Tehnologia MOCVD si creterea

materialului
1.Introducere
2.Tehnologia MOCVD i sisteme de cretere
3.Compus metaloorganic
4.Reacia fazei de gaz si de suprafa
5.Caracterizarea materialelor
6.Exemplu de cretere prin MOCVD

1.Introducere
Cele mai multe dintre progresele n
prelucrarea materialelor micro sau
axat pe capacitatea de a reduce
dimensiunile fizice ale structurii
dispozitivelor electronice.
Dimensiunile laterale
Fitolitografia
Depunerea
Tehnicile de corodare
Dimensiunile verticale
Depunerea epitaxial

Compararea metodelor
epitaxiale

Metode de cretere

timp

caracteristici

Restricii

LPE
(Epitaxia din faz
lichid)

1963

Cretere din soluie

suprasaturat pe
diferite suporturi

Zone de substrat limitat

i control slab asupra
creterii de straturilor
foarte subiri

VPE
(Epitaxia din faz
de vapori)

1958

In timpul creterii sau Stat de grosime mare,

utilizat metal
continand un numar
halogenici ca
mare de Al.
precursori de transport

MBE
(Epitaxia prin flux
molecular)

1958
1967

Depunerea straturilor Cretere lent a

epitaxiale in vid foarte matrialelor la presiune
inalt
inalta

MOCVD
1968
(Depunerea din faz
chimic metal
organic )

Utilizarea compuilor
metaloorganici ca
surs

Unele surse cum ar fi

AsH3 sunt foarte toxice

Cateva denumiri ale MOCVD

n referina, MOCVD are, de asemenea, i alte denumiri

. Diferite persoane prefer diferite denumiri. Toate
denumirele se refer la aceeai metod de cretere.
MOCVD (depunere chimic din vapori metaloorganici)
Depunerea chimica organometalic
MOVPE (epitaxie din faz de vapori MO )
OMVPE
AP-MOCVD (Presiune atmosferica - MOCVD)
LP-MOCVD (presiune joas -MOCVD)

2. Instalatie de cretere MOCVD

Schema sistemului de cretere

MOCVD
Reactor
Managerul
sistemului de
gaze
plita
Sistemul de
vidare i vidul
Control
Computerizat

Sistemul de manager/control al gazelor

Rolul sistemului de circulaie a gazului este de

amestecare i dozare a gazului, care va intra n
reactor. Sincronizarea i compoziia gazului care
intr n reactor va determina structura stratului
epitaxial.

Etan a panoului de gaze este esen ial , deoarece

contaminarea cu oxigen va duce spre degradarea propriet ilor
filmele de cre tere.
Comutator rapid a sistemului de valve este foarte important
pentru filme sub iri i cre tere rapida a structurii la interfa .

Control exact al debitului de gaz, presiunea i temperatura pot

asigura stabilitate i repetare a procesului.

Tipuri de reactoare

Tipurile de reactor
2

Reactor Model Aixtron -2400

ORATORIA

Sistem de vidare

Pompa si controlul presiunii

Pentru o cre tere la presiune sczut, vom folosi pompa
mecanica i regulatorul de presiune pentru a controla
presiunea de cre tere. Pompa trebuie s fie selectata ca s
poata elimina sarcina de gaze mare.
Sistem de tratare a gazelor reziduale
Tratrea gazelor reziduale necesita mare atentie si sigurata.
Sistemul MOCVD pentru GaAs i InP utiliseaza materiale
toxice, cum ar fi AsH3 i PH3. Gazele de e apament con in
nc unele gazeAsH3, care nu au reac ionat i PH3, n mod
normal, este nevoie ca gazele toxic a fi eliminate prin
utilizarea epuratorului chimic.
Pentru sistemul GaN, nu sunt probleme.

3. Compui metaloorganici
Presiunea de vapori a sursei MO este un aspect important n MOCVD,
deoarece determin concentraia de materie prim n reactor i viteza de
depunere. O presiune prea sczut a vaporilor, este dificil de transportat
sursa n zona de depunere i de a realiza rate de cre tere rezonabile. O
presiune prea mare de vapori poate ridica probleme de siguran n cazul n
care compusul este toxic. Mai mult dect att, este mai u or pentru a
controla livrarea dintr-un lichid, dect de la un solid.
Presiunea vaporilor n compuii metaloorganici este calculat in func ie de
espresia:
Log[P(torr)]=B - A/T

Presiunea vaporilor a celor mai muli compui MO comuni.

COMPUI

P la 298 K
(torr)

Punctul de
fierbere
(oC)

(Al(CH3)3)2

TMAl

14.2

2780

10.48

15

Al(C2H5)3

TEAl

0.041

3625

10.78

-52.5

Ga(CH3)3

TMGa

238

1825

8.50

-15.8

Ga(C2H5)3

TEGa

4.79

2530

9.19

-82.5

In(CH3)3

TMIn

1.75

2830

9.74

88

In(C2H5)3

TEIn

0.31

2815

8.94

-32

Zn(C2H5)2

DEZn

8.53

2190

8.28

-28

Mg(C5H5)2

Cp2Mg

0.05

3556

10.56

175

Log[p(torr)]=B-A/T

Calculul debitului molar a ratei susrselor MO

Cnd vom analiza unele de referin, vom vedea de multe
ori caci multi savani folosesc mol/min pentru a indica
debitul. n mod normal, vom folosi formula pentru calcularea
acesteia.

F (mol/min)=p MO/p Bubbler*[debitul(ml/min)]/22400

(mol/ml)

Avem nevoie pentru a calcula debitul molar nainte de a ne

determina starea de cretere. Dac vrem s createm aliaje,
putem folosi debitul molar pentru a estima compoziie
aliajelor.
De exemplu, dac am crete AlGaN, se poate estima
concentraia Al utiliznd urmtoarea formul, dac
presupunem c eficiena surselor de Al i Ga este aceeai.
x Al=F Al/(F Al+ F

Ga

4. Faza de gaz i de reacie la suprafa

Reac ia de baz ce descrie cre terea GaN poate pur i simplu fi scris ca:
Ga(CH3)3+NH3
GaN+3CH4
Procedura de cre tere dup cum urmeaz:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.

Sursele MO i hibride se injecteaz n reactor.

Sursele sunt amestecate n interiorul reactorului i transferate n zona de
depunere.
n zona depunere, temperaturile ridicate duc la descompunerea sursei i la
alte reac ii n faz gazoas, care formeaz precursorii de film care sunt
utile pentru cre terea filmelor i subproduse.
Transportul precursorilor in zona de crestere
Precursorii de film sunt absorbi i de suprafa a de cre tere.
Precursorii de film difuzeaz in suprtul d cre tere.
La suprafata, atomii de film se includ n film de cre tere prin reac ie de
suprafa
Produse de ale reac iilor de suprafa sunt absorbite de la suprafa
Transportul de produse remanente din principala regiune de cre tere, cu
ajutorul gazului mai departe de zona de depunere spre ie irea din reactor.

Reacii

5. Carcterizarea materialelor
Caracterizarea fizic
X-ray diffraction (XRD)
Transmission electron microscopy (TEM)
Optical microscopy
Scanning electron microscopy (SEM)
Atom force microscopy (AFM)
Secondary ion mass spectroscopy (SIMS)
Masuratorile electrice
Van der Pauw Hall
Capacitate - tensiune (C-V)
Msurtorile optice
Photoluminescence (PL)

6. Cretetrea GaN prin MOCVD i materiale conexe

TMGa
NH3
1150oC
Temperatura

Tratre la
temperaturi
inalte

1050oC
550oC

Strat
buffer

Ga(CH3)3+NH3

Creterea
Stratutilui
epitaxial
GaN+CH4

Dou etape a procedurii de crestere MOCVD

Unele probleme de baz legate de creterea

GaN
MOCVD i alte tehnici epitaxiale s-au dezvoltat mai bine de 30
de ani, dar creterea GaN de nalt calitate i compuilor
disponibil doar n ultimii ani. Exist unele probleme speciale
pentru GaN si a materialelor conexe.
Nu sunt bine potrivite substaturile
Este dificil de a obine straturi de tip - p