CONSTANTIN MIHOLCĂ

ELECTRONICĂ
PENTRU FACULTĂŢILE CU PROFIL NEELECTRIC

GALAŢI 2007

CUPRINS
Introducere ............................................................................................
1

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă ......................... 1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci ............................................................................. 1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă ...................... 1.2 Joncţiunea p-n .................................................................................. 1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare ... 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare ................ 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice .............................. 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar ........................... 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF ............................ 1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcţionare ............................... 1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare ........................ 1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) ............................................ 1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare.. 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic ............................................................................... 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) ... 1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS având canal de tip n ......................................... 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 1.5.2 Triacul ........................................................................................ 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) ................................................ 1.6. Întrebări şi problemă................................................ 3 3 4 5 6 8 9 10 12 12 14 16 16 18 19 19 21 22 24 25 26 27 28 28 31 32 34

vi

Cuprins

CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A .................................... 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B .................................... 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington ..... 2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial .......... 2.4 Reacţia negativă la amplificatoare şi consecinţele ei ...................... 2.5 Amplificatoare operaţionale ............................................................ 2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 2.7. Întrebări ....................................................................................... 35 35 37 39 40 40 43 44 45 46 47 47 49 51 54 58

CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere ............................. 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă .... 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă ... 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere .................................... 3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 3.4. Întrebări............................................................................................ 59 61 61 61 64 66 66 68 69 72

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric ................................. 4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având element de control serie şi amplificator de eroare ................................................................ 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 73 73 74 77 78

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere ..................................................................................... 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor ............ 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte ................................... 5.4. Întrebări şi problemă ..................................................................................... 82 86 88 90

.............................6.................................3 Circuite logice.............................2 Codificatoare şi decodificatoare ........................6 Circuite logice secvenţiale ........ 7.4...Slave ........................... Întrebări .............................2 Analiza circuitelor logice combinaţionale ...... 124 ................................. 6............. 6...... 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE LOGICE 110 110 111 113 114 115 117 122 123 7....................... 6................................................ 6.. 7...................1 Circuite LATCH ...... 6.. 6......6...............................1 Poarta logică integrată NOR (SAU-Nu).....................5 Convertoare .................5....................... 7............................. 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6......1 Funcţii logice elementare ................ Microcalculatorul (μC) ...... 7.................2 Relaţii fundamentale în algebra logicii .............................4 Numărătoare electronice ............. Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice ..............7 Microprocesorul (μP)................................................................................. 7.....8.....5.......... 6..........................................................1 Noţiuni generale ...................................... Bibliografie ......................................1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH ..........................................................................................7 Întrebări şi probleme.....4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND-TTL)...Cuprins vii CAP.............. 7...........................................6 Circuite de memorie ..........................................................5 Circuite logice combinaţionale ..... 6......................... 91 94 95 97 99 100 100 101 103 104 107 109 CAP.......................................1 Circuitul secvenţial de tip Master .................................. 6.....................................................1................ 7........................... 6..... 6... 7....1 Circuite secvenţiale elementare ..............................................3 Circuite de multiplexare şi demultiplexare ...

dar s-a trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaţie între tehnologia bipolară şi tehnologia CMOS. în 1971. Aceste circuite au condus la realizarea primului microprocesor. Ca domeniu independent. După anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration). cu numeroase aplicaţii în telecomunicaţii şi industrie. oferite de tehnologia CMOS. care a antrenat toate domeniile tehnologiei. În prezent numărul de tranzistoare înglobate într-o capsulă depăşeşte 5 milioane. Aceste tehnologii permit înglobarea unui număr foarte mare (între 50. în prezent. . utilizate fiind atât tehnologia CMOS cât şi bipolară.000 şi 1. iar în 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat. dimensiunea unui tranzistor fiind ≤ 1μm. cu avantajele consumului redus şi densitate mare de integrare.000) de tranzistoare într-o capsulă.2 milioane de tranzistoare. pe 8 biţi. De exemplu. Microprocesorul a determinat o revoluţie tehnică denumită ”revoluţia microelectronicii”. microprocesorul 486 conţine 1. Electronica se constituie la începutul secolului XX. începând cu anul 1970. fiind denumită la începuturile ei “electrotehnica curenţilor slabi” şi având ca aplicaţie principală domeniul telecomunicaţiilor cu şi fără fir. Primele cinci decenii au reprezentat ”epoca” tuburilor electronice.000. astfel că după şase ani (în 1958) s-a realizat primul circuit integrat. electronica să fie utilizată aproape în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii. Începând cu anii 1949-1952 s-au realizat primele tranzistoare. încât astăzi nu există domeniu de activitate umană în care microprocesorul să nu poată fi implicat. la început în tehnologie bipolară şi apoi în tehnologie MOS (după 1965). În prezent. Posibilităţile remarcabile ale electronicii şi progresele ei deosebit de rapide (mai ales în privinţa realizării tehnologice a dispozitivelor semiconductoare şi circuitelor integrate) au făcut ca. Perfecţionarea rapidă a tehnologiilor electronice a condus la apariţia familiilor de circuite integrate logice MOS. Începând cu anul 1962 s-a trecut la producţia industrială a circuitelor integrate. gaze şi vid.INTRODUCERE Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii. Ţinând seama de aspectele esenţiale ale electronicii şi fără pretenţia de a formula o definiţie atotcuprinzătoare. se poate spune că electronica este ramura ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu studiul fenomenelor şi aplicaţiile acestora privind conducţia electrică în semiconductoare. După 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration). permiţând dezvoltarea tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI –Large Scale Integration). circuitele integrate se realizează în tehnologie CMOS. În 1960 se construiesc primele dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare şi triacuri) care au condus la modernizarea şi creşterea performanţelor în sistemele de acţionări electrice reglabile. care pot îngloba peste un milion de tranzistoare CMOS într-o capsulă. Această tehnologie (BiCMOS) îmbină avantajele de viteză şi curent mare la ieşire ale tehnologiei bipolare.

numit şi element electronic de circuit. se consideră dispozitive electronice şi acele dispozitive realizate dintr-un singur material omogen. dispozitivul electronic reprezintă un element de circuit. Părţile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice) sau regiuni cu proprietăţi diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele semiconductoare). alimentându-se de la surse de energie. transformatoare.2 Introducere Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele electronice cât şi circuitele electronice se impune definirea celor două noţiuni. producerea oscilaţiilor. în scopul realizării unei funcţiuni (redresare. Prin extensie. amplificare. În aplicaţii. modulaţie. care are una dintre proprietăţile fundamentale ale conducţiei prin vid. gaze sau semiconductoare. detecţie etc). bobine. Circuitul electronic este un ansamblu electric în care se folosesc unul sau mai multe dispozitive electronice la care se leagă elemente electrice de circuit. gaze sau semiconductoare. spre deosebire de elementele electrice de circuit obişnuite (rezistoare. . imobile una faţă de alta. condensatoare etc). între care se produce conducţia electrică prin vid. Dispozitivul electronic este un ansamblu format din părţi componente.

Germaniu). figura 1. 1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi materialele izolatoare. reprezentat prin lăţimea benzii interzise (∆w). Siliciu. Figura 1.1. Generarea perechilor electron-gol se produce datorită aportului energetic extern. adică sub influenţa unui câmp electric ei pot da naştere curentului electric de conducţie.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex.1. Structura benzilor energetice pentru un semiconductor .CAPITOLUL 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT 1. • semiconductor de conductibilitate extrinsecă. Aceşti purtători se generează simultan sub formă de perechi şi au o anumită mobilitate. semiconductoarele se pot clasifica astfel: • semiconductor de conductibilitate intrinsecă. După modul de generare a purtătorilor.1. Conducţia electrică în medii semiconductoare se realizează prin două categorii ale purtătorilor de sarcină: electronii şi golurile.

Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci (realizate cu materiale omogene) 1. Δw .. d) domeniul de temperatură. RTo[Ω]. Conductibilitatea termistorului este direct proporţională cu numărul de purtători ni daţi de relaţia (1. Termistorul . Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura - Utilizări: detector în traductoare de temperatură. notată cu ni . Parametrii de catalog: a) rezistenţa la temperatura de referinţă.1.1) A .2.constanta lui Boltzmann. ΔT∈[-200oC.este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă electrică variază cu temperatura. unde T0=20 oC.2. în aparatura de măsură şi automatizare.4 Capitolul 1 La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia electronilor.aportul energetic extern (lăţimea benzii interzise). Variaţia rezistenţei electrice a fotorezistorului se datorează modificării concentraţiei ..+300oC]. ca în figura 1.constantă ce depinde de natura semiconductorului. K . în care performanţele termistorului sunt stabile.100 → [%/oC] exprimă viteza de variaţie a . T1 [s]. este egală cu concentraţia de goluri.temperatura absolută ( grade Kelvin). notată cu pi . T .2. Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub acţiunea unei radiaţii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infraroşu.1). ceea ce conduce la o descreştere exponenţială a rezistenţei electrice. Figura 1. detector în construcţia sesizoarelor de incendiu. 1. fiind exprimată prin relaţia: n i = pi = AT unde: 3/ 2 ⎛ − Δw ⎞ exp⎜ ⎟ ⎝ 2KT ⎠ (1. 2. c) constanta de timp. R To dT rezistenţei RT la o variaţie dată de un grad Celsius a temperaturii. b) sensibilitatea S = − 1 dR T . ce reprezintă inerţia termică a termistorului.

a cărui conductanţă creşte odată cu creşterea tensiunii aplicate la borne.3. Caracteristica spectrală a fotorezistenţei Fotorezistenţele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc. Figura 1. Figura 1. Ro[Ω]. .3.4. Sφ = − 1 dR .3. fiind ilustrată în figura 1. În funcţie de natura elementului de impuritate . 1. în construcţia releelor fotoelectrice. T1 caracterizează viteza de variaţie a rezistenţei electrice la o variaţie bruscă a fluxului luminos. Procesul prin care se introduc impurităţi riguros dozate în semiconductor se numeşte dopare. ca urmare a aportului energetic al radiaţiei incidente. T1[s]. Forma caracteristicii statice. ilustrată în figura 1. d) constanta de timp. b) sensibilitatea.100 → [%/lm]. a 3. În funcţie de valoarea lui λo (la care sensibilitatea este maximă) fotorezistenţele se pot construi pentru spectrele vizibil sau infraroşu. c) caracteristica spectrală.Dispozitive electronice de circuit 5 purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol). Parametrii de catalog: a) rezistenţa la întuneric.4. Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică neliniară. Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în care este plasat varistorul. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate. Sφ=f(λ).1. se defineşte asemănător constantei de timp a termistorului. Conductibilitatea extrinsecă se obţine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a unui semiconductor. îl face utilizabil ca dispozitiv de protecţie împotriva supratensiunilor. exprimă dependenţa sensibilităţii faţă de lungimea de undă. R o dφ unde lm simbolizează lumenul (unitatea de măsură pentru intensitatea luminoasă).

Regiunea de trecere se extinde mai mult în zona n. Semiconductoarele de tip n şi p sunt corpuri neutre din punct de vedere electric. Ndo . Semiconductorul obţinut are purtătorii majoritari pozitivi (goluri) fiind de tip p. Aceşti atomi de impurităţi se numesc atomi acceptori şi se transformă în ioni imobilizaţi în reţeaua cristalină. Aceste concentraţii scad până la zero la nivelul joncţiunii. Lăţimea totală a regiunii de trecere creşte odată cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii. Se folosesc notaţiile: Naoconcentraţia iniţială de goluri.curent invers (1. Din cauza difuziei şi a recombinării purtătorilor majoritari cu cei difuzaţi rezultă.concentraţia iniţială de electroni. iar semiconductorul obţinut este de tip n. Diferenţa de concentraţii dintre cele două zone determină difuzia purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. • Doparea cu impurităţi trivalente (Indiu. simbolizaţi prin m. Purtătorii majoritari. numit şi curent invers al joncţiunii: ic = inm + ipm . 2. două tipuri de semiconductoare extrinseci.6 Capitolul 1 există două modalităţi de dopare care generează corespunzător. Arsen etc) are ca efect creşterea numărului de purtători negativi (electroni) deoarece atomii pentavalenţi de impuritate cedează uşor câte un electron.2) Câmpul intern antrenează dintr-o zonă în alta purtătorii minoritari.2 Joncţiunea p-n Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând procedee speciale) o zonă p cu impurităţi acceptoare şi o zonă n cu impurităţi donoare. ce devine electron liber (purtător).curent direct (1. formând curentul de conducţie. deoarece atomii trivalenţi captează uşor câte un electron de la un atom vecin. simbolizaţi prin M. Atomii acestor impurităţi se numesc donori. numit şi curentul direct al joncţiunii: id = inM + ipM . 3. • Doparea cu impurităţi pentavalente (Stibiu. care devin purtători majoritari. care au suficientă energie. Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraţia purtătorilor este foarte mică). care este mai slab dopată cu impurităţi. trec dintr-o zonă în alta şi dau naştere curentului de difuzie. Electronii sunt purtători majoritari iar golurile reprezintă purtătorii minoritari. deoarece sarcina ionilor imobilizaţi în reţeaua cristalină compensează sarcina suplimentară a purtătorilor majoritari. în vecinătatea de separaţie a celor două zone p şi n. Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n): 1. Aluminiu etc) are ca efect creşterea numărului de goluri.3) În figura 1. 1. De regulă concentraţiile impurităţilor din cele două zone nu sunt egale (Nao > Ndo). sarcină care nu mai este compensată de sarcina .5 se explică funcţionarea joncţiunii. Se obţine o sarcină a ionilor imobili (fixaţi în reţea) pentru purtătorii din fiecare zonă. astfel încât distanţa dintre cele două zone să fie cel mult 10-5 mm. o variaţie a concentraţiei de goluri (cp) şi electroni (cn). se realizează o joncţiune p-n care reprezintă structura de bază pentru majoritatea componentelor electronice.

respectiv polaritatea (−) la zona n. Efectul potenţialelor de contact asupra barierei de potenţial Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n a) Polarizarea directă (figura 1. cu polaritatea (+) la zona p şi. Prezenţa câmpului intern Ei determină apariţia unei bariere de potenţial notate cu U0 (figura 1. potenţialele de tip M-S (metal-semiconductor) anulează bariera de potenţial U0. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua.5-e).6. ilustrată prin zona haşurată. Ca urmare. Regiunea în care apare câmpul electric Ei şi sarcina spaţială ρ se numeşte regiune de trecere. astfel încât la bornele joncţiunii potenţialul rezultant este zero (figura 1.7). potenţialul iniţial (U0) al barierei scade cu .Dispozitive electronice de circuit 7 purtătorilor majoritari din zona respectivă.5 Figura 1. în zona regiunii de trecere.6). Această sarcină creează câmpul electric care se opune trecerii purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. Figura 1. Dacă joncţiunii p-n i se ataşează două contacte metalice. Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a sarcinii ρ.

Tensiunea anodică inversă se notează cu (-Ua) sau (. Figura 1. Valoarea curentului de conducţie este de ordinul microamperilor. În starea de conducţie tensiunea anodică directă este: Ua ≅ 0. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. Polarizarea directă a joncţiunii p-n b) Polarizarea inversă (figura 1. Polarizarea inversă a joncţiunii p-n În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de alimentare. Acest lucru permite trecerea putătorilor majoritari care formează curentul de difuzie (Id).8). iar joncţiunea se consideră blocată. este neglijabil.8.8 Capitolul 1 valoarea tensiunii de alimentare Ua. cu polaritate pozitivă în timpul conducţiei.9. Curentul de conducţie (ic).3 Dioda semiconductoare Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care are ataşate două contacte M-S (metal-semiconductor). numit curent invers al joncţiunii. Caracteristica statică a diodei este reprezentată în figura 1. i . Curentul direct al joncţiunii este neglijabil.U a ). Figura 1. lipiţi prin procedee speciale de contactele M-S.7V pentru diodele cu Si şi Ua≅0. respectiv polaritatea (+) la zona n. C = Catod. cu polaritate negativă în timpul conducţiei. Cei doi electrozi. 1. se numesc: A = Anod. cu polaritatea (−) la zona p şi.3V pentru diodele cu Ge. Ua.7. numit curent direct al joncţiunii.

10). determinarea punctului static de funcţionare Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de limitare a curentului anodic (figura 1.1 Dioda în circuit. aceasta se distruge prin efect termic datorită creşterii în avalanşă a curentului invers.Dispozitive electronice de circuit 9 Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi atinge valoarea de străpungere a joncţiunii.3. PSF (M). pentru ramura de polarizare directă (cadranul I). Figura 1. Caracteristica curent-tensiune a diodei 1. se rezolvă grafo-analitic sistemul format din ecuaţia dreptei statice de sarcină.10. Dioda în circuit Figura 1. se cunoaşte caracteristica anodică. Caracteristica externă a diodei Pentru determinarea punctului static de funcţionare. rezultată din a IIa teoremă a lui Kirchhoff aplicată circuitului din figura 1. De asemenea. Figura 1.11. Se observă că înclinaţia dreptei de sarcină este egală cu .4) Tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi: E/R → pentru Ua=0 şi E → pentru ia=0.9.11): ⎧E = R ⋅ i a + U a ⎨ ⎩ i a = f (U a ) (1.11. figura 1.10 şi ecuaţia caracteristicii anodice (figura 1.

Sunt utilizate în circuite de detecţie şi comutaţie la frecvenţe de lucru până la 10 MHz. obţinute din proiecţiile punctului M pe cele două axe. aceasta echivalează cu depărtarea armăturilor ”condensatorului”.12.5 V . U z ΔTa e) rezistenţa internă (dinamică). . Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din starea ”blocat” în starea de ”conducţie” . 3) Diode de comutaţie.. în porţiunea de lucru a caracteristicii statice. . Coordonatele PSF sunt iao şi Uao. 1. Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil. 2) Diode stabilizatoare (diode Zener). b) curentul Zener – curentul corespunzător tensiunii de stabilizare: Iz∈[mA.12-a este ilustrată polarizarea diodei Zener..13. b) tensiunea inversă: Uinv. deci se comportă ca o capacitate comandată prin tensiune.. Simbolizarea şi variaţia capacităţii echivalente ale diodei varicap sunt prezentate în figura 1.10 Capitolul 1 valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R. rz.. De regulă sunt utilizate în tehnica de calcul. Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b) Parametrii de catalog: a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz ∈[2. 180 V]. Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa joncţiunii foarte mică.. c) temperatura maximă admisă a joncţiunii: Tj max ≤ 140 oC.. 5) Dioda varicap. Sunt diode realizate cu siliciu la care se utilizează ramura caracteristicii corespunzătoare polarizării inverse. max ≤ 1800 V. iar în figura 1.A].2 Tipuri de diode semiconductoare 1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog: a) curentul mediu în sens direct: IF ≤ 600 A. Figura 1.3. d) frecvenţa de lucru: fl ∈ [50 Hz . În figura 1.12-b este reprezentată caracteristica statică inversată (în cadranul I). Pe măsură ce aplicăm o tensiune mai mare la bornele diodei.de ordinul nanosecundelor. c) puterea disipată: Pd<10W. 20 KHz].100 [%/oC]. d) coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura: αz = 1 ΔU z . 4) Diode cu contact punctiform.

Aceasta emite un flux de radiaţii luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purtătorilor de sarcină.13.5 şi 5 GHz. Fotodioda este utilizată în construcţia detectoarelor opto-electronice ce lucrează în spectrele vizibil sau infraroşu. Figura 1.15-b şi 1.Dispozitive electronice de circuit 11 Figura 1. realizând şi o foarte bună separare galvanică.15-a. iar purtătorii majoritari traversează bariera de potenţial prin ”efectul tunel” (efect cuantic).16. familia caracteristicilor curent-tensiune (b).15. caracteristicile anodice şi caracteristica spectrală sunt reprezentate în figura 1.c). Polarizarea. optocuplor realizat cu LED+fototranzistor (c) 8) Dioda tunel – are joncţiunea p-n cu cele două zone foarte apropiate şi puternic dopate cu impurităţi. Figura 1. caracteristica spectrală (c) 7) Dioda electroluminiscentă – LED (Light Emitting Diode) se utilizează cu polarizare directă A-C.14. figurile 1. LED în circuit (a). astfel încât regiunea de trecere este foarte îngustă. dioda Tunel fiind utilizată şi în circuite de comutaţie. Simbolizarea şi caracteristica anodică sunt ilustrate în figura 1. Dioda varicap: simbolizare şi principiu de funcţionare 6) Fotodioda este utilizată cu polarizare inversă.b.15-c.6).14 (a. Culoarea radiaţiei depinde de natura semiconductorului şi de impuritatea activatoare. Din combinarea unui LED cu o fotodiodă rezultă un optocuplor (cuplor optic). Caracteristica curent-tensiune este neliniară şi prezintă în porţiunea MN rezistenţă internă negativă. optocuplor realizat cu LED+fotodiodă (b). figura 1. la reclame etc. . Polarizarea fotodiodei (a). Această proprietate permite utilizarea diodei tunel în construcţia oscilatoarelor (vezi § 2. Este utilizată în construcţia afişoarelor numerice. Frecvenţa de lucru este cuprinsă între 0. Curentul de purtători majoritari se datorează fluxului luminos incident. Optocuplorul este un dispozitiv electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieşire.

La aceste tranzistoare semnalul de intrare (xi) în DA este o tensiune. 2. colector şi bază. Considerând un dispozitiv de amplificare (DA) comandat prin semnalul de intrare xi. Simbolizarea acestora este dată în figura 1. Tranzistoare bipolare. tranzistoarele sunt de două tipuri: 1.16. Simbolizarea diodei tunel şi caracteristica curent-tensiune 1. iar joncţiunea B-C este polarizată invers.12 Capitolul 1 Figura 1. iar zona C este mai puţin dopată decât zona E. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn. În această schemă tranzistorul reprezintă dispozitivul de amplificare. zona B este slab dopată cu impurităţi şi este foarte îngustă (de ordinul micronilor). o rezistenţă de limitare a curentului de sarcină (R) şi sursa de alimentare E. la care conducţia electrică este asigurată atât de electroni cât şi de goluri. în figura 1. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor După modul în care se realizează conducţia electrică a semnalului prin DA. 1. În acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent.structura fizică şi funcţionare Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone şi două joncţiuni. .18.1 Tranzistoare bipolare .17 s-a reprezentat schema simplificată a unui amplificator.4 Tranzistoare Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a amplifica semnale electrice. la care conducţia electrică este asigurată de o singură categorie de purtători: fie numai electroni.4.17. La funcţionarea în regim de amplificare joncţiunea E-B este polarizată direct. Figura 1. fie numai goluri. Zona E este puternic dopată cu impurităţi.19. Tranzistoare unipolare. Cei trei electrozi se numesc: emitor. Structura fizică a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentată în figura 1.

Transferul aproape integral în colector a golurilor difuzate în bază poartă numele de efect de tranzistor. Structura şi simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp şi npn) Figura 1. UCB > Pi = UEB .18. Puterea la ieşire.9) Această inegalitate explică posibilitatea funcţionării tranzistorului în regim de amplificare. Observaţie: Curentul de purtători minoritari ICBo este foarte mic.6) I B = (1 − α n )I E − I CBo IE = IC + IB (1. Din schema structurală rezultă ecuaţia curenţilor prin tranzistor: I C = α n I E + I CBo (1. Pe = IC . În modul. Întrucât lăţimea bazei este foarte mică iar regiunea de trecere a joncţiunii B-C se extinde mult în zona bazei (n).7) (1. (Pe).factor static de amplificare în curent IC (1. rezultând I C ≈ I E . Structura fizică şi polarizarea tranzistorului pnp I α n = E ≅ 0.995 . golurile din emitor difuzate în bază (B) sunt preluate şi transportate în colector de câmpul electric intern Ei al joncţiunii colectorului.5) Un procent foarte mic de goluri se recombină cu electroni din bază formând atomi neutri. Figura 1. tensiunea între colector şi bază este mult mai mare decât tensiunea dintre emitor şi bază: U CB >> U EB .8) unde: ICBo este curentul de purtători minoritari. este mai mare decât puterea de intrare (Pi): (1. IB .Dispozitive electronice de circuit 13 Curentul de difuzie prin joncţiunea emitorului este format din purtătorii majoritari care sunt golurile.19.

21). având 4 borne. iar tranzistorul având numai 3 terminale (bază. Tranzistorul bipolar în conexiune colector comun Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1.14 Capitolul 1 1.20. . Figura 1. c) Schema de conexiuni – colector comun (CC – figura 1. emitor).23).4. iar joncţiunea C-B este polarizată invers.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice Întrucât în regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol (simbolizat în figura 1. Figura 1. Figura 1. Tranzistorul bipolar în conexiune emitor comun Figura 1.20). Simbolizarea unui amplificator a) Schema de conexiuni – bază comună (BC – figura 1. De aceea sunt posibile trei scheme fundamentale de conexiune ale tranzistorului în regim de amplificare. iar în continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru această conexiune. se utilizează ca amplificator de putere (etaj final).22.22) – este cea mai utilizată. În oricare dintre cele 3 scheme se are în vedere că joncţiunea E-B este polarizată direct.21. Tranzistorul bipolar în conexiune bază comună b) Schema de conexiuni – emitor comun (EC – figura 1. colector.23.24) I B = f ( U BE ) U CE = ct . rezultă că un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca bornă comună pentru intrare şi ieşire.

24.25.10) unde: β n = αn se numeşte factor static de amplificare în curent pentru 1 − αn conexiunea emitor comun.Dispozitive electronice de circuit 15 Figura 1.11) . în care se disting principalele regiuni de lucru. I C = β n I B + (1 + β n )I Co (1. βn 1 + βn (1. Regiunea 1 – zona de blocare (de tăiere) este caracterizată de polarizarea inversă a joncţiunii E-B sau de lipsa polarizării acestei joncţiuni. de ieşire pentru conexiunea EC: I C = f ( U CE ) I B = ct Familiile caracteristicilor de ieşire sunt date în figura 1.25. Caracteristici statice de intrare Caracteristici statice . Familiile caracteristicilor de ieşire Relaţia între factorul de amplificare βn şi factorul static de amplificare în curent αn – pentru conexiunea bază comună este: αn = unde β n = [30 L 1000] . Regiunea 2 – regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea directă a joncţiunii E-B şi de polarizarea inversă a joncţiunii C-B. Figura 1.

27. limita tensiunii de colector (UCEmax) şi limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax).4. Regiunea 3 – este numită şi zonă de saturaţie şi corespunde situaţiei când ambele joncţiuni sunt polarizate direct.12) unde ICo este curentul de purtători minoritari (curentul invers al joncţiunii BC). La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate două probleme: .26. ce nu trebuie depăşiţi în timpul funcţionării tranzistorului. Aceste trei valori reprezintă parametri de catalog. din relaţia (1. figura 1.26 sunt ilustrate cele 3 limitări esenţiale în funcţionarea tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax).4. .determinarea punctului static de funcţionare (PSF).16 Capitolul 1 În regiunea de tăiere curentul de bază fiind nul. 1.U CE max (1. Stabilirea PSF Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare.stabilizarea punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii. în figura 1. . Caracteristicile au o ramură comună sub formă de dreaptă cu înclinaţia de aproape 90o. Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar 1.10) rezultă: I C ≅ (1 + β n )I Co (1. Relaţiile care trebuie respectate între valorile de lucru şi valorile limită ale celor trei parametri sunt: I C ≤ I C max U CE ≤ U CE max Pd < Pmax = I C max . Această dreaptă se numeşte ”dreaptă de saturaţie”.13) Figura 1. realizat cu un tranzistor de tip npn.4 Tranzistorul bipolar în circuit.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar Considerând familia caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun (EC).

Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire (figura 1.Dispozitive electronice de circuit 17 Figura 1. iCo). RB. din relaţia (1. RC şi familia caracteristicilor externe ale tranzistorului. Se cere: PSF → M(UCEo. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn Se dau: EC. se obţine la intersecţia caracteristicii externe (aferentă curentului iBo) cu dreapta de sarcină.27.15) se obţine: iBo ≅ EC RB (1. .14) Procedând similar pentru circuitul de intrare se obţine: EC = RB ⋅ iB + UBE (1. iC=f(UCE). (1.15) Neglijând UBE în raport cu EC ( UBE ≅ 0). Panta (înclinarea) dreptei de sarcină se exprimă prin RC tg(α)=RC. iCo) Figura 1.28. trasată prin tăieturile sale ( IC = EC şi U CE = E C ). prezentată în figura 1.27) se obţine: EC = RC ⋅ iC + UCE . M(UCEo.ecuaţia dreptei de sarcină.16) Punctul static de funcţionare.28.

atât în conexiunea EC cât şi în conexiunea BC. realizând astfel stabilizarea PSF la variaţia temperaturii.) şi ca urmare modificarea caracteristicilor de intrare. Din (1. Modificarea PSF la variaţia temperaturii Există mai multe metode de stabilizare.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. ceea ce conduce la creşterea factorului de amplificare βn.29).30. iE . atunci funcţionarea etajului de amplificare este defectuoasă. Deci se compensează creşterea iniţială a curentului iC iar punctul static de funcţionare este adus din poziţia M’ în poziţia iniţială M. iE ⇒ UBE = U . care utilizează diverse scheme.17) Dacă T ↑ ⇒ iC ↑ (punctul M se deplasează în M’). dar cea mai utilizată este schema din figura 1. Figura 1. cu ajutorul rezistenţei de emitor (RE) se rezolvă problema stabilizării PSF.29. sau IB=ct. U = UBE + RE . Figura 1.18 Capitolul 1 1. Un alt efect al creşterii temperaturii îl reprezintă micşorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct.RE .4. Schemă utilizată pentru stabilizarea PSF-ului la variaţia temperaturii Stabilizarea PSF se explică prin relaţiile: (1. Pentru restabilirea funcţionării normale este necesară readucerea PSF (M’) în poziţia iniţială (M).30 în care. Dacă deplasarea PSF este mare.17) se observă că UBE scade ceea ce conduce la micşorarea curentului de colector. ceea ce conduce la creşterea curentului de emitor (iE ≈ iC). cresc factorii statici de amplificare în curent βn şi αn. Stabilizarea punctului static de funcţionare Dacă temperatura creşte iCo creşte. rezultând o creştere a curentului de colector care deplasează punctul static de funcţionare M în M’ (figura 1. De asemenea.

în paralel cu rezistenţa de emitor.4. are rolul de a scurtcircuita rezistenţa de emitor atunci când etajul funcţionează în curent alternativ. scade corespunzător.4. pentru stabilizarea punctului static de funcţionare În figura 1. La funcţionarea etajului în curent alternativ condensatorul CE elimină reacţia negativă de tensiune dacă reactanţa condensatorului de emitor este de cel puţin 10 ori mai mică decât RE: XE ≤ 0. cum sunt termistoarele şi diodele semiconductoare.33-b. sunt prezentate în figura 1. astfel încât curentul iB. Schemă cu diodă de static de funcţionare utilizând termistor compensare.32 este dată o schemă de stabilizare termică utilizând o diodă ca element de compensare.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare utilizând un tranzistor bipolar npn în conexiune emitor-comun (figura 1.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare se pot utiliza şi elemente de compensare ce au caracteristici neliniare. iar curentul prin termistor creşte.iE ≅ 0.31. De regulă se adoptă curentul prin RD la valoarea: iD≅10⋅iBo. pentru care diagramele curenţilor şi tensiunilor. deci are loc compensarea efectului de creştere a curentului iC cu temperatura.31 este prezentată o schemă de stabilizare utilizând un termistor ca element de compensare. CE. acţionând în sensul compensării efectului de creştere a curentului de colector cu temperatura. Dioda D fiind polarizată în sens de blocare. .5. În figura 1. având ca efect micşorarea curentului iB. Figura 1.33-a). rezistenţa termistorului scade. • În regim static de funcţionare căderea de tensiune pe rezistenţa din emitor se poate calcula cu relaţia: RE. rezultat din nodul A. 1.32. 1.1 ⋅ RE. Schema de stabilizare a punctului Figura 1.Dispozitive electronice de circuit 19 Observaţii: • Divizorul de tensiune format din rezistenţele RB1 şi RB2 permite impunerea valorii curentului de bază în regim static (iBo). La creşterea temperaturii. • Condensatorul din emitor. la creşterea temperaturii va creşte curentul invers idi. corespunzătoare punctului static de funcţionare M.2⋅EC.

rezistenţa la ieşire (sute de kΩ sau MΩ). AI.20) Ri = U U1 . eficace).22) Rezistenţele de intrare şi ieşire ale etajului de amplificare sunt: ≅ U CE (val. unde: U1 = UBE. Dacă sarcina etajului nu este rezistivă.21) I1 IB Amplificarea în putere: AP = Pe/Pi.20 Capitolul 1 Datorită semnalului alternativ de la intrare. Curenţii prin tranzistor vor fi: i B = i Bo + i B ~ i C = i Co + i C ~ (1. marcat cu linie groasă. În timpul funcţionării etajului de amplificare în curent alternativ. între punctele A şi B se face cu frecvenţa semnalului de intrare (iB~) şi are ca efect apariţia componentelor alternative pentru curentul de colector (adică iC~) şi pentru tensiunea de la ieşire (UCE~). b) Conexiunea colector-comun (CC): Ri . R E = 2 . tensiunea colector-emitor are două componente: (1. Proprietăţi calitative ale etajelor de amplificare în raport cu schema de conexiune utilizată. a) Conexiunea bază-comună (BC): Ri . AU =zeci sau sute. punctul static de funcţionare (M) se deplasează pe dreapta de sarcină. adică este inductivă sau capacitivă. Re . corespunzător valorilor maxime ale curentului iB~ . Re . efective) (1.tg β) este diferită faţă de panta caracteristicii statice (tg α). ZC. Curentul de la ieşire (iC~) este în fază cu cel de la intrare (iB~). panta caracteristicii dinamice (panta segmentului A’B’ . U2 = UCE. . iC0) ale curenţilor din tranzistor se suprapun componentele alternative.rezistenţa la intrare (zeci sau sute de kΩ).rezistenţa la ieşire (zeci sau sute de Ω).rezistenţa la intrare (zeci de Ω). AU. unde Pe = UCE ⋅ IC.23) Observaţie: Dacă tensiunea de intrare Ui este de înaltă frecvenţă sau dacă sarcina nu este rezistivă parametrii etajului sunt mărimi complexe: Zi. Tensiunea de la ieşirea etajului (UCE~) este în antifază faţă de curentul de intrare alternativ (iB~). Construcţia grafică (reprezentată la scară) a caracteristicilor în regim dinamic permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare. Ai ≤ 1. I1 = IB. (1. Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt: Amplificarea în tensiune: A U = A = U CE = U CEo + U CE ~ U2 Ui U BE I I Amplificarea în curent: A I = 2 = C (val. În regim dinamic punctul static M se deplasează în ambele sensuri pe dreapta de sarcină şi descrie caracteristica dinamică. peste componentele continue (iB0. iar Pi = UBE ⋅ IB (1. adică segmentul AB.19) Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative şi blochează componenta continuă (dacă există) a semnalului de intrare. Deplasarea alternativă a punctului static (M) pe dreapta statică de sarcină. I2 = IC I1 I2 (1.18) De asemenea. Deci caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor statice de funcţionare când la intrarea etajului se aplică semnalul alternativ.

Canalul poate fi realizat din purtători de sarcină negativi (electroni). Calea de trecere se numeşte canal şi este situat între doi electrozi numiţi sursă (S) şi drenă (D). AU ≤1. AU= zeci sau sute. . c) Conexiunea emitor-comun (EC): Ri . fie goluri. • Schema bază-comună (BC) creează dificultăţi la cuplarea etajelor în cascadă (serie) datorită diferenţelor foarte mari între impedanţa (sau rezistenţa) de intrare şi cea de ieşire. Figura 1. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar 1. Funcţionarea acestora se bazează pe modificarea conductanţei unei căi de trecere a purtătorilor care produc curentul electric prin dispozitiv. Re . Se mai utilizează abrevierea FET. Tranzistoarele unipolare se mai numesc Tranzistoare cu Efect de Câmp (TEC). • Pentru amplificatoarele de tensiune. sau goluri (care au sarcină pozitivă). în construcţia amplificatoarelor de putere. schema cea mai utilizată este cea cu emitorul-comun. canalul fiind de tip p. care în limba engleză are aceeaşi semnificaţie: Field Effect Transistor.33. conducţia este asigurată de o singură categorie de purtători: fie electroni. Concluzii: • Schema colector-comun este utilizată în circuitele de adaptare pentru că are rezistenţa la ieşire mică sau.rezistenţa la ieşire (zeci kΩ). Ai = zeci sau sute.4.Dispozitive electronice de circuit 21 Ai = zeci sau sute.7 Tranzistoare unipolare În cazul tranzistoarelor unipolare. fiind canal de tip n.rezistenţa la intrare (kΩ).

. regiunile de trecere (reprezentate prin zonele haşurate din figura 1. 2) TEC cu grilă (poartă) izolată. având structură MOS (Metal Oxid Semiconductor). TEC-J . Distribuţia spaţială a potenţialului la nivelul canalului este prezentată în figura 1. regiunile de trecere au lăţime neglijabilă (deci nu apar zonele haşurate) şi ca urmare secţiunea canalului este maximă.structura fizică (a). Rezistenţa internă a acestor tranzistoare este foarte mare ( 108 . Structură fizică şi funcţionare Tranzistoarele cu efect de câmp şi joncţiuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n sau p. respectiv curentul de drenă este maxim (ID=IDmax). Deci canalul de tip n este situat între două joncţiuni polarizate invers. Baza fiind legată la grila negativată de către tensiunea UG. După modul în care se realizează controlul (reglajul) conductanţei canalului există două categorii de tranzistoare unipolare: 1) TEC cu joncţiuni (TEC-J). În funcţionarea tranzistorului TEC-J se disting următoarele situaţii: a) Dacă grila nu este polarizată (UG =0).TEC-MOS.7.35.. distribuţia potenţialului (b) Zonele haşurate reprezintă regiunile de trecere ale celor două joncţiuni. rezultă altă joncţiune p-n polarizată invers. Din acest motiv tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de câmp.35-a) se extind în zona canalului micşorând . Figura 1. Simbolizarea tranzistoarelor unipolare Conductanţa canalului se modifică sub influenţa câmpului electric produs de tensiunea aplicată la al 3-lea electrod numit grilă (G) sau poartă (P). TEC sunt comandate în tensiune. În cele ce urmează se prezintă structura fizică a unui tranzistor TEC-J având canal de tip n. 1012 Ω). Zona p a grilei formează cu zona n a canalului o joncţiune polarizată invers.34.35-a. b) Când grila este negativată (UG<0).22 Capitolul 1 Figura 1. 1. Deoarece conductanţa canalului depinde de potenţialul grilei.35-b.1 TEC-J având canal de tip n. figura 1.4.

Figura 1. Figura 1. Figura 1. II – zona de saturaţie.37. iar curentul de drenă care circulă între sursă (S) şi drenă (D) se micşorează.Dispozitive electronice de circuit 23 secţiunea acestuia.36. Familia caracteristicilor de ieşire prezintă două zone: I. Simbolizarea în circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentată în figura 1.zona de amplificare. În zona de amplificare curentul de drenă este reglat prin modificarea tensiunii de grilă. Familia caracteristicilor de intrare . c) Dacă grila este puternic negativată (UG<<0) regiunile de trecere se unesc anulând secţiunea canalului şi ca urmare se anulează curentul de drenă (ID≅0). Familia caracteristicilor de ieşire În familia caracteristicilor de intrare se observă că tensiunea de prag (Up) reprezintă valoarea tensiunii de grilă la care se anulează curentul de drenă (ID). b) canal p Importanţă deosebită prezintă familia caracteristicilor de ieşire (figura 1.38).38.36a şi b. indiferent de tensiunea aplicată pe drenă. Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n.37) şi de intrare (figura 1.

Rezultă tensiunea de negativare a grilei.24 Capitolul 1 1. dacă se utilizează una dintre schemele prezentate în figura 1. În schema din figura 1. În acelaşi timp. se aplică între sursă şi grilă (prin rezistenţa Rg). În figura 1.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J Funcţionarea unui etaj de amplificare. Figura 1.39-a şi b.39-a etajul de amplificare utilizează o sursă separată (Eg) pentru negativarea grilei. cu semnul plus (+) la sursă şi minus (−) la grilă. utilizând o singură sursă de alimentare (sursa de drenă ED). b) cu negativare automată a grilei. iar pe drenă (D) se aplică o tensiune pozitivă.39. adică atunci când grila (G) este negativă în raport cu sursa (S). valoarea mare a rezistenţei Rg asigură o rezistenţă (impedanţă) de intrare ridicată pentru etajul de amplificare. Aceste condiţii impuse etajului de amplificare pot fi îndeplinite. Condensatoarele CC1 şi CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare şi respectiv la ieşirea etajului.39-b realizează negativarea automată a grilei în raport cu sursa.24) Condensatorul CS decuplează (scurtcircuitează) rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. Curentul de drenă (curentul de sarcină al etajului) este limitat prin rezistenţa de drenă (RD).25) . întrucât reactanţa X C a acestuia este neglijabilă la frecvenţa de lucru a etajului.7. dată de relaţia: UG0 = − RS ⋅ ID0 S (1. Observaţie: În proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie îndeplinite două condiţii esenţiale: • Căderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului să nu fie mai mare de un procent (0. dată de componenta continuă a curentului de drenă ID0 = IS0. este posibilă dacă tranzistorul este polarizat corect. acestea având rolul de blocare a componentei continue din semnalul de intrare şi/sau ieşire. Etaj de amplificare cu TEC-J: a) cu sursă separată pentru negativarea grilei. Căderea de tensiune pe rezistenţa sursei (RS). Rezultă că între rezistenţa Rg şi reactanţa X C trebuie să existe C1 relaţia: X C C1 ≤ Rg 100 (1.4.01) din valoarea nominală a semnalului de intrare. Rezistenţa Rg se adoptă de ordinul megohmilor (MΩ) şi are rolul de a transmite pe grilă potenţialul negativ al sursei (bateriei) Eg. realizat cu tranzistori TEC-J (canal n).39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = −Eg. Schema din figura 1.

4.7. Proiecţiile duse din punctul static (M) pe axele ID şi UDS determină coordonatele ID0 şi UDS0 ale punctului M.39-a şi aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ED = RD ⋅ ID + UDS (1. astfel încât să se elimine reacţia negativă de tensiune. utilizând punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină cu axele de coordonate: ID = ED . cu frecvenţa semnalului UG ~ . exprimată prin tg(α). figurat cu linie groasă. prin CC2. o rezistenţă de sarcină RS (sau o impedanţă ZS). G pentru tranzistorul TEC-J utilizat în etajul de amplificare (figura 1. Astfel. a punctului static M pe dreapta de sarcină între punctele A şi B.29) Din figura 1.40 se observă că la funcţionarea etajului în regim dinamic apar componentele alternative ale curenţilor şi tensiunilor prin tranzistor care se suprapun peste componentele continue ale acestora. Panta caracteristicii dinamice (tg β) va fi diferită de panta dreptei statice (tg α) dacă la ieşirea etajului se conectează. În acest caz panta caracteristicii dinamice va fi: tg β = f (RD + RS) sau tg β = g (RD + ZS) (1.26) 1.39-a). depinde numai de valoarea rezistenţei de drenă RD: tg(α)=RD. atunci componenta alternativă a tensiunii de grilă (UG ~) determină deplasarea rectilinie alternativă. se trasează dreapta statică de sarcină în planul caracteristicilor de ieşire (figura 1.27) Presupunând dată familia caracteristicilor de ieşire I D = f ( U DS ) U = ct. Panta dreptei statice de sarcină. Dacă la intrarea etajului se aplică un semnal alternativ (u~).30) .28) Punctul static de funcţionare (M) se obţine la intersecţia caracteristicii de ieşire. reprezintă caracteristica dinamică a tranzistorului TEC-J.40). RD U DS = E D (1. expresiile curenţilor şi tensiunilor în regim dinamic sunt: UG = UG0+ UG ~ UDS = UDS0+ UDS ~ ID = ID0+ ID ~ (1. cu dreapta statică de sarcină. pentru UG0= −Eg . Astfel segmentul AB.Dispozitive electronice de circuit • 25 Condensatorul CS conectat în paralel cu RS trebuie să şunteze rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic Considerând etajul de amplificare din figura 1. Această condiţie este îndeplinită dacă între rezistenţa sursei RS şi reactanţa X C există relaţia: S X CS ≤ RS 10 (1.

la care grila este izolată de canal prin stratul de oxid. Structura fizică este prezentată în figura 1.42-b.10-6) mm. Observaţii: Dacă se cere o rezistenţă de intrare (Ri) cât mai mare a etajului de amplificare. Metalul depus pe oxid joacă rol de grilă. rezistenţa de intrare rezultă foarte mare: Ri≅1014 Ω.40. ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcină prin tranzistor.. atunci regimul de funcţionare este un regim de îmbogăţire (în purtători). În cazul tranzistoarelor TEC-MOS având canal permanent. i D = g( U G ) U D = ct (1. Structura MOS poate avea două tipuri de canale: a) canal de tip n (electroni). În figura 1. Pentru Ri mică.4. Diagramele tensiunilor şi curenţilor la funcţionarea etajului în regim dinamic 1.42-a iar familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare este dată în figura 1. b) canal de tip p (goluri). În figura 1. deoarece modifică prin potenţialul său proprietăţile semiconductorului la suprafaţa dinspre oxid. Dacă grila este la potenţial pozitiv. reprezentând: I-regiunea de amplificare.41. se alege PSF în regiunea de sărăcire (grilă negativă).4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) Structura MOS este prezentată în figura 1.42-b sunt reprezentate caracteristicile de ieşire şi intrare: i D = f ( U D ) U G = ct Valoarea tensiunii de grilă pentru care curentul de drenă se anulează (iD=0) poartă numele de tensiune de prag (Up).7.. iar curentul de drenă creşte. deci modifică conductivitatea canalului.26 • • Capitolul 1 Observaţii: Curentul de la ieşirea etajului (ID~) este în fază cu semnalul alternativ de la intrare (UG ~). II – regiunea de saturaţie.42-b sunt marcate regiunile I şi II. Figura 1.31) . PSF se alege pe dreapta de sarcină în zona de îmbogăţire (grilă pozitivă). La suprafaţa semiconductorului de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 . Tensiunea de ieşire (UDS ~) este în antifază cu semnalul de intrare (UG~).

este alimentat de la o singură sursă (+ED). Dacă din schema etajului de amplificare (figura 1. Astfel de amplificatoare cu impedanţe de intrare foarte mari sunt necesare în construcţia adaptoarelor traductoarelor de pH.CS asigură negativarea automată a grilei în raport cu sursa de alimentare. atunci se obţine un etaj de amplificare ce asigură o impedanţă de intrare (Zi) foarte mare (≈1012 Ω). considerând că în PSF tensiunea de grilă este negativă (UGo<0).5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TECMOS având canal de tip n.43) se elimină elementele RS.4. a . În figura 1. Structura tranzistorului MOS Figura 1.Dispozitive electronice de circuit 27 Figura 1. familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare (b) 1.42.41. CS şi RG. la fel ca în cazul TEC-J.7. Rezistenţa de grilă (RG) se adoptă suficient de mare (de ordinul MΩ) astfel încât să asigure o impedanţă mare la intrarea etajului de amplificare.43 este prezentată schema unui etaj de amplificare la care tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n). Structura fizică (a). Grupul RS .

În cele ce urmează se va prezenta structura.5. Cele mai utilizate dispozitive multijoncţiune sunt: dioda pnpn (numită diodă Shockley sau dinistor).4.1 Tiristorul Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat în electronica de putere. Structura fizică a acestor dispozitive conţine mai multe straturi în succesiune pnpn.5 Dispozitive semiconductoare speciale În electronica aplicată se utilizează frecvent dispozitivele semiconductoare speciale. Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este asemănător celui prezentat la tranzistorul TEC-J (§ 1. Din acest motiv aceste dispozitive semiconductoare se mai numesc şi multijoncţiune.28 Capitolul 1 traductoarelor piezoelectrice etc. Structura fizică şi simbolizarea tiristorului . Etaj de amplificare cu TEC-MOS având canal n 1.7. tiristorul. deci mai multe joncţiuni. Figura 1. El este format din 4 zone şi 3 joncţiuni. triacul. Un dispozitiv semiconductor special care are o singură joncţiune şi trei electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Joncţiune (TUJ). catod (C) şi poartă sau grilă (P sau G).47.47.3) Figura 1. caracteristicile şi funcţionarea următoarelor dispozitive semiconductoare: 1.43. diacul. structura acestuia şi simbolizarea fiind prezentate în figura 1. Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A).

Figura 1.49. iar i B 2 este dat numai de curentul de grilă care trebuie să fie suficient de mare. după care este necesar un curent de grilă pozitiv care se aplică sub formă de impuls. Acest lucru conduce la creşterea lui i B . Pentru amorsare se aplică tensiune pozitivă la anod şi negativă la catod. ia=f(Ua). b) blocarea tiristorului are loc atunci când curentul prin tiristor se micşorează. astfel încât acesta să nu depăşească valoarea nominală (care este un parametru de catalog). Caracteristica anodică a tiristorului . figura 1. ilustrată în figura 1.48. La început ambele tranzistoare sunt blocate. Curentul prin tiristor (care circulă de la anod la catod) trebuie limitat printr-o rezistenţă de sarcină.Dispozitive electronice de circuit 29 Tiristorul este echivalent cu două tranzistoare bipolare complementare (pnp şi npn). ceea ce duce la creşterea lui i C = i B . adică i B creşte şi 2 1 1 deschide T1 rezultând creşterea curentului de colector al tranzistorului T1.49. conectate ca în figura 1.48 se observă că: i B 2 = i C1 + i G . adică ia scade sub valoarea curentului de menţinere iam (parametru de catalog). Pentru un tiristor prezintă importanţă caracteristica anodică. Schema echivalentă a unui tiristor Funcţionarea tiristorului cuprinde două etape: a) amorsarea (intrarea în conducţie sau aprinderea).49. Figura 1. fenomenul de conducţie (creştere a curenţilor 2 prin tranzistoare) accelerându-se până când ambele tranzistoare intră în saturaţie.48. Din figura 1. În continuare se deschide puţin T2.

Observaţii: Dacă între tensiunile de amorsare Uam1 şi Uam2 există inegalitatea (Uam1<Uam2). iar pentru protecţia acestuia împotriva gradienţilor de tensiune inversă se utilizează un circuit Rp-Cp serie conectat în paralel cu tiristorul (figura 1.51). e.50). iar curentul anodic are o creştere mică). Grupul Rp-Cp asigură atenuarea gradienţilor de tensiune inversă (periculoşi pentru joncţiunile tiristorului) ce apar în momentul blocării acestuia. • temperatura maximă a joncţiunii Tj max ≤ 140 oC. se înseriază cu tiristorul o bobină de inductivitate L (calculată ca şi grupul Rp-Cp după o metodologie utilizată de exemplu. atunci între curenţii de grilă corespunzători există inegalitatea inversă: i G1 > i G 2 . valorile curenţilor de grilă necesari amorsării sunt mai mici şi invers (fenomen ilustrat şi în figura 1. iar căderea de tensiune între anod şi catod rămâne aproximativ constantă). • tensiunea inversă Uinv = sute (mii) volţi (tensiunea anodică inversă). Caracteristica de comandă a tiristorului • • • Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt: • curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN ≤ 1000A. În regimul de tranziţie rezistenţa internă a tiristorului este negativă: R Ti = − • ΔU a < 0.49). .50. fiind neglijabil).30 Capitolul 1 În planul caracteristicilor anodice. Figura 1.51). Pentru limitarea vitezei de creştere a curentului la o valoare sub viteza critică (parametru de catalog).32) zona III – corespunde regimului de conducţie (curentul creşte brusc după o caracteristică aproape verticală. Δi a (1. Caracteristica de comandă (caracteristica de grilă) reprezintă dependenţa tensiunii de amorsare în raport cu valoarea curentului de grilă (figura 1. • zona II – corespunzătoare regimului de tranziţie din starea blocat în starea de conducţie (când tensiunea scade pronunţat. figura 1. se disting 3 zone corespunzătoare regimurilor de funcţionare ale tiristorului: • zona I – corespunzătoare regimului de blocare (curentul creşte foarte puţin. Această caracteristică separă zona de blocare faţă de zona de conducţie şi explică faptul că pentru tensiuni de amorsare mari. figura 1. Pentru protecţia tiristorului la curenţi de scurtcircuit se utilizează o siguranţă fuzibilă specială (ultrarapidă.49. în [1]).

Observaţie: Valorile absolute ale curenţilor de grilă |iG1| şi |iG2| necesari amorsării triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului (Uam1 şi Uam2). iar funcţionarea corespunde cadranului III. astfel încât curentul prin tiristor (ia – figura 1. IN≤ 75A. b) Dacă anodul A2 este negativ faţă de anodul A1.2 Triacul Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structură complexă. trecerea în starea de conducţie are loc pentru curenţi de grilă negativi (iG<0). Pentru amorsarea tiristorului este necesar ca durata impulsului de comandă (iG) să fie suficient de mare. iar funcţionarea corespunde cadranului I. Făcând abstracţie de structura fizică. Uinv-max≤ 1200V. se poate considera că triacul este echivalent cu două tiristoare în conexiune antiparalelă comandate printr-o grilă comună (figura 1. Conectarea triacului în circuit este prezentată în figura 1. Elementele de protecţie necesare triacului sunt aceleaşi ca în cazul tiristorului. Tiristorul reprezintă un întrerupător static în curent continuu şi este utilizat în construcţia variatoarelor de tensiune continuă monofazate sau polifazate. intrarea în conducţie se face pentru curenţi de grilă pozitivi (iG>0).53). Triacul reprezintă un întrerupător static în curent alternativ şi este utilizat pentru reglarea tensiunii alternative (în structura variatoarelor de tensiune alternativă) la bornele receptoarelor mono sau trifazate. curentul de sarcină (curentul anodic) este limitat numai de rezistenţa şi/sau inductivitatea de sarcină (RS. • temperatura maximă a joncţiunii. este formată din două ramuri situate în cadranele I şi III (figura 1. care este o ramură distinctă a electronicii industriale. LS). Principalii parametrii de catalog. Întrucât triacul are conducţie bidirecţională. 1. dacă tensiunile de . Asemănător fenomenelor întâlnite la tiristor.51. Figura 1. sunt următorii: • curentul nominal.5. La funcţionarea triacului într-un circuit de sarcină se disting două situaţii: a) Dacă anodul A2 este pozitiv faţă de anodul A1. • tensiunea maximă inversă. ia=f(ua).Dispozitive electronice de circuit • 31 După intrarea în conducţie a tiristorului. caracteristica anodică.52-a). Acest domeniu de aplicaţie aparţine electronicii de putere.49) să depăşească valoarea curentului de menţinere iam.52-b. Tiristorul în circuit • • Amplitudinea impulsului de comandă pe grilă (iG) reprezintă un parametru de catalog a cărui valoare nu trebuie depăşită. ce trebuie luaţi în considerare la alegerea unui triac. Tj-max≤ 140 oC.

