Universitatea Tehnic a Moldovei

Facultatea Calculatoare, Informatic i Microelectronic

Catedra Microelectronic i Semiconductori

RAPORT
La Lucrarea de Laborator 2
La Disciplina: Bazele Fizice ale Electronicii
Tema: Efectul Hall n semiconductoare

A efectuat: st. gr ISBM-141

Savca Eugeniu ____________

A verificat:

Postic Vasile _____________

Chiinu 2015

Tabelul 1.
B,T

U(+B,+I)
mV
67,15
145,4

0,17
0,37
1) Umed1=

U(+B,-I)
mV
-67,15
-145,4

67,15+67,15+85,1+85,7

Umed2=

145,4+145,4+159,5+159,3
4

Nr.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Y=76 A

Uz
mV
4,1
3,8
3,3
3,0
2,5
2,1
1,8
1,4
1,0
0,6
d=0,002

17,9+18,2+9,0+9,4

Umed4=

23,2+23,1+14,2+14,6

Umed6=

41,9+41,2+37,2+37,6

Umed8=

51,2+52,4+60,1+61,0

RH2=

13,62103 0,02106

RH4=

18,77103 0,02106

RH6=

39,47103 0,02106

RH8=

53,92103 0,02106

76106 2,7103
76106 2,7103

RH10=

76106 2,7103

76106 2,7103

69,97103 0,02103
76106 2,7103

24103 0,17

14,3+14,6+5,5+5,4
4

57,3+56,9+70,0+70,1

= 56,17; Umed9=
= 69,97; RH1=

= 1,3 103 3 /; RH3=

= 1,8 103 3 /; RH5=

= 3,8 103 3 /; RH7=

= 5,2 103 3 /; RH9=
6,8

103 3

152,56104
4,08103

I
mA
24
41
=

U(-B,-I)
mV
5,4
9,4
12,1
14,6
26,1
37,6
48,2
61,0
70,1
78,2

Umed
9,95
13,62
16,45
18,77
29,07
39,47
47,45
53,92
63,57
69,97

= 9,95

= 16,45

46,7+46,1+48,8+48,2

= 39,47; Umed7=

RH
M/C
37,38
20,08

= 20,08 108 3 /

U(-B,+I)
mV
-5,5
-9,0
-11,9
-14,2
-25,7
-37,2
-48,8
-60,1
-70,0
-77,8

32,4+32,1+25,7+26,1

= 18,77; Umed5=

62,2+61,7+77,8+78,2

76,28103 2108

41103 0,37

20,8+21,0+11,9+12,1

= 13,62; Umed3=

Umed
mV
76,28
152,37

152,37103 2108

U(+B,+I) U(+B,-I)
mV
mV
391,4
14,3
-14,6
382,2
17,9
-18,2
372,2
20,8
-21,0
365
23,2
-23,1
353
32,4
-32,1
343,4
41,9
-41,2
336,2
46,7
-46,1
326,6
51,2
-52,4
317
57,3
-56,9
307,4
62,2
-61,7
Bz=2,7 mT
T=300K

Umed2=

Umed10=

T(K)

(+,+)(+,)(,+)+(,)

= 152,37 ; RH2=

Umed1=

U(-B,-I)
mV
85,7
159,3

= 76,28 ; RH1=

37,38 108 3 /

U(-B,+I)
mV
-85,1
-159,5

= 29,07

= 47,45

= 63,57

9,95103 0,02106
76106 2,7103

16,45103 0,02106
76106 2,7103

29,07103 0,02106
76106 0,02103

47,45103 0,02106
76106 2,7103

63,57103 0,02106
76106 2,7103

= 0,9 103 3 /

= 1,6 103 3 /

= 2,8 103 3 /
= 4,6 103 3 /
= 6,1 103 3 /

Tabelul 2.
RH
0,9
1,3
1,6
1,8
2,8
3,8
4,0
5,2
6,1
6,8

T=24*Uz+293; T1=24*4,1+293=391,4K; T2=24*3,8+293=384,2k; T3=24*3,3+293=372,2K

T4=24*3,0+293=365K; T5=24*2,5+293=353K; T6=24*2,1+293=343,4K; T7=24*1,8+293=336,2K
T8=24*1,4+293=326,6K; T9=24*1,0+293=317K; T10=24*0,6+293=307,4K
Eg=0,4

lg( 2 )
(103 /)

Concentratia purtatorilor de sarcina: C=1.66*10-19

n1=
n2=
n4=
n6=
n8=

1.5

1.661019 0.9103
1.5

1.661019 1.3103
1.5

1.661019 2.8103
1.5

1.661019 3.8103
1.5

1.661019 5.2103

n10=

1.5

= 1.004 1022

= 0.69 1022 ; n3=

= 0.502 1022 ; n5=

= 0.237 1022 ; n7=

= 0.173 1022 ; n9=

1.661019 6.8103

= 0.132 1022

1.5

1.661019 1.8103
1.5

= 0.564 1022

1.661019 2.8103
1.5

1.661019 4.6103
1.5

1.661019 6.1103

= 0.322 1022

= 0.196 1022
= 0.148 1022

Scopul lucrrii: cercetarea dependenei tensiunii Hall de

temperatur i de cmpul magnetic, determinarea
concentraiei purtrorilor de sarcin i limii zonei
interzise a semiconductorului.

Figura 1: Schema montajului