CONSTANTIN MIHOLCĂ

ELECTRONICĂ
PENTRU FACULTĂŢILE CU PROFIL NEELECTRIC

GALAŢI 2007

CUPRINS
Introducere ............................................................................................
1

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă ......................... 1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci ............................................................................. 1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă ...................... 1.2 Joncţiunea p-n .................................................................................. 1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare ... 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare ................ 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice .............................. 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar ........................... 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF ............................ 1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcţionare ............................... 1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare ........................ 1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) ............................................ 1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare.. 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic ............................................................................... 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) ... 1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS având canal de tip n ......................................... 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 1.5.2 Triacul ........................................................................................ 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) ................................................ 1.6. Întrebări şi problemă................................................ 3 3 4 5 6 8 9 10 12 12 14 16 16 18 19 19 21 22 24 25 26 27 28 28 31 32 34

vi

Cuprins

CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A .................................... 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B .................................... 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington ..... 2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial .......... 2.4 Reacţia negativă la amplificatoare şi consecinţele ei ...................... 2.5 Amplificatoare operaţionale ............................................................ 2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 2.7. Întrebări ....................................................................................... 35 35 37 39 40 40 43 44 45 46 47 47 49 51 54 58

CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere ............................. 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă .... 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă ... 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere .................................... 3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 3.4. Întrebări............................................................................................ 59 61 61 61 64 66 66 68 69 72

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric ................................. 4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având element de control serie şi amplificator de eroare ................................................................ 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 73 73 74 77 78

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere ..................................................................................... 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor ............ 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte ................................... 5.4. Întrebări şi problemă ..................................................................................... 82 86 88 90

..............6 Circuite logice secvenţiale ......8............................................ Întrebări ....2 Analiza circuitelor logice combinaţionale ....7 Întrebări şi probleme........................................... 91 94 95 97 99 100 100 101 103 104 107 109 CAP. 7.... 6.. 7...........................5 Circuite logice combinaţionale ... 6..........Slave ... Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice ..... 7..................... 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE LOGICE 110 110 111 113 114 115 117 122 123 7...... 6... 7............................ 6.....7 Microprocesorul (μP)........1 Circuite secvenţiale elementare ......6.....1.....5......... 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6......... 7...1 Circuite LATCH ............................ 6...............2 Relaţii fundamentale în algebra logicii ......5 Convertoare .....Cuprins vii CAP............................................... Bibliografie ...1 Circuitul secvenţial de tip Master .................................................2 Codificatoare şi decodificatoare ..1 Noţiuni generale ....................................................................................................................................................6............................................. 6..............................................................4...............3 Circuite logice......3 Circuite de multiplexare şi demultiplexare ....................................... Microcalculatorul (μC) ....................................1 Funcţii logice elementare ...1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH ................ 7................................................................. 124 ...........................................................4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND-TTL)... 6.................................................................4 Numărătoare electronice .........5................................. 6. 7....................................................................6 Circuite de memorie .... 6................. 7......................................................... 6.................. 6.1 Poarta logică integrată NOR (SAU-Nu)..........................................................................

electronica să fie utilizată aproape în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii. Primele cinci decenii au reprezentat ”epoca” tuburilor electronice. se poate spune că electronica este ramura ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu studiul fenomenelor şi aplicaţiile acestora privind conducţia electrică în semiconductoare. la început în tehnologie bipolară şi apoi în tehnologie MOS (după 1965). Începând cu anii 1949-1952 s-au realizat primele tranzistoare. Ca domeniu independent. Electronica se constituie la începutul secolului XX. Începând cu anul 1962 s-a trecut la producţia industrială a circuitelor integrate. oferite de tehnologia CMOS. cu avantajele consumului redus şi densitate mare de integrare. în prezent. În prezent. Această tehnologie (BiCMOS) îmbină avantajele de viteză şi curent mare la ieşire ale tehnologiei bipolare. De exemplu. Aceste circuite au condus la realizarea primului microprocesor. Microprocesorul a determinat o revoluţie tehnică denumită ”revoluţia microelectronicii”. fiind denumită la începuturile ei “electrotehnica curenţilor slabi” şi având ca aplicaţie principală domeniul telecomunicaţiilor cu şi fără fir. pe 8 biţi. iar în 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat.INTRODUCERE Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii. cu numeroase aplicaţii în telecomunicaţii şi industrie. După anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration). În prezent numărul de tranzistoare înglobate într-o capsulă depăşeşte 5 milioane. dar s-a trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaţie între tehnologia bipolară şi tehnologia CMOS. Aceste tehnologii permit înglobarea unui număr foarte mare (între 50. permiţând dezvoltarea tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI –Large Scale Integration). În 1960 se construiesc primele dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare şi triacuri) care au condus la modernizarea şi creşterea performanţelor în sistemele de acţionări electrice reglabile. Ţinând seama de aspectele esenţiale ale electronicii şi fără pretenţia de a formula o definiţie atotcuprinzătoare. încât astăzi nu există domeniu de activitate umană în care microprocesorul să nu poată fi implicat. După 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration). în 1971. utilizate fiind atât tehnologia CMOS cât şi bipolară.2 milioane de tranzistoare. care a antrenat toate domeniile tehnologiei. care pot îngloba peste un milion de tranzistoare CMOS într-o capsulă.000) de tranzistoare într-o capsulă. circuitele integrate se realizează în tehnologie CMOS. . astfel că după şase ani (în 1958) s-a realizat primul circuit integrat. începând cu anul 1970. gaze şi vid.000. Posibilităţile remarcabile ale electronicii şi progresele ei deosebit de rapide (mai ales în privinţa realizării tehnologice a dispozitivelor semiconductoare şi circuitelor integrate) au făcut ca. microprocesorul 486 conţine 1. Perfecţionarea rapidă a tehnologiilor electronice a condus la apariţia familiilor de circuite integrate logice MOS.000 şi 1. dimensiunea unui tranzistor fiind ≤ 1μm.

care are una dintre proprietăţile fundamentale ale conducţiei prin vid. gaze sau semiconductoare. Circuitul electronic este un ansamblu electric în care se folosesc unul sau mai multe dispozitive electronice la care se leagă elemente electrice de circuit. Dispozitivul electronic este un ansamblu format din părţi componente. transformatoare. bobine. modulaţie. detecţie etc). între care se produce conducţia electrică prin vid. dispozitivul electronic reprezintă un element de circuit. Prin extensie.2 Introducere Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele electronice cât şi circuitele electronice se impune definirea celor două noţiuni. imobile una faţă de alta. producerea oscilaţiilor. Părţile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice) sau regiuni cu proprietăţi diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele semiconductoare). spre deosebire de elementele electrice de circuit obişnuite (rezistoare. condensatoare etc). . se consideră dispozitive electronice şi acele dispozitive realizate dintr-un singur material omogen. alimentându-se de la surse de energie. amplificare. în scopul realizării unei funcţiuni (redresare. numit şi element electronic de circuit. gaze sau semiconductoare. În aplicaţii.

adică sub influenţa unui câmp electric ei pot da naştere curentului electric de conducţie. Aceşti purtători se generează simultan sub formă de perechi şi au o anumită mobilitate. Conducţia electrică în medii semiconductoare se realizează prin două categorii ale purtătorilor de sarcină: electronii şi golurile. Structura benzilor energetice pentru un semiconductor .1. figura 1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi materialele izolatoare. Siliciu. Generarea perechilor electron-gol se produce datorită aportului energetic extern. semiconductoarele se pot clasifica astfel: • semiconductor de conductibilitate intrinsecă.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex.1. Germaniu).1. 1. reprezentat prin lăţimea benzii interzise (∆w). • semiconductor de conductibilitate extrinsecă. Figura 1. După modul de generare a purtătorilor.CAPITOLUL 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT 1.

este egală cu concentraţia de goluri.constantă ce depinde de natura semiconductorului.2.+300oC].temperatura absolută ( grade Kelvin). ceea ce conduce la o descreştere exponenţială a rezistenţei electrice. Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub acţiunea unei radiaţii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infraroşu.este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă electrică variază cu temperatura. Termistorul . în aparatura de măsură şi automatizare. ΔT∈[-200oC. c) constanta de timp.aportul energetic extern (lăţimea benzii interzise).4 Capitolul 1 La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia electronilor. fiind exprimată prin relaţia: n i = pi = AT unde: 3/ 2 ⎛ − Δw ⎞ exp⎜ ⎟ ⎝ 2KT ⎠ (1. K .1.. Figura 1.100 → [%/oC] exprimă viteza de variaţie a . ca în figura 1. RTo[Ω]. T1 [s]. Variaţia rezistenţei electrice a fotorezistorului se datorează modificării concentraţiei . R To dT rezistenţei RT la o variaţie dată de un grad Celsius a temperaturii. 2. ce reprezintă inerţia termică a termistorului..constanta lui Boltzmann. Δw .1) A . Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci (realizate cu materiale omogene) 1.2. unde T0=20 oC.2. d) domeniul de temperatură. Conductibilitatea termistorului este direct proporţională cu numărul de purtători ni daţi de relaţia (1. T . notată cu ni . b) sensibilitatea S = − 1 dR T . notată cu pi . Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura - Utilizări: detector în traductoare de temperatură. 1.1). Parametrii de catalog: a) rezistenţa la temperatura de referinţă. detector în construcţia sesizoarelor de incendiu. în care performanţele termistorului sunt stabile.

T1 caracterizează viteza de variaţie a rezistenţei electrice la o variaţie bruscă a fluxului luminos. fiind ilustrată în figura 1.3.100 → [%/lm]. b) sensibilitatea. ilustrată în figura 1. Figura 1. Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică neliniară. Conductibilitatea extrinsecă se obţine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a unui semiconductor. exprimă dependenţa sensibilităţii faţă de lungimea de undă. Sφ = − 1 dR . Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate. în construcţia releelor fotoelectrice. Sφ=f(λ). Ro[Ω]. În funcţie de valoarea lui λo (la care sensibilitatea este maximă) fotorezistenţele se pot construi pentru spectrele vizibil sau infraroşu. a 3. R o dφ unde lm simbolizează lumenul (unitatea de măsură pentru intensitatea luminoasă).3. îl face utilizabil ca dispozitiv de protecţie împotriva supratensiunilor. Figura 1. Forma caracteristicii statice. Caracteristica spectrală a fotorezistenţei Fotorezistenţele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc.Dispozitive electronice de circuit 5 purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol). Procesul prin care se introduc impurităţi riguros dozate în semiconductor se numeşte dopare. În funcţie de natura elementului de impuritate . T1[s]. Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în care este plasat varistorul. c) caracteristica spectrală.3.4. se defineşte asemănător constantei de timp a termistorului. a cărui conductanţă creşte odată cu creşterea tensiunii aplicate la borne. d) constanta de timp. ca urmare a aportului energetic al radiaţiei incidente. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la întuneric. 1.1.4. .

Ndo . Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n): 1. 2. Din cauza difuziei şi a recombinării purtătorilor majoritari cu cei difuzaţi rezultă. Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraţia purtătorilor este foarte mică). Atomii acestor impurităţi se numesc donori. 3. Semiconductoarele de tip n şi p sunt corpuri neutre din punct de vedere electric.2 Joncţiunea p-n Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând procedee speciale) o zonă p cu impurităţi acceptoare şi o zonă n cu impurităţi donoare. Aceşti atomi de impurităţi se numesc atomi acceptori şi se transformă în ioni imobilizaţi în reţeaua cristalină. Aceste concentraţii scad până la zero la nivelul joncţiunii. Semiconductorul obţinut are purtătorii majoritari pozitivi (goluri) fiind de tip p. Electronii sunt purtători majoritari iar golurile reprezintă purtătorii minoritari. Regiunea de trecere se extinde mai mult în zona n. • Doparea cu impurităţi trivalente (Indiu. Diferenţa de concentraţii dintre cele două zone determină difuzia purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. 1. iar semiconductorul obţinut este de tip n.curent direct (1. se realizează o joncţiune p-n care reprezintă structura de bază pentru majoritatea componentelor electronice. două tipuri de semiconductoare extrinseci. Purtătorii majoritari. numit şi curent invers al joncţiunii: ic = inm + ipm . Se obţine o sarcină a ionilor imobili (fixaţi în reţea) pentru purtătorii din fiecare zonă. care devin purtători majoritari.curent invers (1. • Doparea cu impurităţi pentavalente (Stibiu. simbolizaţi prin M.2) Câmpul intern antrenează dintr-o zonă în alta purtătorii minoritari. Se folosesc notaţiile: Naoconcentraţia iniţială de goluri. care au suficientă energie. o variaţie a concentraţiei de goluri (cp) şi electroni (cn). simbolizaţi prin m.5 se explică funcţionarea joncţiunii. Lăţimea totală a regiunii de trecere creşte odată cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii. De regulă concentraţiile impurităţilor din cele două zone nu sunt egale (Nao > Ndo). formând curentul de conducţie. Aluminiu etc) are ca efect creşterea numărului de goluri.6 Capitolul 1 există două modalităţi de dopare care generează corespunzător. în vecinătatea de separaţie a celor două zone p şi n. astfel încât distanţa dintre cele două zone să fie cel mult 10-5 mm. deoarece atomii trivalenţi captează uşor câte un electron de la un atom vecin. Arsen etc) are ca efect creşterea numărului de purtători negativi (electroni) deoarece atomii pentavalenţi de impuritate cedează uşor câte un electron. care este mai slab dopată cu impurităţi. trec dintr-o zonă în alta şi dau naştere curentului de difuzie. ce devine electron liber (purtător). sarcină care nu mai este compensată de sarcina .concentraţia iniţială de electroni. deoarece sarcina ionilor imobilizaţi în reţeaua cristalină compensează sarcina suplimentară a purtătorilor majoritari. numit şi curentul direct al joncţiunii: id = inM + ipM .3) În figura 1.

Dacă joncţiunii p-n i se ataşează două contacte metalice.Dispozitive electronice de circuit 7 purtătorilor majoritari din zona respectivă. Efectul potenţialelor de contact asupra barierei de potenţial Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n a) Polarizarea directă (figura 1. Regiunea în care apare câmpul electric Ei şi sarcina spaţială ρ se numeşte regiune de trecere.6. Prezenţa câmpului intern Ei determină apariţia unei bariere de potenţial notate cu U0 (figura 1. Ca urmare. Această sarcină creează câmpul electric care se opune trecerii purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. în zona regiunii de trecere. potenţialele de tip M-S (metal-semiconductor) anulează bariera de potenţial U0.7).5 Figura 1. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. respectiv polaritatea (−) la zona n.6).5-e). Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a sarcinii ρ. cu polaritatea (+) la zona p şi. potenţialul iniţial (U0) al barierei scade cu . Figura 1. ilustrată prin zona haşurată. astfel încât la bornele joncţiunii potenţialul rezultant este zero (figura 1.

presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. Curentul de conducţie (ic).8 Capitolul 1 valoarea tensiunii de alimentare Ua. iar joncţiunea se consideră blocată.8).3V pentru diodele cu Ge. C = Catod. Figura 1. Cei doi electrozi. numit curent invers al joncţiunii. 1. Polarizarea inversă a joncţiunii p-n În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de alimentare. Tensiunea anodică inversă se notează cu (-Ua) sau (. cu polaritatea (−) la zona p şi.8. Figura 1. numit curent direct al joncţiunii. cu polaritate negativă în timpul conducţiei.7V pentru diodele cu Si şi Ua≅0. Ua.9. este neglijabil.U a ). Acest lucru permite trecerea putătorilor majoritari care formează curentul de difuzie (Id). cu polaritate pozitivă în timpul conducţiei. i . Curentul direct al joncţiunii este neglijabil. se numesc: A = Anod. Valoarea curentului de conducţie este de ordinul microamperilor. În starea de conducţie tensiunea anodică directă este: Ua ≅ 0. Polarizarea directă a joncţiunii p-n b) Polarizarea inversă (figura 1. respectiv polaritatea (+) la zona n.7.3 Dioda semiconductoare Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care are ataşate două contacte M-S (metal-semiconductor). lipiţi prin procedee speciale de contactele M-S. Caracteristica statică a diodei este reprezentată în figura 1.

se cunoaşte caracteristica anodică.3.Dispozitive electronice de circuit 9 Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi atinge valoarea de străpungere a joncţiunii. Caracteristica curent-tensiune a diodei 1. determinarea punctului static de funcţionare Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de limitare a curentului anodic (figura 1.10.11): ⎧E = R ⋅ i a + U a ⎨ ⎩ i a = f (U a ) (1. Caracteristica externă a diodei Pentru determinarea punctului static de funcţionare. PSF (M).1 Dioda în circuit.10).11. se rezolvă grafo-analitic sistemul format din ecuaţia dreptei statice de sarcină. rezultată din a IIa teoremă a lui Kirchhoff aplicată circuitului din figura 1. De asemenea. Se observă că înclinaţia dreptei de sarcină este egală cu .10 şi ecuaţia caracteristicii anodice (figura 1. pentru ramura de polarizare directă (cadranul I).9.4) Tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi: E/R → pentru Ua=0 şi E → pentru ia=0. aceasta se distruge prin efect termic datorită creşterii în avalanşă a curentului invers. Figura 1. Dioda în circuit Figura 1. figura 1.11. Figura 1.

rz. 2) Diode stabilizatoare (diode Zener).. Sunt diode realizate cu siliciu la care se utilizează ramura caracteristicii corespunzătoare polarizării inverse. De regulă sunt utilizate în tehnica de calcul.A].12-a este ilustrată polarizarea diodei Zener. .3. Pe măsură ce aplicăm o tensiune mai mare la bornele diodei. b) curentul Zener – curentul corespunzător tensiunii de stabilizare: Iz∈[mA.. Figura 1. 1.. c) temperatura maximă admisă a joncţiunii: Tj max ≤ 140 oC. d) coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura: αz = 1 ΔU z . 3) Diode de comutaţie. Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil. Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa joncţiunii foarte mică. 5) Dioda varicap. Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b) Parametrii de catalog: a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz ∈[2.12.de ordinul nanosecundelor.10 Capitolul 1 valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R.. 180 V]. 4) Diode cu contact punctiform. U z ΔTa e) rezistenţa internă (dinamică).100 [%/oC]. Sunt utilizate în circuite de detecţie şi comutaţie la frecvenţe de lucru până la 10 MHz.5 V . b) tensiunea inversă: Uinv. c) puterea disipată: Pd<10W.. Coordonatele PSF sunt iao şi Uao.2 Tipuri de diode semiconductoare 1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog: a) curentul mediu în sens direct: IF ≤ 600 A. 20 KHz]. obţinute din proiecţiile punctului M pe cele două axe.13. aceasta echivalează cu depărtarea armăturilor ”condensatorului”.. în porţiunea de lucru a caracteristicii statice. În figura 1. iar în figura 1. . Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din starea ”blocat” în starea de ”conducţie” . d) frecvenţa de lucru: fl ∈ [50 Hz . max ≤ 1800 V.12-b este reprezentată caracteristica statică inversată (în cadranul I). Simbolizarea şi variaţia capacităţii echivalente ale diodei varicap sunt prezentate în figura 1. deci se comportă ca o capacitate comandată prin tensiune.

Optocuplorul este un dispozitiv electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieşire. la reclame etc. figurile 1.15-b şi 1. Curentul de purtători majoritari se datorează fluxului luminos incident.16. Aceasta emite un flux de radiaţii luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purtătorilor de sarcină. Figura 1. iar purtătorii majoritari traversează bariera de potenţial prin ”efectul tunel” (efect cuantic).b. Figura 1. Culoarea radiaţiei depinde de natura semiconductorului şi de impuritatea activatoare. optocuplor realizat cu LED+fotodiodă (b). astfel încât regiunea de trecere este foarte îngustă. familia caracteristicilor curent-tensiune (b). Caracteristica curent-tensiune este neliniară şi prezintă în porţiunea MN rezistenţă internă negativă. Din combinarea unui LED cu o fotodiodă rezultă un optocuplor (cuplor optic).13. Frecvenţa de lucru este cuprinsă între 0. Această proprietate permite utilizarea diodei tunel în construcţia oscilatoarelor (vezi § 2. Este utilizată în construcţia afişoarelor numerice. caracteristica spectrală (c) 7) Dioda electroluminiscentă – LED (Light Emitting Diode) se utilizează cu polarizare directă A-C.15-c.14. Polarizarea.15.15-a. dioda Tunel fiind utilizată şi în circuite de comutaţie. .6).5 şi 5 GHz. Polarizarea fotodiodei (a). Simbolizarea şi caracteristica anodică sunt ilustrate în figura 1. optocuplor realizat cu LED+fototranzistor (c) 8) Dioda tunel – are joncţiunea p-n cu cele două zone foarte apropiate şi puternic dopate cu impurităţi. realizând şi o foarte bună separare galvanică. figura 1. caracteristicile anodice şi caracteristica spectrală sunt reprezentate în figura 1. Fotodioda este utilizată în construcţia detectoarelor opto-electronice ce lucrează în spectrele vizibil sau infraroşu.Dispozitive electronice de circuit 11 Figura 1.c).14 (a. LED în circuit (a). Dioda varicap: simbolizare şi principiu de funcţionare 6) Fotodioda este utilizată cu polarizare inversă.

16. La aceste tranzistoare semnalul de intrare (xi) în DA este o tensiune. În acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent.4. colector şi bază. la care conducţia electrică este asigurată de o singură categorie de purtători: fie numai electroni. în figura 1.18. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn. Simbolizarea acestora este dată în figura 1.structura fizică şi funcţionare Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone şi două joncţiuni. Cei trei electrozi se numesc: emitor. 2.12 Capitolul 1 Figura 1.4 Tranzistoare Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a amplifica semnale electrice. În această schemă tranzistorul reprezintă dispozitivul de amplificare. iar joncţiunea B-C este polarizată invers. Zona E este puternic dopată cu impurităţi. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor După modul în care se realizează conducţia electrică a semnalului prin DA. o rezistenţă de limitare a curentului de sarcină (R) şi sursa de alimentare E. La funcţionarea în regim de amplificare joncţiunea E-B este polarizată direct.17 s-a reprezentat schema simplificată a unui amplificator. tranzistoarele sunt de două tipuri: 1. Simbolizarea diodei tunel şi caracteristica curent-tensiune 1. fie numai goluri. Tranzistoare bipolare. Tranzistoare unipolare. .17. Figura 1. la care conducţia electrică este asigurată atât de electroni cât şi de goluri. Considerând un dispozitiv de amplificare (DA) comandat prin semnalul de intrare xi. 1.19. zona B este slab dopată cu impurităţi şi este foarte îngustă (de ordinul micronilor). Structura fizică a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentată în figura 1.1 Tranzistoare bipolare . iar zona C este mai puţin dopată decât zona E.

9) Această inegalitate explică posibilitatea funcţionării tranzistorului în regim de amplificare. Structura şi simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp şi npn) Figura 1. Puterea la ieşire. rezultând I C ≈ I E . Figura 1. este mai mare decât puterea de intrare (Pi): (1. Din schema structurală rezultă ecuaţia curenţilor prin tranzistor: I C = α n I E + I CBo (1. Pe = IC .18. Observaţie: Curentul de purtători minoritari ICBo este foarte mic. În modul.995 . IB .Dispozitive electronice de circuit 13 Curentul de difuzie prin joncţiunea emitorului este format din purtătorii majoritari care sunt golurile. (Pe).8) unde: ICBo este curentul de purtători minoritari. Structura fizică şi polarizarea tranzistorului pnp I α n = E ≅ 0.factor static de amplificare în curent IC (1.7) (1. UCB > Pi = UEB . golurile din emitor difuzate în bază (B) sunt preluate şi transportate în colector de câmpul electric intern Ei al joncţiunii colectorului.19.5) Un procent foarte mic de goluri se recombină cu electroni din bază formând atomi neutri. Întrucât lăţimea bazei este foarte mică iar regiunea de trecere a joncţiunii B-C se extinde mult în zona bazei (n). Transferul aproape integral în colector a golurilor difuzate în bază poartă numele de efect de tranzistor.6) I B = (1 − α n )I E − I CBo IE = IC + IB (1. tensiunea între colector şi bază este mult mai mare decât tensiunea dintre emitor şi bază: U CB >> U EB .

Tranzistorul bipolar în conexiune colector comun Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1.4. iar joncţiunea C-B este polarizată invers. rezultă că un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca bornă comună pentru intrare şi ieşire. Tranzistorul bipolar în conexiune emitor comun Figura 1. iar tranzistorul având numai 3 terminale (bază. Tranzistorul bipolar în conexiune bază comună b) Schema de conexiuni – emitor comun (EC – figura 1. De aceea sunt posibile trei scheme fundamentale de conexiune ale tranzistorului în regim de amplificare.21). .23. iar în continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru această conexiune.22) – este cea mai utilizată. se utilizează ca amplificator de putere (etaj final). având 4 borne. colector. Simbolizarea unui amplificator a) Schema de conexiuni – bază comună (BC – figura 1.21. Figura 1.23).22. Figura 1.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice Întrucât în regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol (simbolizat în figura 1. Figura 1. c) Schema de conexiuni – colector comun (CC – figura 1. În oricare dintre cele 3 scheme se are în vedere că joncţiunea E-B este polarizată direct.24) I B = f ( U BE ) U CE = ct . emitor).20.20).14 Capitolul 1 1.

25.24.25. Caracteristici statice de intrare Caracteristici statice . de ieşire pentru conexiunea EC: I C = f ( U CE ) I B = ct Familiile caracteristicilor de ieşire sunt date în figura 1.11) .Dispozitive electronice de circuit 15 Figura 1. Regiunea 1 – zona de blocare (de tăiere) este caracterizată de polarizarea inversă a joncţiunii E-B sau de lipsa polarizării acestei joncţiuni. βn 1 + βn (1. Regiunea 2 – regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea directă a joncţiunii E-B şi de polarizarea inversă a joncţiunii C-B. Figura 1. în care se disting principalele regiuni de lucru. I C = β n I B + (1 + β n )I Co (1. Familiile caracteristicilor de ieşire Relaţia între factorul de amplificare βn şi factorul static de amplificare în curent αn – pentru conexiunea bază comună este: αn = unde β n = [30 L 1000] .10) unde: β n = αn se numeşte factor static de amplificare în curent pentru 1 − αn conexiunea emitor comun.

12) unde ICo este curentul de purtători minoritari (curentul invers al joncţiunii BC).stabilizarea punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii. în figura 1.27.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Caracteristicile au o ramură comună sub formă de dreaptă cu înclinaţia de aproape 90o.26 sunt ilustrate cele 3 limitări esenţiale în funcţionarea tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax). Relaţiile care trebuie respectate între valorile de lucru şi valorile limită ale celor trei parametri sunt: I C ≤ I C max U CE ≤ U CE max Pd < Pmax = I C max .3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar Considerând familia caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun (EC). limita tensiunii de colector (UCEmax) şi limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax). 1. Această dreaptă se numeşte ”dreaptă de saturaţie”. Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar 1.13) Figura 1. din relaţia (1. ce nu trebuie depăşiţi în timpul funcţionării tranzistorului.determinarea punctului static de funcţionare (PSF).4. figura 1. realizat cu un tranzistor de tip npn. Regiunea 3 – este numită şi zonă de saturaţie şi corespunde situaţiei când ambele joncţiuni sunt polarizate direct. Aceste trei valori reprezintă parametri de catalog. .26.16 Capitolul 1 În regiunea de tăiere curentul de bază fiind nul. .10) rezultă: I C ≅ (1 + β n )I Co (1.U CE max (1. Stabilirea PSF Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare. La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate două probleme: .4.