Zona p a emitorului este puternic .5. Structura fizică şi simbolizarea sunt prezentate în figura 1.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) Acest dispozitiv semiconductor se mai numeşte şi diodă cu două baze. triacul în circuit (b) Figura 1.54. Joncţiunea p-n este realizată în zona mediană a blocului semiconductor de tip n. Structura fizică şi simbolizarea tranzistorului unijoncţiune La acest tranzistor zona n este slab dopată cu impurităţi. Simbolizarea triacului (a). (a) (b) Figura 1. curenţii de grilă necesari intrării în conducţie vor fi mai mici şi invers. Caracteristicile anodice ale triacului 1.53. Figura 1.54. iar rezistenţa RBB între bazele B1 şi B2 este relativ mare (de ordinul kΩ).32 Capitolul 1 amorsare aplicate triacului sunt mai mari.52.

între punctul din dreptul joncţiunii emitorului şi cele două baze.. Care sunt proprietăţile regiunii de trecere a unei joncţiuni pn? 3. 1. în cazul Termistorului şi Fotodiodei ? .5 ··· 0. Care sunt parametrii de catalog şi semnificaţia acestora.55.8 . (semnul plus la borna B2). iar uEB1 scade până la valoarea de 0. unde η se numeşte raport intrinsec (coeficient subunitar) exprimat prin relaţia: η= rB1 + rB 2 rB1 (1. După terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor creşte brusc (pe ramura AB comună caracteristicilor). La aplicarea unei tensiuni uBB>0 între cele două baze potenţialul punctului M situat pe joncţiune va fi egal cu η⋅uBB. Pe durata regimului tranzitoriu (porţiunea OA din caracteristici) rezistenţa internă a TUJ este negativă.55). fiind limitat numai de valoarea rezistenţei de sarcină.Dispozitive electronice de circuit 33 dopată cu impurităţi. b) uEB1 > η·uBB.. Figura 1.8. Intrarea în conducţie a tranzistorului unijoncţiune are loc dacă sunt îndeplinite condiţiile: a) uBB > 0.6 Întrebări şi problemă 1. Familia caracteristicilor curent-tensiune Datorită formei de variaţie a curentului de emitor (în regim de conducţie). 1 V (punctul A din figura 1. Când aceste condiţii sunt îndeplinite joncţiunea p-n este polarizată direct. Care este legea de variaţie a purtătorilor de sarcină în cazul semiconductoarelor omogene? Precizaţi semnificaţia parametrilor din expresia analitică ! 2. De regulă η=0. tranzistorul unijoncţiune este utilizat ca formator de impulsuri în circuitele de comandă ale tiristoarelor sau triacurilor.33) în care rB1 şi rB2 sunt rezistenţele barei de semiconductor. curentul de emitor (iE) creşte lent pe durata regimului tranzitoriu.

Care element (componentă) din schema etajului de amplificare – asigură stabilizarea PSF la variaţia temperaturii mediului ? Problemă Considerând schema unui etaj de amplificare. Ce reprezintă caracteristica dinamică în cazul tranzistorului bipolar şi de cine depinde panta acesteia ? 8. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ.34 Capitolul 1 4. Ce modalităţi (variante) există pentru negativarea grilei – în cazul TEC-J. Prin ce parametru (variabil) se poate modifica secţiunea canalului (de tip n) în cazul TEC-J ? 9. canal de tip “n” (permanent) ? 10. în care se cunoaşte: U DS0 = 10 [ V ] . R D . Cum (în câte moduri) se poate măsura o tensiune alternativă cu parametrii: Uef = 80V. f = 20 KHz ? 6. cu TEC-J (prezentată mai jos). U G0 = −5 [ V ] . C2 = CS . I DS0 = 8m [ A ] . . C1 . f min = 200 [ Hz ] . Se cere să se calculeze valorile elementelor: R S . Re = 40 KΩ ? 7. Care sunt relaţiile analitice ce justifică proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar ? 5.

1. U1.1. se pot defini următorii parametri: • Amplificarea de putere Ap: A p = P2 >1 P1 (2. printr-un cuadripol activ care are două perechi de borne. Bornele de ieşire (2 – 2’) reprezintă poarta de ieşire. Amplificarea semnalului de la intrare se face utilizând energie preluată de la sursa de alimentare (Uo). care de regulă nu se simbolizează în schemele bloc. Figura 2.1) . 2.CAPITOLUL 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE 2. în condiţia ca semnalul de la ieşire să păstreze forma semnalului aplicat la intrare.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor Un amplificator este simbolizat. ca în figura 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor Dacă notăm cu P1 puterea în circuitul de intrare şi cu P2 puterea obţinută la ieşire. caracterizată de tensiunea şi curentul de intrare. caracterizată de tensiunea U2 şi respectiv curentul I2. Sarcina sa poate fi rezistivă sau poate fi o impedanţă. Schema de principiu a unui amplificator Bornele de intrare (1 – 1’) reprezintă poarta de intrare. Un amplificator are rolul de dezvolta în circuitul de ieşire o putere mai mare decât cea aplicată la intrare. respectiv I1.

Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora: .. osciloscoape etc). U1 I1 (2.agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare prin rezistoare şi tranzistoare. Când amplificatoarele intră în componenţa traductoarelor piezoelectrice. Un amplificator performant trebuie să aibă raportul dintre semnalul util şi zgomot cât mai mare.6) . impedanţa de intrare (Zi) trebuie să fie foarte mare: Zi∈[108.componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (când filtrarea acestei tensiuni este necorespunzătoare).2) Frecvent se utilizează unitatea logaritmică pentru amplificare. U1 I Ai = 2 I1 (2. .36 • Amplificarea în tensiune Au: A u ≡ A = Capitolul 2 U2 U1 U2 U1 (2.3) .1012] Ω. În aceste cazuri primul etaj al amplificatorului se realizează cu tranzistoare MOS. numită decibel [dB]. se pot defini amplificările în tensiune şi curent prin relaţiile: A= • U2 . Amplificarea în curent se defineşte prin relaţia: A i = • I2 I1 (2. . • Impedanţa de ieşire. Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină în condiţiile când factorul de distorsiuni. nu depăşeşte o limită impusă (de exemplu 5%).5) Impedanţa de intrare este impedanţa echivalentă la bornele de intrare atunci când la bornele de ieşire este conectată impedanţa de sarcină nominală (ZSN).tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor electromagnetice din mediul înconjurător. ce caracterizează deformarea unui semnal sinusoidal. Aceasta se defineşte prin relaţia: Zi = Valoarea impedanţei de intrare trebuie să fie de ordinul meghomilor [MΩ].dacă A = 1 → AdB = 0.4) Considerând reprezentările în complex ale mărimilor intrare-ieşire.. . Ze. • Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zează efectul tensiunii fluctuante la ieşirea amplificatorului – care există şi atunci când nu se aplică semnal la intrare. Amplificarea în decibeli se calculează utilizând relaţia: A[dB] = 20 ⋅ log A = 20 ⋅ log Exemple: • [dB] (A > 0) (2. trebuie să fie mică (zeci de Ω) pentru ca la ieşire să se poată debita un curent (o putere) cât mai mare în impedanţa de sarcină nominală (ZSN). atunci când amplificatoarele se utilizează în aparatura de măsurare (voltmetre electronice. piezorezistive sau de pH.dacă A = 10n → AdB = 20⋅n.

3-a) semnalul de ieşire (ue2) va fi distorsionat atunci când amplitudinea semnalului de intrare (ui 2) depăşeşte valoarea maximă (ui max) delimitată de curbele c1 şi c2. Caracteristica externă a amplificatorului În figură se disting două zone: zona OA (zona I) corespunzătoare regiunii liniare a caracteristicii. Figura 2. a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare.3.3 sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului împreună cu dreapta de sarcină (AB). se consideră un etaj de amplificare cu tranzistor bipolar la intrarea căruia se aplică un semnal sinusoidal. (a) (b) Figura 2..7) A1 unde: A1 – este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieşire u2(t) – distorsionat. A3.2.Amplificatoare şi oscilatoare 37 2.. iar punctul B – în zona de tăiere. Pentru a explica apariţia distorsiunilor de neliniaritate şi efectul poziţiei punctului static de funcţionare (PSF) al tranzistorului asupra lărgimii zonei de liniaritate în caracteristica intrare-ieşire. în care este valabilă relaţia A[dB]=20⋅logA şi zona AB (zona II) corespunzătoare regiunii neliniare de saturaţie. d[%] = ⋅ 100 (2.2. fiind dată în figura 2.. reprezintă amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t). unde punctul A este situat în zona de saturaţie. ( U 2 = f ( U1 ) ). Dacă PSF se alege în zona mediană a caracteristicii statice ( soluţia corectă – figura 2.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor Caracteristica externă reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire în raport cu tensiunea de intrare. Dacă Ui>Uimax atunci semnalul de ieşire este distorsionat (deformat). A2. Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni de neliniaritate.. În figura 2. b) Distorsiuni datorate alegerii greşite a poziţiei PSF . Se defineşte factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin relaţia: 2 2 2 A 2 + A 3 + A 4 + . A4 . când la intrare se aplică un semnal perfect sinusoidal.1.

televiziune. este echivalentă cu scăderea amplificării A la valoarea 1 ⋅ A 0 = 0. vor rezulta distorsiuni de frecvenţă numite şi distorsiuni de liniaritate (când amplificatorul funcţionează în regiunea liniară a caracteristicii intrare-ieşire). Detalii privind caracteristica de fază a amplificatoarelor sunt date în [3]. 2 unde A0 este amplificarea medie în banda de trecere Bt.38 Capitolul 2 Dacă PSF este greşit ales spre punctul A. un amplificator este caracterizat prin dependenţa defazajului ϕ. pentru a nu avea distorsiuni de frecvenţă.4 şi exprimă dependenţa modulului amplificării în raport cu frecvenţa (f): A[dB] = g(f) (2. iar f este frecvenţa semnalului de intrare. • În afara caracteristicii de frecvenţă. Caracteristica de fază este importantă la amplificatoarele utilizate în: osciloscoape. la extremităţile benzii de trecere.3-b. introdus de amplificator. Pentru amplificarea fără distorsiuni a semnalului de intrare este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia să fie amplificate în aceeaşi măsură. Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2. în funcţie de frecvenţa f (datorită elementelor reactive din circuitul acestora). Caracteristica de frecvenţă În aplicaţiile practice interesează domeniul de frecvenţă în care amplificarea este aproximativ constantă. Dacă spectrul semnalului de intrare nu este inclus în totalitate în banda de trecere a amplificatorului. Această condiţie este îndeplinită atunci când spectrul semnalului aplicat la intrare este cuprins în banda de trecere a amplificatorului. Ansamblul acestor armonici formează spectrul semnalului de intrare. Acest domeniu se numeşte banda de trecere a amplificatorului (Bt) şi reprezintă domeniul cuprins între frecvenţa joasă de tăiere (ftj) şi frecvenţa de tăiere înaltă (ftî) pentru care amplificarea A[dB] nu se micşorează cu mai mult de 3dB. dar nici mult mai largă decât acest spectru pentru a nu micşora raportul semnal util/zgomot. Semnalul de intrare în amplificator este rezultatul însumării unor armonici de diferite amplitudini şi frecvenţe. . unde ϕ este defazajul introdus de amplificator. Observaţii: • La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie să fie mai îngustă decât spectrul semnalului util (de intrare). delimitată prin caracteristica c1. semnalul de ieşire (ue) va fi distorsionat numai pentru semialternanţa pozitivă deoarece numai prima semialternanţă din semnalul de intrare (ui) depăşeşte valoarea maximă. Micşorarea cu 3dB a amplificării. figura 2.707 ⋅ A 0 .4.8) Figura 2. transmisii de date etc. Această dependenţă se numeşte caracteristică de fază: ϕ = g’(f).

unde variaţiile de curent şi tensiune. definit prin relaţia Q=f0/(ftî . corespunzătoare semnalului de intrare. c) După valoarea frecvenţei medii din spectrul semnalului amplificat: • amplificatoare de joasă frecvenţă. În această categorie sunt incluse şi amplificatoarele de audiofrecvenţă.6. e) După poziţia punctului static de funcţionare (PSF). sunt relativ mari. când frecvenţa medie este de ordinul MHz sau GHz.3 Tipuri de amplificatoare Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri şi se pot clasifica după următoarele criterii: a) După tipul semnalului de amplificat: • amplificatoare de curent continuu – destinate amplificării semnalelor lent variabile.. ilustrat în figura 2.ftj). Valoarea curentă a factorului de calitate este cuprinsă în domeniul [10. La aceste amplificatoare se urmăreşte.. care amplifică semnale fără componentă continuă şi au caracteristica de frecvenţă de tipul celei din figura 2.5. în mod deosebit. • amplificatoare de semnal mare.1.. • amplificatoare de înaltă frecvenţă.4. ale căror spectre conţin şi componenta continuă (armonica de frecvenţă nulă). Caracteristica de frecvenţă a unui amplificator pentru semnale lent variabile b) După nivelul semnalului amplificat: • amplificatoare de semnal mic.5. sunt mici în comparaţie cu valorile tensiunilor şi curenţilor de la ieşire. • amplificatoare de bandă largă. când frecvenţa medie este mai mică de 1MHz. este de ordinul 105. caracterizate prin factorul de calitate Q. obţinerea unei amplificări în tensiune.Amplificatoare şi oscilatoare 39 2.106. În categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de videofrecvenţă. 60]. amplificatoarele pot fi: . unde f0 este frecvenţa centrală a benzii de trecere.. Figura 2. Aceste amplificatoare se numesc de tensiune. în mod deosebit. corespunzătoare semnalului de intrare. la care variaţiile de tensiune şi de curent. la care raportul dintre frecvenţa înaltă de tăiere şi frecvenţa joasă de tăiere (ftî/ftj). obţinerea unei anumite puteri pe sarcină. Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de putere. d) După lărgimea benzii de trecere: • amplificatoare de bandă îngustă. numite şi selective. Caracteristică de frecvenţă a acestui tip de amplificator este prezentată în figura 2. • amplificatoare de curent alternativ. deoarece se urmăreşte.

.. la care PSF se alege în profunzimea regiunii de blocare. • amplificatoare în clasă B (PSF se află în punctul de tăiere. punctul M2). aceste amplificatoare fiind utilizate în construcţia triploarelor de frecvenţă şi în tehnica semnalelor modulate în frecvenţă. Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1).1 Amplificatoare de tensiune Aceste amplificatoare trebuie să asigure la ieşire o tensiune U (suficient de mare) încât. Figura 2. acesta să poată furniza puterea P2 cerută la . Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprinsă în domeniul 20Hz. Amplificatoarele de curent alternativ. aplicată la intrarea AP. Figura 2. iar al doilea bloc este un amplificator de putere (etaj final. Observaţie: Există şi amplificatoare în clasă C. AT-PA).7.6. punctul M). 2.20 kHz. Poziţia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare 2.7.2. Se cere: proiectarea amplificatorului de tensiune şi a amplificatorului de putere astfel încât să se debiteze pe ZS puterea impusă la ieşire.40 • Capitolul 2 amplificatoare în clasă A (PSF se află în regiunea mediană a dreptei de sarcină.2 Amplificatoare de curent alternativ Un exemplu tipic al acestor amplificatoare îl reprezintă amplificatorul de audiofrecvenţă. punctul M1). figura 2. au în componenţă două blocuri funcţionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de tensiune (numit preamplificator. AP-EF). impedanţa de sarcină (ZS) sau rezistenţa de sarcină şi puterea necesară la ieşire (P2). • amplificatoare în clasă A-B (PSF se află aproape de punctul de tăiere.

Amplificator de tensiune alternativă realizat cu tranzistoare bipolare Perechile de rezistoare RB1 − RB2 şi RB3 – RB4 reprezintă divizoare de tensiune prin care se stabilesc valorile curenţilor de bază. Figura 2. Observaţie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj între etaje oferă avantajul unei adaptări facile între sarcină şi etaj. .condensatoare sau transformatoare de cuplaj. C2 are rolul de a bloca componenta continuă care s-ar transmite de la primul etaj la următorul. Rezistoarele RC1. Figura 2. b) cuplajul direct între etaje (ca în cazul circuitelor integrate).8. dar are şi dezavantaje: gabarit mare şi preţ de cost ridicat.9. Din acest motiv. Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi a condensatoarelor de decuplare (CE1. C2 şi C3 se numesc condensatoare de cuplaj şi au următoarele roluri: C1 blochează componenta continuă a semnalului aplicat la intrarea primului etaj de amplificare. Condensatoarele CE1. RC2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de colector). RE2 au rolul de a stabiliza poziţia punctelor statice de funcţionare (PSF) în cele două etaje de amplificare. Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând tranzistoare bipolare (figura 2.8. C3 blochează componenta continuă care s-ar putea transmite la ieşirea etajului al II-lea. CE2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune la funcţionarea etajelor de amplificare în regim dinamic.Amplificatoare şi oscilatoare 41 ieşire. Exemple de amplificatoare de tensiune 1. Rezistoarele RE1. Structura generală a unui amplificator de tensiune Cuplarea etajelor se poate realiza în două moduri: a) utilizând elemente de cuplaj . amplificatoarele de tensiune se realizează din mai multe etaje legate în serie (cascadă) ca în figura 2. Condensatoarele C1. către amplificatorul de putere. CE2) sunt astfel alese încât reactanţele acestora să fie neglijabile (să reprezinte scurtcircuite) la frecvenţele de lucru ale amplificatorului.9).

condensatoarele C1. realizat cu circuitul integrat TAA-263. Se observă că cele trei etaje de amplificare (din structura circuitului integrat) sunt cuplate direct. C3 au acelaşi rol (de cuplaj). Capitolul 2 Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând TEC-J (figura 2. 3 – ieşire. 3. Rezistoarele RS1. RS2 au rolul de negativare automată a grilelor cât şi de a stabiliza poziţiile punctelor statice de funcţionare (PSF) la variaţia temperaturii ambiante. Rezistenţa RB împreună cu potenţiometrul P realizează un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului . polarizează baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P şi RB). În figura 2. atât componenta alternativă cât şi componenta continuă ale semnalului. Amplificator de joasă frecvenţă realizat prin cuplare directă între etaje În cazul cuplajului direct între etajele de amplificare se transmite. 2 – alimentare (+E). CS2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune în regim dinamic. Observaţii: • Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi de decuplare (CS1. Rezistenţele RD1. 4 – bornă de masă (−E). Funcţionarea corectă a circuitului presupune ca în circuitul bazei primului tranzistor (T1) să existe un curent de polarizare iBo care să determine funcţionarea tranzistorului în regiunea activă. Condensatoarele CS1.10) Figura 2. deci blochează componentele continue (la intrare prin C1.11 este prezentat un amplificator de audiofrecvenţă. Din această cauză punctul static de funcţionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj depinde de poziţia PSF a tranzistorului din etajul anterior. C2. RG2 (cu valori de ordinul MΩ) au rolul de a realiza impedanţe mari la intrarea etajelor. Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 – intrare. RD2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de drenă). la rândul său. de la un etaj la altul.9. CS2) trebuie să asigure reactanţe capacitive neglijabile la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. Tensiunea din colectorul lui T1 (UCE1) asigură polarizarea corectă a bazei lui T2. Acest fenomen complică – într-o anumită măsură – calculul regimului staţionar al amplificatorului (în faza de proiectare).10. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu TEC-J Ca şi în schema din figura 2. între etaje prin C2 şi la ieşire prin C3).42 2. iar tensiunea din colectorul lui T2 (UCE2) determină poziţia PSF pentru tranzistorul T3 care. • Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utilizând tranzistoare bipolare în loc de tranzistoare TEC-J. Rezistenţele RG1.

b) adaptarea etajului la sarcină utilizând pentru etajul final o schemă de conexiune adecvată. 2.12.12).2 Amplificatoare de putere (AP) Aşa cum s-a arătat anterior amplificatoarele de putere. Cu prima metodă se adaptează rezistenţa de sarcină la etaj. o valoare impusă a puterii P2 (la ieşire). se va înseria un rezistor R1 ( ≅ 1 kΩ) înaintea condensatorului C. la un generator dat se obţine puterea maximă pe sarcină atunci când rezistenţa internă a generatorului (Rg) este mai mică sau egală cu rezistenţa de sarcină (RS).11.9) Figura 2. numite şi etaje finale.2. Figura 2. Schema echivalentă a unui amplificator de putere Există două metode pentru creşterea puterii debitate la ieşire: a) adaptarea sarcinii la etajul de ieşire prin intermediul transformatoarelor (de adaptare). Amplificator de audiofrecvenţă realizat cu CI de tip TAA-263 Observaţie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare (U1∼). ţinând seama de schema echivalentă (figura 2.12. Reprezentând amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu rezistenţa internă Rg egală cu rezistenţa de ieşire a etajului (Re). Acest lucru este posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de . Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimină reacţia negativă de tensiune la frecvenţele de lucru ale amplificatorului). au rolul de a debita pe un rezistor de sarcină dat.Amplificatoare şi oscilatoare 43 tranzistor. puterea debitată pe RS va fi maximă dacă este îndeplinită condiţia: Re (AP) ≤ RS (2. Deci. În conformitate cu teorema transferului maxim de putere. schema echivalentă a amplificatorului (AP) este dată în figura 2.

2 (2. Figura 2. respectiv din secundarul acestuia. Rezistenţa generatorului (Rg) din schema echivalentă se adoptă egală cu rezistenţa de ieşire (Re) a etajului amplificator de putere (AP). adică pentru un curent de ieşire (curent de colector) mare. puterea utilă (Pu) debitată pe rS reprezintă puterea dezvoltată în circuitul monofazat din secundarul transformatorului şi se calculează utilizând relaţia: Pu = U ef I ef cos(ϕ) = U CE max I C max U ⋅I ⋅ = CE max C max = 2 2 2 CM ⋅ AC = = aria (ΔMAC).13. Astfel. O metodă de creştere a puterii debitate de AP constă în creşterea amplitudinii semnalului de la intrare.13. se alege o schemă de conexiuni cu rezistenţă de ieşire mică (conexiune colector comun).2. Aria triunghiului poate fi mărită dacă PSF iniţial (M) se adoptă prin proiectare astfel încât dreapta de sarcină să fie tangentă în M la hiperbola de disipaţie a puterii tranzistorului (vezi figura 1. Sarcină cuplată la AP prin transformator Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt ≅ N1/N2. unde N1 şi N2 reprezintă numărul de spire din primarul transformatorului. figura 2. În cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieşirea amplificatorului prin transformator.14 care funcţionează în clasă A având sarcina cuplată prin transformator.1 Amplificatoare de putere în clasă A Se consideră etajul de amplificare din figura 2.2. Rezistenţa de sarcină raportată la primarul transformatorului se poate calcula folosind relaţia: 2 ⎛ N1 ⎞ (2.26). .10) R S = r1 + (r2 + rS ) ⋅ ⎜ ⎜N ⎟ ⎟ ⎝ 2⎠ Dacă se neglijează r1 şi r2.44 Capitolul 2 cuplaj. Acest lucru este ilustrat în diagramele de semnale aferente funcţionării în regim dinamic al etajului.15. se obţine relaţia aproximativă de calcul pentru RS: 2 (2.11) R S ≅ rS ⋅ K t Adaptarea etajului la sarcină este posibilă dacă alegem o schemă de conexiuni adecvată transferului maxim de putere. figura 2.12) Creşterea puterii debitate la ieşire datorată creşterii semnalului de intrare poate avea loc dacă punctul A’ nu intră în zona de saturaţie. 2. În acest caz trebuie urmărită condiţia ca punctul A’ să nu ajungă în zona de saturaţie şi punctul B’ să nu ajungă pe caracteristica iB=0 (zona de tăiere). pentru o putere mare la ieşire.

16).2.14. unde Pc este puterea consumată de amplificator de la sursa auxiliară de alimentare). Pentru ca semnalul de ieşire să fie tot .16. semnalul fiind distorsionat. figura 2. Figura 2.2. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă A 2.16. atunci PSF va descrie la ieşire un semnal redresat monoalternanţă (ca în figura 2.15.Amplificatoare şi oscilatoare 45 Randamentul unui amplificator în clasă A nu depăşeşte 50% (η=Pu/Pc. Amplificator de putere în clasă A Figura 2. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă B Dacă semnalul de intrare iB~ creşte excesiv. Figura 2. Dacă amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor. în cazul acestor amplificatoare PSF se alege în zona de tăiere a dreptei de sarcină.2 Amplificatoare de putere în clasă B Considerând planul caracteristicilor de ieşire. PSF (punctul M) poate ajunge în poziţia A”.

18.19).13) În schema prezentată este necesar ca tranzistoarele să aibă caracteristici statice identice. conduce T1 iar T2 este blocat şi. dintre care primul este numit tranzistor de comandă (T2 .17.2. pentru ca amplificarea celor două alternanţe să se facă în cantităţi egale (amplitudini egale).15) Din ultima relaţie se observă că tranzistorul compus realizează o amplificare în curent mare. Randamentul acestui amplificator în clasă B este de circa (70÷75)%. T2 –pnp). În figura 2. figura 2. Curentul de sarcină pentru din figura 2.2. β N = β N1 + β N2 + β N1 β N2 ≅ β N1β N2 .19-a conexiunea Darlington este realizată cu două tranzistoare npn (fără inversare de polaritate). numită şi tranzistor compus. pentru semialternanţa negativă.17: 1-npn şi 2-pnp. În acest ultim caz conexiunea Darlington se numeşte cu inversare de polaritate. Amplificator de putere amplificatorul în clasă B Figura 2. Ansamblul tranzistoarelor într-o conexiune Darlington se numeşte dublet.de putere mică sau medie).14) unde: (2. etajul de amplificare se realizează cu două tranzistoare complementare.17 Dacă la intrare se aplică semialternanţa pozitivă. iar al doilea este un tranzistor de putere (T1). formează prin însumare curentul alternativ de sarcină (iS) prin RS. i S = i C1 + i C 2 (2.46 Capitolul 2 sinusoidal (ca cel de intrare). invers. iC1 şi iC2. Curentul de colector al tranzistorului compus este: i C = i C1 + i C2 ≅ β N1i B1 + β N2i B2 = β N2i B + β N2i E 2 = β N 2i B + + β N1 (i C2 + i B2 ) = β N 2i B + β N1β N 2i B2 + β N1i B2 = β N i B (2. aceeaşi conexiune este realizată cu două tranzistoare complementare (T1 –npn. 2. figura 2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utilizând conexiunea Darlington. iar în figura 2.18. Cei doi curenţi de colector. Figura 2.19-b. Această conexiune este formată din două tranzistoare (figura 2.

Figura 2. Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizează două metode: a) folosirea unui montaj diferenţial în schema de amplificare.o ieşire simetrică între bornele AB (Ue ≡UAB).două intrări simetrice Ui1 şi Ui2 . care asigură tensiunile U1 şi U2. Etaj de amplificare diferenţial .19. Acest fenomen constă în modificarea în timp a tensiunilor la ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea acestuia semnalul se menţine constant sau este nul.3 Amplificatoare de curent continuu Acestea sunt destinate amplificării semnalelor lent variabile care au frecvenţa minimă din spectru egală cu zero.20 este prezentat etajul de amplificare în montaj diferenţial. 2. .3. .două divizoare de tensiune la intrări. .20. Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea directă între etajele de amplificare.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial În figura 2. unde se disting: .Amplificatoare şi oscilatoare 47 Figura 2. Ele sunt utilizate în construcţia aparatelor de măsură şi automatizare. rezultă în timpul funcţionării un fenomen numit ”deriva nulului” (sau derivă termică). ca urmare.două ieşiri nesimetrice (Ue1 şi Ue2). b) utilizarea schemei de amplificare care se bazează pe principiul modulăriidemodulării. Conexiune Darlington: fără schimbare de polaritate 2.

