1

Cuprins
1 1. GENERATOARE I AMPLIFICATOARE CUANTICE DE RADIAII. LASERUL I MASERUL.........3
1.1. EMISIA SPONTAN, EMISIA INDUS I ABSORBIA RADIAIEI..............................................5
1.2. AMPLIFICAREA RADIAIEI. INVERSIA DE POPULAIE. TEMPERATURA NEGATIV ..............15
1.3. OBINEREA INVERSIEI DE POPULAIE...................................................................................19
1.4. COMPONENTELE UNUI GENERATOR I AMPLIFICATOR CUANTIC DE RADIAII (LASER I
MASER).............................................................................................................................................24
1.5. TIPURI DE LASERI UTILIZAI N TEHNIC................................................................................25
1.5.1. Laserul cu rubin ...................................................................................................................27
1.5.2. Laserul cu semiconductori ....................................................................................................28
1.5.3. Laserul Nd:YAG...................................................................................................................31
1.5.4. Laserul cu excimer ...............................................................................................................33
1.5.5. Laserul cu colorant ...............................................................................................................34
1.5.6. Laserul cu CO2....................................................................................................................35
1.5.7. Laserul cu Ar+......................................................................................................................36
1.5.8. Laserul cu He Ne...............................................................................................................37
1.5.9. Laserul cu electroni liberi ......................................................................................................38
1.6. APLICAII ALE LASERILOR.......................................................................................................39
1.6.1. Aplicaii n tiin. .................................................................................................................39
1.6.2. Aplicaii ale laserilor n tehnic..............................................................................................40
1.6.3. Holografia ............................................................................................................................41
2 CAP. 2. NOIUNI DE FIZICA PLASMEI I APLICAII.........................................................................47
2.1. CURENTUL ELECTRIC PRIN GAZE...........................................................................................49
2.2. CVASINEUTRALITATEA PLASMEI.............................................................................................56
2.3. UNELE APLICAII ALE PLASME N TEHNIC............................................................................61
2.3.1. Plasma ca surs de lumin...................................................................................................62
2.3.2. Utilizarea plasmei n analiza spectral ..................................................................................63
2.3.3. Instalaii de plasm focalizat ...............................................................................................64
2.3.4. Panouri de afiare cu plasm................................................................................................65
2.3.5. Aplicaii ale plasmei n tehnologii de sudare i acoperire. Plasmatronul..................................71
2.3.6. Utilizarea plasmei termice n metalurgie................................................................................78
2.3.7. Aplicaii ale plasmei n tratarea superficial a metalelor. Nitrurarea ionic................................80
3 CAP. 3. PLASMA PRODUS CU AJUTORUL LASERULUI ................................................................84
3.1. FOTOIONIZAREA.......................................................................................................................84
3.2. TUNELAREA..............................................................................................................................88
3.3. CUPLAJUL LASER-PLASM......................................................................................................90
3.3.1. Ionizarea n cascad ............................................................................................................93
3.3.2. Procesul Bremsstrahlung invers...........................................................................................95
3.4. EXPANSIUNEA PLASMEI...........................................................................................................98
3.5. EMISIA DE RADIAIE DE CTRE PLASMELE OBINUTE CU AJUTORUL LASERULUI ............99
4 CAP. 4. SURSE DE RADIAII X BAZATE PE PLASMA PRODUSA CU AJUTORUL LASERULUI .....102
4.1. PLASMELE PRODUSE CU AJUTORUL LASERULUI CA SURSE N EUV...................................104


2

4.2. STUDII NUMERICE ALE PROCESULUI DE EXPANSIUNE A PLASMEI PRODUSE CU AJUTORUL
LASERULUI ...................................................................................................................................... 106
4.3. STUDIUL NUMERIC AL SPECTRULUI DE RAZE X-MOI EMISE DE PLASMELE LASER............ 110
4.4. STUDIUL EXPERIMENTAL AL PLASMEI PRODUSA CU AJUTORUL LASERULUI..................... 113
5 BIBLIOGRAFIE.................................................................................................................................. 114



3

1. G GE EN NE ER RA AT TO OA AR RE E I I A AM MP PL LI IF FI IC CA AT TO OA AR RE E
C CU UA AN NT TI IC CE E D DE E R RA AD DI IA A I II I. . L LA AS SE ER RU UL L I I
M MA AS SE ER RU UL L

Generatoarele i amplificatoarele cuantice de radiaii au reprezentat
unele dintre succesele cele mai spectaculoase i eficace ale tiinei.
Calitile remarcabile ale acestor dispozitive justific cu prisosin interesul
deosebit care li s-a acordat. Realizarea lor a fost determinat de o serie de
cerine practice i a fost posibil odat cu apariia unei noi discipline:
electronica cuantic. Aceast disciplin se bazeaz n primul rnd pe
utilizarea treptat a spectrului undelor electromagnetice, care se gsete n
afara domeniului undelor radio, i n al doilea rnd pe adoptarea unor noi
metode de lucru n locul celor clasice.
Funcionarea generatoarelor i amplificatoarelor de ultra-nalt
frecven obinuite, de tip clistron, se bazeaz pe interaciunea cmpului
electromagnetic cu electronii liberi, interaciune care se produce datorit
prezenei sarcinii electrice a electronului. Funcionarea generatoarelor i
amplificatoarelor cuantice este, ns, n strns legtur cu noile metode
fizice bazate pe fenomenele cuantice. n acest din urm caz n locul
electronilor liberi care se mic n vid, se utilizeaz electronii legai n
materie: n moleculele, n atomii sau n ionii unui corp solid, lichid sau
gazos. Deci funcionarea lor presupune existena unui mediu material.
Principiul general de funcionare a acestor dispozitive cuantice se
bazeaz pe aa-numitul fenomen de emisie stimulat sau emisie indus
descoperit de A. Einstein n anul 1917.
Dup cum este cunoscut, undele electromagnetice pot s
interacioneze cu un sistem atomic (o molecul, un atom sau un ion)
producnd o variaie a energiei interne a acestuia. Deci dac o astfel de
und interacioneaz cu un atom, un ion sau o molecul, energia acestora


4

va crete pn la o anumit valoare bine determinat. Sistemul atomic
respectiv va fi excitat prin trecerea sa, de exemplu, din starea fundamental
) n ( ntr-o anumit stare energetic (m) cuantificat superioar. De aici el
poate reveni n starea fundamental (din care a plecat) prin eliberarea
energiei ctigate sub form de radiaii, cu frecvena
mn
dat de condiia lui
Bohr:
n m mn
W W h = (1.1)
n aceast relaie,
m
W i
n
W sunt energiile strilor excitat i fundamental
ale sistemului atomic, iar h este constanta lui Planck. n acest mod se
produce emisia de radiaie cu frecvena dat de condiia (1.1). Aceast
emisie se poate produce n dou moduri distincte.
Dac cmpul undei electromagnetice care interacioneaz cu sistemul
atomic aflat n starea energetic superioar este nul, atunci procesul de
trecere a sistemului n starea fundamental, urmat de emisia de radiaie, se
numete emisie spontan. Dac asupra sistemului atomic aflat n starea
excitat acioneaz cmpul undei electromagnetice avnd frecvena
egal cu frecvena
mn
corespunztoare tranziiei considerate, sistemul
atomic va emite o und care se gsete ntr-o relaie de faz bine
determinat cu unda incident. Acest proces se numete emisie indus sau
emisie stimulat. La rndul su, unda emis n acest mod va fi n msur s
stimuleze un alt sistem atomic i aa mai departe. Procesul va conduce
astfel la amplificarea undei incidente, ceea ce constituie ideea esenial a
principiului de funcionare a generatoarelor i amplificatoarelor cuantice de
radiaii.
Acestor dispozitive li s-au dat de la descoperirea lor i pn n
prezent, diverse denumiri, dar cea mai corect este denumirea de
generatoare i amplificatoare cuantice de radiaii, care desemneaz
aparatele respective independent de domeniul n care lucreaz. n plus


5

aceast denumire indic i procesele fundamentale de natur cuantic, pe
care se bazeaz funcionarea dispozitivelor.
Vom vorbi deci despre generatoare i amplificatoare cuantice n
domeniul microundelor sau despre generatoare si amplificatoare cuantice n
domeniul optic. Pentru simplificare ns, vom folosi i denumirile de maser i
laser desemnnd prin aceasta fie procesul n baza cruia se produce
generarea sau amplificarea radiaiilor, fie dispozitivele respective.
1 1. .1 1. . E EM MI IS SI IA A S SP PO ON NT TA AN N , , E EM MI IS SI IA A I IN ND DU US S I I A AB BS SO OR RB B I IA A
R RA AD DI IA A I IE EI I

A. Einstein a introdus noiunea de emisie indus pornind de la
consideraii termodinamice asupra unui ansamblu de sisteme atomice. El a
examinat un ansamblu de sisteme atomice care se gsesc n echilibru
termic cu pereii incintei n care se afl ansamblul de sisteme la temperatura
absolut T . Dup cum tim, sistemele atomice posed nivele energetice
discrete, cuantificate, ntre care se pot produce tranziii urmate de emisie
sau de absorbie de radiaie: la trecerea unui sistem de pe nivelele
energetice inferioare pe cele superioare se produce absorbia radiaiei, iar la
trecerea invers are loc emisia. Deoarece ansamblul de sisteme considerat
se gsete n echilibru termic, acesta, din punctul de vedere al radiaiei
absorbite i emise, este echivalent cu un corp negru: fiecare parte a
ansamblului de sisteme atomice va absorbi aceeai cantitate de radiaie pe
care o va putea emite.
Radiaia corpului negru se caracterizeaz prin faptul c densitatea de
energie a acestuia depinde numai de temperatura sa absolut, iar energia
total a radiaiei e distribuit ntr-o band de frecvene. Distribuia spectral
a energiei este stabilit de formula lui Planck. Astfel dac

reprezint


6

densitatea de energie a radiaiei n unitatea de interval de frecven, pentru
frecvena i satisface egalitatea:
=

d
0
, (1.2)
atunci, pentru orice frecven i temperatur T , mrimea

este
determinat de formula de radiaie a lui Planck:
1
8
3
2

kT
h
e
h
c
, (1.3)
unde h este constanta lui Planck, k este constanta lui Boltzmann i c este
viteza luminii.
Deoarece sistemele de atomi considerate se gsesc n echilibru
termic cu mediul nconjurtor pereii incintei Einstein a postulat c
radiaia, absorbit i emis de ctre sisteme prin tranziii ntre nivelele lor
energetice, trebuie s se supun legii de radiaie a lui Planck dat de relaia
(1.3).
Fie un sistem atomic: un atom, ion sau molecul care poate executa
tranziii ntre nivelul superior m i un nivel inferior n (Figura 1.1), crora le
corespund energiile
n
W i
m
W . Tranziiile posibile ntre aceste nivele sunt
cele corespunztoare absorbiei sau emisiei de radiaie cu o frecven bine
determinat , dat de condiia lui Bohr:
n m
W W h = . (1.4)


7


Pentru simplificare vom admite c dispunem de un corp format din N
atomi pe unitatea de volum, fiecare atom avnd dou nivele energetice
m
W
i
n
W nedegenerate reprezentate n figura 1.1. La echilibru termodinamic,
atomii se distribuie dup cele dou nivele n acord cu legea lui Boltzmann:
kT
W W
n
m
n m
e
N
N

= (1.5)
n care
m
N este numrul de atomi din starea (m) sau populaia nivelului de
energie
m
W ,
n
N este populaia nivelului inferior de energie
n
W , k este
constanta lui Boltzmann i T este temperatura absolut a corpului.
Probabilitatea, n unitatea de timp, ca un atom aflat n starea
superioar s emit spontan un foton i s treac n starea inferioar este
independent de intensitatea cmpului de radiaie i depinde numai de
caracteristicile strilor atomice implicate n tranziie. Aceast probabilitate a
tranziiei spontane pe unitatea de timp i pe atom o notm cu
mn
A i o
numim coeficientul lui Einstein pentru emisia spontan. Deoarece n acest
caz sistemele atomice emit n mod ntmpltor, la diferite momente, radiaia
emis spontan este incoerent i distribuit ntr-o band de frecvene
suficient de larg nemonocromatic. Ea nu particip la procesul de
amplificare, ci constituie ceea ce numim zgomotul semnalului. Numrul
Figura 1.1
W




W
m




W
n
A
mn
B
mn
B
nm




8

tranziiilor spontane (n) (m) n unitatea de timp va depinde numai de
probabilitatea de tranziie pe unitatea de timp
mn
A i de numrul sistemelor
atomice
m
N aflate n starea excitat. Deci putem scrie:
mn m
tan spon
m
A N
dt
dN
= |

\
|
(1.6)
unde ( ) dN -
spontan m
reprezint numrul de sisteme atomice cu care este
micorat numrul
m
N prin fenomenul de emisie spontan.
Mrimea
|
|

\
|
dt
dN
m
mai poart denumirea de rat a emisiei spontane
sau vitez de variaie a populaiei acestui nivel. Ca urmare, puterea radiaiei
emise spontan este:
N A h )
dt
dN
( h P
m mn mn
m
mn spontan
= = (1.7)
Intensitatea radiaiei emise spontan ntr-o anumit direcie este
proporional cu
tan spon
P i deci:
m mn mn spontan spontan
N A h K KP I = =
n care K este un factor care depinde de geometria sursei.
Caracteristicile radiaiei emise spontan sunt determinate de faptul c
actele elementare de emisie spontan sunt produse de atomi care practic
nu interacioneaz ntre ei. Lipsa de interaciune presupune c momentele
dipolare electrice ale atomilor sunt orientate izotrop n spaiu i c atomii de
pe nivelul superior (m) particip la tranziia spontan la diverse momente de
timp n conformitate cu legea exponenial:
( ) ( )
m
t
m m
e N t N

= 0 . (1.8)


9

unde
m
este timpul de via al strii (m) . Mrimea
m
reprezint intervalul
de timp n decursul cruia numrul de atomi din starea (m) a sczut de e
ori, ca urmare a actelor de emisie spontan.
Pentru un atom care posed mai multe nivele energetice actul de
emisie spontan se poate face de la un nivel dat
m
W la toate nivelele
inferioare i timpul de via al nivelului de energie
m
W este:

=
i
mi
m
A
1
. (1.9)
Numrul valorilor pe care le ia indicele i din relaia (1.9) este egal cu
numrul nivelelor care au energie mai mic dect energia
m
W , iar
mi
A este
coeficientul lui Einstein pentru emisia spontan n tranziia de la starea m la
o stare i .
n prezena unui cmp de radiaie, un atom aflat pe nivelul superior
(m) poate s emit un foton cu frecvena dat de relaia (1.4) i prin
procesul de emisie indus. Unda emis este n faz cu unda prezent i
deci prin acest fenomen se obine o und amplificat, monocromatic i
coerent.
n procesul de emisie indus, probabilitatea ca s aib loc tranziia
unui atom pe unitatea de timp, este proporional cu densitatea spectral a
cmpului de radiaie

(energia radiaiei din unitatea de volum pe unitatea

de interval de frecven, din jurul frecvenei ) care are frecvena egal
sau foarte apropiat, de frecvena de rezonan
mn
exprimat prin relaia
(1.4). Cmpul de radiaie poate avea diferite frecvene ns, n procesul de
emisie indus, conteaz numai densitatea radiaiei la rezonan cu tranziia
considerat, pe care o notm cu ( )
mn T
. Indicele T indic temperatura de
echilibru a corpului care emite i interacioneaz cu radiaia sa cu densitatea
( )
T
.


10

Variaia n timp a populaiei nivelului superior datorat emisiei induse
este dat de relaia:
( )
m mn T mn
indus
m
N B
dt
dN
= |

\
|
(1.10)
n care ( )
indus m
dN este numrul de sisteme atomice cu care este micorat
numrul
m
N prin procesul de emisie indus, iar
mn
B este coeficientul lui
Einstein pentru emisia indus i reprezint probabilitatea ca un atom s
emit indus n unitatea de timp un foton cu frecvena
mn
, cnd densitatea
de energie a radiaiei ( )
mn T
este egal cu unitatea.
Puterea radiaiei emise prin tranziii induse va fi dat de produsul
dintre energia unui foton rata emisiei induse:
= |

\
|
=
indus
m
mn indus
dT
dN
h P
( )
m mn T mn mn
N B h = (1.11)
Intensitatea radiaiei emise induse este o mrime proporional cu
P
indus
i deci:
( )
m mn T mn mn indus indus
N B h K P K I = = (1.12)
n procesul de emisie indus, fotonul care cade asupra unui atom
este nsoit de fotonul indus care are aceleai caracteristici ca i fotonul
incident. Aceasta nseamn c radiaia indus este direcional, polarizat
i coerent.
Dac un atom se afl pe un nivel energetic inferior (n), n prezena
radiaiei cu densitatea de energie n unitatea de interval de frecven la
frecvena de tranziie egal cu ( )
mn T
poate absorbi energia radiaiei
incidente cu frecvena de rezonan i s treac la nivelul superior. Acest
proces este invers procesului de emisie indus i deci putem scrie rata
procesului de absorbie sub forma:


11

( )
n mn T nm
absorbit
n
N B
dt
dN
= |

\
|
. (1.13)
unde B
nm
este coeficientul lui Einstein pentru absorbie. Puterea radiaiei
absorbite poate fi:
= |

\
|
=
absorbit
n
mn absorbit
dt
dN
h P
( )
n mn T nm mn
N B h = , (1.14)
iar intensitatea radiaiei absorbite este:
( )
n nm T nm mn absorbit
N B Kh I = . (1.15)
Deoarece am presupus c ansamblul de sisteme atomice se afl n
echilibru termodinamic, rezult c avem de-a face cu o stare staionar care
se realizeaz cnd ratele procesului care au tendina s populeze diverse
stri energetice ale atomilor sunt egalate de ratele proceselor de depopulare
a acestor stri. Deci din notaiile (1.7), (1.11) i (1.14) obinem:
( ) ( )
n mn T nm m mn T mn mn m
N B N B A N = + (1.16)
Aceast relaie mai poate fi scris i sub forma:
( )
( )
mn mn T mn
mn T nm
n
m
A B
B
N
N
+

= . (1.17)
Dar la echilibru termodinamic este valabil distribuia lui Boltzman conform
creia:
kT h
n
m mn
e
N
N

= . (1.18)
Din aceast relaie rezult c la echilibru termodinamic populaia nivelului
superior N
m
este mai mic dect cea a nivelului inferior
n
N . Se spune, n
acest caz, c avem o distribuie normal a populaiilor atomice pe nivelele
de energie. Aceast distribuie are loc la orice stare de echilibru
termodinamic, deci i n cazul particular al unei stri de echilibru la o
temperatur T . Un corp care are o temperatur suficient de mare emite


12

i o radiaie cu o densitate mare, adic ( )
mn T
. Avnd n vedere aceste
condiii: ( )
mn T
, T din relaiile (1.17) i (1.18) obinem:
mn
nm
n
m
B
B
N
N
= i 1 =
n
m
N
N
, (1.19)
din care deducem:
nm mn
B B = , (1.20)
care arat c, dac nivelele nu sunt degenerate, coeficientul lui Einstein
pentru emisia indus este egal cu coeficientul pentru absorbie.
Dac nivelele (m) i (n) sunt degenerate atunci:
kt h
n
m
n
m
mn
e
g
g
N
N

= (1.21)
unde g
m
i g
n
sunt gradele de degenerescen.
n acest caz, relaiile (1.17) i (1.21) conduc la:
n
m
nm
mn
g
g
B
B
= . (1.22)
Dac ne limitm la cazul nivelelor nedegenerate i notm:
B B B
nm mn
= = ; A A
mn
= i =
mn
(1.23)
atunci putem renuna la indicii coeficienilor respectivi.
Densitatea de energie ( )
T
a radiaiei n condiii de echilibru
termodinamic este dat de formula lui Planck (1.3) i utiliznd notaiile
(1.23), putem scrie egalitatea (1.17) sub forma:
( )
( ) A B
B
e
T
T kT
h
+

=

sau ( )
1
1

kT
h
T
e
B
A
. (1.24)
Comparnd relaiile (1.3 legea de distribuie Plank) i (1.24)
obinem:
3
3
8
c
h
B
A
= . (1.25)


13

n acest mod relaiile (1.20 i (1.25) ne dau legtura ntre cei trei
coeficieni Einstein.
De asemenea, se constat c presupunerile lui Einstein cu privire la
existena fenomenului de emisie indus i emisie spontan i expresiile
pentru probabilitile acestor emisii sunt concordante cu formula lui Planck.
Apoi, probabilitile de absorbie i de emisie indus trebuie s fie egale
ntre ele, iar ntre coeficienii de emisie spontan A i emisie indus B
exist o relaie bine determinat (1.25). Aceast relaie permite s se
exprime coeficientul de emisie spontan A prin coeficientul de absorbie B ,
care poate fi determinat experimental.
Nivelele de energie (m) i (n) considerate pn acum, au fost alese
aa fel nct frecvena rezultat prin tranziiile dintre ele, dat de relaia (1.4)
s fie egal cu frecvena cmpului electromagnetic cu care sistemele
atomice se gsesc n echilibru. Pentru ca procesele de emisie i absorbie
s aib loc, n afar de aceast condiie, mai trebuie ndeplinite diferite alte
regulariti. De exemplu, nu toate tranziiile dintre oricare nivele sunt nsoite
de radiaie, ci sunt posibile i tranziii ne-radiative. Prin acest proces, numit
relaxare, energia eliberat este preluat de ctre reeaua cristalin,
conducnd la nclzirea acesteia. n afar de aceasta, unele tranziii sunt
nepermise sau interzise.
Probabilitile de emisie indus i spontan pot fi evaluate pornind de
la legile mecanicii cuantice. P. Dirac a fost primul care a efectuat aceste
evaluri, ntr-o form care explic n mod satisfctor att emisia indus, ct
i pe cea spontan.
Astfel probabilitatea de emisie spontan A poate fi exprimat sub
forma:
3
2
3 4
3
64
hc
A

= (1.26)


14

unde | | este elementul de matrice al tranziiei corespunztoare. n cazul
unei tranziii de dipol magnetic, mrimea
2
este egal cu jumtatea
ptratului magnetonului lui Bohr:
2
0
2
2
1
= .
Pentru alte tranziii de dipol magnetic trebuie s examinm un
oarecare element de matrice mediu al tranziiei. n general, ns, elementele
de matrice ale tranziiilor de dipol magnetic, ca ordin de mrime, sunt egale
cu un magneton Bohr -
0
. Elementele de matrice ale tranziiilor de dipol
electric sunt de sute de ori mai mari.
Pentru valoarea coeficientului lui Einstein B a fost gsit relaia:
2
2
3
3
8

=
h
B . (1.27)
Comparnd expresiile (1.26) i (1.27) se vede c n cazul unui moment
dipolar constant probabilitatea de emisie indus este independent de
frecven, n timp ce probabilitatea de emisie spontan este proporional
cu cubul frecvenei. Acest rezultat este foarte important pentru realizarea
practic a generatoarelor i a amplificatoarelor cuantice deoarece impune o
limit pentru frecvena de funcionare a acestor dispozitive.
Remarcm, de asemenea, c relaia (1.25) ne arat c la frecvene
mari (vizibile sau ultraviolete) domin emisia spontan fa de cea stimulat
B) (A >> pe cnd la frecvene mici (infrarou ndeprtat i microunde) emisia
stimulat devine semnificativ B) (A . Astfel se explic caracterul direcional
al microundelor i caracterul izotropic al radiaiei luminoase emis de
sursele clasice de lumin.





