazăemitor ale tranzistorului T1 nu conduc. deci y = 0.11. tensiunea de ieşire este practic +E. Circuit ŞI-NU (NAND) TTL Tranzistorul T2 este blocat şi întrucât iE2 = 0. însă va conduce joncţiunea bază-colector.

tensiunea colector-emitor când T3 este saturat.1. Figura 6. adică VIA sau VIB au valoarea „1” logic (+E volţi).) − VCE (T4 − sat.) − VD R C3 (6. atunci când T1 şi T’1 sunt saturate.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 99 Observaţie: În timpul funcţionării (la trecerea din starea ”0” logic în starea ”1” logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor T3 şi T4. T2 şi T’1. Astfel T3 îl ”surprinde” pe T4 în conducţie.) − VD (6.21) VD – este căderea de tensiune pe dioda D. Expresia curentului maxim de impuls în colector (ICC-max) la ieşirea porţii TTL este: I CC − max = unde: VCC − VCE (T3 − sat. . Perechile de tranzistoare T1. b) Dacă T2 şi T’2 sunt blocate.22) 6. la ieşire se obţine V0=”1” logic (+E volţi).) .13. ce are schema electrică prezentată în figura 6. Deci la ieşirea F se obţine V0=”0” logic.4. deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat. Funcţionarea este următoarea: a) Dacă T2 sau T’2 este saturat. T’2 formează două etaje de intrare conectate în paralel pe rezistoarele R2 şi R3. într-un interval de timp foarte scurt (de ordinul microsecundelor). Observaţie: T2 sau T’2 sunt saturate dacă T1 sau T’1 sunt blocate. iar T4 este blocat. VCE (T3 − sat. Poarta TTL (NOR) Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizează funcţia logică F ="1" = V0 = A + B = A ⋅ B . Poarta logică integrată NOR (SAU-NU) În cele ce urmează se prezintă poarta integrată NOR (SAU-NU) realizată cu numai 2 (două) intrări.tensiunea colector-emitor când T4 este saturat. atunci tranzistorul T3 va fi saturat.13. În starea ”1” logic tensiunea VH la ieşirea porţii TTL este: VCE (T4 − sat. când acesta ar trebui să fie deja blocat. VH = VCC − VCE (T3 − sat. Cauza conducţiei simultane este aceea că T3 comută mai rapid în conducţie decât comută T4 în starea de blocare.) .

iar mărimile de ieşire sunt variabile binare dependente.). . contacte ale unor relee din alte scheme de comandă etc.elemente de intrare: U1.ansamblul elementelor de comandă (contacte sau circuite logice). Circuitele logice combinaţionale sunt descrise prin ecuaţii ieşire-intrare de forma: y1 = f1 (u1. . u m ) (6. reprezentând contacte de butoane şi de limitatoare de cursă. u 2 . .1 Noţiuni generale Fie un circuit de comandă (figura 6. îi corespunde în mod univoc o anumită situaţie a elementelor de ieşire. y2... lămpi de semnalizare etc. Yr. În privinţa circuitelor logice combinaţionale se pot formula două categorii de probleme: . caracterizat prin următoarele elemente: . u2. unei situaţii date a elementelor de intrare (acţionate sau neacţionate). u 2 . .. Cu alte cuvinte.. u 2 ..elemente de ieşire: Y1. 6. b) Simbolizarea circuitului combinaţional Asociind elementelor de intrare-ieşire variabile binare. iar y1. ale căror structuri sunt cunoscute. Circuitele logice combinaţionale sunt acele circuite de comandă la care setul mărimilor de ieşire. a) Circuit combinaţional. în orice moment. este determinat în mod univoc de o combinaţie dată a mărimilor de intrare. …. U2. notate cu litere mici. …. um se numesc mărimi de intrare.).14-a). La ieşirea F se obţine ”0” logic dacă una dintre intrări (sau ambele) au nivel de tensiune ”1” logic. …. înfăşurări ale robinetelor electromagnetice.23) în care f1(. Mărimile de intrare sunt variabile binare independente. reprezentând înfăşurări de relee şi/sau contactoare... u m ) M y 2 = f 2 (u1.14-b. Figura 6..5.. …. schema de comandă se poate reprezenta ca în figura 6. adică funcţii în care variabilele logice sunt legate prin operaţiile din algebra logicii.. fr(. u m ) M y r = f r (u1.) sunt funcţii booleene. în care u1. în momentul considerat.5 Circuite logice combinaţionale 6. yr – mărimi de ieşire.14. Y2. .. f2(. . Um.100 Capitolul 6 când ambele intrări sunt legate la masă.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale
analiza circuitelor logice combinaţionale; sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaţionale.

101

6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
Într-o problemă de analiză se dă structura circuitului combinaţional, starea elementelor de intrare (dacă sunt acţionate sau nu) şi se cere starea elementelor de ieşire. O problemă de analiză, de tipul celei formulate, se rezolvă în trei etape: • pornind de la schema circuitului combinaţional, se asociază variabile binare elementelor fizice de intrare-ieşire şi se scrie funcţia logică corespunzătoare schemei date; • se înlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, după starea elementelor de intrare respective; • se evaluează expresia logică, deteminând variabila dependentă (mărimea de ieşire): dacă aceasta este 1, elementul de ieşire este acţionat, iar dacă expresia logică are valoarea 0, elementul de ieşire este neacţionat.

