Sunteți pe pagina 1din 11

Proiect Fizica

Efectul Laser
Sandu Madalina
XII- B
I.1. Scurt istoric. Introducere in problematica LASER
Despre efectul LASER se cunosc deja foarte multe. Aceasta ramura a stiintei s-a
dezvoltat foarte mult de la inceputurile sale (1955-195! si pana in ziua de astazi. Desi "azele
teoretice erau mai mult sau mai putin sta"ilite# primii care reusesc sa concretizeze toate
teoriile si presupunerile au fost doi rusi si un american.

$n ordine sunt prezentati Charles H. Townes (%assac&usetts $nstitute of 'ec&nolo()
(%$'!# *am"rid(e# %A# +SA, nascut in 1915)# icola! "ennadi!e#ich $aso# (Le"edev
$nstitute for -&)sics A.ademija /au. %osco0# +SSR, nascut in 1911! si Ale%sandr
&i%hailo#ich 'ro%horo# (Le"edev $nstitute for -&)sics A.ademija /au. %osco0# +SSR,
nascut in 191!. *ei trei au impartit premiul /o"el atri"uit in 192 pentru 3cercetarile
fundamentale in domeniul electronicii cuantice care au condus la construirea oscilatoarelor si
a amplificatorilor "azati pe principiul maser-laser4.
-artea teoretica este usor de (asit in majoritatea manualelor# cursurilor si compendiilor de
fizica e5istente asa ca lucrarea de fata nu se va concentra asupra acestui aspect. -rincipiul
LASER consta in faptul ca atomii eli"ereaza ener(ie su" forma de fotoni atunci cand parcur(
tranzitia de pe un nivel de e5citare metasta"il spre un nivel de ec&ili"ru. Aceasta tranzitie se
face su" influenta unui factor declansator si de aceea emisia de ener(ie se numeste emisie
stimulata sau emisie indusa. 6data pornita reactia aceasta se propa(a su" forma piramidala
astfel# un foton emis de un atom deze5citat va declansa reactia la altul# acesta la randul lui va
emite un foton si il va eli"era si pe cel incident. Avem doi fotoni care se vor inmulti
e5ponential. Astfel se produce o amplificare a radiatiei luminoase.
I.(. Reali)area practica a dispo)iti#elor LASER. Tipuri de laser
-artile constituente ale unui laser sunt 7 mediul activ# sistemul de e5citare si rezonatorul
optic. -artea esentiala a unui dispozitiv laser o constituie mediul acti## adica un mediu in care
se (asesc atomii aflati intr-o stare ener(etica superioara celei de ec&ili"ru. $n acest mediu
activ se produce amplificarea radiatiei luminoase (daca avem o radiatie luminoasa incidenta!
sau c&iar emisia si amplificarea radiatiei luminoase (daca nu avem o radiatie luminoasa
incidenta!. Sistemul de e*citare este necesar pentru o"tinerea de sisteme atomice cu mai
multi atomi intr-o stare ener(etica superioara. E5ista mai multe moduri de a realiza e5citarea
atomilor din mediul activ# in functie de natura mediului. Re)onatorul optic este un sistem de
lentile si o(linzi necesare pentru prelucrarea optica a radiatiei emise. Desi la iesirea din mediul
activ razele laser sunt aproape perfect paralele rezonatorul optic este folosit pentru colimarea
mult mai precisa# pentru concentrarea razelor intr-un punct calculat# pentru dispersia razelor
sau alte aplicatii necesare.
Dupa natura mediului activ deose"im mai multe tipuri de laser. -rintre acestea re(asim
laserul cu rubin# la care distin(em "ara de ru"in tratat drept mediul activ iar ansam"lul sursa
de lumina plus o(linzi poarta rolul de sistem de e5citare. Laserul cu +a) foloseste amestecuri
de (aze rare (8e# /e# Ar# 9r! sau *61 drept mediu activ si o sursa de curent electric le(ata la
doi electrozi iau rolul de sistem de e5citare.
II.1. LASER,ul cu semiconductori. Aprecieri teoretice
Laserul cu semiconductori este constituit ca si celelalte tipuri de laser tot pe sa"lonul
mediu activ# sistem de e5citare# rezonator optic. $n acest caz un amestec semiconductor este
folosit ca mediu activ. *el mai adesea se folosesc com"inatii de metale din aceleasi perioade
ale (rupelor $$$-a si :-a. Dintre acestea semiconductorul cel mai folosit este cel format din
;aliu si Arsenic (;aAs!. Alte medii active au fost o"tinute atat din amestecuri ale elementelor
(rupelor $$a si :ia (<inc si Seleniu = <nSe! cat si din amestecuri de trei sau patru elemente.
+ltimele doua sunt mai ades folosite pentru emisia unor radiatii mult mai precise din punct de
vedere al lun(imii de unda. Sistemul de e5citare este constituit din doua straturi de
semiconductori# unul de tip p si unul de tip n. -entru a intele(e mai "ine aceste doua notiuni
tre"uie amintite cateva considerente teoretice cu privire la fizica solidului# in special principiul
semiconductorilor.
Semiconductorii sunt o clasa de materiale lar( folosita in electronica datorita
posi"ilitatii controlului proprietatilor electrice. Rezistivitatea electrica a unui semiconductor
scade odata cu cresterea temperaturii iar valoarea ei poate fi modificata in limite foarte lar(i
(1>
-1
= 1>
?
cm!. $ntr-un semiconductor foarte pur# conducti"ilitatea electrica este data de
electronii proprii# numita si conducti"ilitate intrinseca# iar in cazul materialelor impurificate
avem de-a face cu o conducti"ilitate e5trinseca. *onducti"ilitatea intrinseca poate fi e5plicata
pe scurt astfel. La >9# electronii sunt asezati in le(aturile covalente formate intre atomii
semiconductorului intrinsec. 6data cu cresterea temperaturii unii electroni se rup din le(aturi
fiind li"eri sa circule in tot volumul cristalului. Se produce un fenomen de ionizare# iar in
locul electronului plecat ramane un (ol. $mediat el se ocupa cu un alt electron alaturat# (olul
se deplaseaza o pozitie. Daca aplicam un camp electric in semiconductor# electronii li"eri se
vor misca in sens invers campului# dar si (olurile vor forma un curent pozitiv de acelasi sens
cu campul. *el mai interesant fenomen il reprezinta modificarea spectaculoasa a rezistivitatii
electrice a semiconductorilor prin impurificare. Astfel# daca din 1>
5
atomi de Siliciu unul este
inlocuit cu un atom de @or# rezistivitatea siliciului scade# la temperatura camerei# de 1>>> de
ori AAA $mpurificare reprezinta o pro"lema specifica si fundamentala a fizicii si te&nolo(iei
semiconductorilor. Daca impurificam ;ermaniul ((rupa $:-a# patru electroni de valenta! cu un
element din (rupa a :-a (cinci electroni de valenta! vom o"tine un amestec cu un electron de
valenta li"er. Aceasta impuritate constituie un donor. Semiconductorul astfel impurificat este
de tip n# iar nivelul sau de ener(ie este mai aproape de zona de conductie. Daca impurificarea
este facuta cu atomi din (rupa a B-a (trei electroni de valenta!# acesta se va inte(ra in reteaua
cristalina cu doar trei le(aturi covalente# ramanand# deci# un (ol capa"il de a captura electroni
in jurul atomului trivalent. Din aceasta cauza atomii acestui tip de impuritati au primit numele
de acceptori. $ntr-un semiconductor astfel impurificat vor predomina sarcinile pozitive# de
unde numele de semiconductor de tip p. Conctiunile p = n sunt ansam"luri formate prin
alipirea unui semiconductor de tip p cu unul de tip n . <ona de separare# interfata# are marimi
de ordinul 1>
-2
cm. La suprafata semiconductorului n apare un surplus de electroni iar la
suprafata semiconductorului p un surplus de (oluri. Astfel apare tendinta de compensare a
acestora prin difuzia electronilor de la un semiconductor la celalalt.
II.-. LASER,ul cu semiconductori. Construire. Consideratii practice
Revenind la laserul cu semiconductori# avand sta"ilita o "aza teoretica minimala putem
trece la detalierea practica a principiilor enuntate anterior.


Laserul cu conductori este# de fapt# un sand0ic& format din B straturi de semiconductori
la care se adau(a elementele sistemului de e5citare. La acest tip de laser ener(ia necesara
e5citarii sistemului de atomi din mediul activ cat si factorul declansator sunt date de curentul
electric care se aplica# conform fi(urii. Datorita faptului ca acest sand0ic& corespunde
modelului clasic de dioda# de aici incolo se va folosi si termenul de dioda.
Randamentul unei astfel de diode este in jurul a B>D dar amplificarea este destul de
mare. *urentul necesar tre"uie sa ai"a o densitate de cateva mii de amperi pe centimetru dar
avand in vedere ca o dioda laser are marimi foarte mici# curentul necesar este adesea su"
1>>mA. -entru a o"tine rezultate satisfacatoare# in practica se folosesc mai multe straturi
decat se prezinta in fi(ura. *at priveste stratul activ# lun(imea lui nu depaseste 1 mm# iar
(rosimea sa este# in functie de model# de la 1>> pana la 1> nm. $n (eneral (rosimea stratului
activ variaza intre 1>> si 1>> nm. Datorita faptului ca este atat de su"tire# fascicului emis este
foarte diver(ent (pentru un laser! si astfel laserul cu semiconductori se "azeaza foarte mult pe
rezonatorul optic ce tre"uie ales cu mare (rija si tre"uie pozitionat foarte precis pentru a
o"tine performante ma5imale. De o"icei un sistem format din doua lentile plan-conve5e
pozitionate cu fetele conve5e una spre cealalta la anumite distante calcula"ile este suficient
pentru a o"tine un fascicul destul de "ine colimat cu razele aproape perfect paralele.
Din desenul de mai sus se poate o"serva ca emisia laser se face in doua directii. Acest
fenomen este tratat in mod diferit in functie de necesitati. Se poate crea o cavitate rezonanta
prin pozitionarea unei o(linzi perfecte si a uneia semitransparente# se poate folosi emisia 3din
spate4 pentru a masura proprietatile fasciculului principal# se poate folosi aceeasi emisie din
spate pentru a masura si controla curentul ce trece prin dioda. Diodele laser sunt foarte
sensi"ile la curenti si de aceea controlul strict asupra acestora este a"solut necesar. +neori este
necesara doar o variatie mica a tensiunii sau a puterii si dioda se va arde. %ai jos este un
prezentat un montaj clasic de dioda cu posi"ilitate de control a curentului7
Diodele laser sunt poate# cele mai fra(ile dispozitive de emisie laser. Eaptul ca stratul activ
are# de fapt# marimea unei "acterii este cel ce sta la "aza afirmatiei anterioare. Acest strat
poate fi usor distrus prin supunerea la curenti neadecvati# prin influente electrostatice# prin
incalzire e5cesiva. Stratul activ se poate autodistru(e c&iar si fara prezenta vre-unuia din
factorii enumerati mai sus. Simpla emisie a luminii poate vaporiza acest strat minuscul daca
lumina emisa este prea puternica.
6 dioda# desi minuscula# poate dezvolta puteri ale luminii de pana la B-5 mF. Desi sunt
mai rare si mult mai scumpe# diodele ce dezvolta zeci de mii de mF e5ista si se (asesc in
inscriptoarele de *D si in alte instrumente si aparate de profil. $n ceea ce priveste diver(enta
fasciculului# in prezent# majoritatea pointerelor reusesc performanta de a pastra diver(enta la
su" un mm la fiecare 5 metri. Spectrul de culori acoperit de laserii cu semiconductori este in
zona rosie B>-G?> nm dar nu este limitat numai aici.