Ue2 au variaţii opuse în raport cu creşterea semnalului la una dintre intrările amplificatorului. În acest caz rezultă: iC1 creşte şi iC2 creşte. din (2.17) ⇒ U BE 2 ↓ ⇒ iB2 ↓ ⇒ iC2 ↓ ⇒ Ue2 ↑ Cazul II. unde K este factorul de amplificare pentru montajul diferenţial. ⇒ iB2 ↑ ⇒ iC2 ↑ ⇒ Ue2 ↓. dar iC2 ≈ iE2 ↑. Figura 2. tensiunea la ieşire va fi dată de relaţia: Ue=K⋅(Ui1-Ui2). figura 2. ⇒ (2. Aceste variaţii sunt ilustrate în planul caracteristicilor de transfer. În figura 2.48 Capitolul 2 Explicarea atenuării fenomenului de derivă: considerăm Ui1=Ui2=constant şi că temperatura T creşte. Dacă Ui1 ↑ ⇒ iB1 ↑ ⇒ iC1 ↑ ≈ iE1 ↑ ⇒ Ue1 ↓ U BE1 = U1 − R E (i E1 + i E 2 ) U BE 2 = U 2 − R E (i E1 + i E 2 ) (2. Cazul I: Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitele de emitor rezultă ecuaţiile: Ui1 ≠ 0 (Ui1 ↑) Ui2 = 0 ⇒ U2 = const. având ca elemente de echilibrare potenţiometrul P şi reostatul R.16) (2. considerând aceste semnale neegale (Ui1 ≠ Ui2). din (2.16). Dacă se aplică simultan semnale la ambele intrări.18) U BE1 ↓.17) Dacă iE1 ↑. .21.22-a se dă schema unui etaj diferenţial. ceea ce conduce la scăderi ale tensiunilor Ue1 şi Ue2 în cantităţi egale. ↓ ≡ scade. Tensiunile de ieşire ale amplificatorului diferenţial Observaţii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dublă faţă de pantele caracteristicilor referitoare la ieşirile simetrice. Funcţionarea în regim de amplificator Pe parcursul explicaţiilor se utilizează notaţiile simbolice: ↑ ≡ creşte. rezultând o tensiune constantă la ieşirea simetrică (Ue =UAB=const). deci iB1 ↓ ⇒ iC1 ↓ (scade) ⇒ Ue1 ↑(creşte) Concluzie: Cele două tensiuni la ieşirile nesimetrice Ue1. Ui2 ≠ 0 (Ui2 ↑) Dacă Ui2 ↑. Ui1= 0 ⇒ U1= const.21.

Există însă şi situaţii în care reacţia negativă apare accidental.4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei Reacţia – în cazul amplificatoarelor – constă în aplicarea (introducerea) la intrarea acestuia a unei părţi din energia mărimii de la ieşire. Echilibrarea etajului diferenţial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare.22-b). Se consideră un amplificator cu reacţie negativă de tensiune.22. adică intersecţia caracteristicilor statice nu are loc în origine (figura 2. a cărui schemă bloc este prezentată în figura 2. Exemplu: Prin creşterea rezistenţei R curentul iC ≅ iE1+iE2 se micşorează. Figura 2. 2. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie negativă de tensiune . prin intermediul unei legături inverse (ieşire-intrare). b) deplasarea caracteristicilor statice. iar tensiunea de ieşire comună creşte. Figura 2. Când reacţia negativă este necesară în amplificatoare. până când se obţine echilibrarea amplificatorului (intersecţia caracteristicilor statice are loc în originea axelor de coordonate). determinând o deplasare în sus a caracteristicilor. iar cu ajutorul reostatului R se deplasează caracteristicile pe verticală. acesta se realizează prin circuite specializate (dimensionate în faza de proiectare).Amplificatoare şi oscilatoare 49 S-a considerat iniţial că etajul nu este echilibrat. fiind determinată de cuplaje parazite.23.23. Prin ajustarea potenţiometrului P se deplasează caracteristicile pe orizontală.

Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare şi cel de reacţie (figura 2. din relaţia precedentă se obţine: (2.este tensiunea la intrarea amplificatorului fără reacţie. se obţine: Ue U +β e =1 A ⋅ Ui Ui Ţinând seama de expresia lui Ar (2.28) şi împărţind membrul drept prin A. Reacţia pozitivă se obţine când tensiunea Ue de la ieşire este în fază cu semnalul U.19) unde: Ue .21) unde: Ur este tensiunea de reacţie. Amplificarea unui amplificator cu reacţie pozitivă de tensiune este dată prin relaţia: Ar = A 1−β⋅A (2. rezultă: . Dacă circuitul de reacţie este format numai din rezistoare atunci β este un număr real. Conform figurii 2. amplificarea este exprimată prin relaţia: Ar = (2.este tensiunea la ieşirea amplificatorului. pentru cazul reacţiei negative de tensiune (figura 2.23 acest factor este exprimat prin relaţia: Ar = Ue Ui (2. de obicei.23) Din relaţiile (2. Circuitul de reacţie este realizat.21) se obţine: Ue + β ⋅ Ue = Ui A Împărţind ultima relaţie la U i . .23).20) şi (2. U .27) În cazul reacţiei negative semnalul de la ieşire (Ue) este în antifază cu semnalul de la intrare (U). exprimat prin relaţia: A= Ue U (2.23).20).24) (2.28) Pornind de la relaţia (2. se pot scrie următoarele ecuaţii: U + U r − Ui = 0 (2.26) Rezultă că. (2.19).A este factorul de amplificare al amplificatorului fără reacţie.Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacţie de tensiune.20) unde: U i este tensiunea aplicată la intrare.50 Capitolul 2 Semnificaţiile notaţiilor din figură sunt: .22) Ur = β ⋅ Ue (2.25) Ar + β ⋅ Ar = 1 A A 1+β⋅A (2. printr-o reţea de elemente pasive şi este caracterizat prin factorul de reacţie β: β= Ur Ue (2.

AO este caracterizat de o amplificare foarte mare. Cele mai utilizate scheme cu AO sunt: . 5) impedanţa de ieşire Ze → 0.5 Amplificatoare operaţionale Un amplificator operaţional (AO) este un amplificator la care cuplarea între etaje se face direct.Amplificatoare şi oscilatoare 51 Ar = 1 1 +β A 1 β (2. Un AO foloseşte reţele de reacţie a căror structură (rezistenţe şi capacităţi) permite realizarea unor operaţii matematice (adunare. • Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului.29) Pentru A→ ∞ . Observaţie: Datorită avantajelor oferite de reacţia negativă. • Creşte stabilitatea în timp a amplificării. Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaţii de calcul simple. proprietate foarte utilă în echipamentele de măsură şi de automatizare. scădere. fiind conceput să funcţioneze într-o gamă largă de frecvenţe.30) Consecinţele reacţiei negative în amplificatoare: Se micşorează amplificarea A. 2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabilă. iar erorile introduse sunt în limitele admise. Amplificatorul inclus în structura oricărui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenţial integrat). • Se ameliorează (îmbunătăţesc) parametrii calitativi ai amplificării. 3) curentul de polarizare pe cele două intrări neglijabil. 7) variaţia defazajului Δϕ ≅ 0. (foarte mare) rezultă: A r ≅ (2. • 2. diferenţiere etc). majoritatea amplificatoarelor utilizează acest tip de reacţie. • Creşte lăţimea benzii de trecere. dar acest lucru nu reprezintă un inconvenient prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A mai mare decât cea dorită. integrare. Amplificatoarele operaţionale se clasifică după natura relaţiei intrare-ieşire. astfel încât amplificarea cu reacţie să rezulte la valoarea impusă. Uieşire=0 în orice moment în care la intrare nu se aplică semnal). Relaţia (dependenţa) intrare-ieşire poate fi liniară sau neliniară. • Se micşorează distorsiunile de neliniaritate. 6) 1ăţimea benzii de trecere B → ∞. Principalii parametri idealizaţi sunt: 1) amplificarea în buclă deschisă A0 → ∞. în funcţie de structura circuitului de reacţie aferent amplificatorului. 4) impedanţa de intrare Zi → ∞. • Se modifică favorabil impedanţele intrare-ieşire.

(2.realizează înmulţirea cu o constantă şi inversarea semnului tensiunii de intrare.34) şi (2. Figura 2.27.37) 2) Amplificator operaţional în montaj neinversor – realizează înmulţirea tensiunii de intrare cu o constantă pozitivă supraunitară.36) obţine: Ţinând cont de (2. Figura 2.35) Ue U =− i R1 Ro sau U e = − R1 Rezultă: Ue= .27. Simbolizarea unui AO inversor Întrucât amplificatorul de curent continuu are impedanţa de intrare şi amplificarea în circuit deschis foarte mari. rezultă: Ui=Roio+U (2. Schema de principiu a unui AO în montaj neinversor Figura 2.26.33). ⇒ io ≅ − i1 Ue=R1i1+U Ue R1 se (2. iar schema simbolică este dată în figura 2. Schema electrică a acestui amplificator este dată în figura 2.31) Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare.35) (2.24.52 Capitolul 2 1) Amplificator operaţional în montaj inversor .26. i ≅ 0 ş i U ≅0 (2.25. Ro ⋅ Ui . unde K = R1/Ro (2.32) Ţinând seama de (2.K Ui .24. iar simbolizarea este prezentată în figura 2. pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui) se consideră ipotezele: Z i → ∞ .25. Simbolizarea unui AO neinversor .34) (2. Schema de principiu este prezentată în figura 2.33) Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicată în nodul de curenţi M rezultă: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată în circuitul de ieşire rezultă: i = io + i1 .31) se obţine: i o ≅ Ui Ro (2.31) se obţine: i1 ≅ Din (2. Schema de principiu a unui AO în montaj inversor Figura 2.

45) componentele curentului i0 din relaţia (2..38) Neglijând mărimile U şi i. utilizat frecvent ca element de adaptare.i1 Ue = −i 0 R1 (2.45) i1=Ue/R1 sau Înlocuind în (2. conform relaţiei (2.41) Teorema I-a a lui Kirchhoff.. conduce la relaţiile: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire se obţine: i0=i01 + i02+ . Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2. Schema de principiu a unui AO în montaj sumator-inversor AO Figura 2. i ≅ 0.40) Observaţie: Pentru R0 → ∞ şi R1 = 0 se obţine circuitul repetor.42) (2. Figura 2.29.Amplificatoare şi oscilatoare Utilizând aceleaşi ipoteze din (2.44) (2. adică Zi → ∞ ..39) unde: K =1+ R1 Ro (2.43) (2...41). Simbolizarea unui sumator-inversor Considerând aceleaşi ipoteze din (2. i on = in R 01 R 02 R 0n (2.46) . întrucât asigură rezistenţa de intrare foarte mare şi rezistenţa de ieşire mică.31). 3) Amplificatorul sumator-inversor realizează suma ponderată. U≅0. + i0n i0= .. cu semn schimbat.28..31) şi aplicând aceeaşi procedură se obţin: 53 ⎧ R 0i 0 + U + U i = 0 ⎪ ⎨U e + R 0i 0 − R1i1 = 0 ⎪ i = i 0 + i1 ⎩ (2.38) rezultă expresia caracteristicii externe: Ue = K⋅Ui (2. se obţine: Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ . din (2. +KnUin) (2.31). aplicată în cele două noduri de curenţi. se determină (utilizând legea lui Ohm) curenţii prin rezistoarele conectate la intrările amplificatorului: i o1 = U i1 U U ..29. a tensiunilor de intrare. i o 2 = i 2 . iar simbolizarea este dată în figura 2.28.

se obţin relaţiile: Ui = R⋅i0 şi i0 = -i1 (2. din (2.49) rezultă: t Ue = − 0 Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din circuitul de reacţie) în momentul aplicării semnalului de intrare (t=0). iar capacitatea C se exprimă în farazi. Simbolizarea unui AO în integrator-inversor Utilizând aceleaşi ipoteze (Zi → ∞ . caracteristica de transfer se poate exprima prin relaţia (2.54 unde Capitolul 2 K1 = R1 R R . tensiunea de ieşire se poate exprima prin relaţia: ∫ Uidt sau U e = − Ti 1 ∫ Ui (τ)dτ + U e (0) (2..31).. . Atunci când . Schema de principiu a unui AO montaj integrator-inversor Figura 2.47): n j=1 4) Amplificatorul integrator-inversor furnizează la ieşire un semnal proporţional cu integrala tensiunii aplicate la intrare. dacă valoarea rezistenţei R este exprimată în ohmi..30. ∑ K jUij (2.48).31. K n = n R 01 R 02 R 0n Ue = − În general.49) Ţinând seama de ipotezele (2. K 2 = 2 .51) 2. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2. iar simbolizarea este dată în figura 2. Dacă timpul de integrare nu este limitat. U≅0) şi procedând similar. Tensiunea Ue(0) se figurează la borna de ”condiţie iniţială” (figura 2.30. Ue(0)=0 dacă condensatorul este descărcat la momentul aplicării semnalului de intrare şi Ue(0)≠0 dacă condensatorul este încărcat la momentul aplicării semnalului de intrare. i ≅ 0.50) U e = − K U i dt + U e (0) .31) şi relaţiile (2.31. exprimat în secunde.47) Figura 2. utilizând dispozitive electronice active. Ti=RC este timpul de integrare. generează semnale periodice de forma: U(t)=U⋅sin(ωt) sau de orice altă formă.48) Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire rezultă: Ue = 1 CR 1 i1dt +U C ∫ (2. unde K = ∫ 1 1 = Ti RC (2.6 Oscilatoare Acestea sunt circuit care.

Semnalul produs de circuitul LC Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie care determină stingerea.33-b. Figura 2. cu energie adusă din exterior prin intermediul unor rezistenţe negative.33-b. figura 2. Figura 2.33-a Pentru a realiza oscilaţii întreţinute (cu amplitudine constantă). figura 2. se va amortiza în timp (îşi micşorează amplitudinea) datorită pierderilor de energie prin rezistenţa electrică echivalentă a circuitului capacitiv-inductiv (L-C). semnalul util produs de oscilator. Pierderile de energie care duc la micşorarea amplitudinii se datorează lui r şi R. controlate prin curenţi sau prin tensiune. tiristorul etc).34.52) Semnalul U(t).32. în circuitul oscilant real este necesar să se recupereze (compenseze) energia pierdută. Circuit oscilant LC Figura 2. În acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare care să funcţioneze în regiunea de rezistenţă negativă (dioda tunel. Figura 2.33-a.34.33-a. unde: r este rezistenţa electrică a bobinei care are inductanţa L. Schema de principiu este prezentată în figura 2. Schema echivalentă a circuitului oscilant LC din figura 2. . Sub acţiunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau naştere oscilaţii armonice având frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă dată de relaţia: f0 = 1 2π LC (2. adică amortizarea oscilaţiilor.32. Schema echivalentă a circuitului oscilant anterior este ilustrată în figura 2. iar R este conductanţa de pierderi a condensatorului. Schema de principiu a unui oscilator Principiul de întreţinere a oscilaţiilor Se consideră circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C în paralel cu o inductivitate L.Amplificatoare şi oscilatoare 55 semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numeşte armonic.

Oscilatoarele cu reacţie pot fi de tip LC sau RC.figura 2. 2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistenţe negative (oscilatoare de relaxare).53) arată că defazajul total introdus de amplificator şi circuitul de reacţie trebuie să fie un multiplu întreg de 2π. Figura 2.53) Prin ϕA s-a notat defazajul dintre semnalul de ieşire ( Ue . 1 − βA În acest caz. care arată că produsul în modul al amplitudinilor trebuie să fie egal cu unitatea. oscilatoarele pot fi: 1) oscilatoare de tip amplificator cu reacţie pozitivă. Oscilatoarele pot fi realizate şi cu amplificatoare ce au reacţie pozitivă. c)Schema bloc a unui oscilator cu reacţie Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistenţe negative.35-a şi 2. b) respectarea condiţiei de fază: ϕ A + ϕβ = 2kπ . După modul de realizare.35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel.34). Acestea au calea .. Rezultă că reţeaua de reacţie trebuie să introducă un defazaj nul. ϕβ este defazajul dintre semnalul de reacţie ( U r ) şi semnalul de ieşire ( Ue ). la care amplificarea complexă este: A r = A .. sau un defazaj de 1800. dacă defazajul amplificatorului este 2kπ (cu un număr par de etaje).. deci semnalul de reacţie trebuie să fie în fază cu semnalul de intrare. 1. b) Caracteristica curent-tensiune a tiristorului. unde: A = A ⋅ exp( j ⋅ ϕ A ) şi β = β ⋅ exp( j ⋅ ϕβ ) (2.56 Capitolul 2 Caracteristica statică a diodei tunel şi respectiv a tiristorului sunt date în figura 2. dacă produsul βA tinde la valoarea 1.35-c) şi semnalul de intrare ( U i ). β ⋅ A = 1 . Producerea oscilaţiilor întreţinute prin anularea rezistenţei din circuit cu ajutorul unor rezistenţe dinamice negative. Cele mai utilizate oscilatoare cu reacţie de tip LC sunt oscilatoarele în trei puncte. 2. dau o rezistenţă echivalentă egală cu zero. n (argumentul lui Acomplex + argumentul lui βcomplex = 2kπ) adică: arg A + arg β = 2kπ (2. este un fapt real şi o metodă utilizată în proiectarea oscilatoarelor. . care însumate cu rezistenţele r şi R (figura 2. k=0.54) Relaţia (2. Condiţia întreţinerii oscilaţiilor implică respectarea a două principii: a) respectarea relaţiei lui Barkhausen (de autooscilaţie). dacă defazajul amplificatorului (cu număr impar de etaje) este (2k+1)π. atunci A r → ∞ .35-b.

57) Figura 2. Schema de principiu a oscilatorului cu reţea RC . Δϕ = arctgRC = Se obţine un defazaj total al semnalului de reacţie.56) f0 = 1 6 + 4R / R C 2πRC (2. automatizări. Schema de principiu a oscilatorului Hartley La acest oscilator emitorul este legat la masă. Exemple de oscilatoare în trei puncte Oscilatorul Hartley (realizat cu reţea de defazare trece sus). Defazajul fiecărei celule este de 60o. Oscilator având reţea RC (reţea de defazare trece-jos) Aceste oscilatoare au o largă utilizare în diferite domenii ale electronicii industriale (telecomunicaţii.37 este prezentată schema electrică a unui oscilator având reţea de defazare ”trece jos”. formată din trei celule RC. alimentarea este serie iar sarcina este cuplată inductiv.36. Figura 2. egal cu π (180o): π 3 (2.37. aparatură electromedicală etc) fiind specifice benzilor de joasă frecvenţă.36.55) ϕ t = 3 ⋅ Δϕ = π Frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă se poate calcula folosind relaţia: (2. În timpul funcţionării singurul condensator care nu este scurtcircuitat este condensatorul variabil C.Amplificatoare şi oscilatoare 57 de reacţie formată dintr-un circuit LC selectiv (care reprezintă un filtru cu trei borne de acces). are schema de principiu prezentată în figura 2. În figura 2.

O. Ce semnifică borna de condiţie iniţială în cazul A. Ce sunt distorsiunile de neliniaritate în cazul amplificatorului de joasă frecvenţă şi cum se elimină acestea ? 12. realizat cu un singur tranzistor? 6. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. Când apar distorsiunile de frecvenţă la amplificatoare şi cum se elimină acestea? 4. Ce este deriva termică (deriva nulului) în cazul amplificatoarelor de curent continuu şi cum se atenuează aceasta ? 11. Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o sarcină rezistivă (rs = 4 Ω).58 Capitolul 2 2.7 Întrebări 1. Când un tiristor funcţionează ca şi o diodă ? Care este schema şi denumirea celui mai simplu amplificator de putere ? . ştiind că amplificatorul în clasă A are rezistenţa de ieşire. integrator şi ce se poate măsura la această bornă ? 7. Re = 80 KΩ ? 8. Ce formă de variaţie are tensiunea UCE la ieşirea unui etaj de amplificare în clasă B. Ce diferenţă există între caracteristicile A[dB] = g(f) în cazurile: a) amplificatoare de radiofrecvenţă ? b) amplificatoare de audiofrecvenţă ? 5. Ce este reacţia negativă în cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obţine practic reacţia negativă? 2. Ce se înţelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se înţelege prin tensiune de zgomot (Uz) în cazul redresoarelor cu filtre ? 3. Re = 40 KΩ ? 10. Care este deosebirea între un AO inversor şi un AO integrator – inversor? (Utilizaţi schemele electrice !) 9.

obţinându-se transferul energetic (recuperarea) de la reţeaua de c.c. (figura 3. polaritatea tensiunii continue etc. maşina electrică funcţionează ca motor şi transferul energetic se face de la reţeaua de c.a.. El poate fi: cu circuit intermediar de c. când maşina electrică lucrează ca generator de c. energia electromagnetică primită la intrare.c. În schemele din figura 3.2-a) şi sub formă de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3. Mutatoarele transformă. în curent continuu (c.a. Convertorul care modifică amplitudinea tensiunii de c. Frecvenţa f2 a curentului alternativ poate fi variabilă (în cazul invertoarelor autonome) sau fixată la o anumită valoare. Convertorul de c.a.1-b). converteşte frecvenţa sau amplitudinea curentului alternativ. transferul energetic se face într-un singur sens. În primul caz. numit şi variator de c.c. cu alţi parametri.1-a şi b.2-b). prin elemente neliniare unidirecţionale (diode.a. numite mutatoare.a.c.CAPITOLUL 3 REDRESOARE 3.2-c) se mai numeşte variator de c. Este însă posibil ca aceeaşi schemă de mutator să funcţioneze – în funcţie de condiţiile de lucru (comanda primită. Dacă mutatorul funcţionează în regim de redresor. în energie electromagnetică debitată la ieşire. de frecvenţă f1.c. Redresorul este un circuit electronic care transformă curentul alternativ (c. de regulă 50 Hz (când se numesc invertoare de reţea sau neautonome). furnizează la ieşire o tensiune continuă diferită de cea de la intrare. figura 3. Convertorul de c.1 Noţiuni generale Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clasă mai largă de echipamente electrice. după cum urmează. În regim de frânare.3-b).1-a.) – fie în regim de redresor. în acest caz.1-c).c.3-a) sau direct. la reţeaua de c. Transferul energetic se poate face. (figura 3.c.a. Pentru convertorul cu circuit intermediar. Mutatoarele din această categorie stau la baza sistemelor de acţionări recuperative cu maşini de c.). Invertorul transformă curentul continuu în curent alternativ (figura 3. fie în regim de invertor (neautonom). cu anumiţi parametri. tensiunea . tiristoare etc). mutatorul se mai numeşte convertor static de frecvenţă şi poate fi realizat în două variante: cu circuit intermediar de c. (figura 3. Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor îl reprezintă funcţiile realizate de acestea. comanda mutatorului poate asigura funcţionarea acestuia în regim de invertor (neautonom). (figura 3. (figura 3.).c. în ambele sensuri.

mutatoarele se împart în următoarele categorii: • Mutatoare având comutaţie naturală. Figura 3. Dacă această energie provine de la reţea. presupune – de regulă – un consum de energie reactivă din exterior.a. după cum transformatorul este coborâtor. Trecerea conducţiei de la un ventil la altul se numeşte comutaţie.. Convertoare statice de c. mutatorul are comutaţie (forţată) de la sarcină. utilizează.60 Capitolul 3 de ieşire (U2) poate fi mai mică sau mai mare decât tensiunea de intrare (U1). pe fiecare fază a reţelei de c. Mutatoarele care au comutaţie naturală sunt redresoare cu diode. invertoare neautonome şi . În majoritatea mutatoarelor. când valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care preia conducţia este întotdeauna mai mare decât valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care cedează conducţia. ƒ Mutatoare având comutaţie proprie. mutatoarele care au comutaţie forţată pot fi: ƒ Mutatoare având comutaţie externă.3. Mutatoare Figura 3. • Mutatoare având comutaţie forţată.a.c. Prelungirea conducţiei unui ventil. când condiţia de comutaţie naturală nu este respectată. funcţionarea acestor elemente este ciclică. Convertor de c. când energia reactivă necesară este furnizată de însuşi mutatorul respectiv.2. Dacă energia este dată de circuitul sarcinii (de la ieşire).a.1. Mutatoarele care funcţionează cu intrarea şi/sau ieşirea în c. când energia reactivă este preluată din exterior. După provenienţa acestei energii. Comutaţia forţată externă se întâlneşte în redresoarele comandate. elemente de conducţie unidirecţională numite şi “ventile” semiconductoare (diode şi/sau tiristoare). După modul de realizare a comutaţiei. Figura 3. dincolo de momentul comutaţiei naturale. respectiv ridicător de tensiune. mutatorul va avea comutaţie (forţată) de la reţea.

2 Redresoare monofazate necomandate 3. În figura 3.4. are rolul de a menţine constantă tensiunea U0 (stabilizatoarele vor fi prezentate în capitolul 4). conectat între filtru şi sarcină. Comutaţia proprie este specifică unei categorii de mutatoare. de valoare impusă. de regulă. mutatoarele reprezintă circuite electronice de putere. cu valoare de asemenea impusă. variatoare de c. precum şi tratarea lor specifică. în care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de “blocare” forţată: invertoare autonome.2. etc. într-un paragraf distinct. U0.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere Redresoarele monofazate se utilizează. În timpul semialternanţei negative.Redresoare 61 convertoare directe de frecvenţă. Aceste circumstanţe au determinat includerea în capitolul de mutatoare a redresoarelor de mică putere realizate sub forma redresoarelor monofazate. Stabilizatorul de tensiune continuă. în condiţiile cunoaşterii tensiunii de alimentare U1. . fie din cauza modificării rezistenţei de sarcină Rs. dioda D (care reprezintă redresorul) este polarizată în sens direct şi conduce. Redresorul R este elementul esenţial al schemei. fie din cauza variaţiei tensiunii de alimentare U1. deci ur = u2. În acelaşi timp. La ieşirea lui se obţine tensiunea redresată ur. necesară obţinerii tensiunii continue U0. Diagramele tensiunilor u2.5-a. ur şi a curentului prin sarcină sunt date în figura 3.5-b. care are o componentă continuă (utilă) şi o componentă alternativă. STC.2. datorită polarizării inverse. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u 2 = 2U 2 sin ωt . Schema bloc a unui redresor monofazat de mică putere 3. Sub aspectul funcţiei realizate. definind un domeniu cunoscut sub numele ”electronică de putere”. Figura 3. dioda este blocată şi ur = 0. Scopul urmărit este de a obţine o tensiune continuă. la puteri mici. de la ieşirea filtrului se poate modifica. Tensiunea continuă. la bornele sarcinii Rs. U0.4 este dată schema-bloc a unui redresor monofazat de mică putere. toate redresoarele se încadrează în categoria mutatoarelor.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă Schema redresorului monofazat monoalternanţă este dată în figura 3.c. Filtrul F are rolul de a diminua componenta alternativă din tensiunea redresată. 3. Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativă din înfăşurarea primară la valoarea U2 (în secundar).