Figura 6.15. Schema de comandă cu releu şi contacte

Figura 6.16. Schema de comandă echivalentă schemei din figura 6.22

Vom ilustra procedura descrisă prin intermediul schemei de comandă cu relee şi contacte dată în figura 6.15. Aici, U1, U2 şi U3 sunt contacte normal deschise şi normal închise ale unor elemente de comandă, limitatoare de cursă etc. Aşa cum s-a arătat în § 6.1, contactelor normal deschise li se asociază variabile binare, notate cu litere mici fără bară de negare, iar contactelor normal închise li se asociază variabile binare negate (cu bară de negare). Acţionarea unui contact normal închis reprezintă deschiderea sa. Asociind o variabilă binară, y, elementului de ieşire, Y, schema de comandă poate fi reprezentată ca în figura 6.16. Cunoscând realizarea funcţiilor logice elementare utilizând contacte, variabila de ieşire y (figura 6.16) se poate exprima cu uşurinţă prin intermediul variabilelor de intrare u1, u2 şi u3:

y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u 1 3

(6.24)

Presupunem că, în cadrul problemei de analiză, se cere starea elementului de ieşire atunci când U1 şi U2 sunt acţionate iar U3 este neacţionat. Punând în expresia (6.24) u1 = u2 = 1 şi u3 = 0, se obţine:

y = (1 ⋅ 1 ⋅ 0 + 1 ⋅ 1 ⋅ 0) ⋅ 1 + (1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1) ⋅ 0 = 1
deci elementul de ieşire este acţionat. Formularea problemelor de analiză a schemelor combinaţionale poate fi completată în sensul determinării unei scheme de comandă mai simplă, însă echivalentă cu cea iniţială, sau al stabilirii unei scheme de comandă cu aceleaşi funcţiuni, însă realizată prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvările

102

Capitolul 6

acestor completări din formularea problemelor de analiză constituie, în acelaşi timp, soluţii ale unor etape din procedura de sinteză (proiectare) a schemelor combinaţionale. Fie schema de comandă din figura 6.15. Se cere o schemă echivalentă cu aceasta, însă mai simplă, adică realizată cu un număr mai mic de elemente. Pentru simplificarea schemei de comandă se procedează la minimizarea funcţiei booleene (6.24), adică la aducerea acesteia la o formă cât mai simplă. Utilizând relaţiile fundamentale din algebra booleană, se obţine:

(6.25) Ţinând seama de proprietăţile de idempotenţă, terţ exclus şi contradicţie, din ultima expresie se obţine: (6.26) y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 Mărimea de ieşire (y) s-a exprimat printr-o disjuncţie a unor conjuncţii logice. Funcţia booleană corespunzătoare se exprimă în forma canonică disjunctivă. Constituenţii disjuncţiei se numesc mintermeni. Pentru obţinerea formei canonice disjunctive minimale se pot utiliza mai multe metode: a) metoda alipirilor (metoda grupărilor); b) metoda diagramelor Karnaugh; c) algoritmul Quine-McCluskey. Dacă numărul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomandă metodele b sau c. Pentru exemplul anterior, având în vedere numărul redus de mintermeni, vom utiliza metoda grupărilor. Termenii vor fi grupaţi câte doi, astfel încât fiecare pereche să aibă numai un singur termen diferit în conjuncţiile respective. Astfel, primii doi mintermeni se pot grupa având u 2 u 3 ca parte comună în conjuncţii. La fel, primul şi al treilea, se pot grupa având u 1 u 3 ca parte comună. Pentru a nu rămâne un mintermen necuplat, în expresia (6.25) se adaugă în disjuncţie mintermenul existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilalţi doi):

y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3
Această expresie este

(6.27)

identică cu cea precedentă, deoarece u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietăţii de idempotenţă. Grupând primii doi mintermeni, precum şi următorii doi, din relaţia 6.27, prin utilizarea proprietăţii de distributivitate se obţine: y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28) şi, deoarece u1 + u1 = 1 şi u 2 + u 2 = 1, în conformitate cu principiul terţului exclus rezultă forma minimală a funcţiei logice: y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29) Se constată cu uşurinţă că funcţia booleană în forma canonică minimaldisjunctivă nu se poate simplifica mai mult. Forma minimală a funcţiei booleene se prezintă ca o disjuncţie a unor termeni numiţi implicanţi primi ai funcţiei. Deci, în esenţă, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funcţiei logice iniţiale se reduce la deducerea implicanţilor primi ai acesteia. Corespunzător ecuaţiei (6.29) se poate desena schema de comandă minimală din figura 6.17, echivalentă cu schema iniţială din figura 6.15.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale

103

Realizarea cu circuite logice NU, ŞI, SAU a circuitului de comandă corespunzător funcţiei logice (6.29), se face prin schema dată în figura 6.18. Dacă se pune problema deducerii unei scheme de comandă realizată cu elemente NAND, se transformă funcţia (6.29) după cum urmează:

y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) ↑ (u1 u 3 ) = (u 2 ↑ u 3 ) ↑ (u 1 ↑ u 3 )

(6.30)

Utilizând module NAND cu două intrări, rezultă schema circuitului de comandă din figura 6.19.

Figura 6.17. Schema de comandă minimală echivalentă schemei din figura 6.15

Figura 6.18. Schema echivalentă a realizată funcţiei logice (6.28)

Figura 6.19. Schema echivalentă a funcţiei logice (6.28) cu module NAND

6.6 Circuite logice secvenţiale
Aşa cum s-a arătat în § 6.5.1 mărimile de ieşire ale unui circuit combinaţional sunt determinate univoc, în orice moment, de mărimile de intrare din momentul respectiv. În cazul circuitelor logice secvenţiale, mărimile de ieşire la momentul k, k k k notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mărimile de intrare k k k u1 , u 2 ,..., u m , ci şi de starea internă a circuitului din momentul anterior, k −1 k −1 k −1 (figura 6.20). caracterizată prin mărimile de stare x1 , x 2 , ... , x n Variabilele de stare descriu evoluţia (istoria) circuitului, în sensul că la momentul k ele depind atât de valorile anterioare, din momentul k–1, cât şi de mărimile de intrare ale circuitului. Din cele menţionate rezultă că un circuit logic secvenţial este caracterizat de două seturi de ecuaţii: ecuaţiile de stare şi ecuaţiile de ieşire. Ecuaţiile de stare leagă mărimile de stare din momentul k, de mărimile de stare din momentul anterior, k–1, şi de mărimile de intrare. Ele pot avea două forme:

