CONSTANTIN MIHOLCĂ

ELECTRONICĂ
PENTRU FACULTĂŢILE CU PROFIL NEELECTRIC

GALAŢI 2007

CUPRINS
Introducere ............................................................................................
1

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă ......................... 1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci ............................................................................. 1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă ...................... 1.2 Joncţiunea p-n .................................................................................. 1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare ... 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare ................ 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice .............................. 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar ........................... 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF ............................ 1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcţionare ............................... 1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare ........................ 1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) ............................................ 1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare.. 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic ............................................................................... 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) ... 1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS având canal de tip n ......................................... 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 1.5.2 Triacul ........................................................................................ 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) ................................................ 1.6. Întrebări şi problemă................................................ 3 3 4 5 6 8 9 10 12 12 14 16 16 18 19 19 21 22 24 25 26 27 28 28 31 32 34

vi

Cuprins

CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A .................................... 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B .................................... 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington ..... 2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial .......... 2.4 Reacţia negativă la amplificatoare şi consecinţele ei ...................... 2.5 Amplificatoare operaţionale ............................................................ 2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 2.7. Întrebări ....................................................................................... 35 35 37 39 40 40 43 44 45 46 47 47 49 51 54 58

CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere ............................. 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă .... 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă ... 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere .................................... 3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 3.4. Întrebări............................................................................................ 59 61 61 61 64 66 66 68 69 72

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric ................................. 4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având element de control serie şi amplificator de eroare ................................................................ 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 73 73 74 77 78

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere ..................................................................................... 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor ............ 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte ................................... 5.4. Întrebări şi problemă ..................................................................................... 82 86 88 90

....................................................................................1 Funcţii logice elementare ... 6.......2 Analiza circuitelor logice combinaţionale ......................5.........5 Convertoare ... 6..8............................6 Circuite de memorie .......... 6....... 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE LOGICE 110 110 111 113 114 115 117 122 123 7............................ 7..................................................... Întrebări ..................................................................................2 Codificatoare şi decodificatoare .....4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND-TTL)....Cuprins vii CAP.................. 7....................................................... 7...............6............................5........ 6..5 Circuite logice combinaţionale ........1 Poarta logică integrată NOR (SAU-Nu)......................................... 91 94 95 97 99 100 100 101 103 104 107 109 CAP........ 7...7 Întrebări şi probleme.....................4 Numărătoare electronice ...................................1 Circuite secvenţiale elementare ................2 Relaţii fundamentale în algebra logicii ........... 124 .....................4.......................... 6........... 6..........................6.1 Circuite LATCH ... 6.............1 Noţiuni generale ..... 7.............................................................................. 6..............Slave ... 7..................... 7..................................................................1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH ......... 6....................... Microcalculatorul (μC) ... 6........ 7.................................. Bibliografie ..................1............................. 6..................................3 Circuite logice......................................................7 Microprocesorul (μP).............................. 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6......................... Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice .......1 Circuitul secvenţial de tip Master ........6 Circuite logice secvenţiale ............................................................................3 Circuite de multiplexare şi demultiplexare ...............

INTRODUCERE Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii. Începând cu anul 1962 s-a trecut la producţia industrială a circuitelor integrate. gaze şi vid.000) de tranzistoare într-o capsulă.000 şi 1. În prezent. Electronica se constituie la începutul secolului XX. După 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration). Ca domeniu independent. Microprocesorul a determinat o revoluţie tehnică denumită ”revoluţia microelectronicii”. utilizate fiind atât tehnologia CMOS cât şi bipolară. cu numeroase aplicaţii în telecomunicaţii şi industrie. încât astăzi nu există domeniu de activitate umană în care microprocesorul să nu poată fi implicat. Începând cu anii 1949-1952 s-au realizat primele tranzistoare. în prezent. .2 milioane de tranzistoare. iar în 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat. Primele cinci decenii au reprezentat ”epoca” tuburilor electronice. În prezent numărul de tranzistoare înglobate într-o capsulă depăşeşte 5 milioane. electronica să fie utilizată aproape în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii. pe 8 biţi. Ţinând seama de aspectele esenţiale ale electronicii şi fără pretenţia de a formula o definiţie atotcuprinzătoare. în 1971. microprocesorul 486 conţine 1. În 1960 se construiesc primele dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare şi triacuri) care au condus la modernizarea şi creşterea performanţelor în sistemele de acţionări electrice reglabile. Aceste circuite au condus la realizarea primului microprocesor. Posibilităţile remarcabile ale electronicii şi progresele ei deosebit de rapide (mai ales în privinţa realizării tehnologice a dispozitivelor semiconductoare şi circuitelor integrate) au făcut ca. oferite de tehnologia CMOS. la început în tehnologie bipolară şi apoi în tehnologie MOS (după 1965). care a antrenat toate domeniile tehnologiei. fiind denumită la începuturile ei “electrotehnica curenţilor slabi” şi având ca aplicaţie principală domeniul telecomunicaţiilor cu şi fără fir. dimensiunea unui tranzistor fiind ≤ 1μm. dar s-a trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaţie între tehnologia bipolară şi tehnologia CMOS. circuitele integrate se realizează în tehnologie CMOS. Această tehnologie (BiCMOS) îmbină avantajele de viteză şi curent mare la ieşire ale tehnologiei bipolare. Perfecţionarea rapidă a tehnologiilor electronice a condus la apariţia familiilor de circuite integrate logice MOS. permiţând dezvoltarea tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI –Large Scale Integration). care pot îngloba peste un milion de tranzistoare CMOS într-o capsulă. Aceste tehnologii permit înglobarea unui număr foarte mare (între 50. astfel că după şase ani (în 1958) s-a realizat primul circuit integrat. începând cu anul 1970. se poate spune că electronica este ramura ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu studiul fenomenelor şi aplicaţiile acestora privind conducţia electrică în semiconductoare. cu avantajele consumului redus şi densitate mare de integrare.000. De exemplu. După anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration).

Prin extensie. gaze sau semiconductoare. în scopul realizării unei funcţiuni (redresare. bobine. gaze sau semiconductoare. transformatoare. alimentându-se de la surse de energie. care are una dintre proprietăţile fundamentale ale conducţiei prin vid. producerea oscilaţiilor. spre deosebire de elementele electrice de circuit obişnuite (rezistoare. între care se produce conducţia electrică prin vid. Dispozitivul electronic este un ansamblu format din părţi componente.2 Introducere Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele electronice cât şi circuitele electronice se impune definirea celor două noţiuni. detecţie etc). se consideră dispozitive electronice şi acele dispozitive realizate dintr-un singur material omogen. numit şi element electronic de circuit. Circuitul electronic este un ansamblu electric în care se folosesc unul sau mai multe dispozitive electronice la care se leagă elemente electrice de circuit. . În aplicaţii. condensatoare etc). dispozitivul electronic reprezintă un element de circuit. imobile una faţă de alta. modulaţie. Părţile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice) sau regiuni cu proprietăţi diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele semiconductoare). amplificare.

Figura 1. Germaniu). semiconductoarele se pot clasifica astfel: • semiconductor de conductibilitate intrinsecă. 1.1.1. După modul de generare a purtătorilor.1. Siliciu. Generarea perechilor electron-gol se produce datorită aportului energetic extern. • semiconductor de conductibilitate extrinsecă. figura 1. adică sub influenţa unui câmp electric ei pot da naştere curentului electric de conducţie. Aceşti purtători se generează simultan sub formă de perechi şi au o anumită mobilitate.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi materialele izolatoare. reprezentat prin lăţimea benzii interzise (∆w).CAPITOLUL 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT 1. Structura benzilor energetice pentru un semiconductor . Conducţia electrică în medii semiconductoare se realizează prin două categorii ale purtătorilor de sarcină: electronii şi golurile.

în care performanţele termistorului sunt stabile.este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă electrică variază cu temperatura.100 → [%/oC] exprimă viteza de variaţie a . d) domeniul de temperatură. ce reprezintă inerţia termică a termistorului.2. Variaţia rezistenţei electrice a fotorezistorului se datorează modificării concentraţiei ..constanta lui Boltzmann. ca în figura 1. 2. T .. notată cu pi . Parametrii de catalog: a) rezistenţa la temperatura de referinţă. RTo[Ω]. fiind exprimată prin relaţia: n i = pi = AT unde: 3/ 2 ⎛ − Δw ⎞ exp⎜ ⎟ ⎝ 2KT ⎠ (1. Termistorul . în aparatura de măsură şi automatizare.4 Capitolul 1 La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia electronilor. ceea ce conduce la o descreştere exponenţială a rezistenţei electrice. Δw . Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura - Utilizări: detector în traductoare de temperatură.+300oC]. ΔT∈[-200oC.1).aportul energetic extern (lăţimea benzii interzise). T1 [s].temperatura absolută ( grade Kelvin). 1.1) A .2. c) constanta de timp. notată cu ni . este egală cu concentraţia de goluri. detector în construcţia sesizoarelor de incendiu. Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci (realizate cu materiale omogene) 1. b) sensibilitatea S = − 1 dR T . R To dT rezistenţei RT la o variaţie dată de un grad Celsius a temperaturii. Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub acţiunea unei radiaţii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infraroşu. Figura 1. Conductibilitatea termistorului este direct proporţională cu numărul de purtători ni daţi de relaţia (1.2.constantă ce depinde de natura semiconductorului.1. unde T0=20 oC. K .

exprimă dependenţa sensibilităţii faţă de lungimea de undă. fiind ilustrată în figura 1. T1[s].3.3. a cărui conductanţă creşte odată cu creşterea tensiunii aplicate la borne. a 3. Figura 1. Sφ=f(λ). În funcţie de natura elementului de impuritate .Dispozitive electronice de circuit 5 purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol).1. Caracteristica spectrală a fotorezistenţei Fotorezistenţele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc. Figura 1. îl face utilizabil ca dispozitiv de protecţie împotriva supratensiunilor. ilustrată în figura 1. Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică neliniară. 1. c) caracteristica spectrală. b) sensibilitatea. Ro[Ω].3. Procesul prin care se introduc impurităţi riguros dozate în semiconductor se numeşte dopare. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la întuneric. ca urmare a aportului energetic al radiaţiei incidente.4. Sφ = − 1 dR .100 → [%/lm]. . se defineşte asemănător constantei de timp a termistorului. Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în care este plasat varistorul. d) constanta de timp. T1 caracterizează viteza de variaţie a rezistenţei electrice la o variaţie bruscă a fluxului luminos. În funcţie de valoarea lui λo (la care sensibilitatea este maximă) fotorezistenţele se pot construi pentru spectrele vizibil sau infraroşu. Conductibilitatea extrinsecă se obţine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a unui semiconductor. R o dφ unde lm simbolizează lumenul (unitatea de măsură pentru intensitatea luminoasă). Forma caracteristicii statice. în construcţia releelor fotoelectrice.4. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate.

Regiunea de trecere se extinde mai mult în zona n. Arsen etc) are ca efect creşterea numărului de purtători negativi (electroni) deoarece atomii pentavalenţi de impuritate cedează uşor câte un electron. ce devine electron liber (purtător). 2. o variaţie a concentraţiei de goluri (cp) şi electroni (cn).3) În figura 1. • Doparea cu impurităţi trivalente (Indiu. De regulă concentraţiile impurităţilor din cele două zone nu sunt egale (Nao > Ndo). Semiconductorul obţinut are purtătorii majoritari pozitivi (goluri) fiind de tip p. 1. Aluminiu etc) are ca efect creşterea numărului de goluri. Aceste concentraţii scad până la zero la nivelul joncţiunii.2 Joncţiunea p-n Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând procedee speciale) o zonă p cu impurităţi acceptoare şi o zonă n cu impurităţi donoare. Din cauza difuziei şi a recombinării purtătorilor majoritari cu cei difuzaţi rezultă.curent direct (1. Se folosesc notaţiile: Naoconcentraţia iniţială de goluri. • Doparea cu impurităţi pentavalente (Stibiu. Semiconductoarele de tip n şi p sunt corpuri neutre din punct de vedere electric. sarcină care nu mai este compensată de sarcina . Electronii sunt purtători majoritari iar golurile reprezintă purtătorii minoritari. simbolizaţi prin M. Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n): 1. Diferenţa de concentraţii dintre cele două zone determină difuzia purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. simbolizaţi prin m. care devin purtători majoritari.concentraţia iniţială de electroni. care este mai slab dopată cu impurităţi. Lăţimea totală a regiunii de trecere creşte odată cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii.6 Capitolul 1 există două modalităţi de dopare care generează corespunzător. trec dintr-o zonă în alta şi dau naştere curentului de difuzie. Purtătorii majoritari. Atomii acestor impurităţi se numesc donori. astfel încât distanţa dintre cele două zone să fie cel mult 10-5 mm. deoarece atomii trivalenţi captează uşor câte un electron de la un atom vecin. Se obţine o sarcină a ionilor imobili (fixaţi în reţea) pentru purtătorii din fiecare zonă.2) Câmpul intern antrenează dintr-o zonă în alta purtătorii minoritari. se realizează o joncţiune p-n care reprezintă structura de bază pentru majoritatea componentelor electronice. 3. numit şi curent invers al joncţiunii: ic = inm + ipm . deoarece sarcina ionilor imobilizaţi în reţeaua cristalină compensează sarcina suplimentară a purtătorilor majoritari. numit şi curentul direct al joncţiunii: id = inM + ipM . Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraţia purtătorilor este foarte mică). formând curentul de conducţie.curent invers (1. iar semiconductorul obţinut este de tip n. Ndo . două tipuri de semiconductoare extrinseci. care au suficientă energie. în vecinătatea de separaţie a celor două zone p şi n.5 se explică funcţionarea joncţiunii. Aceşti atomi de impurităţi se numesc atomi acceptori şi se transformă în ioni imobilizaţi în reţeaua cristalină.

5 Figura 1. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua.Dispozitive electronice de circuit 7 purtătorilor majoritari din zona respectivă. Ca urmare. Prezenţa câmpului intern Ei determină apariţia unei bariere de potenţial notate cu U0 (figura 1.7). Dacă joncţiunii p-n i se ataşează două contacte metalice. ilustrată prin zona haşurată. astfel încât la bornele joncţiunii potenţialul rezultant este zero (figura 1. respectiv polaritatea (−) la zona n. potenţialul iniţial (U0) al barierei scade cu . Această sarcină creează câmpul electric care se opune trecerii purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. Regiunea în care apare câmpul electric Ei şi sarcina spaţială ρ se numeşte regiune de trecere. Efectul potenţialelor de contact asupra barierei de potenţial Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n a) Polarizarea directă (figura 1.5-e). potenţialele de tip M-S (metal-semiconductor) anulează bariera de potenţial U0. Figura 1. în zona regiunii de trecere.6). cu polaritatea (+) la zona p şi.6. Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a sarcinii ρ.

respectiv polaritatea (+) la zona n. Acest lucru permite trecerea putătorilor majoritari care formează curentul de difuzie (Id).8. Curentul de conducţie (ic). cu polaritate pozitivă în timpul conducţiei. numit curent invers al joncţiunii. iar joncţiunea se consideră blocată. 1. cu polaritatea (−) la zona p şi.3 Dioda semiconductoare Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care are ataşate două contacte M-S (metal-semiconductor).7. Curentul direct al joncţiunii este neglijabil. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua.U a ). Tensiunea anodică inversă se notează cu (-Ua) sau (. este neglijabil.9. Figura 1.7V pentru diodele cu Si şi Ua≅0. În starea de conducţie tensiunea anodică directă este: Ua ≅ 0. Polarizarea directă a joncţiunii p-n b) Polarizarea inversă (figura 1. Caracteristica statică a diodei este reprezentată în figura 1. C = Catod. Polarizarea inversă a joncţiunii p-n În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de alimentare.3V pentru diodele cu Ge. Valoarea curentului de conducţie este de ordinul microamperilor. cu polaritate negativă în timpul conducţiei.8). numit curent direct al joncţiunii. lipiţi prin procedee speciale de contactele M-S. i . se numesc: A = Anod.8 Capitolul 1 valoarea tensiunii de alimentare Ua. Ua. Figura 1. Cei doi electrozi.

aceasta se distruge prin efect termic datorită creşterii în avalanşă a curentului invers. De asemenea. figura 1.11): ⎧E = R ⋅ i a + U a ⎨ ⎩ i a = f (U a ) (1.3.10).1 Dioda în circuit.9.10.11. Caracteristica curent-tensiune a diodei 1.4) Tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi: E/R → pentru Ua=0 şi E → pentru ia=0. Dioda în circuit Figura 1. se rezolvă grafo-analitic sistemul format din ecuaţia dreptei statice de sarcină. rezultată din a IIa teoremă a lui Kirchhoff aplicată circuitului din figura 1. PSF (M). Figura 1. Caracteristica externă a diodei Pentru determinarea punctului static de funcţionare.10 şi ecuaţia caracteristicii anodice (figura 1. pentru ramura de polarizare directă (cadranul I). se cunoaşte caracteristica anodică.Dispozitive electronice de circuit 9 Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi atinge valoarea de străpungere a joncţiunii. Figura 1. Se observă că înclinaţia dreptei de sarcină este egală cu .11. determinarea punctului static de funcţionare Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de limitare a curentului anodic (figura 1.

2) Diode stabilizatoare (diode Zener). Simbolizarea şi variaţia capacităţii echivalente ale diodei varicap sunt prezentate în figura 1. 4) Diode cu contact punctiform. Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil..5 V . max ≤ 1800 V.10 Capitolul 1 valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R.13. c) temperatura maximă admisă a joncţiunii: Tj max ≤ 140 oC. Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b) Parametrii de catalog: a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz ∈[2. iar în figura 1.12-a este ilustrată polarizarea diodei Zener.. 1. Figura 1.de ordinul nanosecundelor. Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa joncţiunii foarte mică. d) coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura: αz = 1 ΔU z . 5) Dioda varicap. obţinute din proiecţiile punctului M pe cele două axe. 20 KHz].. De regulă sunt utilizate în tehnica de calcul. U z ΔTa e) rezistenţa internă (dinamică).3. în porţiunea de lucru a caracteristicii statice. b) curentul Zener – curentul corespunzător tensiunii de stabilizare: Iz∈[mA. aceasta echivalează cu depărtarea armăturilor ”condensatorului”. Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din starea ”blocat” în starea de ”conducţie” . În figura 1. rz. Coordonatele PSF sunt iao şi Uao. Sunt diode realizate cu siliciu la care se utilizează ramura caracteristicii corespunzătoare polarizării inverse.12. .A].2 Tipuri de diode semiconductoare 1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog: a) curentul mediu în sens direct: IF ≤ 600 A... b) tensiunea inversă: Uinv.12-b este reprezentată caracteristica statică inversată (în cadranul I).100 [%/oC]. d) frecvenţa de lucru: fl ∈ [50 Hz . . 3) Diode de comutaţie. c) puterea disipată: Pd<10W. 180 V]. Pe măsură ce aplicăm o tensiune mai mare la bornele diodei. Sunt utilizate în circuite de detecţie şi comutaţie la frecvenţe de lucru până la 10 MHz. deci se comportă ca o capacitate comandată prin tensiune..

15.16. dioda Tunel fiind utilizată şi în circuite de comutaţie. Dioda varicap: simbolizare şi principiu de funcţionare 6) Fotodioda este utilizată cu polarizare inversă. Polarizarea.Dispozitive electronice de circuit 11 Figura 1. Din combinarea unui LED cu o fotodiodă rezultă un optocuplor (cuplor optic).14. Figura 1. Aceasta emite un flux de radiaţii luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purtătorilor de sarcină.b. figura 1. figurile 1. caracteristicile anodice şi caracteristica spectrală sunt reprezentate în figura 1. . Frecvenţa de lucru este cuprinsă între 0.c). iar purtătorii majoritari traversează bariera de potenţial prin ”efectul tunel” (efect cuantic).15-a.14 (a. realizând şi o foarte bună separare galvanică. Polarizarea fotodiodei (a). Caracteristica curent-tensiune este neliniară şi prezintă în porţiunea MN rezistenţă internă negativă. caracteristica spectrală (c) 7) Dioda electroluminiscentă – LED (Light Emitting Diode) se utilizează cu polarizare directă A-C. Figura 1. optocuplor realizat cu LED+fototranzistor (c) 8) Dioda tunel – are joncţiunea p-n cu cele două zone foarte apropiate şi puternic dopate cu impurităţi. Optocuplorul este un dispozitiv electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieşire. Curentul de purtători majoritari se datorează fluxului luminos incident. Simbolizarea şi caracteristica anodică sunt ilustrate în figura 1.15-c.15-b şi 1. la reclame etc. astfel încât regiunea de trecere este foarte îngustă. optocuplor realizat cu LED+fotodiodă (b).6).13. Această proprietate permite utilizarea diodei tunel în construcţia oscilatoarelor (vezi § 2.5 şi 5 GHz. Fotodioda este utilizată în construcţia detectoarelor opto-electronice ce lucrează în spectrele vizibil sau infraroşu. Este utilizată în construcţia afişoarelor numerice. familia caracteristicilor curent-tensiune (b). Culoarea radiaţiei depinde de natura semiconductorului şi de impuritatea activatoare. LED în circuit (a).

Tranzistoare bipolare. Cei trei electrozi se numesc: emitor. 1.17. colector şi bază. în figura 1. zona B este slab dopată cu impurităţi şi este foarte îngustă (de ordinul micronilor).structura fizică şi funcţionare Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone şi două joncţiuni. Simbolizarea acestora este dată în figura 1. . fie numai goluri. În această schemă tranzistorul reprezintă dispozitivul de amplificare. Considerând un dispozitiv de amplificare (DA) comandat prin semnalul de intrare xi. tranzistoarele sunt de două tipuri: 1.17 s-a reprezentat schema simplificată a unui amplificator. o rezistenţă de limitare a curentului de sarcină (R) şi sursa de alimentare E. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn.12 Capitolul 1 Figura 1.16.19. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor După modul în care se realizează conducţia electrică a semnalului prin DA.4. Structura fizică a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentată în figura 1. Simbolizarea diodei tunel şi caracteristica curent-tensiune 1.1 Tranzistoare bipolare . iar joncţiunea B-C este polarizată invers.18. Figura 1.4 Tranzistoare Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a amplifica semnale electrice. În acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent. iar zona C este mai puţin dopată decât zona E. Zona E este puternic dopată cu impurităţi. La funcţionarea în regim de amplificare joncţiunea E-B este polarizată direct. la care conducţia electrică este asigurată atât de electroni cât şi de goluri. La aceste tranzistoare semnalul de intrare (xi) în DA este o tensiune. 2. Tranzistoare unipolare. la care conducţia electrică este asigurată de o singură categorie de purtători: fie numai electroni.

rezultând I C ≈ I E .5) Un procent foarte mic de goluri se recombină cu electroni din bază formând atomi neutri. Observaţie: Curentul de purtători minoritari ICBo este foarte mic.19. Pe = IC . Structura şi simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp şi npn) Figura 1.7) (1. (Pe).Dispozitive electronice de circuit 13 Curentul de difuzie prin joncţiunea emitorului este format din purtătorii majoritari care sunt golurile.995 . IB . Transferul aproape integral în colector a golurilor difuzate în bază poartă numele de efect de tranzistor. golurile din emitor difuzate în bază (B) sunt preluate şi transportate în colector de câmpul electric intern Ei al joncţiunii colectorului. Puterea la ieşire. În modul. Întrucât lăţimea bazei este foarte mică iar regiunea de trecere a joncţiunii B-C se extinde mult în zona bazei (n).factor static de amplificare în curent IC (1. tensiunea între colector şi bază este mult mai mare decât tensiunea dintre emitor şi bază: U CB >> U EB .18. Figura 1. Din schema structurală rezultă ecuaţia curenţilor prin tranzistor: I C = α n I E + I CBo (1.6) I B = (1 − α n )I E − I CBo IE = IC + IB (1.8) unde: ICBo este curentul de purtători minoritari.9) Această inegalitate explică posibilitatea funcţionării tranzistorului în regim de amplificare. Structura fizică şi polarizarea tranzistorului pnp I α n = E ≅ 0. este mai mare decât puterea de intrare (Pi): (1. UCB > Pi = UEB .

. De aceea sunt posibile trei scheme fundamentale de conexiune ale tranzistorului în regim de amplificare.20). se utilizează ca amplificator de putere (etaj final). iar tranzistorul având numai 3 terminale (bază. colector.21.14 Capitolul 1 1. Figura 1. având 4 borne.21).23. Simbolizarea unui amplificator a) Schema de conexiuni – bază comună (BC – figura 1. Figura 1.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice Întrucât în regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol (simbolizat în figura 1. Figura 1. iar în continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru această conexiune.20. emitor). rezultă că un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca bornă comună pentru intrare şi ieşire.22) – este cea mai utilizată. În oricare dintre cele 3 scheme se are în vedere că joncţiunea E-B este polarizată direct. c) Schema de conexiuni – colector comun (CC – figura 1. iar joncţiunea C-B este polarizată invers.23).4.24) I B = f ( U BE ) U CE = ct . Tranzistorul bipolar în conexiune colector comun Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1. Tranzistorul bipolar în conexiune emitor comun Figura 1. Tranzistorul bipolar în conexiune bază comună b) Schema de conexiuni – emitor comun (EC – figura 1.22.

I C = β n I B + (1 + β n )I Co (1. de ieşire pentru conexiunea EC: I C = f ( U CE ) I B = ct Familiile caracteristicilor de ieşire sunt date în figura 1. βn 1 + βn (1. în care se disting principalele regiuni de lucru.25. Regiunea 1 – zona de blocare (de tăiere) este caracterizată de polarizarea inversă a joncţiunii E-B sau de lipsa polarizării acestei joncţiuni.10) unde: β n = αn se numeşte factor static de amplificare în curent pentru 1 − αn conexiunea emitor comun.24. Caracteristici statice de intrare Caracteristici statice .Dispozitive electronice de circuit 15 Figura 1. Familiile caracteristicilor de ieşire Relaţia între factorul de amplificare βn şi factorul static de amplificare în curent αn – pentru conexiunea bază comună este: αn = unde β n = [30 L 1000] .11) . Figura 1.25. Regiunea 2 – regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea directă a joncţiunii E-B şi de polarizarea inversă a joncţiunii C-B.

U CE max (1.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar Considerând familia caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun (EC).determinarea punctului static de funcţionare (PSF). Stabilirea PSF Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare.26 sunt ilustrate cele 3 limitări esenţiale în funcţionarea tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax).10) rezultă: I C ≅ (1 + β n )I Co (1. Caracteristicile au o ramură comună sub formă de dreaptă cu înclinaţia de aproape 90o. realizat cu un tranzistor de tip npn. din relaţia (1.stabilizarea punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii. figura 1. Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar 1.4.27.26. 1. .13) Figura 1. . Această dreaptă se numeşte ”dreaptă de saturaţie”. Regiunea 3 – este numită şi zonă de saturaţie şi corespunde situaţiei când ambele joncţiuni sunt polarizate direct.16 Capitolul 1 În regiunea de tăiere curentul de bază fiind nul. în figura 1.4 Tranzistorul bipolar în circuit. limita tensiunii de colector (UCEmax) şi limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax). Aceste trei valori reprezintă parametri de catalog.4. La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate două probleme: . ce nu trebuie depăşiţi în timpul funcţionării tranzistorului.12) unde ICo este curentul de purtători minoritari (curentul invers al joncţiunii BC). Relaţiile care trebuie respectate între valorile de lucru şi valorile limită ale celor trei parametri sunt: I C ≤ I C max U CE ≤ U CE max Pd < Pmax = I C max .