15

1 1. .2 2. . A AM MP PL LI IF FI IC CA AR RE EA A R RA AD DI IA A I IE EI I. . I IN NV VE ER RS SI IA A D DE E P PO OP PU UL LA A I IE E. .
T TE EM MP PE ER RA AT TU UR RA A N NE EG GA AT TI IV V

Pentru procesul de amplificare a radiaiei, rolul esenial l joac numai
fenomenele de absorbie i de emisie indus deoarece emisia spontan
genereaz zgomote i deci nu va fi luat n consideraie.
S considerm un ansamblu de sisteme atomice n echilibru
termodinamic cu radiaia electromagnetic de densitate ( )
T
. Fie
N
n
numrul de sisteme atomice din unitatea de volum aflate n starea
inferioar (n) i N
m
numrul de sisteme aflate n starea superioar (m) . Ca
urmare, numrul de fotoni absorbii n unitatea de volum i n intervalul de
timp dt va fi:
( ) ( ) dt B N dN
T n absorbit n
= , (1.28)
iar energia absorbit va fi egal cu:
( ) dt h B N W
T n a
= . (1.29)
Deoarece nu se ia n consideraie fenomenul de emisie spontan,
numrul de fotoni emii n acelai volum i interval de timp va fi:
( ) ( ) dt B N dN
T m indus m
= . (1.30)
iar energia emis va fi dat de relaia:
( ) dt h B N W
T m indus
= (1.31)
Pentru a obine o amplificare este necesar ca energia emis s
depeasc pe cea absorbit, adic:
0 > =
absorbit indus
W W dW , (1.32)
sau:
( ) ( ) 0 > = dt h B N N dW
T n m
. (1.33)


16

Deci satisfacerea relaiei (1.32) impune condiia
n m
N N > , adic n
intervalul de timp dt trebuie s existe un surplus de sistem atomice n
starea energetic superioar (m) .
Odat ndeplinit aceast condiie amplificarea radiaiei se poate
explica intuitiv cu ajutorul diagramei din Figura 1.2. Dac un foton de
frecven ntlnete un sistem atomic aflat n starea superioar (m) ,
acesta prin fenomenul de emisie indus va emite un nou foton de aceeai
frecven i de aceeai faz cu fotonul incident. Vor exista acum doi fotoni
identici care, repetnd procesul, vor da natere altor fotoni i aa mai
departe. Pe msura propagrii n mediu, unda este astfel amplificat.
Dimpotriv, dac fotonul incident ntlnete un sistem atomic n starea
inferioar, el va fi absorbit, conducnd la excitarea sistemului respectiv.
Dac numrul sistemelor atomice n starea superioar nu este suficient de
mare, deci nu este satisfcut condiia
n m
N N > , atunci amplificarea radiaiei
nu poate avea loc.
Aceast condiie:
n m
N N > necesar amplificrii radiaiei nu este
satisfcut n mod natural. Pentru a arta aceasta s considerm distribuia
sistemelor atomice dup nivelele energetice, de exemplu dup nivelele
reprezentate n Figura 1.3.
n starea de echilibru termodinamic aceast distribuie va fi
caracterizat de legea lui Boltzmann:
Figura 1.2


17

kT
W
i
i
e A N

= (1.34)
unde A este o constant de normare, iar
i
N numrul de sisteme atomice
aflate n starea energetic
i
W a nivelului i . Din relaia (1.34) i din Figura
1.3 rezult c la orice valoare a temperaturii T numrul de sisteme atomice
aflate pe un anumit nivel scade cu creterea energiei nivelului, adic pe
nivelele mai nalte se gsesc mai puine sisteme atomice dect pe nivelele
mai joase. De aici rezult o concluzie foarte important pentru procesul de
amplificare a radiaiei.
Probabilitile de absorbie i emisie indus, fiind egale, ar fi de
ateptat ca numrul fotonilor absorbii s fie egali cu cel al fotonilor emii.
Cum ns majoritatea sistemelor atomice se gsesc pe nivelele mai joase,
absorbia n general ntrece emisia i de aceea, n mod obinuit substana
absoarbe energie electromagnetic. Condiia de amplificare
n m
N N > ,
dedus mai sus, nu va fi deci satisfcut n mod natural. Pentru a o realiza
sunt necesare condiii experimentale speciale prin care s se produc ceea
ce se numete inversiunea de populaie adic, s se realizeze un numr
W
W
W
W
4
3
2
1
W
N(W)
Figura 1.3


18

mai mare de sisteme atomice pe nivelul superior dect pe cel inferior. n
aceste condiii ansamblul de sisteme atomice nu va mai fi n echilibru
termodinamic. Se spune c, n raport cu nivelele de energie considerate: (n)
i (m) , ansamblul de sisteme atomice are temperatura negativ. n adevr,
conform legii de distribuie a lui Boltzmann, raportul dintre numrul de
sisteme atomice de pe cele dou nivele considerate este dat de relaia:

kT
W W
n
m
n m
e
N
N

= (1.35)
de unde putem deduce pentru temperatura absolut T , relaia:
n
m
n m
N
N
ln k
W W
T

= . (1.36)
n cazul echilibrului termodinamic obinuit exist inegalitatea
n m
N N <
i cum
n m
W W > din relaia (1.36) rezult 0 T > . Deci n cazul echilibrului
termodinamic, ansamblul de sisteme atomice are temperatur pozitiv n
raport cu nivelele (m) i (n).
S admitem acum c printr-un mijloc special am realizat inversiunea
de populaie:
n m
N N > . n aceast situaie, dei ansamblul sistemelor
atomice nu se mai afl n starea de echilibru termodinamic se va stabili,
totui, pentru un interval de timp, un oarecare echilibru forat.
Presupunnd i n acest caz valabil legea de distribuie a lui Boltzmann,
din relaia (1.36) rezult 0 T < . Deci n cazul realizrii inversiunii de populaie
n raport cu nivelele considerate (m) i (n), ansamblul de sisteme atomice
posed temperatur negativ n raport cu aceste nivele. ntruct n acest
caz condiia de amplificare
n m
N N > este satisfcut, rezult c ansamblul
de sisteme atomice cruia i se poate atribui temperatur negativ n raport
cu anumite nivele de energie, este capabil s amplifice radiaia de frecven
, corespunztoare frecvenei de tranziie a sistemelor atomice ntre


19

nivelele de energie respective n raport cu care exist inversiunea de
populaie. Un astfel de sistem poart denumirea de mediu activ.
1 1. .3 3. . O OB B I IN NE ER RE EA A I IN NV VE ER RS SI IE EI I D DE E P PO OP PU UL LA A I IE E

Inversia de populaie este legat de aciunea exterioar exercitat
asupra materialului activ, fiind nevoie de o alt surs de energie. Definim
noiunea de pompaj al materialului activ ca fiind procesul prin care se
realizeaz inversia de populaie (numrul strilor excitate este mai mare
dect numrul de stri fundamentale la acelai moment de timp N
2
> N
1
)
Vom analiza posibilitatea obinerii inversiunii de populaie pentru diferite
sisteme atomice.
Sisteme cu 2 nivele energetice
n cazul cnd materialul optic activ conine doar sisteme atomice cu 2
nivele energetice (E
1
ales nivel fundamental i E
2
nivelul excitat), dac cele
dou nivele energetice au aceleai grade de degenerare, g
1
= g
2
, atunci
conform distribuiei de echilibru termodinamic (distribuia Boltzmann):
] / ) ( exp[ /
1 2 1 2
T k E E N N
B
= (1.37)
Astfel, pentru T avem
1 2
N N , dar ntotdeauna
2 1
N N < . n concluzie,
pentru sisteme atomice cu dou nivele energetice, n condiii normale, nu
este posibil s se realizeze inversia de populaie.









20

Sisteme atomice cu 3 nivele energetice
Vom considera un material activ care conine sisteme atomice cu 3
nivele energetice: E
1

nivelul
fundamental, E
2
, E
3
>
E
1
nivele
superioare excitate.
ntr-un astfel de
sistem se poate
realiza inversia de
populaie n anumite
condiii (Figura 1.4):
a) Poate exista o tranziie laser
2 3
E E dac E
3
este un nivel metastabil
(timp de via t
32
mare), iar E
2
are durata de via cea mai scurt (fiind
posibil tranziia neradiativ (relaxare) rapid a sistemelor de pe nivelul E
2

pe nivelul fundamental E
1
. n acest fel se asigur o inversiune de populaie
ntre E
2
i E
3
dac se realizeaz un pompaj ntre E
1
i E
3
(Figura 1.4.a). Un
astfel de sistem poate funciona n mod continuu.
b) Se poate obine o inversie de populaie i ntre nivelele energetice E
2
i
E
1
dac nivelul E
3
corespunde unei benzi largi de absorbie cu un timp de
via foarte scurt (are loc relaxarea E
3
E
2
) n timp ce nivelul energetic E
2

este metastabil. Tranziia laser are loc ntre nivelele energetice E
2
i E
1
n
timp ce pompajul se realizeaz, ca i n cazul precedent, tot ntre E
1
i E
3

(Figura 1.4b). Obinerea inversiei de populaie n acest mod este utilizat n
cazul clasic al laserului cu rubin.



Figura 1.4


21

Sisteme atomice cu 4 nivele energetice
Utilizarea sistemelor atomice cu 4 nivele energetice prezint avantajul
c se poate obine inversia de populaie raportat la un nivel inferior foarte
puin populat. Cu alte cuvinte, se
realizeaz inversia de populaie nu prin
popularea nivelului superior, ci prin faptul
c n mod natural nivelul energetic inferior
este foarte puin populat. Astfel se obine o
eficien mai mare a emisiei laser.
Pompajul se face ntre E
1
i E
4
; nivelul E
4

este un nivel cu band larg i cu timp de
via foarte scurt. Dac de pe nivelul
energetic E
4
pe nivelul E
3
(nivel metastabil)
are loc o tranziie neradiativ (de relaxare), atunci se realizeaz o inversia
de populaie ntre nivelul E
3
i E
2
. ntre aceste nivele energetice are loc i
tranziia laser. Nivelul energetic E
2
se depopuleaz ntr-un timp foarte scurt
printr-o relaxare pn pe nivelul fundamental E
1
. Pompajul se realizeaz
ntre nivelele energetice E
1
i E
4
. Dac nivelul energetic E
2
este suficient de
ridicat atunci acesta este n condiii normale puin populat, fapt care
favorizeaz inversiei de populaie. Un astfel de sistem cu 4 nivele
energetice se folosete, de exemplu, n cazul unui laser cu Neodim.
n concluzie, pentru a se obine o inversie de populaie i prin aceasta
un efect laser sunt necesare sisteme optice care s formeze un mediu activ
cu cel puin 3 nivele energetice.

Realizarea pompajului laser
Pompajul laser este principalul proces prin care se realizeaz
inversiunea de populaie. Laserii utilizeaz diferite tipuri de pompaj:
Figura 1.5


22

a) pompajul optic: se realizeaz prin iradierea sistemelor atomice cu o
radiaie de frecven h E E / ) (
1 3
= ntr-un timp
23
< t . Se folosesc lmpi
de descrcare cu gaze monoatomice ce au benzi largi de absorbie i
ferestre de transmisie pentru frecvena laser dorit.
b) pompajul electronic: folosit la laserii cu gaz indiferent de presiunea
de lucru. Tranziia de pompaj (de exemplu
3 1
E E ) se realizeaz prin
excitarea sistemelor atomice cu ajutorul unui fascicul de electroni. n plus,
fasciculul de electroni produce i ionizri suplimentare ale gazului de lucru,
iar astfel densitatea de electroni crete i eficiena pompajului va fi mai
mare. Totui, apare problema apariiei strii de plasm care trebuie s fie
meninut omogen.
c) pompajul prin transfer de excitare: energia de excitare este dat de
ciocniri ntre sistemele atomice care produc efectul laser cu ali atomi
energetici, fie prin cuplaj intern de la moleculele energetice ale aceluiai gaz
(exemple: laser cu He-Ne sau cu CO
2
i N
2
), fie prin ciocniri cu alte
molecule.
d) pompajul chimic: de multe ori moleculele pot avea un numr mare
de nivele energetice de rotaie i vibraie. n reaciile chimice moleculele trec
ntr-o stare care nmagazineaz energie nct se poate produce o
inversiune de populaie ntre diverse nivele de vibraie (ex: laseri chimici cu
HF).

Puterea de prag de pompaj
Puterea prag de pompaj este puterea minim (energia minim n
unitatea de timp) care trebuie furnizat unui sistem atomic pentru a se
realiza inversia de populaie Vom calcula puterea prag pompaj pentru un
sistem cu 3 nivele energetice (Figura 1.4). Variaia numrului de sisteme
atomice de pe nivelele energetice E
3
i E
2
este dat de:


23

21 2 32 3
3
2 2
32 31 3 13 3 1
1
3
13
3
A N A N
g
g
dt
dN
) A A ( N B N N
g
g
) (
dt
dN
=
+
(

=
(1.38)
unde s-a considerat c la tranziia E
2
E
1
nu se manifest emisia
stimulat. n regim staionar:
0
3 2
= =
dt
dN
dt
dN
(1.39)
rezult
1
32 32 31
1
32
1
32 32 31
1
32
1
21
1
1 2
2
1


+ +
+
=

A ) A A ( F A
A ) A A ( F ) A A (
N
N N
g
g
(1.40)
unde s-a fcut notaia:
) ( B F
13 13
= (1.41)
iar ) (
13
este densitatea spectral de pompaj. Condiia pentru a realiza
inversia de populaie dorit este 0
1 2
2
1
> N N
g
g
, adic trebuie ca rata de
inversie ntre nivelele E
1
i E
2
s fie pozitiv. Dac A
32
> A
21
, probabilitatea
de emisie spontan pentru E
3
E
2
este mai ridicat dect pentru tranziia
E
2
E
1
astfel nct nivelul energetic E
2
este considerat un nivel metastabil.
Fluxul necesar pentru realizarea condiiei limit 0
1 2
2
1
= N N
g
g
poate fi cu
att mai mic cu ct A
32
>> A
31
nct coeficientul F
prag
poate fi scris:
21
21 32
21 32
13 13
A
A A
A A
) ( B F
prag prag

= = (1.42)
iar puterea prag de absorbie este:
13 1
= h N F P
prag prag
(1.43)
Valoarea puterii prag de pompaj se poate rescrie pentru cazul cnd:


24

2
1 2
2
1
/ N N N
g
g
tot
= (1.44)
se rescrie:
21
13
2
A
h
N P
tot prag

(1.45)
n relaia anterioar P
prag
este puterea minim necesar pentru a putea
realiza inversia de populaie ntre nivelele energetice E
3
i E
1
, atunci cnd
se ine cont i de tranziiile care au loc pe i de pe nivelul E
2


1 1. .4 4. . C CO OM MP PO ON NE EN NT TE EL LE E U UN NU UI I G GE EN NE ER RA AT TO OR R I I A AM MP PL LI IF FI IC CA AT TO OR R
C CU UA AN NT TI IC C D DE E R RA AD DI IA A I II I ( (L LA AS SE ER R I I M MA AS SE ER R) )

Orice dispozitiv laser sau maser cuprinde urmtoarele componente
principale: mediul activ, cavitatea rezonant i un sistem de furnizare a
energiei mediului activ sau un sistem de excitare.
Mediul activ este format dintr-un ansamblu de microparticule (atomi,
ioni, molecule, electroni) care posed o inversiune de populaie ntre dou
sau mai multe stri energetice. Mediul activ poate fi n stare gazoas,
lichid, solid cristalin, solid amorf, semiconductoare, o plasm sau un
fascicul de electroni liberi. n funcie de starea mediului activ, construcia
dispozitivului laser sau maser este diferit. Astzi exist o diversitate foarte
mare de medii active: amoniacul, hidrogenul, vaporii de ap, oxigenul,
azotul, dioxidul de carbon, soluii de colorani, cristalul de rubin, sticla de
bariu, jonciunea As - Ga , plasma format la trecerea curentului prin gaze
nobile, fasciculele de electroni accelerate n cmpuri electrice i magnetice
neomogene etc.
Cavitatea rezonant a dispozitivului laser difer esenial de cea a
maserului. Un maser are o cavitate rezonant nchis, cu dimensiunile de


25

ordinul lungimii de und a radiaiei care se amplific, iar un laser are o
cavitate rezonant deschis, de tipul interferometrului Fabry Perot, cu
dimensiuni mult mai mari dect lungimea de und a luminii amplificate.
Ambele tipuri de caviti sunt caracterizate prin mai multe moduri
proprii. Un mod al cavitii reprezint o configuraie staionar a cmpului
electromagnetic din cavitate. Fiecare mod este caracterizat printr-o anumit
frecven de rezonan care poate fi calculat prin rezolvarea ecuaiilor lui
Maxwell pentru cmpurile electrice i magnetice din cavitate cu condiiile la
limit alese n conformitate cu geometria cavitii.
Pentru realizarea inversiunii de populaie sau a pompajului sunt
utilizate diferite procedee experimentale, depinznd, printre altele i de
natura substanei utilizate ca mediu activ. Astfel, pentru substanele n stare
solid, mijlocul cel mai eficace n scopul propus este iradierea cu lumin
intens, de frecven adecvat. n cazul utilizrii unui gaz sau a unui
amestec de gaze, crearea unui exces de populaie necesar nivelului
superior al tranziiei laser este posibil, cu cel mai mare randament, cu
ajutorul unei descrcri electrice n gazul respectiv sau prin ciocniri
neelastice ntre atomii gazului i electronii provenii de la un tun electronic
special.
1 1. .5 5. . T TI IP PU UR RI I D DE E L LA AS SE ER RI I U UT TI IL LI IZ ZA A I I N N T TE EH HN NI IC C

Explozia puternic a numrului de aplicaii ale laserului n tehnic
impune discutarea ntr-un paragraf separat principalele caracteristici ale
celor mai folosii laseri. Vom face o clasificare a laserilor dup mai multe
criterii astfel:


26

1) Dup starea de agregare a mediului activ. Primul criteriu de
clasificare a laserilor se refer la mediul activ n care au loc procesele de
pompaj i emisie stimulat. Astfel, laserii pot fi clasificai n:
a) laseri cu corp solid: laserul cu rubin, laserul Nd : YAG, laserul cu
semiconductori, etc.
b) laseri cu lichid: laseri cu colorant;
c) laseri cu gaz: laserul cu CO
2
, laserul cu Ar, laserul cu N
2
etc.
Pe lng aceti laseri, mai putem considera i o categorie special de
laseri: laserii cu electroni liberi n care mediul activ este format dintr-un
fascicul de electroni care trece printr-o regiune cu cmp magnetic variabil
realiznd emisia coerent de radiaii.
Cunoscnd natura mediului activ al laserului se poate proiecta modul
de realizare a pompajului laser. n plus, se cunoate foarte bine ntre ce
nivele energetice ale sistemelor atomice se realizeaz emisia stimulat i de
aici lungimea de und a emisiei laser. Ajungem astfel un alt criteriu de
clasificare a laserilor:
2) Dup lungimea de und a radiaiei utile:
a) laseri cu emisie n domeniu infrarou: laseri cu CO
2
, ...
b) laseri cu emisie n spectru vizibil: laseri cu Ar, ...
c) laseri cu emisie n ultraviolet: laserii cu excimeri, ...
d) laseri cu emisie n domeniul radiaiilor X
3) De multe ori laserii pot fi clasificai i dup timpul de emisie a
radiaiei utile:
a) laseri cu emisie continu;
b) laseri pulsai: radiaia utileste emis n pulsuri cu perioade care pot s
ajung pn la valori foarte mici de ordinul femptosecundelor (10
-15
s).
Nu trebuie confundat modul de emisie al radiaiei utile cu modul de
utilizare a radiaiei n aplicaii, adicnu trebuie s se identifice perioada de


27

emisie a radiaiei utile cu timpul de utilizare ntr-o anumit aplicaie. De
exemplu: se poate utiliza un laser cu emisie continu, cum este laserul cu
CO
2
pentru operaii bazate pe fenomenul de ablaie cnd timpul de
interaciune ntre int i laser este foarte scurt (maxim 10
-3
s). Uneori se
consider c pulsurile laser care au perioada de ordinul secundelor sau
zecilor de secunde, identic cu timpul de interaciune ntre radiaie i int
sunt date de laseri cu emisie continu.
n seciunile urmtoare vor fi descrii civa laseri utilizai n tehnic.
1 1. .5 5. .1 1. . L La as se er ru ul l c cu u r ru ub bi in n

Laserul cu rubin este primul laser care emite n domeniul vizibil i a
fost construit de ctre Theodore MAIMAN Rubinul este un oxid de aluminiu
(Al
2
O
3
cunoscut i sub numele de safir) n care o mic parte din ionii de
aluminiu este nlocuit cu ioni de crom (Cr
3+
: Al
2
O
3
). Nivelele energetice
implicate n tranziia laser a rubinului sunt reprezentate n Figura 1.6.

Figura 1.6 Schema nivelelelor energetice n laserul cu rubin
Laserul cu rubin lucreaz cu trei nivele energetice: nivelul 3 este format din
dou benzi energetice situate la 550 nm (verde) i 400 nm (violet). Aceste


28

benzi de absorbie sunt responsabile i de culoarea roz a rubinului. Radiaia
laser are lungimea de und = 694, 3 nm (radiaie de culoare roie).
Pompajul se realizeaz optic de pe nivelul 1 pe nivelul 3, utiliznd o lamp
cu descrcare care nconjoar rubinul. Lampa de descrcare are un spectru
mare de emisie, dar o fraciune din fotonii emii sunt absorbii i se produce
tranziia ionilor Cr
3+
pe nivelul 3. Faptul cnivelul 3 este un nivel larg duce la
mrirea eficienei procesului de absorbie. Au loc tranziii foarte rapide a
ionilor de crom de pe nivelul 3 pn pe nivelul 2 (ntr-un timp de ordinul
picosecundelor) n timp ce timpul de via a tranziiilor spontane de pe
nivelul 2 pe nivelul 1 este relativ lung (3 ms). Astfel, se realizeaz o inversie
de populaie ntre nivelul 2 i 1. Amplificatorii comerciali sunt livrai sub
form de bare de rubin cu lungimi cuprinse ntre 5 i 20 cm avnd o valoare
a ctigului de aproximativ 20 n mod puls. Eficiena unui astfel de laser
(raportul dintre energia util a radiaiei laser i energia electricconsumat)
este de aproximativ 0.1% iar energia util a radiaiei laser este de
aproximativ 5 J. n tehnic laserul cu rubin este utilizat n mod comutare Q
ca un laser cu pulsuri scurte .
1 1. .5 5. .2 2. . L La as se er ru ul l c cu u s se em mi ic co on nd du uc ct to or ri i

Laserul cu semiconductor este astzi cel mai cunoscut i utilizat tip de
laser n diferite tipuri de aplicaii (aceti laseri sunt utilizai inclusiv la citirea
CD-urilor, la imprimante etc.). n ultimii ani se ncearc nlocuirea laserilor
aa-zii clasici cu laseri cu semiconductori, datorit faptului c aceti laseri
sunt mai compaci, sunt laseri portabili i mai ieftini.
Mediul activ al laserului cu semiconductori este similar unei diode cu
semiconductor i, din acest motiv, laserul cu semiconductor este denumit i
diod laser. n cele ce urmeaz sunt explicate principiile de funcionare a
unei diode laser, fr a intra n amnunte legate de structura i fizica


29

semiconductorilor. Diodele laser sunt formate dintr-o jonciune p-n cu o
dopare puternic (concentraia impuritilor de dopare este 10
23
-10
24
m
-3
).
Principalele procese care intervin la emisia laser n astfel de sisteme sunt: i)
emisia laser are loc la recombinarea electron-gol de pe nivelele energetice
din banda de valen i banda de conducie; ii) o cuant absorbit n
jonciune duce la generarea unei perechi electron-gol, crescnd astfel
probabilitatea de recombinare. Ca urmare a acestor procese poate avea loc
o emisie stimulat de fotoni. Inversia de populaie necesar pentru
realizarea efectului laser se obine prin aplicarea unei tensiuni electrice
directe pe jonciune, astfel nct prin scderea barierei de potenial crete
rata de obinere a perechilor electron-gol prin tranziii ntre cele dou benzi
energetice. Prezena impuritilor contribuie i mai mult la realizarea
inversiei de populaie. Deoarece n emisia laser emisia stimulat trebuie s
fie principalul proces de emisie i absorbia trebuie s fie neglijabil,
tensiunea aplicat pe jonciune trebuie s depeasc o valoare prag dat
de relaia: U > W/e, unde W este energia corespunztoare benzii interzise i
e este sarcina electric elementar.
Din punct de vedere tehnologic dioda laser este realizat, de
exemplu, din cristale semiconductoare de GaAs i GaAlAs dopate cu
impuriti acceptoare de Zn i impuriti donoare de Te (Figura 1.7).

Figura 1.7: Structura diodei laser



30

Faptul c laserii cu semiconductori sunt foarte compaci reprezint un
alt avantaj fa de celelalte tipuri laseri. Acest lucru se datoreaz i unei
caviti de rezonan de dimensiuni micronice format de cristalul
semiconductor a cror suprafee sunt tiate i polizate corespunztor
radiaiilor laser emise precum i a modului de funcionare a laserului.
n general, radiaia generata este ghidata de-a lungul regiunii active si
iese in exterior printr-o regiune cu lrgimea dat de grosimea regiunii active
i cu lungimea data de limea regiunii active. Deoarece lungimea de und
a radiaiei emise este comparabila cu dimensiunea ghidului, fenomenul de
difracie nu poate fi neglijat. Datorita difraciei, unghiul de divergen este
diferit pe cele doua direcii x si y (vezi figura de mai sus), spotul luminos
fiind eliptic. Elipticitatea se poate corecta cu o lentila astigmatic (care are
focale diferite pe x si y) pentru a obine un spot circular.
Laserii cu semiconductor emit n domeniu infrarou sau n vizibil. Este
de remarcat faptul c lungimea de und a radiaiei laser emise de astfel de
sisteme poate fi modificat prin ajustarea temperaturii la nivelul jonciunii,
sau prin introducerea diodei ntr-un cmp magnetic a crei intensitate poate
fi modificat.
Laserii cu semiconductori pot lucra n regim continuu cnd se obin
puteri de ordinul 1W pn la civa W, sau n regim declanat la puteri
mult mai mari de ordinul 1MW = 10
6
W. Pentru creterea puterii utile n
regim continuu de funcionare se utilizeaz mai multe diode dispuse ntr-o
matrice astfel nct de ajunge pnla puteri utile de pn la 100 W.
Randamentul acestor laseri se apropie de 100% , datorit faptului c
aproape toat energia electric consumat este utilizat la producerea
efectului laser.



31

1 1. .5 5. .3 3. . L La as se er ru ul l N Nd d: :Y YA AG G

Laserul Nd : YAG este unul din laserii cei mai utilizai n diferite
aplicaii. Laserul Nd:YAG este un laser care emite n infrarou care
folosete ionii de Nd
3+
sub form de impuriti introduse ntr-un cristal de
YAG (formula acestui cristal de granat de Y i Al impurificat este: Nd
x
Y
3-
x
Al
5
O
12
dar pe scurt se noteaz Nd
3+
:YAG, sau Nd:YAG. Tipic concentraia
de Nd n granat este de 1, 310
26
m
-3
. Acest tip de cristal este de culoare roz
pal. Laserul Nd:YAG este considerat un laser cu 4 nivele energetice
corespunztoare ionului Nd
3+
. Ctigul acestui laser este substanial mai
bun dect cel al laserului cu rubin datorit faptului c este un laser cu 4
nivele (Figura 1.8).

Figura 1.8: Nivelele energetice n laserul Nd:YAG

Nivelul 1 are energia de 0, 2eV fa de nivelul fundamental, o energie
suficient de mare fa 4 de k
B
T = 0.026 eV la temperatura camerei, nct se
poate considera c n condiii normale de temperatur acest nivel practic nu
este populat. Pompajul se realizeaz pe nivelul 3, format din 3 benzi de
absorbie largi, de aproximativ 30 nm, centrate pe 810, 750, 585 i


32

respectiv 525 nm. Timpul de via a nivelului 3 fa de nivelul 2 este foarte
mic (t
32
100 ns), n comparaie cu timpul de via pentru tranziia spontan
t
sp
1,2 ms. Timpul de via a nivelului 1 este de aproximativ 30 ns, astfel
nct se poate realiza inversia de populaie ntre nivelul 1 i 2, ntre care are
loc tranziia laser corespunztoare ( = 1,064mm).
Pompajul laserului Nd:YAG se poate realiza fie optic direct pe nivelele
de absorbie ca i n cazul laserului cu rubin fie, mai eficient, prin utilizarea
unor laseri cu semiconductori. Randamentul laserului Nd:YAG este de
aproximativ 2-3%, fiind randamentul cel mai mare pentru laserii cu solid, cu
excepia laserilor cu semiconductori. Cavitatea rezonant este
asemntoare celei utilizate n cazul laserului cu rubin.
Laserul Nd:YAG este un laser care funcioneaz n regim continuu i
se obin puteri de pn la 50-100 W. De asemenea, laserul cu Nd: YAG
poate funciona i n mod blocat, ceea ce permite atingerea unui puls scurt
> 20 ps cu un intervalul de timp ntre pulsuri de 1-3 ns. Laserul Nd : YAG
este un instrument folosit intens n ablaie, datorit faptului c prin efectele
termice pe care le produce poate provoca vaporizarea i/sau tierea
diferitelor tipuri de inte. Singura problem care se ridic n calea utilizrii pe
scar larg a acestui tip de laser n chirurgie este costul ridicat al fibrelor
optice i a sondelor utilizate pentru transmiterea radiaiei.
n ultimii ani s-au realizat o serie ntreag de laseri care utilizeaz
cristalul YAG, dar impurificarea se face cu ioni diferii. Astfel: laserul
Holmiu:YAG este un laser n infrarou =2,1m, laserul Erbiu:YAG emite tot
n infrarou = 2,94 m




33

1 1. .5 5. .4 4. . L La as se er ru ul l c cu u e ex xc ci im me er r

Laserul cu excimer ocup un loc deosebit n panoplia laserilor din
lume. Acesta este dat de faptul c sunt laseri care emit n ultraviolet
(lungimea de und pentru ArF este = 193 nm, iar pentru KrF are valoarea
= 248nm) i pentru c folosesc drept mediu activ molecule excimere.
Aceste molecule sunt fluoruri de gaze nobile (exemplu KrF) care nu pot
exista dect n stri electronice excitate, deoarece starea fundamental este
o stare repulsiv (de aici i denumirea de excimer). Tranziia laser are loc
ntre nivelul excitat i nivelul fundamental, ntre care exist o inversie de
populaie natural (nu exist molecule n starea fundamental).
Halogenurile gazelor rare se formeaz rapid n stare excitat, deoarece
gazul nobil n stare excitat are aceeai afinitate pentru halogeni ca i
metalele alcaline. Laserul cu excimer lucreaz n regim pulsat cu o energie
maxim pe puls de aproximativ 500 mJ.

Figura 1.9: Tranziia laser la un laser cu excimer (ex. KrF)
Distana interatomic
E
n
e
r
g
i
a

Tranziia laser
Curba energiei pentru
atomii separai nelegai
Curba energiei pentru
starea legat (excitat)


34

Atunci cnd speciile atomice componente nu sunt legate, energia
sistemului depinde de distana de separare ntre atomii individuali: la
apropierea acestora energia crete. Nivelul energetic inferior ntr-un laser cu
excimeri este definit pentru separare ntre halogen i atomii de gaz inert.
Aceasta este starea normal pentru o specie inert ca argon, krypton,
xenon, care n mod normal nu formeaz compui cu ali atomi. Starea
energetic superioar se formeaz atunci cnd atomii ineri i halogenul
formeaz molecula de excimer. Energia acesteia este mult superioar dect
a sistemului de atomi nelegat i de asemenea depinde de distana
interatomic, n mod similar ca pentru orice alt molecul, fiind posibile
numeroase nivele de vibraie. Totalitatea acestora formeaz o band
superioar de pe care are loc tranziia laser.


1 1. .5 5. .5 5. . L La as se er ru ul l c cu u c co ol lo or ra an nt t

Moleculele coloranilor organici sunt molecule mari i foarte
complexe. Ca orice molecul complex, i molecula de colorant are stri
energetice de vibraie i rotaie att n starea de singlet (S) ct i n starea
de triplet (T) (v. Figura 1.10). Strile de singlet au un electron cu spinul
antiparalel cu ceilali electroni n timp ce n starea de triplet electronii au
spinii orientai paralel. Tranziiile laser au loc ntre diferite nivele energetice,
astfel nct laserul cu colorant este un laser acordabil (lungimea de und a
radiaiei fotonilor laser variaz funcie de nivelele energetice ntre care are
loc tranziia). De exemplu: laserul cu rodamin-6G este acordabil n mod
continuu ntr-un domeniu de lungimi de und cuprins ntre 560 nm i 640
nm. Pompajul la acest laser se realizeaz de obicei prin utilizarea radiaiei
provenite de la un alt laser (de obicei cu Ar+). Laserul cu rodamin


35

funcioneaz n regim continuu i are o putere maxim n fascicul de
100mW.

Figura 1.10: Nivelele energetice n laserul cu colorant

1 1. .5 5. .6 6. . L La as se er ru ul l c cu u C CO O2 2

Laserul cu CO
2
este unul din cei mai eficieni laseri care emit n
infrarou. Acest tip de laser lucreaz n mod continuu i poate ajunge la o
putere maxim n fascicul de 100W. n laserul cu CO
2
(i n general n cazul
laserilor a cror mediu activ este un gaz poliatomic: N
2
, CO, HCl etc.)
tranziiile laser au loc ntre diverse nivele energetice de vibraie (v. Figura
1.11) caracterizate de numerele cuantice de vibraie corespunztoare notate
aici (q
1
, q
2
, q
3
) corespunztoare modului simetric i antisimetric de vibraie
dar i unei micri de vibraie tip ndoire7. Inversia de populaie este
realizat prin ciocniri ale moleculei de CO
2
cu moleculele excitate de N
2

(obinute ntr-o descrcare n atmosfer de azot).


36


Figura 1.11: Nivelele energetice de vibraie a moleculei de CO
2
utilizate la tranziiile laser.

1 1. .5 5. .7 7. . L La as se er ru ul l c cu u A Ar r+ +

Laserul cu Ar+ este un laser care lucreaz n mod continuu, iar
principalele tranziii laser corespund unor lungimi de und de 514,5 nm
(verde) i respectiv 488 nm (albastru). Fiind un laser cu emisie n domeniul
vizibil al spectrului electromagnetic, se pot utiliza cu succes fibrele optice
pentru dirijarea fasciculului ctre zona de interes n diverse aplicaii. Puterea
maxim emisiei laser pe 514 nm este de aproximativ 10 W. Ionizarea i
pompajul se realizeaz ntr-o descrcare continu n gaz la o presiune mic
(110 torr). Un asemenea sistem are un randament sczut, de aproximativ
0, 05%. Pentru a crete eficiena emisiei laser se aplic un cmp magnetic
axial de 500-1000 Gs, ceea ce duce implicit la creterea densitii de curent
pe descrcare.




37

1 1. .5 5. .8 8. . L La as se er ru ul l c cu u H He e N Ne e

Laserul cu He - Ne este unul din cele mai utilizate dispozitive n
diverse aplicaii, deoarece poate fi realizat n variante compacte i relativ
ieftine. Schema nivelelor energetice pentru laserul He-Ne este prezentat n
Figura 1.12.

Laserul He-Ne poate emite n vizibil = 632,8 nm i n infrarou = 3.39 m
n mod continuu cu o putere de aproximativ 1mW. Pompajul n cazul
laserilor cu He-Ne se realizeaz prin obinerea unei descrcri n He n care
predomin procesele de ionizare:
He + e
-
He
+
+ 2e
-
i de excitare:
He + e
-
He
*
+ e
-
Atomul de Ne este adus n stare excitat prin ciocniri cu atomii de He
*
:
Ne + He
*
Ne
*
+ He
Figura 1.12: Schema nivelelor energetice n
laserul He-Ne
Starea fundamental
Tranziia laser
E
n
e
r
g
i
a

[
c
m
-
1
]

E
x
c
i
t
a
r
e

d
i
n

s
t
a
r
e
a

f
u
n
d
a
m
e
n
t
a
l

ciocniri
HELIU NEON


38

1 1. .5 5. .9 9. . L La as se er ru ul l c cu u e el le ec ct tr ro on ni i l li ib be er ri i

Laserul cu electroni liberi, prescurtat FEL (free electron laser)
utilizeaz un cmp magnetic variabil produs de un ansamblu de magnei
aezai periodic cu polariti alternante. Mediul activ este format dintr-un
fascicul de electroni relativiti care se mic n acest cmp magnetic
variabil. Aceti electroni nu sunt legai n atomi (de aici i denumirea de
laser cu electroni liberi), dar nici nu sunt electroni cu adevrat liberi,
deoarece micarea acestora este guvernat de cmpul magnetic variabil.
Prin dirijarea micrii n cmpul magnetic variabil electronii pot fi accelerai
(n cazul acesta are loc echivalentul inversiunii de populaie) i apoi toi
aceti electroni sunt frnai puternic cnd are loc emisia stimulat. Prin
modul n care are loc emisia laser n cazul laserului cu electroni liberi (n
funcie de energia fasciculului de electroni i de perioada cmpului
magnetic) fotonii emii pot avea lungimi de und de la ultraviolet pn la
infrarou ndeprtat. De exemplu: laserul cu electroni liberi de la
Universitatea Paris emite n ultraviolet 200 nm, la Universitatea Stanford,
California emite n vizibil i infrarou
0
= 500 nm -10 m. De regul, acest
tip de laser lucreaz n mod pulsat cu o energie de emisie laser pe puls de
aproximativ 1 mJ.
Prin excelen, laserul cu electroni liberi este utilizat n cercetare
deoarece pentru realizarea acestuia este nevoie de obinerea unor fascicule
de electroni relativiste cu o energie foarte bine controlat. Marele avantaj al
laserului cu electroni liberi const n faptul c se poate controla foarte bine
energia fasciculului laser, modul de aplicare a pulsurilor laser i nu n ultimul
rnd lungimea de und a radiaiei laser.




39


1 1. .6 6. . A AP PL LI IC CA A I II I A AL LE E L LA AS SE ER RI IL LO OR R
1 1. .6 6. .1 1. . A Ap pl li ic ca a i ii i n n t ti ii in n . .
a) n spectroscopie. Monocromaticitatea pronunat i intensitatea
mare a semnalelor emise de laseri fac ca aceste dispozitive s aib largi
aplicaii n spectroscopie. n baza monocromaticitii pronunate, laserii duc
la o cretere cu trei ordine de mrime a preciziei spectroscoapelor optice i
la creterea puterii de rezoluie.
b) n interferometrie. n msurtori interferometrice, se calculeaz
numrul de treceri prin maxim ale intensitii luminii n centrul imaginii de
interferen, produs de interferometrul Michelson la deplasarea uneia
dintre oglinzile interferometrului de la o poziie la alta.
Utiliznd sursa de lumin obinuit, este dificil s se observe franjele
de interferen cnd diferena de drum depete cm 50 . Aceast dificultate
este legat n special, de coerena slab a luminii emise de aceste surse.
Datorit coerenei, monocromaticitii i intensitii remarcabile ale radiaiei
emise de laser, observarea franjelor este posibil cel puin n principiu
pentru diferene de drum de ordinul ctorva kilometri.
c) Modificri produse n materie. Direcionalitatea mare a semnalului
laser este echivalent cu propagarea ntregului semnal ntr-un singur mod
de und. O astfel de und poate fi localizat ntr-un spot foarte mic.
ntr-un cmp, de exemplu electric, foarte intens, atomii sau moleculele
pot interaciona ntr-un mod straniu i neprevzut. De aici rezult utilizarea
undelor laser pentru studierea cmpului cristalin i al legturilor inter- sau
chiar intraatomice.


40

d) Verificarea ipotezei eterului. Calitile deosebite ale semnalelor de
tip laser au fcut posibil efectuarea cu foarte mare precizie a experienelor
de tip Michelson Morley pentru a proba existena posibil a eterului n
univers.
e) Msurarea vitezei luminii.
f) Etaloane de frecven i lungime.
g) Msurtori geodezice i atmosferice.
1 1. .6 6. .2 2. . A Ap pl li ic ca a i ii i a al le e l la as se er ri il lo or r n n t te eh hn ni ic c

a) Comunicaii. Fasciculele de radiaii emise de laseri fiind puternic
coerente, monocromatice, foarte intense i direcionale i avnd o frecven
mult mai mare (de
14
10 ori) dect frecvena undelor radio utilizate n prezent
n probleme de comunicaii, sunt ideale pentru acest scop. De exemplu, n
televiziune, unda purttoare transmite un semnal cu o lungime de band
efectiv de MHz 4 , pe cnd un singur fascicul laser poate purta un semnal
cu o lrgime de band de MHz 100000 , semnal care poate transporta o
cantitate de informaii echivalent cu cea transmis de toate canalele de
comunicaii radio existente. Problema care se ridic acum este, ns,
gsirea modului de a putea folosi n mod curent laserul n acest scop.
b) Radarul. Intensitatea mare i direcionalitatea pronunat a
fasciculelor de lumin emise de laseri fac ca aceste dispozitive s poat fi
utilizate cu succes la construirea radarului optic, numit i colidar.
c) Industrie. Pentru aplicaiile industriale ale laserilor se utilizeaz
intensitatea i direcionalitatea radiaiilor laser, proprieti care dau
posibilitatea s se concentreze energii cu densiti foarte mari pe suprafee
foarte mici. Astfel, concentrnd fasciculul unui laser cu rubin cu ajutorul unei
lentile cu distana focal de 4 cm, energia fasciculului n focar poate atinge


41

2 6
10 75 2 cm calorii , , valoare care ntrece energia emis de orice alt surs
de energie radiant.
O asemenea concentrare de energie poate avea multe aplicaii
industriale dintre care amintim:
- utiliznd un numr mare de fascicule laser focalizate ntr-un punct comun
se poate realiza o temperatur extrem de nalt, necesar declanrii
reaciilor termonucleare;
- un fascicul laser puternic, focalizat ntr-un punct n aer poate produce
ionizarea aerului n punctul respectiv, crend o scnteie. n baza acestui
fenomen se fac cercetri n privina nlocuirii combustibilului utilizat n
funcionarea automobilelor;
- posibilitatea utilizrii fasciculelor laser pentru efectuarea unor perforaii
foarte fine, pentru tierea unor materiale dure i pentru sudare;
- n chirurgie, n special n oftalmologie la sudarea retinei, distrugerea
tumorilor observate pe retin, practicarea unei pupile artificiale ntr-un iris n
care aceasta nu exist etc.
1 1. .6 6. .3 3. . H Ho ol lo og gr ra af fi ia a

Holografia este o metod de nregistrare a imaginilor, care nu
utilizeaz numai intensitatea i lungimea de und a luminii reflectate de pe
obiecte, ci i faza acesteia. Prin aceast metod se pot nregistra i cele
mai mici deformaii, din care cauz ea este folosit cu deosebit succes i n
defectoscopia nedistructiv.
Pentru a se putea utiliza faza luminii reflectate n obiecte, sursele de
lumin folosite n holografie trebuie s emit radiaii cu o anumit valoare
bine determinat a fazei. Laserul este o surs de lumin care ndeplinete
aceast condiie, ntruct, dup cum se tie, acesta emite lumin coerent.


42

Lungimea de und este o mrime caracteristic fiecrui tip de laser. De
exemplu :
- laserul Ne - He emite
o
A 6328 ;
- laserul cu rubin emite
o
A 6943 ;
- laserul cu neobiu emite
o
A 10600 ;

n funcie de mediul care produce efectul laser putem aminti laserul cu
gaz ( Ne - He ), laserul cu cristal (laserul cu rubin) sau laserul cu mediu solid
( As - Ga ).
Se tie c atunci cnd ntr-un punct se ntlnesc dou unde coerente,
ele interfer. Atunci cnd cele dou unde trec simultan prin amplitudinea
maxim, simultan prin zero .a.m.d. interferena va fi constructiv i
intensitatea rezultant va crete (fig. 1.13).
Cnd oscilaiile celor dou unde ating simultan amplitudinea maxim,
dar n sensuri contrarii i trec simultan prin starea de amplitudine zero (fig.
1.14) interferena va fi distructiv. Cele dou unde se anuleaz reciproc i
va rezulta extincia:
A
A
0
0
t
t
0
t
Figura 1.13: Interferena constructiv


43

Evident c dac dou unde luminoase monocromatice sunt
compuse se pot produce toate strile intermediare de la starea de
intensitate maxim pn la zero, funcie de valorile diferenei de drum a
celor dou unde.
n Figura 1.15 este artat principiul metodei de expunere holografic.
Laserul (1) emite un fascicul luminos coerent (2) care este, n parte,
transmis i n parte, reflectat de o oglind semitransparent (3). Fasciculul
transmis (7), denumit i fascicul obiect, este trecut printr-o lentil (8) care
determin iluminarea complet a obiectului de examinat (9). Din fiecare
10
9
8
7
5
4
3
2
1
6
Figura 1.15: Expunerea holografic
A
A
0
0
t
t
0
t
Figura 1.14 Interferena distructiv


44

punct de pe obiect, lumina este reflectat n toate direciile i de aceea, raze
reflectate de pe obiect (10) ajung i pe materialul fotografic.
Fiecrei raze reflectat de pe obiect i care ajunge pe emulsia
fotografic i se asociaz o raz din fasciculul de referin. Cele dou raze
fiind coerente interfer genernd puncte de minim sau maxim de intensitate,
n funcie de valoarea diferenei de drum. n acest fel, dup prelucrarea
materialului fotografic rezult o imagine cu zone de intensitate mai mare sau
mai mic, imagine care este numit hologram.
Imaginea de pe hologram poate fi folosit pentru reconstrucia
imaginii obiectului studiat. Pentru aceasta se folosete (Figura 1.16) tot un
laser (1) sau o alt surs punctiform de lumin monocromatic. Fasciculul
laser (2) este trimis pe holograma (4) prin intermediul unei lentile (3) sub un
unghi aproximativ egal cu cel fcut de fasciculul de referin n timpul
nregistrrii.


45

Ochiul observatorului (5) percepe imaginea dar nu poate discerne
dac imaginea i are originea direct pe obiect sau este generat de razele
difractate de hologram. Ochiul vede aceast imagine n poziia n care s-a
aflat obiectul n timpul nregistrrii.
n afara imaginii virtuale (7), care se formeaz n partea dinspre
surs, se mai formeaz i o imagine real (8) n spatele hologramei, deci de
partea observatorului.
Dac se nltur argintul de pe hologram, prin decolorare, se obine
o aa-numit hologram de faz. n acest caz, la reconstrucia imaginii, se
folosete numai faza luminii.
Aplicaii.
n aplicaiile holografiei nu intereseaz att de mult faptul c imaginea
care se obine este tridimensional, ct faptul c holografia ne ofer
posibilitatea de a detecta i msura deformaii foarte mici prin intermediul
interferometriei holografice. Aceast metod const n a holografia obiectul ,
Figura 1.16: Reconstrucia imaginii


46

un timp egal cu jumtatea din timpul normal de expunere. Apoi se supune
obiectul unei compresiuni sau diferene de temperatur i, n final, se
realizeaz o nou expunere holografic un timp egal cu cealalt jumtate
din timpul normal de expunere. La reconstituire, fronturile de und
genereaz o interferen macroscopic care poate furniza informaii cu
privire la structura intern a probei. Aceast tehnic este folosit, n special,
n industria de cauciucuri i n construcia avioanelor.
Materialele fotosensibile utilizate n holografie trebuie s
ndeplineasc unele condiii specifice legate de sensibilitatea la culoare
(corelat cu radiaia laser) i puterea de rezoluie (trebuie s fie foarte
nalt).



47

2. N NO O I IU UN NI I D DE E F FI IZ ZI IC CA A P PL LA AS SM ME EI I I I
A AP PL LI IC CA A I II I

n perioada anilor 1921 1923 denumirea de plasme era atribuit
gazelor ionizate obinute n laborator. n astfel de gaze exist un numr
suficient de mare de purttori de sarcin electric: ioni i electroni. ntr-o
plasm numrul ionilor pozitivi este, n medie, egal cu numrul electronilor i
al ionilor negativi, din unitatea de volum. n afara acestor purttori de
sarcin n plasm se mai gsesc i atomi i molecule neionizate.
Plasma reprezint cea de-a patra stare de agregare a materiei n care
se afl cca. 95 % din materia universului. Un interes deosebit l reprezint
plasmele reci: K
5
10 T < care au importante aplicaii practice i plasmele
fierbini: K 10 T
5
> care permit realizarea fuziunii nucleare i explicarea unor
fenomene astronomice.
Fora electromagnetic este n general responsabil de crearea
structurilor: ex. atomi stabili i molecule, solide cristaline. De fapt, cele mai
larg studiate consecine ale forei electromagnetice sunt obiectul Fizicii strii
solide, disciplin dezvoltat pentru nelegerea n esen a structurilor
statice.
Plasate ntr-un mediu suficient de fierbinte, structurile se descompun:
de exemplu cristalele se topesc, moleculele disociaz. La temperaturi ce
depesc energia de disociere atomic, n mod similar, atomii se
descompun n sarcini electrice negative, electronii, i ioni pozitivi. Aceste
particule nu vor fi n continuare libere, ci interacioneaz prin cmpurile
electromagnetice. Totui, pentru c sarcinile nu mai sunt legate, ansamblul
lor devine capabil de micri colective de mare complexitate. Un astfel de
ansamblu este denumit plasm.


48

Desigur, sistemele mrginite pot avea o structur extrem de
complex, de exemplu proteinele. Complexitatea n plasm este diferit,
fiind att temporal, ct i spaial. Aceasta este caracterizat predominant
excitarea unei varieti imense de comportamente dinamice colective.
Deoarece descompunerea termic rupe legturile interatomice,
majoritatea plasmelor sunt gazoase. De fapt, plasma este uneori definit ca
un gaz suficient ionizat pentru a prezenta un comportament de tip plasm.
De notat c un comportament tip plasm este asigurat chiar i de ionizarea
unei fracii remarcabile de mici de atomi. Astfel, gazele parial ionizate
prezint i cele mai exotice fenomene caracteristice gazelor total ionizate.
Plasma rezultat de ionizarea gazelor neutre conine n general un
numr egal de purttori de sarcin pozitiv i negativ. n aceast situaie,
fluidele ncrcate opus sunt puternic cuplate i tind s se neutralizeze la
scar microscopic. Aceste plasme sunt denumite cvasi-neutre (cvasi
pentru c deviaii mici de la neutralitate au consecine dinamice importante
pentru anumite tipuri de comportamente ale plasmei).
Plasmele puternic non-neutre, care pot conine sarcini chiar de un
singur semn, sunt ntlnite n primul rnd n experimentele de laborator.
Echilibrul lor depinde de existena unui cmp magnetic puternic n care
fluidul ncrcat se rotete.
Deseori se remarc coninutul Universului de aproximativ 95% din
plasm, dei acest fapt este imposibil de verificat. n stadiile iniiale ale
Universului totul a fost plasm. n prezent, stelele i spaiul interstelar conin
plasm. Sistemul solar de asemenea conine plasm sub forma vntului
solar, iar Pmntul este complet nconjurat de plasma trapat de cmpul
magnetic (ionosfera). Plasmele terestre nu sunt greu de identificat. Ele apar
n lmpile incandescente, o varietate de experimente de laborator, o serie n
cretere de procese industriale. Lichidele i chiar solidele prezint ocazional


49

efectele colective electromagnetice caracteristice strii de plasm: de
exemplu mercurul lichid prezint unde Alfven ce apar convenional n
plasme.
n continuare se prezint unele aspecte legate de trecerea curentului
electric prin gaze care stau la baza producerii plasmei n laborator i n
tehnic.
2 2. .1 1. . C CU UR RE EN NT TU UL L E EL LE EC CT TR RI IC C P PR RI IN N G GA AZ ZE E

Trecerea curentului electric prin gaze este cunoscut sub denumirea
de descrcare electric n gaze. Gazele n condiii normale conin, spre
deosebire de metale i electrolii, un numr redus de purttori de sarcini. n
anumite condiii n gaze pot s apar purttorii liberi de sarcin electric,
deci poate avea loc o descrcare electric n gaz. Dac purttorii de
sarcin, liberi, apar sub aciunea unor factori externi: iradierea cu radiaii X ,
sau ultraviolete, etc., independent de prezena unui cmp electric extern,
descrcarea electric n gaz se numete ntreinut sau dependent. Cnd
purttorii apar n urma unor procese care au loc n gaz datorit cmpului
electric extern, n care se afl gazul, descrcarea electric este nentreinut
sau independent. Deosebirea dintre cele dou tipuri de descrcri const
n aceea c la ncetarea factorului extern care le provoac descrcrile
dependente nceteaz, n timp ce descrcrile independente continu.
Notnd cu
0
N numrul de molecule (atomi) din volumul V de gaz
(
V
N
n
0
0
= concentraia lor) i admind c se ionizeaz N molecule (deci se
formeaz N perechi de ioni pozitivi i negativi: N N N = =
+
) atunci
concentraia ionilor de un anumit semn este N/V n = i putem defini gradul de
ionizare:


50

0 0
n
n
N
N
= = . (2.1)
Numrul i concentraia moleculelor neutre rmase n gaz vor fi:
) - (1 N N - N N
0 0
= = , (2.2)
) - (1 n n - n n
0 0
= = .
Deci numrul de perechi de ioni N ce apar n timpul t n volumul
V va fi:
t V n t N t N N
0 0
= = = (2.3)
unde este coeficientul de ionizare care depinde de natura gazului i
proprietile particulelor ionizate.
Procesul de ionizare este nsoit i de procesul invers: recombinarea
ionilor. Probabilitatea recombinrii este proporional cu produsul
2
-
N N N =
+
, cu intervalul de timp t i invers proporional cu volumul
V ocupat de gaz, deoarece recombinarea va fi cu att mai rapid cu ct ionii
sunt mai apropiai. Deci numrul de recombinri
r
N din timpul t va fi:
t V n
V
t
N N
2 2
r
=

= (2.4)
unde este coeficientul de recombinare.
Cnd numrul ionizrilor din unitatea de timp
t
N

este egal cu
numrul recombinrilor din unitatea de timp
t
N
r

, n gaz se realizeaz
un echilibru dinamic ce corespunde unei concentraii de ioni:

=
0
n
n (2.5)
Sub aciunea radiaiilor solare pturile superioare ale atmosferei se
ionizeaz, astfel c ntre atitudinile de 70 km i 300 km. Pmntul este
nconjurat de o centur natural de plasm numit ionosfer. n ionosfer
concentraia perechilor de ioni este de
-3 6
cm 10 n = , iar concentraia


51

particulelor neutre
-3 8
0
cm 10 n = i deci 0,01 = . Ionosfera este utilizat n
scopul reflectrii radioundelor napoi pe Pmnt. Fluctuaiile concentraiei n
din ionosfer influeneaz foarte mult calitatea recepiilor radio i de
televiziune.
Pentru a studia variaia densitii de curent j dintr-un gaz funcie de
tensiuneaU aplicat, la o concentraie de echilibru a perechilor de ioni n ,
folosim montajul din Figura 2.1, n care B este un tub prevzut cu doi
electrozi: anodul A i catodul C.
ntre electrozi va apare un
cmp electric U/d E = iar
densitatea curentului din circuit va
fi:
E ) ( n e ) v (v n e j
- -
+ = + =
+ +
(2.6)
unde
+
i
-
sunt mobilitile
ionilor pozitivi i a purttorilor
negativi.
n cazul metalelor sau electroliilor formula (2.6) reprezint legea lui
Ohm deoarece concentraia n a purttorilor de sarcin nu depinde de
densitatea de curent. La gaze, la trecerea curentului electric numrul de ioni
din unitatea de volum a gazului se micoreaz cu:

e
t S j
e
t I
e
q
N
c

=

=

= (2.7)
unde S este aria electrozilor, iar I intensitatea curentului din circuit.
Condiia de echilibru dinamic se scrie:
c r
N N N + =
sau:
Figura 2.1


52


e
S j
V n V n
2
0

+ =
i innd seama c: d S V = obinem:

ed
j
n n + =
2
0
(2.8)
Introducnd concentraia n din (2.8) n (2.6) rezult:
)
E ) (
d n
(
d
E ) ( e
j 1
4
1
2
2 2
2
0
2 2

+

+

+
=
+
+
(2.9)
Pentru cmpuri electronice de intensiti mici factorul
( )
1
2
>>
+

+
E
d n 4
2
0

i din relaia (2.9) obinem legea lui Ohm.
n cazul cmpurilor intense, factorul amintit este mult mai mic dect
unitatea, deci
s
j d n e )
E ) (
d n
( E
d
) ( e
j = =
+

+

+

+
+
0
2 2
2
0 2
2
1
2
1
2
(2.10)
care reprezint densitatea curentului de
saturaie egal cu densitatea maxim de
curent care se poate obine n absena
ionizrilor secundare produse de purttorii de
sarcini electrice accelerai n cmpul electric
dintre electrozi.
n Figura 2.2 este reprezentat
dependena descris de relaia (2.10).
Experimental se constat c pentru
tensiuni
3
U U > densitatea de curent ncepe s creasc brusc (CD). Aceast
cretere se datoreaz fenomenului de ionizare n avalan n urma cruia
numrul de ionizri crete n progresie geometric. Dar prezena
avalanelor electronice nu este suficient pentru ca o descrcare s devin
U U U
A
B C
D
U 0
j
j
Figura 2.2
j


53

independent: mai este necesar ca i ionii pozitivi s posede energia
necesar producerii ionizrii prin ciocniri. n acest fel descrcarea
independent reprezint avalane de ioni negativi i pozitivi care se
propag n sensuri opuse. Tensiunea
a
U de la care are loc trecerea
descrcrii dependente n independent se numete tensiunea de
aprinderea descrcrii. Aceast tensiune este dependent de produsul
dintre presiunea gazului p i distana d dintre electrozi (legea lui Paschen).
n funcie de presiunea gazului, de configuraia electrozilor i de
parametrii circuitului electronic exterior descrcrile independente sunt de
mai multe tipuri din care se prezint urmtoarele patru.
a) Descrcarea luminiscent se observ ntr-un tub prevzut cu doi
electrozi (A i C) aflai la o diferen de potenial de1000 V. Abia la o
presiune de mmHg 50 - 40 n tub apare o descrcare electric de forma unei
benzi luminoase care unete catodul cu anodul. La presiunea de mmHg 0,5
descrcarea independent cuprinde gazul din tub n ntreg volumul su
aprnd regiuni cu luminoziti diferite (Figura 2.3a), iar tensiunea U este
distribuit neuniform ntre anod i catod (Figura 2.3b).
Cea mai mare cdere de tensiune are loc ntre catod i limita de
separare a spaiului ntunecat Crookes de lumina negativ. Conductibilitatea
U
A C
- +
Spatiul
intunecat
Aston
Lumina
negativa
Coloana
pozitiva
Lumina
anodica
intunecat
anodic
Lumina
catodica
Spatiul
intunecat
Crookes
Spatiul
intunecat
Faraday
a) b)
Figura 2.3
Spatiul


54

electric a gazului n descrcarea luminiscent este asigurat de micarea
electronilor i a ionilor pozitivi care scot electroni din catod.
n lungul coloanei pozitive tensiunea variaz liniar, deci intensitatea
cmpului electric este practic constant, de valoare foarte mic, aproape
nul.
Asadar densitatea global de sarcin electrica este practic nul, ceea
ce corespunde egalitii aproximative a densitilor volumice ale sarcinilor
electrice pozitive i negative, n condiiile n care fiecare din aceste densiti
are o valoare relativ mare. Aceast stare a gazului a fost numit pentru
prima dat plasm. Electronii emii de catod, accelerai puternic ntre catod
i lumina negativ, capt o energie suficient de mare pentru a putea
produce ionizri prin ciocniri. Efectul luminos se datoreaz recombinrilor
ionilor precum i dezexcitrii atomilor i moleculelor excitate prin ciocniri cu
purttori de sarcini accelerai. Culoarea luminii obinute depinde de natura
gazului din tub.
b) Descrcarea n arc se observ ntre doi electrozi de crbune aflai
iniial n contact la o diferen de potenial i apoi deprtai. Cnd electrozii
sunt orizontali lumina dintre ei are forma unui arc. Caracteristica
fundamental a descrcrii const n intensitatea foarte mare a curentului
electric (mii de amperi) la tensiuni de cteva zeci de voli, chiar atunci cnd
are loc n aer la presiunea atmosferic. Descrcarea n arc poate avea loc
att la presiuni joase (civa mm Hg), ct i la presiuni foarte nalte (1000
atm.). Procesele care ntrein descrcarea sunt emisia termoelectronic de
pe suprafaa catodului incandescent i ionizarea termic a moleculelor
datorit temperaturii foarte ridicate la care se afl gazul ntre electrozi.
Spaiul dintre electrozi este practic complet ocupat de plasma aflat la
temperaturi ridicate, care servete drept conductor prin care electronii ajung
de la catod la anod.


55

Temperatura plasmei n arc este de 6000 K (ca i pe suprafaa
Soarelui), iar n cazul presiunilor ridicate (1000 atm) temperatura plasmei
poate depi K 10
4
. Catodul bombardat de ionii pozitivi atinge temperaturi
de K 3500 , iar anodul bombardat de electronii cu energii foarte mari se
nclzete i mai mult.

c) Descrcarea n scnteie se produce atunci cnd gazul se gsete
ntr-un cmp electric de intensitate egal sau mai mare dect intensitatea
cmpului electric de strpungere al gazului respectiv. La presiune normal
intensitatea cmpului electric de strpungere este de
cm
V
3
4
10 i crete
proporional cu presiunea p a gazului. Descrcarea n scnteie are un
caracter oscilant i complicat, chiar la o tensiune constant, prezentndu-se
sub forma unui fascicul de fire subiri, strlucitoare care se ramific n zig-
zag i care, foarte des, se ntrerup nainte de a ajunge la electrodul opus.
Temperatura gazului n canalul scnteii poate ajunge la K 10
4
, iar nclzirea
sa rapid duce la o cretere puternic a presiunii, nsoindu-se de unde
sonore i de oc. Descrcarea electric n scnteie se explic prin teoria
strimerilor conform creia multiplicarea ionilor se datoreaz ionizrii n
volum a gazului prin ciocniri electronice i fotoionizri.
Cnd forma electrozilor este astfel aleas nct ntre electrozi s se
genereze un cmp electric omogen (de exemplu sfere cu diametru mare),
atunci descrcarea n scnteie apare la o tensiune bine determinat. Pe
aceasta se bazeaz construcia voltmetrelor cu scnteie utilizate la
msurarea tensiunilor nalte.
d) Descrcarea n coroan la care ionizarea moleculelor nu are loc pe
ntreg spaiul dintre electrozi, ci numai n apropierea electrodului cu raz de
curbur mai mic, unde intensitatea cmpului electric atinge valoarea de
scnteie. Aceast descrcare poate fi observat i n jurul conductorilor


56

liniilor de nalt tensiune pentru transportul energiei electrice i are loc cu
pierdere de energie. Aceast descrcare se poate produce n jurul ambilor
electrozi conectai la sursa de tensiune. n cazul coroanei negative
fenomenele care au loc n jurul catodului sunt asemntoare celor care au
loc n descrcarea luminiscent. Ionii pozitivi accelerai n cmpul intens din
jurul catodului scot electroni din acesta. Aceti electroni vor cpta o
energie suficient pentru ionizarea gazului din stratul coroan.
Descrcarea n coroan apare i sub aciunea electricitii
atmosferice, pe vrful catargelor vapoarelor care plutesc la latitudini mici
sub forma unor fenomene luminoase
numite focurile sfntului Elm.
Fenomenul coroan este utilizat n
tehnic pentru purificarea gazelor, ca
electrofiltru (Figura 2.4): Gazul se
deplaseaz de-a lungul unui tub. Pe axa
acestuia se afl electrodul n jurul cruia se
formeaz coroana negativ. Ionii negativi
se depun pe impuritile din gaz, dirijndu-
le spre electrodul pozitiv.
2 2. .2 2. . C CV VA AS SI IN NE EU UT TR RA AL LI IT TA AT TE EA A P PL LA AS SM ME EI I

Fie un domeniu care conine o plasm cu numrul mediu de ioni
pozitivi i negativi pe unitatea de volum
+
n respectiv
-
n ale cror sarcini
sunt:
+
q i
-
q . Se consider c plasma formeaz un gaz ideal n care
energia potenial de interaciune ntre particulele ncrcate este mult mai
mic dect energia de agitaie termic.
Figura 2.4


57

kT
l
q q
<<

+
r
0
4
1
, (2.11)
unde l
r
este distana medie dintre ioni. ntre l
r
i
-
n n n + =
+
exist evident
relaia:

-1/3
n l . (2.12)
Din aceste relaii rezult c plasma poate fi considerat gaz ideal
dac:
3
0
4
|
|

\
|

<<
+
v
q q
kT
n . (2.13)
n acest caz particulele de plasma au o distribuie Maxwell n raport
cu vitezele i o repartiie uniform n volum.
ntr-un volum dV din jurul unui ion oarecare se vor afla
+
n , respectiv
-
n ioni pozitivi i negativi, n unitatea de volum. Reapariia acestor ioni n
elementul de volum considerat (Figura 2.5) este dat de legea lui
Boltzmann.
dV e n dV n
kT
U q
=

+ +
+
0
, dV e n dV n
kT
U q
=

0
(2.14)
unde U este potenialul care caracterizeaz interaciunea coulombian
dintre particule.
Deci ntre volumul dV va exista o sarcin:
dV e q n e q n dq
kT
U q
kT
U q
|
|

\
|
+ =

+ +
+
0 0
, (2.15)
a crei densitate volumic medie este: .
kT
U q
kT
U q
e q n e q n
dV
dq
) r (

+ +
+
+ = =
0 0
. (2.16)
innd seama de inegalitatea (2.13) dup dezvoltarea n serie a
exponenialelor obinem:
Figura 2.5


58

) r ( U
kT
q n q n
q n q n ) r (
+
+ =
+ +
+ +
2
0
2
0
0 0
(2.17)
Pentru o plasm cvasineutr din punct de vedere electric vom avea:
0 q n q n
- - 0 0
= +
+ +
, (2.18)
condiie ce rezult din rezolvarea problemei.
Pe baza relaiilor (2.17) i (2.18) se poate afla potenialul mediu (r) U
rezolvnd ecuaia lui Poisson:
) r ( U x
T k
q n q n ) r (
) r ( U =

+
=

=
+ + 2
2
0
2
0
. (2.19)
n coordonate sferice avem:
U x ) U r (
dr
d
r
2
2
2
1
= .. (2.20)
Soluia acestei ecuaii are forma:
r
e
A
r
e
A ) r ( U
r x r x
+ =
2 1
,
care are sens fizic numai dac 0 A
2
= , deoarece U(r) nu poate fi pentru
r .
Constanta
1
A se determin din condiia ca n apropierea ionului
0) (r O s avem un potenial coulombian:

xr
e
r
q
) r ( U
+

=
4
, (2.21)
i astfel se obine c la o distana 1/x r >> potenialul fiecrui ion poate fi
neglijat. Mrimea 1/x , unde x caracterizeaz viteza de scdere a
potenialului n jurul unui ion, este cunoscut sub denumirea de lungime
Debye
2
1
2
0
2
0
1
|
|

\
|
+

=
+ +
q n q n
kT
x
l
D
. (2.22)


59

Dac se consider cazul n care e q + =
+
, e - q
-
= , iar
e - 0 0
n n n = =
+
atunci
formula (2.22) capt forma:
|
|

\
|

e
D
n e
kT
l
2
. (2.23)
Cvasineutralitatea plasmei are sensul unei neutraliti medii ntr-un
domeniu de plasm mult mai mare dect o sfer de raz
D
l . Cum lungimea
Debye depinde de temperatura plasmei i concentraia electronilor pentru o
descrcare electric n arc (
-3 14
e
cm 10 n = i K 10 T
4
) se obine cm 10 l
-4
D
= ,
iar pentru plasmele interstelare rarefiate ( K 10 T , cm 1 n
4 -3
e
) se obine
cm 10 l
3
D
= . Deci din formula (2.23) rezult clar c lungimea Debye are i
sensul unei raze de ecranare a cmpului coulombian din jurul unui purttor
de sarcin electric din plasm.

Frecvena de plasmei
Pe lng rspunsul spaial, o plasm colectiv poate avea i un
rspuns temporal la perturbaiile care se produc n ea, rspuns datorat n
primul rnd particulelor cu mobilitate mai mare, adic electronilor. Ca
rspuns, acetia pot oscila n jurul poziiei lor de echilibru dnd natere la
aa-numitele oscilaii colective (oscilaii de plasm), oscilaii care se pot
propaga n volumul plasmei sub form de unde. Frecvena oscilaiilor de
plasm se numete frecvena plasmei, i este unul din parametrii importani
ai acestei stri.
Pentru a exprima cantitativ acest parametru se poate considera un
model simplificat unidimensional al unui electron din plasm asupra cruia,
la distana x fa de poziia de echilibru, acioneaz fora de revenire
datorat cmpului electric restaurator al neutralitii electrice, dat de relaia


60

x
e n
F
e
0
2

= (2.24)
Aceasta este o for de tip elastic, avnd constanta de elasticitate
0
2
/ e n k
e e
= , i frecvena unghiular de oscilaie
e e
m k /
p
= , unde
e
m este
masa electronului. Aceast frecven poate fi asociat i unui grup de
electroni care sunt ndeprtai simultan de la poziia de echilibru i ea este
cunoscut sub denumirea de frecvena plasmei,
e
e
p
m
e n
0
2

= (2.25)
Frecvena plasmei este un parametru important nu numai din punct de
vedere al oscilaiilor libere ale acesteia, ci i din punct de vedere al
rspunsului ei la perturbaii exterioare, cum ar fi de exemplu comportarea
plasmei fa de o und electromagnetic incident pe suprafaa ei. n
aceast situaie comportamentul este determinat de permitivitatea electric
a ei. Pentru a o exprima sub form analitic, se poate considera o oscilaie
electric armonic de forma ) exp(
0
t i E E
x x
= incident pe suprafaa plasmei
n direcia Ox. Integrnd de dou ori ecuaia diferenial a micrii n acest
cmp,
x
eE dt x d =
2 2
/ se obine expresia deplasrii x a electronului,
deplasare creia i se poate asocia un moment dipolar ex p = , dat de
expresia:
x
e
E
m
e
p
2
2

= (2.26)
Suma tuturor momentelor dipolare din unitatea de volum se definete ca
fiind polarizarea plasmei, P:
x
e
e
E
m
e n
P
2
2

= (2.27)


61

Dac plasma este presupus izotrop, atunci permitivitatea electric relativ
a ei este:
x
x
r
E
P E
0
0

+
= (2.28)
nlocuind n relaia precedent expresia polarizrii dat de relaia (1.27) i
innd seama de expresia frecvenei de plasm (1.24), se obine pentru
permitivitatea relativ a plasmei o funcie de frecvena oscilaiei incidente:
2
1
|
|

\
|
=

p
r

Se poate observa c, n funcie de raportul dintre frecvena radiaiei
incidente i frecvena plasmei, permitivitatea electric relativ poate lua att
valori negative ct i valori pozitive. Astfel, dac frecvena radiaiei incidente
este mai mic dect frecvena de plasm permitivitatea relativ a plasmei
este negativ, ceea ce n termeni fizici se traduce prin aceea c plasma nu
permite trecerea radiaiei prin ea. Radiaia este total reflectat de ctre
plasm. Perturbaia exterioar este dominat de oscilaiile proprii ale
plasmei n scopul meninerii cvasineutralitii deoarece cmpul exterior are
tendina de a separa sarcinile electrice. Pentru frecvene ale radiaiei
incidente mai mari dect frecvena plasmei, aceasta din urm devine
transparent pentru perturbaie care, dei atenuat, va putea traversa
plasma. Astfel, se poate afirma c frecvena de plasm reprezint frecvena
de prag sub care nici o perturbaie electric exterioar nu se va putea
propaga prin plasm.
2 2. .3 3. . U UN NE EL LE E A AP PL LI IC CA A I II I A AL LE E P PL LA AS SM ME EI I N N T TE EH HN NI IC C

Plasma obinut prin descrcarea n gaze este neizoterm. Drumul
liber mijlociu al electronilor n plasm este de 10 - 5 ori mai mare dect


62

drumul liber mijlociu al ionilor pozitivi. Energia acumulat de o particul cu
sarcin electric prin micarea sa n cmp electric fiind proporional cu
drumul liber mijlociu, rezult c electronii vor avea o energie de 10 - 5 ori
mai mare dect ionii pozitivi. innd seama de relaia:
e e
T k W =
2
3
i
i i
T k W =
2
3

se obine K 5000 T
e
= i K 300 T
i
= .
Cnd plasma se obine prin ionizarea termic a gazului la temperaturi
mai mari de K 10
4
, se obine plasma izoterm:
c e
T T = .
Aplicaiile plasmei sunt diverse i se ntlnesc n aproape toate
domeniile tehnicii. Pe scurt se prezint, n continuare, numai unele dintre
acestea.
2 2. .3 3. .1 1. . P Pl la as sm ma a c ca a s su ur rs s d de e l lu um mi in n

Ca surs de lumin de intensitate foarte mare se utilizeaz arcul
electric. n lmpile cu arc descrcarea are loc ntre doi electrozi de wolfram,
n atmosfer de vapori de mercur sau gaz inert, la presiune ridicat. Arcul
electric realizat n vapori de mercur este o surs puternic de radiaii
ultraviolete utilizate n medicin i n cercetare.
Descrcarea luminiscent este folosit la realizarea tuburilor pentru
reclame luminoase. Culoarea luminii emise fiind funcie de gazul utilizat se
pot obine culori diferite: n cazul neonului rou, al argonului albastru-
verzui, etc.
Pentru obinerea luminii din domeniul vizibil pereii tuburilor de
descrcare se acoper cu o substan special numit luminofor care emite
lumin sub aciunea fluxului de particule. Alegnd o compoziie adecvat a
luminoforului se poate obine lumina de nuan dorit. Randamentul acestor
tuburi este mult mai mare ( 20% ) dect cel al becurilor cu incandescen


63

( 2% ), iar durata lor de funcionare este de 15 - 10 ori mai mare. n aceste
tuburi declanarea descrcrii electrice se asigur ntr-o schem electric
ce furnizeaz iniial un impuls de tensiune nalt egal cu tensiunea de
aprindere, iar apoi tubul va funciona la tensiunea obinuit a reelei.



2 2. .3 3. .2 2. . U Ut ti il li iz za ar re ea a p pl la as sm me ei i n n a an na al li iz za a s sp pe ec ct tr ra al l

Aceasta este una din metodele fizice cele mai eficiente de
determinare a compoziiei chimice a substanelor pe baza studierii spectrului
de emisie al substanei cercetate. Prin analiza spectral se stabilete, mai
nti, prezena n spectrul substanei a liniilor spectrale ale anumitor
elemente chimice (analiza calitativ) i apoi pe baza msurrii intensitii
acestor linii se determin coninutul cantitativ al elementelor n proba dat
(analiz cantitativ). Metoda este foarte sensibil putndu-se determina
cantiti de pn la g 10
-9
dintr-un element chimic.
Sursele cele mai des utilizate n analiza spectral sunt cele sub form
de arc i scnteie. Substana care se studiaz se aplic la electrozi sau
formeaz unul din electrozi unde datorit temperaturii ridicate este
descompus n vapori. Aceti vapori sunt descompui la rndul lor n atomi,
care excitai emit linii caracteristice.
Liniile spectrale ale multor metode apar la descrcarea n arc chiar i
pentru un coninut n prob de numai % 10 - 10
-6 -4
. Alegerea descrcrii, n
arc sau scnteie, se face n funcie de domeniul spectral n care se
lucreaz.


64

2 2. .3 3. .3 3. . I In ns st ta al la a i ii i d de e p pl la as sm m f fo oc ca al li iz za at t

O asemenea instalaie const dintr-un tun coaxial format din doi
electrozi cilindrici ntre care se descarc o baterie de condensatoare de
capacitate mare i inductan mic (Figura 2.6).
Gazul ajuns ntre electrozi este supus descrcrii electrice i se
transform n plasm. Ca urmare ntre electrozi apare un curent electric de
densitate J
r
i un cmp magnetic de inducie B
r
produs de curentul electric
ce trece prin electrodul central. Datorit aciunii forei Lorentz: B x J
r r
plasma
este accelerat spre captul liber al cilindrilor unde se formeaz o plasm
fierbinte foarte dens (plasm focalizat) localizat n zona electrodului
central. Densitatea plasmei obinute cu aceast instalaie este de
3 20 19
cm particule/ 10 - 10 i cu o temperatur de K 5
7
10 . Formarea plasmei
focalizate este nsoit de o puternic emisie de radiaii X , iar dac se
folosete deuteriu sau un amestec de deuteriu-tritiu se emite un flux
puternic de neutroni.
Dac tubul este uniform umplut cu gaz instalaia funcioneaz n
regim de plasm. Cnd tubul este vidat la mmHg 10
-6
i n el se introduce
numai
3
cm 1 de gaz, cu ajutorul unui ventil rapid sincronizat cu descrcarea
condensatoarelor, se formeaz un nor dens de plasm care este expulzat n
exterior sub forma unui plasmoid care conine cm particule/ 10
19
, i care se
deplaseaz cu o vitez de m/s 10
5
. Se preconizeaz c astfel de instalaii
gaz V
B I
Figura 2.6.


65

s fie utilizate ca motoare cu plasm pentru propulsie n cazul zborurilor
spaiale.



2 2. .3 3. .4 4. . P Pa an no ou ur ri i d de e a af fi i a ar re e c cu u p pl la as sm m

Panourile de afiare cu plasm reprezint, la ora actual, cel mai
serios concurent pe piaa sistemelor de afiare a imaginilor. Fiabilitatea i
calitatea lor au fost demonstrate de diverse companii i, ca urmare,
producia n serie a nceput n anul 1996. Cu toate acestea, studiul i
cercetarea n acest domeniu continu, pentru c unele caracteristici, cum ar
fi de exemplu eficiena luminoas care este slab dar acceptabil, pot fi
mbuntite.
Panoul de afiare cu plasm a fost inventat de ctre Bitzer i Slottow
n 1966 la Universitatea din Illinois. Ei au demonstrat posibilitatea afirii
informaiei sub forma unor pixeli luminoi cu plasm realiznd un panou de
afiare compus din dou seturi de straturi subiri conductoare paralele,
reciproc perpendiculare, depuse pe dou substraturi din sticl (Figura 2.7).
Cele dou substraturi sunt separate de o lamel de sticl cu grosimea de
100 m. Lamela este perforat, avnd aspectul unei site. Distana dintre
irurile de guri din lamel este egal cu distana dintre straturile
conductoare depuse pe substraturi. Cavitile astfel obinute sunt umplute
cu un gaz inert la o presiune de aproximativ 300 torr. Se formeaz astfel o
matrice de celule de descrcare (pixeli), fiecare avnd la capete cte doi
electrozi reciproc perpendiculari. Pixelii devin luminoi prin aplicarea ntre
cei doi electrozi a unei tensiuni alternative, suficiente pentru a produce
strpungerea spaiului dintre ei. Dei de-a lungul anilor pixelul de baz a


66

suferit numeroase mbuntiri, principiul fundamental de funcionare a
rmas acelai.

Pn n anii 80 panourile de afiare cu plasm au fost monocrome,
descrcarea producndu-se n amestecuri de gaze pe baz de neon, lumina
emis (rou-portocalie) fiind caracteristic structurii nivelelor energetice ale
neonului (585 640 nm). Panourile aveau diagonala de 1 m i conineau
aproximativ 2 milioane de pixeli. Astzi fabricanii ofer panouri de afiare
cu dimensiuni geometrice comparabile dar ele sunt color. Astfel, s-au
realizat panouri de afiare cu diagonala de 102 cm, 1,075 milioane de pixeli,
256 de nivele de gri, 8 cm grosime i 8 Kg masa.
Panourile de afiare cu plasm pot s fie operate att n curent
continuu ct i n curent alternativ. n Figura 2.8 sunt prezentate sub o form
simplificat structurile celor dou tipuri de panouri. Ele au aceeai structur
ca i cea prezentat anterior cu deosebirea c n cazul panourilor de afiare
care sunt operate n curent alternativ, electrozii ntre care se aplic
tensiunea necesar amorsrii i ntreinerii descrcrii nu sunt n contact
direct cu plasma.

Substraturi
sticl Celule
descrcare
distanator
electrozi
Figura 2.7


67


n cazul operrii n curent continuu, dup amorsarea descrcrii,
electronii produi n urma proceselor de ionozare se deplaseaz foarte
repede ctre anod n timp ce ionii pozitivi, avnd masa mult mai mare dect
cea a electronilor i mobilitatea mult mai mic, se deplaseaz mult mai ncet
ctre catod. Astfel, la o presiune de 400 torr i o distan ntre electrozi de
100 m, timpul de tranzit al electronilor este de aproximativ 0,2 ns iar cel al
ionilor de 20 ns. Imediat dup strpungerea spaiului dintre electrozi (la o
tensiune de aprox. 200 V) acesta devine un bun conductor, rezistena lui
scade brusc devenind neglijabil i intensitatea curentului tinde s creasc
necontrolat. De aceea, n curent continuu, n serie cu fiecare pixel trebuie
conectat o rezisten de limitare a curentului. Deoarece plasma este n
contact direct cu electrozii descrcrii, datorit procesului de pulverizare
catodic, catodul se va distruge mai repede dect anodul. De aceea, pentru
a asigura o uzur uniform a ambilor electrozi i deci un timp de via mai
lung, rolul lor este schimbat periodic prin modificarea polaritii tensiunii
continue. Electrozii joac pe rnd rolul de catod i anod. n plus, pentru a
putea controla strlucirea pixelilor, operarea lor se face n pulsuri cu
Figura 2.8
a)
b)
Conductor
vertical
Conductor
orizontal
Conductor
vertical
Conductor
orizontal
Dielectric PbO
Filme de
MgO


68

frecvena modulat. Frecvena standard de aprindere a descrcrii este de
50 kHz.
n cazul operrii n curent alternativ straturile conductoare sunt
acoperite cu un strat de dielectric, de regul oxid de plumb, cu o grosime de
25 m. Peste acesta se depune un alt strat dielectric, de oxid de magneziu,
cu grosimea de 50 200 nm. Aceste dou straturi dielectrice asigur pe de
o parte stocarea de sarcin electric superficial i, pe de alta, emisia
electronic secundar. Oxidul de magneziu a fost ales dintre materialele
care s fie rezistente la procesul de pulverizare catodic i s aib un
coeficient de emisie secundar la bombardament ionic ct mai bun.
Straturile uniforme de MgO pot fi depuse pe suprafee mari prin evaporare
cu fascicul de electroni. Un avantaj important al MgO este acela c
proprietatea de emisie secundar nu se modific chiar i dup nderprtarea
prin pulverizare catodic a unui strat superficial de sutimi de nanometru.
Astfel, timpul de via a unui panou, dei este limitat de pulverizarea
catodic a stratului de MgO, poate fi mai mare de 10.000 de ore. Se poate
uor constata c n cazul pixelilor operai n curent alternativ plasma nu mai
poate ajunge n contact cu electrozii. Valoarea exact a tensiunii de
strpungere depinde de natura i presiunea gazului din celulele de
descrcare, de nalimea acestora i este condiionat de stratul de MgO.
Ea variaz de obicei ntre 120 V i 180 V. Dup amorsarea descrcrii,
electronii i ionii se deplaseaz ctre anod i respectiv catod, dar ei nu mai
pot fi colectai de ctre electrozi i se vor acumula pe suprafaa dielectricului
ca sarcini spaiale. Astfel, cmpul electric total n interiorul unei celule va fi
n orice moment de timp suma algebric dintre cmpul datorat tensiunii
externe aplicate i cmpul intern datorat acumulrii de sarcin spaial pe
suprafeele dielectrice. n regim staionar este evident c sensul cmpului
datorat acumulrii de sarcin este opus sensului cmpului exterior, sarcina


69

superficial acionnd n sensul ecranrii cmpului electric exterior. De
aceea, dac dup amorsarea descrcrii cmpul electric extern este
meninut constant numai cteva microsecunde, cmpul electric total va
descrete foarte rapid (100 200 ns). Aceast descretere poate fi att de
mare nct tensiunea pe descrcare s fie mai mic dect tensiunea minim
de meninere a ei i descrcarea se stinge. De aceea, n curent alternativ
descrcarea acioneaz n sensul autolimitrii curentului electric prin ea,
nemaifiind nevoie de o rezisten exterioar de limitare.
Panourile de afiare cu plasm prezint cteva avantaje n competiia
care are loc n domeniul tehnologiei dispozitivelor de afiare. Astfel,
comportarea puternic neliniar a fiecrui pixel, cu inerentele proprieti de
memorie, poate constitui un avantaj n proiectarea electronicii de comand
necesare pentru tergerea i nscrierea informaiei. Simplitatea construciei
pixelilor este un ajutor n procesul de fabricaie, reducnd problemele legate
de alinierea lor sau de uniformitatea straturilor depuse. Comparativ cu
matricele de afiare color cu cristale lichide, dispozitivele de afiare cu
plasm necesit un proces de fabricaie mult mai simplu i o electronic de
comand mai puin complicat. Pe de alt parte ns, date fiind tensiunile
mari la care se lucreaz (100275 V), electronica de comand este mult mai
robust, voluminoas i cu un consum energetic mare. De aceea, panourile
de afiare cu plasm nu sunt recomandate pentru aparatura portabil, dar
sunt extrem de utile pentru utilizri interioare sau exterioare fixe. Dac sunt
operate la puteri mari, strlucirea lor este suficient de mare pentru a avea o
imagine vizibil chiar i la lumina Soarelui. Datorit construciei lor,
panourile de afiare cu plasm, monocrome sau color, au un unghi de
vedere foarte mare.

Pentru pixelii color compoziia gazului este modificat astfel nct s
predomine emisia radiaiilor ultraviolete. Din celelalte puncte de vedere


70

principiile de operare sunt identice cu cele ale pixelilor monocromi. Ideal
este ca radiaia luminoas emis de plasm s fie exclusiv n domeniul
ultraviolet, radiaie capabil s produc emisia culorilor fundamentale (rou
R, verde G, albastru B) de ctre straturile fotoluminiscente de fosfai
(lantan, ytriu, gadoliniu) depuse pe electrozii de adresare i pe pereii
celulelor de descrcare (Figura 2.9).


Un pixel se formeaz la intersecia unui electrod transparent orizontal
cu trei straturi fotoluminiscente succesive, corespunztoare celor trei culori
fundamentale. Pentru generarea radiaiei ultraviolete necesare producerii
fotoluminescenei fosforului sunt folosite amestecuri de gaze coninnd ca
specie minoritar xenonul. Dei xenonul este un emitor eficient de radiaii
ultraviolete, tensiunea sa de strpungere este prea mare i atunci s-a recurs
la folosirea amestecurilor de xenon cu neon sau heliu. Adugnd unul din
aceste gaze, tensiunea de strpungere se micoreaz din dou motive: (a)
ionii de neon i heliu sunt mult mai eficieni n producerea emisiei secundare
de electroni din stratul de MgO i (b) coeficientul de ionizare ntr-un amestec
de xenon-neon, poate fi mult mai mare dect n xenon pur sau neon pur.
MgO
Fosfor
luminiscent
Electrod BUS
Figura 2.9: Afiajul color cu plasm
Electrozi
adresare
Strat dielectric
Strat dielectric
Panou
inferior
barier
Electrod ITO


71

Aceasta, datorit faptului c seciunea de ciocnire electron-neutru este mult
mai mare n xenon dect n neon, astfel nct ntr-un amestec coninnd o
mare concentraie de neon, electronii pot ctiga energie mult mai uor,
producnd excitarea i ionizarea xenonului pentru valori mai mici ale
cmpului electric. Pe de alt parte, energia de ionizare a xenonului este mai
mic dect energia de excitare a neonului (sau a heliului) i electronii
accelerai n cmpul electric din celula de descrcare i vor transfera
energia lor cu prioritate spre atomii de xenon iar atomii de neon (sau heliu)
vor ceda energia de excitare atomilor de xenon producnd ionizarea lor prin
efect Penning. Astfel, emisia radiaiei de dezexcitare rou-portocalie a
neonului va fi suprimat odat cu creterea concentraiei de xenon din
amestec. Din cercetrile experimentale s-a stabilit c o concentraie a
xenonului de aproximativ 10% este cea mai potrivit pentru scopul propus.
n afar de aceste procese, mai exist unul care favorizeaz emisia
radiaiei ultraviolete. Este vorba despre tendina xenonului ionizat de a-i
completa ultima ptur electronic, tendin care duce la formarea
moleculelor dimerice excitate de xenon (Xe
2*
). La dezexcitare, aceste
molecule dimerice vor emit radiaii ultraviolete cu lungimi de und de
aproximativ 173 nm i 150 nm.
2 2. .3 3. .5 5. . A Ap pl li ic ca a i ii i a al le e p pl la as sm me ei i n n t te eh hn no ol lo og gi ii i d de e s su ud da ar re e i i
a ac co op pe er ri ir re e. . P Pl la as sm ma at tr ro on nu ul l

Ca metode clasice pentru prelucrarea metalelor se folosesc arcul
electric i sudura autogen, pentru tiere i sudare i cuptoarele cu
combustibil i electrice, pentru topire i rafinare. ncepnd cu anii 1950 au
fost construite i au cptat o utilizare din ce n ce mai larg dispozitivele
denumite plasmatroane. Aceste sunt o combinaie ntre o descrcare n arc
i un jet de gaz care strbate arcul cu vitez foarte mare. Se obine astfel un


72

jet de plasm termic, n care temperatura gazului este aproape identic cu
temperatura electronic. ntr-un astfel de jet de plasm se obin temperaturi
de 10.000 - 50.000 K. Deosebirile principale ntre arcul electric clasic i jetul
de plasm sunt: i) arcul electric are coloana pozitiv dezvoltat
corespunztor condiiilor energetice de schimb termic, nesuferind nici o
constrngere, pe cnd jetul de plasm este puternic trangulat mecanic i
electromagnetic; ii) temperatura arcului este mai mic dect cea a plasmei
din jet; iii) gazul ionizat din arcul electric are o presiune practic egal cu cea
atmosferic, pe cnd n jetul de plasm gazele sunt introduse sub presiune,
ceea ce determin curgerea cu viteze foarte mari a gazului ionizat.

Schema de principiu a unui plasmatron n curent continuu este
prezentata n Figura 2.10.


Arcul se amorseaz ntre un electrod E, cu rol de catod i piesa de
prelucrat care are i rol de anod. O parte din coloana arcului este
Figura 2.10: Reprezentarea schematic a tehnologiei de tiere cu plasm; a)
generarea jetului de plasm; b) transferul arcului ctre piesa de lucru
E
E


73

constrns s treac printr-un ajutaj (sau duz) rcit la interior. Prin canalul
ajutajului trece concomitent i un curent de gaz (argon, heliu, hidrogen,
azot) care, datorit temperaturii ridicate a arcului, este puternic ionizat. Se
formeaz astfel un jet de plasm de seciune ngust.
Seciunea ngust se datoreaz att trangulrii mecanice, ct i unei
trangulri electromagnetice. trangularea mecanic este cauzat de
contactul dintre jetul fierbinte de gaz ionizat i pereii duzei puternic rcii.
Straturile de gaz din vecintatea duzei sunt rcite intens, n acea regiune
avnd loc recombinarea ionilor i electronilor difuzai din volumul jetului. Ca
urmare, raza coloanei de plasm scade. trangularea electromagnetic se
produce datorit atraciei curenilor paraleli. Datorit acestor dou efecte
seciunea jetului poate fi cu 20 - 50 % mai mic dect seciunea duzei.
Scderea seciunii coloanei de plasm provoac o cretere a densitii de
curent, ceea ce duce la intensificarea efectului Joule. Datorit volumului
relativ redus al jetului se nregistreaz o puternic cretere a temperaturii,
care are valoarea maxim pe axa jetului i n apropierea duzei.
Emisia de electroni de la catod are loc prin efect termoelectronic.
Pentru intensificarea emisiei i mbuntirea stabilitii jetului de plasm se
folosesc catozi din wolfram toriat. Materialele din care se execut ajutajele
trebuie s asigure valori ridicate pentru conductivitatea termic, cldura
specific i cldura latent de topire. Se folosesc ajutaje din cupru, oel,
wolfram, grafit, carbur de siliciu, zirconiu.
n general, durata de funcionare a ajutajelor este scurt. Din acest
motiv este necesar ca ele s aib o construcie simpl, iar nlocuirea s se
poat face uor i rapid. Pe lng uzura normal a ajutajelor, pot s apar
uzuri suplimentare datorit funcionrii n condiii care se abat de la cele
normale, cum ar fi: formarea arcului secundar, centrarea
necorespunztoare a electrozilor, devierea coloanei de plasm de la axa


74

geometric a generatorului, datorit vitezelor prea mari de deplasare a
jetului, scurtcircuitarea spaiului ajutaj-piesa. Dintre acestea, formarea arcului
secundar constituie una din cauzele cele mai frecvente. Apariia arcului
secundar se explic astfel: coloana de plasm este izolat electric fa de
pereii ajutajului printr-un strat de gaz neionizat. Pentru a mri concentrarea
coloanei de plasm se reduc dimensiunile ajutajului. Odat cu scderea
diametrului ajutajului crete intensitatea cmpului electric n canalul acestuia.
Creterea peste anumite limite are drept consecin strpungerea
nveliului de gaz izolator i apariia unor legturi galvanice ntre coloana de
plasm i ajutaj. n aceste condiii ajutajul se poate nclzi, ncepe s emit
electroni, devenind un catod secundar.
Calitatea prelucrrilor care se execut cu ajutorul jetului de plasm
depinde, n mare msur, de natura gazului plasmogen. Proprietile fizico-
chimice ale gazului plasmogen trebuie s asigure o distribuie ct mai
adecvat a energiei n spaiul de descrcare. n acelai timp, mediul gazos
trebuie s asigure protecia electrodului incandescent din wolfram mpotriva
oxidrii i s fie neutru fa de materialul de prelucrat. Aceste condiii sunt
ndeplinite de argon i heliu. Utilizarea acestor gaze prezint i dezavantaje:
au un cost ridicat i nu au capacitate mare de cedare a cldurii n timpul
descrcrii. n cazul folosirii gazelor moleculare (hidrogen, azot), n
momentul trecerii prin descrcare, moleculele acestora disociaz absorbind
o cantitate important de cldur. Cldura de disociere este cedat
materialului prelucrat, la suprafaa cruia are loc un proces de recombinare.
Din punct de vedere practic, cel mai cunoscut mijloc de tiere este
prin ardere, cu flacr oxiacetilenic. Aceast metod nu se poate aplica
metalelor i aliajelor avnd temperatura de aprindere n oxigen mai mare
dect cea de topire (oeluri nalt aliate, refractare i inoxidabile, aliajele din
aluminiu, cupru, titan. Tierea cu jet de plasm a metalelor face parte din


75

procedeele de tiere prin topire aplicabile pentru orice metal sau aliaj.
Aceast tehnic d rezultate mai bune fa de alte metode de tiere,
datorit concentrrii mari a energiei i temperaturii nalte a plasmei.
Calitatea bun a suprafeelor tiate face inutil prelucrarea lor ulterioar,
scznd costul de prelucrare.
Pentru stabilirea regimului de tiere, este necesar s se determine
urmtorii parametri: viteza de tiere, curentul i tensiunea arcului cu plasma,
natura i debitul gazului plasmogen. nainte de nceperea procesului de
tiere se amorseaz un arc electric pilot, ntre catod i ajutaj (Figura 2.10a).
La trecerea prin ajutaj a unui gaz plasmogen cu debitul D, se amorseaz un
jet de plasm cu un anumit grad de ionizare, n general mediu, care depinde
de intensitatea curentului, de natura gazului i de geometria ajutajului. Apoi
jetul de plasm este adus deasupra piesei ce urmeaz s fie tiat P i care
este legat la polul pozitiv al generatorului S (Figura 2.10b). Dac mediul
este suficient de ionizat i cmpul electric intens, prin spaiul jetului de
plasm se formeaz un arc anodic, pata anodic mutndu-se de pe ajutaj
pe pies. n aceste condiii, debitul de gaz se mrete la D
2
, surplusul de
gaz care formeaz nveliul izolator ce protejeaz ajutajul de aciunea
termic a plasmei mpiedecnd formarea arcului secundar. Dac
generatorul de plasm este deplasat de-a lungul liniei de tiere cu o vitez
care depete o anumit valoare limit, atunci jetul de plasm nu mai
poate s strpung ntreaga grosime a plcii. n aceste condiii, dac metalul
topit este nlturat (prin nclinarea piesei), se obin anuri i caneluri, de
diferite forme i dimensiuni. Repetnd operaia cu o deplasare a
generatorului pe suprafaa piesei, la fiecare trecere, se nltur un strat
superficial (operaie asemntoare rabotrii). S-a dezvoltat astfel procedeul
de "strunjire" cu plasm.


76

Pentru sudarea metalelor sau aliajelor, ca procedeu clasic, se
folosete n general sudarea n arc, n mediu de argon, cu electrod
nefuzibil. Folosirea arcului cu plasm pentru sudare prezint o serie de
avantaje fa de metoda clasic: o concentrare energetic mai bun i o
stabilitate mai mare a arcului, ceea ce permite sudarea la intensiti de
curent mai mare dect limita inferioara de ardere stabil a arcului obinuit.
Dispozitivele cu plasm pentru sudur au aceeai construcie ca cele
utilizate pentru tiere. Principala deosebire dintre ele consta n viteza mai
mic de deplasare a jetului de plasm, prin aceasta asigurndu-se ca
metalul topit s nu fie suflat de la locul de sudur. Drept gaz plasmogen se
folosete argonul, cu debitul de 30-40 1/h. Principalul dezavantaj al acestei
tehnici este costul ridicat al echipamentului de sudur, care nu se justific
dect n cazul unor industrii de vrf, cum ar fi industria aero-spaiala,
nuclear, mecanic fin etc.
Metalizarea cu jet de plasm este un procedeu de depunere a unor
straturi superficiale cu proprieti speciale. Prin aceasta se pot obine
structuri rezistente la uzur, la ocuri termice, la coroziune, straturi izolante
din punct de vedere termic sau electric, straturi antifriciune etc. Fa de alte
procedee, aplicate n scopuri similare (cufundare n metal topit, difuzie,
placare, acoperiri galvanice), metalizarea cu jet de plasm are urmtoarele
avantaje: i) nclzirea materialului suportului este moderat, nct
probabilitatea apariiei tensiunilor sau fisurilor este sczut; ii) depunerea se
poate realiza pe suprafee mari; iii) se pot executa acoperiri metalice pe
suporturi combustibile, cum ar fi lemnul, hrtia, material textil, tot datorit
nclzirii moderate a suportului. Principalul dezavantaj al acoperirilor obinute
prin metalizarea cu jet de plasm este neomogenitatea straturilor depuse,
motiv pentru care unele proprieti mecanice ale acestora sunt neadecvate.


77

n Figura 2.11 este
prezentat schema de
principiu a unei instalaii
de acoperire a unei
suprafee cu un strat de
metal sau aliaj utiliznd
jetul de plasm. n
principiu, tehnica const
n trecerea unui
material sub forma de
pulbere prin jetul de plasm al unui plasmatron. Materialul de depus poate fi
i sub form de srm care constituie anodul unui arc de plasm. Datorit
temperaturii ridicate a jetului de plasm materialul de depus se topete i
este antrenat spre piesa ce urmeaz s fie acoperit. n generatoarele cu
plasm, destinate acoperirilor metalice, trebuie s se asigure o accelerare
suficient a particulelor pentru ca acestea s adere la suport.
Principalul mod de transmitere a cldurii de la jetul de plasm la
pulbere se realizeaz prin recombinarea ionilor gazului plasmogen pe
suprafaa granulelor de pulbere. n cazul gazelor biatomice se elibereaz i
energia de disociere, de aceea se prefer aceste gaze pentru c transmit o
cantitate mai mare de cldur materialului de depus. Transferul de cldur
pe seama conduciei termice este mic ntruct timpul de expunere n jet al
particulei este foarte mic (ms).
Materialele care sublimeaz nainte de topire nu pot fi depuse prin
pulverizare. Unii oxizi disociaz i produc componente volatile, fapt ce face
imposibil metalizarea cu gaze plasmogene obinuite: argonul, azotul,
hidrogenul. n acest caz se adaug o anumit cantitate de oxigen care
favorizeaz reacia invers. n cazul altor materiale "avide" de oxigen,
Figura 2.11: Schema de principiu a unei instalai de
acoperire cu jet de plasm
Piesa de acoperit
Gaz plasmogen
Introducerea materialului de
pulverizat
Introducere
gaz de protecie
Perdea de protecie


78

dimpotriv, se iau msuri pentru a mpiedica procesul de oxidare. n acest
caz folosirea argonului drept gaz plasmogen nu este suficient i se
utilizeaz protejarea conului de pulverizare cu un gaz inert, realizndu-se
aa numitele "perdele" de gaz de protecie.
Datorit tensiunii superficiale, particulele topite n jetul de plasm sunt
sferice. La impactul cu materialul ce urmeaz s fie acoperit, energia lor
cinetic se transform n energie de deformare i energie termic. Ca
urmare, aceste particule devin filiforme sau primesc o form lamelar.
Straturile depuse prin aceast tehnic sunt alctuite din fii alturate sau
suprapuse. Aceast structur neomogen a stratului obinut este
caracteristic pentru aceast tehnic de depunere. Un rol important n
structura stratului au temperatura particulei (care trebuie s fie superioar
temperaturii de plastifiere) i viteza lor.
n cazul depunerilor de straturi utiliznd plasmatronul la presiune
atmosferic, proprietile straturilor depuse sunt adesea nesatisfctoare,
datorit structurilor poroase i modificrilor chimice ale materialelor depuse
(de exemplu oxidarea metalului n timpul depunerii). Pentru a depi aceste
neajunsuri s-a dezvoltat o tehnic nou, depunerea de straturi utiliznd
plasma la presiuni joase. n aceast metod plasmatronul funcioneaz ntr-o
incint nchis la o presiune de 20 100 torr. Avantajele acestei tehnici, fa
de cea la presiune atmosferic, sunt: i) acoperiri dense, fr pori; ii) acoperiri
fr oxidri, de nalt puritate; iii) aderen mai bun ntre stratul depus i
suport; iv) straturi groase care se pot realiza datorit valorilor mici ale
tensiunilor din strat.

2 2. .3 3. .6 6. . U Ut ti il li iz za ar re ea a p pl la as sm me ei i t te er rm mi ic ce e n n m me et ta al lu ur rg gi ie e



79

O prim etap n utilizarea plasmei n metalurgie a fost aceea a
arcului electric pentru topirea
metalelor (cuptoare cu arc).
Cuptorul cu arc este constituit
dintr-un creuzet cptuit cu
crmizi refractare. n cuptor
este introdus metalul care
trebuie topit. Prin capacul
cuptorului ptrund trei electrozi
din grafit, cu diametrul de pn la 0,5 m (Figura 2.12). Electrozii sunt
alimentai de la o surs trifazat, de putere. Metalul este topit datorit
cldurii degajate n arcul care se formeaz ntre electrozi i metal.
Necesitatea controlrii stabilitii arcului i a concentrrii energiei a
dus la ideea folosirii generatorului de plasm pentru topire, rafinare,
obinerea oelurilor aliate de nalt puritate etc., unde pentru nchiderea
circuitului electric, n vatra cuptorului se introduce un anod rcit cu ap.
Arderea elementelor de aliere, cum sunt Si, Ni, Cr, Mo, Ta, W, este, n
general, mai puin intens dect n cazul cuptoarelor cu arc, ceea ce face
ca procentele din aceste elemente rmase n oel s fie mai mari pentru
cuptoarele cu plasm.
Pentru obinerea aliajelor de nalt puritate i a oelurilor nalt aliate,
precum i a titanului, a aliajelor cu titan, osmiu, iridiu, ruteniu, se utilizeaz
retopirea cu plasm. Bara ce urmeaz s fie retopit, generatorul de
plasm, cristalizorul i lingoul obinut n urma retopirii se gsesc ntr-o
camer ermetic. Bara se rotete, fiind n acelai timp cobort pe msura
topirii. Amplasarea generatoarelor de plasm este aleas n aa fel nct
s topeasc bara i n acelai timp s produc o nclzire uniform a barei
metalice din cristalizor. Exist, de asemenea i alte variante: retopirea n
Figura 2.12: Principiul furnalului cu arc
electric.



80

atmosfer inert (argon), retopirea combinat cu dezoxidarea cu plasm
de hidrogen, retopirea cu arc de plasma sub zgur. Oelurile obinute n
urma retopirii se caracterizeaz printr-o mare omogenitate chimic i
structural i printr-un procent sczut de incluziuni i gaze reziduale.

2 2. .3 3. .7 7. . A Ap pl li ic ca a i ii i a al le e p pl la as sm me ei i n n t tr ra at ta ar re ea a s su up pe er rf fi ic ci ia al l a a m me et ta al le el lo or r. .
N Ni it tr ru ur ra ar re ea a i io on ni ic c

n ultimii ani au fost elaborate i introduse la scar industrial metode
foarte eficiente de tratare a suprafeelor pieselor i sculelor din oeluri i
fonte folosind plasma unei descrcri luminescente. ntre aceste metode
menionm: nitrurarea, borurarea, carburarea, carbonitrurarea i
nitrotitanarea ionic. n cele ce urmeaz ne vom referi n mod deosebit la
nitrurarea ionic, ntruct aceast metod de tratament este n prezent mai
bine cunoscut i mai rspndit.
Nitrurarea ionic a unei suprafee metalice este un proces care se
desfoar la presiune joas, n plasma unei descrcri electrice i care are
ca rezultat formarea unor nitruri cu proprieti fizice deosebite, n principal o
duritate mult mai mare dect a materialului suport. Funcia principal care o
are mediul de plasm este de a crea, plecnd de la azotul molecular sau de
la un amestec gazos care conine azot, specii chimic active care s permit
s se controleze reaciile ce pot avea loc la suprafaa metalului sau a unui
aliaj care trebuie nitrurat.


81

n Figura 2.13 este artat un sistem tipic utilizat pentru o astfel de
tehnic de tratare. n principal el este constituit din urmtoarele elemente: o
incint vidat (din otel inox, de obicei), un generator electric de nalt
tensiune (SP), un sistem
de distribuie a gazului i
de control al presiunii, un
sistem de msur i de
reglare a temperaturii,
Tensiunea electric
se aplic ntre piesa de
nitrurat (P) care este
plasat pe catod (C) i
pereii metalici ai incintei (I)
care joac rol de anod i
care este ntotdeauna legat
la potenialul masei pentru
a se asigura protecia operatorilor.
Se lucreaz n regim de descrcare "anormal": densitatea de curent
este uniform pe suprafaa catodului i intensitatea curentului crete cu
tensiunea aplicat pe descrcarea electric. n aceste condiii se poate
realiza un tratament uniform al suprafeei piesei.
Temperatura piesei de nitrurat se msoar, de regul, cu un
termocuplu (TC). Ea trebuie s fie n domeniul 500-550 C. Trebuie
precizat c deoarece procesul de nitrurare ionic este n bun parte un
proces termochimic, viteza de nitrurare este cu att mai mare cu ct
temperatura piesei este mai mare. Ca o regul general, temperatura piesei
trebuie s fie mai mic dect temperatura de revenire a materialului din care
este realizat piesa, dar apropiat acesteia. La temperaturi, de exemplu, sub
Figura 2.13: Schema de principiu a unei instalaii de
nitrurare ionica


82

400 C, procesul de nitrurare este foarte lent i nu se foloseste dect n
cazuri speciale.
Compoziia gazului are un efect important n nitrurarea ionic. n mod
empiric s-a gsit c un amestec de azot i hidrogen conduce la cele mai
bune rezultate pentru nitrurare. Dac hidrogenul este nlocuit cu argon sau
alt gaz nobil adncimea de ptrundere a azotului n pies i duritatea
stratului nitrural scad. Acest lucru s-ar putea explica prin rolul de curire a
suprafeei pe care l are hidrogenul i anume, el are rolul de a decarbura
superficial oelul tratat, facilitnd n acest fel att difuzia azotului ct i
fixarea acestuia n locurile rmase libere.
O alt problem este cea a nitrurrii profilelor nguste. Se cunoate
faptul c grosimea spaiului ntunecat catodic depinde de presiune, de
natura gazului i de tensiunea pe descrcare. Deci, dac pe o pies exist
dou planuri paralele foarte apropiale unul de celalalt, cele dou lumini
negative se apropie foarte mult, crendu-se astfel condiii pentru apariia
efectului catodului dublu sau catodului cavitar. Local, densitatea de curent
va crete foarte mult, la aceeai valoare a tensiunii aplicate pe descrcare.
Acest lucru determin o heterogenitate n temperatura piesei care se poate
concretiza prin atingerea unui regim de arc, dac temperatura local este
suficient pentru ca electronii s fie emisi prin efect termoelectronic (nu
numai ca electroni secundari). Situaia poate fi remediat fie modificnd
presiunea total n incint, fie schimbnd compoziia amestecului gazos.

Mecanisme de nitrurare
Introducerea azotului atomic n piesa metalic se presupune c poate
avea loc prin dou procese importante: a) adsorbia speciilor neutre i b)
bombardamentul ionic.


83

a) Azotul atomic neutru poate rezulta direct din adsorbia atomilor
produsi n faza gazoas prin disocierea azotului molecular. Exist de
asemenea i o cale indirect de producere a azotului atomic. De exemplu,
la nitrurarea fierului, atomii de fier pulverizai din catod reacioneaz n
regiunea cderii catodice cu azotul formnd nitrura FeN. O parte din aceti
compusi redifuzeaz spre catod unde pot fi adsorbii. Azotul atomic se
produce n acest caz din FeN prin reacia:
FeN + FeN Fe
2
N + N()
unde N() reprezint acei atomi de azot care difuzeaz n faza a fierului.
b) Bombardamentul ionic este de asemenea capabil s produc azot
atomic prin procese directe i indirecte. n procesele directe ionii de azot
produsi n plasm sunt direcionai spre catod de cmpul electric din
cderea catodic. Ionii se recombin pe suprafaa producnd atomi de azot.
n procesele indirecte ionii moleculari, NH
+
, NH
2
+
, N
2
H
2
+
etc., sunt
accelerai spre catod, unde disociaz i se recombin producnd atomi de
azot.
Problema rolului bombardamentului ionic n raport cu adsorbia nu
este pe deplin elucidat, dar este clar c parametrii descrcrii (presiunea
pariala a gazului, temperatura plasmei, densitatea de curent anodic la
catod, etc.) au un efect important asupra proprietilor stratului nitrurat.
Avantajele nitrurrii ionice, n comparaie cu metodele clasice de
nitrurare n bai de sruri sau n faza gazoas, sunt urmtoarele: i) -
economia de energie rezultat din modul n care se realizeaz nclzirea
piesei; ii) - suprafaa piesei este foarte curat dup tratare i nu necesit
rectificri; iii) scurtarea timpului de tratare; iv) toi parametrii fizici pot fi
controlai riguros, ceea ce are drept consecin o bun reproductibilitate a
tratamentului i permite automatizarea lui, v) nu este o tehnic poluant
deoarece nu necesit i nu produce substane toxice.


84

3. P PL LA AS SM MA A P PR RO OD DU US S C CU U A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I

Plasma generat cu ajutorul laserului se obine prin focalizarea unui
puls de putere ridicat, avnd intensitatea suficient de mare (10
10
W/cm
2
),
pe inte din materiale solide, lichide sau gazoase. Cmpul electromagnetic
puternic din punctul de focalizare ionizeaz i nclzete materialul intei in
starea de plasm confinat inerial, care va emite o larg varietate de
lungimi de und (procesele fizice fundamentale vor fi discutate n cele ce
urmeaz). Din aceast radiaie se poate selecta un domeniu de lungimi de
und util n diverse aplicaii.
3 3. .1 1. . F FO OT TO OI IO ON NI IZ ZA AR RE EA A

Ionizarea iniial a materialului intei din plasma obinut cu ajutorul
laserului are loc prin procese de foto-ionizare, ce implic ionizarea direct a
materiei. Dac intensitatea radiaiei laser este suficient de mare, un atom
poate fi ionizat prin absorbia mai multor fotoni, acest proces numindu-se
ionizare multifotonic. Pentru intensiti mai mari, devine dominant
ionizarea de tip tunel. n acest ultim proces, cmpul electric puternic al
laserului este n msur s modifice energia potenial atomic a
electronului, care i permite acestuia s scape din atom prin tunelare.
Fenomenele de ionizare multifotonic i tunelare discutate n detaliu n
continuare.

Ionizarea multifotonic
Energia unui foton este dat de urmtoarea relaie:
(3.1)


85

unde h este constanta lui Plank; frecvena radiaiei, lungimea de und a
radiaiei i c viteza luminii. Pentru radiaia laser cu lungimea de und
cuprins ntre 200 nm i 1000 nm, energia fotonilor este cuprins,
aproximativ, ntre 5 eV la 1 eV. Potenialul de ionizare, de exemplu, pentru
un atom de xenon este de 12,13 eV i prin urmare ionizarea nu se poate
produce doar cu un singur foton. Aceasta are loc prin absorbia simultan a
mai multor fotoni atunci cnd se utilizeaz radiaii cu intensitate mare [Wm
-2
]
sau a fluxurilor de fotoni [fotoni s
-1
m
-2
]. Acest fenomen este cunoscut sub
numele de ionizare multifotonic (MFI).
n procesul de MFI, un atom poate absorbi un foton pentru a trece
ntr-o stare excitat virtual. Timpul de via al acestei stri este limitat de
principiul de incertitudine al lui Heisenberg,
(3.2)
Pentru radiaii a cror energie a fotonilor este de civa eV, t este de
obicei, de ordinul 10
-15
s. n cazul n care atom excitat este capabil de a
absorbi un al doilea foton n acest interval de timp, acesta poate trece ntr-o
urmtoare stare virtual de energie mai mare i cu un timp de via 1 t .
Fenomenul poate continua i pentru un al treilea foton i aa mai departe.
Prin absorbie succesiv de fotoni, energia strii metastabile crete, iar
timpii de via scad, ajungndu-se n cele din urm la starea de ionizare.
Procesul de MFI este reprezentat schematic n figura 3.1 a.


86


Figura 3.1: Procesele de fotoionizare. Reprezentarea energiei potenial atomic funcie de
distana, r, fa de nucleu, pentru un electron aflat n stare legat: a) Ionizarea
multifotonic: ionizarea are loc prin absorbia mai multor de fotoni. b) Tunelare: cmpul
electric al radiaiei laser este suficient de puternic pentru a reduce energia potenial:
ionizarea are loc prin tunelarea prin (sau chiar peste), bariera de energie.

Probabilitatea de ionizare pentru un atom, raportat la unitatea de
timp (frecvena de ionizare) prin MFI poate fi exprimat prin urmtoarea
relaie:
k k
MPI
I ' A AF = = (3.3)
unde F i I reprezint fluxul de fotoni respectiv intensitatea radiaiei, ce sunt
legate prin relaia F E I
foton
= . k este primul numr ntreg mai mare dect
raportul
foton
E Ei , n care
i
E reprezint energia de ionizare. Coeficienii A i
,
A depind de speciile atomice, lungimea de und de radiaiei i polarizarea
radiaiei laser. n forma sa cea mai simpl i idealizat, aceti coeficieni pot
fi exprimai astfel:
(3.4a)
i
Stare legat


87

(3.4b)
unde:
MPI
reprezint seciunea eficace de absorbie a fotonilor n starea
virtual. Dependena frecvenei de ionizare multifotonic
MPI
de fluxul de
foton F, dup cum indic ecuaia (3.3), poate fi neleas intuitiv prin faptul
c la creterea lui F cu un factor de 2 de exemplu, probabilitatea de
absorbie a fiecrui foton raportat la unitatea de timp crete de asemenea
cu un factor de 2. Probabilitatea total de absorbie a k fotoni pe unitatea de
timp, prin urmare frecvena ionizare, crete cu un factor 2
k
. De unde reiese
foarte clar c rata de ionizare este puternic dependent de intensitatea
radiaiei. La creterea lungimii de und a radiaiei (energia fotonilor mai
mic), valoarea lui k va crete i dependena va fi mai puternic. n plus,
pentru atomii cu energie de ionizare mai mic i/sau radiaiile cu lungime de
und mai scurt, sunt necesare valori mai mici pentru termenul k. Acest
lucru conduce la valori mai mari ale frecvenelor de ionizare pentru aceiai
intensitate a radiaiei. n tabelul 3.1 sunt prezentate valorile orientative ale
timpului de ionizare multifotonic,
MPI
, pentru argon, la lungimi de und i
intensiti ale radiaiei laser diferite. Timpul de ionizare este dat de inversul
frecvenei de ionizare:
1
=
MPI MPI
. n cele din urm, trebuie precizat c,
dac un nivel de energie atomic este n rezonan cu energia fotonilor,
astfel nct un foton este absorbit ntr-o stare excitat permis n loc de o
stare metastabil, frecvena de ionizare multifotonic este puternic
consolidat.







88

Tabelul 3.1: Valorile teoretice ale timpul de ionizare multifotonic ale argonului pentru
lungimi de und i intensiti I ale radiaiei diferite. Dependena de intensitate este n
acord cu ecuaia (3.3).

3 3. .2 2. . T TU UN NE EL LA AR RE EA A

La creterea intensitii radiaiilor laser, se va observa o cretere a
ratei de ionizare ce va avea loc dominant prin efect de tunelare. n aceast
situaie, datorit cmpului electric al radiaiei laser, are loc modificarea
semnificativ a strilor energetice ale atomilor. Aceast modificare a
energiei, cunoscut sub denumirea de deplasare Stark, are valoarea cea
mai mare pentru strile legate. Schimbarea strilor Rydberg i a celor
continue ale atomului egaleaz aproximativ energia electromotoare n
cmpul electric al radiaiei, dat de
(3.5)
adic energia cinetic medie pe ciclu a unui electron liber oscilant n cmpul
electric al radiaiei laser. m
e
i e reprezint masa electronului i respectiv
sarcina electric, E
0
reprezint amplitudinea oscilaiilor cmpului electric,
) sin(
0
t E E = cu 2 = reprezentnd pulsaia radiaiei laser. Termenul
0
E
depinde de intensitatea radiaiei I prin teorema lui Poynting:
(3.6)


89

unde
0
este permitivitatea electric a vidului, iar n este indicile de refracie.
Prin creterea intensitii, energia electromotoare aproximeaz potenialul
de ionizare al atomului E
i
astfel nct,
(3.7)
Cmpului electric, devine apoi suficient de puternic pentru a modifica
energia potenial atomic i se creeaz o barier de potenial prin care
electronul poate tunela (sau chiar trece peste). Procesul de tunelare este
prezentat schematic n Figura 3.1b. Trebuie reinut c ecuaia (3.7) este
teorema clasic de virial, care prevede c pentru a elibera electroni trebuie
s fie adugat o energie cinetic egal cu jumtate din energie. Utiliznd
ecuaiile scrise mai sus pentru E
i
= 10 eV i = 248 nm, I trebuie s fie de
ordinul 10
15
Wcm
-2
pentru ca fenomenul de tunelare s devin semnificativ.
Se poate observa c la creterea energiei electromotoare are loc o scdere
a intensitii, pentru lungimi de und mai mari. Estimnd sarcina electric Z
care poate fi obinut ca urmare a ionizrii prin tunelare, se poate defini o
intensitate de prag necesar pentru a depi bariera de potenial,
presupunnd c nu are loc nici o ionizare pn cnd bariera de potenial nu
este depit:
(3.8)
reprezint potenialul de ionizare de la Z-1 la Z, exprimat n
electronvoli.




90

3 3. .3 3. . C CU UP PL LA AJ JU UL L L LA AS SE ER R- -P PL LA AS SM M

Electronii generai prin procesele de fotoionizare descrise mai sus,
ctig energie cinetic din oscilaiile n cmpului electric al laserului.
Ciocnirile inelastice dintre aceti electroni cu atomii sau ionii duc la o
ionizare n cascad. Coliziunile elastice cu ionii duc la conversia energie
cinetice a electronilor n energie termic a plasmei. Acest proces de
nclzire a plasmei de ctre radiaii (laser) este cunoscut sub numele de
Bremsstrahlung invers. Preluarea energiei de la cmpul electromagnetic al
radiaiei laser de ctre plasma va fi discut n detaliu n cele ce urmeaz.
Deoarece ionii au o masa mult mai mare dect electronii,
interaciunea dintre cmpul electromagnetic cu ionii poate fi neglijat,
considernd doar interaciunea cu electronii. Ecuaia de micare a
electronilor n cmp electromagnetic este:
(3.9)
unde
e
v
r
este viteza electronului,
eh
frecvena de ciocnire a electronilor cu
particulele grele prin care are loc transferul de impuls, iar E
r
este
intensitatea cmpului electric al laserului. Ecuaia (3.9) este echivalent cu
variaia n timp a impulsului electronilor (termenul din partea stng) prin
aciunea forei electrice i a forei de rezisten ce apare ca urmare a
coliziunilor cu particule grele (primul termen, respectiv, al doilea termen din
partea dreapt). Deoarece cmpul electric este exprimat printr-o
exponenial armonic i, prin urmare, viteza electronilor are aceeai form,
ecuaia (3.9) poate fi scris:
(3.10)
Densitatea de curent datorat micrii electronilor este:


91

(3.11)
Unde reprezint conductivitatea electric. Combinnd cele dou ecuaii
(3.10) i (3.11) se obine:
(3.12)
Componentele reale i imaginare ale acestei conductiviti electrice
complexe sunt:
(3.13a)
Respectiv:
(3.13b)
Ecuaiile lui Maxwell pentru cmpul electric E, i cmpul magnetic H sunt:
(3.14)
unde:
q
este densitatea de sarcin electric;
0
- permitivitatea electric a
vidului;
0
- permeabilitatea magnetic a vidului.
Utiliznd relaiile algebrice complexe pentru E
r
i H
r
,
)) exp( Re( ) (
0
t i E t E
r r
= , respectiv )) exp( Re( ) (
0
t i H t H
r r
= , cu
0
E
r
i
0
H
r

amplitudinile cmpurilor, i forma armonic a densitii de sarcin:
q q
i dt d = ecuaiile lui Maxwell pot fi scrise:
(3.15)

Se poate introduce permitivitatea relativ (a plasmei)
p
:


92

(3.16)
Pe baza relaiei (3.12) permitivitatea relativ poate fi scris astfel:
(3.17)
n aceast relaie termenul
pe
reprezint frecvena electronilor plasmei.
(3.18)
Se poate scrie :
(3.19)
Cunoscnd viteza luminii n vid
0 0
1 = c i viteza de propagare a luminii
ntr-un mediu cu indice de refracie n, egal cu c/n se poate scrie indicele de
refracie real:
(3.20)
n aceast ultim relaie s-a utilizat egalitatea: ) 2 1 ) Re( 2 1 ( Re z z z + = i
ecuaia (3.17).
Conform relaiei (3.12), n absena coliziunii dintre electroni i
particulele grele, termenul
eh
=0, conductivitatea este un numr pur
imaginar i conform relaiei (3.16) permitivitatea este un numr real. Plasma
se comport ca un mediu fr pierderi, micarea electronilor fiind o oscilaie
ordonat cu o diferen de faz 2 fa de cmpul electric. n acest caz, nu
exist nici un transfer de energie de la laser la plasm, iar cmpul nu este
amortizat. Cu toate acestea, n prezena coliziunilor,
eh
0, conductivitatea
i permitivitatea relativ nu mai sunt termeni de natur imaginar, respectiv,


93

real. Oscilaia ordonat a electronilor fa de cmpul este distrus ca
urmare a coliziunilor cu particule grele. Energia va trece de la cmpul
electromagnetic al laserului la electroni i de la electroni la restul plasmei.
Puterea medie disipat pe unitatea de volum ntr-un interval de timp n
plasma este:
(3.21)
n care ) Re( este dat de formula matematic (3.13). Termenii E(t) i J (t)
sunt reali, iar este complex conform ecuaiei (3.12). Puterea disipat
poate fi folosit pentru ionizare n cazul coliziunilor inelastice ntre electroni
i atomi sau ioni, genernd un efect de cascad sau avalan de ionizare.
Ciocnirile elastice ce au loc ntre electroni i ioni duc la disiparea unei puteri
ce duce la nclzirea plasmei, contribuind la micarea termic a ionilor i
electronilor. Dei ciocnirile elastice i inelastice au loc, n general, n acelai
timp, efectul dat de ambele tipuri de coliziuni vor fi discutate separat. n
subseciunea 3.3.1 se prezint ionizarea n cascad, care este deosebit de
important n faza iniial a plasmei, iar n subseciunea 3.3.2 se discut
despre nclzirea prin Bremsstrahlung invers.
3 3. .3 3. .1 1. . I Io on ni iz za ar re ea a n n c ca as sc ca ad d

Vom lua n considerare numai ionizarea colizional a atomilor. Acesta
are loc cnd plasma este nc slab ionizat. Puterea disipate n plasm P
ci

este dat de ecuaia (3.21), caz n care
ea eh
= , unde
ea
este frecvena de
coliziune pentru transferul impulsului electron-atom:
(3.22)


94

n cazul n care puterea disipat este folosit n ntregime pentru
ionizare, are loc urmtorul echilibru energetic:
(3.23)
Cu
i
n reprezentnd densitatea ionic i
i
E potenialul de ionizare. Termenul
din stnga ecuaiei reprezint densitatea de putere implicat n producerea
de ioni. Dac se consider o singur ionizare, atunci:
e i
n n = i
dt dn dt dn
i e
= . innd cont de aceste relaii i de ecuaiile (3.22) i (3.23) se
obine dependena de timp a densitii de electroni i ioni:
(3.24)
unde
0
n reprezint densitatea de electroni i ioni la momentul iniial.
Termenii E
0
se msoar n V/m, iar E
i
n Joule. Exponentul din ecuaia
(3.24) reflect caracterul de avalan sau cascad a procesului de ionizare.
Frecvena de coliziune
ea
este dat de:
(3.25a)
(3.25b)
unde: C
ea
i K
ea
sunt termeni ce depind de speciile atomice, n
a
densitatea
speciilor neutre, e T
^
temperatura electronilor n electronvoli; e T k T
e B
e =
^
, i
B
k
constanta lui Boltzmann, iar
e
T temperatura n Kelvin. De exemplu, pentru
argon C
ea
= 3,5 m
-3
eVs i K
ea
= 310
12
m
-3
s, densitatea iniial a gazului, n
a

este de ordinul 10
25
m
-3
, deci
ea
pentru argon este 10
11
-10
12
s
-1
. Pentru o
lungime de und din domeniul 200-1000 nm, este de ordinul 10
15
s
-1
.
Pentru cazul studiat
ea
, aceasta implic reducerea termenului


95

) (
2 2
+
ea ea
la
2

ea
. Pentru variaia liniar a termenului
ea
cu n
a
, factorul
exponenial este i el liniar cu n
a.
Densitatea de electroni la un anumit timp
t=t depinde de asemenea exponenial de densitatea de atomi neutri, astfel:
) exp( ) (
,
a e
n t t n = . Trebuie subliniat c atunci cnd are loc ionizarea, n
a

scade i n
i
crete. Ionizare strilor ncrcate va avea loc cu singura
diferen c sunt implicate ciocnirile inelastice electron-ion.
3 3. .3 3. .2 2. . P Pr ro oc ce es su ul l B Br re em ms ss st tr ra ah hl lu un ng g i in nv ve er rs s

Considernd o plasm complet ionizat, ciocnirile elastice dintre
electroni i ioni duc la o disiparea unei puteri dat de formula (3.21), ce
nclzete plasma. Acest proces poart numele de Bremsstrahlung invers
(IB), deoarece este procesul invers emisiei radiaiei Bremsstrahlung.
Intensitatea radiaiei laser I, absorbit de plasm prin procesul IB scade
dup urmtoarea lege:
(3.26a)
(3.26b)
unde z este direcia de propagare a radiaiei, I
0
este intensitatea iniial (la
z=0) i ) (z
IB
este coeficientul de absorbie pentru Bremsstrahlung invers
(ca funcie de z). Acest coeficient de absorbie poate fi dedus din ecuaia
conservrii energiei n procesul de interaciune a radiaiei laser cu un volum
cilindric de plasm, de lungime infinitezimal de mic dz i arie A, figura 3.2.
Puterea radiaiei incidente IA este egal cu puterea radiaiei la ieire
( )A dI I + la care se adaug puterea disipat n volum Adz P
IB
:
(3.27)


96


Figura 3.2. Absorbia radiaiei laser prin Bremstrahlung invers ntr-un volum dz A de
plasm. Puterea radiaiei incidente IA este egal cu puterea radiaiei la ieire ( )A dI I + la
care se adaug puterea disipat n volum Adz P
IB
. Din aceast formul se poate deduce
coeficientul de absorbie pentru IB.

Puterea disipat pe unitate de volum
IB
P este descris de ecuaia (3.21),
unde n acest caz
ei eh
= ,
ei
reprezentnd frecvena de ciocnire pentru
transferul de impuls dintre electron-ion:
(3.28)
Din ecuaiile (3.26a) i (3.28) se obine:
(3.29)
n care s-a utilizat ecuaia (3.6) pentru a exprima intensitatea radiaiei
funcie de amplitudinea cmpului electric. Frecvena electronilor din plasm
pe
i indicele de refracie real sunt redate n ecuaiile (3.18) i respectiv
(3.19). Respectnd condiiile
pe
i
ei
relaiile matematice (3.19) i
(3.20) dau
c e pe
n n = = 1 ) ( 1 n
2
~
r
, unde
c
n este densitatea critic (la
care
pe
= n ecuaia (3.18)) avnd urmtoarea expresie:
(3.30a)
(3.30b)


97

Termenul ei
2
poate fi neglijat innd cont de numitorul celui de-al doilea
termen din partea dreapt a ecuaiei (3.29). Substituind
ei
,
ei
i
~
r
n n
ecuaia (3.29), coeficientul de absorbie pentru Bremsstrahlung invers poate
fi scris astfel:
(3.31)
Unde

Z este sarcina medie a ionilor i ln logaritmul Coulomb.

(3.32)
(3.33)
Pentru radiaia laser cu o lungime de und cuprins n domeniul 200-1000
nm,
c
n este ~ 310
28
pn la 10
27
m
-3
. n aceste condiii,
e
n va avea valori
apropiate de cele ale densitii critice
c
n . Coeficientul de absorbie pentru
Bremsstrahlung invers este atunci proporional cu ptratul densitii de
electroni (neglijnd dependena lui
e
n de logaritmul Coulomb). Dac
densitatea de electroni are valori apropiate cu ale densitii critice, absorbia
crete puternic. n limita
c e
n n sau
pe
are loc transferul rezonant de
energie ctre plasm. Acest proces ce se refer la absorbia la rezonan
este de asemenea descris de termenul excitare a undelor din plasm.
Pentru valori ale
e
n apropiate de cele ale densitii critice, radiaia laser este
complet reflectat.



98

3 3. .4 4. . E EX XP PA AN NS SI IU UN NE EA A P PL LA AS SM ME EI I

Dup ce plasma este generat, aceasta se va extinde n tot spaiul
nconjurtor presupus n continuare a fi vid. O prim exprimare vitezei de
expansiune a plasmei poate fi descris de viteza acustic a ionilor:
(3.34)
unde
p i i
m A M reprezint masa ionilor, cu
i
A masa atomic i
p
m masa
protonului.
S
c este viteza maxim pentru care poate s apar difuzia
ambipolar a plasmei.
n acest proces electronii relativ mobili difuzeaz din plasma mai rapid
dect ionii care sunt considerai relativ imobili. Prin urmare, este creat un
cmp electric care ncetinete electronii i accelereaza ioni spre exterior.
Deci, difuzia are loc cu viteza (prin urmare, temperatura) electronilor i
ineria (deci masa) ionilor, cum se poate observa n ecuaia (3.34). Pentru
densiti
e
n =10
26
m
-3
i
i
n =10
25
m
-3
i temperaturi de ordinul 10 eV,
presiunea n plasm este de ordinul 10
8
Pa.:
(3.35)
Acest lucru face ca plasma mai degrab s explodeze n vidul
nconjurtor. Energia termic este apoi transformat n energie cinetic. Cu
estimarea vitezei acustice a ionilor, viteza de expansiune a plasmei cu
xenon ce are A
i
= 131, Z = 10 i e T
^
de ordinul a 10 eV este aproximat ca
fiind 10
4
m/s. n realitate, vitezele de expansiune datorate presiunii sunt mai
mari dect viteza estimat
s
c , deoarece expansiunea plasmei generate cu
ajutorul radiaiei laser duce la o scdere rapid a densitii de electroni (i
ioni), ce determin o absorbie mai mic prin inversie Bremsstrahlung.
Uneori, dup generarea plasmei, o parte considerabil a radiaiei laser va fi


99

transmis, n special n cazul n care se utilizeaz inte gazoase (densitatea
iniial relativ mic).
3 3. .5 5. . E EM MI IS SI IA A D DE E R RA AD DI IA A I IE E D DE E C C T TR RE E P PL LA AS SM ME EL LE E O OB B I IN NU UT TE E C CU U
A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I

n general, radiaia emis de ctre plasm poate fi divizat n cea
continu i cea de linii. Radiaia continu include cea de Bremsstrahlung
(radiaie de frnare) i cea de recombinare, ambele implicnd interaciunea
dintre un electron liber i un ion. Radiaia de linii este generat de tranziia
unui electron ntre dou nivele energetice ale unui atom sau ion. Populaiile
diferitelor stri energetice se calculeaz n cadrul unui model colizional
radiativ. Elementele mai grele prezint o radiaie cvasi-continu, dat de
multe linii foarte apropiate. Dac plasma este groas optic apare radiaia de
corp negru. Vom discuta n continuare diferite procese radiative.

Radiaia continu
Procesul de Bremsstrahlung apare atunci cnd un electron ciocnete
elastic un atom (sau ion), iar din devierea sa rezult radiaie. De exemplu,
pentru un ion de Xe
Z+
ecuaia procesului se scrie

Radiaia de recombinare apare atunci cnd un ion cu sarcina binare
apare atunci cnd un ion cu sarcina Z
+
se recombin ntr-o stare excitat
sau una fundamental, rezultnd un ion cu sarcina (Z-1)
+
. Aceasta este
asociat cu tranziia unui electron dintr-o stare liber n una legat. Aadar
aceast radiaie poate fi denumit liber-legat. Ecuaia general a procesului
este:



100

unde p indic o stare excitat. Energia fotonului are o valoare minim egal
cu energia de ionizare a ionului rezultat n stare excitat. Aceasta conduce
la o structur pieptene a spectrului. Densitatea spectral de radiaie ntr-un
unghi solid de 2 sr este dat de expresia

] / [
4
m W (3.36)
unde sumarea are loc pe starea de ionizare luat n calcul Z, cu densitatea
corespunztoare de ioni n
i
(Z), iar
r
n
~
este indicele de refracie relativ.
Mrimea G
ff
este factorul Gaunt pentru Bremsstrahlung, dat de
pentru
(3.37a)
pentru (3.37b)
cu ) (
0
x K funcia Bessel modificat, iar 781 . 1 ) exp( =
e g
cu 577 . 0
e

constanta Euler.
fb
G este factorul Gaunt pentru recombinarea radiativ i
este dat de
(3.38)
unde sumarea a fost fcut pe toate strile excitate cu numrul cuantic
principal p ale strii de ionizare Z-1. E
i,Z-1
este energia de ionizare din
starea Z-1 n Z, g
p
degenerarea nivelului excitat p, iar E
p
energia lui
potenial n raport cu nivelul fundamental al ionului cu sarcina Z-1. Trebuie
precizat c a fost considerat o distribuie de tip Maxwell a electronilor dup
energie, care conduce la factorul exponenial din relaia (3.38).


101

Dependena densitii de radiaie Bremsstrahlung i de recombinare
de produsul n
i
n
e
Z
2
poate fi uor neleas deoarece ambele procese
radiative implic ciocniri electron-ion.

Radiaia de linii
Radiaia de linii apare datorit tranziiilor electronice ntre dou nivele
energetice discrete ale ionului sau atomului,

cu p i q cele dou stri. Densitatea spectral de radiaie este
(3.39)
unde n
p
este densitatea pe nivelul p, iar
pq
E diferena de energie dintre cele
dou nivele. Mrimea
pq
A este probabilitatea de tranziie, dat de
(3.40)
unde
pq
f este tria oscilatorului. Liniile spectrale sunt lrgite prin diferite
mecanisme.
S notm n final c pe lng emisia de radiaie, n plasm are loc i
absorbia acesteia. Funcie de cantitatea absorbit, plasma poate fi optic
groas sau optic subire. Pentru plasmele optic groase,

unde R este raza plasmei, iar ) , ( r k coeficientul spectral de absorbie. n
cazul echilibrului termodinamic plasma se comport ca un emitor tip corp
negru, pentru care este valabil legea de distribuie a lui Planck.




102

4. S SU UR RS SE E D DE E R RA AD DI IA A I II I X X B BA AZ ZA AT TE E P PE E P PL LA AS SM MA A
P PR RO OD DU US SA A C CU U A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I

n ultimii ani, pe plan mondial, exista un larg interes pentru sursele de
radiaii X-moi. Aceasta parte a spectrului electromagnetic, cu lungimi de
unda de ordinul nanometrilor, are aplicaii n litografie, microscopie,
radiobiologie, etc. Una dintre sursele de radiaii X-moi disponibile n prezent,
avnd puteri ridicate, este sincrotronul, avnd la baza un tub de forma
inelara n care se propaga electroni accelerai Figura 4.1. Schimbarea
magnetica a direciei de micare determina emisia radiaiei de frnare.
Totui, datorit dimensiunilor foarte mari ale acestor faciliti (pana la cteva
zeci de metri n diametru) i mai mult, datorita costurilor de ntreinere
ridicate, nu reprezint surse practice pentru radiaii. Exist ns surse de
dimensiunea laboratorului care pot concura i chiar ntrece specificaiile
sincrotronului n ceea ce privete puterea i strlucirea, astfel nct sunt
considerate ca alternative. Majoritatea sunt plasme de descrcare sau
generate cu ajutorul laserului, avnd densiti i temperaturi ridicate.

Aa cum a fost menionat anterior, una dintre aplicaiile radiaiei X-moi
este n litografia optica. Litografia (Figura 4.2) este un proces crucial n
Figura 4.1: Schema de principiu a
sincrotronului


103

producerea circuitelor integrate: un pattern de pe o masca (denumita i
reticul), coninnd copia mam a unui circuit, este proiectat folosind o
sursa de radiaie pe o structura de siliciu acoperita cu fotorezist polimeric,
cu o demagnificare de cca. 4 ori. ndeprtnd stratul polimeric, circuitul
integrat poate fi apoi construit prin procese chimice, depuneri i difuzie sau
implantare a dopanilor, pentru a genera tranzistori sau interconexiuni. Acest
ntreg proces poate fi repetat de cteva ori pentru a obine o structura
tridimensionala a circuitului integrat. Una din cele mai importante
caracteristici ale dispozitivelor litografice este rezoluia, reprezentnd cea
mai mica dimensiune caracteristica a unei trsturi de pe circuitul integrat.
Crescnd rezoluia, viteza procesoarelor i dimensiunile cipurilor de
memorie pot fi mbuntite, micornd astfel aceste dimensiuni
caracteristice.

Rezoluia R este data de NA k R
1
= , unde k
1
este o constanta de
ordinul unitii, lungimea de unda a sursei de radiaie, iar NA apertura
numerica a opticii de proiecie a dispozitivului litografic. Rezulta de aici ca
Figura 4.2: Procesul de fotolitografiere


104

rezoluia poate fi mbuntit prin scderea lungimii de und, sau creterea
aperturii numerice (cu efect negativ asupra adncimii de focalizare).
Litografia n ultraviolet ndeprtat folosit n prezent este capabil de
producerea circuitelor integrate cu dimensiuni caracteristice de ordinul 130
nm folosind radiaia laser cu lungimea de unda de 248 nm sau 193 nm
(laseri cu excimeri KrF, respectiv ArF). Recent, a fost demonstrata
posibilitatea scderii la o dimensiune caracteristica de 70 nm folosind
radiaia de 157 nm a laserului cu F
2
. Dezavantajul folosirii lungimilor de
und mai mici consta n creterea absorbiei n sistemele optice. n
consecin, este necesar folosirea oglinzilor multistrat formate din mai
multe straturi succesive de material transparent i reflectant. Alegnd
convenabil grosimea straturilor transparente, este posibila satisfacerea
condiiei Bragg, de interferen constructiv ntre radiaia reflectat de
diferite straturi. Oglinzile multistrat preferate sunt cele Mo/Si, prezentnd un
maxim de reflectivitate de 70% pentru lungimea de unda de 13.5 nm [5,6], i
o banda spectrala cu lrgimea de 2%. Mai mult, lungimea de und la care
apare maximul reflectivitii poate fi ajustat doar intr-un domeniu limitat. n
consecin, lungimea de und a surselor de radiaie este impus de
sistemul optic i este situata n intervalul 10-15 nm, cunoscut ca domeniul
Ultraviolet Extrem (EUV).
4 4. .1 1. . P PL LA AS SM ME EL LE E P PR RO OD DU US SE E C CU U A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I C CA A
S SU UR RS SE E N N E EU UV V

n prezent, sunt luate n considerare cteva tipuri de plasme ca surse
pentru litografia n domeniul ultraviolet extrem. De exemplu, diferite tipuri de
plasm de descrcare i plasmele produse cu ajutorul laserului. Plasmele
laser sunt generate prin focalizarea radiaiei unui fascicul laser de putere


105

mare la o intensitate suficient de ridicat (10
10
W/cm
2
). Cmpul
electromagnetic puternic al radiaiei laser ionizeaz i nclzete materialul
intei (solid, lichid sau gazos) care va radia intr-un domeniu larg de lungimi
de und. Din aceasta radiaie este selectat un anumit domeniu spectral
pentru aplicaii n litografie.
Materialele solide ofer o eficien ridicat a conversiei radiaiei laser
n radiaia de interes. Totui exista dou mari dezavantaje. Mai nti,
materialul evaporat de pe int va condensa parial pe optica de colectare a
radiaiei, ionii cu energii ridicate pot evapora materialul oglinzii multistrat,
sau chiar pot fi implantai n acesta pe adncimi de ordinul nanometrilor.
Aceste procese afecteaz timpul de via i performantele ale opticii de
colectare. n prezent, exista cercetri privind dispozitive de reducere a
contaminrii, insa efectul colateral negativ al acestora este reducerea
unghiului solid de colectare a radiaiei. Un al doilea dezavantaj const n
necesitatea nlocuirii materialului intei, deoarece partea din dispozitiv unde
este produsa plasma trebuie sa fie n vid.
Pentru a evita aceste probleme, n cercetrile prezente sunt folosite
inte gazoase, dar i lichide sub forma de picturi sau jet. intele gazoase
pot fi produse prin
expansiunea sonica sau
supersonica a unui gaz printr-
un injector. Se prefer
folosirea gazelor nobile (heliu,
kripton, argon, xenon)
deoarece se minimalizeaz
contaminarea opticii multistrat
(rmne doar problema ionilor
rapizi). Xenonul este un
Figura 4.3 : Spectrul EUV al plasmei de xenon obinut
prin iradiere cu diferite armonici ale laserului Nd:YAG


106

material des investigat, avnd un spectru lrgit n regiunea 11-13.5 nm
(Figura 4.3) produs de liniile satelit ale ionilor Xe
+9
, Xe
+10
, Xe
+11
.
Cercetri recente arata ca un alt candidat promitor, din punctul de
vedere al eficientei conversiei radiaiei laser n radiaie EUV, este plasma
produs cu laser ce folosete ca inta fie litiu metalic, fie inte lichide hibride
pe baza de litiu. Principalele avantaje sunt: a) emisia puternic la 13.5 nm
prin tranziia 1s-2p n ionul Li III (Figura 4.4); b) prin folosirea intensitilor
coborte ale fasciculului laser (suficiente pentru obinerea ionului Li
+2
) sunt
produi ioni cu energii mici, fapt care extinde timpul de viata al opticii de
colectare; c) structura atomica simpla faciliteaz eforturile de optimizare a
parametrilor plasmei.


Figura 4.4: Spectrul plasmei laser cu tinte din Litiu [14]
4 4. .2 2. . S ST TU UD DI II I N NU UM ME ER RI IC CE E A AL LE E P PR RO OC CE ES SU UL LU UI I D DE E E EX XP PA AN NS SI IU UN NE E A A
P PL LA AS SM ME EI I P PR RO OD DU US SE E C CU U A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I

Pentru analiza procesului de expansiune al plasmei produse prin
ablaia laser, ne vom plasa n cadrul modelului hidrodinamic. Plasma are
simetrie axiala i este rezolvat intr-un sistem de coordonate cilindrice, n
regiunea de deasupra suprafeei intei. Axa Oz coincide cu axa fasciculului
laser i este orientata normal pe suprafaa intei.
Vom descrie evoluia plasmei n urmtoarele ipoteze: i) plasma este
n echilibru termodinamic local i este satisfcuta condiia de
cvasineutralitate; ii) expansiunea este descris n aproximaia gazului


107

nevscos i fr conductivitate termica; iii) pierderea de energie prin radiaie
termic este neglijat, iar ecuaia termica de stare este cea
corespunztoare gazului ideal. n aceste condiii, dinamica plasmei este
descris de ecuaiile hidrodinamice, suplimentate cu ecuaia de bilan a
energiei,
(

z
v
r
) ru (
r
p ) nve (
z
) rnue (
r r t
) ne (
z
p
) nv (
z
) rnuv (
r r t
) nv (
r
p
) nuv (
z
) rnu (
r r t
) nu (
) nv (
z
) rnu (
r r t
n
1 1
1
1
0
1
2
2
(4.1a-d)
unde n este concentraia de atomi (neutri i ioni), (u,v) componentele
vitezei, p presiunea, iar e energia interna specifica.
Sa aplicm aceste consideraii pentru simularea procesului de
expansiune a plasmei produse prin ablaia laser. Consideram urmtoarele
condiii iniiale i pe frontiere:
i) Domeniul de integrare de tip cutie este iniial ocupat de gaz neperturbat,

) L L ( ) z r ( T T
, n n , v u : t
z r
=
= = = =
0
0 0
0
0
(4.2a-e)
unde T este temperatura, iar L
r
i L
z
dimensiunile domeniului.
ii) Ca o aproximaie, interaciunea fascicului laser cu inta produce o surs
de plasm localizat pe suprafaa intei, avnd un profil spatio-temporal
Gaussian
,
) / d (
) / L r (
exp
) / (
) t (
exp n n
, T T , v u : z
L
r
L
max
plasma
(
(

(
(

=
= = = =
2
2
2
2
2
2
2
0 0
(4.3a-d)
unde d
L
,
L
sunt considerate similare lrgimilor spatio-temporale ale pulsului
laser, iar temperatura iniial a plasmei eV T
plasma
8 . 11 = (obinut uzual n


108

experiment). Densitatea atomic maxim este considerat n acord cu
densitatea critica de electroni (n
e c
= 3.910
21
cm
-3
) pentru o lungime de unda
laser ( = 532 nm) i starea medie de sarcina 3 = Z ;
iii) Condiia de simetrie,
) L ( T ) ( T ), L ( n ) ( n
), L ( v ) ( v ), L ( u ) ( u : L , r
r r
r r r
= =
= = =
0 0
0 0 0
(4.4a-e)
iar gazul este considerat neperturbat pe frontiera superioar
0 0
0 T T , n n , v u : L z
z
= = = = = (4.5a-d)
Sistemul de ecuaii (4.1a-d) cu condiiile la limita (4.2)-(4.5) este
rezolvat numeric prin metoda diferenelor finite folosind urmtorii parametri:
L
r
=L
z
=300m,
L
=10 ns, d
L
=100 m, n
max
=1.310
21
cm
-3
, n
0
=n
max
/1000,
T
0
=0.1 eV.
In Figurile 4.5a-d) sunt prezentate curbele de contur ale densitii
totale atomice, la momentele de timp (a) t=10 ns (i.e. maximul energiei
pulsului laser, (b) t=13 ns, (c) t=16 ns, (d) t=19 ns, aa cum sunt obinute
numeric. Rezult urmtoarele concluzii : i) plasma este divizata n doua sub-
structuri, n bun acord cu comportamentul observat experimental; ii)
considernd ca radiaia vizibila este proporional cu densitatea plasmei,
rezulta un bun acord cu imaginile nregistrate experimental la diferite stadii
de evoluie.



109


Figura 4.5: Densitatea atomic (neutri+ioni) n diferite stagii de evolutie a plasmei obtinute
prin ablaia laser

Distribuia energetic a ionilor plasmei n expansiune constituie un
important n configurarea mecanismelor de reducere a efectului negativ al
acestora asupra opticii de colectare. n modelul fundamental, se presupune
ca la momentul iniial t=0 plasma ocup jumtate din spaiu, x<0. Iniial ionii
sunt reci i n repaus, avnd densitatea n
i
=n
i0
pentru x<0 i n
i
=0 pentru x>0.
Pe de alta parte, densitatea electronic are o distribuie continu, de tip
Boltzmann,
) / exp(
0 e B e e
T k e n n = . (4.6)
unde este potenialul electrostatic ce satisface ecuaia Poisson,
) ( /
2 2
0 i e
n n e x = (4.7)
La x=0, expresia cmpului electric se obine prin integrare intre 0 i ,
0 0 ,
/ 2 E e E
front
=
a) t = 10
-8
s b) t =1.310
-8
s c) t =1.610
-8
s
z (m)
10
18
cm
-3
10
21
cm
-3
r (m)
d) t =1.910
-8
s


110

unde .
Pentru t>0 se presupune ca electronii rmn n echilibru cu
potenialul, astfel nct relaiile (4.6) i (4.7) rmn valabile, n timp ce
expansiunea ionilor n spaiu este descris de ecuaiile de continuitate i de
micare,
(4.8a,b)
unde v
i
este viteza ionilor. Pentru x+c
s
t>0, presupunnd condiia de
cvasineutralitate, se gsete soluia auto-similar,
n
e
=Zn
i
=exp (-x/c
s
t 1), v
i
=c
S
+x/t (4.9a,b)

unde c
s
este viteza ionoacustic.
Plecnd de la acest model, n literatura de specialitate sunt dezvoltate
diverse tipuri solutii autosimilare (ex. P. Mora, Phys. Rev. Lett, 90 (2003),
185002 i M. Murakami, Phys. Plasma, 12 (2005), 072607) considernd
expansiunea izoterma, n timpul aciunii pulsului laser, i cea adiabatica
ulterioar. Ca i simulrile numerice efectuate n coordonate Lagrange-
Euler, aceste modele presupun existenta unui front ionic abrupt,
corespunznd unei viteze maxime de expansiune.
4 4. .3 3. . S ST TU UD DI IU UL L N NU UM ME ER RI IC C A AL L S SP PE EC CT TR RU UL LU UI I D DE E R RA AZ ZE E X X- -M MO OI I E EM MI IS SE E
D DE E P PL LA AS SM ME EL LE E L LA AS SE ER R

Activitatea chimica ridicata a litiului impune analiza simultan i a
efectului prezentei ionilor de oxigen. Spectrele nregistrate n domeniul EUV
pun n eviden liniile oxigenului care modific starea medie de sarcina i
viteza de expansiune fa de materialul de baza pur (ie. Li). n acest sens,
se analizeaz starea medie de sarcin n cadrul modelului colizional radiativ
de echilibru (pentru detalii asupra modelului, vezi D. Salzman, Atomic


111

Physics n Hot Plasma (Oxford University Press, New York, Oxford 1998)).
Notnd cu ) Z ( n

si

T
n densitatea ionica n starea de sarcina Z a speciei
(=Li, O), populaiile fracionare,

=
T
n / ) Z ( n ) Z ( f , sunt date de sistemul de
ecuaii
)] Z ( n ) Z ( [ ) Z ( S ) Z ( f ) Z ( f
b e r
1 1 1
3
+ + + = +

, (4.10)
unde S ,
r
,
b 3
sunt ratele de ionizare colizional i cele de recombinare
radiativa i three-body. Adugnd condiia de conservare, 1
0
=

Z
) Z ( f i
considernd densitatea electronica

+ =
Z
y
T
Z
x
T e
) Z ( f Z ) x ( n ) Z ( f Z x n n 1 ,
soluia sistemului (4.10) este prezentat n Figura 4.6, pentru diverse
temperaturi electronice i fracii de Li. Densitatea atomic total a fost
considerat n
T
=10
21
cm
-3
.




Figura 4.6: Populaiile fracionare ale plasmei amestec Li+O. Se observ o uoar
deplasare a maximului densitii fracionare a ionului Li
+2
, responsabil pentru emisia
radiaiei de interes



112

In cadrul unui model teoretic simplificat, considerm plasma omogen
i staionar. Intensitatea spectral a unei linii spectrale integrate pe timpul
de emisie este dat de

|
|

\
|

= ) e (
n g
n g c
dt ) ( I
) ( f
u l
l u
0
1 1
4
1
4
(fotoni/(pulsmm
2
2sr)) (4.11)
unde n
l,u
i g
u,l
sunt densitile de populaii i ponderile statistice ale strile
inferioara i superioara.
0
reprezint grosimea optica n centrul liniei.
Folosind datele atomice i spectrale din literatura de specialitate, n Figura 4
este prezentat spectrul teoretic al amestecului Li+O. n comparaie cu cel
experimental, rezulta o concordanta rezonabila, ins trebuie notate uoare
abateri ale liniilor O
+4
.


Figura 4.7: Spectrele teoretice i experimentale ale plasmei laser amestec O+Li. Pentru
uurina comparaiei este artificial introdusa o deplasare relativa.





113

4 4. .4 4. . S ST TU UD DI IU UL L E EX XP PE ER RI IM ME EN NT TA AL L A AL L P PL LA AS SM ME EI I P PR RO OD DU US SA A C CU U
A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I

Dispozitivul experimental utilizat n msurtori este de tipul celui
prezentat n Figura 4.8. Plasma este generata prin ablaia laser a unei folii
de Li folosind pulsuri cu lungimea de und 1.06 m sau 532 nm, de energii
ajustabile n intervalul 0.5-0.7 J de la un laser Nd:YAG n impulsuri de 10 ns.
Fasciculul laser este focalizat pe int cu ajutorul unei lentile cu poziie
ajustabila. Este posibila astfel reglarea diametrului spotului i deci obinerea
diferitelor intensiti pe suprafaa intei.


Studii experimentale anterioare arata posibilitatea mbuntirii
emisiei n EUV prin recombinarea forat. Aceasta presupune existenta unui
stopper dintr-un element greu n fata plasmei n expansiune. Prin ionizri
secundare pe suprafaa acestuia este posibila generarea de electroni reci,
care mbuntesc rata de recombinare radiativa. Aceste cercetri pot fi
extinse, prin studiul interaciunii a doua plasme obinute prin ablaie laser cu
direcii de expansiune opuse. Aceasta poate avea ca efect extinderea
timpului de via a plasmei i reconversia energiei de expansiune n radiaie.
Pozitie ajustabila
a lentilei (LP)
intensitatea
dimensiune
spot
GISM :Spectrometru
XRD: Foto
dioda/colector de
sarcina
XRDs
Pozitie ajustabila
a lentilei (LP)
intensitatea
dimensiune
spot
GISM :Spectrometru
XRD: Foto
dioda/colector de
sarcina
XRDs


114

5. B BI IB BL LI IO OG GR RA AF FI IE E

1. N. N. Puca, Lasere, ediia a II-a, colecia Academica, Editura TOP
FORM, Bucureti, 2007.
2. C. R. Pollock, M. Lipson, Integrated Photonics, Springer, 2003.
3. N. Puscas, E. Smeu, Transmisia informaiei prin metode optice, Vol. I, II,
Editura Cartea Universitar, Bucureti, 2004
4. N. N. Puca, Lucrri experimentale de optoelectronic, fizica i ingineria
laserilor, Editura Matrix Rom Bucureti, 2004
5. S. D. Anghel, A. Simon, Plasma de inalta frecventa, Ed. Napoca Star,
Cluj 2002.
6. Gh. Popa si L. Srghi, Bazele fizicii plasmei. Ed. Univ. Al. I. Cuza Iasi,
2000.
7. Paul Gibbon, Short Pulse Laser Interactions with Matter, Imperial College
Press, 2000
8. William Kruer, The Physics of Laser Plasma Interactions, Westview
Press, 2003
9. A. Fridman and L. Kennedy, Plasma Physics and Engineering, Taylor and
Francis, 2004
10. I.C.E. Turcu, J.B. Dance, X-rays from laser plasmas, generation and
applications; Wiley, 1999; ISBN 0 471 98397 7.
11. C. Grey Morgan Laser-induced breakdown phenomena, Sci. Prog. Oxf.
65, p31-50, 1978.
12. S.D. Anghel, Fizica plasmei si aplicatii. Universitatea Babes-Bolyai Cluj
uz intern, 2002
13. G. Bratescu, Fizica plasmei. Ed. Did. Pedag., Bucuresti 1970.
14. I.I. Popescu, D. Ciobotaru, Bazele fizicii plasmei. Ed. Tehn., Bucuresti
1987.


115

15. Gh. N. Singurel, Fizica laserilor, Ed. Univ. Al.I.Cuza Iasi, 2001;
16. Dan C. Dumitras, Biofotonica. Bazele fizice ale aplicatiilor laserilor in
medicina si biologie, Ed. All Educational, Bucuresti, 1999;
17. Dan. C. Dumitras, Laseri cu gaz, Ed. Academiei RSR, Bucuresti, 1982 ;
18. Wolfgang Demtroeder, Laser Spectroscopy Basic Concepts and
Instrumentation, Springer Verlag Berlin Heidelberg, 1996 ;
19. L.V.Tarasov, Laserii. Realitate si speranta , Ed. Tehnica, Buc., 1990;
20. Dr. Ing. N.Popescu si Ing. M.Opran, Laseri si aplicatii, Ed. Militara, Buc.,
1979 ;
21. Ion M.Popescu, Fizica si ingineria laserelor, Ed. Tehnica, Buc., 2000 ;
22. Gh. Singurel, Laseri si Optica neliniara, Ed. Univ. Al.I.Cuza Iasi,
1975;
23. Dan C. Dumitras, Tehnici laser si aplicatii, Ed. Univ. Buc., 2006.

Web
http://cord.org/cm/leot1.htm
http://www.star.le.ac.uk/~rw/courses/lect4313.pdf
http://www.intechopen.com/books/show/title/optoelectronic-devices-and-
properties
http://www.plasmas.org/plasma-physics.htm