16) Punctul static de funcţionare.15) se obţine: iBo ≅ EC RB (1. se obţine la intersecţia caracteristicii externe (aferentă curentului iBo) cu dreapta de sarcină.27) se obţine: EC = RC ⋅ iC + UCE . (1. Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire (figura 1. RB.Dispozitive electronice de circuit 17 Figura 1. M(UCEo.15) Neglijând UBE în raport cu EC ( UBE ≅ 0).ecuaţia dreptei de sarcină.28. iCo) Figura 1. din relaţia (1. . iC=f(UCE). Panta (înclinarea) dreptei de sarcină se exprimă prin RC tg(α)=RC. prezentată în figura 1.27.28. Se cere: PSF → M(UCEo. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn Se dau: EC. trasată prin tăieturile sale ( IC = EC şi U CE = E C ). iCo).14) Procedând similar pentru circuitul de intrare se obţine: EC = RB ⋅ iB + UBE (1. RC şi familia caracteristicilor externe ale tranzistorului.

realizând astfel stabilizarea PSF la variaţia temperaturii. Dacă deplasarea PSF este mare. Deci se compensează creşterea iniţială a curentului iC iar punctul static de funcţionare este adus din poziţia M’ în poziţia iniţială M. De asemenea. Figura 1. Modificarea PSF la variaţia temperaturii Există mai multe metode de stabilizare. Un alt efect al creşterii temperaturii îl reprezintă micşorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct. atunci funcţionarea etajului de amplificare este defectuoasă.30 în care.4. care utilizează diverse scheme. U = UBE + RE . Din (1. rezultând o creştere a curentului de colector care deplasează punctul static de funcţionare M în M’ (figura 1.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Pentru restabilirea funcţionării normale este necesară readucerea PSF (M’) în poziţia iniţială (M). atât în conexiunea EC cât şi în conexiunea BC.30.29. Schemă utilizată pentru stabilizarea PSF-ului la variaţia temperaturii Stabilizarea PSF se explică prin relaţiile: (1. sau IB=ct.) şi ca urmare modificarea caracteristicilor de intrare.17) Dacă T ↑ ⇒ iC ↑ (punctul M se deplasează în M’).RE . iE ⇒ UBE = U .17) se observă că UBE scade ceea ce conduce la micşorarea curentului de colector. ceea ce conduce la creşterea curentului de emitor (iE ≈ iC). cresc factorii statici de amplificare în curent βn şi αn. Stabilizarea punctului static de funcţionare Dacă temperatura creşte iCo creşte. cu ajutorul rezistenţei de emitor (RE) se rezolvă problema stabilizării PSF. ceea ce conduce la creşterea factorului de amplificare βn. dar cea mai utilizată este schema din figura 1. iE .29).18 Capitolul 1 1. Figura 1.

31 este prezentată o schemă de stabilizare utilizând un termistor ca element de compensare. deci are loc compensarea efectului de creştere a curentului iC cu temperatura. pentru stabilizarea punctului static de funcţionare În figura 1.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare se pot utiliza şi elemente de compensare ce au caracteristici neliniare. Dioda D fiind polarizată în sens de blocare.4. acţionând în sensul compensării efectului de creştere a curentului de colector cu temperatura. Figura 1. cum sunt termistoarele şi diodele semiconductoare. la creşterea temperaturii va creşte curentul invers idi.33-b.iE ≅ 0. La funcţionarea etajului în curent alternativ condensatorul CE elimină reacţia negativă de tensiune dacă reactanţa condensatorului de emitor este de cel puţin 10 ori mai mică decât RE: XE ≤ 0. are rolul de a scurtcircuita rezistenţa de emitor atunci când etajul funcţionează în curent alternativ.33-a). CE. astfel încât curentul iB. În figura 1. . De regulă se adoptă curentul prin RD la valoarea: iD≅10⋅iBo. • Condensatorul din emitor.Dispozitive electronice de circuit 19 Observaţii: • Divizorul de tensiune format din rezistenţele RB1 şi RB2 permite impunerea valorii curentului de bază în regim static (iBo).2⋅EC. Schemă cu diodă de static de funcţionare utilizând termistor compensare.1 ⋅ RE. La creşterea temperaturii.31. 1.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare utilizând un tranzistor bipolar npn în conexiune emitor-comun (figura 1.32 este dată o schemă de stabilizare termică utilizând o diodă ca element de compensare. sunt prezentate în figura 1.4. iar curentul prin termistor creşte. pentru care diagramele curenţilor şi tensiunilor. rezistenţa termistorului scade. în paralel cu rezistenţa de emitor. Schema de stabilizare a punctului Figura 1. corespunzătoare punctului static de funcţionare M. scade corespunzător. 1.5. rezultat din nodul A. având ca efect micşorarea curentului iB. • În regim static de funcţionare căderea de tensiune pe rezistenţa din emitor se poate calcula cu relaţia: RE.32.

20) Ri = U U1 .19) Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative şi blochează componenta continuă (dacă există) a semnalului de intrare. corespunzător valorilor maxime ale curentului iB~ .rezistenţa la ieşire (sute de kΩ sau MΩ).rezistenţa la intrare (zeci sau sute de kΩ). Ai ≤ 1.20 Capitolul 1 Datorită semnalului alternativ de la intrare.18) De asemenea. Re . Re . AU =zeci sau sute. eficace).rezistenţa la intrare (zeci de Ω). Curentul de la ieşire (iC~) este în fază cu cel de la intrare (iB~). În timpul funcţionării etajului de amplificare în curent alternativ. I2 = IC I1 I2 (1. (1. U2 = UCE. efective) (1. peste componentele continue (iB0. punctul static de funcţionare (M) se deplasează pe dreapta de sarcină. unde: U1 = UBE. Curenţii prin tranzistor vor fi: i B = i Bo + i B ~ i C = i Co + i C ~ (1. panta caracteristicii dinamice (panta segmentului A’B’ .rezistenţa la ieşire (zeci sau sute de Ω). AU. Deci caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor statice de funcţionare când la intrarea etajului se aplică semnalul alternativ. adică segmentul AB. Proprietăţi calitative ale etajelor de amplificare în raport cu schema de conexiune utilizată. iar Pi = UBE ⋅ IB (1. Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt: Amplificarea în tensiune: A U = A = U CE = U CEo + U CE ~ U2 Ui U BE I I Amplificarea în curent: A I = 2 = C (val. ZC.tg β) este diferită faţă de panta caracteristicii statice (tg α). adică este inductivă sau capacitivă. Tensiunea de la ieşirea etajului (UCE~) este în antifază faţă de curentul de intrare alternativ (iB~). marcat cu linie groasă. AI. Dacă sarcina etajului nu este rezistivă. între punctele A şi B se face cu frecvenţa semnalului de intrare (iB~) şi are ca efect apariţia componentelor alternative pentru curentul de colector (adică iC~) şi pentru tensiunea de la ieşire (UCE~). I1 = IB. a) Conexiunea bază-comună (BC): Ri . iC0) ale curenţilor din tranzistor se suprapun componentele alternative. Deplasarea alternativă a punctului static (M) pe dreapta statică de sarcină. tensiunea colector-emitor are două componente: (1. unde Pe = UCE ⋅ IC. În regim dinamic punctul static M se deplasează în ambele sensuri pe dreapta de sarcină şi descrie caracteristica dinamică. b) Conexiunea colector-comun (CC): Ri .22) Rezistenţele de intrare şi ieşire ale etajului de amplificare sunt: ≅ U CE (val. . Construcţia grafică (reprezentată la scară) a caracteristicilor în regim dinamic permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare.21) I1 IB Amplificarea în putere: AP = Pe/Pi.23) Observaţie: Dacă tensiunea de intrare Ui este de înaltă frecvenţă sau dacă sarcina nu este rezistivă parametrii etajului sunt mărimi complexe: Zi. R E = 2 .

AU= zeci sau sute. . Canalul poate fi realizat din purtători de sarcină negativi (electroni). Tranzistoarele unipolare se mai numesc Tranzistoare cu Efect de Câmp (TEC).4. Concluzii: • Schema colector-comun este utilizată în circuitele de adaptare pentru că are rezistenţa la ieşire mică sau. fie goluri. • Pentru amplificatoarele de tensiune. Se mai utilizează abrevierea FET. Calea de trecere se numeşte canal şi este situat între doi electrozi numiţi sursă (S) şi drenă (D). canalul fiind de tip p. fiind canal de tip n. Re . c) Conexiunea emitor-comun (EC): Ri . Funcţionarea acestora se bazează pe modificarea conductanţei unei căi de trecere a purtătorilor care produc curentul electric prin dispozitiv. Ai = zeci sau sute. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar 1.33. schema cea mai utilizată este cea cu emitorul-comun.Dispozitive electronice de circuit 21 Ai = zeci sau sute. sau goluri (care au sarcină pozitivă). Figura 1.rezistenţa la ieşire (zeci kΩ). care în limba engleză are aceeaşi semnificaţie: Field Effect Transistor.rezistenţa la intrare (kΩ). AU ≤1. în construcţia amplificatoarelor de putere. conducţia este asigurată de o singură categorie de purtători: fie electroni. • Schema bază-comună (BC) creează dificultăţi la cuplarea etajelor în cascadă (serie) datorită diferenţelor foarte mari între impedanţa (sau rezistenţa) de intrare şi cea de ieşire.7 Tranzistoare unipolare În cazul tranzistoarelor unipolare.

Rezistenţa internă a acestor tranzistoare este foarte mare ( 108 . În funcţionarea tranzistorului TEC-J se disting următoarele situaţii: a) Dacă grila nu este polarizată (UG =0). rezultă altă joncţiune p-n polarizată invers.22 Capitolul 1 Figura 1.structura fizică (a). Zona p a grilei formează cu zona n a canalului o joncţiune polarizată invers. b) Când grila este negativată (UG<0). 1012 Ω). respectiv curentul de drenă este maxim (ID=IDmax). Deoarece conductanţa canalului depinde de potenţialul grilei.34. Din acest motiv tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de câmp.TEC-MOS.7. regiunile de trecere au lăţime neglijabilă (deci nu apar zonele haşurate) şi ca urmare secţiunea canalului este maximă. regiunile de trecere (reprezentate prin zonele haşurate din figura 1.35-a. Simbolizarea tranzistoarelor unipolare Conductanţa canalului se modifică sub influenţa câmpului electric produs de tensiunea aplicată la al 3-lea electrod numit grilă (G) sau poartă (P). TEC-J . distribuţia potenţialului (b) Zonele haşurate reprezintă regiunile de trecere ale celor două joncţiuni. 2) TEC cu grilă (poartă) izolată. În cele ce urmează se prezintă structura fizică a unui tranzistor TEC-J având canal de tip n. După modul în care se realizează controlul (reglajul) conductanţei canalului există două categorii de tranzistoare unipolare: 1) TEC cu joncţiuni (TEC-J).. Baza fiind legată la grila negativată de către tensiunea UG.35-a) se extind în zona canalului micşorând .. Distribuţia spaţială a potenţialului la nivelul canalului este prezentată în figura 1. figura 1.1 TEC-J având canal de tip n.4. TEC sunt comandate în tensiune.35-b. Deci canalul de tip n este situat între două joncţiuni polarizate invers.35. 1. având structură MOS (Metal Oxid Semiconductor). Structură fizică şi funcţionare Tranzistoarele cu efect de câmp şi joncţiuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n sau p. Figura 1.

37. Figura 1. iar curentul de drenă care circulă între sursă (S) şi drenă (D) se micşorează.36. c) Dacă grila este puternic negativată (UG<<0) regiunile de trecere se unesc anulând secţiunea canalului şi ca urmare se anulează curentul de drenă (ID≅0). În zona de amplificare curentul de drenă este reglat prin modificarea tensiunii de grilă. Simbolizarea în circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentată în figura 1. Familia caracteristicilor de ieşire prezintă două zone: I. Familia caracteristicilor de ieşire În familia caracteristicilor de intrare se observă că tensiunea de prag (Up) reprezintă valoarea tensiunii de grilă la care se anulează curentul de drenă (ID). Familia caracteristicilor de intrare . Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n.zona de amplificare.38).38.Dispozitive electronice de circuit 23 secţiunea acestuia. Figura 1. Figura 1. indiferent de tensiunea aplicată pe drenă. II – zona de saturaţie.37) şi de intrare (figura 1. b) canal p Importanţă deosebită prezintă familia caracteristicilor de ieşire (figura 1.36a şi b.

În schema din figura 1. Observaţie: În proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie îndeplinite două condiţii esenţiale: • Căderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului să nu fie mai mare de un procent (0. dacă se utilizează una dintre schemele prezentate în figura 1. În figura 1. Aceste condiţii impuse etajului de amplificare pot fi îndeplinite. dată de relaţia: UG0 = − RS ⋅ ID0 S (1.39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = −Eg. este posibilă dacă tranzistorul este polarizat corect. Schema din figura 1. adică atunci când grila (G) este negativă în raport cu sursa (S).01) din valoarea nominală a semnalului de intrare. Rezistenţa Rg se adoptă de ordinul megohmilor (MΩ) şi are rolul de a transmite pe grilă potenţialul negativ al sursei (bateriei) Eg. În acelaşi timp. Etaj de amplificare cu TEC-J: a) cu sursă separată pentru negativarea grilei.39-a etajul de amplificare utilizează o sursă separată (Eg) pentru negativarea grilei.39-b realizează negativarea automată a grilei în raport cu sursa.24) Condensatorul CS decuplează (scurtcircuitează) rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. iar pe drenă (D) se aplică o tensiune pozitivă. utilizând o singură sursă de alimentare (sursa de drenă ED). dată de componenta continuă a curentului de drenă ID0 = IS0. Rezultă tensiunea de negativare a grilei.39-a şi b. acestea având rolul de blocare a componentei continue din semnalul de intrare şi/sau ieşire. Căderea de tensiune pe rezistenţa sursei (RS). se aplică între sursă şi grilă (prin rezistenţa Rg). Rezultă că între rezistenţa Rg şi reactanţa X C trebuie să existe C1 relaţia: X C C1 ≤ Rg 100 (1.24 Capitolul 1 1. valoarea mare a rezistenţei Rg asigură o rezistenţă (impedanţă) de intrare ridicată pentru etajul de amplificare. Condensatoarele CC1 şi CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare şi respectiv la ieşirea etajului.25) . b) cu negativare automată a grilei.4.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J Funcţionarea unui etaj de amplificare. Curentul de drenă (curentul de sarcină al etajului) este limitat prin rezistenţa de drenă (RD). întrucât reactanţa X C a acestuia este neglijabilă la frecvenţa de lucru a etajului. cu semnul plus (+) la sursă şi minus (−) la grilă.39.7. Figura 1. realizat cu tranzistori TEC-J (canal n).

exprimată prin tg(α).30) . Proiecţiile duse din punctul static (M) pe axele ID şi UDS determină coordonatele ID0 şi UDS0 ale punctului M.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic Considerând etajul de amplificare din figura 1. utilizând punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină cu axele de coordonate: ID = ED . Panta dreptei statice de sarcină.27) Presupunând dată familia caracteristicilor de ieşire I D = f ( U DS ) U = ct. figurat cu linie groasă. cu frecvenţa semnalului UG ~ . prin CC2. pentru UG0= −Eg . Această condiţie este îndeplinită dacă între rezistenţa sursei RS şi reactanţa X C există relaţia: S X CS ≤ RS 10 (1. se trasează dreapta statică de sarcină în planul caracteristicilor de ieşire (figura 1.39-a şi aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ED = RD ⋅ ID + UDS (1.40). a punctului static M pe dreapta de sarcină între punctele A şi B.7.40 se observă că la funcţionarea etajului în regim dinamic apar componentele alternative ale curenţilor şi tensiunilor prin tranzistor care se suprapun peste componentele continue ale acestora. cu dreapta statică de sarcină. o rezistenţă de sarcină RS (sau o impedanţă ZS).28) Punctul static de funcţionare (M) se obţine la intersecţia caracteristicii de ieşire.4. reprezintă caracteristica dinamică a tranzistorului TEC-J. depinde numai de valoarea rezistenţei de drenă RD: tg(α)=RD. atunci componenta alternativă a tensiunii de grilă (UG ~) determină deplasarea rectilinie alternativă. RD U DS = E D (1. Astfel segmentul AB. Dacă la intrarea etajului se aplică un semnal alternativ (u~). Astfel.29) Din figura 1. G pentru tranzistorul TEC-J utilizat în etajul de amplificare (figura 1.26) 1. expresiile curenţilor şi tensiunilor în regim dinamic sunt: UG = UG0+ UG ~ UDS = UDS0+ UDS ~ ID = ID0+ ID ~ (1.Dispozitive electronice de circuit • 25 Condensatorul CS conectat în paralel cu RS trebuie să şunteze rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. astfel încât să se elimine reacţia negativă de tensiune.39-a). Panta caracteristicii dinamice (tg β) va fi diferită de panta dreptei statice (tg α) dacă la ieşirea etajului se conectează. În acest caz panta caracteristicii dinamice va fi: tg β = f (RD + RS) sau tg β = g (RD + ZS) (1.

deoarece modifică prin potenţialul său proprietăţile semiconductorului la suprafaţa dinspre oxid.4.7. la care grila este izolată de canal prin stratul de oxid. Tensiunea de ieşire (UDS ~) este în antifază cu semnalul de intrare (UG~). Figura 1. Structura MOS poate avea două tipuri de canale: a) canal de tip n (electroni). II – regiunea de saturaţie. PSF se alege pe dreapta de sarcină în zona de îmbogăţire (grilă pozitivă). Observaţii: Dacă se cere o rezistenţă de intrare (Ri) cât mai mare a etajului de amplificare..42-b. Pentru Ri mică. ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcină prin tranzistor. se alege PSF în regiunea de sărăcire (grilă negativă). Structura fizică este prezentată în figura 1. În figura 1.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) Structura MOS este prezentată în figura 1.. reprezentând: I-regiunea de amplificare.42-b sunt marcate regiunile I şi II. b) canal de tip p (goluri). Diagramele tensiunilor şi curenţilor la funcţionarea etajului în regim dinamic 1. atunci regimul de funcţionare este un regim de îmbogăţire (în purtători).10-6) mm. i D = g( U G ) U D = ct (1. În figura 1. În cazul tranzistoarelor TEC-MOS având canal permanent.41.31) . Dacă grila este la potenţial pozitiv. rezistenţa de intrare rezultă foarte mare: Ri≅1014 Ω. iar curentul de drenă creşte. La suprafaţa semiconductorului de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 .26 • • Capitolul 1 Observaţii: Curentul de la ieşirea etajului (ID~) este în fază cu semnalul alternativ de la intrare (UG ~).42-b sunt reprezentate caracteristicile de ieşire şi intrare: i D = f ( U D ) U G = ct Valoarea tensiunii de grilă pentru care curentul de drenă se anulează (iD=0) poartă numele de tensiune de prag (Up). Metalul depus pe oxid joacă rol de grilă.40.42-a iar familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare este dată în figura 1. deci modifică conductivitatea canalului.

a .42.7.Dispozitive electronice de circuit 27 Figura 1.43 este prezentată schema unui etaj de amplificare la care tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n). la fel ca în cazul TEC-J. Grupul RS . Structura fizică (a).5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TECMOS având canal de tip n. considerând că în PSF tensiunea de grilă este negativă (UGo<0). CS şi RG. familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare (b) 1. atunci se obţine un etaj de amplificare ce asigură o impedanţă de intrare (Zi) foarte mare (≈1012 Ω). Astfel de amplificatoare cu impedanţe de intrare foarte mari sunt necesare în construcţia adaptoarelor traductoarelor de pH. este alimentat de la o singură sursă (+ED).CS asigură negativarea automată a grilei în raport cu sursa de alimentare. Rezistenţa de grilă (RG) se adoptă suficient de mare (de ordinul MΩ) astfel încât să asigure o impedanţă mare la intrarea etajului de amplificare.43) se elimină elementele RS.41. Dacă din schema etajului de amplificare (figura 1. În figura 1. Structura tranzistorului MOS Figura 1.4.

structura acestuia şi simbolizarea fiind prezentate în figura 1. tiristorul. Din acest motiv aceste dispozitive semiconductoare se mai numesc şi multijoncţiune.5. diacul.7. catod (C) şi poartă sau grilă (P sau G). Un dispozitiv semiconductor special care are o singură joncţiune şi trei electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Joncţiune (TUJ). În cele ce urmează se va prezenta structura.4.47. deci mai multe joncţiuni. Structura fizică şi simbolizarea tiristorului . Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A). Cele mai utilizate dispozitive multijoncţiune sunt: dioda pnpn (numită diodă Shockley sau dinistor). triacul. Figura 1. El este format din 4 zone şi 3 joncţiuni.43.3) Figura 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale În electronica aplicată se utilizează frecvent dispozitivele semiconductoare speciale. Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este asemănător celui prezentat la tranzistorul TEC-J (§ 1. Structura fizică a acestor dispozitive conţine mai multe straturi în succesiune pnpn.28 Capitolul 1 traductoarelor piezoelectrice etc.47.1 Tiristorul Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat în electronica de putere. caracteristicile şi funcţionarea următoarelor dispozitive semiconductoare: 1. Etaj de amplificare cu TEC-MOS având canal n 1.

ilustrată în figura 1.49. figura 1. b) blocarea tiristorului are loc atunci când curentul prin tiristor se micşorează. ceea ce duce la creşterea lui i C = i B . astfel încât acesta să nu depăşească valoarea nominală (care este un parametru de catalog). Curentul prin tiristor (care circulă de la anod la catod) trebuie limitat printr-o rezistenţă de sarcină. Schema echivalentă a unui tiristor Funcţionarea tiristorului cuprinde două etape: a) amorsarea (intrarea în conducţie sau aprinderea). Caracteristica anodică a tiristorului . adică ia scade sub valoarea curentului de menţinere iam (parametru de catalog). iar i B 2 este dat numai de curentul de grilă care trebuie să fie suficient de mare.48 se observă că: i B 2 = i C1 + i G . Figura 1. conectate ca în figura 1. La început ambele tranzistoare sunt blocate.48. Figura 1. fenomenul de conducţie (creştere a curenţilor 2 prin tranzistoare) accelerându-se până când ambele tranzistoare intră în saturaţie. Pentru un tiristor prezintă importanţă caracteristica anodică.48. adică i B creşte şi 2 1 1 deschide T1 rezultând creşterea curentului de colector al tranzistorului T1. Pentru amorsare se aplică tensiune pozitivă la anod şi negativă la catod. Din figura 1. ia=f(Ua).49.49. Acest lucru conduce la creşterea lui i B . după care este necesar un curent de grilă pozitiv care se aplică sub formă de impuls. În continuare se deschide puţin T2.Dispozitive electronice de circuit 29 Tiristorul este echivalent cu două tranzistoare bipolare complementare (pnp şi npn).

figura 1. Pentru protecţia tiristorului la curenţi de scurtcircuit se utilizează o siguranţă fuzibilă specială (ultrarapidă. figura 1. Δi a (1. iar pentru protecţia acestuia împotriva gradienţilor de tensiune inversă se utilizează un circuit Rp-Cp serie conectat în paralel cu tiristorul (figura 1. Grupul Rp-Cp asigură atenuarea gradienţilor de tensiune inversă (periculoşi pentru joncţiunile tiristorului) ce apar în momentul blocării acestuia. Pentru limitarea vitezei de creştere a curentului la o valoare sub viteza critică (parametru de catalog).49). .50). În regimul de tranziţie rezistenţa internă a tiristorului este negativă: R Ti = − • ΔU a < 0.32) zona III – corespunde regimului de conducţie (curentul creşte brusc după o caracteristică aproape verticală. iar căderea de tensiune între anod şi catod rămâne aproximativ constantă). se înseriază cu tiristorul o bobină de inductivitate L (calculată ca şi grupul Rp-Cp după o metodologie utilizată de exemplu. iar curentul anodic are o creştere mică). • tensiunea inversă Uinv = sute (mii) volţi (tensiunea anodică inversă).30 Capitolul 1 În planul caracteristicilor anodice. se disting 3 zone corespunzătoare regimurilor de funcţionare ale tiristorului: • zona I – corespunzătoare regimului de blocare (curentul creşte foarte puţin. fiind neglijabil). Observaţii: Dacă între tensiunile de amorsare Uam1 şi Uam2 există inegalitatea (Uam1<Uam2). • zona II – corespunzătoare regimului de tranziţie din starea blocat în starea de conducţie (când tensiunea scade pronunţat.49. Caracteristica de comandă a tiristorului • • • Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt: • curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN ≤ 1000A.51). Figura 1.51). Caracteristica de comandă (caracteristica de grilă) reprezintă dependenţa tensiunii de amorsare în raport cu valoarea curentului de grilă (figura 1. în [1]). Această caracteristică separă zona de blocare faţă de zona de conducţie şi explică faptul că pentru tensiuni de amorsare mari. e. valorile curenţilor de grilă necesari amorsării sunt mai mici şi invers (fenomen ilustrat şi în figura 1.50. • temperatura maximă a joncţiunii Tj max ≤ 140 oC. atunci între curenţii de grilă corespunzători există inegalitatea inversă: i G1 > i G 2 .

Elementele de protecţie necesare triacului sunt aceleaşi ca în cazul tiristorului. Principalii parametrii de catalog. Pentru amorsarea tiristorului este necesar ca durata impulsului de comandă (iG) să fie suficient de mare. ia=f(ua). b) Dacă anodul A2 este negativ faţă de anodul A1. ce trebuie luaţi în considerare la alegerea unui triac.Dispozitive electronice de circuit • 31 După intrarea în conducţie a tiristorului. LS). se poate considera că triacul este echivalent cu două tiristoare în conexiune antiparalelă comandate printr-o grilă comună (figura 1. este formată din două ramuri situate în cadranele I şi III (figura 1. curentul de sarcină (curentul anodic) este limitat numai de rezistenţa şi/sau inductivitatea de sarcină (RS. intrarea în conducţie se face pentru curenţi de grilă pozitivi (iG>0). care este o ramură distinctă a electronicii industriale. Făcând abstracţie de structura fizică. 1.52-a).53). iar funcţionarea corespunde cadranului I. Tiristorul reprezintă un întrerupător static în curent continuu şi este utilizat în construcţia variatoarelor de tensiune continuă monofazate sau polifazate. iar funcţionarea corespunde cadranului III. Uinv-max≤ 1200V. caracteristica anodică.52-b.2 Triacul Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structură complexă. trecerea în starea de conducţie are loc pentru curenţi de grilă negativi (iG<0). • temperatura maximă a joncţiunii. IN≤ 75A. Triacul reprezintă un întrerupător static în curent alternativ şi este utilizat pentru reglarea tensiunii alternative (în structura variatoarelor de tensiune alternativă) la bornele receptoarelor mono sau trifazate. Tj-max≤ 140 oC. Acest domeniu de aplicaţie aparţine electronicii de putere. astfel încât curentul prin tiristor (ia – figura 1. Conectarea triacului în circuit este prezentată în figura 1. Observaţie: Valorile absolute ale curenţilor de grilă |iG1| şi |iG2| necesari amorsării triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului (Uam1 şi Uam2). La funcţionarea triacului într-un circuit de sarcină se disting două situaţii: a) Dacă anodul A2 este pozitiv faţă de anodul A1. sunt următorii: • curentul nominal. Figura 1. Asemănător fenomenelor întâlnite la tiristor.49) să depăşească valoarea curentului de menţinere iam. Tiristorul în circuit • • Amplitudinea impulsului de comandă pe grilă (iG) reprezintă un parametru de catalog a cărui valoare nu trebuie depăşită.5.51. Întrucât triacul are conducţie bidirecţională. dacă tensiunile de . • tensiunea maximă inversă.