Dispozitive electronice de circuit 17 Figura 1.ecuaţia dreptei de sarcină. prezentată în figura 1. din relaţia (1.15) Neglijând UBE în raport cu EC ( UBE ≅ 0).27) se obţine: EC = RC ⋅ iC + UCE . . RB.28. iCo). iC=f(UCE). M(UCEo. Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire (figura 1. iCo) Figura 1. (1. se obţine la intersecţia caracteristicii externe (aferentă curentului iBo) cu dreapta de sarcină. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn Se dau: EC. Se cere: PSF → M(UCEo.28. trasată prin tăieturile sale ( IC = EC şi U CE = E C ).16) Punctul static de funcţionare. RC şi familia caracteristicilor externe ale tranzistorului. Panta (înclinarea) dreptei de sarcină se exprimă prin RC tg(α)=RC.15) se obţine: iBo ≅ EC RB (1.14) Procedând similar pentru circuitul de intrare se obţine: EC = RB ⋅ iB + UBE (1.27.

Un alt efect al creşterii temperaturii îl reprezintă micşorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct. Figura 1. ceea ce conduce la creşterea factorului de amplificare βn. rezultând o creştere a curentului de colector care deplasează punctul static de funcţionare M în M’ (figura 1.18 Capitolul 1 1.30.17) Dacă T ↑ ⇒ iC ↑ (punctul M se deplasează în M’).17) se observă că UBE scade ceea ce conduce la micşorarea curentului de colector. sau IB=ct. iE ⇒ UBE = U . De asemenea. Din (1. Stabilizarea punctului static de funcţionare Dacă temperatura creşte iCo creşte. Schemă utilizată pentru stabilizarea PSF-ului la variaţia temperaturii Stabilizarea PSF se explică prin relaţiile: (1. Modificarea PSF la variaţia temperaturii Există mai multe metode de stabilizare. ceea ce conduce la creşterea curentului de emitor (iE ≈ iC). Dacă deplasarea PSF este mare.RE . Figura 1.) şi ca urmare modificarea caracteristicilor de intrare.30 în care. Deci se compensează creşterea iniţială a curentului iC iar punctul static de funcţionare este adus din poziţia M’ în poziţia iniţială M.29). U = UBE + RE .5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. iE . realizând astfel stabilizarea PSF la variaţia temperaturii. atunci funcţionarea etajului de amplificare este defectuoasă.29. cresc factorii statici de amplificare în curent βn şi αn. atât în conexiunea EC cât şi în conexiunea BC.4. dar cea mai utilizată este schema din figura 1. cu ajutorul rezistenţei de emitor (RE) se rezolvă problema stabilizării PSF. Pentru restabilirea funcţionării normale este necesară readucerea PSF (M’) în poziţia iniţială (M). care utilizează diverse scheme.

pentru care diagramele curenţilor şi tensiunilor. La funcţionarea etajului în curent alternativ condensatorul CE elimină reacţia negativă de tensiune dacă reactanţa condensatorului de emitor este de cel puţin 10 ori mai mică decât RE: XE ≤ 0. Figura 1. în paralel cu rezistenţa de emitor. rezistenţa termistorului scade.5.1 ⋅ RE.Dispozitive electronice de circuit 19 Observaţii: • Divizorul de tensiune format din rezistenţele RB1 şi RB2 permite impunerea valorii curentului de bază în regim static (iBo). cum sunt termistoarele şi diodele semiconductoare. având ca efect micşorarea curentului iB.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare se pot utiliza şi elemente de compensare ce au caracteristici neliniare. • În regim static de funcţionare căderea de tensiune pe rezistenţa din emitor se poate calcula cu relaţia: RE. Schema de stabilizare a punctului Figura 1. De regulă se adoptă curentul prin RD la valoarea: iD≅10⋅iBo.4. acţionând în sensul compensării efectului de creştere a curentului de colector cu temperatura. la creşterea temperaturii va creşte curentul invers idi. iar curentul prin termistor creşte.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare utilizând un tranzistor bipolar npn în conexiune emitor-comun (figura 1.iE ≅ 0.33-a). are rolul de a scurtcircuita rezistenţa de emitor atunci când etajul funcţionează în curent alternativ. 1.2⋅EC. 1. Dioda D fiind polarizată în sens de blocare. În figura 1. rezultat din nodul A. La creşterea temperaturii. CE. scade corespunzător. • Condensatorul din emitor.31 este prezentată o schemă de stabilizare utilizând un termistor ca element de compensare.31. corespunzătoare punctului static de funcţionare M. pentru stabilizarea punctului static de funcţionare În figura 1.32. sunt prezentate în figura 1. astfel încât curentul iB.32 este dată o schemă de stabilizare termică utilizând o diodă ca element de compensare. deci are loc compensarea efectului de creştere a curentului iC cu temperatura.4.33-b. . Schemă cu diodă de static de funcţionare utilizând termistor compensare.

b) Conexiunea colector-comun (CC): Ri . iC0) ale curenţilor din tranzistor se suprapun componentele alternative.rezistenţa la ieşire (zeci sau sute de Ω). Construcţia grafică (reprezentată la scară) a caracteristicilor în regim dinamic permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare. unde Pe = UCE ⋅ IC. corespunzător valorilor maxime ale curentului iB~ . U2 = UCE. AI. Deplasarea alternativă a punctului static (M) pe dreapta statică de sarcină. În regim dinamic punctul static M se deplasează în ambele sensuri pe dreapta de sarcină şi descrie caracteristica dinamică. Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt: Amplificarea în tensiune: A U = A = U CE = U CEo + U CE ~ U2 Ui U BE I I Amplificarea în curent: A I = 2 = C (val.20) Ri = U U1 . (1. Re . adică este inductivă sau capacitivă. unde: U1 = UBE. adică segmentul AB.20 Capitolul 1 Datorită semnalului alternativ de la intrare. R E = 2 .19) Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative şi blochează componenta continuă (dacă există) a semnalului de intrare. I2 = IC I1 I2 (1. efective) (1. iar Pi = UBE ⋅ IB (1. Curenţii prin tranzistor vor fi: i B = i Bo + i B ~ i C = i Co + i C ~ (1. tensiunea colector-emitor are două componente: (1.rezistenţa la intrare (zeci sau sute de kΩ). între punctele A şi B se face cu frecvenţa semnalului de intrare (iB~) şi are ca efect apariţia componentelor alternative pentru curentul de colector (adică iC~) şi pentru tensiunea de la ieşire (UCE~). panta caracteristicii dinamice (panta segmentului A’B’ . Proprietăţi calitative ale etajelor de amplificare în raport cu schema de conexiune utilizată. AU =zeci sau sute. Curentul de la ieşire (iC~) este în fază cu cel de la intrare (iB~). I1 = IB.23) Observaţie: Dacă tensiunea de intrare Ui este de înaltă frecvenţă sau dacă sarcina nu este rezistivă parametrii etajului sunt mărimi complexe: Zi. Dacă sarcina etajului nu este rezistivă. Tensiunea de la ieşirea etajului (UCE~) este în antifază faţă de curentul de intrare alternativ (iB~).tg β) este diferită faţă de panta caracteristicii statice (tg α). . ZC. punctul static de funcţionare (M) se deplasează pe dreapta de sarcină.18) De asemenea.21) I1 IB Amplificarea în putere: AP = Pe/Pi. eficace). peste componentele continue (iB0.rezistenţa la intrare (zeci de Ω).22) Rezistenţele de intrare şi ieşire ale etajului de amplificare sunt: ≅ U CE (val. Re . Deci caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor statice de funcţionare când la intrarea etajului se aplică semnalul alternativ. AU. Ai ≤ 1. marcat cu linie groasă.rezistenţa la ieşire (sute de kΩ sau MΩ). a) Conexiunea bază-comună (BC): Ri . În timpul funcţionării etajului de amplificare în curent alternativ.

Re . Concluzii: • Schema colector-comun este utilizată în circuitele de adaptare pentru că are rezistenţa la ieşire mică sau. fie goluri.4. Se mai utilizează abrevierea FET. în construcţia amplificatoarelor de putere. • Pentru amplificatoarele de tensiune. canalul fiind de tip p. schema cea mai utilizată este cea cu emitorul-comun. conducţia este asigurată de o singură categorie de purtători: fie electroni. Ai = zeci sau sute. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar 1.rezistenţa la intrare (kΩ). Calea de trecere se numeşte canal şi este situat între doi electrozi numiţi sursă (S) şi drenă (D).33. care în limba engleză are aceeaşi semnificaţie: Field Effect Transistor. AU ≤1. • Schema bază-comună (BC) creează dificultăţi la cuplarea etajelor în cascadă (serie) datorită diferenţelor foarte mari între impedanţa (sau rezistenţa) de intrare şi cea de ieşire. Figura 1.rezistenţa la ieşire (zeci kΩ).Dispozitive electronice de circuit 21 Ai = zeci sau sute. c) Conexiunea emitor-comun (EC): Ri . Tranzistoarele unipolare se mai numesc Tranzistoare cu Efect de Câmp (TEC). . fiind canal de tip n. Canalul poate fi realizat din purtători de sarcină negativi (electroni).7 Tranzistoare unipolare În cazul tranzistoarelor unipolare. AU= zeci sau sute. Funcţionarea acestora se bazează pe modificarea conductanţei unei căi de trecere a purtătorilor care produc curentul electric prin dispozitiv. sau goluri (care au sarcină pozitivă).

1012 Ω).7. Simbolizarea tranzistoarelor unipolare Conductanţa canalului se modifică sub influenţa câmpului electric produs de tensiunea aplicată la al 3-lea electrod numit grilă (G) sau poartă (P).. rezultă altă joncţiune p-n polarizată invers. Baza fiind legată la grila negativată de către tensiunea UG.35-b. În funcţionarea tranzistorului TEC-J se disting următoarele situaţii: a) Dacă grila nu este polarizată (UG =0). regiunile de trecere au lăţime neglijabilă (deci nu apar zonele haşurate) şi ca urmare secţiunea canalului este maximă. În cele ce urmează se prezintă structura fizică a unui tranzistor TEC-J având canal de tip n. Distribuţia spaţială a potenţialului la nivelul canalului este prezentată în figura 1.4.structura fizică (a). Din acest motiv tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de câmp. respectiv curentul de drenă este maxim (ID=IDmax).34. După modul în care se realizează controlul (reglajul) conductanţei canalului există două categorii de tranzistoare unipolare: 1) TEC cu joncţiuni (TEC-J). Rezistenţa internă a acestor tranzistoare este foarte mare ( 108 . TEC sunt comandate în tensiune. Deci canalul de tip n este situat între două joncţiuni polarizate invers.35. Structură fizică şi funcţionare Tranzistoarele cu efect de câmp şi joncţiuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n sau p. regiunile de trecere (reprezentate prin zonele haşurate din figura 1. 2) TEC cu grilă (poartă) izolată. TEC-J . având structură MOS (Metal Oxid Semiconductor).35-a) se extind în zona canalului micşorând .35-a.. 1. figura 1. Zona p a grilei formează cu zona n a canalului o joncţiune polarizată invers.1 TEC-J având canal de tip n. distribuţia potenţialului (b) Zonele haşurate reprezintă regiunile de trecere ale celor două joncţiuni.22 Capitolul 1 Figura 1.TEC-MOS. Figura 1. Deoarece conductanţa canalului depinde de potenţialul grilei. b) Când grila este negativată (UG<0).

37. Familia caracteristicilor de ieşire prezintă două zone: I.37) şi de intrare (figura 1.38). Figura 1. Figura 1. b) canal p Importanţă deosebită prezintă familia caracteristicilor de ieşire (figura 1. Figura 1.36. Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n.Dispozitive electronice de circuit 23 secţiunea acestuia. Simbolizarea în circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentată în figura 1. În zona de amplificare curentul de drenă este reglat prin modificarea tensiunii de grilă. Familia caracteristicilor de ieşire În familia caracteristicilor de intrare se observă că tensiunea de prag (Up) reprezintă valoarea tensiunii de grilă la care se anulează curentul de drenă (ID). II – zona de saturaţie. c) Dacă grila este puternic negativată (UG<<0) regiunile de trecere se unesc anulând secţiunea canalului şi ca urmare se anulează curentul de drenă (ID≅0).zona de amplificare. iar curentul de drenă care circulă între sursă (S) şi drenă (D) se micşorează. indiferent de tensiunea aplicată pe drenă. Familia caracteristicilor de intrare .38.36a şi b.

4.39-a etajul de amplificare utilizează o sursă separată (Eg) pentru negativarea grilei. întrucât reactanţa X C a acestuia este neglijabilă la frecvenţa de lucru a etajului. iar pe drenă (D) se aplică o tensiune pozitivă. dacă se utilizează una dintre schemele prezentate în figura 1. adică atunci când grila (G) este negativă în raport cu sursa (S).24) Condensatorul CS decuplează (scurtcircuitează) rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ.24 Capitolul 1 1.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J Funcţionarea unui etaj de amplificare. În figura 1. Rezultă tensiunea de negativare a grilei. Figura 1. Rezultă că între rezistenţa Rg şi reactanţa X C trebuie să existe C1 relaţia: X C C1 ≤ Rg 100 (1. dată de relaţia: UG0 = − RS ⋅ ID0 S (1.39-b realizează negativarea automată a grilei în raport cu sursa.25) . Rezistenţa Rg se adoptă de ordinul megohmilor (MΩ) şi are rolul de a transmite pe grilă potenţialul negativ al sursei (bateriei) Eg. Aceste condiţii impuse etajului de amplificare pot fi îndeplinite. este posibilă dacă tranzistorul este polarizat corect.01) din valoarea nominală a semnalului de intrare.7. cu semnul plus (+) la sursă şi minus (−) la grilă. În acelaşi timp. Schema din figura 1. valoarea mare a rezistenţei Rg asigură o rezistenţă (impedanţă) de intrare ridicată pentru etajul de amplificare.39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = −Eg. b) cu negativare automată a grilei. Etaj de amplificare cu TEC-J: a) cu sursă separată pentru negativarea grilei. Observaţie: În proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie îndeplinite două condiţii esenţiale: • Căderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului să nu fie mai mare de un procent (0.39. realizat cu tranzistori TEC-J (canal n). În schema din figura 1. dată de componenta continuă a curentului de drenă ID0 = IS0. Curentul de drenă (curentul de sarcină al etajului) este limitat prin rezistenţa de drenă (RD). utilizând o singură sursă de alimentare (sursa de drenă ED). Căderea de tensiune pe rezistenţa sursei (RS). acestea având rolul de blocare a componentei continue din semnalul de intrare şi/sau ieşire. se aplică între sursă şi grilă (prin rezistenţa Rg).39-a şi b. Condensatoarele CC1 şi CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare şi respectiv la ieşirea etajului.

RD U DS = E D (1. Proiecţiile duse din punctul static (M) pe axele ID şi UDS determină coordonatele ID0 şi UDS0 ale punctului M. astfel încât să se elimine reacţia negativă de tensiune. depinde numai de valoarea rezistenţei de drenă RD: tg(α)=RD. Această condiţie este îndeplinită dacă între rezistenţa sursei RS şi reactanţa X C există relaţia: S X CS ≤ RS 10 (1. o rezistenţă de sarcină RS (sau o impedanţă ZS).3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic Considerând etajul de amplificare din figura 1.39-a).4. Astfel.27) Presupunând dată familia caracteristicilor de ieşire I D = f ( U DS ) U = ct. cu dreapta statică de sarcină. cu frecvenţa semnalului UG ~ . În acest caz panta caracteristicii dinamice va fi: tg β = f (RD + RS) sau tg β = g (RD + ZS) (1. se trasează dreapta statică de sarcină în planul caracteristicilor de ieşire (figura 1.29) Din figura 1. prin CC2. pentru UG0= −Eg .26) 1. Astfel segmentul AB. a punctului static M pe dreapta de sarcină între punctele A şi B.40). Dacă la intrarea etajului se aplică un semnal alternativ (u~).30) . utilizând punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină cu axele de coordonate: ID = ED . expresiile curenţilor şi tensiunilor în regim dinamic sunt: UG = UG0+ UG ~ UDS = UDS0+ UDS ~ ID = ID0+ ID ~ (1.28) Punctul static de funcţionare (M) se obţine la intersecţia caracteristicii de ieşire. exprimată prin tg(α). figurat cu linie groasă. Panta caracteristicii dinamice (tg β) va fi diferită de panta dreptei statice (tg α) dacă la ieşirea etajului se conectează. reprezintă caracteristica dinamică a tranzistorului TEC-J. Panta dreptei statice de sarcină.7.Dispozitive electronice de circuit • 25 Condensatorul CS conectat în paralel cu RS trebuie să şunteze rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ.39-a şi aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ED = RD ⋅ ID + UDS (1.40 se observă că la funcţionarea etajului în regim dinamic apar componentele alternative ale curenţilor şi tensiunilor prin tranzistor care se suprapun peste componentele continue ale acestora. G pentru tranzistorul TEC-J utilizat în etajul de amplificare (figura 1. atunci componenta alternativă a tensiunii de grilă (UG ~) determină deplasarea rectilinie alternativă.

Observaţii: Dacă se cere o rezistenţă de intrare (Ri) cât mai mare a etajului de amplificare.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) Structura MOS este prezentată în figura 1. PSF se alege pe dreapta de sarcină în zona de îmbogăţire (grilă pozitivă). reprezentând: I-regiunea de amplificare.10-6) mm.31) .7. deci modifică conductivitatea canalului.42-b.4. Structura fizică este prezentată în figura 1. la care grila este izolată de canal prin stratul de oxid. II – regiunea de saturaţie. Pentru Ri mică. i D = g( U G ) U D = ct (1. Tensiunea de ieşire (UDS ~) este în antifază cu semnalul de intrare (UG~).42-b sunt marcate regiunile I şi II. se alege PSF în regiunea de sărăcire (grilă negativă).26 • • Capitolul 1 Observaţii: Curentul de la ieşirea etajului (ID~) este în fază cu semnalul alternativ de la intrare (UG ~). atunci regimul de funcţionare este un regim de îmbogăţire (în purtători).42-a iar familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare este dată în figura 1. deoarece modifică prin potenţialul său proprietăţile semiconductorului la suprafaţa dinspre oxid. În figura 1. Metalul depus pe oxid joacă rol de grilă. La suprafaţa semiconductorului de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 .. b) canal de tip p (goluri).40.42-b sunt reprezentate caracteristicile de ieşire şi intrare: i D = f ( U D ) U G = ct Valoarea tensiunii de grilă pentru care curentul de drenă se anulează (iD=0) poartă numele de tensiune de prag (Up). rezistenţa de intrare rezultă foarte mare: Ri≅1014 Ω. Dacă grila este la potenţial pozitiv.41. ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcină prin tranzistor. iar curentul de drenă creşte. Diagramele tensiunilor şi curenţilor la funcţionarea etajului în regim dinamic 1. Structura MOS poate avea două tipuri de canale: a) canal de tip n (electroni). În figura 1. Figura 1.. În cazul tranzistoarelor TEC-MOS având canal permanent.

considerând că în PSF tensiunea de grilă este negativă (UGo<0).7.Dispozitive electronice de circuit 27 Figura 1. Structura fizică (a).43) se elimină elementele RS. la fel ca în cazul TEC-J. atunci se obţine un etaj de amplificare ce asigură o impedanţă de intrare (Zi) foarte mare (≈1012 Ω). Rezistenţa de grilă (RG) se adoptă suficient de mare (de ordinul MΩ) astfel încât să asigure o impedanţă mare la intrarea etajului de amplificare. CS şi RG. Structura tranzistorului MOS Figura 1.41.42. familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare (b) 1. Astfel de amplificatoare cu impedanţe de intrare foarte mari sunt necesare în construcţia adaptoarelor traductoarelor de pH.CS asigură negativarea automată a grilei în raport cu sursa de alimentare. Grupul RS .43 este prezentată schema unui etaj de amplificare la care tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n). În figura 1. este alimentat de la o singură sursă (+ED). Dacă din schema etajului de amplificare (figura 1.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TECMOS având canal de tip n.4. a .

5. Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este asemănător celui prezentat la tranzistorul TEC-J (§ 1.4. Structura fizică a acestor dispozitive conţine mai multe straturi în succesiune pnpn.1 Tiristorul Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat în electronica de putere. caracteristicile şi funcţionarea următoarelor dispozitive semiconductoare: 1.43. Etaj de amplificare cu TEC-MOS având canal n 1. structura acestuia şi simbolizarea fiind prezentate în figura 1. Un dispozitiv semiconductor special care are o singură joncţiune şi trei electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Joncţiune (TUJ). Din acest motiv aceste dispozitive semiconductoare se mai numesc şi multijoncţiune. Figura 1.28 Capitolul 1 traductoarelor piezoelectrice etc. catod (C) şi poartă sau grilă (P sau G).47. Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A). În cele ce urmează se va prezenta structura. Cele mai utilizate dispozitive multijoncţiune sunt: dioda pnpn (numită diodă Shockley sau dinistor). diacul.3) Figura 1. deci mai multe joncţiuni. Structura fizică şi simbolizarea tiristorului . El este format din 4 zone şi 3 joncţiuni. tiristorul.5 Dispozitive semiconductoare speciale În electronica aplicată se utilizează frecvent dispozitivele semiconductoare speciale.47. triacul.7.

Figura 1. Curentul prin tiristor (care circulă de la anod la catod) trebuie limitat printr-o rezistenţă de sarcină. fenomenul de conducţie (creştere a curenţilor 2 prin tranzistoare) accelerându-se până când ambele tranzistoare intră în saturaţie. La început ambele tranzistoare sunt blocate. astfel încât acesta să nu depăşească valoarea nominală (care este un parametru de catalog). ilustrată în figura 1.48 se observă că: i B 2 = i C1 + i G . ia=f(Ua).48. În continuare se deschide puţin T2.Dispozitive electronice de circuit 29 Tiristorul este echivalent cu două tranzistoare bipolare complementare (pnp şi npn). b) blocarea tiristorului are loc atunci când curentul prin tiristor se micşorează. Pentru amorsare se aplică tensiune pozitivă la anod şi negativă la catod. Schema echivalentă a unui tiristor Funcţionarea tiristorului cuprinde două etape: a) amorsarea (intrarea în conducţie sau aprinderea). figura 1. Din figura 1. adică ia scade sub valoarea curentului de menţinere iam (parametru de catalog). Caracteristica anodică a tiristorului .49.48. Pentru un tiristor prezintă importanţă caracteristica anodică.49. după care este necesar un curent de grilă pozitiv care se aplică sub formă de impuls. iar i B 2 este dat numai de curentul de grilă care trebuie să fie suficient de mare. conectate ca în figura 1. ceea ce duce la creşterea lui i C = i B . Acest lucru conduce la creşterea lui i B .49. Figura 1. adică i B creşte şi 2 1 1 deschide T1 rezultând creşterea curentului de colector al tranzistorului T1.

• zona II – corespunzătoare regimului de tranziţie din starea blocat în starea de conducţie (când tensiunea scade pronunţat. Această caracteristică separă zona de blocare faţă de zona de conducţie şi explică faptul că pentru tensiuni de amorsare mari. . fiind neglijabil). • temperatura maximă a joncţiunii Tj max ≤ 140 oC. Observaţii: Dacă între tensiunile de amorsare Uam1 şi Uam2 există inegalitatea (Uam1<Uam2). Caracteristica de comandă a tiristorului • • • Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt: • curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN ≤ 1000A. iar căderea de tensiune între anod şi catod rămâne aproximativ constantă). e. Grupul Rp-Cp asigură atenuarea gradienţilor de tensiune inversă (periculoşi pentru joncţiunile tiristorului) ce apar în momentul blocării acestuia.49.51). iar pentru protecţia acestuia împotriva gradienţilor de tensiune inversă se utilizează un circuit Rp-Cp serie conectat în paralel cu tiristorul (figura 1.49). figura 1. se înseriază cu tiristorul o bobină de inductivitate L (calculată ca şi grupul Rp-Cp după o metodologie utilizată de exemplu. iar curentul anodic are o creştere mică). Caracteristica de comandă (caracteristica de grilă) reprezintă dependenţa tensiunii de amorsare în raport cu valoarea curentului de grilă (figura 1. Figura 1. În regimul de tranziţie rezistenţa internă a tiristorului este negativă: R Ti = − • ΔU a < 0. Pentru limitarea vitezei de creştere a curentului la o valoare sub viteza critică (parametru de catalog). se disting 3 zone corespunzătoare regimurilor de funcţionare ale tiristorului: • zona I – corespunzătoare regimului de blocare (curentul creşte foarte puţin. în [1]).50.50). atunci între curenţii de grilă corespunzători există inegalitatea inversă: i G1 > i G 2 .32) zona III – corespunde regimului de conducţie (curentul creşte brusc după o caracteristică aproape verticală. figura 1. Δi a (1. • tensiunea inversă Uinv = sute (mii) volţi (tensiunea anodică inversă).51). valorile curenţilor de grilă necesari amorsării sunt mai mici şi invers (fenomen ilustrat şi în figura 1.30 Capitolul 1 În planul caracteristicilor anodice. Pentru protecţia tiristorului la curenţi de scurtcircuit se utilizează o siguranţă fuzibilă specială (ultrarapidă.

iar funcţionarea corespunde cadranului I. Făcând abstracţie de structura fizică. sunt următorii: • curentul nominal. Elementele de protecţie necesare triacului sunt aceleaşi ca în cazul tiristorului. Tj-max≤ 140 oC.5. La funcţionarea triacului într-un circuit de sarcină se disting două situaţii: a) Dacă anodul A2 este pozitiv faţă de anodul A1. iar funcţionarea corespunde cadranului III. curentul de sarcină (curentul anodic) este limitat numai de rezistenţa şi/sau inductivitatea de sarcină (RS. Pentru amorsarea tiristorului este necesar ca durata impulsului de comandă (iG) să fie suficient de mare. Tiristorul în circuit • • Amplitudinea impulsului de comandă pe grilă (iG) reprezintă un parametru de catalog a cărui valoare nu trebuie depăşită. Întrucât triacul are conducţie bidirecţională. 1. Conectarea triacului în circuit este prezentată în figura 1.53). Triacul reprezintă un întrerupător static în curent alternativ şi este utilizat pentru reglarea tensiunii alternative (în structura variatoarelor de tensiune alternativă) la bornele receptoarelor mono sau trifazate. Asemănător fenomenelor întâlnite la tiristor. este formată din două ramuri situate în cadranele I şi III (figura 1. dacă tensiunile de .52-a).Dispozitive electronice de circuit • 31 După intrarea în conducţie a tiristorului.51. trecerea în starea de conducţie are loc pentru curenţi de grilă negativi (iG<0). astfel încât curentul prin tiristor (ia – figura 1. Acest domeniu de aplicaţie aparţine electronicii de putere.49) să depăşească valoarea curentului de menţinere iam. ce trebuie luaţi în considerare la alegerea unui triac. • temperatura maximă a joncţiunii. intrarea în conducţie se face pentru curenţi de grilă pozitivi (iG>0).2 Triacul Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structură complexă. b) Dacă anodul A2 este negativ faţă de anodul A1. Tiristorul reprezintă un întrerupător static în curent continuu şi este utilizat în construcţia variatoarelor de tensiune continuă monofazate sau polifazate. • tensiunea maximă inversă. se poate considera că triacul este echivalent cu două tiristoare în conexiune antiparalelă comandate printr-o grilă comună (figura 1. Principalii parametrii de catalog. caracteristica anodică. IN≤ 75A. Uinv-max≤ 1200V. LS). Observaţie: Valorile absolute ale curenţilor de grilă |iG1| şi |iG2| necesari amorsării triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului (Uam1 şi Uam2). Figura 1.52-b. ia=f(ua). care este o ramură distinctă a electronicii industriale.

