UNIVERSITATEA "DUNREA DE JOS" DIN GALAI

FACULTATEA DE INGINERIE DIN BRILA

ELECTRONICA
CURS
UZ INTERN

autor: dr. Ing. Luiza GRIGORESCU

BRILA 2012

Capitolul 1
1. Materiale semiconductoare
Materialele semiconductoare sunt materialele care din punct de vedere al
conductivitii electrice ocup o poziie intermediar ntre materialele conductoare i
materialele electroizolante. Dintre materialele semiconductoare amintim oxizii de
metale, sulfurile, seleniurile, cesiul, germaniul, siliciul, borul, fosforul.
Cele mai des utilizate n tehnica producerii componentelor electronice sunt
siliciul i germaniul . La aceste materiale banda energetic de valen i cea de
conducie sunt separate printr-o band interzis. Trecerea electronilor din banda de
valen n banda de conducie se face cu un aport de energie care le permite acestora
s depeasc zonele interzise. La temperaturi joase n semiconductoare nu exist
electroni n banda de conducie, deci putem spune c semiconductoarele nu conduc
agitaia termic i ca urmare electronii de valen au energii suplimentare i au
posibilitatea sa treac n banda de conducie devenind electroni liberi i asfel apare un
curent electric.
n materialele semiconductoare rezistivitatea

1
, - conductivitate;

scade odat cu creterea temperaturii iar coeficientul de variaie al rezistivitii cu

temperatura are ntotdeauna valori negative.
Dup modul n care poate s apar conductivitatea electric se deosebesc
materiale semiconductoare cu conductivitate intrinsec i materiale semiconductoare
cu conductivitate extrinsec.

1. 1 Materiale semiconductoare cu conductivitate extrinsec

Constatm c la un cristal de germaniu n stare pur atomii vecini pun n
comun electroni de valen prin intermediul unei legturi covalente. Astfel orice
electron cuprins ntr-o legtur covalent este supus unei duble atracii:

- una din partea nucleului propriu

- cea de-a doua din partea atomului vecin
Conductivitatea extrinsec apare la semiconductoarele impuriflcate cu
elemente de alt valen .
1.1.1 Semiconductoare de tip n
Se obin prin dopare cu elmente pentavalente ca: staniu, fosfor,
arseniu, n concentraie de 10-7 .
n figura 2 este reprezentat doparea semiconductorului de Ge cu un atom
pentavalent de fosfor. Patru dintre electronii de valen ai fosforului formeaz
legturi covalente cu electronii de valen ai atomului de germaniu vecin. Al cincilea
electron rmne s fie supus doar atraciei nucleului propriu i din acest motiv el
devine relativ mai vulnerabil, fiind legat cu o legtur slab de atom.

Fig.2 Semiconductoare cu conductivitate intrinsec

Cu un aport de energie de doar 0.05 eV(electron volt) acest electron se

desprinde i devine electron liber. Dac din exterior acionm cu un cmp electric de
intensitate E electronul liber devine electron de valen i se mic n sens opus
sensului cmpului electric exterior. Dac n cazul conductoarelor cu conductivitate
extrinsec plecarea unui electron las n urma sa un loc liber , un gol, la
semiconductoarele extrinseci pentru c acest electron nu a fost legat ntr-o legtur
covalent nu va las n urma sa un gol.
Simultan cu apariia electronilor de conducie generai de impuriti apar
perechi electron-gol ca la semiconductoarele pure. Numrul de electroni din
semiconductoare este mai mare dect numrul de goluri, electronii fiind purttorii de
sarcin majoritari, iar golurile purttorii de sarcin minoritari, din acest motiv
semiconductoarele se numesc de tip n.
1.1.2 Semiconductoare de tip p
Atomii de aluminiu fiind trivaleni dispun pe ultimul strat doar de trei
electroni de valen care formeaz legturi covalente cu electronii de valen ai
atomilor de germaniu vecini. A patra legtur rmne nesatisfacut lsnd n urma sa
un gol. n mod convenional golului i se asociaz o sarcin pozitiv.

Datorit agitaiei termice chiar la temperatura normal un electron al unui

atom vecin vine s ocupe locul liber din preajma atomului de aluminiu. Acestui
electron i este necesar un aport de energie de doar 0,04 eV pentru a putea face
deplasarea ctre golul respectiv. Prin plecarea lui, electronul va lsa un alt loc liber
cruia i se asociaz un gol ce va fi ocupat de un alt electron al altui atom, asfel c
micrii electronului ntr-un sens i va corespunde o micare a golurilor n sens
invers. Deoarece numrul de goluri, de sarcin pozitiv, este mai mare dect numrul
de elctroni semiconductorul se numete de tip p.

1.2 Semiconductoare cu conductivitate intrinsec

Conductivitatea intrinsec apare numai la semiconductoarele aflate n stare
pur. Din cei opt electroni aflai n jurul unui atom de germaniu se poate ca datorit
agitaiei termice o parte din electronii de valen s prseasc legtura covalent
formndu-se asfel electroni liberi iar apoi n prezena unui cmp electric s devin
electroni de conducie.
Sub aciunea aceluiai cmp electric un alt electron aflat n vecintatea
golului creat va veni s ocupe locul respectiv lsnd n urma sa un alt gol. n
concluzie electronul de valen se deplaseaz n sens invers cmpului electric iar
golurile n sensul acestuia. n materialele semiconductoare pure numrul de elctroni
4

i cel de goluri este acelai.

1.3 Recombinarea purttorilor de sarcin
n orice semiconductor simultan cu procesul de generare a perechilor
electron-gol apare i procesul de dispariie a lor prin capturarea electronilor de
conducie de ctre goluri, prin recombinare electronii devenind electroni de valen
iar golurile dispar.
1.4 Jonciunea pn
Se numete jonciune pn zona de contact dintre dou regiuni ale aceluiai
cristal de semicoanductor , o regiune dopat cu impuriti acceptoare i o regiune cu
impuriti donoare (de tip n) . n zona n purttorii majoritari sunt electronii iar n
zona p purttorii majoritari sunt golurile.

De o parte i de alta a jonciunii apar dou straturi cu sarcini de semne

contrare numit zon de trecere. n aceast regiune datorit sarcinii spaiale de semne
contrare apare un cmp electric orientat dinspre n spre regiunea p (de la sarcinile
pozitive spre sarcinile negative), numit cmp electric de contact. Cmpul mpiedic
trecerea n continuare a purttorilor de sarcin, deoarece sarcina spaial pozitiv din
regiunea de trecere de valoare pozitiv mpiedic difuzia golurilor din n n p. Se
5

creeaz o stare de echilibru n care micarea de electroni i de goluri nceteaz.

1.4.1 Jonciunea pn polarizat direct
Polarizarea direct se asigur prin legarea plusului sursei de alimentare la
zona p i minusul la zona n. Tensiunea creeaz un cmp electric orientat de la p la n
invers cmpului electric de contact i deoarece valoarea acestui cmp electric este
mai mare dect cmpul electric al purttorilor de sarcin din interiorul
semiconductorului (cmpul electric de contact), deplasarea purttorilor de sarcin
este determinat de acest cmp. Electronii din zona n sunt atrai de potenialul
pozitiv al sursei de tensiune continu, trec cu uurin prin jonciune, iar golurile din
zona p difuzeaz prin suprafaa de contact spre potenialul negativ al sursei.
Prin jonciunea pn se stabilete n cazul polarizrii directe un curent direct cu
sensul convenional de la p ctre n, intensitatea curentului crescnd foarte repede
odat cu creterea tensiunii de polarizare direct .
1.4.2 Jonciunea pn polarizat invers
Polarizarea invers se realizeaz legnd zona n la borna pozitiv a sursei

i zona p la borna negativ. Cmpul electric produs de surs este de acelai sens cu
cmpul electric de contact, ntrind aciunea acestuia.
La polarizarea invers a jonciunii deplasarea purttorilor de sarcin se
6

realizeaz n felul urmtor:

-electronii din zona n sunt atrai de potenialul pozitiv al sursei, se deprteaz
de zona de contact la fel ca i golurile din zona p care sunt atrase de potenialul
negativ al sursei de alimentare.
In stnga i n dreapta zonei de jonciune apare un spaiu golit de purttori de
sarcin numit strat de blocare, care ofer n circuit o rezisten electric foarte mare,
prin care nu circul purttorii de sarcin.
Dei practic se consider curentul prin jonciune ca fiind nul la polarizare
invers, n realitate exist o circulaie de curent de valoare foarte mic, datorat
purttorilor minoritari, numit curent invers cu valoare independent de tensiunea de
polarizare.
1.5 Caracteristica unei diode cu jonciune
La o tensiune de polarizare direct, u>0, apare un curent abia dup ce este
depit pragul de deschidere al diodei. Acest prag are valoarea de (0.2-0.4)V pentru
semiconductoarele de germaniu i de (0.4-0.8)V pentru semiconductoarele de siliciu.
Peste aceast valoare curentul crete foarte rapid cu creterea tensiunii de
polarizare i exceptnd zona iniial putem aproxima creterea ca fiind cvasiliniar.

Deoarece n acest domeniu tensiunea este mai mic de 1V i curentul are

valoarea (0.l-l)A, rezistena direct oferit n circuit de diod este foarte mic.
Atunci cnd dioda e polarizat invers, u<0, prin diod apar cureni de
polarizare invers de valoare foarte mic. Pentru o zona mic valoarea curentului
depinde de temperatura mediului ambiant i nu de tensiunea aplicat la borne.
Valorile acestor cureni sunt de 10-6 A pentru diode construite cu germaniu i
10-9 A pentru diodele cu siliciu.
Aceaste diferene de valori sunt determinat de existena unor limi diferite ale
benzilor interzise n cazul germaniului i siliciului, benzi pe care electronii de valen
trebuie s le depeasc pentru a deveni electroni de conducie.
Valoarea acestor cureni se dubleaz atunci cnd temperatura crete cu 7,5 C
la germaniu i cu 6,5 C la siliciu.
n momentul ajungerii la saturaie, orict de mult crete curentul prin diod,
tensiunea la bornele acesteia nu se mai modific. Creterea valorii curentului se
datoreaz multiplicrii purttorilor de sarcin n avalan i efectului Zenner
( aciunea unui cmp electric intens dat de creterea tensiunii de polarizare invers,
avnd drept consecin formarea de perechi electron-gol). Cnd dioda este polarizat
invers rezistena pe care o ofer n circuit aceasta este foarte mare (Rinv.=106 ).
Dioda este elementul de circuit utilizat n scheme de redresare, stabilizare,
modulaie, dar cu o dioda nu se poate realiza amplificarea semnalului electric, pentru
aceasta s-au construit tranzistoarele.

Capitolul 2
Tranzistorul bipolar
Tranzistoarele se obin prin impurificarea unui cristal de siliciu sau germaniu
astfel nct s obinem trei zone cu conducie diferit. Conducia ntr-un tranzistor
este asigurat att de purttorii de sarcin pozitivi ct i de cei negativi. n figura 1
sunt reprezentate att un tranzistor pnp ct i unul npn mpreun cu simbolurile lor.
Jonciunea emitoare a tranzistorului se polarizeaz direct iar cea colectoare este
polarizat invers, asigurndu-se astfel regimul activ normal de funcionare al
tranzistorului.
n figura 2 tranzistorul este conectat n conexiune baz- comun baza
fcnd parte i din circuitul de intrare mpreun cu emitorul, dar i din circuitul de
ieire mpreun cu colectorul. De fapt tranzistorul este alctuit din dou diode cuplate
n opoziie, transferul purttorilor de sarcin de la o jonciune la alta se face fr
obinerea unui numr mare de recombinri, de aceea tranzistorul este cunoscut i sub
numele de transfer-rezistor.

Jonciunea emitoare fiind polarizat direct curentul care circul prin jonciune
este determinat de purttorii majoritari de sarcin, adic de goluri. Apare astfel un
9

curent de difuzie a golurilor, din emitor n baz, notat cu Ipe.