(a) (b) Figura 1.54. Simbolizarea triacului (a). Zona p a emitorului este puternic .52. Figura 1. triacul în circuit (b) Figura 1. Structura fizică şi simbolizarea tranzistorului unijoncţiune La acest tranzistor zona n este slab dopată cu impurităţi.5. Caracteristicile anodice ale triacului 1. Structura fizică şi simbolizarea sunt prezentate în figura 1.54.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) Acest dispozitiv semiconductor se mai numeşte şi diodă cu două baze. iar rezistenţa RBB între bazele B1 şi B2 este relativ mare (de ordinul kΩ). curenţii de grilă necesari intrării în conducţie vor fi mai mici şi invers.53.32 Capitolul 1 amorsare aplicate triacului sunt mai mari. Joncţiunea p-n este realizată în zona mediană a blocului semiconductor de tip n.

Care sunt proprietăţile regiunii de trecere a unei joncţiuni pn? 3. Când aceste condiţii sunt îndeplinite joncţiunea p-n este polarizată direct.8 . La aplicarea unei tensiuni uBB>0 între cele două baze potenţialul punctului M situat pe joncţiune va fi egal cu η⋅uBB. Pe durata regimului tranzitoriu (porţiunea OA din caracteristici) rezistenţa internă a TUJ este negativă.. curentul de emitor (iE) creşte lent pe durata regimului tranzitoriu. fiind limitat numai de valoarea rezistenţei de sarcină. Familia caracteristicilor curent-tensiune Datorită formei de variaţie a curentului de emitor (în regim de conducţie). 1. 1 V (punctul A din figura 1.8.55.5 ··· 0. Figura 1. (semnul plus la borna B2).6 Întrebări şi problemă 1. iar uEB1 scade până la valoarea de 0. Care este legea de variaţie a purtătorilor de sarcină în cazul semiconductoarelor omogene? Precizaţi semnificaţia parametrilor din expresia analitică ! 2.Dispozitive electronice de circuit 33 dopată cu impurităţi. în cazul Termistorului şi Fotodiodei ? . Care sunt parametrii de catalog şi semnificaţia acestora. unde η se numeşte raport intrinsec (coeficient subunitar) exprimat prin relaţia: η= rB1 + rB 2 rB1 (1.. între punctul din dreptul joncţiunii emitorului şi cele două baze. b) uEB1 > η·uBB. După terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor creşte brusc (pe ramura AB comună caracteristicilor). De regulă η=0.33) în care rB1 şi rB2 sunt rezistenţele barei de semiconductor.55). Intrarea în conducţie a tranzistorului unijoncţiune are loc dacă sunt îndeplinite condiţiile: a) uBB > 0. tranzistorul unijoncţiune este utilizat ca formator de impulsuri în circuitele de comandă ale tiristoarelor sau triacurilor.

I DS0 = 8m [ A ] . Se cere să se calculeze valorile elementelor: R S . Ce modalităţi (variante) există pentru negativarea grilei – în cazul TEC-J. Prin ce parametru (variabil) se poate modifica secţiunea canalului (de tip n) în cazul TEC-J ? 9. Re = 40 KΩ ? 7. f = 20 KHz ? 6. R D . C1 . Care sunt relaţiile analitice ce justifică proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar ? 5. C2 = CS . f min = 200 [ Hz ] . în care se cunoaşte: U DS0 = 10 [ V ] . Care element (componentă) din schema etajului de amplificare – asigură stabilizarea PSF la variaţia temperaturii mediului ? Problemă Considerând schema unui etaj de amplificare. canal de tip “n” (permanent) ? 10. Cum (în câte moduri) se poate măsura o tensiune alternativă cu parametrii: Uef = 80V. Ce reprezintă caracteristica dinamică în cazul tranzistorului bipolar şi de cine depinde panta acesteia ? 8. U G0 = −5 [ V ] . cu TEC-J (prezentată mai jos). Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ.34 Capitolul 1 4. .

2. Bornele de ieşire (2 – 2’) reprezintă poarta de ieşire. U1. Figura 2. printr-un cuadripol activ care are două perechi de borne. caracterizată de tensiunea U2 şi respectiv curentul I2.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor Dacă notăm cu P1 puterea în circuitul de intrare şi cu P2 puterea obţinută la ieşire.CAPITOLUL 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE 2. Schema de principiu a unui amplificator Bornele de intrare (1 – 1’) reprezintă poarta de intrare.1. Sarcina sa poate fi rezistivă sau poate fi o impedanţă. se pot defini următorii parametri: • Amplificarea de putere Ap: A p = P2 >1 P1 (2. respectiv I1.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor Un amplificator este simbolizat.1) .1.1. Amplificarea semnalului de la intrare se face utilizând energie preluată de la sursa de alimentare (Uo). ca în figura 2. care de regulă nu se simbolizează în schemele bloc. caracterizată de tensiunea şi curentul de intrare. în condiţia ca semnalul de la ieşire să păstreze forma semnalului aplicat la intrare. Un amplificator are rolul de dezvolta în circuitul de ieşire o putere mai mare decât cea aplicată la intrare.

Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora: . osciloscoape etc). Amplificarea în decibeli se calculează utilizând relaţia: A[dB] = 20 ⋅ log A = 20 ⋅ log Exemple: • [dB] (A > 0) (2.5) Impedanţa de intrare este impedanţa echivalentă la bornele de intrare atunci când la bornele de ieşire este conectată impedanţa de sarcină nominală (ZSN). U1 I1 (2. . U1 I Ai = 2 I1 (2..componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (când filtrarea acestei tensiuni este necorespunzătoare).4) Considerând reprezentările în complex ale mărimilor intrare-ieşire. ce caracterizează deformarea unui semnal sinusoidal.2) Frecvent se utilizează unitatea logaritmică pentru amplificare. se pot defini amplificările în tensiune şi curent prin relaţiile: A= • U2 . Când amplificatoarele intră în componenţa traductoarelor piezoelectrice. Aceasta se defineşte prin relaţia: Zi = Valoarea impedanţei de intrare trebuie să fie de ordinul meghomilor [MΩ]. Ze. În aceste cazuri primul etaj al amplificatorului se realizează cu tranzistoare MOS.agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare prin rezistoare şi tranzistoare. nu depăşeşte o limită impusă (de exemplu 5%). Un amplificator performant trebuie să aibă raportul dintre semnalul util şi zgomot cât mai mare. • Impedanţa de ieşire. trebuie să fie mică (zeci de Ω) pentru ca la ieşire să se poată debita un curent (o putere) cât mai mare în impedanţa de sarcină nominală (ZSN). numită decibel [dB]. • Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zează efectul tensiunii fluctuante la ieşirea amplificatorului – care există şi atunci când nu se aplică semnal la intrare. piezorezistive sau de pH.1012] Ω. atunci când amplificatoarele se utilizează în aparatura de măsurare (voltmetre electronice.36 • Amplificarea în tensiune Au: A u ≡ A = Capitolul 2 U2 U1 U2 U1 (2. Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină în condiţiile când factorul de distorsiuni. .dacă A = 10n → AdB = 20⋅n. .tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor electromagnetice din mediul înconjurător.dacă A = 1 → AdB = 0.3) .6) . Amplificarea în curent se defineşte prin relaţia: A i = • I2 I1 (2.. impedanţa de intrare (Zi) trebuie să fie foarte mare: Zi∈[108.

2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor Caracteristica externă reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire în raport cu tensiunea de intrare. A4 . Dacă Ui>Uimax atunci semnalul de ieşire este distorsionat (deformat). unde punctul A este situat în zona de saturaţie..2. În figura 2. d[%] = ⋅ 100 (2.3 sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului împreună cu dreapta de sarcină (AB). reprezintă amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t). fiind dată în figura 2. Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni de neliniaritate. Caracteristica externă a amplificatorului În figură se disting două zone: zona OA (zona I) corespunzătoare regiunii liniare a caracteristicii. a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare.2. se consideră un etaj de amplificare cu tranzistor bipolar la intrarea căruia se aplică un semnal sinusoidal.. ( U 2 = f ( U1 ) ). Pentru a explica apariţia distorsiunilor de neliniaritate şi efectul poziţiei punctului static de funcţionare (PSF) al tranzistorului asupra lărgimii zonei de liniaritate în caracteristica intrare-ieşire.1. (a) (b) Figura 2. A3. Se defineşte factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin relaţia: 2 2 2 A 2 + A 3 + A 4 + .3.. în care este valabilă relaţia A[dB]=20⋅logA şi zona AB (zona II) corespunzătoare regiunii neliniare de saturaţie..Amplificatoare şi oscilatoare 37 2. b) Distorsiuni datorate alegerii greşite a poziţiei PSF . când la intrare se aplică un semnal perfect sinusoidal. Dacă PSF se alege în zona mediană a caracteristicii statice ( soluţia corectă – figura 2.7) A1 unde: A1 – este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieşire u2(t) – distorsionat. Figura 2.3-a) semnalul de ieşire (ue2) va fi distorsionat atunci când amplitudinea semnalului de intrare (ui 2) depăşeşte valoarea maximă (ui max) delimitată de curbele c1 şi c2. A2. iar punctul B – în zona de tăiere.

Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2. semnalul de ieşire (ue) va fi distorsionat numai pentru semialternanţa pozitivă deoarece numai prima semialternanţă din semnalul de intrare (ui) depăşeşte valoarea maximă. pentru a nu avea distorsiuni de frecvenţă.4. Această dependenţă se numeşte caracteristică de fază: ϕ = g’(f). Acest domeniu se numeşte banda de trecere a amplificatorului (Bt) şi reprezintă domeniul cuprins între frecvenţa joasă de tăiere (ftj) şi frecvenţa de tăiere înaltă (ftî) pentru care amplificarea A[dB] nu se micşorează cu mai mult de 3dB. figura 2. introdus de amplificator. un amplificator este caracterizat prin dependenţa defazajului ϕ. unde ϕ este defazajul introdus de amplificator.4 şi exprimă dependenţa modulului amplificării în raport cu frecvenţa (f): A[dB] = g(f) (2. Ansamblul acestor armonici formează spectrul semnalului de intrare.38 Capitolul 2 Dacă PSF este greşit ales spre punctul A. Caracteristica de fază este importantă la amplificatoarele utilizate în: osciloscoape. la extremităţile benzii de trecere. vor rezulta distorsiuni de frecvenţă numite şi distorsiuni de liniaritate (când amplificatorul funcţionează în regiunea liniară a caracteristicii intrare-ieşire). Observaţii: • La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie să fie mai îngustă decât spectrul semnalului util (de intrare).707 ⋅ A 0 . • În afara caracteristicii de frecvenţă.8) Figura 2. este echivalentă cu scăderea amplificării A la valoarea 1 ⋅ A 0 = 0. dar nici mult mai largă decât acest spectru pentru a nu micşora raportul semnal util/zgomot. în funcţie de frecvenţa f (datorită elementelor reactive din circuitul acestora).3-b. transmisii de date etc. Această condiţie este îndeplinită atunci când spectrul semnalului aplicat la intrare este cuprins în banda de trecere a amplificatorului. Pentru amplificarea fără distorsiuni a semnalului de intrare este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia să fie amplificate în aceeaşi măsură. delimitată prin caracteristica c1. iar f este frecvenţa semnalului de intrare. Detalii privind caracteristica de fază a amplificatoarelor sunt date în [3]. Semnalul de intrare în amplificator este rezultatul însumării unor armonici de diferite amplitudini şi frecvenţe. 2 unde A0 este amplificarea medie în banda de trecere Bt. televiziune. Micşorarea cu 3dB a amplificării. . Caracteristica de frecvenţă În aplicaţiile practice interesează domeniul de frecvenţă în care amplificarea este aproximativ constantă. Dacă spectrul semnalului de intrare nu este inclus în totalitate în banda de trecere a amplificatorului.

unde variaţiile de curent şi tensiune.Amplificatoare şi oscilatoare 39 2. care amplifică semnale fără componentă continuă şi au caracteristica de frecvenţă de tipul celei din figura 2. ilustrat în figura 2.ftj). în mod deosebit.5. corespunzătoare semnalului de intrare. e) După poziţia punctului static de funcţionare (PSF). • amplificatoare de înaltă frecvenţă. • amplificatoare de semnal mare. Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de putere. când frecvenţa medie este mai mică de 1MHz. 60]. ale căror spectre conţin şi componenta continuă (armonica de frecvenţă nulă). d) După lărgimea benzii de trecere: • amplificatoare de bandă îngustă. unde f0 este frecvenţa centrală a benzii de trecere.4. • amplificatoare de curent alternativ.3 Tipuri de amplificatoare Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri şi se pot clasifica după următoarele criterii: a) După tipul semnalului de amplificat: • amplificatoare de curent continuu – destinate amplificării semnalelor lent variabile.6. Caracteristică de frecvenţă a acestui tip de amplificator este prezentată în figura 2. definit prin relaţia Q=f0/(ftî .. corespunzătoare semnalului de intrare. La aceste amplificatoare se urmăreşte.1. caracterizate prin factorul de calitate Q. la care raportul dintre frecvenţa înaltă de tăiere şi frecvenţa joasă de tăiere (ftî/ftj). Aceste amplificatoare se numesc de tensiune. este de ordinul 105. În această categorie sunt incluse şi amplificatoarele de audiofrecvenţă.5.. Figura 2. amplificatoarele pot fi: . când frecvenţa medie este de ordinul MHz sau GHz. la care variaţiile de tensiune şi de curent.. sunt relativ mari. în mod deosebit. obţinerea unei amplificări în tensiune.. deoarece se urmăreşte. În categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de videofrecvenţă. sunt mici în comparaţie cu valorile tensiunilor şi curenţilor de la ieşire. Caracteristica de frecvenţă a unui amplificator pentru semnale lent variabile b) După nivelul semnalului amplificat: • amplificatoare de semnal mic. numite şi selective.106. c) După valoarea frecvenţei medii din spectrul semnalului amplificat: • amplificatoare de joasă frecvenţă. obţinerea unei anumite puteri pe sarcină. • amplificatoare de bandă largă. Valoarea curentă a factorului de calitate este cuprinsă în domeniul [10.

impedanţa de sarcină (ZS) sau rezistenţa de sarcină şi puterea necesară la ieşire (P2)..2.40 • Capitolul 2 amplificatoare în clasă A (PSF se află în regiunea mediană a dreptei de sarcină. Poziţia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare 2.7. Figura 2. Se cere: proiectarea amplificatorului de tensiune şi a amplificatorului de putere astfel încât să se debiteze pe ZS puterea impusă la ieşire.1 Amplificatoare de tensiune Aceste amplificatoare trebuie să asigure la ieşire o tensiune U (suficient de mare) încât.7. • amplificatoare în clasă A-B (PSF se află aproape de punctul de tăiere. AP-EF).2 Amplificatoare de curent alternativ Un exemplu tipic al acestor amplificatoare îl reprezintă amplificatorul de audiofrecvenţă. Amplificatoarele de curent alternativ. la care PSF se alege în profunzimea regiunii de blocare. Observaţie: Există şi amplificatoare în clasă C. aplicată la intrarea AP. acesta să poată furniza puterea P2 cerută la . AT-PA).20 kHz. punctul M1). Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1). figura 2.. Figura 2. au în componenţă două blocuri funcţionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de tensiune (numit preamplificator. punctul M2). iar al doilea bloc este un amplificator de putere (etaj final. punctul M). aceste amplificatoare fiind utilizate în construcţia triploarelor de frecvenţă şi în tehnica semnalelor modulate în frecvenţă. Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprinsă în domeniul 20Hz.6. • amplificatoare în clasă B (PSF se află în punctul de tăiere. 2.

C3 blochează componenta continuă care s-ar putea transmite la ieşirea etajului al II-lea. amplificatoarele de tensiune se realizează din mai multe etaje legate în serie (cascadă) ca în figura 2. Figura 2. RC2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de colector). C2 are rolul de a bloca componenta continuă care s-ar transmite de la primul etaj la următorul. Structura generală a unui amplificator de tensiune Cuplarea etajelor se poate realiza în două moduri: a) utilizând elemente de cuplaj .8. Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi a condensatoarelor de decuplare (CE1. Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând tranzistoare bipolare (figura 2. . Observaţie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj între etaje oferă avantajul unei adaptări facile între sarcină şi etaj.Amplificatoare şi oscilatoare 41 ieşire. RE2 au rolul de a stabiliza poziţia punctelor statice de funcţionare (PSF) în cele două etaje de amplificare.condensatoare sau transformatoare de cuplaj. b) cuplajul direct între etaje (ca în cazul circuitelor integrate). CE2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune la funcţionarea etajelor de amplificare în regim dinamic.9. Rezistoarele RE1. Exemple de amplificatoare de tensiune 1.8. Condensatoarele CE1. dar are şi dezavantaje: gabarit mare şi preţ de cost ridicat. C2 şi C3 se numesc condensatoare de cuplaj şi au următoarele roluri: C1 blochează componenta continuă a semnalului aplicat la intrarea primului etaj de amplificare.9). Rezistoarele RC1. Din acest motiv. către amplificatorul de putere. CE2) sunt astfel alese încât reactanţele acestora să fie neglijabile (să reprezinte scurtcircuite) la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. Figura 2. Condensatoarele C1. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu tranzistoare bipolare Perechile de rezistoare RB1 − RB2 şi RB3 – RB4 reprezintă divizoare de tensiune prin care se stabilesc valorile curenţilor de bază.

Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 – intrare. CS2) trebuie să asigure reactanţe capacitive neglijabile la frecvenţele de lucru ale amplificatorului.10) Figura 2. polarizează baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P şi RB). Din această cauză punctul static de funcţionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj depinde de poziţia PSF a tranzistorului din etajul anterior. Rezistenţele RD1.9. iar tensiunea din colectorul lui T2 (UCE2) determină poziţia PSF pentru tranzistorul T3 care. atât componenta alternativă cât şi componenta continuă ale semnalului. C3 au acelaşi rol (de cuplaj). Amplificator de joasă frecvenţă realizat prin cuplare directă între etaje În cazul cuplajului direct între etajele de amplificare se transmite. Funcţionarea corectă a circuitului presupune ca în circuitul bazei primului tranzistor (T1) să existe un curent de polarizare iBo care să determine funcţionarea tranzistorului în regiunea activă. RD2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de drenă). condensatoarele C1. C2. Se observă că cele trei etaje de amplificare (din structura circuitului integrat) sunt cuplate direct. 3 – ieşire. Acest fenomen complică – într-o anumită măsură – calculul regimului staţionar al amplificatorului (în faza de proiectare). Observaţii: • Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi de decuplare (CS1. • Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utilizând tranzistoare bipolare în loc de tranzistoare TEC-J. În figura 2. Rezistenţa RB împreună cu potenţiometrul P realizează un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului .11 este prezentat un amplificator de audiofrecvenţă. deci blochează componentele continue (la intrare prin C1. de la un etaj la altul. 3. 4 – bornă de masă (−E). Amplificator de tensiune alternativă realizat cu TEC-J Ca şi în schema din figura 2. între etaje prin C2 şi la ieşire prin C3). CS2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune în regim dinamic. la rândul său.10. Rezistenţele RG1. 2 – alimentare (+E). Condensatoarele CS1. RG2 (cu valori de ordinul MΩ) au rolul de a realiza impedanţe mari la intrarea etajelor. Rezistoarele RS1. RS2 au rolul de negativare automată a grilelor cât şi de a stabiliza poziţiile punctelor statice de funcţionare (PSF) la variaţia temperaturii ambiante.42 2. realizat cu circuitul integrat TAA-263. Tensiunea din colectorul lui T1 (UCE1) asigură polarizarea corectă a bazei lui T2. Capitolul 2 Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând TEC-J (figura 2.

2. o valoare impusă a puterii P2 (la ieşire). b) adaptarea etajului la sarcină utilizând pentru etajul final o schemă de conexiune adecvată. Amplificator de audiofrecvenţă realizat cu CI de tip TAA-263 Observaţie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare (U1∼).12.9) Figura 2. schema echivalentă a amplificatorului (AP) este dată în figura 2. Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimină reacţia negativă de tensiune la frecvenţele de lucru ale amplificatorului). numite şi etaje finale.12. 2.2 Amplificatoare de putere (AP) Aşa cum s-a arătat anterior amplificatoarele de putere. Schema echivalentă a unui amplificator de putere Există două metode pentru creşterea puterii debitate la ieşire: a) adaptarea sarcinii la etajul de ieşire prin intermediul transformatoarelor (de adaptare).11.12). Reprezentând amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu rezistenţa internă Rg egală cu rezistenţa de ieşire a etajului (Re). se va înseria un rezistor R1 ( ≅ 1 kΩ) înaintea condensatorului C. puterea debitată pe RS va fi maximă dacă este îndeplinită condiţia: Re (AP) ≤ RS (2. la un generator dat se obţine puterea maximă pe sarcină atunci când rezistenţa internă a generatorului (Rg) este mai mică sau egală cu rezistenţa de sarcină (RS). În conformitate cu teorema transferului maxim de putere.Amplificatoare şi oscilatoare 43 tranzistor. ţinând seama de schema echivalentă (figura 2. Cu prima metodă se adaptează rezistenţa de sarcină la etaj. Deci. au rolul de a debita pe un rezistor de sarcină dat. Acest lucru este posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de . Figura 2.

În cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieşirea amplificatorului prin transformator.13. puterea utilă (Pu) debitată pe rS reprezintă puterea dezvoltată în circuitul monofazat din secundarul transformatorului şi se calculează utilizând relaţia: Pu = U ef I ef cos(ϕ) = U CE max I C max U ⋅I ⋅ = CE max C max = 2 2 2 CM ⋅ AC = = aria (ΔMAC). Astfel. Aria triunghiului poate fi mărită dacă PSF iniţial (M) se adoptă prin proiectare astfel încât dreapta de sarcină să fie tangentă în M la hiperbola de disipaţie a puterii tranzistorului (vezi figura 1. unde N1 şi N2 reprezintă numărul de spire din primarul transformatorului. 2 (2. adică pentru un curent de ieşire (curent de colector) mare. figura 2.13. pentru o putere mare la ieşire.2.14 care funcţionează în clasă A având sarcina cuplată prin transformator. respectiv din secundarul acestuia.26). se obţine relaţia aproximativă de calcul pentru RS: 2 (2.10) R S = r1 + (r2 + rS ) ⋅ ⎜ ⎜N ⎟ ⎟ ⎝ 2⎠ Dacă se neglijează r1 şi r2. Rezistenţa de sarcină raportată la primarul transformatorului se poate calcula folosind relaţia: 2 ⎛ N1 ⎞ (2.12) Creşterea puterii debitate la ieşire datorată creşterii semnalului de intrare poate avea loc dacă punctul A’ nu intră în zona de saturaţie. figura 2. . O metodă de creştere a puterii debitate de AP constă în creşterea amplitudinii semnalului de la intrare.2. În acest caz trebuie urmărită condiţia ca punctul A’ să nu ajungă în zona de saturaţie şi punctul B’ să nu ajungă pe caracteristica iB=0 (zona de tăiere). Sarcină cuplată la AP prin transformator Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt ≅ N1/N2. Figura 2. se alege o schemă de conexiuni cu rezistenţă de ieşire mică (conexiune colector comun). 2. Acest lucru este ilustrat în diagramele de semnale aferente funcţionării în regim dinamic al etajului.15.1 Amplificatoare de putere în clasă A Se consideră etajul de amplificare din figura 2.44 Capitolul 2 cuplaj.11) R S ≅ rS ⋅ K t Adaptarea etajului la sarcină este posibilă dacă alegem o schemă de conexiuni adecvată transferului maxim de putere. Rezistenţa generatorului (Rg) din schema echivalentă se adoptă egală cu rezistenţa de ieşire (Re) a etajului amplificator de putere (AP).

unde Pc este puterea consumată de amplificator de la sursa auxiliară de alimentare).Amplificatoare şi oscilatoare 45 Randamentul unui amplificator în clasă A nu depăşeşte 50% (η=Pu/Pc. Figura 2.2 Amplificatoare de putere în clasă B Considerând planul caracteristicilor de ieşire.16. Figura 2. Amplificator de putere în clasă A Figura 2. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă B Dacă semnalul de intrare iB~ creşte excesiv.15.2. PSF (punctul M) poate ajunge în poziţia A”. atunci PSF va descrie la ieşire un semnal redresat monoalternanţă (ca în figura 2. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă A 2.16.2. semnalul fiind distorsionat. figura 2. în cazul acestor amplificatoare PSF se alege în zona de tăiere a dreptei de sarcină.14. Dacă amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor.16). Pentru ca semnalul de ieşire să fie tot .

iar al doilea este un tranzistor de putere (T1). i S = i C1 + i C 2 (2. iC1 şi iC2.18.46 Capitolul 2 sinusoidal (ca cel de intrare). dintre care primul este numit tranzistor de comandă (T2 .14) unde: (2. Această conexiune este formată din două tranzistoare (figura 2.2.17: 1-npn şi 2-pnp. pentru ca amplificarea celor două alternanţe să se facă în cantităţi egale (amplitudini egale). numită şi tranzistor compus.13) În schema prezentată este necesar ca tranzistoarele să aibă caracteristici statice identice. În acest ultim caz conexiunea Darlington se numeşte cu inversare de polaritate.de putere mică sau medie).18. β N = β N1 + β N2 + β N1 β N2 ≅ β N1β N2 .17 Dacă la intrare se aplică semialternanţa pozitivă.17. Figura 2. În figura 2. iar în figura 2.19). invers. figura 2. T2 –pnp). conduce T1 iar T2 este blocat şi. formează prin însumare curentul alternativ de sarcină (iS) prin RS. Cei doi curenţi de colector. Curentul de colector al tranzistorului compus este: i C = i C1 + i C2 ≅ β N1i B1 + β N2i B2 = β N2i B + β N2i E 2 = β N 2i B + + β N1 (i C2 + i B2 ) = β N 2i B + β N1β N 2i B2 + β N1i B2 = β N i B (2.19-a conexiunea Darlington este realizată cu două tranzistoare npn (fără inversare de polaritate). aceeaşi conexiune este realizată cu două tranzistoare complementare (T1 –npn.19-b.2. figura 2. pentru semialternanţa negativă.15) Din ultima relaţie se observă că tranzistorul compus realizează o amplificare în curent mare. Ansamblul tranzistoarelor într-o conexiune Darlington se numeşte dublet. Randamentul acestui amplificator în clasă B este de circa (70÷75)%. Amplificator de putere amplificatorul în clasă B Figura 2. etajul de amplificare se realizează cu două tranzistoare complementare. Curentul de sarcină pentru din figura 2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utilizând conexiunea Darlington. 2.