Figura 1.5. Structura fizică şi simbolizarea tranzistorului unijoncţiune La acest tranzistor zona n este slab dopată cu impurităţi.32 Capitolul 1 amorsare aplicate triacului sunt mai mari.54. (a) (b) Figura 1. Zona p a emitorului este puternic . iar rezistenţa RBB între bazele B1 şi B2 este relativ mare (de ordinul kΩ).52. Caracteristicile anodice ale triacului 1.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) Acest dispozitiv semiconductor se mai numeşte şi diodă cu două baze.54. Structura fizică şi simbolizarea sunt prezentate în figura 1.53. Joncţiunea p-n este realizată în zona mediană a blocului semiconductor de tip n. Simbolizarea triacului (a). triacul în circuit (b) Figura 1. curenţii de grilă necesari intrării în conducţie vor fi mai mici şi invers.

(semnul plus la borna B2). De regulă η=0. Care sunt parametrii de catalog şi semnificaţia acestora. Pe durata regimului tranzitoriu (porţiunea OA din caracteristici) rezistenţa internă a TUJ este negativă.Dispozitive electronice de circuit 33 dopată cu impurităţi.33) în care rB1 şi rB2 sunt rezistenţele barei de semiconductor. curentul de emitor (iE) creşte lent pe durata regimului tranzitoriu. Familia caracteristicilor curent-tensiune Datorită formei de variaţie a curentului de emitor (în regim de conducţie). După terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor creşte brusc (pe ramura AB comună caracteristicilor).55).8. Când aceste condiţii sunt îndeplinite joncţiunea p-n este polarizată direct. 1 V (punctul A din figura 1. între punctul din dreptul joncţiunii emitorului şi cele două baze. în cazul Termistorului şi Fotodiodei ? . Intrarea în conducţie a tranzistorului unijoncţiune are loc dacă sunt îndeplinite condiţiile: a) uBB > 0. Figura 1. b) uEB1 > η·uBB.55. 1. fiind limitat numai de valoarea rezistenţei de sarcină.6 Întrebări şi problemă 1. iar uEB1 scade până la valoarea de 0..8 . unde η se numeşte raport intrinsec (coeficient subunitar) exprimat prin relaţia: η= rB1 + rB 2 rB1 (1.. tranzistorul unijoncţiune este utilizat ca formator de impulsuri în circuitele de comandă ale tiristoarelor sau triacurilor.5 ··· 0. Care sunt proprietăţile regiunii de trecere a unei joncţiuni pn? 3. La aplicarea unei tensiuni uBB>0 între cele două baze potenţialul punctului M situat pe joncţiune va fi egal cu η⋅uBB. Care este legea de variaţie a purtătorilor de sarcină în cazul semiconductoarelor omogene? Precizaţi semnificaţia parametrilor din expresia analitică ! 2.

I DS0 = 8m [ A ] . Care element (componentă) din schema etajului de amplificare – asigură stabilizarea PSF la variaţia temperaturii mediului ? Problemă Considerând schema unui etaj de amplificare. f = 20 KHz ? 6. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. f min = 200 [ Hz ] . în care se cunoaşte: U DS0 = 10 [ V ] . Se cere să se calculeze valorile elementelor: R S . Prin ce parametru (variabil) se poate modifica secţiunea canalului (de tip n) în cazul TEC-J ? 9. Ce modalităţi (variante) există pentru negativarea grilei – în cazul TEC-J. cu TEC-J (prezentată mai jos). C2 = CS . Care sunt relaţiile analitice ce justifică proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar ? 5. Cum (în câte moduri) se poate măsura o tensiune alternativă cu parametrii: Uef = 80V. Ce reprezintă caracteristica dinamică în cazul tranzistorului bipolar şi de cine depinde panta acesteia ? 8.34 Capitolul 1 4. U G0 = −5 [ V ] . R D . Re = 40 KΩ ? 7. C1 . . canal de tip “n” (permanent) ? 10.

1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor Un amplificator este simbolizat. care de regulă nu se simbolizează în schemele bloc. 2. Un amplificator are rolul de dezvolta în circuitul de ieşire o putere mai mare decât cea aplicată la intrare. respectiv I1. Schema de principiu a unui amplificator Bornele de intrare (1 – 1’) reprezintă poarta de intrare. Sarcina sa poate fi rezistivă sau poate fi o impedanţă. ca în figura 2.1. se pot defini următorii parametri: • Amplificarea de putere Ap: A p = P2 >1 P1 (2. în condiţia ca semnalul de la ieşire să păstreze forma semnalului aplicat la intrare.1) . printr-un cuadripol activ care are două perechi de borne. Figura 2.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor Dacă notăm cu P1 puterea în circuitul de intrare şi cu P2 puterea obţinută la ieşire.1. caracterizată de tensiunea şi curentul de intrare.CAPITOLUL 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE 2.1. Amplificarea semnalului de la intrare se face utilizând energie preluată de la sursa de alimentare (Uo). U1. caracterizată de tensiunea U2 şi respectiv curentul I2. Bornele de ieşire (2 – 2’) reprezintă poarta de ieşire.

4) Considerând reprezentările în complex ale mărimilor intrare-ieşire. trebuie să fie mică (zeci de Ω) pentru ca la ieşire să se poată debita un curent (o putere) cât mai mare în impedanţa de sarcină nominală (ZSN). În aceste cazuri primul etaj al amplificatorului se realizează cu tranzistoare MOS. se pot defini amplificările în tensiune şi curent prin relaţiile: A= • U2 .2) Frecvent se utilizează unitatea logaritmică pentru amplificare. .dacă A = 1 → AdB = 0. . osciloscoape etc).6) .36 • Amplificarea în tensiune Au: A u ≡ A = Capitolul 2 U2 U1 U2 U1 (2.dacă A = 10n → AdB = 20⋅n. nu depăşeşte o limită impusă (de exemplu 5%). ce caracterizează deformarea unui semnal sinusoidal.3) .. • Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zează efectul tensiunii fluctuante la ieşirea amplificatorului – care există şi atunci când nu se aplică semnal la intrare. Amplificarea în curent se defineşte prin relaţia: A i = • I2 I1 (2. Ze.. .tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor electromagnetice din mediul înconjurător. piezorezistive sau de pH. Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora: .agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare prin rezistoare şi tranzistoare. Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină în condiţiile când factorul de distorsiuni. • Impedanţa de ieşire. U1 I Ai = 2 I1 (2. Amplificarea în decibeli se calculează utilizând relaţia: A[dB] = 20 ⋅ log A = 20 ⋅ log Exemple: • [dB] (A > 0) (2. Când amplificatoarele intră în componenţa traductoarelor piezoelectrice. numită decibel [dB]. Un amplificator performant trebuie să aibă raportul dintre semnalul util şi zgomot cât mai mare.componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (când filtrarea acestei tensiuni este necorespunzătoare). impedanţa de intrare (Zi) trebuie să fie foarte mare: Zi∈[108.1012] Ω. U1 I1 (2. Aceasta se defineşte prin relaţia: Zi = Valoarea impedanţei de intrare trebuie să fie de ordinul meghomilor [MΩ].5) Impedanţa de intrare este impedanţa echivalentă la bornele de intrare atunci când la bornele de ieşire este conectată impedanţa de sarcină nominală (ZSN). atunci când amplificatoarele se utilizează în aparatura de măsurare (voltmetre electronice.

A4 . Figura 2. când la intrare se aplică un semnal perfect sinusoidal. în care este valabilă relaţia A[dB]=20⋅logA şi zona AB (zona II) corespunzătoare regiunii neliniare de saturaţie. În figura 2. Caracteristica externă a amplificatorului În figură se disting două zone: zona OA (zona I) corespunzătoare regiunii liniare a caracteristicii..2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor Caracteristica externă reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire în raport cu tensiunea de intrare..3-a) semnalul de ieşire (ue2) va fi distorsionat atunci când amplitudinea semnalului de intrare (ui 2) depăşeşte valoarea maximă (ui max) delimitată de curbele c1 şi c2. iar punctul B – în zona de tăiere. reprezintă amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t). Dacă PSF se alege în zona mediană a caracteristicii statice ( soluţia corectă – figura 2.3. ( U 2 = f ( U1 ) ). unde punctul A este situat în zona de saturaţie.. a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare. Dacă Ui>Uimax atunci semnalul de ieşire este distorsionat (deformat). A2. se consideră un etaj de amplificare cu tranzistor bipolar la intrarea căruia se aplică un semnal sinusoidal. fiind dată în figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 37 2. d[%] = ⋅ 100 (2.7) A1 unde: A1 – este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieşire u2(t) – distorsionat. Se defineşte factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin relaţia: 2 2 2 A 2 + A 3 + A 4 + .3 sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului împreună cu dreapta de sarcină (AB). b) Distorsiuni datorate alegerii greşite a poziţiei PSF . Pentru a explica apariţia distorsiunilor de neliniaritate şi efectul poziţiei punctului static de funcţionare (PSF) al tranzistorului asupra lărgimii zonei de liniaritate în caracteristica intrare-ieşire.1. Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni de neliniaritate.2. (a) (b) Figura 2. A3.2..

Această dependenţă se numeşte caracteristică de fază: ϕ = g’(f). Micşorarea cu 3dB a amplificării.707 ⋅ A 0 . Dacă spectrul semnalului de intrare nu este inclus în totalitate în banda de trecere a amplificatorului. semnalul de ieşire (ue) va fi distorsionat numai pentru semialternanţa pozitivă deoarece numai prima semialternanţă din semnalul de intrare (ui) depăşeşte valoarea maximă. dar nici mult mai largă decât acest spectru pentru a nu micşora raportul semnal util/zgomot. Pentru amplificarea fără distorsiuni a semnalului de intrare este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia să fie amplificate în aceeaşi măsură. Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2. televiziune. iar f este frecvenţa semnalului de intrare. Observaţii: • La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie să fie mai îngustă decât spectrul semnalului util (de intrare). în funcţie de frecvenţa f (datorită elementelor reactive din circuitul acestora). delimitată prin caracteristica c1. Caracteristica de frecvenţă În aplicaţiile practice interesează domeniul de frecvenţă în care amplificarea este aproximativ constantă.38 Capitolul 2 Dacă PSF este greşit ales spre punctul A.4 şi exprimă dependenţa modulului amplificării în raport cu frecvenţa (f): A[dB] = g(f) (2. unde ϕ este defazajul introdus de amplificator. transmisii de date etc.3-b. Ansamblul acestor armonici formează spectrul semnalului de intrare. . un amplificator este caracterizat prin dependenţa defazajului ϕ. Caracteristica de fază este importantă la amplificatoarele utilizate în: osciloscoape. introdus de amplificator. figura 2. 2 unde A0 este amplificarea medie în banda de trecere Bt. • În afara caracteristicii de frecvenţă. Acest domeniu se numeşte banda de trecere a amplificatorului (Bt) şi reprezintă domeniul cuprins între frecvenţa joasă de tăiere (ftj) şi frecvenţa de tăiere înaltă (ftî) pentru care amplificarea A[dB] nu se micşorează cu mai mult de 3dB. pentru a nu avea distorsiuni de frecvenţă.8) Figura 2. vor rezulta distorsiuni de frecvenţă numite şi distorsiuni de liniaritate (când amplificatorul funcţionează în regiunea liniară a caracteristicii intrare-ieşire). este echivalentă cu scăderea amplificării A la valoarea 1 ⋅ A 0 = 0.4. Această condiţie este îndeplinită atunci când spectrul semnalului aplicat la intrare este cuprins în banda de trecere a amplificatorului. la extremităţile benzii de trecere. Detalii privind caracteristica de fază a amplificatoarelor sunt date în [3]. Semnalul de intrare în amplificator este rezultatul însumării unor armonici de diferite amplitudini şi frecvenţe.

când frecvenţa medie este mai mică de 1MHz. amplificatoarele pot fi: . c) După valoarea frecvenţei medii din spectrul semnalului amplificat: • amplificatoare de joasă frecvenţă. Aceste amplificatoare se numesc de tensiune. 60]. obţinerea unei amplificări în tensiune. • amplificatoare de bandă largă.Amplificatoare şi oscilatoare 39 2.. obţinerea unei anumite puteri pe sarcină. ale căror spectre conţin şi componenta continuă (armonica de frecvenţă nulă). care amplifică semnale fără componentă continuă şi au caracteristica de frecvenţă de tipul celei din figura 2. Caracteristica de frecvenţă a unui amplificator pentru semnale lent variabile b) După nivelul semnalului amplificat: • amplificatoare de semnal mic.ftj). • amplificatoare de curent alternativ. • amplificatoare de semnal mare. când frecvenţa medie este de ordinul MHz sau GHz. în mod deosebit. ilustrat în figura 2. Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de putere. unde variaţiile de curent şi tensiune. definit prin relaţia Q=f0/(ftî . unde f0 este frecvenţa centrală a benzii de trecere. sunt mici în comparaţie cu valorile tensiunilor şi curenţilor de la ieşire. corespunzătoare semnalului de intrare. este de ordinul 105.. Valoarea curentă a factorului de calitate este cuprinsă în domeniul [10.106. deoarece se urmăreşte. caracterizate prin factorul de calitate Q. e) După poziţia punctului static de funcţionare (PSF).4. în mod deosebit.. Caracteristică de frecvenţă a acestui tip de amplificator este prezentată în figura 2. sunt relativ mari.5. În categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de videofrecvenţă. numite şi selective. d) După lărgimea benzii de trecere: • amplificatoare de bandă îngustă. • amplificatoare de înaltă frecvenţă. La aceste amplificatoare se urmăreşte.3 Tipuri de amplificatoare Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri şi se pot clasifica după următoarele criterii: a) După tipul semnalului de amplificat: • amplificatoare de curent continuu – destinate amplificării semnalelor lent variabile. Figura 2.5.1.. la care raportul dintre frecvenţa înaltă de tăiere şi frecvenţa joasă de tăiere (ftî/ftj). În această categorie sunt incluse şi amplificatoarele de audiofrecvenţă. la care variaţiile de tensiune şi de curent. corespunzătoare semnalului de intrare.6.

Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprinsă în domeniul 20Hz. aceste amplificatoare fiind utilizate în construcţia triploarelor de frecvenţă şi în tehnica semnalelor modulate în frecvenţă.. 2. Figura 2..2. punctul M1). figura 2. iar al doilea bloc este un amplificator de putere (etaj final. punctul M2).7. acesta să poată furniza puterea P2 cerută la . la care PSF se alege în profunzimea regiunii de blocare. impedanţa de sarcină (ZS) sau rezistenţa de sarcină şi puterea necesară la ieşire (P2). • amplificatoare în clasă B (PSF se află în punctul de tăiere. au în componenţă două blocuri funcţionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de tensiune (numit preamplificator.2 Amplificatoare de curent alternativ Un exemplu tipic al acestor amplificatoare îl reprezintă amplificatorul de audiofrecvenţă. Amplificatoarele de curent alternativ. Se cere: proiectarea amplificatorului de tensiune şi a amplificatorului de putere astfel încât să se debiteze pe ZS puterea impusă la ieşire. aplicată la intrarea AP. Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1).20 kHz. • amplificatoare în clasă A-B (PSF se află aproape de punctul de tăiere. AT-PA). punctul M). AP-EF). Figura 2.7.6. Observaţie: Există şi amplificatoare în clasă C. Poziţia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare 2.1 Amplificatoare de tensiune Aceste amplificatoare trebuie să asigure la ieşire o tensiune U (suficient de mare) încât.40 • Capitolul 2 amplificatoare în clasă A (PSF se află în regiunea mediană a dreptei de sarcină.

Condensatoarele CE1. Figura 2. Din acest motiv.8.8. Rezistoarele RC1. CE2) sunt astfel alese încât reactanţele acestora să fie neglijabile (să reprezinte scurtcircuite) la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. b) cuplajul direct între etaje (ca în cazul circuitelor integrate).Amplificatoare şi oscilatoare 41 ieşire. Structura generală a unui amplificator de tensiune Cuplarea etajelor se poate realiza în două moduri: a) utilizând elemente de cuplaj . C3 blochează componenta continuă care s-ar putea transmite la ieşirea etajului al II-lea. Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi a condensatoarelor de decuplare (CE1.9). Observaţie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj între etaje oferă avantajul unei adaptări facile între sarcină şi etaj. . dar are şi dezavantaje: gabarit mare şi preţ de cost ridicat. Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând tranzistoare bipolare (figura 2. Figura 2.9. C2 şi C3 se numesc condensatoare de cuplaj şi au următoarele roluri: C1 blochează componenta continuă a semnalului aplicat la intrarea primului etaj de amplificare. CE2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune la funcţionarea etajelor de amplificare în regim dinamic. Condensatoarele C1. RE2 au rolul de a stabiliza poziţia punctelor statice de funcţionare (PSF) în cele două etaje de amplificare. către amplificatorul de putere. C2 are rolul de a bloca componenta continuă care s-ar transmite de la primul etaj la următorul.condensatoare sau transformatoare de cuplaj. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu tranzistoare bipolare Perechile de rezistoare RB1 − RB2 şi RB3 – RB4 reprezintă divizoare de tensiune prin care se stabilesc valorile curenţilor de bază. amplificatoarele de tensiune se realizează din mai multe etaje legate în serie (cascadă) ca în figura 2. RC2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de colector). Exemple de amplificatoare de tensiune 1. Rezistoarele RE1.

iar tensiunea din colectorul lui T2 (UCE2) determină poziţia PSF pentru tranzistorul T3 care. RS2 au rolul de negativare automată a grilelor cât şi de a stabiliza poziţiile punctelor statice de funcţionare (PSF) la variaţia temperaturii ambiante. CS2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune în regim dinamic. RG2 (cu valori de ordinul MΩ) au rolul de a realiza impedanţe mari la intrarea etajelor. la rândul său. În figura 2.9. Acest fenomen complică – într-o anumită măsură – calculul regimului staţionar al amplificatorului (în faza de proiectare). deci blochează componentele continue (la intrare prin C1. 3. Amplificator de joasă frecvenţă realizat prin cuplare directă între etaje În cazul cuplajului direct între etajele de amplificare se transmite. • Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utilizând tranzistoare bipolare în loc de tranzistoare TEC-J. Observaţii: • Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi de decuplare (CS1. RD2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de drenă). CS2) trebuie să asigure reactanţe capacitive neglijabile la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. Se observă că cele trei etaje de amplificare (din structura circuitului integrat) sunt cuplate direct. Din această cauză punctul static de funcţionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj depinde de poziţia PSF a tranzistorului din etajul anterior.10) Figura 2. Rezistenţele RG1. condensatoarele C1. Rezistenţele RD1. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu TEC-J Ca şi în schema din figura 2. Funcţionarea corectă a circuitului presupune ca în circuitul bazei primului tranzistor (T1) să existe un curent de polarizare iBo care să determine funcţionarea tranzistorului în regiunea activă. Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 – intrare.42 2. polarizează baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P şi RB). de la un etaj la altul. 2 – alimentare (+E). Capitolul 2 Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând TEC-J (figura 2. între etaje prin C2 şi la ieşire prin C3). Condensatoarele CS1. C3 au acelaşi rol (de cuplaj).10. Rezistenţa RB împreună cu potenţiometrul P realizează un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului . Tensiunea din colectorul lui T1 (UCE1) asigură polarizarea corectă a bazei lui T2.11 este prezentat un amplificator de audiofrecvenţă. atât componenta alternativă cât şi componenta continuă ale semnalului. 4 – bornă de masă (−E). Rezistoarele RS1. realizat cu circuitul integrat TAA-263. 3 – ieşire. C2.

la un generator dat se obţine puterea maximă pe sarcină atunci când rezistenţa internă a generatorului (Rg) este mai mică sau egală cu rezistenţa de sarcină (RS).2. schema echivalentă a amplificatorului (AP) este dată în figura 2. au rolul de a debita pe un rezistor de sarcină dat. Reprezentând amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu rezistenţa internă Rg egală cu rezistenţa de ieşire a etajului (Re). Amplificator de audiofrecvenţă realizat cu CI de tip TAA-263 Observaţie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare (U1∼). ţinând seama de schema echivalentă (figura 2. numite şi etaje finale. Deci.12.11. Figura 2.12.2 Amplificatoare de putere (AP) Aşa cum s-a arătat anterior amplificatoarele de putere. Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimină reacţia negativă de tensiune la frecvenţele de lucru ale amplificatorului). b) adaptarea etajului la sarcină utilizând pentru etajul final o schemă de conexiune adecvată.Amplificatoare şi oscilatoare 43 tranzistor. Acest lucru este posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de . 2. În conformitate cu teorema transferului maxim de putere.9) Figura 2. Cu prima metodă se adaptează rezistenţa de sarcină la etaj.12). Schema echivalentă a unui amplificator de putere Există două metode pentru creşterea puterii debitate la ieşire: a) adaptarea sarcinii la etajul de ieşire prin intermediul transformatoarelor (de adaptare). o valoare impusă a puterii P2 (la ieşire). se va înseria un rezistor R1 ( ≅ 1 kΩ) înaintea condensatorului C. puterea debitată pe RS va fi maximă dacă este îndeplinită condiţia: Re (AP) ≤ RS (2.

2.15. adică pentru un curent de ieşire (curent de colector) mare. O metodă de creştere a puterii debitate de AP constă în creşterea amplitudinii semnalului de la intrare.1 Amplificatoare de putere în clasă A Se consideră etajul de amplificare din figura 2. Acest lucru este ilustrat în diagramele de semnale aferente funcţionării în regim dinamic al etajului. Astfel. Rezistenţa generatorului (Rg) din schema echivalentă se adoptă egală cu rezistenţa de ieşire (Re) a etajului amplificator de putere (AP).13. figura 2. se alege o schemă de conexiuni cu rezistenţă de ieşire mică (conexiune colector comun).13. pentru o putere mare la ieşire.2.26).14 care funcţionează în clasă A având sarcina cuplată prin transformator. Figura 2. Rezistenţa de sarcină raportată la primarul transformatorului se poate calcula folosind relaţia: 2 ⎛ N1 ⎞ (2. figura 2.12) Creşterea puterii debitate la ieşire datorată creşterii semnalului de intrare poate avea loc dacă punctul A’ nu intră în zona de saturaţie. În acest caz trebuie urmărită condiţia ca punctul A’ să nu ajungă în zona de saturaţie şi punctul B’ să nu ajungă pe caracteristica iB=0 (zona de tăiere).10) R S = r1 + (r2 + rS ) ⋅ ⎜ ⎜N ⎟ ⎟ ⎝ 2⎠ Dacă se neglijează r1 şi r2. 2. Sarcină cuplată la AP prin transformator Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt ≅ N1/N2. se obţine relaţia aproximativă de calcul pentru RS: 2 (2. Aria triunghiului poate fi mărită dacă PSF iniţial (M) se adoptă prin proiectare astfel încât dreapta de sarcină să fie tangentă în M la hiperbola de disipaţie a puterii tranzistorului (vezi figura 1.11) R S ≅ rS ⋅ K t Adaptarea etajului la sarcină este posibilă dacă alegem o schemă de conexiuni adecvată transferului maxim de putere.44 Capitolul 2 cuplaj. respectiv din secundarul acestuia. . unde N1 şi N2 reprezintă numărul de spire din primarul transformatorului. puterea utilă (Pu) debitată pe rS reprezintă puterea dezvoltată în circuitul monofazat din secundarul transformatorului şi se calculează utilizând relaţia: Pu = U ef I ef cos(ϕ) = U CE max I C max U ⋅I ⋅ = CE max C max = 2 2 2 CM ⋅ AC = = aria (ΔMAC). 2 (2. În cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieşirea amplificatorului prin transformator.

16. în cazul acestor amplificatoare PSF se alege în zona de tăiere a dreptei de sarcină.2. Figura 2. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă A 2.Amplificatoare şi oscilatoare 45 Randamentul unui amplificator în clasă A nu depăşeşte 50% (η=Pu/Pc. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă B Dacă semnalul de intrare iB~ creşte excesiv. unde Pc este puterea consumată de amplificator de la sursa auxiliară de alimentare). Pentru ca semnalul de ieşire să fie tot . PSF (punctul M) poate ajunge în poziţia A”. semnalul fiind distorsionat.2.15.16).2 Amplificatoare de putere în clasă B Considerând planul caracteristicilor de ieşire.14. Amplificator de putere în clasă A Figura 2. Figura 2. atunci PSF va descrie la ieşire un semnal redresat monoalternanţă (ca în figura 2. figura 2.16. Dacă amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor.