notate convenţional prin 0 şi 1. Se constată că s-a eliminat combinaţia (1. u m ) Figura 6. x n k −1 ... la care corespunde tabelul 6. . circuitul secvenţial se poate afla în 2 stări (n este numărul variabilelor de intrare). r. Fie un circuit elementar cu două intrări u1. la fel ca şi cele de intrare-ieşire. mărimile de stare şi mărimile de intrare ale acestuia. Circuit logic secvenţial.33) y j = g j ( x1 . .1) a variabilelor de intrare. u2 şi o ieşire y = x. obţinându-se – în esenţă – clasa circuitelor basculante (triggere). u1 ... . . Ecuaţiile de ieşire exprimă legătura dintre mărimile de ieşire ale circuitului secvenţial.. . n..31) k −1 sau k unde i =1. x n . sub acţiunea mărimilor de intrare.10 de tranziţie a stărilor..1 Circuite secvenţiale elementare În cele ce urmează se vor considera câteva circuite secvenţiale cu numai două stări. x. Ecuaţia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziţie a stărilor. 6. Circuitele logice secvenţiale se încadrează în categoria generală de sisteme dinamice. u1 .. după cum mărimile de intrare se consideră în momentul k..20.. ele se mai numesc automate finite. .6.104 Capitolul 6 k k −1 k −1 k −1 k k x i = f i ( x1 .21..32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare în alta. având particularitatea că au un număr finit de stări. având diagrama de tranziţie a stărilor din figura 6. În cazul general. Tranziţia stărilor se face sub acţiunea unor semnale de intrare. . Variabilele de stare sunt. x n . u m ) unde x i = f i ( x1 k −1 .. x 2 . Este evident că cele două stări pot fi codificate printr-o singură variabilă de stare binară. respectiv în momentul k – 1. Din acest motiv ele se mai numesc ecuaţii de tranziţie a stărilor. sub acţiunea semnalelor de intrare. Ecuaţiile (6.. . x 2 . variabilele din circuit (6. . realizate într-o formă specifică. variabile binare. u m ) (6.. 2. . u 2 . ecuaţiile de ieşire ale unui circuit secvenţial sunt de forma: k k k k k k k (6. . care ilustrează grafic modul cum se realizează trecerea dintr-o stare în alta.... x2 k −1 . n Deci. iar j = 1.32) g(·) sunt funcţii logice cunoscute. . 2. . .31) şi (6. . Din acest motiv.. u1 k −1 .

10 105 Figura 6.34) Se minimizează funcţia logică utilizând metoda grupărilor (1-3) şi (2-3): k k −1 ⎞ ⎛ k k⎞ ⎛ k k ⎞ ⎛ k −1 ⎛ k k −1 ⎞ + ⎛ u k ⋅ u k ⎞ + x k −1 ⎞ xk = ⎛ ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⋅ ⎜ u1 + u1 ⎟ + ⎜ u 2 ⋅ u1 ⎟ ⋅ ⎜ x ⎟ = ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⎜ 2 1⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ sau k k (6.35) reprezintă funcţia logică minimizată. este necesar să se aplice operaţia de dublă negaţie peste funcţia (6.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6.37) ⎟ . pe baza notaţiilor anterioare s-a obţinut expresia x k = m ⋅ n care arată că funcţia dorită x k = m ⋅ n . considerând variabila u1k borna S (set = inscriere).37) este dată în figura 6. ⎝ ⎠ Această realaţie satisface expresia unei funcţii logice NAND (SI . Pentru aceasta se aplică proprietatea dublei negaţii şi una din teoremele lui De Morgan. funcţiei din paranteză.35) se transformă într-o expresie de forma ( ) x k = m ⋅ n . Schema circuitului ce corespunde ecuaţiei (6.36) şi rezultă: k ⎛ k ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎞ x k = u2 (6. şi se obţine: ⎞ ⎞ k ⎛ k k ⎛ k x k = u2 (6. . Prin redesenarea ei. cerută de proprietatea dublei negaţii. iar variabila u2k borna R (reset = ştergere) se obţine bistabilul S–R cu elemente NAND reprezent ca în figura 6. Ultima relaţie (6.35) x k = x2 u1 + x k −1 .21.36). va mai suporta o operaţie suplimentară de negare.NU) deoarece. dar pentru a nu schimba valoarea funcţiei x k . Dacă se impune realizarea circuitului de comandă cu elemente (module) NAND funcţia logică minimizată (6.22-b.36) ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ ⋅ ⎜ u1 + x k −1 ⎟ = u 2 ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎛ k k −1 ⎞ k şi m = ⎜ u1 Notând (convenţional) n = u 2 ⋅x ⎟ se observă că pentru a ⎝ ⎠ obţine expresia unei funcţii de forma x k = m ⋅ n este necesară operaţia de negare peste întreaga funcţie (6.22-a. Diagrama de tranziţie a unui circuit secvenţial elementar Ecuaţia de stare a circuitului este: k k k k −1 k k k −1 k k k −1 x = ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + (u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) (6.

c – simbolizarea. b) Schema de comandă din figura 6. dacă implicit se consideră echivalente notaţiile: xk-1 ≡ yk-1 şi xk ≡ yk Schema electrică simplificată pentru comanda pornirii şi opririi unui motor asincron trifazat.23.1) (combinaţia (0. funcţionează conform diagramei de lucru din figura 6. Diagrama de tranziţie a bistabilului din figura 6.25-b.10 şi respectiv diagramei de tranziţie a stărilor din figura 6. se obţine bistabilul din figura 6.1) este eliminată.0) este interzisă). Cele trei situaţii în care motorul este pornit. Circuitul secvenţial prezentat are o funcţionare asincronă.24.23 Un exemplu de circuit secvenţial asincron cu două intrări.25-a.10. la care diagrama de stare este dată în figura 6. bascularea dintr-o stare în alta se face prin aplicarea semnalului logic 0 la una din intrări. Figura 6. prezentată în figura 6. iar motorul rămâne . Bistabil SR comandat prin semnal logic zero Figura 6. deci când y = 1 k (prezentate în tabelul de trantziţie 6. Dacă se elimină circuitele NU de la intrările S şi R ale elementelor NAND din figura 6. Observaţii: a) Comanda (1.25-b. circuitul rămânând în starea în care se afla.23. ci şi de starea anterioară (pornit-oprit) a motorului k-1 k notată prin y . întrucât acţionarea simultană a butoanelor BP şi BO este fără sens (motorul nu ar porni). adică numai atunci când contactele sale normal-deschise (y) se vor k închide.22.25-b) sunt identice cu stările x = 1. Se observă că motorul este alimentat de la reţeaua trifazată numai dacă contactorul Y este anclanşat.22.21. Diagrama de funcţionare a acestei scheme de comandă. Cu alte cuvinte. întrucât prin butonul BP se înscrie comanda de pornire. din tabelul de tranziţie anterior 6. În acest caz starea curentă (y ) are valoarea ”1” logic.10. b.24. este echivalentă tabelului de tranziţie a stărilor 6. îl reprezintă schema electrică de comandă (pornire-oprire) a unui motor asincron trifazat. Starea curentă a k k motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 şi u 2 ) date prin butoanele de pornire şi oprire. atunci când combinaţia de intrare este (1. Bistabil SR cu elemente ŞI–NU: a şi b – structura.25-a reprezintă o celulă de memorie. a cărui funcţionare corespunde tabelului de tranziţie 6. ilustrată în figura 6.106 Capitolul 6 (a) (b) (c) Figura 6.