2. Acest fenomen constă în modificarea în timp a tensiunilor la ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea acestuia semnalul se menţine constant sau este nul. Etaj de amplificare diferenţial .3 Amplificatoare de curent continuu Acestea sunt destinate amplificării semnalelor lent variabile care au frecvenţa minimă din spectru egală cu zero. rezultă în timpul funcţionării un fenomen numit ”deriva nulului” (sau derivă termică).20 este prezentat etajul de amplificare în montaj diferenţial.două divizoare de tensiune la intrări.20.o ieşire simetrică între bornele AB (Ue ≡UAB).1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial În figura 2.două intrări simetrice Ui1 şi Ui2 . .Amplificatoare şi oscilatoare 47 Figura 2. unde se disting: . .3. care asigură tensiunile U1 şi U2. Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizează două metode: a) folosirea unui montaj diferenţial în schema de amplificare. . Figura 2.19. Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea directă între etajele de amplificare. b) utilizarea schemei de amplificare care se bazează pe principiul modulăriidemodulării.două ieşiri nesimetrice (Ue1 şi Ue2). ca urmare. Ele sunt utilizate în construcţia aparatelor de măsură şi automatizare. Conexiune Darlington: fără schimbare de polaritate 2.

ceea ce conduce la scăderi ale tensiunilor Ue1 şi Ue2 în cantităţi egale. din (2.16) (2. Figura 2. În acest caz rezultă: iC1 creşte şi iC2 creşte. din (2. ↓ ≡ scade. Ue2 au variaţii opuse în raport cu creşterea semnalului la una dintre intrările amplificatorului. Dacă se aplică simultan semnale la ambele intrări.17) ⇒ U BE 2 ↓ ⇒ iB2 ↓ ⇒ iC2 ↓ ⇒ Ue2 ↑ Cazul II. tensiunea la ieşire va fi dată de relaţia: Ue=K⋅(Ui1-Ui2). ⇒ (2. În figura 2. rezultând o tensiune constantă la ieşirea simetrică (Ue =UAB=const).18) U BE1 ↓.48 Capitolul 2 Explicarea atenuării fenomenului de derivă: considerăm Ui1=Ui2=constant şi că temperatura T creşte.17) Dacă iE1 ↑.22-a se dă schema unui etaj diferenţial. considerând aceste semnale neegale (Ui1 ≠ Ui2). Funcţionarea în regim de amplificator Pe parcursul explicaţiilor se utilizează notaţiile simbolice: ↑ ≡ creşte. deci iB1 ↓ ⇒ iC1 ↓ (scade) ⇒ Ue1 ↑(creşte) Concluzie: Cele două tensiuni la ieşirile nesimetrice Ue1.21. dar iC2 ≈ iE2 ↑. ⇒ iB2 ↑ ⇒ iC2 ↑ ⇒ Ue2 ↓. Aceste variaţii sunt ilustrate în planul caracteristicilor de transfer. Tensiunile de ieşire ale amplificatorului diferenţial Observaţii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dublă faţă de pantele caracteristicilor referitoare la ieşirile simetrice. având ca elemente de echilibrare potenţiometrul P şi reostatul R. Cazul I: Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitele de emitor rezultă ecuaţiile: Ui1 ≠ 0 (Ui1 ↑) Ui2 = 0 ⇒ U2 = const. Ui1= 0 ⇒ U1= const.16). unde K este factorul de amplificare pentru montajul diferenţial. Ui2 ≠ 0 (Ui2 ↑) Dacă Ui2 ↑. figura 2.21. . Dacă Ui1 ↑ ⇒ iB1 ↑ ⇒ iC1 ↑ ≈ iE1 ↑ ⇒ Ue1 ↓ U BE1 = U1 − R E (i E1 + i E 2 ) U BE 2 = U 2 − R E (i E1 + i E 2 ) (2.

a cărui schemă bloc este prezentată în figura 2.23. prin intermediul unei legături inverse (ieşire-intrare). determinând o deplasare în sus a caracteristicilor. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie negativă de tensiune .22. Echilibrarea etajului diferenţial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare.22-b). iar tensiunea de ieşire comună creşte. Figura 2. 2.Amplificatoare şi oscilatoare 49 S-a considerat iniţial că etajul nu este echilibrat. b) deplasarea caracteristicilor statice.23. iar cu ajutorul reostatului R se deplasează caracteristicile pe verticală. Prin ajustarea potenţiometrului P se deplasează caracteristicile pe orizontală. adică intersecţia caracteristicilor statice nu are loc în origine (figura 2. fiind determinată de cuplaje parazite. Se consideră un amplificator cu reacţie negativă de tensiune. Când reacţia negativă este necesară în amplificatoare. Există însă şi situaţii în care reacţia negativă apare accidental. până când se obţine echilibrarea amplificatorului (intersecţia caracteristicilor statice are loc în originea axelor de coordonate). acesta se realizează prin circuite specializate (dimensionate în faza de proiectare).4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei Reacţia – în cazul amplificatoarelor – constă în aplicarea (introducerea) la intrarea acestuia a unei părţi din energia mărimii de la ieşire. Figura 2. Exemplu: Prin creşterea rezistenţei R curentul iC ≅ iE1+iE2 se micşorează.

23 acest factor este exprimat prin relaţia: Ar = Ue Ui (2. (2. U . Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare şi cel de reacţie (figura 2.25) Ar + β ⋅ Ar = 1 A A 1+β⋅A (2.este tensiunea la ieşirea amplificatorului. rezultă: . de obicei.26) Rezultă că.20) şi (2.28) Pornind de la relaţia (2. Amplificarea unui amplificator cu reacţie pozitivă de tensiune este dată prin relaţia: Ar = A 1−β⋅A (2.20) unde: U i este tensiunea aplicată la intrare.27) În cazul reacţiei negative semnalul de la ieşire (Ue) este în antifază cu semnalul de la intrare (U).23) Din relaţiile (2. pentru cazul reacţiei negative de tensiune (figura 2. printr-o reţea de elemente pasive şi este caracterizat prin factorul de reacţie β: β= Ur Ue (2.este tensiunea la intrarea amplificatorului fără reacţie. se pot scrie următoarele ecuaţii: U + U r − Ui = 0 (2.21) se obţine: Ue + β ⋅ Ue = Ui A Împărţind ultima relaţie la U i .50 Capitolul 2 Semnificaţiile notaţiilor din figură sunt: .22) Ur = β ⋅ Ue (2. exprimat prin relaţia: A= Ue U (2.21) unde: Ur este tensiunea de reacţie.19).20).A este factorul de amplificare al amplificatorului fără reacţie. .24) (2.Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacţie de tensiune. din relaţia precedentă se obţine: (2. amplificarea este exprimată prin relaţia: Ar = (2.19) unde: Ue .23). Reacţia pozitivă se obţine când tensiunea Ue de la ieşire este în fază cu semnalul U.23). Circuitul de reacţie este realizat. se obţine: Ue U +β e =1 A ⋅ Ui Ui Ţinând seama de expresia lui Ar (2.28) şi împărţind membrul drept prin A. Dacă circuitul de reacţie este format numai din rezistoare atunci β este un număr real. Conform figurii 2.

proprietate foarte utilă în echipamentele de măsură şi de automatizare. • Se modifică favorabil impedanţele intrare-ieşire.29) Pentru A→ ∞ . 3) curentul de polarizare pe cele două intrări neglijabil. Cele mai utilizate scheme cu AO sunt: . 5) impedanţa de ieşire Ze → 0. • Se micşorează distorsiunile de neliniaritate. iar erorile introduse sunt în limitele admise. Uieşire=0 în orice moment în care la intrare nu se aplică semnal). • Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului. • Creşte lăţimea benzii de trecere. astfel încât amplificarea cu reacţie să rezulte la valoarea impusă. dar acest lucru nu reprezintă un inconvenient prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A mai mare decât cea dorită. AO este caracterizat de o amplificare foarte mare. • Creşte stabilitatea în timp a amplificării. Amplificatoarele operaţionale se clasifică după natura relaţiei intrare-ieşire. fiind conceput să funcţioneze într-o gamă largă de frecvenţe. integrare. în funcţie de structura circuitului de reacţie aferent amplificatorului. • Se ameliorează (îmbunătăţesc) parametrii calitativi ai amplificării. majoritatea amplificatoarelor utilizează acest tip de reacţie. Un AO foloseşte reţele de reacţie a căror structură (rezistenţe şi capacităţi) permite realizarea unor operaţii matematice (adunare. • 2. Principalii parametri idealizaţi sunt: 1) amplificarea în buclă deschisă A0 → ∞. 7) variaţia defazajului Δϕ ≅ 0. (foarte mare) rezultă: A r ≅ (2. 4) impedanţa de intrare Zi → ∞. Observaţie: Datorită avantajelor oferite de reacţia negativă. Amplificatorul inclus în structura oricărui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenţial integrat).Amplificatoare şi oscilatoare 51 Ar = 1 1 +β A 1 β (2. 2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabilă.5 Amplificatoare operaţionale Un amplificator operaţional (AO) este un amplificator la care cuplarea între etaje se face direct. Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaţii de calcul simple. diferenţiere etc). 6) 1ăţimea benzii de trecere B → ∞. Relaţia (dependenţa) intrare-ieşire poate fi liniară sau neliniară.30) Consecinţele reacţiei negative în amplificatoare: Se micşorează amplificarea A. scădere.

31) se obţine: i o ≅ Ui Ro (2. Ro ⋅ Ui .26.34) (2.24.realizează înmulţirea cu o constantă şi inversarea semnului tensiunii de intrare.32) Ţinând seama de (2.26.31) se obţine: i1 ≅ Din (2.24.27. Figura 2. (2. Schema de principiu este prezentată în figura 2. iar schema simbolică este dată în figura 2.33).35) (2. i ≅ 0 ş i U ≅0 (2. Simbolizarea unui AO inversor Întrucât amplificatorul de curent continuu are impedanţa de intrare şi amplificarea în circuit deschis foarte mari. Schema de principiu a unui AO în montaj neinversor Figura 2. iar simbolizarea este prezentată în figura 2.36) obţine: Ţinând cont de (2.37) 2) Amplificator operaţional în montaj neinversor – realizează înmulţirea tensiunii de intrare cu o constantă pozitivă supraunitară.K Ui .25. pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui) se consideră ipotezele: Z i → ∞ .33) Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicată în nodul de curenţi M rezultă: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată în circuitul de ieşire rezultă: i = io + i1 . unde K = R1/Ro (2.31) Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare. ⇒ io ≅ − i1 Ue=R1i1+U Ue R1 se (2. Schema de principiu a unui AO în montaj inversor Figura 2. Figura 2.52 Capitolul 2 1) Amplificator operaţional în montaj inversor .35) Ue U =− i R1 Ro sau U e = − R1 Rezultă: Ue= . Schema electrică a acestui amplificator este dată în figura 2.27.34) şi (2.25. Simbolizarea unui AO neinversor . rezultă: Ui=Roio+U (2.

U≅0. se determină (utilizând legea lui Ohm) curenţii prin rezistoarele conectate la intrările amplificatorului: i o1 = U i1 U U . +KnUin) (2. 3) Amplificatorul sumator-inversor realizează suma ponderată...45) componentele curentului i0 din relaţia (2.39) unde: K =1+ R1 Ro (2.38) rezultă expresia caracteristicii externe: Ue = K⋅Ui (2. conform relaţiei (2.28.29.46) . iar simbolizarea este dată în figura 2.29.31).i1 Ue = −i 0 R1 (2.31)... Schema de principiu a unui AO în montaj sumator-inversor AO Figura 2.44) (2.41).45) i1=Ue/R1 sau Înlocuind în (2. i ≅ 0.. a tensiunilor de intrare. cu semn schimbat.38) Neglijând mărimile U şi i... aplicată în cele două noduri de curenţi. Simbolizarea unui sumator-inversor Considerând aceleaşi ipoteze din (2. întrucât asigură rezistenţa de intrare foarte mare şi rezistenţa de ieşire mică. Figura 2. i o 2 = i 2 . se obţine: Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ . + i0n i0= . conduce la relaţiile: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire se obţine: i0=i01 + i02+ .. din (2.42) (2. i on = in R 01 R 02 R 0n (2. adică Zi → ∞ .40) Observaţie: Pentru R0 → ∞ şi R1 = 0 se obţine circuitul repetor.41) Teorema I-a a lui Kirchhoff. utilizat frecvent ca element de adaptare.43) (2. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2.28.Amplificatoare şi oscilatoare Utilizând aceleaşi ipoteze din (2.31) şi aplicând aceeaşi procedură se obţin: 53 ⎧ R 0i 0 + U + U i = 0 ⎪ ⎨U e + R 0i 0 − R1i1 = 0 ⎪ i = i 0 + i1 ⎩ (2.

47): n j=1 4) Amplificatorul integrator-inversor furnizează la ieşire un semnal proporţional cu integrala tensiunii aplicate la intrare.48). unde K = ∫ 1 1 = Ti RC (2.50) U e = − K U i dt + U e (0) . Simbolizarea unui AO în integrator-inversor Utilizând aceleaşi ipoteze (Zi → ∞ .. Ti=RC este timpul de integrare.48) Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire rezultă: Ue = 1 CR 1 i1dt +U C ∫ (2. Tensiunea Ue(0) se figurează la borna de ”condiţie iniţială” (figura 2.31. K 2 = 2 . ∑ K jUij (2.47) Figura 2. utilizând dispozitive electronice active. .30. din (2. exprimat în secunde. Atunci când . iar capacitatea C se exprimă în farazi.6 Oscilatoare Acestea sunt circuit care. i ≅ 0. se obţin relaţiile: Ui = R⋅i0 şi i0 = -i1 (2. Ue(0)=0 dacă condensatorul este descărcat la momentul aplicării semnalului de intrare şi Ue(0)≠0 dacă condensatorul este încărcat la momentul aplicării semnalului de intrare. tensiunea de ieşire se poate exprima prin relaţia: ∫ Uidt sau U e = − Ti 1 ∫ Ui (τ)dτ + U e (0) (2.49) rezultă: t Ue = − 0 Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din circuitul de reacţie) în momentul aplicării semnalului de intrare (t=0).. K n = n R 01 R 02 R 0n Ue = − În general. Dacă timpul de integrare nu este limitat. U≅0) şi procedând similar.49) Ţinând seama de ipotezele (2.31).. dacă valoarea rezistenţei R este exprimată în ohmi.51) 2.30.31) şi relaţiile (2. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2.54 unde Capitolul 2 K1 = R1 R R .31. iar simbolizarea este dată în figura 2. caracteristica de transfer se poate exprima prin relaţia (2. Schema de principiu a unui AO montaj integrator-inversor Figura 2. generează semnale periodice de forma: U(t)=U⋅sin(ωt) sau de orice altă formă.

33-a.Amplificatoare şi oscilatoare 55 semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numeşte armonic.33-a Pentru a realiza oscilaţii întreţinute (cu amplitudine constantă). Circuit oscilant LC Figura 2.34. tiristorul etc). adică amortizarea oscilaţiilor. Schema de principiu este prezentată în figura 2. Figura 2. Figura 2. semnalul util produs de oscilator. se va amortiza în timp (îşi micşorează amplitudinea) datorită pierderilor de energie prin rezistenţa electrică echivalentă a circuitului capacitiv-inductiv (L-C).33-a. Semnalul produs de circuitul LC Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie care determină stingerea. figura 2. în circuitul oscilant real este necesar să se recupereze (compenseze) energia pierdută. cu energie adusă din exterior prin intermediul unor rezistenţe negative. .33-b. Schema echivalentă a circuitului oscilant LC din figura 2. Schema de principiu a unui oscilator Principiul de întreţinere a oscilaţiilor Se consideră circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C în paralel cu o inductivitate L. În acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare care să funcţioneze în regiunea de rezistenţă negativă (dioda tunel.52) Semnalul U(t). Schema echivalentă a circuitului oscilant anterior este ilustrată în figura 2.32.33-b.34. figura 2.32. iar R este conductanţa de pierderi a condensatorului. Pierderile de energie care duc la micşorarea amplitudinii se datorează lui r şi R. unde: r este rezistenţa electrică a bobinei care are inductanţa L. Sub acţiunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau naştere oscilaţii armonice având frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă dată de relaţia: f0 = 1 2π LC (2. controlate prin curenţi sau prin tensiune. Figura 2.

35-b.figura 2.53) arată că defazajul total introdus de amplificator şi circuitul de reacţie trebuie să fie un multiplu întreg de 2π.56 Capitolul 2 Caracteristica statică a diodei tunel şi respectiv a tiristorului sunt date în figura 2. c)Schema bloc a unui oscilator cu reacţie Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistenţe negative. . dacă defazajul amplificatorului (cu număr impar de etaje) este (2k+1)π. Oscilatoarele pot fi realizate şi cu amplificatoare ce au reacţie pozitivă. b) respectarea condiţiei de fază: ϕ A + ϕβ = 2kπ .35-c) şi semnalul de intrare ( U i ). Condiţia întreţinerii oscilaţiilor implică respectarea a două principii: a) respectarea relaţiei lui Barkhausen (de autooscilaţie). Rezultă că reţeaua de reacţie trebuie să introducă un defazaj nul.53) Prin ϕA s-a notat defazajul dintre semnalul de ieşire ( Ue . 1 − βA În acest caz. 2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistenţe negative (oscilatoare de relaxare). deci semnalul de reacţie trebuie să fie în fază cu semnalul de intrare. b) Caracteristica curent-tensiune a tiristorului. Figura 2.34). n (argumentul lui Acomplex + argumentul lui βcomplex = 2kπ) adică: arg A + arg β = 2kπ (2.54) Relaţia (2. care însumate cu rezistenţele r şi R (figura 2.. ϕβ este defazajul dintre semnalul de reacţie ( U r ) şi semnalul de ieşire ( Ue ). k=0. dacă produsul βA tinde la valoarea 1. 2. β ⋅ A = 1 . După modul de realizare. Acestea au calea . dacă defazajul amplificatorului este 2kπ (cu un număr par de etaje).35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel. care arată că produsul în modul al amplitudinilor trebuie să fie egal cu unitatea. atunci A r → ∞ .. 1.35-a şi 2. unde: A = A ⋅ exp( j ⋅ ϕ A ) şi β = β ⋅ exp( j ⋅ ϕβ ) (2. oscilatoarele pot fi: 1) oscilatoare de tip amplificator cu reacţie pozitivă. la care amplificarea complexă este: A r = A . dau o rezistenţă echivalentă egală cu zero. Cele mai utilizate oscilatoare cu reacţie de tip LC sunt oscilatoarele în trei puncte. este un fapt real şi o metodă utilizată în proiectarea oscilatoarelor. Producerea oscilaţiilor întreţinute prin anularea rezistenţei din circuit cu ajutorul unor rezistenţe dinamice negative. Oscilatoarele cu reacţie pot fi de tip LC sau RC.. sau un defazaj de 1800.

are schema de principiu prezentată în figura 2. În timpul funcţionării singurul condensator care nu este scurtcircuitat este condensatorul variabil C. egal cu π (180o): π 3 (2. Oscilator având reţea RC (reţea de defazare trece-jos) Aceste oscilatoare au o largă utilizare în diferite domenii ale electronicii industriale (telecomunicaţii.37 este prezentată schema electrică a unui oscilator având reţea de defazare ”trece jos”. Schema de principiu a oscilatorului Hartley La acest oscilator emitorul este legat la masă. Figura 2. aparatură electromedicală etc) fiind specifice benzilor de joasă frecvenţă. Δϕ = arctgRC = Se obţine un defazaj total al semnalului de reacţie. Exemple de oscilatoare în trei puncte Oscilatorul Hartley (realizat cu reţea de defazare trece sus).56) f0 = 1 6 + 4R / R C 2πRC (2. Defazajul fiecărei celule este de 60o.36. În figura 2. formată din trei celule RC.57) Figura 2. Schema de principiu a oscilatorului cu reţea RC . alimentarea este serie iar sarcina este cuplată inductiv.36.Amplificatoare şi oscilatoare 57 de reacţie formată dintr-un circuit LC selectiv (care reprezintă un filtru cu trei borne de acces).37.55) ϕ t = 3 ⋅ Δϕ = π Frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă se poate calcula folosind relaţia: (2. automatizări.

Care este deosebirea între un AO inversor şi un AO integrator – inversor? (Utilizaţi schemele electrice !) 9. Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o sarcină rezistivă (rs = 4 Ω). Când un tiristor funcţionează ca şi o diodă ? Care este schema şi denumirea celui mai simplu amplificator de putere ? . Re = 80 KΩ ? 8. Ce diferenţă există între caracteristicile A[dB] = g(f) în cazurile: a) amplificatoare de radiofrecvenţă ? b) amplificatoare de audiofrecvenţă ? 5. realizat cu un singur tranzistor? 6. Ce sunt distorsiunile de neliniaritate în cazul amplificatorului de joasă frecvenţă şi cum se elimină acestea ? 12. integrator şi ce se poate măsura la această bornă ? 7.7 Întrebări 1. Când apar distorsiunile de frecvenţă la amplificatoare şi cum se elimină acestea? 4. Ce semnifică borna de condiţie iniţială în cazul A. Ce se înţelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se înţelege prin tensiune de zgomot (Uz) în cazul redresoarelor cu filtre ? 3.58 Capitolul 2 2. Re = 40 KΩ ? 10. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. Ce formă de variaţie are tensiunea UCE la ieşirea unui etaj de amplificare în clasă B.O. ştiind că amplificatorul în clasă A are rezistenţa de ieşire. Ce este deriva termică (deriva nulului) în cazul amplificatoarelor de curent continuu şi cum se atenuează aceasta ? 11. Ce este reacţia negativă în cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obţine practic reacţia negativă? 2.

c. mutatorul se mai numeşte convertor static de frecvenţă şi poate fi realizat în două variante: cu circuit intermediar de c.c. numite mutatoare. (figura 3. numit şi variator de c.1 Noţiuni generale Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clasă mai largă de echipamente electrice.c.3-a) sau direct.c. în curent continuu (c. (figura 3.) – fie în regim de redresor. când maşina electrică lucrează ca generator de c. (figura 3. furnizează la ieşire o tensiune continuă diferită de cea de la intrare. tensiunea . (figura 3. converteşte frecvenţa sau amplitudinea curentului alternativ.c. transferul energetic se face într-un singur sens.1-a şi b.2-c) se mai numeşte variator de c.c. Transferul energetic se poate face.CAPITOLUL 3 REDRESOARE 3. Invertorul transformă curentul continuu în curent alternativ (figura 3. Mutatoarele din această categorie stau la baza sistemelor de acţionări recuperative cu maşini de c.3-b). cu anumiţi parametri.a. În primul caz. în energie electromagnetică debitată la ieşire.2-a) şi sub formă de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3. Frecvenţa f2 a curentului alternativ poate fi variabilă (în cazul invertoarelor autonome) sau fixată la o anumită valoare.2-b). Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor îl reprezintă funcţiile realizate de acestea. Convertorul de c. Dacă mutatorul funcţionează în regim de redresor. polaritatea tensiunii continue etc. figura 3. Mutatoarele transformă. El poate fi: cu circuit intermediar de c. În schemele din figura 3. maşina electrică funcţionează ca motor şi transferul energetic se face de la reţeaua de c. Pentru convertorul cu circuit intermediar. tiristoare etc). Convertorul de c.a.1-b). fie în regim de invertor (neautonom).a. în acest caz. de regulă 50 Hz (când se numesc invertoare de reţea sau neautonome). energia electromagnetică primită la intrare.a. la reţeaua de c. după cum urmează. comanda mutatorului poate asigura funcţionarea acestuia în regim de invertor (neautonom).).a. obţinându-se transferul energetic (recuperarea) de la reţeaua de c.c.. cu alţi parametri. de frecvenţă f1. (figura 3.1-a. Redresorul este un circuit electronic care transformă curentul alternativ (c. Convertorul care modifică amplitudinea tensiunii de c.a.). prin elemente neliniare unidirecţionale (diode.1-c). Este însă posibil ca aceeaşi schemă de mutator să funcţioneze – în funcţie de condiţiile de lucru (comanda primită. În regim de frânare.c. în ambele sensuri.

60 Capitolul 3 de ieşire (U2) poate fi mai mică sau mai mare decât tensiunea de intrare (U1). Mutatoarele care au comutaţie naturală sunt redresoare cu diode. utilizează.1. Prelungirea conducţiei unui ventil. Trecerea conducţiei de la un ventil la altul se numeşte comutaţie. după cum transformatorul este coborâtor. După modul de realizare a comutaţiei. respectiv ridicător de tensiune.2.. elemente de conducţie unidirecţională numite şi “ventile” semiconductoare (diode şi/sau tiristoare). Mutatoarele care funcţionează cu intrarea şi/sau ieşirea în c.a. Figura 3. Dacă această energie provine de la reţea. Dacă energia este dată de circuitul sarcinii (de la ieşire). când energia reactivă este preluată din exterior. În majoritatea mutatoarelor.a. ƒ Mutatoare având comutaţie proprie. Convertoare statice de c.3. După provenienţa acestei energii. invertoare neautonome şi . când condiţia de comutaţie naturală nu este respectată. Figura 3. când valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care preia conducţia este întotdeauna mai mare decât valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care cedează conducţia. mutatorul are comutaţie (forţată) de la sarcină. funcţionarea acestor elemente este ciclică. dincolo de momentul comutaţiei naturale.c. mutatoarele se împart în următoarele categorii: • Mutatoare având comutaţie naturală. • Mutatoare având comutaţie forţată. pe fiecare fază a reţelei de c. Convertor de c. presupune – de regulă – un consum de energie reactivă din exterior.a. mutatoarele care au comutaţie forţată pot fi: ƒ Mutatoare având comutaţie externă. Comutaţia forţată externă se întâlneşte în redresoarele comandate. când energia reactivă necesară este furnizată de însuşi mutatorul respectiv. Mutatoare Figura 3. mutatorul va avea comutaţie (forţată) de la reţea.

într-un paragraf distinct. datorită polarizării inverse.c. Schema bloc a unui redresor monofazat de mică putere 3. necesară obţinerii tensiunii continue U0. 3. În acelaşi timp.Redresoare 61 convertoare directe de frecvenţă. de regulă. Stabilizatorul de tensiune continuă.4. are rolul de a menţine constantă tensiunea U0 (stabilizatoarele vor fi prezentate în capitolul 4). la bornele sarcinii Rs. STC. cu valoare de asemenea impusă.5-b. Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativă din înfăşurarea primară la valoarea U2 (în secundar). de la ieşirea filtrului se poate modifica. În timpul semialternanţei negative. toate redresoarele se încadrează în categoria mutatoarelor. Redresorul R este elementul esenţial al schemei. definind un domeniu cunoscut sub numele ”electronică de putere”. Aceste circumstanţe au determinat includerea în capitolul de mutatoare a redresoarelor de mică putere realizate sub forma redresoarelor monofazate. conectat între filtru şi sarcină. Filtrul F are rolul de a diminua componenta alternativă din tensiunea redresată. variatoare de c. U0. deci ur = u2.2 Redresoare monofazate necomandate 3. În figura 3. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u 2 = 2U 2 sin ωt . în care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de “blocare” forţată: invertoare autonome. Figura 3. Tensiunea continuă.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere Redresoarele monofazate se utilizează.2. precum şi tratarea lor specifică. fie din cauza variaţiei tensiunii de alimentare U1. de valoare impusă. Diagramele tensiunilor u2. mutatoarele reprezintă circuite electronice de putere. în condiţiile cunoaşterii tensiunii de alimentare U1. fie din cauza modificării rezistenţei de sarcină Rs. U0.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă Schema redresorului monofazat monoalternanţă este dată în figura 3. care are o componentă continuă (utilă) şi o componentă alternativă. dioda este blocată şi ur = 0.5-a.2. Scopul urmărit este de a obţine o tensiune continuă.4 este dată schema-bloc a unui redresor monofazat de mică putere. etc. la puteri mici. La ieşirea lui se obţine tensiunea redresată ur. dioda D (care reprezintă redresorul) este polarizată în sens direct şi conduce. Sub aspectul funcţiei realizate. . ur şi a curentului prin sarcină sunt date în figura 3. Comutaţia proprie este specifică unei categorii de mutatoare.

ur= 1 U0 = ⋅ 2π = ∫ 0 1 u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = ⋅ 2π ∫ 0 π 2U 2 sin(ωt ) ⋅ d (ωt ) = (3.1) Figura 3. π].5.4) π 2 2 ⋅ U 2 [− cos(ωt )] = ⋅ U 2 ≅ 0. 2π].2) Înlocuind valoarea perioadei (T = printr-o sumă de două integrale.5) Dacă se doreşte exprimarea detaliată a componentei alternative (u~).6) u r (ωt ) = U 0 + ∑ 2U n sin( nωt + ϕ n ) n =1 . exprimat prin relaţia: ir = ur Rs (3. atunci tensiunea redresată se poate exprima prin relaţia: ∞ (3. Tensiunea redresată conţine o componentă continuă (U0) şi o componentă alternativă (u~): ur = U0+ u~ (3.3) ⎥ 2π ⎢ 0 π ⎣0 ⎦ ∫ ∫ Din diagramele tensiunilor (figura 3. iar în intervalul [π. Din relaţia (3.5-b) se observă că în intervalul u2. deci este periodic şi pulsatoriu. Redresor monofazat monoalternanţă Componenta continuă U0 este egală cu valoarea medie a tensiunii redresate şi se calculează cu relaţia: T U0 = 1 ⋅ T ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) 0 (3. integrala din (3.45 ⋅ U 2 2π π 0 Curentul redresat prin rezistenţa de sarcină este proporţional cu tensiunea ur .2) se poate exprima 1 U0 = ⋅ T ∫ 2π ⎤ 1 ⎢ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = u r (ωt ) ⋅ d (ωt ) + u r (ωt ) ⋅ d (ωt )⎥ (3.3) se obţine: π [0.62 Capitolul 3 Se observă că tensiunea redresată ur este o tensiune periodică pulsatorie având perioada T = 2π. astfel: 2π ⎡π 2π). ur= 0.

