CONSTANTIN MIHOLCĂ

ELECTRONICĂ
PENTRU FACULTĂŢILE CU PROFIL NEELECTRIC

GALAŢI 2007

CUPRINS
Introducere ............................................................................................
1

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă ......................... 1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci ............................................................................. 1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă ...................... 1.2 Joncţiunea p-n .................................................................................. 1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare ... 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare ................ 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice .............................. 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar ........................... 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF ............................ 1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcţionare ............................... 1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare ........................ 1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) ............................................ 1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare.. 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic ............................................................................... 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) ... 1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS având canal de tip n ......................................... 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 1.5.2 Triacul ........................................................................................ 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) ................................................ 1.6. Întrebări şi problemă................................................ 3 3 4 5 6 8 9 10 12 12 14 16 16 18 19 19 21 22 24 25 26 27 28 28 31 32 34

vi

Cuprins

CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A .................................... 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B .................................... 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington ..... 2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial .......... 2.4 Reacţia negativă la amplificatoare şi consecinţele ei ...................... 2.5 Amplificatoare operaţionale ............................................................ 2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 2.7. Întrebări ....................................................................................... 35 35 37 39 40 40 43 44 45 46 47 47 49 51 54 58

CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere ............................. 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă .... 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă ... 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere .................................... 3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 3.4. Întrebări............................................................................................ 59 61 61 61 64 66 66 68 69 72

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric ................................. 4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având element de control serie şi amplificator de eroare ................................................................ 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 73 73 74 77 78

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere ..................................................................................... 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor ............ 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte ................................... 5.4. Întrebări şi problemă ..................................................................................... 82 86 88 90

....................................2 Codificatoare şi decodificatoare ... 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6................................ 124 ........................6..................................................... 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE LOGICE 110 110 111 113 114 115 117 122 123 7.... 6. 6.. 6...... 6. Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice ................................1 Circuite LATCH ......Cuprins vii CAP....................................................................................1 Circuitul secvenţial de tip Master .................. 7.............. 6.Slave ..............5..............................................4 Numărătoare electronice ...........................................4....................................... 7................ Întrebări ............................................................ 6.......2 Relaţii fundamentale în algebra logicii ................................................. 7......................6 Circuite logice secvenţiale .........7 Microprocesorul (μP).....1 Circuite secvenţiale elementare .......................................................................... 91 94 95 97 99 100 100 101 103 104 107 109 CAP.......................6................. 6........... 6.....5... 6................ 7............ 6...............................7 Întrebări şi probleme........ 7. 6..............1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH ........................................................................... 7...............2 Analiza circuitelor logice combinaţionale ..........................4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND-TTL)................................3 Circuite de multiplexare şi demultiplexare . 7...............................1............................................................ Bibliografie ...................5 Circuite logice combinaţionale ...........1 Poarta logică integrată NOR (SAU-Nu)............................ Microcalculatorul (μC) ...6 Circuite de memorie ............................................. 7...8........5 Convertoare .......3 Circuite logice............................1 Noţiuni generale .......................................1 Funcţii logice elementare ....

iar în 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat.000. care a antrenat toate domeniile tehnologiei. oferite de tehnologia CMOS. care pot îngloba peste un milion de tranzistoare CMOS într-o capsulă. Electronica se constituie la începutul secolului XX. în 1971. Această tehnologie (BiCMOS) îmbină avantajele de viteză şi curent mare la ieşire ale tehnologiei bipolare. microprocesorul 486 conţine 1. Posibilităţile remarcabile ale electronicii şi progresele ei deosebit de rapide (mai ales în privinţa realizării tehnologice a dispozitivelor semiconductoare şi circuitelor integrate) au făcut ca. Microprocesorul a determinat o revoluţie tehnică denumită ”revoluţia microelectronicii”. încât astăzi nu există domeniu de activitate umană în care microprocesorul să nu poată fi implicat. De exemplu. circuitele integrate se realizează în tehnologie CMOS. dimensiunea unui tranzistor fiind ≤ 1μm. utilizate fiind atât tehnologia CMOS cât şi bipolară. cu avantajele consumului redus şi densitate mare de integrare. dar s-a trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaţie între tehnologia bipolară şi tehnologia CMOS. începând cu anul 1970. pe 8 biţi. După 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration).000) de tranzistoare într-o capsulă. Începând cu anul 1962 s-a trecut la producţia industrială a circuitelor integrate.2 milioane de tranzistoare. fiind denumită la începuturile ei “electrotehnica curenţilor slabi” şi având ca aplicaţie principală domeniul telecomunicaţiilor cu şi fără fir. Perfecţionarea rapidă a tehnologiilor electronice a condus la apariţia familiilor de circuite integrate logice MOS. la început în tehnologie bipolară şi apoi în tehnologie MOS (după 1965). După anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration). permiţând dezvoltarea tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI –Large Scale Integration). În prezent numărul de tranzistoare înglobate într-o capsulă depăşeşte 5 milioane. în prezent. se poate spune că electronica este ramura ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu studiul fenomenelor şi aplicaţiile acestora privind conducţia electrică în semiconductoare. cu numeroase aplicaţii în telecomunicaţii şi industrie. astfel că după şase ani (în 1958) s-a realizat primul circuit integrat. Aceste circuite au condus la realizarea primului microprocesor. electronica să fie utilizată aproape în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii. gaze şi vid.INTRODUCERE Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii. . Primele cinci decenii au reprezentat ”epoca” tuburilor electronice. În 1960 se construiesc primele dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare şi triacuri) care au condus la modernizarea şi creşterea performanţelor în sistemele de acţionări electrice reglabile. În prezent.000 şi 1. Aceste tehnologii permit înglobarea unui număr foarte mare (între 50. Ţinând seama de aspectele esenţiale ale electronicii şi fără pretenţia de a formula o definiţie atotcuprinzătoare. Începând cu anii 1949-1952 s-au realizat primele tranzistoare. Ca domeniu independent.

dispozitivul electronic reprezintă un element de circuit. detecţie etc). . Prin extensie. Dispozitivul electronic este un ansamblu format din părţi componente. care are una dintre proprietăţile fundamentale ale conducţiei prin vid. în scopul realizării unei funcţiuni (redresare. transformatoare. amplificare. Circuitul electronic este un ansamblu electric în care se folosesc unul sau mai multe dispozitive electronice la care se leagă elemente electrice de circuit. spre deosebire de elementele electrice de circuit obişnuite (rezistoare. bobine. condensatoare etc). gaze sau semiconductoare. În aplicaţii. modulaţie. alimentându-se de la surse de energie. producerea oscilaţiilor. imobile una faţă de alta. între care se produce conducţia electrică prin vid. Părţile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice) sau regiuni cu proprietăţi diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele semiconductoare). gaze sau semiconductoare. numit şi element electronic de circuit.2 Introducere Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele electronice cât şi circuitele electronice se impune definirea celor două noţiuni. se consideră dispozitive electronice şi acele dispozitive realizate dintr-un singur material omogen.

Figura 1. figura 1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi materialele izolatoare. adică sub influenţa unui câmp electric ei pot da naştere curentului electric de conducţie. Aceşti purtători se generează simultan sub formă de perechi şi au o anumită mobilitate.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex. Conducţia electrică în medii semiconductoare se realizează prin două categorii ale purtătorilor de sarcină: electronii şi golurile.CAPITOLUL 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT 1.1. Structura benzilor energetice pentru un semiconductor . • semiconductor de conductibilitate extrinsecă.1. După modul de generare a purtătorilor. semiconductoarele se pot clasifica astfel: • semiconductor de conductibilitate intrinsecă. reprezentat prin lăţimea benzii interzise (∆w).1. Generarea perechilor electron-gol se produce datorită aportului energetic extern. 1. Germaniu). Siliciu.

c) constanta de timp.1).2. detector în construcţia sesizoarelor de incendiu. Figura 1. notată cu ni . 2.aportul energetic extern (lăţimea benzii interzise). Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura - Utilizări: detector în traductoare de temperatură. b) sensibilitatea S = − 1 dR T .este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă electrică variază cu temperatura. d) domeniul de temperatură. Conductibilitatea termistorului este direct proporţională cu numărul de purtători ni daţi de relaţia (1. 1.. RTo[Ω].+300oC]. K .constantă ce depinde de natura semiconductorului. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la temperatura de referinţă. Termistorul . ce reprezintă inerţia termică a termistorului.1. T1 [s]. ceea ce conduce la o descreştere exponenţială a rezistenţei electrice.1) A . notată cu pi . unde T0=20 oC. Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci (realizate cu materiale omogene) 1. ΔT∈[-200oC. în aparatura de măsură şi automatizare. Δw .temperatura absolută ( grade Kelvin).2. Variaţia rezistenţei electrice a fotorezistorului se datorează modificării concentraţiei . ca în figura 1.4 Capitolul 1 La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia electronilor. R To dT rezistenţei RT la o variaţie dată de un grad Celsius a temperaturii. fiind exprimată prin relaţia: n i = pi = AT unde: 3/ 2 ⎛ − Δw ⎞ exp⎜ ⎟ ⎝ 2KT ⎠ (1.. T .constanta lui Boltzmann. în care performanţele termistorului sunt stabile. este egală cu concentraţia de goluri.2. Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub acţiunea unei radiaţii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infraroşu.100 → [%/oC] exprimă viteza de variaţie a .

Caracteristica spectrală a fotorezistenţei Fotorezistenţele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc. se defineşte asemănător constantei de timp a termistorului. ca urmare a aportului energetic al radiaţiei incidente. exprimă dependenţa sensibilităţii faţă de lungimea de undă. îl face utilizabil ca dispozitiv de protecţie împotriva supratensiunilor. ilustrată în figura 1.Dispozitive electronice de circuit 5 purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol). d) constanta de timp. R o dφ unde lm simbolizează lumenul (unitatea de măsură pentru intensitatea luminoasă). Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică neliniară. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate. 1.3. Sφ=f(λ). Parametrii de catalog: a) rezistenţa la întuneric.100 → [%/lm].4. Procesul prin care se introduc impurităţi riguros dozate în semiconductor se numeşte dopare. fiind ilustrată în figura 1.1.3. T1 caracterizează viteza de variaţie a rezistenţei electrice la o variaţie bruscă a fluxului luminos. . Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în care este plasat varistorul. în construcţia releelor fotoelectrice. T1[s].4.3. a cărui conductanţă creşte odată cu creşterea tensiunii aplicate la borne. Ro[Ω]. În funcţie de natura elementului de impuritate . c) caracteristica spectrală. Figura 1. b) sensibilitatea. Forma caracteristicii statice. a 3. Conductibilitatea extrinsecă se obţine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a unui semiconductor. Figura 1. În funcţie de valoarea lui λo (la care sensibilitatea este maximă) fotorezistenţele se pot construi pentru spectrele vizibil sau infraroşu. Sφ = − 1 dR .

5 se explică funcţionarea joncţiunii. Semiconductorul obţinut are purtătorii majoritari pozitivi (goluri) fiind de tip p. deoarece sarcina ionilor imobilizaţi în reţeaua cristalină compensează sarcina suplimentară a purtătorilor majoritari. Lăţimea totală a regiunii de trecere creşte odată cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii. care au suficientă energie. astfel încât distanţa dintre cele două zone să fie cel mult 10-5 mm. Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraţia purtătorilor este foarte mică). în vecinătatea de separaţie a celor două zone p şi n. Se obţine o sarcină a ionilor imobili (fixaţi în reţea) pentru purtătorii din fiecare zonă. • Doparea cu impurităţi pentavalente (Stibiu.2 Joncţiunea p-n Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând procedee speciale) o zonă p cu impurităţi acceptoare şi o zonă n cu impurităţi donoare.6 Capitolul 1 există două modalităţi de dopare care generează corespunzător. două tipuri de semiconductoare extrinseci. Se folosesc notaţiile: Naoconcentraţia iniţială de goluri. Diferenţa de concentraţii dintre cele două zone determină difuzia purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. Din cauza difuziei şi a recombinării purtătorilor majoritari cu cei difuzaţi rezultă. ce devine electron liber (purtător). De regulă concentraţiile impurităţilor din cele două zone nu sunt egale (Nao > Ndo). sarcină care nu mai este compensată de sarcina .curent direct (1. Semiconductoarele de tip n şi p sunt corpuri neutre din punct de vedere electric. 2. formând curentul de conducţie. Aceste concentraţii scad până la zero la nivelul joncţiunii. Aluminiu etc) are ca efect creşterea numărului de goluri. Electronii sunt purtători majoritari iar golurile reprezintă purtătorii minoritari. Aceşti atomi de impurităţi se numesc atomi acceptori şi se transformă în ioni imobilizaţi în reţeaua cristalină. Purtătorii majoritari. care este mai slab dopată cu impurităţi. numit şi curent invers al joncţiunii: ic = inm + ipm . Atomii acestor impurităţi se numesc donori. Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n): 1. Ndo . o variaţie a concentraţiei de goluri (cp) şi electroni (cn). Regiunea de trecere se extinde mai mult în zona n. trec dintr-o zonă în alta şi dau naştere curentului de difuzie.2) Câmpul intern antrenează dintr-o zonă în alta purtătorii minoritari. iar semiconductorul obţinut este de tip n. care devin purtători majoritari.curent invers (1. simbolizaţi prin m. • Doparea cu impurităţi trivalente (Indiu. 1. 3.concentraţia iniţială de electroni. se realizează o joncţiune p-n care reprezintă structura de bază pentru majoritatea componentelor electronice. deoarece atomii trivalenţi captează uşor câte un electron de la un atom vecin. Arsen etc) are ca efect creşterea numărului de purtători negativi (electroni) deoarece atomii pentavalenţi de impuritate cedează uşor câte un electron. numit şi curentul direct al joncţiunii: id = inM + ipM .3) În figura 1. simbolizaţi prin M.

Această sarcină creează câmpul electric care se opune trecerii purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta.6. Regiunea în care apare câmpul electric Ei şi sarcina spaţială ρ se numeşte regiune de trecere. cu polaritatea (+) la zona p şi. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. potenţialele de tip M-S (metal-semiconductor) anulează bariera de potenţial U0. Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a sarcinii ρ.Dispozitive electronice de circuit 7 purtătorilor majoritari din zona respectivă.5 Figura 1. astfel încât la bornele joncţiunii potenţialul rezultant este zero (figura 1. potenţialul iniţial (U0) al barierei scade cu . Prezenţa câmpului intern Ei determină apariţia unei bariere de potenţial notate cu U0 (figura 1.5-e). Figura 1. în zona regiunii de trecere.7). Ca urmare.6). Efectul potenţialelor de contact asupra barierei de potenţial Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n a) Polarizarea directă (figura 1. Dacă joncţiunii p-n i se ataşează două contacte metalice. ilustrată prin zona haşurată. respectiv polaritatea (−) la zona n.

8. este neglijabil. cu polaritatea (−) la zona p şi. numit curent invers al joncţiunii.8). Figura 1.7V pentru diodele cu Si şi Ua≅0. cu polaritate negativă în timpul conducţiei. lipiţi prin procedee speciale de contactele M-S. Valoarea curentului de conducţie este de ordinul microamperilor. i .7. Curentul direct al joncţiunii este neglijabil. Ua. Cei doi electrozi. C = Catod. Figura 1. Polarizarea directă a joncţiunii p-n b) Polarizarea inversă (figura 1. Curentul de conducţie (ic).9. iar joncţiunea se consideră blocată. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. Caracteristica statică a diodei este reprezentată în figura 1. cu polaritate pozitivă în timpul conducţiei. 1.8 Capitolul 1 valoarea tensiunii de alimentare Ua.3V pentru diodele cu Ge. Acest lucru permite trecerea putătorilor majoritari care formează curentul de difuzie (Id). Tensiunea anodică inversă se notează cu (-Ua) sau (.3 Dioda semiconductoare Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care are ataşate două contacte M-S (metal-semiconductor). În starea de conducţie tensiunea anodică directă este: Ua ≅ 0. numit curent direct al joncţiunii. se numesc: A = Anod.U a ). Polarizarea inversă a joncţiunii p-n În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de alimentare. respectiv polaritatea (+) la zona n.

Dispozitive electronice de circuit 9 Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi atinge valoarea de străpungere a joncţiunii.9. De asemenea. Se observă că înclinaţia dreptei de sarcină este egală cu .1 Dioda în circuit.10. se rezolvă grafo-analitic sistemul format din ecuaţia dreptei statice de sarcină.3. se cunoaşte caracteristica anodică.4) Tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi: E/R → pentru Ua=0 şi E → pentru ia=0.11): ⎧E = R ⋅ i a + U a ⎨ ⎩ i a = f (U a ) (1. Figura 1. Caracteristica curent-tensiune a diodei 1. Figura 1.11. pentru ramura de polarizare directă (cadranul I).10). Dioda în circuit Figura 1. Caracteristica externă a diodei Pentru determinarea punctului static de funcţionare.10 şi ecuaţia caracteristicii anodice (figura 1.11. aceasta se distruge prin efect termic datorită creşterii în avalanşă a curentului invers. figura 1. determinarea punctului static de funcţionare Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de limitare a curentului anodic (figura 1. PSF (M). rezultată din a IIa teoremă a lui Kirchhoff aplicată circuitului din figura 1.

Pe măsură ce aplicăm o tensiune mai mare la bornele diodei. d) frecvenţa de lucru: fl ∈ [50 Hz . Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa joncţiunii foarte mică.de ordinul nanosecundelor.10 Capitolul 1 valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R. Sunt utilizate în circuite de detecţie şi comutaţie la frecvenţe de lucru până la 10 MHz.2 Tipuri de diode semiconductoare 1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog: a) curentul mediu în sens direct: IF ≤ 600 A.. b) curentul Zener – curentul corespunzător tensiunii de stabilizare: Iz∈[mA. 5) Dioda varicap. 1. Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din starea ”blocat” în starea de ”conducţie” . Sunt diode realizate cu siliciu la care se utilizează ramura caracteristicii corespunzătoare polarizării inverse.13.. Simbolizarea şi variaţia capacităţii echivalente ale diodei varicap sunt prezentate în figura 1. 2) Diode stabilizatoare (diode Zener). c) puterea disipată: Pd<10W.3. Figura 1. iar în figura 1. 3) Diode de comutaţie. Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil. d) coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura: αz = 1 ΔU z . rz.12-b este reprezentată caracteristica statică inversată (în cadranul I).5 V . în porţiunea de lucru a caracteristicii statice. . deci se comportă ca o capacitate comandată prin tensiune. În figura 1.12. Coordonatele PSF sunt iao şi Uao. 20 KHz]. c) temperatura maximă admisă a joncţiunii: Tj max ≤ 140 oC.. U z ΔTa e) rezistenţa internă (dinamică). 180 V]. aceasta echivalează cu depărtarea armăturilor ”condensatorului”. max ≤ 1800 V. Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b) Parametrii de catalog: a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz ∈[2. b) tensiunea inversă: Uinv..A]. De regulă sunt utilizate în tehnica de calcul.. . 4) Diode cu contact punctiform..100 [%/oC]. obţinute din proiecţiile punctului M pe cele două axe.12-a este ilustrată polarizarea diodei Zener.

figurile 1.15-a. Figura 1. familia caracteristicilor curent-tensiune (b). Figura 1. Polarizarea fotodiodei (a). Caracteristica curent-tensiune este neliniară şi prezintă în porţiunea MN rezistenţă internă negativă. optocuplor realizat cu LED+fotodiodă (b). Polarizarea.15-c. la reclame etc. Aceasta emite un flux de radiaţii luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purtătorilor de sarcină. realizând şi o foarte bună separare galvanică. Această proprietate permite utilizarea diodei tunel în construcţia oscilatoarelor (vezi § 2.14.6).15-b şi 1. dioda Tunel fiind utilizată şi în circuite de comutaţie. figura 1. Din combinarea unui LED cu o fotodiodă rezultă un optocuplor (cuplor optic).Dispozitive electronice de circuit 11 Figura 1. Curentul de purtători majoritari se datorează fluxului luminos incident.15. Fotodioda este utilizată în construcţia detectoarelor opto-electronice ce lucrează în spectrele vizibil sau infraroşu. Frecvenţa de lucru este cuprinsă între 0. Este utilizată în construcţia afişoarelor numerice. iar purtătorii majoritari traversează bariera de potenţial prin ”efectul tunel” (efect cuantic).c).16. Dioda varicap: simbolizare şi principiu de funcţionare 6) Fotodioda este utilizată cu polarizare inversă. Optocuplorul este un dispozitiv electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieşire. caracteristica spectrală (c) 7) Dioda electroluminiscentă – LED (Light Emitting Diode) se utilizează cu polarizare directă A-C.13. Simbolizarea şi caracteristica anodică sunt ilustrate în figura 1. caracteristicile anodice şi caracteristica spectrală sunt reprezentate în figura 1.b.14 (a. astfel încât regiunea de trecere este foarte îngustă. LED în circuit (a). optocuplor realizat cu LED+fototranzistor (c) 8) Dioda tunel – are joncţiunea p-n cu cele două zone foarte apropiate şi puternic dopate cu impurităţi. .5 şi 5 GHz. Culoarea radiaţiei depinde de natura semiconductorului şi de impuritatea activatoare.

12 Capitolul 1 Figura 1. . colector şi bază.19. Zona E este puternic dopată cu impurităţi. Simbolizarea diodei tunel şi caracteristica curent-tensiune 1. În acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent. La aceste tranzistoare semnalul de intrare (xi) în DA este o tensiune.17 s-a reprezentat schema simplificată a unui amplificator. fie numai goluri. Structura fizică a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentată în figura 1. Tranzistoare unipolare. iar zona C este mai puţin dopată decât zona E. Cei trei electrozi se numesc: emitor. În această schemă tranzistorul reprezintă dispozitivul de amplificare.4.16. Tranzistoare bipolare. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn.18. 2. zona B este slab dopată cu impurităţi şi este foarte îngustă (de ordinul micronilor). Simbolizarea acestora este dată în figura 1. o rezistenţă de limitare a curentului de sarcină (R) şi sursa de alimentare E. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor După modul în care se realizează conducţia electrică a semnalului prin DA.4 Tranzistoare Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a amplifica semnale electrice. 1. în figura 1. la care conducţia electrică este asigurată atât de electroni cât şi de goluri. Figura 1.1 Tranzistoare bipolare .17.structura fizică şi funcţionare Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone şi două joncţiuni. Considerând un dispozitiv de amplificare (DA) comandat prin semnalul de intrare xi. tranzistoarele sunt de două tipuri: 1. La funcţionarea în regim de amplificare joncţiunea E-B este polarizată direct. iar joncţiunea B-C este polarizată invers. la care conducţia electrică este asigurată de o singură categorie de purtători: fie numai electroni.

(Pe). Întrucât lăţimea bazei este foarte mică iar regiunea de trecere a joncţiunii B-C se extinde mult în zona bazei (n). UCB > Pi = UEB .5) Un procent foarte mic de goluri se recombină cu electroni din bază formând atomi neutri.Dispozitive electronice de circuit 13 Curentul de difuzie prin joncţiunea emitorului este format din purtătorii majoritari care sunt golurile. Puterea la ieşire. Pe = IC .6) I B = (1 − α n )I E − I CBo IE = IC + IB (1.19.995 .7) (1. Structura şi simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp şi npn) Figura 1. În modul. Observaţie: Curentul de purtători minoritari ICBo este foarte mic.18.factor static de amplificare în curent IC (1. Figura 1. golurile din emitor difuzate în bază (B) sunt preluate şi transportate în colector de câmpul electric intern Ei al joncţiunii colectorului. tensiunea între colector şi bază este mult mai mare decât tensiunea dintre emitor şi bază: U CB >> U EB .9) Această inegalitate explică posibilitatea funcţionării tranzistorului în regim de amplificare. Transferul aproape integral în colector a golurilor difuzate în bază poartă numele de efect de tranzistor. Din schema structurală rezultă ecuaţia curenţilor prin tranzistor: I C = α n I E + I CBo (1. este mai mare decât puterea de intrare (Pi): (1. rezultând I C ≈ I E .8) unde: ICBo este curentul de purtători minoritari. Structura fizică şi polarizarea tranzistorului pnp I α n = E ≅ 0. IB .

Tranzistorul bipolar în conexiune bază comună b) Schema de conexiuni – emitor comun (EC – figura 1. Simbolizarea unui amplificator a) Schema de conexiuni – bază comună (BC – figura 1. colector. iar tranzistorul având numai 3 terminale (bază.21.14 Capitolul 1 1. Figura 1. Figura 1.21). c) Schema de conexiuni – colector comun (CC – figura 1. Figura 1. iar în continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru această conexiune.20). iar joncţiunea C-B este polarizată invers.23. se utilizează ca amplificator de putere (etaj final).2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice Întrucât în regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol (simbolizat în figura 1. emitor).22) – este cea mai utilizată.20. În oricare dintre cele 3 scheme se are în vedere că joncţiunea E-B este polarizată direct. De aceea sunt posibile trei scheme fundamentale de conexiune ale tranzistorului în regim de amplificare.22.24) I B = f ( U BE ) U CE = ct . .4. având 4 borne. Tranzistorul bipolar în conexiune colector comun Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1. Tranzistorul bipolar în conexiune emitor comun Figura 1. rezultă că un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca bornă comună pentru intrare şi ieşire.23).

Regiunea 2 – regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea directă a joncţiunii E-B şi de polarizarea inversă a joncţiunii C-B. βn 1 + βn (1. Familiile caracteristicilor de ieşire Relaţia între factorul de amplificare βn şi factorul static de amplificare în curent αn – pentru conexiunea bază comună este: αn = unde β n = [30 L 1000] .Dispozitive electronice de circuit 15 Figura 1. I C = β n I B + (1 + β n )I Co (1. Figura 1.25.24.25. Regiunea 1 – zona de blocare (de tăiere) este caracterizată de polarizarea inversă a joncţiunii E-B sau de lipsa polarizării acestei joncţiuni.10) unde: β n = αn se numeşte factor static de amplificare în curent pentru 1 − αn conexiunea emitor comun. de ieşire pentru conexiunea EC: I C = f ( U CE ) I B = ct Familiile caracteristicilor de ieşire sunt date în figura 1. Caracteristici statice de intrare Caracteristici statice . în care se disting principalele regiuni de lucru.11) .

La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate două probleme: . Aceste trei valori reprezintă parametri de catalog.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar Considerând familia caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun (EC).4. Caracteristicile au o ramură comună sub formă de dreaptă cu înclinaţia de aproape 90o. limita tensiunii de colector (UCEmax) şi limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax).12) unde ICo este curentul de purtători minoritari (curentul invers al joncţiunii BC).16 Capitolul 1 În regiunea de tăiere curentul de bază fiind nul.4. Această dreaptă se numeşte ”dreaptă de saturaţie”. .stabilizarea punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii. 1. .13) Figura 1. din relaţia (1.determinarea punctului static de funcţionare (PSF). Stabilirea PSF Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare. realizat cu un tranzistor de tip npn.10) rezultă: I C ≅ (1 + β n )I Co (1. Relaţiile care trebuie respectate între valorile de lucru şi valorile limită ale celor trei parametri sunt: I C ≤ I C max U CE ≤ U CE max Pd < Pmax = I C max .27.4 Tranzistorul bipolar în circuit. figura 1.26 sunt ilustrate cele 3 limitări esenţiale în funcţionarea tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax). în figura 1. Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar 1.26. ce nu trebuie depăşiţi în timpul funcţionării tranzistorului.U CE max (1. Regiunea 3 – este numită şi zonă de saturaţie şi corespunde situaţiei când ambele joncţiuni sunt polarizate direct.

