Universitatea Tehnic a Moldovei

Catedra Microelectronic i Nanotehnologii

RAPORT
Despre lucrarea de laborator nr.3

la MCE

Tema: Cercetarea dependenei de temperatur a

conductibilitii electrice a materialelor semiconductoare

A ndeplinit:

st.gr. MN-151

A verificat:

Croitor Dorin

Metlinschi P.

Chiinu 2016

Scopul lucrrii : Studierea naturii fizice a conductibilitii

electrice n materialele semiconductoare, iniierea cu metodica
de msurare a conductibilitii electrice, cercetarea dependenei
de temperatur a conductibilitii electrice, determinarea
regiunilor cu conductibilitatea electric intrinsec i extrinsec
i lrgirea benzii interzise la diverse materiale semiconductoare
Dependena de temperatur a conductivitii electrice a
materialelor semiconductoare
Conductivitatea electric a semiconductorului, cum se vede din
relaia (3.5), se determin cu concentraia i mobilitatea purttorilor
mobili de sarcin, valorile crora depind de temperatur. Precum pentru
concentraia purttorilor mobili de sarcin este caracteristic dependena
exponenial de temperatur, iar pentru mobilitate - dependena de
putere (relativ slab). De aceea dependena de temperatur a
conductivitii electrice este asemntoare cu dependena de
temperatur a concentraiei purttorilor de sarcin (fig. 3.4).

Fig.3.3. Dependena de temperatura

a mobilitii purttorilor mobili de

Fig.3.4. Dependena de
temperatur a conductivitii

sarcin ntr-un semiconductor care electrice ntr-un semiconductor

conine diverse concentraii de

cu diverse niveluri de dopare

impuriti

(ND1<ND2< ND3)

1 Schema electric a machetului pentru cercetarea dependenei

conductibilitii electrice a materialelor semiconductoare prin
metoda celor dou sonde la diverse temperaturi este prezentate n
fig. 3.5.

2
3
Fig. 3.5. Schema electric a machetului pentru msurarea conductibilitii
electrice a materialelor semiconductoare la diverse temperaturi

Ordinea efecturii lucrrii

1 Facei cunotin cu schema electric din fig.3.5 i pregtii
machetul de lucru:
- conectai cu ajutorul conductoarelor de conexiune sursa de
tensiune continu U=10 V i aparate de msurare la jacurile respective
a machetului, alergnd regimul de lucru i limita de msurare a fiecrui
aparat;
- instalai comutatorul SA3 n poziia, care corespunde probei de
cercetare indicat de lector i mnerul rezistorului R1 n poziia limit din
stnga.
2 Cercetai dependena de temperatur a conductibilitii electrice
pentru dou probe n intervalul de temperaturi de la 293 pn la 460 K.
Rezultatele de msurare de scris in tabelul 3.1.
Pentru aceasta conectai (dup permisiunea lectorului) sursa de
alimentare 5-48, ntreruptorul S1 i instalnd valoarea indicat a
curentului I prin proba, msurai la temperatura camerei cderea de
tensiune ntre sondele U1 i U2, ce corespund direciilor curentului electric
I+ i I- prin prob. Aceleai valori se msoar i pentru alt proba. Apoi de
conectat la sursa de curent elementul de nclzire EK a termostatului i pe

msura ridicrii temperaturii de efectuat msurrile analogice a lui U1 i

U2 peste 100C pentru probele indicate.
Temperatura
termostatului se calculeaz dup formula (3.25).

Tabelul 3.1
Proba nr

10 3
T

,
K
29
3
30
3
31
3
32
3
33
3
34
3
35
3
36
3
37
3
38
3
39
3
40
3
41
3
42
3
43
3
44
3
45
3

-1

U1,

U2,

U,

I=95.9
,
-1m-1

Proba nr

I=9.6

U1,

U2,

U,

ln
3

,
-1m-1

ln
3

8.07

10.1

10.1

10.1

12.66*10

9.44

3.98

3.98

3.98

3.21*10

7.9

7.8

7.85

16.28*103 9.69

4.28

4.28

4.28

2.99*103

8.00

6.2

5.9

6.05

21.13*103 9.95

3.9

3.9

3.9

3.2*103

8.07

5.5

5.4

5.45

23.46*103 10.06

3.6

3.6

3.6

3.55*103

8.17

5.1

4.7

4.9

26.09*103 10.16

2.9

2.9

2.9

4.41*103

8.39

4.5

4.2

4.35

29.39*103 10.28

2.4

2.4

2.4

5.33*103

8.58

4.2

3.9

4.05

31.57*103 10.35

6.4*103

8.76

3.9

3.6

3.7

34.55*103 10.45

1.5

1.5

1.5

8.53*103

9.05

3.6

3.4

3.5

36.53*103 10.50

1.3

1.3

1.3

9.84*103

9.14

3.4

3.2

3.3

38.74*103 10.56

12.8*103

9.45

3.2

3.1

41.24*103 10.62

0.8

0.8

0.8

16*103

9.68

2.8

2.9

44.09*103 10.69

0.66

0.66

0.66

9.87

2.9

2.7

2.8

45.66*103 10.72

0.52

0.52

0.52

2.7

2.5

2.6

49.17*103 10.80

0.43

0.43

0.43

2.6

2.4

2.5

51.14*103 10.84

0.37

0.36

0.36

19.39*1
03
24.61*1
03
29.76*1
03
35.5*103

2.9

2.45

52.19*103 10.86

0.24

0.23

0.23

10.92

2.5

2.4

2.45

52.19*103 10.86

0.27

0.27

0.27

55.65*1
03
47.4*103

10.11
10.30
10.47

10.76

Prelucrarea rezultatelor msurrilor

1 Calculai conductivitatea electrice n -1m-1 a materialelor semiconductoare

cercetate dup formula:

l I

S U

unde l este lungimea dintre sonde pe care

U ( U1 U 2 ) / 2

(3.28)
s-a msurat diferena de potenial

; I-curentul parcurs; S=bd - aria seciunii transversale a probei.

Dimensiunele geometrice ale cristalelor de cercetare:

Nr.Probe Lungime
i

intre
sonde

Lime
a

Grosime
a

b, mm

d, mm

3.0

0.5

l, mm
1; 2;

2.0

3
2 Dup datele tabelului 3.1 construii

pe un desen

pentru toate probele

ln f 1000 / T
cercetate graficele dependenei
. Din graficele obinute de determinat
lrgimea bandei interzise Eg a materialelor semiconductoare, avnd n intervalul
cercetat de temperaturi o conductivitate electric intrinsec, dup formula
E g 0,172

(ln i )
(1000 / T )

3 Determinai materialele probelor cercetate folosindu-v de datele din ndreptar

pentru Eg a materialelor semiconductoare la temperatura camerei.