23.a. astfel încât se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic în starea 1 logic). adică T = 0.sclav). în sensul că îl subordonează pe al doilea (slave . Circuitul secvenţial de tip Master-Slave O categorie importantă de bistabile o formează cele cu structură stăpân-sclav (master–slave).0) – la schema din figura 6.23). bistabilul rămâne în starea în care se afla. În mod similar. Schema bistabilului S-T-R: a .26.1) la intrare (combinaţia (0. Circuitul încadrat este un bistabil de tipul celui din figura 6.2.25 Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) într-un automat sincron se utilizează schema din figura 6. a cărui basculare este comandată prin semnal “0” logic. R = 0) rezultă V1 = 0 şi V2 = 1. Figura 6. Diagramă de tranziţie a stărilor În circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaţiei (1. Când nu se aplică semnalul de tact. revenirea în starea 0 se produce numai la aplicarea impulsului de tact (T= 1).23. Circuitul secvenţial din figura 6. Semnalele de comandă se aplică prin bornele S (set) şi R . 6. pentru S = 0 şi R = 1. Figura 6. b.structura. rezultă V1 = 1 şi V2 = 1.simbolizarea Figura 6.26.26 se numeşte bistabil S–T–R.28 se prezintă schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de tip SRT.stăpân). unde T este intrarea de tact. Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND.6. prezentat în figura 6. În figura 6. S = 1. Ele sunt formate din două circuite basculante conectate în cascadă: primul are funcţia de comandă (master .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 107 pornit (comanda este memorată) până când se acţionează butonul BO (pentru ştergerea memoriei). Aplicarea semnalelor S = 1. R = 0 nu influenţează starea bistabilului decât atunci când se aplică semnalul de tact. de exemplu starea 0.27. În acest caz (T= 1.

Semnalele logice V3 şi V4 de la ieşirea porţilor de transfer reprezintă informaţia de intrare în bistabilul S. P2 sunt deschise permiţând transferul informaţiei în M.29. Între bistabilul M şi bistabilul S se află porţile de transfer P3 şi P4 de tip NAND. pe frontul posterior al impulsului de tact.108 Capitolul 6 (reset) unor porţi logice de intrare P1 şi P2. P4 se blochează. deci M este izolat faţă de intrare. izolând M faţă de S. P4 nu s-au deschis încă. iar S este izolat faţă de M. iar P3. iar bistabilul S (Slave) este izolat faţă de Master. de tip NAND. 3. iar porţile P3. 2. P2 sunt încă închise. La ieşirile porţilor P1 şi P2 se obţin semnalele logice (potenţialele) V1 şi V2 care reprezintă informaţia aplicată la intrarea bistabilului M. Pe porţiunea 1-2. porţile P1.29 Funcţionare: 1. P2 se închid. Figura 6. iar porţile de transfer P3. porţile P1. Funcţionarea bistabilului Master-Slave pe o perioadă a impulsului de tact real (trapezoidal) se explică utilizând diagramele de semnale din figura 6. Porţile de intrare (P1 şi P2) sunt comandate (activate). Pe porţiunea 2-3. prin semnalul de tact T. Deci bistabilul M (Master) este izolat faţă de intrare. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK ) sugerând că informaţia apare la ieşirea bistabilului. în antifază faţă de porţile de transfer (P3 şi P4) datorită circuitului inversor (CI) care este un circuit de tip NU. Pe porţiunea 3-4. P4 sunt închise. Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND. . porţile P1.28 Figura 6.

Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare în cazurile: a) circuite logice ? b) circuite de amplificare ? 4. A – neacţionat. cu module SI . Care este diferenţa (funcţională) între un C. Schema de comandă pentru acţionarea unui utliaj are trei elemente de comandă U1. care trebuie să fie acţionat numai in următoarele situaţii: sunt acţionate Ul . C acţionate. Se cere schema logică de comandă. Y. P4 sunt deschise. 3. iar porţile P3. A. U3 şi un element de execuţie Y.L. Observaţii: ƒ CBB – Master-Slave elimină posibilitatea tranziţiilor asincrone (necontrolate) la ieşire. Care este expresia (şi cauza apariţiei) curentului de impuls (IC MAX) în cazul porţii logice NAND (TTL) ? 3. Cum se realizează practic condiţia de semnal logic “0” (zero) în cazul circuitului “SI” ? 2. NU. porţile P1. U2.NU . NU. Întrebări şi probleme 1. U 3 nu sunt acţionate U3 U 1 .C. U3 U2 U2 . B – acţionate. NU . P2 sunt închise şi nu permit intrarea informaţiei în M. deci informaţia trece din M în S şi apare la ieşirea Q. U2.L. cu circuite (module) SI. U3 Ul U1 . şi un circuit C.7. Se dau funcţiile logice: Să se arate că: y1 = y2. 6. este necesar ca aceasta să nu-şi modifice valoarea în intervalele de tranziţie (1-2) şi (3-4) ale impulsului de tact. U2 . C – neacţionat. Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comandă (de intrare) U1. U3 şi a unui element de execuţie. SAU. – (circuit logic secvenţial) ? Probleme: 1.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 109 4. U 3 - - Să se deducă schema de comandă în următoarele variante constructive: cu contacte. cu module SAU . deoarece în acest circuit s-a eliminat transparenţa intrărilor de date.NU .NU). U2 Ul . care să acţioneze elementul de execuţie Y numai în următoarele situaţii: 1) B acţionat . U 2 . 2. C – neacţionate. 3) A. Pe porţiunea 4-5.S. 2) B. realizată cu circuite NAND (ŞI . ƒ Pentru ca informaţia să se înscrie fără erori.

