24.02.

2014
Capitolul I V
TRANZI STORUL CU EFECT DE CMP (TEC)

DE
DE 24.02.2014
Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP
4.1 Prezentare general
4.2 TEC cu poart jonciune
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
4.4 Tranzistorul MOS cu canal iniial
4.5 Comparaie ntre bipolar i MOS
DE 24.02.2014
Curentul principal e controlat printr-un cmp electric (camp de control);
curentul principal circul printr-un canal conductor, bordat de 2 electrozi: surs S
i dren D
tensiunea aplicat pe un al treilea electrod (gril G) modific cmpul de control
Fig. 4.1
Tranzistorul cu efect de cmp (TEC)
4.1 Prezentare general
G
D
S
i
D
+ -
v
GS
+ v
DS
C
E
canal n
DE 24.02.2014
TEC-J (J-FET), TEC cu poarta jonctiune

TEC-S (MES-FET), TEC cu poarta Schottky

TEC-MOS (MOS-FET), TEC cu poarta MOS
TEC
TEC J
TEC S
TEC MOS
canal n
canal p
canal indus
canal initial
canal n
canal p
canal n
canal p
canal n
canal p
Clasificarea TEC
4.1 Prezentare general
DE 24.02.2014
Simbolurile TEC
TEC-J cu canal n
TEC-J cu canal p
TEC-MOS cu canal n TEC-MOS cu canal p
G
D
S
G
D
S
G
D
S
B G
D
S
B
4.1 Prezentare general
DE 24.02.2014
Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP
4.1 Prezentare general
4.2 TEC cu poart jonciune
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
4.4 Tranzistorul MOS cu canal iniial
4.5 Comparaie ntre bipolar i MOS
substrat p
G D S
B
SiO
2
4.2.1 Structura TEC-J
SiO
2
SiO
2
SiO
2
L
n+ n+
p+
a-x
d0
canal n
24.02.2014 DE 7
r
d
r
s
Fig. 4.2a
DE 24.02.2014
TEC-J are 4 electrozi: S-surs, D-dren, G-poart (gril), B-
substrat (bulk).
n practic se folosete mult TECJ cu 3 electrozi; prin
construcie substratul e legat la surs (B S).
Cmpul electric de control acioneaz numai n zona de sub
poart.
Structura ideal cuprinde numai aceast zon (Fig. 4.2b).
Observaii
5.2 TEC cu poart joniune
8
DE 24.02.2014
RSS
G
B
RSS
Fig. 4.2b
D S
-v
GS
W

L

4.2 TEC cu poart joniune
9
a-x
d0
a

DE 24.02.2014
a W
g q N
o n D
L

=
,
(1 )
d
o ef o
x
g g
a
=
(4.1a)

conductana constructiv

conductana efectiv

Conductana canalului

4.2 TEC cu poart joniune
( )
1
2
0
2
S
d B GS
D
x v
qN
c
|
(
=
(

4.2.2 Conductana canalului. Tensiunea de prag
1
2
0
0, 0
0
1 1
GS
d
ef
B
v
x
g g
a
(
| |
(
= +
|
|
(
u
\ .

2
1
0 0
2
|
|
.
|

\
|
u =
B
D
S
d
qN
x
c
Modularea grosimii canalului
- Limea zonei de barier n canal
d
x
GS
v
0,ef
g
Conductanta modulata de campul electric controlat de
GS
V
24.02.2014 DE
(4.1b)
DE 24.02.2014

2
S
D
0 B T
a
2
qN
V
c
| =
0 B
2
S
A
T
a
2
qN
V |
c
=
TEC-J canal n

TEC-J canal p

(4.2a)

(4.2b)

Tensiunea de prag
4.2 TEC cu poart joniune
GS T
v V =
d
x a =
0,
0
ef
g =
substrat p
G D S
B
SiO
2
Funcionare in blocare
1. Prin depirea tensiunii de prag


SiO
2
SiO
2
SiO
2
L
-V
GS
0

-V
T
-V
GS
n+ n+
p+
a-x
d0

canal on canal off
24.02.2014 DE
Fig 4.2c
T GS
V v >
DE 24.02.2014
0
, max
0
1
B
o ef o
B T
g g
V
| |
u
=
|
|
u
\ .
(4.1c)
conductana efectiv functie de tensiunea de prag

4.2 TEC cu poart joniune
0
,
0
1
B GS
o ef o
B T
v
g g
V
| |
u
=
|
|
u
\ .
conductana efectiv maxim

DE 24.02.2014
Conductana efectiv functie de tensiunea de poarta

g
0,ef
V
T
g
0,ef max
V
GS
Fig. 4.2d

4.2 TEC cu poart joniune
DE 24.02.2014
TEC-J canal n

TEC-J canal p

(4.3a)

(4.3b)

, 0 v V
GS T
s < 0 v
DS
>
Funcionare n conducie
, V v 0
T GS
< s
0 v
DS
<
TEC-J canal n

TEC-J canal p

(4.3c)

(4.3d)

Funcionare n blocare
T GS
V v s 0 v
DS
= sau
T GS
V v > 0 v
DS
= sau
4.2 TEC cu poart joniune
0 i , 0 i
B G
~ ~
( ) 0 i
D
>
( ) 0 i
D
=
4.2.3 Regimuri de funcionare
substrat p
G D S
B
SiO
2
Funcionare in blocare
2. Prin nepolarizarea drenei


SiO
2
SiO
2
SiO
2
L
-V
GS
n+ n+
p+

canal on
24.02.2014 DE
Fig 4.2e
DS
v 0 =
DE 24.02.2014
DS ef o D
v g i =
, (4.4a)
1.Zona liniar
ef , o
g
(4.1c)
|
|
.
|

\
|
=
T
GS
T
DSS
ef , o
V
v
1
V
I 2
g
(4.1d)
formula (4.1d) - empiric

zona liniar: TECJ o rezisten 1/g
0,ef
controlat prin v
GS

Fig. 4.2g
V
GS
= V
T
V
GS
V
GS
= V
T
/2
4.2 TEC cu poart joniune
substrat p
G D S
B
SiO
2


SiO
2
SiO
2
SiO
2
V
DS

0

2V
DS,sat
-V
GS
+V
DS
V
DS,sat
n+
p+
n+
GS DS
D DSS
T T
V V
I 2I 1
V V
(
| |
= ( |
|
(
\ .

2
GS
D D,sat DSS
T
V
I I I 1
V
| |
= =
|
\ .
DS GS T
V V V <<
D
A
DS GS T
V V V <
1. Zona liniar 2. Zona cvasiliniar
2
GS DS DS
D DSS
T T T
V V V
I 2I 1
V V V
(
| | | |
(
=
| |
| |
(
\ . \ .

3. Saturaie incipient
DS GS T
V V V =
4. Zona de saturaie (activ)
DS GS T
V V V >
Fig 4.2f
DE 24.02.2014
2.Zona de tranziie (cvasiliniar)
T GS DS
V v v <
0 v v
GS GD
< <
canalul se ngusteaz
de la S spre D
rata de cretere
a lui i
D
cu v
DS
scade
(
(

|
|
.
|

\
|
=
2
T
2
DS
T
DS
T
GS
DSS D
V
v
| V |
v
V
v
1 2 I i
(4.4b)
4.2 TEC cu poart joniune
substrat p
G D S
B
SiO
2


SiO
2
SiO
2
SiO
2
V
DS

0

2V
DS,sat
-V
GS
+V
DS
V
DS,sat
n+
p+
n+
GS DS
D DSS
T T
V V
I 2I 1
V V
(
| |
= ( |
|
(
\ .

2
GS
D D,sat DSS
T
V
I I I 1
V
| |
= =
|
\ .
DS GS T
V V V <<
D
A
DS GS T
V V V <
1. Zona liniar 2. Zona cvasiliniar
2
GS DS DS
D DSS
T T T
V V V
I 2I 1
V V V
(
| | | |
(
=
| |
| |
(
\ . \ .

3. Saturaie incipient
DS GS T
V V V =
4. Zona de saturaie (activ)
DS GS T
V V V >
Fig 4.2f
DE 24.02.2014
Fig. 4.2i
Zona de saturatie

3. Saturaie incipient
DS GS T
v v V >
T GS sat , DS
V v v =
canalul se nchide la D
(4.5a)
2
T
2
sat , DS
DSS
2
T
GS
DSS sat , D D
V
v
I
V
v
1 I i i =
|
|
.
|

\
|
= =
(4.4c)
4.2 TEC cu poart joniune
T DS GS GD
V v v v = =
substrat p
G D S
B
SiO
2


SiO
2
SiO
2
SiO
2
V
DS

0

2V
DS,sat
-V
GS
+V
DS
V
DS,sat
n+
p+
n+
GS DS
D DSS
T T
V V
I 2I 1
V V
(
| |
= ( |
|
(
\ .

2
GS
D D,sat DSS
T
V
I I I 1
V
| |
= =
|
\ .
DS GS T
V V V <<
D
A
DS GS T
V V V <
1. Zona liniar 2. Zona cvasiliniar
2
GS DS DS
D DSS
T T T
V V V
I 2I 1
V V V
(
| | | |
(
=
| |
| |
(
\ . \ .

3. Saturaie incipient
DS GS T
V V V =
4. Zona de saturaie (activ)
DS GS T
V V V >
Fig 4.2f
DE 24.02.2014
4.Saturaie propriu-zis

canalul se nchide pe
distana dintre planele A i D
a ef
x L L =
2
T
GS
ef , DSS D
V
v
1 I i
|
|
.
|

\
|
=
4.2 TEC cu poart joniune
T AS GS GA
V v v v = =
sat , DS AS
v v =
(4.5b)
T GS sat , DS DS
V v v v = >
DE 24.02.2014
Curentul I
DSS
0 V
sat , D DSS
GS
i I
=
=
I
DSS
curentul maxim prin tranzistor

I
DSS
dat de catalog

L
aW 2
N q g ~ I
D n 0 DSS
=
( ) p n DSS
~ I
L
W
~ I
DSS
factorul geometric al TEC

L
W
4.2 TEC cu poart joniune
DE 24.02.2014
Modularea lungimii canalului (efectul Early)

ef
ef , DSS
L
W
~ I
L
W
~ I
DSS
ef DSS
ef , DSS
L
L
I
I
=
2
T
GS
ef , DSS D
V
v
1 I i
|
|
.
|

\
|
=
( ) ( ) ( ) ... v v
dv
dL
v L v L
sat , DS DS
v
DS
ef
sat , DS ef DS ef
sat , DS
+ + =
ef
2
T
GS
DSS D
L
L
V
v
1 I i
|
|
.
|

\
|
=
4.2 TEC cu poart joniune
DE 24.02.2014
( )
|
|
.
|

\
|
~
F
sat , DS DS
DS ef
V
v v
1 L v L
L
1
dv
dL
V
sat , DS
v
DS
ef
1
F
=

Modularea lungimii canalului (efectul Early)

F
sat , DS DS
ef
V
v v
1
L
L

+ ~
4.2 TEC cu poart joniune
( ) L v L
sat , DS ef
=
( )V 150 ... 50 V
F
=
(4.6a)
(4.6b)
DE 24.02.2014
( )
( )
( )
2
,
2
,
-
1- 1
1- 1 -
DS DS sat
GS
D DSS
T F
GS
D DSS DS DS sat n p
T
v v
v
i I
V V
v
i I v v
V

| | | |
= +
| |
\ . \ .
| |
= +
|
\ .
(4.4f)
( )
( )
DS p n
2
T
GS
DSS D
v 1
V
v
1 I i +
|
|
.
|

\
|
=
F
) p ( n
V
1
~
V
F
tensiunea Early
I
DSS
curentul maxim prin tranzistor

4.2 TEC cu poart joniune
Modularea lungimii canalului (efectul Early)
n( p )
- parametrul Early
(4.4e)
substrat p
G D S
B
SiO
2

Efectul lui V
GS

SiO
2
SiO
2
SiO
2
|V
GS
|
0

|V
T
|
-V
GS
+V
DS
p+
n+ n+
( )
( )
( )
2
,
1- 1 -
GS
D DSS DS DS sat n p
T
v
i I v v
V

| |
= +
|
\ .
( )
DS GS D
V V I Q , ,
T GS sat , DS DS
V V V V = >
saturaie
1. Modelarea n regim staionar

4.2.5 Modelarea TEC-J
4.2 TEC cu poart joniune
Punctul static de funcionare
( )
( )
0 I
V 1
V
V
1 I I I
G
DS p n
2
T
GS
DSS S D
=
+
|
|
.
|

\
|
= =
(4.7a)
2. Modelarea la semnal mic, frecvene joase

24.02.2014 DE
d D D
T
GS
DSS D
gs GS GS
i I i
V
v
I i
v V v
+ =

|
|
.
|

\
|
~
+ =
2
1
( ) ( ) ( )
2
GS GS
Q
2
GS
D
2
GS GS
Q
GS
D
GS D D
V v
dv
i d
! 2
1
V v
dv
di
V i i + + =
( )
GS D D
V i I =
4.2 TEC cu poart joniune
Condiia de semnal mic

24.02.2014 DE
DE 24.02.2014
2 2
2
2
T
DSS
Q
GS
D
V
I
dv
i d
=
2
2
1 2
gs
T
DSS
gs
T
GS
T
DSS
d
v
V
I
v
V
V
V
I
i +
|
|
.
|

\
|
=
gs d
v i ~
(4.8)
|
|
.
|

\
|
=
T
GS
T
DSS
Q
GS
D
V
V
V
I
dv
di
1 2
4.2 TEC cu poart joniune
T GS gs
V V v <<
DE 24.02.2014
Panta tranzistorului, g
m
. Conductana de ieire, g
ds
( ) ( )
DS n
2
T
GS
DSS DS GS D
v 1
V
v
1 I v , v i +
|
|
.
|

\
|
=
( ) ( ) ( ) ... V v
v
i
V v
v
i
V , V i i
DS DS
Q
DS
D
GS GS
Q
GS
D
DS GS D D
+
c
c
+
c
c
+ =
( )
DS GS D D
V V i I , =
DS DS ds
V v v =
4.2 TEC cu poart joniune
Q
GS
D
m
v
i
g
c
c
=
Q
DS
D
1
ds ds
v
i
r g
c
c
= =

DE 24.02.2014
Circuitul echivalent de semnal mic, frecvene joase
0 i
v g v g i i
g
ds ds gs m s d
=
+ = =
i
g
=0
G D
gs m
v g
i
d
ds
r
S
+
-
gs
v
i
s
Fig. 4.2k
4.2 TEC cu poart joniune
+
-
ds
v
(4.7b)
DE 24.02.2014
3. Modelare la semnal mic, frecvene nalte
( ) ( )
gs gs GS gs
Q
GS
GS
GS GS GS GS
v C Q v
dv
dq
V q v q = + =
4.2 TEC cu poart joniune
( ) ( )
gd gd GD gd
Q
GD
GD
GD GD GD GD
v C Q v
dv
dq
V q v q = + =
Q
GS
GS
gs
dv
dq
C =
Capaciti de barier ale J-BS i J-BD - polarizate invers
Q
GD
GD
gd
dv
dq
C =
Capaciti interne C
gs
, C
gd

DE 24.02.2014
Relaii generale ntre cureni i tensiuni
( )
( )
( )
( )
dt
dq
v 1
V
v
1 I i
dt
dq
dt
dq
i
dt
dq
v 1
V
v
1 I i
GS
DS p n
2
T
GS
DSS S
GD GS
G
GD
DS p n
2
T
GS
DSS D
+
|
|
.
|

\
|
=
=
+ +
|
|
.
|

\
|
=

4.2 TEC cu poart joniune

(4.7c)
DE 24.02.2014
Circuitul echivalent de semnal mic, frecvene nalte
dt
dv
C v g v g i
dt
dv
C
dt
dv
C i
dt
dv
C v g v g i
gs
gs ds ds gs m s
gd
gd
gs
gs g
gd
gd ds ds gs m d
+ + =
+ =
+ =
4.2 TEC cu poart joniune
(4.7d)
La frecvene joase reactanele C
gs
i C
gd
sunt foarte mari
efect neglijabil
DE 24.02.2014
Fig. 4.2l
Circuit echivalent natural de semnal mic, frecvene nalte
i
g
G D
+
-
gs m
v g
ds
v
S
+
-
gs
v
i
d
ds
r
gs
C
gd
C
4.2 TEC cu poart joniune
i
s
DE 24.02.2014
T
DSS D
T
GS
T
DSS
m m
V
I I
V
V
V
I
g g
2
1
2
=
|
|
.
|

