CURS 2: DISPOZITIVE I CIRCUITE

ELECTRONICE
Mr.lect.dr.ing. JELER GRIGORE EDUARD
Introducere
Corpurile solide au o structur cristalin cu atomii i moleculele
distribuite ntr-o reea regulat, n care unitatea structural (cub, tetraedru, etc.)
se repet periodic. Atomii situai n nodurile reelei cristaline sunt legai ntre ei
prin electronii de valen. Din punct de vedere electric, corpurile solide se
mpart n trei mari grupe:
-conductoare
-semiconductoare
-izolatoare
Aceast clasificare are la baz valoarea conductivitii electrice msurat la
temperatura camerei.La aceast temperatur se obin urmtoarele valori pentru
conductivitate electric:
Noiuni introductive privind
materialele semiconductoare
Def. Materialele semiconductoare se caracterizeaz printr-o
rezistivitate specific, situat intre cea a metalelor i cea a
materialelor izolatoare
.

Obs. 1. Materialele semiconductoare utilizate n electronic
trebuie s prezinte o structur regulat, lucru care se obine prin
prelevarea acestor materiale dintr-un monocristal.
2. Fenomene interesante din punct de vedere electric sunt
prezentate n cazul materialelor semiconductoare dopate
controlat cu impuriti. Concentraia impuritilor variaz 10
14

10
18
cm
-3
. Concentraia atomilor 10
22
cm
-3
fiind o concentraie
foarte mic.

| | cm
l
s
R
s
l
R O = =
I. Semiconductori intrinseci (chimic
pur)
T = 0K. La aceast temperatur electronii ocup toate
legturile covalente rezult c n material

=
) ( 67 , 0
) ( 12 , 1
Gr eV
Si eV
E E E
C V G
I. Semiconductori intrinseci
(chimic pur)
T > 0K. Datorit creteri de temperatur, crete energia electronilor i n
consecin, unii dintre aceti electroni prsesc legturile covalente. Pentru T >
0K este posibil conducia de curent electric prin doua mecanisme:
- Circulaia ordonat a electronilor liberi.
- Circulaia ordonat de goluri.
Fenomenul de conducie prin aportul att a
electronilor ct i a golurilor este specific materialelor
semiconductoare (la metale, conducia este asigurat
exclusiv de circulaia electronilor liberi). Materialele
izolatoare se comport n mod similar cu cel al
semiconductorilor, cu diferena c numrul de perechi
electroni-goluri este mult mai mic.
Obs. Fenomenul de generare de perechi electroni-
goluri este nsoit de procesul invers de recombinare.
Rezultatul net al acestui proces dinamic l constituie
un anumit numr de perechi electroni-goluri, care
crete odat cu creterea temperaturii.
II. Semiconductoare extrinseci
(chimic impure)

Ele sunt de dou tipuri:
cu exces de electroni semiconductor ,,n.
cu exces de goluri semiconductor ,,p.
Aceste materiale semiconductoare se obin prin procedeul doprii controlate.
Semiconductorii de tip ,,n se obin prin doparea cu electroni n respectiv
semiconductorii de tip