Aceste goluri n regiunea bazei (care este de tip n ) devin purttori minoritari n
exces cu o concentraie mult mai mare dect cea corespunztoare temperaturii
ambiante i deoarece baza este foarte ngust se recombin cu un numr mic de
electroni majoritari din baz. nlocuirea acestor electroni pierdui prin recombinare se
face prin intermediul curentului de recombinare Ir cu un transport de electroni ce vin
de la sursa de alimentare prin firul de conexiune al bazei.

Golurile provenite din emitor i rmase nerecombinate n baz difuzeaz pn

n apropierea jonciunii colectoare care este polarizat invers. Cmpul favorizeaz
trecerea purttorilor minoritari i astfel golurile care pentru baz sunt minoritare
strbat jonciunea colectoare sub forma unui curent de cmp Ipc, ajungnd n

colector (care e de tip p ) unde sunt considerate din nou purttori majoritari.
n concluzie emitorul genereaz goluri pe care le capteaz colectorul, baza
fiind cea care face controlul asupra curentului de colector. De obicei baza se
impurific cu un numr mai mic de impuriti dect emitorul i colectorul,
determinndu-se astfel existena unui numr mai mic de electroni n ea. De
aceea curentul Inb este mult mai mic ca valoare dect curentul Ipe.
Jonciunea colectoare polarizat invers este strbtut de golurile
10

provenite din emitor i nerecombinate n baz Ipc ct i de curenii de cmp dai

de purttorii minoritari generai pe cale termic . Acest curent se noteaz ICBO
i este format din golurile minoritare ale bazei ce trec n colector i din
electronii minoritari ai colectorului ce trec n baz.
ICBO reprezint curentul colector-baz cu emitorul n gol, adic atunci cnd
emitorul nu injecteaz purttori de sarcin n baz.
2.1 Curenii n tranzistor
n cele ce urmeaz ne propunem determinarea curenilor printr-un
tranzistor bipolar. Pentru aceasta facem apel la legile lui Kirchoff pe nodurile i
ochiurile din figura 2. Astfel determinm c
I E I pe I nb

(1)

I B I nb I r I CB0

(2)

I C I pc I CB0

(3)

Din relaiile (2) i (3) rezult c

I B I C I pe I r I nb

cu ajutorul creia

obinem prima ecuaie fundamental a tranzistorului

I E IC I B

(4)

A doua ecuaie fundamental exprim componena curentului de colector

Dac notm cu 0 factor de amplificare n curent cu emitorul n gol de valoare
0,95 -0,998 i I CB0 reprezint curentul curentul rezidual de colector cu emitorul n
gol, determinm c atunci cnd I E 0 , curentul de colector este I C I CB0 .

11

2.2 Tipuri de conexiuni ale tranzistorului

Cele mai utilizate n practic sunt conexiunile emitor-comun (EC) sau bazcomun (BC).
Pentru conexiunea EC curentul de colector este dat de relaia
IC

0
1
IB
I CB0
1 0
1 0

0
Dac se noteaz 0 1 , atunci

IC 0 I B

(5)

1
I CB0 .
1 0

0 se numete factor de amplificare n curent baz-colector i are valori 0 50 500 .

I CE 0

1
I CB0 0 I CB0
1 0

este cunoscut sub numele de curent rezidual de colector cu

baza n gol.
Experimental s-a constatat ca valoarea lui

I CE 0 pentru conexiunea emitor-

comun este mult mai mare dect I CB0 pentru conexiunea baz-comun i de aceea
ecuaiile fundamentale pentru conexiunea emitor-comun sunt date de relaiile
IC I E

(6)

IC 0 I B

(7)

2.3 Dependena de temperatur a parametrilor tranzistorului

Cea

mai pronunat dependen fa de temperatur o au caracteristica de

intrare i curentul rezidual de colector.

12

Pe o caracteristic de intrare iB f u BE pentru un tranzistor n conexiune emitorcomun observm c odat cu creterea temperaturii se produce deplasarea spre stnga
a caracteristicilor de intrare ctre tensiunile de polarizare direct mai mici. Pentru
obinerea unui curent de aceeai valoare sunt necesare pe msur ce temperatura
crete , tensiuni de polarizare din ce n ce mai mici , sau privind altfel problema, la o
aceeai tensiune uBE, odat cu creterea temperaturii se obin cureni din ce n ce mai
mari. Aceast proprietate trebuie luat n consideraie deoarece la creteri mari de
temperatur, valori mari ale curentului pot determina distrugerea jonciunii prin efect
termic.
Curentul ICB0 se dubleaz la fiecare cretere a temperaturii cu 9 C n cazul
tranzistoarelor cu germaniu i cu 6 C n cazul tranzistoarelor cu siliciu. Dei
dublarea valorii curenilor se face mai rapid la tranzistoarele cu siliciu dect la cele
cu Ge, se prefer n ceea ce privete valoarea lui I CB0 folosirea tranzistoarelor
cu siliciu, deoarece la temperatura camerei valoarea curentului rezidual este mult mai
mic la siliciu (nA) fa de germaniu (A). n cazul tranzistoarelor cu siliciu
importana lui I CB0 se poate neglija pentru valori ale temperaturii mai mici de 100C
13

pe cnd la germaniu el trebuie luat n considerare la temperaturi mai mari de 80 C.

2.4 Parametrii care limiteaz funcionarea tranzistorului

Funcionarea tranzistorului este limitat de urmtorii parametri:
a) -temperatura maxim a jonciunilor
b)-puterea disipat maxim { Pd max )
c)-curentul de colector maxim
d)-tensiunea colector-emitor maxim.
Pd max se obine ca produsul dintre curentul de colector i tensiunea de colector-

emitor. Punctul n care se face calculul trebuie situat n interiorul spaiului delimitat
de curba de disipaie maxim a puterii.
2.5 Tranzistorul ca amplificator
Tranzistorul poate fi privit ca un cuadripol (circuit cu patru borne) .

14

Principala lui proprietate este amplificarea, care const n faptul c un semnal

de o anumit form i frecven aplicat la intrarea unui tranzistor se obine la ieirea

lui cu aceeai form i frecven dar de amplitudine mrit. Pentru un tranzistor n
conexiune emitor-comun mrimile de intrare sunt curentul i B i tensiunea uBE iar cele
de ieire sunt curentul iC i tensiunea uCE .
Sursele EB

i EC asigur polarizarea jonciunilor i determin existena

punctului static de funcionare n absena semnalului de intrare, RC rezistena de

colector ce are rol i de rezisten de sarcina, RB rezistena de polarizare a bazei, u
generator de tensiune sinusoidal.
Scriind teorema a doua a lui Kirchhoff pentru ochiul de ieire obinem:
EC uCE RC iC

(8)

RC iC uCE EC

(9)

15

iC

E
1
uCE C
RC
RC

(10)

Considernd relaiile 8, 9, 10 observm c ultima ecuaie poate fi asemnat cu

ecuaia unei drepte y = ax + b i fcnd intersecia cu axele de coordonate obinem
E

C
punctele de coordonate (uCE 0, iC R ) i (iC 0, uCE EC ) , cu ajutorul crora
C

determinm dreapta reprezentat prin tieturi din figura 6, dreapt ce poart numele
de dreapt static de funcionare a tranzistorului.
Pentru un montaj dat, punctul de funcionare trebuie s se menin pe aceast
dreapt n limitele determinate de cele dou tieturi.
Majoritatea amplificatoarelor de tensiune care lucreaz cu semnal mic la intrare
16

au punctul static de funcionare (M) fixat la jumtatea dreptei de sarcin la o anumit

valoare a curentului IB (n desen la 30/A). Pentru a explica funcionarea ca
amplificator considerm un generator de curent care alimenteaz baza tranzistorului,
comanda n curent a tranzistorului fcndu-se mai uor dect n tensiune.
Tranzistorul are rezistena de intrare mic de cteva zeci de ohmi n conexiune
baz-comun i sute de ohmi pentru conexiunea emitor-comun. De aceea un
generator de semnal cu rezistena de intrare de ordinul zecilor de kiloohmi va debita
un curent de intrare independent de tranzistor.
Dac considerm tensiunea EC=15V i rezistena Rc=1.5k obinem un curent
de colector iC=10mA. Tensiunea obinut ntre colector i emitor este EC=15V .
Amplasnd punctul M n poziia de mijloc a dreptei statice de funcionare a
tranzistorului determinm mrimile ce caracterizeaz acest punct static de funcionare
PSF( iC 0 , iB0 , uCE 0 ) cu iC 0 4,5mA, iB0 30A, uCE 0 9V .
De la generatorul de semnal sosete n baza tranzistorului un curent maxim de
20A. Scriind teorema nti a lui Kirchhoff pentru nodul de intrare obinem:
i B iG iB0

(11)

La momentul t=0 curentul de baz iB 30 A iB0 deoarece curentul de la generator

4 , curentul de generator crete pn la 20A

este zero. Pentru intervalul t 0, T

astfel c la momentul T/4 curentul de baz are valoarea iBmax 50A . Punctul static de
funcionare se mic pe dreapta de sarcin i ajunge n punctul N.
Atunci cnd curentul de generator iG scade, ajunge la momentul T/2 la
voaloarea zero. n orice moment, curentul total se obine prin nsumarea celor doi
cureni i ca urmare seva micora ajungnd la valoare lui iniial iB iB0 . n acest
moment PSF care a trecut succesiv prin aceleai puncte ca i n intervalul 0 t T 4
dar n sens opus (MN) a revenit la poziia iniial. Generatorul de semnal introduce n
circuit alternana negativ a semnalului alternativ. Prin nsumare algebric, curentul
total ia valori din ce n ce mai mici, intervalul T 2 t 3T 4 pn la momentul t 3T 4
17

cnd

semnalul

atinge

valoarea

maxim

negativ.

La

t=3T/4,

iB iB0 iG 30 20 10 A i Bmin , atunci PSF ajunge n punctul P.

Pentru intervalul 3T/4<t<T, alternana negativ a semnalului de intrare ia

valori absolute din ce n ce mai mici, ajungnd zero pentru t=T. Astfel PSF a trecut
succesiv prin toate poziiile corespunztoare curentului total de baz i a reajuns la
poziia iniial M. Deci pentru un semnal sinusoidal la intrare care variaz n decurs
de o perioad, poziiile PSF corespund interseciilor ntre dreapta de funcionare i
valorile totale ale curentului de baz din circuit, descriu segmentul NP care poate fi
aproximat drept caracteristica dinamic de ieire, a tranzistorului limitat de N

iB iG i P iB iG . Observm c la ieire curentul i tensiunea de colector sunt tot

mrimi cu evoluie sinusoidal ce variaz n antifaz (defazate cu 180) fa de
mrimile de la intrare. Avnd n vedere funcionarea prezentat putem afirma c
etajul asigur o amplificare n curent egal cu raportul dintre curentul de colector i
curentul de baz.
AI

IC
IB

(12)

2.6 Rolul elementelor de circuit ntr-un amplificator

Etajele prezentate n figura la i lb se deosebesc prin aceea c polarizarea n
curent continuu a bazei se face cu un singur rezistor n figura la i doua rezistoare
(divizor rezistiv) n figura lb.