\
|
= =
4.2 TEC cu poart joniune
0 0 > <
m T
g V
n TEC-J:
0 0 < >
m T
g V
p TEC-J:
4. Parametrii dinamici
T
DSS D
T
GS
T
DSS
Q
GS
D
m
V
I I
V
V
V
I
v
i
g

=
|
|
.
|

\
|

~
c
c
=
2
1 2
Panta tranzistorului
(4.9a)
DE 24.02.2014
( ) D p n
ds
I
1
r

=
4.2 TEC cu poart joniune
D n
F
D
Q
DS
D
1
ds ds
I
V
I
v
i
r g = =
c
c
= =

Rezistena de ieire
(4.9b)
DE 24.02.2014


( )
j
m
0 B GS
0 gs
Q
GS
GS
gs
V 1
C
dv
dq
C
u
= =
(4.10a)
( )
j
m
0 B GD
0 gd
Q
GD
GD
gd
V 1
C
dv
dq
C
u
= =
(4.10b)
0 V
gd 0 gd
0 V
gs 0 gs
GD GS
C C C C
=
=
= =
|
.
|

\
|
=
3
1
...
2
1
m
j
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
Capacitile de barier
DE 24.02.2014
4.2 TEC cu poart joniune
1. Parametrii statici

T
n(p)
I
DSS

I
DSS
~
n(p)
Tensiunea de prag V
T
Tensiunea V
F
Curentul I
DSS
T |V
T
|
0 B T
~ V u
0 B
u I
DSS

V
F
nu variaz cu temperatura.

4.2.6 Comportarea cu temperatura
DE 24.02.2014
Fig. 4.2m
I
D
V
GS
I
DZ
I
DSS
(T
0
)
V
GSZ
V
T
(T
0
)

I
DSS
(T
1
)
I
DSS
(T
2
)
V
T
(T
1
)

V
T
(T
2
)

Z

T
0
< T
1
V
DS
> V
DS,sat
4.2 TEC cu poart joniune
<T
2
2. PSF-ul de drift nul cu temperatura

DE 24.02.2014
4.2 TEC cu poart joniune
T I
DSS

T |V
T
|
Q(I
DZ
, V
GSZ
) - constant cu temperatura
3. Curentul I
D
T I
D
> I
DZ
I
D

T I
D
< I
DZ
I
D

( ) V 7 . 0 T V V
0 T GSZ
=
( )
( )
0
2
T
0 DSS
DZ
T V
T I
49 . 0 I =
DE 24.02.2014
4.2 TEC cu poart joniune
4. Parametrii dinamici

T
Conductana g
ds
Panta g
m
g
ds
nu variaz cu temperatura.

I
DSS

T |V
T
|
T g
m

Capacitile C
gs
,

C
ds
T C
gs
, C
gd 0 B
u
Electroni Molecule de lichid (ap)
Curent electric Curgerea lichidului
Terminalele dispozitivelor Bazine infinite cu lichid
Potenialele terminalelor Nivelurile lichidului n bazine
Potenial pozitiv Un nivel al lichidului mai mic dect cel
de referin pentru bazin
Potenial negativ Un nivel al lichidului mai mic dect cel
de referin pentru bazin

Analogie Hidrodinamica

24.02.2014 DE
V
S
= 0 V
G
= 0 V
D
= 0
I
D
= 0
V
S

JFET analogie hidrodinamic
Echilibru
SURS
POART
DREN
24.02.2014 DE
substrat p
G D S
B
SiO
2
Strcutura JFET
SiO
2
SiO
2
SiO
2
L
-V
GS
0

-V
T
-V
GS
n+ n+
p+
t-x
d0
Modelarea grosimii canalului
canal on canal off
24.02.2014 DE
1
2
0
0, 0 0
0
1 1 1
GS
d d
ef
B
v
x x
g g g
a a
(
| |
| |
(
= = +
|
|
|
(
u
\ .
\ .

Modularea grosimii canalului
GS
v
0,ef
g
0,
0
ef
g =
GS T
V V =
24.02.2014 DE
I
D
V
S

V
DS
V
D

V
G

V
T

JFET - analogie hidrodinamic
Efectul lui V
GS

-V
GS
0

-V
T
I
D
= 0

SURS DREN

24.02.2014 DE
substrat p
G D S
B
SiO
2
Conducie
Efectul lui V
GS

SiO
2
SiO
2
SiO
2
|V
GS
|
0

|V
T
|
-V
GS
+V
DS
p+
n+ n+
(
(

|
|
.
|

\
|
=
2
2
2
1 2
T
DS
T
DS
T
GS
DSS D
V
V
V
V
V
V
I I
24.02.2014 DE
substrat p
G D S
B
SiO
2
Conducie
Efectul lui V
DS

