Dac
energia cuantelor de lumin este suficient pentru a transfera electronii din banda de valen n
cea de conducie, atunci electronii transferai se pot deplasa limitat, sub aciunea cmpului
electric aplicat simultan cu iluminarea, de unde pot fi captai pe niveluri locale (3-4) introduse de
impuriti sau de defecte de reea. La anularea fluxului luminos i a cmpului electric sarcinile
fixate creeaz polarizaia remanent a electretului, polarizaie care, la ntuneric, se menine un
timp ndelungat. n timp, datorit agitaiei termice electronii pot reveni din 4 n 3 i apoi se
deplaseaz spre poziiile de echilibru sub aciunea cmpului intern. Iluminarea distruge
instantaneu polarizaia remanent, favoriznd trecerea electronilor de pe nivelul local n banda de
conducie. Fotoelectreii se fabric din materiale fotoconductoare (de exemplu sulfur de zinc
ZnS) i se folosesc pentru nregistrarea imaginilor (este principiul xerografiei).
Radioelectreii (pseudoelectreii) se obin prin iradierea cu raze a suprafeei
materialului plasat pe un electrod metalic pus la pmnt. Electronii care formeaz radiaiile
ptrund n material i sunt captai pe nivele locale (generate de defectele de reea) n funcie de
energia electronilor i de structura dielectricului.
Cmpul electric al sarcinii negative fixate pe suprafaa de sus a dielectricului va atrage
sarcinile pozitive din electrodul metalic care se vor fixa pe suprafaa de jos a electretului. Pentru
fabricarea radioelectreilor se poate utiliza sticl silicat cu coninut mare de bor, iradiat cu un
fascicol de electroni cu energia de 2 MeV.
n structura nematic exist o ordonare paralel a axelor lungi ale moleculelor, centrele de
greutate fiind distribuite aleatoriu. Fiecare molecul se poate deplasa n toate cele trei direcii ale
spaiului i se poate roti n jurul axei proprii. n cristalele lichide smectice moleculele se dispun
n straturi n care se ordoneaz paralel una fa de alta. Ele se pot deplasa n dou direcii n plan,
se pot roti n jurul axei proprii, dar nu pot trece dintr-un strat n altul. n cristalele lichide
colesterice moleculele se dispun n straturi paralele ntre ele, direcia de orientare a moleculelor
modificndu-se elicoidal de la un strat la altul.
n jurul axei proprii dar pot i trece dintr-un plan n altul, cu modificarea direciei.
Utilizri tehnice prezint numai cristalele lichide nematice.
Proprieti dielectrice i electrooptice ale cristalelor lichide nematice (CLN). Moleculele
cristalelor lichide nematice au moment electric propriu, dar datorit faptului c structurile
moleculare au centru de simetrie, momentul electric al unitii de volum este egal cu zero. Deci
CLN posed numai polarizaie temporar care se manifest anizotrop. ntr-un sistem principal de
coordonate, n care axa Oz coincide cu axa de simetrie a structurii matricea permitivitii
complexe relative are forma:
necesar ionizrii, pe un parcurs mai scurt, trebuie ca intensitatea cmpului electric Estr s fie
mai mare. Rigiditatea dielectric a lichidelor este ntr-adevr cu un ordin de mrime mai mare
dect la gaze (zeci de MV/m). Valorile calculate cu relaia lui Peek sunt ns mult superioare
celor determinate experimental.
2. Teoria strpungerii pur electrice consider c n procesul de strpungere sunt
determinani electronii emii de electrozi sub aciunea cmpului electric.a umezelii i a altor
impuriti;
3. Teoria strpungerii termice consider c un curent electric de mic intensitate, stabilit
n lichid, conduce la nclzirea lichidului. Datorit nclzirii apar bule de vapori care se dispun sub aciunea forelor cmpului electric - de-a lungul liniilor de cmp, formnd puni gazoase
ntre electrozi. Prin ionizri, apar n primele faze descrcri electrice n aceste puni gazoase
care, apoi, se extind n tot lichidul.
4. Teoriile fenomenologice propun unele dependene ale rigiditii dielectrice de anumii
parametri fizici ai lichidelor electroizolante (densitatea masic, tensiunea superficial, presiunea
hidrostatic, raza medie a moleculelor de lichid i permitivitatea). Dependenele au fost stabilite
experimental i stau la baza unor teorii fenomenologice ce explic strpungerea lichidelor.
Ca i n cazul gazelor rigiditatea dielectric a lichidelor este influenat de numeroi
factori:
-impuritile, att cele solubile ct i cele insolubile, duc la scderea rigiditii prin
creterea numrului de purttori de sarcin (n cazul celor solubile) sau prin formarea de puni de
legtur ntre electrozi (n cazul celor polare). Impuritatea cea mai frecvent i mai periculoas
este apa sau scamele care absorb ap;
-frecvena. Rigiditatea crete cu creterea frecvenei i prezint un maxim la o frecven
de cteva sute de Hz. Pentru valori mai mari ale frecvenei, rigiditatea scade deoarece cresc
pierderile de energie activ n lichid i devine preponderent strpungerea termic;
- distana dintre electrozi. La creterea distanei rigiditatea scade deoarece numrul de
ciocniri ionizante ale purttorilor de sarcin este mai mare;