Acest circuit se mai numeşte latch (în limba engleză având semnificaţia de zăvor.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH Conectând două porţi logice NAND conform schemei din figura 7.1.2-a se observă că la închiderea contactului K tensiunea pe rezistenţa de sarcină (URs ) se stabilizează la valoarea E după un regim tranzitoriu oscilant.1 Circuite LATCH 7. Una dintre aplicaţiile circuitului latch serveşte la eliminarea oscilaţiilor de tensiune ce apar la închiderea contactelor electrice acţionate manual prin butoane. dar în practică se foloseşte reprezentarea din figura 7.2-b.1-a evidenţiază faptul că circuitul latch are o singură reacţie.CAPITOLUL 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 7.1.1-b. încuietoare). Dacă se utilizează un circuit latch. iar activarea lui R prin ”0” logic produce resetarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”0” logic. ilustrat în figura 7. determină poziţionarea ieşirilor Q . activarea lui S prin ”0” logic produce setarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”1” logic). Schema din figura 7. Circuitul latch memorează tranziţia lui poziţionarea ieşirilor S în ”0” logic prin QQ în 10. Schema logică a circuitului latch (b) Cele două scheme din figura 7.1 se obţine un circuit bistabil care memorează evenimentul marcat prin tranziţia temporară a unei intrări în ”0” logic.1 sunt identice.3-a. În mod asemănător. Deci ieşirile Q şi Q sunt complementare. (a) Figura 7. tranziţia lui R în ”0” logic Q în 01. ca în figura 7. În figura 7.

Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieşiri este ilustrat în figura 7. Dacă aplicaţia ”C” este injectivă. se poate realiza decodificarea.4. la care activarea unei intrări determină apariţia unui cuvânt de cod pe ieşire.4: Figura 7. Figura 7.C. Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod. • Codificatoarele sunt C. adică reconstituirea mesajului iniţial.3 Astfel. semnalul de comandă la ieşirea Q va avea o valoare constantă şi fără oscilaţii care ar putea deranja funcţionarea altor circuite ce utilizează acest semnal (numărătoare. 7.L.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 111 atunci tensiunea la ieşirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentată în figura 7.3-b. circuite te tip Master-Slave etc).2 Codificatoare şi decodificatoare Se numeşte COD o regulă ce descrie o aplicaţie ”C” a unei mulţimi de semne în altă mulţime de semne. Codificator cu patru ieşiri .2 Figura 7.

C. În cazul general. Figura 7.112 Capitolul 7 • În funcţionarea codificatorului menţionat se disting două situaţii: a) Dacă se activează intrarea IK (la nivel logic ”H”). Y0 = A 0 ⋅ A1 ⎫ ⎪ Y1 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ ⎬ Y2 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ Y3 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎭ (7.5.1) se elaborează schema logică a decodificatorului de adresă cu 4 ieşiri (figura 7. atunci pe ieşirile paralele apare cuvântul de cod: 1101. decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrări şi 2n ieşiri distincte. al cărui tabel de funcţionare (figura 7.6.6). Decodificator de adresă cu patru ieşiri . prezentat în figura 7. Figura 7. Decodificarea este necesară în următoarele operaţii: − adresarea memoriilor − afişarea numerică − multiplexarea datelor etc.1) Pe baza relaţiilor (7. Exemplu: Se consideră decodificatorul cu două intrări (n = 2) şi 2n ieşiri (4 ieşiri) distincte. Decodificator cu două intrări: a)schema bloc. b) tabelul de adevăr. Decodificatoare sunt C. b) Dacă se activează intrarea IJ (cu nivelul ”H”) pe ieşirile paralele se obţine cuvântul de cod: 1110. care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de cuvântul de cod aplicat la intrare.5-b) serveşte scrierii funcţiilor logice corespunzătoare.L.5-a.

b) schema logică. Multiplexor cu patru intrări şi o ieşire: a) schema bloc. Selectarea ieşirii se face printr-un cuvânt de cod – numit adresă. E H L L L L L L L L A1 X L L L L H H H H A0 X L L H H L L H H I0 X H L X X X X X X I1 X X X H L X X X X I2 X X X X X H L X X I3 X X X X X X X H L Y L H L H L H L H L Stare circuit → circuit blocat → I0 selectat → I1 selectat → I2 selectat → I3 selectat Figura 7. Selecţia intrării se face printr-un cod binar (adresă) aplicat pe intrările de selecţie A0 şi A1.7-a.7-a. . schema logică fiind prezentată în figura 7. X = valoare logică oarecare Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comună pe una din ieşirile selectate.3 Circuite de multiplexare (MUX) şi demultiplexare (DEMUX) Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaţionale (CLC) care permit trecerea datelor de la una dintre intrări spre o ieşire unică.7-b. funcţionarea multiplexorului. Pentru adresarea celor patru intrări sunt necesari 2 biţi.8.7. sau nu. Observaţie: Porţile de intrare sunt prevăzute cu o intrare suplimentară comună ( E ) = Enable care autorizează. Figura 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 113 7.7-a funcţionează conform tabelului logic 7.8. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7. Schema bloc a unui multiplexor cu patru intrări şi o ieşire este prezentată în figura 7. Multiplexorul prezentat în figura 7.

Schema logică a demultiplexorului cu două ieşiri (realizată conform tabelului 7.114 Capitolul 7 Demultiplexorul cu două ieşiri.9-a. Numărător binar cu patru biţi: a) schema de principiu. permite comutarea fluxului de date de pe intrarea comună (I). Figura 7.10. este ilustrată în diagrama din figura 7.9-b.9-b) este dată în figura 7. c) schema a unui demultiplexor cu patru ieşiri. b) tabelul de adevăr.10-a. la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie numărate. figura 7. iar funcţionarea acestuia.9.9-c. Figura 7. . Demultiplexor cu două ieşiri: a) schema bloc.10-b. 7. conform tabelului de funcţionare 7. b) diagrama impulsurilor. fie pe ieşirea Y0 (dacă A = 0) fie pe ieşirea Y1 (dacă A = 1).4 Numărătoare electronice Schema unui numărător binar cu 4 biţi este dată în figura 7.