19-b. figura 2. formează prin însumare curentul alternativ de sarcină (iS) prin RS.17.de putere mică sau medie).17: 1-npn şi 2-pnp. Această conexiune este formată din două tranzistoare (figura 2. pentru semialternanţa negativă. iar în figura 2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utilizând conexiunea Darlington. În acest ultim caz conexiunea Darlington se numeşte cu inversare de polaritate.2.17 Dacă la intrare se aplică semialternanţa pozitivă. etajul de amplificare se realizează cu două tranzistoare complementare.19). Curentul de colector al tranzistorului compus este: i C = i C1 + i C2 ≅ β N1i B1 + β N2i B2 = β N2i B + β N2i E 2 = β N 2i B + + β N1 (i C2 + i B2 ) = β N 2i B + β N1β N 2i B2 + β N1i B2 = β N i B (2. Figura 2. 2.14) unde: (2. dintre care primul este numit tranzistor de comandă (T2 .2. invers.18. Ansamblul tranzistoarelor într-o conexiune Darlington se numeşte dublet.19-a conexiunea Darlington este realizată cu două tranzistoare npn (fără inversare de polaritate). T2 –pnp). numită şi tranzistor compus. aceeaşi conexiune este realizată cu două tranzistoare complementare (T1 –npn. i S = i C1 + i C 2 (2. iC1 şi iC2. În figura 2. conduce T1 iar T2 este blocat şi. iar al doilea este un tranzistor de putere (T1). pentru ca amplificarea celor două alternanţe să se facă în cantităţi egale (amplitudini egale).13) În schema prezentată este necesar ca tranzistoarele să aibă caracteristici statice identice. Amplificator de putere amplificatorul în clasă B Figura 2.46 Capitolul 2 sinusoidal (ca cel de intrare).18.15) Din ultima relaţie se observă că tranzistorul compus realizează o amplificare în curent mare. β N = β N1 + β N2 + β N1 β N2 ≅ β N1β N2 . Randamentul acestui amplificator în clasă B este de circa (70÷75)%. Cei doi curenţi de colector. figura 2. Curentul de sarcină pentru din figura 2.

două ieşiri nesimetrice (Ue1 şi Ue2). . .3. care asigură tensiunile U1 şi U2. Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea directă între etajele de amplificare. ca urmare. Ele sunt utilizate în construcţia aparatelor de măsură şi automatizare.3 Amplificatoare de curent continuu Acestea sunt destinate amplificării semnalelor lent variabile care au frecvenţa minimă din spectru egală cu zero.Amplificatoare şi oscilatoare 47 Figura 2. rezultă în timpul funcţionării un fenomen numit ”deriva nulului” (sau derivă termică).20 este prezentat etajul de amplificare în montaj diferenţial.o ieşire simetrică între bornele AB (Ue ≡UAB).19. Conexiune Darlington: fără schimbare de polaritate 2. Figura 2. Acest fenomen constă în modificarea în timp a tensiunilor la ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea acestuia semnalul se menţine constant sau este nul.două intrări simetrice Ui1 şi Ui2 . 2.20. Etaj de amplificare diferenţial .două divizoare de tensiune la intrări. b) utilizarea schemei de amplificare care se bazează pe principiul modulăriidemodulării. unde se disting: .1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial În figura 2. . Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizează două metode: a) folosirea unui montaj diferenţial în schema de amplificare.

dar iC2 ≈ iE2 ↑. . În figura 2. considerând aceste semnale neegale (Ui1 ≠ Ui2). deci iB1 ↓ ⇒ iC1 ↓ (scade) ⇒ Ue1 ↑(creşte) Concluzie: Cele două tensiuni la ieşirile nesimetrice Ue1. Ui2 ≠ 0 (Ui2 ↑) Dacă Ui2 ↑.16) (2. ⇒ iB2 ↑ ⇒ iC2 ↑ ⇒ Ue2 ↓. figura 2. ceea ce conduce la scăderi ale tensiunilor Ue1 şi Ue2 în cantităţi egale. ↓ ≡ scade. Cazul I: Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitele de emitor rezultă ecuaţiile: Ui1 ≠ 0 (Ui1 ↑) Ui2 = 0 ⇒ U2 = const. ⇒ (2. Tensiunile de ieşire ale amplificatorului diferenţial Observaţii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dublă faţă de pantele caracteristicilor referitoare la ieşirile simetrice.17) ⇒ U BE 2 ↓ ⇒ iB2 ↓ ⇒ iC2 ↓ ⇒ Ue2 ↑ Cazul II. tensiunea la ieşire va fi dată de relaţia: Ue=K⋅(Ui1-Ui2).18) U BE1 ↓. Ue2 au variaţii opuse în raport cu creşterea semnalului la una dintre intrările amplificatorului. În acest caz rezultă: iC1 creşte şi iC2 creşte.22-a se dă schema unui etaj diferenţial. din (2. Ui1= 0 ⇒ U1= const.48 Capitolul 2 Explicarea atenuării fenomenului de derivă: considerăm Ui1=Ui2=constant şi că temperatura T creşte. Figura 2. Dacă se aplică simultan semnale la ambele intrări. Aceste variaţii sunt ilustrate în planul caracteristicilor de transfer. din (2.16).17) Dacă iE1 ↑. unde K este factorul de amplificare pentru montajul diferenţial. Dacă Ui1 ↑ ⇒ iB1 ↑ ⇒ iC1 ↑ ≈ iE1 ↑ ⇒ Ue1 ↓ U BE1 = U1 − R E (i E1 + i E 2 ) U BE 2 = U 2 − R E (i E1 + i E 2 ) (2.21. având ca elemente de echilibrare potenţiometrul P şi reostatul R. rezultând o tensiune constantă la ieşirea simetrică (Ue =UAB=const).21. Funcţionarea în regim de amplificator Pe parcursul explicaţiilor se utilizează notaţiile simbolice: ↑ ≡ creşte.

iar cu ajutorul reostatului R se deplasează caracteristicile pe verticală.22-b). Când reacţia negativă este necesară în amplificatoare. Figura 2. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie negativă de tensiune . Prin ajustarea potenţiometrului P se deplasează caracteristicile pe orizontală. Există însă şi situaţii în care reacţia negativă apare accidental. Se consideră un amplificator cu reacţie negativă de tensiune. până când se obţine echilibrarea amplificatorului (intersecţia caracteristicilor statice are loc în originea axelor de coordonate).Amplificatoare şi oscilatoare 49 S-a considerat iniţial că etajul nu este echilibrat. adică intersecţia caracteristicilor statice nu are loc în origine (figura 2. fiind determinată de cuplaje parazite.23. Exemplu: Prin creşterea rezistenţei R curentul iC ≅ iE1+iE2 se micşorează.22. prin intermediul unei legături inverse (ieşire-intrare). a cărui schemă bloc este prezentată în figura 2. 2. determinând o deplasare în sus a caracteristicilor. iar tensiunea de ieşire comună creşte. b) deplasarea caracteristicilor statice. acesta se realizează prin circuite specializate (dimensionate în faza de proiectare). Echilibrarea etajului diferenţial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare.23. Figura 2.4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei Reacţia – în cazul amplificatoarelor – constă în aplicarea (introducerea) la intrarea acestuia a unei părţi din energia mărimii de la ieşire.

28) şi împărţind membrul drept prin A. Amplificarea unui amplificator cu reacţie pozitivă de tensiune este dată prin relaţia: Ar = A 1−β⋅A (2. Conform figurii 2.19) unde: Ue .21) unde: Ur este tensiunea de reacţie.23 acest factor este exprimat prin relaţia: Ar = Ue Ui (2. de obicei. se obţine: Ue U +β e =1 A ⋅ Ui Ui Ţinând seama de expresia lui Ar (2.Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacţie de tensiune. U .21) se obţine: Ue + β ⋅ Ue = Ui A Împărţind ultima relaţie la U i .20).este tensiunea la intrarea amplificatorului fără reacţie.23).este tensiunea la ieşirea amplificatorului. printr-o reţea de elemente pasive şi este caracterizat prin factorul de reacţie β: β= Ur Ue (2.23) Din relaţiile (2. Dacă circuitul de reacţie este format numai din rezistoare atunci β este un număr real. din relaţia precedentă se obţine: (2. Reacţia pozitivă se obţine când tensiunea Ue de la ieşire este în fază cu semnalul U. se pot scrie următoarele ecuaţii: U + U r − Ui = 0 (2.25) Ar + β ⋅ Ar = 1 A A 1+β⋅A (2.A este factorul de amplificare al amplificatorului fără reacţie.50 Capitolul 2 Semnificaţiile notaţiilor din figură sunt: .28) Pornind de la relaţia (2. (2. exprimat prin relaţia: A= Ue U (2.27) În cazul reacţiei negative semnalul de la ieşire (Ue) este în antifază cu semnalul de la intrare (U).26) Rezultă că.22) Ur = β ⋅ Ue (2.20) unde: U i este tensiunea aplicată la intrare.19). Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare şi cel de reacţie (figura 2. pentru cazul reacţiei negative de tensiune (figura 2.23).20) şi (2.24) (2. rezultă: . . Circuitul de reacţie este realizat. amplificarea este exprimată prin relaţia: Ar = (2.

4) impedanţa de intrare Zi → ∞. Amplificatorul inclus în structura oricărui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenţial integrat). 6) 1ăţimea benzii de trecere B → ∞.29) Pentru A→ ∞ . Observaţie: Datorită avantajelor oferite de reacţia negativă. 2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabilă. fiind conceput să funcţioneze într-o gamă largă de frecvenţe. 5) impedanţa de ieşire Ze → 0. Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaţii de calcul simple. Uieşire=0 în orice moment în care la intrare nu se aplică semnal). • Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului. • 2.Amplificatoare şi oscilatoare 51 Ar = 1 1 +β A 1 β (2. 3) curentul de polarizare pe cele două intrări neglijabil. • Se modifică favorabil impedanţele intrare-ieşire. AO este caracterizat de o amplificare foarte mare. • Se micşorează distorsiunile de neliniaritate. integrare. majoritatea amplificatoarelor utilizează acest tip de reacţie. Principalii parametri idealizaţi sunt: 1) amplificarea în buclă deschisă A0 → ∞. Cele mai utilizate scheme cu AO sunt: . în funcţie de structura circuitului de reacţie aferent amplificatorului. astfel încât amplificarea cu reacţie să rezulte la valoarea impusă. proprietate foarte utilă în echipamentele de măsură şi de automatizare. (foarte mare) rezultă: A r ≅ (2. scădere. Relaţia (dependenţa) intrare-ieşire poate fi liniară sau neliniară. diferenţiere etc). Un AO foloseşte reţele de reacţie a căror structură (rezistenţe şi capacităţi) permite realizarea unor operaţii matematice (adunare.30) Consecinţele reacţiei negative în amplificatoare: Se micşorează amplificarea A. • Creşte lăţimea benzii de trecere. Amplificatoarele operaţionale se clasifică după natura relaţiei intrare-ieşire. iar erorile introduse sunt în limitele admise.5 Amplificatoare operaţionale Un amplificator operaţional (AO) este un amplificator la care cuplarea între etaje se face direct. dar acest lucru nu reprezintă un inconvenient prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A mai mare decât cea dorită. • Creşte stabilitatea în timp a amplificării. • Se ameliorează (îmbunătăţesc) parametrii calitativi ai amplificării. 7) variaţia defazajului Δϕ ≅ 0.

37) 2) Amplificator operaţional în montaj neinversor – realizează înmulţirea tensiunii de intrare cu o constantă pozitivă supraunitară.35) Ue U =− i R1 Ro sau U e = − R1 Rezultă: Ue= . Schema de principiu a unui AO în montaj inversor Figura 2.26.34) şi (2. i ≅ 0 ş i U ≅0 (2.27.31) Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare.25. Ro ⋅ Ui .36) obţine: Ţinând cont de (2. Schema de principiu este prezentată în figura 2.31) se obţine: i1 ≅ Din (2. Simbolizarea unui AO neinversor . Simbolizarea unui AO inversor Întrucât amplificatorul de curent continuu are impedanţa de intrare şi amplificarea în circuit deschis foarte mari. iar simbolizarea este prezentată în figura 2.33) Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicată în nodul de curenţi M rezultă: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată în circuitul de ieşire rezultă: i = io + i1 . Figura 2.realizează înmulţirea cu o constantă şi inversarea semnului tensiunii de intrare. rezultă: Ui=Roio+U (2.K Ui . ⇒ io ≅ − i1 Ue=R1i1+U Ue R1 se (2. pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui) se consideră ipotezele: Z i → ∞ .52 Capitolul 2 1) Amplificator operaţional în montaj inversor . (2.33). unde K = R1/Ro (2. Schema electrică a acestui amplificator este dată în figura 2. Schema de principiu a unui AO în montaj neinversor Figura 2.27.25. iar schema simbolică este dată în figura 2. Figura 2.26.32) Ţinând seama de (2.35) (2.24.34) (2.24.31) se obţine: i o ≅ Ui Ro (2.

+ i0n i0= .31).Amplificatoare şi oscilatoare Utilizând aceleaşi ipoteze din (2. iar simbolizarea este dată în figura 2. conduce la relaţiile: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire se obţine: i0=i01 + i02+ . adică Zi → ∞ .45) componentele curentului i0 din relaţia (2. aplicată în cele două noduri de curenţi.. utilizat frecvent ca element de adaptare..29. cu semn schimbat. Schema de principiu a unui AO în montaj sumator-inversor AO Figura 2.40) Observaţie: Pentru R0 → ∞ şi R1 = 0 se obţine circuitul repetor.45) i1=Ue/R1 sau Înlocuind în (2.31). se obţine: Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ .38) Neglijând mărimile U şi i.. U≅0..42) (2. Figura 2.39) unde: K =1+ R1 Ro (2.38) rezultă expresia caracteristicii externe: Ue = K⋅Ui (2.28. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2.46) ... i on = in R 01 R 02 R 0n (2. i ≅ 0. Simbolizarea unui sumator-inversor Considerând aceleaşi ipoteze din (2..44) (2. întrucât asigură rezistenţa de intrare foarte mare şi rezistenţa de ieşire mică. a tensiunilor de intrare.29. 3) Amplificatorul sumator-inversor realizează suma ponderată..43) (2.i1 Ue = −i 0 R1 (2.41) Teorema I-a a lui Kirchhoff.28. din (2.41).31) şi aplicând aceeaşi procedură se obţin: 53 ⎧ R 0i 0 + U + U i = 0 ⎪ ⎨U e + R 0i 0 − R1i1 = 0 ⎪ i = i 0 + i1 ⎩ (2. +KnUin) (2. i o 2 = i 2 . se determină (utilizând legea lui Ohm) curenţii prin rezistoarele conectate la intrările amplificatorului: i o1 = U i1 U U . conform relaţiei (2.

49) Ţinând seama de ipotezele (2. ∑ K jUij (2. tensiunea de ieşire se poate exprima prin relaţia: ∫ Uidt sau U e = − Ti 1 ∫ Ui (τ)dτ + U e (0) (2... dacă valoarea rezistenţei R este exprimată în ohmi.47): n j=1 4) Amplificatorul integrator-inversor furnizează la ieşire un semnal proporţional cu integrala tensiunii aplicate la intrare. Dacă timpul de integrare nu este limitat. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2.31. unde K = ∫ 1 1 = Ti RC (2.48).48) Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire rezultă: Ue = 1 CR 1 i1dt +U C ∫ (2.. . utilizând dispozitive electronice active.30.31.6 Oscilatoare Acestea sunt circuit care.31). Tensiunea Ue(0) se figurează la borna de ”condiţie iniţială” (figura 2. Simbolizarea unui AO în integrator-inversor Utilizând aceleaşi ipoteze (Zi → ∞ . Ue(0)=0 dacă condensatorul este descărcat la momentul aplicării semnalului de intrare şi Ue(0)≠0 dacă condensatorul este încărcat la momentul aplicării semnalului de intrare. se obţin relaţiile: Ui = R⋅i0 şi i0 = -i1 (2. generează semnale periodice de forma: U(t)=U⋅sin(ωt) sau de orice altă formă.51) 2. din (2. exprimat în secunde. U≅0) şi procedând similar. Schema de principiu a unui AO montaj integrator-inversor Figura 2.47) Figura 2.30. iar simbolizarea este dată în figura 2. caracteristica de transfer se poate exprima prin relaţia (2.31) şi relaţiile (2.54 unde Capitolul 2 K1 = R1 R R . Ti=RC este timpul de integrare. i ≅ 0. K 2 = 2 . Atunci când . iar capacitatea C se exprimă în farazi.50) U e = − K U i dt + U e (0) . K n = n R 01 R 02 R 0n Ue = − În general.49) rezultă: t Ue = − 0 Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din circuitul de reacţie) în momentul aplicării semnalului de intrare (t=0).

figura 2.32. figura 2. Figura 2. Semnalul produs de circuitul LC Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie care determină stingerea. .33-a. tiristorul etc).Amplificatoare şi oscilatoare 55 semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numeşte armonic. iar R este conductanţa de pierderi a condensatorului.52) Semnalul U(t). Pierderile de energie care duc la micşorarea amplitudinii se datorează lui r şi R. Figura 2.34. În acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare care să funcţioneze în regiunea de rezistenţă negativă (dioda tunel.33-b. controlate prin curenţi sau prin tensiune. Schema echivalentă a circuitului oscilant anterior este ilustrată în figura 2. se va amortiza în timp (îşi micşorează amplitudinea) datorită pierderilor de energie prin rezistenţa electrică echivalentă a circuitului capacitiv-inductiv (L-C).33-a. Circuit oscilant LC Figura 2. Figura 2. semnalul util produs de oscilator.33-a Pentru a realiza oscilaţii întreţinute (cu amplitudine constantă). cu energie adusă din exterior prin intermediul unor rezistenţe negative. Sub acţiunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau naştere oscilaţii armonice având frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă dată de relaţia: f0 = 1 2π LC (2.32. în circuitul oscilant real este necesar să se recupereze (compenseze) energia pierdută.33-b. Schema de principiu a unui oscilator Principiul de întreţinere a oscilaţiilor Se consideră circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C în paralel cu o inductivitate L. Schema echivalentă a circuitului oscilant LC din figura 2. adică amortizarea oscilaţiilor.34. Schema de principiu este prezentată în figura 2. unde: r este rezistenţa electrică a bobinei care are inductanţa L.

Rezultă că reţeaua de reacţie trebuie să introducă un defazaj nul.. ϕβ este defazajul dintre semnalul de reacţie ( U r ) şi semnalul de ieşire ( Ue ).. dacă produsul βA tinde la valoarea 1. unde: A = A ⋅ exp( j ⋅ ϕ A ) şi β = β ⋅ exp( j ⋅ ϕβ ) (2. Cele mai utilizate oscilatoare cu reacţie de tip LC sunt oscilatoarele în trei puncte. Acestea au calea . Oscilatoarele pot fi realizate şi cu amplificatoare ce au reacţie pozitivă.35-c) şi semnalul de intrare ( U i ).53) Prin ϕA s-a notat defazajul dintre semnalul de ieşire ( Ue . Condiţia întreţinerii oscilaţiilor implică respectarea a două principii: a) respectarea relaţiei lui Barkhausen (de autooscilaţie).54) Relaţia (2. 1. β ⋅ A = 1 . Producerea oscilaţiilor întreţinute prin anularea rezistenţei din circuit cu ajutorul unor rezistenţe dinamice negative. c)Schema bloc a unui oscilator cu reacţie Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistenţe negative. este un fapt real şi o metodă utilizată în proiectarea oscilatoarelor.53) arată că defazajul total introdus de amplificator şi circuitul de reacţie trebuie să fie un multiplu întreg de 2π.34). sau un defazaj de 1800. care arată că produsul în modul al amplitudinilor trebuie să fie egal cu unitatea. la care amplificarea complexă este: A r = A . Figura 2.35-b. deci semnalul de reacţie trebuie să fie în fază cu semnalul de intrare. 1 − βA În acest caz. atunci A r → ∞ . b) respectarea condiţiei de fază: ϕ A + ϕβ = 2kπ . dacă defazajul amplificatorului este 2kπ (cu un număr par de etaje).56 Capitolul 2 Caracteristica statică a diodei tunel şi respectiv a tiristorului sunt date în figura 2. . n (argumentul lui Acomplex + argumentul lui βcomplex = 2kπ) adică: arg A + arg β = 2kπ (2. dau o rezistenţă echivalentă egală cu zero. b) Caracteristica curent-tensiune a tiristorului. oscilatoarele pot fi: 1) oscilatoare de tip amplificator cu reacţie pozitivă. dacă defazajul amplificatorului (cu număr impar de etaje) este (2k+1)π. k=0.35-a şi 2. 2.35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel. Oscilatoarele cu reacţie pot fi de tip LC sau RC.figura 2.. După modul de realizare. 2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistenţe negative (oscilatoare de relaxare). care însumate cu rezistenţele r şi R (figura 2.

Schema de principiu a oscilatorului cu reţea RC . alimentarea este serie iar sarcina este cuplată inductiv. automatizări.55) ϕ t = 3 ⋅ Δϕ = π Frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă se poate calcula folosind relaţia: (2.37. Δϕ = arctgRC = Se obţine un defazaj total al semnalului de reacţie. aparatură electromedicală etc) fiind specifice benzilor de joasă frecvenţă. Schema de principiu a oscilatorului Hartley La acest oscilator emitorul este legat la masă.36. egal cu π (180o): π 3 (2. Defazajul fiecărei celule este de 60o. Oscilator având reţea RC (reţea de defazare trece-jos) Aceste oscilatoare au o largă utilizare în diferite domenii ale electronicii industriale (telecomunicaţii.Amplificatoare şi oscilatoare 57 de reacţie formată dintr-un circuit LC selectiv (care reprezintă un filtru cu trei borne de acces).36. formată din trei celule RC.57) Figura 2.56) f0 = 1 6 + 4R / R C 2πRC (2. În figura 2. Exemple de oscilatoare în trei puncte Oscilatorul Hartley (realizat cu reţea de defazare trece sus). are schema de principiu prezentată în figura 2. Figura 2. În timpul funcţionării singurul condensator care nu este scurtcircuitat este condensatorul variabil C.37 este prezentată schema electrică a unui oscilator având reţea de defazare ”trece jos”.

Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o sarcină rezistivă (rs = 4 Ω). Ce se înţelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se înţelege prin tensiune de zgomot (Uz) în cazul redresoarelor cu filtre ? 3. integrator şi ce se poate măsura la această bornă ? 7. Care este deosebirea între un AO inversor şi un AO integrator – inversor? (Utilizaţi schemele electrice !) 9. Ce diferenţă există între caracteristicile A[dB] = g(f) în cazurile: a) amplificatoare de radiofrecvenţă ? b) amplificatoare de audiofrecvenţă ? 5.O. Ce formă de variaţie are tensiunea UCE la ieşirea unui etaj de amplificare în clasă B. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. Ce este reacţia negativă în cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obţine practic reacţia negativă? 2.58 Capitolul 2 2. Re = 80 KΩ ? 8. Când apar distorsiunile de frecvenţă la amplificatoare şi cum se elimină acestea? 4. Ce semnifică borna de condiţie iniţială în cazul A. ştiind că amplificatorul în clasă A are rezistenţa de ieşire. Când un tiristor funcţionează ca şi o diodă ? Care este schema şi denumirea celui mai simplu amplificator de putere ? . Ce sunt distorsiunile de neliniaritate în cazul amplificatorului de joasă frecvenţă şi cum se elimină acestea ? 12.7 Întrebări 1. Ce este deriva termică (deriva nulului) în cazul amplificatoarelor de curent continuu şi cum se atenuează aceasta ? 11. Re = 40 KΩ ? 10. realizat cu un singur tranzistor? 6.

Dacă mutatorul funcţionează în regim de redresor.c. în energie electromagnetică debitată la ieşire.) – fie în regim de redresor. mutatorul se mai numeşte convertor static de frecvenţă şi poate fi realizat în două variante: cu circuit intermediar de c.c. în ambele sensuri. (figura 3. Pentru convertorul cu circuit intermediar. în curent continuu (c. la reţeaua de c. Mutatoarele transformă. Convertorul de c.c. de frecvenţă f1. El poate fi: cu circuit intermediar de c. cu alţi parametri.2-c) se mai numeşte variator de c. Mutatoarele din această categorie stau la baza sistemelor de acţionări recuperative cu maşini de c.a.). transferul energetic se face într-un singur sens. fie în regim de invertor (neautonom). converteşte frecvenţa sau amplitudinea curentului alternativ. obţinându-se transferul energetic (recuperarea) de la reţeaua de c. după cum urmează. În regim de frânare.2-a) şi sub formă de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3. când maşina electrică lucrează ca generator de c. Convertorul de c. În schemele din figura 3.1-a şi b. prin elemente neliniare unidirecţionale (diode. Convertorul care modifică amplitudinea tensiunii de c. În primul caz. tensiunea .a. numite mutatoare.1-b).2-b).c. energia electromagnetică primită la intrare. (figura 3. comanda mutatorului poate asigura funcţionarea acestuia în regim de invertor (neautonom). (figura 3. (figura 3. Este însă posibil ca aceeaşi schemă de mutator să funcţioneze – în funcţie de condiţiile de lucru (comanda primită. Redresorul este un circuit electronic care transformă curentul alternativ (c.).c.1-c). Invertorul transformă curentul continuu în curent alternativ (figura 3. polaritatea tensiunii continue etc. furnizează la ieşire o tensiune continuă diferită de cea de la intrare.a. numit şi variator de c.c. maşina electrică funcţionează ca motor şi transferul energetic se face de la reţeaua de c.a.1 Noţiuni generale Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clasă mai largă de echipamente electrice. tiristoare etc). Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor îl reprezintă funcţiile realizate de acestea.a. figura 3.1-a.. Transferul energetic se poate face. cu anumiţi parametri.CAPITOLUL 3 REDRESOARE 3.3-a) sau direct. Frecvenţa f2 a curentului alternativ poate fi variabilă (în cazul invertoarelor autonome) sau fixată la o anumită valoare. de regulă 50 Hz (când se numesc invertoare de reţea sau neautonome). (figura 3. în acest caz.3-b).a.c.c.

a. când condiţia de comutaţie naturală nu este respectată. Comutaţia forţată externă se întâlneşte în redresoarele comandate. elemente de conducţie unidirecţională numite şi “ventile” semiconductoare (diode şi/sau tiristoare). Figura 3. când valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care preia conducţia este întotdeauna mai mare decât valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care cedează conducţia. mutatorul are comutaţie (forţată) de la sarcină. • Mutatoare având comutaţie forţată. dincolo de momentul comutaţiei naturale. utilizează. când energia reactivă este preluată din exterior. Prelungirea conducţiei unui ventil.1. Mutatoarele care funcţionează cu intrarea şi/sau ieşirea în c. după cum transformatorul este coborâtor. Dacă această energie provine de la reţea.a.c. Trecerea conducţiei de la un ventil la altul se numeşte comutaţie. După provenienţa acestei energii. respectiv ridicător de tensiune. După modul de realizare a comutaţiei. Convertor de c.3. presupune – de regulă – un consum de energie reactivă din exterior. Figura 3.. invertoare neautonome şi . ƒ Mutatoare având comutaţie proprie. Mutatoare Figura 3. pe fiecare fază a reţelei de c. Dacă energia este dată de circuitul sarcinii (de la ieşire). când energia reactivă necesară este furnizată de însuşi mutatorul respectiv. Convertoare statice de c. mutatoarele care au comutaţie forţată pot fi: ƒ Mutatoare având comutaţie externă. Mutatoarele care au comutaţie naturală sunt redresoare cu diode. funcţionarea acestor elemente este ciclică. mutatoarele se împart în următoarele categorii: • Mutatoare având comutaţie naturală. mutatorul va avea comutaţie (forţată) de la reţea.60 Capitolul 3 de ieşire (U2) poate fi mai mică sau mai mare decât tensiunea de intrare (U1). În majoritatea mutatoarelor.a.2.

Stabilizatorul de tensiune continuă. în care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de “blocare” forţată: invertoare autonome. Comutaţia proprie este specifică unei categorii de mutatoare. deci ur = u2. cu valoare de asemenea impusă. care are o componentă continuă (utilă) şi o componentă alternativă. Redresorul R este elementul esenţial al schemei. necesară obţinerii tensiunii continue U0. datorită polarizării inverse. Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativă din înfăşurarea primară la valoarea U2 (în secundar). U0.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere Redresoarele monofazate se utilizează. etc.2 Redresoare monofazate necomandate 3. Aceste circumstanţe au determinat includerea în capitolul de mutatoare a redresoarelor de mică putere realizate sub forma redresoarelor monofazate. la bornele sarcinii Rs. Diagramele tensiunilor u2. definind un domeniu cunoscut sub numele ”electronică de putere”. Figura 3. . Filtrul F are rolul de a diminua componenta alternativă din tensiunea redresată. dioda D (care reprezintă redresorul) este polarizată în sens direct şi conduce. are rolul de a menţine constantă tensiunea U0 (stabilizatoarele vor fi prezentate în capitolul 4). precum şi tratarea lor specifică. la puteri mici. Sub aspectul funcţiei realizate. toate redresoarele se încadrează în categoria mutatoarelor. în condiţiile cunoaşterii tensiunii de alimentare U1.c. 3. într-un paragraf distinct.5-a. de la ieşirea filtrului se poate modifica. În figura 3. fie din cauza modificării rezistenţei de sarcină Rs.2. fie din cauza variaţiei tensiunii de alimentare U1. conectat între filtru şi sarcină. Schema bloc a unui redresor monofazat de mică putere 3. Tensiunea continuă. mutatoarele reprezintă circuite electronice de putere.4 este dată schema-bloc a unui redresor monofazat de mică putere.5-b. variatoare de c. STC. În acelaşi timp.2. Scopul urmărit este de a obţine o tensiune continuă. În timpul semialternanţei negative.Redresoare 61 convertoare directe de frecvenţă. dioda este blocată şi ur = 0. de regulă. de valoare impusă.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă Schema redresorului monofazat monoalternanţă este dată în figura 3. ur şi a curentului prin sarcină sunt date în figura 3. U0. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u 2 = 2U 2 sin ωt .4. La ieşirea lui se obţine tensiunea redresată ur.

iar în intervalul [π.4) π 2 2 ⋅ U 2 [− cos(ωt )] = ⋅ U 2 ≅ 0. deci este periodic şi pulsatoriu.1) Figura 3. 2π]. ur= 1 U0 = ⋅ 2π = ∫ 0 1 u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = ⋅ 2π ∫ 0 π 2U 2 sin(ωt ) ⋅ d (ωt ) = (3.2) Înlocuind valoarea perioadei (T = printr-o sumă de două integrale. atunci tensiunea redresată se poate exprima prin relaţia: ∞ (3.3) se obţine: π [0. exprimat prin relaţia: ir = ur Rs (3.6) u r (ωt ) = U 0 + ∑ 2U n sin( nωt + ϕ n ) n =1 .62 Capitolul 3 Se observă că tensiunea redresată ur este o tensiune periodică pulsatorie având perioada T = 2π. Tensiunea redresată conţine o componentă continuă (U0) şi o componentă alternativă (u~): ur = U0+ u~ (3. Redresor monofazat monoalternanţă Componenta continuă U0 este egală cu valoarea medie a tensiunii redresate şi se calculează cu relaţia: T U0 = 1 ⋅ T ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) 0 (3.3) ⎥ 2π ⎢ 0 π ⎣0 ⎦ ∫ ∫ Din diagramele tensiunilor (figura 3.5) Dacă se doreşte exprimarea detaliată a componentei alternative (u~). integrala din (3.5-b) se observă că în intervalul u2. ur= 0. π]. astfel: 2π ⎡π 2π). Din relaţia (3.2) se poate exprima 1 U0 = ⋅ T ∫ 2π ⎤ 1 ⎢ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = u r (ωt ) ⋅ d (ωt ) + u r (ωt ) ⋅ d (ωt )⎥ (3.45 ⋅ U 2 2π π 0 Curentul redresat prin rezistenţa de sarcină este proporţional cu tensiunea ur .5.