18

-rezisten de sarcin care permite transmiterea semnalului la un alt etaj,

din acest motiv RS trebuie s aib o valoare mare (K) dar nu prea mare pentru a nu
impune utilizarea unei surse de alimentare cu tensiune prea mare datorit cderii de
tensiune continu ce se obine pe rezistenta RS chiar i n absena semnalului.
EC U RC U CM

(13)

U RC RC I C

(14)

RC

EC U CM
IC

(15)

Pentru figura la determinm valoarea rezistenei de baz:

EC RB I B U BE RE I E

I B IC I E

RB

EC U BE RE I E
IB

(16)
(17)
(18)

n cazul figurii lb determinm valoarea divizorului rezistiv de polarizare a

19

bazei astfel:
EC U R B U BE U R
1

EC RB1 I B I D U BE RE I E

(19)
(20)

EC U BE RE I C
IB ID

(21)

U BE U RE U RB 0

(22)

RB1

RB2

U BE U RE
ID

(23)

Rezistena de emitor RE se utilizeaz pentru stabilizarea din punct de

vedere termic al punctului static de funcionare al tranzistorului. La variaiile
temperaturii mediului ambiant se nregistreaz o variaie considerabil a curentului
rezidual de colector I C 0 datorit purttorilor minoritari de sarcin ai colectorului.
Cum I C 0 este parte component a curentului total I C , acesta crete peste valoarea
maxim permis i are drept consecin distrugerea tranzistorului.
Realizarea stabilizrii termice a punctului static de funcionare de ctre
rezistena de emitor RE.
Deoarece I C I B I CB0 , putem explica evoluia mrimilor electrice
din circuit dup cum urmeaz:
Dac I C 0 crete , I C crete i ca urmare va crete i curentul de emitor (IE IC)
I E U R E U BE I B I C I E

Dar U R E RE I E i deci tensiunea dintre baza tranzistorului i mas se

calculeaz asfel U BM U BE U R E iar U BM const.
Observm c evoluia mrimilor electrice din circuit determin scderea
curentului din colector, circuitul rspunznd cu o scdere la creterea curentului.
Totul se petrece att de rapid nct practic nu se observ i putem considera c
valoarea curentului de colector se menine tot timpul constant la variaia
temperaturii. Condensatorul CE de decuplare a emitorului ofer n circuit o reactan:
20

X CE

RE
10

2.7 Schema echivalent de semnal mic a tranzistorului

La frecvene joase tranzistorul poate fi nlocuit cu o schem echivalent cu
parametri hibrizi ca cea din figura 2b. ntre mrimile electrice din circuit exist
urmtoarele relaii stabilite aplicnd teorema a doua a lui Kirchhoff pentru ochiul de
la intrare i teorema nti pentru ochiul de la ieire

21

2 Tiristorul
Tiristorul se simbolizeaz astfel:

Tiristorul se obine dintr-un semiconductor de siliciu sau germaniu n care au

fost create zone de conductibilitate alternat .
Pe regiunile p i n extreme, din figura 1, s-au aplicat dou contacte ohmice
(anod i catod) anodul legndu-se la plusul sursei de alimentare iar catodul la minusul
sursei de alimentare. Pe regiunea p central se afl un contact metalic reprezentnd
un electrod de comand numit poart.

22

Tiristorul se mai numete i diod semicomandat, are trei jonciuni J1 ,J2 ,J3 i
poate fi echivalat cu dou tranzistoare, unul pnp i cellalt npn care

au jonciunea colectoare comun.

Jonciunile J1 i J3 se numesc jonciuni emitoare iar J2 jonciune colectoare.
Dac poarta este nepolarizat i legm anodul la plus i catodul la minus,
jonciunile J1 ,J3 vor fi polarizate direct iar J2 invers. J2 are atunci o rezisten invers
foarte mare i rezult c valoarea curentului prin tranzistor este foarte mic( 0 )
orict ar fi tensiunea aplicat ntre anod i catod.
Dac se mrete treptat tensiunea aplicat tiristorului se constat c ncepnd
de la o anumit valoare, numit tensiune de comutaie, curentul prin tiristor crete
brusc, iar tensiunea la borne scade. Tiristorul a trecut din starea de conducie n starea
de blocare situaie n care curentul prin dispozitiv poate fi limitat doar de elementele
exterioare ale circuitului .
23

Fenomenele ce apar n tiristor pot fi explicate n felul urmtor :

Presupunem comutatorul k1 nchis i comutatorul k2 deschis. Tiristorul este alimentat
ntre anod i catod, jonciunea central fiind strbtut de trei cureni:
-un curent de goluri injectat de emitorul tranzistorului pnp al primei jonciuni J1;
-un curent de electroni injectat de emitorul celui de-al doilea tranzistor de tip npn , de
jonciune J3;
-un curent invers, propriu jonciunii centrale de colector polarizat invers J2.
Daca 1 si 2 sunt coeficienii de amplificare n curent ai celor dou
tranzistoare i I este curentul total al dispozitivului, care ajunge n exterior, atunci
curenii de emitori ai celor dou jonciuni au valori 1 I i 2 I . Aplicnd teorema
nti a lui Kirchhoff obinem:
I 1 I 2 I I C 0

IC0
1 1 2

relaie care folosete la explicarea procesului calitativ al comutaiei (comutaie

nseamn trecerea din starea de blocare n starea de conducie i invers).
Dac la tranzistoare jonciunea colectoare este polarizat invers peste o
anumit valoare numit valoare critic sau tensiune de strpungere, curentul crete
practic nelimitat datorit multiplicrii n avalan a purttorilor minoritari de sarcin
i ca urmare coeficientul de amplificare n curent al tranzistorului crete foarte mult.
La tiristor, cnd tensiunea invers a jonciunii centrale J2 are o astfel de
valoare, nct suma celor doi coeficieni de amplificare n curent devine egal cu
unu, atunci :

n acest moment tiristorul trece din stadiul de blocare n stadiul de conducie.

Acelai fenomen producndu-se i dac egalitate 1 + 2= 1 este obinut pe alt cale.
n starea de blocare, condiia practic nu este indeplinit deoarece curenii prin
24

tranzistoare fiind practic neglijabili i coeficienii lor de amplificare sunt extrem de

mici . Pentru ai mri se poate injecta din exterior un curent numit curent de comand

In cazul montajului din figura 2 acest curent va apare atunci cnd comutatorul
k2 este nchis . n aceast situaie, jonciunea J2 devine polarizat direct i condiia de
intrare n conducie a tiristorului este ndeplinit pentru o valoare mult mai sczut a
tensiunii anod-catod. Cu ct

I p sau U pc crete,

cu att se micoreaz valoarea

tensiunii anodice la care apare comutaia. n momentul comutaiei, tensiunea la

bornele tiristorului scade foarte mult, evoluia comutaiei fiind reprezentat pentru
diverse valori ale tensiunii de poart n figura 3 .
Dup ce tiristorul

a intrat n

conducie,

datorit

fenomenului

de

multiplicare n avalan tensiunea de comanda nu mai are nici o influen. Din acest
motiv este nevoie de un impuls foarte scurt
pentru comand, de putere foarte mic avnd
rolul numai de a amorsa avalana. Dup
comutarea tiristorului se poate nltura acest
semnal de comand .
Pentru ca un tiristor s fie comutat
invers , adic s treac din starea de conducie n
starea de blocare este necesar inversarea
polaritii tensiunii dintre anod i catod. Tiristoarele se construiesc de obicei pe
cristale din siliciu i se folosesc pentru construcia redresoarelor de putere
25

comandate, care admit cureni maximi de ordinul a mii de amperi i tensiuni inverse
de mii de voli, cu puteri de comand mici, timpii de comutaie fiind de ordinul
secundelor .

3 Diacul
Diacul este un dispozitiv multijonciune care are proprietile diodei pnpn
asigurnd conducia n ambele sensuri. Dispozitivul are cinci straturi i patru
jonciuni . Pentru a fi comandat l putem considera ca fiind alctuit din dou structuri
de tip pnpn aezate antiparalel. Diacul are conducie bidirecional i este prevzut cu
doi electrozi T1 i T2 prin care circul curentul iT. Ei se numesc terminalul T1 i
terminalul T2 .
La aplicarea unei tensiuni T >0 structura din partea dreapta este polarizat
direct i se amorseaz la o tensiune BD , caracteristica iT = f(T)

are aspectul din cadranul nti al figurii 4. Cnd polaritatea tensiunii se schimb, intr
26

n conducie structura din partea stnga (figura 4c) la o tensiune negativ de valoare
BR , iar caracteristica iT = f(T) are aspectul din cadranul trei.
Este de dorit ca BD = BR = B0 asigurnd o caracteristic simetric .
Practic se produc dispozitive cu vB0

de zeci de voli simetria fiind

garantat cu o toleran de 10% .

Deoarece diacul are caracteristica bidirecional , el se poate folosi n curent
alternativ i este un dispozitiv de mic putere utilizat la comanda tiristoarelor i a
dispozitivelor de tip triac .
Triacul, constructiv este asemntor cu diacul, singura deosebire este c
prezint un electrod de comanda numit poart .

27

Capitolul 3
Amplificatoare electronice
Amplificatoarele sunt circuite electronice care prelucreaz semnale electrice
furniznd la ieire semnale de aceeai form i frecven cu cele aplicate la intrare dar
cu amplitudine mrit .

Amplificarea total a etajului este:

A A1 A2 A3 An

(1)

Pentru a ndeplini aceasta funcie un amplificator trebuie prevzut cu o surs

de energie electric, pe seama creia se obine sporul de putere de la ieire i
elemente active care s fie capabile s preia i s transforme o parte din energia
absorbit de la sursa de alimentare n energie de curent alternativ variabil n ritmul
semnalului.
Amplificatoarele se clasific:
Dup felul mrimii electrice pe care o poate prelucra:
-amplificatoare de tensiune ;
-amplificatoare de curent;
-amplificatoare de putere.
Dup tipul de componente folosite n construcia lor :
-amplificatoare cu tuburi;
-amplificatoare cu tranzistoare;
-amplificatoare cu circuite integrate.

28

Dup frecvena semnalului pe care l prelucreaz:

-amplificatoare de curent continuu (f=0 Hz);
-amplificatoare de audiofrecven (20Hz - 20 KHz);
-amplificatoare de radiofrecven (20 KHz -30 MHz),
-amplificatoare de nalt frecven (30MHz- 300MHz).
Dup limea benzii de frecven:
-amplificatoare de band redus, care lucreaz la (9 - 30) Hz;
-amplificatoare de band larg, numite i amplificatoare de video-frecven ( 0 - 5)
MHz.
Dup tipul de cuplaj existent ntre etajele amplificatoarelor:
-amplificatoare cu cuplaj RC;
-amplificatoare cuplate prin circuite acordate ;
-amplificatoare cu cuplaj prin transformator ;
-amplificator cu cuplaj rezistiv (amplificator de curent continuu).
Parametrii amplificatoarelor
1) Coeficientul de amplificare, cunoscut sub denumirea de amplificare
sau ctig ;
2) Caracteristica amplificare-frecven i caracteristica faz-frecven ;
3) Distorsiunile ;
4) Gama dinamica ;
5) Raportul semnal-zgomot;
6) Sensibilitatea .
Coeficientul de amplificare se noteaz cu A i se definesc amplificri n
tensiune, curent i putere
29

n electronic i telecomunicaii pentru exprimarea valorii amplificrii se

folosesc uniti logaritmice . Unitatea bazat pe logaritmul n baz zece se numete
decibel (dB) iar cea bazat pe logaritmul natural se numete neper (Np). Dac dorim
s exprimm amplificarea n tensiune n decibeli atunci aceasta va fi de forma de mai
jos:

Caracteristica amplificare-frecven. Amplificatorul ideal este circuitul n

care un semnal de amplitudine constant i de diferite frecvene este redat la ieire tot
cu amplitudine constant mrit fa de cea de la intrare, aceeai pentru toate
frecvenele din banda de frecvene a amplificatorului. Amplificatorul real are
amplificarea constant n band, mai puin la capetele benzii i anume, amplitudinea
este mai mic la frecvena limit superioar i la frecvena limit inferioar .

Amplitudinea semnalului este mai mic la frecvena inferioar a benzii de

frecvene. Aceasta se datoreaz elementelor reactive din circuit (bobine i
condensatoare ) care introduc reactane inductive i capacitive independente de
frecven .
30

Deasemenea, elementele active din circuit (tranzistoarele sau tuburile) au

coeficienii i respectiv dependeni de frecven, afectnd i ele aspectul
caracteristicii la capetele benzii.
Distorsiunile. Reproducerea inexact a semnalului de ieire fa de cel aplicat
la intrare poart numele de distorsiune. Exist distorsiuni liniare i neliniare .
Din categoria distorsiunilor liniare fac parte :
-distorsiuni ale amplitudinii n funcie de frecven ;
-distorsiuni ale fazei funcie de frecven .
Din categoria distorsiunilor neliniare fac parte :
-distorsiuni armonice ;
-distorsiuni de intermodulaie.
Cele mai demne de luat n seam sunt distorsiunile neliniare armonice care
sunt acele deformri ale semnalului de la ieire datorate elementelor neliniare de
circuit (tuburi, tranzistoare i miezuri magnetice).
Factorul de distorsiune se calculeaz dup cum urmeaz:

U 22 U 32 ............ U n2
U1

(2)

unde: U2,U3,...,Un sunt componente ale semnalului de la ieire, care este format dintro sum de semnale sinusoidale ce au perioadele:

T,

T T
T
; ;.............
2 3
n

i frecvenele

f, 2f, 3f, ... nf.