Laseri verzi sau c&iar al"astri e5ista si sunt intens cercetati. -ro"lema este ca diodele de
verde si al"astru au o viata efemera (cele mai performante atin( doar cateva sute de ore! si
functioneaza la temperaturi scazute (apropiate de >9!. Eata de clasicul ;aAs (care emite in
rosu-$R!# pentru laserii al"astri se prefera <nSe si ;a/. -rimul a fost e5clus treptat din
cercetari datorita rezistivitatii mari# consumului mare de ener(ie# randamentului mic si a
multor altor factori descoperiti e5perimental. +ltimele cercetari s-au concentrat pe ;a/# iar
de cand prof. S&uji /a.amura a realizat primul montaj practic si fia"il pentru (enerarea
laserului al"astru# cercetarile au luat amploare. +n fapt inedit# la data realizarii diodei pentru
laserul al"astru# in 199B# S&uji /a.amura nu avea nici macar un doctorat in "uzunar# era doar
un simplu cercetator pierdut intr-un la"orator al unei firme japoneze o"scure. Recent# prof.
/a.amura s-a alaturat colectivului profesoral de la *ole(iul de $n(inerie al +niversitatii
*aliforniene din Santa @ar"ara# S+A.
Revenind la laserii uzuali# tre"uie mentionate si o serie de pericole ce pot apare c&iar si
pe lan(a laserii cu semiconductori care sunt cunoscuti a fi mai putin puternici. S-a calculat ca
o dioda o"isnuita are o putere mult mai mare c&iar si decat a soarelui la ecuator. 'oate
amestecurile din stratul activ au o putere de emisie mult mai mare decat a aceleiasi cantitati de
suprafata solara. Diodele prezente pe piata fac parte din clasele $$ si $$$a# ceea ce inseamna ca
prezinta risc scazut de vatamare la operarea conforma cu manualul si la e5punerea fu(ara#
efemera a oc&iului in raza laser. 'otusi# tre"uie avut in vedere ca orice e5punere indelun(ata
produce vatamari punctiforme ale retinei si nu este nevoie de efecte immediate pentru ca
retina sa fie vatamata. Re(ula numarul unu in lucrul cu laserii# nu se priveste direct in raza
laser c&iar daca nu se simte nici o durere sau c&iar daca raza este palida. *+L6AREA S$
S'RAL+*$REA RA<EL6R LASER /+ A+ /$*$ 6 LE;A'+RA *+ -+'EREA
RAD$A'$E$. Aceste doua proprietati sunt date de lun(imea de unda a radiatiei care nu
influenteaza in mod decisiv puterea laserului. -ot e5ista laseri cu o culoare roz palida care sa
fie mai nocivi decat cei mai aprinsi si rosiatici laseri. $ntre 3laseristi4 e5ista o (luma7 3Re(ula
numarul unu in lucrul cu laserii7 /u te uita niciodata direct in raza laser cu unicul oc&i ramas
intre( A4.
II... /tili)area laserilor cu semiconductori. Aspecte po)iti#e si ne+ati#e
ale acestei tehnolo+ii
Diodele sunt lar( raspandite. Eaptul ca sunt ieftin de produs# usor de folosit si foarte ieftin de
folosit duce la producerea lor in masa si includerea lor in cele mai multe aparate electronice ce
au nevoie de laseri.
Lecturatoarele de cd# fie ele *D-R6%-uri sau *D-pla)ere# sunt toate prevazute cu diode laser.
-la)erele D:D au# deasemenea# diode laser# doar ca acestea emit fascicule mult mai fine. *D-
Friter-ele si *D-ReFriter-ele folosesc diode ce emit laseri apropiati de $R (?>> nm! si puteri
de cativa F. Aceleasi diode# dar de puteri ceva mai mici# sunt prezente si in imprimantele cu
laser. Alte produse care folosesc laseri emisi de diode sunt cititoarele de coduri de "are (@ar-
*ode Readers!# unele Scannere# -ointerele etc. -oate cel mai important folos# dupa *DHD:D-
pla)ere# este cel adus in comunicatiile prin fi"ra optica. $n cadrul fiecarui emitator pe fi"ra
optica se afla o dioda laser. %ai nou s-a inceput folosirea diodelor si in medicina si in
&olo(rafie. Diodele nu sunt folosite in aplicatiile militare (Radar# (&idare rac&ete# transmisiuni
de date prin eter etc.!# aplicatiile astronomice (distante cosmice si determinari de compozitii!#
efectele speciale de anver(ura si &olo(rafia de mare intindere datorita puterii limitate relativ
mici pe care o dezvolta.
II.0. Conclu)ii
Laserul cu semiconductori este o alternativa ieftina si fia"ila la laserii cu (az. %arimile
reduse# costurile mici de fa"ricatie si utilizare cat si lon(evitatea lor confera diodelor atuuri
importante in 3lupta4 cu celelalte dispozitive de emisie laser. Sin(urele dezavantaje fiind
puterile relativ mici si fra(ilitatea# diodele sunt si vor fi cercetate e5tensiv pentru a fi
im"unatatite. -entru noi este important sa intele(em cum functioneaza un astfel de dispozitiv#
la ce este folosit si incotro se indreapta cercetarile pentru a ne familiariza inca de pe acum cu
acest tip de laser pe care il vom intalni din ce in ce mai des in viata noastra de zi cu zi. Este
important sa cunoastem pericolele pe care le aduce cu sine o dioda laser precum si factorii
care pot pertur"a "una functionare a acesteia pentru a sti cum sa ne aparam si cum sa o
protejam.
Laserul cu semiconductori este un domeniu ale carui orizonturi a"ia acum ni se desc&id# cu un
viitor si(ur si cu implicatii puternice in viata de zi cu zi.
III.1. &asurarea distantelor cu LASERI con#entoinali
%asurarile de distante cu laser se "azeaza pe una din urmatoarele te&nici7
interferometrie# telemetrie cu fascicule modulate# radarul optic.
'oate aceste metode pot fi utilizate si cu lumina provenita de la sursele conventionale
dar cu rezultate incompatil"il mai modeste. Deoarece coerenta temporala este mult mai mare
in cazul laserului decat in cazul luminii clasice# te&nicile interferometrice pot fi utilizate acum
pentru distante cu ordine de marime mai mari. Se pot masura cu precizie interferometrica
distante de circa 5> m in aer si de 1>>> m in spatiu vid. 'elemetria cu fascicul modulat a fost
utilizata in trecut# dar calitatile de stralucire si directionalitate ridicate caracteristice laserului
au marit considera"il domeniul de masurare si precizia. $n fine# te&nica radarului optic poate
sa functoineze si cu ajutorul unei surse conventionale# dar ea nu a devenit practica decat
datorita posi"ilitatii oferite de laser de a o"tine pulsuri luminoase e5trem de scurte. *u un
asemenea sistem s-a masurat distanta dintre doua puncte date de pe -amant si Luna cu o
precizie de 1#5m.
$ntrucat toate aceste metode sunt "azate pe determinarea timpului de propa(are a undei
electroma(netice pe distanta de masurat# evaluarea distantei (eometrice corecte se va face
luand in considertare indicele de refractie a mediului in care are loc propa(area (cel mai
adesea atmosfera!.
III.(. &etoda Inter1erometrica
$n te&nicile "azate pe interfrometrie distantele de masurat sunt compati"ile cu lun(imea
de unda a luminii emise de sursa de referinta. Aparatul cel mai utilizat este interferometrul
%ic&elson.
Easciculul lumionos de la Laserul L este trecut prin sistemul de lentile l
1
, l
2
in scopul de
a-i reduce diver(enta. Easciculul este divizat cu ajutorul o(linzii semitransparente S. *ele
doua fascicule o"tinute vor fi reflectate de o(linzile O
1
si respectiv O
2
, se vor suprapune din
nou si vor da nastere unui fenomen de interferenta. Rezultatul interferentei intr-un anumit
punct al fasciculului emer(ent este determinat de defazajul# introdus fie datorita parcur(erii
"ratelor de lun(imi diferite# L
1
si L
2
# fie datorita indicilor de refractie diferiti ai mediilor pe
care le parcur( cele doua fascicule# n
1
si n
2
. Defazajul va fi dat de relatia7
I 1d H
>
I 2 H
>
(L
1
n
r1
= L
1
n
r1
!
unde
>
este lun(imea de unda in vid. $n cazul cand indicii de refractie a mediilor celor doua
"rate ale interferometrului sunt e(ali# n
r1
I n
r1
I n
r
#
I 2n
r
(L
1
= L
1
! H
>
*onsideram ca initial L
1
I L
2
. 6 anumita lun(ime asezata dea lun(ul unuia dintre
"ratele interferometrului va fi masurata prin deplasarea corespunzatoare a o(linzii respective.
Detectie
l1 l1 L1
L1
61
61
$n acest caz# defazajul care apare este o masura directa a raportului dintre lun(imile de
masurat l I L
1
L
2
si lun(imea de unda a radiatiei de referinta.
Sistemul de franje de interferenta este o"servat cu doua fotomultiplicatoare. Se
realizeaza situatia in care fiecare dintre fotomultiplicatoare primeste lumina de la zone ale
sistemului de franje in care faza difera de H1. Aceasta diferenta de faza este independenta de
valoarea a"soluta a lui . $ntroducand semnalele de la fotomultiplicatoare pe cele doua a5e
ale unui osciloscop# spotul acestuia va descrie un cerc intre( atunci cand o(linda mo"ila se
deplaseaza cu
>
H n
r #
sensul de parcur(ere depinzand de sensul deplasarii. +n circuit lo(ic
cuplat cu un numarator electronic reversi"il analizeaza semnalele de la fotomultiplicatoare
adau(and o unitate pentru o deplasare intr-un sens si scazand una pentru celelalt sens. $n acest
mod poate fi inre(istrata corect deplasarea totala# deoarece micile varietati aleatorii datorate
vi"ratiilor mecanice sau variatiilor de indice de refractie nu-si vor aduce aportul. -recizia de
masurare prin aceasta metoda poate fi ridicata pana la o valoare de
>
H ?. S-a demonsrat ca se
pot pune in evidenta deplasari de
>
H 1>> daca se poate o"tine un raport semnal / zgomot
suficient de "un la detector.
%etoda interferometrica poate fi aplicata numai pentru distante inferioare lun(imii de
coerenta a radiatiei utilizate. -entru sursele conventionale aceasta este de ordinul catorva zeci
de centimetri in timp ce pentru laseri sta"ilizati a ajuns la valori de mii de .ilometri.
%etoda interferometrica nu se practica pentru distante foarte mari domeniile ei esentiale
fiind7 metrolo(ia# (eodezia si seismolo(ia# precum si la prelucrarile mecanice de inalta
precizie.
Sensi"ilitatea metodei interferometrice poate fi cel putin cu un ordin de marime mai
"una decat precizia de sta"ilitate a frecventei laserului (1>
-1>
! daca se utilizeaza metoda
interpolarii franjelor.
III.(. 2Radarul3 cu LASER (LI4AR)
%etoda se "azeaza pe determinarea e5acta a duratei de propa(are a unui puls de lumina
intre locul de emisie si tinta. A devenit de importanta practica dupa crearea laserilor de mare
putere in impuls.
Ener(ia emisa poate fi concentrata intr-un fascicul de desc&idere foarte mica (de ordinul
1>
-2
rad! permitand telemetrarea c&iar pe distante astronomice. Datorita frecventei ridicate a
undelor electroma(netice din domeniul optic ( 2J1>
12
8z! sistemul cu laser va fi caracterizat
de o precizie superioara sistemului radar cu unde centimetrice. +tilizarea laserului in
dispozitivele de telemetrie permite o"tinerea unui raport semnal / zgomot ridicat# datorita
"enzii spectrale e5trem de in(uste.
Radarul cu laser este utilizat pentru traiecto(rafia o"iectelor mo"ile indepartate7 rac&ete#
sateliti# "aloane.