. . Spre deosebire de schema anterioară.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale Nr. Dacă se utilizează ieşirile Q pentru legarea triggerelor în cascadă (figura 7.b). impuls Q1 Q2 Q3 Q4 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2 0 1 0 0 3 1 1 0 0 4 0 0 1 0 5 1 0 1 0 6 0 1 1 0 7 1 1 1 0 8 0 0 0 1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .c). . frontul de basculare 1 → 0 al ieşirii Q produce tranziţia stării triggerului următor şi se obţine diagrama de semnal din figura 7... 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 . la intrările calculatorului de proces se utilizează convertoare de tip A-N (analog-numerice). Tabel lohgic al numărotzorului binar (drirect) cu 4 biţi Se constată că după aplicarea a N impulsuri. Numărător binar invers cu patru biţi: a) schema de principiu.. adică la fiecare impuls aplicat la intrare... Pentru conversia semnalelor analogice (achiziţionate dintr-un proces tehnologic) în semnale numerice.11. care se găsesc în interfaţa de intrare.. 7.. în acest caz rezultă numărarea inversă a impulsurilor.11-a). numărul înregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura 7.5 Convertoare Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezintă elementele de bază ale interfeţelor de proces în sistemele numerice de reglare.11-b. când s-a obţinut numărarea directă în binar.. 115 Figura 7. . stările triggerelor indică valoarea numerică a lui N. . în baza 2 (tabelul din figura 7.11.10 – c.. b) diagrama impulsurilor. Figura 7.10 .

UC . Conţinutul informaţiei din N2 reprezintă valoarea binară a tensiunii de intrare (Ux). unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub formă de impulsuri codificate. I este curentul de încărcare al condensatorului care generează rampa.. . impulsurile de tact sunt numărate de N2. fiind convertor indirect. 2..2) ΔT’ este timpul de conversie egal cu NT.116 Capitolul 7 Semnalele numerice elaborate la ieşirea calculatorului de proces pe baza unui algoritm de reglare şi/sau conducere. Figura 7. din (7. Deci: unde: UC = I ⋅ ΔT ' = UX C (7. T fiind perioada impulsurilor.12 este dată schema de principiu a unui CAN . n}. întrucât în procesul conversiei tensiunea de intrare Ux este transformată într-un impuls. În figura 7. până când amplitudinea rampei este egală cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare). Mărimea numerică (digitală) este o mărime fizică ale cărei valori aparţin mulţimii Sn = {0. Aceste convertoare se găsesc în interfaţa de ieşire situată între calculatorul de proces şi elementele de execuţie care sunt implementate în instalaţia tehnologică. Dacă numărătorul N2 a înregistrat (numărat) N impulsuri. Schema de principiu a unui CAN analogic cu rampă de tensiune. C . . Acest convertor face modulaţia în durată a impulsurilor. Generatorul de rampă conţine un condensator care se încarcă la curent constant.capacitatea condensatorului. care basculează şi închide poarta ŞI.12. sunt convertite în semnale analogice (necesare elementelor de execuţie)..analogic cu rampă de tensiune. Când rampa începe să fie generată. 1. Mărimea analogică este o mărime fizică a cărei variaţie în timp este dată de o funcţie continuă şi ale cărei valori sunt cuprinse în intervalul:I = [xmin ÷ xmax] cu x∈R.3) în care: 0 • ≤ N < 2n Observaţii: Acest convertor se numeşte convertor tensiune-timp.tensiunea pe condensator. a cărui lăţime este direct proporţională cu amplitudinea tensiunii Ux.2) se obţine: Ux = I / C ⋅NT (7. prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numericanalogice). În acest moment numărătorul N2 este oprit de către comparator.

tehnologia MOS este cel mai des folosită. sute de nanosecunde. Timpul de acces în cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns în cazul tehnologiei bipolare sau. dintre care. • Memorare numai pentru citirea datelor. în cazul tehnologiei MOS. fiind.6 Circuite de memorie Funcţia de memorare poate fi definită ca posibilitatea de regăsire a unor informaţii reprezentate sub formă binară. care au fost anterior stocate într-un circuit de memorare.Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic. Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementează funcţia de memorare.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 117 numărul de impulsuri • Numărul N are valoarea 2 n-1 şi reprezintă corespunzătoare valorii (7. cu memoria operativă din calculatoarele clasice. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur. adică îşi pierd conţinutul la întreruperea tensiunii de alimentare. . Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reacţiei cu funcţionare prin SOFTWARE şi a circuitelor integrate specializate în operaţii de conversie A-N. Această structură este de obicei definită ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator şi un codificator. care lucrează pe 8 biţi. sunt circuite la care harta memoriei de introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. în consecinţă. Vectorul de intrare în decodificator este interpretat ca o adresă. În cele ce urmează se au în vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. lent. n Deci: ΔT’ = (2 −1)T 7. Un exemplu de circuit integrat specializat în conversia numericanalogică este circuitul β DAC-08. care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil (o peliculă subţire de CrNi). În această categorie intră memoriile următoare: . valorile logice complementare. iar datele obţinute la ieşirea codificatorului reprezintă informaţia memorată la adresa respectivă. Uxmax. Memoriile ROM programabile prin mască. Există mai multe tipuri constructive de memorii ROM. optice sau semiconductoare. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls . În funcţie de modul în care se utilizează memoriile într-un sistem de calcul funcţiile de memorare pot fi: • Memorare cu citire şi scriere de date. În funcţie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor. care pot fi doar citite. Acestea sunt folosite pentru înmagazinarea datelor şi a programelor de tip utilizator.Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaţional care stochează permanent date binare. memoriile pot fi: magnetice. integrate în aceeaşi capsulă cu sistemele de înscriere şi citire a informaţiei. sau mask ROM. În această categorie intră memoriile cu acces aleator . Acest tip de memorie este similară. Memoriile RAM sunt volatile. Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI şi VLSI realizate în diverse tehnologii. fiind realizată însă cu matrice de bistabile SR.4) Rezultă că acest sistem de conversie este de tip serie. ca structură. acolo unde doreşte.Random Acces Memory (RAM).

PROM. izolată de substrat prin 10 −7 m de SiO 2 . Geometria memoriei (modul de organizare) reprezintă lungimea unui cuvânt de memorie şi numărul de cuvinte memorate. O memorie EPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 100 ori. .Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt similare memoriilor EPROM. semnale de ieşire (când datele se citesc din memorie). În sfârşit. şi sarcina electrică negativă poate fi eliminată prin aplicarea unei tensiuni de polaritate inversă pe poarta tranzistorului care nu este flotantă. Progresele tehnologice au determinat modificări importante în performanţele memoriilor ROM. semnale de intrare (când datele se înscriu în memorie). adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă. b. cele realizate în tehnologie CMOS au timpi de acces mai mici de 100ns. .118 Capitolul 7 de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. O memorie EEPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 10000 ori. numai că ştergerea se poate face pe cale electrică. o memorie FLASH (un EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns. Izolaţia porţii este mult mai subţire decât la EPROM. dar de mai multe ori. Cuvintele (numerele) binare reprezintă date pentru un circuit de memorie şi se consideră: a. Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS). în timp ce memoriile EPROM şi EEPROM nu se pot realiza decât în tehnologie MOS. Memoriile mask ROM şi PROM se realizează atât în tehnologie bipolară cât şi în tehnologie MOS.13: Figura 7.Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt programabile ca şi memoriile PROM. Schema bloc (conexiunile informaţionale) pentru un circuit de memorie este prezentată în figura 7. 2. EPROM. dar este unidirecţional în cazul memoriilor: ROM.13 Schema bloc a unui circuit de memorie Observaţie: Transferul de date este bidirecţional (datele intră şi ies din circuit) în cazul memoriilor: RAM şi E2PROM. Dacă memoriile EPROM în tehnologie NMOS au timpi de acces de aproape 500ns. Capacitatea memoriei exprimă numărul total de biţi ce pot fi memoraţi (capacitatea se exprimă în multipli de 1k = 1024 biţi). 100000 cicluri garantate de programare/ştergere şi timp de stocare a datelor de peste 20 ani. Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată. Notaţia E2PROM este uneori folosită pentru memoriile EEPROM. Principalele caracteristici ale unei memorii sunt: 1. . Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat. iar timpul de stocare a informaţiei poate fi de 100 ani. iar timpul de stocare a informaţiei poate depăşi 10 ani. pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. moment ce trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie.

Celulă de memorie RAM cu tranzistor bipolar Liniile de conexiune în afara celulei sunt: • 2 (două) linii de bit (notate DL şi DL ) care servesc la scrierea şi citirea informaţiei în celulă. În cele ce urmează se prezintă succint funcţionarea celulei de memorie din figura 7. Volatilitatea se datorează modului de stocare a informaţiei sau dispariţiei tensiunii de alimentare a circuitului de memorie (cazul memoriilor dinamice).14. 5.o memorie este volatilă dacă informaţia înscrisă se pierde în timp.5 V. La memoriile dinamice.14. conexiunea selecţie-cuvânt (WL) este menţinută la un potenţial coborât (+0. • 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comună tuturor celulelor din matricea de memorie. Timpul de acces la memorie reprezintă durata necesară citirii sau scrierii informaţiei în memorie şi se exprimă în [ms] sau [ns]. prin intermediul unei rezistenţe senzor (r) care . Acţionarea liniei de selecţie-cuvânt face posibilă citirea sau scrierea informaţiei în oricare dintre celulele de memorie situate pe aceeaşi linie în matrice.3 V). care reprezintă selecţia pe linii în matricea de memorie. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeaşi coloană într-o matrice de memorie. Puterea consumată reprezintă raportul între puterea totală consumată de circuit şi capacitatea acestuia. Puterea consumată se exprimă în [μW/bit]. Structura celulei de memorie RAM Celula de memorie este circuitul elementar care realizează memorarea unui bit. În stare neselectată.14.la o tensiune de +0. Figura 7. În cazul utilizării tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie îl constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care foloseşte două tranzistoare multiemitor. Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare MOS. ceea ce necesită reîmprospătarea conţinutului la intervale constante de timp. Volatilitatea . 4. Liniile de bit (DL şi DL ) sunt conectate la capătul coloanei . figura 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 119 3. memorarea informaţiei se bazează pe modificarea capacităţii joncţiunii semiconductoare. • 1 (una) linie de selecţie cuvânt (WL).

adică numărul de coloane. Capacitatea memoriei este dată de produsul (m × n). Cele două operaţii (citirea şi înscrierea informaţiilor) se desfăşoară astfel: • Pentru citirea informaţiei.5 V). Exemplu: Dacă T1 conduce şi T2 este blocat. se va obţine la ieşire o tensiune diferenţială cu semnul (+) pe DL şi semnul (-) pe DL . unde: .16 se prezintă structura unei matrice de memorie de dimensiune m×n. acţionat printr-o succesiune de comenzi aplicate din exterior. adică m linii şi n coloane.Celula de memorie RAM se poate realiza cu două tranzistoare bipolare obişnuite (npn) la care se ataşează câte o diodă Shottky. Pentru accesul la celula de memorie (i×j) se face selecţia liniei. emitoarele conectate la liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mică (+0. se forţează linia de bit stânga (DL) la zero.15. DLj ). Matricea de memorie Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de memorare în ale cărei noduri se găsesc celule de memorie. În cazul T1 blocat şi T2 în conducţie. . Structura unui circuit de memorie. În funcţie de semnul tensiunii obţinute la bornele celor două linii de bit. În figura 7. Explicativă pentru celula de memorie RAM • Pentru înscrierea informaţiei în celulă. iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de aproximativ +0. Observaţii: . atunci selectând linia WL (selecţie-cuvânt) pentru citire.n este numărul de perechi (DL şi DL ). se ridică potenţialul pe linia WL (la +3V) şi. Exemplu: Pentru a se obţine T1 în conducţie şi T2 în starea blocat. selecţie-cuvânt (WL). Linia (conexiunea) de alimentare este comună tuturor celulelor de memorie pe care le conţine matricea de memorare. figura 7. Curentul de emitor se va închide prin rezistenţele senzor conectate la liniile de bit. deci conducţia este asigurată de acestea (legate în A şi B). iar viteza de comutaţie este de 20ns. Procesorul reprezintă un automat aritmetic. simultan.Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800µW. linia selecţie-cuvânt (WL) este pusă la un potenţial ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3. se poate "spune" care este starea bistabilelor. se forţează pe liniile de bit (DL şi DL ) o diferenţă de potenţial corespunzătoare stării în care dorim să se găsească bistabilul.5 V (în timp ce linia selecţie-cuvânt WL este selectată). . Figura 7. În acest mod. .5 V).m este numărul de linii. şi selecţia coloanei prin perechea ( DLj. în stare neselectată. acţionând WLi .15.120 Capitolul 7 sesizează apariţia închiderii unui curent. tensiunea diferenţială are sens invers: semnul (+) la DL şi semnul (-) la DL. prin care se transformă un şir de date de intrare într-un alt şir de date la ieşire.

