METODE DE DEPUNERE A FILMELOR SUBTIRI

1. EVAPORAREA IN FASCICOL DE ELECTRONI

IMPORTANT!
Dac@ suprafa]a receptoare face un unghi cu normala la suprafa]a sursei
de evaporare (suprafa]a orificiului), atunci cantitatea de substan]@
receptat@ pe unitate de suprafa]@ este
dM r , M e

cos cos ,
dtdS r
4r 2

S@ aplic@m formula pentru determinarea uniformita]ii grosimii filmului.

Pentru aceasta vom considera c@ substratul este paralel la sursa de
evaporare, a}a cum este ar@tat ^n figura 4.6. In acest caz .

devine

Pentru zona din centrul substratului, 0 ,

Me
dM r ,

.
dtdS r
4h 2

rela]ia (4.18)

Grosimea filmului depus in intervalul de timp dt pe aria dS r ,situat@ ^n

centrul substratului, este
d0

1 Me
,
4h 2

unde este densitatea materialului depus.

Substratul de l@]ime 2l este plasat paralel cu suprafa]a sursei de

evaporare.

Pentru o zon@ din film situat@ la marginea substratului, la

dista]a l fa]@ de centru, grosimea filmului depus ^n intervalul dt este
dl

Me
1
h2
h2 r 2 h2 l 2

unde s-a ]inut cont c@

cos cos h r .

Coeficientul de uniformitate a filmului, K , se define}te ca fiind raportul

dintre grosimea filmului la marginea substratului }i grosimea filmului ^n
centrul substratului

d
l
K l 1
d 0
h

2 2

(4.19)

In general, coeficientul de uniformitate este subunitar }i este maxim, K 1,

pentru un film perfect uniform.

Pentru a ob]ine un film c$t mai uniform (K c$t mai apropiat de 1) este
necesar ca :
- dimensiunea l a substratului s@ fie c$t mai mic@
- distan]a surs@-substrat, h , s@ fie mare
Deoarece aceste condi]ii nu pot fi indeplinite ^ntotdeauna, ^n practic@, se
utilizeaz@ urm@toarele artificii pentru a m@rii uniformitatea filmului
- rotirea filmului in timpul depunerii
- utilizarea unor surse multiple de evaporare (a)
- utilizarea unei m@}ti care sa limiteze depunerea filmului in zona
central@ a substratului (b)
- Plasarea sursei de evaporare }i a substratului pe aceia}i sfer@ (c)

2. Depunerea prin pulverizare ionica

Interactiunea ionului cu materia

2. METODE DE PULVERIZARE

1. Pulverizarea in curent continuu (DC-sputtering)

Rata de depunere depinde de:

- energia de legatura a atomilor din tinta
- lungimea traiectoriei ionului in tinta

densitatea superficiala a atomilor tintei

sectiunea eficace de ciocnire ion-atom
energia si masa ionului incident
presiunea din camera de depunere

2. Pulverizarea in curent alternativ

3. Pulverizarea cu ajutorul unei surse de ioni independente

3. METODE DE ABLARE
3.1 Ablarea laser

3.2 Ablarea in fascicol de electroni

4. EPITAXIA IN JET MOLECULAR