tranzistor bipolar

Manta

Structura bipolara integrata dublu-poli (polisiliciu n si polisiliciu p )

dioda

Reprezentare schematica a unei celule logice elementare realizata in tehnologie bipolara I2L

Reprezentarea schematica a unui tranzistor NMOS cu imbogatire (sau normal-blocat).

Tensiunea de prag e pozitiva.

Reprezentarea schematica a unui tranzistor NMOS cu saracire (sau normal-conductor).

Tensiunea de prag e negativa.
Muranyi
Nicorici

Reprezentarea schematica a unui tranzistor PMOS cu imbogatire (sau normal-blocat).

Tensiunea de prag e negativa.

Figure 78 : Reprezentarea schematica a unui tranzistor PMOS cu saracire (sau normal-conductor).

Tensiunea de prag e pozitiva.

tranzistor MOS cu canal N :

Czibulak

Reprezentarea schematica a unui tranzistor MOS de putere de tip DMOS. Zona n slab dopata situata
intre drena si canal permite extinderea pe o lungime mare a sarcinii spatiale, marind astfel capabilitatea
in tensiune a dispozitivului.
Fuciu

: Reprezentarez schematica a unui tranzistor MOS de putere de tipul VMOS. Structura V se obtine
exploatand diferenta intre vitezele de gravare a siliciului dupa planuri cristalografice diferite.
Capabilitatea mare in tensiune a dispozitivului este obtinuta gratie zonei n slab dopata si foarte groasa
(aceasta zona se intinde in fapt pe toata grosimea substratului).

Peter