semnal de tact (clock).flag-uri (indicatori).comenzi. . D0 sunt terminalele pentru datele de intrare şi respectiv de ieşire. denumit şi RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit). RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe. Rezultatul operaţiei se poate memora intern (în registre) sau se poate genera spre exterior pe liniile de ieşire D0 (Data output).16.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 121 Figura 7.18 sunt: Di.17. : .17: Figura 7. conţine o unitate aritmetică logică şi registre.comandă pentru funcţiile aritmetice (+ . Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generată din exterior de către . având schema bloc prezentată figura 7.adrese pentru selectarea operanzilor interni şi a destinaţiei rezultatelor. A . CK .. Prelucrările se efectuează asupra unor cuvinte binare cu n biţi. O operaţie elementară implică unul sau doi operanzi (interni sau externi faţă de RALU). Automat aritmetic Semnificaţiile mărimilor din figura 7. *) şi logice. C . FL . Structura unui circuit de memorie Procesorul. RALU generează spre exterior şi un cuvânt FL ce conţine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizează rezultatul unei operaţii. F .

BD. cap. pentru adresare (BA) şi pentru comenzi (BC). realizate cu circuite specializate sau circuite standard. Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui μP se numeşte microcalculator (μC). şi este volatilă. imprimante. Deci procesorul este un sistem digital format din RALU şi UC.fluxul datelor de la ieşire şi de la intrare. a linii de adresare şi c linii pentru comenzi.instrucţiunea curentă. 7. .memoria de program (memorie ROM).memoria de date (memorie RAM). D0.Buses (BA.sincronizarea comenzilor pentru intrare şi ieşire.19: Dispozitivele periferice sunt: 1. Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD). benzi magnetice etc. c) Porturile de intrare/ieşire (PI. cititoare şi perforatoare de bandă de hârtie. discuri magnetice flexibile sau rigide.caracteristicile rezultatelor. ce conţin convertoare de tip N/A şi A/N cât şi magistralele . Magistralele menţionate conţin: d linii pentru date. PE). FL . SO . informatice: console. 2. Observaţie: Denumirea corectă a memoriei MD este RWM Read/Write Memory. MD .18. Schema bloc a unui procesor este dată în figura 7.122 Capitolul 7 alt automat denumit unitate de comandă (UC). Microcalculatorul (μC) Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare realizată într-un singur circuit integrat (μP). SI. I . b) Memoria (MEM) compusă din: MP . terminale video. BC). interfeţe cu sistemul comandat. Cititorul interesat de aplicaţiile circuitelor logice combinaţionale (CLC) şi/sau aplicaţiile circuitelor logice secenţiale (CLS) poate găsi suficiente exemple în [1]. Configuraţia de bază a unui microcalculator (μC) este dată în figura 7.18: Figura 7. Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt: a) Unitatea centrală de prelucrare (μP). Di .7 Microprocesorul (μP). 7. pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul comandat (cazul reglării sau conducerii numerice a unui proces). Schema bloc a unui procesor Semnificaţiile mărimilor din figura 7.18 sunt: C este fluxul comenzilor către RALU.

Configuraţia de bază a unui microcalculator 7.19.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 123 Figura 7. Care sunt componentele din structura unui microcalculator ? 8. Care este deosebirea între o mărime analogică şi o mărime numerică (digitală) ? 2. Ce rol au circuitele: MUX şi DEMUX ? 5. Care este schema bloc a decodificatorului de adresă cu n = 2 (intrări) şi 4 ieşiri ? 6. Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ? 4. Când se utilizează circuitul LATCH ? 3. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizează acestea ? 7.8 Întrebări 1. Cum se poate activa (accesa) o celulă de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice de memorare ? .

S. Constantin. ş. 1980. 1983 9. http://www. Electronică industrială şi automatizări. Electronică pentru neelectrice. Editura Militară. INC. Tusac. E. ş. E.. Electronică industrială. Bucureşti. Bucureşti. Bîrcă – Gălăţeanu. N.. D. Bucureşti. Neagoe. 7. C. ∗ ∗ ∗ Catalog de componente electronice “FULL LINE PRODUCT CATALOG”. http://www. ∗ ∗ ∗ Catalog de circuite integrate digitale. Bîrcă – Gălăţeanu.. 63 Lincoln Highway. P.. 2003.a. SANYO Electric Co. 6. 1982. Bucureşti. Ceangă. 1981. Catalog IPRS – Băneasa. Constantin.. Bucureşti. Editura didactică şi pedagogică.com. 12. Microprocesoare – Aplicaţii. 8.co. 1976. Semiconductor Company – TOKYO.. V. E. JAPAN.. Purice..a. Malvern. Creangă. Ţepelea. I. 1981. C. 3. Editura didactică şi pedagogică. 4.vishay... V. Lupu. Stoichescu. Constantin. Catalog IPRS – Băneasa. A. Electronică de putere – Aplicaţii... Şaimac.. Ceangă. Circuite integrate liniare.jp. Bucureşti.. 10. E. VISHAY INTERTECHNOLOGY. 1979. . Universitatea din Galaţi. E. Editura didactică şi pedagogică. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate analogice. P. C... Mărăşescu. Miholcă. Bucureşti. 2001. V. Banu. 2002.BIBLIOGRAFIE 1. C. C. Miholcă. Bucureşti.. Electronică industrială (pentru subingineri). 1991. profiluri 2. P. 1976. Ltd.A. United States. S. Bulucea.sanyo. Editura Militară. Editura MATRIX-ROM. Bucureşti. Buzuloiu. 5. Electronică industrială.. 11. Rădoi.. PA – 19355. Editura Tehnică. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate liniare.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful