Tehnologii de programare

Tehnologii de programare
Tehnologia de programare utilizat ntr-un SLP determin tipul celulelor logice ca ui schemele de interconectare dintre ele. La rndul lor celulele logice i schemele de interconectare vor determina proiectarea circuitelor de intrare/ieire ca i schemele folosite la programare. in punct de vedere al strii de conduc!ie care e"ist nainte de programare# cone"iunile pot fi$ %one"iuni de tip fuse; %one"iuni de tip antifuse; in punct de vedere al numrului de reprogramri# cone"iunile pot fi$ %one"iuni one time programmable - OTP; %one"iuni reprogramabile; acestea din urm la rndul lor pot fi$ o Volatile &e"ist att timp ct circuitul este alimentat i tre'uie refcute la fiecare nou alimentare( o Nevolatile 1. Conexiuni de tip antifuse Tehnologia antifuse este utilizat de circuite fa'ricate de firme precum )ctel# *uic+logic# %rosspoint# .a. )ceste cone"iuni sunt ntlnite n legtur cu traseele metalice care fac legtura ntre diversele componente ale unui circuitului integrat.

,ig.-. La.er n interiorul unui circuit integrat/ sunt reprezentate spa!ial 0 planuri de trasee / se remarc trecerea de la un nivel la altul prin cone"iuni &plug( de tungsten denumite via; 1n interiorul unui circuit integrat pot e"ista cone"iuni &trasee( organizate pe mai multe plane izolate ntre ele &uzual pn la 2 niveluri(# denumite metal 1, metal 2# metal 3#etc. Stratul -

Tehnologii de programare

izolator este dio"idul de siliciu 3 Si45. e regul distan!a ntre plane este din ce n ce mai mare pe msur ce ne deprtm de semiconductor. Trecerea de la un plan la altul se realizeaz prin intermediul unui plug # din tungsten# i care poart denumirea de via.

,ig.5. La.er n interiorul unui circuit integrat/ sunt reprezentate n sec!iune 6 planuri de trasee %one"iunile de tip antifuse constau n straturi de separare care n stare neprogramat prezint o rezisten! electric foarte mare/ un astfel de strat izolator este construit tocmai n legtur cu un via plug. )tunci cnd se aplic o tensiune de programare ntre terminale# au loc o serie de procese care conduc n final la modificarea rezisten!ei la o valoare redus. Tensiunea de programare este mult mrit &-- 3 57 8# n func!ie de tipul de antifuzi'il( n compara!ie cu tensiunile uzuale cu care lucreaz circuitul. 1.1. Conexiunea de tip ONO antifuse )ceast cone"iune este folosit de firma )%T9L i se realizeaz ntre stratul de siliciu i nivelul metal 1.

,ig.0. Sec!iune transversal printr-o cone"iune de tip 4:4 antifuse enumirea provine de la stratul izolator care are o structur de O"id-Nitrid-O"id.

Tehnologii de programare

Special pentru realizarea cone"iunii# n semiconductor se realizeaz un strat difuzat de siliciu n;. Peste acest strat se realizeaz un strat dielectric format din dio"id de siliciu &Si4 5(# nitrid de siliciu &Si0:6( i din nou un strat de dio"id de siliciu. )ceast organizare multistrat realizeaz o rezisten! electric mai mare dect cea a unui simplu strat. Programarea cone"iunii const n aplicarea unei tensiuni mrite ntre semiconductor i traseul metal -/ se produce un link # de rezisten! sczut# care rmne permanent# i dup terminarea opera!iunii de programare. %urentul de programare determin valoarea rezisten!ei sczute care se o'!ine dup programare$ - curent de < m) - rezisten!a de cca. <77 =/ - curent de -< m) - rezisten!a de cca. -77 =/

,ig.6. %one"iune de tip 4:4 vzut la microscop &fotomicrografie( Programarea unui circuit din aceast categorie presupune urmtoarele etape$ se folosete un calculator special pentru opera!iunea de programare/ se verific acurate!a proiectului prin simulri ale proiectului realizat & tiut fiind c programarea odat realizat devine permanent i nu se poate reveni pentru corectarea proiectului(/ se cupleaz la calculator circuitul programator &denumit uneori i activator(/ circuitul care se programeaz se introduce n soclul de pe activator i apoi se realizeaz programarea. ezavanta>ele legate de acest tip de programare sunt datorate faptului c circuitul cu foarte mul!i pini poate fi deteriorat n timpul manipulrii i al introducerii n socluri. Legat de aceast o'serva!ie# se face precizarea c e"ist alte tehnologii de programare n care circuitul poate fi programat dup ce a fost plantat pe placa imprimat pe care va func!iona/ evident# n acest caz sunt necesare un minim de circuite ane"e care folosesc n timpul programrii i apoi rmn plantate i nefolosite pe placa de circuit imprimat. ?n astfel de sistem de programare se numete In S.stem Programming 3 @SP. )ctel folosete tehnologia 4:4 &vezi fig.6.( n legtur cu circuitele %A4S. Tipic un proces %A4S cu dou straturi de metal i unul singur de Si policristalin &dou'le metal# single pol.

Tehnologii de programare

%A4S process( necesit un numr de -5 mti. Bealizarea cone"iunii de tip 4:4 necesit suplimentar 0 mti $ - una pentru difuzia stratului n; / - una pentru traseul pol.silicon/ - una pentru stratul de o"id al tranzistorului folosit n programare & acesta lucreaz la tensiuni de -C 8 i necesit un strat de dielectric de grosime mrit# de 67 nm(/

-.5. Conexiunea de tip metal-metal antifuse Tehnologia metal-metal antifuse a fost dezvoltat de *uic+-Logic i este ilustrat n fig.<. i fig.D.

a.

.
,ig.<. Sec!iune transversal printr-o cone"iune de tip metal-metal antifuse$ a. :ivelele de metal sunt apropiate &nu necesit un plug via( '. :ivelele de metal sunt deprtate &necesit un plug via( 1n am'ele cazuri# n zona de contact# izola!ia este realizat cu un strat de siliciu amorf. Prin programarea unei uoare supratensiuni ntre cele dou trasee# se induce un curent care creeaz un link permanent. )vanta>ele aduse de aceast tehnologie sunt $ - cone"iunea programat are rezisten! mai mic dect la varianta 4:4/

Tehnologii de programare

capacit!ile parazite asociate cu traseele apropiate dar izolate &cone"iunea neprogramat( sunt mai mici dect n cazul 4:4/ aria antifuzi'ilului este redus# dar necesit tranzistor de programare de dimensiune mare/ per total# aria de siliciu necesar cone"iunii este destul de mare/

ezavanta>ele legate de utilizarea acestei tehnologii coincid cu cele ale tehnologiei 4:4 $ programarea se face pe un activator e"tern i necesit manipularea circuitului/ cone"iunea este de tipul 4TP.

,ig.D. %one"iune metal-metal nainte i dup programare &fotomicrografie( !. Conexiune de tip "#$ static %S"#$& Tehnologia de tip Static RAM este aplicat de firma E@L@:E n construc!ia circuitelor ,PF) construite ntr-un proces standard %A4S i este ilustrat principial de fig. 2.

,ig.2. %one"iune de tip SB)A 1ntre cele dou trasee metalice este realizat o legtur prin intermediul Tranzistorului cone iune care este un tranzistor nA4S cu canal indus ce poate fi n starea 4: sau 4,,. %omanda acestui tranzistor se face de ctre sim'olul logic memorat n celula de memorare care este de fapt un 'anal 'ista'il realizat cu dou inversoare. 1nscrierea datei n 'ista'il se realizeaz <