SiO
2
SiO
2
SiO
2
V
DS

0

2V
DS,sat
-V
GS
+V
DS
V
DS,sat
n+
p+
n+
(
(

|
|
.
|

\
|
=
2
2
2
1 2
T
DS
T
DS
T
GS
DSS D
V
V
V
V
V
V
I I
2
T
GS
DSS sat , D D
V
V
1 I I I
|
|
.
|

\
|
= =
T GS sat , DS
V V V =
24.02.2014 DE
I
D
> 0
V
S

V
DS

V
D

JFET analogie hidrodinamic
Efectul lui V
DS

SURS
POART
DREN
24.02.2014 DE
I
D
= I
D, sat
V
S

V
DS,sat
V
D

JFET - analogie hidrodinamic
Efectul lui V
DS

SURS
POART
DREN
24.02.2014 DE
I
D
I
D, sat
V
S

V
DS
V
D

V
G

V
G

JFET - analogie hidrodinamic

I
D


SURS DREN
Efectul lui V
DS

24.02.2014 DE
DE 24.02.2014
Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP
4.1 Prezentare general
4.2 TEC cu poart jonciune
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
4.4 Tranzistorul MOS cu canal iniial
4.5 Comparaie ntre bipolar i MOS
DE 24.02.2014
substrat p
G D S
B
SiO
2
SiO
2
n+ n+
SiO
2
RSS
Metal Oxid
Semiconductor
Fig. 4.3a
4.3.1. Structura MOS
La TEC-MOS in raport cu TEC-J
lipsete zona p
+
de poart
electrodul de poart este dispus pe un strat izolant de oxid
n cazul MOS cu canal indus, nu exist canal care s conecteze zonele n
+

r
s
r
d
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
In aplicatii se folosete:


TEC-MOS-ul are 2 jonctiuni, intotdeauna invers polarizate: J-BS si J-BD.

in regim stationar si cvasistationar curentii de substrat sunt

neglijabili.
Curentii de poarta sunt neglijabili datorita oxidului izolator
tranzistorul MOS cu 4 electrozi (2 porti de comanda):
G poarta principala si B poarta secundara

tranzistorul MOS cu 3 electrozi (o poarta G): prin constructie, substratul B se
leaga la sursa
Observatii
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
4.3.2 Antrenarea canalului
M - electrodul G (nivelul Fermi E
Fm
)
q|
F
|
Fig. 4.3b
Diagrama energetic la echilibru
E
Fm
M

O

S

E
Fs
E
v
E
i
E
c
E
c,ox
O - oxidul de poarta (nivelul E
c, ox
)
S - substratul (diagrama sem. p)
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
Fig. 4.3c
ntre S i D sunt 2 diode dispuse spate n spate
0 i
D
~
Un curent i
D
0 ntre S si D
inducerea unui canal n ntre zonele n
+

0 >
GS
v
Structura MOS la echilibru
B
S D
i
D
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
GS
v
concentraia e
-
devine predominant fa de concentraia de e
+

pe o zon foarte ngust semiconductorul s-a inversat (p n)
concentraia de e
-
din zona ngust de tip n e egal cu
concentratia de e
+
din volumul B
0 T GS
V v =
e
+
din B, din vecintatea interfeei substrat - oxid de poart sunt ndeprtai de
potenialul pozitiv al G
e
-
din B sunt atrai n vecintatea interfeei substrat - oxid de poart de potenialul
pozitiv al G
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
substrat p
G
D S
B
SiO
2
SiO
2
n+ n+
CSR
Inducerea canalului V
BS
= 0
CSR
+V
GS
V
GS
0

V
T0
+V
GS
= V
T0
regiune de golire
canal n
24.02.2014 DE
Fig. 4.3d
DE 24.02.2014
Curbarea benzilor energetice n B pe o poriune ntre 0 i x
d,max
(zona de barier)
Diagrama energetic pentru v
GS
= V
T0
0 T GS Fm Fs
qV qv E E = =
M O S
E
c

q|
F
|
qV
ox

-x
os
0 x
c
x
d,max
x
qv
GS
=qV
T0
q|
F
|
E
i

E
Fs

E
v

E
Fm

Fig. 4.3e
Diferena energetic
F ox 0 T GS
2 V V v u + = =
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
Sarcina electric
Fig. 4.3f
Q
n
- sarcina mobil electroni n canal ( de grosime x
c
)
x x
c
x
d,max
0

Q
B0
- sarcina fix ioni negativi n zona de barier ( de grosime x
d,max
)

0 B n
Q Q <<
( )
2 1
0
4
F A S B
qN Q | c =
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
( )
0 T GS ox n
V v C Q =
DE 24.02.2014
Distribuia tensiunii
Notaie:
F ox 0 T GS
2 V V v u + = =

ntre planele (x=0) i (x=x
c
) semiconductorul e de tip n
pentru x>x
c
substratul

rmne de tip p
F
s
F x x i x i
s
F
q E E E E
d
u = =
> =
max ,
0
V
ox
tensiunea pe oxid

2|
F
| tensiunea pe semiconductor (inversie puternica)
F
2u u =
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
u + =
ox 0 T
V V
4.3.3 Tensiunea de prag
V
T
- tensiunea aplicata pe G ce produce antrenarea canalului
Legea Gauss
Structura MOS ideal
Structura MOS real
C
ox
capacitatea pe unitatea de arie a oxidului de poarta
FB ox 0 T T
V V V V + + = = u
(4.11a)

ox
0 B
ox
C
Q
V =
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
1. Tranzistorul MOS cu o poart
B legat la S
V
T
V
T0
DE 24.02.2014
Structura MOS real la echilibru termic
curbarea nivelelor energetice E
C
, E
i
si E
V
datorit:
sarcinilor din oxidul de poart: sarcini de volum (
ox
); sarcini de
interfa (Q
SS
)
diferena dintre lucrul mecanic de extractie a e
-
din metal, respectiv
din substrat
V
FB
tensiunea de benzi netede
V
FB
tensiunea ce trebuie aplicat pe G pentru a elimina curbura benzilor
( )
}
=
ox
x
ox
ox ox ox
ss
MS FB
dx x
x
x
C C
Q
V
0
1
|
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
Structura MOS ideal
S i D legate la mas
G i B polarizate diferit