Laserul
-oarta
*omanda
declansarii
flas&-ului
Laserii utilizati sunt cu ru"in ( I 92#B nm! sau cu sticla dopata cu neodim ( I 1>>
nm!. Sistemul afocal de iesire are rolul de a micsora diver(enta fascicolului laser de la
valoarea naturala la o valoare K le(ate prin relatia7
G
1
I
1
H K
1
I S / S
+nde G este (rosismentul sistemului iar S si SK sunt suprafetele fasciculului inainte# respectiv
dupa parcur(erea sistemului afocal.
$luminarea o"iectului tinta# aflat la distanta x de sursa# va fi data de
E I 2TP H K
1
x
1
I 2TPG
1
H
1
x
1

+nde T este factorul de transmisie al atmosferei pe distanta x iar P este puterea la
ma5im a pulsului laser. Diver(enta fasciculului tre"uie sa fie cat mai mica dar in acelasi timp
sa ai"a o valoare suficienta pentru a tolera erorile inerente de vizare.
%arimea semnalului receptionat si marimea raportului semnal / zgomot depind esential
de starea suprafetei tintei. Situatiile posi"ile se incadreaza intre doua posi"ilitati e5treme7
suprafata perfect difuzanta si suprafata acoperita de elemente reflectatoare.
Radiatia reflectata va fi recerptionata cu un telescop a carui suprafata utila de intrare
tre"uie sa fie suficient de mare pentru asi(urarea unei sensi"ilitati ridicate.
:alorile limita ale distantei depind# in principal# de parametrii instalatiei si sunt functii
lent varia"ile de puterea laser emisa.
'ransmisia atmosferica joaca un rol important. Ea limiteaza serios raza de actiune# in
special in cazul unei traiectorii orizontale cand a"sor"tia se produce pe toata distanta dintre
aparatul de masura si tinta. $n cazul cand o"iectul vizat se misca in afara atmosferei a"sor"tia
este importanta numai pe distanta de cativa .m
$n (eneral tre"uie sa se tina seama ca proprietatile fascicolului emis sunt varia"ile de la
un puls la altul.
Alimentator
pentru flas&
*elula
fotoelectrica
-oarta *alculator
de timp
Afisarea
distantei
@aza de
timp
Eoto-
multipli-
cator
Determinarea cu precizie a distantei cu ajutorul radarului optic cere cunoasterea cat mai
"una a indicelui de refractie a mediului de propa(are.
Eotodetectorii conventionali si sistemele de masurare a timpului permit o"tinerea unei
rezolutii de ordinul nanosecundei# ceea ce corespunde unei precizii a"solute asupra distantei
de ordinul unui metru. Aceasta inseamna o precizie relativa de 1>
-B
pentru distante de un .m.
$m"unatatirea semnalului de ecou cere ec&iparea suprafetei tintelor cu sisteme
reflectatoare constituite din piese de tip colt de cu". +n asemenea reflector se afla in prezent
plasat si pe Luna .
III.-. Comparatie LI4AR , RA4AR
L$DAR-ul foloseste radiatia LASER si un telescop cu scaner la fel cum RADAR-ul
foloseste emisiile radio si antenele para"olice.
/orii densi precum si precipitatiile pot atenua razele LASER ale L$DAR-ului. -e de
alta parte insa# receptia RADAR-ului se poate constitui din elemente de precipitatie (de
e5emplu ploaia sau ninsoarea ce au o viteza de cadere# deci de miscare!. $ntr-un mediu
(atmosfera in (eneral! curat din punct de vedere optic# perceptiile RADAR-ului pot varia de la
insecte si pasari la alte o"iecte reflectatoare radio# precum si variatii de umiditate# temperatura
si presiune. Diver(enta razei LASER a L$DAR-ului este de 1-B ori mai mica decat cea radio#
sa zicem de la un RADAR cu lun(ime de unda de 5-1> cm. De e5emplu diametrul unei raze
LASER a unui L$DAR pentru un sin(ur puls# la o distanta de 1> .m este doar de 1 m AAA
Aceasta caracteristica permite eliminarea am"i(uitatilor in masurarea vitezelor fara
suspectarea de anumite erori ce pot surveni la RADAR in conditii de refe5ie mar(inala sau
(rade ridicate de refle5ie ale o"iectelor reflectatoare.