Panou fotovoltaic

Abstract Scopul principal al

acestei lucrri este de a dezvolta,
simula i analiza unui sistem de
panouri
fotovoltaice.
Aceasta
simulare se va face cu ajutorul
unui panou solar, lumina solara
artificiala i
de date intr-un
computer, cu ajutorul softului
Power Sim.

I. Introducere
Energia solar poate fi folosit
pentru generarea energiei electrice. Radiaia
solar se transform n energie termic la
temperaturi mari, apoi se obin vapori, care
produc n turbin energie mecanic, n
sfrit, antrennd un generator, obinem
energie electric.
Capitolul ce urmeaz este consacrat
conversiei directe a radiaiei solare n
energie electric. Tehnologia conversiei
directe exclude transformrile intermediere:
radiaia solar n energie termic, energia
termic n energie mecanic, energia
mecanic n energie electric de curent
alternativ. Conversia direct se realizeaz cu
ajutorul
materialelor
solide
semiconductoare,
folosind
efectul
fotovoltaic. Generatorul fotovoltaic, aa
numita celul fotovoltaic, spre deosebire de
generatorul electromecanic, produce energie
electric de curent continuu. Excluderea din
lanul
tehnologic
a
transformrilor
intermediare, lipsa micrii, zgomotului,
vibraiilor, construcie modular, durata de
exploatare de peste 25 de ani, ne face s
afirmm
c
viitorul
energeticii
descentralizate va aparine tehnologiei
fotovoltaice. Nu ntmpltor revista englez
The Economist din 31 August 1991
meniona referitor la conversia fotovoltaic a
energiei solare: Din toate sursele alternative
de energie vntul, valul de mare, maree,
geotermic probabil cea mai promitoare
conversie a energiei solare n electricitate
este cea fotovoltaic.

II. Celula fotovoltaic i

caracteristicile ei. Construcia i principiul
de funcionare
Celula
fotovoltaic
este
un
dispozitiv electronic, funcionarea cruia se
datoreaz purttorilor de sarcin minoritari.
Ca material iniial pentru fabricare se
utilizeaz semiconductor, de obicei siliciu
cristalin sau policristalin, pe suprafaa cruia
prin diverse metode tehnologice se formeaz
straturi, care conin impuriti pentru a
obine jonciunea p-n. n figura 2.5 este
prezentat schema constructiv simplificat
a celulei PV, avnd la baz material
semiconductor de tip p-n.

Figura 1 Schema constructiv a celulei

fotovoltaice
S analizm fenomenele ce au loc,
dac celula PV este expus unei radiaii
incidente (figura 1 ). Aceast radiaie poate
fi echivalat cu un flux de fotoni care au
energia:

W f =hv ;
(1)
unde, h este constanta lui Planck, iar este
frecvena radiaiei. Dac energia fotonului

este suficient de mare, atunci n urma

coliziunii fotonului cu un atom electronul
din banda de valen va trece n banda de
conducie, devenind liber, genernd,
totodat, un gol n reeaua cristalului. Astfel,
sub aciunea fotonilor are loc generarea de
perechi electroni-goluri. Acest efect se mai
numete efect fotovoltaic interior. n figura 1
din stnga fotonul A are o frecven mai
mic i deci o energie mai mic, fotonul B
are o frecven mai mare i corespunztor o
energie mai mare (unda electromagnetic cu
frecven mic ptrunde n material la
adncimi mai mari i invers).
Purttorii de sarcin noi aprui sunt
supui aciunii cmpului electric al jonciunii
p-n caracterizat printr-un anumit potenial de
barier U0 i care n dependen de tipul
semiconductorului folosit este de ordinul 0,2
- 0,7 V. Aici sarcina spaial a jonciunii va
avea rolul de separator de sarcini libere perechi electroni-goluri. Electronii vor fi
dirijai spre zona n, golurile - spre zona p a
celulei. Acesta este motivul pentru care sub
influena luminii zona p se ncarc pozitiv,
zona n se ncarc negativ, ceea ce conduce la
apariia unui curent electric prin jonciune,
determinat de conversia fotovoltaic a
radiaiei solare. Acest curent, circulnd prin
jonciune dinspre zona n spre zona p (figura
2.5 din stnga) duce la o cdere de tensiune
U pe sarcina extern R, conectat la
contactele din spate i contactul-gril de la
suprafa (figura 1 din dreapta). Tensiunea U
n raport cu jonciunea p-n acioneaz n
sens direct i, la rndul su, va determina
prin jonciune curentul diodei Id de sens
opus curentului fotovoltaic Is, care se
determin cu expresia:

[ ( ) ]

I d=I 0 exp

eU
1
kT

eU
1
kT

(3)
Ecuaiei (3) i corespunde schema
echivalent simplificat a celulei PV,
reprezentat n figura 2 a. Dac se ine
seama de rezistena Ri de scurgeri prin
izolaia celulei PV i de Rs a elementelor
conectate n serie, se poate ntocmi o schem
echivalent complet a celulei PV (figura 2
b). Cu tehnologiile moderne se obin celule
cu Ri ~ i Rs ~ 0, nct schema echivalent
simplificat este satisfctoare.

Figura 2. Scheme echivalente ale celulei PV:

a - simplificat; b complet; c

;
Puterea electric cedat sarcinii R a
unei celule PV este:

unde: I0 este intensitatea curentului de

saturaie; k - constanta lui Boltzmann; T temperatura
absolut;
e
sarcina
electronului.

Caracteristicile

[ ( ) ]

I =I sI d =I sI 0 exp

caracteristicile celulei

(2)

III.
fotovoltaice

se determin ca diferena dintre curentul

fotovoltaic Is i curentul diodei Id:

celulei

Caracteristicile
principale
ale
celulei PV sunt: caracteristica amper-volt
I(U) sau volt-amper U(I) i caracteristica de
putere P(U). Curentul n circuitul exterior I

{ [

P=UI =U I s I 0 exp

( eUkT )1 ]}

;
(4)
Valoarea maxim a acestei puteri se
obine ntr-un punct M al caracteristicii
curent-tensiune, ale crui coordonate sunt
rezultate din condiia dP/dU=0:

U M =U 0U T ln 1+

UM
UT

U 0=

(5)

kT I s + I 0 KT I s
ln

ln
e
I0
e
I0
(8)

Pentru o celul din siliciu raportul

Is/I0 este de circa 1010, factorul kT/e, numit
i tensiune termic, este egal cu 26 mV,
Astfel U0= 0,6 V

I
UM
I M =I s 1+ 0
I s U M+ U T

( )

(6)
unde UT = kT/e.
Pentru o sarcin pasiv valoarea
optim a rezistenei sarcinii va fi:

Puterea critic sau maximal.

Este produsul curentului la tensiunea n
punctul M a caracteristicii I-V. n englez
acest parametru se numete peak power i se
noteaz PC.

PC =U M I M

U
RM= M
IM

(9)

(7)
IV. Parametrii
modulelor PV

celulelor

Productorii de celule i module PV

indic n cartea tehnic a produsului
parametrii ridicai n condiii standard:
Radiaia solar global pe
suprafaa celulei, G=1000 W/m2;

Geometric, puterea critic PC,

corespunde punctelor de tangen a
hiperbolelor P = UI = constant ctre
caracteristicile amper volt I-U (vezi figura
2 d).
Factorul de umplere (Fill Factor).
Se determin ca raportul dintre suprafeele
dreptunghiurilor OUMMIM i OUOKIsc
(figura 2 c) sau

Temperatura celulei, TC= 25 oC;

Masa
AM=1,5

convenional

de

FF=

aer,

n mod obligatoriu n cartea tehnic

se prezint: curentul de scurt circuit, Isc;
tensiunea de mers n gol,U 0; puterea
maximal sau critic, Pc; tensiunea i
curentul n punctul critic, UM i I M . Pe
lng aceti parametri pot fi indicai
suplimentar: factorul de umplere (Fill
Factor), FF, randamentul celulei sau
modulului PV, Temperatura Normal de
Funcionare a Celulei NOCT, coeficienii de
variaie a tensiunii de mers n gol i a
curentului de scurt circuit cu temperatura.
Curentul de scurt circuit. Se
obine la scurcircuitarea bornelor sarcinii R
din figura 2 Pe caracteristica I-U acesta-i
punctul cu coordonatele U=0, I=Isc. Din
expresia (3), pentru U=0, obinem Isc = Is.
Puterea furnizat este egal cu zero.
Tensiunea de mers n gol.
Corespunde punctului de pe caracteristica IU cu coordonatele I=0, U=U0. Puterea
debitat n acest punct este egal cu zero.
Tensiunea de mers n gol poate fi
determinat din (3) pentru I=0:

UMIM
U 0 I sc
(10)

de unde

PC =FF U o I sc
(11)
Factorul de umplere este msura
calitii celulei PV. Cu ct este mai mic
rezistena intern a celulei PV cu att FF este
mai mare. De obicei FF > 0,7.
VI. Randamentul celulei sau
modulului PV. Se determin cu raportul
puterii generate de celula sau modulul PV n
punctul optimal de funcionare M la o
temperatur specificat ctre puterea
radiaiei solare

PC
AG
(12)

unde PC este puterea livrat n W; A este

suprafaa celulei sau modulului n m; G
radiaia

global incident pe suprafaa celulei sau

modulului n W/m2.
n condiii de laborator s-au obinut
celule din siliciu cristalin cu un randament
de 13-25 % n dependen de suprafaa
celulei, iar n condiii de fabric 12-14 %.
Randamentul celulei din siliciu policristalin
este de 17-20 % n condiii de laborator i
11-13 % n condiii de fabric. Celulele
comercializate din siliciu amorf posed un
randament cuprins ntre 7 i 11 % , iar n
condiii de laborator 16 %. Limita teoretic
a randamentului din siliciu cristalin este de
37 %, celui din siliciu amorf 28 %.
V. Temperatura
Funcionare a Celulei.

Normal

Randamentul celulelor fotovoltaice

este nc mic, dar exista o cretere de
mbuntire a materialelor i a sistemului n
ansamblu.

de

Corespunde temperaturii celulei PV

la funcionare n gol, la temperatura
mediului de 20 oC, radiaia global de 800
W/m2 i viteza vntului mai mic de 1 m/s.
Pentru celule uzuale NOCT se situeaz ntre
42 i 46 oC. Dac cunoatem NOCT putem
determina temperatura celulei TC n alte
condiii de funcionare caracterizate de
temperatura mediului TA i radiaia global
G.

( NOCT0,820 ) G

T C =T A +
(13)

Power Sim for Circuit of solar cell

VII. Concluzii