Frecvena f se numete frecven fundamental , iar 2f ; 3f ; ...; nf se
numesc frecvene armonice . Astfel putem s scriem semnalul de ieire sub
forma:
u t U 0 U1 sin t 1 U 2 sin 2t 2 ............ U n sin nt n (3)

Raportul semnal-zgomot se definete ca raportul dintre semnalul de ieire i cel

de intrare
Rapsemn. / zg . 20 log
31

U S ies
U zg .

(4)

Gama dinamic reprezint raportul dintre semnalul de putere maxim i cel

de putere minim pe care le poate furniza amplificatorul.
Sensibilitatea reprezint tensiunea necesar la intrarea unui amplificator
pentru ca la ieire s se obin tensiunea nominal .

3.1 Amplificatoare de tensiune

n figura 2 este reprezentat un amplificator de tensiune format din dou etaje
(T1 i T2) ce cuprind tranzistoare n conexiunea emitor-comun. Cuplajul ntre cele

dou etaje se realizeaz cu condensatorul de cuplaj CC 2 punctul static de funcionare

al amplificatorului se afl situat la jumtatea dreptei de sarcin. Cum semnalele de la
intrare sunt de aplitudine mic se asigur o reproducere proporional a semnalelor de
intrare de ctre semnalul de ieire . Deoarece ntreaga plaja de variaie vrf la vrf a
tensiunii de semnal poate fi ncadrat n lungul dreptei de sarcin punctul static de
funcionare va fi plasat n regiunea central a dreptei de sarcin determinnd
ncadrarea amplificatorului de tensiune n clasa A de funcionare . Legnd n cascad
cele dou etaje rezistena de sarcin nu se mai reduce doar la rezistena de colector a
lui T1 ( RC1 ) ci va fi format din grupul Rs RC1 II R4 IIR3 .

32

Caracteristica dinamic a

circuitului

format

din

etajul

ce

cuprinde

tranzistorul T1 nu se mai obine din caracteristica static, ea reprezentnd o dreapta ce

trece prin PSF , dar face cu axa absciselor un unghi dedus din relaia :
tg

I ies
1
1
arctg

,
RS
U ies RS

(5)

n care Uies, Iies sunt valorile efective ale semnalului alternativ obinut la bornele de
ieire ale etajului.
Deplasarea punctului M pe caracteristica dinamic este limitat de intersecia
cu curbele iB iB0 iG .
n figura 3 este reprezentat schema echivalent n care tranzistorul este
nlocuit cu schema lui echivalent cu parametri hibrizi.
Condensatorul de cuplaj CC 2 permite trecerea semnalului alternativ de la
colectorul lui T1 la baza lui T2, dar blocheaz trecerea componentei continue.
Cp- reprezint capacitatea parazit totala a etajului
C p CiesT Cint rT Cm
1

(6)

Cm - capacitatea introdus de conexiunile din montaj;

Rintr - rezistena de intrare n T1

Rg - rezistena intern a generatorului;

RE1, RE2 - rezistene de emitor care stabilizeaz din punct de vedere termic
punctul static de funcionare al etajului.
Studiul la frecvene medii a etajului
33

La frecvene medii, reactana introdus de condensatorul CP, X C p iar cea a

condensatorului CC 2 tinde la zero i ca urmare la aceste frecvene schema arat ca n
figura 3 n care lipsete CP iar CC 2 se comport ca un scurt circuit.
Impedana intern a generatorului este pur rezistiv, atunci tensiunea de intrare
i cea de ieire se scrie astfel:
U 1 U g R g I1

iar U 2 RS I 2

(7)

innd seama de ecuaiile cu parametri hibrizi ai tranzistorului

U1 h11e I1 h12 e U 2

(8)

I 2 h21e I1 h22 e U 2

(9)

1) calculm amplificarea n curent a etajului

AI

I2
I1

(10)

nlocuim relaia (7)n relaia (9) i obinem:

I 2 h21e I1 h22 e RS I 2

h21e I1 I 2 1 h22 e RS

(11)

(12)

Ca urmare amplificarea n curent devine:

AI 0

h21e
1 h22e RS

(13)

Deoarece h22e este foarte mic (h22e 0) i de aceea se poate face aproximaia
Rint = h21e .
2) calculul impedanei de intrare
U1
I1

(14)

U1 h11e I1 h12 e U 2

(15)

Rint

U1 h11e I1 h12 e RS I 2

(16)

I
U1 I1 h11e h12 e RS 2
I1

(17)

34

U1 I1 h11e h12 e RS AI
Rint

(18)

U1
h11e h12 e RS AI
I1

(19)

innd seam de expresia de calcul a lui AI, Rint devine

Rint h11e h12 e RS

n care aducnd la acelai numitor i notnd

Rint

h21e
1 h22 e RS

(20)

h11e h22 e h12 e h21 h , Rint devine

e

h11e RS h

(21)

1 h22 e RS

Dac h12 e 0, h22 e 0 , putem aproxima Rint h11e .

3) calculul amplificrii n tensiune
AU

AU 0

h11e

U2
U1

h21e
RS

RS h 1 h22 RS

1 h22 e RS
AU 0

(22)

RS h21e
h11e RS h

(23)

(24)

Dac h12e = 0, h22e = 0, atunci valoarea amplificrii n curent este

AU 0 RS

h21e
h11e

S RS , unde S reprezint panta tranzistorului.

4) Calculul impedanei de ieire (pur rezistiv)

Ries

U2
/ ug 0
I2
35

(25)

U 1 U g R g I1

dac

u g 0 obinem
U 1 R g I1

I1

(26)

U1
Rg

(27)

Eliminm pe U1 i I1 ntre relaiile (27) i cele de legtur exprimate de schema

cu parametri hibrizi, din care obinem :
U2

I1
Rg h11e
h12 e

(28)

Ca urmare
I 2 h21e I1

h22 e I1
h12 e

Rg h11
e

(29)

unde aducnd la acelai numitor i efectund calculele determinm

I 2 I1

Rg h22 e h
h12 e
Rg h11e

Ries

Rg h22 e h

(30)
(31)

Conform datelor de catalog h12 e 0, h22 e 0 putem spune c Ries .

3.2 Schem practic de amplificator n conexiune emitor comun
Schema din figura 1 cuprinde un tranzistor n conexiune emitor- comun.
Emitorul este legat la mas prin rezistena RE decuplat n regim de semnal de
condensatorul CE.
Reactana condensatorului X C E tinde ctre zero.
X CE

1
2fC E

(1)

CB este un condensator de cuplaj care aduce semnal de la etajul precedent n

baza tranzistorului T. Condensatorul de cuplaj este necesar ca s separe n curent
continuu colectorul tranzistorului anterior de baza lui T care din punct de vedere al
curentului continuu are o alt tensiune.
36

In regim de semnal el trebuie s se comporte ca un scurtcircuit, reactana lui

tinznd ctre zero, la fel i condensatorul Cc . n curent continuu alimentarea
tranzistorului se face la tensiunea de baza UB =1V, iar componenta continu din
colector este de valoare UC=5V. Aceast tensiune se msoar cu voltmetrul punnd
plusul n baz i minusul la mas. Peste tensiunea continu de baz de 1V se aplic un
semnal sinusoidal astfel c n baz apare tensiunea instantanee uB (figura 2a).
Cunoscnd funcionarea tranzistorului determinm tensiunea de la ieirea acestuia ,
mai precis din colector.
n intervalul de timp (t1, t2) peste componenta continu UB sosete n baz
alternana pozitiv, astfel c uB crete, iar tensiunea u BE crete deoarece
u BE u B U E

(2)

nseamn c u BE crete. Din caracteristica iC f uCE deducem c i iC crete, ca

urmare crete U RC RC I C . Dar
EC RC I C uC

(3)

i EC este constant, putem afirma c uC scade.

Deci n intervalul (t1, t2) cnd la intrare se aplic o alternan pozitiv a tensiunii
de baz, la ieire se obine alternana negativ a tensiunii de colector amplificat.
n intervalul (t2, t3) peste componenta continu din baz se suprapune alternana
37

negativa a tensiunii de baz i ca urmare evoluia mrimilor electrice din circuit are
loc astfel :uB , uBE , IC, URC,

=>uC. n intervalul (t2, t3)la intrare se aplic alternana

negativ iar la ieire se obine alternan pozitiv amplificat.

Concluzie
Tranzistorul n conexiune emitor-comun amplific un semnal i l furnizeaz la
ieire defazat cu 180. Tensiunea instantanee de colector uC este n permanen
pozitiv i axat pe componenta continua UC. Dac aceast tensiune este trecut prin
condensatorul de cuplaj CC componenta continu este nlturat i tensiunea de ieire
uies va fi axat pe zero.

3.3 Amplificator de tensiune cu tranzistor n conexiune baz- comun

Acest tip de conexiune se utilizeaz la amplificatoare de nalt frecven. n
conexiunea baz-comun frecvena limit superioar crete ntruct capacitatea
parazit de ieire este redus.
n emitor peste componenta continu UE se aplic semnalul sinusoidal de
intrare astfel ca tensiunea instantanee de emitor (figura 4a) pe intervalul ( t1, t2) va
suferi o cretere, ca urmare scade tensiunea de baz emitor.
Scderea tensiunii de baz-emitor presupune i scderea curentului de colector IC i a
tensiunii de la bornele rezistentei de colector RC .
38

n intervalul (t2, t3) peste componenta continu n emitor se suprapune alternana

negativ i rezult urmtoarea evoluie a mrimlor electrice din circuit
u E u BE I C u RC uC .

n conexiunea baz-comuna tranzistorul amplific semnalul i l furnizeaz la

ieire n faz cu semnalul aplicat la intrare.
3.4 Amplificator de tensiune cu tranzistor n conexiune colector- comun
Tranzistorul trebuie alimentat astfel nct colectorul s fie legat la plusul sursei
de alimentare. Dac minusul sursei ar fi la mas colectorul nu-1 putem lega la minus
deoarece astfel se unteaz tensiunea de alimentare. Impedana de intrare a unui
astfel de etaj este foarte mare iar cea de ieire este foarte mic. Amplificarea n
tensiune a tranzistorului este aproximativ unu i etajul se mai numete repetor de
tensiune deoarece repet la ieire tensiunea aplicat la intrare.

Funcionarea n regim de semnal decurge astfel: peste tensiunea continu UB se

aplic semnalul sinusoidal de intrare i vom avea n baz un semnal instantaneu uB. n
intervalul (t1, t2) sosete n baz alternana pozitiv i ca urmare tensiunea
instantanee de baz crete peste UB, iar

uBE

crete.

Conform caracteristicii

IC = f (uBE), se produce o cretere a lui IC i deoarece IE=IC, crete i IE. Atunci

tensiunea instantanee de emitor egal cu cderea de tensiune pe rezistena de emitor
crete i ea. n intervalul acesta la intrare se aplic alternana pozitiv i la ieire se
39

obine tot alternan pozitiv.

n intervalul (t2 t3)n baz sosete alternana negativ, deci uB scade sub
valoarea lui UB i ca urmare i tensiunea baz-emitor scade, atrgnd dup sine
scderea curentului de colector, a curentului de emitor i deci a tensiunii uE. Ca
urmare la ieire obinem tot alternana negativ.
n concluzie un tranzistor n conexiune colector comun furnizeaz la ieire un
semnal n faz cu cel de la intrare i neamplificat deoarece amplificarea n tensiune a
etajului este unu.

3.5 Amplificatoare de putere

n cazul amplificatoarelor de putere prezint interes nu numai amplitudinea
semnalului de la ieire, ci i puterea sa debitat pe sarcin.
ntre amplificatoarele de tensiune i cele de putere exist cteva deosebiri importante:
- nivel de semnal mare la intrare, la amplificatoarele de putere fa de
amplificatoarele de tensiune care au semnal mic la intrare;
- impedana de sarcin este de numai civa ohmi;
- Randamentul etajului trebuie s fie ridicat. Dac notm cu Pa puterea
absorbit de la sursa de alimentare, putere care se folosete ca putere util pe sarcin
Pu i pe tranzistor i ca putere disipat pe elementele rezistive ale schemei prin care
circul componenta continu, atunci randamentul etajului se determin astfel
Pu
Pa

(1)

Pa Pu Pd

(2)

et

Cu Pd se noteaz putere disipata pe tranzistor i n cazul tranzistorului Pd Pd max .

3.5.1 Amplificator n clas B cu transformatoare
Acest tip de amplificator este caracterizat de un randament mare.

40

Funcionarea n clas B se realizeaz atunci cnd unul dintre tranzistoare

conduce pe o alternan iar cellalt pe cealalt alternan. Aceasta nseamn c atunci
cnd unul dintre tranzistoare conduce cellalt se rcete crescnd fiabilitatea
circuitului.
n figura 1 este prezentat un amplificator n clas B cu transformatoare de
excitaie i adaptor de ieire.
Funcionarea decurge astfel: Pe alternana pozitiv a semnalului se poate
reprezenta transformatorul de excitaie ca n figura l b. n captul "a" peste tensiunea
pozitiv de 0,7V sosete semnalul pozitiv, deci tensiunea pozitiv din baza lui T2
crete, T1 fiind tranzistor npn, se va deschide amplificnd alternana pozitiv. n
captul "b" al secundarului peste tensiunea de +0,7V sosete semnalul negativ, deci
tensiunea pozitiv din baza lui T2 scade , acesta fiind tot un tranzistor npn se
blocheaz pe alternana pozitiv.
Pe alternana negativ a semnalului transformatorul de excitaie se reprezint
ca n figura 1c. La captul "a" al secundarului, peste tensiunea de +0,7 V sosete
semnalul negativ deci tensiunea din baza lui T1 scade i tranzistorul T1 se blocheaz
pe alternana negativ. In captul "b" al secundarului, peste tensiunea pozitiv de
+0,7V sosete semnalul pozitiv, deci tensiunea pozitiv din baza lui T2 crete. T2 fiind
41

de tip npn se deschide amplificnd alternana negativ.

n concluzie : pe alternana pozitiv conduce tranzistorul Tl, T2 fiind blocat, iar
pe alternana negativ lucrurile se petrec exact invers.
Ambele tranzistoare lucreaz ntr-un regim termic corespunztor, ceea ce
permite obinerea unei puteri utile mari. Randamentul etajului crete n raport cu
randamentul etajului n clas A. Transformatoarele sunt surse de distorsiuni de
neliniaritate, pe lng faptul c sunt voluminoase i au un pre de cost mai ridicat.
Stabilitatea termic a etajului se
obine utiliznd rezistorul RB2 de
tip termistor.
3.5.2

Amplificator

clas B cu tranzistoare
complementare
Montajul din figura 2
elimin transformatoarele. Se
utilizeaz dou tranzistoare cu
parametri identici, unul pnp i
cellalt

npn.

Cele

tranzistoare

trebuie

nperechiate,

adic

dou
s

fie
aib

acelai factor de amplificare.

Dac nu se respect acest lucru, amplificatorul va funciona cu distorsiuni mari la
volum mare. Alimentrile n curent continuu se realizeaz astfel: tranzistorul Tl de tip
npn are colectorul legat la plusul sursei de alimentare, iar T2 de tip pnp are colectorul
legat la minusul sursei de alimentare, deci la mas. T3 , npn are colectorul legat la
plusul sursei de alimentare prin Dl, D2, R i Rs. Baza lui T2 se alimenteaz la o
tensiune pozitiv prin divizorul realizat din Rs i R, RD1, RD2 n conducie, rezistena
colector-emitor a lui T3 i rezistena RE.
Dac la ieire ntre emitoarele lui T1 i T2 trebuie s rezulte fa de mas
42

tensiunea +EC/2, atunci baza lui T1 va fi cu +0,6V mai pozitiv dect tensiunea de
emitor a lui T3 adic EC/2 +0,6V. Baza lui T2 se alimenteaz prin acelai divizor ca i
baza lui Tl numai c tensiunea va rezulta mult mai mic. Dac n emitor avem o
tensiune + EC/2, atunci acesta fiind pnp baza are o tensiune mai puin pozitiv cu
0,6V dect emitorul, adic +EC/2 -0,6V.
Din figura 2 observm c tensiunea pe cele dou diode Dl

i D2 va fi

0,6V+0,6V=l,2V. Aceasta fi tensiunea U BE1 U BE2 1,2V . Baza lui T3 (npn) se

alimenteaz cu o tensiune pozitiv mai mic dect U CE3 . Aceast tensiune se ia de la
ieire dintre emitoarele finalilor, prin rezistena Rr. n paralel pe R, se plaseaz Cr care
va realiza o reacie negativ global, de la ieirea amplificatorului la intrarea lui T 3.
Pentru a nelege funcionarea etajului urmrim figura 3.

Semnalul din baza lui T3 este amplificat i rezult n colector defazat cu 180.
n figura 3 sunt reprezentate semnalele din baza lui Tl i respectiv T2. Pe alternana
negativ, n intervalul (t1, t2) tensiunea de baz a lui T1 scade sub valoare EC/2 +0,6V,
deci Tl se blocheaz, ntruct U BE1 U B1 U E1 scade sub 0,6V. De asemenea uB2 scade
sub valoare +EC/2 - 0,6V, deprtndu-se de tensiunea uB2. Rezult c uB2 crete , T2
se deschide amplificnd alternana negativ. ntruct semnalul se aplic n baz i se
culege n emitorul lui T2, el rezult la ieire n faz cu cel de la intrare, deci tot
alternana negativ, care se va aplica prin condensatorul electrolitic C, sarcinii Rs.
Pe alternana pozitiv care sosete n colectorul lui T3 n intervalul
(t2, t3) va rezulta creterea tensiunii de baz a lui T 2 peste valoarea +EC/2 - 0,6V. Ca
43

urmare tensiunea de baz a lui T2 se apropie de tensiunea de emitor a lui T2 iar

tranzistorul T2 se blocheaz. Tot ntre aceste momente crete i tensiunea de baz a lui
T1 peste valoarea EC/2 + 0,6V, T1 fiind de tip npn i crescnd tensiunea pozitiv din
baz , crete tensiunea uB2 i ca urmare conduce amplificnd alternana pozitiv.
Semnalul de ieire se culege din emitor deci semnalul de la ieire este n faz cu cel
de la intrare. Aceast alternan pozitiv se culege prin condensatorul C i se aplic
pe rezistena RS.
n concluzie pe alternana pozitiv conduce tranzistorul npn T1 iar tranzistorul
pnp T2 este blocat. Pe alternana negativ tranzistorul pnp T 2 conduce iar T1 este
blocat. Deci cele dou tranzistoare lucreaz n clas B n contratimp.

3.5.3 Amplificator n clas B cu tranzistoare cvasicomplementare

Aceste amplificatoare se utilizeaz pentru a obine puteri mai mari (figura 4).
Montajul se alimenteaz de la o tensiune cu att mai mare cu ct puterea util va fi
mai mare. Tranzistoarele Tl i T11 formeaz o conexiune Darlington n care
tranzistoarele fiind de acelai tip, adic npn, au colectoarele untate, iar emitorul lui
T11 se leag la baza lui Tl ca n figura 5. O astfel de conexiune, se poate realiza ntr-o
singur capsul. Dac tranzistoarele sunt unul pnp i cellalt npn, conexiunea
Darlington se reprezint ca n figura 6. O astfel de legtur se realizeaz pentru a
respecta condiiile de alimentare pentru un tranzistor pnp i unul npn. T2 i T21 sunt
ntr-o astfel de conexiune. Rezistenele RE1 i RE2 sunt mici de (0,47 - 1) i au ca
scop o stabilizare din punct de vedere termic, plus o uoar reacie negativ. La
ieirea etajului trebuie s rezulte tensiunea continu EC/2, atunci i U ET1
2

T21fiind pnp are tensiunea de baz U BT1

2

EC
0,6V U CT
4
2

Tranzistoarele T1 i T11 sunt npn, iar U E1

EC

44

EC
2

U R E . Dac considerm cu
1

E
aproximaie c U R E1 0,6V , atunci U ET1 C 0,6V . De aici rezult
2

U BT U E
1

T11

U ET 0,6V
1

EC
1,2V .
2

U BT U E

T1,

De asemenea
EC
1,2V
2

U ET 0,6V
1

(3)

i
U B , U CT U E , 0,6V 1,2V
T1

T1

EC
1,8V
2

(4)

Tranzistorul T3 are tensiunea colector-emitor

U CET U BE
3

T11

U BET U R E U EB
1

T21

0,6 0,6 0,6 0,6 2,4V

(5)

Aceast tensiune se regleaz cu semireglabilul P. Dac U CET3 se micoreaz, atunci se

micoreaz toate tensiunile de baz-emitor la tranzistoarele T11,T1,T21, deci scade
curentul prin tranzistoarele finale la mersul n gol adic pentru semnal zero.
Tranzistorul T3 se mai numete superdiod i are ca scop s preia o parte din cldura
45

tranzistorului final micorndu-i rezistena colector emitor. Aceasta scade U CET3 deci
i tensiunile baz-emitor pentru tranzistoarele finale. Scznd curentul de colector
pentru finale, deci i temperatura se realizeaz stabilizarea termic. Baz lui T 4 se
alimenteaz la tensiunea pozitiv adus de la ieire prin grupului paralel CrIIRr , grup
care realizeaz stabilizarea termic global, micoreaz distorsiunile de neliniaritate
i mrete stabilitatea ntregului amplificator.
Funcionarea n curent alternativ decurge astfel: pentru alternana negativ n
colectorul lui T4 va apare alternana negativ n baza lui T21 i n baza lui T11 . Atunci
T11 care este un tranzistor npn se va bloca, innd blocat i pe T 1. Alternana negativ
din baza lui T 21 face ca acest tranzistor s conduc. T21 fiind n conexiune Darlington
cu T2 determin intrarea n conducie a acestuia. T21 furnizeaz n colector un semnal
defazat cu 180, deci obinem alternana pozitiv. Aceasta se aplic n baza lui T2 care
defazeaz semnalul cu nc 180, astfel c la ieirea lui T 2, n colector, se obine
alternana negativ pentru sarcin.
Pe alternana pozitiv din colectorul lui T4, se va transmite alternana pozitiv
n baza lui T2 1 i n baza lui T11. Atunci T21 care este de tip pnp se va bloca, innd

blocat i pe T2 cu care se afl legat ntr-o conexiune Darlington. Alternana pozitiv

din baza lui T11 de tip npn face ca acest tranzistor s conduc, l va determina pe T1 s
conduc. T11 furnizeaz n emitor un semnal n faz cu cel de la intrare, deci o
alternan pozitiv. T1 va da i el n emitor semnal tot n faz, deci pe R s va apare tot
alternana pozitiv.

46

4 Reacia negativ n amplificatoare

Reacia negativ este folosit n amplificatoare cu scopul reducerii
distorsiunilor de neliniaritate i mririi stabilitii amplificatorului, adic se evit
posibilitatea intrrii n oscilaie a etajului respectiv de amplificare.
4.1 Distorsiunile de neliniaritate:
Au ca efect asupra semnalului sinusoidal deformarea acestuia, amplitudinea
fiind afectat, faza i frecvena rmnnd neschimbate. Un semnal periodic sinusoidal
de frecven f este format prin nsumarea unor semnale periodice sinusoidale cu
amplitudine cu att mai mic cu ct frecvena semnalului este mai mare.

Aceste semnalele sinusoidale au frecvenele f0, 2f0, 3f0, . . . , nf0 unde foeste
frecvena fundamental, iar sinusoidele 2f0 , 3f0 , . . . , nfo se numesc armonice .
5.2 Circuite cu reacie negativ
S presupunem c un amplificator este generator de distorsiuni de
neliniaritate. Atunci cnd la intrarea sa se aplic un semnal sinusoidal de frecven f0
la ieire pe lng sinusoida de frecven f0 amplificat apar armonici, spre exemplu o
sinusoid de frecven 3f0 numit armonica a treia. n prezena reacei negative, o
parte din semnalul de ieire se ntoarce la intrare, defazat cu 180, sczndu-se din
semnalul de la intrare. Simultan la intrare apare i o fraciune din semnalul de
47

frecven 3f0, defazat i el tot cu 180. Astfel c n final, la ieire va rezulta semnalul
de frecven f0 cu amplitudine micorat i dou semnale de frecven 3f0 defazate cu
180. Armonicele se scad una din alta ajungndu-se la o reducere puternic a
semnalului perturbator de frecven 3f0, i ca urmare scad puternic distorsiunile de
neliniaritate. Reacia negativ se poate aplica pe un singur tranzistor, reacie numit
reacie negativ local sau pe dou tranzistoare, atunci reacia negativ numindu-se
reacie negativ global care este reprezentat n figurile urmtoare:

Tranzistorul T1 n figura 2 este un tranzistor amplificator care genereaz n

colector un semnal defazat cu 180 fa de semnalul de la intrare.
Tranzistorul T2 furnizeaz n emitor un semnal n faz cu cel primit n baz i
defazat cu 180 fa de semnalul de la intrare. Semnalul din emitorul lui T2 este
semnalul de reacie care se ntoarce n baza lui T1. n baza lui T1 sosesc simultan dou
semnale, tensiunea de intrare i semnalul de reacie. Ele sunt n opoziie de faz, se
scad unul din cellalt i deci se micoreaz distorsiunile introduse de amplificator.
Aceast reacie negativ mrete stabilitatea amplificatorului ntruct pentru a oscila,
amplificatorul ar fi avut nevoie de o reacie pozitiv. Practic datorit cuplajelor
parazite poate s apar o mic reacie pozitiv care este ns compensat de reacia
negativ.
n figura 3 este prezentat alt circuit cu reacie negativ, rezistena RE1 nu are
48

condensator de decuplare n paralel cu ea, semnalul de reacie fiind adus din

colectorul lui T2 n emitorul lui T1.
Tranzistoarele T1 i T2 defazeaz mpreun 360 . De fapt n colectorul lui T2 se
obine un semnal care a revenit n faz cu semnalul din baza lui T 1 adica uint. Aceasta
nseamn ca tranzistorului T1 i se va aplic o tensiune de baz- emitor
u BE uint u r

(6)

Semnal aplicat ntre baz i emitor s-a micorat, deci a acionat reacia
negativ care a fcut s scad uor i semnalul de la ieire. Dezavantajul scderii
semnalului de la ieire i se opune avantajul creterii stabilitii amplificatorului i
micorarea distorsiunilor de neliniaritate.

5 Ocilatoare electronice
5. 1 Stabilirea conditiei de oscilatie
Un oscilator armonic este un circuit format dintr-un amplificator asupra
cruia acioneaz o reacie pozitiv i care funcioneaz n regim de curent alternativ.
Amplificatorul i reeaua de reacie sunt circuite liniare a cror funcionare este
descris de ecuaiile
X 2 A X1

(1)

Xr X2

(2)

iar dac etajul este alimentat de la un generator ce furnizeaz un semnal

X g X1 X r

(3)

Dac dorim s calculm amplificarea n prezena buclei de reacie i notm cu

A

amplificarea amplificatorului ideal i cu A r amplificarea amplificatorului cu

reactie iar cu se noteaz atenuarea introdus de reeaua de reacie obinem

49

Circuitul din figura 1 devine oscilator dac ndeprtnd semnalul de excitaie

obinem la ieire un semnal finit i diferit de zero.

Relaia (5) reprezint condiia lui Barkhausen

Semnific reproducerea semnalului pe bucla de reacie ca n urmtoarea figur

A 1

(6)

A 1

(7)

50

Sub forma exponenial, amplificarea amplificatorului ideal i atenuarea reelei de

reacie se poate scrie astfel:
A A e j A
e

(8)

(9)

Pornind de la condiia lui Barkhausen se pot deduce att condiia de faz ct i cea de
amplitudine
A 1

(10)

A 2k

(11)

Dac A este un numr real atunci reeaua de reacie determin frecvena de

oscilaie. Dac amplificarea amplificatorului fr reacie este un numr real, atunci:

5.2 Oscilatoare RC
n domeniul frecvenelor joase se utilizeaz oscilatoare de tip RC la care bucla
de reacie este format din rezistene i condensatoare. Oscilatoarele RC pot fi
construite cu unul sau dou tranzistoare. Caracteristic categoriei de oscilatoare
construite cu tranzistoare este faptul c acesta introduce un defazaj de l80, ceea ce
impune i pentru reeaua de reacie tot un defazaj de 180 pentru a se obine condiia
de oscilaie ce trebuie ndeplinit de defazaje.
Pentru fiecare celul RC datorit pierderilor pe elementul rezistiv defazajul
dintre tensiunea la bornele circuitului RC i curentul prin acesta este mai mic de 90.
Ca urmare cu dou celule RC nu se poate obine un defazaj de 180. Pentru aceasta
sunt necesare minim trei celule RC. Folosind elemente egale se pot gsi valori ale
acestora pentru care defazajul introdus de o singur celul RC s fie 3 . Pentru trei
celule obinndu-se un defazaj de radiani (180).

51

n ceea ce privete condiia de amplitudine, satisfacerea acesteia duce la

aflarea valorilor minime ale parametrilor tranzistoarelor pentru care montajul
oscileaz. n cazul ocilatorului cu reea trece jos i trece sus punnd conditia ca
factorul de reacie s fie un numar real i negativ.
52

RC

1
64

RS
R

R
1
64 S
RC
R

pentru retea trece sus

(1)

pentru retea trece jos

(2)

n ambele cazuri, rezistena R` se calculeaz cu relaia de mai jos

R`

1
1
1
1

R2 R3 h11e

(3)

Pentru cazul cand RS R formulele de calcul al pulsaiilor de oscilaie se simplific

0

1
6 RC

i respectiv

6
RC

, iar relaia

A 1

se determin factorul de

amplificare n tensiune al tranzistorului h21e 45 .

5.3 Oscilatoare RC cu punte Wien

Oscilatorul este format dintr-un etaj de amplificare cu doua tranzistoare, care

asigur un defazaj de 360 i o reea de reacie alctuit din dou grupuri RC, unul
serie i cellalt derivaie. Pentru a stabili frecvena de oscilaie i panta tranzistorului
se face apel la condiia lui Barkhausen.
Exprimm factorul de atenuare al buclei i amplificarea oferit de amplificator
funcie de impedanele din circuit, conform schemei bloc din figura 3

53

U2
Z2

U1 Z1 Z 2
Z

1
Stiind c A 1 Z
2

1
Z
1 1
Z2

(4)

i exprimnd impedanele reelei de reacie ca

impedane echivalente grupurilor serie i derivaie obinem

1
1
1
,
jC
jC Z 2 R

(5)

1
1 1
1

1 R

jC 3 jCR

C
R
j

CR

(6)

Z1 R

1
1

3 j CR

CR

(7)

Defazajul introdus de bucla de reacie trebuie s fie zero. Deoarece este

numr complex, el poate fi scris sub form trigonometric:
cos j sin

(8)

Dac =0 i este un numr real si pozitiv, partea imaginar este nul

Ca urmare amplificarea minim necesar obinerii oscilaiei va fi egal cu 3.

5.4 Oscilatoare LC cu cuplaj magnetic

Este prevzut cu un circuit acordat n colector i bobin de reacie legat n
circuitul de intrare (figura 4). Oscilatorul cuprinde un amplificator i un cuadripol de
reacie ntre care semnalul de reacie se transmite inductiv prin cuplaj mutual de la
circuitul acordat la o bobin de reacie. Frecvena de oscilaie este determinat de
circuitul acordat. Proprietile selective sunt datorate buclei de reacie, fie
amplificatorului.
Condiia lui Barkhausen referitoare la faz se realizeaz printr-o conectare
54

direct a nceputurilor inferioare celor dou bobine.

Condiia de amorsare se obine aplicnd condiia lui Barkhausen referitoare
la amplitudine.

(1)

A 1

U
U2
3 , A 1
,
U1
U2

(2)

Cuadripolul LC derivaie din colector prezint la rezonan o impedan de tip

rezistiv :
Z0

L
CR

(3)

Deci tensiunea de ieire va avea valoarea

U 2 SZ 0 U 1 S

L
U1
CR

(4)

iar curentul ce circul prin bobina circuitului oscilant este:

U 3 0 M

Conectnd

SU 1
SM
U3
U1
CR0
CR

corespunztor

nceputurile

bobinelor

(6)
L1, L2 astfel nct

transformatorul s inverseze faza, tensiunea indus n secundar este:

I L0

U
2
X L0

L
U1
SU 1
CR

0 L
CR0

U 3 SM

1
U 1 CR

55

(7)
(8)

Astfel valoarea minima pe care trerebuie s o aib panta tranzistorului pentru ca

montajul sa oscileze este:

S

CR
M

(9)

Condiia de faz (A + B = 2k) este ndeplinit,

deoarece tranzistorul

inverseaz cu 180, transformatorul cu nc 180 deci semnalul sosete la intrare

defazat cu 360 adic n faz, ceea ce presupune prezena reaciei pozitive.

5.5 Oscilatoare n trei puncte

La

aceste

oscilatoare

cele

trei

impedane

care

constitue

sarcina

amplificatorului i cuadripolul de reacie, se conecteaz la cei trei electrozi ai

elementului activ, ca n figura 1.

Conectarea se face astfel nct unul dintre electrozi, comun la dou dintre
impedane s fie legat la mas. n figura 2 este reprezentat schema echivalent de
curent alternativ. Calculm relaia dintre parametrii circuitului pentru a asigura
intrarea n oscilaie (amorsarea oscilaiei) i valoarea frecvenei de oscilaie . tiind
56

expresia amplificrii unui amplificator utiliznd panta tranzistorului i impedana de

sarcin putem scrie amplificarea etajului sub forma:
A S Z S

(10)

Conform schemei echivalente din figura 2 impedana de sarcin este Z S Z1 II Z 2 Z 3

,
Z2 Z3
Z1 Z 2 Z 3

A S Z1

(11)
Z

3
3
Stiind condiia lui Barkhausen A 1 si ca U Z Z rezult
1
2
3

S Z1

Z2 Z3
Z3

1
Z1 Z 2 Z 3 Z 2 Z 3

Z 1 Z 2 Z 3 S Z1 Z 3 1

(12)
(13)

Dac exprimm impedanele Z1, Z2, Z3 astfel

Z 1 R1 jX 1 ,

R1 X 1

Z 2 R2 jX 2

Z 3 R3 jX 3 ,

(14)
(15)

R3 X 3

(16)

atunci Z1 Z 3 R1 jX 1 R3 jX 3 R1 R3 jR1 X 3 jR3 X 1 X 1 X 3 . Considernd R1 R2 R3 R

obinem
R SX 1 X 3 j X 1 X 2 X 3 0

(17)

Cum tim c un numr complex este zero dac att partea real ct i cea
57

imaginar sunt zero, calculm panta tranzistorului i frecvena de oscilaie:

R SX 1 X 3 0 , S

R
X1 X 3

(18)

care reprezint condiia minim de amorsare a oscilaiei

X 1 X 2 X 3 0 , X 2 X 1 X 3

(19)

Deci Z1 si Z3 sunt de aceeai natur, iar Z2 opus, astfel putem obine cele dou
tipuri de oscilatoare n trei puncte i anume oscilatorul Colpitts i oscilatorul Hartley.
Pentru un oscilator Colpitts impedanele Z1, Z3 sunt de tip capacitiv, iar pentru
un oscilator Hartley Z1, Z3 sunt de tip inductiv.

Pentru oscilatorul Hartley, determinm frecvena de oscilaie pornind de la

legtura dintre reactane, astfel:
jL1

1
jL3 0
jC 2

j L1 L2

(20)

1
0
j C 3

(21)

Daca L1 L2 L si C 2 C , detrminam pulsatia de oscilatie

jL

1
1
0 0 L
0
jC
0C
f0

1
2 LC

1
LC

(22)
(23)

Panta tranzistorului va fi
S

R
RLC

j 0 L1 j 0 L2
L1 L2
58

(24)

Pentru oscilatorul Colpitts, prezentat in figura 3b, frecventa de oscilatie si panta

tranzistorului se determina astfel
1
1
jL
0
jC1
jC 2
j L

(25)

1 1
1
1

0 j 0 L

0 0
j C1 C 2
j 0 C

1
1
f0
LC
2 LC

R
02 RC1C 2
1
1

j 0 C1 j 0 C 3

(26)

(27)

RC1C 2
LC

(28)

Toate relaiile de mai sus sunt valabile n momemtul intrrii sistemului n oscilaie,
atunci

cnd tranzistorul funcioneaz n clas A.

Dup intrarea n oscilaie,

tranzistorul trece n clas B de functionare sau chiar n clas C, limitarea amplitudinii

aprnd ca urmare a caracteristicii oscilatorului.
Cerina de pant mare impune alegerea lui

X1 i

X3

ct mai mici,

presupunnd un cuplaj ct mai slab al tranzistorului cu circuitul acordat, astfel

evitndu-se i influena capacitilor i rezistenelor de intrare i ieire ale
tranzistorului asupra frecvenei de oscilaie.
5.6 Oscilatoare cu cristal de cuar
Cristalul de cuar
Cuarul, pentru a fi utilizat n circuitele electronice, este tiat dup anumite
direcii, numite direcii cristalografice, se lefuiete si se depun electrozi metalici pe
dou fee paralele. Dac la cei doi electrozi aplicm o tensiune alternativ, se produc
vibraii mecanice datorit aciunii cmpului electric asupra sarcinii electrice din reea
(efectul piezoelectric invers). Din punct de vedere electric, cristalul ofer o impedan
cu proprieti de circuit rezonant.
Circuitul electric echivalent unui cristal de cuar, lucreaz la frecvene
cuprinse ntre 1 KHz i circa 20 MHz i are factorul de calitate Q foarte mare, de la
59

cteva mii la sute de mii.

Aceti parametri depind de dimensiunile cuarului, de orientarea i de
montarea acestuia. Modul n care este tiat cristalul n raport cu direciile
cristalografice este de asemenea important pentru mrimea coeficientului de
temperatur al frecvenei de rezonan.

Simbolul cristalului de cuar folosit n circuitele electronice, precum i

schemele echivalente sunt reprezentate n figurile 1 a,b,c.
n figura 1b este reprezentat cel mai simplu circuit echivalent pentru un cristal
de cuar, iar n figura 1c un circuit mai complet, care arat posibilitatea rezonanei pe
mai multe frecvene numite overtone. Aceste frecvene sunt armonici impare ale
frecvenei fundamentale de oscilaie.
n figura 1b cu C0 s-a notat capacitatea asociat monturii.
Dac neglijm rezistena de pierderi, constatm ca rectana depinde de
frecven dup o curb ca cea din figura 2.

60

Exista doua moduri de rezonanta, serie la pulsatia

1
CC
L 1 2 .
C1 C 2

61

1
LC

i paralel la pulsatia

La rezonana serie cristalul are practic o impedan practic nul sau foarte
mic n raport cu celelalte impedane din circuit. El poate fi amplasat n bucl de
reacie pozitiv, care va avea o atenuare minima la frecventa S a cristalului.
Cristalul se plaseaz astfel n circuit, nct s se comporte ca un scurtcircuit al
unei rezistene de polarizare, astfel amplificarea dispozitivului electronic s fie
maxim la frecvena de rezonan.
Semnalul de la intrarea tranzistorului este adus printr-un divizor format din
cristalul de cuar i RE (n paralel cu rezistena de intrare a tranzistorului). Oscilatorul
din figur este de tip Colpitts, el avnd reacia pozitiv maxim la acea frecven la
care impedan cristalului este minim, adic la S . In aceast situaie curentul
alternativ de emitor este aproximativ egal cu curentul care trece prin cristal.
Menionm c n montajele practice rezistena de emitor RE are valori de ordinul K
sau zeci de K. Curentul ce circul prin cristal este sinusoidal. Forma sinusoidal a
curentului este determinat de faptul c un circuit rezonant serie prezint o impedan
mult mai mare pentru armonicele curentului a crui fundamental
frecvena de rezonan. Totui tensiunea baz-emitor va fi
neliniaritatii caracteristicii de transfer exponenial.

62

este

egal

cu

sinusoidal datorit

Schema din figura 4 reprezint un oscilator Colpitts cu doua tranzistoare

cuplate prin emitor i cristal de cuar funcionnd pe frecvena de rezonan serie.
Tranzistorul T2 joac rolul unui repetor pe emitor care comand
tranzistorul amplificator principal T1.
Dac Rb este mic n raport cu impedana de intrare in repetorul pe emitor Zintrr2
, atunci Rg se va comporta ca sunt fa de Zintr2 i ntreg curentul sinusoidal din
cristalul de cuar va trece practic prin Rb2 , care determin tensiunea pe Re, ce
determin la rndul su tensiunea UBE. Acest montaj reprezint una din modalitile
de utilizare a cristalului la frecvena de rezonan serie.
O alt modalitate ar fi cuplarea cuarului paralel pe rezistena de emitor ca n
figura 5.

63

n schema din figura 5 amorsarea oscilaiilor are loc astfel: la frecvena de

rezonan S , cristalul are impedana aproape zero, deci foarte mic n raport cu
rezistena de emitor, care astfel va fi scurtcircuitat prin cuar. Astfel crete
amplificarea tranzistorului i apar oscilaii.

Oscilatoare care utilizeaz rezonana paralel

Spre deosebire de modul de rezonan serie unde cristalul s-a comportat
capacitiv, la utilizarea lui n modul de rezonan paralel cristalul se comport
inductiv. El poate fi folosit n locul unei inductane att n schemele de tip Hartley ct
i cele de tip Colpitts.
n figura 6 sunt prezentate dou scheme de oscilatoare cu tranzistoare cu efect
de cmp i cristale de cuar.
n figura 6 a-schema tip Miller iar n figura 6 b-oscilator tip Pierce. In ambele
cazuri cristalele de cuar funcioneaz la frecvena de rezonan paralel i nlocuiesc
o bobin din schema Hartley (6a) respectiv Colpitts (6b). Se poate obine o stabilitate
foarte bun a frecvenei dac se termostateaz cuarul. De asemenea trebuie s inem
seama c semnalul pe cristalul de cuar trebuie redus la minim, pentru a reduce astfel
i disipaia de putere care ar determina nclzirea cristalului de cuar i deci apariia
variaiei de frecven.
Marele dezavantaj al oscilatoarelor cu cuar este acela ca ele funcioneaz
numai pe frecven fix, posibilitile de reglaj fiind foarte restrnse.

64

65

6 Circuite pentru generarea impulsurilor

6.1 Circuite basculante
Circuitele basculante sunt circuite electronice, prevzute cu o bucl de reacie
pozitiv, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite prezint n funcionare
dou stri de durat de obicei inegal: una de acumulare, n care tensiunile i curenii
variaz foarte lent i una de basculare, n care au loc variaii foarte rapide ale
tensiunilor i curenilor.
Procesul de basculare este un proces cumulativ, care odat amorsat se
dezvolta n avalan. Amorsarea proceselor de basculare se poate face fie cu ajutorul
unor semnale de comand aplicate din exterior, fie n urma unui proces intern de
variaie relativ lent (de exemplu, descrcarea unui condensator) care creeaz la un
moment dat condiii pentru declanarea proceselor ce duc la basculare.
Dup numrul de stri stabile pe care le pot prezenta, circuitele basculante se
mpart n trei categorii:
-Circuite basculante astabile (CBA): nu prezint nici o stare stabil; se
caracterizeaz printr-o trecere dintr-o stare n alta, fr intervenia unor impulsuri de
comand exterioar. Perioada semnalelor generate depinde de valorile parametrilor
circuitului;
-Circuite basculante monostabile (CBM): ce prezint o singur stare stabil,
n care pot rmne un timp ndelungat. Cu ajutorul unui impuls exterior de comand,
ele trec ntr-o stare n care rmn un interval de timp determinat de elementele
circuitului, dup care revin la starea iniial;
-Circuite basculante bistabile (CBB): se caracterizeaz prin dou stri stabile,
n care pot rmne un timp ndelungat. Trecerea dintr-o stare n alta se face prin
aplicarea unui impuls scurt de comand din exterior.
6.2 Circuitele basculante astabile
Se mai numesc multivibratoare i se utilizeaz pentru a genera impulsuri
dreptunghiulare periodice. Ele pot fi considerate oscilatoare, n sensul c semnalul de
66

ieire apare fr a necesita un semnal de comand la intrare. n figura 1 se prezint un

astfel de circuit, la care tranzistoarele se afla pe rnd n regim de conducie sau de
blocare pe anumite intervale de timp, fr intervenia unor semnale de comand
exterioare.

67

Dei schema este simetric, executat cu elemente respectiv egale, la

conectarea sursei de alimentare, datorit imperfeciunilor tehnologice, apare o mic
variaie a curentului de colector, al unuia dintre tranzistoare (de exemplu IC1 ).
Creterea cderii de tensiune produs pe RC1 (EC = const), determinat de creterea
lui IC , duce la scderea potenialului de colector al propriului tranzistor T1 (UCE1 +
RC1IC1 = EC = const). Aceast cdere se transmite prin C1 pe baza tranzistorului T2,
ducnd la micorarea curentului acestuia de colector (IC2).
Prin aceasta scade cderea de tensiune dat de IC2 pe rezistena sa de colector
i crete potenialul de colector al lui T2. Aceast cretere se transmite prin C2 pe
baza lui T1, mrind valoarea curentului su de colector IC1. Procesul evolueaz n
avalan i duce n final la conducia la saturaie a lui T1 i la blocarea lui T2. In acest
timp, condensatorul C1, care s-a ncrcat prin circuitul + EC , RC1, rBE2 , ncepe s se
descarce prin RC1 rBE2 i
RB2

RB2 rBE2 , ajungnd ca la un moment dat tensiunea pe

(care este legat n paralel pe intrarea lui T2) s devin egal cu tensiunea de

deschidere a tranzistorului T2. Acesta ncepe s funcioneze i cu aceeai succesiune

de fenomene, referitoare de aceast data la T2, se ajunge la T2 saturat i T1 blocat.
Fenomenul se repet periodic. Circuitele de ncrcare i respectiv de descrcare ale
condensatorului C1 sunt redate n figura 3.
n figura 3a se reprezint situaia T1 blocat, T2 saturat. Condensatorul C1 se
afl practic descrcat n circuitul alctuit din EC, RC1 rCE1 i RB2 rBE2. Dar T, fiind
blocat, rezistena sa colector-emitor este foarte mare (rCE1 >> RC1) iar T2 fiind saturat,
rezistena sa baza-emitor este forte mic (rBE2<< RBE2), astfel c circuitul real de
ncrcare a lui R, rmne alctuit din: EC1 , RC1 i rBE2..

68

Variaiile tensiunilor din colectoarele tranzistoarelor pot fi considerate ca

impulsuri de form aproximativ dreptunghiular. Durata fiecrui impuls generat este
determinat de timpul necesar potenialului bazei tranzistorului blocat pentru a varia
ntre valoarea maxim i zero, avnd valorile (figura 2b).
Ta 0,79C1 RB2 , Tb 0,69C 2 RB1

69

Pentru mbuntirea formei de und a semnalului de ieire, capacitile C1 i

C2 se conecteaz la colectoarele tranzistorului prin intermediul unei diode (figura 4),
n punctul comun dintre diod i condensator introducndu-se cte o rezisten legat
la sursa de alimentare.
n felul acesta, ncrcarea condensatoarelor din colectoarele tranzistoarelor
saturate nu se mai face prin rezistenele de colector ale tranzistoarelor blocate, ci prin
rezistenele nou introduse, mbuntind frontul anterior al impulsurilor din
colectoare.
ntruct, n mod obinuit, stabilitatea perioadei impulsurilor generate de
multivibrator nu este satisfctoare, se recurge frecvent la sincronizarea prin
impulsuri exterioare, aplicate pe bazele tranzistoarelor prin condensatoare de
capaciti mici, determinnd deschiderea tranzistorului mai repede dect n absena
impulsului i asigurnd astfel frecvena de lucru dorit.

6.3 Circuite basculante monostabile (CBM).

Schema tipic a unui astfel de circuit este dat n figura 5.
Spre deosebire de cazul circuitelor astabile, schema nu mai este simetric, ceea ce
determin i comportarea circuitului ce are o singur stare stabil.
Funcionarea circuitului este urmtoarea: dac la aplicarea tensiunii de
alimentare se obine o variaie suplimentar a curentului de colector IC1 , al
70

tranzistorului T1, prin fenomene similare celor descrise la circuitul basculant

astabil, T1 ajunge s conduc la saturaie, iar T2 este blocat. Aceasta este o stare
instabil,

deoarece

prin

procesele

descrise

anterior

are

loc

descrcarea

condensatorului C1 pn ce tensiunea pe baza lui T2 scade, permind conducia

lui T2. Din acest moment, procesele au loc n sensul mririi conduciei lui T2 i
micorrii conduciei lui T1, pn ce T1 ajunge blocat i T2 saturat. Aceast a doua
stare reprezint starea stabil a montajului. Datorit prezenei tensiunii E b de blocare
a bazei lui T1, descrcarea lui C2 nu mai poate avea loc.
Trecerea n starea iniial se poate face numai aplicnd un impuls de comand
pe baza lui T1, de polaritate corespunztoare scoaterii bazei lui T1 din starea de
blocare, sau pe baza lui T2, astfel nct s-i micoreze starea de conducie. De obicei
este folosit cea de-a doua variant (figura 6).
La aplicarea fiecrui impuls de comand, pe colectorul tranzistorului T2 se
obine un impuls dreptunghiular de polaritate negativ i durat proporional cu
constanta de timp C2R1. Diagrama de variaie a tensiunilor obinute n colectoare,
respectiv n bazele tranzistoarelor este reprezentat n figura 7.

71

6.4 Circuite basculante bistabile (CBB)

Sunt caracterizate prin dou stri stabile egal posibile, au un domeniu vast de
aplicaie, fiind elemente de baz n schemele logice de comand, numrtoare,
registre, circuite de memorizare.
72

Funcionare. Schema cea mai rspndit este cea simetric (figura 8), n care
se folosesc dou surse de polarizare: pentru colectoare (EC) i respectiv pentru bazele
tranzistoarelor (Eb). Procesele de basculare au o desfurare asemntoare celor
descrise la circuitele basculante anterioare: o mic variaie a curentului de colector al
unuia dintre tranzistoare (de exemplu T1) determin, datorit cuplajelor existente ntre
colectorul unui tranzistor i baza celuilalt, aducerea la saturaie a tranzistorului T1 i
respectiv blocarea tranzistorului T2.
Acesta stare este stabil, deoarece polarizarea exterioar a bazei tranzistorului
blocat (Eb) mpiedic scderea tensiunii aplicate pe baza acestuia sub valoarea de
tiere. In aceast stare circuitul poate rmne un timp orict de ndelungat. Pentru a
provoca bascularea trebuie aplicat un impuls exterior astfel ales ca polaritate,
amplitudine i loc de aplicare, nct s schimbe starea montajului. Acest lucru este
posibil n dou situaii: fie prin scoaterea lui T2 din starea de blocare, determinnd
deschiderea sa , fie prin scoaterea lui T1 din saturaie, micornd conducia sa.

n multe cazuri impulsul exterior se aplic pe baza tranzistorului saturat, pentru

schema prezentat (cu tranzistoare npn) impulsul avnd polaritate negativ.

73

Dup primirea impulsului de comand, circuitul basculeaz, trecnd rapid n

cea de-a doua stare stabil, n care T2 conduce la saturaie i T1 este blocat.
Pentru schimbarea acestei stri este necesar aplicarea unui nou impuls de
comand exterior. In colectoarele celor dou tmzistoare se obin impulsuri
dreptunghiulare de polariti opuse i de durat egal cu intervalul dintre dou
impulsuri succesive de comand (figura 9).

Spre deosebire de circuitul astabil, condensatoarele C din schema au numai

rolul de a accelera procesul de comutare de la o stare la alta, prezentndu-se ca un
scurtcircuit la variaiile brute ale tensiunii i deci transmind integral aceste variaii.
Ele compenseaz n acelai timp efectele capacitilor parazite de intrare ale
tranzistoarelor care mpreun cu rezistenele (R1C1 si R2 C2) din schem pot forma
circuite de integrare care ar produce rotunjirea frontierelor impulsurilor. Rotunjirea
frontierelor nu poate fi ns complet evitat, ea datorndu-se timpului de comutaie al
tranzistoarelor, timp de valoare mai mare atunci cnd tranzistorul a lucrat la saturaie.
Pentru a evita eventualele inconveniente create de sursa de polarizare a
bazelor Eb, se pot realiza circuite basculante bistabile, la care aceast surs este
74

eliminat din schem. In acest caz, polarizarea bazelor este asigurat de o rezisten
RE conectat n circuitul de emitor al celor dou tranzistoare (figura 10).

ntruct tranzistoarele conduc pe rnd cureni egali, circuitul fiind simetric,

tensiunea care apare la bornele acestei rezistene este constant i asigur polarizarea
necesar bazelor.
Dup tipul circuitului de comand folosit, circuitele basculante bistabile pot fi
de urmtoarele tipuri (figura 11).
Circuite basculante bistabile de tip RS (figura 11a), la care comanda se face pe baze,
pe dou intrri numite R i S, cu impulsuri dreptunghiulare aplicate prin intermediul
unui circuit de derivare i o diod ce selecteaz polaritatea dorit pentru impulsul de
comand. Impulsul aplicat pe R aduce circuitul ntr-o stare notat "0", iar cel aplicat
pe S aduce circuitul n starea "1". Aplicnd simultan impulsuri pe ambele intrri,
rezult o stare de nedeterminare, n sensul c circuitul poate rmne ntmpltor fie n
starea anterioar aplicrii impulsului, fie poate bascula.
Circuite basculante bistabile de tip JK (figura llb) constituie o variant
mbuntit a celui de tip RS. Legarea rezistenei R a circuitului de derivare la
colector (n loc de conectarea ei la mas) duce la ridicarea strii de nedeterminare.
75

Impulsurile aplicate pe intrarea J aduc circuitul n starea "1", cele aplicate pe intrarea
K aduc circuitul n starea "0", iar aplicarea simultan a impulsurilor pe J i K
determin bascularea circuitului n starea complementar celei n care se afla.
Circuite basculante bistabile de tip T (figura llc): la aplicarea unei succesiuni
de impulsuri pe aceast intrare comun celor dou baze, circuitul basculeaz la
fiecare comand primit.

76

Bistabilul (triggerul) Schmitt reprezint un circuit basculant cu dou stri

77

stabile de echilibru, avnd ns o schem asimetric (figura 12).

Cuplajul dintre tranzistoare este asigurat din colectorul lui T1 n baza lui T2 prin
rezistena R, iar invers, ntre T2 si T1, prin intermediul rezistenei de emitor Re. Din
aceast cauz, circuitul mai este numit circuit bistabil cu cuplaj prin emitor.
Funcionarea bistabilului este urmtoarea: se consider n starea iniial T1
blocat i T2 n conducie puternic, la aplicarea la intrare (pe C) a unui semnal a crui
amplitudine depete tensiunea de blocare ("nivelul de prag" U1), T1 ncepe s
conduc. Tensiunea sa de colector scade, se aplic prin cuplaj rezistiv pe baza lui T2
care i micoreaz conducia, pe rezistena comun Re apare o micorare a cderii de
tensiune, determinnd o conducie ns mai puternic a lui T1, ducnd ntr-un timp
extrem de scurt la situaia T1 saturat, T2 blocat (a doua stare stabil). Starea dureaz
pn cnd semnalul exterior scade sub o anumit valoare (U2 ) fa de valoarea de
deschidere a tranzistorului T1. n acest caz T1 i micoreaz conducia, determinnd
apariia strii iniiale (T1 blocat, T2 saturat).
Datorit specificului su de funcionare circuitul basculant bistabil Schmitt
78

poate avea urmtoarele utilizri:

a)-formator de impulsuri dreptunghiulare din semnale alternative aplicate la
intrare.
b)-memorator de impulsuri pentru un semnal de intrare alctuit dintr-o
succesiune de impulsuri de polariti diferite, circuitul basculeaz ori de cte ori se
schimb polaritatea impulsurilor de intrare.
c)-discriminator de amplitudine a impulsurilor; circuitul basculeaz, deci
semnalul de ieire ori de intrare (de cte ori semnalul de intrare sau impulsurile de
intrare depesc tensiunea de prag).

79

Cuprins
1. Materiale semiconductoare
1.1 Semiconductoare cu conductivitate extrinsec
1.2 Semiconductoare cu conductivitate intrinsec
1.3 Recombinarea purttorilor de sarcin
1.4 Jonciuneajm
1.5 Caracteristica unei diode cu jonciuni
2. Componente active
1 Tranzistorul bipolar
2.1 Prezentarea general a tranzistorului bipolar
2.2 Tipuri de conexiuni ale tranzistorului
2.3 Dependena de temperatur a parametrilor
2.4 Parametrii care limiteaz funcionarea tranzistorului
tranzistorului
2.5 Tranzistorul ca amplificator
2.6 Rolul elementelor de circuit ntr-un tranzistor
2.7 Schema echivalent de semnal mic a tranzistorului
2 Tiristorul
3 Diacul
3 Amplificatoare electronice
3.1 Amplificatoare de tensiune
3.2 Schem practic de amplificator n conexiune EC
3.3 Amplificator de tensiune cu tranzistor n conexiune
3.4 Amplificator de tensiune cu tranzistor n conexiune
3.5 Amplificatoare de putere
3.5.1 Amplificator n clas B cu transformatoare
3.5.2 Amplificator n clas B cu tranzistori
3.5.3 Amplificator n clas B cu tranzistori
4 Reacia negativ n amplificatoare
4.1 Distorsiuni de neliniaritate
4.2 Circuite cu reacie negativ
5 Oscilatoare electronice
5.1 Condiia lui Barkhausen
5.2 Oscilatoare RC
5.3 Oscilatoare RC cu punte Wien
5.4 Oscilatoare LC cu cuplaj magnetic
5.5 Oscilatoare n trei puncte
5.6 Oscilatoare cu cristal de cuar
6 Circuite pentru generarea impulsurilor
6.1 Circuite basculante
6.2 Circuite basculante astabile
6.3 Circuite basculante monostabile
6.4 Circuite basculante bistabile
7 Cuprins
8 Bibliografie
80

1
2
5
5
5
8
10
10
13
13
15
15
20
21
23
28
30
34
38
40
41
42
43
45
47
51
51
52
53
54
55
57
59
60
65
71
71
72
75
77
85
88

Bibliografie

1. Cartianu, Gh., Analiza i sinteza circuitelor electronice. EDP, Bucureti,

1971.
2. Clarke, K., Hess, D., Communication circuits: analysis and design. Adison
Wesley, Reading, Massachusetts, 1971.
3. Ryder, J., Electronic fundamentals and applications, Pitman, London,
1967.
4. Dasclu, D., Turic, L., Hoffman, I., Circuite electronice. EDP, 1981.

81