9) şi (3.12) Ponderea componentei alternative în tensiunea redresată se poate evalua prin factorul de formă.⎟ .9) şi (3. iar coeficienţii an şi bn se pot calcula utilizând relaţiile (3.8).45 U 2 π (3. F.11) ⎜1 + sin(ωt ) − 2 1⋅ 3 π ⎝ 3⋅5 ⎠ Raportul dintre tensiunea continuă pe sarcină şi valoarea eficace a tensiunii din secundar se numeşte coeficient de redresare... ur. În cazul analizat coeficientul de redresare Kr este: Kr = U0 U2 = 0.10).45 (3. şi factorul de ondulaţie. Relaţia (3. Factorul de formă este raportul dintre valoarea eficace a tensiunii redresate. 2π 1 = 2π ∫ π 2U 2 sin(ωt ) d (ωt ) = 2 U 2 ≅ 0.10) se obţine: u r ( ωt ) = 2U 2 ⎛ 2 2 π ⎞ cos(2 ωt ) − cos(4 ωt ) − . γ. 2 π n −1 ∫ 0 π sin(ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d(ωt ) = (3. şi componenta continuă U0 : .10) Înlocuind în relaţia (3.8) an = 1 π ∫ 0 u r (ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 π = 1 bn = π = 2π ∫ 0 π (3. (3. iar ϕn – faza iniţială a armonicii de ordinul n. an şi bn din relaţiile (3. (3.7) u r (ωt ) = b 0 + ∑ a n sin( n ⋅ ωt ) + ∑ b n cos(n ⋅ ωt ) n =1 n =1 Coeficienţii seriei Fourier se definesc prin: T 2π ⎡π ⎤ 1 b0 = U0 = T ∫ 0 u r ( ωt ) d ( ωt ) = 1 ⎢ u ( ωt ) d ( ωt ) + u r ( ωt ) d ( ωt ) ⎥ = ⎥ 2π ⎢ r ⎢0 ⎥ π ⎣ ⎦ ∫ ∫ 0 Se observă că valoarea componentei continue (U0) este exprimată de coeficientul b0 al seriei Fourier.7) coeficienţii b0.Redresoare 63 unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n.6) se poate scrie sub forma trigonometrică a unei serii Fourier şi devine: ∞ ∞ (3.9) sin( ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d ( ωt ) 2U 2 π ∫ 0 u r (ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 −2 ⋅ .

şi componenta continuă. astfel încât tensiunea redresată şi curentul prin sarcină au forma din figura 3.18) În cazul redresorului monoalternanţă se obţine Puterea în curent continuu este: γ = 1.13) Cu cât F este mai apropiat de unitate. iar diodele D1 şi D3 sunt blocate. valoarea eficace U∼ este: 2 2 U∼ = U1 + U 2 + .6-a...211.. = U0 2 2 U r − U0 = U0 2 2 ⎛ Ur ⎞ ⎜ ⎟ −1 = ⎜U ⎟ ⎝ 0⎠ 2 F −1 2 (3.2. U P0 = U 0 I 0 = 0 Rs 2 (3. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 .57 2 2 U2 (3. În semialternanţa negativă conduc diodele D2 şi D4 .64 Capitolul 3 F= ur U0 (3.19) Aceasta determină o anumită putere aparentă. cu atât ponderea componentei alternative în tensiunea redresată este mai mică. Cunoscând valorile eficace Un ale armonicilor de ordin n = 1.14) ∫ ∫ T0 2π 0 2 2 F= 2 U 2 2 π π = = 1.16) sau 2 2 U∼ = U r − U 0 (3. 3. .6-c.7. Cele două secţiuni ale înfăşurării secundarului transformatorului sunt identice ' " şi deci u 2 = − u 2 . La redresorul monoalternanţă avem: 1T 2 1 π 2 2 2 Ur = u r ( ωt ) d ( ωt ) = 2U 2 sin (ωt ) d (ωt ) = U (3. U∼ . sau utilizând schema de redresare în punte. necesară transformatorului. 2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă Redresoarele dublă alternanţă se realizează după două scheme: cu transformator având priză mediană în secundar..15) Factorul de ondulaţie se defineşte ca raportul dintre valoarea eficace a componentei alternative. Schema redresorului având transformator cu priză mediană este dată în figura 3. Redresorul în punte are schema din figura 3. … .17) şi rezultă U γ = ~ = U0 U1 + U 2 + . Diodele D1 şi D2 conduc alternativ. D2 şi D4 fiind blocate. (3.

puterea de calcul a transformatorului este ST = 1. puterile aparente în înfăşurarea secundară şi înfăşurarea primară ale transformatorului se micşorează. tensiunea şi curentul prin sarcină au două componente: o componentă continuă (U0 . Comparând cele două scheme de redresare dublă alternanţă se pot reţine următoarele: • pentru aceeaşi putere P0 în sarcină. cu deosebirea că în acest caz perioada este egală cu durata unei semialternanţe (T = π).482.48 P0. puterea aparentă necesară a transformatorului este mai mare la schema cu punct median.6. Astfel. iar componenta continuă este: U0 = 2 2 ⋅ U 2 ≅ 0. iar la schema în punte.21) Coeficientul de redresare este dublu faţă de schema monoalternanţă (Kr = 0.9). 2 ⎪ ⎢ ⎣ 2⎥ ⎦ ⎪ ur = ⎨ ⎪− 2U sin(ωt ) pentru t ∈ ⎡ T .23 P0. Redresor dublă alternanţă în punte Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. De asemenea. T ⎤ 2 ⎢ ⎪ ⎣2 ⎥ ⎦ ⎩ (3. c) diagrama tensiunii şi a curentului redresat Figura 3.Redresoare 65 Figura 3.7. Expresia analitică a tensiunii redresate. γ = 0.20) Componenta continuă a tensiunii redresate (U0) se calculează cu aceeaşi relaţie (3. iar factorul de formă şi coeficientul de ondulaţie se ameliorează: F = 1. pe o perioadă a tensiunii u2 este: ⎧ ⎡ T⎤ 2 U sin( ω t ) pentru t ∈ 0. . pentru schema cu priză mediană. Redresor dublă alternanţă folosind transformator cu priză mediană: a) schema. b) diagrama tensiunilor din secundar.3) ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. respectiv I0) şi o componentă alternativă. pentru o putere P0 dată. ST = 1.11.9 ⋅ U 2 π (3.

4 Filtrarea tensiunii redresate Pentru obţinerea unei tensiuni cu factor de ondulaţie mic la bornele rezistenţei de sarcină.2.4. rezultă o cădere de tensiune pe diode dublă faţă de schema cu punct median. este necesară diminuarea componentei alternative din tensiunea redresată. cu ajutorul filtrelor.9-b. (uc). Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului. c) tip π . Se observă că în intervalul (0 … ωt1) tensiunea din secundarul transformatorului (u2) este mai mare decât tensiunea la bornele condensatorului ua = u2 – uc. Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din figura 3.8. Dioda conduce şi condensatorul se încarcă prin . datorită conducţiei în permanenţă a două diode.8. rezultă: (3. 3.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este dată în figura 3. pentru aceeaşi tensiune redresată este de două ori mai mare la schema cu punct median faţă schema de redresare în punte (deoarece tensiunea inversă ce apare în momentul blocării diodelor se distribuie pe două diode). b) inductiv-capacitiv. cât şi pe proprietatea capacităţilor mari (conectate în paralel cu sarcina). (u2 > uc) şi deci ua > 0. Tipuri de filtre: a) capacitiv. tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină (us) cât şi tensiunea după elementul redresor. Din relaţia anterioară rezultă căderea de tensiune (ua) pe dioda în conducţie: Presupunem că în momentul aplicării tensiunii de alimentare.CLC sau CRC 3. Figura 3.66 Capitolul 3 • • la schema în punte. de a şunta armonicele de ordin superior. Funcţionarea ei se poate urmări în diagrama din figura 3.9-a. Parametrul principal care le caracterizează este factorul de ondulaţie al tensiunii de la ieşire. condensatorul C este descărcat. tensiunea inversă maximă pe diode. ur.22) u2 = ua + uc Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este în acelaşi timp. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea bobinelor de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului şi o reactanţă mare pentru componenta alternativă din curentul redresat.2.

este foarte mică. Cu β s-a notat unghiul de conducţie. ωt2. În momentul ωt1 se obţine egalitatea uc = u2. iar componenta alternativă (u~) a tensiunii redresate creşte. În continuare dioda conduce în intervalul (ωt2 . Ti = Ri C. Rezistenţa de încărcare. Constanta de timp de descărcare a condensatorului este Td = RsC şi este relativ mare (pentru că Rs este mai mare decât Ri). Valoarea tensiunii continue U0.23) [ 2 U 2 sin(ωt ) = ω C 2 U 2 cos(ωt ) 2 U2 sin(ωt ) Rs ] (3. adică intervalul de timp în care se încarcă condensatorul.. până în momentul ωt2. sau Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaţii (având forma dinţilor de ferăstrău) în jurul valorii U0.. Filtrul capacitiv micşorează durata de conducţie a diodei în intervalul 0 < β < π. iar dioda se blochează. RS(Tr) şi rezistenţa diodei în conducţie. curentul prin diodă este: unde: ia = ic + is ic = C du c d =C dt dt is = (3. Dioda rămâne blocată şi condensatorul se descarcă prin rezistenţa de sarcină Rs. depind mult de valoarea rezistenţei de sarcină. care reprezintă componenta continuă a tensiunii la bornele sarcinii. deci ua = 0. În intervalul de conducţie secundarul transformatorului şi diodă.25) . rezultă foarte mică. În intervalul (ωt1. Constanta de timp la încărcarea condensatorului. care – la rândul lor – sunt determinate de mărimile C şi Rs.ωt2) u2 < uc. Deci Ri = RS(Tr) + RDc β = ωt3 .. aceasta incluzând rezistenţa echivalentă serie în secundarul transformatorului.ωt3). În figura 3. precum şi amplitudinea componentei alternative. Micşorarea rezistenţei de sarcină (Rs) are ca efect creşterea curentului de sarcină (Is) şi ca urmare tensiunea U0 scade. RDc. iar ua < 0. tensiunea uc scade lent. Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducţie şi de blocare.9-b s-a notat cu α unghiul de la care începe încărcarea condensatorului (considerând ca moment de referinţă. La funcţionarea fără filtru capacitiv. adică β = π. care este neglijabilă. Ri.. deci condensatorul se încarcă rapid.24) (3.. dioda conduce pe întreaga semiperioadă a tensiunii u2 din secundarul transformatorului. Unghiul la care încetează încărcarea condensatorului s-a notat cu ψ = α + β şi se numeşte unghi de blocare..Redresoare 67 Ri ≅ RS(Tr). trecerea prin zero spre valori pozitive a tensiunii u2).

dar aşa cum s-a precizat anterior.2.68 Capitolul 3 Figura 3. Cele trei caracteristici reprezintă: • Curba 1 este caracteristica externă în cazul redresorului fără filtru. PN . • . • caracteristica externă. aceste caracteristici ar trebui să fie orizontale (liniile punctate din figura 3. atunci când redresorul funcţionează la putere nominală. definit prin relaţia (3.9. mai ales. U0N . egală cu tensiunea continuă la bornele de ieşire. reprezintă dependenţa US = f(IS). ilustrată în figura 3. în cazul redresoarelor cu filtru capacitiv. γ . I0N . influenţa rezistenţei de sarcină RS asupra tensiunii US este importantă.5 Parametrii redresoarelor de mică putere În cazul redresoarelor de mică putere parametrii şi caracteristicile importante sunt: puterea nominală a redresorului. în regim nominal de funcţionare. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv: a) schema. în condiţia 0 ≤ IS ≤ I0N . Ideal.10. Se observă o cădere de tensiune (la curent nominal) mică (ΔU01).18) când redresorul funcţionează la putere nominală. • factorul de ondulaţie. • tensiunea nominală.10). b) diagrama tensiunilor şi curenţilor 3. • curentul nominal. reprezintă puterea pe care o poate debita redresorul în sarcină. exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N .

Redresoare • 69 • Curba 2 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru capacitiv. Cea mai simplă schemă de redresor trifazat utilizează un transformator trifazat având secundarul conectat în stea (figura 3. Un parametru care determină panta caracteristicii externe este rezistenţa internă a redresorului. astfel încât caracteristica externă reală să fie cât mai apropiată de caracteristica ideală. Caracteristicile externe ale redresorului 3. dată de relaţia următoare: Ri = − Această rezistenţă este de dorit să rezulte cât mai mică. În capitolul 4 se vor trata principiile de funcţionare şi schemele principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continuă. ΔU S ΔIS (3. necesită o tensiune redresată cu un factor de ondulaţie cât mai mic.3 Redresoare trifazate necomandate Redresoarele trifazate (în general. Dezavantajul pe care îl introduc filtrele – exprimat prin căderile de tensiune (ΔU02 . Se remarcă o cădere mult mai mare de tensiune (ΔU02) corespunzătoare curentului nominal.) Funcţionarea schemei se poate urmări în diagrama din figura 3.26) Figura 3. polifazate) se construiesc pentru puteri nominale mari.11. În această situaţie se observă o cădere de tensiune (ΔU03) mai mică decât în cazul redresorului cu filtru capacitiv. ce funcţionează în curent continuu.10. Curentul prin sarcină este: is = i1 + i2 + i3 (3. Curba 3 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru π (CLC). Deoarece majoritatea consumatorilor industriali. ΔU03) – poate fi compensat prin utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continuă (STC) conectate între filtre şi consumatori (sarcini).27) . este evidentă necesitatea utilizării filtrelor.12. La un moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenţialul cel mai ridicat.

13). împărţită la perioadă (T).14. este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat simplu (conectat în stea): rezultă valoarea tensiunii U0: π 2π 1 α0 +T 1 6+ 3 U0 = u r (ω t )d (ω t ) = u r (ω t )d(ω t ) = 2π π T α0 3 6 ∫ ∫ ∫ U0 = 3 6 U 2 ≅ 2.29) .29). t3) conduc diodele D1 şi D6 etc. Descrierea proceselor dintr-un redresor real cu sarcină inductivă se poate urmări în lucrarea [2]. la care sunt legate diode în conducţie. Perioada (3. apar efecte care complică funcţionarea redresorului. în intervalul (t2. situaţie ilustrată în figura 3.70 Capitolul 3 şi are. Valoarea tensiunii continue. În momentele ωt1 . Tensiunea continuă tensiunii U0 de la bornele rezistenţei de sarcină este. datorită performan-ţelor superioare pe care le prezintă. a curentului i0 (curentul prin sarcină) şi a tensiunii redresate. integrala pe o perioadă a tensiunii ur fiind 2π/3. prezentate în figura 3. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei RS este egală cu tensiunea pe faza în care dioda conduce şi are forma curbei cu linie întărită din figura 3. deci perioada pulsaţiilor tensiunii redresate este de două ori mai mică. în special la producerea comutaţiei de pe o fază pe alta. Deci. Astfel. prin definiţie. tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele trasate cu linie întărită şi axa timpului.12. Se remarcă faptul că frecvenţa comutărilor este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat în stea. o formă pulsatorie. Funcţionarea acestui redresor se explică utilizând diagramele curenţilor prin faze. sau când sarcina are caracter inductiv. În schema redresor O schemă foarte des utilizată în practică. calculată în relaţia (3. iar sarcina redresorului este rezistivă.34 U 2 π (3. în cazul sarcinii rezistive. ωt2 . este schema de redresare trifazată în punte (figura 3. în intervalul (t1. ωt3 … se produce comutarea conducţiei de pe o fază pe alta. În schema redresorului se observă că la un moment oarecare conduc două diode: dioda cu potenţialul anodului cel mai ridicat şi dioda cu potenţialul catodului cel mai scăzut.28) π 2π 3 6+ 3 3 6 = 2U 2 sin(ω t )d(ω t ) = U 2 ≅ 1.17 U 2 π 2π 2π 6 Descrierea funcţionării redresorului trifazat s-a făcut în ipoteza că transformatorul este ideal (are inductanţele de scăpări neglijabile). În cazul când se admite că transformatorul nu este ideal. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei de sarcină este egală cu diferenţa potenţialelor între acele borne ale înfăşurării secundare.14. deci intervin inductanţele de scăpări ale acestuia. t2) conduc diodele D1 şi D5 . ur.

Redresor trifazat în punte Figura 3.12. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul în punte . Redresor trifazat în stea Figura 3.11.13. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul trifazat în stea Figura 3.14.Redresoare 71 Figura 3.

γ ? .72 Capitolul 3 3. Ce condiţie trebuie să îndeplinească cele două diode ale unui redresor bialternanţă. F. conectate la un transformator cu două secundare şi punct median? 3. Ce este deosebirea dintre un invertor (I) şi un convertor – static de frecvenţă? 2. Care sunt semnificaţiile şi expresiile analitice ale parametrilor redresorului de mică putere Kr . Cum se explică (justifică) relaţia τ d >> τ i în cazul redresorului cu filtru capacitiv ? 4.4 Întrebări 1.

parametrice (cu elemente neliniare. valorile tensiunii sau curentului de alimentare.2 Stabilizatoare parametrice Cele mai răspândite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune continuă. sau în paralel cu sarcina) şi cu reacţie (care funcţionează pe principiul sistemelor de reglare automată cu reacţie negativă). dacă tensiunea stabilizată este continuă. Varianta din figura 4. În acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice şi cu reacţie. care fac parte componentă din alimentatoarele celor mai diverse circuite .1. menţinând constantă tensiunea alternativă cu stabilizatoare corespunzătoare. iar în funcţie de metoda de stabilizare există stabilizatoare electromecanice (pentru tensiuni alternative şi continue la consumatori de mare putere). Parametrii stabilizatoarelor Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menţine.1. În prezent există un număr relativ mare de categorii şi tipuri de stabilizatoare electronice. Figura 4. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic 4. în limite strânse. montate în serie. ale unei instalaţii industriale sau de laborator. În principiu tensiunea continuă poate fi stabilizată şi înainte de redresor.CAPITOLUL 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE 4. Ele se pot conecta ca în figura 4. motiv pentru care această variantă este cel mai des utilizată în practică. electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate).1 Noţiuni generale. În funcţie de mărimea electrică de stabilizat există stabilizatoare de tensiune şi de curent. pot fi depăşite limitele admise şi pot să apară dereglări în funcţionarea instalaţiilor sau/şi erori de măsurare nepermise. În lipsa stabilizatorului.1 are avantajul că menţine constantă tensiunea pe sarcină indiferent de cauzele care tind să o modifice.

a căror caracteristică tensiune-curent asigură stabilizarea tensiunii. dacă tensiunea reţelei scade. iar punctul de funcţionare se deplasează spre B şi în continuare spre 0. cresc atât i 2 (într-o mică măsură). În mod similar funcţionează stabilizatorul şi în cazul variaţiei tensiunii de reţea: dacă tensiunea reţelei creşte. În cazul funcţionării în gol (RS = ∞) se alege o valoare pentru rezistenţa R (de “balast”). care să asigure valoare maximă admisă a curentului I z max prin dioda Zener. b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener Pentru o funcţionare normală a stabilizatorului este necesar ca rezistenţa de balast R să îndeplinească următoarea condiţie: R min < R < R max (4. Figura 4. cu variaţii reduse ale tensiunii ( ΔU z ) la bornele ei (figura 4.74 Capitolul 4 electronice.2-a) a cărei proprietate principală este de a prelua variaţii importante ale curentului ( ΔI z ).2.2-b): (4. Schema unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener este dată în figura 4. Practic. Pe măsură ce RS scade. punctul de funcţionare se deplasează spre B.3) 4. Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric Stabilizatoarele parametrice au ca elemente esenţiale diode Zener. Invers. iar punctul M de funcţionare se deplasează spre A. creşte curentul i2 din RS. punctul de funcţionare al diodei se găseşte în A. rezistenţa de sarcină se limitează astfel încât punctul de funcţionare M să se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii. cât şi i z (într-o măsură mult mai mare). electronice.2.1) ΔI z = Iz max − I z min ΔU z = U z max − U z min (4. electromagnetice). Principiul stabilizatorului parametric cu diodă Zener: a) schema. Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda Zener (figura 4. tuburi cu gaz de tip stabilovolt sau stabilitron. .3.2) Pentru RS = ∞. pentru a nu se ajunge în zona neliniară a caracteristicii.

Stabilizator parametric cu diodă Zener În această schemă sensurile adoptate pentru ia şi ua sunt inversate faţă de schema din figura 4.6) precum şi dependenţa ia Zener.3.7) Punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină (tăieturile) cu axele de coordonate sunt: .4) E = R ⋅ I + Ua I = I a + Is U Is = a Rs (4.2-b.Stabilizatoare electronice 75 Figura 4.4). astfel încât zona de stabilizare parametrică din caracteristica statică a diodei se va desena în cadranul 1 (figura 4. Modificarea PSF al diodei Zener la variaţia tensiunii de intrare (a) şi la variaţia rezistenţei de sarcină (b) Din relaţiile (4.3. Tensiunea de ieşire de pe rezistenţa de sarcină Rs este identică cu tensiunea anodică ua a diodei Zenner (DZ).5) (4.4. Pentru deducerea punctului static de funcţionare (PSF) al diodei se utilizează relaţiile: (4. dată grafic sub forma caracteristicii statice a diodei Figura 4. = f(ua). Tensiunea aplicată la intrarea în stabilizator este tensiunea de ieşire din filtrul redresorului şi s-a notat cu E în schema din figura 4.6) rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ⎛ R ⎞ E = R ⋅ Ia + ⎜ ⎜ R + 1⎟ ⎟ ⋅ Ua ⎝ S ⎠ (4.4) … (4.

R Ua = E ⋅ Rs + R Rs (4.76 Capitolul 4 Ia = E . tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4.4-b): " ' E Rs Rs I = I' = I" = . S-a considerat: R s > R s şi R s < R s . Proiecţiile duse din M pe axele de coordonate determină coordonatele PSF. La intersecţia dintre caracteristica statică a diodei Zener şi dreapta de sarcină se obţine PSF notat cu M. Şi în acest caz modificarea poziţiei punctului static de funcţionare afectează curentul prin diodă. atunci tăieturile dreptei statice de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. Aceste coordonate sunt: Ia 0 şi Ua 0 ≡ Uz. Deci.9) Rezultă că înclinaţia (panta) dreptei statice de sarcină nu depinde de valoarea tensiunii E de la intrarea stabilizatorului. . sau scade la valoarea E”).8) În figura 4.4-b). Înclinarea dreptei va fi aceeaşi (vezi figura 4.4-a): I' = E' . tensiunea Ua rămânând practic constantă (vezi figura 4. U" = E (4. însă tensiunea la bornele diodei.. dacă punctul de funcţionare M nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice a diodei Zener (DZ). respectiv U’ > U şi U” < U. R U' = E' Rs + R Rs . iar Rs = ct. I" = E" .11) " ' R Rs + R Rs + R ' " Observaţie. Punctul static de funcţionare al diodei Zener se păstrează pe porţiunea în care tensiunea Ua este practic constantă. iar tensiunea de la intrare rămâne constantă (E = ct.). R U" = E" Rs + R Rs (4.4-a). Panta dreptei statice de sarcină se exprimă prin relaţia: tg α = RR s R + Rs (4. modificarea tensiunii de intrare duce la modificarea curentului Ia . " ' b) Presupunând că rezistenţa de sarcină Rs variază între valorile R s şi R s . dacă PSF nu intră în zona de curbură a caracteristicii statice. U' = E . Concluzie: Proprietatea de stabilizare se păstrează în orice regim de lucru. În funcţionarea stabilizatorului parametric pot exista două regimuri distincte de lucru: a) Dacă tensiunea de intrare E se modifică (creşte la valoarea E’.10) Se observă că E’ > E şi E” < E. deci tensiunea pe sarcină este practic constantă dacă PSF (M) nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice.4-a dreapta statică de sarcină este reprezentată printr-o linie continuă.

Dacă. Figura 4. Schema bloc a stabilizatorului cu element de control serie şi amplificator de eroare Elementul de comparaţie 5 compară două tensiuni: E0 şi Ur. reprezintă eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescrisă.6 este dată schema detaliată a stabilizatorului cu ECS. prin ieşirea sa. În figura 4.2 Stabilizatoare cu reacţie având elemente de control serie şi amplificator de eroare Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) şi amplificator de eroare este cel mai răspândit. în sensul scăderii rezistenţei acestuia. elementul de comparaţie 5 sesizează abaterea. Acesta se construieşte după schema din figura 4. . este constantă şi proporţională cu valoarea prescrisă a tensiunii U0 (tensiunea de ieşire pe Rs).5.Stabilizatoare electronice 77 4. elementul de execuţie 1. tensiunea U0 tinde să scadă faţă de valoarea nominală. întrucât egalitatea: (4. Tensiunea de referinţă E0. de exemplu. încât să se compenseze variaţiile tensiunii de ieşire (±ΔU0) faţă de valoarea prescrisă. dată de un stabilizator parametric (diodă Zener).13) E = U'+ U 0 dată de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conservă în orice condiţie. amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi comandă. Amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi acţionează asupra elementului de control 1 (ECS) în aşa fel. prezentată în figura 4. deci la creşterea tensiunii U0.12) Diferenţa dintre aceste două tensiuni. a cărei valoare este comandată de semnalul de ieşire al amplificatorului 2. Elementul de execuţie 1 se comportă ca o rezistenţă în serie. ceea ce reprezintă compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. obţinută la ieşirea elementului de comparaţie 5.5.5. Tensiunea Ur este proporţională cu valoarea reală a tensiunii U0: U r = U0 R1 = k ⋅ U0 R1 + R 2 (4. Micşorarea rezistenţei elementului 1 duce la micşorarea căderii de tensiune U’ pe acest element.2.

. Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat direct la baza tranzistorului T2. În figura 4.2. Acesta.14. fiind un tranzistor npn. iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare operaţionale (AO).78 Capitolul 4 Figura 4. Elementele de control serie (ECS) sunt componente integrate. 4. Elementul de control serie este tranzistorul T2. Astfel.7-b).7-b amplificatorul de eroare lucrează în regim de repetor. Semnalul de eroare este: U be = U r − E 0 (4. se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 creşte). Curentul de bază al tranzistorului T1 se micşorează ducând la reducerea curentului de colector. dată de relaţia 4. a cărui rezistenţă este comandată de tensiunea de ieşire a amplificatorului de eroare.12) deci scade şi tensiunea Ube. tensiunea colector – emitor U’ scade.7-a) cât şi pentru tensiuni mici (figura 4. iar în figura 4.7-a amplificatorul de eroare lucrează în regim de amplificator neinversor.14) şi reprezintă mărimea de intrare în amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1 şi rezistenţa R4.13).5 Tensiunea de referinţă E0 este dată de un stabilizator parametric format din dioda Zener (Dz) şi rezistenţa R3.3 Stabilizatoare integrate de tensiune Aceste stabilizatoare au performanţe superioare faţă de circuitele de stabilizare având componente discrete şi pot fi realizate atât pentru tensiuni mari (figura 4. Dacă tensiunea U0 tinde să scadă. creşterea potenţialului în colectorul tranzistorului T1 are ca efect o pozitivare accentuată a bazei tranzistorului T2. deci la creşterea tensiunii de colector Uc1. va scădea şi tensiunea Ur (conform relaţiei 4.6 Schema detaliată a stabilizatorului prezentat în figura 4. are loc compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. ducând la creşterea tensiunii U0 conform relaţiei (4.

8 se constituie într-un stabilizator de tensiune fixă (5V) dacă STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4. figura 4.pentru tensiuni mari (b). în montajele la care tensiunea de ieşire se menţine şi după anularea tensiunii de intrare (cazul montajelor cu sarcini capacitive importante). adică: U0 = Unom ± 5% unde Unom = 5V.7-b: (4. schema generală din figura 4.7-a: Tensiunea de ieşire R + R2 U2 = 1 ⋅ Ur R1 R1 ⋅ Ur R1 + R 2 (4. Dioda D protejează circuitul integrat.5V superioară tensiunii de ieşire U0.17) .8 se prezintă schema clasică a unui stabilizator de tensiune integrat cu trei pini. figura 4. Tensiunea de ieşire stabilizată în acest caz este: Stabilizatoarele din seria 78XX pot funcţiona corect numai dacă tensiunea de intrare este cu cel puţin 2.16) U2 = Pentru a îmbunătăţi fiabilitatea stabilizatoarelor integrate şi pentru a elimina căderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieşire). ieşire şi bornă de masă. Condensatorul C1 este indispensabil în montaj. Uin > U0nom + 2. Acest montaj se caracterizează printr-o simplitate deosebită. Stabilizatoare de tensiune integrate U2 în funcţie de tensiunea de referinţă Ur are valorile: a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur).7. Exemplificând. Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesită un număr redus de componente discrete externe (pasive şi active). în prezent se realizează circuite stabilizatoare de tensiune fixă şi curenţi de sarcină relativ mari. În figura 4. Condensatorul C2 de la ieşire are tot rol de filtrare.Stabilizatoare electronice 79 (a). prin limitarea tensiunii inverse care poate să apară între intrare şi ieşire. în special atunci când STC se află la o distanţă oarecare faţă de circuitul de filtrare care îl precede (la ieşirea redresorului). reducând suplimentar tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului. deoarece în afara circuitului integrat sunt necesare numai două condensatoare iar prezenţa diodei de protecţie este facultativă.pentru tensiuni mici Figura 4.9). fiind prevăzute cu trei terminale: intrare.5V (4.15) b) pentru stabilizarea tensiunilor mici (U2 < Ur).

18) Curentul Ir (obţinut la pinul 3) are valori cuprinse în domeniul 4. În acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de ieşire (4. Din motive de stabilitate.8. cu mai mult de 50%.25⋅(1 + R2/R1) (4.. este prezentat un variator de tensiune (în limite mici) utilizând circuitul specializat 7805.8 mA. Astfel. se adoptă R1 = 390 Ω. Şi în acest caz protecţia împotriva suprasarcinilor rămâne activă în condiţia că tensiunea de intrare nu depăşeşte valoarea maximă admisă (de firmă) care este de regulă de 35 V. Tensiunea de ieşire se poate determina folosind relaţia: Uout = 1. În figura 4. Întrucât valoarea cea mai mare a . Pentru un stabilizator de 15V.5V în cazul stabilizatorului de 5V.19) U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4.11 este prezentată schema unui stabilizator de tensiune variabilă utilizând circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni negative). realizat cu circuitul LM7815. în figura 4.10. Stabilizator integrat de tensiune fixă (5V) Figura 4. Din acest motiv se alege R2 ≅ R1/2. Variaţiile curentului rezidual Ir în funcţie de curentul de ieşire ar putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieşire. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Tensiunea obţinută la ieşire are expresia: curentului Ir este de 8 mA.2V şi 37V. astfel încât prin el să treacă un curent de cel puţin cinci ori mai mare decât curentul rezidual (IR1 ≥ 5 Ir).9.80 Capitolul 4 Stabilizatoarele integrate pot îndeplini şi funcţia de regulatoare de tensiune.10. Figura 4. dacă schemei din figura 4.18) reprezintă circa 0.. se alege R1 = 120 Ω pentru stabilizatorul LM7805 utilizat în acest caz. la un curent maxim de 1. faţă de tensiunea nominală. Tensiunea de ieşire a stabilizatorului LM317 poate fi reglată între 1.5A.9 i se ataşează un divizor rezistiv la care unul dintre rezistoare este reglabil. Schema de principiu pentru un stabilizator integrat – tensiune fixă Figura 4. Pentru a minimiza acest efect se alege rezistorul R1. Variaţiile curentului rezidual Ir (în funcţie de curentul de ieşire) vor avea o anumită influenţă asupra tensiunii de ieşire când se reglează valoarea lui R2 către maxim. nu este indicat să se depăşească plaja de variaţie a tensiunii de ieşire.

baza de calcul suferă o modificare generată de faptul că stabilizatoarele variabile dezvoltă o tensiune de referinţă egală cu 1.25V. Diodele D1 şi D2 au rolul de proteja circuitul integrat în cazul apariţiei unor descărcări inverse ale condensatoarelor.11. factorul de rejecţie global.Stabilizatoare electronice 81 Figura 4. . între pinul ADJ şi pinul VOUT (de ieşire). totuşi. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Condensatorul C3 are rolul de a ameliora. Observaţii: Deşi schema utilizată în cazul stabilizatoarelor ajustabile de tensiune este identică cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe. suplimentar.

CAPITOLUL 5

REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere
Pentru ilustrarea unor noţiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor în mutatoare se consideră cel mai simplu redresor comandat, în schema monofazată, monoalternanţă, cu sarcină rezistivă (figura 5.1). El conţine un dispozitiv de comandă pe grilă, DCG, la intrarea căruia se aplică semnalul de comandă, uc. Scopul urmărit este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de comandă uc.

Figura 5.1. Redresor comandat monoalternanţă

Figura 5.2. Circuit de defazare

După modul cum DCG realizează amorsarea tiristorului (intrarea în conducţie), există două metode de comandă pe grilă: comanda pe orizontală şi comanda pe verticală. Dispozitivul de comandă pe grilă transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la fiecare semialternanţă pozitivă a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc amorsarea tiristorului. Până la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul. După deschiderea tiristorului curentul variază proporţional cu tensiunea aplicată u2.

iG care produce amorsarea tiristorului, se numeşte unghi de amorsare şi s-a notat cu αa.
Intervalul cuprins între începutul semialternanţei pozitive şi apariţia impulsului amorsare αa1 şi curentul mediu prin tiristor este proporţional cu suprafaţa dintre curba Din figura 5.3 se observă că modificarea unghiului de amorsare se realizează (1) prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizează unghiul de

ωt

Redresoare comandate de mică putere

83

şi abscisă. Tensiunea continuă de pe rezistenţa de sarcină, proporţională cu valoarea curentului mediu, rezultă mai mică decât în cazul când unghiul de amorsare este zero, adică la redresorul necomandat. Dacă unghiul de amorsare creşte la (2) valoarea αa2, corespunzătoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o valoare proporţională cu suprafaţa dublu haşurată.

ia

Figura 5.3. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe orizontală

Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comandă, se poate modifica unghiul de amorsare de la 0° la 180° şi tensiunea continuă variază de la 100% la zero. Acest principiu este valabil în ambele metode de comandă pe grilă (comanda pe orizontală şi comanda pe verticală). La comanda pe orizontală, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin deplasarea pe orizontală a unei tensiuni alternative de comandă. În figura 5.3-c este prezentată această tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel construit, încât se generează impulsurile iG în momentul trecerii tensiunii u~ prin zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aşa cum este cel din figura 5.2. În acest caz comanda defazajului, deci şi a tensiunii redresate, se face printr-o acţiune de reglare manuală asupra reostatului R. Dacă se impune ca tensiunea continuă să fie ajustată printr-un semnal de comandă uc, DCG trebuie să conţină un oscilator electronic care generează o tensiune periodică, liniar variabilă în timp, uLV, precum şi un circuit ce formează un impuls de comandă, iG, atunci când se produce intersectarea tensiunilor uLV şi uc pe panta

83

84

Capitolul 5

descendentă a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comandă conduce la modificarea corespunzătoare a fazei impulsurilor iG. Comanda pe verticală a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrată în figura 5.4. Dispozitivul de comandă pe grilă (DCG) generează iniţial o tensiune alternativă U~, defazată cu 900 în urma tensiunii U2. (a ) Impulsul de comandă pe grilă i G se formează iniţial la intersecţia cu abscisa (pe porţiunea ascendentă a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de amorsare a tiristorului are valoarea iniţială αa = 90 . Principiul comenzii pe verticală constă în variaţia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe verticală a tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micşorarea sau creşterea unghiului de amorsare faţă de unghiul iniţial αa. Pentru a realiza deplasarea pe verticală a tensiunii U~, la nivelul DCG se însumează o tensiune continuă de comandă (Uc – pozitivă sau negativă) cu tensiunea U~.
0

Figura 5.4. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe verticală

Redresoare comandate de mică putere
Ajustarea tensiunii de comandă astfel: a. Creşterea tensiunii

85

Uc determină reglarea unghiului de amorsare (Uc > 0) are [00 ... 900], iar
ca efect reglarea valoarea medie a

Uc

în valori pozitive

unghiului de amorsare

tensiunii redresate creşte (proporţional cu valoarea unghiului de conducţie α1) în cadrul unei semialternanţe pozitive; b. Creşterea tensiunii Uc în valori negative

(α1)

în intervalul

(Uc < 0) are ca efect reglarea 0 0 unghiului de amorsare (α2) în intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a tensiunii redresate scade proporţional cu creşterea unghiului α2, între [900 ... 1800].

[0 [0% ... 100%] din Ur.

0

Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, în domeniul ...1800], iar tensiunea medie redresată poate fi ajustată continuu, în domeniul

La evaluarea comparativă a performanţelor redresoarelor având comandă pe orizontală faţă de cele ce au comanda pe verticală, un criteriu important este forma dependenţei tensiunii continue U0 în raport cu semnalul de comandă uc. Expresia tensiunii continue sarcină rezistivă este: 2π

U0

la un redresor monofazat comandat cu

1 U0 = 2⋅π


0

1 u r d ( ωt ) = 2⋅π

αa

π

2 ⋅U 2 sin(ωt ) ⋅ d(ωt ) =
(5.1)

=

2 ⋅U 2 (1 + cos α a ) 2⋅π

La comanda pe orizontală, figura 5.3.d, unghiul de amorsare în funcţie de tensiunea de comandă uc prin relaţia:

αa se exprimă
(5.2)

α a = π ⋅ (1 −

uc

Înlocuind α a în relaţia (5.1) rezultă:

u c max

)

U0 =

π uc 2 ⋅U 2 (1 − cos ) 2⋅π u c max

(5.3)

deci dependenţa U0 = f(uc) este neliniară. La comanda pe verticală, considerând că tensiunea de comandă maximă, ucmax, este egală cu amplitudinea tensiunii u~ , relaţia dintre unghiul de amorsare

(αa) şi tensiunea uc este:

α a = arccos(

uc u c max

)

(5.4)

Înlocuind relaţia 5.4 în ultima formă a relaţiei 5.1 se obţine:

85

Alimentare ( I ) 6. este circuitul integrat ßAA-145. dependenţa U0 = f(uc) este liniară.Referinţa de tensiune (-V) 16.Masă − 13.Ieşire (E2) 15.5.Comandă durată (tp) 14.5.Ieşire ( E1 ) 11. destinat comenzii în fază a elementelor de redresare.5) deci. Făcând abstracţie de schema electronică detaliată prezentată în [9]. Schema electronică test pentru o aplicaţie tipică (cu posibilităţi de comandă a două tiristoare) realizată cu circuitul integrat ßAA145 este prezentată în figura 5.Comandă fază ( V8 ) 9.Alimentare (+V) 2.Blocare impuls 7. Unul dintre cele mai utilizate circuite integrate. Dispozitiv de comandă pe grilă realizat cu ßAA-145 .Rampă de tensiune 8.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor Pentru reglarea unghiului de conducţie a tiristoarelor şi/sau triacurilor se pot utiliza dispozitive electronice specializate. Această proprietate reprezintă un avantaj important al comenzii pe verticală faţă de comanda pe orizontală.Intrare de sincronizare 10.Sincronizare paralel Figura 5. semnificaţia terminalelor (pinilor) este următoarea: 1. întrucât redresorul comandat poate fi utilizat ca element de execuţie într-un sistem liniar de reglare automată (de exemplu reglarea turaţiei motorului de curent continuu).86 Capitolul 5 U0 = 2 ⋅U 2 uc (1 + ) u c max 2⋅π (5. 5. care pot fi realizate cu ajutorul componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate.Ieşire monostabil 3.

această valoare fiind un parametru de catalog.7. Variaţia unghiului de conducţie Figura 5.6. Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu ajutorul unui potenţiometru semireglabil (Rt) de 250 KΩ conectat la pinul 11. 87 ..Redresoare comandate de mică putere 87 Observaţie: Este recomandat să se utilizeze un transformator coborâtor de tensiune. În acest caz valorile rezistenţelor divizorului se adoptă astfel încât curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) să aibă valoarea de 10 mA.. ce urmează a fi aplicate pe porţile tiristoarelor sau triacurilor. atunci când tensiunea de comandă aplicată la pinul 8 variază în domeniul 0. Figura 5. se obţin la pinii 10 şi 14. Diagrama impulsurilor de comandă Impulsurile de comandă.8V. pentru separare galvanică (220V~/24V~). Acest circuit permite reglarea unghiului de conducţie (φ) în domeniul 0-180 grade. Variaţia unghiului de conducţie în raport cu tensiunea de comandă (V8) este prezentată în figura 5.6. asociat cu divizorul rezistiv pentru alimentarea pinului de sincronizare (9).

180 grade datorită translaţiei pe orizontală a celor două impulsuri. dar unghiul de conducţie ϕ se poate regla în intervalul 0. Momentul de referinţă pentru unghiul de comandă este momentul trecerii prin zero a tensiunii reţelei. 5. . Unghiul de comandă (α) exprimă intervalul de timp cuprins între momentul începutului blocării tiristorului T1 şi momentul în care începe conducţia tiristorului T2. În punctul A al diagramelor. Întrucât impulsurile de comandă (V10 şi V14) sunt de mică putere. Aceste transformatoare realizează separare galvanică Între circuitul de forţă (tiristor sau triac) şi circuitul de comandă unde se află circuitul integrat βAA – 145. figura 5.100%].8.9. tensiunea de ieşire Ud este reglabilă în limitele [0.. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunzătoare a tiristoarelor din circuit. acestea trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington.. Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porţile tiristoarelor/triacurilor prin intermediul unor transformatoare de impulsuri.. Figura 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte În cazul redresorului semicomandat. realizate cu miezuri de ferită şi dimensionate corespunzător.8.7. În raport cu referinţa. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată (cu sarcină inductiv-rezistivă) este prezentată în figura 5. se alege ca moment de referinţă pentru comanda pe grilă. începe ieşirea din conducţie a tiristorului T2 şi intrarea în conducţie a diodei D1. în cazul redresorului monofazat. impulsul de amorsare (aprindere) a fiecărui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil. Blocarea impulsurilor de comandă (inhibarea circuitului ßAA-145) se poate face conectând pinul 6 la masă..88 Capitolul 5 Cele două impulsuri de comandă (V10 şi V14) sunt decalate permanent cu un unghi constant de 180 grade. iar formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor prin circuitul redresor-sarcină sunt date în figura 5. Momentul în care tensiunea pe tiristor este nulă şi urmează să devină pozitivă în sensul anod . Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul în care tensiunea lor în sensul anod – catod este pozitivă.catod. acest interval defineşte unghiul de comandă (α) pentru tiristoare. Exprimat în radiani.

α – este unghiul de conducţie al tiristoarelor. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor 89 .6) unde: US – este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 ). C şi E. Tensiunea medie redresată (Ud) este dată de relaţia: Ud = 2 U S (cos α + 1) .Redresoare comandate de mică putere 89 Intervalele de comutaţie γ1 şi γ 2 definesc timpii necesari blocării tiristoarelor şi intrării în conducţie a diodelor. curentul de sarcină trece în întregime prin T1 şi D1. După intervalul de conducţie γ 2 . D2 . π (5. iar tiristorul T2 se blochează natural în momentele A. Figura 5. RS) se obţine în intervalele de timp în care are loc conducţia simultană pe T1.9. D1 şi respectiv T2. Tensiunea redresată Ud pe sarcină (LS. Tiristorul T1 se stinge natural în punctele (momentele) B şi D.

90 Capitolul 5 Observaţii: a) Pe durata conducţiei tiristoarelor. Valoarea minimă a unghiului de comandă (α) se adoptă în intervalul 5÷8 grade electrice. 5. faţă de metoda comenzii pe orizontală (în cazul redresoarelor comandate) ? 2.1[ V ] . b) Tensiunea între punctele M şi N (U MN ) . asigurând curentul neîntrerupt prin sarcina RS. Ce avantaj oferă comanda pe verticală. diodele de acelaşi indice (nume) joacă rolul de redresor. c) Unghuiul de conducţie θ al diodei Zenner. R S = 50 [ Ω ] . rDZ = 8 [ Ω ] . R = 200 [ Ω ] . α c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului ) Se cere: a) Tensiunea medie redresată U 0 . K TR = 8. iar în intervalul unghiului de comandă cele două diode D1 şi D2 joacă rolul de protecţie (descărcare) împotriva tensiunilor de autoinducţie ce apar în momentul blocării tiristoarelor. U Z = 9. d) Valoarea curentului de sarcină (I S ) . b) Durata de conducţie a diodelor este mult mai mare decât durata de conducţie a tiristoarelor. c) Tensiunea redresată (Ud) creşte dacă unghiul de comandă α scade. LS.4 Întrebări şi problemă 1. specializat pentru comanda în fază a tiristoarelor şi triacurilor? Problemă Se dă circuitul de redresareşi stabilizare din figură pentru care se cunoaşte: u1 ( t ) = 240 ⋅ sin ( ωt ) [ V ] . interval de timp necesar preluării conducţiei de la tiristoare de către diode. Care este rolul şi seminificaţia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat βAA145.

conform căreia o propoziţie poate fi adevărată sau falsă. Realizarea identităţii logice. Fie de exemplu. având o semnificaţie asemănătoare. Deci se obţine identitatea logică: y≡x (6. Ilustrând această idee prin exemple simple. 1 Identitatea logică. Veridicitatea unei propoziţii poate să depindă de veridicitatea altor propoziţii. Fiecărei propoziţii i se poate asocia o variabilă. Boole. propoziţia: “butonul X este acţionat” (figura 6.2. În mod similar. Referindu-ne la cele două propoziţii menţionate anterior constatăm că în schema din figura 6. În cadrul schemei din figura 6. care are valoarea 1 dacă propoziţia este adevărată (butonul fiind acţionat. care are valoarea 1. se vor introduce – în cele ce urmează – funcţiile logice elementare. propoziţiei “releul Y este acţionat” (figura 6.CAPITOLUL 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6. numită şi algebră booleană (după numele matematicianului irlandez G. operează cu propoziţii.2. acesta îşi deschide contactul. 1815-1864). Acestei propoziţii i se poate asocia variabila binară x. În algebra booleană se utilizează logica bivalentă. contactul butonului X este normal închis. 2 Negaţia logică.1-b) i se poate asocia variabila binară y. luate din domeniul schemelor de comandă cu relee şi contacte. propoziţia a doua este adevărată când prima propoziţie este adevărată şi invers. Figura 6. Figura 6.1-a).1.1-a. la care interesează veridicitatea acestora. Definirea funcţiilor logice elementare. când propoziţia este adevărată şi valoarea 0 când propoziţia este falsă.1 Funcţii logice elementare Algebra logicii. contactul electric este închis) şi valoarea 0 dacă propoziţia este falsă (contactul electric deschis).3. Când butonul este acţionat. numită variabilă logică sau binară. circuitul se .1) Identităţii logice îi corespunde tabelul de adevăr 6.

conjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “ŞI”. de unde rezultă: y = x1 ⋅ x 2 (6. Din acest motiv. ⋅ xn (6.. notată simbolic: y= x (6.3) Generalizând.3. Disjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1+x2 şi are valoarea 1 dacă una dintre variabile are valoarea 1. situaţie în care funcţia ”SAU” este: y = x1 + x2 + x3 + . disjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “SAU”.2 a) x y ≡x x y= x 0 0 0 1 1 1 1 0 x1 x2 y=x1+x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 b) x ⋅x 4 Conjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin 1 2 şi are valoarea 1 dacă ambele variabile au valoarea 1. Ca urmare. Din tabelul de adevăr 6.5. conjuncţia logică se realizează cu n variabile binare..1 Tabelul 6. Realizarea fizică a funcţiei “ŞI” cu două variabile este dată în schema din figura 6.6) În cazul negaţiei logice.2) Figura 6. Se realizează deci negaţia logică. corespondenţa dintre variabila dependentă (y) şi cea independentă (x) este dată de tabelul de adevăr 6. sau ambele variabile au valoarea 1. disjuncţia logică poate conţine n variabile binare. Realizarea funcţiei logice SAU Tabelul 6.3 se constată că numai atunci când x1 şi x2 au valoarea logică 1. Realizarea negaţiei logice Figura 6.5) În cazul general. din care rezultă: y = x1 + x2 (6. Interpretarea fizică a acesteia este ilustrată prin schema dată în figura 6.4) . conjuncţia logică are valoarea 1.4. + xn (6. situaţie în care funcţia ”ŞI” este: y = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ . iar releul Y nu va fi acţionat.92 Capitolul 6 întrerupe.. Tabelul de adevăr 6..2 al disjuncţiei logice arată că aceasta are valoarea 1 dacă x1 sau x2 au valoarea ”1” logic sau x1 şi x2 au valoarea logică 1.1-b.4.

8) x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 Din acest motiv.6.4. Se remarcă faptul că funcţia are valoarea 1.5. NUMAI. adică: (6. de fapt. adică se mai numeşte funcţia ŞI-NU.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6. Uneori. SAU EXCLUSIV etc. se mai utilizează şi alte funcţii logice (derivate). y = x1 ∩ x2 (6. Funcţia logică NUMAI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. cum sunt: NICI. fapt ce exclude posibilitatea de a fi adevărate simultan cele două alternative implicate în propoziţie. simbolizarea disjuncţiei logice şi respectiv a conjuncţiei logice realizate cu două variabile (ca în exemplul de faţă) se poate face astfel: y =x1 ∪ x2 . funcţia NICI se mai numeşte funcţie SAU-NU. În conformitate cu tabelul de adevăr 6. ŞI reprezintă funcţii elementare în algebra propoziţiilor. iar în terminologia engleză NAND (Not –AND): x1 ↑ x 2 = x 1 ⋅ x 2 (6. Tabelul 6.5 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 Tabelul 6. Comparând tabelele de adevăr 6. Semnificaţia şi denumirea funcţiei este legată de interpretarea propoziţiilor de forma: “Maşina electrică funcţionează în regim de motor sau în regim de generator”.7) Funcţiile logice NU. iar în terminologia engleză este NOR (Not-OR).3.5 rezultă că funcţia NUMAI se obţine prin negarea funcţiei ŞI. SAU.5. şi 6. În afara acestora. nici x2 nu sunt egale cu 1. acestea se pot realiza cu n variabile binare. funcţia SAU negată: (6.4. se constată că funcţia NICI reprezintă.9) Observaţie: Şi în cazul funcţiilor NOR şi NAND. x1 x2 y= x1 + x 2 Tabelul 6.4. Funcţia logică NICI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.6 x1 x2 y= x1 ⋅ x 2 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 x1 x2 x1⊕x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 Din compararea tabelelor de adevăr 6.10) .3 93 Figura 6.6. Funcţia logică SAU-EXCLUSIV a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1⊕x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.2 şi 6. atunci când nici x1. funcţia SAU-EXCLUSIV este disjuncţia termenilor x1 ⋅ x 2 şi x1 ⋅ x 2 .