Tehnologii de programare

de ctre un ter! tranzistor &numit tranzistor de nscriere( care este comandat corespunztor i care este astfel dimensionat nct s poat for!a 7 sau - logic indiferent de starea ini!ial a celulei &n mod concret# tranzistorul de nscriere are dimensiuni mult mai mari dect tranzistoarele 'ista'ilului de memorare(. ?tilizarea unei astfel de tehnologii presupune urmtoarele etape$ - Garta 'i!ilor care comand starea cone"iunilor este memorat pe un suport nevolatil$ memorie B4A# PB4A# hard-dis+# memor. stic+# etc. - %ircuitul ce urmeaz a fi programat este alimentat i apoi sufer opera!iunea "e configurare care const n nscrierea 'i!ilor de configurare n celulele de memorie static. 9ventual# dup nscriere# se efectueaz i o opera!iune de citire i verificare a datelor nscrise. 9vident# fiecare 'it de configurare dicteaz starea unei singure cone"iuni# 4: sau 4,,/ - %onfigurarea circuitului este volatil# adic circuitul tre'uie men!inut alimentat indiferent dac este folosit sau nu. - 4pera!iunea de configurare tre'uie reluat la fiecare nou alimentare a circuitului. )vanta>ele tehnologiei SB)A sunt$ Beprogramare rapid/ Beprogramare dinamic &fr a scoate circuitul din schema de utilizare 3 de fapt tehnologia este de tipul @SP(/ Proces standard de fa'rica!ie pentru circuit indiferent de aplica!ie/ ezavanta>ul principal este legat de suprafa!a mare ocupat de cele D tranzistoare A4S care compun celula static de memorie# tranzistorul de nscriere i tranzistorul cone"iune. 1n acest sens su'liniem ideea c varianta prezentat n fig.2. reprezint aa numita variant ' T. 1n afara de aceasta# e"ist i variantele de implementare ( T i chiar 1) T. 4 m'unt!ire a cone"iunii SB)A o reprezint aa numita cone"iune :8 B)A - :on 8olatil B)A 3 care prevede alimentarea circuitului de la o 'aterie atunci cnd re!eaua se oprete i circuitul intr n starea de memorare. *. Conexiune de tip +P"O$ sau ++P"O$ 1n prezent aceast tehnologie este cea mai folosit i se 'azeaz pe utilizarea tranzistoarelor A4S cu gril ngropat# fig.C. Tranzistor #O$ cu gril% &ngropat% 'i func!ionarea sa

Tehnologii de programare

,ig.C. Tranzistor nA4S cu gril ngropat &5 reprezentri( ?n astfel de tranzistor A4S are arhitectura unui tranzistor nA4S o'inuit# n varianta cu canal indus i este prevzut# suplimentar# cu o gril flotant &nelegat la nici o cone"iune( complet ngropat n stratul izolator de dio"id de siliciu.

,ig.H. ,unc!ionarea unui tranzistor A4S cu gril flotant n starea neprogramat ,unc!ionarea unui tranzistor A4S cu gril flotant decurge dup cum urmeaz. ac tranzistorul este neprogramat# fig.H.# grila flotanta este descrcat din punct de vedere electric/ tranzistorul func,ionea- exact ca un tran-istor $OS o inui t/ n circuitele logice intereseaz numai starea sa de conduc!ie i aceasta este cea clasic# adic$ o Pentru o tensiune de gril ? FS mai mare dect tensiunea de prag ? T # tranzistorul conduce &B4: (/ o Pentru o tensiune de gril ?FS mai mic dect tensiunea de prag ? T # tranzistorul este 'locat &B4,, (/

,ig.-7. ,unc!ionarea unui tranzistor A4S cu gril flotant n starea programat

Tehnologii de programare

ac tranzistorul este programat# fig.-7.# grila flotant este .ncrcat cu sarcini electrice negative &electroni(/ aceasta ac,ionea- ca un ecran plasat n fa!a grilei de comand/ pur i simplu# indiferent dac tensiunea ?FS este mai mare sau mai mic dect tensiunea de prag ?T# tranzistorul A4S este 'locat &B4,, (/ altfel spus# se creeaz situa!ia ca i cum tran-istorul $OS nu ar exista &de fapt este 'locat tot timpul(/ aceast func!ionare este utilizat n cazul circuitelor logice programa'ile. 4 analiz mai atent a situa!iei de tranzistor programat &cu grila flotant ncrcat negativ( arat c tranzistorul se deschide totui dac pe grila de comand se aplic o tensiune mai mare dect un al doilea prag /T! / aceast func!ionare este folosit n cazul circuitelor de tipul memor. stic+.