Din relaţia (3.2) Înlocuind valoarea perioadei (T = printr-o sumă de două integrale.4) π 2 2 ⋅ U 2 [− cos(ωt )] = ⋅ U 2 ≅ 0.3) ⎥ 2π ⎢ 0 π ⎣0 ⎦ ∫ ∫ Din diagramele tensiunilor (figura 3. ur= 1 U0 = ⋅ 2π = ∫ 0 1 u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = ⋅ 2π ∫ 0 π 2U 2 sin(ωt ) ⋅ d (ωt ) = (3.6) u r (ωt ) = U 0 + ∑ 2U n sin( nωt + ϕ n ) n =1 .5) Dacă se doreşte exprimarea detaliată a componentei alternative (u~).3) se obţine: π [0. Tensiunea redresată conţine o componentă continuă (U0) şi o componentă alternativă (u~): ur = U0+ u~ (3. astfel: 2π ⎡π 2π).2) se poate exprima 1 U0 = ⋅ T ∫ 2π ⎤ 1 ⎢ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = u r (ωt ) ⋅ d (ωt ) + u r (ωt ) ⋅ d (ωt )⎥ (3. exprimat prin relaţia: ir = ur Rs (3.5-b) se observă că în intervalul u2.5. deci este periodic şi pulsatoriu. iar în intervalul [π. 2π].45 ⋅ U 2 2π π 0 Curentul redresat prin rezistenţa de sarcină este proporţional cu tensiunea ur . integrala din (3. Redresor monofazat monoalternanţă Componenta continuă U0 este egală cu valoarea medie a tensiunii redresate şi se calculează cu relaţia: T U0 = 1 ⋅ T ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) 0 (3.1) Figura 3. ur= 0.62 Capitolul 3 Se observă că tensiunea redresată ur este o tensiune periodică pulsatorie având perioada T = 2π. atunci tensiunea redresată se poate exprima prin relaţia: ∞ (3. π].

. iar ϕn – faza iniţială a armonicii de ordinul n. În cazul analizat coeficientul de redresare Kr este: Kr = U0 U2 = 0. F. (3.12) Ponderea componentei alternative în tensiunea redresată se poate evalua prin factorul de formă. 2π 1 = 2π ∫ π 2U 2 sin(ωt ) d (ωt ) = 2 U 2 ≅ 0. şi componenta continuă U0 : .11) ⎜1 + sin(ωt ) − 2 1⋅ 3 π ⎝ 3⋅5 ⎠ Raportul dintre tensiunea continuă pe sarcină şi valoarea eficace a tensiunii din secundar se numeşte coeficient de redresare. Factorul de formă este raportul dintre valoarea eficace a tensiunii redresate. ur.9) şi (3.8) an = 1 π ∫ 0 u r (ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 π = 1 bn = π = 2π ∫ 0 π (3.7) u r (ωt ) = b 0 + ∑ a n sin( n ⋅ ωt ) + ∑ b n cos(n ⋅ ωt ) n =1 n =1 Coeficienţii seriei Fourier se definesc prin: T 2π ⎡π ⎤ 1 b0 = U0 = T ∫ 0 u r ( ωt ) d ( ωt ) = 1 ⎢ u ( ωt ) d ( ωt ) + u r ( ωt ) d ( ωt ) ⎥ = ⎥ 2π ⎢ r ⎢0 ⎥ π ⎣ ⎦ ∫ ∫ 0 Se observă că valoarea componentei continue (U0) este exprimată de coeficientul b0 al seriei Fourier. 2 π n −1 ∫ 0 π sin(ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d(ωt ) = (3.10) se obţine: u r ( ωt ) = 2U 2 ⎛ 2 2 π ⎞ cos(2 ωt ) − cos(4 ωt ) − . an şi bn din relaţiile (3.45 (3.9) sin( ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d ( ωt ) 2U 2 π ∫ 0 u r (ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 −2 ⋅ .6) se poate scrie sub forma trigonometrică a unei serii Fourier şi devine: ∞ ∞ (3.. γ.8). Relaţia (3. şi factorul de ondulaţie.10) Înlocuind în relaţia (3.45 U 2 π (3.Redresoare 63 unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n.9) şi (3. (3. iar coeficienţii an şi bn se pot calcula utilizând relaţiile (3.10).⎟ .7) coeficienţii b0.

cu atât ponderea componentei alternative în tensiunea redresată este mai mică. sau utilizând schema de redresare în punte. U∼ . necesară transformatorului.64 Capitolul 3 F= ur U0 (3.15) Factorul de ondulaţie se defineşte ca raportul dintre valoarea eficace a componentei alternative.6-c..14) ∫ ∫ T0 2π 0 2 2 F= 2 U 2 2 π π = = 1. (3.13) Cu cât F este mai apropiat de unitate.211. = U0 2 2 U r − U0 = U0 2 2 ⎛ Ur ⎞ ⎜ ⎟ −1 = ⎜U ⎟ ⎝ 0⎠ 2 F −1 2 (3.57 2 2 U2 (3. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 . Diodele D1 şi D2 conduc alternativ..2.16) sau 2 2 U∼ = U r − U 0 (3.. valoarea eficace U∼ este: 2 2 U∼ = U1 + U 2 + . D2 şi D4 fiind blocate. 3.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă Redresoarele dublă alternanţă se realizează după două scheme: cu transformator având priză mediană în secundar. … .18) În cazul redresorului monoalternanţă se obţine Puterea în curent continuu este: γ = 1. astfel încât tensiunea redresată şi curentul prin sarcină au forma din figura 3. Cele două secţiuni ale înfăşurării secundarului transformatorului sunt identice ' " şi deci u 2 = − u 2 .6-a. În semialternanţa negativă conduc diodele D2 şi D4 . U P0 = U 0 I 0 = 0 Rs 2 (3. La redresorul monoalternanţă avem: 1T 2 1 π 2 2 2 Ur = u r ( ωt ) d ( ωt ) = 2U 2 sin (ωt ) d (ωt ) = U (3. Redresorul în punte are schema din figura 3. Schema redresorului având transformator cu priză mediană este dată în figura 3.19) Aceasta determină o anumită putere aparentă. Cunoscând valorile eficace Un ale armonicilor de ordin n = 1. 2.. şi componenta continuă.7. . iar diodele D1 şi D3 sunt blocate.17) şi rezultă U γ = ~ = U0 U1 + U 2 + .

cu deosebirea că în acest caz perioada este egală cu durata unei semialternanţe (T = π).9).11. iar componenta continuă este: U0 = 2 2 ⋅ U 2 ≅ 0.48 P0.3) ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. Redresor dublă alternanţă în punte Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. T ⎤ 2 ⎢ ⎪ ⎣2 ⎥ ⎦ ⎩ (3. Expresia analitică a tensiunii redresate.20) Componenta continuă a tensiunii redresate (U0) se calculează cu aceeaşi relaţie (3. ST = 1. respectiv I0) şi o componentă alternativă. pentru schema cu priză mediană.482.9 ⋅ U 2 π (3. b) diagrama tensiunilor din secundar.21) Coeficientul de redresare este dublu faţă de schema monoalternanţă (Kr = 0. iar la schema în punte. pe o perioadă a tensiunii u2 este: ⎧ ⎡ T⎤ 2 U sin( ω t ) pentru t ∈ 0.6.23 P0. De asemenea. 2 ⎪ ⎢ ⎣ 2⎥ ⎦ ⎪ ur = ⎨ ⎪− 2U sin(ωt ) pentru t ∈ ⎡ T . γ = 0. puterea aparentă necesară a transformatorului este mai mare la schema cu punct median. pentru o putere P0 dată. c) diagrama tensiunii şi a curentului redresat Figura 3.Redresoare 65 Figura 3.7. Comparând cele două scheme de redresare dublă alternanţă se pot reţine următoarele: • pentru aceeaşi putere P0 în sarcină. iar factorul de formă şi coeficientul de ondulaţie se ameliorează: F = 1. . Astfel. puterea de calcul a transformatorului este ST = 1. puterile aparente în înfăşurarea secundară şi înfăşurarea primară ale transformatorului se micşorează. Redresor dublă alternanţă folosind transformator cu priză mediană: a) schema. tensiunea şi curentul prin sarcină au două componente: o componentă continuă (U0 .

este necesară diminuarea componentei alternative din tensiunea redresată.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este dată în figura 3. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea bobinelor de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului şi o reactanţă mare pentru componenta alternativă din curentul redresat.8. Tipuri de filtre: a) capacitiv.2.CLC sau CRC 3. rezultă o cădere de tensiune pe diode dublă faţă de schema cu punct median.9-b.22) u2 = ua + uc Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este în acelaşi timp. cât şi pe proprietatea capacităţilor mari (conectate în paralel cu sarcina). b) inductiv-capacitiv. c) tip π .4. Din relaţia anterioară rezultă căderea de tensiune (ua) pe dioda în conducţie: Presupunem că în momentul aplicării tensiunii de alimentare. Figura 3. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului. 3.8. tensiunea inversă maximă pe diode. Se observă că în intervalul (0 … ωt1) tensiunea din secundarul transformatorului (u2) este mai mare decât tensiunea la bornele condensatorului ua = u2 – uc.9-a. (uc). Parametrul principal care le caracterizează este factorul de ondulaţie al tensiunii de la ieşire. cu ajutorul filtrelor. tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină (us) cât şi tensiunea după elementul redresor.2.4 Filtrarea tensiunii redresate Pentru obţinerea unei tensiuni cu factor de ondulaţie mic la bornele rezistenţei de sarcină. Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din figura 3. condensatorul C este descărcat. Funcţionarea ei se poate urmări în diagrama din figura 3.66 Capitolul 3 • • la schema în punte. ur. pentru aceeaşi tensiune redresată este de două ori mai mare la schema cu punct median faţă schema de redresare în punte (deoarece tensiunea inversă ce apare în momentul blocării diodelor se distribuie pe două diode). Dioda conduce şi condensatorul se încarcă prin . datorită conducţiei în permanenţă a două diode. rezultă: (3. (u2 > uc) şi deci ua > 0. de a şunta armonicele de ordin superior.

. În intervalul de conducţie secundarul transformatorului şi diodă. aceasta incluzând rezistenţa echivalentă serie în secundarul transformatorului. precum şi amplitudinea componentei alternative. care reprezintă componenta continuă a tensiunii la bornele sarcinii. rezultă foarte mică. deci ua = 0. La funcţionarea fără filtru capacitiv. Micşorarea rezistenţei de sarcină (Rs) are ca efect creşterea curentului de sarcină (Is) şi ca urmare tensiunea U0 scade. Valoarea tensiunii continue U0. trecerea prin zero spre valori pozitive a tensiunii u2). adică intervalul de timp în care se încarcă condensatorul.. Ri. Deci Ri = RS(Tr) + RDc β = ωt3 . iar dioda se blochează.Redresoare 67 Ri ≅ RS(Tr). În figura 3. care – la rândul lor – sunt determinate de mărimile C şi Rs.. deci condensatorul se încarcă rapid. tensiunea uc scade lent. Ti = Ri C. depind mult de valoarea rezistenţei de sarcină. este foarte mică..25) ..ωt2) u2 < uc. adică β = π. Cu β s-a notat unghiul de conducţie. Dioda rămâne blocată şi condensatorul se descarcă prin rezistenţa de sarcină Rs. RDc. Constanta de timp de descărcare a condensatorului este Td = RsC şi este relativ mare (pentru că Rs este mai mare decât Ri). sau Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaţii (având forma dinţilor de ferăstrău) în jurul valorii U0. dioda conduce pe întreaga semiperioadă a tensiunii u2 din secundarul transformatorului.. Filtrul capacitiv micşorează durata de conducţie a diodei în intervalul 0 < β < π. În intervalul (ωt1. În continuare dioda conduce în intervalul (ωt2 . iar componenta alternativă (u~) a tensiunii redresate creşte. Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducţie şi de blocare. care este neglijabilă.ωt3). RS(Tr) şi rezistenţa diodei în conducţie. Constanta de timp la încărcarea condensatorului.9-b s-a notat cu α unghiul de la care începe încărcarea condensatorului (considerând ca moment de referinţă. iar ua < 0.24) (3. curentul prin diodă este: unde: ia = ic + is ic = C du c d =C dt dt is = (3. până în momentul ωt2. Rezistenţa de încărcare. Unghiul la care încetează încărcarea condensatorului s-a notat cu ψ = α + β şi se numeşte unghi de blocare.23) [ 2 U 2 sin(ωt ) = ω C 2 U 2 cos(ωt ) 2 U2 sin(ωt ) Rs ] (3. În momentul ωt1 se obţine egalitatea uc = u2. ωt2.

9. în cazul redresoarelor cu filtru capacitiv.10). γ . mai ales. b) diagrama tensiunilor şi curenţilor 3. Se observă o cădere de tensiune (la curent nominal) mică (ΔU01). în regim nominal de funcţionare. • caracteristica externă. I0N . dar aşa cum s-a precizat anterior. egală cu tensiunea continuă la bornele de ieşire. în condiţia 0 ≤ IS ≤ I0N . PN . • . aceste caracteristici ar trebui să fie orizontale (liniile punctate din figura 3. Ideal. • curentul nominal. influenţa rezistenţei de sarcină RS asupra tensiunii US este importantă. reprezintă puterea pe care o poate debita redresorul în sarcină.2.68 Capitolul 3 Figura 3. exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N . • tensiunea nominală. definit prin relaţia (3. U0N .18) când redresorul funcţionează la putere nominală.5 Parametrii redresoarelor de mică putere În cazul redresoarelor de mică putere parametrii şi caracteristicile importante sunt: puterea nominală a redresorului. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv: a) schema. • factorul de ondulaţie.10. Cele trei caracteristici reprezintă: • Curba 1 este caracteristica externă în cazul redresorului fără filtru. ilustrată în figura 3. atunci când redresorul funcţionează la putere nominală. reprezintă dependenţa US = f(IS).

necesită o tensiune redresată cu un factor de ondulaţie cât mai mic. Curentul prin sarcină este: is = i1 + i2 + i3 (3.26) Figura 3.12. Un parametru care determină panta caracteristicii externe este rezistenţa internă a redresorului. ΔU S ΔIS (3. Se remarcă o cădere mult mai mare de tensiune (ΔU02) corespunzătoare curentului nominal. Caracteristicile externe ale redresorului 3.27) . În capitolul 4 se vor trata principiile de funcţionare şi schemele principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continuă. Deoarece majoritatea consumatorilor industriali. ΔU03) – poate fi compensat prin utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continuă (STC) conectate între filtre şi consumatori (sarcini). La un moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenţialul cel mai ridicat. Dezavantajul pe care îl introduc filtrele – exprimat prin căderile de tensiune (ΔU02 .10. dată de relaţia următoare: Ri = − Această rezistenţă este de dorit să rezulte cât mai mică.11. este evidentă necesitatea utilizării filtrelor. În această situaţie se observă o cădere de tensiune (ΔU03) mai mică decât în cazul redresorului cu filtru capacitiv. Curba 3 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru π (CLC). ce funcţionează în curent continuu.3 Redresoare trifazate necomandate Redresoarele trifazate (în general. astfel încât caracteristica externă reală să fie cât mai apropiată de caracteristica ideală.) Funcţionarea schemei se poate urmări în diagrama din figura 3.Redresoare • 69 • Curba 2 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru capacitiv. polifazate) se construiesc pentru puteri nominale mari. Cea mai simplă schemă de redresor trifazat utilizează un transformator trifazat având secundarul conectat în stea (figura 3.

13).70 Capitolul 3 şi are. iar sarcina redresorului este rezistivă. Perioada (3. datorită performan-ţelor superioare pe care le prezintă. apar efecte care complică funcţionarea redresorului. Valoarea tensiunii continue. deci intervin inductanţele de scăpări ale acestuia. Descrierea proceselor dintr-un redresor real cu sarcină inductivă se poate urmări în lucrarea [2]. la care sunt legate diode în conducţie. Tensiunea continuă tensiunii U0 de la bornele rezistenţei de sarcină este.29) . ωt2 .14. Se remarcă faptul că frecvenţa comutărilor este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat în stea. ur. deci perioada pulsaţiilor tensiunii redresate este de două ori mai mică. situaţie ilustrată în figura 3.28) π 2π 3 6+ 3 3 6 = 2U 2 sin(ω t )d(ω t ) = U 2 ≅ 1. integrala pe o perioadă a tensiunii ur fiind 2π/3.34 U 2 π (3.12. a curentului i0 (curentul prin sarcină) şi a tensiunii redresate. În momentele ωt1 . calculată în relaţia (3. ωt3 … se produce comutarea conducţiei de pe o fază pe alta. Astfel. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei RS este egală cu tensiunea pe faza în care dioda conduce şi are forma curbei cu linie întărită din figura 3. este schema de redresare trifazată în punte (figura 3. este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat simplu (conectat în stea): rezultă valoarea tensiunii U0: π 2π 1 α0 +T 1 6+ 3 U0 = u r (ω t )d (ω t ) = u r (ω t )d(ω t ) = 2π π T α0 3 6 ∫ ∫ ∫ U0 = 3 6 U 2 ≅ 2. sau când sarcina are caracter inductiv. În schema redresor O schemă foarte des utilizată în practică. o formă pulsatorie. t3) conduc diodele D1 şi D6 etc. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei de sarcină este egală cu diferenţa potenţialelor între acele borne ale înfăşurării secundare. În schema redresorului se observă că la un moment oarecare conduc două diode: dioda cu potenţialul anodului cel mai ridicat şi dioda cu potenţialul catodului cel mai scăzut. t2) conduc diodele D1 şi D5 .14. tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele trasate cu linie întărită şi axa timpului. în intervalul (t1. în intervalul (t2. Deci. Funcţionarea acestui redresor se explică utilizând diagramele curenţilor prin faze. împărţită la perioadă (T). în cazul sarcinii rezistive.17 U 2 π 2π 2π 6 Descrierea funcţionării redresorului trifazat s-a făcut în ipoteza că transformatorul este ideal (are inductanţele de scăpări neglijabile). în special la producerea comutaţiei de pe o fază pe alta.29). prezentate în figura 3. prin definiţie. În cazul când se admite că transformatorul nu este ideal.

Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul trifazat în stea Figura 3.13.12. Redresor trifazat în stea Figura 3.14. Redresor trifazat în punte Figura 3. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul în punte .11.Redresoare 71 Figura 3.

Ce este deosebirea dintre un invertor (I) şi un convertor – static de frecvenţă? 2.4 Întrebări 1. Ce condiţie trebuie să îndeplinească cele două diode ale unui redresor bialternanţă.72 Capitolul 3 3. γ ? . F. Care sunt semnificaţiile şi expresiile analitice ale parametrilor redresorului de mică putere Kr . Cum se explică (justifică) relaţia τ d >> τ i în cazul redresorului cu filtru capacitiv ? 4. conectate la un transformator cu două secundare şi punct median? 3.

Figura 4. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic 4.1. În acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice şi cu reacţie. în limite strânse. dacă tensiunea stabilizată este continuă. montate în serie. Ele se pot conecta ca în figura 4.2 Stabilizatoare parametrice Cele mai răspândite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune continuă. În prezent există un număr relativ mare de categorii şi tipuri de stabilizatoare electronice. parametrice (cu elemente neliniare. valorile tensiunii sau curentului de alimentare. sau în paralel cu sarcina) şi cu reacţie (care funcţionează pe principiul sistemelor de reglare automată cu reacţie negativă). În funcţie de mărimea electrică de stabilizat există stabilizatoare de tensiune şi de curent.1 Noţiuni generale.CAPITOLUL 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE 4. ale unei instalaţii industriale sau de laborator. motiv pentru care această variantă este cel mai des utilizată în practică. electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate).1. pot fi depăşite limitele admise şi pot să apară dereglări în funcţionarea instalaţiilor sau/şi erori de măsurare nepermise. care fac parte componentă din alimentatoarele celor mai diverse circuite . În principiu tensiunea continuă poate fi stabilizată şi înainte de redresor. Parametrii stabilizatoarelor Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menţine. menţinând constantă tensiunea alternativă cu stabilizatoare corespunzătoare. În lipsa stabilizatorului. iar în funcţie de metoda de stabilizare există stabilizatoare electromecanice (pentru tensiuni alternative şi continue la consumatori de mare putere). Varianta din figura 4.1 are avantajul că menţine constantă tensiunea pe sarcină indiferent de cauzele care tind să o modifice.

a căror caracteristică tensiune-curent asigură stabilizarea tensiunii.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric Stabilizatoarele parametrice au ca elemente esenţiale diode Zener. Pe măsură ce RS scade. electronice.74 Capitolul 4 electronice. cât şi i z (într-o măsură mult mai mare).2-b): (4.3) 4. rezistenţa de sarcină se limitează astfel încât punctul de funcţionare M să se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii. Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda Zener (figura 4. creşte curentul i2 din RS. . În mod similar funcţionează stabilizatorul şi în cazul variaţiei tensiunii de reţea: dacă tensiunea reţelei creşte.3. dacă tensiunea reţelei scade. care să asigure valoare maximă admisă a curentului I z max prin dioda Zener.2) Pentru RS = ∞. Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice. electromagnetice). tuburi cu gaz de tip stabilovolt sau stabilitron. Schema unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener este dată în figura 4. Figura 4.2. pentru a nu se ajunge în zona neliniară a caracteristicii. punctul de funcţionare al diodei se găseşte în A. Invers. b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener Pentru o funcţionare normală a stabilizatorului este necesar ca rezistenţa de balast R să îndeplinească următoarea condiţie: R min < R < R max (4.2-a) a cărei proprietate principală este de a prelua variaţii importante ale curentului ( ΔI z ). cresc atât i 2 (într-o mică măsură).2. iar punctul M de funcţionare se deplasează spre A. cu variaţii reduse ale tensiunii ( ΔU z ) la bornele ei (figura 4. În cazul funcţionării în gol (RS = ∞) se alege o valoare pentru rezistenţa R (de “balast”).1) ΔI z = Iz max − I z min ΔU z = U z max − U z min (4. punctul de funcţionare se deplasează spre B. iar punctul de funcţionare se deplasează spre B şi în continuare spre 0. Practic. Principiul stabilizatorului parametric cu diodă Zener: a) schema.

4) E = R ⋅ I + Ua I = I a + Is U Is = a Rs (4.3.3.6) precum şi dependenţa ia Zener.2-b. Tensiunea aplicată la intrarea în stabilizator este tensiunea de ieşire din filtrul redresorului şi s-a notat cu E în schema din figura 4. Modificarea PSF al diodei Zener la variaţia tensiunii de intrare (a) şi la variaţia rezistenţei de sarcină (b) Din relaţiile (4.5) (4.4).4. = f(ua). Pentru deducerea punctului static de funcţionare (PSF) al diodei se utilizează relaţiile: (4. dată grafic sub forma caracteristicii statice a diodei Figura 4.6) rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ⎛ R ⎞ E = R ⋅ Ia + ⎜ ⎜ R + 1⎟ ⎟ ⋅ Ua ⎝ S ⎠ (4.4) … (4.7) Punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină (tăieturile) cu axele de coordonate sunt: . astfel încât zona de stabilizare parametrică din caracteristica statică a diodei se va desena în cadranul 1 (figura 4.Stabilizatoare electronice 75 Figura 4. Stabilizator parametric cu diodă Zener În această schemă sensurile adoptate pentru ia şi ua sunt inversate faţă de schema din figura 4. Tensiunea de ieşire de pe rezistenţa de sarcină Rs este identică cu tensiunea anodică ua a diodei Zenner (DZ).

R U" = E" Rs + R Rs (4. R Ua = E ⋅ Rs + R Rs (4.76 Capitolul 4 Ia = E .4-a dreapta statică de sarcină este reprezentată printr-o linie continuă.4-a): I' = E' . Deci. iar Rs = ct. deci tensiunea pe sarcină este practic constantă dacă PSF (M) nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice. însă tensiunea la bornele diodei. tensiunea Ua rămânând practic constantă (vezi figura 4. Şi în acest caz modificarea poziţiei punctului static de funcţionare afectează curentul prin diodă. . Aceste coordonate sunt: Ia 0 şi Ua 0 ≡ Uz. sau scade la valoarea E”). Concluzie: Proprietatea de stabilizare se păstrează în orice regim de lucru.11) " ' R Rs + R Rs + R ' " Observaţie. I" = E" . dacă PSF nu intră în zona de curbură a caracteristicii statice. dacă punctul de funcţionare M nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice a diodei Zener (DZ). U' = E . tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. Înclinarea dreptei va fi aceeaşi (vezi figura 4.4-a). " ' b) Presupunând că rezistenţa de sarcină Rs variază între valorile R s şi R s . Punctul static de funcţionare al diodei Zener se păstrează pe porţiunea în care tensiunea Ua este practic constantă. atunci tăieturile dreptei statice de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4.4-b). U" = E (4. S-a considerat: R s > R s şi R s < R s . La intersecţia dintre caracteristica statică a diodei Zener şi dreapta de sarcină se obţine PSF notat cu M. iar tensiunea de la intrare rămâne constantă (E = ct.8) În figura 4..). modificarea tensiunii de intrare duce la modificarea curentului Ia . În funcţionarea stabilizatorului parametric pot exista două regimuri distincte de lucru: a) Dacă tensiunea de intrare E se modifică (creşte la valoarea E’. R U' = E' Rs + R Rs .10) Se observă că E’ > E şi E” < E. Panta dreptei statice de sarcină se exprimă prin relaţia: tg α = RR s R + Rs (4.9) Rezultă că înclinaţia (panta) dreptei statice de sarcină nu depinde de valoarea tensiunii E de la intrarea stabilizatorului. Proiecţiile duse din M pe axele de coordonate determină coordonatele PSF.4-b): " ' E Rs Rs I = I' = I" = . respectiv U’ > U şi U” < U.

5. reprezintă eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescrisă. dată de un stabilizator parametric (diodă Zener).2.13) E = U'+ U 0 dată de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conservă în orice condiţie. amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi comandă.5. Figura 4. deci la creşterea tensiunii U0.5. tensiunea U0 tinde să scadă faţă de valoarea nominală.6 este dată schema detaliată a stabilizatorului cu ECS. a cărei valoare este comandată de semnalul de ieşire al amplificatorului 2. Acesta se construieşte după schema din figura 4. ceea ce reprezintă compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. elementul de comparaţie 5 sesizează abaterea. elementul de execuţie 1. prezentată în figura 4. Amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi acţionează asupra elementului de control 1 (ECS) în aşa fel. Tensiunea de referinţă E0. încât să se compenseze variaţiile tensiunii de ieşire (±ΔU0) faţă de valoarea prescrisă. Tensiunea Ur este proporţională cu valoarea reală a tensiunii U0: U r = U0 R1 = k ⋅ U0 R1 + R 2 (4. Dacă. Elementul de execuţie 1 se comportă ca o rezistenţă în serie.Stabilizatoare electronice 77 4. Micşorarea rezistenţei elementului 1 duce la micşorarea căderii de tensiune U’ pe acest element.12) Diferenţa dintre aceste două tensiuni. este constantă şi proporţională cu valoarea prescrisă a tensiunii U0 (tensiunea de ieşire pe Rs). Schema bloc a stabilizatorului cu element de control serie şi amplificator de eroare Elementul de comparaţie 5 compară două tensiuni: E0 şi Ur. prin ieşirea sa. obţinută la ieşirea elementului de comparaţie 5.2 Stabilizatoare cu reacţie având elemente de control serie şi amplificator de eroare Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) şi amplificator de eroare este cel mai răspândit. . în sensul scăderii rezistenţei acestuia. În figura 4. de exemplu. întrucât egalitatea: (4.

fiind un tranzistor npn. a cărui rezistenţă este comandată de tensiunea de ieşire a amplificatorului de eroare.3 Stabilizatoare integrate de tensiune Aceste stabilizatoare au performanţe superioare faţă de circuitele de stabilizare având componente discrete şi pot fi realizate atât pentru tensiuni mari (figura 4. deci la creşterea tensiunii de colector Uc1.7-b amplificatorul de eroare lucrează în regim de repetor.78 Capitolul 4 Figura 4.2. Astfel.7-b). Curentul de bază al tranzistorului T1 se micşorează ducând la reducerea curentului de colector.7-a) cât şi pentru tensiuni mici (figura 4. .6 Schema detaliată a stabilizatorului prezentat în figura 4. 4. Elementul de control serie este tranzistorul T2. are loc compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. Semnalul de eroare este: U be = U r − E 0 (4.5 Tensiunea de referinţă E0 este dată de un stabilizator parametric format din dioda Zener (Dz) şi rezistenţa R3. ducând la creşterea tensiunii U0 conform relaţiei (4.12) deci scade şi tensiunea Ube. iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare operaţionale (AO). dată de relaţia 4. Dacă tensiunea U0 tinde să scadă.14) şi reprezintă mărimea de intrare în amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1 şi rezistenţa R4. se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 creşte).14. iar în figura 4. tensiunea colector – emitor U’ scade. va scădea şi tensiunea Ur (conform relaţiei 4. Elementele de control serie (ECS) sunt componente integrate.7-a amplificatorul de eroare lucrează în regim de amplificator neinversor. În figura 4.13). creşterea potenţialului în colectorul tranzistorului T1 are ca efect o pozitivare accentuată a bazei tranzistorului T2. Acesta. Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat direct la baza tranzistorului T2.

