Utilizarea compuilor coordinativi cum ar fi -diketonates de chelai metalici ca

precursori posed avantaje la temperatur de descompunere sczut a moleculei

metalorganice Td = 250-300oC i uurina de a obine un compus de oxid. Acesta din
urm se datoreaz unei anumite structuri chimice a moleculei precursoare, n care un
atom de metal are o legtur de coordonare cu cele mai apropiate atomi de oxigen
nvecinate. Mai mult dect att, utilizarea soluiei de amestec de precursori ofer un
caracter "surs unic" a tehnicii MAD i ca o consecin o posibilitate de control n
compoziia cationic a filmului crescut uor. Vaporizarea micilor particule (aerosoli) de
precursori sau cu alte cuvinte poriuni mici de metalorganic e pare a fi foarte eficient,
deoarece permite de a se micora esenial timpul de evaporare, astfel prevenind
procesele de polimerizare i faptul reducerii volatilitii. Mai mult dect att, legturi
de coordonare ntre moleculele precursoare i cele ale cutiei de solvent mbuntesc
volatilitatea de precursori. Toate acestea duc la o faz de vapori mai stabil, mai ales n
caz de precursori de pmnturi rare metalice (Y, La, Nd, etc.) i cele ale altor metale,
cum ar fi Ba, Pb. Ca rezultat al acestei vaporizri "discrete" precursorilor set de
metalorganic adecvat compui pot fi mrite fa de mult mai simplu, ieftin, i chiar mai
puin volatile compui, care nu pot fi utilizate n MOCVD. Procesul de formare n faz
de vapori se plaseaz n imediata apropiere a substratului nclzit, n cazul n care un
film de oxid este n cretere prin intermediul unei reacie de piroliz eterogen. Aceasta se
realizeaz prin pulverizarea aerosolilor n reacia zon. Astfel, orice reac ii n faz de
vapori i a proceselor de difuzie termic pot fi suprimate considerabil ducnd la o
compoziie stabil din faza de vapori peste substrat. Consecina urmtore este o
posibilitate de a crete o concentraie local a fazei de vapori peste substrat n
comparaie cu MOCVD convenional de transport al gazelor. Nu este evident c n
aceste condiii numai viteza de depunere poate fi crescut, dar mecanismul de cre tere a
filmelor va rmne acelai ca i ntr-un proces MOCVD.