Universitatea Politehnica Bucuresti

Facultatea de Automatica si Calculatoare

Elemente de Electronica Analogica

Proiect de laborator

DIODA SEMICONDUCTOARE

Scopul lucrrii
Ridicarea caracteristicilor i determinarea principalilor parametri ai
semiconductoare; studiul comportrii diodei semiconductoare n circuite elementare.

diodelor

Desfasurare Lucrarii

1) Montajul:
Se identifica montajul in care observam o schema electrica ajutatoare ca sursa de curent
reglabil cu ajutorul potentiometrului P.

10

fi g . 1 . 6

2) Caracteristicile statice:
Urmarim sa ridicam caracteristicile statice la polarizarea directa pentru diodele:
-D 1 - BA157GP (dioda din Ge) pentru curentii cuprinsi intre 0,5 500 mA cu
borna 4 reprezintand anodul
-D 2 - 1N4001 (dioda din Si) avand curenti cuprinsi in domeniul 0,1 50 mA cu
borna 5 reprezentand anodul
-D 3 - BZX 85-C7V5 (dioda Zener) avand curenti in domeniul 0,1 20 mA cu
borna 6 reprezentand anodul
Vom utiliza montajul din figura pentru ridicarea caracteristicilor directe:

Rezultatele msurtorilor si graficele corespunzatoare la scara semilogaritmica sunt :

Tabel masuratori D1:
Nr. Crt.
IA (mA)
UA(V)
lg IA

1
5
0.2
0.7

2
10
0.22
1

3
20
0.24
1.3

4
40
0.27
1.6

5
50
0.28
1.7

6
80
0.31
1.9

7
100
0.32
2

D1
2.5
2
1.5
lg(i)

1
0.5
0
-0.5 0

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

-1
-1.5
-2
u(V)

Tabel multisim D1:

Nr. Crt.
IA (mA)
UA(V)
lg IA

1
5
0.663
0.7

2
10
0.699
1

3
20
0.736
1.3

4
40
0.774
1.6

5
50
0.786
1.7

6
80
0.813
1.9

7
100
0.827
2

Tabel masuratori D2:

Nr. Crt.
IA (mA)
UA(V)
lg IA

1
5
0.2
0.7

2
10
0.22
1

3
20
0.24
1.3

4
40
0.27
1.6

5
50
0.28
1.7

6
80
0.31
1.9

7
100
0.32
2

Tabel multisim D2:

Nr.Crt.
IA (mA)
UA(V)
Lg IA

1
0.5
0..5
-0.7

2
1
0.535
0

3
2
0.57
0.3

4
4
0.61
0.6

5
5
0.62
0.7

6
6
0.628
0.78

7
7
0.636
0.84

5
5
0.7
0.7

6
6
0.71
0.78

7
7
0.72
0.84

Tabel masuratori D3:

Nr.Crt.
IA (mA)
UA(V)
Lg IA

1
0.5
0.62
-0.7

2
1
0.65
0

3
2
0.67
0.3

4
4
0.69
0.6

Tabel multisim D3:

Nr. Crt.
IA (mA)
UA(V)
lg IA

1
5
0.663
0.7

2
10
0.699
1

3
20
0.736
1.3

4
40
0.774
1.6

5
50
0.786
1.7

6
80
0.813
1.9

7
100
0.827
2

2) a. La curentul I A = 5 mA sa ncalzit cu mna dioda D2 i sa constatat, calitativ, o

slaba scadere a tensiunii directe pe diod .

3) Determinarea parametrilor I0 si
Folosind graficele de la punctul 2) , considerand I 0 intersectia graficului cu axa
q 1 u A
ordonatelor si aplicand formula
vom obtine urmatoarele rezultate:
KT 2.3 lg i A

Diod
a
I0

D1

D1(sim)

D2

D2(sim)

D3

D3(sim)

31.6 *10 6 A 0.1258 *10 7 A 0.1995 *10 10 A0.1258 *10 8 A

10 13 A 0.5011 *10 14 A
1.5436
2.1095
1.25
1.4767
1.0858 0.7492

4) Determinare punctului static de functionare

Graficele si calcularea psf. Se gasesc in anexa referatului.

5) Marimile caracteristici pentru psf.

Se va folosi montajul din figura :

Rezultate obtinute prin masuratorile din laborator :

Ua=0.883 V
Ia=5.2 mA
rd=120.51
7

Rezultate obtinute in urma simularii in multisim:

Ua=0.622 V
Ia=4.7 mA
rd=85.10
Am folosit formula rd

KT
qI A

pentru calcularea rezistentei dinamice si am considerat

kT
= 26 mV.
q
.
6) Masurarea curentului invers.

Se va folosi montajul din figura :

Rezultatele simularilor din multisim :

D1:
Nr. Crt.
E (V)
I (mA)

1
0
0

2
-5
0.373

3
-10
0.785

4
-20
1.616

Nr. Crt.
E (V)
I (A)

1
0
0

2
-5
-0.888

3
-10
1.776

4
-20
3.553

D2:

7) Caracteristica invers a diodei stabilizatoare de tensiune.

Se va folosi montajul din figura :

Rezultatele simularilor in multisim :

Nr. Crt.
IZ(mA)
UZ(V)

1
0.1
7.348

2
0.5
7.390

3
1
7.408

4
5
7.449

5
10
7.467

6
15
7.478

7
20
7.485

Prin calcule s-a determinat rezistenta dinamica a diodei Zener : rd 2.823