7 Nr. se folosesc o serie de relaţii (proprietăţi) fundamentale. date în tabelul 6. Verificarea acestor proprietăţi se poate face cu uşurinţă utilizând tabelele de adevăr ale funcţiilor logice elementare.7 permit exprimarea funcţiilor NICI. ŞI.8) şi (6. SAU.94 Capitolul 6 6. de la funcţiile NICI şi NUMAI.13) (6. SAU. utilizând relaţiile de definiţie (6. Tabelul 6. crt.14) (6.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii Pentru transformarea unor expresii logice în altele. însă cu o structură mai simplă. echivalente celor iniţiale. la funcţiile NU. Relaţiile date în tabelul 6. ŞI.9) precum şi teoremele lui De Morgan rezultă: (6.11) x=x+x=x↓x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 (6. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Proprietatea de idempotenţă Proprietatea de asociativitate Proprietatea de comutativitate Proprietatea de distributivitate Proprietatea de absorbţie Teoremele lui De Morgan Principiul contradicţiei Principiul terţului exclus Principiul dublei negaţii Denumirea relaţiei logice Proprietăţile constantelor logice 0 şi 1 x+0=x x ⋅0 = 0 x + 1 = 1 x ⋅1 = x x+x=x x⋅x=x (x1⋅x2)⋅x3 = x1⋅(x2⋅x3) (x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3) x1⋅x2 = x2⋅x1 x1+x2 = x2+x1 x1⋅(x2+x3) = (x1⋅x2)+(x1⋅x3) x1+(x2⋅x3) = (x1+x2)⋅(x1+x3) x1+x1⋅x2 = x1 x1⋅(x1+x2) = x1 x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x⋅ x =0 x+ x =1 x =x Astfel. NUMAI şi SAU–EXCLUSIV prin intermediul funcţiilor elementare NU.7.15) . se realizează astfel: x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 (6.12) Transformările inverse.

ceea ce le oferă o importanţă deosebită în circuitele logice de comandă. . ceea ce echivalează cu semnalul “0” logic. în componenţa cărora intră diode şi tranzistoare.9 x 1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x 1 ↑ x 2 x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 x1 ↓ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 + x 2 = x1 ↑ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 În algebra propoziţiilor. punctul static poate fi în poziţia M’ (regim de blocare). întrucât prin intermediul lor se poate exprima orice altă funcţie logică. ŞI.19) . ceea ce echivalează cu semnalul “1” logic.13)…(6. Punctul static de funcţionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe dreapta de sarcină în M” (regim de saturaţie) – corespunzător unei tensiuni neglijabile în colector.13) … (6..1 s-a arătat modul de realizare a funcţiilor logice elementare prin intermediul contactelor.8 Tabelul 6.16) (6. E ) → H (6. Funcţiile logice se pot realiza şi cu ajutorul unor circuite electronice. iar dacă este polarizată invers.18) Relaţiile de transformare (6.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 95 (6. De asemenea. . numite circuite logice. Valorilor logice ”0” şi ”1” li se asociază două niveluri de tensiuni electrice: nivel coborât (L -Low) şi nivel ridicat (H .High).18) sunt sintetizate în tabelele recapitulative 6.. cu deosebirea că în starea “0” logic (tranzistor saturat).. Regula de asociere: " 0" logic → (0. SAU formează un sistem complet de funcţii. În mod similar se consideră şi tranzistoarele unipolare. .3 Circuite logice. Diodele semiconductoare se consideră ideale (cu rezistenţă internă nulă). funcţiile logice elementare NU. Relaţiile (6.17) x = x⋅x = x↑ x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 (6.9. când tensiunea în colectorul tranzistorului este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare. se consideră ca un izolator ideal (contact deschis). Tabelul 6. .18) arată că atât funcţia NICI. ea va fi asimilată cu un element conductor ideal (contact închis). cât şi funcţia NUMAI pot juca rolul unui sistem complet de funcţii elementare.8 şi 6. care lucrează în regim de comutaţie. căderea de tensiune pe tranzistor este mai mare decât la tranzistorul bipolar.. Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice În § 6.+ ε1 )V → L " 1" logic → (+ E − ε 2 . Tranzistoarele utilizate în circuitele logice funcţionează în regim de comutaţie. Dacă dioda este polarizată în sens direct. 6.

adică y = 1. în logică pozitivă este dată în figura 6. la ieşire se obţine o tensiune uy = 0 V. conduce dioda D2. În primele variante constructive. sunt date în figurile 6. iar D1 este blocată.. În alte situaţii. baza este negativată (prin sursa –Eb). respectiv circuitul ŞI-NU (NAND) realizate cu ajutorul componentelor discrete (diode. tensiunea de intrare ux este egală cu 0 V. atunci când x1 = 0. Circuit ŞI Circuitele SAU-NU (NOR). D2 este blocată şi tensiunea de ieşire este egală cu cea de la prima intrare. conducând D2.. Dacă x1 = 1 şi x2 = 0. ambele diode sunt blocate (având semnal pozitiv la catozi). precum şi simbolizarea lor.. adică tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V. bornele de intrare având potenţialul +E ( E ≥ E1 ). de exemplu.6. .−ε1 ) V → L (6. intrările sunt conectate la potenţialul bornei comune şi diodele D1. Circuit logic NU Figura 6. respectiv ŞI. iar la ieşire rezultă semnal logic y = 1. căreia îi corespunde regula de asociere: " 0" logic → (0. tensiunea de intrare este ux. Schemele acestor circuite. rezistoare şi tranzistoare) se obţin prin conectarea în serie a circuitului SAU. deci y = 0.6 este dată schema unui circuit logic NU (logică pozitivă). . respectiv 6. adică ≅ 0V. x2 = 1 sau x1 = 1 şi x2 = 1. . deci la ieşire se obţine uy. se adoptă logica negativă. Atunci când x1 = 1 şi x2 = 1. circuitele logice conţineau componente discrete. lucrând în logica pozitivă.− E ) → H Figura 6. tranzistorul este blocat. la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn. cu circuitul NU. Circuit SAU Figura 6. corespunde logicii pozitive şi se aplică. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe dioda D2. E şi tranzistorul lucrează în saturaţie. . x2 = 0. dioda D1 conduce. toate punctele circuitului se vor afla la potenţial nul.96 Capitolul 6 în care ε1 şi ε2 sunt toleranţe admise. În figura 6.7. ca de exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp. În figura 6. . Dacă x = 0. În mod similar rezultă y = 0 când x1 = 0. x2 = 1. respectiv D1 şi D2. Funcţionarea acestui circuit este următoarea: dacă x1 = 0. deci rezultă y ≅ 0. deci y = 0. realizat cu diode.8. Dacă x1 = 0 şi x2 = 0.9.8. " l" logic → (− E + ε 2 .. circuitele logice se pot realiza utilizând componente discrete sau sub formă de circuite integrate. Dacă x = 1. respectiv D2 conduc. deci y = 1. Schema unui circuit ŞI cu două intrări. funcţionarea este similară. x2 = 0.20) Sub aspect tehnologic. deci y = 0. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe diodele care conduc.7 este dată schema unui circuit SAU cu diode. E.10. astfel încât y = 1. dacă x1 = 1.

adică intrarea respectivă se leagă la masă.11. După tehnologia utilizată. DTL. tipurile: RTL. adică are o joncţiune bazăcolector şi mai multe joncţiuni bază-emitor.10. Dacă la una dintre intrări se aplică tensiunea 0V. Circuit SAU-NU (NOR) gura 6. în ordinea în care s-au succedat. în care se utilizează tranzistoare bipolare. Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrările prin rezistenţe. Circuit ŞI-NU (NAND) 6.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND . La realizarea CLI bipolare s-au adoptat mai multe tipuri de structuri de bază. Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similară circuitelor cu componente discrete. Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul ŞI-NU. circuitele logice integrate (CLI) se clasifică în: CLI bipolare.9. T1. Tranzistorul de intrare.TTL) În prezent circuitele logice se realizează aproape în exclusivitate sub formă de circuite integrate. Circuitele TTL (Transistor. TTL. dintre care menţionăm. este de tip multiemitor. HLL şi I2L. potenţialul bazei este practic egal cu 0V iar joncţiunea bazăcolector nu conduce. Circuitele RTL şi DTL având performanţe reduse. şi CLI-MOS. Astfel curentul i în colectorul lui T1 este neglijabil. în prezent nu mai sunt utilizate. . conectate la bazele tranzistoarelor bipolare.Transistor-Logic) sunt în prezent cele mai utilizate CLI.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 97 Figura 6. joncţiunea bază-emitor respectivă conduce. a cărui schemă este dată în figura 6. realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS.

Circuit ŞI-NU (NAND) TTL Tranzistorul T2 este blocat şi întrucât iE2 = 0. care determină saturarea tranzistorului T4. însă va conduce joncţiunea bază-colector. În acelaşi timp tranzistorul T3 este blocat. Dioda D este conectată între tranzistorele T3 şi T4 din motive tehnologice. întrucât T3 este în conducţie (saturat). deci y = 0. deoarece tensiunea bază-emitor aplicată acestuia este neglijabilă. tensiunea de ieşire este 0V. stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea în saturaţie a tranzistorului T2. cât şi în situaţiile când mai multe intrări au tensiunea de 0V. potenţialul bazei tranzistorului T4 este practic egal cu 0V.98 Capitolul 6 Figura 6.5 V pentru y=”1” logic Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V şi 5V. adică potenţialul bornei de ieşire este practic egal cu +E. tranzistorul T3 se comportă ca un repetor pe emitor. Practic.11. în această situaţie. Curentul iE2 fiind mare.12. Dacă la toate intrările se aplică tensiunea +E. Ca urmare.12. iar T4 ca un contact închis. valorile tensiunilor pentru ”0” logic şi ”1” sunt: VH 0. tensiunea de ieşire este practic +E. se asigură o cădere de tensiune pe rezistenţa RE. generând curentul de sarcină. iar curentul prin sarcina conectată la ieşire este asigurat de tranzistorul T3 care este în saturaţie. Figura 6.4 V pentru y=”0” logic VH 3. Deci. joncţiunile bazăemitor ale tranzistorului T1 nu conduc. potenţialul colectorului acestui tranzistor (T4). . Observaţii: Când ieşirea este ”1” logic (y = 1). Întrucât T3 se comportă ca un contact deschis. deci şi acest tranzistor este blocat. 1 2 Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este prezentată în figura 6.

) . când acesta ar trebui să fie deja blocat. În starea ”1” logic tensiunea VH la ieşirea porţii TTL este: VCE (T4 − sat. Perechile de tranzistoare T1. Expresia curentului maxim de impuls în colector (ICC-max) la ieşirea porţii TTL este: I CC − max = unde: VCC − VCE (T3 − sat.tensiunea colector-emitor când T4 este saturat.13. atunci când T1 şi T’1 sunt saturate. Funcţionarea este următoarea: a) Dacă T2 sau T’2 este saturat. atunci tranzistorul T3 va fi saturat. deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat. Observaţie: T2 sau T’2 sunt saturate dacă T1 sau T’1 sunt blocate. .21) VD – este căderea de tensiune pe dioda D. într-un interval de timp foarte scurt (de ordinul microsecundelor).) − VD R C3 (6.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 99 Observaţie: În timpul funcţionării (la trecerea din starea ”0” logic în starea ”1” logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor T3 şi T4.) − VD (6.4. Astfel T3 îl ”surprinde” pe T4 în conducţie. ce are schema electrică prezentată în figura 6. iar T4 este blocat.) . Figura 6.tensiunea colector-emitor când T3 este saturat. Poarta logică integrată NOR (SAU-NU) În cele ce urmează se prezintă poarta integrată NOR (SAU-NU) realizată cu numai 2 (două) intrări. VH = VCC − VCE (T3 − sat. T2 şi T’1.1. la ieşire se obţine V0=”1” logic (+E volţi). b) Dacă T2 şi T’2 sunt blocate. Cauza conducţiei simultane este aceea că T3 comută mai rapid în conducţie decât comută T4 în starea de blocare. Poarta TTL (NOR) Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizează funcţia logică F ="1" = V0 = A + B = A ⋅ B . adică VIA sau VIB au valoarea „1” logic (+E volţi). Deci la ieşirea F se obţine V0=”0” logic. T’2 formează două etaje de intrare conectate în paralel pe rezistoarele R2 şi R3.13.22) 6.) − VCE (T4 − sat. VCE (T3 − sat.

unei situaţii date a elementelor de intrare (acţionate sau neacţionate). iar mărimile de ieşire sunt variabile binare dependente. ale căror structuri sunt cunoscute. lămpi de semnalizare etc. b) Simbolizarea circuitului combinaţional Asociind elementelor de intrare-ieşire variabile binare. u m ) M y r = f r (u1. a) Circuit combinaţional.14-a). Yr..100 Capitolul 6 când ambele intrări sunt legate la masă. u 2 .14. înfăşurări ale robinetelor electromagnetice. . y2. este determinat în mod univoc de o combinaţie dată a mărimilor de intrare.14-b. yr – mărimi de ieşire. contacte ale unor relee din alte scheme de comandă etc.23) în care f1(. u 2 .. fr(. Cu alte cuvinte. În privinţa circuitelor logice combinaţionale se pot formula două categorii de probleme: . U2. notate cu litere mici. Circuitele logice combinaţionale sunt acele circuite de comandă la care setul mărimilor de ieşire.ansamblul elementelor de comandă (contacte sau circuite logice). ….elemente de intrare: U1. reprezentând contacte de butoane şi de limitatoare de cursă. Mărimile de intrare sunt variabile binare independente. u2. ….. u m ) M y 2 = f 2 (u1.. . Um. . ….. Figura 6. schema de comandă se poate reprezenta ca în figura 6. caracterizat prin următoarele elemente: .. f2(. um se numesc mărimi de intrare. îi corespunde în mod univoc o anumită situaţie a elementelor de ieşire.).1 Noţiuni generale Fie un circuit de comandă (figura 6. . La ieşirea F se obţine ”0” logic dacă una dintre intrări (sau ambele) au nivel de tensiune ”1” logic. u m ) (6.. . Y2.) sunt funcţii booleene..5. Circuitele logice combinaţionale sunt descrise prin ecuaţii ieşire-intrare de forma: y1 = f1 (u1. reprezentând înfăşurări de relee şi/sau contactoare. adică funcţii în care variabilele logice sunt legate prin operaţiile din algebra logicii.5 Circuite logice combinaţionale 6. . ….elemente de ieşire: Y1.). în orice moment.. în care u1... u 2 . în momentul considerat. iar y1. 6.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale
analiza circuitelor logice combinaţionale; sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaţionale.

101

6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
Într-o problemă de analiză se dă structura circuitului combinaţional, starea elementelor de intrare (dacă sunt acţionate sau nu) şi se cere starea elementelor de ieşire. O problemă de analiză, de tipul celei formulate, se rezolvă în trei etape: • pornind de la schema circuitului combinaţional, se asociază variabile binare elementelor fizice de intrare-ieşire şi se scrie funcţia logică corespunzătoare schemei date; • se înlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, după starea elementelor de intrare respective; • se evaluează expresia logică, deteminând variabila dependentă (mărimea de ieşire): dacă aceasta este 1, elementul de ieşire este acţionat, iar dacă expresia logică are valoarea 0, elementul de ieşire este neacţionat.

Figura 6.15. Schema de comandă cu releu şi contacte

Figura 6.16. Schema de comandă echivalentă schemei din figura 6.22

Vom ilustra procedura descrisă prin intermediul schemei de comandă cu relee şi contacte dată în figura 6.15. Aici, U1, U2 şi U3 sunt contacte normal deschise şi normal închise ale unor elemente de comandă, limitatoare de cursă etc. Aşa cum s-a arătat în § 6.1, contactelor normal deschise li se asociază variabile binare, notate cu litere mici fără bară de negare, iar contactelor normal închise li se asociază variabile binare negate (cu bară de negare). Acţionarea unui contact normal închis reprezintă deschiderea sa. Asociind o variabilă binară, y, elementului de ieşire, Y, schema de comandă poate fi reprezentată ca în figura 6.16. Cunoscând realizarea funcţiilor logice elementare utilizând contacte, variabila de ieşire y (figura 6.16) se poate exprima cu uşurinţă prin intermediul variabilelor de intrare u1, u2 şi u3:

y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u 1 3

(6.24)

Presupunem că, în cadrul problemei de analiză, se cere starea elementului de ieşire atunci când U1 şi U2 sunt acţionate iar U3 este neacţionat. Punând în expresia (6.24) u1 = u2 = 1 şi u3 = 0, se obţine:

y = (1 ⋅ 1 ⋅ 0 + 1 ⋅ 1 ⋅ 0) ⋅ 1 + (1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1) ⋅ 0 = 1
deci elementul de ieşire este acţionat. Formularea problemelor de analiză a schemelor combinaţionale poate fi completată în sensul determinării unei scheme de comandă mai simplă, însă echivalentă cu cea iniţială, sau al stabilirii unei scheme de comandă cu aceleaşi funcţiuni, însă realizată prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvările

102

Capitolul 6

acestor completări din formularea problemelor de analiză constituie, în acelaşi timp, soluţii ale unor etape din procedura de sinteză (proiectare) a schemelor combinaţionale. Fie schema de comandă din figura 6.15. Se cere o schemă echivalentă cu aceasta, însă mai simplă, adică realizată cu un număr mai mic de elemente. Pentru simplificarea schemei de comandă se procedează la minimizarea funcţiei booleene (6.24), adică la aducerea acesteia la o formă cât mai simplă. Utilizând relaţiile fundamentale din algebra booleană, se obţine:

(6.25) Ţinând seama de proprietăţile de idempotenţă, terţ exclus şi contradicţie, din ultima expresie se obţine: (6.26) y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 Mărimea de ieşire (y) s-a exprimat printr-o disjuncţie a unor conjuncţii logice. Funcţia booleană corespunzătoare se exprimă în forma canonică disjunctivă. Constituenţii disjuncţiei se numesc mintermeni. Pentru obţinerea formei canonice disjunctive minimale se pot utiliza mai multe metode: a) metoda alipirilor (metoda grupărilor); b) metoda diagramelor Karnaugh; c) algoritmul Quine-McCluskey. Dacă numărul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomandă metodele b sau c. Pentru exemplul anterior, având în vedere numărul redus de mintermeni, vom utiliza metoda grupărilor. Termenii vor fi grupaţi câte doi, astfel încât fiecare pereche să aibă numai un singur termen diferit în conjuncţiile respective. Astfel, primii doi mintermeni se pot grupa având u 2 u 3 ca parte comună în conjuncţii. La fel, primul şi al treilea, se pot grupa având u 1 u 3 ca parte comună. Pentru a nu rămâne un mintermen necuplat, în expresia (6.25) se adaugă în disjuncţie mintermenul existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilalţi doi):

y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3
Această expresie este

(6.27)

identică cu cea precedentă, deoarece u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietăţii de idempotenţă. Grupând primii doi mintermeni, precum şi următorii doi, din relaţia 6.27, prin utilizarea proprietăţii de distributivitate se obţine: y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28) şi, deoarece u1 + u1 = 1 şi u 2 + u 2 = 1, în conformitate cu principiul terţului exclus rezultă forma minimală a funcţiei logice: y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29) Se constată cu uşurinţă că funcţia booleană în forma canonică minimaldisjunctivă nu se poate simplifica mai mult. Forma minimală a funcţiei booleene se prezintă ca o disjuncţie a unor termeni numiţi implicanţi primi ai funcţiei. Deci, în esenţă, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funcţiei logice iniţiale se reduce la deducerea implicanţilor primi ai acesteia. Corespunzător ecuaţiei (6.29) se poate desena schema de comandă minimală din figura 6.17, echivalentă cu schema iniţială din figura 6.15.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale

103

Realizarea cu circuite logice NU, ŞI, SAU a circuitului de comandă corespunzător funcţiei logice (6.29), se face prin schema dată în figura 6.18. Dacă se pune problema deducerii unei scheme de comandă realizată cu elemente NAND, se transformă funcţia (6.29) după cum urmează:

y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) ↑ (u1 u 3 ) = (u 2 ↑ u 3 ) ↑ (u 1 ↑ u 3 )

(6.30)

Utilizând module NAND cu două intrări, rezultă schema circuitului de comandă din figura 6.19.

Figura 6.17. Schema de comandă minimală echivalentă schemei din figura 6.15

Figura 6.18. Schema echivalentă a realizată funcţiei logice (6.28)

Figura 6.19. Schema echivalentă a funcţiei logice (6.28) cu module NAND

6.6 Circuite logice secvenţiale
Aşa cum s-a arătat în § 6.5.1 mărimile de ieşire ale unui circuit combinaţional sunt determinate univoc, în orice moment, de mărimile de intrare din momentul respectiv. În cazul circuitelor logice secvenţiale, mărimile de ieşire la momentul k, k k k notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mărimile de intrare k k k u1 , u 2 ,..., u m , ci şi de starea internă a circuitului din momentul anterior, k −1 k −1 k −1 (figura 6.20). caracterizată prin mărimile de stare x1 , x 2 , ... , x n Variabilele de stare descriu evoluţia (istoria) circuitului, în sensul că la momentul k ele depind atât de valorile anterioare, din momentul k–1, cât şi de mărimile de intrare ale circuitului. Din cele menţionate rezultă că un circuit logic secvenţial este caracterizat de două seturi de ecuaţii: ecuaţiile de stare şi ecuaţiile de ieşire. Ecuaţiile de stare leagă mărimile de stare din momentul k, de mărimile de stare din momentul anterior, k–1, şi de mărimile de intrare. Ele pot avea două forme:

Fie un circuit elementar cu două intrări u1. la fel ca şi cele de intrare-ieşire. u 2 .. . care ilustrează grafic modul cum se realizează trecerea dintr-o stare în alta.33) y j = g j ( x1 .1 Circuite secvenţiale elementare În cele ce urmează se vor considera câteva circuite secvenţiale cu numai două stări. u1 . 2. ele se mai numesc automate finite.. Ecuaţiile de ieşire exprimă legătura dintre mărimile de ieşire ale circuitului secvenţial. sub acţiunea semnalelor de intrare. respectiv în momentul k – 1. sub acţiunea mărimilor de intrare. Se constată că s-a eliminat combinaţia (1. . la care corespunde tabelul 6...10 de tranziţie a stărilor.1) a variabilelor de intrare.. . Tranziţia stărilor se face sub acţiunea unor semnale de intrare.31) şi (6. . u1 k −1 . realizate într-o formă specifică... circuitul secvenţial se poate afla în 2 stări (n este numărul variabilelor de intrare). ecuaţiile de ieşire ale unui circuit secvenţial sunt de forma: k k k k k k k (6. mărimile de stare şi mărimile de intrare ale acestuia. Din acest motiv. Circuitele logice secvenţiale se încadrează în categoria generală de sisteme dinamice. x n . r. Ecuaţiile (6.. u m ) unde x i = f i ( x1 k −1 ..104 Capitolul 6 k k −1 k −1 k −1 k k x i = f i ( x1 . n Deci..31) k −1 sau k unde i =1. având particularitatea că au un număr finit de stări.. . x2 k −1 . Ecuaţia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziţie a stărilor. u1 . Circuit logic secvenţial. u2 şi o ieşire y = x. variabile binare. Variabilele de stare sunt. variabilele din circuit (6. u m ) Figura 6.20. . .. având diagrama de tranziţie a stărilor din figura 6. În cazul general. . x n k −1 .. . ..21. . Din acest motiv ele se mai numesc ecuaţii de tranziţie a stărilor. notate convenţional prin 0 şi 1.. după cum mărimile de intrare se consideră în momentul k.6.. u m ) (6. obţinându-se – în esenţă – clasa circuitelor basculante (triggere). . x n . x 2 . n. 6.. .32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare în alta.32) g(·) sunt funcţii logice cunoscute. 2. x. Este evident că cele două stări pot fi codificate printr-o singură variabilă de stare binară. . iar j = 1.. . x 2 .

22-a. Schema circuitului ce corespunde ecuaţiei (6. pe baza notaţiilor anterioare s-a obţinut expresia x k = m ⋅ n care arată că funcţia dorită x k = m ⋅ n . iar variabila u2k borna R (reset = ştergere) se obţine bistabilul S–R cu elemente NAND reprezent ca în figura 6.35) reprezintă funcţia logică minimizată. funcţiei din paranteză.37) ⎟ . este necesar să se aplice operaţia de dublă negaţie peste funcţia (6.36) şi rezultă: k ⎛ k ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎞ x k = u2 (6.35) se transformă într-o expresie de forma ( ) x k = m ⋅ n . cerută de proprietatea dublei negaţii.21. şi se obţine: ⎞ ⎞ k ⎛ k k ⎛ k x k = u2 (6. Pentru aceasta se aplică proprietatea dublei negaţii şi una din teoremele lui De Morgan.NU) deoarece.22-b.35) x k = x2 u1 + x k −1 . ⎝ ⎠ Această realaţie satisface expresia unei funcţii logice NAND (SI . va mai suporta o operaţie suplimentară de negare. Dacă se impune realizarea circuitului de comandă cu elemente (module) NAND funcţia logică minimizată (6. .36) ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ ⋅ ⎜ u1 + x k −1 ⎟ = u 2 ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎛ k k −1 ⎞ k şi m = ⎜ u1 Notând (convenţional) n = u 2 ⋅x ⎟ se observă că pentru a ⎝ ⎠ obţine expresia unei funcţii de forma x k = m ⋅ n este necesară operaţia de negare peste întreaga funcţie (6.10 105 Figura 6. dar pentru a nu schimba valoarea funcţiei x k . Diagrama de tranziţie a unui circuit secvenţial elementar Ecuaţia de stare a circuitului este: k k k k −1 k k k −1 k k k −1 x = ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + (u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) (6.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6.34) Se minimizează funcţia logică utilizând metoda grupărilor (1-3) şi (2-3): k k −1 ⎞ ⎛ k k⎞ ⎛ k k ⎞ ⎛ k −1 ⎛ k k −1 ⎞ + ⎛ u k ⋅ u k ⎞ + x k −1 ⎞ xk = ⎛ ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⋅ ⎜ u1 + u1 ⎟ + ⎜ u 2 ⋅ u1 ⎟ ⋅ ⎜ x ⎟ = ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⎜ 2 1⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ sau k k (6. Prin redesenarea ei.37) este dată în figura 6. Ultima relaţie (6. considerând variabila u1k borna S (set = inscriere).36).

din tabelul de tranziţie anterior 6. b) Schema de comandă din figura 6.25-b) sunt identice cu stările x = 1.1) este eliminată. deci când y = 1 k (prezentate în tabelul de trantziţie 6. ilustrată în figura 6. În acest caz starea curentă (y ) are valoarea ”1” logic. atunci când combinaţia de intrare este (1. Bistabil SR cu elemente ŞI–NU: a şi b – structura. îl reprezintă schema electrică de comandă (pornire-oprire) a unui motor asincron trifazat. Dacă se elimină circuitele NU de la intrările S şi R ale elementelor NAND din figura 6. Starea curentă a k k motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 şi u 2 ) date prin butoanele de pornire şi oprire. Observaţii: a) Comanda (1.25-b.23 Un exemplu de circuit secvenţial asincron cu două intrări. se obţine bistabilul din figura 6.1) (combinaţia (0.23. la care diagrama de stare este dată în figura 6. Cele trei situaţii în care motorul este pornit. întrucât acţionarea simultană a butoanelor BP şi BO este fără sens (motorul nu ar porni). circuitul rămânând în starea în care se afla. funcţionează conform diagramei de lucru din figura 6. Circuitul secvenţial prezentat are o funcţionare asincronă. dacă implicit se consideră echivalente notaţiile: xk-1 ≡ yk-1 şi xk ≡ yk Schema electrică simplificată pentru comanda pornirii şi opririi unui motor asincron trifazat. este echivalentă tabelului de tranziţie a stărilor 6. Diagrama de tranziţie a bistabilului din figura 6. b.21.10.10 şi respectiv diagramei de tranziţie a stărilor din figura 6.24.25-a reprezintă o celulă de memorie.0) este interzisă). întrucât prin butonul BP se înscrie comanda de pornire. adică numai atunci când contactele sale normal-deschise (y) se vor k închide. c – simbolizarea. Diagrama de funcţionare a acestei scheme de comandă. Figura 6.23. iar motorul rămâne .25-a.24. bascularea dintr-o stare în alta se face prin aplicarea semnalului logic 0 la una din intrări. ci şi de starea anterioară (pornit-oprit) a motorului k-1 k notată prin y . a cărui funcţionare corespunde tabelului de tranziţie 6. Se observă că motorul este alimentat de la reţeaua trifazată numai dacă contactorul Y este anclanşat.25-b.22. Cu alte cuvinte.10. Bistabil SR comandat prin semnal logic zero Figura 6.106 Capitolul 6 (a) (b) (c) Figura 6.22. prezentată în figura 6.

Când nu se aplică semnalul de tact.23). prezentat în figura 6.26 se numeşte bistabil S–T–R. Figura 6.1) la intrare (combinaţia (0.23. bistabilul rămâne în starea în care se afla. a cărui basculare este comandată prin semnal “0” logic. b. În mod similar.6. Circuitul secvenţial de tip Master-Slave O categorie importantă de bistabile o formează cele cu structură stăpân-sclav (master–slave). Semnalele de comandă se aplică prin bornele S (set) şi R . S = 1. Diagramă de tranziţie a stărilor În circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaţiei (1.a.structura. pentru S = 0 şi R = 1. de exemplu starea 0.27. în sensul că îl subordonează pe al doilea (slave . Schema bistabilului S-T-R: a .28 se prezintă schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de tip SRT.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 107 pornit (comanda este memorată) până când se acţionează butonul BO (pentru ştergerea memoriei). Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND.25 Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) într-un automat sincron se utilizează schema din figura 6. adică T = 0.sclav).0) – la schema din figura 6. 6. În figura 6. Ele sunt formate din două circuite basculante conectate în cascadă: primul are funcţia de comandă (master .stăpân). Circuitul secvenţial din figura 6.2. R = 0) rezultă V1 = 0 şi V2 = 1. astfel încât se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic în starea 1 logic).23. revenirea în starea 0 se produce numai la aplicarea impulsului de tact (T= 1).26.26. Aplicarea semnalelor S = 1. R = 0 nu influenţează starea bistabilului decât atunci când se aplică semnalul de tact.simbolizarea Figura 6. Figura 6. Circuitul încadrat este un bistabil de tipul celui din figura 6. În acest caz (T= 1. unde T este intrarea de tact. rezultă V1 = 1 şi V2 = 1.

