Sunteți pe pagina 1din 3

Lucrarea 2 Comutarea TBIP

Grupa 322AB

Studeni:

Adamache Iohana
Docea Andrei
Florea Vlad
Geaman Cristina
Paun Isabella

1. Msurarea timpului de cretere ( + ) i a timpului de cdere ( ) n RAN


Obs: Din cauza unei defeciuni la plcu lucrarea a fost terminata foarte trziu si din graba nu au fost
fcute poze pentru fiecare caz.

a.) Timp cretere: + =800ns msurat de pe frontul descresctor al semnalului;

b.) Timp cdere: =200ns msurat pe frontul cresctor;

2. Msurarea timpului de cretere ( + ) i a timpului de cdere ( ) n Saturaie


incipienta
a.) Timp cretere: + =800ns msurat de pe frontul descresctor al semnalului;
b.) Timp cdere: =150ns msurat pe frontul cresctor;

3. Msurarea timpului de stocare in Saturaie


= 800
Obs: Timpul de stocare este comparabil cu timpii de cretere si cdere, astfel ca va introduce o
ntrziere semnificativa in comutarea tranzistorului.

4. Msurarea timpului de cretere ( + ) i a timpului de cdere ( ) in Saturaie


pentru circuitul de accelerare a comutrii
a.) Timp cretere: + =200ns msurat de pe frontul descresctor al semnalului;
b.) Timp cdere: =60ns msurat pe frontul cresctor;
Obs: Se observa o reducere de 4 ori a timpului de cretere, respectiv de 3 ori a timpului de cdere
in comparaie cu circuitul original, performanta obinuta prin introducerea unui condensator in
paralel cu rezistenta din baza. La nceput condensatorul acioneaz ca un scurt si permite curent
maxim in baza, ceea ce reduce timpul de cretere, iar timpul de cdere este redus deoarece
condensatorul trage sarcina din baza pe msur ce se descarc.

5. Msurarea timpului de stocare in Saturaie pe circuitul de eliminare a timpului de


stocare

= 50
Obs: Comparativ cu circuitul normal in saturaie, acesta reduce semnificativ timpul de stocare,
de 16 ori pentru a fi mai precis. Aceasta performanta este datorata diodei introduse in circuit
intre baza tranzistorului si colector, dioda care se va deschide odat ce tranzistorul intra in
saturaie si va dirija excesul de sarcina departe de tranzistor.