CIRCUITE LOGICE CMOS

1. Scopul lucrarii consta in cunoasterea elementelor de baza in utilizarea circuitelor CMOS, e ectuandu!se masuratori care sa puna in e"identa a"anta#ele acestei amilii de circuite lo$ice, cu lar$i aplicatii. %. Sc&ema de baza a circuitelor lo$ice CMOS o constituie in"ersorul CMOS a carui sc&ema este prezentata in i$. %'.1. Caracteristica de trans er a circuitului este puternic dependenta de tensiunea de alimentare ())* in i$. %'.% sunt reprezentate cazurile cand ()) + (pn , (pp - i$. %'.%.a. si cand ()) / (pn , (pp - i$. %'.%.b.. Tranzistoarele MOS complementare sunt caracterizate prin tensiunile de pra$ ( pn si (pp si prin actorii de curent n si p. In continuare se presupune ca sunt "alabile relatiile0 (pn 1 (pp 1 (p -%'.1. n 1 p 1 -%'.%. In cazul cand ()) + %(p, se de ineste o tensiune de trans er a in"ersorului, ca in i$. %'.%.a, con orm relatiei0
VT = VDD + kVpn Vpp 1+ k

-%'.2.

unde 3 este raportul n4p 1 3 1 1. (o5 1 ()) -%'.6. (oL 1 7 -%'.8. atunci cand circitul unctioneaza in $ol. )aca circuitul are o sarcina RS cuplata la masa, tensiunea corespunzatoare ni"elului lo$ic 919,(o5 "a de"eni0 VDD VoH 1 -%'.:. iar 1+ P R S ( VDD VP )

F i g .2 7 .1

T T

+V
p

V v

v
o H

V V v
D D

v
D D

a)
o

b) V
p n p p

V V
p n

daca aceeasi sarcina este cuplata la tensiunea de alimentare, ( )), tensiunea corespunzatoare ni"elului lo$ic 979, (oL, de"ine0 VDD VoL -%'.'. nR S ( VDD VP ) In aceste relatii s!a presupus ca di erenta dintre ()) si (o5 precum si (oL sunt ne$li#abili in comparasie cu ()). Mar$inile de z$omot, de inite con orm i$. %'.%.a, "or i0

M Z H

M Z L

p p

F i g .2 7 .2

M;1 1 (T < (oL 1 7,8()) -%'.=. M;7 1 (o5 < (T 1 7,8()) -%'.>. Se constata ca "alorile mar$inilor de z$omot statice, au, teoretic, "alori ma?im posibile* pentru circuitele CMOS abricate se $aranteaza o mar$ine de z$omot statica de cel putin 7,68()). In cazul in care tensiunea de alimentare, ()), este mai mica decat %(p, se obtine caracteristica de trans er din i$. %'.%.b, cu &isterezis. 2. In"ersorul CMOS nu consuma curent de la bateria de alimentare in nici una din starile lo$ice stationare* daca tensiunea de intrare ia si alte "alori decat ni"elele lo$ice, apare un curent absorbit de la bateria de alimentare* comportarea circuitului este descrisa de caracteristica de alimentare I)) 1 I))-"i., prezentata in i$. %'.2. Se absoarbe curen de la bateria de alimentare numai atunci cand (p / "i / ()) < (p, ceea ce presupune si ()) + %(p. Se determina "aloarea ma?ima a curentului de alimentare obtinuta pentru "i 1 (T0 2 VP I D max = VDD -%'.17. 2 2 Se remarca dependenta parabolica a "ar ului de curent de alimentare de tensiunea de alimentare, ()).

a x

V V V
P

v
o H

# &$ V
T + o L % %

# &$ V !
p

V !

V F i g .2 7 .'
T

v V
i o L

+ "

"

F i g .2 7 .4

6. In"ersorul cu CMOS asi$ura "alori apro?imati" e$ale pentru cele doua ronturi -si deci si pentru timpii de propa$are. datorita simetriei unctionarii circuitului la cele doua sensuri de "ariatie a tensiunii de iesire. In i$. %'.6 este prezentat raspunsul circuitului din i$. %'.1, incarcat cu o capacitate de sarcina, CS, la un impuls de comanda cu ronturi ideale, cu amplitudinea e$ala cu ()) si cu durata su icient de mare. Considerand ca sunt "alabile relatiile -%'.1. si -%'.%., se obtin urmatoarele e?presii pentru timpii de comutare ai circuitului de initi ca in i$. %'.60 2 S VP 2V 4VP + S ! + ln DD -%'.11. P = !P = 2 ( VDD VP ) ( VDD VP ) VDD

!" = !"+ =

2 S VP 1$ VDD 2# VP S + ln 2 ( VDD VP ) ( VDD VP ) VDD

-%'.1%.

8. Cu a#utorul in"ersoarelor CMOS se pot realiza circuite cu di erite unctiuni. In i$. %'.8 este reprezentata sc&ema unui multi"ibrator cu in"ersoare CMOS pentru care ormele de unda in principalele puncte ale sc&emei sunt desenate in i$. %'.:.

@resupunand ca Rp ++ R -Rp are rolul de a limita curentul prin diodele de protectie ale in"ersorului CMOS care se a la pe intrarea sa* aceste diode de protectie, ne i$urate in i$. %'.1, au rolul de a nu permite tensiunii de intrare sa ia "alori in a ara domeniului 7 A())., se obtine relatia0 T1 1 T% 1 %,%CR -%'.16. @uterea disipata de circuit -deci puterea absorbita de la bateria de alimentare. depinde oarte puternic de "aloarea ()) a tensiunii de alimentare, daca ()) + %(p. Stabilitatea ormei de unda depinde de stabilitatea, de alt el, oarte buna, a tensiunii de trans er a in"ersorului CMOS.

D R
p

(
1

)
2

v V R
2 D D

* v F i g .2 7 .+
i

V
P
2

v
D D

! V
D D

F i g .2 7 .7 V

v
o

V F i g .2 7 .p L

p H

+V V V %V V
D

v
T D T T

! v
T D

F i g .2 7 .,

:. Cu doua in"ersoare CMOS conectate in cascada se poate realiza un circuit cu pra$ si cu &isterezis, util pentru prelucrarea semnalelor de tip analo$ic -circuit de ormare de impulsuri, circuit comparator de tensiune.. Circuitul este desenat in i$. %'.', iar caracteristica de trans er in i$. %'.=. Bi"elele lo$ice la iesirea circuitului sunt cele ale in"ersorului CMOS -e"entual incarcat cu sarcina R% , R1., adica0 (o5 1 ()) si (oL 1 7, iar pra$urile de basculare "or a"ea e?presiile0
VpH = VpL = R1 + R2 VDD R2 2 R1 R2 VDD R2 2

-%'.18.

Sc&ema monta#ului olosit0

R
P
1

R
P
2

+V
2

R T

/
S

F i g .2 7 .$

Sc&emele circuitelor realizate in spice0