Tranzistorul cu efect de cmp

Tranzistorul cu efect de cmp are mai multe caracteristici tehnice. Tranzistoarele cu efect de cmp sunt de mai multe tipuri:
1. tranzistorul cu efect de cmp cu joniune (TEC-J), 2. tranzistorul cu efect de cmp cu poart (gril) izolat (TEC-MOS), TEC-ul cu poart izolat este cunoscut mai mult n varianta MOS (cu metal-oxid-semiconductor). TEC-MOS constituie unicul reprezentant al familiei TEC-MIS (tranzistorul cu efect de cmp cu metal-izolatorsemiconductor), 3. tranzistorul cu efect de cmp MOS n regim de srcire (reprezint regimuri de lucru ale tipului TEC-MOS), 4. tranzistorul cu efect de cmp MOS n regim de mbogire. n afar de TEC-J i TEC-MOS (clasice, binecunoscute) mai sunt i tipurile: MESFET (tranzistorul cu efect de cmp cu poart realizat prin contact metal-semiconductor) i VMOS (tranzistorul cu efect de cmp MOS cu canal vertical). Tranzistorul cu efect de cmp tip metal-oxid-semiconductor (TECMOS) este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale: - sursa este electrodul de unde pleac sarcinile electrice (S), - drena este electrodul ctre care se ndreapt sarcinile electrice (D),

- poarta sau grila este electrodul care comand comportarea dispozitivului (G). Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de siliciu. Cnd se aplica o tensiune ntre poarta i sursa (+ pe poarta i pe sursa pentru MOSFET cu canal n) se creeaz un cmp electric ca ntr-un condensator plan. Cmpul electric creat atrage lng suprafaa electroni. Pn la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de lng suprafa nu sunt suficiente pentru crearea unui canal conductor ntre surs i dren. Peste valoarea de prag cmpul reuete s aduc suficiente sarcini electrice lng suprafa i conductana (nversul rezistenei electrice) canalului dintre surs i dren crete. Curentul ID care trece ntre surs drena va fi cu att mai mare cu ct va fi mai mare tensiunea aplicat porii UGS i cu ct va fi mai mare tensiunea aplicat ntre dren i surs UDS (dac UGS >> UDS cu "+" pe drena si "" pe surs). ID = (UGS VP)UDSK (unde K este o constant ce depinde de detaliile constructive ale tranzistorului). Dac UDS > UGS curentul prin canal nu mai crete din cauza ngustrii canalului lng dren datorit cmpului nvers ce apare ntre poart i dren. Curentul are valoarea limita: ID = (UGS VP)2K/2. ntre poart i dren se formeaz o jonciune PN polarizat invers, deci impedana de intrare la TEC-J va fi foarte mare (adic rezistena unei diode polarizate invers). Regiunea de trecere este zona lipsit de purttori de sarcin prin care curentul nu trece. Grosimea regiunii de trecere este dependenta de tensiunea de polarizare. Uneori TEC-MOS-ul mai este denumit tranzistor cu efect de cmp cu poart izolat. Fiecare dintre cele dou categorii poate fi cu canal de tip n sau de tip p, cele dou tipuri fiind complementare att ca structur intern

ct i ca funcionare. Simbolurile folosite n schemele electronice pentru TEC-J sunt prezentate in figura de alturi. Principiu de funcionare: Curentul prin tranzistor, ID, circula printr-un canal. Rezistena canalului depinde de seciunea acestuia, iar seciunea este controlat printr-un cmp electric aplicat pe gril. n figura de mai jos sunt trasate caracteristicile statice ale tranzistorului cu efect de cmp i se vor determina parametrii unui tranzistor cu canal iniial de tip n. Structura intern unui astfel de tranzistor precum i funcionarea lui fr polarizarea grilei i cu polarizarea invers a jonciunii (VG < VS) sunt ilustrate n figurile urmtoare.

n vecintatea jonciunii exist o regiune srcit de purttori de sarcin ca urmare a difuziei electronilor i golurilor. Se poate observa c n cazul polarizrii inverse regiunea srcit de purttori de sarcin va determina ngustarea canalului conductor dintre surs i dren. O familie de caracteristici ID=ID (UDS) este prezentat n figura urmtoare. Privind o singur curb pentru o valoare dat a tensiunii UGS, se poate observa c la valori mici ale tensiunii UDS tranzistorul se comport ca o rezisten ohmic, dependena ID=ID(UDS) fiind liniar. La tensiuni UDS mai mari se constat o limitare a curentului de dren, el rmnnd aproape constant pe o plaj larg a tensiunii UDS.

Dependena curentului de dren de tensiunea de negativare a grilei, ID=ID (UGS), avnd drept parametru o valoare a tensiunii UDS corespunztoare poriunii plate a caracteristicii ID=ID (UDS), are expresia analitic: ID = IDSS 1
U GS UT , unde IDSS este curentul de dren de saturaie

pentru UGS = 0. Pe lng tensiunea de blocare se mai definesc ali doi parametri ai tranzistorului cu efect de cmp, parametri necesari n proiectarea circuitelor electronice (amplificatoare, oscilatoare etc.): pant de semnal mic (transconductana) i rezistena de ieire (sau rezistena de dren) n vecintatea punctului static de funcionare, definite de relaiile:
I D gm = U GS UDS =const.

U DS rd = I D

UGS =const.

n care UDS, UGS i ID se calculeaz conform figurii de mai sus.