M(UCEo. prezentată în figura 1.28. Se cere: PSF → M(UCEo. RC şi familia caracteristicilor externe ale tranzistorului.ecuaţia dreptei de sarcină. Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire (figura 1. iCo) Figura 1. (1. .27) se obţine: EC = RC ⋅ iC + UCE . iC=f(UCE). RB. iCo). din relaţia (1.Dispozitive electronice de circuit 17 Figura 1.16) Punctul static de funcţionare.15) Neglijând UBE în raport cu EC ( UBE ≅ 0). trasată prin tăieturile sale ( IC = EC şi U CE = E C ).27. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn Se dau: EC.14) Procedând similar pentru circuitul de intrare se obţine: EC = RB ⋅ iB + UBE (1.28. se obţine la intersecţia caracteristicii externe (aferentă curentului iBo) cu dreapta de sarcină. Panta (înclinarea) dreptei de sarcină se exprimă prin RC tg(α)=RC.15) se obţine: iBo ≅ EC RB (1.

care utilizează diverse scheme.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. atunci funcţionarea etajului de amplificare este defectuoasă. ceea ce conduce la creşterea curentului de emitor (iE ≈ iC). rezultând o creştere a curentului de colector care deplasează punctul static de funcţionare M în M’ (figura 1. Figura 1. realizând astfel stabilizarea PSF la variaţia temperaturii.17) Dacă T ↑ ⇒ iC ↑ (punctul M se deplasează în M’).RE . De asemenea. dar cea mai utilizată este schema din figura 1. Deci se compensează creşterea iniţială a curentului iC iar punctul static de funcţionare este adus din poziţia M’ în poziţia iniţială M.) şi ca urmare modificarea caracteristicilor de intrare.18 Capitolul 1 1. Schemă utilizată pentru stabilizarea PSF-ului la variaţia temperaturii Stabilizarea PSF se explică prin relaţiile: (1. iE ⇒ UBE = U . Din (1. cu ajutorul rezistenţei de emitor (RE) se rezolvă problema stabilizării PSF. Modificarea PSF la variaţia temperaturii Există mai multe metode de stabilizare. iE .30. ceea ce conduce la creşterea factorului de amplificare βn. U = UBE + RE . Dacă deplasarea PSF este mare. sau IB=ct.17) se observă că UBE scade ceea ce conduce la micşorarea curentului de colector. Un alt efect al creşterii temperaturii îl reprezintă micşorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct. Pentru restabilirea funcţionării normale este necesară readucerea PSF (M’) în poziţia iniţială (M). cresc factorii statici de amplificare în curent βn şi αn. Stabilizarea punctului static de funcţionare Dacă temperatura creşte iCo creşte.29).4. atât în conexiunea EC cât şi în conexiunea BC.29.30 în care. Figura 1.

33-b.1 ⋅ RE. Dioda D fiind polarizată în sens de blocare. corespunzătoare punctului static de funcţionare M. sunt prezentate în figura 1. Schemă cu diodă de static de funcţionare utilizând termistor compensare. cum sunt termistoarele şi diodele semiconductoare.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare utilizând un tranzistor bipolar npn în conexiune emitor-comun (figura 1.4. având ca efect micşorarea curentului iB. în paralel cu rezistenţa de emitor.iE ≅ 0.31.Dispozitive electronice de circuit 19 Observaţii: • Divizorul de tensiune format din rezistenţele RB1 şi RB2 permite impunerea valorii curentului de bază în regim static (iBo).31 este prezentată o schemă de stabilizare utilizând un termistor ca element de compensare. rezultat din nodul A. La creşterea temperaturii. deci are loc compensarea efectului de creştere a curentului iC cu temperatura. De regulă se adoptă curentul prin RD la valoarea: iD≅10⋅iBo. pentru care diagramele curenţilor şi tensiunilor. rezistenţa termistorului scade. Figura 1.32 este dată o schemă de stabilizare termică utilizând o diodă ca element de compensare. .2⋅EC. În figura 1. La funcţionarea etajului în curent alternativ condensatorul CE elimină reacţia negativă de tensiune dacă reactanţa condensatorului de emitor este de cel puţin 10 ori mai mică decât RE: XE ≤ 0. acţionând în sensul compensării efectului de creştere a curentului de colector cu temperatura.5. pentru stabilizarea punctului static de funcţionare În figura 1. 1. are rolul de a scurtcircuita rezistenţa de emitor atunci când etajul funcţionează în curent alternativ. • În regim static de funcţionare căderea de tensiune pe rezistenţa din emitor se poate calcula cu relaţia: RE. • Condensatorul din emitor. 1. scade corespunzător. iar curentul prin termistor creşte.32. Schema de stabilizare a punctului Figura 1. astfel încât curentul iB. CE. la creşterea temperaturii va creşte curentul invers idi.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare se pot utiliza şi elemente de compensare ce au caracteristici neliniare.33-a).

23) Observaţie: Dacă tensiunea de intrare Ui este de înaltă frecvenţă sau dacă sarcina nu este rezistivă parametrii etajului sunt mărimi complexe: Zi. AU. În timpul funcţionării etajului de amplificare în curent alternativ.rezistenţa la ieşire (zeci sau sute de Ω).21) I1 IB Amplificarea în putere: AP = Pe/Pi. Re . În regim dinamic punctul static M se deplasează în ambele sensuri pe dreapta de sarcină şi descrie caracteristica dinamică. efective) (1.22) Rezistenţele de intrare şi ieşire ale etajului de amplificare sunt: ≅ U CE (val. I1 = IB. Deci caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor statice de funcţionare când la intrarea etajului se aplică semnalul alternativ. între punctele A şi B se face cu frecvenţa semnalului de intrare (iB~) şi are ca efect apariţia componentelor alternative pentru curentul de colector (adică iC~) şi pentru tensiunea de la ieşire (UCE~). unde Pe = UCE ⋅ IC. Deplasarea alternativă a punctului static (M) pe dreapta statică de sarcină. Curentul de la ieşire (iC~) este în fază cu cel de la intrare (iB~). Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt: Amplificarea în tensiune: A U = A = U CE = U CEo + U CE ~ U2 Ui U BE I I Amplificarea în curent: A I = 2 = C (val. U2 = UCE. a) Conexiunea bază-comună (BC): Ri . Curenţii prin tranzistor vor fi: i B = i Bo + i B ~ i C = i Co + i C ~ (1.rezistenţa la ieşire (sute de kΩ sau MΩ). unde: U1 = UBE. ZC.20) Ri = U U1 . Proprietăţi calitative ale etajelor de amplificare în raport cu schema de conexiune utilizată. adică segmentul AB. (1. . adică este inductivă sau capacitivă. punctul static de funcţionare (M) se deplasează pe dreapta de sarcină. iC0) ale curenţilor din tranzistor se suprapun componentele alternative. b) Conexiunea colector-comun (CC): Ri .19) Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative şi blochează componenta continuă (dacă există) a semnalului de intrare.rezistenţa la intrare (zeci de Ω).rezistenţa la intrare (zeci sau sute de kΩ). AI. Ai ≤ 1. eficace). Re .18) De asemenea. Dacă sarcina etajului nu este rezistivă. marcat cu linie groasă. iar Pi = UBE ⋅ IB (1. peste componentele continue (iB0. I2 = IC I1 I2 (1. panta caracteristicii dinamice (panta segmentului A’B’ .20 Capitolul 1 Datorită semnalului alternativ de la intrare. AU =zeci sau sute. Tensiunea de la ieşirea etajului (UCE~) este în antifază faţă de curentul de intrare alternativ (iB~).tg β) este diferită faţă de panta caracteristicii statice (tg α). tensiunea colector-emitor are două componente: (1. corespunzător valorilor maxime ale curentului iB~ . Construcţia grafică (reprezentată la scară) a caracteristicilor în regim dinamic permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare. R E = 2 .

care în limba engleză are aceeaşi semnificaţie: Field Effect Transistor. Funcţionarea acestora se bazează pe modificarea conductanţei unei căi de trecere a purtătorilor care produc curentul electric prin dispozitiv.4. Se mai utilizează abrevierea FET. Tranzistoarele unipolare se mai numesc Tranzistoare cu Efect de Câmp (TEC). sau goluri (care au sarcină pozitivă). canalul fiind de tip p. AU= zeci sau sute. Calea de trecere se numeşte canal şi este situat între doi electrozi numiţi sursă (S) şi drenă (D). Figura 1. Ai = zeci sau sute. AU ≤1.rezistenţa la intrare (kΩ). Regimul dinamic al tranzistorului bipolar 1. în construcţia amplificatoarelor de putere. fiind canal de tip n. Canalul poate fi realizat din purtători de sarcină negativi (electroni). schema cea mai utilizată este cea cu emitorul-comun. • Schema bază-comună (BC) creează dificultăţi la cuplarea etajelor în cascadă (serie) datorită diferenţelor foarte mari între impedanţa (sau rezistenţa) de intrare şi cea de ieşire.Dispozitive electronice de circuit 21 Ai = zeci sau sute. fie goluri. .33. c) Conexiunea emitor-comun (EC): Ri . conducţia este asigurată de o singură categorie de purtători: fie electroni.rezistenţa la ieşire (zeci kΩ). Concluzii: • Schema colector-comun este utilizată în circuitele de adaptare pentru că are rezistenţa la ieşire mică sau. Re . • Pentru amplificatoarele de tensiune.7 Tranzistoare unipolare În cazul tranzistoarelor unipolare.

regiunile de trecere (reprezentate prin zonele haşurate din figura 1. respectiv curentul de drenă este maxim (ID=IDmax). Deci canalul de tip n este situat între două joncţiuni polarizate invers. b) Când grila este negativată (UG<0).35-a.35-a) se extind în zona canalului micşorând . Figura 1. În cele ce urmează se prezintă structura fizică a unui tranzistor TEC-J având canal de tip n. În funcţionarea tranzistorului TEC-J se disting următoarele situaţii: a) Dacă grila nu este polarizată (UG =0).35.34. Rezistenţa internă a acestor tranzistoare este foarte mare ( 108 . Simbolizarea tranzistoarelor unipolare Conductanţa canalului se modifică sub influenţa câmpului electric produs de tensiunea aplicată la al 3-lea electrod numit grilă (G) sau poartă (P). Deoarece conductanţa canalului depinde de potenţialul grilei.. 1012 Ω). Zona p a grilei formează cu zona n a canalului o joncţiune polarizată invers. Baza fiind legată la grila negativată de către tensiunea UG. regiunile de trecere au lăţime neglijabilă (deci nu apar zonele haşurate) şi ca urmare secţiunea canalului este maximă.structura fizică (a). figura 1. rezultă altă joncţiune p-n polarizată invers. Structură fizică şi funcţionare Tranzistoarele cu efect de câmp şi joncţiuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n sau p.22 Capitolul 1 Figura 1.35-b.1 TEC-J având canal de tip n. având structură MOS (Metal Oxid Semiconductor). Din acest motiv tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de câmp. 1. TEC-J .TEC-MOS.7. TEC sunt comandate în tensiune. După modul în care se realizează controlul (reglajul) conductanţei canalului există două categorii de tranzistoare unipolare: 1) TEC cu joncţiuni (TEC-J)..4. Distribuţia spaţială a potenţialului la nivelul canalului este prezentată în figura 1. 2) TEC cu grilă (poartă) izolată. distribuţia potenţialului (b) Zonele haşurate reprezintă regiunile de trecere ale celor două joncţiuni.

Figura 1. Figura 1.37) şi de intrare (figura 1. În zona de amplificare curentul de drenă este reglat prin modificarea tensiunii de grilă. Familia caracteristicilor de ieşire În familia caracteristicilor de intrare se observă că tensiunea de prag (Up) reprezintă valoarea tensiunii de grilă la care se anulează curentul de drenă (ID). Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n. b) canal p Importanţă deosebită prezintă familia caracteristicilor de ieşire (figura 1.zona de amplificare. Figura 1.38). c) Dacă grila este puternic negativată (UG<<0) regiunile de trecere se unesc anulând secţiunea canalului şi ca urmare se anulează curentul de drenă (ID≅0).Dispozitive electronice de circuit 23 secţiunea acestuia. Simbolizarea în circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentată în figura 1. Familia caracteristicilor de intrare . indiferent de tensiunea aplicată pe drenă. iar curentul de drenă care circulă între sursă (S) şi drenă (D) se micşorează.37.36.36a şi b. Familia caracteristicilor de ieşire prezintă două zone: I.38. II – zona de saturaţie.

se aplică între sursă şi grilă (prin rezistenţa Rg).24 Capitolul 1 1. Condensatoarele CC1 şi CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare şi respectiv la ieşirea etajului. adică atunci când grila (G) este negativă în raport cu sursa (S). dacă se utilizează una dintre schemele prezentate în figura 1.01) din valoarea nominală a semnalului de intrare. În schema din figura 1. iar pe drenă (D) se aplică o tensiune pozitivă.25) . b) cu negativare automată a grilei. Curentul de drenă (curentul de sarcină al etajului) este limitat prin rezistenţa de drenă (RD). Etaj de amplificare cu TEC-J: a) cu sursă separată pentru negativarea grilei.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J Funcţionarea unui etaj de amplificare.24) Condensatorul CS decuplează (scurtcircuitează) rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ.7.39-b realizează negativarea automată a grilei în raport cu sursa. este posibilă dacă tranzistorul este polarizat corect. În acelaşi timp. Rezistenţa Rg se adoptă de ordinul megohmilor (MΩ) şi are rolul de a transmite pe grilă potenţialul negativ al sursei (bateriei) Eg. În figura 1. cu semnul plus (+) la sursă şi minus (−) la grilă. Aceste condiţii impuse etajului de amplificare pot fi îndeplinite. Schema din figura 1. dată de componenta continuă a curentului de drenă ID0 = IS0.39. Figura 1.39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = −Eg. Căderea de tensiune pe rezistenţa sursei (RS).4. Observaţie: În proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie îndeplinite două condiţii esenţiale: • Căderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului să nu fie mai mare de un procent (0. Rezultă că între rezistenţa Rg şi reactanţa X C trebuie să existe C1 relaţia: X C C1 ≤ Rg 100 (1. valoarea mare a rezistenţei Rg asigură o rezistenţă (impedanţă) de intrare ridicată pentru etajul de amplificare.39-a etajul de amplificare utilizează o sursă separată (Eg) pentru negativarea grilei. întrucât reactanţa X C a acestuia este neglijabilă la frecvenţa de lucru a etajului. utilizând o singură sursă de alimentare (sursa de drenă ED).39-a şi b. realizat cu tranzistori TEC-J (canal n). Rezultă tensiunea de negativare a grilei. dată de relaţia: UG0 = − RS ⋅ ID0 S (1. acestea având rolul de blocare a componentei continue din semnalul de intrare şi/sau ieşire.

Dispozitive electronice de circuit • 25 Condensatorul CS conectat în paralel cu RS trebuie să şunteze rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. Dacă la intrarea etajului se aplică un semnal alternativ (u~). Panta caracteristicii dinamice (tg β) va fi diferită de panta dreptei statice (tg α) dacă la ieşirea etajului se conectează. reprezintă caracteristica dinamică a tranzistorului TEC-J.40 se observă că la funcţionarea etajului în regim dinamic apar componentele alternative ale curenţilor şi tensiunilor prin tranzistor care se suprapun peste componentele continue ale acestora.26) 1. astfel încât să se elimine reacţia negativă de tensiune. cu dreapta statică de sarcină. cu frecvenţa semnalului UG ~ . Astfel segmentul AB. figurat cu linie groasă. Panta dreptei statice de sarcină. a punctului static M pe dreapta de sarcină între punctele A şi B.4.7. pentru UG0= −Eg . se trasează dreapta statică de sarcină în planul caracteristicilor de ieşire (figura 1.40). Proiecţiile duse din punctul static (M) pe axele ID şi UDS determină coordonatele ID0 şi UDS0 ale punctului M.39-a şi aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ED = RD ⋅ ID + UDS (1.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic Considerând etajul de amplificare din figura 1. utilizând punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină cu axele de coordonate: ID = ED .27) Presupunând dată familia caracteristicilor de ieşire I D = f ( U DS ) U = ct. Astfel.30) . prin CC2. Această condiţie este îndeplinită dacă între rezistenţa sursei RS şi reactanţa X C există relaţia: S X CS ≤ RS 10 (1.39-a).29) Din figura 1. expresiile curenţilor şi tensiunilor în regim dinamic sunt: UG = UG0+ UG ~ UDS = UDS0+ UDS ~ ID = ID0+ ID ~ (1. exprimată prin tg(α). atunci componenta alternativă a tensiunii de grilă (UG ~) determină deplasarea rectilinie alternativă. depinde numai de valoarea rezistenţei de drenă RD: tg(α)=RD. RD U DS = E D (1. o rezistenţă de sarcină RS (sau o impedanţă ZS).28) Punctul static de funcţionare (M) se obţine la intersecţia caracteristicii de ieşire. G pentru tranzistorul TEC-J utilizat în etajul de amplificare (figura 1. În acest caz panta caracteristicii dinamice va fi: tg β = f (RD + RS) sau tg β = g (RD + ZS) (1.

La suprafaţa semiconductorului de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 . deci modifică conductivitatea canalului.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) Structura MOS este prezentată în figura 1. deoarece modifică prin potenţialul său proprietăţile semiconductorului la suprafaţa dinspre oxid.41. Tensiunea de ieşire (UDS ~) este în antifază cu semnalul de intrare (UG~). În cazul tranzistoarelor TEC-MOS având canal permanent.4. ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcină prin tranzistor. iar curentul de drenă creşte. Pentru Ri mică. Figura 1. II – regiunea de saturaţie. Structura fizică este prezentată în figura 1. Structura MOS poate avea două tipuri de canale: a) canal de tip n (electroni).7. PSF se alege pe dreapta de sarcină în zona de îmbogăţire (grilă pozitivă).10-6) mm. Diagramele tensiunilor şi curenţilor la funcţionarea etajului în regim dinamic 1.31) . rezistenţa de intrare rezultă foarte mare: Ri≅1014 Ω.40. În figura 1.42-b. se alege PSF în regiunea de sărăcire (grilă negativă). reprezentând: I-regiunea de amplificare. Dacă grila este la potenţial pozitiv. la care grila este izolată de canal prin stratul de oxid. i D = g( U G ) U D = ct (1..26 • • Capitolul 1 Observaţii: Curentul de la ieşirea etajului (ID~) este în fază cu semnalul alternativ de la intrare (UG ~). atunci regimul de funcţionare este un regim de îmbogăţire (în purtători). Observaţii: Dacă se cere o rezistenţă de intrare (Ri) cât mai mare a etajului de amplificare. b) canal de tip p (goluri). Metalul depus pe oxid joacă rol de grilă.42-b sunt reprezentate caracteristicile de ieşire şi intrare: i D = f ( U D ) U G = ct Valoarea tensiunii de grilă pentru care curentul de drenă se anulează (iD=0) poartă numele de tensiune de prag (Up).42-b sunt marcate regiunile I şi II..42-a iar familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare este dată în figura 1. În figura 1.

considerând că în PSF tensiunea de grilă este negativă (UGo<0). atunci se obţine un etaj de amplificare ce asigură o impedanţă de intrare (Zi) foarte mare (≈1012 Ω).41.7. Astfel de amplificatoare cu impedanţe de intrare foarte mari sunt necesare în construcţia adaptoarelor traductoarelor de pH. Grupul RS .5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TECMOS având canal de tip n. la fel ca în cazul TEC-J.43 este prezentată schema unui etaj de amplificare la care tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n). În figura 1. Structura fizică (a). Rezistenţa de grilă (RG) se adoptă suficient de mare (de ordinul MΩ) astfel încât să asigure o impedanţă mare la intrarea etajului de amplificare. Structura tranzistorului MOS Figura 1.Dispozitive electronice de circuit 27 Figura 1.4. este alimentat de la o singură sursă (+ED).42.43) se elimină elementele RS. CS şi RG.CS asigură negativarea automată a grilei în raport cu sursa de alimentare. Dacă din schema etajului de amplificare (figura 1. a . familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare (b) 1.

diacul. El este format din 4 zone şi 3 joncţiuni.1 Tiristorul Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat în electronica de putere. Etaj de amplificare cu TEC-MOS având canal n 1. Din acest motiv aceste dispozitive semiconductoare se mai numesc şi multijoncţiune.3) Figura 1.47. structura acestuia şi simbolizarea fiind prezentate în figura 1.5.7. Structura fizică şi simbolizarea tiristorului . Figura 1. Cele mai utilizate dispozitive multijoncţiune sunt: dioda pnpn (numită diodă Shockley sau dinistor). deci mai multe joncţiuni. Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A). Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este asemănător celui prezentat la tranzistorul TEC-J (§ 1. catod (C) şi poartă sau grilă (P sau G). Un dispozitiv semiconductor special care are o singură joncţiune şi trei electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Joncţiune (TUJ).5 Dispozitive semiconductoare speciale În electronica aplicată se utilizează frecvent dispozitivele semiconductoare speciale. Structura fizică a acestor dispozitive conţine mai multe straturi în succesiune pnpn. triacul.43.28 Capitolul 1 traductoarelor piezoelectrice etc.4. În cele ce urmează se va prezenta structura. tiristorul.47. caracteristicile şi funcţionarea următoarelor dispozitive semiconductoare: 1.

ia=f(Ua). În continuare se deschide puţin T2. Acest lucru conduce la creşterea lui i B . după care este necesar un curent de grilă pozitiv care se aplică sub formă de impuls. figura 1. adică ia scade sub valoarea curentului de menţinere iam (parametru de catalog). ilustrată în figura 1. Curentul prin tiristor (care circulă de la anod la catod) trebuie limitat printr-o rezistenţă de sarcină.48.48. Pentru un tiristor prezintă importanţă caracteristica anodică. b) blocarea tiristorului are loc atunci când curentul prin tiristor se micşorează. fenomenul de conducţie (creştere a curenţilor 2 prin tranzistoare) accelerându-se până când ambele tranzistoare intră în saturaţie. ceea ce duce la creşterea lui i C = i B .Dispozitive electronice de circuit 29 Tiristorul este echivalent cu două tranzistoare bipolare complementare (pnp şi npn). Pentru amorsare se aplică tensiune pozitivă la anod şi negativă la catod.49. Schema echivalentă a unui tiristor Funcţionarea tiristorului cuprinde două etape: a) amorsarea (intrarea în conducţie sau aprinderea).49. La început ambele tranzistoare sunt blocate. adică i B creşte şi 2 1 1 deschide T1 rezultând creşterea curentului de colector al tranzistorului T1. Caracteristica anodică a tiristorului . Figura 1.49. Figura 1.48 se observă că: i B 2 = i C1 + i G . Din figura 1. iar i B 2 este dat numai de curentul de grilă care trebuie să fie suficient de mare. astfel încât acesta să nu depăşească valoarea nominală (care este un parametru de catalog). conectate ca în figura 1.

se înseriază cu tiristorul o bobină de inductivitate L (calculată ca şi grupul Rp-Cp după o metodologie utilizată de exemplu. Pentru limitarea vitezei de creştere a curentului la o valoare sub viteza critică (parametru de catalog). Caracteristica de comandă (caracteristica de grilă) reprezintă dependenţa tensiunii de amorsare în raport cu valoarea curentului de grilă (figura 1. atunci între curenţii de grilă corespunzători există inegalitatea inversă: i G1 > i G 2 . Caracteristica de comandă a tiristorului • • • Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt: • curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN ≤ 1000A. Observaţii: Dacă între tensiunile de amorsare Uam1 şi Uam2 există inegalitatea (Uam1<Uam2). se disting 3 zone corespunzătoare regimurilor de funcţionare ale tiristorului: • zona I – corespunzătoare regimului de blocare (curentul creşte foarte puţin. valorile curenţilor de grilă necesari amorsării sunt mai mici şi invers (fenomen ilustrat şi în figura 1.50.49. În regimul de tranziţie rezistenţa internă a tiristorului este negativă: R Ti = − • ΔU a < 0. • tensiunea inversă Uinv = sute (mii) volţi (tensiunea anodică inversă). fiind neglijabil). figura 1. .32) zona III – corespunde regimului de conducţie (curentul creşte brusc după o caracteristică aproape verticală.51). iar pentru protecţia acestuia împotriva gradienţilor de tensiune inversă se utilizează un circuit Rp-Cp serie conectat în paralel cu tiristorul (figura 1.30 Capitolul 1 În planul caracteristicilor anodice. Grupul Rp-Cp asigură atenuarea gradienţilor de tensiune inversă (periculoşi pentru joncţiunile tiristorului) ce apar în momentul blocării acestuia.49). • zona II – corespunzătoare regimului de tranziţie din starea blocat în starea de conducţie (când tensiunea scade pronunţat. iar căderea de tensiune între anod şi catod rămâne aproximativ constantă). • temperatura maximă a joncţiunii Tj max ≤ 140 oC. figura 1.51). iar curentul anodic are o creştere mică). Figura 1.50). Această caracteristică separă zona de blocare faţă de zona de conducţie şi explică faptul că pentru tensiuni de amorsare mari. în [1]). Δi a (1. e. Pentru protecţia tiristorului la curenţi de scurtcircuit se utilizează o siguranţă fuzibilă specială (ultrarapidă.

intrarea în conducţie se face pentru curenţi de grilă pozitivi (iG>0). IN≤ 75A. 1.2 Triacul Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structură complexă. se poate considera că triacul este echivalent cu două tiristoare în conexiune antiparalelă comandate printr-o grilă comună (figura 1. b) Dacă anodul A2 este negativ faţă de anodul A1.Dispozitive electronice de circuit • 31 După intrarea în conducţie a tiristorului. LS). Acest domeniu de aplicaţie aparţine electronicii de putere. iar funcţionarea corespunde cadranului I. este formată din două ramuri situate în cadranele I şi III (figura 1. astfel încât curentul prin tiristor (ia – figura 1. care este o ramură distinctă a electronicii industriale. Triacul reprezintă un întrerupător static în curent alternativ şi este utilizat pentru reglarea tensiunii alternative (în structura variatoarelor de tensiune alternativă) la bornele receptoarelor mono sau trifazate. Figura 1.52-a). trecerea în starea de conducţie are loc pentru curenţi de grilă negativi (iG<0). sunt următorii: • curentul nominal. Observaţie: Valorile absolute ale curenţilor de grilă |iG1| şi |iG2| necesari amorsării triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului (Uam1 şi Uam2). Tj-max≤ 140 oC. • tensiunea maximă inversă.5. Asemănător fenomenelor întâlnite la tiristor.52-b. ce trebuie luaţi în considerare la alegerea unui triac. iar funcţionarea corespunde cadranului III. caracteristica anodică.53). La funcţionarea triacului într-un circuit de sarcină se disting două situaţii: a) Dacă anodul A2 este pozitiv faţă de anodul A1. Uinv-max≤ 1200V. • temperatura maximă a joncţiunii. Elementele de protecţie necesare triacului sunt aceleaşi ca în cazul tiristorului. Întrucât triacul are conducţie bidirecţională. dacă tensiunile de .49) să depăşească valoarea curentului de menţinere iam. Făcând abstracţie de structura fizică. curentul de sarcină (curentul anodic) este limitat numai de rezistenţa şi/sau inductivitatea de sarcină (RS. Pentru amorsarea tiristorului este necesar ca durata impulsului de comandă (iG) să fie suficient de mare.51. Tiristorul în circuit • • Amplitudinea impulsului de comandă pe grilă (iG) reprezintă un parametru de catalog a cărui valoare nu trebuie depăşită. Principalii parametrii de catalog. ia=f(ua). Conectarea triacului în circuit este prezentată în figura 1. Tiristorul reprezintă un întrerupător static în curent continuu şi este utilizat în construcţia variatoarelor de tensiune continuă monofazate sau polifazate.

Zona p a emitorului este puternic . (a) (b) Figura 1.54. Structura fizică şi simbolizarea tranzistorului unijoncţiune La acest tranzistor zona n este slab dopată cu impurităţi.53. Figura 1.52. curenţii de grilă necesari intrării în conducţie vor fi mai mici şi invers. Simbolizarea triacului (a). iar rezistenţa RBB între bazele B1 şi B2 este relativ mare (de ordinul kΩ).3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) Acest dispozitiv semiconductor se mai numeşte şi diodă cu două baze.5. Joncţiunea p-n este realizată în zona mediană a blocului semiconductor de tip n. triacul în circuit (b) Figura 1.32 Capitolul 1 amorsare aplicate triacului sunt mai mari. Caracteristicile anodice ale triacului 1. Structura fizică şi simbolizarea sunt prezentate în figura 1.54.

Care este legea de variaţie a purtătorilor de sarcină în cazul semiconductoarelor omogene? Precizaţi semnificaţia parametrilor din expresia analitică ! 2. Când aceste condiţii sunt îndeplinite joncţiunea p-n este polarizată direct. în cazul Termistorului şi Fotodiodei ? . Pe durata regimului tranzitoriu (porţiunea OA din caracteristici) rezistenţa internă a TUJ este negativă. iar uEB1 scade până la valoarea de 0. După terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor creşte brusc (pe ramura AB comună caracteristicilor). 1.55. La aplicarea unei tensiuni uBB>0 între cele două baze potenţialul punctului M situat pe joncţiune va fi egal cu η⋅uBB.33) în care rB1 şi rB2 sunt rezistenţele barei de semiconductor. Care sunt proprietăţile regiunii de trecere a unei joncţiuni pn? 3.6 Întrebări şi problemă 1. între punctul din dreptul joncţiunii emitorului şi cele două baze. curentul de emitor (iE) creşte lent pe durata regimului tranzitoriu.8 . De regulă η=0. 1 V (punctul A din figura 1.Dispozitive electronice de circuit 33 dopată cu impurităţi. unde η se numeşte raport intrinsec (coeficient subunitar) exprimat prin relaţia: η= rB1 + rB 2 rB1 (1. Familia caracteristicilor curent-tensiune Datorită formei de variaţie a curentului de emitor (în regim de conducţie).. b) uEB1 > η·uBB.. Care sunt parametrii de catalog şi semnificaţia acestora. tranzistorul unijoncţiune este utilizat ca formator de impulsuri în circuitele de comandă ale tiristoarelor sau triacurilor.5 ··· 0. Figura 1.8. (semnul plus la borna B2). Intrarea în conducţie a tranzistorului unijoncţiune are loc dacă sunt îndeplinite condiţiile: a) uBB > 0.55). fiind limitat numai de valoarea rezistenţei de sarcină.

cu TEC-J (prezentată mai jos). I DS0 = 8m [ A ] . C2 = CS . Ce reprezintă caracteristica dinamică în cazul tranzistorului bipolar şi de cine depinde panta acesteia ? 8. Care element (componentă) din schema etajului de amplificare – asigură stabilizarea PSF la variaţia temperaturii mediului ? Problemă Considerând schema unui etaj de amplificare.34 Capitolul 1 4. Se cere să se calculeze valorile elementelor: R S . U G0 = −5 [ V ] . R D . . f = 20 KHz ? 6. Cum (în câte moduri) se poate măsura o tensiune alternativă cu parametrii: Uef = 80V. Re = 40 KΩ ? 7. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. în care se cunoaşte: U DS0 = 10 [ V ] . canal de tip “n” (permanent) ? 10. f min = 200 [ Hz ] . Prin ce parametru (variabil) se poate modifica secţiunea canalului (de tip n) în cazul TEC-J ? 9. Ce modalităţi (variante) există pentru negativarea grilei – în cazul TEC-J. C1 . Care sunt relaţiile analitice ce justifică proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar ? 5.

1) . printr-un cuadripol activ care are două perechi de borne. se pot defini următorii parametri: • Amplificarea de putere Ap: A p = P2 >1 P1 (2. caracterizată de tensiunea şi curentul de intrare.1.1. Figura 2. U1. ca în figura 2. Amplificarea semnalului de la intrare se face utilizând energie preluată de la sursa de alimentare (Uo). Sarcina sa poate fi rezistivă sau poate fi o impedanţă. 2. Schema de principiu a unui amplificator Bornele de intrare (1 – 1’) reprezintă poarta de intrare. respectiv I1. Bornele de ieşire (2 – 2’) reprezintă poarta de ieşire.CAPITOLUL 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE 2.1. în condiţia ca semnalul de la ieşire să păstreze forma semnalului aplicat la intrare. Un amplificator are rolul de dezvolta în circuitul de ieşire o putere mai mare decât cea aplicată la intrare. care de regulă nu se simbolizează în schemele bloc.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor Dacă notăm cu P1 puterea în circuitul de intrare şi cu P2 puterea obţinută la ieşire.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor Un amplificator este simbolizat. caracterizată de tensiunea U2 şi respectiv curentul I2.

Un amplificator performant trebuie să aibă raportul dintre semnalul util şi zgomot cât mai mare.2) Frecvent se utilizează unitatea logaritmică pentru amplificare.agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare prin rezistoare şi tranzistoare..1012] Ω. piezorezistive sau de pH. trebuie să fie mică (zeci de Ω) pentru ca la ieşire să se poată debita un curent (o putere) cât mai mare în impedanţa de sarcină nominală (ZSN). Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora: ..componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (când filtrarea acestei tensiuni este necorespunzătoare). Când amplificatoarele intră în componenţa traductoarelor piezoelectrice. În aceste cazuri primul etaj al amplificatorului se realizează cu tranzistoare MOS. .36 • Amplificarea în tensiune Au: A u ≡ A = Capitolul 2 U2 U1 U2 U1 (2. • Impedanţa de ieşire.3) . Amplificarea în curent se defineşte prin relaţia: A i = • I2 I1 (2. Ze.tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor electromagnetice din mediul înconjurător. atunci când amplificatoarele se utilizează în aparatura de măsurare (voltmetre electronice.dacă A = 1 → AdB = 0. nu depăşeşte o limită impusă (de exemplu 5%). Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină în condiţiile când factorul de distorsiuni. Amplificarea în decibeli se calculează utilizând relaţia: A[dB] = 20 ⋅ log A = 20 ⋅ log Exemple: • [dB] (A > 0) (2. Aceasta se defineşte prin relaţia: Zi = Valoarea impedanţei de intrare trebuie să fie de ordinul meghomilor [MΩ]. U1 I Ai = 2 I1 (2.dacă A = 10n → AdB = 20⋅n.5) Impedanţa de intrare este impedanţa echivalentă la bornele de intrare atunci când la bornele de ieşire este conectată impedanţa de sarcină nominală (ZSN). . . impedanţa de intrare (Zi) trebuie să fie foarte mare: Zi∈[108. se pot defini amplificările în tensiune şi curent prin relaţiile: A= • U2 . U1 I1 (2. osciloscoape etc). numită decibel [dB].6) . • Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zează efectul tensiunii fluctuante la ieşirea amplificatorului – care există şi atunci când nu se aplică semnal la intrare.4) Considerând reprezentările în complex ale mărimilor intrare-ieşire. ce caracterizează deformarea unui semnal sinusoidal.

Caracteristica externă a amplificatorului În figură se disting două zone: zona OA (zona I) corespunzătoare regiunii liniare a caracteristicii. Dacă Ui>Uimax atunci semnalul de ieşire este distorsionat (deformat). Pentru a explica apariţia distorsiunilor de neliniaritate şi efectul poziţiei punctului static de funcţionare (PSF) al tranzistorului asupra lărgimii zonei de liniaritate în caracteristica intrare-ieşire.2.Amplificatoare şi oscilatoare 37 2.3-a) semnalul de ieşire (ue2) va fi distorsionat atunci când amplitudinea semnalului de intrare (ui 2) depăşeşte valoarea maximă (ui max) delimitată de curbele c1 şi c2. ( U 2 = f ( U1 ) ). când la intrare se aplică un semnal perfect sinusoidal. în care este valabilă relaţia A[dB]=20⋅logA şi zona AB (zona II) corespunzătoare regiunii neliniare de saturaţie. În figura 2.. Se defineşte factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin relaţia: 2 2 2 A 2 + A 3 + A 4 + . reprezintă amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t).7) A1 unde: A1 – este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieşire u2(t) – distorsionat. A4 . A3. A2. fiind dată în figura 2.2. Figura 2. b) Distorsiuni datorate alegerii greşite a poziţiei PSF . d[%] = ⋅ 100 (2. Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni de neliniaritate.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor Caracteristica externă reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire în raport cu tensiunea de intrare. unde punctul A este situat în zona de saturaţie. a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare. Dacă PSF se alege în zona mediană a caracteristicii statice ( soluţia corectă – figura 2.3. (a) (b) Figura 2.3 sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului împreună cu dreapta de sarcină (AB). se consideră un etaj de amplificare cu tranzistor bipolar la intrarea căruia se aplică un semnal sinusoidal....1. iar punctul B – în zona de tăiere.

unde ϕ este defazajul introdus de amplificator. Caracteristica de fază este importantă la amplificatoarele utilizate în: osciloscoape. Semnalul de intrare în amplificator este rezultatul însumării unor armonici de diferite amplitudini şi frecvenţe. Micşorarea cu 3dB a amplificării. delimitată prin caracteristica c1. televiziune. Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2. iar f este frecvenţa semnalului de intrare. introdus de amplificator.8) Figura 2. Acest domeniu se numeşte banda de trecere a amplificatorului (Bt) şi reprezintă domeniul cuprins între frecvenţa joasă de tăiere (ftj) şi frecvenţa de tăiere înaltă (ftî) pentru care amplificarea A[dB] nu se micşorează cu mai mult de 3dB. semnalul de ieşire (ue) va fi distorsionat numai pentru semialternanţa pozitivă deoarece numai prima semialternanţă din semnalul de intrare (ui) depăşeşte valoarea maximă. în funcţie de frecvenţa f (datorită elementelor reactive din circuitul acestora). .4 şi exprimă dependenţa modulului amplificării în raport cu frecvenţa (f): A[dB] = g(f) (2. dar nici mult mai largă decât acest spectru pentru a nu micşora raportul semnal util/zgomot. • În afara caracteristicii de frecvenţă.3-b. este echivalentă cu scăderea amplificării A la valoarea 1 ⋅ A 0 = 0. Dacă spectrul semnalului de intrare nu este inclus în totalitate în banda de trecere a amplificatorului. Această condiţie este îndeplinită atunci când spectrul semnalului aplicat la intrare este cuprins în banda de trecere a amplificatorului. transmisii de date etc. Pentru amplificarea fără distorsiuni a semnalului de intrare este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia să fie amplificate în aceeaşi măsură. Observaţii: • La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie să fie mai îngustă decât spectrul semnalului util (de intrare). pentru a nu avea distorsiuni de frecvenţă.707 ⋅ A 0 . Această dependenţă se numeşte caracteristică de fază: ϕ = g’(f). un amplificator este caracterizat prin dependenţa defazajului ϕ. Ansamblul acestor armonici formează spectrul semnalului de intrare.38 Capitolul 2 Dacă PSF este greşit ales spre punctul A.4. 2 unde A0 este amplificarea medie în banda de trecere Bt. figura 2. la extremităţile benzii de trecere. Caracteristica de frecvenţă În aplicaţiile practice interesează domeniul de frecvenţă în care amplificarea este aproximativ constantă. vor rezulta distorsiuni de frecvenţă numite şi distorsiuni de liniaritate (când amplificatorul funcţionează în regiunea liniară a caracteristicii intrare-ieşire). Detalii privind caracteristica de fază a amplificatoarelor sunt date în [3].

• amplificatoare de semnal mare. care amplifică semnale fără componentă continuă şi au caracteristica de frecvenţă de tipul celei din figura 2. amplificatoarele pot fi: . d) După lărgimea benzii de trecere: • amplificatoare de bandă îngustă. Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de putere. obţinerea unei amplificări în tensiune.. corespunzătoare semnalului de intrare. Caracteristica de frecvenţă a unui amplificator pentru semnale lent variabile b) După nivelul semnalului amplificat: • amplificatoare de semnal mic. La aceste amplificatoare se urmăreşte. Valoarea curentă a factorului de calitate este cuprinsă în domeniul [10. Caracteristică de frecvenţă a acestui tip de amplificator este prezentată în figura 2. • amplificatoare de bandă largă. • amplificatoare de înaltă frecvenţă. unde f0 este frecvenţa centrală a benzii de trecere. în mod deosebit. În categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de videofrecvenţă. caracterizate prin factorul de calitate Q. Figura 2. unde variaţiile de curent şi tensiune. definit prin relaţia Q=f0/(ftî . numite şi selective. obţinerea unei anumite puteri pe sarcină. În această categorie sunt incluse şi amplificatoarele de audiofrecvenţă.. la care raportul dintre frecvenţa înaltă de tăiere şi frecvenţa joasă de tăiere (ftî/ftj). este de ordinul 105.5.4.6.5.106. când frecvenţa medie este mai mică de 1MHz. Aceste amplificatoare se numesc de tensiune. 60]. sunt relativ mari. când frecvenţa medie este de ordinul MHz sau GHz. • amplificatoare de curent alternativ. c) După valoarea frecvenţei medii din spectrul semnalului amplificat: • amplificatoare de joasă frecvenţă. la care variaţiile de tensiune şi de curent. sunt mici în comparaţie cu valorile tensiunilor şi curenţilor de la ieşire. ale căror spectre conţin şi componenta continuă (armonica de frecvenţă nulă).1. în mod deosebit.. e) După poziţia punctului static de funcţionare (PSF).Amplificatoare şi oscilatoare 39 2. ilustrat în figura 2.ftj). deoarece se urmăreşte.3 Tipuri de amplificatoare Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri şi se pot clasifica după următoarele criterii: a) După tipul semnalului de amplificat: • amplificatoare de curent continuu – destinate amplificării semnalelor lent variabile.. corespunzătoare semnalului de intrare.

1 Amplificatoare de tensiune Aceste amplificatoare trebuie să asigure la ieşire o tensiune U (suficient de mare) încât.40 • Capitolul 2 amplificatoare în clasă A (PSF se află în regiunea mediană a dreptei de sarcină.6. 2.7. aplicată la intrarea AP. Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1). Figura 2. acesta să poată furniza puterea P2 cerută la . impedanţa de sarcină (ZS) sau rezistenţa de sarcină şi puterea necesară la ieşire (P2).20 kHz.7. Se cere: proiectarea amplificatorului de tensiune şi a amplificatorului de putere astfel încât să se debiteze pe ZS puterea impusă la ieşire. Amplificatoarele de curent alternativ. Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprinsă în domeniul 20Hz. Observaţie: Există şi amplificatoare în clasă C. • amplificatoare în clasă B (PSF se află în punctul de tăiere.. Poziţia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare 2.. punctul M2). au în componenţă două blocuri funcţionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de tensiune (numit preamplificator. AP-EF).2 Amplificatoare de curent alternativ Un exemplu tipic al acestor amplificatoare îl reprezintă amplificatorul de audiofrecvenţă. Figura 2. aceste amplificatoare fiind utilizate în construcţia triploarelor de frecvenţă şi în tehnica semnalelor modulate în frecvenţă. AT-PA). punctul M1). iar al doilea bloc este un amplificator de putere (etaj final. • amplificatoare în clasă A-B (PSF se află aproape de punctul de tăiere. figura 2. punctul M). la care PSF se alege în profunzimea regiunii de blocare.2.

9). C3 blochează componenta continuă care s-ar putea transmite la ieşirea etajului al II-lea. CE2) sunt astfel alese încât reactanţele acestora să fie neglijabile (să reprezinte scurtcircuite) la frecvenţele de lucru ale amplificatorului.condensatoare sau transformatoare de cuplaj. amplificatoarele de tensiune se realizează din mai multe etaje legate în serie (cascadă) ca în figura 2. C2 are rolul de a bloca componenta continuă care s-ar transmite de la primul etaj la următorul. RC2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de colector). C2 şi C3 se numesc condensatoare de cuplaj şi au următoarele roluri: C1 blochează componenta continuă a semnalului aplicat la intrarea primului etaj de amplificare. dar are şi dezavantaje: gabarit mare şi preţ de cost ridicat. către amplificatorul de putere. Observaţie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj între etaje oferă avantajul unei adaptări facile între sarcină şi etaj.8.8. Din acest motiv. RE2 au rolul de a stabiliza poziţia punctelor statice de funcţionare (PSF) în cele două etaje de amplificare. Rezistoarele RE1. Rezistoarele RC1. Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi a condensatoarelor de decuplare (CE1. Condensatoarele C1. CE2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune la funcţionarea etajelor de amplificare în regim dinamic.9. Condensatoarele CE1.Amplificatoare şi oscilatoare 41 ieşire. Structura generală a unui amplificator de tensiune Cuplarea etajelor se poate realiza în două moduri: a) utilizând elemente de cuplaj . Exemple de amplificatoare de tensiune 1. Figura 2. b) cuplajul direct între etaje (ca în cazul circuitelor integrate). Figura 2. Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând tranzistoare bipolare (figura 2. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu tranzistoare bipolare Perechile de rezistoare RB1 − RB2 şi RB3 – RB4 reprezintă divizoare de tensiune prin care se stabilesc valorile curenţilor de bază. .

Rezistenţa RB împreună cu potenţiometrul P realizează un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului . RS2 au rolul de negativare automată a grilelor cât şi de a stabiliza poziţiile punctelor statice de funcţionare (PSF) la variaţia temperaturii ambiante. la rândul său. CS2) trebuie să asigure reactanţe capacitive neglijabile la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. deci blochează componentele continue (la intrare prin C1. • Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utilizând tranzistoare bipolare în loc de tranzistoare TEC-J. 4 – bornă de masă (−E).10. În figura 2. 2 – alimentare (+E). iar tensiunea din colectorul lui T2 (UCE2) determină poziţia PSF pentru tranzistorul T3 care. Rezistoarele RS1. Capitolul 2 Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând TEC-J (figura 2. atât componenta alternativă cât şi componenta continuă ale semnalului. de la un etaj la altul.11 este prezentat un amplificator de audiofrecvenţă. Rezistenţele RD1. 3. RD2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de drenă). Din această cauză punctul static de funcţionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj depinde de poziţia PSF a tranzistorului din etajul anterior. RG2 (cu valori de ordinul MΩ) au rolul de a realiza impedanţe mari la intrarea etajelor. Tensiunea din colectorul lui T1 (UCE1) asigură polarizarea corectă a bazei lui T2.10) Figura 2.9. Funcţionarea corectă a circuitului presupune ca în circuitul bazei primului tranzistor (T1) să existe un curent de polarizare iBo care să determine funcţionarea tranzistorului în regiunea activă. C3 au acelaşi rol (de cuplaj). Se observă că cele trei etaje de amplificare (din structura circuitului integrat) sunt cuplate direct. Rezistenţele RG1. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu TEC-J Ca şi în schema din figura 2. CS2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune în regim dinamic. 3 – ieşire. Condensatoarele CS1. Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 – intrare. C2. Amplificator de joasă frecvenţă realizat prin cuplare directă între etaje În cazul cuplajului direct între etajele de amplificare se transmite. condensatoarele C1. Acest fenomen complică – într-o anumită măsură – calculul regimului staţionar al amplificatorului (în faza de proiectare). polarizează baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P şi RB). realizat cu circuitul integrat TAA-263. între etaje prin C2 şi la ieşire prin C3).42 2. Observaţii: • Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi de decuplare (CS1.

12. Schema echivalentă a unui amplificator de putere Există două metode pentru creşterea puterii debitate la ieşire: a) adaptarea sarcinii la etajul de ieşire prin intermediul transformatoarelor (de adaptare). ţinând seama de schema echivalentă (figura 2.12). Cu prima metodă se adaptează rezistenţa de sarcină la etaj. au rolul de a debita pe un rezistor de sarcină dat.2. o valoare impusă a puterii P2 (la ieşire). Acest lucru este posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de .11.12. puterea debitată pe RS va fi maximă dacă este îndeplinită condiţia: Re (AP) ≤ RS (2. În conformitate cu teorema transferului maxim de putere.9) Figura 2. se va înseria un rezistor R1 ( ≅ 1 kΩ) înaintea condensatorului C. 2. la un generator dat se obţine puterea maximă pe sarcină atunci când rezistenţa internă a generatorului (Rg) este mai mică sau egală cu rezistenţa de sarcină (RS). b) adaptarea etajului la sarcină utilizând pentru etajul final o schemă de conexiune adecvată. numite şi etaje finale. schema echivalentă a amplificatorului (AP) este dată în figura 2. Amplificator de audiofrecvenţă realizat cu CI de tip TAA-263 Observaţie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare (U1∼). Deci. Reprezentând amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu rezistenţa internă Rg egală cu rezistenţa de ieşire a etajului (Re). Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimină reacţia negativă de tensiune la frecvenţele de lucru ale amplificatorului).2 Amplificatoare de putere (AP) Aşa cum s-a arătat anterior amplificatoarele de putere.Amplificatoare şi oscilatoare 43 tranzistor. Figura 2.

15. se obţine relaţia aproximativă de calcul pentru RS: 2 (2. Figura 2. Aria triunghiului poate fi mărită dacă PSF iniţial (M) se adoptă prin proiectare astfel încât dreapta de sarcină să fie tangentă în M la hiperbola de disipaţie a puterii tranzistorului (vezi figura 1.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A Se consideră etajul de amplificare din figura 2. 2 (2. unde N1 şi N2 reprezintă numărul de spire din primarul transformatorului. O metodă de creştere a puterii debitate de AP constă în creşterea amplitudinii semnalului de la intrare. Rezistenţa de sarcină raportată la primarul transformatorului se poate calcula folosind relaţia: 2 ⎛ N1 ⎞ (2. Acest lucru este ilustrat în diagramele de semnale aferente funcţionării în regim dinamic al etajului.12) Creşterea puterii debitate la ieşire datorată creşterii semnalului de intrare poate avea loc dacă punctul A’ nu intră în zona de saturaţie.44 Capitolul 2 cuplaj.26). Rezistenţa generatorului (Rg) din schema echivalentă se adoptă egală cu rezistenţa de ieşire (Re) a etajului amplificator de putere (AP).2. puterea utilă (Pu) debitată pe rS reprezintă puterea dezvoltată în circuitul monofazat din secundarul transformatorului şi se calculează utilizând relaţia: Pu = U ef I ef cos(ϕ) = U CE max I C max U ⋅I ⋅ = CE max C max = 2 2 2 CM ⋅ AC = = aria (ΔMAC). 2. se alege o schemă de conexiuni cu rezistenţă de ieşire mică (conexiune colector comun). figura 2.11) R S ≅ rS ⋅ K t Adaptarea etajului la sarcină este posibilă dacă alegem o schemă de conexiuni adecvată transferului maxim de putere. Sarcină cuplată la AP prin transformator Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt ≅ N1/N2.10) R S = r1 + (r2 + rS ) ⋅ ⎜ ⎜N ⎟ ⎟ ⎝ 2⎠ Dacă se neglijează r1 şi r2. pentru o putere mare la ieşire. În acest caz trebuie urmărită condiţia ca punctul A’ să nu ajungă în zona de saturaţie şi punctul B’ să nu ajungă pe caracteristica iB=0 (zona de tăiere).14 care funcţionează în clasă A având sarcina cuplată prin transformator. .13. figura 2. respectiv din secundarul acestuia. adică pentru un curent de ieşire (curent de colector) mare. Astfel.13. În cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieşirea amplificatorului prin transformator.

2 Amplificatoare de putere în clasă B Considerând planul caracteristicilor de ieşire. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă A 2.16). Figura 2. Dacă amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor. atunci PSF va descrie la ieşire un semnal redresat monoalternanţă (ca în figura 2. semnalul fiind distorsionat. Amplificator de putere în clasă A Figura 2.15. în cazul acestor amplificatoare PSF se alege în zona de tăiere a dreptei de sarcină. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă B Dacă semnalul de intrare iB~ creşte excesiv. Pentru ca semnalul de ieşire să fie tot .2.14. PSF (punctul M) poate ajunge în poziţia A”. unde Pc este puterea consumată de amplificator de la sursa auxiliară de alimentare). figura 2.16.2. Figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 45 Randamentul unui amplificator în clasă A nu depăşeşte 50% (η=Pu/Pc.16.

i S = i C1 + i C 2 (2. Figura 2. numită şi tranzistor compus. aceeaşi conexiune este realizată cu două tranzistoare complementare (T1 –npn. formează prin însumare curentul alternativ de sarcină (iS) prin RS.2.46 Capitolul 2 sinusoidal (ca cel de intrare).17 Dacă la intrare se aplică semialternanţa pozitivă. Amplificator de putere amplificatorul în clasă B Figura 2.18.17: 1-npn şi 2-pnp. iC1 şi iC2.17.19).19-b.14) unde: (2. Curentul de sarcină pentru din figura 2. 2. Ansamblul tranzistoarelor într-o conexiune Darlington se numeşte dublet. iar al doilea este un tranzistor de putere (T1). figura 2. invers.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utilizând conexiunea Darlington. conduce T1 iar T2 este blocat şi. β N = β N1 + β N2 + β N1 β N2 ≅ β N1β N2 . etajul de amplificare se realizează cu două tranzistoare complementare.2. dintre care primul este numit tranzistor de comandă (T2 . În acest ultim caz conexiunea Darlington se numeşte cu inversare de polaritate. pentru semialternanţa negativă. figura 2.18. În figura 2.de putere mică sau medie).19-a conexiunea Darlington este realizată cu două tranzistoare npn (fără inversare de polaritate). iar în figura 2. Curentul de colector al tranzistorului compus este: i C = i C1 + i C2 ≅ β N1i B1 + β N2i B2 = β N2i B + β N2i E 2 = β N 2i B + + β N1 (i C2 + i B2 ) = β N 2i B + β N1β N 2i B2 + β N1i B2 = β N i B (2. Cei doi curenţi de colector.15) Din ultima relaţie se observă că tranzistorul compus realizează o amplificare în curent mare. Randamentul acestui amplificator în clasă B este de circa (70÷75)%. Această conexiune este formată din două tranzistoare (figura 2. pentru ca amplificarea celor două alternanţe să se facă în cantităţi egale (amplitudini egale).13) În schema prezentată este necesar ca tranzistoarele să aibă caracteristici statice identice. T2 –pnp).

20 este prezentat etajul de amplificare în montaj diferenţial.două divizoare de tensiune la intrări. Acest fenomen constă în modificarea în timp a tensiunilor la ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea acestuia semnalul se menţine constant sau este nul. Etaj de amplificare diferenţial . . . care asigură tensiunile U1 şi U2. Figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 47 Figura 2. rezultă în timpul funcţionării un fenomen numit ”deriva nulului” (sau derivă termică).20. . Ele sunt utilizate în construcţia aparatelor de măsură şi automatizare. 2.o ieşire simetrică între bornele AB (Ue ≡UAB). unde se disting: .19. Conexiune Darlington: fără schimbare de polaritate 2. Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizează două metode: a) folosirea unui montaj diferenţial în schema de amplificare.3.două ieşiri nesimetrice (Ue1 şi Ue2).două intrări simetrice Ui1 şi Ui2 .3 Amplificatoare de curent continuu Acestea sunt destinate amplificării semnalelor lent variabile care au frecvenţa minimă din spectru egală cu zero. ca urmare. b) utilizarea schemei de amplificare care se bazează pe principiul modulăriidemodulării. Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea directă între etajele de amplificare.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial În figura 2.

⇒ iB2 ↑ ⇒ iC2 ↑ ⇒ Ue2 ↓. dar iC2 ≈ iE2 ↑. Dacă Ui1 ↑ ⇒ iB1 ↑ ⇒ iC1 ↑ ≈ iE1 ↑ ⇒ Ue1 ↓ U BE1 = U1 − R E (i E1 + i E 2 ) U BE 2 = U 2 − R E (i E1 + i E 2 ) (2. Dacă se aplică simultan semnale la ambele intrări.16) (2. Cazul I: Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitele de emitor rezultă ecuaţiile: Ui1 ≠ 0 (Ui1 ↑) Ui2 = 0 ⇒ U2 = const. având ca elemente de echilibrare potenţiometrul P şi reostatul R.16). În acest caz rezultă: iC1 creşte şi iC2 creşte. figura 2. rezultând o tensiune constantă la ieşirea simetrică (Ue =UAB=const).21. Figura 2. Ui2 ≠ 0 (Ui2 ↑) Dacă Ui2 ↑. ⇒ (2.18) U BE1 ↓. ↓ ≡ scade.17) ⇒ U BE 2 ↓ ⇒ iB2 ↓ ⇒ iC2 ↓ ⇒ Ue2 ↑ Cazul II.48 Capitolul 2 Explicarea atenuării fenomenului de derivă: considerăm Ui1=Ui2=constant şi că temperatura T creşte. din (2. .21. Ui1= 0 ⇒ U1= const.17) Dacă iE1 ↑. Ue2 au variaţii opuse în raport cu creşterea semnalului la una dintre intrările amplificatorului. ceea ce conduce la scăderi ale tensiunilor Ue1 şi Ue2 în cantităţi egale. Funcţionarea în regim de amplificator Pe parcursul explicaţiilor se utilizează notaţiile simbolice: ↑ ≡ creşte. din (2.22-a se dă schema unui etaj diferenţial. unde K este factorul de amplificare pentru montajul diferenţial. Aceste variaţii sunt ilustrate în planul caracteristicilor de transfer. tensiunea la ieşire va fi dată de relaţia: Ue=K⋅(Ui1-Ui2). deci iB1 ↓ ⇒ iC1 ↓ (scade) ⇒ Ue1 ↑(creşte) Concluzie: Cele două tensiuni la ieşirile nesimetrice Ue1. considerând aceste semnale neegale (Ui1 ≠ Ui2). Tensiunile de ieşire ale amplificatorului diferenţial Observaţii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dublă faţă de pantele caracteristicilor referitoare la ieşirile simetrice. În figura 2.

23. 2. Figura 2. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie negativă de tensiune . Exemplu: Prin creşterea rezistenţei R curentul iC ≅ iE1+iE2 se micşorează.Amplificatoare şi oscilatoare 49 S-a considerat iniţial că etajul nu este echilibrat. până când se obţine echilibrarea amplificatorului (intersecţia caracteristicilor statice are loc în originea axelor de coordonate).4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei Reacţia – în cazul amplificatoarelor – constă în aplicarea (introducerea) la intrarea acestuia a unei părţi din energia mărimii de la ieşire.22-b).22. Există însă şi situaţii în care reacţia negativă apare accidental. Prin ajustarea potenţiometrului P se deplasează caracteristicile pe orizontală. iar cu ajutorul reostatului R se deplasează caracteristicile pe verticală. adică intersecţia caracteristicilor statice nu are loc în origine (figura 2. acesta se realizează prin circuite specializate (dimensionate în faza de proiectare). a cărui schemă bloc este prezentată în figura 2. iar tensiunea de ieşire comună creşte. Figura 2. determinând o deplasare în sus a caracteristicilor. Se consideră un amplificator cu reacţie negativă de tensiune.23. b) deplasarea caracteristicilor statice. Echilibrarea etajului diferenţial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare. Când reacţia negativă este necesară în amplificatoare. prin intermediul unei legături inverse (ieşire-intrare). fiind determinată de cuplaje parazite.

din relaţia precedentă se obţine: (2.23). (2. pentru cazul reacţiei negative de tensiune (figura 2. Dacă circuitul de reacţie este format numai din rezistoare atunci β este un număr real.28) şi împărţind membrul drept prin A.21) se obţine: Ue + β ⋅ Ue = Ui A Împărţind ultima relaţie la U i .20) şi (2.este tensiunea la intrarea amplificatorului fără reacţie.23) Din relaţiile (2.20).27) În cazul reacţiei negative semnalul de la ieşire (Ue) este în antifază cu semnalul de la intrare (U).este tensiunea la ieşirea amplificatorului.22) Ur = β ⋅ Ue (2. Reacţia pozitivă se obţine când tensiunea Ue de la ieşire este în fază cu semnalul U. Circuitul de reacţie este realizat. exprimat prin relaţia: A= Ue U (2.19). se pot scrie următoarele ecuaţii: U + U r − Ui = 0 (2. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare şi cel de reacţie (figura 2.26) Rezultă că.23 acest factor este exprimat prin relaţia: Ar = Ue Ui (2. amplificarea este exprimată prin relaţia: Ar = (2.A este factorul de amplificare al amplificatorului fără reacţie.25) Ar + β ⋅ Ar = 1 A A 1+β⋅A (2. rezultă: . .19) unde: Ue .28) Pornind de la relaţia (2. printr-o reţea de elemente pasive şi este caracterizat prin factorul de reacţie β: β= Ur Ue (2.50 Capitolul 2 Semnificaţiile notaţiilor din figură sunt: .20) unde: U i este tensiunea aplicată la intrare.23).24) (2. Conform figurii 2.21) unde: Ur este tensiunea de reacţie. de obicei.Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacţie de tensiune. U . se obţine: Ue U +β e =1 A ⋅ Ui Ui Ţinând seama de expresia lui Ar (2. Amplificarea unui amplificator cu reacţie pozitivă de tensiune este dată prin relaţia: Ar = A 1−β⋅A (2.

• 2. fiind conceput să funcţioneze într-o gamă largă de frecvenţe. dar acest lucru nu reprezintă un inconvenient prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A mai mare decât cea dorită.29) Pentru A→ ∞ . diferenţiere etc). 4) impedanţa de intrare Zi → ∞. 6) 1ăţimea benzii de trecere B → ∞. Cele mai utilizate scheme cu AO sunt: . • Creşte stabilitatea în timp a amplificării. Principalii parametri idealizaţi sunt: 1) amplificarea în buclă deschisă A0 → ∞. AO este caracterizat de o amplificare foarte mare.30) Consecinţele reacţiei negative în amplificatoare: Se micşorează amplificarea A. Relaţia (dependenţa) intrare-ieşire poate fi liniară sau neliniară. în funcţie de structura circuitului de reacţie aferent amplificatorului. Uieşire=0 în orice moment în care la intrare nu se aplică semnal). 7) variaţia defazajului Δϕ ≅ 0.Amplificatoare şi oscilatoare 51 Ar = 1 1 +β A 1 β (2.5 Amplificatoare operaţionale Un amplificator operaţional (AO) este un amplificator la care cuplarea între etaje se face direct. • Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului. astfel încât amplificarea cu reacţie să rezulte la valoarea impusă. • Se ameliorează (îmbunătăţesc) parametrii calitativi ai amplificării. scădere. 3) curentul de polarizare pe cele două intrări neglijabil. • Creşte lăţimea benzii de trecere. integrare. Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaţii de calcul simple. Amplificatorul inclus în structura oricărui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenţial integrat). Amplificatoarele operaţionale se clasifică după natura relaţiei intrare-ieşire. proprietate foarte utilă în echipamentele de măsură şi de automatizare. 2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabilă. 5) impedanţa de ieşire Ze → 0. (foarte mare) rezultă: A r ≅ (2. • Se modifică favorabil impedanţele intrare-ieşire. Un AO foloseşte reţele de reacţie a căror structură (rezistenţe şi capacităţi) permite realizarea unor operaţii matematice (adunare. • Se micşorează distorsiunile de neliniaritate. iar erorile introduse sunt în limitele admise. majoritatea amplificatoarelor utilizează acest tip de reacţie. Observaţie: Datorită avantajelor oferite de reacţia negativă.

33). Figura 2.realizează înmulţirea cu o constantă şi inversarea semnului tensiunii de intrare. Figura 2.33) Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicată în nodul de curenţi M rezultă: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată în circuitul de ieşire rezultă: i = io + i1 .31) se obţine: i1 ≅ Din (2. Ro ⋅ Ui .34) (2.27. rezultă: Ui=Roio+U (2.25. unde K = R1/Ro (2. ⇒ io ≅ − i1 Ue=R1i1+U Ue R1 se (2. Schema de principiu a unui AO în montaj inversor Figura 2. i ≅ 0 ş i U ≅0 (2.27.31) Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare.52 Capitolul 2 1) Amplificator operaţional în montaj inversor . Schema de principiu a unui AO în montaj neinversor Figura 2.24.36) obţine: Ţinând cont de (2.26. iar simbolizarea este prezentată în figura 2.26. Simbolizarea unui AO inversor Întrucât amplificatorul de curent continuu are impedanţa de intrare şi amplificarea în circuit deschis foarte mari. pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui) se consideră ipotezele: Z i → ∞ . iar schema simbolică este dată în figura 2. Schema electrică a acestui amplificator este dată în figura 2.37) 2) Amplificator operaţional în montaj neinversor – realizează înmulţirea tensiunii de intrare cu o constantă pozitivă supraunitară.32) Ţinând seama de (2. Simbolizarea unui AO neinversor .31) se obţine: i o ≅ Ui Ro (2. (2.34) şi (2. Schema de principiu este prezentată în figura 2.24.35) (2.K Ui .35) Ue U =− i R1 Ro sau U e = − R1 Rezultă: Ue= .25.

U≅0. se determină (utilizând legea lui Ohm) curenţii prin rezistoarele conectate la intrările amplificatorului: i o1 = U i1 U U . utilizat frecvent ca element de adaptare. aplicată în cele două noduri de curenţi..29.40) Observaţie: Pentru R0 → ∞ şi R1 = 0 se obţine circuitul repetor.i1 Ue = −i 0 R1 (2.28. i o 2 = i 2 .42) (2. adică Zi → ∞ .. Figura 2..44) (2.41) Teorema I-a a lui Kirchhoff. + i0n i0= . se obţine: Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ . întrucât asigură rezistenţa de intrare foarte mare şi rezistenţa de ieşire mică... +KnUin) (2.46) .28. Simbolizarea unui sumator-inversor Considerând aceleaşi ipoteze din (2..31). din (2.45) i1=Ue/R1 sau Înlocuind în (2. iar simbolizarea este dată în figura 2. i ≅ 0..38) Neglijând mărimile U şi i.29.43) (2. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2. conduce la relaţiile: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire se obţine: i0=i01 + i02+ . cu semn schimbat.. Schema de principiu a unui AO în montaj sumator-inversor AO Figura 2.31) şi aplicând aceeaşi procedură se obţin: 53 ⎧ R 0i 0 + U + U i = 0 ⎪ ⎨U e + R 0i 0 − R1i1 = 0 ⎪ i = i 0 + i1 ⎩ (2.39) unde: K =1+ R1 Ro (2.41). 3) Amplificatorul sumator-inversor realizează suma ponderată. conform relaţiei (2. i on = in R 01 R 02 R 0n (2.Amplificatoare şi oscilatoare Utilizând aceleaşi ipoteze din (2.31). a tensiunilor de intrare.38) rezultă expresia caracteristicii externe: Ue = K⋅Ui (2.45) componentele curentului i0 din relaţia (2.

. iar capacitatea C se exprimă în farazi.54 unde Capitolul 2 K1 = R1 R R . ∑ K jUij (2.48).30..31. din (2. Atunci când .31. tensiunea de ieşire se poate exprima prin relaţia: ∫ Uidt sau U e = − Ti 1 ∫ Ui (τ)dτ + U e (0) (2. Ti=RC este timpul de integrare. unde K = ∫ 1 1 = Ti RC (2. U≅0) şi procedând similar. generează semnale periodice de forma: U(t)=U⋅sin(ωt) sau de orice altă formă.51) 2. Schema de principiu a unui AO montaj integrator-inversor Figura 2. Tensiunea Ue(0) se figurează la borna de ”condiţie iniţială” (figura 2.50) U e = − K U i dt + U e (0) .31). dacă valoarea rezistenţei R este exprimată în ohmi.6 Oscilatoare Acestea sunt circuit care. Simbolizarea unui AO în integrator-inversor Utilizând aceleaşi ipoteze (Zi → ∞ .49) Ţinând seama de ipotezele (2. Ue(0)=0 dacă condensatorul este descărcat la momentul aplicării semnalului de intrare şi Ue(0)≠0 dacă condensatorul este încărcat la momentul aplicării semnalului de intrare.. iar simbolizarea este dată în figura 2.47): n j=1 4) Amplificatorul integrator-inversor furnizează la ieşire un semnal proporţional cu integrala tensiunii aplicate la intrare.47) Figura 2. . utilizând dispozitive electronice active. K n = n R 01 R 02 R 0n Ue = − În general. Dacă timpul de integrare nu este limitat.49) rezultă: t Ue = − 0 Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din circuitul de reacţie) în momentul aplicării semnalului de intrare (t=0). caracteristica de transfer se poate exprima prin relaţia (2. se obţin relaţiile: Ui = R⋅i0 şi i0 = -i1 (2.30.31) şi relaţiile (2. i ≅ 0. K 2 = 2 . exprimat în secunde.48) Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire rezultă: Ue = 1 CR 1 i1dt +U C ∫ (2. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2.

figura 2. Figura 2. Schema echivalentă a circuitului oscilant LC din figura 2. iar R este conductanţa de pierderi a condensatorului. Pierderile de energie care duc la micşorarea amplitudinii se datorează lui r şi R. Figura 2.33-a Pentru a realiza oscilaţii întreţinute (cu amplitudine constantă).33-b. Schema de principiu este prezentată în figura 2. Figura 2. . adică amortizarea oscilaţiilor. cu energie adusă din exterior prin intermediul unor rezistenţe negative.33-a.34.33-a. se va amortiza în timp (îşi micşorează amplitudinea) datorită pierderilor de energie prin rezistenţa electrică echivalentă a circuitului capacitiv-inductiv (L-C). semnalul util produs de oscilator. figura 2. În acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare care să funcţioneze în regiunea de rezistenţă negativă (dioda tunel. în circuitul oscilant real este necesar să se recupereze (compenseze) energia pierdută. tiristorul etc). Schema de principiu a unui oscilator Principiul de întreţinere a oscilaţiilor Se consideră circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C în paralel cu o inductivitate L.Amplificatoare şi oscilatoare 55 semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numeşte armonic. Sub acţiunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau naştere oscilaţii armonice având frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă dată de relaţia: f0 = 1 2π LC (2. controlate prin curenţi sau prin tensiune. Schema echivalentă a circuitului oscilant anterior este ilustrată în figura 2.33-b.32. Semnalul produs de circuitul LC Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie care determină stingerea. Circuit oscilant LC Figura 2.34.52) Semnalul U(t). unde: r este rezistenţa electrică a bobinei care are inductanţa L.32.

k=0. Acestea au calea . Rezultă că reţeaua de reacţie trebuie să introducă un defazaj nul. 2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistenţe negative (oscilatoare de relaxare).. este un fapt real şi o metodă utilizată în proiectarea oscilatoarelor. care însumate cu rezistenţele r şi R (figura 2.35-b. Condiţia întreţinerii oscilaţiilor implică respectarea a două principii: a) respectarea relaţiei lui Barkhausen (de autooscilaţie). b) respectarea condiţiei de fază: ϕ A + ϕβ = 2kπ .figura 2.54) Relaţia (2. 1. Oscilatoarele cu reacţie pot fi de tip LC sau RC. dacă defazajul amplificatorului (cu număr impar de etaje) este (2k+1)π. 2.34). oscilatoarele pot fi: 1) oscilatoare de tip amplificator cu reacţie pozitivă. Producerea oscilaţiilor întreţinute prin anularea rezistenţei din circuit cu ajutorul unor rezistenţe dinamice negative. Figura 2.53) Prin ϕA s-a notat defazajul dintre semnalul de ieşire ( Ue .56 Capitolul 2 Caracteristica statică a diodei tunel şi respectiv a tiristorului sunt date în figura 2.35-c) şi semnalul de intrare ( U i ).53) arată că defazajul total introdus de amplificator şi circuitul de reacţie trebuie să fie un multiplu întreg de 2π. ϕβ este defazajul dintre semnalul de reacţie ( U r ) şi semnalul de ieşire ( Ue ). ..35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel. Oscilatoarele pot fi realizate şi cu amplificatoare ce au reacţie pozitivă. atunci A r → ∞ . b) Caracteristica curent-tensiune a tiristorului. dacă produsul βA tinde la valoarea 1. β ⋅ A = 1 . unde: A = A ⋅ exp( j ⋅ ϕ A ) şi β = β ⋅ exp( j ⋅ ϕβ ) (2. n (argumentul lui Acomplex + argumentul lui βcomplex = 2kπ) adică: arg A + arg β = 2kπ (2. c)Schema bloc a unui oscilator cu reacţie Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistenţe negative. sau un defazaj de 1800. care arată că produsul în modul al amplitudinilor trebuie să fie egal cu unitatea. la care amplificarea complexă este: A r = A . După modul de realizare. dacă defazajul amplificatorului este 2kπ (cu un număr par de etaje). deci semnalul de reacţie trebuie să fie în fază cu semnalul de intrare. dau o rezistenţă echivalentă egală cu zero. 1 − βA În acest caz.35-a şi 2.. Cele mai utilizate oscilatoare cu reacţie de tip LC sunt oscilatoarele în trei puncte.

formată din trei celule RC.36.56) f0 = 1 6 + 4R / R C 2πRC (2. Schema de principiu a oscilatorului cu reţea RC . În timpul funcţionării singurul condensator care nu este scurtcircuitat este condensatorul variabil C. Defazajul fiecărei celule este de 60o.37 este prezentată schema electrică a unui oscilator având reţea de defazare ”trece jos”. În figura 2. Figura 2.57) Figura 2.55) ϕ t = 3 ⋅ Δϕ = π Frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă se poate calcula folosind relaţia: (2. Schema de principiu a oscilatorului Hartley La acest oscilator emitorul este legat la masă. Exemple de oscilatoare în trei puncte Oscilatorul Hartley (realizat cu reţea de defazare trece sus). alimentarea este serie iar sarcina este cuplată inductiv. aparatură electromedicală etc) fiind specifice benzilor de joasă frecvenţă.37. Δϕ = arctgRC = Se obţine un defazaj total al semnalului de reacţie. are schema de principiu prezentată în figura 2. automatizări. egal cu π (180o): π 3 (2.36.Amplificatoare şi oscilatoare 57 de reacţie formată dintr-un circuit LC selectiv (care reprezintă un filtru cu trei borne de acces). Oscilator având reţea RC (reţea de defazare trece-jos) Aceste oscilatoare au o largă utilizare în diferite domenii ale electronicii industriale (telecomunicaţii.

ştiind că amplificatorul în clasă A are rezistenţa de ieşire. Când un tiristor funcţionează ca şi o diodă ? Care este schema şi denumirea celui mai simplu amplificator de putere ? . Ce se înţelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se înţelege prin tensiune de zgomot (Uz) în cazul redresoarelor cu filtre ? 3. Care este deosebirea între un AO inversor şi un AO integrator – inversor? (Utilizaţi schemele electrice !) 9. Ce este deriva termică (deriva nulului) în cazul amplificatoarelor de curent continuu şi cum se atenuează aceasta ? 11.O. Ce formă de variaţie are tensiunea UCE la ieşirea unui etaj de amplificare în clasă B. Re = 40 KΩ ? 10. Re = 80 KΩ ? 8. Când apar distorsiunile de frecvenţă la amplificatoare şi cum se elimină acestea? 4. Ce este reacţia negativă în cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obţine practic reacţia negativă? 2. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. integrator şi ce se poate măsura la această bornă ? 7. Ce semnifică borna de condiţie iniţială în cazul A. Ce sunt distorsiunile de neliniaritate în cazul amplificatorului de joasă frecvenţă şi cum se elimină acestea ? 12.58 Capitolul 2 2. realizat cu un singur tranzistor? 6. Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o sarcină rezistivă (rs = 4 Ω).7 Întrebări 1. Ce diferenţă există între caracteristicile A[dB] = g(f) în cazurile: a) amplificatoare de radiofrecvenţă ? b) amplificatoare de audiofrecvenţă ? 5.

furnizează la ieşire o tensiune continuă diferită de cea de la intrare. prin elemente neliniare unidirecţionale (diode.1-c). Mutatoarele din această categorie stau la baza sistemelor de acţionări recuperative cu maşini de c.a.) – fie în regim de redresor. În schemele din figura 3. cu anumiţi parametri. maşina electrică funcţionează ca motor şi transferul energetic se face de la reţeaua de c. (figura 3. figura 3. în ambele sensuri. tiristoare etc).c.a.). în acest caz.c.2-b).a. de frecvenţă f1. Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor îl reprezintă funcţiile realizate de acestea. tensiunea . (figura 3. În regim de frânare..1-b). polaritatea tensiunii continue etc.a. în energie electromagnetică debitată la ieşire.1-a. converteşte frecvenţa sau amplitudinea curentului alternativ. Dacă mutatorul funcţionează în regim de redresor. Convertorul de c. transferul energetic se face într-un singur sens.c. de regulă 50 Hz (când se numesc invertoare de reţea sau neautonome).c. comanda mutatorului poate asigura funcţionarea acestuia în regim de invertor (neautonom).2-a) şi sub formă de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3.c. după cum urmează. Frecvenţa f2 a curentului alternativ poate fi variabilă (în cazul invertoarelor autonome) sau fixată la o anumită valoare.1-a şi b. obţinându-se transferul energetic (recuperarea) de la reţeaua de c. (figura 3.).c.CAPITOLUL 3 REDRESOARE 3. (figura 3.a. Pentru convertorul cu circuit intermediar. numite mutatoare.1 Noţiuni generale Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clasă mai largă de echipamente electrice. Invertorul transformă curentul continuu în curent alternativ (figura 3. (figura 3. Transferul energetic se poate face. când maşina electrică lucrează ca generator de c. În primul caz.3-b). fie în regim de invertor (neautonom). în curent continuu (c.c. Mutatoarele transformă. Redresorul este un circuit electronic care transformă curentul alternativ (c.a.2-c) se mai numeşte variator de c.c. numit şi variator de c. energia electromagnetică primită la intrare. El poate fi: cu circuit intermediar de c. Este însă posibil ca aceeaşi schemă de mutator să funcţioneze – în funcţie de condiţiile de lucru (comanda primită. cu alţi parametri. mutatorul se mai numeşte convertor static de frecvenţă şi poate fi realizat în două variante: cu circuit intermediar de c.3-a) sau direct. la reţeaua de c. Convertorul de c. Convertorul care modifică amplitudinea tensiunii de c.

ƒ Mutatoare având comutaţie proprie. În majoritatea mutatoarelor. Figura 3. Dacă această energie provine de la reţea.2. când valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care preia conducţia este întotdeauna mai mare decât valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care cedează conducţia. mutatorul are comutaţie (forţată) de la sarcină.3. pe fiecare fază a reţelei de c. Mutatoare Figura 3. Figura 3. Convertor de c. funcţionarea acestor elemente este ciclică. presupune – de regulă – un consum de energie reactivă din exterior. • Mutatoare având comutaţie forţată. invertoare neautonome şi .a. Trecerea conducţiei de la un ventil la altul se numeşte comutaţie. După provenienţa acestei energii. Dacă energia este dată de circuitul sarcinii (de la ieşire).60 Capitolul 3 de ieşire (U2) poate fi mai mică sau mai mare decât tensiunea de intrare (U1). Convertoare statice de c. când energia reactivă este preluată din exterior. Mutatoarele care au comutaţie naturală sunt redresoare cu diode.c. când energia reactivă necesară este furnizată de însuşi mutatorul respectiv. când condiţia de comutaţie naturală nu este respectată. utilizează. Prelungirea conducţiei unui ventil..a. mutatorul va avea comutaţie (forţată) de la reţea. după cum transformatorul este coborâtor. mutatoarele care au comutaţie forţată pot fi: ƒ Mutatoare având comutaţie externă.1. dincolo de momentul comutaţiei naturale. respectiv ridicător de tensiune.a. Comutaţia forţată externă se întâlneşte în redresoarele comandate. mutatoarele se împart în următoarele categorii: • Mutatoare având comutaţie naturală. După modul de realizare a comutaţiei. Mutatoarele care funcţionează cu intrarea şi/sau ieşirea în c. elemente de conducţie unidirecţională numite şi “ventile” semiconductoare (diode şi/sau tiristoare).

variatoare de c. Sub aspectul funcţiei realizate.2. datorită polarizării inverse. toate redresoarele se încadrează în categoria mutatoarelor. 3. cu valoare de asemenea impusă. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u 2 = 2U 2 sin ωt . STC. în care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de “blocare” forţată: invertoare autonome. În acelaşi timp. precum şi tratarea lor specifică. Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativă din înfăşurarea primară la valoarea U2 (în secundar). Redresorul R este elementul esenţial al schemei. conectat între filtru şi sarcină. în condiţiile cunoaşterii tensiunii de alimentare U1. de regulă. de la ieşirea filtrului se poate modifica. În timpul semialternanţei negative. de valoare impusă. fie din cauza variaţiei tensiunii de alimentare U1. În figura 3. Comutaţia proprie este specifică unei categorii de mutatoare.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă Schema redresorului monofazat monoalternanţă este dată în figura 3. La ieşirea lui se obţine tensiunea redresată ur. Aceste circumstanţe au determinat includerea în capitolul de mutatoare a redresoarelor de mică putere realizate sub forma redresoarelor monofazate. dioda D (care reprezintă redresorul) este polarizată în sens direct şi conduce. care are o componentă continuă (utilă) şi o componentă alternativă. necesară obţinerii tensiunii continue U0. U0.2 Redresoare monofazate necomandate 3. dioda este blocată şi ur = 0. etc. Tensiunea continuă. la bornele sarcinii Rs. Scopul urmărit este de a obţine o tensiune continuă. la puteri mici.4. U0.c. mutatoarele reprezintă circuite electronice de putere. într-un paragraf distinct.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere Redresoarele monofazate se utilizează.Redresoare 61 convertoare directe de frecvenţă. Filtrul F are rolul de a diminua componenta alternativă din tensiunea redresată. are rolul de a menţine constantă tensiunea U0 (stabilizatoarele vor fi prezentate în capitolul 4).5-a.4 este dată schema-bloc a unui redresor monofazat de mică putere. deci ur = u2. Diagramele tensiunilor u2.5-b. Figura 3. definind un domeniu cunoscut sub numele ”electronică de putere”. ur şi a curentului prin sarcină sunt date în figura 3. fie din cauza modificării rezistenţei de sarcină Rs. . Stabilizatorul de tensiune continuă. Schema bloc a unui redresor monofazat de mică putere 3.

deci este periodic şi pulsatoriu.5) Dacă se doreşte exprimarea detaliată a componentei alternative (u~).45 ⋅ U 2 2π π 0 Curentul redresat prin rezistenţa de sarcină este proporţional cu tensiunea ur . Din relaţia (3. Redresor monofazat monoalternanţă Componenta continuă U0 este egală cu valoarea medie a tensiunii redresate şi se calculează cu relaţia: T U0 = 1 ⋅ T ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) 0 (3. ur= 1 U0 = ⋅ 2π = ∫ 0 1 u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = ⋅ 2π ∫ 0 π 2U 2 sin(ωt ) ⋅ d (ωt ) = (3. astfel: 2π ⎡π 2π).3) ⎥ 2π ⎢ 0 π ⎣0 ⎦ ∫ ∫ Din diagramele tensiunilor (figura 3.2) se poate exprima 1 U0 = ⋅ T ∫ 2π ⎤ 1 ⎢ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = u r (ωt ) ⋅ d (ωt ) + u r (ωt ) ⋅ d (ωt )⎥ (3.5. ur= 0. atunci tensiunea redresată se poate exprima prin relaţia: ∞ (3. exprimat prin relaţia: ir = ur Rs (3. π].62 Capitolul 3 Se observă că tensiunea redresată ur este o tensiune periodică pulsatorie având perioada T = 2π.2) Înlocuind valoarea perioadei (T = printr-o sumă de două integrale.4) π 2 2 ⋅ U 2 [− cos(ωt )] = ⋅ U 2 ≅ 0. Tensiunea redresată conţine o componentă continuă (U0) şi o componentă alternativă (u~): ur = U0+ u~ (3.3) se obţine: π [0.5-b) se observă că în intervalul u2. integrala din (3. iar în intervalul [π.1) Figura 3. 2π].6) u r (ωt ) = U 0 + ∑ 2U n sin( nωt + ϕ n ) n =1 .

10) Înlocuind în relaţia (3. iar coeficienţii an şi bn se pot calcula utilizând relaţiile (3. iar ϕn – faza iniţială a armonicii de ordinul n. (3. În cazul analizat coeficientul de redresare Kr este: Kr = U0 U2 = 0. ur.8). şi componenta continuă U0 : .10). Relaţia (3.9) sin( ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d ( ωt ) 2U 2 π ∫ 0 u r (ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 −2 ⋅ .Redresoare 63 unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n..9) şi (3.7) u r (ωt ) = b 0 + ∑ a n sin( n ⋅ ωt ) + ∑ b n cos(n ⋅ ωt ) n =1 n =1 Coeficienţii seriei Fourier se definesc prin: T 2π ⎡π ⎤ 1 b0 = U0 = T ∫ 0 u r ( ωt ) d ( ωt ) = 1 ⎢ u ( ωt ) d ( ωt ) + u r ( ωt ) d ( ωt ) ⎥ = ⎥ 2π ⎢ r ⎢0 ⎥ π ⎣ ⎦ ∫ ∫ 0 Se observă că valoarea componentei continue (U0) este exprimată de coeficientul b0 al seriei Fourier. F. şi factorul de ondulaţie..8) an = 1 π ∫ 0 u r (ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 π = 1 bn = π = 2π ∫ 0 π (3. Factorul de formă este raportul dintre valoarea eficace a tensiunii redresate. γ.9) şi (3.6) se poate scrie sub forma trigonometrică a unei serii Fourier şi devine: ∞ ∞ (3. an şi bn din relaţiile (3.12) Ponderea componentei alternative în tensiunea redresată se poate evalua prin factorul de formă.11) ⎜1 + sin(ωt ) − 2 1⋅ 3 π ⎝ 3⋅5 ⎠ Raportul dintre tensiunea continuă pe sarcină şi valoarea eficace a tensiunii din secundar se numeşte coeficient de redresare.10) se obţine: u r ( ωt ) = 2U 2 ⎛ 2 2 π ⎞ cos(2 ωt ) − cos(4 ωt ) − . 2 π n −1 ∫ 0 π sin(ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d(ωt ) = (3.45 (3.7) coeficienţii b0. (3. 2π 1 = 2π ∫ π 2U 2 sin(ωt ) d (ωt ) = 2 U 2 ≅ 0.⎟ .45 U 2 π (3.

(3.6-c. şi componenta continuă. Redresorul în punte are schema din figura 3. U∼ . = U0 2 2 U r − U0 = U0 2 2 ⎛ Ur ⎞ ⎜ ⎟ −1 = ⎜U ⎟ ⎝ 0⎠ 2 F −1 2 (3.211. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 . Cunoscând valorile eficace Un ale armonicilor de ordin n = 1. 3.14) ∫ ∫ T0 2π 0 2 2 F= 2 U 2 2 π π = = 1. Schema redresorului având transformator cu priză mediană este dată în figura 3. D2 şi D4 fiind blocate.13) Cu cât F este mai apropiat de unitate.7. Cele două secţiuni ale înfăşurării secundarului transformatorului sunt identice ' " şi deci u 2 = − u 2 .19) Aceasta determină o anumită putere aparentă.18) În cazul redresorului monoalternanţă se obţine Puterea în curent continuu este: γ = 1. necesară transformatorului.. cu atât ponderea componentei alternative în tensiunea redresată este mai mică..64 Capitolul 3 F= ur U0 (3. 2. iar diodele D1 şi D3 sunt blocate. Diodele D1 şi D2 conduc alternativ.57 2 2 U2 (3.15) Factorul de ondulaţie se defineşte ca raportul dintre valoarea eficace a componentei alternative.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă Redresoarele dublă alternanţă se realizează după două scheme: cu transformator având priză mediană în secundar. U P0 = U 0 I 0 = 0 Rs 2 (3. … .6-a. valoarea eficace U∼ este: 2 2 U∼ = U1 + U 2 + .. . astfel încât tensiunea redresată şi curentul prin sarcină au forma din figura 3. În semialternanţa negativă conduc diodele D2 şi D4 . sau utilizând schema de redresare în punte.17) şi rezultă U γ = ~ = U0 U1 + U 2 + . La redresorul monoalternanţă avem: 1T 2 1 π 2 2 2 Ur = u r ( ωt ) d ( ωt ) = 2U 2 sin (ωt ) d (ωt ) = U (3.16) sau 2 2 U∼ = U r − U 0 (3.2..

respectiv I0) şi o componentă alternativă. Expresia analitică a tensiunii redresate. cu deosebirea că în acest caz perioada este egală cu durata unei semialternanţe (T = π). Redresor dublă alternanţă folosind transformator cu priză mediană: a) schema. γ = 0.9). puterea de calcul a transformatorului este ST = 1. Comparând cele două scheme de redresare dublă alternanţă se pot reţine următoarele: • pentru aceeaşi putere P0 în sarcină. pentru o putere P0 dată.7. puterea aparentă necesară a transformatorului este mai mare la schema cu punct median. tensiunea şi curentul prin sarcină au două componente: o componentă continuă (U0 . pe o perioadă a tensiunii u2 este: ⎧ ⎡ T⎤ 2 U sin( ω t ) pentru t ∈ 0.9 ⋅ U 2 π (3. Astfel.23 P0.11. ST = 1. pentru schema cu priză mediană. iar componenta continuă este: U0 = 2 2 ⋅ U 2 ≅ 0.20) Componenta continuă a tensiunii redresate (U0) se calculează cu aceeaşi relaţie (3.6.3) ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. puterile aparente în înfăşurarea secundară şi înfăşurarea primară ale transformatorului se micşorează.21) Coeficientul de redresare este dublu faţă de schema monoalternanţă (Kr = 0. Redresor dublă alternanţă în punte Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. b) diagrama tensiunilor din secundar. iar la schema în punte. iar factorul de formă şi coeficientul de ondulaţie se ameliorează: F = 1.482. T ⎤ 2 ⎢ ⎪ ⎣2 ⎥ ⎦ ⎩ (3. c) diagrama tensiunii şi a curentului redresat Figura 3.Redresoare 65 Figura 3. De asemenea. 2 ⎪ ⎢ ⎣ 2⎥ ⎦ ⎪ ur = ⎨ ⎪− 2U sin(ωt ) pentru t ∈ ⎡ T . .48 P0.

c) tip π . ur. de a şunta armonicele de ordin superior. Figura 3. rezultă o cădere de tensiune pe diode dublă faţă de schema cu punct median.CLC sau CRC 3. (uc). cât şi pe proprietatea capacităţilor mari (conectate în paralel cu sarcina).22) u2 = ua + uc Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este în acelaşi timp.4 Filtrarea tensiunii redresate Pentru obţinerea unei tensiuni cu factor de ondulaţie mic la bornele rezistenţei de sarcină. Din relaţia anterioară rezultă căderea de tensiune (ua) pe dioda în conducţie: Presupunem că în momentul aplicării tensiunii de alimentare. Funcţionarea ei se poate urmări în diagrama din figura 3. Se observă că în intervalul (0 … ωt1) tensiunea din secundarul transformatorului (u2) este mai mare decât tensiunea la bornele condensatorului ua = u2 – uc. datorită conducţiei în permanenţă a două diode. 3.8. este necesară diminuarea componentei alternative din tensiunea redresată. condensatorul C este descărcat. Dioda conduce şi condensatorul se încarcă prin . Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din figura 3.9-b. rezultă: (3.2. pentru aceeaşi tensiune redresată este de două ori mai mare la schema cu punct median faţă schema de redresare în punte (deoarece tensiunea inversă ce apare în momentul blocării diodelor se distribuie pe două diode). b) inductiv-capacitiv.4.2. tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină (us) cât şi tensiunea după elementul redresor.9-a. cu ajutorul filtrelor. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea bobinelor de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului şi o reactanţă mare pentru componenta alternativă din curentul redresat.8.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este dată în figura 3. tensiunea inversă maximă pe diode. (u2 > uc) şi deci ua > 0.66 Capitolul 3 • • la schema în punte. Tipuri de filtre: a) capacitiv. Parametrul principal care le caracterizează este factorul de ondulaţie al tensiunii de la ieşire. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului.

adică intervalul de timp în care se încarcă condensatorul. La funcţionarea fără filtru capacitiv. iar ua < 0. aceasta incluzând rezistenţa echivalentă serie în secundarul transformatorului.. Ri. până în momentul ωt2. iar dioda se blochează. rezultă foarte mică.9-b s-a notat cu α unghiul de la care începe încărcarea condensatorului (considerând ca moment de referinţă. Constanta de timp de descărcare a condensatorului este Td = RsC şi este relativ mare (pentru că Rs este mai mare decât Ri). Rezistenţa de încărcare. Valoarea tensiunii continue U0.. curentul prin diodă este: unde: ia = ic + is ic = C du c d =C dt dt is = (3.23) [ 2 U 2 sin(ωt ) = ω C 2 U 2 cos(ωt ) 2 U2 sin(ωt ) Rs ] (3. Filtrul capacitiv micşorează durata de conducţie a diodei în intervalul 0 < β < π.ωt2) u2 < uc. În momentul ωt1 se obţine egalitatea uc = u2. În figura 3. deci ua = 0. precum şi amplitudinea componentei alternative. RDc.25) . trecerea prin zero spre valori pozitive a tensiunii u2).24) (3. dioda conduce pe întreaga semiperioadă a tensiunii u2 din secundarul transformatorului. Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducţie şi de blocare.Redresoare 67 Ri ≅ RS(Tr). Micşorarea rezistenţei de sarcină (Rs) are ca efect creşterea curentului de sarcină (Is) şi ca urmare tensiunea U0 scade. În continuare dioda conduce în intervalul (ωt2 .. Deci Ri = RS(Tr) + RDc β = ωt3 . RS(Tr) şi rezistenţa diodei în conducţie. În intervalul (ωt1. Dioda rămâne blocată şi condensatorul se descarcă prin rezistenţa de sarcină Rs. este foarte mică. care – la rândul lor – sunt determinate de mărimile C şi Rs. ωt2. depind mult de valoarea rezistenţei de sarcină. care reprezintă componenta continuă a tensiunii la bornele sarcinii. În intervalul de conducţie secundarul transformatorului şi diodă.ωt3). care este neglijabilă. tensiunea uc scade lent.. Ti = Ri C. iar componenta alternativă (u~) a tensiunii redresate creşte... adică β = π. sau Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaţii (având forma dinţilor de ferăstrău) în jurul valorii U0. Constanta de timp la încărcarea condensatorului. Unghiul la care încetează încărcarea condensatorului s-a notat cu ψ = α + β şi se numeşte unghi de blocare. Cu β s-a notat unghiul de conducţie. deci condensatorul se încarcă rapid.

2. I0N . influenţa rezistenţei de sarcină RS asupra tensiunii US este importantă. în condiţia 0 ≤ IS ≤ I0N . dar aşa cum s-a precizat anterior. Cele trei caracteristici reprezintă: • Curba 1 este caracteristica externă în cazul redresorului fără filtru. definit prin relaţia (3. reprezintă puterea pe care o poate debita redresorul în sarcină. Ideal.9. • curentul nominal. • tensiunea nominală.68 Capitolul 3 Figura 3.18) când redresorul funcţionează la putere nominală. b) diagrama tensiunilor şi curenţilor 3. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv: a) schema.10). • factorul de ondulaţie. atunci când redresorul funcţionează la putere nominală.10. U0N . în cazul redresoarelor cu filtru capacitiv. mai ales. PN .5 Parametrii redresoarelor de mică putere În cazul redresoarelor de mică putere parametrii şi caracteristicile importante sunt: puterea nominală a redresorului. • . ilustrată în figura 3. aceste caracteristici ar trebui să fie orizontale (liniile punctate din figura 3. în regim nominal de funcţionare. γ . Se observă o cădere de tensiune (la curent nominal) mică (ΔU01). reprezintă dependenţa US = f(IS). egală cu tensiunea continuă la bornele de ieşire. • caracteristica externă. exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N .

dată de relaţia următoare: Ri = − Această rezistenţă este de dorit să rezulte cât mai mică. În capitolul 4 se vor trata principiile de funcţionare şi schemele principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continuă.12. Dezavantajul pe care îl introduc filtrele – exprimat prin căderile de tensiune (ΔU02 . astfel încât caracteristica externă reală să fie cât mai apropiată de caracteristica ideală.10.27) .26) Figura 3. ΔU03) – poate fi compensat prin utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continuă (STC) conectate între filtre şi consumatori (sarcini). ce funcţionează în curent continuu. Deoarece majoritatea consumatorilor industriali. Caracteristicile externe ale redresorului 3.3 Redresoare trifazate necomandate Redresoarele trifazate (în general. La un moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenţialul cel mai ridicat. Un parametru care determină panta caracteristicii externe este rezistenţa internă a redresorului. polifazate) se construiesc pentru puteri nominale mari.Redresoare • 69 • Curba 2 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru capacitiv.11. Curentul prin sarcină este: is = i1 + i2 + i3 (3. Cea mai simplă schemă de redresor trifazat utilizează un transformator trifazat având secundarul conectat în stea (figura 3. este evidentă necesitatea utilizării filtrelor. Se remarcă o cădere mult mai mare de tensiune (ΔU02) corespunzătoare curentului nominal. Curba 3 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru π (CLC). ΔU S ΔIS (3.) Funcţionarea schemei se poate urmări în diagrama din figura 3. necesită o tensiune redresată cu un factor de ondulaţie cât mai mic. În această situaţie se observă o cădere de tensiune (ΔU03) mai mică decât în cazul redresorului cu filtru capacitiv.

29). calculată în relaţia (3. sau când sarcina are caracter inductiv.14. în intervalul (t2. prezentate în figura 3. în cazul sarcinii rezistive. În momentele ωt1 . Deci. Descrierea proceselor dintr-un redresor real cu sarcină inductivă se poate urmări în lucrarea [2]. o formă pulsatorie. tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele trasate cu linie întărită şi axa timpului. este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat simplu (conectat în stea): rezultă valoarea tensiunii U0: π 2π 1 α0 +T 1 6+ 3 U0 = u r (ω t )d (ω t ) = u r (ω t )d(ω t ) = 2π π T α0 3 6 ∫ ∫ ∫ U0 = 3 6 U 2 ≅ 2. iar sarcina redresorului este rezistivă. deci intervin inductanţele de scăpări ale acestuia. Valoarea tensiunii continue.28) π 2π 3 6+ 3 3 6 = 2U 2 sin(ω t )d(ω t ) = U 2 ≅ 1.13). Tensiunea ur de la bornele rezistenţei RS este egală cu tensiunea pe faza în care dioda conduce şi are forma curbei cu linie întărită din figura 3. la care sunt legate diode în conducţie.17 U 2 π 2π 2π 6 Descrierea funcţionării redresorului trifazat s-a făcut în ipoteza că transformatorul este ideal (are inductanţele de scăpări neglijabile).70 Capitolul 3 şi are. ur. apar efecte care complică funcţionarea redresorului. ωt2 . în special la producerea comutaţiei de pe o fază pe alta. Perioada (3. Astfel. ωt3 … se produce comutarea conducţiei de pe o fază pe alta. Tensiunea continuă tensiunii U0 de la bornele rezistenţei de sarcină este.29) . este schema de redresare trifazată în punte (figura 3.12. t3) conduc diodele D1 şi D6 etc. În schema redresorului se observă că la un moment oarecare conduc două diode: dioda cu potenţialul anodului cel mai ridicat şi dioda cu potenţialul catodului cel mai scăzut. situaţie ilustrată în figura 3. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei de sarcină este egală cu diferenţa potenţialelor între acele borne ale înfăşurării secundare. Funcţionarea acestui redresor se explică utilizând diagramele curenţilor prin faze.14. a curentului i0 (curentul prin sarcină) şi a tensiunii redresate. împărţită la perioadă (T). În cazul când se admite că transformatorul nu este ideal. integrala pe o perioadă a tensiunii ur fiind 2π/3.34 U 2 π (3. în intervalul (t1. t2) conduc diodele D1 şi D5 . datorită performan-ţelor superioare pe care le prezintă. prin definiţie. Se remarcă faptul că frecvenţa comutărilor este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat în stea. În schema redresor O schemă foarte des utilizată în practică. deci perioada pulsaţiilor tensiunii redresate este de două ori mai mică.

Redresor trifazat în stea Figura 3.11.13.14.12. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul în punte . Redresor trifazat în punte Figura 3.Redresoare 71 Figura 3. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul trifazat în stea Figura 3.

Care sunt semnificaţiile şi expresiile analitice ale parametrilor redresorului de mică putere Kr . Ce este deosebirea dintre un invertor (I) şi un convertor – static de frecvenţă? 2. F. γ ? . Cum se explică (justifică) relaţia τ d >> τ i în cazul redresorului cu filtru capacitiv ? 4.72 Capitolul 3 3. conectate la un transformator cu două secundare şi punct median? 3. Ce condiţie trebuie să îndeplinească cele două diode ale unui redresor bialternanţă.4 Întrebări 1.

În principiu tensiunea continuă poate fi stabilizată şi înainte de redresor. Parametrii stabilizatoarelor Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menţine. sau în paralel cu sarcina) şi cu reacţie (care funcţionează pe principiul sistemelor de reglare automată cu reacţie negativă). ale unei instalaţii industriale sau de laborator. menţinând constantă tensiunea alternativă cu stabilizatoare corespunzătoare. electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate). În prezent există un număr relativ mare de categorii şi tipuri de stabilizatoare electronice.1. parametrice (cu elemente neliniare.2 Stabilizatoare parametrice Cele mai răspândite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune continuă. montate în serie.CAPITOLUL 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE 4.1. iar în funcţie de metoda de stabilizare există stabilizatoare electromecanice (pentru tensiuni alternative şi continue la consumatori de mare putere). dacă tensiunea stabilizată este continuă.1 are avantajul că menţine constantă tensiunea pe sarcină indiferent de cauzele care tind să o modifice. Ele se pot conecta ca în figura 4. pot fi depăşite limitele admise şi pot să apară dereglări în funcţionarea instalaţiilor sau/şi erori de măsurare nepermise. Varianta din figura 4. motiv pentru care această variantă este cel mai des utilizată în practică. În acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice şi cu reacţie. În funcţie de mărimea electrică de stabilizat există stabilizatoare de tensiune şi de curent. care fac parte componentă din alimentatoarele celor mai diverse circuite . Figura 4.1 Noţiuni generale. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic 4. în limite strânse. În lipsa stabilizatorului. valorile tensiunii sau curentului de alimentare.

rezistenţa de sarcină se limitează astfel încât punctul de funcţionare M să se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii. punctul de funcţionare al diodei se găseşte în A. electronice. Principiul stabilizatorului parametric cu diodă Zener: a) schema. Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda Zener (figura 4. .2.2-a) a cărei proprietate principală este de a prelua variaţii importante ale curentului ( ΔI z ). În mod similar funcţionează stabilizatorul şi în cazul variaţiei tensiunii de reţea: dacă tensiunea reţelei creşte.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric Stabilizatoarele parametrice au ca elemente esenţiale diode Zener. Practic. cresc atât i 2 (într-o mică măsură). care să asigure valoare maximă admisă a curentului I z max prin dioda Zener.74 Capitolul 4 electronice. cu variaţii reduse ale tensiunii ( ΔU z ) la bornele ei (figura 4. creşte curentul i2 din RS.3) 4. iar punctul de funcţionare se deplasează spre B şi în continuare spre 0.2) Pentru RS = ∞. cât şi i z (într-o măsură mult mai mare). punctul de funcţionare se deplasează spre B. electromagnetice).1) ΔI z = Iz max − I z min ΔU z = U z max − U z min (4.2-b): (4. pentru a nu se ajunge în zona neliniară a caracteristicii.3. Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice. b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener Pentru o funcţionare normală a stabilizatorului este necesar ca rezistenţa de balast R să îndeplinească următoarea condiţie: R min < R < R max (4. Pe măsură ce RS scade. Figura 4. În cazul funcţionării în gol (RS = ∞) se alege o valoare pentru rezistenţa R (de “balast”). Invers. dacă tensiunea reţelei scade. a căror caracteristică tensiune-curent asigură stabilizarea tensiunii. tuburi cu gaz de tip stabilovolt sau stabilitron. Schema unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener este dată în figura 4.2. iar punctul M de funcţionare se deplasează spre A.

Pentru deducerea punctului static de funcţionare (PSF) al diodei se utilizează relaţiile: (4. Tensiunea aplicată la intrarea în stabilizator este tensiunea de ieşire din filtrul redresorului şi s-a notat cu E în schema din figura 4.7) Punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină (tăieturile) cu axele de coordonate sunt: . Modificarea PSF al diodei Zener la variaţia tensiunii de intrare (a) şi la variaţia rezistenţei de sarcină (b) Din relaţiile (4. Tensiunea de ieşire de pe rezistenţa de sarcină Rs este identică cu tensiunea anodică ua a diodei Zenner (DZ). astfel încât zona de stabilizare parametrică din caracteristica statică a diodei se va desena în cadranul 1 (figura 4.4) E = R ⋅ I + Ua I = I a + Is U Is = a Rs (4.Stabilizatoare electronice 75 Figura 4.4.3.5) (4. dată grafic sub forma caracteristicii statice a diodei Figura 4.2-b. Stabilizator parametric cu diodă Zener În această schemă sensurile adoptate pentru ia şi ua sunt inversate faţă de schema din figura 4.6) rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ⎛ R ⎞ E = R ⋅ Ia + ⎜ ⎜ R + 1⎟ ⎟ ⋅ Ua ⎝ S ⎠ (4.4) … (4. = f(ua).4).3.6) precum şi dependenţa ia Zener.

R Ua = E ⋅ Rs + R Rs (4. În funcţionarea stabilizatorului parametric pot exista două regimuri distincte de lucru: a) Dacă tensiunea de intrare E se modifică (creşte la valoarea E’.10) Se observă că E’ > E şi E” < E. dacă punctul de funcţionare M nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice a diodei Zener (DZ).). R U' = E' Rs + R Rs . R U" = E" Rs + R Rs (4. Concluzie: Proprietatea de stabilizare se păstrează în orice regim de lucru.9) Rezultă că înclinaţia (panta) dreptei statice de sarcină nu depinde de valoarea tensiunii E de la intrarea stabilizatorului.4-b). Înclinarea dreptei va fi aceeaşi (vezi figura 4. iar Rs = ct. respectiv U’ > U şi U” < U. Proiecţiile duse din M pe axele de coordonate determină coordonatele PSF.11) " ' R Rs + R Rs + R ' " Observaţie. tensiunea Ua rămânând practic constantă (vezi figura 4. atunci tăieturile dreptei statice de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. I" = E" .. S-a considerat: R s > R s şi R s < R s . modificarea tensiunii de intrare duce la modificarea curentului Ia . Şi în acest caz modificarea poziţiei punctului static de funcţionare afectează curentul prin diodă. însă tensiunea la bornele diodei.4-a dreapta statică de sarcină este reprezentată printr-o linie continuă. tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. . Deci. U' = E .4-b): " ' E Rs Rs I = I' = I" = . Aceste coordonate sunt: Ia 0 şi Ua 0 ≡ Uz.8) În figura 4. La intersecţia dintre caracteristica statică a diodei Zener şi dreapta de sarcină se obţine PSF notat cu M. dacă PSF nu intră în zona de curbură a caracteristicii statice. deci tensiunea pe sarcină este practic constantă dacă PSF (M) nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice. Punctul static de funcţionare al diodei Zener se păstrează pe porţiunea în care tensiunea Ua este practic constantă.4-a). sau scade la valoarea E”). " ' b) Presupunând că rezistenţa de sarcină Rs variază între valorile R s şi R s .4-a): I' = E' . iar tensiunea de la intrare rămâne constantă (E = ct.76 Capitolul 4 Ia = E . Panta dreptei statice de sarcină se exprimă prin relaţia: tg α = RR s R + Rs (4. U" = E (4.

În figura 4. reprezintă eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescrisă. a cărei valoare este comandată de semnalul de ieşire al amplificatorului 2. elementul de comparaţie 5 sesizează abaterea. Micşorarea rezistenţei elementului 1 duce la micşorarea căderii de tensiune U’ pe acest element.13) E = U'+ U 0 dată de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conservă în orice condiţie.2 Stabilizatoare cu reacţie având elemente de control serie şi amplificator de eroare Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) şi amplificator de eroare este cel mai răspândit. amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi comandă. obţinută la ieşirea elementului de comparaţie 5. Tensiunea Ur este proporţională cu valoarea reală a tensiunii U0: U r = U0 R1 = k ⋅ U0 R1 + R 2 (4.5.5.5. Figura 4. Dacă. Elementul de execuţie 1 se comportă ca o rezistenţă în serie. Schema bloc a stabilizatorului cu element de control serie şi amplificator de eroare Elementul de comparaţie 5 compară două tensiuni: E0 şi Ur. prezentată în figura 4. elementul de execuţie 1. Tensiunea de referinţă E0. . încât să se compenseze variaţiile tensiunii de ieşire (±ΔU0) faţă de valoarea prescrisă.2. de exemplu.12) Diferenţa dintre aceste două tensiuni.6 este dată schema detaliată a stabilizatorului cu ECS. ceea ce reprezintă compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. în sensul scăderii rezistenţei acestuia. dată de un stabilizator parametric (diodă Zener). deci la creşterea tensiunii U0. întrucât egalitatea: (4. Acesta se construieşte după schema din figura 4. Amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi acţionează asupra elementului de control 1 (ECS) în aşa fel.Stabilizatoare electronice 77 4. tensiunea U0 tinde să scadă faţă de valoarea nominală. este constantă şi proporţională cu valoarea prescrisă a tensiunii U0 (tensiunea de ieşire pe Rs). prin ieşirea sa.

iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare operaţionale (AO). Semnalul de eroare este: U be = U r − E 0 (4.14.6 Schema detaliată a stabilizatorului prezentat în figura 4. tensiunea colector – emitor U’ scade. Elementul de control serie este tranzistorul T2. se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 creşte). Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat direct la baza tranzistorului T2. 4. În figura 4. Curentul de bază al tranzistorului T1 se micşorează ducând la reducerea curentului de colector.7-b).7-a) cât şi pentru tensiuni mici (figura 4.13). Astfel. creşterea potenţialului în colectorul tranzistorului T1 are ca efect o pozitivare accentuată a bazei tranzistorului T2.7-b amplificatorul de eroare lucrează în regim de repetor.3 Stabilizatoare integrate de tensiune Aceste stabilizatoare au performanţe superioare faţă de circuitele de stabilizare având componente discrete şi pot fi realizate atât pentru tensiuni mari (figura 4.12) deci scade şi tensiunea Ube. va scădea şi tensiunea Ur (conform relaţiei 4. fiind un tranzistor npn. Elementele de control serie (ECS) sunt componente integrate.78 Capitolul 4 Figura 4. Acesta.5 Tensiunea de referinţă E0 este dată de un stabilizator parametric format din dioda Zener (Dz) şi rezistenţa R3. . Dacă tensiunea U0 tinde să scadă. dată de relaţia 4.7-a amplificatorul de eroare lucrează în regim de amplificator neinversor. are loc compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0.14) şi reprezintă mărimea de intrare în amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1 şi rezistenţa R4. iar în figura 4. deci la creşterea tensiunii de colector Uc1. a cărui rezistenţă este comandată de tensiunea de ieşire a amplificatorului de eroare.2. ducând la creşterea tensiunii U0 conform relaţiei (4.

Exemplificând. în montajele la care tensiunea de ieşire se menţine şi după anularea tensiunii de intrare (cazul montajelor cu sarcini capacitive importante).7.8 se constituie într-un stabilizator de tensiune fixă (5V) dacă STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4. în prezent se realizează circuite stabilizatoare de tensiune fixă şi curenţi de sarcină relativ mari.8 se prezintă schema clasică a unui stabilizator de tensiune integrat cu trei pini. Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesită un număr redus de componente discrete externe (pasive şi active). în special atunci când STC se află la o distanţă oarecare faţă de circuitul de filtrare care îl precede (la ieşirea redresorului).16) U2 = Pentru a îmbunătăţi fiabilitatea stabilizatoarelor integrate şi pentru a elimina căderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieşire). Condensatorul C2 de la ieşire are tot rol de filtrare. prin limitarea tensiunii inverse care poate să apară între intrare şi ieşire. Tensiunea de ieşire stabilizată în acest caz este: Stabilizatoarele din seria 78XX pot funcţiona corect numai dacă tensiunea de intrare este cu cel puţin 2.15) b) pentru stabilizarea tensiunilor mici (U2 < Ur).17) .pentru tensiuni mari (b).7-b: (4. În figura 4. figura 4. deoarece în afara circuitului integrat sunt necesare numai două condensatoare iar prezenţa diodei de protecţie este facultativă. reducând suplimentar tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului.7-a: Tensiunea de ieşire R + R2 U2 = 1 ⋅ Ur R1 R1 ⋅ Ur R1 + R 2 (4. Acest montaj se caracterizează printr-o simplitate deosebită. ieşire şi bornă de masă.5V (4. Condensatorul C1 este indispensabil în montaj. Stabilizatoare de tensiune integrate U2 în funcţie de tensiunea de referinţă Ur are valorile: a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur). Uin > U0nom + 2. schema generală din figura 4.pentru tensiuni mici Figura 4.5V superioară tensiunii de ieşire U0. adică: U0 = Unom ± 5% unde Unom = 5V.Stabilizatoare electronice 79 (a). figura 4. fiind prevăzute cu trei terminale: intrare.9). Dioda D protejează circuitul integrat.

5V în cazul stabilizatorului de 5V. realizat cu circuitul LM7815.18) reprezintă circa 0. Variaţiile curentului rezidual Ir în funcţie de curentul de ieşire ar putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieşire. în figura 4. la un curent maxim de 1. Stabilizator integrat de tensiune fixă (5V) Figura 4.10.19) U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4. Întrucât valoarea cea mai mare a ..8..8 mA. În acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de ieşire (4. se alege R1 = 120 Ω pentru stabilizatorul LM7805 utilizat în acest caz.5A.9.18) Curentul Ir (obţinut la pinul 3) are valori cuprinse în domeniul 4. Din motive de stabilitate. se adoptă R1 = 390 Ω. Şi în acest caz protecţia împotriva suprasarcinilor rămâne activă în condiţia că tensiunea de intrare nu depăşeşte valoarea maximă admisă (de firmă) care este de regulă de 35 V. Variaţiile curentului rezidual Ir (în funcţie de curentul de ieşire) vor avea o anumită influenţă asupra tensiunii de ieşire când se reglează valoarea lui R2 către maxim. faţă de tensiunea nominală. Figura 4.9 i se ataşează un divizor rezistiv la care unul dintre rezistoare este reglabil. cu mai mult de 50%. dacă schemei din figura 4. Tensiunea de ieşire a stabilizatorului LM317 poate fi reglată între 1. În figura 4. Tensiunea de ieşire se poate determina folosind relaţia: Uout = 1. Pentru un stabilizator de 15V.10. Din acest motiv se alege R2 ≅ R1/2. este prezentat un variator de tensiune (în limite mici) utilizând circuitul specializat 7805.25⋅(1 + R2/R1) (4. astfel încât prin el să treacă un curent de cel puţin cinci ori mai mare decât curentul rezidual (IR1 ≥ 5 Ir). Schema de principiu pentru un stabilizator integrat – tensiune fixă Figura 4. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Tensiunea obţinută la ieşire are expresia: curentului Ir este de 8 mA.11 este prezentată schema unui stabilizator de tensiune variabilă utilizând circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni negative).80 Capitolul 4 Stabilizatoarele integrate pot îndeplini şi funcţia de regulatoare de tensiune. Astfel.2V şi 37V. Pentru a minimiza acest efect se alege rezistorul R1. nu este indicat să se depăşească plaja de variaţie a tensiunii de ieşire.

între pinul ADJ şi pinul VOUT (de ieşire). Diodele D1 şi D2 au rolul de proteja circuitul integrat în cazul apariţiei unor descărcări inverse ale condensatoarelor. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Condensatorul C3 are rolul de a ameliora.Stabilizatoare electronice 81 Figura 4.25V. baza de calcul suferă o modificare generată de faptul că stabilizatoarele variabile dezvoltă o tensiune de referinţă egală cu 1. Observaţii: Deşi schema utilizată în cazul stabilizatoarelor ajustabile de tensiune este identică cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe. totuşi. . suplimentar. factorul de rejecţie global.11.

CAPITOLUL 5

REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere
Pentru ilustrarea unor noţiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor în mutatoare se consideră cel mai simplu redresor comandat, în schema monofazată, monoalternanţă, cu sarcină rezistivă (figura 5.1). El conţine un dispozitiv de comandă pe grilă, DCG, la intrarea căruia se aplică semnalul de comandă, uc. Scopul urmărit este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de comandă uc.

Figura 5.1. Redresor comandat monoalternanţă

Figura 5.2. Circuit de defazare

După modul cum DCG realizează amorsarea tiristorului (intrarea în conducţie), există două metode de comandă pe grilă: comanda pe orizontală şi comanda pe verticală. Dispozitivul de comandă pe grilă transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la fiecare semialternanţă pozitivă a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc amorsarea tiristorului. Până la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul. După deschiderea tiristorului curentul variază proporţional cu tensiunea aplicată u2.

iG care produce amorsarea tiristorului, se numeşte unghi de amorsare şi s-a notat cu αa.
Intervalul cuprins între începutul semialternanţei pozitive şi apariţia impulsului amorsare αa1 şi curentul mediu prin tiristor este proporţional cu suprafaţa dintre curba Din figura 5.3 se observă că modificarea unghiului de amorsare se realizează (1) prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizează unghiul de

ωt

Redresoare comandate de mică putere

83

şi abscisă. Tensiunea continuă de pe rezistenţa de sarcină, proporţională cu valoarea curentului mediu, rezultă mai mică decât în cazul când unghiul de amorsare este zero, adică la redresorul necomandat. Dacă unghiul de amorsare creşte la (2) valoarea αa2, corespunzătoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o valoare proporţională cu suprafaţa dublu haşurată.

ia

Figura 5.3. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe orizontală

Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comandă, se poate modifica unghiul de amorsare de la 0° la 180° şi tensiunea continuă variază de la 100% la zero. Acest principiu este valabil în ambele metode de comandă pe grilă (comanda pe orizontală şi comanda pe verticală). La comanda pe orizontală, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin deplasarea pe orizontală a unei tensiuni alternative de comandă. În figura 5.3-c este prezentată această tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel construit, încât se generează impulsurile iG în momentul trecerii tensiunii u~ prin zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aşa cum este cel din figura 5.2. În acest caz comanda defazajului, deci şi a tensiunii redresate, se face printr-o acţiune de reglare manuală asupra reostatului R. Dacă se impune ca tensiunea continuă să fie ajustată printr-un semnal de comandă uc, DCG trebuie să conţină un oscilator electronic care generează o tensiune periodică, liniar variabilă în timp, uLV, precum şi un circuit ce formează un impuls de comandă, iG, atunci când se produce intersectarea tensiunilor uLV şi uc pe panta

83

84

Capitolul 5

descendentă a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comandă conduce la modificarea corespunzătoare a fazei impulsurilor iG. Comanda pe verticală a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrată în figura 5.4. Dispozitivul de comandă pe grilă (DCG) generează iniţial o tensiune alternativă U~, defazată cu 900 în urma tensiunii U2. (a ) Impulsul de comandă pe grilă i G se formează iniţial la intersecţia cu abscisa (pe porţiunea ascendentă a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de amorsare a tiristorului are valoarea iniţială αa = 90 . Principiul comenzii pe verticală constă în variaţia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe verticală a tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micşorarea sau creşterea unghiului de amorsare faţă de unghiul iniţial αa. Pentru a realiza deplasarea pe verticală a tensiunii U~, la nivelul DCG se însumează o tensiune continuă de comandă (Uc – pozitivă sau negativă) cu tensiunea U~.
0

Figura 5.4. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe verticală

Redresoare comandate de mică putere
Ajustarea tensiunii de comandă astfel: a. Creşterea tensiunii

85

Uc determină reglarea unghiului de amorsare (Uc > 0) are [00 ... 900], iar
ca efect reglarea valoarea medie a

Uc

în valori pozitive

unghiului de amorsare

tensiunii redresate creşte (proporţional cu valoarea unghiului de conducţie α1) în cadrul unei semialternanţe pozitive; b. Creşterea tensiunii Uc în valori negative

(α1)

în intervalul

(Uc < 0) are ca efect reglarea 0 0 unghiului de amorsare (α2) în intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a tensiunii redresate scade proporţional cu creşterea unghiului α2, între [900 ... 1800].

[0 [0% ... 100%] din Ur.

0

Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, în domeniul ...1800], iar tensiunea medie redresată poate fi ajustată continuu, în domeniul

La evaluarea comparativă a performanţelor redresoarelor având comandă pe orizontală faţă de cele ce au comanda pe verticală, un criteriu important este forma dependenţei tensiunii continue U0 în raport cu semnalul de comandă uc. Expresia tensiunii continue sarcină rezistivă este: 2π

U0

la un redresor monofazat comandat cu

1 U0 = 2⋅π


0

1 u r d ( ωt ) = 2⋅π

αa

π

2 ⋅U 2 sin(ωt ) ⋅ d(ωt ) =
(5.1)

=

2 ⋅U 2 (1 + cos α a ) 2⋅π

La comanda pe orizontală, figura 5.3.d, unghiul de amorsare în funcţie de tensiunea de comandă uc prin relaţia:

αa se exprimă
(5.2)

α a = π ⋅ (1 −

uc

Înlocuind α a în relaţia (5.1) rezultă:

u c max

)

U0 =

π uc 2 ⋅U 2 (1 − cos ) 2⋅π u c max

(5.3)

deci dependenţa U0 = f(uc) este neliniară. La comanda pe verticală, considerând că tensiunea de comandă maximă, ucmax, este egală cu amplitudinea tensiunii u~ , relaţia dintre unghiul de amorsare

(αa) şi tensiunea uc este:

α a = arccos(

uc u c max

)

(5.4)

Înlocuind relaţia 5.4 în ultima formă a relaţiei 5.1 se obţine:

85

Rampă de tensiune 8. Unul dintre cele mai utilizate circuite integrate. semnificaţia terminalelor (pinilor) este următoarea: 1. care pot fi realizate cu ajutorul componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate.Ieşire monostabil 3.Alimentare (+V) 2.Sincronizare paralel Figura 5. este circuitul integrat ßAA-145. Dispozitiv de comandă pe grilă realizat cu ßAA-145 . dependenţa U0 = f(uc) este liniară.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor Pentru reglarea unghiului de conducţie a tiristoarelor şi/sau triacurilor se pot utiliza dispozitive electronice specializate. 5.Referinţa de tensiune (-V) 16. Făcând abstracţie de schema electronică detaliată prezentată în [9]. întrucât redresorul comandat poate fi utilizat ca element de execuţie într-un sistem liniar de reglare automată (de exemplu reglarea turaţiei motorului de curent continuu).5) deci.Masă − 13. Schema electronică test pentru o aplicaţie tipică (cu posibilităţi de comandă a două tiristoare) realizată cu circuitul integrat ßAA145 este prezentată în figura 5.Ieşire (E2) 15.Intrare de sincronizare 10. destinat comenzii în fază a elementelor de redresare.5.Comandă durată (tp) 14.Blocare impuls 7.86 Capitolul 5 U0 = 2 ⋅U 2 uc (1 + ) u c max 2⋅π (5.Alimentare ( I ) 6.Ieşire ( E1 ) 11.Comandă fază ( V8 ) 9.5. Această proprietate reprezintă un avantaj important al comenzii pe verticală faţă de comanda pe orizontală.

pentru separare galvanică (220V~/24V~). asociat cu divizorul rezistiv pentru alimentarea pinului de sincronizare (9). Acest circuit permite reglarea unghiului de conducţie (φ) în domeniul 0-180 grade. 87 . Variaţia unghiului de conducţie în raport cu tensiunea de comandă (V8) este prezentată în figura 5. În acest caz valorile rezistenţelor divizorului se adoptă astfel încât curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) să aibă valoarea de 10 mA. atunci când tensiunea de comandă aplicată la pinul 8 variază în domeniul 0.8V. Variaţia unghiului de conducţie Figura 5.7. Diagrama impulsurilor de comandă Impulsurile de comandă. se obţin la pinii 10 şi 14. Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu ajutorul unui potenţiometru semireglabil (Rt) de 250 KΩ conectat la pinul 11.. această valoare fiind un parametru de catalog.Redresoare comandate de mică putere 87 Observaţie: Este recomandat să se utilizeze un transformator coborâtor de tensiune. Figura 5.6. ce urmează a fi aplicate pe porţile tiristoarelor sau triacurilor.6..

100%]. Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porţile tiristoarelor/triacurilor prin intermediul unor transformatoare de impulsuri. Întrucât impulsurile de comandă (V10 şi V14) sunt de mică putere. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunzătoare a tiristoarelor din circuit.88 Capitolul 5 Cele două impulsuri de comandă (V10 şi V14) sunt decalate permanent cu un unghi constant de 180 grade.180 grade datorită translaţiei pe orizontală a celor două impulsuri. 5. Momentul în care tensiunea pe tiristor este nulă şi urmează să devină pozitivă în sensul anod . figura 5. Figura 5. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată (cu sarcină inductiv-rezistivă) este prezentată în figura 5.8. se alege ca moment de referinţă pentru comanda pe grilă.. Momentul de referinţă pentru unghiul de comandă este momentul trecerii prin zero a tensiunii reţelei.8. acestea trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington. iar formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor prin circuitul redresor-sarcină sunt date în figura 5... tensiunea de ieşire Ud este reglabilă în limitele [0.7. impulsul de amorsare (aprindere) a fiecărui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil. realizate cu miezuri de ferită şi dimensionate corespunzător. în cazul redresorului monofazat. începe ieşirea din conducţie a tiristorului T2 şi intrarea în conducţie a diodei D1. Exprimat în radiani. Unghiul de comandă (α) exprimă intervalul de timp cuprins între momentul începutului blocării tiristorului T1 şi momentul în care începe conducţia tiristorului T2. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul în care tensiunea lor în sensul anod – catod este pozitivă. În raport cu referinţa. Aceste transformatoare realizează separare galvanică Între circuitul de forţă (tiristor sau triac) şi circuitul de comandă unde se află circuitul integrat βAA – 145. Blocarea impulsurilor de comandă (inhibarea circuitului ßAA-145) se poate face conectând pinul 6 la masă.catod.9. dar unghiul de conducţie ϕ se poate regla în intervalul 0. .. În punctul A al diagramelor.3 Redresor monofazat semicomandat în punte În cazul redresorului semicomandat. acest interval defineşte unghiul de comandă (α) pentru tiristoare.

D2 . Tensiunea medie redresată (Ud) este dată de relaţia: Ud = 2 U S (cos α + 1) . α – este unghiul de conducţie al tiristoarelor. iar tiristorul T2 se blochează natural în momentele A. Tiristorul T1 se stinge natural în punctele (momentele) B şi D. RS) se obţine în intervalele de timp în care are loc conducţia simultană pe T1.9. După intervalul de conducţie γ 2 . curentul de sarcină trece în întregime prin T1 şi D1. π (5. Figura 5.Redresoare comandate de mică putere 89 Intervalele de comutaţie γ1 şi γ 2 definesc timpii necesari blocării tiristoarelor şi intrării în conducţie a diodelor. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor 89 . D1 şi respectiv T2. Tensiunea redresată Ud pe sarcină (LS. C şi E.6) unde: US – este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 ).

c) Tensiunea redresată (Ud) creşte dacă unghiul de comandă α scade. U Z = 9. d) Valoarea curentului de sarcină (I S ) . Ce avantaj oferă comanda pe verticală. R S = 50 [ Ω ] . asigurând curentul neîntrerupt prin sarcina RS.90 Capitolul 5 Observaţii: a) Pe durata conducţiei tiristoarelor. α c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului ) Se cere: a) Tensiunea medie redresată U 0 . K TR = 8. specializat pentru comanda în fază a tiristoarelor şi triacurilor? Problemă Se dă circuitul de redresareşi stabilizare din figură pentru care se cunoaşte: u1 ( t ) = 240 ⋅ sin ( ωt ) [ V ] . iar în intervalul unghiului de comandă cele două diode D1 şi D2 joacă rolul de protecţie (descărcare) împotriva tensiunilor de autoinducţie ce apar în momentul blocării tiristoarelor. b) Tensiunea între punctele M şi N (U MN ) . R = 200 [ Ω ] . faţă de metoda comenzii pe orizontală (în cazul redresoarelor comandate) ? 2. 5. rDZ = 8 [ Ω ] . c) Unghuiul de conducţie θ al diodei Zenner. Valoarea minimă a unghiului de comandă (α) se adoptă în intervalul 5÷8 grade electrice. interval de timp necesar preluării conducţiei de la tiristoare de către diode.1[ V ] . Care este rolul şi seminificaţia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat βAA145. b) Durata de conducţie a diodelor este mult mai mare decât durata de conducţie a tiristoarelor.4 Întrebări şi problemă 1. diodele de acelaşi indice (nume) joacă rolul de redresor. LS.

1. Boole. numită variabilă logică sau binară.CAPITOLUL 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6. Figura 6. propoziţiei “releul Y este acţionat” (figura 6. În mod similar. 1 Identitatea logică. care are valoarea 1 dacă propoziţia este adevărată (butonul fiind acţionat. propoziţia: “butonul X este acţionat” (figura 6. se vor introduce – în cele ce urmează – funcţiile logice elementare.2. când propoziţia este adevărată şi valoarea 0 când propoziţia este falsă. Definirea funcţiilor logice elementare. contactul butonului X este normal închis.1 Funcţii logice elementare Algebra logicii. care are valoarea 1. Figura 6. având o semnificaţie asemănătoare. Fiecărei propoziţii i se poate asocia o variabilă. Ilustrând această idee prin exemple simple. la care interesează veridicitatea acestora. 1815-1864). operează cu propoziţii. luate din domeniul schemelor de comandă cu relee şi contacte. circuitul se . contactul electric este închis) şi valoarea 0 dacă propoziţia este falsă (contactul electric deschis). Referindu-ne la cele două propoziţii menţionate anterior constatăm că în schema din figura 6.1-b) i se poate asocia variabila binară y. În algebra booleană se utilizează logica bivalentă. Acestei propoziţii i se poate asocia variabila binară x. Deci se obţine identitatea logică: y≡x (6. numită şi algebră booleană (după numele matematicianului irlandez G. conform căreia o propoziţie poate fi adevărată sau falsă. În cadrul schemei din figura 6. acesta îşi deschide contactul. propoziţia a doua este adevărată când prima propoziţie este adevărată şi invers.3.2.1-a.1) Identităţii logice îi corespunde tabelul de adevăr 6. Veridicitatea unei propoziţii poate să depindă de veridicitatea altor propoziţii. 2 Negaţia logică. Fie de exemplu. Realizarea identităţii logice. Când butonul este acţionat.1-a).

conjuncţia logică are valoarea 1.3.. situaţie în care funcţia ”SAU” este: y = x1 + x2 + x3 + .4.2) Figura 6. Disjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1+x2 şi are valoarea 1 dacă una dintre variabile are valoarea 1. Ca urmare. notată simbolic: y= x (6. disjuncţia logică poate conţine n variabile binare.3) Generalizând. disjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “SAU”. conjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “ŞI”.92 Capitolul 6 întrerupe.5.3 se constată că numai atunci când x1 şi x2 au valoarea logică 1.4. Din acest motiv. corespondenţa dintre variabila dependentă (y) şi cea independentă (x) este dată de tabelul de adevăr 6..2 al disjuncţiei logice arată că aceasta are valoarea 1 dacă x1 sau x2 au valoarea ”1” logic sau x1 şi x2 au valoarea logică 1. din care rezultă: y = x1 + x2 (6. Din tabelul de adevăr 6. Realizarea funcţiei logice SAU Tabelul 6.4) .6) În cazul negaţiei logice. sau ambele variabile au valoarea 1.1-b. situaţie în care funcţia ”ŞI” este: y = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ ..2 a) x y ≡x x y= x 0 0 0 1 1 1 1 0 x1 x2 y=x1+x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 b) x ⋅x 4 Conjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin 1 2 şi are valoarea 1 dacă ambele variabile au valoarea 1.1 Tabelul 6.5) În cazul general. Interpretarea fizică a acesteia este ilustrată prin schema dată în figura 6. + xn (6. Realizarea negaţiei logice Figura 6. conjuncţia logică se realizează cu n variabile binare.. de unde rezultă: y = x1 ⋅ x 2 (6. Realizarea fizică a funcţiei “ŞI” cu două variabile este dată în schema din figura 6. iar releul Y nu va fi acţionat. ⋅ xn (6. Tabelul de adevăr 6. Se realizează deci negaţia logică.

SAU. iar în terminologia engleză este NOR (Not-OR). adică: (6. şi 6. x1 x2 y= x1 + x 2 Tabelul 6.6.6. Uneori.3. Tabelul 6.4.5.5 rezultă că funcţia NUMAI se obţine prin negarea funcţiei ŞI. iar în terminologia engleză NAND (Not –AND): x1 ↑ x 2 = x 1 ⋅ x 2 (6. funcţia NICI se mai numeşte funcţie SAU-NU. Funcţia logică NICI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. În afara acestora. fapt ce exclude posibilitatea de a fi adevărate simultan cele două alternative implicate în propoziţie. Semnificaţia şi denumirea funcţiei este legată de interpretarea propoziţiilor de forma: “Maşina electrică funcţionează în regim de motor sau în regim de generator”. se constată că funcţia NICI reprezintă.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6.3 93 Figura 6.7) Funcţiile logice NU. NUMAI. Funcţia logică SAU-EXCLUSIV a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1⊕x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. funcţia SAU-EXCLUSIV este disjuncţia termenilor x1 ⋅ x 2 şi x1 ⋅ x 2 . Comparând tabelele de adevăr 6.8) x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 Din acest motiv. Se remarcă faptul că funcţia are valoarea 1.2 şi 6.5 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 Tabelul 6.10) . simbolizarea disjuncţiei logice şi respectiv a conjuncţiei logice realizate cu două variabile (ca în exemplul de faţă) se poate face astfel: y =x1 ∪ x2 . Funcţia logică NUMAI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.4. ŞI reprezintă funcţii elementare în algebra propoziţiilor. funcţia SAU negată: (6. acestea se pot realiza cu n variabile binare.4. de fapt. se mai utilizează şi alte funcţii logice (derivate). SAU EXCLUSIV etc. y = x1 ∩ x2 (6. adică se mai numeşte funcţia ŞI-NU. cum sunt: NICI. În conformitate cu tabelul de adevăr 6.6 x1 x2 y= x1 ⋅ x 2 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 x1 x2 x1⊕x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 Din compararea tabelelor de adevăr 6.9) Observaţie: Şi în cazul funcţiilor NOR şi NAND. nici x2 nu sunt egale cu 1.5. atunci când nici x1.

2 Relaţii fundamentale în algebra logicii Pentru transformarea unor expresii logice în altele. crt. Tabelul 6. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Proprietatea de idempotenţă Proprietatea de asociativitate Proprietatea de comutativitate Proprietatea de distributivitate Proprietatea de absorbţie Teoremele lui De Morgan Principiul contradicţiei Principiul terţului exclus Principiul dublei negaţii Denumirea relaţiei logice Proprietăţile constantelor logice 0 şi 1 x+0=x x ⋅0 = 0 x + 1 = 1 x ⋅1 = x x+x=x x⋅x=x (x1⋅x2)⋅x3 = x1⋅(x2⋅x3) (x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3) x1⋅x2 = x2⋅x1 x1+x2 = x2+x1 x1⋅(x2+x3) = (x1⋅x2)+(x1⋅x3) x1+(x2⋅x3) = (x1+x2)⋅(x1+x3) x1+x1⋅x2 = x1 x1⋅(x1+x2) = x1 x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x⋅ x =0 x+ x =1 x =x Astfel. de la funcţiile NICI şi NUMAI. la funcţiile NU.12) Transformările inverse. echivalente celor iniţiale. Relaţiile date în tabelul 6. Verificarea acestor proprietăţi se poate face cu uşurinţă utilizând tabelele de adevăr ale funcţiilor logice elementare.9) precum şi teoremele lui De Morgan rezultă: (6.13) (6.7 Nr. ŞI.14) (6. însă cu o structură mai simplă. se realizează astfel: x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 (6. SAU.8) şi (6.7. date în tabelul 6.15) . SAU.7 permit exprimarea funcţiilor NICI.11) x=x+x=x↓x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 (6. utilizând relaţiile de definiţie (6. NUMAI şi SAU–EXCLUSIV prin intermediul funcţiilor elementare NU. ŞI.94 Capitolul 6 6. se folosesc o serie de relaţii (proprietăţi) fundamentale.

9 x 1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x 1 ↑ x 2 x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 x1 ↓ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 + x 2 = x1 ↑ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 În algebra propoziţiilor. căderea de tensiune pe tranzistor este mai mare decât la tranzistorul bipolar. Dacă dioda este polarizată în sens direct. cu deosebirea că în starea “0” logic (tranzistor saturat). ŞI. punctul static poate fi în poziţia M’ (regim de blocare). Regula de asociere: " 0" logic → (0. Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice În § 6. E ) → H (6.+ ε1 )V → L " 1" logic → (+ E − ε 2 .18) sunt sintetizate în tabelele recapitulative 6.13) … (6.18) Relaţiile de transformare (6.19) . în componenţa cărora intră diode şi tranzistoare.8 şi 6. iar dacă este polarizată invers.8 Tabelul 6. Tranzistoarele utilizate în circuitele logice funcţionează în regim de comutaţie. Funcţiile logice se pot realiza şi cu ajutorul unor circuite electronice..18) arată că atât funcţia NICI.3 Circuite logice..1 s-a arătat modul de realizare a funcţiilor logice elementare prin intermediul contactelor. care lucrează în regim de comutaţie.13)…(6. funcţiile logice elementare NU. . ceea ce echivalează cu semnalul “0” logic. . ea va fi asimilată cu un element conductor ideal (contact închis).17) x = x⋅x = x↑ x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 (6.High). SAU formează un sistem complet de funcţii. întrucât prin intermediul lor se poate exprima orice altă funcţie logică. cât şi funcţia NUMAI pot juca rolul unui sistem complet de funcţii elementare. Diodele semiconductoare se consideră ideale (cu rezistenţă internă nulă). . Punctul static de funcţionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe dreapta de sarcină în M” (regim de saturaţie) – corespunzător unei tensiuni neglijabile în colector. ceea ce le oferă o importanţă deosebită în circuitele logice de comandă.. .9.. 6. se consideră ca un izolator ideal (contact deschis). De asemenea. Valorilor logice ”0” şi ”1” li se asociază două niveluri de tensiuni electrice: nivel coborât (L -Low) şi nivel ridicat (H . numite circuite logice.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 95 (6. ceea ce echivalează cu semnalul “1” logic.16) (6. când tensiunea în colectorul tranzistorului este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare. Relaţiile (6. În mod similar se consideră şi tranzistoarele unipolare. Tabelul 6.

. Schema unui circuit ŞI cu două intrări.20) Sub aspect tehnologic.8. adică ≅ 0V. la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn. se adoptă logica negativă. În figura 6. dacă x1 = 1.10.. precum şi simbolizarea lor. tranzistorul este blocat. Circuit logic NU Figura 6. În mod similar rezultă y = 0 când x1 = 0.6 este dată schema unui circuit logic NU (logică pozitivă). respectiv D2 conduc.−ε1 ) V → L (6. de exemplu. Circuit SAU Figura 6. În primele variante constructive. bornele de intrare având potenţialul +E ( E ≥ E1 ). deci y = 0. deci y = 0. . iar D1 este blocată. deci la ieşire se obţine uy. atunci când x1 = 0. . Funcţionarea acestui circuit este următoarea: dacă x1 = 0. respectiv circuitul ŞI-NU (NAND) realizate cu ajutorul componentelor discrete (diode. conduce dioda D2.8.7 este dată schema unui circuit SAU cu diode. Dacă x = 1. E şi tranzistorul lucrează în saturaţie. circuitele logice se pot realiza utilizând componente discrete sau sub formă de circuite integrate. deci y = 1. În alte situaţii.9. adică y = 1. astfel încât y = 1. respectiv 6. respectiv D1 şi D2.− E ) → H Figura 6. . realizat cu diode. funcţionarea este similară. tensiunea de intrare ux este egală cu 0 V. corespunde logicii pozitive şi se aplică. În figura 6. x2 = 0.. adică tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V. " l" logic → (− E + ε 2 . x2 = 1. căreia îi corespunde regula de asociere: " 0" logic → (0. respectiv ŞI.7. cu circuitul NU. x2 = 1 sau x1 = 1 şi x2 = 1. lucrând în logica pozitivă. sunt date în figurile 6. circuitele logice conţineau componente discrete. Dacă x1 = 0 şi x2 = 0. deci y = 0.6. Circuit ŞI Circuitele SAU-NU (NOR). D2 este blocată şi tensiunea de ieşire este egală cu cea de la prima intrare. Dacă x1 = 1 şi x2 = 0. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe dioda D2. conducând D2. rezistoare şi tranzistoare) se obţin prin conectarea în serie a circuitului SAU. deci rezultă y ≅ 0.96 Capitolul 6 în care ε1 şi ε2 sunt toleranţe admise. la ieşire se obţine o tensiune uy = 0 V. ambele diode sunt blocate (având semnal pozitiv la catozi). Schemele acestor circuite.. x2 = 0. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe diodele care conduc. în logică pozitivă este dată în figura 6. ca de exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp. iar la ieşire rezultă semnal logic y = 1. intrările sunt conectate la potenţialul bornei comune şi diodele D1. Atunci când x1 = 1 şi x2 = 1. tensiunea de intrare este ux. . . E. toate punctele circuitului se vor afla la potenţial nul. dioda D1 conduce. baza este negativată (prin sursa –Eb). Dacă x = 0.

a cărui schemă este dată în figura 6. potenţialul bazei este practic egal cu 0V iar joncţiunea bazăcolector nu conduce. DTL.10. circuitele logice integrate (CLI) se clasifică în: CLI bipolare. Tranzistorul de intrare.Transistor-Logic) sunt în prezent cele mai utilizate CLI. Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrările prin rezistenţe. Dacă la una dintre intrări se aplică tensiunea 0V. joncţiunea bază-emitor respectivă conduce. în prezent nu mai sunt utilizate. . Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul ŞI-NU.9. La realizarea CLI bipolare s-au adoptat mai multe tipuri de structuri de bază. Circuit SAU-NU (NOR) gura 6. După tehnologia utilizată. T1.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 97 Figura 6. tipurile: RTL. conectate la bazele tranzistoarelor bipolare. HLL şi I2L. şi CLI-MOS. adică intrarea respectivă se leagă la masă.TTL) În prezent circuitele logice se realizează aproape în exclusivitate sub formă de circuite integrate. Circuitele RTL şi DTL având performanţe reduse. Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similară circuitelor cu componente discrete.11. realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS. în ordinea în care s-au succedat. TTL. în care se utilizează tranzistoare bipolare. Circuit ŞI-NU (NAND) 6. dintre care menţionăm. este de tip multiemitor. Circuitele TTL (Transistor. adică are o joncţiune bazăcolector şi mai multe joncţiuni bază-emitor. Astfel curentul i în colectorul lui T1 este neglijabil.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND .

11. tensiunea de ieşire este practic +E. Deci.12. tranzistorul T3 se comportă ca un repetor pe emitor. Dacă la toate intrările se aplică tensiunea +E. Practic. Dioda D este conectată între tranzistorele T3 şi T4 din motive tehnologice. Circuit ŞI-NU (NAND) TTL Tranzistorul T2 este blocat şi întrucât iE2 = 0. valorile tensiunilor pentru ”0” logic şi ”1” sunt: VH 0. joncţiunile bazăemitor ale tranzistorului T1 nu conduc. Curentul iE2 fiind mare. deoarece tensiunea bază-emitor aplicată acestuia este neglijabilă. iar curentul prin sarcina conectată la ieşire este asigurat de tranzistorul T3 care este în saturaţie. se asigură o cădere de tensiune pe rezistenţa RE.4 V pentru y=”0” logic VH 3. Ca urmare. care determină saturarea tranzistorului T4. În acelaşi timp tranzistorul T3 este blocat. în această situaţie. potenţialul colectorului acestui tranzistor (T4). tensiunea de ieşire este 0V.5 V pentru y=”1” logic Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V şi 5V. cât şi în situaţiile când mai multe intrări au tensiunea de 0V. însă va conduce joncţiunea bază-colector. 1 2 Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este prezentată în figura 6. generând curentul de sarcină. . deci y = 0. stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea în saturaţie a tranzistorului T2.98 Capitolul 6 Figura 6. întrucât T3 este în conducţie (saturat). Figura 6. Întrucât T3 se comportă ca un contact deschis.12. potenţialul bazei tranzistorului T4 este practic egal cu 0V. iar T4 ca un contact închis. deci şi acest tranzistor este blocat. Observaţii: Când ieşirea este ”1” logic (y = 1). adică potenţialul bornei de ieşire este practic egal cu +E.

Expresia curentului maxim de impuls în colector (ICC-max) la ieşirea porţii TTL este: I CC − max = unde: VCC − VCE (T3 − sat. când acesta ar trebui să fie deja blocat.1. b) Dacă T2 şi T’2 sunt blocate. VH = VCC − VCE (T3 − sat. Figura 6.) .tensiunea colector-emitor când T3 este saturat. deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat.13. într-un interval de timp foarte scurt (de ordinul microsecundelor).4. Funcţionarea este următoarea: a) Dacă T2 sau T’2 este saturat. atunci tranzistorul T3 va fi saturat. T2 şi T’1. Poarta logică integrată NOR (SAU-NU) În cele ce urmează se prezintă poarta integrată NOR (SAU-NU) realizată cu numai 2 (două) intrări.) − VD (6.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 99 Observaţie: În timpul funcţionării (la trecerea din starea ”0” logic în starea ”1” logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor T3 şi T4. Observaţie: T2 sau T’2 sunt saturate dacă T1 sau T’1 sunt blocate. la ieşire se obţine V0=”1” logic (+E volţi).) . adică VIA sau VIB au valoarea „1” logic (+E volţi). Astfel T3 îl ”surprinde” pe T4 în conducţie. Poarta TTL (NOR) Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizează funcţia logică F ="1" = V0 = A + B = A ⋅ B .21) VD – este căderea de tensiune pe dioda D. VCE (T3 − sat.tensiunea colector-emitor când T4 este saturat.22) 6.13.) − VD R C3 (6. ce are schema electrică prezentată în figura 6. Deci la ieşirea F se obţine V0=”0” logic. Perechile de tranzistoare T1. iar T4 este blocat. .) − VCE (T4 − sat. T’2 formează două etaje de intrare conectate în paralel pe rezistoarele R2 şi R3. atunci când T1 şi T’1 sunt saturate. Cauza conducţiei simultane este aceea că T3 comută mai rapid în conducţie decât comută T4 în starea de blocare. În starea ”1” logic tensiunea VH la ieşirea porţii TTL este: VCE (T4 − sat.

5 Circuite logice combinaţionale 6. iar mărimile de ieşire sunt variabile binare dependente. u m ) M y 2 = f 2 (u1. în momentul considerat.).. U2.14. Um... y2. ale căror structuri sunt cunoscute.23) în care f1(. în care u1. . u 2 . u 2 . u m ) M y r = f r (u1. lămpi de semnalizare etc. …. .. caracterizat prin următoarele elemente: . Circuitele logice combinaţionale sunt acele circuite de comandă la care setul mărimilor de ieşire. …. în orice moment. u 2 . u m ) (6.elemente de ieşire: Y1. b) Simbolizarea circuitului combinaţional Asociind elementelor de intrare-ieşire variabile binare.14-a). ….. Cu alte cuvinte. Yr.) sunt funcţii booleene. .5. a) Circuit combinaţional... este determinat în mod univoc de o combinaţie dată a mărimilor de intrare. iar y1. u2. Figura 6. Y2.. Circuitele logice combinaţionale sunt descrise prin ecuaţii ieşire-intrare de forma: y1 = f1 (u1. La ieşirea F se obţine ”0” logic dacă una dintre intrări (sau ambele) au nivel de tensiune ”1” logic. îi corespunde în mod univoc o anumită situaţie a elementelor de ieşire.100 Capitolul 6 când ambele intrări sunt legate la masă.. . Mărimile de intrare sunt variabile binare independente. . 6.ansamblul elementelor de comandă (contacte sau circuite logice).). f2(. reprezentând înfăşurări de relee şi/sau contactoare. …. notate cu litere mici. yr – mărimi de ieşire.. adică funcţii în care variabilele logice sunt legate prin operaţiile din algebra logicii. unei situaţii date a elementelor de intrare (acţionate sau neacţionate). reprezentând contacte de butoane şi de limitatoare de cursă.. .elemente de intrare: U1.14-b. În privinţa circuitelor logice combinaţionale se pot formula două categorii de probleme: . contacte ale unor relee din alte scheme de comandă etc. schema de comandă se poate reprezenta ca în figura 6. înfăşurări ale robinetelor electromagnetice. um se numesc mărimi de intrare.1 Noţiuni generale Fie un circuit de comandă (figura 6. fr(.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale
analiza circuitelor logice combinaţionale; sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaţionale.

101

6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
Într-o problemă de analiză se dă structura circuitului combinaţional, starea elementelor de intrare (dacă sunt acţionate sau nu) şi se cere starea elementelor de ieşire. O problemă de analiză, de tipul celei formulate, se rezolvă în trei etape: • pornind de la schema circuitului combinaţional, se asociază variabile binare elementelor fizice de intrare-ieşire şi se scrie funcţia logică corespunzătoare schemei date; • se înlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, după starea elementelor de intrare respective; • se evaluează expresia logică, deteminând variabila dependentă (mărimea de ieşire): dacă aceasta este 1, elementul de ieşire este acţionat, iar dacă expresia logică are valoarea 0, elementul de ieşire este neacţionat.

Figura 6.15. Schema de comandă cu releu şi contacte

Figura 6.16. Schema de comandă echivalentă schemei din figura 6.22

Vom ilustra procedura descrisă prin intermediul schemei de comandă cu relee şi contacte dată în figura 6.15. Aici, U1, U2 şi U3 sunt contacte normal deschise şi normal închise ale unor elemente de comandă, limitatoare de cursă etc. Aşa cum s-a arătat în § 6.1, contactelor normal deschise li se asociază variabile binare, notate cu litere mici fără bară de negare, iar contactelor normal închise li se asociază variabile binare negate (cu bară de negare). Acţionarea unui contact normal închis reprezintă deschiderea sa. Asociind o variabilă binară, y, elementului de ieşire, Y, schema de comandă poate fi reprezentată ca în figura 6.16. Cunoscând realizarea funcţiilor logice elementare utilizând contacte, variabila de ieşire y (figura 6.16) se poate exprima cu uşurinţă prin intermediul variabilelor de intrare u1, u2 şi u3:

y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u 1 3

(6.24)

Presupunem că, în cadrul problemei de analiză, se cere starea elementului de ieşire atunci când U1 şi U2 sunt acţionate iar U3 este neacţionat. Punând în expresia (6.24) u1 = u2 = 1 şi u3 = 0, se obţine:

y = (1 ⋅ 1 ⋅ 0 + 1 ⋅ 1 ⋅ 0) ⋅ 1 + (1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1) ⋅ 0 = 1
deci elementul de ieşire este acţionat. Formularea problemelor de analiză a schemelor combinaţionale poate fi completată în sensul determinării unei scheme de comandă mai simplă, însă echivalentă cu cea iniţială, sau al stabilirii unei scheme de comandă cu aceleaşi funcţiuni, însă realizată prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvările

102

Capitolul 6

acestor completări din formularea problemelor de analiză constituie, în acelaşi timp, soluţii ale unor etape din procedura de sinteză (proiectare) a schemelor combinaţionale. Fie schema de comandă din figura 6.15. Se cere o schemă echivalentă cu aceasta, însă mai simplă, adică realizată cu un număr mai mic de elemente. Pentru simplificarea schemei de comandă se procedează la minimizarea funcţiei booleene (6.24), adică la aducerea acesteia la o formă cât mai simplă. Utilizând relaţiile fundamentale din algebra booleană, se obţine:

(6.25) Ţinând seama de proprietăţile de idempotenţă, terţ exclus şi contradicţie, din ultima expresie se obţine: (6.26) y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 Mărimea de ieşire (y) s-a exprimat printr-o disjuncţie a unor conjuncţii logice. Funcţia booleană corespunzătoare se exprimă în forma canonică disjunctivă. Constituenţii disjuncţiei se numesc mintermeni. Pentru obţinerea formei canonice disjunctive minimale se pot utiliza mai multe metode: a) metoda alipirilor (metoda grupărilor); b) metoda diagramelor Karnaugh; c) algoritmul Quine-McCluskey. Dacă numărul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomandă metodele b sau c. Pentru exemplul anterior, având în vedere numărul redus de mintermeni, vom utiliza metoda grupărilor. Termenii vor fi grupaţi câte doi, astfel încât fiecare pereche să aibă numai un singur termen diferit în conjuncţiile respective. Astfel, primii doi mintermeni se pot grupa având u 2 u 3 ca parte comună în conjuncţii. La fel, primul şi al treilea, se pot grupa având u 1 u 3 ca parte comună. Pentru a nu rămâne un mintermen necuplat, în expresia (6.25) se adaugă în disjuncţie mintermenul existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilalţi doi):

y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3
Această expresie este

(6.27)

identică cu cea precedentă, deoarece u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietăţii de idempotenţă. Grupând primii doi mintermeni, precum şi următorii doi, din relaţia 6.27, prin utilizarea proprietăţii de distributivitate se obţine: y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28) şi, deoarece u1 + u1 = 1 şi u 2 + u 2 = 1, în conformitate cu principiul terţului exclus rezultă forma minimală a funcţiei logice: y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29) Se constată cu uşurinţă că funcţia booleană în forma canonică minimaldisjunctivă nu se poate simplifica mai mult. Forma minimală a funcţiei booleene se prezintă ca o disjuncţie a unor termeni numiţi implicanţi primi ai funcţiei. Deci, în esenţă, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funcţiei logice iniţiale se reduce la deducerea implicanţilor primi ai acesteia. Corespunzător ecuaţiei (6.29) se poate desena schema de comandă minimală din figura 6.17, echivalentă cu schema iniţială din figura 6.15.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale

103

Realizarea cu circuite logice NU, ŞI, SAU a circuitului de comandă corespunzător funcţiei logice (6.29), se face prin schema dată în figura 6.18. Dacă se pune problema deducerii unei scheme de comandă realizată cu elemente NAND, se transformă funcţia (6.29) după cum urmează:

y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) ↑ (u1 u 3 ) = (u 2 ↑ u 3 ) ↑ (u 1 ↑ u 3 )

(6.30)

Utilizând module NAND cu două intrări, rezultă schema circuitului de comandă din figura 6.19.

Figura 6.17. Schema de comandă minimală echivalentă schemei din figura 6.15

Figura 6.18. Schema echivalentă a realizată funcţiei logice (6.28)

Figura 6.19. Schema echivalentă a funcţiei logice (6.28) cu module NAND

6.6 Circuite logice secvenţiale
Aşa cum s-a arătat în § 6.5.1 mărimile de ieşire ale unui circuit combinaţional sunt determinate univoc, în orice moment, de mărimile de intrare din momentul respectiv. În cazul circuitelor logice secvenţiale, mărimile de ieşire la momentul k, k k k notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mărimile de intrare k k k u1 , u 2 ,..., u m , ci şi de starea internă a circuitului din momentul anterior, k −1 k −1 k −1 (figura 6.20). caracterizată prin mărimile de stare x1 , x 2 , ... , x n Variabilele de stare descriu evoluţia (istoria) circuitului, în sensul că la momentul k ele depind atât de valorile anterioare, din momentul k–1, cât şi de mărimile de intrare ale circuitului. Din cele menţionate rezultă că un circuit logic secvenţial este caracterizat de două seturi de ecuaţii: ecuaţiile de stare şi ecuaţiile de ieşire. Ecuaţiile de stare leagă mărimile de stare din momentul k, de mărimile de stare din momentul anterior, k–1, şi de mărimile de intrare. Ele pot avea două forme:

În cazul general. Din acest motiv.. respectiv în momentul k – 1.. Fie un circuit elementar cu două intrări u1.. .32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare în alta.. 6. x n ... circuitul secvenţial se poate afla în 2 stări (n este numărul variabilelor de intrare). la care corespunde tabelul 6..31) şi (6. ele se mai numesc automate finite. . .. u1 k −1 .. care ilustrează grafic modul cum se realizează trecerea dintr-o stare în alta. având particularitatea că au un număr finit de stări. x 2 . . .33) y j = g j ( x1 .. n. x2 k −1 .. sub acţiunea semnalelor de intrare. 2. iar j = 1. Circuitele logice secvenţiale se încadrează în categoria generală de sisteme dinamice. x n .10 de tranziţie a stărilor. 2. obţinându-se – în esenţă – clasa circuitelor basculante (triggere). Ecuaţiile (6. Ecuaţiile de ieşire exprimă legătura dintre mărimile de ieşire ale circuitului secvenţial.. variabile binare.1 Circuite secvenţiale elementare În cele ce urmează se vor considera câteva circuite secvenţiale cu numai două stări. u m ) (6. ecuaţiile de ieşire ale unui circuit secvenţial sunt de forma: k k k k k k k (6. Circuit logic secvenţial... . notate convenţional prin 0 şi 1. r. având diagrama de tranziţie a stărilor din figura 6. u m ) unde x i = f i ( x1 k −1 . Se constată că s-a eliminat combinaţia (1.. sub acţiunea mărimilor de intrare. . u 2 . u1 .20..31) k −1 sau k unde i =1. . . Variabilele de stare sunt.. . după cum mărimile de intrare se consideră în momentul k. . . u1 . Tranziţia stărilor se face sub acţiunea unor semnale de intrare. x 2 . x.21. x n k −1 . variabilele din circuit (6. Este evident că cele două stări pot fi codificate printr-o singură variabilă de stare binară.1) a variabilelor de intrare. realizate într-o formă specifică. n Deci.32) g(·) sunt funcţii logice cunoscute. .6. Ecuaţia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziţie a stărilor.104 Capitolul 6 k k −1 k −1 k −1 k k x i = f i ( x1 . u m ) Figura 6. mărimile de stare şi mărimile de intrare ale acestuia.. Din acest motiv ele se mai numesc ecuaţii de tranziţie a stărilor. . la fel ca şi cele de intrare-ieşire. u2 şi o ieşire y = x. .

22-a.36) şi rezultă: k ⎛ k ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎞ x k = u2 (6.34) Se minimizează funcţia logică utilizând metoda grupărilor (1-3) şi (2-3): k k −1 ⎞ ⎛ k k⎞ ⎛ k k ⎞ ⎛ k −1 ⎛ k k −1 ⎞ + ⎛ u k ⋅ u k ⎞ + x k −1 ⎞ xk = ⎛ ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⋅ ⎜ u1 + u1 ⎟ + ⎜ u 2 ⋅ u1 ⎟ ⋅ ⎜ x ⎟ = ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⎜ 2 1⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ sau k k (6. Pentru aceasta se aplică proprietatea dublei negaţii şi una din teoremele lui De Morgan.35) reprezintă funcţia logică minimizată. .37) este dată în figura 6. este necesar să se aplice operaţia de dublă negaţie peste funcţia (6.22-b. Prin redesenarea ei. Diagrama de tranziţie a unui circuit secvenţial elementar Ecuaţia de stare a circuitului este: k k k k −1 k k k −1 k k k −1 x = ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + (u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) (6.NU) deoarece. funcţiei din paranteză.21.35) se transformă într-o expresie de forma ( ) x k = m ⋅ n . ⎝ ⎠ Această realaţie satisface expresia unei funcţii logice NAND (SI .35) x k = x2 u1 + x k −1 . Ultima relaţie (6.10 105 Figura 6.36). cerută de proprietatea dublei negaţii. şi se obţine: ⎞ ⎞ k ⎛ k k ⎛ k x k = u2 (6. Schema circuitului ce corespunde ecuaţiei (6.36) ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ ⋅ ⎜ u1 + x k −1 ⎟ = u 2 ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎛ k k −1 ⎞ k şi m = ⎜ u1 Notând (convenţional) n = u 2 ⋅x ⎟ se observă că pentru a ⎝ ⎠ obţine expresia unei funcţii de forma x k = m ⋅ n este necesară operaţia de negare peste întreaga funcţie (6. considerând variabila u1k borna S (set = inscriere). va mai suporta o operaţie suplimentară de negare. Dacă se impune realizarea circuitului de comandă cu elemente (module) NAND funcţia logică minimizată (6. iar variabila u2k borna R (reset = ştergere) se obţine bistabilul S–R cu elemente NAND reprezent ca în figura 6. dar pentru a nu schimba valoarea funcţiei x k . pe baza notaţiilor anterioare s-a obţinut expresia x k = m ⋅ n care arată că funcţia dorită x k = m ⋅ n .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6.37) ⎟ .

Bistabil SR comandat prin semnal logic zero Figura 6.23. Dacă se elimină circuitele NU de la intrările S şi R ale elementelor NAND din figura 6.23 Un exemplu de circuit secvenţial asincron cu două intrări.25-b) sunt identice cu stările x = 1. este echivalentă tabelului de tranziţie a stărilor 6.0) este interzisă). Circuitul secvenţial prezentat are o funcţionare asincronă.10.22. Figura 6. c – simbolizarea.106 Capitolul 6 (a) (b) (c) Figura 6. funcţionează conform diagramei de lucru din figura 6. atunci când combinaţia de intrare este (1.22.1) este eliminată.21. din tabelul de tranziţie anterior 6. Se observă că motorul este alimentat de la reţeaua trifazată numai dacă contactorul Y este anclanşat. Cele trei situaţii în care motorul este pornit.24. se obţine bistabilul din figura 6. bascularea dintr-o stare în alta se face prin aplicarea semnalului logic 0 la una din intrări.25-a. la care diagrama de stare este dată în figura 6. b.25-b. prezentată în figura 6.25-b. Diagrama de tranziţie a bistabilului din figura 6. Cu alte cuvinte. Observaţii: a) Comanda (1. întrucât acţionarea simultană a butoanelor BP şi BO este fără sens (motorul nu ar porni). dacă implicit se consideră echivalente notaţiile: xk-1 ≡ yk-1 şi xk ≡ yk Schema electrică simplificată pentru comanda pornirii şi opririi unui motor asincron trifazat. adică numai atunci când contactele sale normal-deschise (y) se vor k închide. Diagrama de funcţionare a acestei scheme de comandă. a cărui funcţionare corespunde tabelului de tranziţie 6.1) (combinaţia (0.23. circuitul rămânând în starea în care se afla. deci când y = 1 k (prezentate în tabelul de trantziţie 6. Starea curentă a k k motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 şi u 2 ) date prin butoanele de pornire şi oprire.10 şi respectiv diagramei de tranziţie a stărilor din figura 6. b) Schema de comandă din figura 6. întrucât prin butonul BP se înscrie comanda de pornire.10.25-a reprezintă o celulă de memorie. În acest caz starea curentă (y ) are valoarea ”1” logic. ci şi de starea anterioară (pornit-oprit) a motorului k-1 k notată prin y . iar motorul rămâne . îl reprezintă schema electrică de comandă (pornire-oprire) a unui motor asincron trifazat.24. ilustrată în figura 6. Bistabil SR cu elemente ŞI–NU: a şi b – structura.

Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND. astfel încât se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic în starea 1 logic). În acest caz (T= 1.stăpân). Figura 6.6. Schema bistabilului S-T-R: a . a cărui basculare este comandată prin semnal “0” logic.26 se numeşte bistabil S–T–R.structura. în sensul că îl subordonează pe al doilea (slave . bistabilul rămâne în starea în care se afla. Când nu se aplică semnalul de tact.26. Circuitul secvenţial de tip Master-Slave O categorie importantă de bistabile o formează cele cu structură stăpân-sclav (master–slave).26.sclav).27. de exemplu starea 0.0) – la schema din figura 6.23).28 se prezintă schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de tip SRT. În figura 6. R = 0 nu influenţează starea bistabilului decât atunci când se aplică semnalul de tact. b. Circuitul încadrat este un bistabil de tipul celui din figura 6. Semnalele de comandă se aplică prin bornele S (set) şi R .1) la intrare (combinaţia (0. Aplicarea semnalelor S = 1.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 107 pornit (comanda este memorată) până când se acţionează butonul BO (pentru ştergerea memoriei).a. În mod similar.23. Figura 6. S = 1. pentru S = 0 şi R = 1. 6. adică T = 0. revenirea în starea 0 se produce numai la aplicarea impulsului de tact (T= 1). prezentat în figura 6.simbolizarea Figura 6. Diagramă de tranziţie a stărilor În circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaţiei (1. rezultă V1 = 1 şi V2 = 1. Circuitul secvenţial din figura 6.2. Ele sunt formate din două circuite basculante conectate în cascadă: primul are funcţia de comandă (master . unde T este intrarea de tact.25 Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) într-un automat sincron se utilizează schema din figura 6.23. R = 0) rezultă V1 = 0 şi V2 = 1.