(3.8) an = 1 π ∫ 0 u r (ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 π = 1 bn = π = 2π ∫ 0 π (3.9) şi (3. În cazul analizat coeficientul de redresare Kr este: Kr = U0 U2 = 0.12) Ponderea componentei alternative în tensiunea redresată se poate evalua prin factorul de formă. an şi bn din relaţiile (3. şi factorul de ondulaţie. 2π 1 = 2π ∫ π 2U 2 sin(ωt ) d (ωt ) = 2 U 2 ≅ 0. ur.⎟ .7) coeficienţii b0..Redresoare 63 unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n. γ.7) u r (ωt ) = b 0 + ∑ a n sin( n ⋅ ωt ) + ∑ b n cos(n ⋅ ωt ) n =1 n =1 Coeficienţii seriei Fourier se definesc prin: T 2π ⎡π ⎤ 1 b0 = U0 = T ∫ 0 u r ( ωt ) d ( ωt ) = 1 ⎢ u ( ωt ) d ( ωt ) + u r ( ωt ) d ( ωt ) ⎥ = ⎥ 2π ⎢ r ⎢0 ⎥ π ⎣ ⎦ ∫ ∫ 0 Se observă că valoarea componentei continue (U0) este exprimată de coeficientul b0 al seriei Fourier. iar coeficienţii an şi bn se pot calcula utilizând relaţiile (3.10) Înlocuind în relaţia (3.10).10) se obţine: u r ( ωt ) = 2U 2 ⎛ 2 2 π ⎞ cos(2 ωt ) − cos(4 ωt ) − .6) se poate scrie sub forma trigonometrică a unei serii Fourier şi devine: ∞ ∞ (3. iar ϕn – faza iniţială a armonicii de ordinul n. Relaţia (3.45 (3. şi componenta continuă U0 : . 2 π n −1 ∫ 0 π sin(ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d(ωt ) = (3. (3. F.45 U 2 π (3..9) sin( ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d ( ωt ) 2U 2 π ∫ 0 u r (ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 −2 ⋅ .8). Factorul de formă este raportul dintre valoarea eficace a tensiunii redresate.9) şi (3.11) ⎜1 + sin(ωt ) − 2 1⋅ 3 π ⎝ 3⋅5 ⎠ Raportul dintre tensiunea continuă pe sarcină şi valoarea eficace a tensiunii din secundar se numeşte coeficient de redresare.

… ..6-c. La redresorul monoalternanţă avem: 1T 2 1 π 2 2 2 Ur = u r ( ωt ) d ( ωt ) = 2U 2 sin (ωt ) d (ωt ) = U (3. iar diodele D1 şi D3 sunt blocate.19) Aceasta determină o anumită putere aparentă.6-a. cu atât ponderea componentei alternative în tensiunea redresată este mai mică. Redresorul în punte are schema din figura 3..3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă Redresoarele dublă alternanţă se realizează după două scheme: cu transformator având priză mediană în secundar. Schema redresorului având transformator cu priză mediană este dată în figura 3. (3.14) ∫ ∫ T0 2π 0 2 2 F= 2 U 2 2 π π = = 1. U∼ .. 3. Cunoscând valorile eficace Un ale armonicilor de ordin n = 1. Cele două secţiuni ale înfăşurării secundarului transformatorului sunt identice ' " şi deci u 2 = − u 2 .15) Factorul de ondulaţie se defineşte ca raportul dintre valoarea eficace a componentei alternative.. 2.2.64 Capitolul 3 F= ur U0 (3.211. U P0 = U 0 I 0 = 0 Rs 2 (3. . Diodele D1 şi D2 conduc alternativ. valoarea eficace U∼ este: 2 2 U∼ = U1 + U 2 + .18) În cazul redresorului monoalternanţă se obţine Puterea în curent continuu este: γ = 1.16) sau 2 2 U∼ = U r − U 0 (3. astfel încât tensiunea redresată şi curentul prin sarcină au forma din figura 3. D2 şi D4 fiind blocate. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 . sau utilizând schema de redresare în punte.13) Cu cât F este mai apropiat de unitate.7.17) şi rezultă U γ = ~ = U0 U1 + U 2 + . necesară transformatorului. şi componenta continuă. În semialternanţa negativă conduc diodele D2 şi D4 .57 2 2 U2 (3. = U0 2 2 U r − U0 = U0 2 2 ⎛ Ur ⎞ ⎜ ⎟ −1 = ⎜U ⎟ ⎝ 0⎠ 2 F −1 2 (3.

23 P0. Expresia analitică a tensiunii redresate.9). Astfel. c) diagrama tensiunii şi a curentului redresat Figura 3. De asemenea.482. b) diagrama tensiunilor din secundar. pe o perioadă a tensiunii u2 este: ⎧ ⎡ T⎤ 2 U sin( ω t ) pentru t ∈ 0. Comparând cele două scheme de redresare dublă alternanţă se pot reţine următoarele: • pentru aceeaşi putere P0 în sarcină.Redresoare 65 Figura 3. puterile aparente în înfăşurarea secundară şi înfăşurarea primară ale transformatorului se micşorează.7. Redresor dublă alternanţă folosind transformator cu priză mediană: a) schema.6. 2 ⎪ ⎢ ⎣ 2⎥ ⎦ ⎪ ur = ⎨ ⎪− 2U sin(ωt ) pentru t ∈ ⎡ T . cu deosebirea că în acest caz perioada este egală cu durata unei semialternanţe (T = π).9 ⋅ U 2 π (3.11.3) ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. T ⎤ 2 ⎢ ⎪ ⎣2 ⎥ ⎦ ⎩ (3. Redresor dublă alternanţă în punte Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă.21) Coeficientul de redresare este dublu faţă de schema monoalternanţă (Kr = 0. tensiunea şi curentul prin sarcină au două componente: o componentă continuă (U0 .20) Componenta continuă a tensiunii redresate (U0) se calculează cu aceeaşi relaţie (3. iar la schema în punte. iar componenta continuă este: U0 = 2 2 ⋅ U 2 ≅ 0. pentru schema cu priză mediană. γ = 0. puterea aparentă necesară a transformatorului este mai mare la schema cu punct median. ST = 1. . pentru o putere P0 dată.48 P0. iar factorul de formă şi coeficientul de ondulaţie se ameliorează: F = 1. respectiv I0) şi o componentă alternativă. puterea de calcul a transformatorului este ST = 1.

1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este dată în figura 3. Din relaţia anterioară rezultă căderea de tensiune (ua) pe dioda în conducţie: Presupunem că în momentul aplicării tensiunii de alimentare.22) u2 = ua + uc Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este în acelaşi timp. ur. tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină (us) cât şi tensiunea după elementul redresor. pentru aceeaşi tensiune redresată este de două ori mai mare la schema cu punct median faţă schema de redresare în punte (deoarece tensiunea inversă ce apare în momentul blocării diodelor se distribuie pe două diode).66 Capitolul 3 • • la schema în punte.CLC sau CRC 3. c) tip π . Funcţionarea ei se poate urmări în diagrama din figura 3. tensiunea inversă maximă pe diode. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului. rezultă o cădere de tensiune pe diode dublă faţă de schema cu punct median. datorită conducţiei în permanenţă a două diode.2. (uc).2.9-a. Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din figura 3.8. 3. (u2 > uc) şi deci ua > 0. Figura 3.8.9-b. este necesară diminuarea componentei alternative din tensiunea redresată. condensatorul C este descărcat.4 Filtrarea tensiunii redresate Pentru obţinerea unei tensiuni cu factor de ondulaţie mic la bornele rezistenţei de sarcină. rezultă: (3. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea bobinelor de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului şi o reactanţă mare pentru componenta alternativă din curentul redresat. de a şunta armonicele de ordin superior. cât şi pe proprietatea capacităţilor mari (conectate în paralel cu sarcina). Se observă că în intervalul (0 … ωt1) tensiunea din secundarul transformatorului (u2) este mai mare decât tensiunea la bornele condensatorului ua = u2 – uc. b) inductiv-capacitiv. Tipuri de filtre: a) capacitiv. Parametrul principal care le caracterizează este factorul de ondulaţie al tensiunii de la ieşire.4. Dioda conduce şi condensatorul se încarcă prin . cu ajutorul filtrelor.

deci condensatorul se încarcă rapid. Ri.23) [ 2 U 2 sin(ωt ) = ω C 2 U 2 cos(ωt ) 2 U2 sin(ωt ) Rs ] (3. depind mult de valoarea rezistenţei de sarcină. În intervalul de conducţie secundarul transformatorului şi diodă. care – la rândul lor – sunt determinate de mărimile C şi Rs. Constanta de timp de descărcare a condensatorului este Td = RsC şi este relativ mare (pentru că Rs este mai mare decât Ri).25) . Valoarea tensiunii continue U0. tensiunea uc scade lent. precum şi amplitudinea componentei alternative.24) (3. Micşorarea rezistenţei de sarcină (Rs) are ca efect creşterea curentului de sarcină (Is) şi ca urmare tensiunea U0 scade. până în momentul ωt2.ωt2) u2 < uc.. aceasta incluzând rezistenţa echivalentă serie în secundarul transformatorului.Redresoare 67 Ri ≅ RS(Tr). iar componenta alternativă (u~) a tensiunii redresate creşte. adică β = π. care este neglijabilă..ωt3). Dioda rămâne blocată şi condensatorul se descarcă prin rezistenţa de sarcină Rs. Cu β s-a notat unghiul de conducţie. La funcţionarea fără filtru capacitiv. este foarte mică. rezultă foarte mică. Deci Ri = RS(Tr) + RDc β = ωt3 .9-b s-a notat cu α unghiul de la care începe încărcarea condensatorului (considerând ca moment de referinţă. curentul prin diodă este: unde: ia = ic + is ic = C du c d =C dt dt is = (3. Constanta de timp la încărcarea condensatorului. În momentul ωt1 se obţine egalitatea uc = u2. dioda conduce pe întreaga semiperioadă a tensiunii u2 din secundarul transformatorului.. În figura 3. iar dioda se blochează. care reprezintă componenta continuă a tensiunii la bornele sarcinii. Ti = Ri C. RS(Tr) şi rezistenţa diodei în conducţie. trecerea prin zero spre valori pozitive a tensiunii u2). ωt2. Unghiul la care încetează încărcarea condensatorului s-a notat cu ψ = α + β şi se numeşte unghi de blocare. Filtrul capacitiv micşorează durata de conducţie a diodei în intervalul 0 < β < π. Rezistenţa de încărcare. iar ua < 0. sau Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaţii (având forma dinţilor de ferăstrău) în jurul valorii U0. În intervalul (ωt1. În continuare dioda conduce în intervalul (ωt2 . adică intervalul de timp în care se încarcă condensatorul. Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducţie şi de blocare... deci ua = 0. RDc..

• curentul nominal. în cazul redresoarelor cu filtru capacitiv. influenţa rezistenţei de sarcină RS asupra tensiunii US este importantă. Ideal. Cele trei caracteristici reprezintă: • Curba 1 este caracteristica externă în cazul redresorului fără filtru. U0N . definit prin relaţia (3. • factorul de ondulaţie. mai ales. • tensiunea nominală. în regim nominal de funcţionare. Se observă o cădere de tensiune (la curent nominal) mică (ΔU01). PN . atunci când redresorul funcţionează la putere nominală. egală cu tensiunea continuă la bornele de ieşire. I0N . exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N . b) diagrama tensiunilor şi curenţilor 3.2.9.10).18) când redresorul funcţionează la putere nominală. în condiţia 0 ≤ IS ≤ I0N . γ . • . aceste caracteristici ar trebui să fie orizontale (liniile punctate din figura 3. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv: a) schema.68 Capitolul 3 Figura 3.10.5 Parametrii redresoarelor de mică putere În cazul redresoarelor de mică putere parametrii şi caracteristicile importante sunt: puterea nominală a redresorului. reprezintă dependenţa US = f(IS). reprezintă puterea pe care o poate debita redresorul în sarcină. ilustrată în figura 3. dar aşa cum s-a precizat anterior. • caracteristica externă.

10.) Funcţionarea schemei se poate urmări în diagrama din figura 3. este evidentă necesitatea utilizării filtrelor.11. Se remarcă o cădere mult mai mare de tensiune (ΔU02) corespunzătoare curentului nominal. În această situaţie se observă o cădere de tensiune (ΔU03) mai mică decât în cazul redresorului cu filtru capacitiv.26) Figura 3. astfel încât caracteristica externă reală să fie cât mai apropiată de caracteristica ideală. polifazate) se construiesc pentru puteri nominale mari. dată de relaţia următoare: Ri = − Această rezistenţă este de dorit să rezulte cât mai mică. Dezavantajul pe care îl introduc filtrele – exprimat prin căderile de tensiune (ΔU02 . Cea mai simplă schemă de redresor trifazat utilizează un transformator trifazat având secundarul conectat în stea (figura 3. ΔU03) – poate fi compensat prin utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continuă (STC) conectate între filtre şi consumatori (sarcini).12. Deoarece majoritatea consumatorilor industriali.27) .3 Redresoare trifazate necomandate Redresoarele trifazate (în general. necesită o tensiune redresată cu un factor de ondulaţie cât mai mic. Caracteristicile externe ale redresorului 3. Curentul prin sarcină este: is = i1 + i2 + i3 (3. Un parametru care determină panta caracteristicii externe este rezistenţa internă a redresorului. În capitolul 4 se vor trata principiile de funcţionare şi schemele principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continuă. ce funcţionează în curent continuu. ΔU S ΔIS (3. La un moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenţialul cel mai ridicat.Redresoare • 69 • Curba 2 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru capacitiv. Curba 3 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru π (CLC).

13). este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat simplu (conectat în stea): rezultă valoarea tensiunii U0: π 2π 1 α0 +T 1 6+ 3 U0 = u r (ω t )d (ω t ) = u r (ω t )d(ω t ) = 2π π T α0 3 6 ∫ ∫ ∫ U0 = 3 6 U 2 ≅ 2.14. Funcţionarea acestui redresor se explică utilizând diagramele curenţilor prin faze. în cazul sarcinii rezistive. calculată în relaţia (3. împărţită la perioadă (T).12. În momentele ωt1 . Se remarcă faptul că frecvenţa comutărilor este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat în stea.29) . Astfel. ωt2 . integrala pe o perioadă a tensiunii ur fiind 2π/3. prin definiţie. tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele trasate cu linie întărită şi axa timpului. în intervalul (t2. situaţie ilustrată în figura 3.70 Capitolul 3 şi are. ωt3 … se produce comutarea conducţiei de pe o fază pe alta. t2) conduc diodele D1 şi D5 . Deci. Tensiunea continuă tensiunii U0 de la bornele rezistenţei de sarcină este. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei de sarcină este egală cu diferenţa potenţialelor între acele borne ale înfăşurării secundare. prezentate în figura 3. sau când sarcina are caracter inductiv. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei RS este egală cu tensiunea pe faza în care dioda conduce şi are forma curbei cu linie întărită din figura 3. Valoarea tensiunii continue. În schema redresor O schemă foarte des utilizată în practică. În cazul când se admite că transformatorul nu este ideal. a curentului i0 (curentul prin sarcină) şi a tensiunii redresate. la care sunt legate diode în conducţie. datorită performan-ţelor superioare pe care le prezintă. Descrierea proceselor dintr-un redresor real cu sarcină inductivă se poate urmări în lucrarea [2]. deci intervin inductanţele de scăpări ale acestuia. o formă pulsatorie. în special la producerea comutaţiei de pe o fază pe alta. iar sarcina redresorului este rezistivă. Perioada (3.29). ur. apar efecte care complică funcţionarea redresorului.14. în intervalul (t1. În schema redresorului se observă că la un moment oarecare conduc două diode: dioda cu potenţialul anodului cel mai ridicat şi dioda cu potenţialul catodului cel mai scăzut. t3) conduc diodele D1 şi D6 etc.17 U 2 π 2π 2π 6 Descrierea funcţionării redresorului trifazat s-a făcut în ipoteza că transformatorul este ideal (are inductanţele de scăpări neglijabile). deci perioada pulsaţiilor tensiunii redresate este de două ori mai mică.34 U 2 π (3.28) π 2π 3 6+ 3 3 6 = 2U 2 sin(ω t )d(ω t ) = U 2 ≅ 1. este schema de redresare trifazată în punte (figura 3.

12. Redresor trifazat în punte Figura 3.13. Redresor trifazat în stea Figura 3.14.11. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul trifazat în stea Figura 3.Redresoare 71 Figura 3. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul în punte .

conectate la un transformator cu două secundare şi punct median? 3. F. Ce condiţie trebuie să îndeplinească cele două diode ale unui redresor bialternanţă. Care sunt semnificaţiile şi expresiile analitice ale parametrilor redresorului de mică putere Kr .72 Capitolul 3 3.4 Întrebări 1. Ce este deosebirea dintre un invertor (I) şi un convertor – static de frecvenţă? 2. γ ? . Cum se explică (justifică) relaţia τ d >> τ i în cazul redresorului cu filtru capacitiv ? 4.

Ele se pot conecta ca în figura 4. iar în funcţie de metoda de stabilizare există stabilizatoare electromecanice (pentru tensiuni alternative şi continue la consumatori de mare putere).2 Stabilizatoare parametrice Cele mai răspândite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune continuă. ale unei instalaţii industriale sau de laborator. dacă tensiunea stabilizată este continuă.1 are avantajul că menţine constantă tensiunea pe sarcină indiferent de cauzele care tind să o modifice. În principiu tensiunea continuă poate fi stabilizată şi înainte de redresor. motiv pentru care această variantă este cel mai des utilizată în practică. menţinând constantă tensiunea alternativă cu stabilizatoare corespunzătoare. În prezent există un număr relativ mare de categorii şi tipuri de stabilizatoare electronice. valorile tensiunii sau curentului de alimentare.1.CAPITOLUL 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE 4. sau în paralel cu sarcina) şi cu reacţie (care funcţionează pe principiul sistemelor de reglare automată cu reacţie negativă). electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate).1 Noţiuni generale. în limite strânse. Figura 4. În lipsa stabilizatorului. Parametrii stabilizatoarelor Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menţine. montate în serie. În funcţie de mărimea electrică de stabilizat există stabilizatoare de tensiune şi de curent. pot fi depăşite limitele admise şi pot să apară dereglări în funcţionarea instalaţiilor sau/şi erori de măsurare nepermise. parametrice (cu elemente neliniare. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic 4.1. Varianta din figura 4. În acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice şi cu reacţie. care fac parte componentă din alimentatoarele celor mai diverse circuite .

rezistenţa de sarcină se limitează astfel încât punctul de funcţionare M să se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii.2. electronice.74 Capitolul 4 electronice. Schema unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener este dată în figura 4. b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener Pentru o funcţionare normală a stabilizatorului este necesar ca rezistenţa de balast R să îndeplinească următoarea condiţie: R min < R < R max (4.3. Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice. Invers. În mod similar funcţionează stabilizatorul şi în cazul variaţiei tensiunii de reţea: dacă tensiunea reţelei creşte.2-a) a cărei proprietate principală este de a prelua variaţii importante ale curentului ( ΔI z ). Practic. creşte curentul i2 din RS. tuburi cu gaz de tip stabilovolt sau stabilitron. Pe măsură ce RS scade. În cazul funcţionării în gol (RS = ∞) se alege o valoare pentru rezistenţa R (de “balast”). iar punctul de funcţionare se deplasează spre B şi în continuare spre 0. cu variaţii reduse ale tensiunii ( ΔU z ) la bornele ei (figura 4. Figura 4. iar punctul M de funcţionare se deplasează spre A. electromagnetice).2. cât şi i z (într-o măsură mult mai mare). . punctul de funcţionare al diodei se găseşte în A. Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda Zener (figura 4.2-b): (4.3) 4.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric Stabilizatoarele parametrice au ca elemente esenţiale diode Zener. punctul de funcţionare se deplasează spre B.1) ΔI z = Iz max − I z min ΔU z = U z max − U z min (4. Principiul stabilizatorului parametric cu diodă Zener: a) schema.2) Pentru RS = ∞. cresc atât i 2 (într-o mică măsură). dacă tensiunea reţelei scade. pentru a nu se ajunge în zona neliniară a caracteristicii. care să asigure valoare maximă admisă a curentului I z max prin dioda Zener. a căror caracteristică tensiune-curent asigură stabilizarea tensiunii.

3.5) (4.4.4). Stabilizator parametric cu diodă Zener În această schemă sensurile adoptate pentru ia şi ua sunt inversate faţă de schema din figura 4. Modificarea PSF al diodei Zener la variaţia tensiunii de intrare (a) şi la variaţia rezistenţei de sarcină (b) Din relaţiile (4.4) … (4.6) precum şi dependenţa ia Zener. dată grafic sub forma caracteristicii statice a diodei Figura 4. Pentru deducerea punctului static de funcţionare (PSF) al diodei se utilizează relaţiile: (4.6) rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ⎛ R ⎞ E = R ⋅ Ia + ⎜ ⎜ R + 1⎟ ⎟ ⋅ Ua ⎝ S ⎠ (4. = f(ua).Stabilizatoare electronice 75 Figura 4. astfel încât zona de stabilizare parametrică din caracteristica statică a diodei se va desena în cadranul 1 (figura 4.7) Punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină (tăieturile) cu axele de coordonate sunt: .2-b.4) E = R ⋅ I + Ua I = I a + Is U Is = a Rs (4.3. Tensiunea de ieşire de pe rezistenţa de sarcină Rs este identică cu tensiunea anodică ua a diodei Zenner (DZ). Tensiunea aplicată la intrarea în stabilizator este tensiunea de ieşire din filtrul redresorului şi s-a notat cu E în schema din figura 4.

4-a dreapta statică de sarcină este reprezentată printr-o linie continuă. U" = E (4. iar tensiunea de la intrare rămâne constantă (E = ct. modificarea tensiunii de intrare duce la modificarea curentului Ia . însă tensiunea la bornele diodei. R U' = E' Rs + R Rs . Concluzie: Proprietatea de stabilizare se păstrează în orice regim de lucru. Aceste coordonate sunt: Ia 0 şi Ua 0 ≡ Uz. tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. U' = E . iar Rs = ct. " ' b) Presupunând că rezistenţa de sarcină Rs variază între valorile R s şi R s . Şi în acest caz modificarea poziţiei punctului static de funcţionare afectează curentul prin diodă.4-a)..76 Capitolul 4 Ia = E . R U" = E" Rs + R Rs (4. sau scade la valoarea E”). R Ua = E ⋅ Rs + R Rs (4. tensiunea Ua rămânând practic constantă (vezi figura 4. S-a considerat: R s > R s şi R s < R s . I" = E" . dacă PSF nu intră în zona de curbură a caracteristicii statice.4-a): I' = E' .10) Se observă că E’ > E şi E” < E.9) Rezultă că înclinaţia (panta) dreptei statice de sarcină nu depinde de valoarea tensiunii E de la intrarea stabilizatorului.4-b): " ' E Rs Rs I = I' = I" = .). deci tensiunea pe sarcină este practic constantă dacă PSF (M) nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice.11) " ' R Rs + R Rs + R ' " Observaţie.4-b). Punctul static de funcţionare al diodei Zener se păstrează pe porţiunea în care tensiunea Ua este practic constantă. atunci tăieturile dreptei statice de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. dacă punctul de funcţionare M nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice a diodei Zener (DZ). La intersecţia dintre caracteristica statică a diodei Zener şi dreapta de sarcină se obţine PSF notat cu M. respectiv U’ > U şi U” < U. Panta dreptei statice de sarcină se exprimă prin relaţia: tg α = RR s R + Rs (4.8) În figura 4. Deci. Proiecţiile duse din M pe axele de coordonate determină coordonatele PSF. În funcţionarea stabilizatorului parametric pot exista două regimuri distincte de lucru: a) Dacă tensiunea de intrare E se modifică (creşte la valoarea E’. Înclinarea dreptei va fi aceeaşi (vezi figura 4. .

elementul de comparaţie 5 sesizează abaterea.5. tensiunea U0 tinde să scadă faţă de valoarea nominală. întrucât egalitatea: (4. obţinută la ieşirea elementului de comparaţie 5. a cărei valoare este comandată de semnalul de ieşire al amplificatorului 2. Dacă. în sensul scăderii rezistenţei acestuia. prezentată în figura 4. Tensiunea de referinţă E0. încât să se compenseze variaţiile tensiunii de ieşire (±ΔU0) faţă de valoarea prescrisă.6 este dată schema detaliată a stabilizatorului cu ECS.Stabilizatoare electronice 77 4. este constantă şi proporţională cu valoarea prescrisă a tensiunii U0 (tensiunea de ieşire pe Rs). elementul de execuţie 1. deci la creşterea tensiunii U0. Micşorarea rezistenţei elementului 1 duce la micşorarea căderii de tensiune U’ pe acest element. Acesta se construieşte după schema din figura 4. Schema bloc a stabilizatorului cu element de control serie şi amplificator de eroare Elementul de comparaţie 5 compară două tensiuni: E0 şi Ur.12) Diferenţa dintre aceste două tensiuni. dată de un stabilizator parametric (diodă Zener).13) E = U'+ U 0 dată de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conservă în orice condiţie. de exemplu. În figura 4. prin ieşirea sa. Elementul de execuţie 1 se comportă ca o rezistenţă în serie. Tensiunea Ur este proporţională cu valoarea reală a tensiunii U0: U r = U0 R1 = k ⋅ U0 R1 + R 2 (4. .2 Stabilizatoare cu reacţie având elemente de control serie şi amplificator de eroare Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) şi amplificator de eroare este cel mai răspândit. Amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi acţionează asupra elementului de control 1 (ECS) în aşa fel.5. ceea ce reprezintă compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi comandă. Figura 4. reprezintă eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescrisă.2.5.

.7-a amplificatorul de eroare lucrează în regim de amplificator neinversor. a cărui rezistenţă este comandată de tensiunea de ieşire a amplificatorului de eroare.12) deci scade şi tensiunea Ube. iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare operaţionale (AO). În figura 4.5 Tensiunea de referinţă E0 este dată de un stabilizator parametric format din dioda Zener (Dz) şi rezistenţa R3.7-b). va scădea şi tensiunea Ur (conform relaţiei 4. Curentul de bază al tranzistorului T1 se micşorează ducând la reducerea curentului de colector.7-b amplificatorul de eroare lucrează în regim de repetor. deci la creşterea tensiunii de colector Uc1. Acesta.78 Capitolul 4 Figura 4. dată de relaţia 4.14.2. tensiunea colector – emitor U’ scade. Elementele de control serie (ECS) sunt componente integrate. Dacă tensiunea U0 tinde să scadă. fiind un tranzistor npn. Semnalul de eroare este: U be = U r − E 0 (4. Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat direct la baza tranzistorului T2. Astfel.14) şi reprezintă mărimea de intrare în amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1 şi rezistenţa R4. Elementul de control serie este tranzistorul T2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune Aceste stabilizatoare au performanţe superioare faţă de circuitele de stabilizare având componente discrete şi pot fi realizate atât pentru tensiuni mari (figura 4. are loc compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. 4.7-a) cât şi pentru tensiuni mici (figura 4. se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 creşte). ducând la creşterea tensiunii U0 conform relaţiei (4.6 Schema detaliată a stabilizatorului prezentat în figura 4. iar în figura 4. creşterea potenţialului în colectorul tranzistorului T1 are ca efect o pozitivare accentuată a bazei tranzistorului T2.13).

15) b) pentru stabilizarea tensiunilor mici (U2 < Ur).Stabilizatoare electronice 79 (a). fiind prevăzute cu trei terminale: intrare. Stabilizatoare de tensiune integrate U2 în funcţie de tensiunea de referinţă Ur are valorile: a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur).16) U2 = Pentru a îmbunătăţi fiabilitatea stabilizatoarelor integrate şi pentru a elimina căderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieşire). în montajele la care tensiunea de ieşire se menţine şi după anularea tensiunii de intrare (cazul montajelor cu sarcini capacitive importante). schema generală din figura 4. în prezent se realizează circuite stabilizatoare de tensiune fixă şi curenţi de sarcină relativ mari.7. Exemplificând. figura 4. în special atunci când STC se află la o distanţă oarecare faţă de circuitul de filtrare care îl precede (la ieşirea redresorului).7-a: Tensiunea de ieşire R + R2 U2 = 1 ⋅ Ur R1 R1 ⋅ Ur R1 + R 2 (4. reducând suplimentar tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului. Tensiunea de ieşire stabilizată în acest caz este: Stabilizatoarele din seria 78XX pot funcţiona corect numai dacă tensiunea de intrare este cu cel puţin 2. Dioda D protejează circuitul integrat.5V superioară tensiunii de ieşire U0.pentru tensiuni mari (b). prin limitarea tensiunii inverse care poate să apară între intrare şi ieşire.9).8 se constituie într-un stabilizator de tensiune fixă (5V) dacă STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4. ieşire şi bornă de masă.7-b: (4.17) . Condensatorul C1 este indispensabil în montaj. Condensatorul C2 de la ieşire are tot rol de filtrare. Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesită un număr redus de componente discrete externe (pasive şi active).8 se prezintă schema clasică a unui stabilizator de tensiune integrat cu trei pini.5V (4. Acest montaj se caracterizează printr-o simplitate deosebită. Uin > U0nom + 2. În figura 4. figura 4.pentru tensiuni mici Figura 4. adică: U0 = Unom ± 5% unde Unom = 5V. deoarece în afara circuitului integrat sunt necesare numai două condensatoare iar prezenţa diodei de protecţie este facultativă.

25⋅(1 + R2/R1) (4.9. Din motive de stabilitate.9 i se ataşează un divizor rezistiv la care unul dintre rezistoare este reglabil. cu mai mult de 50%.80 Capitolul 4 Stabilizatoarele integrate pot îndeplini şi funcţia de regulatoare de tensiune.. Schema de principiu pentru un stabilizator integrat – tensiune fixă Figura 4. Pentru a minimiza acest efect se alege rezistorul R1.10.11 este prezentată schema unui stabilizator de tensiune variabilă utilizând circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni negative). Tensiunea de ieşire se poate determina folosind relaţia: Uout = 1. Din acest motiv se alege R2 ≅ R1/2. faţă de tensiunea nominală. Variaţiile curentului rezidual Ir (în funcţie de curentul de ieşire) vor avea o anumită influenţă asupra tensiunii de ieşire când se reglează valoarea lui R2 către maxim. realizat cu circuitul LM7815. Pentru un stabilizator de 15V. Figura 4.18) reprezintă circa 0.10. se adoptă R1 = 390 Ω. Şi în acest caz protecţia împotriva suprasarcinilor rămâne activă în condiţia că tensiunea de intrare nu depăşeşte valoarea maximă admisă (de firmă) care este de regulă de 35 V.8. în figura 4. este prezentat un variator de tensiune (în limite mici) utilizând circuitul specializat 7805. astfel încât prin el să treacă un curent de cel puţin cinci ori mai mare decât curentul rezidual (IR1 ≥ 5 Ir).8 mA.. Astfel. Întrucât valoarea cea mai mare a . Stabilizator integrat de tensiune variabilă Tensiunea obţinută la ieşire are expresia: curentului Ir este de 8 mA. În acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de ieşire (4. se alege R1 = 120 Ω pentru stabilizatorul LM7805 utilizat în acest caz.5V în cazul stabilizatorului de 5V.2V şi 37V. dacă schemei din figura 4. În figura 4. Variaţiile curentului rezidual Ir în funcţie de curentul de ieşire ar putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieşire.18) Curentul Ir (obţinut la pinul 3) are valori cuprinse în domeniul 4. Stabilizator integrat de tensiune fixă (5V) Figura 4.5A. Tensiunea de ieşire a stabilizatorului LM317 poate fi reglată între 1. nu este indicat să se depăşească plaja de variaţie a tensiunii de ieşire.19) U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4. la un curent maxim de 1.

Stabilizator integrat de tensiune variabilă Condensatorul C3 are rolul de a ameliora. suplimentar. Diodele D1 şi D2 au rolul de proteja circuitul integrat în cazul apariţiei unor descărcări inverse ale condensatoarelor.25V. între pinul ADJ şi pinul VOUT (de ieşire). . factorul de rejecţie global. totuşi. Observaţii: Deşi schema utilizată în cazul stabilizatoarelor ajustabile de tensiune este identică cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe.11. baza de calcul suferă o modificare generată de faptul că stabilizatoarele variabile dezvoltă o tensiune de referinţă egală cu 1.Stabilizatoare electronice 81 Figura 4.

CAPITOLUL 5

REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere
Pentru ilustrarea unor noţiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor în mutatoare se consideră cel mai simplu redresor comandat, în schema monofazată, monoalternanţă, cu sarcină rezistivă (figura 5.1). El conţine un dispozitiv de comandă pe grilă, DCG, la intrarea căruia se aplică semnalul de comandă, uc. Scopul urmărit este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de comandă uc.

Figura 5.1. Redresor comandat monoalternanţă

Figura 5.2. Circuit de defazare

După modul cum DCG realizează amorsarea tiristorului (intrarea în conducţie), există două metode de comandă pe grilă: comanda pe orizontală şi comanda pe verticală. Dispozitivul de comandă pe grilă transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la fiecare semialternanţă pozitivă a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc amorsarea tiristorului. Până la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul. După deschiderea tiristorului curentul variază proporţional cu tensiunea aplicată u2.

iG care produce amorsarea tiristorului, se numeşte unghi de amorsare şi s-a notat cu αa.
Intervalul cuprins între începutul semialternanţei pozitive şi apariţia impulsului amorsare αa1 şi curentul mediu prin tiristor este proporţional cu suprafaţa dintre curba Din figura 5.3 se observă că modificarea unghiului de amorsare se realizează (1) prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizează unghiul de

ωt

Redresoare comandate de mică putere

83

şi abscisă. Tensiunea continuă de pe rezistenţa de sarcină, proporţională cu valoarea curentului mediu, rezultă mai mică decât în cazul când unghiul de amorsare este zero, adică la redresorul necomandat. Dacă unghiul de amorsare creşte la (2) valoarea αa2, corespunzătoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o valoare proporţională cu suprafaţa dublu haşurată.

ia

Figura 5.3. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe orizontală

Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comandă, se poate modifica unghiul de amorsare de la 0° la 180° şi tensiunea continuă variază de la 100% la zero. Acest principiu este valabil în ambele metode de comandă pe grilă (comanda pe orizontală şi comanda pe verticală). La comanda pe orizontală, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin deplasarea pe orizontală a unei tensiuni alternative de comandă. În figura 5.3-c este prezentată această tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel construit, încât se generează impulsurile iG în momentul trecerii tensiunii u~ prin zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aşa cum este cel din figura 5.2. În acest caz comanda defazajului, deci şi a tensiunii redresate, se face printr-o acţiune de reglare manuală asupra reostatului R. Dacă se impune ca tensiunea continuă să fie ajustată printr-un semnal de comandă uc, DCG trebuie să conţină un oscilator electronic care generează o tensiune periodică, liniar variabilă în timp, uLV, precum şi un circuit ce formează un impuls de comandă, iG, atunci când se produce intersectarea tensiunilor uLV şi uc pe panta

83

84

Capitolul 5

descendentă a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comandă conduce la modificarea corespunzătoare a fazei impulsurilor iG. Comanda pe verticală a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrată în figura 5.4. Dispozitivul de comandă pe grilă (DCG) generează iniţial o tensiune alternativă U~, defazată cu 900 în urma tensiunii U2. (a ) Impulsul de comandă pe grilă i G se formează iniţial la intersecţia cu abscisa (pe porţiunea ascendentă a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de amorsare a tiristorului are valoarea iniţială αa = 90 . Principiul comenzii pe verticală constă în variaţia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe verticală a tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micşorarea sau creşterea unghiului de amorsare faţă de unghiul iniţial αa. Pentru a realiza deplasarea pe verticală a tensiunii U~, la nivelul DCG se însumează o tensiune continuă de comandă (Uc – pozitivă sau negativă) cu tensiunea U~.
0

Figura 5.4. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe verticală

Redresoare comandate de mică putere
Ajustarea tensiunii de comandă astfel: a. Creşterea tensiunii

85

Uc determină reglarea unghiului de amorsare (Uc > 0) are [00 ... 900], iar
ca efect reglarea valoarea medie a

Uc

în valori pozitive

unghiului de amorsare

tensiunii redresate creşte (proporţional cu valoarea unghiului de conducţie α1) în cadrul unei semialternanţe pozitive; b. Creşterea tensiunii Uc în valori negative

(α1)

în intervalul

(Uc < 0) are ca efect reglarea 0 0 unghiului de amorsare (α2) în intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a tensiunii redresate scade proporţional cu creşterea unghiului α2, între [900 ... 1800].

[0 [0% ... 100%] din Ur.

0

Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, în domeniul ...1800], iar tensiunea medie redresată poate fi ajustată continuu, în domeniul

La evaluarea comparativă a performanţelor redresoarelor având comandă pe orizontală faţă de cele ce au comanda pe verticală, un criteriu important este forma dependenţei tensiunii continue U0 în raport cu semnalul de comandă uc. Expresia tensiunii continue sarcină rezistivă este: 2π

U0

la un redresor monofazat comandat cu

1 U0 = 2⋅π


0

1 u r d ( ωt ) = 2⋅π

αa

π

2 ⋅U 2 sin(ωt ) ⋅ d(ωt ) =
(5.1)

=

2 ⋅U 2 (1 + cos α a ) 2⋅π

La comanda pe orizontală, figura 5.3.d, unghiul de amorsare în funcţie de tensiunea de comandă uc prin relaţia:

αa se exprimă
(5.2)

α a = π ⋅ (1 −

uc

Înlocuind α a în relaţia (5.1) rezultă:

u c max

)

U0 =

π uc 2 ⋅U 2 (1 − cos ) 2⋅π u c max

(5.3)

deci dependenţa U0 = f(uc) este neliniară. La comanda pe verticală, considerând că tensiunea de comandă maximă, ucmax, este egală cu amplitudinea tensiunii u~ , relaţia dintre unghiul de amorsare

(αa) şi tensiunea uc este:

α a = arccos(

uc u c max

)

(5.4)

Înlocuind relaţia 5.4 în ultima formă a relaţiei 5.1 se obţine:

85

întrucât redresorul comandat poate fi utilizat ca element de execuţie într-un sistem liniar de reglare automată (de exemplu reglarea turaţiei motorului de curent continuu).Masă − 13. Schema electronică test pentru o aplicaţie tipică (cu posibilităţi de comandă a două tiristoare) realizată cu circuitul integrat ßAA145 este prezentată în figura 5.Ieşire (E2) 15. care pot fi realizate cu ajutorul componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate.Alimentare ( I ) 6.Sincronizare paralel Figura 5. 5.Intrare de sincronizare 10.86 Capitolul 5 U0 = 2 ⋅U 2 uc (1 + ) u c max 2⋅π (5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor Pentru reglarea unghiului de conducţie a tiristoarelor şi/sau triacurilor se pot utiliza dispozitive electronice specializate.5.Rampă de tensiune 8.Ieşire ( E1 ) 11.Alimentare (+V) 2.Comandă durată (tp) 14.5. Această proprietate reprezintă un avantaj important al comenzii pe verticală faţă de comanda pe orizontală.Ieşire monostabil 3. Dispozitiv de comandă pe grilă realizat cu ßAA-145 .Referinţa de tensiune (-V) 16.Comandă fază ( V8 ) 9. semnificaţia terminalelor (pinilor) este următoarea: 1.Blocare impuls 7. destinat comenzii în fază a elementelor de redresare.5) deci. este circuitul integrat ßAA-145. Unul dintre cele mai utilizate circuite integrate. Făcând abstracţie de schema electronică detaliată prezentată în [9]. dependenţa U0 = f(uc) este liniară.

această valoare fiind un parametru de catalog. Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu ajutorul unui potenţiometru semireglabil (Rt) de 250 KΩ conectat la pinul 11. se obţin la pinii 10 şi 14.7. 87 . În acest caz valorile rezistenţelor divizorului se adoptă astfel încât curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) să aibă valoarea de 10 mA. pentru separare galvanică (220V~/24V~).. Variaţia unghiului de conducţie Figura 5.. Figura 5. Acest circuit permite reglarea unghiului de conducţie (φ) în domeniul 0-180 grade.6.Redresoare comandate de mică putere 87 Observaţie: Este recomandat să se utilizeze un transformator coborâtor de tensiune. Variaţia unghiului de conducţie în raport cu tensiunea de comandă (V8) este prezentată în figura 5.8V. atunci când tensiunea de comandă aplicată la pinul 8 variază în domeniul 0.6. ce urmează a fi aplicate pe porţile tiristoarelor sau triacurilor. asociat cu divizorul rezistiv pentru alimentarea pinului de sincronizare (9). Diagrama impulsurilor de comandă Impulsurile de comandă.

..180 grade datorită translaţiei pe orizontală a celor două impulsuri. începe ieşirea din conducţie a tiristorului T2 şi intrarea în conducţie a diodei D1. acest interval defineşte unghiul de comandă (α) pentru tiristoare. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată (cu sarcină inductiv-rezistivă) este prezentată în figura 5. În punctul A al diagramelor.. Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porţile tiristoarelor/triacurilor prin intermediul unor transformatoare de impulsuri. impulsul de amorsare (aprindere) a fiecărui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil.88 Capitolul 5 Cele două impulsuri de comandă (V10 şi V14) sunt decalate permanent cu un unghi constant de 180 grade.. În raport cu referinţa. în cazul redresorului monofazat.7. acestea trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunzătoare a tiristoarelor din circuit.catod.8. figura 5.100%]. Unghiul de comandă (α) exprimă intervalul de timp cuprins între momentul începutului blocării tiristorului T1 şi momentul în care începe conducţia tiristorului T2. realizate cu miezuri de ferită şi dimensionate corespunzător. iar formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor prin circuitul redresor-sarcină sunt date în figura 5. Blocarea impulsurilor de comandă (inhibarea circuitului ßAA-145) se poate face conectând pinul 6 la masă. Exprimat în radiani.3 Redresor monofazat semicomandat în punte În cazul redresorului semicomandat. dar unghiul de conducţie ϕ se poate regla în intervalul 0. tensiunea de ieşire Ud este reglabilă în limitele [0. se alege ca moment de referinţă pentru comanda pe grilă. Momentul de referinţă pentru unghiul de comandă este momentul trecerii prin zero a tensiunii reţelei. Aceste transformatoare realizează separare galvanică Între circuitul de forţă (tiristor sau triac) şi circuitul de comandă unde se află circuitul integrat βAA – 145. 5. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul în care tensiunea lor în sensul anod – catod este pozitivă. Întrucât impulsurile de comandă (V10 şi V14) sunt de mică putere. .9.8. Momentul în care tensiunea pe tiristor este nulă şi urmează să devină pozitivă în sensul anod . Figura 5.

curentul de sarcină trece în întregime prin T1 şi D1.9. Tensiunea redresată Ud pe sarcină (LS.6) unde: US – este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 ). α – este unghiul de conducţie al tiristoarelor. Tiristorul T1 se stinge natural în punctele (momentele) B şi D. D2 . π (5.Redresoare comandate de mică putere 89 Intervalele de comutaţie γ1 şi γ 2 definesc timpii necesari blocării tiristoarelor şi intrării în conducţie a diodelor. Figura 5. După intervalul de conducţie γ 2 . Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor 89 . iar tiristorul T2 se blochează natural în momentele A. RS) se obţine în intervalele de timp în care are loc conducţia simultană pe T1. Tensiunea medie redresată (Ud) este dată de relaţia: Ud = 2 U S (cos α + 1) . C şi E. D1 şi respectiv T2.

Valoarea minimă a unghiului de comandă (α) se adoptă în intervalul 5÷8 grade electrice. diodele de acelaşi indice (nume) joacă rolul de redresor. d) Valoarea curentului de sarcină (I S ) . R S = 50 [ Ω ] . LS. specializat pentru comanda în fază a tiristoarelor şi triacurilor? Problemă Se dă circuitul de redresareşi stabilizare din figură pentru care se cunoaşte: u1 ( t ) = 240 ⋅ sin ( ωt ) [ V ] . asigurând curentul neîntrerupt prin sarcina RS. 5. c) Tensiunea redresată (Ud) creşte dacă unghiul de comandă α scade.90 Capitolul 5 Observaţii: a) Pe durata conducţiei tiristoarelor. Ce avantaj oferă comanda pe verticală. c) Unghuiul de conducţie θ al diodei Zenner. iar în intervalul unghiului de comandă cele două diode D1 şi D2 joacă rolul de protecţie (descărcare) împotriva tensiunilor de autoinducţie ce apar în momentul blocării tiristoarelor.4 Întrebări şi problemă 1. K TR = 8. faţă de metoda comenzii pe orizontală (în cazul redresoarelor comandate) ? 2. U Z = 9. α c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului ) Se cere: a) Tensiunea medie redresată U 0 . b) Tensiunea între punctele M şi N (U MN ) . rDZ = 8 [ Ω ] . interval de timp necesar preluării conducţiei de la tiristoare de către diode. R = 200 [ Ω ] . b) Durata de conducţie a diodelor este mult mai mare decât durata de conducţie a tiristoarelor.1[ V ] . Care este rolul şi seminificaţia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat βAA145.

numită şi algebră booleană (după numele matematicianului irlandez G. operează cu propoziţii. Ilustrând această idee prin exemple simple. 1815-1864). 2 Negaţia logică. la care interesează veridicitatea acestora. numită variabilă logică sau binară.3. conform căreia o propoziţie poate fi adevărată sau falsă. propoziţia a doua este adevărată când prima propoziţie este adevărată şi invers. având o semnificaţie asemănătoare. când propoziţia este adevărată şi valoarea 0 când propoziţia este falsă. propoziţia: “butonul X este acţionat” (figura 6.2. Figura 6. Fie de exemplu. Figura 6. În mod similar.1. Acestei propoziţii i se poate asocia variabila binară x.1) Identităţii logice îi corespunde tabelul de adevăr 6. Definirea funcţiilor logice elementare. se vor introduce – în cele ce urmează – funcţiile logice elementare. Deci se obţine identitatea logică: y≡x (6. circuitul se .1-a. luate din domeniul schemelor de comandă cu relee şi contacte. În algebra booleană se utilizează logica bivalentă. care are valoarea 1. contactul electric este închis) şi valoarea 0 dacă propoziţia este falsă (contactul electric deschis). Realizarea identităţii logice. acesta îşi deschide contactul. Boole. propoziţiei “releul Y este acţionat” (figura 6. Când butonul este acţionat.2. Fiecărei propoziţii i se poate asocia o variabilă.1 Funcţii logice elementare Algebra logicii. Veridicitatea unei propoziţii poate să depindă de veridicitatea altor propoziţii.1-b) i se poate asocia variabila binară y.1-a). În cadrul schemei din figura 6.CAPITOLUL 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6. contactul butonului X este normal închis. care are valoarea 1 dacă propoziţia este adevărată (butonul fiind acţionat. 1 Identitatea logică. Referindu-ne la cele două propoziţii menţionate anterior constatăm că în schema din figura 6.

5. Tabelul de adevăr 6. situaţie în care funcţia ”SAU” este: y = x1 + x2 + x3 + . Interpretarea fizică a acesteia este ilustrată prin schema dată în figura 6. corespondenţa dintre variabila dependentă (y) şi cea independentă (x) este dată de tabelul de adevăr 6.2 a) x y ≡x x y= x 0 0 0 1 1 1 1 0 x1 x2 y=x1+x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 b) x ⋅x 4 Conjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin 1 2 şi are valoarea 1 dacă ambele variabile au valoarea 1.2) Figura 6.. + xn (6. notată simbolic: y= x (6.3) Generalizând.4) . din care rezultă: y = x1 + x2 (6.2 al disjuncţiei logice arată că aceasta are valoarea 1 dacă x1 sau x2 au valoarea ”1” logic sau x1 şi x2 au valoarea logică 1.4. iar releul Y nu va fi acţionat. disjuncţia logică poate conţine n variabile binare. Din tabelul de adevăr 6.5) În cazul general. Realizarea negaţiei logice Figura 6..6) În cazul negaţiei logice.92 Capitolul 6 întrerupe.3.4. disjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “SAU”. Din acest motiv. conjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “ŞI”. Ca urmare. conjuncţia logică are valoarea 1. Se realizează deci negaţia logică. conjuncţia logică se realizează cu n variabile binare.3 se constată că numai atunci când x1 şi x2 au valoarea logică 1..1 Tabelul 6. Realizarea funcţiei logice SAU Tabelul 6. de unde rezultă: y = x1 ⋅ x 2 (6. situaţie în care funcţia ”ŞI” este: y = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ . Realizarea fizică a funcţiei “ŞI” cu două variabile este dată în schema din figura 6. sau ambele variabile au valoarea 1. Disjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1+x2 şi are valoarea 1 dacă una dintre variabile are valoarea 1.1-b.. ⋅ xn (6.

x1 x2 y= x1 + x 2 Tabelul 6. funcţia SAU negată: (6.9) Observaţie: Şi în cazul funcţiilor NOR şi NAND. iar în terminologia engleză NAND (Not –AND): x1 ↑ x 2 = x 1 ⋅ x 2 (6.5 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 Tabelul 6.3. iar în terminologia engleză este NOR (Not-OR). În afara acestora.4. Funcţia logică NICI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. Tabelul 6. se constată că funcţia NICI reprezintă.7) Funcţiile logice NU. simbolizarea disjuncţiei logice şi respectiv a conjuncţiei logice realizate cu două variabile (ca în exemplul de faţă) se poate face astfel: y =x1 ∪ x2 .10) . În conformitate cu tabelul de adevăr 6. adică se mai numeşte funcţia ŞI-NU. se mai utilizează şi alte funcţii logice (derivate).5. Funcţia logică NUMAI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.6.6 x1 x2 y= x1 ⋅ x 2 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 x1 x2 x1⊕x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 Din compararea tabelelor de adevăr 6. NUMAI.2 şi 6. SAU. cum sunt: NICI. Comparând tabelele de adevăr 6.4. Funcţia logică SAU-EXCLUSIV a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1⊕x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. ŞI reprezintă funcţii elementare în algebra propoziţiilor. Uneori.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6. nici x2 nu sunt egale cu 1.3 93 Figura 6. funcţia NICI se mai numeşte funcţie SAU-NU. şi 6.8) x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 Din acest motiv. acestea se pot realiza cu n variabile binare. Se remarcă faptul că funcţia are valoarea 1.4.5 rezultă că funcţia NUMAI se obţine prin negarea funcţiei ŞI.5. SAU EXCLUSIV etc. de fapt. atunci când nici x1. y = x1 ∩ x2 (6. adică: (6. Semnificaţia şi denumirea funcţiei este legată de interpretarea propoziţiilor de forma: “Maşina electrică funcţionează în regim de motor sau în regim de generator”. funcţia SAU-EXCLUSIV este disjuncţia termenilor x1 ⋅ x 2 şi x1 ⋅ x 2 .6. fapt ce exclude posibilitatea de a fi adevărate simultan cele două alternative implicate în propoziţie.

ŞI. ŞI. Verificarea acestor proprietăţi se poate face cu uşurinţă utilizând tabelele de adevăr ale funcţiilor logice elementare.8) şi (6.12) Transformările inverse. echivalente celor iniţiale.13) (6. date în tabelul 6. SAU.15) .9) precum şi teoremele lui De Morgan rezultă: (6. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Proprietatea de idempotenţă Proprietatea de asociativitate Proprietatea de comutativitate Proprietatea de distributivitate Proprietatea de absorbţie Teoremele lui De Morgan Principiul contradicţiei Principiul terţului exclus Principiul dublei negaţii Denumirea relaţiei logice Proprietăţile constantelor logice 0 şi 1 x+0=x x ⋅0 = 0 x + 1 = 1 x ⋅1 = x x+x=x x⋅x=x (x1⋅x2)⋅x3 = x1⋅(x2⋅x3) (x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3) x1⋅x2 = x2⋅x1 x1+x2 = x2+x1 x1⋅(x2+x3) = (x1⋅x2)+(x1⋅x3) x1+(x2⋅x3) = (x1+x2)⋅(x1+x3) x1+x1⋅x2 = x1 x1⋅(x1+x2) = x1 x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x⋅ x =0 x+ x =1 x =x Astfel. SAU.14) (6. la funcţiile NU. se realizează astfel: x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 (6.7 Nr. însă cu o structură mai simplă.7 permit exprimarea funcţiilor NICI. de la funcţiile NICI şi NUMAI.94 Capitolul 6 6. Tabelul 6. se folosesc o serie de relaţii (proprietăţi) fundamentale.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii Pentru transformarea unor expresii logice în altele. utilizând relaţiile de definiţie (6.7. crt. Relaţiile date în tabelul 6. NUMAI şi SAU–EXCLUSIV prin intermediul funcţiilor elementare NU.11) x=x+x=x↓x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 (6.

+ ε1 )V → L " 1" logic → (+ E − ε 2 . Dacă dioda este polarizată în sens direct. .13)…(6.13) … (6.19) .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 95 (6.18) arată că atât funcţia NICI.. SAU formează un sistem complet de funcţii. . Punctul static de funcţionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe dreapta de sarcină în M” (regim de saturaţie) – corespunzător unei tensiuni neglijabile în colector. ceea ce le oferă o importanţă deosebită în circuitele logice de comandă. .1 s-a arătat modul de realizare a funcţiilor logice elementare prin intermediul contactelor. Relaţiile (6. În mod similar se consideră şi tranzistoarele unipolare. ŞI. Valorilor logice ”0” şi ”1” li se asociază două niveluri de tensiuni electrice: nivel coborât (L -Low) şi nivel ridicat (H . Diodele semiconductoare se consideră ideale (cu rezistenţă internă nulă). Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice În § 6. în componenţa cărora intră diode şi tranzistoare. E ) → H (6.3 Circuite logice. cu deosebirea că în starea “0” logic (tranzistor saturat). Tabelul 6. căderea de tensiune pe tranzistor este mai mare decât la tranzistorul bipolar.. ea va fi asimilată cu un element conductor ideal (contact închis).18) Relaţiile de transformare (6.High).9. Tranzistoarele utilizate în circuitele logice funcţionează în regim de comutaţie.8 Tabelul 6. când tensiunea în colectorul tranzistorului este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare.8 şi 6. De asemenea. cât şi funcţia NUMAI pot juca rolul unui sistem complet de funcţii elementare. numite circuite logice. ceea ce echivalează cu semnalul “1” logic. se consideră ca un izolator ideal (contact deschis). întrucât prin intermediul lor se poate exprima orice altă funcţie logică. care lucrează în regim de comutaţie. . Regula de asociere: " 0" logic → (0. ceea ce echivalează cu semnalul “0” logic.9 x 1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x 1 ↑ x 2 x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 x1 ↓ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 + x 2 = x1 ↑ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 În algebra propoziţiilor. 6.17) x = x⋅x = x↑ x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 (6. iar dacă este polarizată invers.. funcţiile logice elementare NU.16) (6. Funcţiile logice se pot realiza şi cu ajutorul unor circuite electronice. punctul static poate fi în poziţia M’ (regim de blocare)..18) sunt sintetizate în tabelele recapitulative 6.

x2 = 0. tensiunea de intrare ux este egală cu 0 V. corespunde logicii pozitive şi se aplică.10. Circuit SAU Figura 6. tranzistorul este blocat.7.96 Capitolul 6 în care ε1 şi ε2 sunt toleranţe admise..9. realizat cu diode. E. E şi tranzistorul lucrează în saturaţie. la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn. x2 = 0. sunt date în figurile 6. . respectiv D2 conduc. lucrând în logica pozitivă. D2 este blocată şi tensiunea de ieşire este egală cu cea de la prima intrare. conduce dioda D2. funcţionarea este similară. . căreia îi corespunde regula de asociere: " 0" logic → (0. deci y = 0. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe diodele care conduc.. x2 = 1. Dacă x1 = 1 şi x2 = 0.8.. Dacă x = 1. iar D1 este blocată. În primele variante constructive. circuitele logice se pot realiza utilizând componente discrete sau sub formă de circuite integrate.. se adoptă logica negativă. ca de exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp. Funcţionarea acestui circuit este următoarea: dacă x1 = 0. rezistoare şi tranzistoare) se obţin prin conectarea în serie a circuitului SAU.6. În figura 6. dioda D1 conduce. toate punctele circuitului se vor afla la potenţial nul. respectiv ŞI.20) Sub aspect tehnologic. conducând D2. intrările sunt conectate la potenţialul bornei comune şi diodele D1. tensiunea de intrare este ux. respectiv D1 şi D2. adică tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V. adică ≅ 0V. Atunci când x1 = 1 şi x2 = 1. precum şi simbolizarea lor.6 este dată schema unui circuit logic NU (logică pozitivă).8. de exemplu. iar la ieşire rezultă semnal logic y = 1. cu circuitul NU. deci y = 1. dacă x1 = 1. " l" logic → (− E + ε 2 .− E ) → H Figura 6. Dacă x = 0. În alte situaţii. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe dioda D2. baza este negativată (prin sursa –Eb). adică y = 1. . ambele diode sunt blocate (având semnal pozitiv la catozi). respectiv circuitul ŞI-NU (NAND) realizate cu ajutorul componentelor discrete (diode. deci y = 0. deci y = 0. deci la ieşire se obţine uy. x2 = 1 sau x1 = 1 şi x2 = 1. bornele de intrare având potenţialul +E ( E ≥ E1 ). la ieşire se obţine o tensiune uy = 0 V. În figura 6. atunci când x1 = 0. Dacă x1 = 0 şi x2 = 0. Circuit logic NU Figura 6. în logică pozitivă este dată în figura 6.−ε1 ) V → L (6. Circuit ŞI Circuitele SAU-NU (NOR). respectiv 6. Schema unui circuit ŞI cu două intrări. deci rezultă y ≅ 0. În mod similar rezultă y = 0 când x1 = 0. astfel încât y = 1. . . circuitele logice conţineau componente discrete.7 este dată schema unui circuit SAU cu diode. Schemele acestor circuite.

4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 97 Figura 6.10. Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul ŞI-NU. şi CLI-MOS. potenţialul bazei este practic egal cu 0V iar joncţiunea bazăcolector nu conduce.11. Circuitele TTL (Transistor. La realizarea CLI bipolare s-au adoptat mai multe tipuri de structuri de bază. TTL. Circuit ŞI-NU (NAND) 6. Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrările prin rezistenţe. Tranzistorul de intrare. Dacă la una dintre intrări se aplică tensiunea 0V. Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similară circuitelor cu componente discrete. dintre care menţionăm. DTL.Transistor-Logic) sunt în prezent cele mai utilizate CLI. conectate la bazele tranzistoarelor bipolare. Circuitele RTL şi DTL având performanţe reduse. . HLL şi I2L. adică are o joncţiune bazăcolector şi mai multe joncţiuni bază-emitor. Astfel curentul i în colectorul lui T1 este neglijabil. T1. tipurile: RTL. este de tip multiemitor. a cărui schemă este dată în figura 6. realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS.9. în prezent nu mai sunt utilizate. circuitele logice integrate (CLI) se clasifică în: CLI bipolare.TTL) În prezent circuitele logice se realizează aproape în exclusivitate sub formă de circuite integrate. joncţiunea bază-emitor respectivă conduce. După tehnologia utilizată. în ordinea în care s-au succedat. în care se utilizează tranzistoare bipolare. Circuit SAU-NU (NOR) gura 6. adică intrarea respectivă se leagă la masă.

tranzistorul T3 se comportă ca un repetor pe emitor. potenţialul colectorului acestui tranzistor (T4).11. joncţiunile bazăemitor ale tranzistorului T1 nu conduc. Observaţii: Când ieşirea este ”1” logic (y = 1). Dioda D este conectată între tranzistorele T3 şi T4 din motive tehnologice. Întrucât T3 se comportă ca un contact deschis. Practic. se asigură o cădere de tensiune pe rezistenţa RE. Dacă la toate intrările se aplică tensiunea +E. stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea în saturaţie a tranzistorului T2.12.4 V pentru y=”0” logic VH 3.98 Capitolul 6 Figura 6. cât şi în situaţiile când mai multe intrări au tensiunea de 0V. deci şi acest tranzistor este blocat. însă va conduce joncţiunea bază-colector. iar curentul prin sarcina conectată la ieşire este asigurat de tranzistorul T3 care este în saturaţie. Curentul iE2 fiind mare. care determină saturarea tranzistorului T4. . Deci. deoarece tensiunea bază-emitor aplicată acestuia este neglijabilă.12. adică potenţialul bornei de ieşire este practic egal cu +E. în această situaţie. tensiunea de ieşire este practic +E. întrucât T3 este în conducţie (saturat).5 V pentru y=”1” logic Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V şi 5V. 1 2 Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este prezentată în figura 6. iar T4 ca un contact închis. Circuit ŞI-NU (NAND) TTL Tranzistorul T2 este blocat şi întrucât iE2 = 0. Figura 6. generând curentul de sarcină. valorile tensiunilor pentru ”0” logic şi ”1” sunt: VH 0. În acelaşi timp tranzistorul T3 este blocat. Ca urmare. tensiunea de ieşire este 0V. potenţialul bazei tranzistorului T4 este practic egal cu 0V. deci y = 0.

tensiunea colector-emitor când T4 este saturat.22) 6.) − VD R C3 (6. Deci la ieşirea F se obţine V0=”0” logic. T’2 formează două etaje de intrare conectate în paralel pe rezistoarele R2 şi R3. atunci când T1 şi T’1 sunt saturate.13. Expresia curentului maxim de impuls în colector (ICC-max) la ieşirea porţii TTL este: I CC − max = unde: VCC − VCE (T3 − sat. Poarta logică integrată NOR (SAU-NU) În cele ce urmează se prezintă poarta integrată NOR (SAU-NU) realizată cu numai 2 (două) intrări.) − VD (6.13.1. T2 şi T’1. VCE (T3 − sat. Astfel T3 îl ”surprinde” pe T4 în conducţie. Perechile de tranzistoare T1. la ieşire se obţine V0=”1” logic (+E volţi). Figura 6. Poarta TTL (NOR) Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizează funcţia logică F ="1" = V0 = A + B = A ⋅ B . adică VIA sau VIB au valoarea „1” logic (+E volţi). VH = VCC − VCE (T3 − sat. ce are schema electrică prezentată în figura 6. când acesta ar trebui să fie deja blocat. Funcţionarea este următoarea: a) Dacă T2 sau T’2 este saturat. atunci tranzistorul T3 va fi saturat.4.21) VD – este căderea de tensiune pe dioda D. Cauza conducţiei simultane este aceea că T3 comută mai rapid în conducţie decât comută T4 în starea de blocare.) − VCE (T4 − sat. b) Dacă T2 şi T’2 sunt blocate.) .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 99 Observaţie: În timpul funcţionării (la trecerea din starea ”0” logic în starea ”1” logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor T3 şi T4. . În starea ”1” logic tensiunea VH la ieşirea porţii TTL este: VCE (T4 − sat. iar T4 este blocat.tensiunea colector-emitor când T3 este saturat. Observaţie: T2 sau T’2 sunt saturate dacă T1 sau T’1 sunt blocate. deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat. într-un interval de timp foarte scurt (de ordinul microsecundelor).) .

b) Simbolizarea circuitului combinaţional Asociind elementelor de intrare-ieşire variabile binare. schema de comandă se poate reprezenta ca în figura 6.elemente de intrare: U1. Mărimile de intrare sunt variabile binare independente.).5. . în orice moment.. notate cu litere mici. în care u1.14-a).. ..elemente de ieşire: Y1. a) Circuit combinaţional. u 2 . . iar mărimile de ieşire sunt variabile binare dependente. în momentul considerat.. Circuitele logice combinaţionale sunt descrise prin ecuaţii ieşire-intrare de forma: y1 = f1 (u1. Cu alte cuvinte.. Um. 6.. u 2 .5 Circuite logice combinaţionale 6. îi corespunde în mod univoc o anumită situaţie a elementelor de ieşire. um se numesc mărimi de intrare. . iar y1. contacte ale unor relee din alte scheme de comandă etc.14. …... La ieşirea F se obţine ”0” logic dacă una dintre intrări (sau ambele) au nivel de tensiune ”1” logic. …. fr(. u2.. Circuitele logice combinaţionale sunt acele circuite de comandă la care setul mărimilor de ieşire..100 Capitolul 6 când ambele intrări sunt legate la masă. …. u m ) (6. lămpi de semnalizare etc. Figura 6. y2. u m ) M y r = f r (u1. U2. u m ) M y 2 = f 2 (u1. .23) în care f1(. este determinat în mod univoc de o combinaţie dată a mărimilor de intrare.). În privinţa circuitelor logice combinaţionale se pot formula două categorii de probleme: .ansamblul elementelor de comandă (contacte sau circuite logice). reprezentând contacte de butoane şi de limitatoare de cursă. ale căror structuri sunt cunoscute. f2(. yr – mărimi de ieşire. u 2 . adică funcţii în care variabilele logice sunt legate prin operaţiile din algebra logicii. Yr.1 Noţiuni generale Fie un circuit de comandă (figura 6. caracterizat prin următoarele elemente: .. înfăşurări ale robinetelor electromagnetice. reprezentând înfăşurări de relee şi/sau contactoare.14-b. . Y2. …. unei situaţii date a elementelor de intrare (acţionate sau neacţionate).) sunt funcţii booleene.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale
analiza circuitelor logice combinaţionale; sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaţionale.

101

6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
Într-o problemă de analiză se dă structura circuitului combinaţional, starea elementelor de intrare (dacă sunt acţionate sau nu) şi se cere starea elementelor de ieşire. O problemă de analiză, de tipul celei formulate, se rezolvă în trei etape: • pornind de la schema circuitului combinaţional, se asociază variabile binare elementelor fizice de intrare-ieşire şi se scrie funcţia logică corespunzătoare schemei date; • se înlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, după starea elementelor de intrare respective; • se evaluează expresia logică, deteminând variabila dependentă (mărimea de ieşire): dacă aceasta este 1, elementul de ieşire este acţionat, iar dacă expresia logică are valoarea 0, elementul de ieşire este neacţionat.

Figura 6.15. Schema de comandă cu releu şi contacte

Figura 6.16. Schema de comandă echivalentă schemei din figura 6.22

Vom ilustra procedura descrisă prin intermediul schemei de comandă cu relee şi contacte dată în figura 6.15. Aici, U1, U2 şi U3 sunt contacte normal deschise şi normal închise ale unor elemente de comandă, limitatoare de cursă etc. Aşa cum s-a arătat în § 6.1, contactelor normal deschise li se asociază variabile binare, notate cu litere mici fără bară de negare, iar contactelor normal închise li se asociază variabile binare negate (cu bară de negare). Acţionarea unui contact normal închis reprezintă deschiderea sa. Asociind o variabilă binară, y, elementului de ieşire, Y, schema de comandă poate fi reprezentată ca în figura 6.16. Cunoscând realizarea funcţiilor logice elementare utilizând contacte, variabila de ieşire y (figura 6.16) se poate exprima cu uşurinţă prin intermediul variabilelor de intrare u1, u2 şi u3:

y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u 1 3

(6.24)

Presupunem că, în cadrul problemei de analiză, se cere starea elementului de ieşire atunci când U1 şi U2 sunt acţionate iar U3 este neacţionat. Punând în expresia (6.24) u1 = u2 = 1 şi u3 = 0, se obţine:

y = (1 ⋅ 1 ⋅ 0 + 1 ⋅ 1 ⋅ 0) ⋅ 1 + (1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1) ⋅ 0 = 1
deci elementul de ieşire este acţionat. Formularea problemelor de analiză a schemelor combinaţionale poate fi completată în sensul determinării unei scheme de comandă mai simplă, însă echivalentă cu cea iniţială, sau al stabilirii unei scheme de comandă cu aceleaşi funcţiuni, însă realizată prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvările

102

Capitolul 6

acestor completări din formularea problemelor de analiză constituie, în acelaşi timp, soluţii ale unor etape din procedura de sinteză (proiectare) a schemelor combinaţionale. Fie schema de comandă din figura 6.15. Se cere o schemă echivalentă cu aceasta, însă mai simplă, adică realizată cu un număr mai mic de elemente. Pentru simplificarea schemei de comandă se procedează la minimizarea funcţiei booleene (6.24), adică la aducerea acesteia la o formă cât mai simplă. Utilizând relaţiile fundamentale din algebra booleană, se obţine:

(6.25) Ţinând seama de proprietăţile de idempotenţă, terţ exclus şi contradicţie, din ultima expresie se obţine: (6.26) y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 Mărimea de ieşire (y) s-a exprimat printr-o disjuncţie a unor conjuncţii logice. Funcţia booleană corespunzătoare se exprimă în forma canonică disjunctivă. Constituenţii disjuncţiei se numesc mintermeni. Pentru obţinerea formei canonice disjunctive minimale se pot utiliza mai multe metode: a) metoda alipirilor (metoda grupărilor); b) metoda diagramelor Karnaugh; c) algoritmul Quine-McCluskey. Dacă numărul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomandă metodele b sau c. Pentru exemplul anterior, având în vedere numărul redus de mintermeni, vom utiliza metoda grupărilor. Termenii vor fi grupaţi câte doi, astfel încât fiecare pereche să aibă numai un singur termen diferit în conjuncţiile respective. Astfel, primii doi mintermeni se pot grupa având u 2 u 3 ca parte comună în conjuncţii. La fel, primul şi al treilea, se pot grupa având u 1 u 3 ca parte comună. Pentru a nu rămâne un mintermen necuplat, în expresia (6.25) se adaugă în disjuncţie mintermenul existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilalţi doi):

y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3
Această expresie este

(6.27)

identică cu cea precedentă, deoarece u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietăţii de idempotenţă. Grupând primii doi mintermeni, precum şi următorii doi, din relaţia 6.27, prin utilizarea proprietăţii de distributivitate se obţine: y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28) şi, deoarece u1 + u1 = 1 şi u 2 + u 2 = 1, în conformitate cu principiul terţului exclus rezultă forma minimală a funcţiei logice: y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29) Se constată cu uşurinţă că funcţia booleană în forma canonică minimaldisjunctivă nu se poate simplifica mai mult. Forma minimală a funcţiei booleene se prezintă ca o disjuncţie a unor termeni numiţi implicanţi primi ai funcţiei. Deci, în esenţă, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funcţiei logice iniţiale se reduce la deducerea implicanţilor primi ai acesteia. Corespunzător ecuaţiei (6.29) se poate desena schema de comandă minimală din figura 6.17, echivalentă cu schema iniţială din figura 6.15.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale

103

Realizarea cu circuite logice NU, ŞI, SAU a circuitului de comandă corespunzător funcţiei logice (6.29), se face prin schema dată în figura 6.18. Dacă se pune problema deducerii unei scheme de comandă realizată cu elemente NAND, se transformă funcţia (6.29) după cum urmează:

y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) ↑ (u1 u 3 ) = (u 2 ↑ u 3 ) ↑ (u 1 ↑ u 3 )

(6.30)

Utilizând module NAND cu două intrări, rezultă schema circuitului de comandă din figura 6.19.

Figura 6.17. Schema de comandă minimală echivalentă schemei din figura 6.15

Figura 6.18. Schema echivalentă a realizată funcţiei logice (6.28)

Figura 6.19. Schema echivalentă a funcţiei logice (6.28) cu module NAND

6.6 Circuite logice secvenţiale
Aşa cum s-a arătat în § 6.5.1 mărimile de ieşire ale unui circuit combinaţional sunt determinate univoc, în orice moment, de mărimile de intrare din momentul respectiv. În cazul circuitelor logice secvenţiale, mărimile de ieşire la momentul k, k k k notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mărimile de intrare k k k u1 , u 2 ,..., u m , ci şi de starea internă a circuitului din momentul anterior, k −1 k −1 k −1 (figura 6.20). caracterizată prin mărimile de stare x1 , x 2 , ... , x n Variabilele de stare descriu evoluţia (istoria) circuitului, în sensul că la momentul k ele depind atât de valorile anterioare, din momentul k–1, cât şi de mărimile de intrare ale circuitului. Din cele menţionate rezultă că un circuit logic secvenţial este caracterizat de două seturi de ecuaţii: ecuaţiile de stare şi ecuaţiile de ieşire. Ecuaţiile de stare leagă mărimile de stare din momentul k, de mărimile de stare din momentul anterior, k–1, şi de mărimile de intrare. Ele pot avea două forme:

Din acest motiv ele se mai numesc ecuaţii de tranziţie a stărilor.31) şi (6. . x 2 .6.31) k −1 sau k unde i =1. u m ) Figura 6. sub acţiunea semnalelor de intrare.20. r. respectiv în momentul k – 1. În cazul general.104 Capitolul 6 k k −1 k −1 k −1 k k x i = f i ( x1 . x n . n. ele se mai numesc automate finite.. Tranziţia stărilor se face sub acţiunea unor semnale de intrare. Ecuaţiile de ieşire exprimă legătura dintre mărimile de ieşire ale circuitului secvenţial. având particularitatea că au un număr finit de stări. Este evident că cele două stări pot fi codificate printr-o singură variabilă de stare binară. . x. x2 k −1 . u m ) (6.. . obţinându-se – în esenţă – clasa circuitelor basculante (triggere).. u1 . Din acest motiv. u 2 . x n k −1 . . . n Deci.32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare în alta. mărimile de stare şi mărimile de intrare ale acestuia.10 de tranziţie a stărilor.. Circuit logic secvenţial..1) a variabilelor de intrare... la care corespunde tabelul 6.. u m ) unde x i = f i ( x1 k −1 . . iar j = 1.. Variabilele de stare sunt. . x 2 ... 2.33) y j = g j ( x1 . realizate într-o formă specifică. variabile binare. x n .1 Circuite secvenţiale elementare În cele ce urmează se vor considera câteva circuite secvenţiale cu numai două stări. notate convenţional prin 0 şi 1. Circuitele logice secvenţiale se încadrează în categoria generală de sisteme dinamice. Fie un circuit elementar cu două intrări u1. variabilele din circuit (6. . Ecuaţia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziţie a stărilor. . 2. după cum mărimile de intrare se consideră în momentul k. . 6.. u1 .32) g(·) sunt funcţii logice cunoscute. circuitul secvenţial se poate afla în 2 stări (n este numărul variabilelor de intrare). la fel ca şi cele de intrare-ieşire. u2 şi o ieşire y = x. . sub acţiunea mărimilor de intrare. Se constată că s-a eliminat combinaţia (1. având diagrama de tranziţie a stărilor din figura 6.. . . . . care ilustrează grafic modul cum se realizează trecerea dintr-o stare în alta... u1 k −1 .... Ecuaţiile (6. ecuaţiile de ieşire ale unui circuit secvenţial sunt de forma: k k k k k k k (6.21.

funcţiei din paranteză.34) Se minimizează funcţia logică utilizând metoda grupărilor (1-3) şi (2-3): k k −1 ⎞ ⎛ k k⎞ ⎛ k k ⎞ ⎛ k −1 ⎛ k k −1 ⎞ + ⎛ u k ⋅ u k ⎞ + x k −1 ⎞ xk = ⎛ ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⋅ ⎜ u1 + u1 ⎟ + ⎜ u 2 ⋅ u1 ⎟ ⋅ ⎜ x ⎟ = ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⎜ 2 1⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ sau k k (6.22-b.21. cerută de proprietatea dublei negaţii.36) şi rezultă: k ⎛ k ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎞ x k = u2 (6. ⎝ ⎠ Această realaţie satisface expresia unei funcţii logice NAND (SI . Dacă se impune realizarea circuitului de comandă cu elemente (module) NAND funcţia logică minimizată (6.NU) deoarece.35) reprezintă funcţia logică minimizată.35) x k = x2 u1 + x k −1 . Pentru aceasta se aplică proprietatea dublei negaţii şi una din teoremele lui De Morgan. Diagrama de tranziţie a unui circuit secvenţial elementar Ecuaţia de stare a circuitului este: k k k k −1 k k k −1 k k k −1 x = ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + (u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) (6. dar pentru a nu schimba valoarea funcţiei x k . . va mai suporta o operaţie suplimentară de negare. pe baza notaţiilor anterioare s-a obţinut expresia x k = m ⋅ n care arată că funcţia dorită x k = m ⋅ n .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6. iar variabila u2k borna R (reset = ştergere) se obţine bistabilul S–R cu elemente NAND reprezent ca în figura 6. Prin redesenarea ei.37) este dată în figura 6. este necesar să se aplice operaţia de dublă negaţie peste funcţia (6.35) se transformă într-o expresie de forma ( ) x k = m ⋅ n .10 105 Figura 6. Schema circuitului ce corespunde ecuaţiei (6. considerând variabila u1k borna S (set = inscriere). Ultima relaţie (6.37) ⎟ .36). şi se obţine: ⎞ ⎞ k ⎛ k k ⎛ k x k = u2 (6.36) ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ ⋅ ⎜ u1 + x k −1 ⎟ = u 2 ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎛ k k −1 ⎞ k şi m = ⎜ u1 Notând (convenţional) n = u 2 ⋅x ⎟ se observă că pentru a ⎝ ⎠ obţine expresia unei funcţii de forma x k = m ⋅ n este necesară operaţia de negare peste întreaga funcţie (6.22-a.

ci şi de starea anterioară (pornit-oprit) a motorului k-1 k notată prin y .1) (combinaţia (0. c – simbolizarea. a cărui funcţionare corespunde tabelului de tranziţie 6.25-a reprezintă o celulă de memorie.23 Un exemplu de circuit secvenţial asincron cu două intrări.10.21. Figura 6.25-a. Dacă se elimină circuitele NU de la intrările S şi R ale elementelor NAND din figura 6. atunci când combinaţia de intrare este (1. Bistabil SR comandat prin semnal logic zero Figura 6. dacă implicit se consideră echivalente notaţiile: xk-1 ≡ yk-1 şi xk ≡ yk Schema electrică simplificată pentru comanda pornirii şi opririi unui motor asincron trifazat.106 Capitolul 6 (a) (b) (c) Figura 6.25-b. funcţionează conform diagramei de lucru din figura 6. îl reprezintă schema electrică de comandă (pornire-oprire) a unui motor asincron trifazat. b.1) este eliminată. deci când y = 1 k (prezentate în tabelul de trantziţie 6.24. b) Schema de comandă din figura 6. iar motorul rămâne . se obţine bistabilul din figura 6. În acest caz starea curentă (y ) are valoarea ”1” logic.22.0) este interzisă).10. Starea curentă a k k motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 şi u 2 ) date prin butoanele de pornire şi oprire. circuitul rămânând în starea în care se afla. adică numai atunci când contactele sale normal-deschise (y) se vor k închide.23. întrucât acţionarea simultană a butoanelor BP şi BO este fără sens (motorul nu ar porni). din tabelul de tranziţie anterior 6. Cu alte cuvinte. la care diagrama de stare este dată în figura 6. Diagrama de funcţionare a acestei scheme de comandă. Diagrama de tranziţie a bistabilului din figura 6. Circuitul secvenţial prezentat are o funcţionare asincronă. Se observă că motorul este alimentat de la reţeaua trifazată numai dacă contactorul Y este anclanşat.23. prezentată în figura 6. este echivalentă tabelului de tranziţie a stărilor 6.22.24. Bistabil SR cu elemente ŞI–NU: a şi b – structura. Cele trei situaţii în care motorul este pornit.10 şi respectiv diagramei de tranziţie a stărilor din figura 6. Observaţii: a) Comanda (1.25-b. bascularea dintr-o stare în alta se face prin aplicarea semnalului logic 0 la una din intrări. ilustrată în figura 6. întrucât prin butonul BP se înscrie comanda de pornire.25-b) sunt identice cu stările x = 1.

25 Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) într-un automat sincron se utilizează schema din figura 6. Aplicarea semnalelor S = 1. Schema bistabilului S-T-R: a .27. 6. adică T = 0. Ele sunt formate din două circuite basculante conectate în cascadă: primul are funcţia de comandă (master . În figura 6.0) – la schema din figura 6. b. Figura 6. Circuitul încadrat este un bistabil de tipul celui din figura 6. În mod similar. pentru S = 0 şi R = 1. Circuitul secvenţial din figura 6. Figura 6. Circuitul secvenţial de tip Master-Slave O categorie importantă de bistabile o formează cele cu structură stăpân-sclav (master–slave).simbolizarea Figura 6. în sensul că îl subordonează pe al doilea (slave . Semnalele de comandă se aplică prin bornele S (set) şi R . prezentat în figura 6.sclav).23. R = 0) rezultă V1 = 0 şi V2 = 1.28 se prezintă schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de tip SRT. unde T este intrarea de tact.structura.23.26. Diagramă de tranziţie a stărilor În circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaţiei (1. astfel încât se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic în starea 1 logic).1) la intrare (combinaţia (0. de exemplu starea 0. revenirea în starea 0 se produce numai la aplicarea impulsului de tact (T= 1).6. a cărui basculare este comandată prin semnal “0” logic. S = 1.23). Când nu se aplică semnalul de tact.a.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 107 pornit (comanda este memorată) până când se acţionează butonul BO (pentru ştergerea memoriei). bistabilul rămâne în starea în care se afla.2. R = 0 nu influenţează starea bistabilului decât atunci când se aplică semnalul de tact. Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND. rezultă V1 = 1 şi V2 = 1.26 se numeşte bistabil S–T–R.26.stăpân). În acest caz (T= 1.

Porţile de intrare (P1 şi P2) sunt comandate (activate).28 Figura 6. Deci bistabilul M (Master) este izolat faţă de intrare. iar S este izolat faţă de M. iar P3. porţile P1. Funcţionarea bistabilului Master-Slave pe o perioadă a impulsului de tact real (trapezoidal) se explică utilizând diagramele de semnale din figura 6. iar porţile de transfer P3. P4 sunt închise. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK ) sugerând că informaţia apare la ieşirea bistabilului. Între bistabilul M şi bistabilul S se află porţile de transfer P3 şi P4 de tip NAND. P2 sunt încă închise. porţile P1. P2 sunt deschise permiţând transferul informaţiei în M. P4 nu s-au deschis încă.29. La ieşirile porţilor P1 şi P2 se obţin semnalele logice (potenţialele) V1 şi V2 care reprezintă informaţia aplicată la intrarea bistabilului M.29 Funcţionare: 1. . iar porţile P3. Semnalele logice V3 şi V4 de la ieşirea porţilor de transfer reprezintă informaţia de intrare în bistabilul S. Figura 6. 3. prin semnalul de tact T. P4 se blochează. deci M este izolat faţă de intrare. 2. Pe porţiunea 1-2. P2 se închid. Pe porţiunea 3-4. în antifază faţă de porţile de transfer (P3 şi P4) datorită circuitului inversor (CI) care este un circuit de tip NU. izolând M faţă de S. pe frontul posterior al impulsului de tact. Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND. porţile P1. de tip NAND.108 Capitolul 6 (reset) unor porţi logice de intrare P1 şi P2. iar bistabilul S (Slave) este izolat faţă de Master. Pe porţiunea 2-3.

porţile P1.NU). deci informaţia trece din M în S şi apare la ieşirea Q. B – acţionate. deoarece în acest circuit s-a eliminat transparenţa intrărilor de date. ƒ Pentru ca informaţia să se înscrie fără erori. Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare în cazurile: a) circuite logice ? b) circuite de amplificare ? 4. U 3 nu sunt acţionate U3 U 1 . NU. NU .L. realizată cu circuite NAND (ŞI . care trebuie să fie acţionat numai in următoarele situaţii: sunt acţionate Ul . P2 sunt închise şi nu permit intrarea informaţiei în M.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 109 4. 3. – (circuit logic secvenţial) ? Probleme: 1. este necesar ca aceasta să nu-şi modifice valoarea în intervalele de tranziţie (1-2) şi (3-4) ale impulsului de tact. U2. Întrebări şi probleme 1.NU . C – neacţionat.S. Pe porţiunea 4-5. U2 . U3 şi un element de execuţie Y.L. şi un circuit C. SAU. C acţionate. Care este diferenţa (funcţională) între un C. Care este expresia (şi cauza apariţiei) curentului de impuls (IC MAX) în cazul porţii logice NAND (TTL) ? 3. U 2 . cu module SI . A – neacţionat. Schema de comandă pentru acţionarea unui utliaj are trei elemente de comandă U1.C. Se dau funcţiile logice: Să se arate că: y1 = y2. 2. 3) A. U3 şi a unui element de execuţie. Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comandă (de intrare) U1. C – neacţionate. U 3 - - Să se deducă schema de comandă în următoarele variante constructive: cu contacte. NU.NU . Y. Observaţii: ƒ CBB – Master-Slave elimină posibilitatea tranziţiilor asincrone (necontrolate) la ieşire. 6.7. 2) B. iar porţile P3. U2. U3 U2 U2 . Cum se realizează practic condiţia de semnal logic “0” (zero) în cazul circuitului “SI” ? 2. Se cere schema logică de comandă. cu module SAU . A. cu circuite (module) SI. U3 Ul U1 . P4 sunt deschise. U2 Ul . care să acţioneze elementul de execuţie Y numai în următoarele situaţii: 1) B acţionat .

încuietoare). ca în figura 7. determină poziţionarea ieşirilor Q .1-b.1 sunt identice. tranziţia lui R în ”0” logic Q în 01. ilustrat în figura 7.1 Circuite LATCH 7. Schema logică a circuitului latch (b) Cele două scheme din figura 7.3-a. În mod asemănător. (a) Figura 7. Acest circuit se mai numeşte latch (în limba engleză având semnificaţia de zăvor. iar activarea lui R prin ”0” logic produce resetarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”0” logic.1.1.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH Conectând două porţi logice NAND conform schemei din figura 7.1 se obţine un circuit bistabil care memorează evenimentul marcat prin tranziţia temporară a unei intrări în ”0” logic.2-a se observă că la închiderea contactului K tensiunea pe rezistenţa de sarcină (URs ) se stabilizează la valoarea E după un regim tranzitoriu oscilant. Una dintre aplicaţiile circuitului latch serveşte la eliminarea oscilaţiilor de tensiune ce apar la închiderea contactelor electrice acţionate manual prin butoane.CAPITOLUL 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 7. Deci ieşirile Q şi Q sunt complementare. activarea lui S prin ”0” logic produce setarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”1” logic). Circuitul latch memorează tranziţia lui poziţionarea ieşirilor S în ”0” logic prin QQ în 10.2-b. Dacă se utilizează un circuit latch.1-a evidenţiază faptul că circuitul latch are o singură reacţie. În figura 7. dar în practică se foloseşte reprezentarea din figura 7. Schema din figura 7.

3-b. • Codificatoarele sunt C. la care activarea unei intrări determină apariţia unui cuvânt de cod pe ieşire. Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieşiri este ilustrat în figura 7. Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod. 7. adică reconstituirea mesajului iniţial. Figura 7.2 Figura 7.L. semnalul de comandă la ieşirea Q va avea o valoare constantă şi fără oscilaţii care ar putea deranja funcţionarea altor circuite ce utilizează acest semnal (numărătoare.4. se poate realiza decodificarea.C.3 Astfel.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 111 atunci tensiunea la ieşirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentată în figura 7. Codificator cu patru ieşiri .2 Codificatoare şi decodificatoare Se numeşte COD o regulă ce descrie o aplicaţie ”C” a unei mulţimi de semne în altă mulţime de semne. Dacă aplicaţia ”C” este injectivă. circuite te tip Master-Slave etc).4: Figura 7.

6). decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrări şi 2n ieşiri distincte. b) tabelul de adevăr. atunci pe ieşirile paralele apare cuvântul de cod: 1101.1) Pe baza relaţiilor (7. Decodificator cu două intrări: a)schema bloc. Y0 = A 0 ⋅ A1 ⎫ ⎪ Y1 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ ⎬ Y2 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ Y3 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎭ (7.6.5-a.112 Capitolul 7 • În funcţionarea codificatorului menţionat se disting două situaţii: a) Dacă se activează intrarea IK (la nivel logic ”H”). b) Dacă se activează intrarea IJ (cu nivelul ”H”) pe ieşirile paralele se obţine cuvântul de cod: 1110. al cărui tabel de funcţionare (figura 7.1) se elaborează schema logică a decodificatorului de adresă cu 4 ieşiri (figura 7.L.5. care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de cuvântul de cod aplicat la intrare. Decodificarea este necesară în următoarele operaţii: − adresarea memoriilor − afişarea numerică − multiplexarea datelor etc. Decodificatoare sunt C. Exemplu: Se consideră decodificatorul cu două intrări (n = 2) şi 2n ieşiri (4 ieşiri) distincte.C. Figura 7. Figura 7. În cazul general. Decodificator de adresă cu patru ieşiri .5-b) serveşte scrierii funcţiilor logice corespunzătoare. prezentat în figura 7.

7-a. Selectarea ieşirii se face printr-un cuvânt de cod – numit adresă. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7. E H L L L L L L L L A1 X L L L L H H H H A0 X L L H H L L H H I0 X H L X X X X X X I1 X X X H L X X X X I2 X X X X X H L X X I3 X X X X X X X H L Y L H L H L H L H L Stare circuit → circuit blocat → I0 selectat → I1 selectat → I2 selectat → I3 selectat Figura 7. Schema bloc a unui multiplexor cu patru intrări şi o ieşire este prezentată în figura 7. Observaţie: Porţile de intrare sunt prevăzute cu o intrare suplimentară comună ( E ) = Enable care autorizează.7-a. . Figura 7.8.7-b.7-a funcţionează conform tabelului logic 7. Multiplexorul prezentat în figura 7.7.3 Circuite de multiplexare (MUX) şi demultiplexare (DEMUX) Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaţionale (CLC) care permit trecerea datelor de la una dintre intrări spre o ieşire unică.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 113 7. Selecţia intrării se face printr-un cod binar (adresă) aplicat pe intrările de selecţie A0 şi A1. funcţionarea multiplexorului. X = valoare logică oarecare Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comună pe una din ieşirile selectate. b) schema logică.8. sau nu. Pentru adresarea celor patru intrări sunt necesari 2 biţi. schema logică fiind prezentată în figura 7. Multiplexor cu patru intrări şi o ieşire: a) schema bloc.

4 Numărătoare electronice Schema unui numărător binar cu 4 biţi este dată în figura 7. permite comutarea fluxului de date de pe intrarea comună (I).10-b. Demultiplexor cu două ieşiri: a) schema bloc.9-a. 7. .10. c) schema a unui demultiplexor cu patru ieşiri. la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie numărate.10-a. conform tabelului de funcţionare 7. iar funcţionarea acestuia. b) tabelul de adevăr.114 Capitolul 7 Demultiplexorul cu două ieşiri. Schema logică a demultiplexorului cu două ieşiri (realizată conform tabelului 7. fie pe ieşirea Y0 (dacă A = 0) fie pe ieşirea Y1 (dacă A = 1). Numărător binar cu patru biţi: a) schema de principiu.9-b) este dată în figura 7.9-c.9-b. b) diagrama impulsurilor. figura 7.9. Figura 7. Figura 7. este ilustrată în diagrama din figura 7.

. numărul înregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura 7. Spre deosebire de schema anterioară.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale Nr. la intrările calculatorului de proces se utilizează convertoare de tip A-N (analog-numerice)..5 Convertoare Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezintă elementele de bază ale interfeţelor de proces în sistemele numerice de reglare. Figura 7. . adică la fiecare impuls aplicat la intrare.11-a).10 . b) diagrama impulsurilor. 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 .10 – c. care se găsesc în interfaţa de intrare. 115 Figura 7. când s-a obţinut numărarea directă în binar. stările triggerelor indică valoarea numerică a lui N..c). . . Dacă se utilizează ieşirile Q pentru legarea triggerelor în cascadă (figura 7.. . Tabel lohgic al numărotzorului binar (drirect) cu 4 biţi Se constată că după aplicarea a N impulsuri. Numărător binar invers cu patru biţi: a) schema de principiu..b).... frontul de basculare 1 → 0 al ieşirii Q produce tranziţia stării triggerului următor şi se obţine diagrama de semnal din figura 7. impuls Q1 Q2 Q3 Q4 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2 0 1 0 0 3 1 1 0 0 4 0 0 1 0 5 1 0 1 0 6 0 1 1 0 7 1 1 1 0 8 0 0 0 1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 . 7.11-b. în baza 2 (tabelul din figura 7. Pentru conversia semnalelor analogice (achiziţionate dintr-un proces tehnologic) în semnale numerice..11. în acest caz rezultă numărarea inversă a impulsurilor.11..

n}. Aceste convertoare se găsesc în interfaţa de ieşire situată între calculatorul de proces şi elementele de execuţie care sunt implementate în instalaţia tehnologică.116 Capitolul 7 Semnalele numerice elaborate la ieşirea calculatorului de proces pe baza unui algoritm de reglare şi/sau conducere.. Figura 7.3) în care: 0 • ≤ N < 2n Observaţii: Acest convertor se numeşte convertor tensiune-timp. care basculează şi închide poarta ŞI.tensiunea pe condensator. Mărimea analogică este o mărime fizică a cărei variaţie în timp este dată de o funcţie continuă şi ale cărei valori sunt cuprinse în intervalul:I = [xmin ÷ xmax] cu x∈R. . impulsurile de tact sunt numărate de N2.. 1. . până când amplitudinea rampei este egală cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare). Generatorul de rampă conţine un condensator care se încarcă la curent constant.. din (7.2) se obţine: Ux = I / C ⋅NT (7. Când rampa începe să fie generată. Acest convertor face modulaţia în durată a impulsurilor.2) ΔT’ este timpul de conversie egal cu NT. 2. UC .analogic cu rampă de tensiune. În figura 7.capacitatea condensatorului. unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub formă de impulsuri codificate. C . Dacă numărătorul N2 a înregistrat (numărat) N impulsuri. prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numericanalogice). Conţinutul informaţiei din N2 reprezintă valoarea binară a tensiunii de intrare (Ux).12 este dată schema de principiu a unui CAN . I este curentul de încărcare al condensatorului care generează rampa. În acest moment numărătorul N2 este oprit de către comparator. T fiind perioada impulsurilor.12. Mărimea numerică (digitală) este o mărime fizică ale cărei valori aparţin mulţimii Sn = {0. Deci: unde: UC = I ⋅ ΔT ' = UX C (7. sunt convertite în semnale analogice (necesare elementelor de execuţie). fiind convertor indirect. întrucât în procesul conversiei tensiunea de intrare Ux este transformată într-un impuls. a cărui lăţime este direct proporţională cu amplitudinea tensiunii Ux. Schema de principiu a unui CAN analogic cu rampă de tensiune.

valorile logice complementare. În această categorie intră memoriile următoare: . Acestea sunt folosite pentru înmagazinarea datelor şi a programelor de tip utilizator. În cele ce urmează se au în vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 117 numărul de impulsuri • Numărul N are valoarea 2 n-1 şi reprezintă corespunzătoare valorii (7. În funcţie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor. sute de nanosecunde. Memoriile RAM sunt volatile.6 Circuite de memorie Funcţia de memorare poate fi definită ca posibilitatea de regăsire a unor informaţii reprezentate sub formă binară. memoriile pot fi: magnetice. • Memorare numai pentru citirea datelor. Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementează funcţia de memorare. Acest tip de memorie este similară. sunt circuite la care harta memoriei de introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur. Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reacţiei cu funcţionare prin SOFTWARE şi a circuitelor integrate specializate în operaţii de conversie A-N. care lucrează pe 8 biţi. iar datele obţinute la ieşirea codificatorului reprezintă informaţia memorată la adresa respectivă. Vectorul de intrare în decodificator este interpretat ca o adresă. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls . n Deci: ΔT’ = (2 −1)T 7. fiind realizată însă cu matrice de bistabile SR. adică îşi pierd conţinutul la întreruperea tensiunii de alimentare. sau mask ROM. Un exemplu de circuit integrat specializat în conversia numericanalogică este circuitul β DAC-08. În această categorie intră memoriile cu acces aleator . Memoriile ROM programabile prin mască. cu memoria operativă din calculatoarele clasice. Timpul de acces în cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns în cazul tehnologiei bipolare sau. Această structură este de obicei definită ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator şi un codificator.Random Acces Memory (RAM). integrate în aceeaşi capsulă cu sistemele de înscriere şi citire a informaţiei. care pot fi doar citite.4) Rezultă că acest sistem de conversie este de tip serie. Uxmax. optice sau semiconductoare. În funcţie de modul în care se utilizează memoriile într-un sistem de calcul funcţiile de memorare pot fi: • Memorare cu citire şi scriere de date.Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic. fiind. care au fost anterior stocate într-un circuit de memorare. dintre care. care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el.Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaţional care stochează permanent date binare. lent. tehnologia MOS este cel mai des folosită. în cazul tehnologiei MOS. . Există mai multe tipuri constructive de memorii ROM. în consecinţă. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil (o peliculă subţire de CrNi). acolo unde doreşte. Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI şi VLSI realizate în diverse tehnologii. ca structură.

semnale de intrare (când datele se înscriu în memorie). iar timpul de stocare a informaţiei poate fi de 100 ani. O memorie EPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 100 ori. . dar este unidirecţional în cazul memoriilor: ROM. Progresele tehnologice au determinat modificări importante în performanţele memoriilor ROM. Geometria memoriei (modul de organizare) reprezintă lungimea unui cuvânt de memorie şi numărul de cuvinte memorate. o memorie FLASH (un EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns. numai că ştergerea se poate face pe cale electrică.13: Figura 7. moment ce trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie. 2. Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată.13 Schema bloc a unui circuit de memorie Observaţie: Transferul de date este bidirecţional (datele intră şi ies din circuit) în cazul memoriilor: RAM şi E2PROM. Capacitatea memoriei exprimă numărul total de biţi ce pot fi memoraţi (capacitatea se exprimă în multipli de 1k = 1024 biţi). 100000 cicluri garantate de programare/ştergere şi timp de stocare a datelor de peste 20 ani.Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt programabile ca şi memoriile PROM. Cuvintele (numerele) binare reprezintă date pentru un circuit de memorie şi se consideră: a. O memorie EEPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 10000 ori. pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. izolată de substrat prin 10 −7 m de SiO 2 .118 Capitolul 7 de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat. . Schema bloc (conexiunile informaţionale) pentru un circuit de memorie este prezentată în figura 7. b. Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS). Memoriile mask ROM şi PROM se realizează atât în tehnologie bipolară cât şi în tehnologie MOS. iar timpul de stocare a informaţiei poate depăşi 10 ani. cele realizate în tehnologie CMOS au timpi de acces mai mici de 100ns.Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt similare memoriilor EPROM. adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă. . şi sarcina electrică negativă poate fi eliminată prin aplicarea unei tensiuni de polaritate inversă pe poarta tranzistorului care nu este flotantă. Dacă memoriile EPROM în tehnologie NMOS au timpi de acces de aproape 500ns. PROM. dar de mai multe ori. În sfârşit. Principalele caracteristici ale unei memorii sunt: 1. semnale de ieşire (când datele se citesc din memorie). EPROM. în timp ce memoriile EPROM şi EEPROM nu se pot realiza decât în tehnologie MOS. Izolaţia porţii este mult mai subţire decât la EPROM. Notaţia E2PROM este uneori folosită pentru memoriile EEPROM.

Puterea consumată reprezintă raportul între puterea totală consumată de circuit şi capacitatea acestuia. Volatilitatea . Puterea consumată se exprimă în [μW/bit]. În cazul utilizării tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie îl constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care foloseşte două tranzistoare multiemitor.la o tensiune de +0.5 V. 4.3 V). În stare neselectată. memorarea informaţiei se bazează pe modificarea capacităţii joncţiunii semiconductoare. • 1 (una) linie de selecţie cuvânt (WL). Liniile de bit (DL şi DL ) sunt conectate la capătul coloanei . ceea ce necesită reîmprospătarea conţinutului la intervale constante de timp. În cele ce urmează se prezintă succint funcţionarea celulei de memorie din figura 7. Volatilitatea se datorează modului de stocare a informaţiei sau dispariţiei tensiunii de alimentare a circuitului de memorie (cazul memoriilor dinamice). Structura celulei de memorie RAM Celula de memorie este circuitul elementar care realizează memorarea unui bit. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeaşi coloană într-o matrice de memorie. Timpul de acces la memorie reprezintă durata necesară citirii sau scrierii informaţiei în memorie şi se exprimă în [ms] sau [ns]. 5. conexiunea selecţie-cuvânt (WL) este menţinută la un potenţial coborât (+0. La memoriile dinamice. Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare MOS. • 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comună tuturor celulelor din matricea de memorie.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 119 3.14. Acţionarea liniei de selecţie-cuvânt face posibilă citirea sau scrierea informaţiei în oricare dintre celulele de memorie situate pe aceeaşi linie în matrice. Celulă de memorie RAM cu tranzistor bipolar Liniile de conexiune în afara celulei sunt: • 2 (două) linii de bit (notate DL şi DL ) care servesc la scrierea şi citirea informaţiei în celulă.o memorie este volatilă dacă informaţia înscrisă se pierde în timp.14. Figura 7. figura 7.14. care reprezintă selecţia pe linii în matricea de memorie. prin intermediul unei rezistenţe senzor (r) care .

şi selecţia coloanei prin perechea ( DLj. figura 7. selecţie-cuvânt (WL). se ridică potenţialul pe linia WL (la +3V) şi. acţionând WLi . Pentru accesul la celula de memorie (i×j) se face selecţia liniei.Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800µW.n este numărul de perechi (DL şi DL ). tensiunea diferenţială are sens invers: semnul (+) la DL şi semnul (-) la DL. Linia (conexiunea) de alimentare este comună tuturor celulelor de memorie pe care le conţine matricea de memorare. emitoarele conectate la liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mică (+0. Figura 7. Capacitatea memoriei este dată de produsul (m × n). Curentul de emitor se va închide prin rezistenţele senzor conectate la liniile de bit. deci conducţia este asigurată de acestea (legate în A şi B). . .15.16 se prezintă structura unei matrice de memorie de dimensiune m×n. Observaţii: . Explicativă pentru celula de memorie RAM • Pentru înscrierea informaţiei în celulă.5 V). în stare neselectată. linia selecţie-cuvânt (WL) este pusă la un potenţial ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3. se forţează linia de bit stânga (DL) la zero. DLj ). În funcţie de semnul tensiunii obţinute la bornele celor două linii de bit. adică m linii şi n coloane. Exemplu: Pentru a se obţine T1 în conducţie şi T2 în starea blocat. În acest mod. prin care se transformă un şir de date de intrare într-un alt şir de date la ieşire. Procesorul reprezintă un automat aritmetic. se va obţine la ieşire o tensiune diferenţială cu semnul (+) pe DL şi semnul (-) pe DL . În cazul T1 blocat şi T2 în conducţie.Celula de memorie RAM se poate realiza cu două tranzistoare bipolare obişnuite (npn) la care se ataşează câte o diodă Shottky. atunci selectând linia WL (selecţie-cuvânt) pentru citire. Exemplu: Dacă T1 conduce şi T2 este blocat. acţionat printr-o succesiune de comenzi aplicate din exterior.m este numărul de linii. iar viteza de comutaţie este de 20ns. Cele două operaţii (citirea şi înscrierea informaţiilor) se desfăşoară astfel: • Pentru citirea informaţiei. . Matricea de memorie Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de memorare în ale cărei noduri se găsesc celule de memorie.5 V (în timp ce linia selecţie-cuvânt WL este selectată). se forţează pe liniile de bit (DL şi DL ) o diferenţă de potenţial corespunzătoare stării în care dorim să se găsească bistabilul.5 V). unde: .120 Capitolul 7 sesizează apariţia închiderii unui curent. simultan. În figura 7. iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de aproximativ +0. adică numărul de coloane. se poate "spune" care este starea bistabilelor. Structura unui circuit de memorie.15.

Rezultatul operaţiei se poate memora intern (în registre) sau se poate genera spre exterior pe liniile de ieşire D0 (Data output). Automat aritmetic Semnificaţiile mărimilor din figura 7. O operaţie elementară implică unul sau doi operanzi (interni sau externi faţă de RALU).Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 121 Figura 7. A . : . D0 sunt terminalele pentru datele de intrare şi respectiv de ieşire. având schema bloc prezentată figura 7. C .comandă pentru funcţiile aritmetice (+ . Structura unui circuit de memorie Procesorul.16.17.comenzi. RALU generează spre exterior şi un cuvânt FL ce conţine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizează rezultatul unei operaţii. Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generată din exterior de către . Prelucrările se efectuează asupra unor cuvinte binare cu n biţi.17: Figura 7.18 sunt: Di. F . CK ..semnal de tact (clock). denumit şi RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit). FL .flag-uri (indicatori). RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe. conţine o unitate aritmetică logică şi registre.adrese pentru selectarea operanzilor interni şi a destinaţiei rezultatelor. *) şi logice. .

Schema bloc a unui procesor Semnificaţiile mărimilor din figura 7.19: Dispozitivele periferice sunt: 1. 7.sincronizarea comenzilor pentru intrare şi ieşire.instrucţiunea curentă. terminale video. MD .fluxul datelor de la ieşire şi de la intrare. pentru adresare (BA) şi pentru comenzi (BC). ce conţin convertoare de tip N/A şi A/N cât şi magistralele . cap. PE). Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui μP se numeşte microcalculator (μC). a linii de adresare şi c linii pentru comenzi. informatice: console. Microcalculatorul (μC) Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare realizată într-un singur circuit integrat (μP). I .122 Capitolul 7 alt automat denumit unitate de comandă (UC). 2. şi este volatilă. imprimante. D0. Observaţie: Denumirea corectă a memoriei MD este RWM Read/Write Memory. Di . discuri magnetice flexibile sau rigide.18. cititoare şi perforatoare de bandă de hârtie. benzi magnetice etc. Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD).caracteristicile rezultatelor. Configuraţia de bază a unui microcalculator (μC) este dată în figura 7. interfeţe cu sistemul comandat. BC).7 Microprocesorul (μP). BD.Buses (BA. Cititorul interesat de aplicaţiile circuitelor logice combinaţionale (CLC) şi/sau aplicaţiile circuitelor logice secenţiale (CLS) poate găsi suficiente exemple în [1]. b) Memoria (MEM) compusă din: MP . Schema bloc a unui procesor este dată în figura 7. Deci procesorul este un sistem digital format din RALU şi UC. realizate cu circuite specializate sau circuite standard. pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul comandat (cazul reglării sau conducerii numerice a unui proces).memoria de program (memorie ROM).memoria de date (memorie RAM). SI. 7. SO . Magistralele menţionate conţin: d linii pentru date. FL .18 sunt: C este fluxul comenzilor către RALU. . c) Porturile de intrare/ieşire (PI. Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt: a) Unitatea centrală de prelucrare (μP).18: Figura 7.

Care este schema bloc a decodificatorului de adresă cu n = 2 (intrări) şi 4 ieşiri ? 6. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizează acestea ? 7. Care este deosebirea între o mărime analogică şi o mărime numerică (digitală) ? 2. Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ? 4. Configuraţia de bază a unui microcalculator 7.8 Întrebări 1. Ce rol au circuitele: MUX şi DEMUX ? 5. Cum se poate activa (accesa) o celulă de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice de memorare ? . Care sunt componentele din structura unui microcalculator ? 8.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 123 Figura 7. Când se utilizează circuitul LATCH ? 3.19.

2002. 8. Banu. Constantin. Editura Militară. . Editura didactică şi pedagogică.. V. Bucureşti. 1976. http://www..co. Editura Militară. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate liniare. 11. Electronică de putere – Aplicaţii. Bucureşti. C. 12.a. A. E. Ceangă. 1991. 5. 1981. E. E. 1983 9. Buzuloiu. Electronică industrială. 1979. United States... 1982. Bucureşti. http://www. Catalog IPRS – Băneasa.BIBLIOGRAFIE 1. PA – 19355.jp. Bucureşti. V. Bîrcă – Gălăţeanu.. Neagoe. 7. C. P. 6. P. Bucureşti. S. JAPAN.. 63 Lincoln Highway.. C. VISHAY INTERTECHNOLOGY. Bîrcă – Gălăţeanu. 4. Miholcă. Bucureşti. E. ş. S. profiluri 2. 1976. Şaimac... Circuite integrate liniare. Creangă. ş.. Stoichescu.com. N. Ceangă. D. INC. SANYO Electric Co. Microprocesoare – Aplicaţii. Electronică industrială (pentru subingineri). 3. Lupu. E. Bulucea. C.. Electronică industrială. Constantin. Tusac... Bucureşti. Ltd.a.. Electronică industrială şi automatizări. Ţepelea. I. Catalog IPRS – Băneasa. 10. Editura Tehnică. Electronică pentru neelectrice. ∗ ∗ ∗ Catalog de componente electronice “FULL LINE PRODUCT CATALOG”.. Bucureşti. 2001.vishay. 1981.sanyo. P. Semiconductor Company – TOKYO. ∗ ∗ ∗ Catalog de circuite integrate digitale. 1980. Rădoi.. Constantin. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate analogice. Malvern. Bucureşti.. V. Editura didactică şi pedagogică. Universitatea din Galaţi. Purice. Miholcă. Editura MATRIX-ROM. 2003. Mărăşescu. C.A.. Editura didactică şi pedagogică..