Statistica purtatorilor de sarcina

1.4.1. Concentraia purttorilor de sarcin

Pentru a determina concentraia purttorilor de sarcin se vor aplica legile statisticii i anume numrul de
particule cu energia cuprins n intervalul energetic dE, adiacent nivelului energetic electronic E, ntr-o
zon energetic unde exist o densitate de stri g(E) va fi


dE ) E ( g ) E ( f dn =
Dac
1 e
kT
E
))

, rezult c pentru orice energie din banda
de conducie, inclusiv E
c
,
E>, adic potenialul chimic n semiconductorul
nedegenerat se gsete sub banda de conducie. n mod
similar, dac concentraia de goluri este mic, f
p
(E)<<1, ceea
ce are loc cnd
1 e
kT
E
>>

sau -E>0, pentru orice energie n
banda de valen. Va rezulta evident c E
v
< <E
c
, sau ntr-
un semiconductor nedegenerat, potenialul chimic este situat
n banda interzis. n concortan cu relaia se gsete
pentru concentraia de electroni expresia
( )
( )
}

=
t
=
c
c
E
kT
E
c
kT
E
2
1
c
3 2
2
3
c
e N dE e E E
2
m 2
n

n cazul semiconductorilor cu impuriti condiia de neutralitate are
forma

+
+ = +
d a
N p N n

sau
a d a d
N N p p n n = +

Dac energiile corespunztoare strilor donoare i acceptoare sunt E
d
i E
a
iar densitile de
stri n cazul nivelelor discrete N
d
o(E-E
d
) i N
a
o(E-E
a
) atunci concentraiile de electroni i
goluri localizate pe impuriti vor fi date de expresiile
( ) ( )
1 e
N
dE E f E E N n
kT
E
d
n d d d
d
+
= o =
}

i ( ) ( )
1 e
N
dE E f E E N p
kT
E
a
p a a a
a
+
= o =
}


n cazul unui semiconductor dopat cu impuriti de un singur fel adic N
d
>N
a
, atunci
n>p potenialul chimic este situat n partea superioar a zonei interzise, deasupra nivelului
acceptor.

(
(

+ + = 1
kT
E E
exp
N
N
8 1
4
1
ln kT E
d c
c
d
d
care la temperaturi joase devine
|
|
.
|

\
|
~
d
c d
c
N
N 2
ln kT
2
1
2
E
E

adic potenialul chimic se afl la jumtatea distanei ntre nivelul donor i marginea
inferioar a zonei de conducie. Cu creterea temperaturii potenialul chimic se deplaseaz n
interiorul zonei interzise.