3. iar S este izolat faţă de M. Figura 6. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK ) sugerând că informaţia apare la ieşirea bistabilului. prin semnalul de tact T. iar porţile de transfer P3. deci M este izolat faţă de intrare. Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND.108 Capitolul 6 (reset) unor porţi logice de intrare P1 şi P2. P2 sunt încă închise. iar P3. porţile P1.29 Funcţionare: 1. iar bistabilul S (Slave) este izolat faţă de Master. P4 se blochează. Funcţionarea bistabilului Master-Slave pe o perioadă a impulsului de tact real (trapezoidal) se explică utilizând diagramele de semnale din figura 6. La ieşirile porţilor P1 şi P2 se obţin semnalele logice (potenţialele) V1 şi V2 care reprezintă informaţia aplicată la intrarea bistabilului M. P2 sunt deschise permiţând transferul informaţiei în M. iar porţile P3. Pe porţiunea 2-3. Semnalele logice V3 şi V4 de la ieşirea porţilor de transfer reprezintă informaţia de intrare în bistabilul S. Deci bistabilul M (Master) este izolat faţă de intrare. 2.28 Figura 6. P2 se închid. în antifază faţă de porţile de transfer (P3 şi P4) datorită circuitului inversor (CI) care este un circuit de tip NU. izolând M faţă de S. de tip NAND. Porţile de intrare (P1 şi P2) sunt comandate (activate). Între bistabilul M şi bistabilul S se află porţile de transfer P3 şi P4 de tip NAND. Pe porţiunea 3-4. porţile P1.29. porţile P1. P4 nu s-au deschis încă. pe frontul posterior al impulsului de tact. Pe porţiunea 1-2. . P4 sunt închise.

3) A. care trebuie să fie acţionat numai in următoarele situaţii: sunt acţionate Ul . Pe porţiunea 4-5. NU . U2. Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comandă (de intrare) U1. – (circuit logic secvenţial) ? Probleme: 1. B – acţionate. SAU.L. C – neacţionate. 6. Se dau funcţiile logice: Să se arate că: y1 = y2.C. A – neacţionat. Care este expresia (şi cauza apariţiei) curentului de impuls (IC MAX) în cazul porţii logice NAND (TTL) ? 3. cu module SI . U3 şi un element de execuţie Y. C acţionate. U3 U2 U2 .L. şi un circuit C.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 109 4. Observaţii: ƒ CBB – Master-Slave elimină posibilitatea tranziţiilor asincrone (necontrolate) la ieşire. Care este diferenţa (funcţională) între un C. U3 Ul U1 . P4 sunt deschise. U 3 - - Să se deducă schema de comandă în următoarele variante constructive: cu contacte. Cum se realizează practic condiţia de semnal logic “0” (zero) în cazul circuitului “SI” ? 2. deci informaţia trece din M în S şi apare la ieşirea Q. cu module SAU . 3. 2) B. C – neacţionat.NU). deoarece în acest circuit s-a eliminat transparenţa intrărilor de date. ƒ Pentru ca informaţia să se înscrie fără erori. cu circuite (module) SI.S. 2. U 3 nu sunt acţionate U3 U 1 .NU . Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare în cazurile: a) circuite logice ? b) circuite de amplificare ? 4. NU.NU . Schema de comandă pentru acţionarea unui utliaj are trei elemente de comandă U1. NU. realizată cu circuite NAND (ŞI . U2 . P2 sunt închise şi nu permit intrarea informaţiei în M. Y. care să acţioneze elementul de execuţie Y numai în următoarele situaţii: 1) B acţionat . Se cere schema logică de comandă. U 2 . U2 Ul .7. A. porţile P1. U2. este necesar ca aceasta să nu-şi modifice valoarea în intervalele de tranziţie (1-2) şi (3-4) ale impulsului de tact. iar porţile P3. U3 şi a unui element de execuţie. Întrebări şi probleme 1.

În mod asemănător.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH Conectând două porţi logice NAND conform schemei din figura 7.1. iar activarea lui R prin ”0” logic produce resetarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”0” logic. (a) Figura 7.1 se obţine un circuit bistabil care memorează evenimentul marcat prin tranziţia temporară a unei intrări în ”0” logic. ca în figura 7. dar în practică se foloseşte reprezentarea din figura 7. Una dintre aplicaţiile circuitului latch serveşte la eliminarea oscilaţiilor de tensiune ce apar la închiderea contactelor electrice acţionate manual prin butoane.CAPITOLUL 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 7. Dacă se utilizează un circuit latch.1 sunt identice.2-a se observă că la închiderea contactului K tensiunea pe rezistenţa de sarcină (URs ) se stabilizează la valoarea E după un regim tranzitoriu oscilant. încuietoare). activarea lui S prin ”0” logic produce setarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”1” logic). determină poziţionarea ieşirilor Q .1 Circuite LATCH 7. Deci ieşirile Q şi Q sunt complementare.3-a. Schema din figura 7. În figura 7. Acest circuit se mai numeşte latch (în limba engleză având semnificaţia de zăvor. Circuitul latch memorează tranziţia lui poziţionarea ieşirilor S în ”0” logic prin QQ în 10. tranziţia lui R în ”0” logic Q în 01.1-b. ilustrat în figura 7.1-a evidenţiază faptul că circuitul latch are o singură reacţie.2-b. Schema logică a circuitului latch (b) Cele două scheme din figura 7.1.

se poate realiza decodificarea. • Codificatoarele sunt C. Dacă aplicaţia ”C” este injectivă. Figura 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 111 atunci tensiunea la ieşirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentată în figura 7. semnalul de comandă la ieşirea Q va avea o valoare constantă şi fără oscilaţii care ar putea deranja funcţionarea altor circuite ce utilizează acest semnal (numărătoare.4. Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod. 7.2 Figura 7.C. adică reconstituirea mesajului iniţial. la care activarea unei intrări determină apariţia unui cuvânt de cod pe ieşire.L.3 Astfel. circuite te tip Master-Slave etc). Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieşiri este ilustrat în figura 7.4: Figura 7. Codificator cu patru ieşiri .2 Codificatoare şi decodificatoare Se numeşte COD o regulă ce descrie o aplicaţie ”C” a unei mulţimi de semne în altă mulţime de semne.3-b.

care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de cuvântul de cod aplicat la intrare.5-a.1) Pe baza relaţiilor (7. Decodificator cu două intrări: a)schema bloc. Decodificarea este necesară în următoarele operaţii: − adresarea memoriilor − afişarea numerică − multiplexarea datelor etc.1) se elaborează schema logică a decodificatorului de adresă cu 4 ieşiri (figura 7. Y0 = A 0 ⋅ A1 ⎫ ⎪ Y1 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ ⎬ Y2 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ Y3 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎭ (7.L.C. Figura 7. b) Dacă se activează intrarea IJ (cu nivelul ”H”) pe ieşirile paralele se obţine cuvântul de cod: 1110. Decodificator de adresă cu patru ieşiri . Decodificatoare sunt C.6). În cazul general. b) tabelul de adevăr. Exemplu: Se consideră decodificatorul cu două intrări (n = 2) şi 2n ieşiri (4 ieşiri) distincte.5. al cărui tabel de funcţionare (figura 7. decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrări şi 2n ieşiri distincte.6.112 Capitolul 7 • În funcţionarea codificatorului menţionat se disting două situaţii: a) Dacă se activează intrarea IK (la nivel logic ”H”). atunci pe ieşirile paralele apare cuvântul de cod: 1101.5-b) serveşte scrierii funcţiilor logice corespunzătoare. prezentat în figura 7. Figura 7.

Selecţia intrării se face printr-un cod binar (adresă) aplicat pe intrările de selecţie A0 şi A1. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7. Pentru adresarea celor patru intrări sunt necesari 2 biţi. funcţionarea multiplexorului. Observaţie: Porţile de intrare sunt prevăzute cu o intrare suplimentară comună ( E ) = Enable care autorizează. X = valoare logică oarecare Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comună pe una din ieşirile selectate. Multiplexorul prezentat în figura 7. schema logică fiind prezentată în figura 7. Selectarea ieşirii se face printr-un cuvânt de cod – numit adresă.8.7-a.3 Circuite de multiplexare (MUX) şi demultiplexare (DEMUX) Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaţionale (CLC) care permit trecerea datelor de la una dintre intrări spre o ieşire unică.7-b. b) schema logică.8.7. E H L L L L L L L L A1 X L L L L H H H H A0 X L L H H L L H H I0 X H L X X X X X X I1 X X X H L X X X X I2 X X X X X H L X X I3 X X X X X X X H L Y L H L H L H L H L Stare circuit → circuit blocat → I0 selectat → I1 selectat → I2 selectat → I3 selectat Figura 7. Multiplexor cu patru intrări şi o ieşire: a) schema bloc. Schema bloc a unui multiplexor cu patru intrări şi o ieşire este prezentată în figura 7. .7-a. sau nu.7-a funcţionează conform tabelului logic 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 113 7. Figura 7.

figura 7. Schema logică a demultiplexorului cu două ieşiri (realizată conform tabelului 7. conform tabelului de funcţionare 7.9.9-b) este dată în figura 7.9-c. iar funcţionarea acestuia. Figura 7. Demultiplexor cu două ieşiri: a) schema bloc. la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie numărate.10-a. b) diagrama impulsurilor. 7. fie pe ieşirea Y0 (dacă A = 0) fie pe ieşirea Y1 (dacă A = 1).114 Capitolul 7 Demultiplexorul cu două ieşiri.10-b. .9-a.9-b. c) schema a unui demultiplexor cu patru ieşiri. Figura 7. permite comutarea fluxului de date de pe intrarea comună (I).4 Numărătoare electronice Schema unui numărător binar cu 4 biţi este dată în figura 7. b) tabelul de adevăr. Numărător binar cu patru biţi: a) schema de principiu.10. este ilustrată în diagrama din figura 7.

11-b. care se găsesc în interfaţa de intrare. ... frontul de basculare 1 → 0 al ieşirii Q produce tranziţia stării triggerului următor şi se obţine diagrama de semnal din figura 7.. b) diagrama impulsurilor....10 – c. când s-a obţinut numărarea directă în binar.5 Convertoare Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezintă elementele de bază ale interfeţelor de proces în sistemele numerice de reglare. Numărător binar invers cu patru biţi: a) schema de principiu.c). stările triggerelor indică valoarea numerică a lui N. impuls Q1 Q2 Q3 Q4 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2 0 1 0 0 3 1 1 0 0 4 0 0 1 0 5 1 0 1 0 6 0 1 1 0 7 1 1 1 0 8 0 0 0 1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 . în baza 2 (tabelul din figura 7. numărul înregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura 7.. Spre deosebire de schema anterioară.11.11. Pentru conversia semnalelor analogice (achiziţionate dintr-un proces tehnologic) în semnale numerice. Dacă se utilizează ieşirile Q pentru legarea triggerelor în cascadă (figura 7.. la intrările calculatorului de proces se utilizează convertoare de tip A-N (analog-numerice). în acest caz rezultă numărarea inversă a impulsurilor.10 . Figura 7.. 7. adică la fiecare impuls aplicat la intrare. 115 Figura 7. 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 . .Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale Nr. .11-a). Tabel lohgic al numărotzorului binar (drirect) cu 4 biţi Se constată că după aplicarea a N impulsuri.b).. .

. Mărimea analogică este o mărime fizică a cărei variaţie în timp este dată de o funcţie continuă şi ale cărei valori sunt cuprinse în intervalul:I = [xmin ÷ xmax] cu x∈R. Figura 7.3) în care: 0 • ≤ N < 2n Observaţii: Acest convertor se numeşte convertor tensiune-timp. Când rampa începe să fie generată.12 este dată schema de principiu a unui CAN .tensiunea pe condensator.2) se obţine: Ux = I / C ⋅NT (7. care basculează şi închide poarta ŞI.116 Capitolul 7 Semnalele numerice elaborate la ieşirea calculatorului de proces pe baza unui algoritm de reglare şi/sau conducere. În acest moment numărătorul N2 este oprit de către comparator. UC . Conţinutul informaţiei din N2 reprezintă valoarea binară a tensiunii de intrare (Ux). până când amplitudinea rampei este egală cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare). Acest convertor face modulaţia în durată a impulsurilor. T fiind perioada impulsurilor. prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numericanalogice). În figura 7. Aceste convertoare se găsesc în interfaţa de ieşire situată între calculatorul de proces şi elementele de execuţie care sunt implementate în instalaţia tehnologică. sunt convertite în semnale analogice (necesare elementelor de execuţie). din (7.12.. 2. C . I este curentul de încărcare al condensatorului care generează rampa. unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub formă de impulsuri codificate.. a cărui lăţime este direct proporţională cu amplitudinea tensiunii Ux. întrucât în procesul conversiei tensiunea de intrare Ux este transformată într-un impuls.analogic cu rampă de tensiune. n}. Mărimea numerică (digitală) este o mărime fizică ale cărei valori aparţin mulţimii Sn = {0. fiind convertor indirect. Dacă numărătorul N2 a înregistrat (numărat) N impulsuri. . impulsurile de tact sunt numărate de N2.capacitatea condensatorului. Schema de principiu a unui CAN analogic cu rampă de tensiune. Deci: unde: UC = I ⋅ ΔT ' = UX C (7.. 1.2) ΔT’ este timpul de conversie egal cu NT. Generatorul de rampă conţine un condensator care se încarcă la curent constant.

memoriile pot fi: magnetice. Acest tip de memorie este similară. • Memorare numai pentru citirea datelor. dintre care. cu memoria operativă din calculatoarele clasice. fiind realizată însă cu matrice de bistabile SR. n Deci: ΔT’ = (2 −1)T 7. care pot fi doar citite. Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI şi VLSI realizate în diverse tehnologii. Acestea sunt folosite pentru înmagazinarea datelor şi a programelor de tip utilizator.Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic. adică îşi pierd conţinutul la întreruperea tensiunii de alimentare. sute de nanosecunde. În această categorie intră memoriile următoare: .6 Circuite de memorie Funcţia de memorare poate fi definită ca posibilitatea de regăsire a unor informaţii reprezentate sub formă binară. în consecinţă. lent. Există mai multe tipuri constructive de memorii ROM. sunt circuite la care harta memoriei de introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. iar datele obţinute la ieşirea codificatorului reprezintă informaţia memorată la adresa respectivă. fiind.4) Rezultă că acest sistem de conversie este de tip serie. valorile logice complementare. Timpul de acces în cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns în cazul tehnologiei bipolare sau. Memoriile ROM programabile prin mască. acolo unde doreşte. ca structură.Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaţional care stochează permanent date binare. Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementează funcţia de memorare. care au fost anterior stocate într-un circuit de memorare. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls . În această categorie intră memoriile cu acces aleator . Memoriile RAM sunt volatile. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur. care lucrează pe 8 biţi. optice sau semiconductoare. sau mask ROM. Vectorul de intrare în decodificator este interpretat ca o adresă. Această structură este de obicei definită ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator şi un codificator. Un exemplu de circuit integrat specializat în conversia numericanalogică este circuitul β DAC-08. În cele ce urmează se au în vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el.Random Acces Memory (RAM). integrate în aceeaşi capsulă cu sistemele de înscriere şi citire a informaţiei. . Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reacţiei cu funcţionare prin SOFTWARE şi a circuitelor integrate specializate în operaţii de conversie A-N. În funcţie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 117 numărul de impulsuri • Numărul N are valoarea 2 n-1 şi reprezintă corespunzătoare valorii (7. tehnologia MOS este cel mai des folosită. Uxmax. în cazul tehnologiei MOS. În funcţie de modul în care se utilizează memoriile într-un sistem de calcul funcţiile de memorare pot fi: • Memorare cu citire şi scriere de date. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil (o peliculă subţire de CrNi).

pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. Capacitatea memoriei exprimă numărul total de biţi ce pot fi memoraţi (capacitatea se exprimă în multipli de 1k = 1024 biţi). Izolaţia porţii este mult mai subţire decât la EPROM. cele realizate în tehnologie CMOS au timpi de acces mai mici de 100ns. Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS). PROM.Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt programabile ca şi memoriile PROM. adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă. şi sarcina electrică negativă poate fi eliminată prin aplicarea unei tensiuni de polaritate inversă pe poarta tranzistorului care nu este flotantă. În sfârşit.118 Capitolul 7 de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. EPROM. Schema bloc (conexiunile informaţionale) pentru un circuit de memorie este prezentată în figura 7. Memoriile mask ROM şi PROM se realizează atât în tehnologie bipolară cât şi în tehnologie MOS. semnale de intrare (când datele se înscriu în memorie). Principalele caracteristici ale unei memorii sunt: 1. Dacă memoriile EPROM în tehnologie NMOS au timpi de acces de aproape 500ns. Cuvintele (numerele) binare reprezintă date pentru un circuit de memorie şi se consideră: a. O memorie EEPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 10000 ori. Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată. dar este unidirecţional în cazul memoriilor: ROM. 2. Progresele tehnologice au determinat modificări importante în performanţele memoriilor ROM. iar timpul de stocare a informaţiei poate fi de 100 ani. iar timpul de stocare a informaţiei poate depăşi 10 ani. izolată de substrat prin 10 −7 m de SiO 2 . semnale de ieşire (când datele se citesc din memorie). . o memorie FLASH (un EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns. Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat. dar de mai multe ori. . 100000 cicluri garantate de programare/ştergere şi timp de stocare a datelor de peste 20 ani.13: Figura 7. Geometria memoriei (modul de organizare) reprezintă lungimea unui cuvânt de memorie şi numărul de cuvinte memorate. . numai că ştergerea se poate face pe cale electrică. în timp ce memoriile EPROM şi EEPROM nu se pot realiza decât în tehnologie MOS. O memorie EPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 100 ori.Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt similare memoriilor EPROM. Notaţia E2PROM este uneori folosită pentru memoriile EEPROM.13 Schema bloc a unui circuit de memorie Observaţie: Transferul de date este bidirecţional (datele intră şi ies din circuit) în cazul memoriilor: RAM şi E2PROM. b. moment ce trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie.

• 1 (una) linie de selecţie cuvânt (WL).Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 119 3. Acţionarea liniei de selecţie-cuvânt face posibilă citirea sau scrierea informaţiei în oricare dintre celulele de memorie situate pe aceeaşi linie în matrice. ceea ce necesită reîmprospătarea conţinutului la intervale constante de timp. Liniile de bit (DL şi DL ) sunt conectate la capătul coloanei . În stare neselectată. Structura celulei de memorie RAM Celula de memorie este circuitul elementar care realizează memorarea unui bit. 5. 4. Puterea consumată se exprimă în [μW/bit].14. care reprezintă selecţia pe linii în matricea de memorie. figura 7. Celulă de memorie RAM cu tranzistor bipolar Liniile de conexiune în afara celulei sunt: • 2 (două) linii de bit (notate DL şi DL ) care servesc la scrierea şi citirea informaţiei în celulă. Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare MOS.3 V). Puterea consumată reprezintă raportul între puterea totală consumată de circuit şi capacitatea acestuia. Volatilitatea se datorează modului de stocare a informaţiei sau dispariţiei tensiunii de alimentare a circuitului de memorie (cazul memoriilor dinamice). În cele ce urmează se prezintă succint funcţionarea celulei de memorie din figura 7.5 V. Figura 7. memorarea informaţiei se bazează pe modificarea capacităţii joncţiunii semiconductoare. Timpul de acces la memorie reprezintă durata necesară citirii sau scrierii informaţiei în memorie şi se exprimă în [ms] sau [ns]. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeaşi coloană într-o matrice de memorie.14. prin intermediul unei rezistenţe senzor (r) care .la o tensiune de +0.14. • 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comună tuturor celulelor din matricea de memorie. conexiunea selecţie-cuvânt (WL) este menţinută la un potenţial coborât (+0. La memoriile dinamice. Volatilitatea .o memorie este volatilă dacă informaţia înscrisă se pierde în timp. În cazul utilizării tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie îl constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care foloseşte două tranzistoare multiemitor.

Structura unui circuit de memorie. se ridică potenţialul pe linia WL (la +3V) şi. adică numărul de coloane. se forţează pe liniile de bit (DL şi DL ) o diferenţă de potenţial corespunzătoare stării în care dorim să se găsească bistabilul. tensiunea diferenţială are sens invers: semnul (+) la DL şi semnul (-) la DL. emitoarele conectate la liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mică (+0. În funcţie de semnul tensiunii obţinute la bornele celor două linii de bit. se poate "spune" care este starea bistabilelor. Figura 7. În cazul T1 blocat şi T2 în conducţie. acţionând WLi .m este numărul de linii.16 se prezintă structura unei matrice de memorie de dimensiune m×n.5 V). Pentru accesul la celula de memorie (i×j) se face selecţia liniei. Matricea de memorie Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de memorare în ale cărei noduri se găsesc celule de memorie. acţionat printr-o succesiune de comenzi aplicate din exterior.15. . Cele două operaţii (citirea şi înscrierea informaţiilor) se desfăşoară astfel: • Pentru citirea informaţiei. unde: . selecţie-cuvânt (WL).n este numărul de perechi (DL şi DL ). . se forţează linia de bit stânga (DL) la zero.5 V (în timp ce linia selecţie-cuvânt WL este selectată). deci conducţia este asigurată de acestea (legate în A şi B). Observaţii: . simultan.120 Capitolul 7 sesizează apariţia închiderii unui curent. Explicativă pentru celula de memorie RAM • Pentru înscrierea informaţiei în celulă. Exemplu: Dacă T1 conduce şi T2 este blocat. Procesorul reprezintă un automat aritmetic.Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800µW. în stare neselectată. DLj ). atunci selectând linia WL (selecţie-cuvânt) pentru citire. iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de aproximativ +0. În figura 7. şi selecţia coloanei prin perechea ( DLj. Linia (conexiunea) de alimentare este comună tuturor celulelor de memorie pe care le conţine matricea de memorare. prin care se transformă un şir de date de intrare într-un alt şir de date la ieşire. Curentul de emitor se va închide prin rezistenţele senzor conectate la liniile de bit. iar viteza de comutaţie este de 20ns. . Capacitatea memoriei este dată de produsul (m × n). Exemplu: Pentru a se obţine T1 în conducţie şi T2 în starea blocat. În acest mod.15. figura 7. linia selecţie-cuvânt (WL) este pusă la un potenţial ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3. adică m linii şi n coloane.5 V).Celula de memorie RAM se poate realiza cu două tranzistoare bipolare obişnuite (npn) la care se ataşează câte o diodă Shottky. se va obţine la ieşire o tensiune diferenţială cu semnul (+) pe DL şi semnul (-) pe DL .

conţine o unitate aritmetică logică şi registre.comandă pentru funcţiile aritmetice (+ . RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe.17.. având schema bloc prezentată figura 7. CK .comenzi. : . C . denumit şi RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit).16.semnal de tact (clock).Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 121 Figura 7. Prelucrările se efectuează asupra unor cuvinte binare cu n biţi.17: Figura 7. FL . *) şi logice. Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generată din exterior de către . Rezultatul operaţiei se poate memora intern (în registre) sau se poate genera spre exterior pe liniile de ieşire D0 (Data output).flag-uri (indicatori). F .18 sunt: Di. D0 sunt terminalele pentru datele de intrare şi respectiv de ieşire. RALU generează spre exterior şi un cuvânt FL ce conţine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizează rezultatul unei operaţii. Automat aritmetic Semnificaţiile mărimilor din figura 7. Structura unui circuit de memorie Procesorul. .adrese pentru selectarea operanzilor interni şi a destinaţiei rezultatelor. O operaţie elementară implică unul sau doi operanzi (interni sau externi faţă de RALU). A .

ce conţin convertoare de tip N/A şi A/N cât şi magistralele . 7. cap. Observaţie: Denumirea corectă a memoriei MD este RWM Read/Write Memory. Configuraţia de bază a unui microcalculator (μC) este dată în figura 7. Di . a linii de adresare şi c linii pentru comenzi. informatice: console. I . pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul comandat (cazul reglării sau conducerii numerice a unui proces).memoria de date (memorie RAM). Cititorul interesat de aplicaţiile circuitelor logice combinaţionale (CLC) şi/sau aplicaţiile circuitelor logice secenţiale (CLS) poate găsi suficiente exemple în [1].18. Microcalculatorul (μC) Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare realizată într-un singur circuit integrat (μP). FL . cititoare şi perforatoare de bandă de hârtie.19: Dispozitivele periferice sunt: 1. discuri magnetice flexibile sau rigide. Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui μP se numeşte microcalculator (μC). SI. MD . 2. interfeţe cu sistemul comandat. Schema bloc a unui procesor este dată în figura 7. Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD). SO .18: Figura 7.18 sunt: C este fluxul comenzilor către RALU. b) Memoria (MEM) compusă din: MP .122 Capitolul 7 alt automat denumit unitate de comandă (UC). pentru adresare (BA) şi pentru comenzi (BC). benzi magnetice etc. imprimante. PE). Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt: a) Unitatea centrală de prelucrare (μP). BC).fluxul datelor de la ieşire şi de la intrare. D0. Deci procesorul este un sistem digital format din RALU şi UC. şi este volatilă.7 Microprocesorul (μP). realizate cu circuite specializate sau circuite standard. BD. Magistralele menţionate conţin: d linii pentru date. terminale video.sincronizarea comenzilor pentru intrare şi ieşire.instrucţiunea curentă.Buses (BA. c) Porturile de intrare/ieşire (PI. 7. Schema bloc a unui procesor Semnificaţiile mărimilor din figura 7. .caracteristicile rezultatelor.memoria de program (memorie ROM).

Care sunt componentele din structura unui microcalculator ? 8. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizează acestea ? 7. Configuraţia de bază a unui microcalculator 7. Cum se poate activa (accesa) o celulă de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice de memorare ? . Când se utilizează circuitul LATCH ? 3.19. Care este deosebirea între o mărime analogică şi o mărime numerică (digitală) ? 2.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 123 Figura 7. Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ? 4. Ce rol au circuitele: MUX şi DEMUX ? 5.8 Întrebări 1. Care este schema bloc a decodificatorului de adresă cu n = 2 (intrări) şi 4 ieşiri ? 6.

Tusac. 2002. INC. 1991. ş. Ţepelea. S.. Purice. Electronică industrială (pentru subingineri).co. D. P. 11. Electronică industrială. 6.vishay. Editura Tehnică. C. Bucureşti. A. E. http://www. Editura Militară. Miholcă. V. Şaimac. Malvern. Bucureşti. Ceangă. C. E. 1976. 1982. V.. 1983 9. SANYO Electric Co.com. Microprocesoare – Aplicaţii. E. E. C. . Constantin.. Banu.. Bucureşti. profiluri 2. 4. 1980. 2003. http://www. Bucureşti. Bucureşti. 1976. JAPAN.. Electronică pentru neelectrice.. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate analogice. P. Bucureşti. S.. Circuite integrate liniare. 8. I. E..sanyo.. 2001. Bucureşti. 1979.. Electronică industrială. 1981. United States. Editura didactică şi pedagogică. C. Mărăşescu. 5... Neagoe.. Editura Militară.A. 3. Semiconductor Company – TOKYO. Editura didactică şi pedagogică. 1981. 63 Lincoln Highway. Electronică de putere – Aplicaţii. Stoichescu. Universitatea din Galaţi. Bucureşti. Editura didactică şi pedagogică. Bîrcă – Gălăţeanu. Ceangă.. Rădoi. Catalog IPRS – Băneasa. P. N. V. Bucureşti.a.. Constantin. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate liniare. C. 10. ∗ ∗ ∗ Catalog de componente electronice “FULL LINE PRODUCT CATALOG”. Bîrcă – Gălăţeanu. Lupu.. 7. Constantin.jp..BIBLIOGRAFIE 1. Buzuloiu. Catalog IPRS – Băneasa. Ltd. ∗ ∗ ∗ Catalog de circuite integrate digitale. Bulucea. Creangă. ş. Editura MATRIX-ROM.. Electronică industrială şi automatizări. 12. PA – 19355.. Miholcă. VISHAY INTERTECHNOLOGY.a.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful