P. 1
Electronica

Electronica

|Views: 31|Likes:
Published by OvidiuP
adsf
adsf

More info:

Published by: OvidiuP on Sep 09, 2013
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

11/28/2013

pdf

text

original

Sections

  • INTRODUCERE
  • 1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare
  • 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă
  • 1.1.3. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă
  • 1.2 Joncţiunea p-n
  • 1.3 Dioda semiconductoare
  • 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare
  • 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare
  • 1.4 Tranzistoare
  • 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare
  • 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice
  • 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar
  • Figura 1.26. Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar
  • 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF
  • 1.4.7 Tranzistoare unipolare
  • 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare
  • 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J
  • 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n)
  • 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale
  • 1.5.1 Tiristorul
  • 1.5.2 Triacul
  • 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ)
  • 2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor
  • 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor
  • 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor
  • 2.1.3 Tipuri de amplificatoare
  • 2.2 Amplificatoare de curent alternativ
  • 2.2.1 Amplificatoare de tensiune
  • 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP)
  • 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A
  • 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B
  • 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington
  • 2.3 Amplificatoare de curent continuu
  • 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial
  • 2.4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei
  • 2.5 Amplificatoare operaţionale
  • 2.6 Oscilatoare
  • 3.1 Noţiuni generale
  • 3.2 Redresoare monofazate necomandate
  • 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere
  • 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă
  • 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă
  • 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate
  • 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv
  • 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere
  • 3.3 Redresoare trifazate necomandate
  • 4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor
  • 4.2 Stabilizatoare parametrice
  • 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric
  • 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune
  • 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor
  • 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte
  • 5.4 Întrebări şi problemă
  • 6.1 Funcţii logice elementare
  • 6.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii
  • 6.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND - TTL)
  • 6.4.1. Poarta logică integrată NOR (SAU-NU)
  • 6.5 Circuite logice combinaţionale
  • 6.5.1 Noţiuni generale
  • 6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
  • 6.6 Circuite logice secvenţiale
  • 6.6.1 Circuite secvenţiale elementare
  • 6.6.2. Circuitul secvenţial de tip Master-Slave
  • 6.7. Întrebări şi probleme
  • 7.1 Circuite LATCH
  • 7.1.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH
  • 7.2 Codificatoare şi decodificatoare
  • 7.4 Numărătoare electronice
  • 7.5 Convertoare
  • 7.6 Circuite de memorie
  • 7.7 Microprocesorul (μP). Microcalculatorul (μC)

CONSTANTIN MIHOLCĂ

ELECTRONICĂ
PENTRU FACULTĂŢILE CU PROFIL NEELECTRIC

GALAŢI 2007

CUPRINS
Introducere ............................................................................................
1

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă ......................... 1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci ............................................................................. 1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă ...................... 1.2 Joncţiunea p-n .................................................................................. 1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare ... 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare ................ 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice .............................. 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar ........................... 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF ............................ 1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcţionare ............................... 1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare ........................ 1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) ............................................ 1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare.. 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic ............................................................................... 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) ... 1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS având canal de tip n ......................................... 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 1.5.2 Triacul ........................................................................................ 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) ................................................ 1.6. Întrebări şi problemă................................................ 3 3 4 5 6 8 9 10 12 12 14 16 16 18 19 19 21 22 24 25 26 27 28 28 31 32 34

vi

Cuprins

CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A .................................... 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B .................................... 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington ..... 2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial .......... 2.4 Reacţia negativă la amplificatoare şi consecinţele ei ...................... 2.5 Amplificatoare operaţionale ............................................................ 2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 2.7. Întrebări ....................................................................................... 35 35 37 39 40 40 43 44 45 46 47 47 49 51 54 58

CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere ............................. 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă .... 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă ... 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere .................................... 3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 3.4. Întrebări............................................................................................ 59 61 61 61 64 66 66 68 69 72

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric ................................. 4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având element de control serie şi amplificator de eroare ................................................................ 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 73 73 74 77 78

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere ..................................................................................... 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor ............ 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte ................................... 5.4. Întrebări şi problemă ..................................................................................... 82 86 88 90

........................................6........4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND-TTL).......... Bibliografie .......................... 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6..................................2 Analiza circuitelor logice combinaţionale ............................................................ Microcalculatorul (μC) ......... 91 94 95 97 99 100 100 101 103 104 107 109 CAP.......................................... 7......................... Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice ............................................................5..................................5 Convertoare ............................................................................3 Circuite de multiplexare şi demultiplexare ..............5 Circuite logice combinaţionale ..............2 Relaţii fundamentale în algebra logicii ... 7.......................................................... 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE LOGICE 110 110 111 113 114 115 117 122 123 7.............................5...................1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH . 6.... 6.... 7............. 7..................2 Codificatoare şi decodificatoare ..1 Funcţii logice elementare .6.6 Circuite de memorie ...... 6.......................................1 Noţiuni generale .. 6...........1 Circuitul secvenţial de tip Master .. 7............Slave ......1............................. 7........8............................................ 6................... Întrebări ........7 Microprocesorul (μP)......................7 Întrebări şi probleme.. 6................. 6........ 124 ......1 Circuite secvenţiale elementare .. 7.......1 Circuite LATCH ............ 6..........................4...............................1 Poarta logică integrată NOR (SAU-Nu)...........................3 Circuite logice................................6 Circuite logice secvenţiale .........4 Numărătoare electronice ........................................................................................................................................................................................................... 6............. 6.................................... 6.Cuprins vii CAP......................... 7.......

După anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration).000) de tranzistoare într-o capsulă. începând cu anul 1970. pe 8 biţi. se poate spune că electronica este ramura ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu studiul fenomenelor şi aplicaţiile acestora privind conducţia electrică în semiconductoare. dar s-a trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaţie între tehnologia bipolară şi tehnologia CMOS. în 1971. În 1960 se construiesc primele dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare şi triacuri) care au condus la modernizarea şi creşterea performanţelor în sistemele de acţionări electrice reglabile. în prezent. iar în 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat. dimensiunea unui tranzistor fiind ≤ 1μm.000. Posibilităţile remarcabile ale electronicii şi progresele ei deosebit de rapide (mai ales în privinţa realizării tehnologice a dispozitivelor semiconductoare şi circuitelor integrate) au făcut ca. cu numeroase aplicaţii în telecomunicaţii şi industrie. la început în tehnologie bipolară şi apoi în tehnologie MOS (după 1965). astfel că după şase ani (în 1958) s-a realizat primul circuit integrat. . electronica să fie utilizată aproape în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii. încât astăzi nu există domeniu de activitate umană în care microprocesorul să nu poată fi implicat. fiind denumită la începuturile ei “electrotehnica curenţilor slabi” şi având ca aplicaţie principală domeniul telecomunicaţiilor cu şi fără fir. Primele cinci decenii au reprezentat ”epoca” tuburilor electronice. gaze şi vid. care pot îngloba peste un milion de tranzistoare CMOS într-o capsulă. În prezent numărul de tranzistoare înglobate într-o capsulă depăşeşte 5 milioane. oferite de tehnologia CMOS. Aceste tehnologii permit înglobarea unui număr foarte mare (între 50. circuitele integrate se realizează în tehnologie CMOS. Ca domeniu independent. Ţinând seama de aspectele esenţiale ale electronicii şi fără pretenţia de a formula o definiţie atotcuprinzătoare. După 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration). De exemplu. cu avantajele consumului redus şi densitate mare de integrare.2 milioane de tranzistoare. În prezent. microprocesorul 486 conţine 1. Electronica se constituie la începutul secolului XX. Începând cu anii 1949-1952 s-au realizat primele tranzistoare. permiţând dezvoltarea tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI –Large Scale Integration). utilizate fiind atât tehnologia CMOS cât şi bipolară. Această tehnologie (BiCMOS) îmbină avantajele de viteză şi curent mare la ieşire ale tehnologiei bipolare.INTRODUCERE Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii. Aceste circuite au condus la realizarea primului microprocesor. care a antrenat toate domeniile tehnologiei. Perfecţionarea rapidă a tehnologiilor electronice a condus la apariţia familiilor de circuite integrate logice MOS. Microprocesorul a determinat o revoluţie tehnică denumită ”revoluţia microelectronicii”.000 şi 1. Începând cu anul 1962 s-a trecut la producţia industrială a circuitelor integrate.

În aplicaţii. spre deosebire de elementele electrice de circuit obişnuite (rezistoare. Părţile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice) sau regiuni cu proprietăţi diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele semiconductoare). imobile una faţă de alta. transformatoare. alimentându-se de la surse de energie. condensatoare etc). detecţie etc). amplificare. gaze sau semiconductoare. se consideră dispozitive electronice şi acele dispozitive realizate dintr-un singur material omogen. Circuitul electronic este un ansamblu electric în care se folosesc unul sau mai multe dispozitive electronice la care se leagă elemente electrice de circuit.2 Introducere Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele electronice cât şi circuitele electronice se impune definirea celor două noţiuni. numit şi element electronic de circuit. gaze sau semiconductoare. Prin extensie. producerea oscilaţiilor. în scopul realizării unei funcţiuni (redresare. modulaţie. Dispozitivul electronic este un ansamblu format din părţi componente. care are una dintre proprietăţile fundamentale ale conducţiei prin vid. dispozitivul electronic reprezintă un element de circuit. între care se produce conducţia electrică prin vid. . bobine.

Structura benzilor energetice pentru un semiconductor . Conducţia electrică în medii semiconductoare se realizează prin două categorii ale purtătorilor de sarcină: electronii şi golurile. Aceşti purtători se generează simultan sub formă de perechi şi au o anumită mobilitate. Siliciu. • semiconductor de conductibilitate extrinsecă.1.CAPITOLUL 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT 1. figura 1. 1. adică sub influenţa unui câmp electric ei pot da naştere curentului electric de conducţie. semiconductoarele se pot clasifica astfel: • semiconductor de conductibilitate intrinsecă.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi materialele izolatoare.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex. Germaniu). Generarea perechilor electron-gol se produce datorită aportului energetic extern. După modul de generare a purtătorilor. Figura 1. reprezentat prin lăţimea benzii interzise (∆w).1.1.

ca în figura 1.. RTo[Ω]. Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub acţiunea unei radiaţii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infraroşu.este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă electrică variază cu temperatura. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la temperatura de referinţă. T1 [s]. unde T0=20 oC. Δw . b) sensibilitatea S = − 1 dR T . ΔT∈[-200oC. ce reprezintă inerţia termică a termistorului.100 → [%/oC] exprimă viteza de variaţie a . 2.1. 1. d) domeniul de temperatură.+300oC].temperatura absolută ( grade Kelvin). notată cu ni . Conductibilitatea termistorului este direct proporţională cu numărul de purtători ni daţi de relaţia (1.aportul energetic extern (lăţimea benzii interzise). T .1) A .constanta lui Boltzmann. Variaţia rezistenţei electrice a fotorezistorului se datorează modificării concentraţiei . în aparatura de măsură şi automatizare.1). este egală cu concentraţia de goluri. Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci (realizate cu materiale omogene) 1.4 Capitolul 1 La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia electronilor. R To dT rezistenţei RT la o variaţie dată de un grad Celsius a temperaturii.. fiind exprimată prin relaţia: n i = pi = AT unde: 3/ 2 ⎛ − Δw ⎞ exp⎜ ⎟ ⎝ 2KT ⎠ (1. Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura - Utilizări: detector în traductoare de temperatură. c) constanta de timp. Termistorul .constantă ce depinde de natura semiconductorului.2.2.2. Figura 1. K . detector în construcţia sesizoarelor de incendiu. în care performanţele termistorului sunt stabile. ceea ce conduce la o descreştere exponenţială a rezistenţei electrice. notată cu pi .

4. T1[s]. Figura 1. Conductibilitatea extrinsecă se obţine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a unui semiconductor. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la întuneric. Sφ = − 1 dR . c) caracteristica spectrală. îl face utilizabil ca dispozitiv de protecţie împotriva supratensiunilor. Forma caracteristicii statice.100 → [%/lm].4. Caracteristica spectrală a fotorezistenţei Fotorezistenţele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc. Sφ=f(λ). Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică neliniară. a 3.1.3. R o dφ unde lm simbolizează lumenul (unitatea de măsură pentru intensitatea luminoasă). b) sensibilitatea. ilustrată în figura 1. Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în care este plasat varistorul. Procesul prin care se introduc impurităţi riguros dozate în semiconductor se numeşte dopare. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate. fiind ilustrată în figura 1. În funcţie de natura elementului de impuritate . Figura 1. în construcţia releelor fotoelectrice. 1. T1 caracterizează viteza de variaţie a rezistenţei electrice la o variaţie bruscă a fluxului luminos. d) constanta de timp. a cărui conductanţă creşte odată cu creşterea tensiunii aplicate la borne.3. Ro[Ω]. se defineşte asemănător constantei de timp a termistorului. exprimă dependenţa sensibilităţii faţă de lungimea de undă. ca urmare a aportului energetic al radiaţiei incidente. . În funcţie de valoarea lui λo (la care sensibilitatea este maximă) fotorezistenţele se pot construi pentru spectrele vizibil sau infraroşu.3.Dispozitive electronice de circuit 5 purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol).

numit şi curentul direct al joncţiunii: id = inM + ipM . Diferenţa de concentraţii dintre cele două zone determină difuzia purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta.curent invers (1. astfel încât distanţa dintre cele două zone să fie cel mult 10-5 mm. Regiunea de trecere se extinde mai mult în zona n. care au suficientă energie. Aluminiu etc) are ca efect creşterea numărului de goluri. Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n): 1. Lăţimea totală a regiunii de trecere creşte odată cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii. deoarece sarcina ionilor imobilizaţi în reţeaua cristalină compensează sarcina suplimentară a purtătorilor majoritari.5 se explică funcţionarea joncţiunii. 1. Semiconductoarele de tip n şi p sunt corpuri neutre din punct de vedere electric. iar semiconductorul obţinut este de tip n. Se folosesc notaţiile: Naoconcentraţia iniţială de goluri. deoarece atomii trivalenţi captează uşor câte un electron de la un atom vecin. Din cauza difuziei şi a recombinării purtătorilor majoritari cu cei difuzaţi rezultă. sarcină care nu mai este compensată de sarcina . 2. care este mai slab dopată cu impurităţi.2) Câmpul intern antrenează dintr-o zonă în alta purtătorii minoritari.curent direct (1.3) În figura 1. Aceste concentraţii scad până la zero la nivelul joncţiunii. Semiconductorul obţinut are purtătorii majoritari pozitivi (goluri) fiind de tip p. simbolizaţi prin m. Se obţine o sarcină a ionilor imobili (fixaţi în reţea) pentru purtătorii din fiecare zonă. o variaţie a concentraţiei de goluri (cp) şi electroni (cn). formând curentul de conducţie. Ndo . Arsen etc) are ca efect creşterea numărului de purtători negativi (electroni) deoarece atomii pentavalenţi de impuritate cedează uşor câte un electron. se realizează o joncţiune p-n care reprezintă structura de bază pentru majoritatea componentelor electronice. • Doparea cu impurităţi trivalente (Indiu. 3. Purtătorii majoritari. două tipuri de semiconductoare extrinseci.6 Capitolul 1 există două modalităţi de dopare care generează corespunzător.2 Joncţiunea p-n Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând procedee speciale) o zonă p cu impurităţi acceptoare şi o zonă n cu impurităţi donoare. Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraţia purtătorilor este foarte mică). Atomii acestor impurităţi se numesc donori. numit şi curent invers al joncţiunii: ic = inm + ipm . în vecinătatea de separaţie a celor două zone p şi n. Aceşti atomi de impurităţi se numesc atomi acceptori şi se transformă în ioni imobilizaţi în reţeaua cristalină. care devin purtători majoritari. trec dintr-o zonă în alta şi dau naştere curentului de difuzie. Electronii sunt purtători majoritari iar golurile reprezintă purtătorii minoritari. • Doparea cu impurităţi pentavalente (Stibiu.concentraţia iniţială de electroni. ce devine electron liber (purtător). simbolizaţi prin M. De regulă concentraţiile impurităţilor din cele două zone nu sunt egale (Nao > Ndo).

cu polaritatea (+) la zona p şi. Această sarcină creează câmpul electric care se opune trecerii purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. potenţialul iniţial (U0) al barierei scade cu . respectiv polaritatea (−) la zona n.5-e). Regiunea în care apare câmpul electric Ei şi sarcina spaţială ρ se numeşte regiune de trecere.Dispozitive electronice de circuit 7 purtătorilor majoritari din zona respectivă. în zona regiunii de trecere.5 Figura 1. Prezenţa câmpului intern Ei determină apariţia unei bariere de potenţial notate cu U0 (figura 1. potenţialele de tip M-S (metal-semiconductor) anulează bariera de potenţial U0. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua.7). astfel încât la bornele joncţiunii potenţialul rezultant este zero (figura 1. Figura 1. Dacă joncţiunii p-n i se ataşează două contacte metalice.6.6). ilustrată prin zona haşurată. Efectul potenţialelor de contact asupra barierei de potenţial Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n a) Polarizarea directă (figura 1. Ca urmare. Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a sarcinii ρ.

este neglijabil. cu polaritate pozitivă în timpul conducţiei. Polarizarea directă a joncţiunii p-n b) Polarizarea inversă (figura 1. Caracteristica statică a diodei este reprezentată în figura 1.U a ). Valoarea curentului de conducţie este de ordinul microamperilor. Ua.8). Figura 1. numit curent invers al joncţiunii. 1. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. Curentul direct al joncţiunii este neglijabil.9. Polarizarea inversă a joncţiunii p-n În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de alimentare. În starea de conducţie tensiunea anodică directă este: Ua ≅ 0.7. cu polaritatea (−) la zona p şi.3 Dioda semiconductoare Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care are ataşate două contacte M-S (metal-semiconductor). cu polaritate negativă în timpul conducţiei.8 Capitolul 1 valoarea tensiunii de alimentare Ua. i . se numesc: A = Anod. Curentul de conducţie (ic). Figura 1. Cei doi electrozi. iar joncţiunea se consideră blocată. Tensiunea anodică inversă se notează cu (-Ua) sau (. Acest lucru permite trecerea putătorilor majoritari care formează curentul de difuzie (Id). respectiv polaritatea (+) la zona n. numit curent direct al joncţiunii. C = Catod.3V pentru diodele cu Ge. lipiţi prin procedee speciale de contactele M-S.8.7V pentru diodele cu Si şi Ua≅0.

pentru ramura de polarizare directă (cadranul I). PSF (M). se rezolvă grafo-analitic sistemul format din ecuaţia dreptei statice de sarcină. Se observă că înclinaţia dreptei de sarcină este egală cu . De asemenea.Dispozitive electronice de circuit 9 Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi atinge valoarea de străpungere a joncţiunii.11): ⎧E = R ⋅ i a + U a ⎨ ⎩ i a = f (U a ) (1.3. aceasta se distruge prin efect termic datorită creşterii în avalanşă a curentului invers.10). Figura 1.1 Dioda în circuit. Caracteristica curent-tensiune a diodei 1.4) Tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi: E/R → pentru Ua=0 şi E → pentru ia=0. Dioda în circuit Figura 1. determinarea punctului static de funcţionare Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de limitare a curentului anodic (figura 1. Figura 1. Caracteristica externă a diodei Pentru determinarea punctului static de funcţionare. rezultată din a IIa teoremă a lui Kirchhoff aplicată circuitului din figura 1.11.10 şi ecuaţia caracteristicii anodice (figura 1.9. se cunoaşte caracteristica anodică.10. figura 1.11.

U z ΔTa e) rezistenţa internă (dinamică). max ≤ 1800 V. 1. . rz.. Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din starea ”blocat” în starea de ”conducţie” .12-a este ilustrată polarizarea diodei Zener.3. c) puterea disipată: Pd<10W. obţinute din proiecţiile punctului M pe cele două axe.5 V . 4) Diode cu contact punctiform. d) coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura: αz = 1 ΔU z . 180 V]. Sunt diode realizate cu siliciu la care se utilizează ramura caracteristicii corespunzătoare polarizării inverse. De regulă sunt utilizate în tehnica de calcul.. 3) Diode de comutaţie. b) curentul Zener – curentul corespunzător tensiunii de stabilizare: Iz∈[mA.12-b este reprezentată caracteristica statică inversată (în cadranul I). Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b) Parametrii de catalog: a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz ∈[2. Figura 1. d) frecvenţa de lucru: fl ∈ [50 Hz . 5) Dioda varicap. Sunt utilizate în circuite de detecţie şi comutaţie la frecvenţe de lucru până la 10 MHz.A].de ordinul nanosecundelor. iar în figura 1..2 Tipuri de diode semiconductoare 1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog: a) curentul mediu în sens direct: IF ≤ 600 A. . Coordonatele PSF sunt iao şi Uao.12. c) temperatura maximă admisă a joncţiunii: Tj max ≤ 140 oC.. 20 KHz]. În figura 1. Simbolizarea şi variaţia capacităţii echivalente ale diodei varicap sunt prezentate în figura 1. Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa joncţiunii foarte mică. Pe măsură ce aplicăm o tensiune mai mare la bornele diodei. Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil.. în porţiunea de lucru a caracteristicii statice..10 Capitolul 1 valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R. deci se comportă ca o capacitate comandată prin tensiune. b) tensiunea inversă: Uinv.13. 2) Diode stabilizatoare (diode Zener). aceasta echivalează cu depărtarea armăturilor ”condensatorului”.100 [%/oC].

Această proprietate permite utilizarea diodei tunel în construcţia oscilatoarelor (vezi § 2.15-a. LED în circuit (a). Dioda varicap: simbolizare şi principiu de funcţionare 6) Fotodioda este utilizată cu polarizare inversă. Este utilizată în construcţia afişoarelor numerice.15-c. astfel încât regiunea de trecere este foarte îngustă.15.b. . caracteristica spectrală (c) 7) Dioda electroluminiscentă – LED (Light Emitting Diode) se utilizează cu polarizare directă A-C. iar purtătorii majoritari traversează bariera de potenţial prin ”efectul tunel” (efect cuantic).c). Optocuplorul este un dispozitiv electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieşire. Culoarea radiaţiei depinde de natura semiconductorului şi de impuritatea activatoare.16. Polarizarea. optocuplor realizat cu LED+fotodiodă (b). figurile 1.13. Frecvenţa de lucru este cuprinsă între 0. caracteristicile anodice şi caracteristica spectrală sunt reprezentate în figura 1. familia caracteristicilor curent-tensiune (b). Simbolizarea şi caracteristica anodică sunt ilustrate în figura 1.14. figura 1. Aceasta emite un flux de radiaţii luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purtătorilor de sarcină.14 (a. Figura 1.Dispozitive electronice de circuit 11 Figura 1. Curentul de purtători majoritari se datorează fluxului luminos incident. Caracteristica curent-tensiune este neliniară şi prezintă în porţiunea MN rezistenţă internă negativă. Fotodioda este utilizată în construcţia detectoarelor opto-electronice ce lucrează în spectrele vizibil sau infraroşu. dioda Tunel fiind utilizată şi în circuite de comutaţie. realizând şi o foarte bună separare galvanică. optocuplor realizat cu LED+fototranzistor (c) 8) Dioda tunel – are joncţiunea p-n cu cele două zone foarte apropiate şi puternic dopate cu impurităţi. Polarizarea fotodiodei (a).5 şi 5 GHz. Din combinarea unui LED cu o fotodiodă rezultă un optocuplor (cuplor optic). Figura 1.6). la reclame etc.15-b şi 1.

Cei trei electrozi se numesc: emitor. Tranzistoare bipolare. . colector şi bază. Zona E este puternic dopată cu impurităţi. Considerând un dispozitiv de amplificare (DA) comandat prin semnalul de intrare xi. fie numai goluri. Figura 1. În acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent. la care conducţia electrică este asigurată atât de electroni cât şi de goluri.17. zona B este slab dopată cu impurităţi şi este foarte îngustă (de ordinul micronilor). Simbolizarea diodei tunel şi caracteristica curent-tensiune 1. La funcţionarea în regim de amplificare joncţiunea E-B este polarizată direct. 1. În această schemă tranzistorul reprezintă dispozitivul de amplificare. La aceste tranzistoare semnalul de intrare (xi) în DA este o tensiune.19. Tranzistoare unipolare. iar joncţiunea B-C este polarizată invers. tranzistoarele sunt de două tipuri: 1. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn.4 Tranzistoare Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a amplifica semnale electrice. o rezistenţă de limitare a curentului de sarcină (R) şi sursa de alimentare E. la care conducţia electrică este asigurată de o singură categorie de purtători: fie numai electroni.17 s-a reprezentat schema simplificată a unui amplificator. Simbolizarea acestora este dată în figura 1.16.18. în figura 1. 2. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor După modul în care se realizează conducţia electrică a semnalului prin DA.1 Tranzistoare bipolare . iar zona C este mai puţin dopată decât zona E.12 Capitolul 1 Figura 1.4. Structura fizică a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentată în figura 1.structura fizică şi funcţionare Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone şi două joncţiuni.

Pe = IC . (Pe). În modul. golurile din emitor difuzate în bază (B) sunt preluate şi transportate în colector de câmpul electric intern Ei al joncţiunii colectorului. Structura fizică şi polarizarea tranzistorului pnp I α n = E ≅ 0.18.995 .5) Un procent foarte mic de goluri se recombină cu electroni din bază formând atomi neutri. UCB > Pi = UEB .8) unde: ICBo este curentul de purtători minoritari.7) (1. IB .factor static de amplificare în curent IC (1. Întrucât lăţimea bazei este foarte mică iar regiunea de trecere a joncţiunii B-C se extinde mult în zona bazei (n).6) I B = (1 − α n )I E − I CBo IE = IC + IB (1. Din schema structurală rezultă ecuaţia curenţilor prin tranzistor: I C = α n I E + I CBo (1. este mai mare decât puterea de intrare (Pi): (1. Figura 1.Dispozitive electronice de circuit 13 Curentul de difuzie prin joncţiunea emitorului este format din purtătorii majoritari care sunt golurile.19. rezultând I C ≈ I E . Puterea la ieşire.9) Această inegalitate explică posibilitatea funcţionării tranzistorului în regim de amplificare. Structura şi simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp şi npn) Figura 1. Transferul aproape integral în colector a golurilor difuzate în bază poartă numele de efect de tranzistor. tensiunea între colector şi bază este mult mai mare decât tensiunea dintre emitor şi bază: U CB >> U EB . Observaţie: Curentul de purtători minoritari ICBo este foarte mic.

Tranzistorul bipolar în conexiune emitor comun Figura 1.20. În oricare dintre cele 3 scheme se are în vedere că joncţiunea E-B este polarizată direct. c) Schema de conexiuni – colector comun (CC – figura 1. rezultă că un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca bornă comună pentru intrare şi ieşire. De aceea sunt posibile trei scheme fundamentale de conexiune ale tranzistorului în regim de amplificare. emitor). Figura 1. având 4 borne.20). se utilizează ca amplificator de putere (etaj final).23. Figura 1.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice Întrucât în regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol (simbolizat în figura 1.21. iar joncţiunea C-B este polarizată invers.23). Tranzistorul bipolar în conexiune colector comun Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1. Tranzistorul bipolar în conexiune bază comună b) Schema de conexiuni – emitor comun (EC – figura 1.14 Capitolul 1 1. iar tranzistorul având numai 3 terminale (bază. Simbolizarea unui amplificator a) Schema de conexiuni – bază comună (BC – figura 1.22) – este cea mai utilizată. Figura 1. . iar în continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru această conexiune.4.21). colector.22.24) I B = f ( U BE ) U CE = ct .

I C = β n I B + (1 + β n )I Co (1. βn 1 + βn (1.25.25.Dispozitive electronice de circuit 15 Figura 1. Caracteristici statice de intrare Caracteristici statice . de ieşire pentru conexiunea EC: I C = f ( U CE ) I B = ct Familiile caracteristicilor de ieşire sunt date în figura 1. în care se disting principalele regiuni de lucru. Regiunea 1 – zona de blocare (de tăiere) este caracterizată de polarizarea inversă a joncţiunii E-B sau de lipsa polarizării acestei joncţiuni.10) unde: β n = αn se numeşte factor static de amplificare în curent pentru 1 − αn conexiunea emitor comun. Figura 1. Familiile caracteristicilor de ieşire Relaţia între factorul de amplificare βn şi factorul static de amplificare în curent αn – pentru conexiunea bază comună este: αn = unde β n = [30 L 1000] .24. Regiunea 2 – regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea directă a joncţiunii E-B şi de polarizarea inversă a joncţiunii C-B.11) .

4 Tranzistorul bipolar în circuit.determinarea punctului static de funcţionare (PSF). Regiunea 3 – este numită şi zonă de saturaţie şi corespunde situaţiei când ambele joncţiuni sunt polarizate direct. ce nu trebuie depăşiţi în timpul funcţionării tranzistorului.10) rezultă: I C ≅ (1 + β n )I Co (1. . La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate două probleme: . Stabilirea PSF Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare.12) unde ICo este curentul de purtători minoritari (curentul invers al joncţiunii BC). Această dreaptă se numeşte ”dreaptă de saturaţie”.27. în figura 1. figura 1.4.stabilizarea punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii.U CE max (1. 1.16 Capitolul 1 În regiunea de tăiere curentul de bază fiind nul.26 sunt ilustrate cele 3 limitări esenţiale în funcţionarea tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax).13) Figura 1. Aceste trei valori reprezintă parametri de catalog. din relaţia (1. limita tensiunii de colector (UCEmax) şi limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax). Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar 1. realizat cu un tranzistor de tip npn. Caracteristicile au o ramură comună sub formă de dreaptă cu înclinaţia de aproape 90o. .3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar Considerând familia caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun (EC). Relaţiile care trebuie respectate între valorile de lucru şi valorile limită ale celor trei parametri sunt: I C ≤ I C max U CE ≤ U CE max Pd < Pmax = I C max .4.26.

Dispozitive electronice de circuit 17 Figura 1. iC=f(UCE). Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn Se dau: EC.28. din relaţia (1. se obţine la intersecţia caracteristicii externe (aferentă curentului iBo) cu dreapta de sarcină.15) Neglijând UBE în raport cu EC ( UBE ≅ 0). M(UCEo.27) se obţine: EC = RC ⋅ iC + UCE . Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire (figura 1.28. RB. (1.16) Punctul static de funcţionare. Panta (înclinarea) dreptei de sarcină se exprimă prin RC tg(α)=RC. trasată prin tăieturile sale ( IC = EC şi U CE = E C ). . iCo). RC şi familia caracteristicilor externe ale tranzistorului. iCo) Figura 1.ecuaţia dreptei de sarcină. Se cere: PSF → M(UCEo.15) se obţine: iBo ≅ EC RB (1. prezentată în figura 1.14) Procedând similar pentru circuitul de intrare se obţine: EC = RB ⋅ iB + UBE (1.27.

De asemenea. ceea ce conduce la creşterea factorului de amplificare βn. care utilizează diverse scheme. Stabilizarea punctului static de funcţionare Dacă temperatura creşte iCo creşte. rezultând o creştere a curentului de colector care deplasează punctul static de funcţionare M în M’ (figura 1. ceea ce conduce la creşterea curentului de emitor (iE ≈ iC). iE ⇒ UBE = U . atât în conexiunea EC cât şi în conexiunea BC. Modificarea PSF la variaţia temperaturii Există mai multe metode de stabilizare. realizând astfel stabilizarea PSF la variaţia temperaturii. U = UBE + RE . cresc factorii statici de amplificare în curent βn şi αn. Deci se compensează creşterea iniţială a curentului iC iar punctul static de funcţionare este adus din poziţia M’ în poziţia iniţială M. Un alt efect al creşterii temperaturii îl reprezintă micşorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct. dar cea mai utilizată este schema din figura 1.17) Dacă T ↑ ⇒ iC ↑ (punctul M se deplasează în M’). Schemă utilizată pentru stabilizarea PSF-ului la variaţia temperaturii Stabilizarea PSF se explică prin relaţiile: (1.29).) şi ca urmare modificarea caracteristicilor de intrare. Figura 1.18 Capitolul 1 1.17) se observă că UBE scade ceea ce conduce la micşorarea curentului de colector. iE . cu ajutorul rezistenţei de emitor (RE) se rezolvă problema stabilizării PSF. sau IB=ct.30.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe.29. Dacă deplasarea PSF este mare.4. Figura 1.RE .30 în care. Pentru restabilirea funcţionării normale este necesară readucerea PSF (M’) în poziţia iniţială (M). Din (1. atunci funcţionarea etajului de amplificare este defectuoasă.

în paralel cu rezistenţa de emitor. Schemă cu diodă de static de funcţionare utilizând termistor compensare. La creşterea temperaturii.2⋅EC. • În regim static de funcţionare căderea de tensiune pe rezistenţa din emitor se poate calcula cu relaţia: RE.Dispozitive electronice de circuit 19 Observaţii: • Divizorul de tensiune format din rezistenţele RB1 şi RB2 permite impunerea valorii curentului de bază în regim static (iBo). corespunzătoare punctului static de funcţionare M. Schema de stabilizare a punctului Figura 1.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare se pot utiliza şi elemente de compensare ce au caracteristici neliniare. are rolul de a scurtcircuita rezistenţa de emitor atunci când etajul funcţionează în curent alternativ. pentru stabilizarea punctului static de funcţionare În figura 1. având ca efect micşorarea curentului iB. La funcţionarea etajului în curent alternativ condensatorul CE elimină reacţia negativă de tensiune dacă reactanţa condensatorului de emitor este de cel puţin 10 ori mai mică decât RE: XE ≤ 0. .4. Figura 1.33-b. rezistenţa termistorului scade.iE ≅ 0. scade corespunzător. În figura 1. 1. deci are loc compensarea efectului de creştere a curentului iC cu temperatura. pentru care diagramele curenţilor şi tensiunilor.31 este prezentată o schemă de stabilizare utilizând un termistor ca element de compensare.4.5. De regulă se adoptă curentul prin RD la valoarea: iD≅10⋅iBo. iar curentul prin termistor creşte. 1. rezultat din nodul A.1 ⋅ RE. Dioda D fiind polarizată în sens de blocare.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare utilizând un tranzistor bipolar npn în conexiune emitor-comun (figura 1. la creşterea temperaturii va creşte curentul invers idi. acţionând în sensul compensării efectului de creştere a curentului de colector cu temperatura. cum sunt termistoarele şi diodele semiconductoare. sunt prezentate în figura 1. astfel încât curentul iB. • Condensatorul din emitor.33-a).31.32 este dată o schemă de stabilizare termică utilizând o diodă ca element de compensare. CE.32.

adică segmentul AB. . adică este inductivă sau capacitivă. Deci caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor statice de funcţionare când la intrarea etajului se aplică semnalul alternativ. Construcţia grafică (reprezentată la scară) a caracteristicilor în regim dinamic permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare. În timpul funcţionării etajului de amplificare în curent alternativ. Re . Re . punctul static de funcţionare (M) se deplasează pe dreapta de sarcină. între punctele A şi B se face cu frecvenţa semnalului de intrare (iB~) şi are ca efect apariţia componentelor alternative pentru curentul de colector (adică iC~) şi pentru tensiunea de la ieşire (UCE~). iar Pi = UBE ⋅ IB (1. b) Conexiunea colector-comun (CC): Ri .18) De asemenea.rezistenţa la intrare (zeci sau sute de kΩ). panta caracteristicii dinamice (panta segmentului A’B’ .tg β) este diferită faţă de panta caracteristicii statice (tg α). I2 = IC I1 I2 (1. AU =zeci sau sute. peste componentele continue (iB0.rezistenţa la ieşire (zeci sau sute de Ω). ZC. efective) (1. Deplasarea alternativă a punctului static (M) pe dreapta statică de sarcină. marcat cu linie groasă. În regim dinamic punctul static M se deplasează în ambele sensuri pe dreapta de sarcină şi descrie caracteristica dinamică. Proprietăţi calitative ale etajelor de amplificare în raport cu schema de conexiune utilizată. unde: U1 = UBE. unde Pe = UCE ⋅ IC. Tensiunea de la ieşirea etajului (UCE~) este în antifază faţă de curentul de intrare alternativ (iB~). iC0) ale curenţilor din tranzistor se suprapun componentele alternative. Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt: Amplificarea în tensiune: A U = A = U CE = U CEo + U CE ~ U2 Ui U BE I I Amplificarea în curent: A I = 2 = C (val. Curenţii prin tranzistor vor fi: i B = i Bo + i B ~ i C = i Co + i C ~ (1. Ai ≤ 1.19) Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative şi blochează componenta continuă (dacă există) a semnalului de intrare. Dacă sarcina etajului nu este rezistivă.20 Capitolul 1 Datorită semnalului alternativ de la intrare. I1 = IB.21) I1 IB Amplificarea în putere: AP = Pe/Pi. AI.rezistenţa la ieşire (sute de kΩ sau MΩ). corespunzător valorilor maxime ale curentului iB~ . R E = 2 . tensiunea colector-emitor are două componente: (1.23) Observaţie: Dacă tensiunea de intrare Ui este de înaltă frecvenţă sau dacă sarcina nu este rezistivă parametrii etajului sunt mărimi complexe: Zi. (1. a) Conexiunea bază-comună (BC): Ri . AU. Curentul de la ieşire (iC~) este în fază cu cel de la intrare (iB~).20) Ri = U U1 . U2 = UCE. eficace).rezistenţa la intrare (zeci de Ω).22) Rezistenţele de intrare şi ieşire ale etajului de amplificare sunt: ≅ U CE (val.

Concluzii: • Schema colector-comun este utilizată în circuitele de adaptare pentru că are rezistenţa la ieşire mică sau. Funcţionarea acestora se bazează pe modificarea conductanţei unei căi de trecere a purtătorilor care produc curentul electric prin dispozitiv. Calea de trecere se numeşte canal şi este situat între doi electrozi numiţi sursă (S) şi drenă (D). AU ≤1. Canalul poate fi realizat din purtători de sarcină negativi (electroni). • Schema bază-comună (BC) creează dificultăţi la cuplarea etajelor în cascadă (serie) datorită diferenţelor foarte mari între impedanţa (sau rezistenţa) de intrare şi cea de ieşire.7 Tranzistoare unipolare În cazul tranzistoarelor unipolare.4. Figura 1. sau goluri (care au sarcină pozitivă). Regimul dinamic al tranzistorului bipolar 1. • Pentru amplificatoarele de tensiune. Tranzistoarele unipolare se mai numesc Tranzistoare cu Efect de Câmp (TEC). Ai = zeci sau sute.rezistenţa la intrare (kΩ).33.Dispozitive electronice de circuit 21 Ai = zeci sau sute. conducţia este asigurată de o singură categorie de purtători: fie electroni. fiind canal de tip n. în construcţia amplificatoarelor de putere. schema cea mai utilizată este cea cu emitorul-comun. AU= zeci sau sute.rezistenţa la ieşire (zeci kΩ). canalul fiind de tip p. c) Conexiunea emitor-comun (EC): Ri . care în limba engleză are aceeaşi semnificaţie: Field Effect Transistor. Re . . Se mai utilizează abrevierea FET. fie goluri.

Figura 1. regiunile de trecere (reprezentate prin zonele haşurate din figura 1.35-a) se extind în zona canalului micşorând . Zona p a grilei formează cu zona n a canalului o joncţiune polarizată invers. Baza fiind legată la grila negativată de către tensiunea UG. Structură fizică şi funcţionare Tranzistoarele cu efect de câmp şi joncţiuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n sau p.22 Capitolul 1 Figura 1. respectiv curentul de drenă este maxim (ID=IDmax). rezultă altă joncţiune p-n polarizată invers. b) Când grila este negativată (UG<0). 1. având structură MOS (Metal Oxid Semiconductor). figura 1. TEC sunt comandate în tensiune.34.7. În funcţionarea tranzistorului TEC-J se disting următoarele situaţii: a) Dacă grila nu este polarizată (UG =0).. Deoarece conductanţa canalului depinde de potenţialul grilei. distribuţia potenţialului (b) Zonele haşurate reprezintă regiunile de trecere ale celor două joncţiuni. Simbolizarea tranzistoarelor unipolare Conductanţa canalului se modifică sub influenţa câmpului electric produs de tensiunea aplicată la al 3-lea electrod numit grilă (G) sau poartă (P).structura fizică (a). Rezistenţa internă a acestor tranzistoare este foarte mare ( 108 .1 TEC-J având canal de tip n.. 2) TEC cu grilă (poartă) izolată.35-b. TEC-J .4. În cele ce urmează se prezintă structura fizică a unui tranzistor TEC-J având canal de tip n. Distribuţia spaţială a potenţialului la nivelul canalului este prezentată în figura 1. 1012 Ω). Deci canalul de tip n este situat între două joncţiuni polarizate invers.TEC-MOS.35-a. După modul în care se realizează controlul (reglajul) conductanţei canalului există două categorii de tranzistoare unipolare: 1) TEC cu joncţiuni (TEC-J).35. Din acest motiv tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de câmp. regiunile de trecere au lăţime neglijabilă (deci nu apar zonele haşurate) şi ca urmare secţiunea canalului este maximă.

În zona de amplificare curentul de drenă este reglat prin modificarea tensiunii de grilă. Figura 1. iar curentul de drenă care circulă între sursă (S) şi drenă (D) se micşorează.38.37. indiferent de tensiunea aplicată pe drenă. Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n. Familia caracteristicilor de ieşire În familia caracteristicilor de intrare se observă că tensiunea de prag (Up) reprezintă valoarea tensiunii de grilă la care se anulează curentul de drenă (ID).37) şi de intrare (figura 1. b) canal p Importanţă deosebită prezintă familia caracteristicilor de ieşire (figura 1. Familia caracteristicilor de ieşire prezintă două zone: I.38). Figura 1. Familia caracteristicilor de intrare .36.36a şi b. c) Dacă grila este puternic negativată (UG<<0) regiunile de trecere se unesc anulând secţiunea canalului şi ca urmare se anulează curentul de drenă (ID≅0). Simbolizarea în circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentată în figura 1. Figura 1. II – zona de saturaţie.Dispozitive electronice de circuit 23 secţiunea acestuia.zona de amplificare.

Condensatoarele CC1 şi CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare şi respectiv la ieşirea etajului. Căderea de tensiune pe rezistenţa sursei (RS).7. În schema din figura 1.39.39-a etajul de amplificare utilizează o sursă separată (Eg) pentru negativarea grilei. iar pe drenă (D) se aplică o tensiune pozitivă.39-a şi b.39-b realizează negativarea automată a grilei în raport cu sursa. Rezistenţa Rg se adoptă de ordinul megohmilor (MΩ) şi are rolul de a transmite pe grilă potenţialul negativ al sursei (bateriei) Eg. Rezultă tensiunea de negativare a grilei.39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = −Eg.01) din valoarea nominală a semnalului de intrare. Figura 1. valoarea mare a rezistenţei Rg asigură o rezistenţă (impedanţă) de intrare ridicată pentru etajul de amplificare. este posibilă dacă tranzistorul este polarizat corect. b) cu negativare automată a grilei. cu semnul plus (+) la sursă şi minus (−) la grilă. Etaj de amplificare cu TEC-J: a) cu sursă separată pentru negativarea grilei. Curentul de drenă (curentul de sarcină al etajului) este limitat prin rezistenţa de drenă (RD). dată de relaţia: UG0 = − RS ⋅ ID0 S (1. dată de componenta continuă a curentului de drenă ID0 = IS0.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J Funcţionarea unui etaj de amplificare. acestea având rolul de blocare a componentei continue din semnalul de intrare şi/sau ieşire.24) Condensatorul CS decuplează (scurtcircuitează) rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. întrucât reactanţa X C a acestuia este neglijabilă la frecvenţa de lucru a etajului.24 Capitolul 1 1. realizat cu tranzistori TEC-J (canal n). Observaţie: În proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie îndeplinite două condiţii esenţiale: • Căderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului să nu fie mai mare de un procent (0.4. dacă se utilizează una dintre schemele prezentate în figura 1. Rezultă că între rezistenţa Rg şi reactanţa X C trebuie să existe C1 relaţia: X C C1 ≤ Rg 100 (1. În figura 1. utilizând o singură sursă de alimentare (sursa de drenă ED). adică atunci când grila (G) este negativă în raport cu sursa (S).25) . În acelaşi timp. Schema din figura 1. Aceste condiţii impuse etajului de amplificare pot fi îndeplinite. se aplică între sursă şi grilă (prin rezistenţa Rg).

3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic Considerând etajul de amplificare din figura 1. o rezistenţă de sarcină RS (sau o impedanţă ZS). prin CC2.40). Proiecţiile duse din punctul static (M) pe axele ID şi UDS determină coordonatele ID0 şi UDS0 ale punctului M. Panta caracteristicii dinamice (tg β) va fi diferită de panta dreptei statice (tg α) dacă la ieşirea etajului se conectează. Astfel.40 se observă că la funcţionarea etajului în regim dinamic apar componentele alternative ale curenţilor şi tensiunilor prin tranzistor care se suprapun peste componentele continue ale acestora.39-a şi aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ED = RD ⋅ ID + UDS (1. cu frecvenţa semnalului UG ~ .Dispozitive electronice de circuit • 25 Condensatorul CS conectat în paralel cu RS trebuie să şunteze rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. exprimată prin tg(α). pentru UG0= −Eg . RD U DS = E D (1. reprezintă caracteristica dinamică a tranzistorului TEC-J. utilizând punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină cu axele de coordonate: ID = ED . depinde numai de valoarea rezistenţei de drenă RD: tg(α)=RD. expresiile curenţilor şi tensiunilor în regim dinamic sunt: UG = UG0+ UG ~ UDS = UDS0+ UDS ~ ID = ID0+ ID ~ (1. Panta dreptei statice de sarcină. se trasează dreapta statică de sarcină în planul caracteristicilor de ieşire (figura 1. a punctului static M pe dreapta de sarcină între punctele A şi B. Dacă la intrarea etajului se aplică un semnal alternativ (u~).4. G pentru tranzistorul TEC-J utilizat în etajul de amplificare (figura 1.39-a). Astfel segmentul AB. În acest caz panta caracteristicii dinamice va fi: tg β = f (RD + RS) sau tg β = g (RD + ZS) (1.29) Din figura 1. atunci componenta alternativă a tensiunii de grilă (UG ~) determină deplasarea rectilinie alternativă. Această condiţie este îndeplinită dacă între rezistenţa sursei RS şi reactanţa X C există relaţia: S X CS ≤ RS 10 (1.7. figurat cu linie groasă.28) Punctul static de funcţionare (M) se obţine la intersecţia caracteristicii de ieşire.30) .26) 1.27) Presupunând dată familia caracteristicilor de ieşire I D = f ( U DS ) U = ct. cu dreapta statică de sarcină. astfel încât să se elimine reacţia negativă de tensiune.

deci modifică conductivitatea canalului.42-b sunt marcate regiunile I şi II. Observaţii: Dacă se cere o rezistenţă de intrare (Ri) cât mai mare a etajului de amplificare. i D = g( U G ) U D = ct (1. Structura fizică este prezentată în figura 1. În figura 1. iar curentul de drenă creşte. b) canal de tip p (goluri). ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcină prin tranzistor.41. se alege PSF în regiunea de sărăcire (grilă negativă).42-a iar familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare este dată în figura 1.42-b.40. Metalul depus pe oxid joacă rol de grilă. În figura 1. reprezentând: I-regiunea de amplificare.42-b sunt reprezentate caracteristicile de ieşire şi intrare: i D = f ( U D ) U G = ct Valoarea tensiunii de grilă pentru care curentul de drenă se anulează (iD=0) poartă numele de tensiune de prag (Up). La suprafaţa semiconductorului de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 . rezistenţa de intrare rezultă foarte mare: Ri≅1014 Ω.26 • • Capitolul 1 Observaţii: Curentul de la ieşirea etajului (ID~) este în fază cu semnalul alternativ de la intrare (UG ~)... Tensiunea de ieşire (UDS ~) este în antifază cu semnalul de intrare (UG~).4. Diagramele tensiunilor şi curenţilor la funcţionarea etajului în regim dinamic 1. atunci regimul de funcţionare este un regim de îmbogăţire (în purtători). PSF se alege pe dreapta de sarcină în zona de îmbogăţire (grilă pozitivă). la care grila este izolată de canal prin stratul de oxid.31) . Figura 1. Dacă grila este la potenţial pozitiv. II – regiunea de saturaţie. Pentru Ri mică.7.10-6) mm.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) Structura MOS este prezentată în figura 1. Structura MOS poate avea două tipuri de canale: a) canal de tip n (electroni). În cazul tranzistoarelor TEC-MOS având canal permanent. deoarece modifică prin potenţialul său proprietăţile semiconductorului la suprafaţa dinspre oxid.

41.43) se elimină elementele RS.4. considerând că în PSF tensiunea de grilă este negativă (UGo<0). Dacă din schema etajului de amplificare (figura 1.Dispozitive electronice de circuit 27 Figura 1.CS asigură negativarea automată a grilei în raport cu sursa de alimentare. Grupul RS . Rezistenţa de grilă (RG) se adoptă suficient de mare (de ordinul MΩ) astfel încât să asigure o impedanţă mare la intrarea etajului de amplificare. a . atunci se obţine un etaj de amplificare ce asigură o impedanţă de intrare (Zi) foarte mare (≈1012 Ω). Structura fizică (a). CS şi RG. familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare (b) 1. este alimentat de la o singură sursă (+ED).42. Structura tranzistorului MOS Figura 1.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TECMOS având canal de tip n. În figura 1. Astfel de amplificatoare cu impedanţe de intrare foarte mari sunt necesare în construcţia adaptoarelor traductoarelor de pH. la fel ca în cazul TEC-J.7.43 este prezentată schema unui etaj de amplificare la care tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n).

47.5 Dispozitive semiconductoare speciale În electronica aplicată se utilizează frecvent dispozitivele semiconductoare speciale.7. Din acest motiv aceste dispozitive semiconductoare se mai numesc şi multijoncţiune.1 Tiristorul Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat în electronica de putere. diacul. triacul. El este format din 4 zone şi 3 joncţiuni. Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A). Etaj de amplificare cu TEC-MOS având canal n 1. caracteristicile şi funcţionarea următoarelor dispozitive semiconductoare: 1. În cele ce urmează se va prezenta structura.5. catod (C) şi poartă sau grilă (P sau G).28 Capitolul 1 traductoarelor piezoelectrice etc. Un dispozitiv semiconductor special care are o singură joncţiune şi trei electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Joncţiune (TUJ). Structura fizică şi simbolizarea tiristorului . structura acestuia şi simbolizarea fiind prezentate în figura 1.43. Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este asemănător celui prezentat la tranzistorul TEC-J (§ 1. deci mai multe joncţiuni. tiristorul. Structura fizică a acestor dispozitive conţine mai multe straturi în succesiune pnpn.3) Figura 1. Figura 1.47. Cele mai utilizate dispozitive multijoncţiune sunt: dioda pnpn (numită diodă Shockley sau dinistor).4.

iar i B 2 este dat numai de curentul de grilă care trebuie să fie suficient de mare. fenomenul de conducţie (creştere a curenţilor 2 prin tranzistoare) accelerându-se până când ambele tranzistoare intră în saturaţie. b) blocarea tiristorului are loc atunci când curentul prin tiristor se micşorează. Curentul prin tiristor (care circulă de la anod la catod) trebuie limitat printr-o rezistenţă de sarcină. Figura 1. Pentru un tiristor prezintă importanţă caracteristica anodică. figura 1. Acest lucru conduce la creşterea lui i B .49. În continuare se deschide puţin T2.48. ilustrată în figura 1.48. ceea ce duce la creşterea lui i C = i B . astfel încât acesta să nu depăşească valoarea nominală (care este un parametru de catalog). Figura 1. adică ia scade sub valoarea curentului de menţinere iam (parametru de catalog). adică i B creşte şi 2 1 1 deschide T1 rezultând creşterea curentului de colector al tranzistorului T1.48 se observă că: i B 2 = i C1 + i G . Caracteristica anodică a tiristorului . Pentru amorsare se aplică tensiune pozitivă la anod şi negativă la catod. La început ambele tranzistoare sunt blocate. ia=f(Ua). după care este necesar un curent de grilă pozitiv care se aplică sub formă de impuls. Schema echivalentă a unui tiristor Funcţionarea tiristorului cuprinde două etape: a) amorsarea (intrarea în conducţie sau aprinderea). Din figura 1.49.Dispozitive electronice de circuit 29 Tiristorul este echivalent cu două tranzistoare bipolare complementare (pnp şi npn).49. conectate ca în figura 1.

e. Caracteristica de comandă (caracteristica de grilă) reprezintă dependenţa tensiunii de amorsare în raport cu valoarea curentului de grilă (figura 1.49). Această caracteristică separă zona de blocare faţă de zona de conducţie şi explică faptul că pentru tensiuni de amorsare mari. Pentru limitarea vitezei de creştere a curentului la o valoare sub viteza critică (parametru de catalog). valorile curenţilor de grilă necesari amorsării sunt mai mici şi invers (fenomen ilustrat şi în figura 1. figura 1. Δi a (1.50.50). în [1]). Observaţii: Dacă între tensiunile de amorsare Uam1 şi Uam2 există inegalitatea (Uam1<Uam2). se înseriază cu tiristorul o bobină de inductivitate L (calculată ca şi grupul Rp-Cp după o metodologie utilizată de exemplu. .49. Figura 1. se disting 3 zone corespunzătoare regimurilor de funcţionare ale tiristorului: • zona I – corespunzătoare regimului de blocare (curentul creşte foarte puţin. iar căderea de tensiune între anod şi catod rămâne aproximativ constantă). fiind neglijabil).51). • temperatura maximă a joncţiunii Tj max ≤ 140 oC.32) zona III – corespunde regimului de conducţie (curentul creşte brusc după o caracteristică aproape verticală. atunci între curenţii de grilă corespunzători există inegalitatea inversă: i G1 > i G 2 . Caracteristica de comandă a tiristorului • • • Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt: • curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN ≤ 1000A. Grupul Rp-Cp asigură atenuarea gradienţilor de tensiune inversă (periculoşi pentru joncţiunile tiristorului) ce apar în momentul blocării acestuia.30 Capitolul 1 În planul caracteristicilor anodice.51). iar curentul anodic are o creştere mică). figura 1. Pentru protecţia tiristorului la curenţi de scurtcircuit se utilizează o siguranţă fuzibilă specială (ultrarapidă. • tensiunea inversă Uinv = sute (mii) volţi (tensiunea anodică inversă). iar pentru protecţia acestuia împotriva gradienţilor de tensiune inversă se utilizează un circuit Rp-Cp serie conectat în paralel cu tiristorul (figura 1. În regimul de tranziţie rezistenţa internă a tiristorului este negativă: R Ti = − • ΔU a < 0. • zona II – corespunzătoare regimului de tranziţie din starea blocat în starea de conducţie (când tensiunea scade pronunţat.

care este o ramură distinctă a electronicii industriale. • tensiunea maximă inversă. 1. Triacul reprezintă un întrerupător static în curent alternativ şi este utilizat pentru reglarea tensiunii alternative (în structura variatoarelor de tensiune alternativă) la bornele receptoarelor mono sau trifazate. Pentru amorsarea tiristorului este necesar ca durata impulsului de comandă (iG) să fie suficient de mare. trecerea în starea de conducţie are loc pentru curenţi de grilă negativi (iG<0).53). Conectarea triacului în circuit este prezentată în figura 1. IN≤ 75A. • temperatura maximă a joncţiunii. Întrucât triacul are conducţie bidirecţională. LS). intrarea în conducţie se face pentru curenţi de grilă pozitivi (iG>0). curentul de sarcină (curentul anodic) este limitat numai de rezistenţa şi/sau inductivitatea de sarcină (RS. Făcând abstracţie de structura fizică.49) să depăşească valoarea curentului de menţinere iam. Uinv-max≤ 1200V.51. ce trebuie luaţi în considerare la alegerea unui triac. iar funcţionarea corespunde cadranului III. astfel încât curentul prin tiristor (ia – figura 1. iar funcţionarea corespunde cadranului I. Acest domeniu de aplicaţie aparţine electronicii de putere. sunt următorii: • curentul nominal. ia=f(ua). se poate considera că triacul este echivalent cu două tiristoare în conexiune antiparalelă comandate printr-o grilă comună (figura 1. Tj-max≤ 140 oC.52-a). este formată din două ramuri situate în cadranele I şi III (figura 1. Figura 1.52-b. dacă tensiunile de . caracteristica anodică. Elementele de protecţie necesare triacului sunt aceleaşi ca în cazul tiristorului. Tiristorul reprezintă un întrerupător static în curent continuu şi este utilizat în construcţia variatoarelor de tensiune continuă monofazate sau polifazate. Asemănător fenomenelor întâlnite la tiristor.Dispozitive electronice de circuit • 31 După intrarea în conducţie a tiristorului. Observaţie: Valorile absolute ale curenţilor de grilă |iG1| şi |iG2| necesari amorsării triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului (Uam1 şi Uam2).2 Triacul Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structură complexă. Tiristorul în circuit • • Amplitudinea impulsului de comandă pe grilă (iG) reprezintă un parametru de catalog a cărui valoare nu trebuie depăşită. La funcţionarea triacului într-un circuit de sarcină se disting două situaţii: a) Dacă anodul A2 este pozitiv faţă de anodul A1. b) Dacă anodul A2 este negativ faţă de anodul A1.5. Principalii parametrii de catalog.

Figura 1. Caracteristicile anodice ale triacului 1.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) Acest dispozitiv semiconductor se mai numeşte şi diodă cu două baze. Joncţiunea p-n este realizată în zona mediană a blocului semiconductor de tip n.5. Structura fizică şi simbolizarea sunt prezentate în figura 1.53. iar rezistenţa RBB între bazele B1 şi B2 este relativ mare (de ordinul kΩ). (a) (b) Figura 1. Zona p a emitorului este puternic .54.52.32 Capitolul 1 amorsare aplicate triacului sunt mai mari. triacul în circuit (b) Figura 1. Simbolizarea triacului (a). curenţii de grilă necesari intrării în conducţie vor fi mai mici şi invers.54. Structura fizică şi simbolizarea tranzistorului unijoncţiune La acest tranzistor zona n este slab dopată cu impurităţi.

tranzistorul unijoncţiune este utilizat ca formator de impulsuri în circuitele de comandă ale tiristoarelor sau triacurilor. unde η se numeşte raport intrinsec (coeficient subunitar) exprimat prin relaţia: η= rB1 + rB 2 rB1 (1. (semnul plus la borna B2). curentul de emitor (iE) creşte lent pe durata regimului tranzitoriu. Care sunt parametrii de catalog şi semnificaţia acestora. După terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor creşte brusc (pe ramura AB comună caracteristicilor). fiind limitat numai de valoarea rezistenţei de sarcină. între punctul din dreptul joncţiunii emitorului şi cele două baze. iar uEB1 scade până la valoarea de 0. Figura 1. Care este legea de variaţie a purtătorilor de sarcină în cazul semiconductoarelor omogene? Precizaţi semnificaţia parametrilor din expresia analitică ! 2.Dispozitive electronice de circuit 33 dopată cu impurităţi. De regulă η=0.8 .. b) uEB1 > η·uBB.6 Întrebări şi problemă 1.. Care sunt proprietăţile regiunii de trecere a unei joncţiuni pn? 3.8. Intrarea în conducţie a tranzistorului unijoncţiune are loc dacă sunt îndeplinite condiţiile: a) uBB > 0. La aplicarea unei tensiuni uBB>0 între cele două baze potenţialul punctului M situat pe joncţiune va fi egal cu η⋅uBB. 1 V (punctul A din figura 1. Când aceste condiţii sunt îndeplinite joncţiunea p-n este polarizată direct.55). în cazul Termistorului şi Fotodiodei ? .55. Familia caracteristicilor curent-tensiune Datorită formei de variaţie a curentului de emitor (în regim de conducţie). Pe durata regimului tranzitoriu (porţiunea OA din caracteristici) rezistenţa internă a TUJ este negativă.5 ··· 0.33) în care rB1 şi rB2 sunt rezistenţele barei de semiconductor. 1.

Prin ce parametru (variabil) se poate modifica secţiunea canalului (de tip n) în cazul TEC-J ? 9. R D . Care sunt relaţiile analitice ce justifică proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar ? 5. Ce reprezintă caracteristica dinamică în cazul tranzistorului bipolar şi de cine depinde panta acesteia ? 8. . Re = 40 KΩ ? 7. C2 = CS . U G0 = −5 [ V ] . canal de tip “n” (permanent) ? 10.34 Capitolul 1 4. f min = 200 [ Hz ] . în care se cunoaşte: U DS0 = 10 [ V ] . cu TEC-J (prezentată mai jos). I DS0 = 8m [ A ] . Ce modalităţi (variante) există pentru negativarea grilei – în cazul TEC-J. Care element (componentă) din schema etajului de amplificare – asigură stabilizarea PSF la variaţia temperaturii mediului ? Problemă Considerând schema unui etaj de amplificare. f = 20 KHz ? 6. Cum (în câte moduri) se poate măsura o tensiune alternativă cu parametrii: Uef = 80V. Se cere să se calculeze valorile elementelor: R S . C1 . Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ.

Sarcina sa poate fi rezistivă sau poate fi o impedanţă. respectiv I1. Figura 2.1.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor Un amplificator este simbolizat.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor Dacă notăm cu P1 puterea în circuitul de intrare şi cu P2 puterea obţinută la ieşire. U1. în condiţia ca semnalul de la ieşire să păstreze forma semnalului aplicat la intrare. Schema de principiu a unui amplificator Bornele de intrare (1 – 1’) reprezintă poarta de intrare.1. 2. caracterizată de tensiunea U2 şi respectiv curentul I2.1) . care de regulă nu se simbolizează în schemele bloc.CAPITOLUL 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE 2. se pot defini următorii parametri: • Amplificarea de putere Ap: A p = P2 >1 P1 (2. Bornele de ieşire (2 – 2’) reprezintă poarta de ieşire. printr-un cuadripol activ care are două perechi de borne. ca în figura 2.1. caracterizată de tensiunea şi curentul de intrare. Un amplificator are rolul de dezvolta în circuitul de ieşire o putere mai mare decât cea aplicată la intrare. Amplificarea semnalului de la intrare se face utilizând energie preluată de la sursa de alimentare (Uo).

5) Impedanţa de intrare este impedanţa echivalentă la bornele de intrare atunci când la bornele de ieşire este conectată impedanţa de sarcină nominală (ZSN).tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor electromagnetice din mediul înconjurător.6) .4) Considerând reprezentările în complex ale mărimilor intrare-ieşire. Amplificarea în decibeli se calculează utilizând relaţia: A[dB] = 20 ⋅ log A = 20 ⋅ log Exemple: • [dB] (A > 0) (2. numită decibel [dB]. ce caracterizează deformarea unui semnal sinusoidal.dacă A = 1 → AdB = 0. nu depăşeşte o limită impusă (de exemplu 5%). Amplificarea în curent se defineşte prin relaţia: A i = • I2 I1 (2. Aceasta se defineşte prin relaţia: Zi = Valoarea impedanţei de intrare trebuie să fie de ordinul meghomilor [MΩ]. trebuie să fie mică (zeci de Ω) pentru ca la ieşire să se poată debita un curent (o putere) cât mai mare în impedanţa de sarcină nominală (ZSN).. Un amplificator performant trebuie să aibă raportul dintre semnalul util şi zgomot cât mai mare. Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină în condiţiile când factorul de distorsiuni. . .36 • Amplificarea în tensiune Au: A u ≡ A = Capitolul 2 U2 U1 U2 U1 (2. impedanţa de intrare (Zi) trebuie să fie foarte mare: Zi∈[108.componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (când filtrarea acestei tensiuni este necorespunzătoare). osciloscoape etc). se pot defini amplificările în tensiune şi curent prin relaţiile: A= • U2 . . atunci când amplificatoarele se utilizează în aparatura de măsurare (voltmetre electronice. Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora: . În aceste cazuri primul etaj al amplificatorului se realizează cu tranzistoare MOS. Ze.dacă A = 10n → AdB = 20⋅n. U1 I Ai = 2 I1 (2. • Impedanţa de ieşire.agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare prin rezistoare şi tranzistoare.2) Frecvent se utilizează unitatea logaritmică pentru amplificare. Când amplificatoarele intră în componenţa traductoarelor piezoelectrice.3) .. piezorezistive sau de pH. U1 I1 (2. • Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zează efectul tensiunii fluctuante la ieşirea amplificatorului – care există şi atunci când nu se aplică semnal la intrare.1012] Ω.

Se defineşte factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin relaţia: 2 2 2 A 2 + A 3 + A 4 + .3-a) semnalul de ieşire (ue2) va fi distorsionat atunci când amplitudinea semnalului de intrare (ui 2) depăşeşte valoarea maximă (ui max) delimitată de curbele c1 şi c2.7) A1 unde: A1 – este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieşire u2(t) – distorsionat..1. Dacă PSF se alege în zona mediană a caracteristicii statice ( soluţia corectă – figura 2. Caracteristica externă a amplificatorului În figură se disting două zone: zona OA (zona I) corespunzătoare regiunii liniare a caracteristicii... A4 . a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare. unde punctul A este situat în zona de saturaţie.2. iar punctul B – în zona de tăiere. d[%] = ⋅ 100 (2. Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni de neliniaritate. În figura 2.3.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor Caracteristica externă reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire în raport cu tensiunea de intrare. fiind dată în figura 2. reprezintă amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t).2. când la intrare se aplică un semnal perfect sinusoidal. A2. (a) (b) Figura 2. A3. se consideră un etaj de amplificare cu tranzistor bipolar la intrarea căruia se aplică un semnal sinusoidal. Dacă Ui>Uimax atunci semnalul de ieşire este distorsionat (deformat). ( U 2 = f ( U1 ) ).Amplificatoare şi oscilatoare 37 2. Figura 2. în care este valabilă relaţia A[dB]=20⋅logA şi zona AB (zona II) corespunzătoare regiunii neliniare de saturaţie. Pentru a explica apariţia distorsiunilor de neliniaritate şi efectul poziţiei punctului static de funcţionare (PSF) al tranzistorului asupra lărgimii zonei de liniaritate în caracteristica intrare-ieşire.3 sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului împreună cu dreapta de sarcină (AB). b) Distorsiuni datorate alegerii greşite a poziţiei PSF ..

delimitată prin caracteristica c1. Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2. în funcţie de frecvenţa f (datorită elementelor reactive din circuitul acestora). Acest domeniu se numeşte banda de trecere a amplificatorului (Bt) şi reprezintă domeniul cuprins între frecvenţa joasă de tăiere (ftj) şi frecvenţa de tăiere înaltă (ftî) pentru care amplificarea A[dB] nu se micşorează cu mai mult de 3dB. unde ϕ este defazajul introdus de amplificator. vor rezulta distorsiuni de frecvenţă numite şi distorsiuni de liniaritate (când amplificatorul funcţionează în regiunea liniară a caracteristicii intrare-ieşire).4 şi exprimă dependenţa modulului amplificării în raport cu frecvenţa (f): A[dB] = g(f) (2. un amplificator este caracterizat prin dependenţa defazajului ϕ. figura 2. . este echivalentă cu scăderea amplificării A la valoarea 1 ⋅ A 0 = 0. dar nici mult mai largă decât acest spectru pentru a nu micşora raportul semnal util/zgomot. Pentru amplificarea fără distorsiuni a semnalului de intrare este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia să fie amplificate în aceeaşi măsură. transmisii de date etc.4. la extremităţile benzii de trecere.707 ⋅ A 0 . Observaţii: • La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie să fie mai îngustă decât spectrul semnalului util (de intrare). introdus de amplificator. semnalul de ieşire (ue) va fi distorsionat numai pentru semialternanţa pozitivă deoarece numai prima semialternanţă din semnalul de intrare (ui) depăşeşte valoarea maximă. Caracteristica de frecvenţă În aplicaţiile practice interesează domeniul de frecvenţă în care amplificarea este aproximativ constantă. televiziune.8) Figura 2. 2 unde A0 este amplificarea medie în banda de trecere Bt. Micşorarea cu 3dB a amplificării. Caracteristica de fază este importantă la amplificatoarele utilizate în: osciloscoape. Semnalul de intrare în amplificator este rezultatul însumării unor armonici de diferite amplitudini şi frecvenţe. Această dependenţă se numeşte caracteristică de fază: ϕ = g’(f). Detalii privind caracteristica de fază a amplificatoarelor sunt date în [3]. Ansamblul acestor armonici formează spectrul semnalului de intrare. Această condiţie este îndeplinită atunci când spectrul semnalului aplicat la intrare este cuprins în banda de trecere a amplificatorului. pentru a nu avea distorsiuni de frecvenţă.38 Capitolul 2 Dacă PSF este greşit ales spre punctul A. • În afara caracteristicii de frecvenţă. Dacă spectrul semnalului de intrare nu este inclus în totalitate în banda de trecere a amplificatorului. iar f este frecvenţa semnalului de intrare.3-b.

care amplifică semnale fără componentă continuă şi au caracteristica de frecvenţă de tipul celei din figura 2. unde variaţiile de curent şi tensiune.106. definit prin relaţia Q=f0/(ftî .Amplificatoare şi oscilatoare 39 2. d) După lărgimea benzii de trecere: • amplificatoare de bandă îngustă. este de ordinul 105. Aceste amplificatoare se numesc de tensiune. Caracteristică de frecvenţă a acestui tip de amplificator este prezentată în figura 2. e) După poziţia punctului static de funcţionare (PSF). la care variaţiile de tensiune şi de curent.5. când frecvenţa medie este mai mică de 1MHz. în mod deosebit. caracterizate prin factorul de calitate Q. corespunzătoare semnalului de intrare.. Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de putere..6. c) După valoarea frecvenţei medii din spectrul semnalului amplificat: • amplificatoare de joasă frecvenţă. Figura 2.. în mod deosebit. când frecvenţa medie este de ordinul MHz sau GHz.ftj). sunt relativ mari. • amplificatoare de înaltă frecvenţă. ale căror spectre conţin şi componenta continuă (armonica de frecvenţă nulă). • amplificatoare de semnal mare. La aceste amplificatoare se urmăreşte. Valoarea curentă a factorului de calitate este cuprinsă în domeniul [10.5. 60]. În această categorie sunt incluse şi amplificatoarele de audiofrecvenţă. numite şi selective. ilustrat în figura 2. unde f0 este frecvenţa centrală a benzii de trecere.1. obţinerea unei anumite puteri pe sarcină.3 Tipuri de amplificatoare Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri şi se pot clasifica după următoarele criterii: a) După tipul semnalului de amplificat: • amplificatoare de curent continuu – destinate amplificării semnalelor lent variabile. la care raportul dintre frecvenţa înaltă de tăiere şi frecvenţa joasă de tăiere (ftî/ftj). sunt mici în comparaţie cu valorile tensiunilor şi curenţilor de la ieşire. • amplificatoare de curent alternativ.4. În categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de videofrecvenţă.. Caracteristica de frecvenţă a unui amplificator pentru semnale lent variabile b) După nivelul semnalului amplificat: • amplificatoare de semnal mic. amplificatoarele pot fi: . corespunzătoare semnalului de intrare. deoarece se urmăreşte. • amplificatoare de bandă largă. obţinerea unei amplificări în tensiune.

1 Amplificatoare de tensiune Aceste amplificatoare trebuie să asigure la ieşire o tensiune U (suficient de mare) încât. la care PSF se alege în profunzimea regiunii de blocare. • amplificatoare în clasă B (PSF se află în punctul de tăiere. Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1). impedanţa de sarcină (ZS) sau rezistenţa de sarcină şi puterea necesară la ieşire (P2). iar al doilea bloc este un amplificator de putere (etaj final.2. Observaţie: Există şi amplificatoare în clasă C. Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprinsă în domeniul 20Hz. punctul M). figura 2.20 kHz.6. AT-PA).. Amplificatoarele de curent alternativ.2 Amplificatoare de curent alternativ Un exemplu tipic al acestor amplificatoare îl reprezintă amplificatorul de audiofrecvenţă. • amplificatoare în clasă A-B (PSF se află aproape de punctul de tăiere.7. 2. Se cere: proiectarea amplificatorului de tensiune şi a amplificatorului de putere astfel încât să se debiteze pe ZS puterea impusă la ieşire. punctul M2). aceste amplificatoare fiind utilizate în construcţia triploarelor de frecvenţă şi în tehnica semnalelor modulate în frecvenţă. punctul M1). Figura 2.7. au în componenţă două blocuri funcţionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de tensiune (numit preamplificator.40 • Capitolul 2 amplificatoare în clasă A (PSF se află în regiunea mediană a dreptei de sarcină. acesta să poată furniza puterea P2 cerută la .. Poziţia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare 2. AP-EF). Figura 2. aplicată la intrarea AP.

Condensatoarele C1. . C2 are rolul de a bloca componenta continuă care s-ar transmite de la primul etaj la următorul. Figura 2. CE2) sunt astfel alese încât reactanţele acestora să fie neglijabile (să reprezinte scurtcircuite) la frecvenţele de lucru ale amplificatorului.9).8. Rezistoarele RE1.Amplificatoare şi oscilatoare 41 ieşire. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu tranzistoare bipolare Perechile de rezistoare RB1 − RB2 şi RB3 – RB4 reprezintă divizoare de tensiune prin care se stabilesc valorile curenţilor de bază. RE2 au rolul de a stabiliza poziţia punctelor statice de funcţionare (PSF) în cele două etaje de amplificare. C3 blochează componenta continuă care s-ar putea transmite la ieşirea etajului al II-lea. Structura generală a unui amplificator de tensiune Cuplarea etajelor se poate realiza în două moduri: a) utilizând elemente de cuplaj . amplificatoarele de tensiune se realizează din mai multe etaje legate în serie (cascadă) ca în figura 2. către amplificatorul de putere. Figura 2. b) cuplajul direct între etaje (ca în cazul circuitelor integrate). C2 şi C3 se numesc condensatoare de cuplaj şi au următoarele roluri: C1 blochează componenta continuă a semnalului aplicat la intrarea primului etaj de amplificare.9. Condensatoarele CE1. Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi a condensatoarelor de decuplare (CE1.condensatoare sau transformatoare de cuplaj. Rezistoarele RC1. Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând tranzistoare bipolare (figura 2. RC2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de colector). Din acest motiv. Exemple de amplificatoare de tensiune 1. Observaţie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj între etaje oferă avantajul unei adaptări facile între sarcină şi etaj. CE2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune la funcţionarea etajelor de amplificare în regim dinamic. dar are şi dezavantaje: gabarit mare şi preţ de cost ridicat.8.

3 – ieşire. Amplificator de joasă frecvenţă realizat prin cuplare directă între etaje În cazul cuplajului direct între etajele de amplificare se transmite. CS2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune în regim dinamic. realizat cu circuitul integrat TAA-263. Acest fenomen complică – într-o anumită măsură – calculul regimului staţionar al amplificatorului (în faza de proiectare). Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 – intrare. Rezistoarele RS1. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu TEC-J Ca şi în schema din figura 2.9. Se observă că cele trei etaje de amplificare (din structura circuitului integrat) sunt cuplate direct. deci blochează componentele continue (la intrare prin C1. CS2) trebuie să asigure reactanţe capacitive neglijabile la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. C2.10. de la un etaj la altul. iar tensiunea din colectorul lui T2 (UCE2) determină poziţia PSF pentru tranzistorul T3 care. RS2 au rolul de negativare automată a grilelor cât şi de a stabiliza poziţiile punctelor statice de funcţionare (PSF) la variaţia temperaturii ambiante. la rândul său. polarizează baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P şi RB). • Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utilizând tranzistoare bipolare în loc de tranzistoare TEC-J. între etaje prin C2 şi la ieşire prin C3). Rezistenţele RD1. Rezistenţele RG1. 2 – alimentare (+E). 3.42 2. C3 au acelaşi rol (de cuplaj). Capitolul 2 Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând TEC-J (figura 2. Rezistenţa RB împreună cu potenţiometrul P realizează un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului . Observaţii: • Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi de decuplare (CS1. În figura 2.10) Figura 2. Funcţionarea corectă a circuitului presupune ca în circuitul bazei primului tranzistor (T1) să existe un curent de polarizare iBo care să determine funcţionarea tranzistorului în regiunea activă. condensatoarele C1. Tensiunea din colectorul lui T1 (UCE1) asigură polarizarea corectă a bazei lui T2. RG2 (cu valori de ordinul MΩ) au rolul de a realiza impedanţe mari la intrarea etajelor. RD2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de drenă). Condensatoarele CS1. 4 – bornă de masă (−E). atât componenta alternativă cât şi componenta continuă ale semnalului. Din această cauză punctul static de funcţionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj depinde de poziţia PSF a tranzistorului din etajul anterior.11 este prezentat un amplificator de audiofrecvenţă.

9) Figura 2.11. Cu prima metodă se adaptează rezistenţa de sarcină la etaj. ţinând seama de schema echivalentă (figura 2. Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimină reacţia negativă de tensiune la frecvenţele de lucru ale amplificatorului). numite şi etaje finale. se va înseria un rezistor R1 ( ≅ 1 kΩ) înaintea condensatorului C.2 Amplificatoare de putere (AP) Aşa cum s-a arătat anterior amplificatoarele de putere. Schema echivalentă a unui amplificator de putere Există două metode pentru creşterea puterii debitate la ieşire: a) adaptarea sarcinii la etajul de ieşire prin intermediul transformatoarelor (de adaptare). Amplificator de audiofrecvenţă realizat cu CI de tip TAA-263 Observaţie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare (U1∼).Amplificatoare şi oscilatoare 43 tranzistor. puterea debitată pe RS va fi maximă dacă este îndeplinită condiţia: Re (AP) ≤ RS (2. În conformitate cu teorema transferului maxim de putere.12. 2. b) adaptarea etajului la sarcină utilizând pentru etajul final o schemă de conexiune adecvată. Reprezentând amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu rezistenţa internă Rg egală cu rezistenţa de ieşire a etajului (Re). schema echivalentă a amplificatorului (AP) este dată în figura 2.12. au rolul de a debita pe un rezistor de sarcină dat.12). Deci. Acest lucru este posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de . o valoare impusă a puterii P2 (la ieşire). Figura 2.2. la un generator dat se obţine puterea maximă pe sarcină atunci când rezistenţa internă a generatorului (Rg) este mai mică sau egală cu rezistenţa de sarcină (RS).

Acest lucru este ilustrat în diagramele de semnale aferente funcţionării în regim dinamic al etajului.2.12) Creşterea puterii debitate la ieşire datorată creşterii semnalului de intrare poate avea loc dacă punctul A’ nu intră în zona de saturaţie.13. pentru o putere mare la ieşire. figura 2. . În acest caz trebuie urmărită condiţia ca punctul A’ să nu ajungă în zona de saturaţie şi punctul B’ să nu ajungă pe caracteristica iB=0 (zona de tăiere).15. unde N1 şi N2 reprezintă numărul de spire din primarul transformatorului. respectiv din secundarul acestuia. se obţine relaţia aproximativă de calcul pentru RS: 2 (2.44 Capitolul 2 cuplaj. Figura 2.10) R S = r1 + (r2 + rS ) ⋅ ⎜ ⎜N ⎟ ⎟ ⎝ 2⎠ Dacă se neglijează r1 şi r2.11) R S ≅ rS ⋅ K t Adaptarea etajului la sarcină este posibilă dacă alegem o schemă de conexiuni adecvată transferului maxim de putere. 2. O metodă de creştere a puterii debitate de AP constă în creşterea amplitudinii semnalului de la intrare.26). se alege o schemă de conexiuni cu rezistenţă de ieşire mică (conexiune colector comun). În cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieşirea amplificatorului prin transformator. figura 2.2. Aria triunghiului poate fi mărită dacă PSF iniţial (M) se adoptă prin proiectare astfel încât dreapta de sarcină să fie tangentă în M la hiperbola de disipaţie a puterii tranzistorului (vezi figura 1. Rezistenţa generatorului (Rg) din schema echivalentă se adoptă egală cu rezistenţa de ieşire (Re) a etajului amplificator de putere (AP).13. adică pentru un curent de ieşire (curent de colector) mare.14 care funcţionează în clasă A având sarcina cuplată prin transformator. Sarcină cuplată la AP prin transformator Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt ≅ N1/N2. Rezistenţa de sarcină raportată la primarul transformatorului se poate calcula folosind relaţia: 2 ⎛ N1 ⎞ (2. Astfel. 2 (2.1 Amplificatoare de putere în clasă A Se consideră etajul de amplificare din figura 2. puterea utilă (Pu) debitată pe rS reprezintă puterea dezvoltată în circuitul monofazat din secundarul transformatorului şi se calculează utilizând relaţia: Pu = U ef I ef cos(ϕ) = U CE max I C max U ⋅I ⋅ = CE max C max = 2 2 2 CM ⋅ AC = = aria (ΔMAC).

Figura 2. semnalul fiind distorsionat. atunci PSF va descrie la ieşire un semnal redresat monoalternanţă (ca în figura 2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B Considerând planul caracteristicilor de ieşire. unde Pc este puterea consumată de amplificator de la sursa auxiliară de alimentare). Amplificator de putere în clasă A Figura 2. figura 2. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă A 2. Pentru ca semnalul de ieşire să fie tot . în cazul acestor amplificatoare PSF se alege în zona de tăiere a dreptei de sarcină.Amplificatoare şi oscilatoare 45 Randamentul unui amplificator în clasă A nu depăşeşte 50% (η=Pu/Pc.15. Figura 2. PSF (punctul M) poate ajunge în poziţia A”.16). Dacă amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor.16.16.2.14. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă B Dacă semnalul de intrare iB~ creşte excesiv.

19-b. Figura 2.14) unde: (2. Curentul de colector al tranzistorului compus este: i C = i C1 + i C2 ≅ β N1i B1 + β N2i B2 = β N2i B + β N2i E 2 = β N 2i B + + β N1 (i C2 + i B2 ) = β N 2i B + β N1β N 2i B2 + β N1i B2 = β N i B (2. conduce T1 iar T2 este blocat şi. invers.46 Capitolul 2 sinusoidal (ca cel de intrare). Amplificator de putere amplificatorul în clasă B Figura 2.19). În figura 2. Această conexiune este formată din două tranzistoare (figura 2.de putere mică sau medie). figura 2. Curentul de sarcină pentru din figura 2. dintre care primul este numit tranzistor de comandă (T2 .19-a conexiunea Darlington este realizată cu două tranzistoare npn (fără inversare de polaritate).2. iar în figura 2.18. formează prin însumare curentul alternativ de sarcină (iS) prin RS. 2.15) Din ultima relaţie se observă că tranzistorul compus realizează o amplificare în curent mare.2. Randamentul acestui amplificator în clasă B este de circa (70÷75)%. etajul de amplificare se realizează cu două tranzistoare complementare. i S = i C1 + i C 2 (2. numită şi tranzistor compus. Ansamblul tranzistoarelor într-o conexiune Darlington se numeşte dublet.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utilizând conexiunea Darlington. pentru ca amplificarea celor două alternanţe să se facă în cantităţi egale (amplitudini egale).13) În schema prezentată este necesar ca tranzistoarele să aibă caracteristici statice identice. T2 –pnp).17.17: 1-npn şi 2-pnp. iC1 şi iC2. În acest ultim caz conexiunea Darlington se numeşte cu inversare de polaritate. iar al doilea este un tranzistor de putere (T1). β N = β N1 + β N2 + β N1 β N2 ≅ β N1β N2 .17 Dacă la intrare se aplică semialternanţa pozitivă.18. figura 2. pentru semialternanţa negativă. aceeaşi conexiune este realizată cu două tranzistoare complementare (T1 –npn. Cei doi curenţi de colector.

rezultă în timpul funcţionării un fenomen numit ”deriva nulului” (sau derivă termică). . Ele sunt utilizate în construcţia aparatelor de măsură şi automatizare. b) utilizarea schemei de amplificare care se bazează pe principiul modulăriidemodulării.20. ca urmare. Etaj de amplificare diferenţial . Acest fenomen constă în modificarea în timp a tensiunilor la ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea acestuia semnalul se menţine constant sau este nul. 2.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial În figura 2.două divizoare de tensiune la intrări. . Conexiune Darlington: fără schimbare de polaritate 2.19.20 este prezentat etajul de amplificare în montaj diferenţial.3.două intrări simetrice Ui1 şi Ui2 . unde se disting: . Figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 47 Figura 2.două ieşiri nesimetrice (Ue1 şi Ue2). Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea directă între etajele de amplificare. care asigură tensiunile U1 şi U2.3 Amplificatoare de curent continuu Acestea sunt destinate amplificării semnalelor lent variabile care au frecvenţa minimă din spectru egală cu zero. . Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizează două metode: a) folosirea unui montaj diferenţial în schema de amplificare.o ieşire simetrică între bornele AB (Ue ≡UAB).

Ue2 au variaţii opuse în raport cu creşterea semnalului la una dintre intrările amplificatorului.21. rezultând o tensiune constantă la ieşirea simetrică (Ue =UAB=const). Aceste variaţii sunt ilustrate în planul caracteristicilor de transfer. ⇒ iB2 ↑ ⇒ iC2 ↑ ⇒ Ue2 ↓. tensiunea la ieşire va fi dată de relaţia: Ue=K⋅(Ui1-Ui2). Funcţionarea în regim de amplificator Pe parcursul explicaţiilor se utilizează notaţiile simbolice: ↑ ≡ creşte. În figura 2. Figura 2. din (2.22-a se dă schema unui etaj diferenţial. figura 2. având ca elemente de echilibrare potenţiometrul P şi reostatul R.16).17) Dacă iE1 ↑. Dacă se aplică simultan semnale la ambele intrări. Cazul I: Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitele de emitor rezultă ecuaţiile: Ui1 ≠ 0 (Ui1 ↑) Ui2 = 0 ⇒ U2 = const. În acest caz rezultă: iC1 creşte şi iC2 creşte.16) (2.48 Capitolul 2 Explicarea atenuării fenomenului de derivă: considerăm Ui1=Ui2=constant şi că temperatura T creşte. . unde K este factorul de amplificare pentru montajul diferenţial.18) U BE1 ↓. ⇒ (2. considerând aceste semnale neegale (Ui1 ≠ Ui2). ↓ ≡ scade. dar iC2 ≈ iE2 ↑. Dacă Ui1 ↑ ⇒ iB1 ↑ ⇒ iC1 ↑ ≈ iE1 ↑ ⇒ Ue1 ↓ U BE1 = U1 − R E (i E1 + i E 2 ) U BE 2 = U 2 − R E (i E1 + i E 2 ) (2. ceea ce conduce la scăderi ale tensiunilor Ue1 şi Ue2 în cantităţi egale. Ui2 ≠ 0 (Ui2 ↑) Dacă Ui2 ↑. Tensiunile de ieşire ale amplificatorului diferenţial Observaţii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dublă faţă de pantele caracteristicilor referitoare la ieşirile simetrice. Ui1= 0 ⇒ U1= const. din (2. deci iB1 ↓ ⇒ iC1 ↓ (scade) ⇒ Ue1 ↑(creşte) Concluzie: Cele două tensiuni la ieşirile nesimetrice Ue1.17) ⇒ U BE 2 ↓ ⇒ iB2 ↓ ⇒ iC2 ↓ ⇒ Ue2 ↑ Cazul II.21.

b) deplasarea caracteristicilor statice. determinând o deplasare în sus a caracteristicilor. Există însă şi situaţii în care reacţia negativă apare accidental. iar cu ajutorul reostatului R se deplasează caracteristicile pe verticală.22-b). Echilibrarea etajului diferenţial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare.22. a cărui schemă bloc este prezentată în figura 2. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie negativă de tensiune . Exemplu: Prin creşterea rezistenţei R curentul iC ≅ iE1+iE2 se micşorează. fiind determinată de cuplaje parazite. acesta se realizează prin circuite specializate (dimensionate în faza de proiectare). Figura 2.23. până când se obţine echilibrarea amplificatorului (intersecţia caracteristicilor statice are loc în originea axelor de coordonate). adică intersecţia caracteristicilor statice nu are loc în origine (figura 2. iar tensiunea de ieşire comună creşte. Se consideră un amplificator cu reacţie negativă de tensiune.4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei Reacţia – în cazul amplificatoarelor – constă în aplicarea (introducerea) la intrarea acestuia a unei părţi din energia mărimii de la ieşire. Când reacţia negativă este necesară în amplificatoare. Figura 2. Prin ajustarea potenţiometrului P se deplasează caracteristicile pe orizontală. prin intermediul unei legături inverse (ieşire-intrare).23. 2.Amplificatoare şi oscilatoare 49 S-a considerat iniţial că etajul nu este echilibrat.

A este factorul de amplificare al amplificatorului fără reacţie. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare şi cel de reacţie (figura 2. . de obicei.23) Din relaţiile (2. amplificarea este exprimată prin relaţia: Ar = (2. pentru cazul reacţiei negative de tensiune (figura 2.este tensiunea la intrarea amplificatorului fără reacţie.23). se pot scrie următoarele ecuaţii: U + U r − Ui = 0 (2. U . Dacă circuitul de reacţie este format numai din rezistoare atunci β este un număr real.19) unde: Ue .23).26) Rezultă că. exprimat prin relaţia: A= Ue U (2. Circuitul de reacţie este realizat. (2. rezultă: .22) Ur = β ⋅ Ue (2.28) şi împărţind membrul drept prin A.50 Capitolul 2 Semnificaţiile notaţiilor din figură sunt: .Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacţie de tensiune.28) Pornind de la relaţia (2.25) Ar + β ⋅ Ar = 1 A A 1+β⋅A (2.20) şi (2.23 acest factor este exprimat prin relaţia: Ar = Ue Ui (2.24) (2. printr-o reţea de elemente pasive şi este caracterizat prin factorul de reacţie β: β= Ur Ue (2.21) unde: Ur este tensiunea de reacţie. Amplificarea unui amplificator cu reacţie pozitivă de tensiune este dată prin relaţia: Ar = A 1−β⋅A (2. se obţine: Ue U +β e =1 A ⋅ Ui Ui Ţinând seama de expresia lui Ar (2.este tensiunea la ieşirea amplificatorului.19). Reacţia pozitivă se obţine când tensiunea Ue de la ieşire este în fază cu semnalul U.27) În cazul reacţiei negative semnalul de la ieşire (Ue) este în antifază cu semnalul de la intrare (U).20). din relaţia precedentă se obţine: (2. Conform figurii 2.21) se obţine: Ue + β ⋅ Ue = Ui A Împărţind ultima relaţie la U i .20) unde: U i este tensiunea aplicată la intrare.

majoritatea amplificatoarelor utilizează acest tip de reacţie. • Creşte stabilitatea în timp a amplificării. în funcţie de structura circuitului de reacţie aferent amplificatorului. Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaţii de calcul simple. 7) variaţia defazajului Δϕ ≅ 0.5 Amplificatoare operaţionale Un amplificator operaţional (AO) este un amplificator la care cuplarea între etaje se face direct. 6) 1ăţimea benzii de trecere B → ∞. (foarte mare) rezultă: A r ≅ (2. • Se modifică favorabil impedanţele intrare-ieşire. Cele mai utilizate scheme cu AO sunt: . proprietate foarte utilă în echipamentele de măsură şi de automatizare. fiind conceput să funcţioneze într-o gamă largă de frecvenţe. Uieşire=0 în orice moment în care la intrare nu se aplică semnal). AO este caracterizat de o amplificare foarte mare. • Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului. diferenţiere etc). 3) curentul de polarizare pe cele două intrări neglijabil. Relaţia (dependenţa) intrare-ieşire poate fi liniară sau neliniară. 5) impedanţa de ieşire Ze → 0. iar erorile introduse sunt în limitele admise. integrare. Principalii parametri idealizaţi sunt: 1) amplificarea în buclă deschisă A0 → ∞. • 2. • Se micşorează distorsiunile de neliniaritate.Amplificatoare şi oscilatoare 51 Ar = 1 1 +β A 1 β (2. • Creşte lăţimea benzii de trecere. • Se ameliorează (îmbunătăţesc) parametrii calitativi ai amplificării. Observaţie: Datorită avantajelor oferite de reacţia negativă.29) Pentru A→ ∞ . scădere.30) Consecinţele reacţiei negative în amplificatoare: Se micşorează amplificarea A. Amplificatoarele operaţionale se clasifică după natura relaţiei intrare-ieşire. 2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabilă. Amplificatorul inclus în structura oricărui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenţial integrat). Un AO foloseşte reţele de reacţie a căror structură (rezistenţe şi capacităţi) permite realizarea unor operaţii matematice (adunare. dar acest lucru nu reprezintă un inconvenient prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A mai mare decât cea dorită. 4) impedanţa de intrare Zi → ∞. astfel încât amplificarea cu reacţie să rezulte la valoarea impusă.

iar simbolizarea este prezentată în figura 2.33) Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicată în nodul de curenţi M rezultă: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată în circuitul de ieşire rezultă: i = io + i1 . Simbolizarea unui AO neinversor .realizează înmulţirea cu o constantă şi inversarea semnului tensiunii de intrare.31) Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare. Schema de principiu a unui AO în montaj neinversor Figura 2.31) se obţine: i1 ≅ Din (2. Ro ⋅ Ui .34) (2. Schema electrică a acestui amplificator este dată în figura 2. iar schema simbolică este dată în figura 2. unde K = R1/Ro (2.37) 2) Amplificator operaţional în montaj neinversor – realizează înmulţirea tensiunii de intrare cu o constantă pozitivă supraunitară. Simbolizarea unui AO inversor Întrucât amplificatorul de curent continuu are impedanţa de intrare şi amplificarea în circuit deschis foarte mari. rezultă: Ui=Roio+U (2.24.34) şi (2.36) obţine: Ţinând cont de (2.32) Ţinând seama de (2. Figura 2.31) se obţine: i o ≅ Ui Ro (2. pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui) se consideră ipotezele: Z i → ∞ .25.52 Capitolul 2 1) Amplificator operaţional în montaj inversor .25. Schema de principiu este prezentată în figura 2.27.K Ui .26.24.35) Ue U =− i R1 Ro sau U e = − R1 Rezultă: Ue= . Schema de principiu a unui AO în montaj inversor Figura 2.26.33).27. i ≅ 0 ş i U ≅0 (2. ⇒ io ≅ − i1 Ue=R1i1+U Ue R1 se (2. Figura 2. (2.35) (2.

3) Amplificatorul sumator-inversor realizează suma ponderată. întrucât asigură rezistenţa de intrare foarte mare şi rezistenţa de ieşire mică.31). Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2.43) (2. se obţine: Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ . utilizat frecvent ca element de adaptare. conduce la relaţiile: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire se obţine: i0=i01 + i02+ .45) componentele curentului i0 din relaţia (2. Simbolizarea unui sumator-inversor Considerând aceleaşi ipoteze din (2. cu semn schimbat..31).38) Neglijând mărimile U şi i..40) Observaţie: Pentru R0 → ∞ şi R1 = 0 se obţine circuitul repetor..31) şi aplicând aceeaşi procedură se obţin: 53 ⎧ R 0i 0 + U + U i = 0 ⎪ ⎨U e + R 0i 0 − R1i1 = 0 ⎪ i = i 0 + i1 ⎩ (2..Amplificatoare şi oscilatoare Utilizând aceleaşi ipoteze din (2. aplicată în cele două noduri de curenţi. iar simbolizarea este dată în figura 2.41) Teorema I-a a lui Kirchhoff.. adică Zi → ∞ . i ≅ 0. + i0n i0= . se determină (utilizând legea lui Ohm) curenţii prin rezistoarele conectate la intrările amplificatorului: i o1 = U i1 U U . +KnUin) (2. U≅0. i on = in R 01 R 02 R 0n (2.28.. Figura 2..38) rezultă expresia caracteristicii externe: Ue = K⋅Ui (2.i1 Ue = −i 0 R1 (2..41).28.44) (2. conform relaţiei (2. Schema de principiu a unui AO în montaj sumator-inversor AO Figura 2. i o 2 = i 2 .39) unde: K =1+ R1 Ro (2. din (2.46) .29.45) i1=Ue/R1 sau Înlocuind în (2.42) (2.29. a tensiunilor de intrare.

utilizând dispozitive electronice active. Ti=RC este timpul de integrare.30. Dacă timpul de integrare nu este limitat. Atunci când . Simbolizarea unui AO în integrator-inversor Utilizând aceleaşi ipoteze (Zi → ∞ .54 unde Capitolul 2 K1 = R1 R R . iar capacitatea C se exprimă în farazi. din (2.50) U e = − K U i dt + U e (0) .47) Figura 2.49) rezultă: t Ue = − 0 Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din circuitul de reacţie) în momentul aplicării semnalului de intrare (t=0).48).6 Oscilatoare Acestea sunt circuit care. unde K = ∫ 1 1 = Ti RC (2. se obţin relaţiile: Ui = R⋅i0 şi i0 = -i1 (2. Tensiunea Ue(0) se figurează la borna de ”condiţie iniţială” (figura 2. tensiunea de ieşire se poate exprima prin relaţia: ∫ Uidt sau U e = − Ti 1 ∫ Ui (τ)dτ + U e (0) (2. Schema de principiu a unui AO montaj integrator-inversor Figura 2. . U≅0) şi procedând similar. exprimat în secunde.30. ∑ K jUij (2.31.. i ≅ 0.47): n j=1 4) Amplificatorul integrator-inversor furnizează la ieşire un semnal proporţional cu integrala tensiunii aplicate la intrare.31.48) Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire rezultă: Ue = 1 CR 1 i1dt +U C ∫ (2. generează semnale periodice de forma: U(t)=U⋅sin(ωt) sau de orice altă formă. caracteristica de transfer se poate exprima prin relaţia (2. Ue(0)=0 dacă condensatorul este descărcat la momentul aplicării semnalului de intrare şi Ue(0)≠0 dacă condensatorul este încărcat la momentul aplicării semnalului de intrare. iar simbolizarea este dată în figura 2.. dacă valoarea rezistenţei R este exprimată în ohmi.51) 2. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2.49) Ţinând seama de ipotezele (2. K n = n R 01 R 02 R 0n Ue = − În general.31) şi relaţiile (2. K 2 = 2 ..31).

Schema de principiu este prezentată în figura 2. . unde: r este rezistenţa electrică a bobinei care are inductanţa L. Figura 2. cu energie adusă din exterior prin intermediul unor rezistenţe negative.34. figura 2. Schema de principiu a unui oscilator Principiul de întreţinere a oscilaţiilor Se consideră circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C în paralel cu o inductivitate L.33-a. Schema echivalentă a circuitului oscilant anterior este ilustrată în figura 2. controlate prin curenţi sau prin tensiune. figura 2.33-a Pentru a realiza oscilaţii întreţinute (cu amplitudine constantă). Sub acţiunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau naştere oscilaţii armonice având frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă dată de relaţia: f0 = 1 2π LC (2. În acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare care să funcţioneze în regiunea de rezistenţă negativă (dioda tunel. Figura 2. se va amortiza în timp (îşi micşorează amplitudinea) datorită pierderilor de energie prin rezistenţa electrică echivalentă a circuitului capacitiv-inductiv (L-C). Schema echivalentă a circuitului oscilant LC din figura 2. în circuitul oscilant real este necesar să se recupereze (compenseze) energia pierdută. Semnalul produs de circuitul LC Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie care determină stingerea. Figura 2.32.33-b. Pierderile de energie care duc la micşorarea amplitudinii se datorează lui r şi R. semnalul util produs de oscilator. tiristorul etc). adică amortizarea oscilaţiilor.52) Semnalul U(t).33-b. Circuit oscilant LC Figura 2.32.Amplificatoare şi oscilatoare 55 semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numeşte armonic. iar R este conductanţa de pierderi a condensatorului.34.33-a.

53) Prin ϕA s-a notat defazajul dintre semnalul de ieşire ( Ue . Oscilatoarele cu reacţie pot fi de tip LC sau RC. 2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistenţe negative (oscilatoare de relaxare).35-a şi 2. c)Schema bloc a unui oscilator cu reacţie Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistenţe negative.. . dacă defazajul amplificatorului (cu număr impar de etaje) este (2k+1)π.54) Relaţia (2.34). β ⋅ A = 1 . la care amplificarea complexă este: A r = A . Cele mai utilizate oscilatoare cu reacţie de tip LC sunt oscilatoarele în trei puncte.. dau o rezistenţă echivalentă egală cu zero. dacă defazajul amplificatorului este 2kπ (cu un număr par de etaje). Acestea au calea .35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel.35-b. care arată că produsul în modul al amplitudinilor trebuie să fie egal cu unitatea. ϕβ este defazajul dintre semnalul de reacţie ( U r ) şi semnalul de ieşire ( Ue ). deci semnalul de reacţie trebuie să fie în fază cu semnalul de intrare.56 Capitolul 2 Caracteristica statică a diodei tunel şi respectiv a tiristorului sunt date în figura 2. k=0. Oscilatoarele pot fi realizate şi cu amplificatoare ce au reacţie pozitivă. oscilatoarele pot fi: 1) oscilatoare de tip amplificator cu reacţie pozitivă. 2. 1 − βA În acest caz. Condiţia întreţinerii oscilaţiilor implică respectarea a două principii: a) respectarea relaţiei lui Barkhausen (de autooscilaţie). care însumate cu rezistenţele r şi R (figura 2.figura 2. Rezultă că reţeaua de reacţie trebuie să introducă un defazaj nul.. este un fapt real şi o metodă utilizată în proiectarea oscilatoarelor. atunci A r → ∞ . b) Caracteristica curent-tensiune a tiristorului. Producerea oscilaţiilor întreţinute prin anularea rezistenţei din circuit cu ajutorul unor rezistenţe dinamice negative. Figura 2. n (argumentul lui Acomplex + argumentul lui βcomplex = 2kπ) adică: arg A + arg β = 2kπ (2. sau un defazaj de 1800. dacă produsul βA tinde la valoarea 1.35-c) şi semnalul de intrare ( U i ). 1. După modul de realizare.53) arată că defazajul total introdus de amplificator şi circuitul de reacţie trebuie să fie un multiplu întreg de 2π. unde: A = A ⋅ exp( j ⋅ ϕ A ) şi β = β ⋅ exp( j ⋅ ϕβ ) (2. b) respectarea condiţiei de fază: ϕ A + ϕβ = 2kπ .

57) Figura 2. În figura 2. aparatură electromedicală etc) fiind specifice benzilor de joasă frecvenţă.36. Schema de principiu a oscilatorului Hartley La acest oscilator emitorul este legat la masă.56) f0 = 1 6 + 4R / R C 2πRC (2.36. egal cu π (180o): π 3 (2. are schema de principiu prezentată în figura 2. În timpul funcţionării singurul condensator care nu este scurtcircuitat este condensatorul variabil C. Schema de principiu a oscilatorului cu reţea RC . formată din trei celule RC. Defazajul fiecărei celule este de 60o. Figura 2.37 este prezentată schema electrică a unui oscilator având reţea de defazare ”trece jos”. Oscilator având reţea RC (reţea de defazare trece-jos) Aceste oscilatoare au o largă utilizare în diferite domenii ale electronicii industriale (telecomunicaţii. alimentarea este serie iar sarcina este cuplată inductiv.Amplificatoare şi oscilatoare 57 de reacţie formată dintr-un circuit LC selectiv (care reprezintă un filtru cu trei borne de acces). automatizări.37. Exemple de oscilatoare în trei puncte Oscilatorul Hartley (realizat cu reţea de defazare trece sus).55) ϕ t = 3 ⋅ Δϕ = π Frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă se poate calcula folosind relaţia: (2. Δϕ = arctgRC = Se obţine un defazaj total al semnalului de reacţie.

Ce sunt distorsiunile de neliniaritate în cazul amplificatorului de joasă frecvenţă şi cum se elimină acestea ? 12. integrator şi ce se poate măsura la această bornă ? 7.58 Capitolul 2 2. Ce este reacţia negativă în cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obţine practic reacţia negativă? 2. realizat cu un singur tranzistor? 6. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ.O. Când apar distorsiunile de frecvenţă la amplificatoare şi cum se elimină acestea? 4. Când un tiristor funcţionează ca şi o diodă ? Care este schema şi denumirea celui mai simplu amplificator de putere ? . Ce semnifică borna de condiţie iniţială în cazul A. ştiind că amplificatorul în clasă A are rezistenţa de ieşire. Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o sarcină rezistivă (rs = 4 Ω). Re = 80 KΩ ? 8. Ce formă de variaţie are tensiunea UCE la ieşirea unui etaj de amplificare în clasă B. Re = 40 KΩ ? 10. Ce se înţelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se înţelege prin tensiune de zgomot (Uz) în cazul redresoarelor cu filtre ? 3. Ce diferenţă există între caracteristicile A[dB] = g(f) în cazurile: a) amplificatoare de radiofrecvenţă ? b) amplificatoare de audiofrecvenţă ? 5. Ce este deriva termică (deriva nulului) în cazul amplificatoarelor de curent continuu şi cum se atenuează aceasta ? 11. Care este deosebirea între un AO inversor şi un AO integrator – inversor? (Utilizaţi schemele electrice !) 9.7 Întrebări 1.

1-a şi b. comanda mutatorului poate asigura funcţionarea acestuia în regim de invertor (neautonom). furnizează la ieşire o tensiune continuă diferită de cea de la intrare. tiristoare etc). În schemele din figura 3. în acest caz.a.1-a.a. (figura 3.1-c). converteşte frecvenţa sau amplitudinea curentului alternativ.CAPITOLUL 3 REDRESOARE 3.a.).3-b). Convertorul de c.c. tensiunea .c. Pentru convertorul cu circuit intermediar. în energie electromagnetică debitată la ieşire. figura 3.) – fie în regim de redresor.c. Dacă mutatorul funcţionează în regim de redresor. Convertorul care modifică amplitudinea tensiunii de c. în ambele sensuri. mutatorul se mai numeşte convertor static de frecvenţă şi poate fi realizat în două variante: cu circuit intermediar de c. (figura 3.c. fie în regim de invertor (neautonom). numit şi variator de c. de regulă 50 Hz (când se numesc invertoare de reţea sau neautonome).1 Noţiuni generale Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clasă mai largă de echipamente electrice. Frecvenţa f2 a curentului alternativ poate fi variabilă (în cazul invertoarelor autonome) sau fixată la o anumită valoare.c. (figura 3. Este însă posibil ca aceeaşi schemă de mutator să funcţioneze – în funcţie de condiţiile de lucru (comanda primită. În regim de frânare.2-c) se mai numeşte variator de c.a.1-b). Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor îl reprezintă funcţiile realizate de acestea.c..c. la reţeaua de c. maşina electrică funcţionează ca motor şi transferul energetic se face de la reţeaua de c.a. numite mutatoare. El poate fi: cu circuit intermediar de c. transferul energetic se face într-un singur sens.2-b).3-a) sau direct.). obţinându-se transferul energetic (recuperarea) de la reţeaua de c. cu alţi parametri. polaritatea tensiunii continue etc.2-a) şi sub formă de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3. (figura 3. prin elemente neliniare unidirecţionale (diode.c. în curent continuu (c. Mutatoarele din această categorie stau la baza sistemelor de acţionări recuperative cu maşini de c. (figura 3.a. energia electromagnetică primită la intrare. de frecvenţă f1. Mutatoarele transformă. Invertorul transformă curentul continuu în curent alternativ (figura 3. Redresorul este un circuit electronic care transformă curentul alternativ (c. Convertorul de c. când maşina electrică lucrează ca generator de c. Transferul energetic se poate face. cu anumiţi parametri. În primul caz. după cum urmează.

mutatoarele se împart în următoarele categorii: • Mutatoare având comutaţie naturală. utilizează. dincolo de momentul comutaţiei naturale. Figura 3. Dacă energia este dată de circuitul sarcinii (de la ieşire). Prelungirea conducţiei unui ventil. Figura 3. după cum transformatorul este coborâtor.1.. Comutaţia forţată externă se întâlneşte în redresoarele comandate.a. Convertor de c. invertoare neautonome şi .a.60 Capitolul 3 de ieşire (U2) poate fi mai mică sau mai mare decât tensiunea de intrare (U1). mutatorul are comutaţie (forţată) de la sarcină. ƒ Mutatoare având comutaţie proprie. respectiv ridicător de tensiune. Trecerea conducţiei de la un ventil la altul se numeşte comutaţie. Dacă această energie provine de la reţea. mutatorul va avea comutaţie (forţată) de la reţea. când energia reactivă este preluată din exterior. Mutatoarele care au comutaţie naturală sunt redresoare cu diode. • Mutatoare având comutaţie forţată. pe fiecare fază a reţelei de c. funcţionarea acestor elemente este ciclică. când energia reactivă necesară este furnizată de însuşi mutatorul respectiv.2. Mutatoarele care funcţionează cu intrarea şi/sau ieşirea în c. elemente de conducţie unidirecţională numite şi “ventile” semiconductoare (diode şi/sau tiristoare).c. În majoritatea mutatoarelor. Convertoare statice de c. După modul de realizare a comutaţiei. După provenienţa acestei energii. mutatoarele care au comutaţie forţată pot fi: ƒ Mutatoare având comutaţie externă.3. când valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care preia conducţia este întotdeauna mai mare decât valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care cedează conducţia.a. când condiţia de comutaţie naturală nu este respectată. Mutatoare Figura 3. presupune – de regulă – un consum de energie reactivă din exterior.

2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă Schema redresorului monofazat monoalternanţă este dată în figura 3. fie din cauza modificării rezistenţei de sarcină Rs. deci ur = u2. în care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de “blocare” forţată: invertoare autonome.c. conectat între filtru şi sarcină. la bornele sarcinii Rs. de la ieşirea filtrului se poate modifica.Redresoare 61 convertoare directe de frecvenţă. Figura 3. . 3. Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativă din înfăşurarea primară la valoarea U2 (în secundar).2. care are o componentă continuă (utilă) şi o componentă alternativă. are rolul de a menţine constantă tensiunea U0 (stabilizatoarele vor fi prezentate în capitolul 4). cu valoare de asemenea impusă.2 Redresoare monofazate necomandate 3. mutatoarele reprezintă circuite electronice de putere.5-b. în condiţiile cunoaşterii tensiunii de alimentare U1. Filtrul F are rolul de a diminua componenta alternativă din tensiunea redresată. U0. Schema bloc a unui redresor monofazat de mică putere 3.4 este dată schema-bloc a unui redresor monofazat de mică putere. ur şi a curentului prin sarcină sunt date în figura 3. În acelaşi timp. datorită polarizării inverse. U0.2. într-un paragraf distinct. În figura 3. Stabilizatorul de tensiune continuă. de valoare impusă. precum şi tratarea lor specifică. variatoare de c. STC. Sub aspectul funcţiei realizate. fie din cauza variaţiei tensiunii de alimentare U1. necesară obţinerii tensiunii continue U0. dioda este blocată şi ur = 0. de regulă. definind un domeniu cunoscut sub numele ”electronică de putere”. În timpul semialternanţei negative. Scopul urmărit este de a obţine o tensiune continuă. Comutaţia proprie este specifică unei categorii de mutatoare. La ieşirea lui se obţine tensiunea redresată ur. toate redresoarele se încadrează în categoria mutatoarelor. dioda D (care reprezintă redresorul) este polarizată în sens direct şi conduce. Aceste circumstanţe au determinat includerea în capitolul de mutatoare a redresoarelor de mică putere realizate sub forma redresoarelor monofazate. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u 2 = 2U 2 sin ωt .1 Schema bloc a unui redresor de mică putere Redresoarele monofazate se utilizează. la puteri mici. Diagramele tensiunilor u2.4. Tensiunea continuă.5-a. etc. Redresorul R este elementul esenţial al schemei.

5) Dacă se doreşte exprimarea detaliată a componentei alternative (u~).5. Redresor monofazat monoalternanţă Componenta continuă U0 este egală cu valoarea medie a tensiunii redresate şi se calculează cu relaţia: T U0 = 1 ⋅ T ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) 0 (3.3) se obţine: π [0. Din relaţia (3. ur= 1 U0 = ⋅ 2π = ∫ 0 1 u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = ⋅ 2π ∫ 0 π 2U 2 sin(ωt ) ⋅ d (ωt ) = (3.4) π 2 2 ⋅ U 2 [− cos(ωt )] = ⋅ U 2 ≅ 0. ur= 0. astfel: 2π ⎡π 2π).3) ⎥ 2π ⎢ 0 π ⎣0 ⎦ ∫ ∫ Din diagramele tensiunilor (figura 3.6) u r (ωt ) = U 0 + ∑ 2U n sin( nωt + ϕ n ) n =1 .2) Înlocuind valoarea perioadei (T = printr-o sumă de două integrale. iar în intervalul [π.2) se poate exprima 1 U0 = ⋅ T ∫ 2π ⎤ 1 ⎢ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = u r (ωt ) ⋅ d (ωt ) + u r (ωt ) ⋅ d (ωt )⎥ (3. π].62 Capitolul 3 Se observă că tensiunea redresată ur este o tensiune periodică pulsatorie având perioada T = 2π.1) Figura 3.5-b) se observă că în intervalul u2. deci este periodic şi pulsatoriu. integrala din (3.45 ⋅ U 2 2π π 0 Curentul redresat prin rezistenţa de sarcină este proporţional cu tensiunea ur . atunci tensiunea redresată se poate exprima prin relaţia: ∞ (3. exprimat prin relaţia: ir = ur Rs (3. 2π]. Tensiunea redresată conţine o componentă continuă (U0) şi o componentă alternativă (u~): ur = U0+ u~ (3.

10) Înlocuind în relaţia (3. Relaţia (3.11) ⎜1 + sin(ωt ) − 2 1⋅ 3 π ⎝ 3⋅5 ⎠ Raportul dintre tensiunea continuă pe sarcină şi valoarea eficace a tensiunii din secundar se numeşte coeficient de redresare. (3. iar coeficienţii an şi bn se pot calcula utilizând relaţiile (3.10) se obţine: u r ( ωt ) = 2U 2 ⎛ 2 2 π ⎞ cos(2 ωt ) − cos(4 ωt ) − .9) şi (3. 2 π n −1 ∫ 0 π sin(ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d(ωt ) = (3. Factorul de formă este raportul dintre valoarea eficace a tensiunii redresate.9) şi (3. 2π 1 = 2π ∫ π 2U 2 sin(ωt ) d (ωt ) = 2 U 2 ≅ 0.6) se poate scrie sub forma trigonometrică a unei serii Fourier şi devine: ∞ ∞ (3. ur. şi componenta continuă U0 : .7) coeficienţii b0. iar ϕn – faza iniţială a armonicii de ordinul n. În cazul analizat coeficientul de redresare Kr este: Kr = U0 U2 = 0.10).Redresoare 63 unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n. γ.8) an = 1 π ∫ 0 u r (ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 π = 1 bn = π = 2π ∫ 0 π (3.45 U 2 π (3.7) u r (ωt ) = b 0 + ∑ a n sin( n ⋅ ωt ) + ∑ b n cos(n ⋅ ωt ) n =1 n =1 Coeficienţii seriei Fourier se definesc prin: T 2π ⎡π ⎤ 1 b0 = U0 = T ∫ 0 u r ( ωt ) d ( ωt ) = 1 ⎢ u ( ωt ) d ( ωt ) + u r ( ωt ) d ( ωt ) ⎥ = ⎥ 2π ⎢ r ⎢0 ⎥ π ⎣ ⎦ ∫ ∫ 0 Se observă că valoarea componentei continue (U0) este exprimată de coeficientul b0 al seriei Fourier. F.8).9) sin( ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d ( ωt ) 2U 2 π ∫ 0 u r (ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 −2 ⋅ . an şi bn din relaţiile (3.⎟ ... şi factorul de ondulaţie.12) Ponderea componentei alternative în tensiunea redresată se poate evalua prin factorul de formă.45 (3. (3.

(3. valoarea eficace U∼ este: 2 2 U∼ = U1 + U 2 + .14) ∫ ∫ T0 2π 0 2 2 F= 2 U 2 2 π π = = 1. În semialternanţa negativă conduc diodele D2 şi D4 . Schema redresorului având transformator cu priză mediană este dată în figura 3. 2. . necesară transformatorului. D2 şi D4 fiind blocate. Cele două secţiuni ale înfăşurării secundarului transformatorului sunt identice ' " şi deci u 2 = − u 2 .2. iar diodele D1 şi D3 sunt blocate.13) Cu cât F este mai apropiat de unitate.19) Aceasta determină o anumită putere aparentă.7.16) sau 2 2 U∼ = U r − U 0 (3. … . Redresorul în punte are schema din figura 3.6-a. U∼ .64 Capitolul 3 F= ur U0 (3. sau utilizând schema de redresare în punte. La redresorul monoalternanţă avem: 1T 2 1 π 2 2 2 Ur = u r ( ωt ) d ( ωt ) = 2U 2 sin (ωt ) d (ωt ) = U (3. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 .. Diodele D1 şi D2 conduc alternativ.. = U0 2 2 U r − U0 = U0 2 2 ⎛ Ur ⎞ ⎜ ⎟ −1 = ⎜U ⎟ ⎝ 0⎠ 2 F −1 2 (3.15) Factorul de ondulaţie se defineşte ca raportul dintre valoarea eficace a componentei alternative. astfel încât tensiunea redresată şi curentul prin sarcină au forma din figura 3. U P0 = U 0 I 0 = 0 Rs 2 (3. Cunoscând valorile eficace Un ale armonicilor de ordin n = 1.18) În cazul redresorului monoalternanţă se obţine Puterea în curent continuu este: γ = 1.57 2 2 U2 (3. cu atât ponderea componentei alternative în tensiunea redresată este mai mică.17) şi rezultă U γ = ~ = U0 U1 + U 2 + .6-c.. 3..3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă Redresoarele dublă alternanţă se realizează după două scheme: cu transformator având priză mediană în secundar.211. şi componenta continuă.

48 P0.Redresoare 65 Figura 3.23 P0. Redresor dublă alternanţă folosind transformator cu priză mediană: a) schema.7. iar componenta continuă este: U0 = 2 2 ⋅ U 2 ≅ 0. γ = 0. pe o perioadă a tensiunii u2 este: ⎧ ⎡ T⎤ 2 U sin( ω t ) pentru t ∈ 0. pentru schema cu priză mediană. 2 ⎪ ⎢ ⎣ 2⎥ ⎦ ⎪ ur = ⎨ ⎪− 2U sin(ωt ) pentru t ∈ ⎡ T . pentru o putere P0 dată. Redresor dublă alternanţă în punte Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă.20) Componenta continuă a tensiunii redresate (U0) se calculează cu aceeaşi relaţie (3.9). puterea aparentă necesară a transformatorului este mai mare la schema cu punct median.21) Coeficientul de redresare este dublu faţă de schema monoalternanţă (Kr = 0. b) diagrama tensiunilor din secundar. ST = 1.3) ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. Astfel. puterile aparente în înfăşurarea secundară şi înfăşurarea primară ale transformatorului se micşorează. iar la schema în punte.9 ⋅ U 2 π (3. respectiv I0) şi o componentă alternativă. tensiunea şi curentul prin sarcină au două componente: o componentă continuă (U0 . c) diagrama tensiunii şi a curentului redresat Figura 3. Expresia analitică a tensiunii redresate. . puterea de calcul a transformatorului este ST = 1. T ⎤ 2 ⎢ ⎪ ⎣2 ⎥ ⎦ ⎩ (3. cu deosebirea că în acest caz perioada este egală cu durata unei semialternanţe (T = π). iar factorul de formă şi coeficientul de ondulaţie se ameliorează: F = 1.6. Comparând cele două scheme de redresare dublă alternanţă se pot reţine următoarele: • pentru aceeaşi putere P0 în sarcină.482. De asemenea.11.

3. de a şunta armonicele de ordin superior.9-a. Funcţionarea ei se poate urmări în diagrama din figura 3. este necesară diminuarea componentei alternative din tensiunea redresată.4. Dioda conduce şi condensatorul se încarcă prin .1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este dată în figura 3. c) tip π . tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină (us) cât şi tensiunea după elementul redresor. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea bobinelor de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului şi o reactanţă mare pentru componenta alternativă din curentul redresat.22) u2 = ua + uc Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este în acelaşi timp. rezultă o cădere de tensiune pe diode dublă faţă de schema cu punct median.2. cu ajutorul filtrelor.2. condensatorul C este descărcat. pentru aceeaşi tensiune redresată este de două ori mai mare la schema cu punct median faţă schema de redresare în punte (deoarece tensiunea inversă ce apare în momentul blocării diodelor se distribuie pe două diode). tensiunea inversă maximă pe diode. datorită conducţiei în permanenţă a două diode.4 Filtrarea tensiunii redresate Pentru obţinerea unei tensiuni cu factor de ondulaţie mic la bornele rezistenţei de sarcină. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului. Se observă că în intervalul (0 … ωt1) tensiunea din secundarul transformatorului (u2) este mai mare decât tensiunea la bornele condensatorului ua = u2 – uc. Tipuri de filtre: a) capacitiv. (u2 > uc) şi deci ua > 0.66 Capitolul 3 • • la schema în punte. Din relaţia anterioară rezultă căderea de tensiune (ua) pe dioda în conducţie: Presupunem că în momentul aplicării tensiunii de alimentare.CLC sau CRC 3. cât şi pe proprietatea capacităţilor mari (conectate în paralel cu sarcina). Figura 3.8.8. Parametrul principal care le caracterizează este factorul de ondulaţie al tensiunii de la ieşire. (uc). b) inductiv-capacitiv. rezultă: (3. ur.9-b. Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din figura 3.

La funcţionarea fără filtru capacitiv. care – la rândul lor – sunt determinate de mărimile C şi Rs... dioda conduce pe întreaga semiperioadă a tensiunii u2 din secundarul transformatorului. depind mult de valoarea rezistenţei de sarcină. Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducţie şi de blocare. care este neglijabilă.24) (3. aceasta incluzând rezistenţa echivalentă serie în secundarul transformatorului. În intervalul (ωt1. iar dioda se blochează.9-b s-a notat cu α unghiul de la care începe încărcarea condensatorului (considerând ca moment de referinţă. Micşorarea rezistenţei de sarcină (Rs) are ca efect creşterea curentului de sarcină (Is) şi ca urmare tensiunea U0 scade. Dioda rămâne blocată şi condensatorul se descarcă prin rezistenţa de sarcină Rs.ωt3). deci ua = 0. adică intervalul de timp în care se încarcă condensatorul. este foarte mică. sau Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaţii (având forma dinţilor de ferăstrău) în jurul valorii U0. Valoarea tensiunii continue U0.25) . trecerea prin zero spre valori pozitive a tensiunii u2). iar ua < 0. În figura 3. rezultă foarte mică.Redresoare 67 Ri ≅ RS(Tr).ωt2) u2 < uc. Cu β s-a notat unghiul de conducţie. În intervalul de conducţie secundarul transformatorului şi diodă. Ti = Ri C. În continuare dioda conduce în intervalul (ωt2 . Filtrul capacitiv micşorează durata de conducţie a diodei în intervalul 0 < β < π. deci condensatorul se încarcă rapid. Unghiul la care încetează încărcarea condensatorului s-a notat cu ψ = α + β şi se numeşte unghi de blocare. Ri. Deci Ri = RS(Tr) + RDc β = ωt3 . Rezistenţa de încărcare. În momentul ωt1 se obţine egalitatea uc = u2.23) [ 2 U 2 sin(ωt ) = ω C 2 U 2 cos(ωt ) 2 U2 sin(ωt ) Rs ] (3.. iar componenta alternativă (u~) a tensiunii redresate creşte. RS(Tr) şi rezistenţa diodei în conducţie. adică β = π. RDc. ωt2. care reprezintă componenta continuă a tensiunii la bornele sarcinii. Constanta de timp la încărcarea condensatorului. curentul prin diodă este: unde: ia = ic + is ic = C du c d =C dt dt is = (3... până în momentul ωt2.. precum şi amplitudinea componentei alternative. tensiunea uc scade lent. Constanta de timp de descărcare a condensatorului este Td = RsC şi este relativ mare (pentru că Rs este mai mare decât Ri).

PN . atunci când redresorul funcţionează la putere nominală. reprezintă puterea pe care o poate debita redresorul în sarcină. Ideal. Se observă o cădere de tensiune (la curent nominal) mică (ΔU01).10). • caracteristica externă. în condiţia 0 ≤ IS ≤ I0N . în regim nominal de funcţionare.9. aceste caracteristici ar trebui să fie orizontale (liniile punctate din figura 3.10. mai ales. definit prin relaţia (3. exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N . în cazul redresoarelor cu filtru capacitiv. dar aşa cum s-a precizat anterior. γ .18) când redresorul funcţionează la putere nominală. egală cu tensiunea continuă la bornele de ieşire. • tensiunea nominală. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv: a) schema. influenţa rezistenţei de sarcină RS asupra tensiunii US este importantă. b) diagrama tensiunilor şi curenţilor 3. • factorul de ondulaţie. • curentul nominal. Cele trei caracteristici reprezintă: • Curba 1 este caracteristica externă în cazul redresorului fără filtru. ilustrată în figura 3. • . I0N .5 Parametrii redresoarelor de mică putere În cazul redresoarelor de mică putere parametrii şi caracteristicile importante sunt: puterea nominală a redresorului.68 Capitolul 3 Figura 3.2. U0N . reprezintă dependenţa US = f(IS).

Cea mai simplă schemă de redresor trifazat utilizează un transformator trifazat având secundarul conectat în stea (figura 3. Dezavantajul pe care îl introduc filtrele – exprimat prin căderile de tensiune (ΔU02 .12. dată de relaţia următoare: Ri = − Această rezistenţă este de dorit să rezulte cât mai mică.26) Figura 3. necesită o tensiune redresată cu un factor de ondulaţie cât mai mic. ΔU S ΔIS (3.10. Se remarcă o cădere mult mai mare de tensiune (ΔU02) corespunzătoare curentului nominal. Curentul prin sarcină este: is = i1 + i2 + i3 (3. ce funcţionează în curent continuu. În această situaţie se observă o cădere de tensiune (ΔU03) mai mică decât în cazul redresorului cu filtru capacitiv.Redresoare • 69 • Curba 2 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru capacitiv.11. Curba 3 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru π (CLC). ΔU03) – poate fi compensat prin utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continuă (STC) conectate între filtre şi consumatori (sarcini). Caracteristicile externe ale redresorului 3. În capitolul 4 se vor trata principiile de funcţionare şi schemele principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continuă. polifazate) se construiesc pentru puteri nominale mari. La un moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenţialul cel mai ridicat.) Funcţionarea schemei se poate urmări în diagrama din figura 3.3 Redresoare trifazate necomandate Redresoarele trifazate (în general. astfel încât caracteristica externă reală să fie cât mai apropiată de caracteristica ideală. Un parametru care determină panta caracteristicii externe este rezistenţa internă a redresorului. este evidentă necesitatea utilizării filtrelor. Deoarece majoritatea consumatorilor industriali.27) .

În schema redresorului se observă că la un moment oarecare conduc două diode: dioda cu potenţialul anodului cel mai ridicat şi dioda cu potenţialul catodului cel mai scăzut. t2) conduc diodele D1 şi D5 .12. În cazul când se admite că transformatorul nu este ideal.28) π 2π 3 6+ 3 3 6 = 2U 2 sin(ω t )d(ω t ) = U 2 ≅ 1. prezentate în figura 3. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei de sarcină este egală cu diferenţa potenţialelor între acele borne ale înfăşurării secundare. În momentele ωt1 . ωt3 … se produce comutarea conducţiei de pe o fază pe alta. Deci. este schema de redresare trifazată în punte (figura 3. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei RS este egală cu tensiunea pe faza în care dioda conduce şi are forma curbei cu linie întărită din figura 3. calculată în relaţia (3. Funcţionarea acestui redresor se explică utilizând diagramele curenţilor prin faze. ωt2 . sau când sarcina are caracter inductiv.13). t3) conduc diodele D1 şi D6 etc. în intervalul (t1. Perioada (3. situaţie ilustrată în figura 3.34 U 2 π (3. integrala pe o perioadă a tensiunii ur fiind 2π/3. în intervalul (t2.14. apar efecte care complică funcţionarea redresorului. Descrierea proceselor dintr-un redresor real cu sarcină inductivă se poate urmări în lucrarea [2]. la care sunt legate diode în conducţie. este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat simplu (conectat în stea): rezultă valoarea tensiunii U0: π 2π 1 α0 +T 1 6+ 3 U0 = u r (ω t )d (ω t ) = u r (ω t )d(ω t ) = 2π π T α0 3 6 ∫ ∫ ∫ U0 = 3 6 U 2 ≅ 2. Tensiunea continuă tensiunii U0 de la bornele rezistenţei de sarcină este. împărţită la perioadă (T). o formă pulsatorie.70 Capitolul 3 şi are. deci perioada pulsaţiilor tensiunii redresate este de două ori mai mică. în cazul sarcinii rezistive. prin definiţie. ur. iar sarcina redresorului este rezistivă. în special la producerea comutaţiei de pe o fază pe alta. Valoarea tensiunii continue. deci intervin inductanţele de scăpări ale acestuia. tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele trasate cu linie întărită şi axa timpului. datorită performan-ţelor superioare pe care le prezintă.29).29) . Se remarcă faptul că frecvenţa comutărilor este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat în stea. Astfel. În schema redresor O schemă foarte des utilizată în practică.17 U 2 π 2π 2π 6 Descrierea funcţionării redresorului trifazat s-a făcut în ipoteza că transformatorul este ideal (are inductanţele de scăpări neglijabile).14. a curentului i0 (curentul prin sarcină) şi a tensiunii redresate.

Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul în punte .13. Redresor trifazat în stea Figura 3.Redresoare 71 Figura 3.14.11. Redresor trifazat în punte Figura 3.12. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul trifazat în stea Figura 3.

Ce condiţie trebuie să îndeplinească cele două diode ale unui redresor bialternanţă. F. conectate la un transformator cu două secundare şi punct median? 3. Ce este deosebirea dintre un invertor (I) şi un convertor – static de frecvenţă? 2. Care sunt semnificaţiile şi expresiile analitice ale parametrilor redresorului de mică putere Kr . γ ? . Cum se explică (justifică) relaţia τ d >> τ i în cazul redresorului cu filtru capacitiv ? 4.72 Capitolul 3 3.4 Întrebări 1.

ale unei instalaţii industriale sau de laborator.1. În prezent există un număr relativ mare de categorii şi tipuri de stabilizatoare electronice. În funcţie de mărimea electrică de stabilizat există stabilizatoare de tensiune şi de curent. În acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice şi cu reacţie. iar în funcţie de metoda de stabilizare există stabilizatoare electromecanice (pentru tensiuni alternative şi continue la consumatori de mare putere). pot fi depăşite limitele admise şi pot să apară dereglări în funcţionarea instalaţiilor sau/şi erori de măsurare nepermise. în limite strânse. menţinând constantă tensiunea alternativă cu stabilizatoare corespunzătoare. Figura 4. montate în serie. sau în paralel cu sarcina) şi cu reacţie (care funcţionează pe principiul sistemelor de reglare automată cu reacţie negativă). În lipsa stabilizatorului. dacă tensiunea stabilizată este continuă. care fac parte componentă din alimentatoarele celor mai diverse circuite . motiv pentru care această variantă este cel mai des utilizată în practică. În principiu tensiunea continuă poate fi stabilizată şi înainte de redresor.2 Stabilizatoare parametrice Cele mai răspândite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune continuă.1 are avantajul că menţine constantă tensiunea pe sarcină indiferent de cauzele care tind să o modifice. Parametrii stabilizatoarelor Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menţine. parametrice (cu elemente neliniare. valorile tensiunii sau curentului de alimentare. Varianta din figura 4. electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate).1 Noţiuni generale.1. Ele se pot conecta ca în figura 4. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic 4.CAPITOLUL 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE 4.

3. dacă tensiunea reţelei scade. Pe măsură ce RS scade.2) Pentru RS = ∞. creşte curentul i2 din RS. b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener Pentru o funcţionare normală a stabilizatorului este necesar ca rezistenţa de balast R să îndeplinească următoarea condiţie: R min < R < R max (4. În cazul funcţionării în gol (RS = ∞) se alege o valoare pentru rezistenţa R (de “balast”). Invers. iar punctul M de funcţionare se deplasează spre A. Schema unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener este dată în figura 4.74 Capitolul 4 electronice. electronice. În mod similar funcţionează stabilizatorul şi în cazul variaţiei tensiunii de reţea: dacă tensiunea reţelei creşte.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric Stabilizatoarele parametrice au ca elemente esenţiale diode Zener. iar punctul de funcţionare se deplasează spre B şi în continuare spre 0. electromagnetice). rezistenţa de sarcină se limitează astfel încât punctul de funcţionare M să se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii. tuburi cu gaz de tip stabilovolt sau stabilitron. punctul de funcţionare al diodei se găseşte în A.2.2. punctul de funcţionare se deplasează spre B.3) 4.2-b): (4. pentru a nu se ajunge în zona neliniară a caracteristicii. cât şi i z (într-o măsură mult mai mare). Practic. Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice. Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda Zener (figura 4. . a căror caracteristică tensiune-curent asigură stabilizarea tensiunii.1) ΔI z = Iz max − I z min ΔU z = U z max − U z min (4. cu variaţii reduse ale tensiunii ( ΔU z ) la bornele ei (figura 4. Principiul stabilizatorului parametric cu diodă Zener: a) schema. care să asigure valoare maximă admisă a curentului I z max prin dioda Zener. Figura 4. cresc atât i 2 (într-o mică măsură).2-a) a cărei proprietate principală este de a prelua variaţii importante ale curentului ( ΔI z ).

6) precum şi dependenţa ia Zener. = f(ua). Tensiunea de ieşire de pe rezistenţa de sarcină Rs este identică cu tensiunea anodică ua a diodei Zenner (DZ).4) E = R ⋅ I + Ua I = I a + Is U Is = a Rs (4.4. astfel încât zona de stabilizare parametrică din caracteristica statică a diodei se va desena în cadranul 1 (figura 4. Stabilizator parametric cu diodă Zener În această schemă sensurile adoptate pentru ia şi ua sunt inversate faţă de schema din figura 4. dată grafic sub forma caracteristicii statice a diodei Figura 4.3.5) (4.4).6) rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ⎛ R ⎞ E = R ⋅ Ia + ⎜ ⎜ R + 1⎟ ⎟ ⋅ Ua ⎝ S ⎠ (4. Modificarea PSF al diodei Zener la variaţia tensiunii de intrare (a) şi la variaţia rezistenţei de sarcină (b) Din relaţiile (4. Pentru deducerea punctului static de funcţionare (PSF) al diodei se utilizează relaţiile: (4.3.2-b.Stabilizatoare electronice 75 Figura 4.7) Punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină (tăieturile) cu axele de coordonate sunt: . Tensiunea aplicată la intrarea în stabilizator este tensiunea de ieşire din filtrul redresorului şi s-a notat cu E în schema din figura 4.4) … (4.

Şi în acest caz modificarea poziţiei punctului static de funcţionare afectează curentul prin diodă. . Proiecţiile duse din M pe axele de coordonate determină coordonatele PSF. dacă PSF nu intră în zona de curbură a caracteristicii statice. Concluzie: Proprietatea de stabilizare se păstrează în orice regim de lucru. însă tensiunea la bornele diodei. U" = E (4.4-b).4-a dreapta statică de sarcină este reprezentată printr-o linie continuă.11) " ' R Rs + R Rs + R ' " Observaţie. tensiunea Ua rămânând practic constantă (vezi figura 4. modificarea tensiunii de intrare duce la modificarea curentului Ia .. tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4.4-b): " ' E Rs Rs I = I' = I" = .). iar Rs = ct. R U" = E" Rs + R Rs (4.9) Rezultă că înclinaţia (panta) dreptei statice de sarcină nu depinde de valoarea tensiunii E de la intrarea stabilizatorului. Aceste coordonate sunt: Ia 0 şi Ua 0 ≡ Uz. respectiv U’ > U şi U” < U.4-a): I' = E' .10) Se observă că E’ > E şi E” < E. " ' b) Presupunând că rezistenţa de sarcină Rs variază între valorile R s şi R s .76 Capitolul 4 Ia = E . dacă punctul de funcţionare M nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice a diodei Zener (DZ). S-a considerat: R s > R s şi R s < R s .8) În figura 4. Punctul static de funcţionare al diodei Zener se păstrează pe porţiunea în care tensiunea Ua este practic constantă. iar tensiunea de la intrare rămâne constantă (E = ct. R U' = E' Rs + R Rs . sau scade la valoarea E”). R Ua = E ⋅ Rs + R Rs (4. U' = E . La intersecţia dintre caracteristica statică a diodei Zener şi dreapta de sarcină se obţine PSF notat cu M. Deci.4-a). atunci tăieturile dreptei statice de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. În funcţionarea stabilizatorului parametric pot exista două regimuri distincte de lucru: a) Dacă tensiunea de intrare E se modifică (creşte la valoarea E’. deci tensiunea pe sarcină este practic constantă dacă PSF (M) nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice. I" = E" . Panta dreptei statice de sarcină se exprimă prin relaţia: tg α = RR s R + Rs (4. Înclinarea dreptei va fi aceeaşi (vezi figura 4.

5. deci la creşterea tensiunii U0. tensiunea U0 tinde să scadă faţă de valoarea nominală. În figura 4. elementul de comparaţie 5 sesizează abaterea.Stabilizatoare electronice 77 4. amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi comandă. Amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi acţionează asupra elementului de control 1 (ECS) în aşa fel. de exemplu. este constantă şi proporţională cu valoarea prescrisă a tensiunii U0 (tensiunea de ieşire pe Rs). Tensiunea de referinţă E0. Dacă. Acesta se construieşte după schema din figura 4. a cărei valoare este comandată de semnalul de ieşire al amplificatorului 2. .12) Diferenţa dintre aceste două tensiuni. încât să se compenseze variaţiile tensiunii de ieşire (±ΔU0) faţă de valoarea prescrisă. Micşorarea rezistenţei elementului 1 duce la micşorarea căderii de tensiune U’ pe acest element.6 este dată schema detaliată a stabilizatorului cu ECS. Figura 4. în sensul scăderii rezistenţei acestuia.5. prin ieşirea sa. obţinută la ieşirea elementului de comparaţie 5.2. dată de un stabilizator parametric (diodă Zener). ceea ce reprezintă compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0.13) E = U'+ U 0 dată de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conservă în orice condiţie. reprezintă eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescrisă. întrucât egalitatea: (4. Tensiunea Ur este proporţională cu valoarea reală a tensiunii U0: U r = U0 R1 = k ⋅ U0 R1 + R 2 (4. Schema bloc a stabilizatorului cu element de control serie şi amplificator de eroare Elementul de comparaţie 5 compară două tensiuni: E0 şi Ur. Elementul de execuţie 1 se comportă ca o rezistenţă în serie. prezentată în figura 4.2 Stabilizatoare cu reacţie având elemente de control serie şi amplificator de eroare Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) şi amplificator de eroare este cel mai răspândit. elementul de execuţie 1.5.

5 Tensiunea de referinţă E0 este dată de un stabilizator parametric format din dioda Zener (Dz) şi rezistenţa R3. Astfel.78 Capitolul 4 Figura 4.14. 4. Elementul de control serie este tranzistorul T2.2. tensiunea colector – emitor U’ scade. are loc compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0.3 Stabilizatoare integrate de tensiune Aceste stabilizatoare au performanţe superioare faţă de circuitele de stabilizare având componente discrete şi pot fi realizate atât pentru tensiuni mari (figura 4.14) şi reprezintă mărimea de intrare în amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1 şi rezistenţa R4.6 Schema detaliată a stabilizatorului prezentat în figura 4. Dacă tensiunea U0 tinde să scadă. ducând la creşterea tensiunii U0 conform relaţiei (4. a cărui rezistenţă este comandată de tensiunea de ieşire a amplificatorului de eroare.7-a amplificatorul de eroare lucrează în regim de amplificator neinversor. Acesta. Semnalul de eroare este: U be = U r − E 0 (4. se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 creşte). iar în figura 4. va scădea şi tensiunea Ur (conform relaţiei 4. iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare operaţionale (AO). Curentul de bază al tranzistorului T1 se micşorează ducând la reducerea curentului de colector. Elementele de control serie (ECS) sunt componente integrate. dată de relaţia 4. Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat direct la baza tranzistorului T2. creşterea potenţialului în colectorul tranzistorului T1 are ca efect o pozitivare accentuată a bazei tranzistorului T2.7-a) cât şi pentru tensiuni mici (figura 4.12) deci scade şi tensiunea Ube. deci la creşterea tensiunii de colector Uc1. . În figura 4.13).7-b amplificatorul de eroare lucrează în regim de repetor. fiind un tranzistor npn.7-b).

7-b: (4. adică: U0 = Unom ± 5% unde Unom = 5V.Stabilizatoare electronice 79 (a). ieşire şi bornă de masă. prin limitarea tensiunii inverse care poate să apară între intrare şi ieşire. Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesită un număr redus de componente discrete externe (pasive şi active). în montajele la care tensiunea de ieşire se menţine şi după anularea tensiunii de intrare (cazul montajelor cu sarcini capacitive importante). în special atunci când STC se află la o distanţă oarecare faţă de circuitul de filtrare care îl precede (la ieşirea redresorului).17) . Acest montaj se caracterizează printr-o simplitate deosebită.8 se constituie într-un stabilizator de tensiune fixă (5V) dacă STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4. În figura 4. deoarece în afara circuitului integrat sunt necesare numai două condensatoare iar prezenţa diodei de protecţie este facultativă. Condensatorul C2 de la ieşire are tot rol de filtrare.15) b) pentru stabilizarea tensiunilor mici (U2 < Ur).8 se prezintă schema clasică a unui stabilizator de tensiune integrat cu trei pini.7. Exemplificând. reducând suplimentar tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului. Dioda D protejează circuitul integrat. Stabilizatoare de tensiune integrate U2 în funcţie de tensiunea de referinţă Ur are valorile: a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur).5V superioară tensiunii de ieşire U0. figura 4. fiind prevăzute cu trei terminale: intrare. în prezent se realizează circuite stabilizatoare de tensiune fixă şi curenţi de sarcină relativ mari. Tensiunea de ieşire stabilizată în acest caz este: Stabilizatoarele din seria 78XX pot funcţiona corect numai dacă tensiunea de intrare este cu cel puţin 2.7-a: Tensiunea de ieşire R + R2 U2 = 1 ⋅ Ur R1 R1 ⋅ Ur R1 + R 2 (4. schema generală din figura 4.pentru tensiuni mici Figura 4.pentru tensiuni mari (b).5V (4.16) U2 = Pentru a îmbunătăţi fiabilitatea stabilizatoarelor integrate şi pentru a elimina căderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieşire). Condensatorul C1 este indispensabil în montaj.9). Uin > U0nom + 2. figura 4.

19) U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4. faţă de tensiunea nominală.9 i se ataşează un divizor rezistiv la care unul dintre rezistoare este reglabil. în figura 4.. Pentru un stabilizator de 15V. Figura 4.80 Capitolul 4 Stabilizatoarele integrate pot îndeplini şi funcţia de regulatoare de tensiune. Pentru a minimiza acest efect se alege rezistorul R1.10. Astfel. Tensiunea de ieşire a stabilizatorului LM317 poate fi reglată între 1. Variaţiile curentului rezidual Ir în funcţie de curentul de ieşire ar putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieşire.8.18) reprezintă circa 0.10.2V şi 37V. Întrucât valoarea cea mai mare a . este prezentat un variator de tensiune (în limite mici) utilizând circuitul specializat 7805. În acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de ieşire (4. Schema de principiu pentru un stabilizator integrat – tensiune fixă Figura 4. În figura 4.5A.11 este prezentată schema unui stabilizator de tensiune variabilă utilizând circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni negative). Stabilizator integrat de tensiune variabilă Tensiunea obţinută la ieşire are expresia: curentului Ir este de 8 mA. Stabilizator integrat de tensiune fixă (5V) Figura 4. nu este indicat să se depăşească plaja de variaţie a tensiunii de ieşire.25⋅(1 + R2/R1) (4. Tensiunea de ieşire se poate determina folosind relaţia: Uout = 1.9. Din acest motiv se alege R2 ≅ R1/2. Din motive de stabilitate.8 mA.18) Curentul Ir (obţinut la pinul 3) are valori cuprinse în domeniul 4. Variaţiile curentului rezidual Ir (în funcţie de curentul de ieşire) vor avea o anumită influenţă asupra tensiunii de ieşire când se reglează valoarea lui R2 către maxim.5V în cazul stabilizatorului de 5V. Şi în acest caz protecţia împotriva suprasarcinilor rămâne activă în condiţia că tensiunea de intrare nu depăşeşte valoarea maximă admisă (de firmă) care este de regulă de 35 V. se adoptă R1 = 390 Ω. realizat cu circuitul LM7815. cu mai mult de 50%. la un curent maxim de 1. astfel încât prin el să treacă un curent de cel puţin cinci ori mai mare decât curentul rezidual (IR1 ≥ 5 Ir).. se alege R1 = 120 Ω pentru stabilizatorul LM7805 utilizat în acest caz. dacă schemei din figura 4.

Diodele D1 şi D2 au rolul de proteja circuitul integrat în cazul apariţiei unor descărcări inverse ale condensatoarelor. .25V. suplimentar.11. între pinul ADJ şi pinul VOUT (de ieşire). Stabilizator integrat de tensiune variabilă Condensatorul C3 are rolul de a ameliora.Stabilizatoare electronice 81 Figura 4. Observaţii: Deşi schema utilizată în cazul stabilizatoarelor ajustabile de tensiune este identică cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe. factorul de rejecţie global. baza de calcul suferă o modificare generată de faptul că stabilizatoarele variabile dezvoltă o tensiune de referinţă egală cu 1. totuşi.

CAPITOLUL 5

REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere
Pentru ilustrarea unor noţiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor în mutatoare se consideră cel mai simplu redresor comandat, în schema monofazată, monoalternanţă, cu sarcină rezistivă (figura 5.1). El conţine un dispozitiv de comandă pe grilă, DCG, la intrarea căruia se aplică semnalul de comandă, uc. Scopul urmărit este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de comandă uc.

Figura 5.1. Redresor comandat monoalternanţă

Figura 5.2. Circuit de defazare

După modul cum DCG realizează amorsarea tiristorului (intrarea în conducţie), există două metode de comandă pe grilă: comanda pe orizontală şi comanda pe verticală. Dispozitivul de comandă pe grilă transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la fiecare semialternanţă pozitivă a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc amorsarea tiristorului. Până la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul. După deschiderea tiristorului curentul variază proporţional cu tensiunea aplicată u2.

iG care produce amorsarea tiristorului, se numeşte unghi de amorsare şi s-a notat cu αa.
Intervalul cuprins între începutul semialternanţei pozitive şi apariţia impulsului amorsare αa1 şi curentul mediu prin tiristor este proporţional cu suprafaţa dintre curba Din figura 5.3 se observă că modificarea unghiului de amorsare se realizează (1) prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizează unghiul de

ωt

Redresoare comandate de mică putere

83

şi abscisă. Tensiunea continuă de pe rezistenţa de sarcină, proporţională cu valoarea curentului mediu, rezultă mai mică decât în cazul când unghiul de amorsare este zero, adică la redresorul necomandat. Dacă unghiul de amorsare creşte la (2) valoarea αa2, corespunzătoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o valoare proporţională cu suprafaţa dublu haşurată.

ia

Figura 5.3. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe orizontală

Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comandă, se poate modifica unghiul de amorsare de la 0° la 180° şi tensiunea continuă variază de la 100% la zero. Acest principiu este valabil în ambele metode de comandă pe grilă (comanda pe orizontală şi comanda pe verticală). La comanda pe orizontală, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin deplasarea pe orizontală a unei tensiuni alternative de comandă. În figura 5.3-c este prezentată această tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel construit, încât se generează impulsurile iG în momentul trecerii tensiunii u~ prin zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aşa cum este cel din figura 5.2. În acest caz comanda defazajului, deci şi a tensiunii redresate, se face printr-o acţiune de reglare manuală asupra reostatului R. Dacă se impune ca tensiunea continuă să fie ajustată printr-un semnal de comandă uc, DCG trebuie să conţină un oscilator electronic care generează o tensiune periodică, liniar variabilă în timp, uLV, precum şi un circuit ce formează un impuls de comandă, iG, atunci când se produce intersectarea tensiunilor uLV şi uc pe panta

83

84

Capitolul 5

descendentă a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comandă conduce la modificarea corespunzătoare a fazei impulsurilor iG. Comanda pe verticală a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrată în figura 5.4. Dispozitivul de comandă pe grilă (DCG) generează iniţial o tensiune alternativă U~, defazată cu 900 în urma tensiunii U2. (a ) Impulsul de comandă pe grilă i G se formează iniţial la intersecţia cu abscisa (pe porţiunea ascendentă a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de amorsare a tiristorului are valoarea iniţială αa = 90 . Principiul comenzii pe verticală constă în variaţia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe verticală a tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micşorarea sau creşterea unghiului de amorsare faţă de unghiul iniţial αa. Pentru a realiza deplasarea pe verticală a tensiunii U~, la nivelul DCG se însumează o tensiune continuă de comandă (Uc – pozitivă sau negativă) cu tensiunea U~.
0

Figura 5.4. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe verticală

Redresoare comandate de mică putere
Ajustarea tensiunii de comandă astfel: a. Creşterea tensiunii

85

Uc determină reglarea unghiului de amorsare (Uc > 0) are [00 ... 900], iar
ca efect reglarea valoarea medie a

Uc

în valori pozitive

unghiului de amorsare

tensiunii redresate creşte (proporţional cu valoarea unghiului de conducţie α1) în cadrul unei semialternanţe pozitive; b. Creşterea tensiunii Uc în valori negative

(α1)

în intervalul

(Uc < 0) are ca efect reglarea 0 0 unghiului de amorsare (α2) în intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a tensiunii redresate scade proporţional cu creşterea unghiului α2, între [900 ... 1800].

[0 [0% ... 100%] din Ur.

0

Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, în domeniul ...1800], iar tensiunea medie redresată poate fi ajustată continuu, în domeniul

La evaluarea comparativă a performanţelor redresoarelor având comandă pe orizontală faţă de cele ce au comanda pe verticală, un criteriu important este forma dependenţei tensiunii continue U0 în raport cu semnalul de comandă uc. Expresia tensiunii continue sarcină rezistivă este: 2π

U0

la un redresor monofazat comandat cu

1 U0 = 2⋅π


0

1 u r d ( ωt ) = 2⋅π

αa

π

2 ⋅U 2 sin(ωt ) ⋅ d(ωt ) =
(5.1)

=

2 ⋅U 2 (1 + cos α a ) 2⋅π

La comanda pe orizontală, figura 5.3.d, unghiul de amorsare în funcţie de tensiunea de comandă uc prin relaţia:

αa se exprimă
(5.2)

α a = π ⋅ (1 −

uc

Înlocuind α a în relaţia (5.1) rezultă:

u c max

)

U0 =

π uc 2 ⋅U 2 (1 − cos ) 2⋅π u c max

(5.3)

deci dependenţa U0 = f(uc) este neliniară. La comanda pe verticală, considerând că tensiunea de comandă maximă, ucmax, este egală cu amplitudinea tensiunii u~ , relaţia dintre unghiul de amorsare

(αa) şi tensiunea uc este:

α a = arccos(

uc u c max

)

(5.4)

Înlocuind relaţia 5.4 în ultima formă a relaţiei 5.1 se obţine:

85

5) deci. Schema electronică test pentru o aplicaţie tipică (cu posibilităţi de comandă a două tiristoare) realizată cu circuitul integrat ßAA145 este prezentată în figura 5.Blocare impuls 7.Alimentare ( I ) 6.Intrare de sincronizare 10. destinat comenzii în fază a elementelor de redresare. Unul dintre cele mai utilizate circuite integrate.Referinţa de tensiune (-V) 16.5. dependenţa U0 = f(uc) este liniară. este circuitul integrat ßAA-145.Comandă fază ( V8 ) 9.Ieşire ( E1 ) 11.Alimentare (+V) 2.Sincronizare paralel Figura 5. Făcând abstracţie de schema electronică detaliată prezentată în [9].Ieşire monostabil 3. 5.Rampă de tensiune 8. Dispozitiv de comandă pe grilă realizat cu ßAA-145 .Ieşire (E2) 15. care pot fi realizate cu ajutorul componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate.Masă − 13.Comandă durată (tp) 14. Această proprietate reprezintă un avantaj important al comenzii pe verticală faţă de comanda pe orizontală.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor Pentru reglarea unghiului de conducţie a tiristoarelor şi/sau triacurilor se pot utiliza dispozitive electronice specializate. semnificaţia terminalelor (pinilor) este următoarea: 1.86 Capitolul 5 U0 = 2 ⋅U 2 uc (1 + ) u c max 2⋅π (5. întrucât redresorul comandat poate fi utilizat ca element de execuţie într-un sistem liniar de reglare automată (de exemplu reglarea turaţiei motorului de curent continuu).5.

atunci când tensiunea de comandă aplicată la pinul 8 variază în domeniul 0.Redresoare comandate de mică putere 87 Observaţie: Este recomandat să se utilizeze un transformator coborâtor de tensiune. Diagrama impulsurilor de comandă Impulsurile de comandă. 87 . se obţin la pinii 10 şi 14. Variaţia unghiului de conducţie Figura 5..6. Figura 5.8V.. Acest circuit permite reglarea unghiului de conducţie (φ) în domeniul 0-180 grade.6. În acest caz valorile rezistenţelor divizorului se adoptă astfel încât curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) să aibă valoarea de 10 mA.7. asociat cu divizorul rezistiv pentru alimentarea pinului de sincronizare (9). această valoare fiind un parametru de catalog. Variaţia unghiului de conducţie în raport cu tensiunea de comandă (V8) este prezentată în figura 5. pentru separare galvanică (220V~/24V~). ce urmează a fi aplicate pe porţile tiristoarelor sau triacurilor. Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu ajutorul unui potenţiometru semireglabil (Rt) de 250 KΩ conectat la pinul 11.

dar unghiul de conducţie ϕ se poate regla în intervalul 0. Momentul de referinţă pentru unghiul de comandă este momentul trecerii prin zero a tensiunii reţelei. Aceste transformatoare realizează separare galvanică Între circuitul de forţă (tiristor sau triac) şi circuitul de comandă unde se află circuitul integrat βAA – 145. se alege ca moment de referinţă pentru comanda pe grilă.catod. Întrucât impulsurile de comandă (V10 şi V14) sunt de mică putere.7. acestea trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington. Momentul în care tensiunea pe tiristor este nulă şi urmează să devină pozitivă în sensul anod . Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul în care tensiunea lor în sensul anod – catod este pozitivă. În raport cu referinţa. Blocarea impulsurilor de comandă (inhibarea circuitului ßAA-145) se poate face conectând pinul 6 la masă. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată (cu sarcină inductiv-rezistivă) este prezentată în figura 5. figura 5. Exprimat în radiani..3 Redresor monofazat semicomandat în punte În cazul redresorului semicomandat. Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porţile tiristoarelor/triacurilor prin intermediul unor transformatoare de impulsuri. . realizate cu miezuri de ferită şi dimensionate corespunzător.180 grade datorită translaţiei pe orizontală a celor două impulsuri. Unghiul de comandă (α) exprimă intervalul de timp cuprins între momentul începutului blocării tiristorului T1 şi momentul în care începe conducţia tiristorului T2.100%].8.. acest interval defineşte unghiul de comandă (α) pentru tiristoare. Figura 5.88 Capitolul 5 Cele două impulsuri de comandă (V10 şi V14) sunt decalate permanent cu un unghi constant de 180 grade. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunzătoare a tiristoarelor din circuit.. În punctul A al diagramelor.9.. impulsul de amorsare (aprindere) a fiecărui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil. în cazul redresorului monofazat. tensiunea de ieşire Ud este reglabilă în limitele [0.8. 5. începe ieşirea din conducţie a tiristorului T2 şi intrarea în conducţie a diodei D1. iar formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor prin circuitul redresor-sarcină sunt date în figura 5.

Tensiunea redresată Ud pe sarcină (LS.6) unde: US – este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 ). α – este unghiul de conducţie al tiristoarelor. C şi E. După intervalul de conducţie γ 2 . π (5. D1 şi respectiv T2. Figura 5. iar tiristorul T2 se blochează natural în momentele A.Redresoare comandate de mică putere 89 Intervalele de comutaţie γ1 şi γ 2 definesc timpii necesari blocării tiristoarelor şi intrării în conducţie a diodelor.9. D2 . Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor 89 . Tiristorul T1 se stinge natural în punctele (momentele) B şi D. Tensiunea medie redresată (Ud) este dată de relaţia: Ud = 2 U S (cos α + 1) . RS) se obţine în intervalele de timp în care are loc conducţia simultană pe T1. curentul de sarcină trece în întregime prin T1 şi D1.

U Z = 9. 5.4 Întrebări şi problemă 1. Care este rolul şi seminificaţia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat βAA145. K TR = 8.1[ V ] . d) Valoarea curentului de sarcină (I S ) . Ce avantaj oferă comanda pe verticală. specializat pentru comanda în fază a tiristoarelor şi triacurilor? Problemă Se dă circuitul de redresareşi stabilizare din figură pentru care se cunoaşte: u1 ( t ) = 240 ⋅ sin ( ωt ) [ V ] . interval de timp necesar preluării conducţiei de la tiristoare de către diode. diodele de acelaşi indice (nume) joacă rolul de redresor.90 Capitolul 5 Observaţii: a) Pe durata conducţiei tiristoarelor. R S = 50 [ Ω ] . b) Tensiunea între punctele M şi N (U MN ) . iar în intervalul unghiului de comandă cele două diode D1 şi D2 joacă rolul de protecţie (descărcare) împotriva tensiunilor de autoinducţie ce apar în momentul blocării tiristoarelor. b) Durata de conducţie a diodelor este mult mai mare decât durata de conducţie a tiristoarelor. rDZ = 8 [ Ω ] . α c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului ) Se cere: a) Tensiunea medie redresată U 0 . c) Unghuiul de conducţie θ al diodei Zenner. R = 200 [ Ω ] . c) Tensiunea redresată (Ud) creşte dacă unghiul de comandă α scade. faţă de metoda comenzii pe orizontală (în cazul redresoarelor comandate) ? 2. Valoarea minimă a unghiului de comandă (α) se adoptă în intervalul 5÷8 grade electrice. LS. asigurând curentul neîntrerupt prin sarcina RS.

Când butonul este acţionat. având o semnificaţie asemănătoare. propoziţia a doua este adevărată când prima propoziţie este adevărată şi invers. Deci se obţine identitatea logică: y≡x (6.2. Acestei propoziţii i se poate asocia variabila binară x. luate din domeniul schemelor de comandă cu relee şi contacte.1) Identităţii logice îi corespunde tabelul de adevăr 6. Figura 6. operează cu propoziţii. Referindu-ne la cele două propoziţii menţionate anterior constatăm că în schema din figura 6. Fiecărei propoziţii i se poate asocia o variabilă. când propoziţia este adevărată şi valoarea 0 când propoziţia este falsă. conform căreia o propoziţie poate fi adevărată sau falsă. care are valoarea 1 dacă propoziţia este adevărată (butonul fiind acţionat. Ilustrând această idee prin exemple simple. acesta îşi deschide contactul. numită variabilă logică sau binară. care are valoarea 1.1-a. 2 Negaţia logică.1-a).3. contactul butonului X este normal închis.1. Definirea funcţiilor logice elementare. Fie de exemplu. propoziţiei “releul Y este acţionat” (figura 6. Figura 6. 1 Identitatea logică. 1815-1864).2. În algebra booleană se utilizează logica bivalentă. numită şi algebră booleană (după numele matematicianului irlandez G. Realizarea identităţii logice. circuitul se . contactul electric este închis) şi valoarea 0 dacă propoziţia este falsă (contactul electric deschis). propoziţia: “butonul X este acţionat” (figura 6. În mod similar.1-b) i se poate asocia variabila binară y. În cadrul schemei din figura 6.CAPITOLUL 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6. se vor introduce – în cele ce urmează – funcţiile logice elementare. Veridicitatea unei propoziţii poate să depindă de veridicitatea altor propoziţii.1 Funcţii logice elementare Algebra logicii. la care interesează veridicitatea acestora. Boole.

conjuncţia logică se realizează cu n variabile binare. notată simbolic: y= x (6. din care rezultă: y = x1 + x2 (6.2 al disjuncţiei logice arată că aceasta are valoarea 1 dacă x1 sau x2 au valoarea ”1” logic sau x1 şi x2 au valoarea logică 1. Realizarea funcţiei logice SAU Tabelul 6.1-b. Disjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1+x2 şi are valoarea 1 dacă una dintre variabile are valoarea 1.5.92 Capitolul 6 întrerupe.6) În cazul negaţiei logice. iar releul Y nu va fi acţionat. Din acest motiv. conjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “ŞI”. + xn (6.. Se realizează deci negaţia logică. ⋅ xn (6. Ca urmare.3. conjuncţia logică are valoarea 1. situaţie în care funcţia ”SAU” este: y = x1 + x2 + x3 + .3 se constată că numai atunci când x1 şi x2 au valoarea logică 1.1 Tabelul 6. disjuncţia logică poate conţine n variabile binare.2 a) x y ≡x x y= x 0 0 0 1 1 1 1 0 x1 x2 y=x1+x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 b) x ⋅x 4 Conjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin 1 2 şi are valoarea 1 dacă ambele variabile au valoarea 1.4. sau ambele variabile au valoarea 1. Interpretarea fizică a acesteia este ilustrată prin schema dată în figura 6. situaţie în care funcţia ”ŞI” este: y = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ . disjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “SAU”..5) În cazul general.4. de unde rezultă: y = x1 ⋅ x 2 (6. Realizarea fizică a funcţiei “ŞI” cu două variabile este dată în schema din figura 6.2) Figura 6.. Din tabelul de adevăr 6.4) .. Realizarea negaţiei logice Figura 6.3) Generalizând. corespondenţa dintre variabila dependentă (y) şi cea independentă (x) este dată de tabelul de adevăr 6. Tabelul de adevăr 6.

Funcţia logică SAU-EXCLUSIV a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1⊕x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. nici x2 nu sunt egale cu 1. atunci când nici x1. cum sunt: NICI.5 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 Tabelul 6.7) Funcţiile logice NU. Funcţia logică NICI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.4. ŞI reprezintă funcţii elementare în algebra propoziţiilor.6. funcţia NICI se mai numeşte funcţie SAU-NU. funcţia SAU negată: (6. x1 x2 y= x1 + x 2 Tabelul 6. Tabelul 6.3 93 Figura 6.10) . SAU EXCLUSIV etc. Semnificaţia şi denumirea funcţiei este legată de interpretarea propoziţiilor de forma: “Maşina electrică funcţionează în regim de motor sau în regim de generator”. NUMAI.4. Uneori. fapt ce exclude posibilitatea de a fi adevărate simultan cele două alternative implicate în propoziţie. iar în terminologia engleză este NOR (Not-OR). În afara acestora. se mai utilizează şi alte funcţii logice (derivate). Comparând tabelele de adevăr 6.6 x1 x2 y= x1 ⋅ x 2 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 x1 x2 x1⊕x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 Din compararea tabelelor de adevăr 6. adică: (6.5 rezultă că funcţia NUMAI se obţine prin negarea funcţiei ŞI. se constată că funcţia NICI reprezintă.9) Observaţie: Şi în cazul funcţiilor NOR şi NAND.5.8) x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 Din acest motiv. şi 6. adică se mai numeşte funcţia ŞI-NU. funcţia SAU-EXCLUSIV este disjuncţia termenilor x1 ⋅ x 2 şi x1 ⋅ x 2 . y = x1 ∩ x2 (6. Se remarcă faptul că funcţia are valoarea 1. simbolizarea disjuncţiei logice şi respectiv a conjuncţiei logice realizate cu două variabile (ca în exemplul de faţă) se poate face astfel: y =x1 ∪ x2 . de fapt.2 şi 6. În conformitate cu tabelul de adevăr 6. SAU. iar în terminologia engleză NAND (Not –AND): x1 ↑ x 2 = x 1 ⋅ x 2 (6.6.3.5. acestea se pot realiza cu n variabile binare. Funcţia logică NUMAI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.4.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6.

date în tabelul 6.14) (6.8) şi (6. Verificarea acestor proprietăţi se poate face cu uşurinţă utilizând tabelele de adevăr ale funcţiilor logice elementare.9) precum şi teoremele lui De Morgan rezultă: (6. ŞI.13) (6.12) Transformările inverse. de la funcţiile NICI şi NUMAI. însă cu o structură mai simplă.11) x=x+x=x↓x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 (6. ŞI. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Proprietatea de idempotenţă Proprietatea de asociativitate Proprietatea de comutativitate Proprietatea de distributivitate Proprietatea de absorbţie Teoremele lui De Morgan Principiul contradicţiei Principiul terţului exclus Principiul dublei negaţii Denumirea relaţiei logice Proprietăţile constantelor logice 0 şi 1 x+0=x x ⋅0 = 0 x + 1 = 1 x ⋅1 = x x+x=x x⋅x=x (x1⋅x2)⋅x3 = x1⋅(x2⋅x3) (x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3) x1⋅x2 = x2⋅x1 x1+x2 = x2+x1 x1⋅(x2+x3) = (x1⋅x2)+(x1⋅x3) x1+(x2⋅x3) = (x1+x2)⋅(x1+x3) x1+x1⋅x2 = x1 x1⋅(x1+x2) = x1 x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x⋅ x =0 x+ x =1 x =x Astfel. utilizând relaţiile de definiţie (6.7 permit exprimarea funcţiilor NICI.15) . Tabelul 6. crt. SAU. se realizează astfel: x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 (6. echivalente celor iniţiale. SAU.7 Nr. Relaţiile date în tabelul 6.94 Capitolul 6 6. NUMAI şi SAU–EXCLUSIV prin intermediul funcţiilor elementare NU.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii Pentru transformarea unor expresii logice în altele. la funcţiile NU.7. se folosesc o serie de relaţii (proprietăţi) fundamentale.