2. Tranzistorul MOS cu dou pori
0 max , B n d c
Q Q x x << <<
Fig. 4.3g
p
G
S
B
n+
x
c

x
d,max

-v
BS

v
GS
= V
T

RSS
n
-x
ox

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
(4.11c)
(4.11b)
- factor de substrat
ox
B B
FB
ox
B
T
C
Q Q
V
C
Q
V
0 0

+ + = |
( ) | | + + =
BS T T
v V V
0
|

ox
B
C
Q
0
=
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
+V
GS
= V
T
substrat p
G
D S
B
SiO
2
SiO
2
CSR
Inducerea canalului efectul lui V
BS

CSR
+V
GS
V
GS
0

V
T
-V
BS
V
T0
n+ n+
( ) ( )
1
1
2
2
0 T T BS
V V V
(
= + + u u
(

regiune de golire
canal n
24.02.2014 DE
0 T
V
0 T
V
0 T
V
Fig. 4.3h
DE 24.02.2014
Parametru
n-MOS p-MOS
Substratul
p n
Q
B0
/ Q
B
< 0 > 0
v
BS
< 0 > 0

> 0 < 0
V
T0
/ V
T
> 0 < 0
(4.11a,b) au fost deduse pentru n-MOS, dar sunt valabile i pentru
p-MOS
tranzistorul cu o singur poart
0 v
T 0 T
BS
V V
=
=
V
T
tensiunea de prag a tranzistorului MOS cu 2 porti
Concluzii
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
Tabelul. 4.3h
DE 24.02.2014
4.3.4 Conductana canalului
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
( ) ( )
n n
x
n
x
n C
Q
L
W
dx x qn
L
W
dx x n q
L
W
g
C C
= = =
} }
0 0
W, L, x
C
dimensiunile geometrice ale canalului
n

mobilitatea electronilor (valoarea medie)

Q
n
sarcina purttorilor mobili din canal
( ) 0 , = =
DS T GS ox n
v V v C Q
( )
T GS n C
V v k
L
W
g =
'
DE 24.02.2014
4.3.5 Regimuri de lucru
MOS canal n

MOS canal p

(4.12a)

(4.12b)

, 0 V v
T GS
> >
0 v
DS
>
Funcionare n conducie
0 V v
T GS
s <
0 v
DS
<
MOS canal n

MOS canal p

(4.12c)

(4.12d)

Funcionare n blocare
T GS
V v s 0 v
DS
= sau
T GS
V v < 0 v
DS
= sau
0 i , 0 i
B G
~ ~
( ) 0 i
D
=
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
0 i
D
=
DE 24.02.2014
4.3.6 Relaii ntre cureni i tensiuni la MOS
n-MOS n conducie:
n regim cvasistaionar

singurul curent prin tranzistor este daca
Domeniul tensiunii v
DS
se mparte n dou zone:

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
0 V v
T GS
> >
0 i , 0 i
B G
~ ~
0 v
DS
>
0 i
D
=
DE 24.02.2014
Zona cvasi-liniar
v
DS
< v
GS
V
T
RSS
-v
BS
G
D
S
B
canal n
+v
DS
+v
GS
>V
T
n+
v
CS
(y) - tensiunea pe canal (poziia y)

n+
dv
CS
x
y
v
CS
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
Fig. 4.3i
( ) ( )
}
=
DS
v
CS C D
y dv y g i
0
v
CS
(y) tensiunea canal-sursa (poziia y), v
GC
> V
T
( ) ( ) ( ) ( )
T CS GS n T GC n C
V v v k
L
W
V y v k
L
W
y g = =
' '
( )
(
(

=
2
v
v V v k i
2
DS
DS T GS (p) n D
(4.13a)
Conductana canalului scade pe direcia y de la S spre D
v
GC
= v
GS
v
CS
(y) > V
T
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
24.02.2014 DE
DE 24.02.2014
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
Zona liniar
T GS DS
V v v <<
( )
DS T GS ) p ( n D
v V v k i =
(4.13b)
ox ) p ( n
'
) p ( n ) p ( n
C
L
W
k
L
W
k = =
Factorul de curent
(4.14)
DE 24.02.2014
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
Zona liniar
T GS DS
V v v <<
( )
DS T GS n D
v V v k i =
(4.13b)
ox n n n
C
L
W
k
L
W
k = =
'
Factorul de curent
(4.14a)
ox p
'
p p
C
L
W
k
L
W
k = =
(4.14b)
DE 24.02.2014
saturaie incipient:
) | v | 1 ( ) V v (
2
k
i
DS ) p ( n
2
T GS
) p ( n
D
+ =
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
Zona de saturaie / activ
T GS sat , DS DS
V v v v = >
sat , DS DS
v v =
( )
2
T GS
) p ( n
2
sat , DS
n
sat , D D
V v
2
k
v
2
k
i i = = =
sat , DS DS
v v >
(4.13c)
(4.13d)
saturaie propriu-zis
DE 24.02.2014
tensiunea de prag V
T
factorul de curent k
n(p)
Parametrul Early
n(p)
)

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
Parametrii statici
Observaii
a) Ecuaiile i funcionarea MOS -ului sunt similare cu cele ale TEC-J
b) n saturaie, apare modularea lungimii canalului (vezi analiza facut la TEC-J n
paragraful 4.2.3
c) Relaiile (4.13) sunt valabile i pentru p-MOS, dar trebuie s se lucreze cu |v
DS
|
i |v
GS
- V
T
| .
DE 24.02.2014
i
G
+
i
B
D
r
d
r
s
D
S
S
+
V
DS
+
-
G B
I
D
(V
DS,
V
GS
)
1. Modelarea n regim staionar
( )
( )
( )
( )
0 I I
| V | 1 V V
2
k
I I
B G
DS p n
2
T GS
p n
S D
= =
+ = =
(4.15a)
rezistena serie de surs i dren
generator de curent comandat neliniar n tensiune
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
4.3.7 Modelarea TEC-MOS
Punctul static de funcionare
( )
BS DS GS D
V , V , V , I Q
DE 24.02.2014
(a) Condiia de semnal mic
( ) ( ) ( )

+ + =
2
GS GS
Q
2
GS
D
2
GS GS
Q
GS
D
GS D D
V v
dv
i d
2
1
V v
dv
di
V i i
( )
d D D
2
T GS
n
D
gs GS GS
i I i
V v
2
k
i
v V v
+ =

~
+ =
v
gs
- semnal de joas frecven
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
T GS sat , DS DS
V V V V = >
saturaie
2. Modelarea la semnal mic, frecvene joase

DE 24.02.2014
GS GS gs
V v v =
( )
T GS n
Q
GS
D
V V k
dv
di
=
0
dv
i d
; k
dv
i d
Q
3
GS
D
3
n
Q
2
GS
D
2
= =
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014


( ) ( )
gs T GS n
2
gs
n
gs T GS n d
v V V k v
2
k
v V V k i ~ + =
(4.8)

gs d
v i ~
condiia de semnal mic
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
( )
T GS gs
V V v <<
dac
DE 24.02.2014


(b) Pantele tranzistorului, g
m
, g
mb
. Conductana de ieire, g
ds

( ) ( ) ( )
DS n
2
T GS
n
BS DS GS D
v 1 V v
2
k
v , v , v i + =
( ) ( )
( ) ( )
BS BS
Q
BS
D
DS DS
Q
DS
D
GS GS
Q
GS
D
BS DS GS D D
V v
v
i
V v
v
i
V v
v
i
V , V , V i i
+ +
+ + =
c
c
c
c
c
c
( ) | | + + =
BS n T T
v V V
0
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014


( )
BS DS GS D D
V , V , V i I =
DS DS ds
V v v =
BS BS bs
V v v =
ds ds bs mb gs m d
v g v g v g i + + =
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
i
g
=0
i
b
=0
D
D
S
S
v
ds
+
-
G B
r
ds
r
d
r
s
i
d
i
d
= i
s
g
mb
v
bs
g
m
v
gs
+ -
v
bs
+ -
v
gs
Fig. 4.3j
(c) Circuitul echivalent de semnal mic, frecvene joase
0 = =
+ + = =
b g
ds ds bs mb gs m s d
i i
v g v g v g i i
(4.15b)
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
i
g
=0
+
D
S
v
ds
+
-
G
i
d
i
d
= i
s
g
mb
v
bs
g
m
v
gs
-
v
bs
v
gs
r
ds
Circuite simplificate
Fig. 4.3k
(i) r
d
i r
s

- efect neglijabil
i
b
=0
B
+
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
i
g
=0
D
S =B
G
g
m
v
gs
+
-
v
gs
r
ds
Fig. 4.3l
(ii) r
d
i r
s
- efect neglijabil i v
bs
= 0
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
v
ds
+
-
DE 24.02.2014
Capaciti interne
a) Capaciti de barier ale J-BS i J-BD identice, polarizate invers
( ) ( )
bs bs BS bs
Q
BS
BS
BS BS BS BS
v C Q v
dv
dq
V q v q = + =
( ) ( )
bd bd BD bd
Q
BD
BD
BD BD BD BD
v C Q v
dv
dq
V q v q = + =
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
3. Modelare la semnal mic, frecvene nalte
DE 24.02.2014
b) Capaciti de poart
( )
gs gs GS gs
Q
GS
GS
GS GS GS
v C Q v
dv
dq
V q q + = + =
( )
gd gd GD gd
Q
GD
GD
GD GD GD
v C Q v
dv
dq
V q q + = + =
( )
gb gb GB gb
Q
GB
GB
GB GB GB
v C Q v
dv
dq
V q q + = + =
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014


Circuitul echivalent de semnal mic, frecvene nalte
dt
dv
C
dt
dv
C v g v g v g i
dt
dv
C
dt
dv
C i
dt
dv
C
dt
dv
C i
dt
dv
C
dt
dv
C v g v g v g i
bs
bs
gs
gs ds ds bs mb gs m s
bd
bd
bs
bs b
gd
gd
gs
gs g
bd
bd
gd
gd ds ds bs mb gs m d
+ + + + =
+ =
+ =
+ + =
(4.15c)
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
i
g

i
b

D
r
d
r
s
D
S
S
v
ds
+
-
G
B
r
ds
i
d
i
s
g
mb
v
bs
g
m
v
gs
v
bs
v
gs
C
gd
C
gs
C
bs
C
bd
v
bd
v
gd
+ +
- -
- -
Fig. 4.3n
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014


4. Parametrii dinamici ai MOS
Panta principal
( )
D n T GS n
Q
GS
D
m
I k 2 V V k
v
i
g = ~ =
c
c
( ) ( ) D p n T GS p n m
I k 2 V V k g = =

(4.16a)
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014


Panta secundar
BS
n
m
Q
BS
T
Q
GS
D
Q
BS
T
Q
T
D
Q
BS
D
mb
V 2
g
v
V
v
i
dv
dV
V
i
v
i
g
+
=
|
|
.
|

\
|
=
= = =
u

c
c
c
c
c
c
c
c
( )
u

+
=
BS
p n
m mb
V 2
g g
(4.16b)
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
Conductana de ieire
( ) D p n
Q
DS
D
ds
I
v
i
g
c
c
~ =
(4.10a)
( ) D p n
o ds
I
1
r r

= =
(4.10b)
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
Rezistena de ieire
DE 24.02.2014


Capaciti de barier
( )
j
m
0 B BS
0 bs
Q
BS
BS
bs
V 1
C
dv
dq
C
u
= =
(4.17a)
( )
j
m
0 B BD
0 bd
Q
BD
BD
bd
V 1
C
dv
dq
C
u
= =
(4.17b)
0
0
0
0
=
=
=
=
BD
BS
V
bd bd
V
bs bs
C C
C C
|
.
|

\
|
=
2
1
...
3
1
m
j
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014


Capaciti de poart
W L
3
2
L C
dv
dq
C
D ox
Q
GS
GS
gs
|
.
|

\
|
+ = =
(4.17c)
W L C
dv
dq
C
D ox
Q
GD
GD
gd
= =
(4.17d)
(4.17e)
0
dv
dq
C
Q
GB
GB
gb
~ =
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
4.3.8 Funcionarea MOS n inversie slab (conducie sub prag)
Sarcina purttorilor mobili n canal (v
DS
0)
1 ,
) (
exp ~ >
|
|
.
|

\
|

s
th s
CS T GS
ox n
n
V n
y v V v
C Q
Conductana canalului
( )
( )
|
|
.
|

\
|

th s
CS T GS
n C
V n
y v V v
k
L
W
y g exp ~
'
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
Inversie slab Inversie puternic
g
C
v
GS
V
T
( ) ( ) ( ) y v V v k
L
W
y g
CS T GS n C

'
~
n inversie puternic
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
Fig. 4.3n
DE 24.02.2014
Ecuaia curent-tensiune
( ) ( )
}
=
DS
v
CS C D
y dv y g i
0
(

|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

=
th s
DS
th s
T GS
D D
V n
v
V n
V v
I
L
W
i exp 1 exp
0
T GS DS
V v v >
|
|
.
|

\
|

~
th s
T GS
D D
V n
V v
I
L
W
i exp
0
(4.18a)
(4.18b)
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
Panta principal
th S
D
th s
T GS
th s
D m
V n
I
V n
V V
V n
I
L
W
g =
|
|
.
|

\
|

= exp
1
0
th S D
m
V n I
g 1
=
T GS D
m
V V I
g

=
2
inversie slab inversie puternic
th S T GS
V n V V 2 =
th S T GS P
V n V V V 2 + = =
La grania inversie slab inversie puternic
(4.16c)
Tensiunea de pinch OFF V
P
(4.19)
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
24.02.2014
( )
2 2
'
2
0
4
2
th
n
D P D DP
V n
L
W k
e
L
W
I V I I = = =
'
2
2 2
0
2
n
th
D
k
e
V n
I =
(4.18c)
Curentul de pinch OFF I
DP
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE
DE 24.02.2014
4.3.9 Saturaia vitezei (efect de canal scurt)
sat n sat n
v =
,
( )
n sat n
x
sat n D
Q v W dx x qn v W i
C
,
0
,
= =
}
v
n
v
n,sat

sat

4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
n

electroni fierbini
Fig. 4.3o
DE 24.02.2014
( )
T GS sat n ox D
V v v C W i =
,
(4.20)
sat n ox m
v C W g
,
=
(4.16d)
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
DE 24.02.2014
Capitolul IV
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP
4.1 Prezentare general
4.2 TEC cu poart jonciune
4.3 Tranzistorul MOS cu canal indus
4.4 Tranzistorul MOS cu canal iniial
4.5 Comparaie ntre bipolar i MOS
DE 24.02.2014
substrat p
G D S
B
SiO
2
SiO
2
n+ n+
SiO
2
Metal Oxid
Semiconductor
Fig. 4.4a
4.4. Tranzistorul MOS cu canal iniial
substratul p, canalul n, zonele n+ de S si D de la structura TEC-J

electrodul de poart, oxidul de poarta de la MOS cu canal indus
4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial
canal n
r
d
r
s
RSS
DE 24.02.2014
creat printr-un proces tehnologic
rezultat datorit sarcinilor din oxid
4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial
Canalul n
Tensiunea de prag
canal n V
T
<0
canal p V
T
>0
tranzistorul conduce si la v
GS
=0
DE 24.02.2014
Regimuri de lucru
MOS canal n

MOS canal p

(4.18a)

(4.18b)

T GS
V v > 0 v
DS
>
Funcionare n conducie
T GS
V v <
0 v
DS
<
MOS canal n

MOS canal p

(4.18c)

(4.18d)

Funcionare n blocare
T GS
V v s 0 v
DS
= sau
T GS
V v < 0 v
DS
= sau
0 i , 0 i
B G
~ ~
( ) 0 i
D
>
( ) 0 i
D
=
4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial
DE 24.02.2014
Regim de acumulare/mbogire:
canal n
canal p
funcionare similar cu MOS cu canal indus
0 v
GS
>
4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial
Funcionare n conducie
0 v V
GS T
s <
0 v
GS
<
0 v V
GS T
> >
Regim de golire/srcire:
canal n
canal p
funcionare similar cu TEC-J
DE 24.02.2014
modelarea statica si dinamica similara cu MOS cu canal indus
parametrii statici si dinamici similari cu MOS cu canal indus
4.4 Tranzistorul MOS cu canal initial
Canalul n