15) b) pentru stabilizarea tensiunilor mici (U2 < Ur). Exemplificând.7-a: Tensiunea de ieşire R + R2 U2 = 1 ⋅ Ur R1 R1 ⋅ Ur R1 + R 2 (4.5V superioară tensiunii de ieşire U0. ieşire şi bornă de masă.7. Condensatorul C2 de la ieşire are tot rol de filtrare. figura 4.5V (4. În figura 4.7-b: (4.8 se prezintă schema clasică a unui stabilizator de tensiune integrat cu trei pini. deoarece în afara circuitului integrat sunt necesare numai două condensatoare iar prezenţa diodei de protecţie este facultativă. Tensiunea de ieşire stabilizată în acest caz este: Stabilizatoarele din seria 78XX pot funcţiona corect numai dacă tensiunea de intrare este cu cel puţin 2.8 se constituie într-un stabilizator de tensiune fixă (5V) dacă STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4.Stabilizatoare electronice 79 (a). Uin > U0nom + 2.pentru tensiuni mari (b). în special atunci când STC se află la o distanţă oarecare faţă de circuitul de filtrare care îl precede (la ieşirea redresorului). Condensatorul C1 este indispensabil în montaj.9). reducând suplimentar tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului.16) U2 = Pentru a îmbunătăţi fiabilitatea stabilizatoarelor integrate şi pentru a elimina căderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieşire). figura 4. Dioda D protejează circuitul integrat.pentru tensiuni mici Figura 4. schema generală din figura 4. adică: U0 = Unom ± 5% unde Unom = 5V.17) . fiind prevăzute cu trei terminale: intrare. Acest montaj se caracterizează printr-o simplitate deosebită. Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesită un număr redus de componente discrete externe (pasive şi active). în prezent se realizează circuite stabilizatoare de tensiune fixă şi curenţi de sarcină relativ mari. Stabilizatoare de tensiune integrate U2 în funcţie de tensiunea de referinţă Ur are valorile: a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur). în montajele la care tensiunea de ieşire se menţine şi după anularea tensiunii de intrare (cazul montajelor cu sarcini capacitive importante). prin limitarea tensiunii inverse care poate să apară între intrare şi ieşire.

Variaţiile curentului rezidual Ir (în funcţie de curentul de ieşire) vor avea o anumită influenţă asupra tensiunii de ieşire când se reglează valoarea lui R2 către maxim.19) U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4. Schema de principiu pentru un stabilizator integrat – tensiune fixă Figura 4. se alege R1 = 120 Ω pentru stabilizatorul LM7805 utilizat în acest caz. Din acest motiv se alege R2 ≅ R1/2. se adoptă R1 = 390 Ω. astfel încât prin el să treacă un curent de cel puţin cinci ori mai mare decât curentul rezidual (IR1 ≥ 5 Ir).8 mA. Tensiunea de ieşire a stabilizatorului LM317 poate fi reglată între 1. faţă de tensiunea nominală. În acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de ieşire (4. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Tensiunea obţinută la ieşire are expresia: curentului Ir este de 8 mA..18) reprezintă circa 0. Din motive de stabilitate.9 i se ataşează un divizor rezistiv la care unul dintre rezistoare este reglabil.25⋅(1 + R2/R1) (4. este prezentat un variator de tensiune (în limite mici) utilizând circuitul specializat 7805. Pentru a minimiza acest efect se alege rezistorul R1. Pentru un stabilizator de 15V. Şi în acest caz protecţia împotriva suprasarcinilor rămâne activă în condiţia că tensiunea de intrare nu depăşeşte valoarea maximă admisă (de firmă) care este de regulă de 35 V.18) Curentul Ir (obţinut la pinul 3) are valori cuprinse în domeniul 4. Figura 4.8.9.10.2V şi 37V. cu mai mult de 50%. dacă schemei din figura 4. În figura 4.10.5A.11 este prezentată schema unui stabilizator de tensiune variabilă utilizând circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni negative).80 Capitolul 4 Stabilizatoarele integrate pot îndeplini şi funcţia de regulatoare de tensiune.. la un curent maxim de 1.5V în cazul stabilizatorului de 5V. nu este indicat să se depăşească plaja de variaţie a tensiunii de ieşire. Întrucât valoarea cea mai mare a . Tensiunea de ieşire se poate determina folosind relaţia: Uout = 1. în figura 4. Astfel. Variaţiile curentului rezidual Ir în funcţie de curentul de ieşire ar putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieşire. realizat cu circuitul LM7815. Stabilizator integrat de tensiune fixă (5V) Figura 4.

baza de calcul suferă o modificare generată de faptul că stabilizatoarele variabile dezvoltă o tensiune de referinţă egală cu 1. Diodele D1 şi D2 au rolul de proteja circuitul integrat în cazul apariţiei unor descărcări inverse ale condensatoarelor. .25V. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Condensatorul C3 are rolul de a ameliora. între pinul ADJ şi pinul VOUT (de ieşire). Observaţii: Deşi schema utilizată în cazul stabilizatoarelor ajustabile de tensiune este identică cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe. factorul de rejecţie global.11.Stabilizatoare electronice 81 Figura 4. suplimentar. totuşi.

CAPITOLUL 5

REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere
Pentru ilustrarea unor noţiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor în mutatoare se consideră cel mai simplu redresor comandat, în schema monofazată, monoalternanţă, cu sarcină rezistivă (figura 5.1). El conţine un dispozitiv de comandă pe grilă, DCG, la intrarea căruia se aplică semnalul de comandă, uc. Scopul urmărit este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de comandă uc.

Figura 5.1. Redresor comandat monoalternanţă

Figura 5.2. Circuit de defazare

După modul cum DCG realizează amorsarea tiristorului (intrarea în conducţie), există două metode de comandă pe grilă: comanda pe orizontală şi comanda pe verticală. Dispozitivul de comandă pe grilă transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la fiecare semialternanţă pozitivă a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc amorsarea tiristorului. Până la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul. După deschiderea tiristorului curentul variază proporţional cu tensiunea aplicată u2.

iG care produce amorsarea tiristorului, se numeşte unghi de amorsare şi s-a notat cu αa.
Intervalul cuprins între începutul semialternanţei pozitive şi apariţia impulsului amorsare αa1 şi curentul mediu prin tiristor este proporţional cu suprafaţa dintre curba Din figura 5.3 se observă că modificarea unghiului de amorsare se realizează (1) prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizează unghiul de

ωt

Redresoare comandate de mică putere

83

şi abscisă. Tensiunea continuă de pe rezistenţa de sarcină, proporţională cu valoarea curentului mediu, rezultă mai mică decât în cazul când unghiul de amorsare este zero, adică la redresorul necomandat. Dacă unghiul de amorsare creşte la (2) valoarea αa2, corespunzătoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o valoare proporţională cu suprafaţa dublu haşurată.

ia

Figura 5.3. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe orizontală

Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comandă, se poate modifica unghiul de amorsare de la 0° la 180° şi tensiunea continuă variază de la 100% la zero. Acest principiu este valabil în ambele metode de comandă pe grilă (comanda pe orizontală şi comanda pe verticală). La comanda pe orizontală, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin deplasarea pe orizontală a unei tensiuni alternative de comandă. În figura 5.3-c este prezentată această tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel construit, încât se generează impulsurile iG în momentul trecerii tensiunii u~ prin zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aşa cum este cel din figura 5.2. În acest caz comanda defazajului, deci şi a tensiunii redresate, se face printr-o acţiune de reglare manuală asupra reostatului R. Dacă se impune ca tensiunea continuă să fie ajustată printr-un semnal de comandă uc, DCG trebuie să conţină un oscilator electronic care generează o tensiune periodică, liniar variabilă în timp, uLV, precum şi un circuit ce formează un impuls de comandă, iG, atunci când se produce intersectarea tensiunilor uLV şi uc pe panta

83

84

Capitolul 5

descendentă a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comandă conduce la modificarea corespunzătoare a fazei impulsurilor iG. Comanda pe verticală a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrată în figura 5.4. Dispozitivul de comandă pe grilă (DCG) generează iniţial o tensiune alternativă U~, defazată cu 900 în urma tensiunii U2. (a ) Impulsul de comandă pe grilă i G se formează iniţial la intersecţia cu abscisa (pe porţiunea ascendentă a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de amorsare a tiristorului are valoarea iniţială αa = 90 . Principiul comenzii pe verticală constă în variaţia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe verticală a tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micşorarea sau creşterea unghiului de amorsare faţă de unghiul iniţial αa. Pentru a realiza deplasarea pe verticală a tensiunii U~, la nivelul DCG se însumează o tensiune continuă de comandă (Uc – pozitivă sau negativă) cu tensiunea U~.
0

Figura 5.4. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe verticală

Redresoare comandate de mică putere
Ajustarea tensiunii de comandă astfel: a. Creşterea tensiunii

85

Uc determină reglarea unghiului de amorsare (Uc > 0) are [00 ... 900], iar
ca efect reglarea valoarea medie a

Uc

în valori pozitive

unghiului de amorsare

tensiunii redresate creşte (proporţional cu valoarea unghiului de conducţie α1) în cadrul unei semialternanţe pozitive; b. Creşterea tensiunii Uc în valori negative

(α1)

în intervalul

(Uc < 0) are ca efect reglarea 0 0 unghiului de amorsare (α2) în intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a tensiunii redresate scade proporţional cu creşterea unghiului α2, între [900 ... 1800].

[0 [0% ... 100%] din Ur.

0

Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, în domeniul ...1800], iar tensiunea medie redresată poate fi ajustată continuu, în domeniul

La evaluarea comparativă a performanţelor redresoarelor având comandă pe orizontală faţă de cele ce au comanda pe verticală, un criteriu important este forma dependenţei tensiunii continue U0 în raport cu semnalul de comandă uc. Expresia tensiunii continue sarcină rezistivă este: 2π

U0

la un redresor monofazat comandat cu

1 U0 = 2⋅π


0

1 u r d ( ωt ) = 2⋅π

αa

π

2 ⋅U 2 sin(ωt ) ⋅ d(ωt ) =
(5.1)

=

2 ⋅U 2 (1 + cos α a ) 2⋅π

La comanda pe orizontală, figura 5.3.d, unghiul de amorsare în funcţie de tensiunea de comandă uc prin relaţia:

αa se exprimă
(5.2)

α a = π ⋅ (1 −

uc

Înlocuind α a în relaţia (5.1) rezultă:

u c max

)

U0 =

π uc 2 ⋅U 2 (1 − cos ) 2⋅π u c max

(5.3)

deci dependenţa U0 = f(uc) este neliniară. La comanda pe verticală, considerând că tensiunea de comandă maximă, ucmax, este egală cu amplitudinea tensiunii u~ , relaţia dintre unghiul de amorsare

(αa) şi tensiunea uc este:

α a = arccos(

uc u c max

)

(5.4)

Înlocuind relaţia 5.4 în ultima formă a relaţiei 5.1 se obţine:

85

Rampă de tensiune 8. care pot fi realizate cu ajutorul componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate.Intrare de sincronizare 10.5.Ieşire monostabil 3. Unul dintre cele mai utilizate circuite integrate. Această proprietate reprezintă un avantaj important al comenzii pe verticală faţă de comanda pe orizontală. întrucât redresorul comandat poate fi utilizat ca element de execuţie într-un sistem liniar de reglare automată (de exemplu reglarea turaţiei motorului de curent continuu). 5.Referinţa de tensiune (-V) 16. este circuitul integrat ßAA-145.Blocare impuls 7.Comandă fază ( V8 ) 9.Ieşire ( E1 ) 11.Masă − 13.Alimentare ( I ) 6. Dispozitiv de comandă pe grilă realizat cu ßAA-145 .5) deci. Făcând abstracţie de schema electronică detaliată prezentată în [9]. destinat comenzii în fază a elementelor de redresare.Alimentare (+V) 2. dependenţa U0 = f(uc) este liniară.Comandă durată (tp) 14. semnificaţia terminalelor (pinilor) este următoarea: 1.86 Capitolul 5 U0 = 2 ⋅U 2 uc (1 + ) u c max 2⋅π (5. Schema electronică test pentru o aplicaţie tipică (cu posibilităţi de comandă a două tiristoare) realizată cu circuitul integrat ßAA145 este prezentată în figura 5.5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor Pentru reglarea unghiului de conducţie a tiristoarelor şi/sau triacurilor se pot utiliza dispozitive electronice specializate.Sincronizare paralel Figura 5.Ieşire (E2) 15.

În acest caz valorile rezistenţelor divizorului se adoptă astfel încât curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) să aibă valoarea de 10 mA. Figura 5. asociat cu divizorul rezistiv pentru alimentarea pinului de sincronizare (9). această valoare fiind un parametru de catalog. atunci când tensiunea de comandă aplicată la pinul 8 variază în domeniul 0.6. pentru separare galvanică (220V~/24V~).6. se obţin la pinii 10 şi 14. ce urmează a fi aplicate pe porţile tiristoarelor sau triacurilor. Variaţia unghiului de conducţie în raport cu tensiunea de comandă (V8) este prezentată în figura 5. Acest circuit permite reglarea unghiului de conducţie (φ) în domeniul 0-180 grade. Variaţia unghiului de conducţie Figura 5.7. 87 . Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu ajutorul unui potenţiometru semireglabil (Rt) de 250 KΩ conectat la pinul 11. Diagrama impulsurilor de comandă Impulsurile de comandă.Redresoare comandate de mică putere 87 Observaţie: Este recomandat să se utilizeze un transformator coborâtor de tensiune..8V..

în cazul redresorului monofazat. începe ieşirea din conducţie a tiristorului T2 şi intrarea în conducţie a diodei D1.100%]. În raport cu referinţa. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunzătoare a tiristoarelor din circuit.. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată (cu sarcină inductiv-rezistivă) este prezentată în figura 5. realizate cu miezuri de ferită şi dimensionate corespunzător. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul în care tensiunea lor în sensul anod – catod este pozitivă.3 Redresor monofazat semicomandat în punte În cazul redresorului semicomandat. Unghiul de comandă (α) exprimă intervalul de timp cuprins între momentul începutului blocării tiristorului T1 şi momentul în care începe conducţia tiristorului T2.. Momentul de referinţă pentru unghiul de comandă este momentul trecerii prin zero a tensiunii reţelei. 5. figura 5. acest interval defineşte unghiul de comandă (α) pentru tiristoare. impulsul de amorsare (aprindere) a fiecărui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil. Exprimat în radiani.180 grade datorită translaţiei pe orizontală a celor două impulsuri. Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porţile tiristoarelor/triacurilor prin intermediul unor transformatoare de impulsuri. iar formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor prin circuitul redresor-sarcină sunt date în figura 5.. dar unghiul de conducţie ϕ se poate regla în intervalul 0.catod. tensiunea de ieşire Ud este reglabilă în limitele [0. Momentul în care tensiunea pe tiristor este nulă şi urmează să devină pozitivă în sensul anod . În punctul A al diagramelor. se alege ca moment de referinţă pentru comanda pe grilă. Figura 5.9. acestea trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington.8.. Aceste transformatoare realizează separare galvanică Între circuitul de forţă (tiristor sau triac) şi circuitul de comandă unde se află circuitul integrat βAA – 145.7.8. Blocarea impulsurilor de comandă (inhibarea circuitului ßAA-145) se poate face conectând pinul 6 la masă. Întrucât impulsurile de comandă (V10 şi V14) sunt de mică putere.88 Capitolul 5 Cele două impulsuri de comandă (V10 şi V14) sunt decalate permanent cu un unghi constant de 180 grade. .

Tensiunea medie redresată (Ud) este dată de relaţia: Ud = 2 U S (cos α + 1) . Tiristorul T1 se stinge natural în punctele (momentele) B şi D. α – este unghiul de conducţie al tiristoarelor. π (5.6) unde: US – este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 ). iar tiristorul T2 se blochează natural în momentele A. curentul de sarcină trece în întregime prin T1 şi D1. Tensiunea redresată Ud pe sarcină (LS. D2 . Figura 5. RS) se obţine în intervalele de timp în care are loc conducţia simultană pe T1. D1 şi respectiv T2. După intervalul de conducţie γ 2 . C şi E. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor 89 .Redresoare comandate de mică putere 89 Intervalele de comutaţie γ1 şi γ 2 definesc timpii necesari blocării tiristoarelor şi intrării în conducţie a diodelor.9.

b) Durata de conducţie a diodelor este mult mai mare decât durata de conducţie a tiristoarelor. diodele de acelaşi indice (nume) joacă rolul de redresor. K TR = 8. faţă de metoda comenzii pe orizontală (în cazul redresoarelor comandate) ? 2. rDZ = 8 [ Ω ] . Care este rolul şi seminificaţia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat βAA145. c) Unghuiul de conducţie θ al diodei Zenner. Valoarea minimă a unghiului de comandă (α) se adoptă în intervalul 5÷8 grade electrice. iar în intervalul unghiului de comandă cele două diode D1 şi D2 joacă rolul de protecţie (descărcare) împotriva tensiunilor de autoinducţie ce apar în momentul blocării tiristoarelor.90 Capitolul 5 Observaţii: a) Pe durata conducţiei tiristoarelor. 5. Ce avantaj oferă comanda pe verticală. R S = 50 [ Ω ] . R = 200 [ Ω ] . interval de timp necesar preluării conducţiei de la tiristoare de către diode. b) Tensiunea între punctele M şi N (U MN ) . LS. asigurând curentul neîntrerupt prin sarcina RS. d) Valoarea curentului de sarcină (I S ) .1[ V ] . U Z = 9. c) Tensiunea redresată (Ud) creşte dacă unghiul de comandă α scade. specializat pentru comanda în fază a tiristoarelor şi triacurilor? Problemă Se dă circuitul de redresareşi stabilizare din figură pentru care se cunoaşte: u1 ( t ) = 240 ⋅ sin ( ωt ) [ V ] . α c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului ) Se cere: a) Tensiunea medie redresată U 0 .4 Întrebări şi problemă 1.

Realizarea identităţii logice.CAPITOLUL 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6. Boole. În mod similar. Când butonul este acţionat. Fiecărei propoziţii i se poate asocia o variabilă. având o semnificaţie asemănătoare. propoziţia: “butonul X este acţionat” (figura 6. 2 Negaţia logică.1. când propoziţia este adevărată şi valoarea 0 când propoziţia este falsă. Acestei propoziţii i se poate asocia variabila binară x. Definirea funcţiilor logice elementare. propoziţia a doua este adevărată când prima propoziţie este adevărată şi invers. Deci se obţine identitatea logică: y≡x (6. Figura 6.1 Funcţii logice elementare Algebra logicii. Figura 6.1-a. propoziţiei “releul Y este acţionat” (figura 6. 1 Identitatea logică. circuitul se . În cadrul schemei din figura 6.2. În algebra booleană se utilizează logica bivalentă. numită şi algebră booleană (după numele matematicianului irlandez G. operează cu propoziţii. luate din domeniul schemelor de comandă cu relee şi contacte. Veridicitatea unei propoziţii poate să depindă de veridicitatea altor propoziţii. numită variabilă logică sau binară. la care interesează veridicitatea acestora.3. care are valoarea 1. contactul electric este închis) şi valoarea 0 dacă propoziţia este falsă (contactul electric deschis). contactul butonului X este normal închis.1-a). care are valoarea 1 dacă propoziţia este adevărată (butonul fiind acţionat.2. Fie de exemplu. Ilustrând această idee prin exemple simple. se vor introduce – în cele ce urmează – funcţiile logice elementare.1) Identităţii logice îi corespunde tabelul de adevăr 6. conform căreia o propoziţie poate fi adevărată sau falsă.1-b) i se poate asocia variabila binară y. Referindu-ne la cele două propoziţii menţionate anterior constatăm că în schema din figura 6. 1815-1864). acesta îşi deschide contactul.

disjuncţia logică poate conţine n variabile binare.3. situaţie în care funcţia ”ŞI” este: y = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ . corespondenţa dintre variabila dependentă (y) şi cea independentă (x) este dată de tabelul de adevăr 6.6) În cazul negaţiei logice. situaţie în care funcţia ”SAU” este: y = x1 + x2 + x3 + ..1 Tabelul 6.4.3 se constată că numai atunci când x1 şi x2 au valoarea logică 1. conjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “ŞI”.5) În cazul general. sau ambele variabile au valoarea 1. din care rezultă: y = x1 + x2 (6. Realizarea negaţiei logice Figura 6. Din acest motiv. Disjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1+x2 şi are valoarea 1 dacă una dintre variabile are valoarea 1.2) Figura 6.2 a) x y ≡x x y= x 0 0 0 1 1 1 1 0 x1 x2 y=x1+x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 b) x ⋅x 4 Conjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin 1 2 şi are valoarea 1 dacă ambele variabile au valoarea 1. Ca urmare. Realizarea funcţiei logice SAU Tabelul 6. de unde rezultă: y = x1 ⋅ x 2 (6.2 al disjuncţiei logice arată că aceasta are valoarea 1 dacă x1 sau x2 au valoarea ”1” logic sau x1 şi x2 au valoarea logică 1. disjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “SAU”... Interpretarea fizică a acesteia este ilustrată prin schema dată în figura 6. Se realizează deci negaţia logică..3) Generalizând. iar releul Y nu va fi acţionat. conjuncţia logică se realizează cu n variabile binare. Din tabelul de adevăr 6.5.92 Capitolul 6 întrerupe.4. ⋅ xn (6. Tabelul de adevăr 6. notată simbolic: y= x (6.4) . + xn (6. Realizarea fizică a funcţiei “ŞI” cu două variabile este dată în schema din figura 6. conjuncţia logică are valoarea 1.1-b.

SAU. se constată că funcţia NICI reprezintă. NUMAI. În afara acestora. y = x1 ∩ x2 (6.5.5 rezultă că funcţia NUMAI se obţine prin negarea funcţiei ŞI. simbolizarea disjuncţiei logice şi respectiv a conjuncţiei logice realizate cu două variabile (ca în exemplul de faţă) se poate face astfel: y =x1 ∪ x2 . se mai utilizează şi alte funcţii logice (derivate). cum sunt: NICI. Se remarcă faptul că funcţia are valoarea 1.5. adică se mai numeşte funcţia ŞI-NU. Funcţia logică NICI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.4. acestea se pot realiza cu n variabile binare.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6. iar în terminologia engleză NAND (Not –AND): x1 ↑ x 2 = x 1 ⋅ x 2 (6. Semnificaţia şi denumirea funcţiei este legată de interpretarea propoziţiilor de forma: “Maşina electrică funcţionează în regim de motor sau în regim de generator”. SAU EXCLUSIV etc. Funcţia logică SAU-EXCLUSIV a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1⊕x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. Funcţia logică NUMAI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.7) Funcţiile logice NU.8) x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 Din acest motiv. ŞI reprezintă funcţii elementare în algebra propoziţiilor. nici x2 nu sunt egale cu 1. Tabelul 6. funcţia SAU negată: (6.6.5 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 Tabelul 6.6 x1 x2 y= x1 ⋅ x 2 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 x1 x2 x1⊕x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 Din compararea tabelelor de adevăr 6. şi 6. fapt ce exclude posibilitatea de a fi adevărate simultan cele două alternative implicate în propoziţie.10) .3 93 Figura 6.2 şi 6.3.9) Observaţie: Şi în cazul funcţiilor NOR şi NAND.6. atunci când nici x1. Comparând tabelele de adevăr 6. Uneori. x1 x2 y= x1 + x 2 Tabelul 6. funcţia SAU-EXCLUSIV este disjuncţia termenilor x1 ⋅ x 2 şi x1 ⋅ x 2 . adică: (6. iar în terminologia engleză este NOR (Not-OR).4.4. În conformitate cu tabelul de adevăr 6. funcţia NICI se mai numeşte funcţie SAU-NU. de fapt.

11) x=x+x=x↓x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 (6. SAU. se folosesc o serie de relaţii (proprietăţi) fundamentale.9) precum şi teoremele lui De Morgan rezultă: (6. NUMAI şi SAU–EXCLUSIV prin intermediul funcţiilor elementare NU. crt. Verificarea acestor proprietăţi se poate face cu uşurinţă utilizând tabelele de adevăr ale funcţiilor logice elementare. SAU. utilizând relaţiile de definiţie (6.14) (6.7.13) (6. se realizează astfel: x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 (6.8) şi (6. Relaţiile date în tabelul 6. la funcţiile NU.94 Capitolul 6 6.7 Nr. Tabelul 6.12) Transformările inverse. ŞI. date în tabelul 6. ŞI. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Proprietatea de idempotenţă Proprietatea de asociativitate Proprietatea de comutativitate Proprietatea de distributivitate Proprietatea de absorbţie Teoremele lui De Morgan Principiul contradicţiei Principiul terţului exclus Principiul dublei negaţii Denumirea relaţiei logice Proprietăţile constantelor logice 0 şi 1 x+0=x x ⋅0 = 0 x + 1 = 1 x ⋅1 = x x+x=x x⋅x=x (x1⋅x2)⋅x3 = x1⋅(x2⋅x3) (x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3) x1⋅x2 = x2⋅x1 x1+x2 = x2+x1 x1⋅(x2+x3) = (x1⋅x2)+(x1⋅x3) x1+(x2⋅x3) = (x1+x2)⋅(x1+x3) x1+x1⋅x2 = x1 x1⋅(x1+x2) = x1 x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x⋅ x =0 x+ x =1 x =x Astfel.15) . echivalente celor iniţiale. de la funcţiile NICI şi NUMAI. însă cu o structură mai simplă.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii Pentru transformarea unor expresii logice în altele.7 permit exprimarea funcţiilor NICI.

19) . Valorilor logice ”0” şi ”1” li se asociază două niveluri de tensiuni electrice: nivel coborât (L -Low) şi nivel ridicat (H .13)…(6. ŞI. Punctul static de funcţionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe dreapta de sarcină în M” (regim de saturaţie) – corespunzător unei tensiuni neglijabile în colector.High).16) (6.18) sunt sintetizate în tabelele recapitulative 6.. ceea ce echivalează cu semnalul “1” logic. . Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice În § 6. SAU formează un sistem complet de funcţii. care lucrează în regim de comutaţie. Tranzistoarele utilizate în circuitele logice funcţionează în regim de comutaţie. iar dacă este polarizată invers. Dacă dioda este polarizată în sens direct.17) x = x⋅x = x↑ x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 (6. în componenţa cărora intră diode şi tranzistoare.. . .9 x 1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x 1 ↑ x 2 x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 x1 ↓ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 + x 2 = x1 ↑ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 În algebra propoziţiilor.18) Relaţiile de transformare (6.9.1 s-a arătat modul de realizare a funcţiilor logice elementare prin intermediul contactelor. se consideră ca un izolator ideal (contact deschis). Regula de asociere: " 0" logic → (0. 6.18) arată că atât funcţia NICI.3 Circuite logice.+ ε1 )V → L " 1" logic → (+ E − ε 2 . ceea ce le oferă o importanţă deosebită în circuitele logice de comandă. . ea va fi asimilată cu un element conductor ideal (contact închis). Funcţiile logice se pot realiza şi cu ajutorul unor circuite electronice. cât şi funcţia NUMAI pot juca rolul unui sistem complet de funcţii elementare. Tabelul 6.8 şi 6. De asemenea. funcţiile logice elementare NU. punctul static poate fi în poziţia M’ (regim de blocare). ceea ce echivalează cu semnalul “0” logic. În mod similar se consideră şi tranzistoarele unipolare. căderea de tensiune pe tranzistor este mai mare decât la tranzistorul bipolar.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 95 (6. întrucât prin intermediul lor se poate exprima orice altă funcţie logică..8 Tabelul 6. Diodele semiconductoare se consideră ideale (cu rezistenţă internă nulă).13) … (6. numite circuite logice. E ) → H (6. Relaţiile (6. cu deosebirea că în starea “0” logic (tranzistor saturat). când tensiunea în colectorul tranzistorului este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare..

respectiv D1 şi D2. lucrând în logica pozitivă. dioda D1 conduce. corespunde logicii pozitive şi se aplică. D2 este blocată şi tensiunea de ieşire este egală cu cea de la prima intrare. deci la ieşire se obţine uy.9. Atunci când x1 = 1 şi x2 = 1.6. circuitele logice conţineau componente discrete. respectiv D2 conduc. Circuit logic NU Figura 6. deci y = 0. conducând D2. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe dioda D2. x2 = 0. respectiv 6. În alte situaţii. bornele de intrare având potenţialul +E ( E ≥ E1 ). . iar D1 este blocată. .8. Schema unui circuit ŞI cu două intrări. atunci când x1 = 0. " l" logic → (− E + ε 2 . x2 = 1 sau x1 = 1 şi x2 = 1. E şi tranzistorul lucrează în saturaţie. respectiv circuitul ŞI-NU (NAND) realizate cu ajutorul componentelor discrete (diode. Schemele acestor circuite. se adoptă logica negativă. precum şi simbolizarea lor. toate punctele circuitului se vor afla la potenţial nul.10. Dacă x = 1. la ieşire se obţine o tensiune uy = 0 V. tranzistorul este blocat. deci y = 0. rezistoare şi tranzistoare) se obţin prin conectarea în serie a circuitului SAU.96 Capitolul 6 în care ε1 şi ε2 sunt toleranţe admise. ca de exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp. realizat cu diode. Funcţionarea acestui circuit este următoarea: dacă x1 = 0.−ε1 ) V → L (6. . funcţionarea este similară. baza este negativată (prin sursa –Eb).8. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe diodele care conduc. dacă x1 = 1.. În figura 6. astfel încât y = 1.− E ) → H Figura 6. iar la ieşire rezultă semnal logic y = 1. respectiv ŞI.20) Sub aspect tehnologic. intrările sunt conectate la potenţialul bornei comune şi diodele D1. conduce dioda D2. x2 = 0. În primele variante constructive. Circuit SAU Figura 6. . circuitele logice se pot realiza utilizând componente discrete sau sub formă de circuite integrate. la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn.6 este dată schema unui circuit logic NU (logică pozitivă).. E.. tensiunea de intrare ux este egală cu 0 V. Circuit ŞI Circuitele SAU-NU (NOR). deci y = 1. tensiunea de intrare este ux. căreia îi corespunde regula de asociere: " 0" logic → (0. x2 = 1. Dacă x = 0. sunt date în figurile 6. În mod similar rezultă y = 0 când x1 = 0. adică tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V. deci y = 0. Dacă x1 = 1 şi x2 = 0. În figura 6.7 este dată schema unui circuit SAU cu diode. în logică pozitivă este dată în figura 6. cu circuitul NU. . adică ≅ 0V. ambele diode sunt blocate (având semnal pozitiv la catozi). de exemplu. deci rezultă y ≅ 0.7.. adică y = 1. Dacă x1 = 0 şi x2 = 0.

Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrările prin rezistenţe. în ordinea în care s-au succedat. adică are o joncţiune bazăcolector şi mai multe joncţiuni bază-emitor. Circuitele RTL şi DTL având performanţe reduse. Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul ŞI-NU. realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS. DTL.11. Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similară circuitelor cu componente discrete. Circuitele TTL (Transistor. dintre care menţionăm. este de tip multiemitor. şi CLI-MOS.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 97 Figura 6. Circuit SAU-NU (NOR) gura 6. T1.10.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND . Dacă la una dintre intrări se aplică tensiunea 0V. circuitele logice integrate (CLI) se clasifică în: CLI bipolare. HLL şi I2L. joncţiunea bază-emitor respectivă conduce.Transistor-Logic) sunt în prezent cele mai utilizate CLI. a cărui schemă este dată în figura 6. în care se utilizează tranzistoare bipolare.9. adică intrarea respectivă se leagă la masă. Tranzistorul de intrare. tipurile: RTL. Astfel curentul i în colectorul lui T1 este neglijabil. După tehnologia utilizată.TTL) În prezent circuitele logice se realizează aproape în exclusivitate sub formă de circuite integrate. conectate la bazele tranzistoarelor bipolare. TTL. . La realizarea CLI bipolare s-au adoptat mai multe tipuri de structuri de bază. în prezent nu mai sunt utilizate. Circuit ŞI-NU (NAND) 6. potenţialul bazei este practic egal cu 0V iar joncţiunea bazăcolector nu conduce.

tensiunea de ieşire este practic +E. Ca urmare. în această situaţie. tensiunea de ieşire este 0V. În acelaşi timp tranzistorul T3 este blocat. iar T4 ca un contact închis.5 V pentru y=”1” logic Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V şi 5V. tranzistorul T3 se comportă ca un repetor pe emitor. Circuit ŞI-NU (NAND) TTL Tranzistorul T2 este blocat şi întrucât iE2 = 0. Observaţii: Când ieşirea este ”1” logic (y = 1). generând curentul de sarcină.98 Capitolul 6 Figura 6. Figura 6.11. joncţiunile bazăemitor ale tranzistorului T1 nu conduc. se asigură o cădere de tensiune pe rezistenţa RE. 1 2 Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este prezentată în figura 6. deci şi acest tranzistor este blocat.12. cât şi în situaţiile când mai multe intrări au tensiunea de 0V.4 V pentru y=”0” logic VH 3. . deci y = 0. iar curentul prin sarcina conectată la ieşire este asigurat de tranzistorul T3 care este în saturaţie. Dioda D este conectată între tranzistorele T3 şi T4 din motive tehnologice. adică potenţialul bornei de ieşire este practic egal cu +E. potenţialul bazei tranzistorului T4 este practic egal cu 0V. potenţialul colectorului acestui tranzistor (T4). stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea în saturaţie a tranzistorului T2. Întrucât T3 se comportă ca un contact deschis. deoarece tensiunea bază-emitor aplicată acestuia este neglijabilă. Curentul iE2 fiind mare. însă va conduce joncţiunea bază-colector. care determină saturarea tranzistorului T4. Dacă la toate intrările se aplică tensiunea +E. Practic. Deci. întrucât T3 este în conducţie (saturat). valorile tensiunilor pentru ”0” logic şi ”1” sunt: VH 0.12.

VH = VCC − VCE (T3 − sat.tensiunea colector-emitor când T4 este saturat. T’2 formează două etaje de intrare conectate în paralel pe rezistoarele R2 şi R3. Deci la ieşirea F se obţine V0=”0” logic. deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat.1.13.21) VD – este căderea de tensiune pe dioda D. Perechile de tranzistoare T1.) . la ieşire se obţine V0=”1” logic (+E volţi). Poarta logică integrată NOR (SAU-NU) În cele ce urmează se prezintă poarta integrată NOR (SAU-NU) realizată cu numai 2 (două) intrări.) − VD (6. Poarta TTL (NOR) Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizează funcţia logică F ="1" = V0 = A + B = A ⋅ B . b) Dacă T2 şi T’2 sunt blocate. În starea ”1” logic tensiunea VH la ieşirea porţii TTL este: VCE (T4 − sat. . adică VIA sau VIB au valoarea „1” logic (+E volţi).) − VD R C3 (6. Figura 6. când acesta ar trebui să fie deja blocat. T2 şi T’1. atunci când T1 şi T’1 sunt saturate.13.tensiunea colector-emitor când T3 este saturat.4. Expresia curentului maxim de impuls în colector (ICC-max) la ieşirea porţii TTL este: I CC − max = unde: VCC − VCE (T3 − sat. Funcţionarea este următoarea: a) Dacă T2 sau T’2 este saturat. iar T4 este blocat.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 99 Observaţie: În timpul funcţionării (la trecerea din starea ”0” logic în starea ”1” logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor T3 şi T4. Observaţie: T2 sau T’2 sunt saturate dacă T1 sau T’1 sunt blocate. ce are schema electrică prezentată în figura 6. VCE (T3 − sat.) .22) 6. Astfel T3 îl ”surprinde” pe T4 în conducţie. într-un interval de timp foarte scurt (de ordinul microsecundelor). atunci tranzistorul T3 va fi saturat. Cauza conducţiei simultane este aceea că T3 comută mai rapid în conducţie decât comută T4 în starea de blocare.) − VCE (T4 − sat.

14-b. . . contacte ale unor relee din alte scheme de comandă etc.. yr – mărimi de ieşire. Um. fr(.1 Noţiuni generale Fie un circuit de comandă (figura 6. în orice moment.elemente de ieşire: Y1. Figura 6. u 2 .ansamblul elementelor de comandă (contacte sau circuite logice). iar y1. ….. um se numesc mărimi de intrare. schema de comandă se poate reprezenta ca în figura 6.100 Capitolul 6 când ambele intrări sunt legate la masă. u 2 . ale căror structuri sunt cunoscute.elemente de intrare: U1. b) Simbolizarea circuitului combinaţional Asociind elementelor de intrare-ieşire variabile binare. . Yr.5 Circuite logice combinaţionale 6... u 2 . iar mărimile de ieşire sunt variabile binare dependente. este determinat în mod univoc de o combinaţie dată a mărimilor de intrare. y2. 6.). …. lămpi de semnalizare etc. f2(. Circuitele logice combinaţionale sunt descrise prin ecuaţii ieşire-intrare de forma: y1 = f1 (u1.5.. În privinţa circuitelor logice combinaţionale se pot formula două categorii de probleme: . u2. adică funcţii în care variabilele logice sunt legate prin operaţiile din algebra logicii.23) în care f1(.... a) Circuit combinaţional. U2. notate cu litere mici. Cu alte cuvinte. unei situaţii date a elementelor de intrare (acţionate sau neacţionate). Circuitele logice combinaţionale sunt acele circuite de comandă la care setul mărimilor de ieşire. Mărimile de intrare sunt variabile binare independente... .) sunt funcţii booleene. La ieşirea F se obţine ”0” logic dacă una dintre intrări (sau ambele) au nivel de tensiune ”1” logic.. . reprezentând înfăşurări de relee şi/sau contactoare. u m ) (6. u m ) M y 2 = f 2 (u1. îi corespunde în mod univoc o anumită situaţie a elementelor de ieşire. Y2. în care u1. . u m ) M y r = f r (u1. înfăşurări ale robinetelor electromagnetice.14. …. în momentul considerat. caracterizat prin următoarele elemente: . ….14-a).). reprezentând contacte de butoane şi de limitatoare de cursă.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale
analiza circuitelor logice combinaţionale; sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaţionale.

101

6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
Într-o problemă de analiză se dă structura circuitului combinaţional, starea elementelor de intrare (dacă sunt acţionate sau nu) şi se cere starea elementelor de ieşire. O problemă de analiză, de tipul celei formulate, se rezolvă în trei etape: • pornind de la schema circuitului combinaţional, se asociază variabile binare elementelor fizice de intrare-ieşire şi se scrie funcţia logică corespunzătoare schemei date; • se înlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, după starea elementelor de intrare respective; • se evaluează expresia logică, deteminând variabila dependentă (mărimea de ieşire): dacă aceasta este 1, elementul de ieşire este acţionat, iar dacă expresia logică are valoarea 0, elementul de ieşire este neacţionat.

Figura 6.15. Schema de comandă cu releu şi contacte

Figura 6.16. Schema de comandă echivalentă schemei din figura 6.22

Vom ilustra procedura descrisă prin intermediul schemei de comandă cu relee şi contacte dată în figura 6.15. Aici, U1, U2 şi U3 sunt contacte normal deschise şi normal închise ale unor elemente de comandă, limitatoare de cursă etc. Aşa cum s-a arătat în § 6.1, contactelor normal deschise li se asociază variabile binare, notate cu litere mici fără bară de negare, iar contactelor normal închise li se asociază variabile binare negate (cu bară de negare). Acţionarea unui contact normal închis reprezintă deschiderea sa. Asociind o variabilă binară, y, elementului de ieşire, Y, schema de comandă poate fi reprezentată ca în figura 6.16. Cunoscând realizarea funcţiilor logice elementare utilizând contacte, variabila de ieşire y (figura 6.16) se poate exprima cu uşurinţă prin intermediul variabilelor de intrare u1, u2 şi u3:

y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u 1 3

(6.24)

Presupunem că, în cadrul problemei de analiză, se cere starea elementului de ieşire atunci când U1 şi U2 sunt acţionate iar U3 este neacţionat. Punând în expresia (6.24) u1 = u2 = 1 şi u3 = 0, se obţine:

y = (1 ⋅ 1 ⋅ 0 + 1 ⋅ 1 ⋅ 0) ⋅ 1 + (1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1) ⋅ 0 = 1
deci elementul de ieşire este acţionat. Formularea problemelor de analiză a schemelor combinaţionale poate fi completată în sensul determinării unei scheme de comandă mai simplă, însă echivalentă cu cea iniţială, sau al stabilirii unei scheme de comandă cu aceleaşi funcţiuni, însă realizată prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvările

102

Capitolul 6

acestor completări din formularea problemelor de analiză constituie, în acelaşi timp, soluţii ale unor etape din procedura de sinteză (proiectare) a schemelor combinaţionale. Fie schema de comandă din figura 6.15. Se cere o schemă echivalentă cu aceasta, însă mai simplă, adică realizată cu un număr mai mic de elemente. Pentru simplificarea schemei de comandă se procedează la minimizarea funcţiei booleene (6.24), adică la aducerea acesteia la o formă cât mai simplă. Utilizând relaţiile fundamentale din algebra booleană, se obţine:

(6.25) Ţinând seama de proprietăţile de idempotenţă, terţ exclus şi contradicţie, din ultima expresie se obţine: (6.26) y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 Mărimea de ieşire (y) s-a exprimat printr-o disjuncţie a unor conjuncţii logice. Funcţia booleană corespunzătoare se exprimă în forma canonică disjunctivă. Constituenţii disjuncţiei se numesc mintermeni. Pentru obţinerea formei canonice disjunctive minimale se pot utiliza mai multe metode: a) metoda alipirilor (metoda grupărilor); b) metoda diagramelor Karnaugh; c) algoritmul Quine-McCluskey. Dacă numărul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomandă metodele b sau c. Pentru exemplul anterior, având în vedere numărul redus de mintermeni, vom utiliza metoda grupărilor. Termenii vor fi grupaţi câte doi, astfel încât fiecare pereche să aibă numai un singur termen diferit în conjuncţiile respective. Astfel, primii doi mintermeni se pot grupa având u 2 u 3 ca parte comună în conjuncţii. La fel, primul şi al treilea, se pot grupa având u 1 u 3 ca parte comună. Pentru a nu rămâne un mintermen necuplat, în expresia (6.25) se adaugă în disjuncţie mintermenul existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilalţi doi):

y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3
Această expresie este

(6.27)

identică cu cea precedentă, deoarece u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietăţii de idempotenţă. Grupând primii doi mintermeni, precum şi următorii doi, din relaţia 6.27, prin utilizarea proprietăţii de distributivitate se obţine: y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28) şi, deoarece u1 + u1 = 1 şi u 2 + u 2 = 1, în conformitate cu principiul terţului exclus rezultă forma minimală a funcţiei logice: y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29) Se constată cu uşurinţă că funcţia booleană în forma canonică minimaldisjunctivă nu se poate simplifica mai mult. Forma minimală a funcţiei booleene se prezintă ca o disjuncţie a unor termeni numiţi implicanţi primi ai funcţiei. Deci, în esenţă, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funcţiei logice iniţiale se reduce la deducerea implicanţilor primi ai acesteia. Corespunzător ecuaţiei (6.29) se poate desena schema de comandă minimală din figura 6.17, echivalentă cu schema iniţială din figura 6.15.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale

103

Realizarea cu circuite logice NU, ŞI, SAU a circuitului de comandă corespunzător funcţiei logice (6.29), se face prin schema dată în figura 6.18. Dacă se pune problema deducerii unei scheme de comandă realizată cu elemente NAND, se transformă funcţia (6.29) după cum urmează:

y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) ↑ (u1 u 3 ) = (u 2 ↑ u 3 ) ↑ (u 1 ↑ u 3 )

(6.30)

Utilizând module NAND cu două intrări, rezultă schema circuitului de comandă din figura 6.19.

Figura 6.17. Schema de comandă minimală echivalentă schemei din figura 6.15

Figura 6.18. Schema echivalentă a realizată funcţiei logice (6.28)

Figura 6.19. Schema echivalentă a funcţiei logice (6.28) cu module NAND

6.6 Circuite logice secvenţiale
Aşa cum s-a arătat în § 6.5.1 mărimile de ieşire ale unui circuit combinaţional sunt determinate univoc, în orice moment, de mărimile de intrare din momentul respectiv. În cazul circuitelor logice secvenţiale, mărimile de ieşire la momentul k, k k k notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mărimile de intrare k k k u1 , u 2 ,..., u m , ci şi de starea internă a circuitului din momentul anterior, k −1 k −1 k −1 (figura 6.20). caracterizată prin mărimile de stare x1 , x 2 , ... , x n Variabilele de stare descriu evoluţia (istoria) circuitului, în sensul că la momentul k ele depind atât de valorile anterioare, din momentul k–1, cât şi de mărimile de intrare ale circuitului. Din cele menţionate rezultă că un circuit logic secvenţial este caracterizat de două seturi de ecuaţii: ecuaţiile de stare şi ecuaţiile de ieşire. Ecuaţiile de stare leagă mărimile de stare din momentul k, de mărimile de stare din momentul anterior, k–1, şi de mărimile de intrare. Ele pot avea două forme:

.. având diagrama de tranziţie a stărilor din figura 6. x2 k −1 . u 2 . care ilustrează grafic modul cum se realizează trecerea dintr-o stare în alta. n. variabile binare... u m ) (6. circuitul secvenţial se poate afla în 2 stări (n este numărul variabilelor de intrare).. r. u2 şi o ieşire y = x. ele se mai numesc automate finite.. sub acţiunea mărimilor de intrare.33) y j = g j ( x1 .104 Capitolul 6 k k −1 k −1 k −1 k k x i = f i ( x1 . la fel ca şi cele de intrare-ieşire.. . Se constată că s-a eliminat combinaţia (1. x 2 ..32) g(·) sunt funcţii logice cunoscute. . la care corespunde tabelul 6.20.. mărimile de stare şi mărimile de intrare ale acestuia.. u1 .31) şi (6.1 Circuite secvenţiale elementare În cele ce urmează se vor considera câteva circuite secvenţiale cu numai două stări. Din acest motiv. x. Este evident că cele două stări pot fi codificate printr-o singură variabilă de stare binară. sub acţiunea semnalelor de intrare. 2. .1) a variabilelor de intrare. u1 . Variabilele de stare sunt. x n . x n k −1 . x n . n Deci.31) k −1 sau k unde i =1... Ecuaţiile (6. realizate într-o formă specifică. . . . variabilele din circuit (6.. . Ecuaţiile de ieşire exprimă legătura dintre mărimile de ieşire ale circuitului secvenţial. . obţinându-se – în esenţă – clasa circuitelor basculante (triggere). . Tranziţia stărilor se face sub acţiunea unor semnale de intrare. 6. .. având particularitatea că au un număr finit de stări. În cazul general. . ecuaţiile de ieşire ale unui circuit secvenţial sunt de forma: k k k k k k k (6.10 de tranziţie a stărilor. respectiv în momentul k – 1.. Din acest motiv ele se mai numesc ecuaţii de tranziţie a stărilor... 2. notate convenţional prin 0 şi 1. Circuitele logice secvenţiale se încadrează în categoria generală de sisteme dinamice.32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare în alta.. . Circuit logic secvenţial. iar j = 1. Ecuaţia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziţie a stărilor.21. Fie un circuit elementar cu două intrări u1. u m ) unde x i = f i ( x1 k −1 . x 2 . u m ) Figura 6.6. . . după cum mărimile de intrare se consideră în momentul k. u1 k −1 . .

Pentru aceasta se aplică proprietatea dublei negaţii şi una din teoremele lui De Morgan. ⎝ ⎠ Această realaţie satisface expresia unei funcţii logice NAND (SI .35) se transformă într-o expresie de forma ( ) x k = m ⋅ n .22-a.37) ⎟ .21. cerută de proprietatea dublei negaţii. şi se obţine: ⎞ ⎞ k ⎛ k k ⎛ k x k = u2 (6. iar variabila u2k borna R (reset = ştergere) se obţine bistabilul S–R cu elemente NAND reprezent ca în figura 6.35) x k = x2 u1 + x k −1 . considerând variabila u1k borna S (set = inscriere). pe baza notaţiilor anterioare s-a obţinut expresia x k = m ⋅ n care arată că funcţia dorită x k = m ⋅ n . Dacă se impune realizarea circuitului de comandă cu elemente (module) NAND funcţia logică minimizată (6. Ultima relaţie (6. dar pentru a nu schimba valoarea funcţiei x k . este necesar să se aplice operaţia de dublă negaţie peste funcţia (6. Schema circuitului ce corespunde ecuaţiei (6. Diagrama de tranziţie a unui circuit secvenţial elementar Ecuaţia de stare a circuitului este: k k k k −1 k k k −1 k k k −1 x = ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + (u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) (6.34) Se minimizează funcţia logică utilizând metoda grupărilor (1-3) şi (2-3): k k −1 ⎞ ⎛ k k⎞ ⎛ k k ⎞ ⎛ k −1 ⎛ k k −1 ⎞ + ⎛ u k ⋅ u k ⎞ + x k −1 ⎞ xk = ⎛ ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⋅ ⎜ u1 + u1 ⎟ + ⎜ u 2 ⋅ u1 ⎟ ⋅ ⎜ x ⎟ = ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⎜ 2 1⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ sau k k (6.36).35) reprezintă funcţia logică minimizată. Prin redesenarea ei.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6.36) şi rezultă: k ⎛ k ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎞ x k = u2 (6.37) este dată în figura 6.36) ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ ⋅ ⎜ u1 + x k −1 ⎟ = u 2 ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎛ k k −1 ⎞ k şi m = ⎜ u1 Notând (convenţional) n = u 2 ⋅x ⎟ se observă că pentru a ⎝ ⎠ obţine expresia unei funcţii de forma x k = m ⋅ n este necesară operaţia de negare peste întreaga funcţie (6. . va mai suporta o operaţie suplimentară de negare.10 105 Figura 6. funcţiei din paranteză.NU) deoarece.22-b.

Starea curentă a k k motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 şi u 2 ) date prin butoanele de pornire şi oprire. Cu alte cuvinte.21.25-a reprezintă o celulă de memorie.23. a cărui funcţionare corespunde tabelului de tranziţie 6.24.25-b. se obţine bistabilul din figura 6. întrucât prin butonul BP se înscrie comanda de pornire. la care diagrama de stare este dată în figura 6.1) (combinaţia (0.23 Un exemplu de circuit secvenţial asincron cu două intrări.22. este echivalentă tabelului de tranziţie a stărilor 6. îl reprezintă schema electrică de comandă (pornire-oprire) a unui motor asincron trifazat.1) este eliminată. circuitul rămânând în starea în care se afla.25-a. Figura 6. funcţionează conform diagramei de lucru din figura 6.24. adică numai atunci când contactele sale normal-deschise (y) se vor k închide.106 Capitolul 6 (a) (b) (c) Figura 6. întrucât acţionarea simultană a butoanelor BP şi BO este fără sens (motorul nu ar porni). din tabelul de tranziţie anterior 6.25-b) sunt identice cu stările x = 1. Diagrama de funcţionare a acestei scheme de comandă. bascularea dintr-o stare în alta se face prin aplicarea semnalului logic 0 la una din intrări. Circuitul secvenţial prezentat are o funcţionare asincronă. b.23.0) este interzisă). ci şi de starea anterioară (pornit-oprit) a motorului k-1 k notată prin y . iar motorul rămâne .25-b. Bistabil SR comandat prin semnal logic zero Figura 6. Bistabil SR cu elemente ŞI–NU: a şi b – structura. Diagrama de tranziţie a bistabilului din figura 6. ilustrată în figura 6. c – simbolizarea. Se observă că motorul este alimentat de la reţeaua trifazată numai dacă contactorul Y este anclanşat.10.22. deci când y = 1 k (prezentate în tabelul de trantziţie 6. atunci când combinaţia de intrare este (1. Cele trei situaţii în care motorul este pornit.10. În acest caz starea curentă (y ) are valoarea ”1” logic. b) Schema de comandă din figura 6. Observaţii: a) Comanda (1. prezentată în figura 6. Dacă se elimină circuitele NU de la intrările S şi R ale elementelor NAND din figura 6.10 şi respectiv diagramei de tranziţie a stărilor din figura 6. dacă implicit se consideră echivalente notaţiile: xk-1 ≡ yk-1 şi xk ≡ yk Schema electrică simplificată pentru comanda pornirii şi opririi unui motor asincron trifazat.

S = 1.1) la intrare (combinaţia (0. unde T este intrarea de tact. 6. Când nu se aplică semnalul de tact. În mod similar. În figura 6.26.27. de exemplu starea 0. prezentat în figura 6. R = 0 nu influenţează starea bistabilului decât atunci când se aplică semnalul de tact. Semnalele de comandă se aplică prin bornele S (set) şi R . b. Circuitul secvenţial de tip Master-Slave O categorie importantă de bistabile o formează cele cu structură stăpân-sclav (master–slave). astfel încât se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic în starea 1 logic). Circuitul secvenţial din figura 6.a. Schema bistabilului S-T-R: a .0) – la schema din figura 6.structura. Figura 6. Aplicarea semnalelor S = 1.23.26 se numeşte bistabil S–T–R.2. Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND.26.23). bistabilul rămâne în starea în care se afla. a cărui basculare este comandată prin semnal “0” logic. Figura 6.28 se prezintă schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de tip SRT.6. în sensul că îl subordonează pe al doilea (slave . rezultă V1 = 1 şi V2 = 1.stăpân). Ele sunt formate din două circuite basculante conectate în cascadă: primul are funcţia de comandă (master . adică T = 0. În acest caz (T= 1. R = 0) rezultă V1 = 0 şi V2 = 1.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 107 pornit (comanda este memorată) până când se acţionează butonul BO (pentru ştergerea memoriei).23. pentru S = 0 şi R = 1.sclav). Circuitul încadrat este un bistabil de tipul celui din figura 6.simbolizarea Figura 6. revenirea în starea 0 se produce numai la aplicarea impulsului de tact (T= 1). Diagramă de tranziţie a stărilor În circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaţiei (1.25 Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) într-un automat sincron se utilizează schema din figura 6.

deci M este izolat faţă de intrare. iar bistabilul S (Slave) este izolat faţă de Master. iar porţile P3. 2. Deci bistabilul M (Master) este izolat faţă de intrare. iar S este izolat faţă de M. 3. pe frontul posterior al impulsului de tact. de tip NAND. P2 se închid.28 Figura 6. izolând M faţă de S. P2 sunt încă închise.29 Funcţionare: 1. prin semnalul de tact T. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK ) sugerând că informaţia apare la ieşirea bistabilului.29. Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND. în antifază faţă de porţile de transfer (P3 şi P4) datorită circuitului inversor (CI) care este un circuit de tip NU.108 Capitolul 6 (reset) unor porţi logice de intrare P1 şi P2. Pe porţiunea 1-2. Pe porţiunea 2-3. iar P3. P4 sunt închise. Funcţionarea bistabilului Master-Slave pe o perioadă a impulsului de tact real (trapezoidal) se explică utilizând diagramele de semnale din figura 6. Figura 6. P4 se blochează. porţile P1. P2 sunt deschise permiţând transferul informaţiei în M. Porţile de intrare (P1 şi P2) sunt comandate (activate). P4 nu s-au deschis încă. Între bistabilul M şi bistabilul S se află porţile de transfer P3 şi P4 de tip NAND. iar porţile de transfer P3. porţile P1. . La ieşirile porţilor P1 şi P2 se obţin semnalele logice (potenţialele) V1 şi V2 care reprezintă informaţia aplicată la intrarea bistabilului M. Semnalele logice V3 şi V4 de la ieşirea porţilor de transfer reprezintă informaţia de intrare în bistabilul S. Pe porţiunea 3-4. porţile P1.

cu module SAU . NU . este necesar ca aceasta să nu-şi modifice valoarea în intervalele de tranziţie (1-2) şi (3-4) ale impulsului de tact. Observaţii: ƒ CBB – Master-Slave elimină posibilitatea tranziţiilor asincrone (necontrolate) la ieşire. U2 .C. U 3 - - Să se deducă schema de comandă în următoarele variante constructive: cu contacte. 2) B. ƒ Pentru ca informaţia să se înscrie fără erori. B – acţionate. deoarece în acest circuit s-a eliminat transparenţa intrărilor de date.NU . Care este expresia (şi cauza apariţiei) curentului de impuls (IC MAX) în cazul porţii logice NAND (TTL) ? 3.NU . Cum se realizează practic condiţia de semnal logic “0” (zero) în cazul circuitului “SI” ? 2. NU. – (circuit logic secvenţial) ? Probleme: 1.S. U2 Ul .NU). C acţionate. P4 sunt deschise. Schema de comandă pentru acţionarea unui utliaj are trei elemente de comandă U1. Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare în cazurile: a) circuite logice ? b) circuite de amplificare ? 4. cu circuite (module) SI. A. U3 Ul U1 . cu module SI . 2. Care este diferenţa (funcţională) între un C. care să acţioneze elementul de execuţie Y numai în următoarele situaţii: 1) B acţionat . Pe porţiunea 4-5. Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comandă (de intrare) U1. realizată cu circuite NAND (ŞI . care trebuie să fie acţionat numai in următoarele situaţii: sunt acţionate Ul . U3 şi un element de execuţie Y. Se dau funcţiile logice: Să se arate că: y1 = y2. porţile P1.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 109 4.7. C – neacţionate. P2 sunt închise şi nu permit intrarea informaţiei în M. Întrebări şi probleme 1. U2. şi un circuit C. C – neacţionat.L. U 2 . U2. 3) A.L. iar porţile P3. U 3 nu sunt acţionate U3 U 1 . Se cere schema logică de comandă. NU. Y. 3. A – neacţionat. SAU. 6. U3 U2 U2 . deci informaţia trece din M în S şi apare la ieşirea Q. U3 şi a unui element de execuţie.

tranziţia lui R în ”0” logic Q în 01. (a) Figura 7. ilustrat în figura 7. Deci ieşirile Q şi Q sunt complementare. iar activarea lui R prin ”0” logic produce resetarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”0” logic. Schema din figura 7. Schema logică a circuitului latch (b) Cele două scheme din figura 7. În figura 7. dar în practică se foloseşte reprezentarea din figura 7.1 sunt identice.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH Conectând două porţi logice NAND conform schemei din figura 7.CAPITOLUL 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 7.3-a. Circuitul latch memorează tranziţia lui poziţionarea ieşirilor S în ”0” logic prin QQ în 10.1. determină poziţionarea ieşirilor Q . activarea lui S prin ”0” logic produce setarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”1” logic). Una dintre aplicaţiile circuitului latch serveşte la eliminarea oscilaţiilor de tensiune ce apar la închiderea contactelor electrice acţionate manual prin butoane. încuietoare). Dacă se utilizează un circuit latch.1-b. ca în figura 7.2-a se observă că la închiderea contactului K tensiunea pe rezistenţa de sarcină (URs ) se stabilizează la valoarea E după un regim tranzitoriu oscilant.2-b.1 se obţine un circuit bistabil care memorează evenimentul marcat prin tranziţia temporară a unei intrări în ”0” logic. Acest circuit se mai numeşte latch (în limba engleză având semnificaţia de zăvor.1-a evidenţiază faptul că circuitul latch are o singură reacţie. În mod asemănător.1 Circuite LATCH 7.1.

3 Astfel. semnalul de comandă la ieşirea Q va avea o valoare constantă şi fără oscilaţii care ar putea deranja funcţionarea altor circuite ce utilizează acest semnal (numărătoare. Dacă aplicaţia ”C” este injectivă.2 Figura 7. adică reconstituirea mesajului iniţial. circuite te tip Master-Slave etc).4: Figura 7. Codificator cu patru ieşiri .4. • Codificatoarele sunt C.2 Codificatoare şi decodificatoare Se numeşte COD o regulă ce descrie o aplicaţie ”C” a unei mulţimi de semne în altă mulţime de semne. Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieşiri este ilustrat în figura 7. la care activarea unei intrări determină apariţia unui cuvânt de cod pe ieşire.3-b.C. Figura 7. 7.L. Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 111 atunci tensiunea la ieşirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentată în figura 7. se poate realiza decodificarea.

Figura 7.C. Decodificarea este necesară în următoarele operaţii: − adresarea memoriilor − afişarea numerică − multiplexarea datelor etc. decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrări şi 2n ieşiri distincte. Decodificator de adresă cu patru ieşiri .1) Pe baza relaţiilor (7. atunci pe ieşirile paralele apare cuvântul de cod: 1101.5-b) serveşte scrierii funcţiilor logice corespunzătoare. Y0 = A 0 ⋅ A1 ⎫ ⎪ Y1 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ ⎬ Y2 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ Y3 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎭ (7. b) tabelul de adevăr.5-a. al cărui tabel de funcţionare (figura 7.6.6). care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de cuvântul de cod aplicat la intrare. b) Dacă se activează intrarea IJ (cu nivelul ”H”) pe ieşirile paralele se obţine cuvântul de cod: 1110. Exemplu: Se consideră decodificatorul cu două intrări (n = 2) şi 2n ieşiri (4 ieşiri) distincte.L. Decodificator cu două intrări: a)schema bloc.1) se elaborează schema logică a decodificatorului de adresă cu 4 ieşiri (figura 7. prezentat în figura 7.112 Capitolul 7 • În funcţionarea codificatorului menţionat se disting două situaţii: a) Dacă se activează intrarea IK (la nivel logic ”H”). Decodificatoare sunt C. Figura 7. În cazul general.5.

X = valoare logică oarecare Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comună pe una din ieşirile selectate. funcţionarea multiplexorului. E H L L L L L L L L A1 X L L L L H H H H A0 X L L H H L L H H I0 X H L X X X X X X I1 X X X H L X X X X I2 X X X X X H L X X I3 X X X X X X X H L Y L H L H L H L H L Stare circuit → circuit blocat → I0 selectat → I1 selectat → I2 selectat → I3 selectat Figura 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 113 7.7-a funcţionează conform tabelului logic 7. Schema bloc a unui multiplexor cu patru intrări şi o ieşire este prezentată în figura 7. Observaţie: Porţile de intrare sunt prevăzute cu o intrare suplimentară comună ( E ) = Enable care autorizează. Figura 7. Multiplexor cu patru intrări şi o ieşire: a) schema bloc. Pentru adresarea celor patru intrări sunt necesari 2 biţi. Multiplexorul prezentat în figura 7.8.7-a.7-a.8. Selecţia intrării se face printr-un cod binar (adresă) aplicat pe intrările de selecţie A0 şi A1. sau nu.7-b. b) schema logică. schema logică fiind prezentată în figura 7. Selectarea ieşirii se face printr-un cuvânt de cod – numit adresă. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7. .3 Circuite de multiplexare (MUX) şi demultiplexare (DEMUX) Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaţionale (CLC) care permit trecerea datelor de la una dintre intrări spre o ieşire unică.7.

9-b. este ilustrată în diagrama din figura 7.9-b) este dată în figura 7. permite comutarea fluxului de date de pe intrarea comună (I).10-a. Demultiplexor cu două ieşiri: a) schema bloc. Numărător binar cu patru biţi: a) schema de principiu. la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie numărate. conform tabelului de funcţionare 7.10. figura 7. c) schema a unui demultiplexor cu patru ieşiri.10-b.9. Figura 7.9-a. 7. fie pe ieşirea Y0 (dacă A = 0) fie pe ieşirea Y1 (dacă A = 1).9-c. b) tabelul de adevăr. Schema logică a demultiplexorului cu două ieşiri (realizată conform tabelului 7. . iar funcţionarea acestuia. b) diagrama impulsurilor. Figura 7.4 Numărătoare electronice Schema unui numărător binar cu 4 biţi este dată în figura 7.114 Capitolul 7 Demultiplexorul cu două ieşiri.

.. care se găsesc în interfaţa de intrare.5 Convertoare Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezintă elementele de bază ale interfeţelor de proces în sistemele numerice de reglare. când s-a obţinut numărarea directă în binar. în acest caz rezultă numărarea inversă a impulsurilor.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale Nr. impuls Q1 Q2 Q3 Q4 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2 0 1 0 0 3 1 1 0 0 4 0 0 1 0 5 1 0 1 0 6 0 1 1 0 7 1 1 1 0 8 0 0 0 1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ..11-a). numărul înregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura 7..11-b. Pentru conversia semnalelor analogice (achiziţionate dintr-un proces tehnologic) în semnale numerice..11. b) diagrama impulsurilor. frontul de basculare 1 → 0 al ieşirii Q produce tranziţia stării triggerului următor şi se obţine diagrama de semnal din figura 7.10 . . în baza 2 (tabelul din figura 7. ..10 – c. 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 . . Numărător binar invers cu patru biţi: a) schema de principiu...c). Dacă se utilizează ieşirile Q pentru legarea triggerelor în cascadă (figura 7. stările triggerelor indică valoarea numerică a lui N. Tabel lohgic al numărotzorului binar (drirect) cu 4 biţi Se constată că după aplicarea a N impulsuri. 7. adică la fiecare impuls aplicat la intrare.. Spre deosebire de schema anterioară. . la intrările calculatorului de proces se utilizează convertoare de tip A-N (analog-numerice).b). 115 Figura 7.11.. Figura 7.

2.116 Capitolul 7 Semnalele numerice elaborate la ieşirea calculatorului de proces pe baza unui algoritm de reglare şi/sau conducere.. 1. Generatorul de rampă conţine un condensator care se încarcă la curent constant. până când amplitudinea rampei este egală cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare).capacitatea condensatorului. C . Aceste convertoare se găsesc în interfaţa de ieşire situată între calculatorul de proces şi elementele de execuţie care sunt implementate în instalaţia tehnologică. Mărimea analogică este o mărime fizică a cărei variaţie în timp este dată de o funcţie continuă şi ale cărei valori sunt cuprinse în intervalul:I = [xmin ÷ xmax] cu x∈R. n}. Dacă numărătorul N2 a înregistrat (numărat) N impulsuri. Deci: unde: UC = I ⋅ ΔT ' = UX C (7. a cărui lăţime este direct proporţională cu amplitudinea tensiunii Ux. impulsurile de tact sunt numărate de N2. T fiind perioada impulsurilor.2) ΔT’ este timpul de conversie egal cu NT. Schema de principiu a unui CAN analogic cu rampă de tensiune.tensiunea pe condensator.. Figura 7. care basculează şi închide poarta ŞI. I este curentul de încărcare al condensatorului care generează rampa. .. UC . prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numericanalogice).12 este dată schema de principiu a unui CAN . În figura 7. Mărimea numerică (digitală) este o mărime fizică ale cărei valori aparţin mulţimii Sn = {0. fiind convertor indirect. Conţinutul informaţiei din N2 reprezintă valoarea binară a tensiunii de intrare (Ux). Când rampa începe să fie generată. . din (7. În acest moment numărătorul N2 este oprit de către comparator.3) în care: 0 • ≤ N < 2n Observaţii: Acest convertor se numeşte convertor tensiune-timp.2) se obţine: Ux = I / C ⋅NT (7.12.analogic cu rampă de tensiune. sunt convertite în semnale analogice (necesare elementelor de execuţie). Acest convertor face modulaţia în durată a impulsurilor. întrucât în procesul conversiei tensiunea de intrare Ux este transformată într-un impuls. unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub formă de impulsuri codificate.

fiind. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil (o peliculă subţire de CrNi). Vectorul de intrare în decodificator este interpretat ca o adresă. acolo unde doreşte. În funcţie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor.4) Rezultă că acest sistem de conversie este de tip serie. iar datele obţinute la ieşirea codificatorului reprezintă informaţia memorată la adresa respectivă. În această categorie intră memoriile următoare: . valorile logice complementare.6 Circuite de memorie Funcţia de memorare poate fi definită ca posibilitatea de regăsire a unor informaţii reprezentate sub formă binară. memoriile pot fi: magnetice. în cazul tehnologiei MOS. Există mai multe tipuri constructive de memorii ROM. Memoriile ROM programabile prin mască.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 117 numărul de impulsuri • Numărul N are valoarea 2 n-1 şi reprezintă corespunzătoare valorii (7. care au fost anterior stocate într-un circuit de memorare. cu memoria operativă din calculatoarele clasice. lent. În funcţie de modul în care se utilizează memoriile într-un sistem de calcul funcţiile de memorare pot fi: • Memorare cu citire şi scriere de date. în consecinţă. fiind realizată însă cu matrice de bistabile SR. În cele ce urmează se au în vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. optice sau semiconductoare. Acestea sunt folosite pentru înmagazinarea datelor şi a programelor de tip utilizator. ca structură. Un exemplu de circuit integrat specializat în conversia numericanalogică este circuitul β DAC-08.Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaţional care stochează permanent date binare. care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el. • Memorare numai pentru citirea datelor. adică îşi pierd conţinutul la întreruperea tensiunii de alimentare. În această categorie intră memoriile cu acces aleator . n Deci: ΔT’ = (2 −1)T 7. integrate în aceeaşi capsulă cu sistemele de înscriere şi citire a informaţiei. tehnologia MOS este cel mai des folosită. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls . Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI şi VLSI realizate în diverse tehnologii. care lucrează pe 8 biţi. care pot fi doar citite. Memoriile RAM sunt volatile. Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementează funcţia de memorare. Acest tip de memorie este similară. Timpul de acces în cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns în cazul tehnologiei bipolare sau. Uxmax. Această structură este de obicei definită ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator şi un codificator. sau mask ROM. sunt circuite la care harta memoriei de introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. .Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic. sute de nanosecunde. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur. Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reacţiei cu funcţionare prin SOFTWARE şi a circuitelor integrate specializate în operaţii de conversie A-N. dintre care.Random Acces Memory (RAM).

Memoriile mask ROM şi PROM se realizează atât în tehnologie bipolară cât şi în tehnologie MOS. dar de mai multe ori.118 Capitolul 7 de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. şi sarcina electrică negativă poate fi eliminată prin aplicarea unei tensiuni de polaritate inversă pe poarta tranzistorului care nu este flotantă. iar timpul de stocare a informaţiei poate fi de 100 ani. adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă. . Schema bloc (conexiunile informaţionale) pentru un circuit de memorie este prezentată în figura 7. .Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt programabile ca şi memoriile PROM. izolată de substrat prin 10 −7 m de SiO 2 . Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS). Notaţia E2PROM este uneori folosită pentru memoriile EEPROM. Progresele tehnologice au determinat modificări importante în performanţele memoriilor ROM.13: Figura 7.13 Schema bloc a unui circuit de memorie Observaţie: Transferul de date este bidirecţional (datele intră şi ies din circuit) în cazul memoriilor: RAM şi E2PROM. numai că ştergerea se poate face pe cale electrică. Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată. în timp ce memoriile EPROM şi EEPROM nu se pot realiza decât în tehnologie MOS. 2. Capacitatea memoriei exprimă numărul total de biţi ce pot fi memoraţi (capacitatea se exprimă în multipli de 1k = 1024 biţi). 100000 cicluri garantate de programare/ştergere şi timp de stocare a datelor de peste 20 ani. o memorie FLASH (un EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns. O memorie EEPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 10000 ori. EPROM. Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat. Principalele caracteristici ale unei memorii sunt: 1. În sfârşit. semnale de intrare (când datele se înscriu în memorie). b. Dacă memoriile EPROM în tehnologie NMOS au timpi de acces de aproape 500ns. dar este unidirecţional în cazul memoriilor: ROM. moment ce trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie. Izolaţia porţii este mult mai subţire decât la EPROM. PROM. . pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. cele realizate în tehnologie CMOS au timpi de acces mai mici de 100ns. semnale de ieşire (când datele se citesc din memorie). O memorie EPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 100 ori. Geometria memoriei (modul de organizare) reprezintă lungimea unui cuvânt de memorie şi numărul de cuvinte memorate. Cuvintele (numerele) binare reprezintă date pentru un circuit de memorie şi se consideră: a. iar timpul de stocare a informaţiei poate depăşi 10 ani.Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt similare memoriilor EPROM.

Timpul de acces la memorie reprezintă durata necesară citirii sau scrierii informaţiei în memorie şi se exprimă în [ms] sau [ns]. Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare MOS.14. Liniile de bit (DL şi DL ) sunt conectate la capătul coloanei . Volatilitatea se datorează modului de stocare a informaţiei sau dispariţiei tensiunii de alimentare a circuitului de memorie (cazul memoriilor dinamice).14. La memoriile dinamice. • 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comună tuturor celulelor din matricea de memorie. Celulă de memorie RAM cu tranzistor bipolar Liniile de conexiune în afara celulei sunt: • 2 (două) linii de bit (notate DL şi DL ) care servesc la scrierea şi citirea informaţiei în celulă. care reprezintă selecţia pe linii în matricea de memorie. figura 7. În cele ce urmează se prezintă succint funcţionarea celulei de memorie din figura 7.14. memorarea informaţiei se bazează pe modificarea capacităţii joncţiunii semiconductoare. prin intermediul unei rezistenţe senzor (r) care . În stare neselectată. Volatilitatea . Figura 7.la o tensiune de +0.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 119 3.5 V. Structura celulei de memorie RAM Celula de memorie este circuitul elementar care realizează memorarea unui bit. • 1 (una) linie de selecţie cuvânt (WL). Acţionarea liniei de selecţie-cuvânt face posibilă citirea sau scrierea informaţiei în oricare dintre celulele de memorie situate pe aceeaşi linie în matrice. ceea ce necesită reîmprospătarea conţinutului la intervale constante de timp. 4. conexiunea selecţie-cuvânt (WL) este menţinută la un potenţial coborât (+0.o memorie este volatilă dacă informaţia înscrisă se pierde în timp. În cazul utilizării tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie îl constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care foloseşte două tranzistoare multiemitor. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeaşi coloană într-o matrice de memorie. Puterea consumată reprezintă raportul între puterea totală consumată de circuit şi capacitatea acestuia.3 V). Puterea consumată se exprimă în [μW/bit]. 5.

deci conducţia este asigurată de acestea (legate în A şi B). . Cele două operaţii (citirea şi înscrierea informaţiilor) se desfăşoară astfel: • Pentru citirea informaţiei. Figura 7. simultan. În cazul T1 blocat şi T2 în conducţie.n este numărul de perechi (DL şi DL ). adică numărul de coloane. DLj ). În acest mod.15. tensiunea diferenţială are sens invers: semnul (+) la DL şi semnul (-) la DL. Structura unui circuit de memorie. Matricea de memorie Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de memorare în ale cărei noduri se găsesc celule de memorie. Linia (conexiunea) de alimentare este comună tuturor celulelor de memorie pe care le conţine matricea de memorare. atunci selectând linia WL (selecţie-cuvânt) pentru citire.m este numărul de linii. selecţie-cuvânt (WL). Curentul de emitor se va închide prin rezistenţele senzor conectate la liniile de bit.120 Capitolul 7 sesizează apariţia închiderii unui curent. emitoarele conectate la liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mică (+0.5 V). acţionat printr-o succesiune de comenzi aplicate din exterior. linia selecţie-cuvânt (WL) este pusă la un potenţial ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3. Capacitatea memoriei este dată de produsul (m × n). şi selecţia coloanei prin perechea ( DLj. În figura 7. Explicativă pentru celula de memorie RAM • Pentru înscrierea informaţiei în celulă. se poate "spune" care este starea bistabilelor. Exemplu: Dacă T1 conduce şi T2 este blocat. unde: . iar viteza de comutaţie este de 20ns. .Celula de memorie RAM se poate realiza cu două tranzistoare bipolare obişnuite (npn) la care se ataşează câte o diodă Shottky. se forţează linia de bit stânga (DL) la zero. .Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800µW. adică m linii şi n coloane. figura 7. se forţează pe liniile de bit (DL şi DL ) o diferenţă de potenţial corespunzătoare stării în care dorim să se găsească bistabilul. Exemplu: Pentru a se obţine T1 în conducţie şi T2 în starea blocat. iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de aproximativ +0. în stare neselectată. Observaţii: . prin care se transformă un şir de date de intrare într-un alt şir de date la ieşire.5 V (în timp ce linia selecţie-cuvânt WL este selectată). Procesorul reprezintă un automat aritmetic.16 se prezintă structura unei matrice de memorie de dimensiune m×n. acţionând WLi .15. Pentru accesul la celula de memorie (i×j) se face selecţia liniei. se va obţine la ieşire o tensiune diferenţială cu semnul (+) pe DL şi semnul (-) pe DL . se ridică potenţialul pe linia WL (la +3V) şi. În funcţie de semnul tensiunii obţinute la bornele celor două linii de bit.5 V).

16. . O operaţie elementară implică unul sau doi operanzi (interni sau externi faţă de RALU).semnal de tact (clock). F . Structura unui circuit de memorie Procesorul. denumit şi RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit). Automat aritmetic Semnificaţiile mărimilor din figura 7. C . FL . Rezultatul operaţiei se poate memora intern (în registre) sau se poate genera spre exterior pe liniile de ieşire D0 (Data output).18 sunt: Di.comandă pentru funcţiile aritmetice (+ .. RALU generează spre exterior şi un cuvânt FL ce conţine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizează rezultatul unei operaţii. *) şi logice. RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe. A .adrese pentru selectarea operanzilor interni şi a destinaţiei rezultatelor. Prelucrările se efectuează asupra unor cuvinte binare cu n biţi.17. D0 sunt terminalele pentru datele de intrare şi respectiv de ieşire. conţine o unitate aritmetică logică şi registre.comenzi. având schema bloc prezentată figura 7.17: Figura 7. Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generată din exterior de către .flag-uri (indicatori). : .Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 121 Figura 7. CK .

18. a linii de adresare şi c linii pentru comenzi.18: Figura 7. MD . Magistralele menţionate conţin: d linii pentru date. SI. terminale video.Buses (BA.19: Dispozitivele periferice sunt: 1.sincronizarea comenzilor pentru intrare şi ieşire. Observaţie: Denumirea corectă a memoriei MD este RWM Read/Write Memory. SO . BC). . pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul comandat (cazul reglării sau conducerii numerice a unui proces). cap. D0. 7. FL . Cititorul interesat de aplicaţiile circuitelor logice combinaţionale (CLC) şi/sau aplicaţiile circuitelor logice secenţiale (CLS) poate găsi suficiente exemple în [1]. informatice: console.instrucţiunea curentă. Schema bloc a unui procesor Semnificaţiile mărimilor din figura 7. BD. cititoare şi perforatoare de bandă de hârtie. realizate cu circuite specializate sau circuite standard. şi este volatilă. Schema bloc a unui procesor este dată în figura 7.122 Capitolul 7 alt automat denumit unitate de comandă (UC).fluxul datelor de la ieşire şi de la intrare. imprimante. Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt: a) Unitatea centrală de prelucrare (μP).memoria de date (memorie RAM). discuri magnetice flexibile sau rigide. 2. ce conţin convertoare de tip N/A şi A/N cât şi magistralele . Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui μP se numeşte microcalculator (μC). Configuraţia de bază a unui microcalculator (μC) este dată în figura 7.7 Microprocesorul (μP). c) Porturile de intrare/ieşire (PI. Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD). interfeţe cu sistemul comandat. b) Memoria (MEM) compusă din: MP . PE). Di . benzi magnetice etc. pentru adresare (BA) şi pentru comenzi (BC). Deci procesorul este un sistem digital format din RALU şi UC. I . 7. Microcalculatorul (μC) Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare realizată într-un singur circuit integrat (μP).caracteristicile rezultatelor.18 sunt: C este fluxul comenzilor către RALU.memoria de program (memorie ROM).

Care este schema bloc a decodificatorului de adresă cu n = 2 (intrări) şi 4 ieşiri ? 6.19. Ce rol au circuitele: MUX şi DEMUX ? 5. Când se utilizează circuitul LATCH ? 3. Care sunt componentele din structura unui microcalculator ? 8. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizează acestea ? 7. Configuraţia de bază a unui microcalculator 7. Cum se poate activa (accesa) o celulă de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice de memorare ? .Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 123 Figura 7.8 Întrebări 1. Care este deosebirea între o mărime analogică şi o mărime numerică (digitală) ? 2. Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ? 4.

Semiconductor Company – TOKYO. Bucureşti.. profiluri 2. ş. Universitatea din Galaţi. E. 10.. Catalog IPRS – Băneasa. 1979. ş. INC.A. Editura Militară.. http://www. Creangă.. Editura didactică şi pedagogică. C. 1983 9. Electronică pentru neelectrice..jp.sanyo. Şaimac. Bucureşti. Neagoe. http://www. 1976. Microprocesoare – Aplicaţii.. C. N.. 1980. Ceangă. Bucureşti. Constantin. Bucureşti.co. 1981. . 1976. PA – 19355. P.com. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate liniare...a. Malvern. Editura Militară. Miholcă.. Editura didactică şi pedagogică. Bîrcă – Gălăţeanu. Ceangă.. Tusac. 63 Lincoln Highway. Miholcă. Purice. 1981. Electronică de putere – Aplicaţii. 7. 6. 2001. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate analogice. Constantin. P. 3.. Constantin. E. D. Editura didactică şi pedagogică. 11.. E. 2002. Electronică industrială (pentru subingineri). 8. Rădoi. 1982.. A. E. Bulucea. I. 4. Ltd. Bîrcă – Gălăţeanu. Lupu. Catalog IPRS – Băneasa. V.. Bucureşti. Stoichescu. VISHAY INTERTECHNOLOGY. Mărăşescu. P. E. ∗ ∗ ∗ Catalog de componente electronice “FULL LINE PRODUCT CATALOG”. JAPAN. C.a.. ∗ ∗ ∗ Catalog de circuite integrate digitale. V. 2003. Bucureşti. Bucureşti. 12. Editura Tehnică. SANYO Electric Co. S. United States. Electronică industrială. Circuite integrate liniare. Banu.. Ţepelea. C. 1991. Electronică industrială..vishay.BIBLIOGRAFIE 1. Electronică industrială şi automatizări. Bucureşti. C. Bucureşti. Editura MATRIX-ROM. 5.. Buzuloiu. S. V.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful