- Determinarea energiei de activare a unui semiconductor intrinsec -

Determinarea energiei de activare a unui

semiconductor intrinsec
1. Descrierea fenomenului
Pentru explicarea fenomenului de conductibilitate electric la un semiconductor este necesar s
folosim teoria zonelor n cazul corpului solid.
Din teoria cuantic a micrii electronilor n cristale rezult c energiile pe care le poate lua un
electron ntr-un cristal sunt grupate n zone permise, separate prin zone interzise; fiecare zon
permis conine un numr de nivele apropiate ntre ele, egal cu numrul de atomi din volumul de
cristale considerat.
n cazul corpului solid, distribuia electronilor pe nivelele energetice este dat de funcia de
distribuie Fermi-Dirac:

f ( w)

wi wF

kT

(1)

care ine cont de principiul de excluziune al lui Pauli. n relaia (1), avem: wi energia total ce
caracterizeaz starea electronului pe nivelul i; T temperatura absolut; k constanta lui
Boltzmann; wF energia nivelului Fermi sau potenialul chimic al cristalului; f(w) probabilitatea
ca starea de energie w s fie ocupat cu un electron.
n fig. 1 este reprezentat f(w) funcie de w pentru diverse temperaturi.
Se constat c pentru T0 avem:
wi w F
1, pentru
f(W)
lim f (w) 0, pentru
wi w F

T 0
1

T1

(2)
Se observ c toate strile cu wi wF sunt
ocupate cu electroni, n timp ce strile cu
wi wF sunt libere. Pentru T=0, f(wi) este

T=0K

T2
0,5

0<T1<T2

nedefinit, iar pentru wi = wF este ntrerupt.

De aici rezult semnificaia nivelului Fermi:
WF
W
acesta reprezint energia maxim pe care o au
electronii la 0K. Nivelul Fermi separ nivelele
ocupate de cele neocupate cu electroni. Energia
Fig. 1
Fermi este numeric egal cu lucrul mecanic ce
trebuie cheltuit pentru a mri numrul particulelor din sistem cu o unitate.
La T=0K, se observ din fig. 1, c pentru wi = wF, funcia de distribuie are valoarea 0,5; deci nivelul
Fermi este starea energetic pentru care probabilitatea de ocupare este 1/2
n al doilea rnd, se observ c la T0K, funcia de distribuie are practic o regiune de tranziie
ngust, n jurul nivelului Fermi, ceea ce arat c grania dintre nivelele ocupate i cele neocupate cu
electroni nu mai este abrupt, ci se ntinde pe o plaj de stri energetice cu att mai larg cu ct
0

- Determinarea energiei de activare a unui semiconductor intrinsec temperatura este mai ridicat. Practic aceasta se datoreaz faptului c, odat cu creterea
temperaturii, electronii trec pe nivelele superioare nivelului Fermi.
Orice corp solid, conform teoriei zonelor poate fi reprezentat prin trei zone: zona de valen, zona de
conducie i zona interzis.
Dup felul cum sunt ocupate aceste zone la 0K, corpurile se mpart n trei categorii:
1. Conductorii sunt corpuri cu zona de valen parial ocupat, nivelul Fermi limitnd
nivelele ocupate de cele libere;
2. Izolatorii sunt corpuri cu zona de valen complet ocupat, zona de conducie liber,
cele dou zone fiind separate de o zon interzis mare. Nivelul Fermi este n interiorul zonei
interzise;
3. Semiconductorii au aceeai structur energetic cu izolatorii, numai c zona interzis
este cu mult mai mic.
n semiconductorul intrinsec, conducia este datorat att electronilor din zona de conducie, ct i
golurilor rmase n zona de valen prin plecarea electronilor.
Energia necesar trecerii electronului din zona de valen n zona de conducie peste zona interzis,
se numete energie de activare. Cu creterea temperaturii, un numr tot mai mare de electroni trec
din zona de valen n zona de conducie (fig. 2).
W

z.c.
e

e
z.i.

NF

z.v.

g(W)

Fig. 2

n fig. 2 este reprezentat din punct de vedere energetic un semiconductor intrinsec (fr impuriti).
Deoarece n acest semiconductor concentraia golurilor este egal cu cea a electronilor (p=n) rezult
c dac densitile de stri n cele dou benzi sunt egale ntre ele, nivelul Fermi se afl la mijlocul
zonei interzise. Dac densitile de stri din cele dou benzi sunt identice, atunci nivelul Fermi se va
afla mai aproape de banda cu densitate mai mic de stri, pentru ca funcia de distribuie s fie mai
ntins n aceast band, i concentraiile purttorilor liberi n cele dou benzi s rmn egale.
Pentru determinarea mrimii energetice a zonei interzise ne bazm pe faptul c rezistivitatea
semiconductorului scade cu creterea temperaturii dup relaia:
0 e w 2 kT

(3)

Prin analogie, se scrie variaia rezistenei cu creterea temperaturii, astfel:

R R0 e w 2 kT

(4)

- Determinarea energiei de activare a unui semiconductor intrinsec unde: w wc wv reprezint mrimea energetic a zonei interzise; wc energia electronilor de pe
primul nivel al zonei de conducie; wv energia electronilor de pe ultimul nivel al zonei de valen;
k constanta lui Planck; T temperatura absolut; R0 rezistena semiconductorului la temperatura
camerei, iar R rezistena semiconductorului la o anumit temperatur T.
Prin logaritmarea relaiei (4) se obine:
lnR

lnR
0
1/2 KT

Fig. 3

ln R ln R0

w
2kT

(5)

Reprezentnd aceast relaie ntr-un sistem de axe semilogaritmice, se obine o dreapt de forma
celei redate n fig. 3, din panta creia se obine energia de activare w.

2. Descrierea instalaiei
Pentru determinarea mrimii energetice de activare a semiconductorului intrinsec se studiaz
variaia rezistenei cu temperatura R=f(T). Cu ajutorul montajului redat n fig. 4, compus dintr-un
cuptor termostat n care se gsete semiconductorul T, conectat la un aparat de msur a rezistenei,

Tr
Ohmetru

3 4
Fig.

Rx

- Determinarea energiei de activare a unui semiconductor intrinsec precum i un termocuplu Tr, legat de un galvanometru G, etalonat n uniti de temperatur, se
determin R pentru diverse temperaturi indicate de galvanometru.

3. Modul de lucru
1. Se conecteaz cuptorul la reea.
2. Dup un minut se deconecteaz i se atept pn se stabilizeaz temperatura.
3. Se citete temperatura n scdere, din 5 n 5 diviziuni i rezistena corespunztoare.
10 3

.
4. Cu valorile obinute se traseaz graficul ln R f
T

5. Din

tg

ln R
10 3 , se determin energia de activare pe baza relaiei (5).

6. Energia de activare w se va msura n sistemul SI, avnd n vedere c R se va lua n i T n

grade Kelvin.
7. Se va transforma n final unitatea de energie din SI n eV, pe baza relaiei
1eV 1,6 10 19 J

- Tabel de date Nr.

T
crt.
(K)
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.

R
()

103/T

lnR

W
(J)

W
(eV)