+ ε1 )V → L " 1" logic → (+ E − ε 2 . întrucât prin intermediul lor se poate exprima orice altă funcţie logică. punctul static poate fi în poziţia M’ (regim de blocare). . cât şi funcţia NUMAI pot juca rolul unui sistem complet de funcţii elementare. cu deosebirea că în starea “0” logic (tranzistor saturat).13) … (6. SAU formează un sistem complet de funcţii. Regula de asociere: " 0" logic → (0.High). ceea ce echivalează cu semnalul “0” logic.16) (6.9 x 1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x 1 ↑ x 2 x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 x1 ↓ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 + x 2 = x1 ↑ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 În algebra propoziţiilor. funcţiile logice elementare NU. ŞI. În mod similar se consideră şi tranzistoarele unipolare. se consideră ca un izolator ideal (contact deschis). 6. . .. care lucrează în regim de comutaţie.18) Relaţiile de transformare (6. Relaţiile (6. ceea ce le oferă o importanţă deosebită în circuitele logice de comandă. De asemenea.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 95 (6.18) arată că atât funcţia NICI. E ) → H (6. ea va fi asimilată cu un element conductor ideal (contact închis). iar dacă este polarizată invers. Tranzistoarele utilizate în circuitele logice funcţionează în regim de comutaţie. Tabelul 6.. numite circuite logice. Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice În § 6. Dacă dioda este polarizată în sens direct..3 Circuite logice. când tensiunea în colectorul tranzistorului este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare. ceea ce echivalează cu semnalul “1” logic. Diodele semiconductoare se consideră ideale (cu rezistenţă internă nulă). căderea de tensiune pe tranzistor este mai mare decât la tranzistorul bipolar.19) .1 s-a arătat modul de realizare a funcţiilor logice elementare prin intermediul contactelor. Punctul static de funcţionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe dreapta de sarcină în M” (regim de saturaţie) – corespunzător unei tensiuni neglijabile în colector.18) sunt sintetizate în tabelele recapitulative 6.17) x = x⋅x = x↑ x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 (6.9. în componenţa cărora intră diode şi tranzistoare. ..8 Tabelul 6.13)…(6.8 şi 6. Funcţiile logice se pot realiza şi cu ajutorul unor circuite electronice. Valorilor logice ”0” şi ”1” li se asociază două niveluri de tensiuni electrice: nivel coborât (L -Low) şi nivel ridicat (H .

conduce dioda D2. respectiv ŞI.− E ) → H Figura 6.10. tensiunea de intrare este ux. adică ≅ 0V. x2 = 1. Circuit logic NU Figura 6. deci y = 0. .. tensiunea de intrare ux este egală cu 0 V. conducând D2. . astfel încât y = 1. În mod similar rezultă y = 0 când x1 = 0. Dacă x1 = 0 şi x2 = 0. În figura 6. circuitele logice se pot realiza utilizând componente discrete sau sub formă de circuite integrate.7 este dată schema unui circuit SAU cu diode. la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn. Dacă x = 0. cu circuitul NU. În figura 6. iar D1 este blocată. atunci când x1 = 0. Circuit SAU Figura 6. În alte situaţii. Schemele acestor circuite.96 Capitolul 6 în care ε1 şi ε2 sunt toleranţe admise. . se adoptă logica negativă. dacă x1 = 1. adică y = 1. Atunci când x1 = 1 şi x2 = 1. E. de exemplu.20) Sub aspect tehnologic. iar la ieşire rezultă semnal logic y = 1. căreia îi corespunde regula de asociere: " 0" logic → (0. deci rezultă y ≅ 0. ambele diode sunt blocate (având semnal pozitiv la catozi).6.6 este dată schema unui circuit logic NU (logică pozitivă). . Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe diodele care conduc..8. respectiv circuitul ŞI-NU (NAND) realizate cu ajutorul componentelor discrete (diode. x2 = 0. E şi tranzistorul lucrează în saturaţie. precum şi simbolizarea lor. x2 = 0. Dacă x1 = 1 şi x2 = 0. bornele de intrare având potenţialul +E ( E ≥ E1 ). x2 = 1 sau x1 = 1 şi x2 = 1. " l" logic → (− E + ε 2 . la ieşire se obţine o tensiune uy = 0 V. funcţionarea este similară. D2 este blocată şi tensiunea de ieşire este egală cu cea de la prima intrare. respectiv D2 conduc.9. toate punctele circuitului se vor afla la potenţial nul. lucrând în logica pozitivă. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe dioda D2. realizat cu diode.8. ca de exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp. .. Circuit ŞI Circuitele SAU-NU (NOR). Funcţionarea acestui circuit este următoarea: dacă x1 = 0. respectiv 6.−ε1 ) V → L (6. baza este negativată (prin sursa –Eb)..7. corespunde logicii pozitive şi se aplică. dioda D1 conduce. adică tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V. sunt date în figurile 6. respectiv D1 şi D2. rezistoare şi tranzistoare) se obţin prin conectarea în serie a circuitului SAU. circuitele logice conţineau componente discrete. deci la ieşire se obţine uy. deci y = 0. deci y = 0. intrările sunt conectate la potenţialul bornei comune şi diodele D1. Schema unui circuit ŞI cu două intrări. tranzistorul este blocat. În primele variante constructive. deci y = 1. Dacă x = 1. în logică pozitivă este dată în figura 6.

realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS.Transistor-Logic) sunt în prezent cele mai utilizate CLI. Circuitele TTL (Transistor.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 97 Figura 6. tipurile: RTL. dintre care menţionăm.9. potenţialul bazei este practic egal cu 0V iar joncţiunea bazăcolector nu conduce.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND . joncţiunea bază-emitor respectivă conduce. După tehnologia utilizată. Circuit SAU-NU (NOR) gura 6. în prezent nu mai sunt utilizate. Dacă la una dintre intrări se aplică tensiunea 0V. şi CLI-MOS. TTL. Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrările prin rezistenţe. Astfel curentul i în colectorul lui T1 este neglijabil. Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similară circuitelor cu componente discrete. conectate la bazele tranzistoarelor bipolare. T1. HLL şi I2L. DTL.10. Circuit ŞI-NU (NAND) 6. este de tip multiemitor. circuitele logice integrate (CLI) se clasifică în: CLI bipolare. La realizarea CLI bipolare s-au adoptat mai multe tipuri de structuri de bază.TTL) În prezent circuitele logice se realizează aproape în exclusivitate sub formă de circuite integrate. . în care se utilizează tranzistoare bipolare.11. Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul ŞI-NU. Circuitele RTL şi DTL având performanţe reduse. în ordinea în care s-au succedat. Tranzistorul de intrare. adică are o joncţiune bazăcolector şi mai multe joncţiuni bază-emitor. a cărui schemă este dată în figura 6. adică intrarea respectivă se leagă la masă.

98 Capitolul 6 Figura 6. deci şi acest tranzistor este blocat. întrucât T3 este în conducţie (saturat). adică potenţialul bornei de ieşire este practic egal cu +E. Dacă la toate intrările se aplică tensiunea +E. potenţialul colectorului acestui tranzistor (T4). tensiunea de ieşire este 0V. tranzistorul T3 se comportă ca un repetor pe emitor. Practic. cât şi în situaţiile când mai multe intrări au tensiunea de 0V. 1 2 Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este prezentată în figura 6. deoarece tensiunea bază-emitor aplicată acestuia este neglijabilă. Curentul iE2 fiind mare. Deci. potenţialul bazei tranzistorului T4 este practic egal cu 0V. se asigură o cădere de tensiune pe rezistenţa RE. care determină saturarea tranzistorului T4. iar T4 ca un contact închis.12.4 V pentru y=”0” logic VH 3. Întrucât T3 se comportă ca un contact deschis. deci y = 0. Observaţii: Când ieşirea este ”1” logic (y = 1). Dioda D este conectată între tranzistorele T3 şi T4 din motive tehnologice. tensiunea de ieşire este practic +E. Ca urmare. Figura 6. stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea în saturaţie a tranzistorului T2. valorile tensiunilor pentru ”0” logic şi ”1” sunt: VH 0. .11.5 V pentru y=”1” logic Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V şi 5V. generând curentul de sarcină. iar curentul prin sarcina conectată la ieşire este asigurat de tranzistorul T3 care este în saturaţie.12. în această situaţie. joncţiunile bazăemitor ale tranzistorului T1 nu conduc. Circuit ŞI-NU (NAND) TTL Tranzistorul T2 este blocat şi întrucât iE2 = 0. însă va conduce joncţiunea bază-colector. În acelaşi timp tranzistorul T3 este blocat.

VH = VCC − VCE (T3 − sat. b) Dacă T2 şi T’2 sunt blocate.tensiunea colector-emitor când T4 este saturat. Funcţionarea este următoarea: a) Dacă T2 sau T’2 este saturat. Perechile de tranzistoare T1. într-un interval de timp foarte scurt (de ordinul microsecundelor).Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 99 Observaţie: În timpul funcţionării (la trecerea din starea ”0” logic în starea ”1” logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor T3 şi T4. Deci la ieşirea F se obţine V0=”0” logic.tensiunea colector-emitor când T3 este saturat. Figura 6.) .22) 6. la ieşire se obţine V0=”1” logic (+E volţi). T’2 formează două etaje de intrare conectate în paralel pe rezistoarele R2 şi R3. ce are schema electrică prezentată în figura 6. Observaţie: T2 sau T’2 sunt saturate dacă T1 sau T’1 sunt blocate. adică VIA sau VIB au valoarea „1” logic (+E volţi). Expresia curentului maxim de impuls în colector (ICC-max) la ieşirea porţii TTL este: I CC − max = unde: VCC − VCE (T3 − sat.21) VD – este căderea de tensiune pe dioda D.) . .1. Poarta TTL (NOR) Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizează funcţia logică F ="1" = V0 = A + B = A ⋅ B .4. iar T4 este blocat.) − VD (6. T2 şi T’1.) − VCE (T4 − sat. VCE (T3 − sat.) − VD R C3 (6. Cauza conducţiei simultane este aceea că T3 comută mai rapid în conducţie decât comută T4 în starea de blocare. deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat. atunci când T1 şi T’1 sunt saturate. Astfel T3 îl ”surprinde” pe T4 în conducţie. În starea ”1” logic tensiunea VH la ieşirea porţii TTL este: VCE (T4 − sat. atunci tranzistorul T3 va fi saturat. când acesta ar trebui să fie deja blocat.13. Poarta logică integrată NOR (SAU-NU) În cele ce urmează se prezintă poarta integrată NOR (SAU-NU) realizată cu numai 2 (două) intrări.13.

. reprezentând înfăşurări de relee şi/sau contactoare.) sunt funcţii booleene.1 Noţiuni generale Fie un circuit de comandă (figura 6.). contacte ale unor relee din alte scheme de comandă etc.. . yr – mărimi de ieşire. adică funcţii în care variabilele logice sunt legate prin operaţiile din algebra logicii. …. lămpi de semnalizare etc.5 Circuite logice combinaţionale 6.elemente de intrare: U1.. u m ) (6. iar mărimile de ieşire sunt variabile binare dependente. u 2 .14-a).ansamblul elementelor de comandă (contacte sau circuite logice). fr(.14. În privinţa circuitelor logice combinaţionale se pot formula două categorii de probleme: . u 2 . reprezentând contacte de butoane şi de limitatoare de cursă. La ieşirea F se obţine ”0” logic dacă una dintre intrări (sau ambele) au nivel de tensiune ”1” logic.. schema de comandă se poate reprezenta ca în figura 6. . este determinat în mod univoc de o combinaţie dată a mărimilor de intrare. 6. ale căror structuri sunt cunoscute. b) Simbolizarea circuitului combinaţional Asociind elementelor de intrare-ieşire variabile binare. . u 2 .elemente de ieşire: Y1. U2. Mărimile de intrare sunt variabile binare independente. f2(. Y2. a) Circuit combinaţional. iar y1.5.100 Capitolul 6 când ambele intrări sunt legate la masă. unei situaţii date a elementelor de intrare (acţionate sau neacţionate).. …. …. Yr. Circuitele logice combinaţionale sunt acele circuite de comandă la care setul mărimilor de ieşire. . în momentul considerat. .). Um. u2. Cu alte cuvinte. în orice moment. ..14-b. Circuitele logice combinaţionale sunt descrise prin ecuaţii ieşire-intrare de forma: y1 = f1 (u1. notate cu litere mici.. u m ) M y 2 = f 2 (u1. în care u1.23) în care f1(. Figura 6. y2... um se numesc mărimi de intrare.. caracterizat prin următoarele elemente: . ….. u m ) M y r = f r (u1. îi corespunde în mod univoc o anumită situaţie a elementelor de ieşire. înfăşurări ale robinetelor electromagnetice.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale
analiza circuitelor logice combinaţionale; sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaţionale.

101

6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
Într-o problemă de analiză se dă structura circuitului combinaţional, starea elementelor de intrare (dacă sunt acţionate sau nu) şi se cere starea elementelor de ieşire. O problemă de analiză, de tipul celei formulate, se rezolvă în trei etape: • pornind de la schema circuitului combinaţional, se asociază variabile binare elementelor fizice de intrare-ieşire şi se scrie funcţia logică corespunzătoare schemei date; • se înlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, după starea elementelor de intrare respective; • se evaluează expresia logică, deteminând variabila dependentă (mărimea de ieşire): dacă aceasta este 1, elementul de ieşire este acţionat, iar dacă expresia logică are valoarea 0, elementul de ieşire este neacţionat.

Figura 6.15. Schema de comandă cu releu şi contacte

Figura 6.16. Schema de comandă echivalentă schemei din figura 6.22

Vom ilustra procedura descrisă prin intermediul schemei de comandă cu relee şi contacte dată în figura 6.15. Aici, U1, U2 şi U3 sunt contacte normal deschise şi normal închise ale unor elemente de comandă, limitatoare de cursă etc. Aşa cum s-a arătat în § 6.1, contactelor normal deschise li se asociază variabile binare, notate cu litere mici fără bară de negare, iar contactelor normal închise li se asociază variabile binare negate (cu bară de negare). Acţionarea unui contact normal închis reprezintă deschiderea sa. Asociind o variabilă binară, y, elementului de ieşire, Y, schema de comandă poate fi reprezentată ca în figura 6.16. Cunoscând realizarea funcţiilor logice elementare utilizând contacte, variabila de ieşire y (figura 6.16) se poate exprima cu uşurinţă prin intermediul variabilelor de intrare u1, u2 şi u3:

y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u 1 3

(6.24)

Presupunem că, în cadrul problemei de analiză, se cere starea elementului de ieşire atunci când U1 şi U2 sunt acţionate iar U3 este neacţionat. Punând în expresia (6.24) u1 = u2 = 1 şi u3 = 0, se obţine:

y = (1 ⋅ 1 ⋅ 0 + 1 ⋅ 1 ⋅ 0) ⋅ 1 + (1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1) ⋅ 0 = 1
deci elementul de ieşire este acţionat. Formularea problemelor de analiză a schemelor combinaţionale poate fi completată în sensul determinării unei scheme de comandă mai simplă, însă echivalentă cu cea iniţială, sau al stabilirii unei scheme de comandă cu aceleaşi funcţiuni, însă realizată prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvările

102

Capitolul 6

acestor completări din formularea problemelor de analiză constituie, în acelaşi timp, soluţii ale unor etape din procedura de sinteză (proiectare) a schemelor combinaţionale. Fie schema de comandă din figura 6.15. Se cere o schemă echivalentă cu aceasta, însă mai simplă, adică realizată cu un număr mai mic de elemente. Pentru simplificarea schemei de comandă se procedează la minimizarea funcţiei booleene (6.24), adică la aducerea acesteia la o formă cât mai simplă. Utilizând relaţiile fundamentale din algebra booleană, se obţine:

(6.25) Ţinând seama de proprietăţile de idempotenţă, terţ exclus şi contradicţie, din ultima expresie se obţine: (6.26) y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 Mărimea de ieşire (y) s-a exprimat printr-o disjuncţie a unor conjuncţii logice. Funcţia booleană corespunzătoare se exprimă în forma canonică disjunctivă. Constituenţii disjuncţiei se numesc mintermeni. Pentru obţinerea formei canonice disjunctive minimale se pot utiliza mai multe metode: a) metoda alipirilor (metoda grupărilor); b) metoda diagramelor Karnaugh; c) algoritmul Quine-McCluskey. Dacă numărul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomandă metodele b sau c. Pentru exemplul anterior, având în vedere numărul redus de mintermeni, vom utiliza metoda grupărilor. Termenii vor fi grupaţi câte doi, astfel încât fiecare pereche să aibă numai un singur termen diferit în conjuncţiile respective. Astfel, primii doi mintermeni se pot grupa având u 2 u 3 ca parte comună în conjuncţii. La fel, primul şi al treilea, se pot grupa având u 1 u 3 ca parte comună. Pentru a nu rămâne un mintermen necuplat, în expresia (6.25) se adaugă în disjuncţie mintermenul existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilalţi doi):

y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3
Această expresie este

(6.27)

identică cu cea precedentă, deoarece u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietăţii de idempotenţă. Grupând primii doi mintermeni, precum şi următorii doi, din relaţia 6.27, prin utilizarea proprietăţii de distributivitate se obţine: y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28) şi, deoarece u1 + u1 = 1 şi u 2 + u 2 = 1, în conformitate cu principiul terţului exclus rezultă forma minimală a funcţiei logice: y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29) Se constată cu uşurinţă că funcţia booleană în forma canonică minimaldisjunctivă nu se poate simplifica mai mult. Forma minimală a funcţiei booleene se prezintă ca o disjuncţie a unor termeni numiţi implicanţi primi ai funcţiei. Deci, în esenţă, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funcţiei logice iniţiale se reduce la deducerea implicanţilor primi ai acesteia. Corespunzător ecuaţiei (6.29) se poate desena schema de comandă minimală din figura 6.17, echivalentă cu schema iniţială din figura 6.15.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale

103

Realizarea cu circuite logice NU, ŞI, SAU a circuitului de comandă corespunzător funcţiei logice (6.29), se face prin schema dată în figura 6.18. Dacă se pune problema deducerii unei scheme de comandă realizată cu elemente NAND, se transformă funcţia (6.29) după cum urmează:

y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) ↑ (u1 u 3 ) = (u 2 ↑ u 3 ) ↑ (u 1 ↑ u 3 )

(6.30)

Utilizând module NAND cu două intrări, rezultă schema circuitului de comandă din figura 6.19.

Figura 6.17. Schema de comandă minimală echivalentă schemei din figura 6.15

Figura 6.18. Schema echivalentă a realizată funcţiei logice (6.28)

Figura 6.19. Schema echivalentă a funcţiei logice (6.28) cu module NAND

6.6 Circuite logice secvenţiale
Aşa cum s-a arătat în § 6.5.1 mărimile de ieşire ale unui circuit combinaţional sunt determinate univoc, în orice moment, de mărimile de intrare din momentul respectiv. În cazul circuitelor logice secvenţiale, mărimile de ieşire la momentul k, k k k notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mărimile de intrare k k k u1 , u 2 ,..., u m , ci şi de starea internă a circuitului din momentul anterior, k −1 k −1 k −1 (figura 6.20). caracterizată prin mărimile de stare x1 , x 2 , ... , x n Variabilele de stare descriu evoluţia (istoria) circuitului, în sensul că la momentul k ele depind atât de valorile anterioare, din momentul k–1, cât şi de mărimile de intrare ale circuitului. Din cele menţionate rezultă că un circuit logic secvenţial este caracterizat de două seturi de ecuaţii: ecuaţiile de stare şi ecuaţiile de ieşire. Ecuaţiile de stare leagă mărimile de stare din momentul k, de mărimile de stare din momentul anterior, k–1, şi de mărimile de intrare. Ele pot avea două forme:

realizate într-o formă specifică.1 Circuite secvenţiale elementare În cele ce urmează se vor considera câteva circuite secvenţiale cu numai două stări. obţinându-se – în esenţă – clasa circuitelor basculante (triggere). .. Ecuaţiile (6. Variabilele de stare sunt.6.. având particularitatea că au un număr finit de stări.10 de tranziţie a stărilor. r. .. 2.31) k −1 sau k unde i =1. Din acest motiv. Din acest motiv ele se mai numesc ecuaţii de tranziţie a stărilor. .31) şi (6.. . x 2 . .. x n .. Fie un circuit elementar cu două intrări u1. . variabilele din circuit (6. x2 k −1 . . x 2 . respectiv în momentul k – 1.. având diagrama de tranziţie a stărilor din figura 6. .. la fel ca şi cele de intrare-ieşire. u 2 . Este evident că cele două stări pot fi codificate printr-o singură variabilă de stare binară... x n k −1 . Circuitele logice secvenţiale se încadrează în categoria generală de sisteme dinamice. care ilustrează grafic modul cum se realizează trecerea dintr-o stare în alta. .. Tranziţia stărilor se face sub acţiunea unor semnale de intrare. Ecuaţia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziţie a stărilor. .32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare în alta.. x n . .21. u1 . Ecuaţiile de ieşire exprimă legătura dintre mărimile de ieşire ale circuitului secvenţial. u1 k −1 . 2. . sub acţiunea semnalelor de intrare.20.104 Capitolul 6 k k −1 k −1 k −1 k k x i = f i ( x1 . la care corespunde tabelul 6.. u m ) Figura 6. ele se mai numesc automate finite. . sub acţiunea mărimilor de intrare. În cazul general. 6.. mărimile de stare şi mărimile de intrare ale acestuia.. u m ) (6. variabile binare. u m ) unde x i = f i ( x1 k −1 .. după cum mărimile de intrare se consideră în momentul k. ecuaţiile de ieşire ale unui circuit secvenţial sunt de forma: k k k k k k k (6. u1 .. n Deci. n.33) y j = g j ( x1 . . notate convenţional prin 0 şi 1. Se constată că s-a eliminat combinaţia (1..1) a variabilelor de intrare. u2 şi o ieşire y = x. x. circuitul secvenţial se poate afla în 2 stări (n este numărul variabilelor de intrare). . Circuit logic secvenţial.32) g(·) sunt funcţii logice cunoscute. iar j = 1.

şi se obţine: ⎞ ⎞ k ⎛ k k ⎛ k x k = u2 (6.22-a. este necesar să se aplice operaţia de dublă negaţie peste funcţia (6. Schema circuitului ce corespunde ecuaţiei (6.37) este dată în figura 6. ⎝ ⎠ Această realaţie satisface expresia unei funcţii logice NAND (SI .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6. Diagrama de tranziţie a unui circuit secvenţial elementar Ecuaţia de stare a circuitului este: k k k k −1 k k k −1 k k k −1 x = ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + (u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) (6.37) ⎟ .10 105 Figura 6. Pentru aceasta se aplică proprietatea dublei negaţii şi una din teoremele lui De Morgan. . considerând variabila u1k borna S (set = inscriere).36) şi rezultă: k ⎛ k ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎞ x k = u2 (6. pe baza notaţiilor anterioare s-a obţinut expresia x k = m ⋅ n care arată că funcţia dorită x k = m ⋅ n .35) reprezintă funcţia logică minimizată. Ultima relaţie (6.NU) deoarece. iar variabila u2k borna R (reset = ştergere) se obţine bistabilul S–R cu elemente NAND reprezent ca în figura 6. funcţiei din paranteză.35) se transformă într-o expresie de forma ( ) x k = m ⋅ n .21.34) Se minimizează funcţia logică utilizând metoda grupărilor (1-3) şi (2-3): k k −1 ⎞ ⎛ k k⎞ ⎛ k k ⎞ ⎛ k −1 ⎛ k k −1 ⎞ + ⎛ u k ⋅ u k ⎞ + x k −1 ⎞ xk = ⎛ ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⋅ ⎜ u1 + u1 ⎟ + ⎜ u 2 ⋅ u1 ⎟ ⋅ ⎜ x ⎟ = ⎜ u2 ⋅ x ⎟ ⎜ 2 1⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ sau k k (6. cerută de proprietatea dublei negaţii. va mai suporta o operaţie suplimentară de negare. dar pentru a nu schimba valoarea funcţiei x k . Dacă se impune realizarea circuitului de comandă cu elemente (module) NAND funcţia logică minimizată (6.36) ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ ⋅ ⎜ u1 + x k −1 ⎟ = u 2 ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎛ k k −1 ⎞ k şi m = ⎜ u1 Notând (convenţional) n = u 2 ⋅x ⎟ se observă că pentru a ⎝ ⎠ obţine expresia unei funcţii de forma x k = m ⋅ n este necesară operaţia de negare peste întreaga funcţie (6.36).35) x k = x2 u1 + x k −1 .22-b. Prin redesenarea ei.

21.25-a reprezintă o celulă de memorie. Figura 6. Se observă că motorul este alimentat de la reţeaua trifazată numai dacă contactorul Y este anclanşat. b. deci când y = 1 k (prezentate în tabelul de trantziţie 6.23. Starea curentă a k k motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 şi u 2 ) date prin butoanele de pornire şi oprire. funcţionează conform diagramei de lucru din figura 6. Bistabil SR comandat prin semnal logic zero Figura 6.10.1) (combinaţia (0. c – simbolizarea.25-b. din tabelul de tranziţie anterior 6. Diagrama de funcţionare a acestei scheme de comandă.22. Observaţii: a) Comanda (1.25-b) sunt identice cu stările x = 1. În acest caz starea curentă (y ) are valoarea ”1” logic. b) Schema de comandă din figura 6. Circuitul secvenţial prezentat are o funcţionare asincronă. atunci când combinaţia de intrare este (1.25-a.24. Cu alte cuvinte.1) este eliminată. Cele trei situaţii în care motorul este pornit. Diagrama de tranziţie a bistabilului din figura 6. dacă implicit se consideră echivalente notaţiile: xk-1 ≡ yk-1 şi xk ≡ yk Schema electrică simplificată pentru comanda pornirii şi opririi unui motor asincron trifazat.23. ci şi de starea anterioară (pornit-oprit) a motorului k-1 k notată prin y . Bistabil SR cu elemente ŞI–NU: a şi b – structura. circuitul rămânând în starea în care se afla. bascularea dintr-o stare în alta se face prin aplicarea semnalului logic 0 la una din intrări.0) este interzisă). este echivalentă tabelului de tranziţie a stărilor 6. adică numai atunci când contactele sale normal-deschise (y) se vor k închide. îl reprezintă schema electrică de comandă (pornire-oprire) a unui motor asincron trifazat.10 şi respectiv diagramei de tranziţie a stărilor din figura 6.24. se obţine bistabilul din figura 6. prezentată în figura 6.23 Un exemplu de circuit secvenţial asincron cu două intrări. întrucât acţionarea simultană a butoanelor BP şi BO este fără sens (motorul nu ar porni). iar motorul rămâne .10. la care diagrama de stare este dată în figura 6. ilustrată în figura 6.22.25-b. întrucât prin butonul BP se înscrie comanda de pornire.106 Capitolul 6 (a) (b) (c) Figura 6. a cărui funcţionare corespunde tabelului de tranziţie 6. Dacă se elimină circuitele NU de la intrările S şi R ale elementelor NAND din figura 6.

26. În figura 6.6.stăpân). b. a cărui basculare este comandată prin semnal “0” logic.23. S = 1.27.0) – la schema din figura 6. prezentat în figura 6.2.simbolizarea Figura 6.23).1) la intrare (combinaţia (0.sclav). R = 0 nu influenţează starea bistabilului decât atunci când se aplică semnalul de tact. bistabilul rămâne în starea în care se afla.a. Figura 6. Când nu se aplică semnalul de tact. astfel încât se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic în starea 1 logic). Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND. Aplicarea semnalelor S = 1. Figura 6.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 107 pornit (comanda este memorată) până când se acţionează butonul BO (pentru ştergerea memoriei). Semnalele de comandă se aplică prin bornele S (set) şi R . 6. rezultă V1 = 1 şi V2 = 1. Circuitul încadrat este un bistabil de tipul celui din figura 6. În acest caz (T= 1.26.26 se numeşte bistabil S–T–R. R = 0) rezultă V1 = 0 şi V2 = 1. adică T = 0. Circuitul secvenţial din figura 6.28 se prezintă schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de tip SRT.structura. Ele sunt formate din două circuite basculante conectate în cascadă: primul are funcţia de comandă (master . de exemplu starea 0. în sensul că îl subordonează pe al doilea (slave . Circuitul secvenţial de tip Master-Slave O categorie importantă de bistabile o formează cele cu structură stăpân-sclav (master–slave). revenirea în starea 0 se produce numai la aplicarea impulsului de tact (T= 1). unde T este intrarea de tact. În mod similar. pentru S = 0 şi R = 1. Schema bistabilului S-T-R: a .23.25 Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) într-un automat sincron se utilizează schema din figura 6. Diagramă de tranziţie a stărilor În circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaţiei (1.

Între bistabilul M şi bistabilul S se află porţile de transfer P3 şi P4 de tip NAND. Pe porţiunea 1-2.29. P2 sunt încă închise. iar porţile de transfer P3.28 Figura 6. Porţile de intrare (P1 şi P2) sunt comandate (activate). porţile P1. Pe porţiunea 2-3. porţile P1. P2 sunt deschise permiţând transferul informaţiei în M. Semnalele logice V3 şi V4 de la ieşirea porţilor de transfer reprezintă informaţia de intrare în bistabilul S.108 Capitolul 6 (reset) unor porţi logice de intrare P1 şi P2. Pe porţiunea 3-4. Funcţionarea bistabilului Master-Slave pe o perioadă a impulsului de tact real (trapezoidal) se explică utilizând diagramele de semnale din figura 6. pe frontul posterior al impulsului de tact. deci M este izolat faţă de intrare. de tip NAND. P2 se închid. iar porţile P3.29 Funcţionare: 1. prin semnalul de tact T. P4 nu s-au deschis încă. 2. Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND. P4 se blochează. Figura 6. izolând M faţă de S. porţile P1. 3. iar bistabilul S (Slave) este izolat faţă de Master. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK ) sugerând că informaţia apare la ieşirea bistabilului. iar S este izolat faţă de M. P4 sunt închise. . iar P3. în antifază faţă de porţile de transfer (P3 şi P4) datorită circuitului inversor (CI) care este un circuit de tip NU. Deci bistabilul M (Master) este izolat faţă de intrare. La ieşirile porţilor P1 şi P2 se obţin semnalele logice (potenţialele) V1 şi V2 care reprezintă informaţia aplicată la intrarea bistabilului M.

– (circuit logic secvenţial) ? Probleme: 1. ƒ Pentru ca informaţia să se înscrie fără erori. Întrebări şi probleme 1. NU. 2. cu circuite (module) SI. este necesar ca aceasta să nu-şi modifice valoarea în intervalele de tranziţie (1-2) şi (3-4) ale impulsului de tact. 3) A. 3. Observaţii: ƒ CBB – Master-Slave elimină posibilitatea tranziţiilor asincrone (necontrolate) la ieşire. U3 U2 U2 . care trebuie să fie acţionat numai in următoarele situaţii: sunt acţionate Ul . U2. Y. Schema de comandă pentru acţionarea unui utliaj are trei elemente de comandă U1.7.NU .NU).NU . deci informaţia trece din M în S şi apare la ieşirea Q. A – neacţionat. NU . U3 şi a unui element de execuţie. A. Care este diferenţa (funcţională) între un C. 2) B. U3 Ul U1 . porţile P1. Care este expresia (şi cauza apariţiei) curentului de impuls (IC MAX) în cazul porţii logice NAND (TTL) ? 3. Se dau funcţiile logice: Să se arate că: y1 = y2. 6. U 3 nu sunt acţionate U3 U 1 . U2 . cu module SI . U 2 . B – acţionate. P2 sunt închise şi nu permit intrarea informaţiei în M. iar porţile P3. U2 Ul . SAU.C. C acţionate. realizată cu circuite NAND (ŞI . care să acţioneze elementul de execuţie Y numai în următoarele situaţii: 1) B acţionat .L. cu module SAU . Pe porţiunea 4-5. Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare în cazurile: a) circuite logice ? b) circuite de amplificare ? 4. C – neacţionat. NU. U2. U 3 - - Să se deducă schema de comandă în următoarele variante constructive: cu contacte. U3 şi un element de execuţie Y. Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comandă (de intrare) U1.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 109 4. Cum se realizează practic condiţia de semnal logic “0” (zero) în cazul circuitului “SI” ? 2. şi un circuit C.L. deoarece în acest circuit s-a eliminat transparenţa intrărilor de date. P4 sunt deschise. Se cere schema logică de comandă.S. C – neacţionate.

2-b. Dacă se utilizează un circuit latch.1-b. (a) Figura 7. În mod asemănător. Acest circuit se mai numeşte latch (în limba engleză având semnificaţia de zăvor.2-a se observă că la închiderea contactului K tensiunea pe rezistenţa de sarcină (URs ) se stabilizează la valoarea E după un regim tranzitoriu oscilant.1 se obţine un circuit bistabil care memorează evenimentul marcat prin tranziţia temporară a unei intrări în ”0” logic. Una dintre aplicaţiile circuitului latch serveşte la eliminarea oscilaţiilor de tensiune ce apar la închiderea contactelor electrice acţionate manual prin butoane.CAPITOLUL 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 7.1 Circuite LATCH 7.1.1 sunt identice.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH Conectând două porţi logice NAND conform schemei din figura 7.1. Deci ieşirile Q şi Q sunt complementare. dar în practică se foloseşte reprezentarea din figura 7. încuietoare). În figura 7. Schema din figura 7. Schema logică a circuitului latch (b) Cele două scheme din figura 7. ilustrat în figura 7. determină poziţionarea ieşirilor Q . ca în figura 7. tranziţia lui R în ”0” logic Q în 01. activarea lui S prin ”0” logic produce setarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”1” logic).3-a. iar activarea lui R prin ”0” logic produce resetarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”0” logic. Circuitul latch memorează tranziţia lui poziţionarea ieşirilor S în ”0” logic prin QQ în 10.1-a evidenţiază faptul că circuitul latch are o singură reacţie.

4.2 Codificatoare şi decodificatoare Se numeşte COD o regulă ce descrie o aplicaţie ”C” a unei mulţimi de semne în altă mulţime de semne. Dacă aplicaţia ”C” este injectivă. Figura 7. Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod. la care activarea unei intrări determină apariţia unui cuvânt de cod pe ieşire.2 Figura 7. • Codificatoarele sunt C. semnalul de comandă la ieşirea Q va avea o valoare constantă şi fără oscilaţii care ar putea deranja funcţionarea altor circuite ce utilizează acest semnal (numărătoare.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 111 atunci tensiunea la ieşirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentată în figura 7. adică reconstituirea mesajului iniţial. Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieşiri este ilustrat în figura 7.3-b.L. Codificator cu patru ieşiri . 7.4: Figura 7. circuite te tip Master-Slave etc).3 Astfel. se poate realiza decodificarea.C.

5-a. Y0 = A 0 ⋅ A1 ⎫ ⎪ Y1 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ ⎬ Y2 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ Y3 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎭ (7.6. Figura 7.L.6). al cărui tabel de funcţionare (figura 7. Figura 7. b) tabelul de adevăr. decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrări şi 2n ieşiri distincte.C. Exemplu: Se consideră decodificatorul cu două intrări (n = 2) şi 2n ieşiri (4 ieşiri) distincte.5. Decodificator de adresă cu patru ieşiri . Decodificator cu două intrări: a)schema bloc. În cazul general.112 Capitolul 7 • În funcţionarea codificatorului menţionat se disting două situaţii: a) Dacă se activează intrarea IK (la nivel logic ”H”). care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de cuvântul de cod aplicat la intrare. prezentat în figura 7.5-b) serveşte scrierii funcţiilor logice corespunzătoare. b) Dacă se activează intrarea IJ (cu nivelul ”H”) pe ieşirile paralele se obţine cuvântul de cod: 1110. atunci pe ieşirile paralele apare cuvântul de cod: 1101.1) Pe baza relaţiilor (7.1) se elaborează schema logică a decodificatorului de adresă cu 4 ieşiri (figura 7. Decodificatoare sunt C. Decodificarea este necesară în următoarele operaţii: − adresarea memoriilor − afişarea numerică − multiplexarea datelor etc.

Observaţie: Porţile de intrare sunt prevăzute cu o intrare suplimentară comună ( E ) = Enable care autorizează. Schema bloc a unui multiplexor cu patru intrări şi o ieşire este prezentată în figura 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 113 7. schema logică fiind prezentată în figura 7. Selecţia intrării se face printr-un cod binar (adresă) aplicat pe intrările de selecţie A0 şi A1. Selectarea ieşirii se face printr-un cuvânt de cod – numit adresă.8. funcţionarea multiplexorului. X = valoare logică oarecare Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comună pe una din ieşirile selectate. b) schema logică.3 Circuite de multiplexare (MUX) şi demultiplexare (DEMUX) Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaţionale (CLC) care permit trecerea datelor de la una dintre intrări spre o ieşire unică.7-a. Multiplexor cu patru intrări şi o ieşire: a) schema bloc. . Figura 7. Pentru adresarea celor patru intrări sunt necesari 2 biţi.8. E H L L L L L L L L A1 X L L L L H H H H A0 X L L H H L L H H I0 X H L X X X X X X I1 X X X H L X X X X I2 X X X X X H L X X I3 X X X X X X X H L Y L H L H L H L H L Stare circuit → circuit blocat → I0 selectat → I1 selectat → I2 selectat → I3 selectat Figura 7.7.7-a funcţionează conform tabelului logic 7.7-a. sau nu. Multiplexorul prezentat în figura 7. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7.7-b.

9-a. .10-a.10-b. Figura 7. Numărător binar cu patru biţi: a) schema de principiu. conform tabelului de funcţionare 7.9-b. Demultiplexor cu două ieşiri: a) schema bloc.9. Figura 7.10. b) diagrama impulsurilor. 7.9-b) este dată în figura 7. b) tabelul de adevăr. iar funcţionarea acestuia. permite comutarea fluxului de date de pe intrarea comună (I).114 Capitolul 7 Demultiplexorul cu două ieşiri.9-c. fie pe ieşirea Y0 (dacă A = 0) fie pe ieşirea Y1 (dacă A = 1). este ilustrată în diagrama din figura 7. la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie numărate. figura 7. Schema logică a demultiplexorului cu două ieşiri (realizată conform tabelului 7. c) schema a unui demultiplexor cu patru ieşiri.4 Numărătoare electronice Schema unui numărător binar cu 4 biţi este dată în figura 7.

care se găsesc în interfaţa de intrare.11.c). b) diagrama impulsurilor... când s-a obţinut numărarea directă în binar. ... . 7. la intrările calculatorului de proces se utilizează convertoare de tip A-N (analog-numerice).11-a). impuls Q1 Q2 Q3 Q4 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2 0 1 0 0 3 1 1 0 0 4 0 0 1 0 5 1 0 1 0 6 0 1 1 0 7 1 1 1 0 8 0 0 0 1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 . Numărător binar invers cu patru biţi: a) schema de principiu. 115 Figura 7. numărul înregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura 7.. Spre deosebire de schema anterioară.10 – c. .b).11-b.11. ... Figura 7. 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 .10 .. adică la fiecare impuls aplicat la intrare. în baza 2 (tabelul din figura 7. frontul de basculare 1 → 0 al ieşirii Q produce tranziţia stării triggerului următor şi se obţine diagrama de semnal din figura 7. Dacă se utilizează ieşirile Q pentru legarea triggerelor în cascadă (figura 7. Pentru conversia semnalelor analogice (achiziţionate dintr-un proces tehnologic) în semnale numerice. în acest caz rezultă numărarea inversă a impulsurilor..5 Convertoare Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezintă elementele de bază ale interfeţelor de proces în sistemele numerice de reglare.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale Nr. Tabel lohgic al numărotzorului binar (drirect) cu 4 biţi Se constată că după aplicarea a N impulsuri. stările triggerelor indică valoarea numerică a lui N..

2.analogic cu rampă de tensiune. sunt convertite în semnale analogice (necesare elementelor de execuţie). până când amplitudinea rampei este egală cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare). Acest convertor face modulaţia în durată a impulsurilor. C .tensiunea pe condensator.116 Capitolul 7 Semnalele numerice elaborate la ieşirea calculatorului de proces pe baza unui algoritm de reglare şi/sau conducere. fiind convertor indirect. . Deci: unde: UC = I ⋅ ΔT ' = UX C (7.3) în care: 0 • ≤ N < 2n Observaţii: Acest convertor se numeşte convertor tensiune-timp. Mărimea analogică este o mărime fizică a cărei variaţie în timp este dată de o funcţie continuă şi ale cărei valori sunt cuprinse în intervalul:I = [xmin ÷ xmax] cu x∈R. Când rampa începe să fie generată. În acest moment numărătorul N2 este oprit de către comparator. din (7.. Generatorul de rampă conţine un condensator care se încarcă la curent constant. prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numericanalogice).capacitatea condensatorului. impulsurile de tact sunt numărate de N2. 1.2) se obţine: Ux = I / C ⋅NT (7. UC . care basculează şi închide poarta ŞI..12. Dacă numărătorul N2 a înregistrat (numărat) N impulsuri. În figura 7. . întrucât în procesul conversiei tensiunea de intrare Ux este transformată într-un impuls. Figura 7. a cărui lăţime este direct proporţională cu amplitudinea tensiunii Ux. Schema de principiu a unui CAN analogic cu rampă de tensiune..2) ΔT’ este timpul de conversie egal cu NT. Aceste convertoare se găsesc în interfaţa de ieşire situată între calculatorul de proces şi elementele de execuţie care sunt implementate în instalaţia tehnologică. Mărimea numerică (digitală) este o mărime fizică ale cărei valori aparţin mulţimii Sn = {0. I este curentul de încărcare al condensatorului care generează rampa. T fiind perioada impulsurilor. n}.12 este dată schema de principiu a unui CAN . Conţinutul informaţiei din N2 reprezintă valoarea binară a tensiunii de intrare (Ux). unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub formă de impulsuri codificate.

în consecinţă. În această categorie intră memoriile următoare: . acolo unde doreşte. memoriile pot fi: magnetice. sunt circuite la care harta memoriei de introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. Există mai multe tipuri constructive de memorii ROM. adică îşi pierd conţinutul la întreruperea tensiunii de alimentare.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 117 numărul de impulsuri • Numărul N are valoarea 2 n-1 şi reprezintă corespunzătoare valorii (7. iar datele obţinute la ieşirea codificatorului reprezintă informaţia memorată la adresa respectivă. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls . cu memoria operativă din calculatoarele clasice. fiind realizată însă cu matrice de bistabile SR. Această structură este de obicei definită ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator şi un codificator. Un exemplu de circuit integrat specializat în conversia numericanalogică este circuitul β DAC-08. Memoriile ROM programabile prin mască. n Deci: ΔT’ = (2 −1)T 7. tehnologia MOS este cel mai des folosită. în cazul tehnologiei MOS. care pot fi doar citite. Vectorul de intrare în decodificator este interpretat ca o adresă. . Timpul de acces în cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns în cazul tehnologiei bipolare sau. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil (o peliculă subţire de CrNi). În cele ce urmează se au în vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. fiind. lent. care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el.Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaţional care stochează permanent date binare. care au fost anterior stocate într-un circuit de memorare. care lucrează pe 8 biţi.Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic. dintre care. ca structură.Random Acces Memory (RAM).6 Circuite de memorie Funcţia de memorare poate fi definită ca posibilitatea de regăsire a unor informaţii reprezentate sub formă binară. Acestea sunt folosite pentru înmagazinarea datelor şi a programelor de tip utilizator. optice sau semiconductoare. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur. Acest tip de memorie este similară. În această categorie intră memoriile cu acces aleator . Uxmax. integrate în aceeaşi capsulă cu sistemele de înscriere şi citire a informaţiei. Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI şi VLSI realizate în diverse tehnologii. Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reacţiei cu funcţionare prin SOFTWARE şi a circuitelor integrate specializate în operaţii de conversie A-N. În funcţie de modul în care se utilizează memoriile într-un sistem de calcul funcţiile de memorare pot fi: • Memorare cu citire şi scriere de date. În funcţie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor. • Memorare numai pentru citirea datelor. sau mask ROM.4) Rezultă că acest sistem de conversie este de tip serie. Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementează funcţia de memorare. Memoriile RAM sunt volatile. valorile logice complementare. sute de nanosecunde.

Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS). . Izolaţia porţii este mult mai subţire decât la EPROM. Geometria memoriei (modul de organizare) reprezintă lungimea unui cuvânt de memorie şi numărul de cuvinte memorate. moment ce trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie. EPROM. o memorie FLASH (un EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns. dar este unidirecţional în cazul memoriilor: ROM. . Dacă memoriile EPROM în tehnologie NMOS au timpi de acces de aproape 500ns. Progresele tehnologice au determinat modificări importante în performanţele memoriilor ROM. pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. Principalele caracteristici ale unei memorii sunt: 1.13 Schema bloc a unui circuit de memorie Observaţie: Transferul de date este bidirecţional (datele intră şi ies din circuit) în cazul memoriilor: RAM şi E2PROM. Capacitatea memoriei exprimă numărul total de biţi ce pot fi memoraţi (capacitatea se exprimă în multipli de 1k = 1024 biţi). iar timpul de stocare a informaţiei poate fi de 100 ani. 2. Memoriile mask ROM şi PROM se realizează atât în tehnologie bipolară cât şi în tehnologie MOS. adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă. Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat. În sfârşit. O memorie EEPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 10000 ori. Cuvintele (numerele) binare reprezintă date pentru un circuit de memorie şi se consideră: a. semnale de intrare (când datele se înscriu în memorie). O memorie EPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 100 ori.Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt programabile ca şi memoriile PROM. Notaţia E2PROM este uneori folosită pentru memoriile EEPROM. numai că ştergerea se poate face pe cale electrică. iar timpul de stocare a informaţiei poate depăşi 10 ani. Schema bloc (conexiunile informaţionale) pentru un circuit de memorie este prezentată în figura 7.118 Capitolul 7 de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare.Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt similare memoriilor EPROM. semnale de ieşire (când datele se citesc din memorie). şi sarcina electrică negativă poate fi eliminată prin aplicarea unei tensiuni de polaritate inversă pe poarta tranzistorului care nu este flotantă. 100000 cicluri garantate de programare/ştergere şi timp de stocare a datelor de peste 20 ani. în timp ce memoriile EPROM şi EEPROM nu se pot realiza decât în tehnologie MOS. Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată. . dar de mai multe ori. cele realizate în tehnologie CMOS au timpi de acces mai mici de 100ns. b. izolată de substrat prin 10 −7 m de SiO 2 . PROM.13: Figura 7.

conexiunea selecţie-cuvânt (WL) este menţinută la un potenţial coborât (+0.5 V.o memorie este volatilă dacă informaţia înscrisă se pierde în timp. Puterea consumată reprezintă raportul între puterea totală consumată de circuit şi capacitatea acestuia. Structura celulei de memorie RAM Celula de memorie este circuitul elementar care realizează memorarea unui bit. În stare neselectată. • 1 (una) linie de selecţie cuvânt (WL). La memoriile dinamice. figura 7. Figura 7.3 V).14. Puterea consumată se exprimă în [μW/bit]. memorarea informaţiei se bazează pe modificarea capacităţii joncţiunii semiconductoare. 5. Volatilitatea . Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare MOS.la o tensiune de +0. ceea ce necesită reîmprospătarea conţinutului la intervale constante de timp. Acţionarea liniei de selecţie-cuvânt face posibilă citirea sau scrierea informaţiei în oricare dintre celulele de memorie situate pe aceeaşi linie în matrice. prin intermediul unei rezistenţe senzor (r) care . Volatilitatea se datorează modului de stocare a informaţiei sau dispariţiei tensiunii de alimentare a circuitului de memorie (cazul memoriilor dinamice).14. În cazul utilizării tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie îl constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care foloseşte două tranzistoare multiemitor. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeaşi coloană într-o matrice de memorie.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 119 3. 4. Liniile de bit (DL şi DL ) sunt conectate la capătul coloanei . Celulă de memorie RAM cu tranzistor bipolar Liniile de conexiune în afara celulei sunt: • 2 (două) linii de bit (notate DL şi DL ) care servesc la scrierea şi citirea informaţiei în celulă.14. care reprezintă selecţia pe linii în matricea de memorie. În cele ce urmează se prezintă succint funcţionarea celulei de memorie din figura 7. Timpul de acces la memorie reprezintă durata necesară citirii sau scrierii informaţiei în memorie şi se exprimă în [ms] sau [ns]. • 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comună tuturor celulelor din matricea de memorie.

selecţie-cuvânt (WL). În cazul T1 blocat şi T2 în conducţie. linia selecţie-cuvânt (WL) este pusă la un potenţial ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3. deci conducţia este asigurată de acestea (legate în A şi B).15. unde: .15. acţionat printr-o succesiune de comenzi aplicate din exterior. se forţează pe liniile de bit (DL şi DL ) o diferenţă de potenţial corespunzătoare stării în care dorim să se găsească bistabilul. tensiunea diferenţială are sens invers: semnul (+) la DL şi semnul (-) la DL. se poate "spune" care este starea bistabilelor. adică m linii şi n coloane. iar viteza de comutaţie este de 20ns. Explicativă pentru celula de memorie RAM • Pentru înscrierea informaţiei în celulă.Celula de memorie RAM se poate realiza cu două tranzistoare bipolare obişnuite (npn) la care se ataşează câte o diodă Shottky. Procesorul reprezintă un automat aritmetic. se ridică potenţialul pe linia WL (la +3V) şi.n este numărul de perechi (DL şi DL ). atunci selectând linia WL (selecţie-cuvânt) pentru citire. Observaţii: . prin care se transformă un şir de date de intrare într-un alt şir de date la ieşire. se forţează linia de bit stânga (DL) la zero. adică numărul de coloane. Figura 7. Curentul de emitor se va închide prin rezistenţele senzor conectate la liniile de bit. simultan. DLj ). în stare neselectată. .5 V (în timp ce linia selecţie-cuvânt WL este selectată).m este numărul de linii. Matricea de memorie Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de memorare în ale cărei noduri se găsesc celule de memorie. Structura unui circuit de memorie. În funcţie de semnul tensiunii obţinute la bornele celor două linii de bit. acţionând WLi . şi selecţia coloanei prin perechea ( DLj. iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de aproximativ +0. Linia (conexiunea) de alimentare este comună tuturor celulelor de memorie pe care le conţine matricea de memorare. . Exemplu: Dacă T1 conduce şi T2 este blocat. se va obţine la ieşire o tensiune diferenţială cu semnul (+) pe DL şi semnul (-) pe DL .16 se prezintă structura unei matrice de memorie de dimensiune m×n. figura 7.5 V). Exemplu: Pentru a se obţine T1 în conducţie şi T2 în starea blocat. Cele două operaţii (citirea şi înscrierea informaţiilor) se desfăşoară astfel: • Pentru citirea informaţiei.5 V). emitoarele conectate la liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mică (+0. Capacitatea memoriei este dată de produsul (m × n). Pentru accesul la celula de memorie (i×j) se face selecţia liniei. În acest mod.120 Capitolul 7 sesizează apariţia închiderii unui curent. .Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800µW. În figura 7.

comandă pentru funcţiile aritmetice (+ . Automat aritmetic Semnificaţiile mărimilor din figura 7. A . D0 sunt terminalele pentru datele de intrare şi respectiv de ieşire. având schema bloc prezentată figura 7.18 sunt: Di. C . Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generată din exterior de către . O operaţie elementară implică unul sau doi operanzi (interni sau externi faţă de RALU). RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe. F . *) şi logice.16.adrese pentru selectarea operanzilor interni şi a destinaţiei rezultatelor.17. CK . Rezultatul operaţiei se poate memora intern (în registre) sau se poate genera spre exterior pe liniile de ieşire D0 (Data output). conţine o unitate aritmetică logică şi registre. .17: Figura 7. FL .semnal de tact (clock).Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 121 Figura 7. : . Prelucrările se efectuează asupra unor cuvinte binare cu n biţi. Structura unui circuit de memorie Procesorul.. RALU generează spre exterior şi un cuvânt FL ce conţine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizează rezultatul unei operaţii. denumit şi RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit).comenzi.flag-uri (indicatori).

caracteristicile rezultatelor. şi este volatilă.instrucţiunea curentă. Schema bloc a unui procesor Semnificaţiile mărimilor din figura 7.Buses (BA. informatice: console. BC).18. Configuraţia de bază a unui microcalculator (μC) este dată în figura 7.fluxul datelor de la ieşire şi de la intrare. BD. MD . SO . discuri magnetice flexibile sau rigide. interfeţe cu sistemul comandat. Microcalculatorul (μC) Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare realizată într-un singur circuit integrat (μP). 7. SI.18: Figura 7.18 sunt: C este fluxul comenzilor către RALU.sincronizarea comenzilor pentru intrare şi ieşire. Observaţie: Denumirea corectă a memoriei MD este RWM Read/Write Memory. pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul comandat (cazul reglării sau conducerii numerice a unui proces). b) Memoria (MEM) compusă din: MP . realizate cu circuite specializate sau circuite standard. D0. Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui μP se numeşte microcalculator (μC). I . FL . cititoare şi perforatoare de bandă de hârtie.7 Microprocesorul (μP). Deci procesorul este un sistem digital format din RALU şi UC. terminale video. Cititorul interesat de aplicaţiile circuitelor logice combinaţionale (CLC) şi/sau aplicaţiile circuitelor logice secenţiale (CLS) poate găsi suficiente exemple în [1]. ce conţin convertoare de tip N/A şi A/N cât şi magistralele . Di . benzi magnetice etc. a linii de adresare şi c linii pentru comenzi. 7. Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt: a) Unitatea centrală de prelucrare (μP). PE). cap. pentru adresare (BA) şi pentru comenzi (BC). Schema bloc a unui procesor este dată în figura 7. .122 Capitolul 7 alt automat denumit unitate de comandă (UC). c) Porturile de intrare/ieşire (PI. Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD).19: Dispozitivele periferice sunt: 1. Magistralele menţionate conţin: d linii pentru date.memoria de program (memorie ROM).memoria de date (memorie RAM). imprimante. 2.

Când se utilizează circuitul LATCH ? 3.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 123 Figura 7.8 Întrebări 1. Ce rol au circuitele: MUX şi DEMUX ? 5. Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ? 4. Cum se poate activa (accesa) o celulă de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice de memorare ? . Care sunt componentele din structura unui microcalculator ? 8.19. Care este deosebirea între o mărime analogică şi o mărime numerică (digitală) ? 2. Configuraţia de bază a unui microcalculator 7. Care este schema bloc a decodificatorului de adresă cu n = 2 (intrări) şi 4 ieşiri ? 6. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizează acestea ? 7.

JAPAN.com. United States. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate liniare. . Ceangă. S. 8.. A.. http://www. Miholcă. 2002.. Bucureşti.. 6. 7. Constantin. Electronică industrială (pentru subingineri).a. S. I. Bucureşti. 1982. Ţepelea. Electronică industrială. Purice. V. 1976. Editura MATRIX-ROM. Circuite integrate liniare.. N.. Ltd. D. Semiconductor Company – TOKYO.a. Bucureşti. Ceangă. Şaimac. 2001.. C. E. 1981. Electronică pentru neelectrice.. Malvern. Stoichescu. Rădoi.. Editura Militară. 5.A. 1991. Catalog IPRS – Băneasa..sanyo. ş.vishay. Editura Militară. Electronică industrială.BIBLIOGRAFIE 1. profiluri 2. 1980. Bucureşti. INC. http://www. 10. ∗ ∗ ∗ Catalog de circuite integrate digitale. 1981. Creangă. 11. 1983 9. Microprocesoare – Aplicaţii.. Electronică industrială şi automatizări. PA – 19355... Bucureşti. Bîrcă – Gălăţeanu.. Constantin. V.. P. Lupu. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate analogice. Mărăşescu. C. Bucureşti. 1976. 12. C. Editura didactică şi pedagogică. E. E. E. Tusac. Editura Tehnică. 2003. C. 1979. ∗ ∗ ∗ Catalog de componente electronice “FULL LINE PRODUCT CATALOG”. Bîrcă – Gălăţeanu. P. Universitatea din Galaţi. Miholcă. Editura didactică şi pedagogică. Bucureşti. VISHAY INTERTECHNOLOGY. Neagoe. C... P. Bucureşti.. Catalog IPRS – Băneasa. V. SANYO Electric Co. Constantin. Banu. 3.jp. Editura didactică şi pedagogică. Bucureşti. 4. Buzuloiu.. Bulucea.co. 63 Lincoln Highway. E. ş. Electronică de putere – Aplicaţii.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->