Opera!iunea "e programare 'i 'tergere a unui tranzistor #O$ cu gril% &ngropat% 1n stare neprogramat# tranzistorul are grila suplimentar nencrcat electric. Pentru programarea acestui tranzistor pe drena sa se aplic o tensiune de alimentare ? PP # mrit fa! de tensiunea normal de alimentare# notat ? # fig.--. 1n aceast situa!ie# dac se aplic pe grila de comand tensiune mrit# ?PP # se induce canal ntre surs i dren. atorit tensiunii ?PP mrite# electronii care se deplaseaz ntre surs i dren au energie mai mult astfel nct pot strpunge stratul izolator de dio"id de siliciu i a>ung pe grila ngropat# rmnnd captivi pe aceast gril. Procesul poart numele de ()ot electron in*ection+ sau (avalanc)e in*ection+

,ig.--. Programarea i tergerea unui tranzistor A4S cu gril ngropat up ce a fost programat# electronii rmn captivi pe grila ngropat pentru perioade de timp foarte mari# de ordinul anilor &evident# cu condi!ia ca tranzistorul s lucreze la tensiuni de alimentare normale# adic ? (. 1n tot acest timp# func!ionarea tranzistorului A4S este cea specific unui tranzistor programat &adic de fapt tranzistorul este 'locat n permanen!(. Pentru ('tergerea program%rii+ # tre'uie ndeprta!i electronii de pe grila suplimentar. 1ndeprtarea acestora se poate realiza prin e"punerea la o radia!ie ultra violet &?8 erasa'le( sau prin mi>loace electrice &electrical erasa'le(. Prin e"punerea la o radia!ie ultra violet electronii captivi de pe grila ngropat a'sor' energie de la radia!ia incident astfel nct pot strpunge stratul izolator i prsesc grila &Eilin" C

Tehnologii de programare

specific o e"punere timp de - or la o surs de -5 777 IJ cm -5 plasat la o distan! de 5-0 cm(. Pentru tergere# capsula circuitului este prevzut cu o fereastr transparent. 1n timpul tergerii capsula circuitului se nfier'nt i de aceea se recomand ca astfel de circuite s fie ncapsulate n capsule ceramice &mai scumpe dect cele din material plastic(. 1n cazul circuitelor 9lectrical 9rasa'le# saltul electronilor se face su' influen!a unui cmp electric o'!inut n urma alimentrii la tensiunea mrit ?PP . ,e emplu "e utilizare a cone iunilor "e tip ,,P-O# &n cazul circuitelor logice programabile ,igura -5 ilustreaz modul n care tehnologia de tip 99PB4A este utilizat de ctre firma )tmel n realizarea circuitelor programa'ile.

,ig.-5. Bealizarea func!iei Si- ca'lat cu tranzistoare A4S cu gril ngropat Kuferele de intrare comand de la am'ele ieiri tranzistoare A4S cu grila ngropat care au drena legat mpreun ntr-un S@-ca'lat. ?lterior# prin programare# unul dintre tranzistoarele A4S este L'locatM &pot fi 'locate am'ele tranzistoare dac respectiva varia'il lipsete din e"presia termenului produs(. 1n acest fel# pe ieirea comun rezult termenul produs care particip la Lsuma de produseM. #emorii ,,P-O# 'i .las) memor/ )tt n memoriile 99PB4A ct i n memoriile flash# sim olurile inare ) i 1 memorate sunt asociate cu starea unui tranzistor A4S cu gril ngropat care poate fi de tran-istor programat % locat& sau tran-istor func,ional N e regul# sim'olul 7 logic corespunde cu starea de tranzistor programat. in acest punct de vedere# cele dou categorii de circuite se aseamn. iferen!a const n modul n care se realizeaz tergerea circuitului$ n cazul 99PB4A tergerea se face '.te cu

Tehnologii de programare

'.te/ n cazul flash memor. tergerea se realizeaz simultan pe 'locuri mai mari# de D6# -5C sau chiar 5<D +ilo'.tes &mult mai rapid(. 1n memoriile flash# celulele de memorie sunt organizate n aa numita structur :4B sau :): . $tructura NO- flas) Tranzistoarele A4S cu gril flotant sunt puse n paralel# fig.-0# avnd sursa legat la mas i drena la linia de 'it. e fapt acestea realizeaz o structur de SI0ca lat ntre drene# ieirea circuitului S@ fiind linia de 'it. ac se consider drept intrri grila tranzistoarelor A4S# atunci func!ia logic este S)?-:? &:4B(.

,ig.-0. Structura :4B flash Testarea unei celule se face astfel &fig.-6.( $ - pe grila tranzistoarelor netestate se aplic 7 logic/ - pe grila tranzistorului testat se aplic - logic &semnal cu pu!in mai mare dect tensiunea de prag ?T(/ - dac tranzistorul testat nu este programat# la ieire rezult 7 logic/ dimpotriv# dac a fost programat# atunci la ieire rezult - logic/

,ig.-6. Testarea unui 'it n structura :4B flash $tructura N0N1 flas) Tranzistoarele A4S cu gril flotant sunt puse n serie# fig.-<# fiind conectate la mas prin intermediul unui tranzistor de selec!ie i la linia de 'it prin alt tranzistor de selec!ie &am'ele de tip A4S clasic(. ac se consider drept intrri grila tranzistoarelor A4S# atunci func!ia logic este S@-:? &:): (.

-7

Tehnologii de programare

,ig.-<. Structura :): flash Testarea unei celule se face astfel &fig.-D.( $ - pe grila tranzistoarelor netestate se aplic 1 logic de valoare mare &mai mare dect a doua tensiune de prag ?T5(/ astfel# aceste tranzistoare conduc indiferent dac au fost programate sau sunt n starea ini!ial/ - pe grila tranzistorului testat se aplic - logic de valoare mic &semnal cu pu!in mai mare dect tensiunea de prag ?T(/ - dac tranzistorul testat nu este programat# acesta conduce i la ieire rezult 7 logic/ dimpotriv# dac a fost programat# atunci la ieire rezult - logic/

,ig.-6. Testarea unui 'it n structura :): flash

Observa!ie 1n cazul circuitelor programa'ile din familiile 9lectrical 9rasa'le este necesar s se foloseasc i tensiune mai mare dect tensiunea de alimentare ? . )ceast tensiune poate fi o'!inut cu a>utorul unor circuite care denumite charge pump# circuite care sunt implementate chiar n interiorul integratului. 1n fig.-2 se prezint structura unui astfel de circuit i modul n care prin aplicarea unui semnal de cloc+ la intrarea sa# la iesire se va o'!ine o tensiune de 0 ori mai mare dect tensiunea de alimentare.

--

Tehnologii de programare

,ig.-2. 4n-chip charge pump

Conclu-ie ?n succint sumar privind caracteristicile diverselor tehnologii de programare este prezentat n ta'elul urmtor. Tehnologie S"#$ #ntifuse ONO #ntifuse $etal0metal +P"O$ ++P"O$ 1olatil
) :? :? :? :?

"eprograma il #rie
) - @SP :? :? ) - n afar ) - n afar - @SP Aare )ntifuse mic Tz. Programare mare )ntifuse mic Bedus Bedus

"ON
7#535 + 077 <7--77 536+ 536+

CP %f2&
-7 - 57 < -#- 3 -#0 -7 3 57 -7 - 57

+tape
7 0 0 O< O<

-5