Polarizarea de curent continuu a TEC - fara a restrânge generalitatea, tratam cazul de

referinta ( TECJ-n si NMOS cu canal initial )

Circuitele de polarizare trebuie sa reduca la

minim influenta dispersiei parametrilor
constructivi (în principal IDSS si UP - a se vedea

figura alaturata) - respectiv dispersia punctului

static de functionare (PSF).

1. Polarizarea grilei cu baterie separata - a se vedea

figura alaturata :
Avantaje: - precizia fixarii lui VG
- se pastreaza sursa la masa si se poate
beneficia de amplificarea maxima în
tensiune (asa cum se va vedea din
prezentarea principalelor circuite cu 1
TEC) - analog se pune problema legarii
emitorului TB la masa (macar în c.a.)
Dezavantaje: - cost suplimentar, întrucât este obligatorie si dispunerea unei surse principale
de alimentare în circuitul de drena
- shunt-area intrarii în c.a. (desi ar exista o solutie paleativa, prezentata pe larg
mai jos, la descrierea polarizarii "automate" a grilei

2. Auto-polarizarea ("polarizarea automata" a grilei)

- a se vedea figura alaturata :
VG = 0
↓
U GS = − I D ⋅ R S (ecuatia "dreptei de circuit"
↑
legea Ohm
care, intersectata cu "parabola de dispozitiv" PSF.
Intuitiv, ID ridica potentialul VS , pe celalalt capat al RS ,
polarizând invers jonctiunea G-S, întrucât grila ramâne la masa.
Avantaj: - cost mic
Dezavantaje : - dispersie atât pentru ID cât si pentru UGS
- necesitatea decuplarii RS în c.a., (schitata alaturat)
pentru a readuce sursa la masa si a nu micsora
amplificarea (a se vedea prezentarea principalelor
circuite cu 1 TEC).
- shunt-area intrarii în c.a.
 Înlaturarea shunt-arii la intrare în c.a.
[ atât pentru (1) cât si pentru (2) - a se
vedea figura alaturata ] se face printr-un
artificiu de circuit, înseriind în poarta un
rezistor RG , cu :

U GS
Z int erna << RG <<
( a STalternativa ↑ ↑ {IG
de la intrare) ( pentru citire [ pentru ca I G ⋅ R G ( f . f . mic )
ideala in tensiune) sa nu modifice prea mult
U GS ( ≈ -I D ⋅ R S ) ]

[ a doua inegalitate e posibila întrucât IG e extrem de mic, practic zero, si deci caderea de

tensiune pe RG ( desi aceasta poate fi de ordinul MΩ ) e neglijabila ]

3. O schema combinata (1) & (2) ( a se vedea

figura alaturata ) permite alegerea convenabila
a lui RS si VGG (care poate fi, eventual, pozitiv,
ca în figura) pentru a amplasa dreapta de
sarcina statica UGS = VGG - ID·RS în scopul
reducerii la minim a dispersiei PSF. În acelasi
scop, RS (pentru (3)) este, uzual, superioara lui
RS (1) . Schema necesita însa precautii speciale
pentru ca dreapta de polarizare sa intersecteze
zona de functionare în saturatie. La TECJ-n, de exemplu, o valoare prea mare a lui VGG>0
(care translateaza spre dreapta oblica de sarcina statica) poate diminua RSS a jonctiunii de
grila, eliminând "gâtuirea" canalului n înspre drena si, la cresteri prea mari ale VGG jonctiunea
se poate chiar deschide.

4. Polarizarea cu divizor pe grila ( a se

vedea figura alaturata), e o solutie care
pastreaza avantajele (3) (dar si problemele
ei) fiind, în plus, mai ieftina.
R G2
U GS ≈ E ⋅ − ID ⋅ RS
R G1 + R G 2
144 2443
≈ VG
↑
IG ≈0
Pe acelasi principiu ca în cazul TB, potentialul de grila (analog cu cel al bazei), e fixat practic
independent de dispersia parametrilor constructivi. Factorul divizorului de grila e mai putin
afectat de derivatia de curent în punctul median decât divizoarele de baza pentru polarizarea
TB (uzual, IG<<IB). Totodata, sunt posibile valori mult mai mari pentru RG1,2 decât pentru
RB1,2-TB (deci, uzual R G1 R G2 >> R B1 R B2 ) ceea ce reduce shunt-area nedorita a
intrarii. Reamintim ca RB1,2-TB trebuie sa aiba valori nu prea mari astfel încât curentul prin ele
sa fie mult mai mare decât IB , pentru ca TB sa nu afecteze astfel divizarea de tensiune.

Circuitele de polarizare pot avea si variante

specifice diverselor tipuri de TEC. De
exemplu, pentru TEC-MOS cu canal n indus,
se poate implementa o versiune a schemei (2)
de polarizare (a se vedea figura alaturata ) :
U GS ( ≈ U DS ) = VDD − I D ⋅ R D
↑
VG ≈ VD (⇐ R G ⋅ I{
G ≈ 0)
≈0

Recomandare: dupa calculele de analiza a circuitelor de polarizare în ipoteza saturatiei, trebuie

facuta o verificare a acestei premise. Cu valorile PSF, trebuie verificat UGD < UP < 0 (la
TECJ-n), UGD > UP > 0 (la TECJ-p), etc. Similar, dupa calculul aproximativ al PSF-TB, cu
neglijarea curentilor de baza, trebuia verificat a-posteriori, daca acesti curenti sunt mult mai
mici decât toti ceilalti din ramificatiile (nodurile) la care participa.

Functionarea în regim dinamic de semnal mic

Conditiile de semnal mic sunt similare cu cele de la diode si TB.

Functionarea la u DS mici, în jurul valorii medii U DS = 0 a fost detaliata la prezentarea TEC
ca rezistenta controlata în tensiune si va fi concretizata în descrierea unei scheme de oscilator
cu AO având un TEC auxiliar pentru reglarea si stabilizarea amplitudinii de oscilatie.
Functionare la saturatie se face cu excursia punctului de operare pe parabola i
D, saturatie ( u GS ) din planul caracteristicilor de intrare (de comanda), excursie care trebuie sa
fie suficient de mica pentru a putea fi aproximata cu un segment de dreapta. Consideram deci
tensiunea "de comanda" cu o componenta alternativa mica: uGS(t)= UGS (în PSF)+ u gs(t)
"Panta" TEC e panta caracteristicii de comanda :
∂ i D, saturatie ∂ U GS 2 2 ⋅ I DSS U GS
gm = = [ I DSS ⋅ ( 1 − ) ] = ⋅( 1 - )
∂ u GS ∂ u GS UP - UP UP
123
∈( 0, 1)
la TECJ
- aceeasi formula cu cea obtinuta pentru G(UGS) pentru functionarea la u DS mici, desi atunci
nu se lucra la saturatie
Pentru gm mare, se recomanda deci un PSF cu U GS mic (desi aceasta limiteaza excursia
semnalului).
 Panta gm,TEC este, în general, inferioara cu cel putin un ordin de marime fata de
I C, in PSF
g m,TB ( = β ⋅ g be = ) . Într-adevar, la valori comparative I D, TEC cu I C, TB ,
 kT 
 
 q 
123
=26mV,
la 300 o K

2 ⋅ I DSS Se justifica astfel afirmatiile dintr-un paragraf

g m, MAX, TEC = << g m, TB
− UP anterior, potrivit carora TEC se utilizeaza mai putin
↑
pentru amplificarea lor cât pentru impedanta lor
UP >> 26mV
, uzual
foarte mare de intrare ( ⇐ i G ≈ 0 ), de exemplu, în

etajele de intrare în AO [ de exemplu, βLF356 - doua

AO / capsula 14DIP300 ( Dual In line Package, 14 pins, 300 °/ inch width ) ]
°°
Pentru a ilustra functionarea cu semnale mici de c.a., luam în
considerare etajul principal de amplificare cu TEC, de tip "sursa-
comuna" (ale carui formule vor fi detaliate la prezentarea
principalelor circuite cu 1 TEC) - decuplarea RS se face cu C∞ iar
grila e legata la masa în c.c. direct prin ST alternativa (Ui) de la
intrare (schema particulara, mai putin uzuala, care tine seama ca, în
c.c., o ST alternativa are tensiune 0, deci se comporta ca un scurt-
circuit, aducând direct VG=0).
Reprezentarile grafice (a se vedea figura de mai jos) se pot începe cu parabola i
(u
D, la saturatie GS ) , pe al carei grafic, se traseaza apoi, plecând din origine, oblica de panta (-
)GS , obtinându-se, pentru început, la intersectia lor, PSF în planul caracteristicilor de
comanda. Pe verticala UGS,PSF se poate axa graficul ugs(t)¸ presupusa sinusoidala. Prin
proiectia punctelor ei pe parabola i D, la saturatie (uGS) si trecerea lor ("în epura") pe jaloanele
temporale corespondente, se obtine graficul id(t) ; s-a marit intentionat excursia de semnal
pentru a evidentia o usoara distorsionare a acestei caracteristici (care nu mai rezulta chiar
sinusoidala) în cazul în care segmentul de parabola nu poate fi aproximat cu tangenta lui în
PSF.
Observatie: Exista circuite care, pe de-alta parte, utilizeaza tocmai aceste neliniaritati
(de exemplu, circuite de ridicare la patrat, cu aceeasi caracteristica
parabolica) iar daca pe astfel de carcacteristici intrarea cumuleaza simplu
(prin sumare) doua semnale [ ...+x1(t)+x2(t)+...], în iesirea parabolica se
pot separa [de exemplu prin filtrare spectrala trece-banda, din
...+x12(t)+2x1(t)·x2(t)+x22(t)+...], produsul celor doi termeni,
implementând, pe anumite domenii de amplitudine si frecventa, operatia de
multiplicare.
Revenind la rezolvarea grafica a schemei "sursa comuna" de mai sus, se poate trece, de la
oscilograma id(t) centrata pe I D, PSF , în planul caracteristicilor de iesire, într-o fâsie (hasurata
în figura de mai jos), delimitata de parabola (marcata cu dublu asterisc, la fel ca în diagrama
sinoptica a caracteristicilor TEC, prezentata anterior) ce margineste zona de functionare la
saturatie. Nedeterminarea din planul iD(uDS) este înlaturata de circuitul exterior, în felul
urmator : Pe dreapta de sarcina statica, uDS = E - (RS+RD)·iD [ cu taieturile ( E, 0 ) si ( 0,
E 1
) si panta ( − ) ], la intersectia cu palierul I D, PSF , adus din planul
RS +R D RS +R D
caracteristicilor de comanda, iD(uGS), se determina si U DS, PSF . Întrucât, în schema de c.a.
RS e shunt-ata de C∞ , relatia marimilor alternative va fi uds(t) = - RD·id(t), asadar, excursia
punctului de functionare, de-o parte si de alta a (UDS, ID) PSF , se face pe "dreapta de sarcina
dinamica", cu panta (-) GD . În fine, proiectând pe acest segment punctele graficului id(t), axat
pe ID,PSF , se obtine, pastrând distorsionarea amintita, dar cu inversarea semnelor, graficul
uds(t). Daca semnalul e mic, se poate considera, aproximativ, înmultirea cu panta gm, in PSF a
tangentei la graficul iD(uGS), pentru trecerea de la tensiunea Ugs la curentul Id si apoi
împartirea la panta (-)GD a dreptei de sarcina dinamica, pentru trecerea de la curentul Id din
U ds U ds
nou la o tensiune, Ud . Amplificarea = ≈ −g m ⋅ R D are o formula similara cu
Ui U gs 123
cu rolul
uzual al R L
A u, TB-EC .

Evident, desi sunt foarte concludente, rezolvarile grafice de acest gen sunt destul de
complicate. Metoda cea mai practica este analiza pe un circuit echivalent de semnal mic :

Schema echivalenta de semnal mic a TEC - consta într-o sursa comandata în tensiune, SxCT;
iG practic zero (10-8-10-7A la TECJ si doar 10-
18
-
10-14A la TEC-MOS) exclude varianta unei
comenzi în curent, asa cum e posibil la TB.
Pe de-alta parte, posibilitatea unei rd suficient de mica (fata de r ce, TB ), face utila o echivalare
Thevenin la iesire la unele TEC. ( Deci SxCT la TEC, spre deosebire de echivalari SCCx la TB
).
Schema echivalenta cu SCCT e
prezentata în figura alaturata :
Reamintim ca rd este o marime de
catalog iar gm , factorul de comanda
a SCCT, e calculat pe baza PSF (la
fel cum, la TB, se calcula cu formula
 2 ⋅ I DSS U GS
aproximativa uzuala g m, TB ≅ 40·I C,în PSF / 1V) : g m, TEC = ⋅( 1 - )
- UP UP

Daca rd e finit, pornind de la schema Norton

de mai sus, se poate face echivalarea
Thevenin, obtinând schema echivalenta
alaturata, cu STCT. Într-adevar, considerând,
în vederea echivalarii, excitatia cu o sursa
independenta Uexcitatie ( = U gs ), schemele de
masurare a parametrilor Thevenin sunt :

Reguli mnemotehnice (asemanatoare cu cele de la TB) - pentru a reprezenta relatiile de faza :

oricare ar fi tehnologia TEC, schema echivalenta de semnal mic se reprezinta în forma SCCT
cu Ugs si gm.Ugs (si sagetile de simbolizare a lor) ambele "convergente" fata de sursa TEC
(sau cu U si g .U "divergente" fata de S), iar în forma STCT cu U si µ .U sau,
sg m sg gs gs
respectiv, Usg si µ .Usg cu sensuri contrare fata de S, practic una în continuarea celeilalte.

Amplificatoare cu TEC - prezentarea etajelor cu 1 TEC (Sursa-Comuna, D-C, G-C) poate fi

organizata precum prezentarea etajelor cu 1 TB (E-C, C-C, B-C).
Similar, se pot îngloba primele doua din cele 3 etaje amintite ca si cazuri particulare ale
amplificatorului cu sarcina distribuita (prezentat mai jos împreuna cu schema sa
echivalenta de semnal mic :

Evident, pentru calculele de tensiuni ar fi fost utila si echivalarea Thevenin, dar putem rezolva
direct si schema cu SCCT de mai sus, scriind atât numaratorul cât si numitorul amplificarilor
sau al fractiilor Ohm, pentru calculul rezistentelor de intrare sau iesire, în functie de marimea
de comanda, aici la TEC, exclusiv Ugs . In ochiul de iesire, marcat mai sus cu sageata
punctata, are loc divizarea curentului gm·Ugs pe divizorul rd (R S + R D ) si, deasemenea, o
divizare de tensiune pe RS si RD. Formulele de mai jos sunt consistente ce cele similare de la
TB (pentru rce finit si rbe → ∞ - a se vedea, de pilda, aplicatiile la teorema Miller - conexiunea
boot-strap) :
factorul de
divizare in curent
6447448
 rd 
− g m ⋅ U gs ⋅   ⋅R
Vo1  R D + R S + rd  D R
A u1 = = → − D
Vi rd RS
(scriere functie de + g m ⋅ U gs ⋅ ⋅ R S + U gs ↑
marimea de comanda U gs ) 14444442 R + R
D 444444 S + rd 3 gm → ∞
Vo 2 ( ≈ U R S )
rd
+ g m ⋅ U gs ⋅ ⋅ RS
Vo 2 R D + R S + rd
A u2 = = < 1 Deci o iesire repetoare de
Vi rd ≈
+ g m ⋅ U gs ⋅ ⋅ R S + U gs
R D + R S + rd
↑
gm → ∞
tensiune, la care se poate face o conexiune boot-strap. La limita RD = 0, se obtine etajul D-C.
Revenind la schema completa si trecând, acum la limita RS = 0 [ în practica, se realizeaza de
fapt Z S, la MF → 0 , decuplând RS care e fixa, nenula (necesara pentru auto-polarizarea TEC),
cu un C∞ în paralel ], se obtine etajul S-Comuna (notat S-C, pentru a nu face confuzia cu
abrevierea SC, pentru Surse de Curent), cu
R L, drena
678  rd  → −∞
A u1 = − gm ⋅ RD ⋅  
1442443  R D + rd  ↑
similar cu A u,TB- EC 14243
factor de corectie similar gm → ∞
RS = 0 rce
cu la TB, cand rce e finita
R L + rce
(pentru consistenta cu rezultatul limita pentru panta finita si RS nenula, se recomanda întâi
trecerea la limita RS → 0 în fractia initiala, generala, a lui Au1 , pentru circuitul complet de mai
sus - a se vedea detaliile specifice la prezentarea extinsa a amplificatorului cu sarcina
distribuita cu TB, amintite mai sus).
Revenind la schema completa, calculam acum R intrare = R G R ≈ R G . Daca se
14i,TEC
24 3
≈ ∞ ( ⇐ I g ≈ 0)
doreste o amplificare relativa la Ugen. , se vor completa deci Au1,2 calculate mai sus cu
RG
factorul de corectie ( ≈ 1, tinând cont ca, desi nenule, Rgen. pentru ST practice
R gen. + R G
sunt cu cel putin un ordin de marime sub restul rezistentelor din circuit iar RG uzuale cu cel
putin un ordin de marime peste ).
Pentru calculul R iesire e necesara precizarea tipului de generator, cu a carui pasivizare se
închide poarta de intrare. La TEC cu intrare prin poarta se evita atacul în curent (RG foarte
mare si R i,TEC practic ∞ nu pot prelua curentul unei SC reale - acesta ramâne, în mare parte,
în interior, fiind deviat de Rgenerator , finita). Sursa de la intrare este, asadar, o ST
pasivizata prin scurt-circuit, iar schema de masura a R iesire prin drena este :
Tinând seama ca ochiul de la intrare devine pasiv si deci I R gen. , R G = 0, grila e adusa practic la
masa si Ugs se regaseste pe RS (cu sensul marcat printr-o sageata punctata pe a doua schema
echivalenta).
termen tipic
pentru TEC
678 U gs
(µ + 1) ⋅ U gs + rd ⋅
UΩ RS
R o ,1 = R D = RD =
I rd ,RS U gs
( scriere functie de →
tensiunea de comanda Ugs ) RS

= RD [ (µ + 1) ⋅ R S + rd ] , rezultat similar cu rezistenta de iesire

14444442 444444 3
prin colector a TB, R r{
 rd pentru R S = 0 (etaj S-Comuna) 12L3 ce
= ( notat , ≈∞
 ∞ pentru rd = ∞ (⇒ µ =g m ⋅ rd = ∞ )
1444444 424444444 3 uzual, R L )
R o, "propriu-zisa" 1442443
≈R L
prin drena
Schema de masura a R iesire prin sursa
( = R o2 ), cu echivalarea Thevenin a
iesirii, este prezentata alaturat :
Tinând cont ca IΩ ≠ 0 (în circuitul
nostru I RS ≠ I rd , etc.) :
- U gs  rd + R D 
R o,2 = R S = RS   , adica o valoare
 - (µ + 1) ⋅ U gs   µ +1 
  1444442444443 mica pentru o
 rd + R D   1
 panta gm mare.
1442443 , pentru g m finit si rd infinit
= g m
Ir
d  0 , pentru g m infinit ( ∀ rd )

Pe baza valorilor pentru R i, o si amplificari (prin analogie cu TB), putem concluziona :

- Etajul cu sarcina distibuita si particularizarile sale (S-C, D-C), se preteaza, uzual, doar
unui atac în tensiune.
- Iesirea prin sursa e practic (pentru o panta gm mare) repetoare de tensiune iar impedanta
de iesire pe aici e foarte mica. Un astfel de etaj, cu intrare pe grila si iesire pe sursa, etajul
D-C si chiar cel având si o RD nenula, e util ca adaptor de impedante pentru citirea ideala
în tensiune la intrare si iesire.
Similar se comporta TB-CC, chair daca are, în serie cu SCCx o eventuala RC . O SC
ideala, independenta sau comandata (cum este cea a TB), nu e afectata de conectarea
 unei impedante serie (cum este RC) ; oricum, tensiunea pe SC (incluzând eventuala
impedanta serie) va fi stabilita de restul circuitului. DUAL, o ST ideala nu e afectata
(în valoarea tensiunii sale sau a impedantei interne, practic 0) de o eventuala
impedanta exterioara, paralel, iar curentul prin ea (incluzând eventuala impedanta
paralel) e stabilit tot de restul circuitului.
- Etajul S-C (are amplificarea (inversoare) de tensiune în forma (consacrata de la TB-EC),
Au ≈ - gm·RD (daca rd >> RD). Dat fiind ca R o, "propriuzisa", prin drena este relativ mare
(pentru rd mare - similar cu situatia TB cu rce mare), este mai potrivita considerarea unei
iesiri în curent (Id considerat cu acelasi sens ca ID) si deci a unei amplificari trans-
admitanta, A y, S-C = ≈ - gm (daca rd >> RD) . Ambele amplificari, (inversoare), mari în
conditiile unei pante, gm , rezonabil de mare, fac etajul S-C, (ca si la TB-EC), etajul
fundamental de amplificare cu 1 TEC (s-a justificat astfel decuplarea, des întâlnita, a lui
RS nenula -necesara pentru auto-polarizarea TEC- cu un C∞ în paralel).
- Etajul cu sarcina distribuita, cu iesirea prin drena, poate fi considerat tot cu iesire în
curent, Id , data fiind valoarea relativ mare a R o, "propriuzisa", prin drena . Asa cum este
evident din formula initiala, completa, a lui Au1 , amplificarea Ay e aproximativ -GS
(pentru rd mare si panta relativ sporita) - rezultatul va decurge direct din teoria reactiei
negative ce va fi dezvoltata ulterior [ RS e pusa în comun de intrare si de iesire, aducând
spre intrare (ochiul G-S-masa), ca o "reactie" (cauza ← efect), influenta iesirii (cu ochiul
D-S-masa) ]. Cât priveste iesirea în tensiune a etajului, aceasta e, de fapt convertita din
cea în curent si Au1 ≈ -GS·RD .

Etajul G-C - este

(analog cu TB-BC), un
repetor de curent (cu
factor identic cu 1,
întrucât Ig ≈ 0) - a se
vedea circuitul alaturat,
împreuna cu echivalentele sale de semnal mic. Rezulta Az = RL .
A y (→ g m
pentru rd mare )
6447448 V
}s
1
Se mai poate calcula : U o = Vd = R L ⋅ Ui ,
⋅ (µ + 1) ⋅ {
rd + R L
1444 24443 − U gs
A u (→ g m ⋅ R L
pentru rd mare )

R intrare se calculeaza scriind atât Ui cât si Ii în functie de marimea de comanda, Ugs :

 0 , pentru g m → ∞ (∀rd )
  1 
Ui − U gs rd + R L    , pentru rd → ∞
Ri = = = =  gm 
Ii − (µ + 1) ⋅ U gs µ +1 1 2 3

 formula similara
rd + R L cu cea a R i, TB- BC

Data fiind aceasta valoare foarte mica a R i , optima pentru citirea în curent la intrare, merita
luat în considerare doar cazul SC la intare, care se pasivizeaza prin gol în vederea calculului
rezistentei de iesire : R o = R L (2
144 ∞44
) 3 . R o, "propriuzisa" este ideala, ca si R i ,
R o, "propriuzisa",
din etajul G -C
pentru citire în curent, deci etajul G-C e un bun repetor de curent si adaptare de impedante
pentru citire în curent la intrare si iesire, având functii complementare fata de etajul D-C.
În concluzie, merita observate formulele similare cu cele de la TB ( pe analogiile g m, TB ↔ g
m, TEC si r ce, TB ↔ r d, TEC , etc.). Se pastreaza si alte corelatii (formule aproximative,
pentru rd si gm de valori mari) de la TB : A u,G(/B)-C ≈ - A u,S(/E)-C , etc.