Între bistabilul M şi bistabilul S se află porţile de transfer P3 şi P4 de tip NAND. iar porţile de transfer P3. iar S este izolat faţă de M.29. P4 nu s-au deschis încă. Funcţionarea bistabilului Master-Slave pe o perioadă a impulsului de tact real (trapezoidal) se explică utilizând diagramele de semnale din figura 6. P4 se blochează. Deci bistabilul M (Master) este izolat faţă de intrare. pe frontul posterior al impulsului de tact. izolând M faţă de S. P2 sunt deschise permiţând transferul informaţiei în M. porţile P1. prin semnalul de tact T. 3. Porţile de intrare (P1 şi P2) sunt comandate (activate). Pe porţiunea 2-3. P2 sunt încă închise.29 Funcţionare: 1. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK ) sugerând că informaţia apare la ieşirea bistabilului.108 Capitolul 6 (reset) unor porţi logice de intrare P1 şi P2. Pe porţiunea 3-4. iar porţile P3. de tip NAND. P4 sunt închise. în antifază faţă de porţile de transfer (P3 şi P4) datorită circuitului inversor (CI) care este un circuit de tip NU. porţile P1. . 2. deci M este izolat faţă de intrare. iar bistabilul S (Slave) este izolat faţă de Master.28 Figura 6. iar P3. Pe porţiunea 1-2. P2 se închid. porţile P1. La ieşirile porţilor P1 şi P2 se obţin semnalele logice (potenţialele) V1 şi V2 care reprezintă informaţia aplicată la intrarea bistabilului M. Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND. Figura 6. Semnalele logice V3 şi V4 de la ieşirea porţilor de transfer reprezintă informaţia de intrare în bistabilul S.

NU. C – neacţionat. SAU. care să acţioneze elementul de execuţie Y numai în următoarele situaţii: 1) B acţionat . U3 U2 U2 . P2 sunt închise şi nu permit intrarea informaţiei în M. Cum se realizează practic condiţia de semnal logic “0” (zero) în cazul circuitului “SI” ? 2.NU . Observaţii: ƒ CBB – Master-Slave elimină posibilitatea tranziţiilor asincrone (necontrolate) la ieşire.7. care trebuie să fie acţionat numai in următoarele situaţii: sunt acţionate Ul . deci informaţia trece din M în S şi apare la ieşirea Q. Se cere schema logică de comandă. ƒ Pentru ca informaţia să se înscrie fără erori. Care este diferenţa (funcţională) între un C. realizată cu circuite NAND (ŞI . Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comandă (de intrare) U1. Care este expresia (şi cauza apariţiei) curentului de impuls (IC MAX) în cazul porţii logice NAND (TTL) ? 3. 3) A. NU. cu circuite (module) SI.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 109 4.S. A – neacţionat. B – acţionate. U2. U 3 - - Să se deducă schema de comandă în următoarele variante constructive: cu contacte. deoarece în acest circuit s-a eliminat transparenţa intrărilor de date. C acţionate. U2 Ul . 6. U 3 nu sunt acţionate U3 U 1 . C – neacţionate. Se dau funcţiile logice: Să se arate că: y1 = y2. U3 şi a unui element de execuţie.C. iar porţile P3. P4 sunt deschise. A. – (circuit logic secvenţial) ? Probleme: 1. U2. Întrebări şi probleme 1. 3. cu module SI . NU .L. U3 şi un element de execuţie Y.NU). porţile P1. U2 . 2) B. Schema de comandă pentru acţionarea unui utliaj are trei elemente de comandă U1. şi un circuit C. Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare în cazurile: a) circuite logice ? b) circuite de amplificare ? 4. cu module SAU . este necesar ca aceasta să nu-şi modifice valoarea în intervalele de tranziţie (1-2) şi (3-4) ale impulsului de tact.L. U 2 . 2. Pe porţiunea 4-5. U3 Ul U1 .NU . Y.

Schema logică a circuitului latch (b) Cele două scheme din figura 7.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH Conectând două porţi logice NAND conform schemei din figura 7.1.2-b. În figura 7.2-a se observă că la închiderea contactului K tensiunea pe rezistenţa de sarcină (URs ) se stabilizează la valoarea E după un regim tranzitoriu oscilant.1 Circuite LATCH 7.1 sunt identice. Schema din figura 7.1 se obţine un circuit bistabil care memorează evenimentul marcat prin tranziţia temporară a unei intrări în ”0” logic. Dacă se utilizează un circuit latch.3-a.CAPITOLUL 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 7. Deci ieşirile Q şi Q sunt complementare. ca în figura 7.1. Una dintre aplicaţiile circuitului latch serveşte la eliminarea oscilaţiilor de tensiune ce apar la închiderea contactelor electrice acţionate manual prin butoane. dar în practică se foloseşte reprezentarea din figura 7.1-b. iar activarea lui R prin ”0” logic produce resetarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”0” logic. activarea lui S prin ”0” logic produce setarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”1” logic). ilustrat în figura 7. tranziţia lui R în ”0” logic Q în 01. (a) Figura 7.1-a evidenţiază faptul că circuitul latch are o singură reacţie. Acest circuit se mai numeşte latch (în limba engleză având semnificaţia de zăvor. Circuitul latch memorează tranziţia lui poziţionarea ieşirilor S în ”0” logic prin QQ în 10. încuietoare). În mod asemănător. determină poziţionarea ieşirilor Q .

Figura 7. semnalul de comandă la ieşirea Q va avea o valoare constantă şi fără oscilaţii care ar putea deranja funcţionarea altor circuite ce utilizează acest semnal (numărătoare. Dacă aplicaţia ”C” este injectivă.L. Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieşiri este ilustrat în figura 7. 7.2 Figura 7. circuite te tip Master-Slave etc).3 Astfel. Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod. se poate realiza decodificarea.C. adică reconstituirea mesajului iniţial. Codificator cu patru ieşiri .3-b.2 Codificatoare şi decodificatoare Se numeşte COD o regulă ce descrie o aplicaţie ”C” a unei mulţimi de semne în altă mulţime de semne. • Codificatoarele sunt C. la care activarea unei intrări determină apariţia unui cuvânt de cod pe ieşire.4.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 111 atunci tensiunea la ieşirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentată în figura 7.4: Figura 7.

atunci pe ieşirile paralele apare cuvântul de cod: 1101. Decodificarea este necesară în următoarele operaţii: − adresarea memoriilor − afişarea numerică − multiplexarea datelor etc.5.112 Capitolul 7 • În funcţionarea codificatorului menţionat se disting două situaţii: a) Dacă se activează intrarea IK (la nivel logic ”H”). prezentat în figura 7. b) Dacă se activează intrarea IJ (cu nivelul ”H”) pe ieşirile paralele se obţine cuvântul de cod: 1110.1) Pe baza relaţiilor (7. decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrări şi 2n ieşiri distincte. Exemplu: Se consideră decodificatorul cu două intrări (n = 2) şi 2n ieşiri (4 ieşiri) distincte. Decodificatoare sunt C. Decodificator cu două intrări: a)schema bloc. al cărui tabel de funcţionare (figura 7.5-a.6. b) tabelul de adevăr. În cazul general.L. Figura 7.6). Decodificator de adresă cu patru ieşiri . Y0 = A 0 ⋅ A1 ⎫ ⎪ Y1 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ ⎬ Y2 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ Y3 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎭ (7.1) se elaborează schema logică a decodificatorului de adresă cu 4 ieşiri (figura 7. care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de cuvântul de cod aplicat la intrare. Figura 7.C.5-b) serveşte scrierii funcţiilor logice corespunzătoare.

Pentru adresarea celor patru intrări sunt necesari 2 biţi.7-a. Multiplexor cu patru intrări şi o ieşire: a) schema bloc. Schema bloc a unui multiplexor cu patru intrări şi o ieşire este prezentată în figura 7. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7.3 Circuite de multiplexare (MUX) şi demultiplexare (DEMUX) Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaţionale (CLC) care permit trecerea datelor de la una dintre intrări spre o ieşire unică. schema logică fiind prezentată în figura 7.7. b) schema logică. Multiplexorul prezentat în figura 7. Selectarea ieşirii se face printr-un cuvânt de cod – numit adresă.8.8. Selecţia intrării se face printr-un cod binar (adresă) aplicat pe intrările de selecţie A0 şi A1. .7-a.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 113 7. sau nu.7-b.7-a funcţionează conform tabelului logic 7. X = valoare logică oarecare Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comună pe una din ieşirile selectate. Figura 7. E H L L L L L L L L A1 X L L L L H H H H A0 X L L H H L L H H I0 X H L X X X X X X I1 X X X H L X X X X I2 X X X X X H L X X I3 X X X X X X X H L Y L H L H L H L H L Stare circuit → circuit blocat → I0 selectat → I1 selectat → I2 selectat → I3 selectat Figura 7. Observaţie: Porţile de intrare sunt prevăzute cu o intrare suplimentară comună ( E ) = Enable care autorizează. funcţionarea multiplexorului.

permite comutarea fluxului de date de pe intrarea comună (I).114 Capitolul 7 Demultiplexorul cu două ieşiri.9-b) este dată în figura 7. Figura 7. Demultiplexor cu două ieşiri: a) schema bloc. b) diagrama impulsurilor.10. iar funcţionarea acestuia.9.10-a.4 Numărătoare electronice Schema unui numărător binar cu 4 biţi este dată în figura 7. fie pe ieşirea Y0 (dacă A = 0) fie pe ieşirea Y1 (dacă A = 1). 7. conform tabelului de funcţionare 7. Figura 7. Numărător binar cu patru biţi: a) schema de principiu. c) schema a unui demultiplexor cu patru ieşiri. b) tabelul de adevăr. este ilustrată în diagrama din figura 7.10-b. figura 7.9-a. Schema logică a demultiplexorului cu două ieşiri (realizată conform tabelului 7. . la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie numărate.9-b.9-c.

.11-b. când s-a obţinut numărarea directă în binar. Numărător binar invers cu patru biţi: a) schema de principiu. care se găsesc în interfaţa de intrare.c).11. la intrările calculatorului de proces se utilizează convertoare de tip A-N (analog-numerice). impuls Q1 Q2 Q3 Q4 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2 0 1 0 0 3 1 1 0 0 4 0 0 1 0 5 1 0 1 0 6 0 1 1 0 7 1 1 1 0 8 0 0 0 1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 . numărul înregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura 7..11...b). 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 ...5 Convertoare Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezintă elementele de bază ale interfeţelor de proces în sistemele numerice de reglare. . .Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale Nr. b) diagrama impulsurilor.10 – c. frontul de basculare 1 → 0 al ieşirii Q produce tranziţia stării triggerului următor şi se obţine diagrama de semnal din figura 7. 7. adică la fiecare impuls aplicat la intrare.. în baza 2 (tabelul din figura 7.10 .11-a)... . . în acest caz rezultă numărarea inversă a impulsurilor. 115 Figura 7. stările triggerelor indică valoarea numerică a lui N. Spre deosebire de schema anterioară.. Figura 7. Pentru conversia semnalelor analogice (achiziţionate dintr-un proces tehnologic) în semnale numerice. Dacă se utilizează ieşirile Q pentru legarea triggerelor în cascadă (figura 7. Tabel lohgic al numărotzorului binar (drirect) cu 4 biţi Se constată că după aplicarea a N impulsuri.

întrucât în procesul conversiei tensiunea de intrare Ux este transformată într-un impuls.. din (7. unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub formă de impulsuri codificate. . Deci: unde: UC = I ⋅ ΔT ' = UX C (7.3) în care: 0 • ≤ N < 2n Observaţii: Acest convertor se numeşte convertor tensiune-timp. impulsurile de tact sunt numărate de N2.tensiunea pe condensator. Când rampa începe să fie generată. Conţinutul informaţiei din N2 reprezintă valoarea binară a tensiunii de intrare (Ux).12 este dată schema de principiu a unui CAN . . care basculează şi închide poarta ŞI.. În acest moment numărătorul N2 este oprit de către comparator. n}.. Acest convertor face modulaţia în durată a impulsurilor.analogic cu rampă de tensiune. Generatorul de rampă conţine un condensator care se încarcă la curent constant. Aceste convertoare se găsesc în interfaţa de ieşire situată între calculatorul de proces şi elementele de execuţie care sunt implementate în instalaţia tehnologică. I este curentul de încărcare al condensatorului care generează rampa.capacitatea condensatorului. Figura 7.12. Dacă numărătorul N2 a înregistrat (numărat) N impulsuri. până când amplitudinea rampei este egală cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare). Mărimea analogică este o mărime fizică a cărei variaţie în timp este dată de o funcţie continuă şi ale cărei valori sunt cuprinse în intervalul:I = [xmin ÷ xmax] cu x∈R.116 Capitolul 7 Semnalele numerice elaborate la ieşirea calculatorului de proces pe baza unui algoritm de reglare şi/sau conducere. Mărimea numerică (digitală) este o mărime fizică ale cărei valori aparţin mulţimii Sn = {0. fiind convertor indirect. a cărui lăţime este direct proporţională cu amplitudinea tensiunii Ux. În figura 7. C . prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numericanalogice).2) ΔT’ este timpul de conversie egal cu NT. UC . T fiind perioada impulsurilor. 1. 2.2) se obţine: Ux = I / C ⋅NT (7. sunt convertite în semnale analogice (necesare elementelor de execuţie). Schema de principiu a unui CAN analogic cu rampă de tensiune.

Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil (o peliculă subţire de CrNi). Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI şi VLSI realizate în diverse tehnologii. tehnologia MOS este cel mai des folosită. care pot fi doar citite. Un exemplu de circuit integrat specializat în conversia numericanalogică este circuitul β DAC-08. iar datele obţinute la ieşirea codificatorului reprezintă informaţia memorată la adresa respectivă. sau mask ROM. acolo unde doreşte. Există mai multe tipuri constructive de memorii ROM. în cazul tehnologiei MOS. Memoriile ROM programabile prin mască. adică îşi pierd conţinutul la întreruperea tensiunii de alimentare. Uxmax. Această structură este de obicei definită ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator şi un codificator. valorile logice complementare. • Memorare numai pentru citirea datelor. integrate în aceeaşi capsulă cu sistemele de înscriere şi citire a informaţiei. În funcţie de modul în care se utilizează memoriile într-un sistem de calcul funcţiile de memorare pot fi: • Memorare cu citire şi scriere de date. Acestea sunt folosite pentru înmagazinarea datelor şi a programelor de tip utilizator. în consecinţă. Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reacţiei cu funcţionare prin SOFTWARE şi a circuitelor integrate specializate în operaţii de conversie A-N.Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaţional care stochează permanent date binare. fiind realizată însă cu matrice de bistabile SR. În funcţie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor. sunt circuite la care harta memoriei de introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. memoriile pot fi: magnetice.Random Acces Memory (RAM). Acest tip de memorie este similară. sute de nanosecunde. În această categorie intră memoriile următoare: . Memoriile RAM sunt volatile. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls . care au fost anterior stocate într-un circuit de memorare. ca structură. Vectorul de intrare în decodificator este interpretat ca o adresă. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur.6 Circuite de memorie Funcţia de memorare poate fi definită ca posibilitatea de regăsire a unor informaţii reprezentate sub formă binară. cu memoria operativă din calculatoarele clasice. Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementează funcţia de memorare. lent. dintre care. fiind. În această categorie intră memoriile cu acces aleator . optice sau semiconductoare. În cele ce urmează se au în vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare.Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic. .4) Rezultă că acest sistem de conversie este de tip serie. Timpul de acces în cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns în cazul tehnologiei bipolare sau. care lucrează pe 8 biţi. care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el. n Deci: ΔT’ = (2 −1)T 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 117 numărul de impulsuri • Numărul N are valoarea 2 n-1 şi reprezintă corespunzătoare valorii (7.

iar timpul de stocare a informaţiei poate fi de 100 ani. În sfârşit.118 Capitolul 7 de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. b. semnale de intrare (când datele se înscriu în memorie).Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt programabile ca şi memoriile PROM. . Principalele caracteristici ale unei memorii sunt: 1. dar de mai multe ori. Memoriile mask ROM şi PROM se realizează atât în tehnologie bipolară cât şi în tehnologie MOS.13: Figura 7. şi sarcina electrică negativă poate fi eliminată prin aplicarea unei tensiuni de polaritate inversă pe poarta tranzistorului care nu este flotantă. 100000 cicluri garantate de programare/ştergere şi timp de stocare a datelor de peste 20 ani. . numai că ştergerea se poate face pe cale electrică. adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă. moment ce trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie. cele realizate în tehnologie CMOS au timpi de acces mai mici de 100ns. O memorie EEPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 10000 ori. Progresele tehnologice au determinat modificări importante în performanţele memoriilor ROM. O memorie EPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 100 ori. PROM. . Cuvintele (numerele) binare reprezintă date pentru un circuit de memorie şi se consideră: a. iar timpul de stocare a informaţiei poate depăşi 10 ani. dar este unidirecţional în cazul memoriilor: ROM. Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS). Capacitatea memoriei exprimă numărul total de biţi ce pot fi memoraţi (capacitatea se exprimă în multipli de 1k = 1024 biţi). Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată. Izolaţia porţii este mult mai subţire decât la EPROM. pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. semnale de ieşire (când datele se citesc din memorie). 2. Notaţia E2PROM este uneori folosită pentru memoriile EEPROM. Dacă memoriile EPROM în tehnologie NMOS au timpi de acces de aproape 500ns.Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt similare memoriilor EPROM. Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat. EPROM. Geometria memoriei (modul de organizare) reprezintă lungimea unui cuvânt de memorie şi numărul de cuvinte memorate. izolată de substrat prin 10 −7 m de SiO 2 .13 Schema bloc a unui circuit de memorie Observaţie: Transferul de date este bidirecţional (datele intră şi ies din circuit) în cazul memoriilor: RAM şi E2PROM. în timp ce memoriile EPROM şi EEPROM nu se pot realiza decât în tehnologie MOS. o memorie FLASH (un EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns. Schema bloc (conexiunile informaţionale) pentru un circuit de memorie este prezentată în figura 7.

5 V. Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare MOS. Timpul de acces la memorie reprezintă durata necesară citirii sau scrierii informaţiei în memorie şi se exprimă în [ms] sau [ns].3 V). care reprezintă selecţia pe linii în matricea de memorie. conexiunea selecţie-cuvânt (WL) este menţinută la un potenţial coborât (+0. În cazul utilizării tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie îl constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care foloseşte două tranzistoare multiemitor. Puterea consumată reprezintă raportul între puterea totală consumată de circuit şi capacitatea acestuia. 4.o memorie este volatilă dacă informaţia înscrisă se pierde în timp. La memoriile dinamice. prin intermediul unei rezistenţe senzor (r) care . • 1 (una) linie de selecţie cuvânt (WL).Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 119 3. memorarea informaţiei se bazează pe modificarea capacităţii joncţiunii semiconductoare. Volatilitatea . • 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comună tuturor celulelor din matricea de memorie. 5. ceea ce necesită reîmprospătarea conţinutului la intervale constante de timp. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeaşi coloană într-o matrice de memorie. Acţionarea liniei de selecţie-cuvânt face posibilă citirea sau scrierea informaţiei în oricare dintre celulele de memorie situate pe aceeaşi linie în matrice. Celulă de memorie RAM cu tranzistor bipolar Liniile de conexiune în afara celulei sunt: • 2 (două) linii de bit (notate DL şi DL ) care servesc la scrierea şi citirea informaţiei în celulă.14. Structura celulei de memorie RAM Celula de memorie este circuitul elementar care realizează memorarea unui bit. Figura 7. Liniile de bit (DL şi DL ) sunt conectate la capătul coloanei . În stare neselectată.la o tensiune de +0.14. Volatilitatea se datorează modului de stocare a informaţiei sau dispariţiei tensiunii de alimentare a circuitului de memorie (cazul memoriilor dinamice). figura 7. Puterea consumată se exprimă în [μW/bit].14. În cele ce urmează se prezintă succint funcţionarea celulei de memorie din figura 7.

15. . se va obţine la ieşire o tensiune diferenţială cu semnul (+) pe DL şi semnul (-) pe DL . adică numărul de coloane.m este numărul de linii. iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de aproximativ +0. deci conducţia este asigurată de acestea (legate în A şi B). simultan.5 V (în timp ce linia selecţie-cuvânt WL este selectată). DLj ). în stare neselectată. adică m linii şi n coloane. iar viteza de comutaţie este de 20ns. Procesorul reprezintă un automat aritmetic. linia selecţie-cuvânt (WL) este pusă la un potenţial ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3. În figura 7. şi selecţia coloanei prin perechea ( DLj. unde: . . Observaţii: .5 V). se forţează linia de bit stânga (DL) la zero. emitoarele conectate la liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mică (+0. Linia (conexiunea) de alimentare este comună tuturor celulelor de memorie pe care le conţine matricea de memorare. se forţează pe liniile de bit (DL şi DL ) o diferenţă de potenţial corespunzătoare stării în care dorim să se găsească bistabilul. se ridică potenţialul pe linia WL (la +3V) şi. tensiunea diferenţială are sens invers: semnul (+) la DL şi semnul (-) la DL.120 Capitolul 7 sesizează apariţia închiderii unui curent. Structura unui circuit de memorie. figura 7.n este numărul de perechi (DL şi DL ). Pentru accesul la celula de memorie (i×j) se face selecţia liniei.Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800µW. Exemplu: Pentru a se obţine T1 în conducţie şi T2 în starea blocat. În acest mod.15.5 V).Celula de memorie RAM se poate realiza cu două tranzistoare bipolare obişnuite (npn) la care se ataşează câte o diodă Shottky. selecţie-cuvânt (WL). se poate "spune" care este starea bistabilelor.16 se prezintă structura unei matrice de memorie de dimensiune m×n. Exemplu: Dacă T1 conduce şi T2 este blocat. Cele două operaţii (citirea şi înscrierea informaţiilor) se desfăşoară astfel: • Pentru citirea informaţiei. . Capacitatea memoriei este dată de produsul (m × n). acţionând WLi . În cazul T1 blocat şi T2 în conducţie. acţionat printr-o succesiune de comenzi aplicate din exterior. atunci selectând linia WL (selecţie-cuvânt) pentru citire. Figura 7. prin care se transformă un şir de date de intrare într-un alt şir de date la ieşire. Curentul de emitor se va închide prin rezistenţele senzor conectate la liniile de bit. În funcţie de semnul tensiunii obţinute la bornele celor două linii de bit. Matricea de memorie Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de memorare în ale cărei noduri se găsesc celule de memorie. Explicativă pentru celula de memorie RAM • Pentru înscrierea informaţiei în celulă.

*) şi logice. : . Rezultatul operaţiei se poate memora intern (în registre) sau se poate genera spre exterior pe liniile de ieşire D0 (Data output). Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generată din exterior de către . Structura unui circuit de memorie Procesorul. denumit şi RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit).semnal de tact (clock).Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 121 Figura 7. RALU generează spre exterior şi un cuvânt FL ce conţine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizează rezultatul unei operaţii. A . .adrese pentru selectarea operanzilor interni şi a destinaţiei rezultatelor.17.18 sunt: Di.comenzi. având schema bloc prezentată figura 7. F . Prelucrările se efectuează asupra unor cuvinte binare cu n biţi. C . CK ..flag-uri (indicatori).16.17: Figura 7. Automat aritmetic Semnificaţiile mărimilor din figura 7. conţine o unitate aritmetică logică şi registre. FL .comandă pentru funcţiile aritmetice (+ . RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe. D0 sunt terminalele pentru datele de intrare şi respectiv de ieşire. O operaţie elementară implică unul sau doi operanzi (interni sau externi faţă de RALU).

SI. Observaţie: Denumirea corectă a memoriei MD este RWM Read/Write Memory. cititoare şi perforatoare de bandă de hârtie. Schema bloc a unui procesor este dată în figura 7. ce conţin convertoare de tip N/A şi A/N cât şi magistralele .7 Microprocesorul (μP). a linii de adresare şi c linii pentru comenzi. interfeţe cu sistemul comandat. 7.Buses (BA. imprimante. I . BD. Deci procesorul este un sistem digital format din RALU şi UC. Magistralele menţionate conţin: d linii pentru date. FL . Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD). c) Porturile de intrare/ieşire (PI. .122 Capitolul 7 alt automat denumit unitate de comandă (UC). discuri magnetice flexibile sau rigide. 2. D0. Di . BC).memoria de date (memorie RAM).18: Figura 7. Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui μP se numeşte microcalculator (μC). Configuraţia de bază a unui microcalculator (μC) este dată în figura 7. informatice: console. realizate cu circuite specializate sau circuite standard.sincronizarea comenzilor pentru intrare şi ieşire. benzi magnetice etc. Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt: a) Unitatea centrală de prelucrare (μP).instrucţiunea curentă. pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul comandat (cazul reglării sau conducerii numerice a unui proces). pentru adresare (BA) şi pentru comenzi (BC).18. cap. Microcalculatorul (μC) Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare realizată într-un singur circuit integrat (μP).fluxul datelor de la ieşire şi de la intrare. şi este volatilă.memoria de program (memorie ROM). b) Memoria (MEM) compusă din: MP . PE).19: Dispozitivele periferice sunt: 1. Schema bloc a unui procesor Semnificaţiile mărimilor din figura 7.caracteristicile rezultatelor. Cititorul interesat de aplicaţiile circuitelor logice combinaţionale (CLC) şi/sau aplicaţiile circuitelor logice secenţiale (CLS) poate găsi suficiente exemple în [1]. MD .18 sunt: C este fluxul comenzilor către RALU. SO . 7. terminale video.

Care este deosebirea între o mărime analogică şi o mărime numerică (digitală) ? 2. Care sunt componentele din structura unui microcalculator ? 8. Ce rol au circuitele: MUX şi DEMUX ? 5. Cum se poate activa (accesa) o celulă de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice de memorare ? .19. Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ? 4.8 Întrebări 1. Care este schema bloc a decodificatorului de adresă cu n = 2 (intrări) şi 4 ieşiri ? 6.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 123 Figura 7. Când se utilizează circuitul LATCH ? 3. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizează acestea ? 7. Configuraţia de bază a unui microcalculator 7.

Bucureşti.com. Bulucea. Neagoe. Miholcă. Electronică industrială şi automatizări. Bucureşti. Electronică pentru neelectrice. Buzuloiu. Ţepelea. E. C. Editura didactică şi pedagogică. P.a.. P. ∗ ∗ ∗ Catalog de circuite integrate digitale. Semiconductor Company – TOKYO.A. Bîrcă – Gălăţeanu. V. Bucureşti. SANYO Electric Co. 7.. Bîrcă – Gălăţeanu. 6. Editura MATRIX-ROM. Bucureşti. C.. 1976. Catalog IPRS – Băneasa.. INC. Constantin. Constantin. PA – 19355. E. VISHAY INTERTECHNOLOGY. 1981. ş. Ceangă.. Creangă. S. Editura didactică şi pedagogică.. D. Editura Militară. E. I. P. 2002. Rădoi.. 1983 9. ∗ ∗ ∗ Catalog de componente electronice “FULL LINE PRODUCT CATALOG”. Electronică industrială. Bucureşti. 2003. Malvern.. Circuite integrate liniare.. S. Electronică industrială (pentru subingineri). 4.. A. Bucureşti. Universitatea din Galaţi.a.. JAPAN. N.. 1980. 1991. Constantin.BIBLIOGRAFIE 1. Editura didactică şi pedagogică.. C. Ceangă. Tusac.. profiluri 2. 12. Lupu.. http://www. Catalog IPRS – Băneasa. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate liniare.vishay.co. . Mărăşescu.. E. 1979. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate analogice. 1981.. Miholcă.sanyo. Bucureşti.. ş. V. Şaimac. Ltd. 2001. Bucureşti. http://www. Electronică de putere – Aplicaţii. Electronică industrială. 1976.. C. 11. United States. Banu. 1982. 3. Editura Militară. 10. Bucureşti. Stoichescu. 63 Lincoln Highway.jp. Editura Tehnică. C. 5. Purice. Microprocesoare – Aplicaţii. 8. E. V.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful