Microsenzori Curs10

1.
R E G U L I D E P R O I E C T A R E MAGNETOTRANZISTOR npn C U DOUA B A Z E Considerate generate Proiectarea senzorului magnetic cu tranzistoare NPN cu doua" baze s-a fScut prin respectarea regulilor de proiectare pentru circuite integrate bipolare adaptate procesului tehnologic standard de realizare a circuitelor integrate cu tranzistoare dublu baza. Acesta este un proces care utilizeazS 8 masti, avand urmatoarele denumiri si coduri Tn etapele succesive ale procesului de fotogravura: Masca Masca Masca Masca Masca Masca Masca Masca M 1 , strat Tngropat, cod SI M2, zid de izolare, cod IZ M3, baza" groasd, cod BH M4, baza" subîre, cod BL M5, emitor, cod EM M6, contacte, cod CT M7, metalizare, cod ME M8, pasivare, cod OP
Ca o conditie de ordin general, Tn primul rnd s-a avut in vedere asigurarea gdrzilor Tntre ferestrele de difuzie pentru baza\i ferestrele de difuzie pentru emitor si de plusare pentru contactul de colector. Astfel, distanja minima Tntre difuzia de baza" si cea de emitor este de 4 urn, Tntre difuzia de baza si cea de plusare pentru contactul de colector de 18 urn, iar Tntre fereastra de emitor si cea de colector pe masca de difuzie a emitorului, de 26 urn. Aceste valori ale gSrzilor asigura" objinerea tensiunilor de lucru colector-bazS, colector-emitor si emitor-baza" Tn limitele necesare si impuse de foaia de catalog si asigura" prevenirea strSpungerii joncjiunilor la valori mici ale tensiunilor de alimentare. Pentru minimizarea efectelor parazite, zona activa" a senzorului, amplasata" Tn zona central^, este strict delimitate si izolata" de restul cipului prin intermediul unui zid izolare de tip P. Acesta este realizat printr-o difuzie adancS, de concentrate foarte mare, astfel Tncat pStrunde Tn Tntregime stratul epitaxial pn5 la substrat si formeazS de jur imprejurul structurii active o joncjiune P-N invers polarizata" si o izoleaza" de celelalte elemente de pe cip. Ziduri de izolare sunt prevSzute de asemenea, Tn jurul fiecSrui pad, pentru eliminarea cuplajelor capacitive Tntre terminale si fat,S de substrat. Lajimea zidului de izilare este de 10 urn. Proiectul prevede de asemenea, accesul la substrat prin intermediul padului de contactare a substratului, amplasat Tn partea dreapta a structurii. Dimensiunile cipului sunt de 1520/1020 urn, structura fiind proiectata" Tntr-o configurate simetricS, avnd zona activS cu dimensiunile de 564/288 urn amplasata" Tn centru, iar padurile de alimentare, iesire si testare amplasate perfect simetric Tn zona perifericS a cipului. Pentru definirea zonei intercip, Tn conformitate cu specificul procesului de fotogravura pentru fiecare etapa" tehnologica\u fost configurate cadre pe mSstile: M3 (difuzie baza groasa). M4 (difuzie baza subjire). M5 (difuzie emitor), M6 (deschidere ferestre pentru contacte) si M8 (deschidere ferestre Tn oxidul de pasivare, pentru contactele de paduri). Masca M1 (deschidere ferestre de difuzie a stratului Tngropat) nu are figurat cadru si de asemenea, nu au cadru nici mSstile M2 (difuzie de izolare) si M7 (metalizare), care datorita" particularitStilor procesului de
mascare din aceste etape ale procesului tehnologic, sunt realizate Tn polaritate negativa fata de celelalte masti. O atenjie deosebitS a fost acordata" proiectaYii semnelor de aliniere, ele fiind folosite la alinierea unor masti utilizate Tn procese care implies o mare finefe operat,iei. S-a optat pentru semne Tn forma" de cruce, cu dimensiunile mergSnd de la mic spre mai mare Tn cadrul proceselor succesive de mascare, dimensiuni a cSror alegere tine cont de efectele de supracorodare din oxid si din metalul de contactare (aluminiu, Tn cazul de fat). De asemenea, tot pentru o buna" precizie a alinierii, unui si acelasi semn se utilizeaza" Tn numai trei procese succesive de mascare. Dupa" trei utilizSri succesive ale unui semn, pe a treia masca" pe care el apare, se adauga" aiaturat lui un nou semn cruce, care va fi folosit in continuare pe urmatoarele doua masti. Schema de ansamblu a layout-ului senzorului a fost gmdita" Tn sistem modular, astfel ca" pentru elementele componente similare intre ele, au fost proiectate Layouturi Tnregistrate Tn celule distincte care au fost Tn final utilizate la realizarea layout-ului general prin asamblarea lor. Astfel, exists celule de layout pentru: Blocul semnelor de aliniere; Tranzistorul NPN; Ansamblul de paduri de alimentare, iesire si testare; Padul de contactare a substratului.
Configuratia lay-out-ului senzorului, cu Tntregul set de msti suprapuse, este prezentata" in figura 1. In figura 2 sunt prezentate semnele de aliniere, iar tabelul aferent acestei figuri expliciteaza" semnele de aliniere Tn succesiunea Tn care ele apar pe diferitele straturi de mascare. Paragrafele urmStoare prezinta" si descriu pe larg mSstile fiecaxui strat Tn parte, asa cum apar ele Tn figurile 3-10.
aoucnnvi wron i
a nu BTZZ
* ai HW VEIIICAL
Fig. 1 Setul mSstilor suprapuse ale structurii diferentiale cu tranzistor NPN vertical cu douS baze.
BL EM CT 4 5 6
CT ME OP 6 7 8
Fig. 2 Blocul semnelor de aliniere, pentru Tntregul set de mSsti suprapuse Semnul S A 0 De la interior la exterior: S A 0.1 pe stratul SI S A 0.2 pe stratul IZ Semnul S A 1 De la interior la exterior: SA1.1 pe stratul IZ SA1.2 pe stratul BH SA1.3 pe stratul BL Semnul SA 2 De la interior exterior SA2.1 pe stratul BL SA2.2 pe stratul EM SA2.3 pe stratul CT Semnul SA 3 De la interior la exterior: S A 3.1 pe stratul CT SA3.2 pe stratul ME S A 3.3 pe stratul OP
la
Masca M1 (SI) a stratului de mascare pentru difuzia de strat Tngropat Aceasta" masca este prezentata Tn figura 3 si are codul SI Tn proiectul de layout. Cu ajutorul ei se deschid Tn oxidul de mascare crescut initial pe placheta, ferestrele pentru difuzia de strat Tngropat pentru configurarea zonelor de colector pentru cele doua tranzistoare simetrice si a zonelor pentru paduri. Dimensiunile elementelor de structure care apar pe aceasta masca sunt: Strat Tngropat colector: 480/66 urn Strat Tngropat paduri: 72/72 urn Distanja dintre zonele de strat Tngropat pentru colectorii celor doua tranzistoare: 72 urn
Semnul de aliniere pentru aceasta" masca" este semnul notat SA 0.1 Tn figura 2. El este de forma" poligonala" (octogon) si serveste alinierii mastii urmatoare, M2 (cod IZ) de deschidere a ferestrelor de difuzie pentru turnurile de izolare cu masca prezenta (M1). Deoarece alinierea mastii M2 cu masca M1 urmeaza" dupa" un proces de epitaxie, Tn care toata" structura va fi acoperita" cu un strat de siliciu de grosime 1012 urn, s-a ales aceasta forma" a semnului de aliniere, astfel meat el sa poata fi vizibil Tn cadrul procesului ulterior de mascare. Fiind prima masca Tn cadrul fluxului tehnologic, aceasta masca nu are nevoie si nu confine cadru intercip.
MASCA
Fig. 3 MASCA M1 - Strat de mascare pentru difuzia de strat Tngropat (cod: SI) M2 - Strat de mascare pentru difuzia de turnuri de izolare (cod: IZ)
Masca M2- Strat de mascare pentru difuzia de turnuri de izolare (cod: IZ in proiectul de layout) este prezentata in fig. 4. Deoarece dimensiunile traseelor prin care se realizeaza turnurile de izolare Tntre diferitele elemente de structura sunt foarte disproportionate Tn ceea ce priveste raportul lungime/iatime, iar forma geometrica a acestor trasee este foarte complicata, a fost mult mai usor sa se deseneze pe masca insulele in care se vor realiza elementele de circuit, iar configuratia ferestrelor prin care se va face difuzia de izolare rezulta prin utilizarea acestei masti in polaritate inversa fata de celelalte masti utilizate pentru mascarea in procesele de difuzie.
Pe aceasta masca, in extrema dreapta a cipului amplasat pe axa orizontala, se realizeaza si padul de contact al substratui. In urma aplicarii ei, pe cip se configureaza insulele in care se vor realiza: Cele doua structuri de tranzistoare conectate differential; Padurile de alimentare; Padurile de culegere a semnalului; Cadrul inter-cip Dimensiunile elementelor caracteristice de pe aceasta masca sunt: Zid de izolare Zid de izolare LStime zid de Zid de izolare Lajime zid de Latjme zid de pentru delimitarea cipului senzorului: 1340/820 urn paduri: 160/160 urn izolare cip si paduri: 10 urn pentru delimitarea zonei active: 560/284 urn izolare pentru zona activS: 14 urn izolare Tntre cele doua structuri de tranzistoare: 16 urn
Semnele de aliniere utilizate pe aceasta masca sint: Semnul notat SA 0.2 de forma" octogonaia care serveste alinierii cu masca anterioara" (M1) - Semnul notat SA 1.1 care apare prima data" pe aceasta masca" va servi alinierii cu masca ulterioara" M3, pentru deschiderea ferestrelor pentru difuzia de baza. Avand polaritate negativa" fata" de celelalte masti, aceasta masca nu confine cadru intercip.
a
<
Hi
< '"'
+
Fig. 4 MASCA M2- Strat de mascare pentru difuzia de izolare (cod: IZ)
MASCA
M3- Strat de mascare pentru difuzia de baza groasa (cod: BH)
Masca M3- Strat de mascare pentru difuzia de baza groasa (cod: BH in proiectul de layout) este prezentata Tn fig. 5. Cu ajutorul ei se deschid ferestrele prin care se va face difuzia de bor pentru baza groasa a tranzistoarelor NPN. Totodata, prin aceasta mascS se deschid ferestre de difuzie Tn zonele Tn care se realizeaza padurile de alimentare si cele de culegere Tn exterior a semnalului furnizat de senzor, precum si padul de conectare la substrat din extrema dreapta a cipului. Masca mai cuprinde o fereastra de domensiuno mici, prin care se face o difuzie de plusare pentru contactul de test pentru baza subfire. Masca are cadru intercip. Dimensiunile elementelor caracteristice de pe aceasta masca sunt: - Cadru inter-cip: 1520/1020 urn - Lafime cadru inter-cip: 44 urn - Zid de izolare pentru definirea zonei active: 564/288 urn - Baza groasa: 254 /38 urn - Contact test: 20/38 urn - Paduri: 80/80 urn - Contact substrat: 160/160 urn Semnul de aliniere utilizat pe acest strat este: - Semnul SA 1.2 care se aliniaza cu semnul SA 1.1 de pe masca anterioara (M2)
Fig. 5 MASCA M3- Strat mascare pentru difuzia de baza groasa(cod: BH)
MASCA
M4- Strat de mascare pentru difuzia de baza (cod: BL)
Masca M4- Strat de mascare pentru difuzia de baza" sub-fire (cod: BL Tn proiectul de layout) este prezentata" in fig. 6. Cu ajutorul ei se deschid ferestrele prin care se va face difuzia pentru baza" superficial^. Aceasta" difuzie este de concentrate mai mica" dect difuzia anterioarS, pentru baza groasS, iar timpul de difuzie va fi si el mai scurt. Asa cum s-a vSzut la masca anteriaorS, pentru controlul si testarea funcfionalitafii si caracteristicilor bazei subfiri, accesul la testarea ei este asigurat prin difuzia de plusare prin fereastra de contactare a bazei subfiri, difuzie care a fost fScuta" Tn etapa anterioara" a procesului tehnologic. Acest acces este asigurat chiar si spre exteriorul, contactul de pe baza" fiind legat la un pad, care se poate conecta la un terminal al capsulei dispozitivului. Acest terminal va avea doar rol de testare si control asupra parametrilor elementelor de pe cip, el nu are nici un rol functional Tn alimentarea sau exploatarea circuitului. Pe aceasta mascS se afla" figurat cadrul inter-cip. Dimensiunile elementelor caracteristice de pe aceasta masca" sunt: Baz sub-fire: 484/34 urn Cadru inter-cip: 1520/ 1020 urn LSfime cadru inter-cip: 48 urn Semnele de aliniere de pe masca" sunt: Semnul SA 1.3 care se aliniaza cu semnul SA 1.2 de pe M3; Semnul SA 2.1, semn nou care va servi alinierii cu masca ce urmeaza" (M4)
1
1
1
1
*.
&
Fig. 6 MASCA M4- Strat mascare pentru difuzia de baza" sub-fire (cod: BL)
MASCA
M5- Strat de mascare pentru difuzia de emitor (cod: EM)
In figura 7 se prezinta masca M5 a stratului de mascare pentru difuzia de emitor (cod: EM). Cu ajutorul ei se formeaza emitorii tranzistoarelor si se realizeaza de asemenea, plusarea de concentrate pentru contactul de colector. Deci, aceasta masca va contine: Ferestrele pentru difuzia emitorilor tranzistoarelor; Ferestrele pentru difuzia de plusare pentru contactele de colector; Fereastra pentru difuzia de plusare in cadrul inter-cip Ea confine de asemenea, cadru inter-cip. Dimensiunile elementelor caracteristice de pe aceasta masca sunt: Ferestre emitor: 204/22 urn Ferestre plusare colector: 452/18 pm Cadru intercip: 1520/1020 pm Lafime cadru: 52 pm Distanfa Tntre fereastra de emitor si cea de colector: 26 pm Semnul de aliniere pe aceasta masca este: SA 2.2 si permite alinierea cu mastile M4 (anterioara) de difuzie a bazei subfiri si cu masca M6, de deschidere in oxid a ferestrelor prin care se vor realiza conexiunile metalice si contactarea terminalelor dispozitivului si padurilor structurii.
I
I
1I
ll
1
I
c ^ o
+
Fig. 7 MASCA M5- Strat mascare pentru difuzia de emitor (cod: EM)
MASCA M6- Strat de mascare pentru deschiderea de metalizare (cod: CT)
ferestrelor pentru
contactele
Masca M5 a stratului de mascare pentru deschiderea ferestrelor de contacte de metalizare (cod: CT) este prezentata in fig.8 si confine: Ferestrele de tranzistoarelor; deschidere a contactelor de Emitor, Baza, Colector ale
Ferestrele de deschidere a contactelor de conectare la substrat Dimensiunile elementelor caracteristice de pe aceasta masca sunt:
Ferestre contacte baz: 8/10 pm Ferestre contacte colector, emitor, substrat, teste: 10/10 pm Cadru inter-cip: 1520/1020 pm LSfime cadru: 56 pm Semne de aliniere utilizate: Semnul SA 2.3 de aliniere cu semnul SA 2.2 de pe masca anterioara: Semnul SA 3.1 de aliniere cu masca urmatoare (semn nou)
nr^nrrTirrrnnrrnnrr^rTTinrTinrTinrTT-irri nnmnmni 11 irm nnmnr 11 irmnm njDujDCmi 111 Q CDDI n IDm D nni i ini 11 in i n i i inmni 1111 11 ini i in[ i inn
II
O rmoniOD fmOEEDO
| ' *ja
+
Fig.8 MASCA M6- Strat de mascare contactele de metalizare (cod: CT) pentru deschiderea ferestrelor pentru
MASCA M7- Strat de mascare pentru trasee de metalizare (cod: ME) Masca M7 a stratului de mascare pentru traseele de metalizare (cod: MT in proiectul de layout) este reprezentata in fig. 9 si confine: Traseele de metalizare pentru interconexiunile elementelor de pe cip; Padurile de alimentare si conectare la exterior; Padurile de contact de pe padul de contactare a substratului. Dimensiunile elementelor caractenstice de pe aceasta mascS sunt: LSfime colector: 18 pm LSfime emitor: 18 pm LSfime baz: 12 pm Masca nu confine cadru intercip Semne de aliniere pe aceasta masca sint: Semnul SA 3.2 realizeaza alinierea cu masca anterioarS M6.
I I
]Dr=r
Fig. 9 MASCA M7- Strat de mascare pentru trasee de metalizare (cod: ME)
MASCA M8- Strat de mascare pentru oxid de pasivare (cod: OP) Fig. 10 din setul aferent structurii de tranzistor NPN vertical si figurile 9 din seturile aferente structurii de tranzistor PNP lateral si a structurii test prezinta Masca M7 a stratului de mascare utilizat pentru deschiderea ferestrelor din oxidul de pasivare (cod: OP) si contine: Ferestrele pentru lipirea firelor de contact pe paduri Dimensiunile elementelor caracteristice de pe aceasta mascci sunt: Paduri: 100/100 pm Cadru inter-cip: 1020/1520 pm; Ltime cadru: 60 pm Pe aceasta masca figureaza un singur semn de aliniere: Semnul SA 3.3 care se aliniaza cu semnul SA 3.2 de pe masca anterioara
I-
+
Fig. 10 MASCA M8- Strat de mascare pentru oxid de pasivare (cod: OP)
1. R E G U L I DE P R O I E C T A R E S E N Z O R H A L L INTEGRAT Consideratii generate Proiectarea senzorului magnetic in structura diferentiala cu sarcina magnetorezistiva s-a tecut prin respectarea regulilor generate de proiectare pentru circuite integrate bipolare, adaptate unui proces care integreaza pe acelasi cip atit elementul Hall, cit si circuitul electronic de culegere si de amplificare a semnalului. Acesta este un proces care utilizeazS 7 rrtesti, avfind urrrtetoarele denumiri si coduri Tn etapele succesive ale procesului de fotogravurS: - Masca M 1 , strat Tngropat, cod SI - Masca M2, zid de izolare, cod IZ - Masca M3, baza\d BH - Masca M4, emitor, cod EM - Masca M5, contacte, cod CT - Masca M6, metalizare, cod ME - Masca M7, pasivare, cod OP Senzorul Hall a fost proiectat prin asumarea unui compromis Tntre performanfele parametrilor de nelinearitate si sensibilitate. Pentru reducerea nelinearitetii, structura Hall a fost proiectate sS aib contacte de curent lungi Tn raport cu contactele Hall. In acest mod, contributia cu sens negativ la nelinearitatea dispozitivului a parametrilor de material poate fi compensate prin contributia cu sens pozitiv a elementelor de geometrie, iar pe ansamblu, se obflne o reducere substantiate a nelinearitetii. Prin utilizarea acestei configuratii pentru contactele senzorului, la o valoare date a puterii disipate, se obtine de asemenea si o mare sensibilitate a dispozitivului. Pentru atenuarea factorilor generatori de efecte de off-set si de instabilitate termica, layoutul a fost conceput intr-o forma perfect simetrica, in care elementul senzor (placa Hall) se afla amplasat in zona centrala a cipului, avind contactele pentru aplicarea semnalului de excitatie situate in capete, pe axa orizontala. Pentru micsorarea efectului magnetorezistiv si cresterea ponderii efectului Hall Tn functionarea senzorului, placa Hall a fost dimensionate astfel incit raportul IStime/lungime este 1/2, iar pentru reducerea nelinearitetii, ea a fost proiectate sa. aibS contacte de curent lungi Tn raport cu contactele Hall. In acest mod, contributia cu sens negativ la nelinearitatea dispozitivului a parametrilor de material poate fi compensate prin contributia cu sens pozitiv a elementelor de geometrie, iar pe ansamblu, se obtine o reducere substantiate a nelinearitetii. Prin utilizarea acestei configuratii pentru contactele senzorului, la o valoare date a puterii disipate, se obtine de asemenea si o mare sensibilitate a dispozitivului. Dimensiunile caracteristice pentru placa Hall sint: - Dimensiuni palca Hall: 760/410 pm; - Dimensiuni contacte curent: 298/ 10 pm; - Dimensiuni contacte tensiune hall: 10/10 pm Circuitul electronic de amplificare diferentiala compus din trei perechi de tranzistoare, este dispus intr-o simetrie circulara fata de directia de culegere a semnalului, de o parte si cealalta a cipului. Colectorii acestor tranzistoare sint conectati simetrie de o parte si cealalta a placii Hall prin intermadiul straturilor ingropate aferente, iar semnalul Hall amplificat este cules pe padurile corespunzatoare, dispuse simetrie fata de axa orizontala si situate in extrema dreapta a cipului. Bazele acestor tranzistoare, care culeg semnalul direct de la
senzor, sint conectate direct la placa Hall prin intermediul conexiunilor metalice corespunzatoare. Pentru o buna stabilitate termica si o buna amplificare a semnalului, emitorii acestor tranzistoare sint excitati prin intermediul unui generator de curent comun, compus din patru tranzistoare amplasate in extrema dreapta a cipului. Padurile din partea stinga a cipului servesc la conectarea la circuitul exterior de polarizare a circitului electronic de culegere si amplificare a semnalului. In zona inferioara din partea dreapta a cipului se afla dispus setul semnalor de aliniere, compus din patru elemente. S-a optat pentru semne in forma de cruce, cu dimensiunile mergand de la mic spre mai mare Tn cadrul proceselor succesive de mascare, dimensiuni a cSror alegere fine cont de efectele de supracorodare din oxid si din metalul de contactare (aluminiu, Tn cazul de fa^S). De asemenea, tot pentru o buna" precizie a alinierii, unui si acelasi semn se utilizeaza" Tn numai trei procese succesive de mascare. Dupa" trei utilizSri succesive ale unui semn, pe a treia masca" pe care el apare, se adauga" alSturat lui un nou semn cruce, care va fi folosit in continuare pe urmatoarele doua" masti. Dimensiunea totala a cipului (inclusiv cadrul inter-cip) este de 1520x1020 pm, iar configuratia de ansamblu continind toate mastile suprapuse, este prezentata in fig. 1. Semnele de aliniere se prezinta in figura 2, iar tabelul aferent acestei figuri le expliciteaza" Tn succesiunea Tn care ele apar pe diferitele straturi de mascare.
Fig. 1 Setul mastilor suprapuse ale structurii Hall diferentiale cu sarcina magnetorezistiva
SI IZ 1 2
IZ BH BL 2 3 4
BL EM CT 4 5 6
CT ME OP 6 7 8
S e m n u l SA 0 De la interior la exterior: SA 0.1 pe stratul SI SA 0.2 pe stratul IZ
S e m n u l SA 1 De la interior la exterior: SA 1.1 pe stratul IZ SA1.2 pe stratul BH SA1.3 pe stratul BL
Semnul SA 2 De la interior exterior SA 2.1 pe stratul BL SA 2.2 pe stratul EM SA2.3 pe stratul CT
la
Semnul SA 3 De la interior la exterior: SA 3.1 pe stratul CT SA 3.2 pe stratul ME SA 3.3 pe stratul OP
Fig. 2 Blocul semnelor de aliniere, pentru Tntregul set de masti suprapuse Ca o conditie de ordin general, Tn primul rnd s-a avut Tn vedere asigurarea gSrzilor Tntre ferestrele de difuzie pentru baza\i ferestrele de difuzie pentru emitor si de plusare pentru contactul de colector. Astfel, distanja minima" Tntre difuzia de baza" si cea de emitor este de 6 pm, Tntre difuzia de baza" si cea de plusare pentru contactul de colector de 14 pm, iar Tntre fereastra de emitor si cea de colector pe masca de difuzie a emitorului, de 26 pm. Aceste valori ale gSrzilor asigura" obtinerea tensiunilor de lucru colector-baza\r si emitor baza" Tn limitele necesare si impuse de foaia de catalog si asigura" prevenirea strSpungerii jonctiunilor la valori mici ale tensiunilor de alimentare. Elementele de circuit de pe cip sint izolate intre ele prin intermediul unui zid izolare realizat prin intermediul unei difuzii adanci de tip P, de concentrate foarte mare, astfel Tncat pStrunde Tn Tntregime stratul epitaxial p3na" la substrat si formeaza" de jur Tmprejurul elementelor o joncjiune P-N invers polarizata" si le izoleaza" intre ele. Ziduri de izolare sunt prevSzute si Tn jurul fiecSrui pad, pentru eliminarea cuplajelor capacitive Tntre terminale si fata" de substrat. Lflpfnea zidului de izilare este de 10 pm. Pentru definirea zonei intercip, Tn conformitate cu specificul procesului de fotogravura" pentru fiecare etapa" tehnologicS, au fost configurate cadre pe mSstile: M3 (difuzie bazS), M4 (difuzie emitor), M5 (contacte metalizare) si M7 (contacte paduri). Masca M1 (strat Tngropat) nu are figurat cadru si de asemenea, nu au cadru nici mSstile M2 (difuzie de izolare) si M6 (metalizare), care sunt realizate Tn polaritate negativa" fata" de celelalte mSsti.
Reguli de proiectare pentru celulele de layout Schema de ansamblu a layout-ului senzorului a fost gindita in sistem modular, astfel ca pentru elementele componente similare intre ele, au fost proiectate celule distincte, care au fost in final asamblate si utilizate la realizarea layout-ului general. Astfel exista celule de layout pentru: - Tranzistoarele care compun amplificatorul diferential, fig. 3; - Tranzistoarele din generatorul de curent, fig. 4; - Ansamblul padurilor de alimentare si iesire, fig. 5; - Padul de conectare la substrat, fig. 6; Celula tranzistoarelor din amplificatorul diferential
Tranzistoarele componente ale amplificatorului diferential (fig. 3) sint dispuse uniform imprejurul placii Hall. Ele sint grupate cite trei in cele doua insule situate de o parte si cealalta a placii Hall si sint izolate prin difuzie P de restul componentelor cipului. Colectorii comuni sint realizati in straturile ingropate aferente, iar pentru contactul de colector se foloseste o singura fereastra.
1 1
1 1
Fig. 3 Layout-ul tranzistoarelor din amplificatorul diferential Dimensiunile caracteristice celulei diferentiale sint: - Stratul ingropat: 407/46 pm; - Stratul de izolare: 474/114 pm; - Difuzie de baza: 34/54 pm; - Difuzie de emitor: 22/22 pm; - Distanta dintre difuziile de emitor si cea de baza: 6 pm; - Fereastre contact: colector-12/46 pm, emitor-10/10 pm, baza-22/10 pm Celula tranzistoarelor din circuitul de alimentare
Tranzistoarele din circuitul de alimentare (fig. 4) sint realizate fiecare in cite o insula izolata si sint grupate in aceeasi parte a cipului, in extrema dreapta. Pentru realizarea contactului ohmic al colectorului, se face o difuzie de plusare in fereastra de contact de colector, odata cu difuzia de emitor.
Fig. 4 Layout-ul tranzistoarelor din sursa de curent
Dimensiunile caracteristice tranzistoarelor din sursa de alimentare sint: - Stratul ingropat de colector: 26/78 pm; - Difuzia de izolare: 96/ 146 pm; - Difuzia de baza: 34/54 pm; - Difuzia de emitor: 22/22 pm pentru emitor si 18/34 pm pentru colector; - Distanta dintre difuziile de emitor si cea de baza: 6 pm; - Fereastra contact de colector: 12/46 pm; - Fereastra contact de emitor: 10/10 pm; - Fereastra contact de baza: 22/10 pm - Distanta dintre difuzia de plusare a colectorului si cea de baza: 14 pm Celula padurilor de alimentare Pentru evitarea efectelor parazite de scurgeri de curent sau capacitive care ar aparea prin padurile metalice, pentru ele este prevazut un layout special, prin care de-a lungul fluxului tehnologic, sa se formeze doua jonctiuni spate in spate care sa izoleze padul de structura activa. Acest layout este prezentat in figura 5 intr-o vizualizare in care apar toate straturile suprapuse. Prin ferestrele de pad se fac difuzii in urmatoarele etape ale fluxului: strat ingropat, baza, oxid de pasivare. Fereastra din oxidul de pasivare va permite accesul la pad in vederea lipirii firelor de conexiune la capsula.
:ir""*"li;
5BHHBHJ
Fig. 5 Ansamblul padurilor de alimentare si iesire Dimensiunile caracteristice pe layout-ul de paduri sint: - Stratul ingropat de colector: 72/72 pm; - Difuzia de izolare: 140/140pm; - Difuzia de baza: 160/160 pm; - Ferestre de contact pentru padul de substrat: 10/10 pm; - Metalizare: 120/120 pm; - Oxid de pasivare: 100/100pm
Celula padului de conectare
la substrat
In partea dreapta a cipului, situat chiar pe axa orizontala este dispus un pad care, prin configurarea sa asigura accesul la substrat de pe suprafata cipului. Layout-ul acestui pad, intr-o vizualizare in care apar toate mastile suprapuse, este prezentat in figura 6. Ferestrele active pentru padul de substrat se afla pe mastile de izolare, de difuzie baza, de deschidere contacte si de metalizare ( M2 (IZ), M3 (BH), M5 (CT) si M6 (MT)).
I
1
+ O D D
i
O D
Fig. 6 Padul de conectare la substrat Reguli de proiectare pentru setul c o m p l e t de masti Masca M1 (cod:SI): strat de mascare pentru difuzia de strat ingropat
Aceasta masca este prezentata Tn figura 7 si are codul SI Tn proiectul de layout. Cu ajutorul ei se deschid Tn oxidul de mascare crescut initial pe placheta, ferestrele pentru difuzia de strat Tngropat pentru configurarea zonelor de colector pentru cele doua tranzistoare simetrice si a zonelor pentru paduri. Dimensiunile elementelor de structure care apar pe aceasta masca sunt: - Strat Tngropat colector tranzistoare din amplificatorul diferential: 406/46 pm - Strat Tngropat colector tranzistoare din sursa de alimentare: 78/26 pm - Strat Tngropat paduri: 72/72 pm - Distanta dintre zonele de strat Tngropat pentru colectorii celor doua tranzistoare: 72 pm Semnul de aliniere pentru aceasta masca este semnul notat SA 0.1 Tn figura 2. El este de forma" poligonaia (octogon) si serveste alinierii mSstii urmatoare, M2 (cod IZ) de deschidere a ferestrelor de difuzie pentru turnurile de izolare cu masca prezenta (M1). Deoarece alinierea mastii M2 cu masca M1 urmeaza" dupa" un proces de epitaxie, Tn care toata structura va fi acoperita cu un strat de siliciu de grosime 1012 pm, s-a ales aceasta forma" a semnului de aliniere, astfel meat el sa poata fi vizibil Tn cadrul procesului ulterior de mascare. Fiind prima masca Tn cadrul fluxului tehnologic, aceasta masca nu are nevoie si nu confine cadru intercip.

-h MASCA
Fig. 7 MASCA M1 - Strat de mascare pentru difuzia de strat ingropat (cod: SI) M2 (cod: IZ) : strat de mascare pentru difuzia de turnuri de izolare
Masca M2- Strat de mascare pentru difuzia de turnuri de izolare (cod: IZ in proiectul de layout) este prezentata in fig. 8. Deoarece dimensiunile traseelor prin care se realizeaza turnurile de izolare intre diferitele elemente de structura sunt foarte disproportionate Tn ceea ce priveste raportul lungime/iatime, iar forma geometrica a acestor trasee este foarte complicata, a fost mult mai usor sa se deseneze pe masca insulele in care se vor realiza elementele de circuit, iar configurafia ferestrelor prin care se va face difuzia de izolare rezulta prin utilizarea acestei masti in polaritate inversa fata de celelalte masti utilizate pentru mascarea in procesele de difuzie.
Fig. 8 MASCA M2- Strat de mascare pentru difuzia de izolare (cod: IZ)
Pe aceasta masca, in extrema dreapta a cipului amplasat pe axa orizontala, se realizeaza si padul de contact al substratui. In urma aplicarii ei, pe cip se configureaza insulele in care se vor realiza: - Placa Hall - Cele douS grupe de tranzistoare conectate diferential; - Cele patru tranzistoare din sursa de alimantare; - Padurile de alimentare; - Padurile de culegere a semnalului; - Cadrul inter-cip Dimensiunile elementelor caracteristice de pe aceasta masca sunt: - Lafime zid de izolare: 10 pm; - Perimetru zid de izolare pentru delimitarea cipului senzorului: 1340/820 pm - Perimetru zid de izolare paduri: 140/140 pm - Perimetru zid de izolare pentru delimitarea zonei active Hall: 760/410 pm - Perimetru zid de izolare pentru delimitarea celor doua regiuni ale tranzistoarelor diferentiale: 474/114 pm - Perimetru zid de izolare pentru delimitarea celor patru regiuni ale tranzistoarelor din sursa de alimentare: 146/94 pm Semnele de aliniere utilizate pe aceasta masca sint: - Semnul notat SA 0.2 de forma octogonaia care serveste alinierii cu masca anterioara (M1) - Semnul notat SA 1.1 care apare prima data pe aceasta masca va servi alinierii cu masca ulterioara M3, pentru deschiderea ferestrelor pentru difuzia de baza. Avand polaritate negativa fafa de celelalte masti, aceasta masca nu confine cadru intercip. MASCA M3 (cod: BH) - Strat de mascare pentru difuzia de baza
Masca M3- Strat de mascare pentru difuzia de baza groasa (cod: BH in proiectul de layout) este prezentata Tn fig. 9. Cu ajutorul ei se deschid ferestrele prin care se va face difuzia de bor pentru baza tranzistoarelor NPN. Totodata, prin aceasta masca se deschid ferestre de difuzie Tn zonele Tn care se realizeaza padurile de alimentare si cele de culegere Tn exterior a semnalului furnizat de senzor, precum si padul de conectare la substrat din extrema dreapta a cipului. Masca are cadru intercip. Dimensiunile elementelor caracteristice de pe aceasta masca sunt: - Cadru inter-cip: 1520/1020 pm - Lafime cadru inter-cip: 44 pm - Zid de izolare pentru definirea zonei active: 564/288 pm - Baza tranzistoare: 54/34 pm - Contact test: 20/38 pm - Paduri: 80/80 pm - Contact substrat: 160/160 pm Semnul de aliniere utilizat pe acest strat este: - Semnul SA 1.2 care se aliniaza cu semnul SA 1.1 de pe masca anterioara (M2)
+
MASCA
Fig. 5 MASCA M3- Strat mascare pentru difuzia de baza" groasS(cod: BH) M4 (cod: EM) - Strat de mascare pentru difuzia de emitor
In figura 10 se prezinta masca M5 a stratului de mascare pentru difuzia de emitor (cod: EM). Cu ajutorul ei se formeaza" emitorii tranzistoarelor si se realizeaza" de asemenea, plusarea de concentrate pentru contactele de colector si pentru contactele Hall.
c n
+
Fig. 10 MASCA M4- Strat mascare pentru difuzia de emitor (cod: EM)
Deci, aceasta masca va contine: - Ferestrele pentru difuzia emitorilor tranzistoarelor: 22/22 pm; - Ferestrele pentru difuzia de plusare a contactelor de colector pentru tranzistoarele diferentiale: 20/54 pm; - Ferestrele pentru difuzia de plusare a contactelor de colector pentru tranzistoarele din sursa de curent: 18/34 pm; - Ferestrele pentru difuzia de plusare a contactelor Hall: 22/22 pm; - Ferestrele pentru difuzia de plusare a contactelor de curent de pe placa Hall: 22/310 pm; - Fereastra pentru difuzia de plusare in cadrul inter-cip: 1520/1020 pm; - LSfime cadru: 52 pm; - Distanfa Tntre fereastra de emitor si cea de colector: 40 pm Semnul de aliniere pe aceasta masca este: SA 2.2 si permite alinierea cu mSstile M3 de difuzie a bazei si cu masca M5, de deschidere Tn oxid a ferestrelor de contact. MASCA contact M5 (cod: CT) - Strat de mascare pentru deschiderea ferestrelor de
Masca M5 a stratului de mascare pentru deschiderea ferestrelor de contacte (cod: CT) este prezentata in fig. 11 si contine: - Ferestre contacte baza: 22/10 pm; - Ferestre contacte emitor, tensiune Hall, pad substrat: 10/10 pm; - Ferestre contacte de curent pe placa Hall: 298/10pm; - Ferestre contacte colectori diferentiali: 12/46 pm; - Ferestre contacte colectori sursa de alimentare: 10/26 pm; - Cadru inter-cip: 1520/1020 pm - Ltime cadru: 56 pm Semne de aliniere utilizate: semnul SA 2.3 de aliniere cu semnul SA 2.2 de pe masca anterioara si semnul SA 3.1 de aliniere cu masca urmatoare (semn nou)
jj
o D D" QQ
g g
rranmnn
CXUOCUDQ
n
CD
CD
CD
Fig. 11 MASCA M6 - Strat de mascare pentru deschiderea ferestrelor pentru contactele de metalizare (cod: CT) MASCA M6 (cod: ME) - Strat de mascare pentru configurarea traseelor de metalizare Masca M7 a stratului de mascare pentru traseele de metalizare (cod: MT in proiectul de layout) este reprezentata in fig. 12 si confine: - Traseele de metalizare pentru interconexiunile elementelor de pe cip; - Padurile de alimentare si conectare la exterior; - Padurile de contact de pe padul de contactare a substratului.
+
Fig. 12 MASCA M7- Strat de mascare pentru trasee de metalizare (cod: ME) Dimensiunile elementelor caracteristice de pe aceasta masca" sunt: LSfime conexiuni: 18 pm; Conexiuni emitori-contacte tensiune Hall: 30/116 pm; Paduri : 120/120 pm; Distanta minima intre conexiuni: 10 pm Masca nu confine cadru intercip Semne de aliniere pe aceasta masca. semnul SA 3.2 realizeaza alinierea cu masca anterioara M6.
MASCA Ml (cod: OP) - Strat de mascare pentru oxid de pasivare Masca M7 a stratului de mascare utilizat pentru deschiderea ferestrelor din oxidul de pasivare (cod: OP) din figura 13 contine: - Ferestrele pentru lipirea firelor de contact pe paduri: 100/100 pm - Cadru inter-cip: 1020/1520 pm; LSfimea cadrului este de 60 pm. Pe aceasta masca figureaza un singur semn de aliniere: semnul SA 3.3 care se aliniaza cu semnul SA 3.2 de pe masca anterioara
+
Fig. 13 MASCA M7- Strat de mascare pentru oxid de pasivare (cod: OP)
Microsenzori magnetoelectronici
2.
MAGNETOELECTRONICA
Magnetoelectronica este un d o m e n i u recent investigat si dezvoltat, care combina structuri magnetice de dimensiuni foarte mici cu electronici semiconductoare conventionale, pentru a obtine dispozitive cu functionalitati noi sau optimizate [1]. Aparitia acestui d o m e n i u a fost impulsionata de descoperirea si dezvoltarea unor noi materiale. Desi au existat de-a lungul timpului multe idei si experimente provocatoare si stimulative privind transportul spinului polarizat, eel mai important impuls Tn domeniul magnetoelectronicii a fost descoperirea
magnetorezistentei gigant ( G M R ) Tn 1988 [2]. Acest capitol debuteazS cu o scurtS trecere Tn revista a efectelor magnetice traditionale, c u m ar fi efectul Hall si efectul magnetorezistiv, magnetorezistenta colosalS (CMR), si continua cu observatii experimentale privind
mecanismul si structura magnetorezistentei gigant.
2.1.
Efecte galvanomagnetice realizarii microsenzorilor
care stau la baza proiectarii de camp magnetic
si
Efectele galvanomagnetice iau nastere Tn conductori sau semiconductori Tn urma interactiunii purtatorilor de sarcinS Tn miscare cu campul magnetic aplicat si se manifesto prin aparitia unei tensiuni electromotoare sau a unui gradient de temperatura paralel cu campul aplicat (efecte longitudinale) sau perpendiculare pe directia campului magnetic (efecte
magnetic
transversale). Aceste efecte sunt determinate de rotirea suprafetelor echipotentiale Tn c a m p magnetic. Intensitatea acestor efecte este maxima atunci cand c a m p u l magnetic este
perpendicular pe directia de deplasare a purtatorilor de sarcinS, adicS pe directia campului electric. Tntr-un sens mai general, efectele galvanomagnetice sunt datorate faptului ca\n anumite materiale, Tn prezenta campului magnetic: directiile magnetizatiei si ale densitatii de curent sunt diferite (efectul magnetorezistiv) si/sau directiile densitStii de curent si ale
campului electric nu coincid (efectul Hall) [10]. Primele materiale utilizate Tn scopuri practice au fost semiconductorii, la care densitatea purtatorilor de sarcina este mic si deci tensiunea Hall este ridicata.
2.1.1. Efectul Hall

ISTORIC Efectul Hall a fost descoperit de Edwin Hall Tn 1879 cand si-a sustinut lucrarea de diploma la Universitatea Johns Hopkins sub Tndrumarea profesorului Henry A. Rowland [10,11]. Tn 1930 Landau a aratat ca din punct de vedere cuantic miscarea orbital^ a electronilor da o contribute cuantic important^ o la susceptibilitatea periodica magnetica. El a remarcat ca energia magnetica. Nivelele cinetica si
contribute
la susceptibilitatea
Landau
localizarea lor pot explica satisfScStor efectul Hall cuantic Tntreg.
Autor Manoara Avram
19
Primele m^suratori ale conductivitStii Hall a stratului de inversie au fost facute in 1975 de S. Kawaji si colaboratorii s a l Folosind un aranjament experimental diferential. Klaus von Klitzing a mSsurat tensiunea Hall, iar Tn 1978
2
Thomas
Englert
descoperit
platourile
Hall.
Cuantificarea conductantei Hall Tn unitati e / h nu a fost recunoscuta pana Tn februarie 1980. Cinci ani mai tarziu, Tn 1985, Klaus von Klitzing a primit Premiul Nobel Tn fizica pentru descoperirea efectului Hall cuantic. In 1982 D.C. Tsui, H.L. Stormer si A . G . Gossard au descoperit efectul Hall cuantic fractionar [12]. In 1998 D.C. Tsui si H.L. Stormer au primit Premiul Nobel Tn fizica pentru descoperirea efectului Hall cuantic fractionar, pe care l-au Tmpartit cu R.B. Laughlin, care a fost primul care a explicat teoretic efectul Hall cuantic fractionar [12].
EFECTUL H A L L CLASIC
DacS conductorului i se aplica un c a m p magnetic perpendicular, de inductie B , Tn conductor

z
este indus un c a m p electric transversal, c a m p u l Hall, E .(figura 2.1) Cele doua campuri se
H
aduna vectorial rezultand un c a m p electric total, E, care face unghiul < p cu directia curentului. In acest caz creste si rezistenta longitudinala a esantionului, producand o cadere
suplimentara de tensiune.
Fig.2.1. Efectul Hall intr-o placa conductoare
Efectul
Hall
perpendicular
este
slab Tn metale. Tensiunea
Hall
este
proportionals
cu
densitatea curentului si cu i n d u d i a campului magnetic si invers proportionala cu grosimea placii conductoare. Tensiunea Hall se determina plecand de la considerentul ca efectul Hall se datoreaza actiunii fortei Lorentz asupra purtatorilor de sarcina electrica.
dt
unde k este vectorul de unda\, viteza purtatorilor de sarcina, E intensitatea electric, iar B este inductja magnetica. Daca campul magnetic este aplicat Tn lungul axei z. rezulta:
(2.1)
campului
i J k
vxB =
v,v,
0 0
0 B.
iv B -\v B
y : x
(2.2)
Autor Marioara Avram
v =
(2.3)
m
unde m este masa efectiva a purtatorilor d e sarcina m*-- = -q(E+w B
y
-j\\
(2.4)
Folosind modelul simplu de imprastiere si notand cu x timpul liber mediu de relaxare, sau timpul mediu de deplasare al electronilor inainte de ciocnirea cu impuritati, imperfectiuni ale retelei si fononi, viteza medie de drift a electronilor va fi [13]: \ =- m
+
(2.5)
m. * - = - q ( E
i v B - j v B j
v z x
(2.6)
T
sau, pe componente,
v,=-2L(E, v,B,)
+
m v = - ^ l ( E m -v B )
x 2
(2.7)
m ,. +2L v
B
. - 3 L e
111
in Notam cu co
m
in
(2.7')
e B frecventa ciclotronica a electronilor. Rezulta = m *
ri -Q) j v
a
a> t] l" *l V 1
e v
1 1 \*] m'
(2.8)
y.
1 /w*(l + co]r )
2
0) T
C
Densitatea curentului electric este j = -nqv, unde n este concentratia purtatorilor, iar q sarcina.
r
. ' X
nq" r iy Uz J
y
- (O T
c
0 0
(2.9)
c
m '
(l
+ (o l
x)
2
0) T
C
0
c
0
X Y
1 + (o) t)
Y c x
In experiment se poate considera j = 0, deci O ) T E + E = 0, urmand E = - a> xE . Se obtine astfel:
21
Microsenzon magnetoelectronici
(2.10)
Constanta Hall este R
E = = J*B
Z
, valoarea sa fiind de ordinul - 0 , 5 - 1 0 " m / A s pentru

10 3
nq
metale ca Au sau C u . Tensiunea Hall se masoarS cu u n voltmetru de impedanta foarte m a r e . Aceasta tensiune este proport,ionala cu densitatea de curent si cu inductia campului magnetic si invers proportionals cu grosimea placii semiconductoare A:
In concluzie, efectul Hall se datoreaza fortei Lorentz care actioneaza asupra electronilor de conductie (purtatorii de sarcinS negative) care se deplaseaza in placa cu viteza medie v. Fort,a deviazS electronii in directia y, astfel incSt pe fetele laterale ale placii se acumuleazS sarcini, care-si asociazS un c a m p electric propriu (campul Hall), care va contrabalansa fort,a Lorentz. C a m p u l Hall are expresia: E
H
= v B.
x z
Explicatia efectului Hall constS asadar Tn aceea ca Tntr-un metal caruia i se aplica un c a m p electric dupS o directie x, electronii se deplaseazS Tn sens opus campului, iar Tn drumul lor ei intra Tn coliziune cu reteaua cristalina si, la fiecare ciocnire viteza lor scade. Atunci cand conductorului i se aplica si un c m p magnetic dupS directia z, parcursul electronilor este determinat de campul electric Tn directia x si de fort,a Lorentz Tn directia y. Traiectoria rezultanta ia forma unor arce de cere Tntre momentele si pozitiile la care au loc ciocnirile, iar traiectoria medie aduna electronii la una dintre fetele laterale ale placii. DacS campul
magnetic este foarte puternic. electronii pot descrie traiectorii circulare. atingand Tnaintea urmatoarei ciocniri viteza unghiulara <o= -qB /m", unde m ' e s t e masa efectiva a electronului.
2
E F E C T U L H A L L IN SEMICONDUCTOR!
In semiconductori, efectul Hall este generat de schimbaTile de traiectorie ale purtatorilor pozitivi de sarcina (golurile) sub influenta fortei Lorentz. Pentru semiconductori, care au doua tipuri de purtatori de sarcina electrica. rezistivitatea va fi: (2.12)
iar dacS semiconductorul este tip n p , P = sau conductivitatea cr = q/j n

n
(2.13)
(214)
Electronii sunt deviati Tn c a m p magnetic, g e n e r a n d o tensiune Hall negativa. Forta Lorentz care actioneaza asupra golurilor este opusa celei care actioneaza asupra electronilor, astfel meat tensiunea Hall corespunzatoare este pozitiva. Cea mai cunoscutS metodS pentru
determinarea concentratiei purtatorilor de sarcina este bazata pe efectul Hall. D a c a se aplica campul electric de-a lungul axei x, iar c a m p u l magnetic de-a lungul axei z si c o n s i d e r a m proba semiconductoare de tip p, atunci forta Lorentz va devia golurile spre fata de jos a probei. luand nastere astfel un camp electric E . Acest c a m p electric pe axa y, numit c a m p
y
Hall, echilibreaza forta Lorentz. F ii = - F entz, astfel meat j = 0 . Pornind de la aceasta

Ha Lor y
egalitate se poate d e d u c e expresia constantei Hall. C a m p u l Hall poate fi masurat, fiind dat d e :
= =
R i B.
H x
(2.15)
HJ, .
Pentru proba reprezentata Tn figura 2.2, tensiunea Hall se scrie [17]:
fit
Fig.2.2
Efectul Hall in placi
(2.16) unde U = E d , l = j W d . iar constanta Hall se exprimS astfel:

H H x x
= .L.
r
P-* "
2
(p + bn)2
'-.
r=-
(2.17)
u n d e T, timpul liber mediu Tntre doua ciocniri ale purtatorilor, depinde Tn principal de distributia purtatorilor dupa energii si viteze si de m e c a n i s m u l de Tmprastiere. Conform distributiei
Boltzmann pentru semiconductori nedegenerati, valoarea medie a puterii m " a timpului liber mediu este:
jr m
, / 2
expj kT m=1, 2 (2.18) _E_] kT
JE'"
exp
dE
23
3. MICROSENZORI HALL
3.1. Modelarea microsenzorilor Hall
In acest subcapitol se va formula matematic efectul Hall f i se va vedea cum se pot lua in considerare influentele anizotropiei retelei cristaline si TmprSstierii purtatorilor asupra tensiunii Hall [26]. Pentru aceasta se va dezvolta un modelul Tn patru pasi. Se va Tncepe cu descrierea fundamentals a efectului Hall pentru un material izotrop fSrS TmprSstiere [28], apoi se va extinde modelul, pentru cazul materialului anizotrop [29]. Paralel cu acesta se va stabili un model pentru Tmprastierea acustica pe fononi si Tn eel de-al patrulea pas se vor concatena cele doua formulari pentru a obtine o descriere globala a efectului Hall Tn siliciu.
3.1.1.
Material izotrop fara Tmprastiere a purtatorilor de sarcina
Forta care actioneazS asupra unui purtStor in miscare este suma vectorialS a fortei electrice si fortei Lorentz:
F = m = qE + q(v*B)
r
(3.1)
Tn care m este m a s a efectivS a purtatorilor de sarcinS si T timpul de relaxare. Se Tnlocuieste viteza v a purtStorului de sarcinS Tn functie de densitatea de curent J.
J
nq
obtinand o expresie explicits pentru cSmpul electric E E =
(3.2)
^ J - ( J - B)
nq'r qn
(3.3)
Inlocuind termenii pentru mobilitatea purtatorului, pentru rezistivitate si coeficientul Hall, V= , P = . R= (3.4)
qf.ir
qn
intensitatea campului electric va fi exprimatS prin ecuatia: E = pJ-RH{3xB) iar densitatea de curent astfel: (3.5)
r ^
r - ^
F ^ F i
(1 + //-B-)
(1 + //-B-)
(1 + /7-B-)
unde rezistivitatea p este TnlocuitS de conductivitatea a .
3.1.2.
Material anizotrop fara efecte de Tmprastiere
Tn al doilea pas se ia Tn considerare influenta anizotropiei. In acest caz masa efectivS nu mai este o constants. Ea depinde de directia deplasSrii, respectand orientarea suprafetelor
41
izoenergetice Tn cristalul de siliciu. Aceasta poate fi exprimatS introducand un tensor de m a s a Tn ecuatia de echilibru a fortelor [29]:
-M\ q(Bx x) = qE
(3.7)
T
Gold [27] este primul care a descris acest tensor de masa pentru fiecare dintre cei trei elipsoizi perechi din structura retelei cristaline a siliciului: 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0
r
m,
0 0
0 0
] (3.8)
m
0
M2
0 0
m,
0
m,\
m,j
Din ecuatiile (3.7) si (3.8) putem a c u m d e d u c e o expresie pentru viteza medie a purtatorului de sarcina Tn fiecare directie. Densitatea de curent este definita ca produsul dintre densitatea purtatorilor de sarcinS si viteza,
J = nqvt = a,E
iar conductivitatea a, poate fi definita Tn termeni ai tensorului de masa M
h
(3.9)
v, =qr[Ml
+^(BxU)]'E
(3.10)
unde U este vectorul de modul egal cu unitatea, iar c o m p o n e n t e l e densitatii de curent:
3K 2K
+1
nq2
m
^L !I(BxU)
+
E =
CTQAJE
(3.11)
Aici Oo reprezentand conductivitatea independents de masS la c a m p zero, A, este un tensor continand tensorul anizotropiei de masS normalizat si informatia d e s p r e valoarea f i directia densitatii fluxului aplicat:
3K 2K + \
nq r
2
(3.12)
i-l ^
mt
+
i$(BxU)
mt
OT
(3.13)
Densitatea totals de curent in interiorul cristalului, J , , este s u m a densitStilor de curent pentru trei elipsoizi perechi:
0 expresie explicits pentru coeficientul Hall se obtine prin multiplicarea ecuatiei (3.5) cu [ J x Bj;
E [ J X B ] =
-RH
[ J X B ]
=>
RH
= p l ^ J
[ J X B ] "
(3.15)
42
Microsenzorl magnetoelectronici
Aceasta ecuatie poate fi rezolvatS pentru orice pereche data de densitati de curent si inductii magnetice cu respectarea sistemului de coordonate al elipsoizilor in cristal. Pentru a calcula influenta anizotropiei cristalului asupra d e p e n d e n t s campului magnetic de coeficientul Hall, vectorii densitate de curent si inductie magnetics trebuie sS fie exprimati in acelasi sistem de coordonate de retea. In primul rand se va seta directia curentului. Senzorii Hall utilizati in aceasta lucrare sunt fabricati pe plachete de siliciu taiate in planul <100>. Dispozitivele sunt structurate astfel incat frontierele lor sS fie paralele fie perpendiculare la fata plata a plachetei. Se presupune cS densitatea de curent J este in principal paralelS cu suprafata plachetei si este ghidatS de cStre limitele dispozitivului in lungul directiei cristaline < 1 1 0 > . Vectorul densitatii de curent poate fi scris apoi ca:
V2
J =
(3.16) V2 0
Se disting doua orientari diferite ale inductiei magnetice aplicate pentru mSsurStori de c a m p magnetic (Fig. 3.1): a) cSmpul magnetic este aplicat perpendicular pe densitatea de curent si paralel cu suprafata plats in directia cristalinS <110>. Inductia magnetics in acest caz este:
"0
B (3.17)
b) cSmpul magnetic este aplicat perpendicular pe densitatea de curent si pe suprafata plats in directia cristalinS <100> . Inductia magnetics in acest caz este:
B
" V2 B =
B
o
(3.18)
Bin [001]
B i n [110]
Fig. 3.1. Pentru senzorii Hall pe substrat de siliciu descrisi in aceasta lucrare. densitatea de curent se presupune in directia <110>, iar componentele campului magnetic care genereazi tensiunea Hall sunt fie in planul plachetei perpendicular pe curent <110> fie perpendicular pe planul <100>
100
Autor Manoara Avram
43
In ambele cazuri factorul de anizotropie a pentru B = 0 se reduce la bine cunoscutul factor d e anizotropie la campuri slabe dat de Beer [28].
3.1.3.
Material izotrop si imprastiere pe fononi

H
In ecuatia (3.15) a m definit constanta Hall R
pentru eel mai simplu model ca fund invers
proportionala cu sarcina si cu densitatea de purtatori. Aceasta expresie nu mai este valabiia daca In mecanismele de transport sunt implicate e v e n i m e n t e de imprastiere. La fel ca Tn cazul materialelor anizotrope. se introduce factorul de Tmprastiere rs. Acest p a r a m e t r u descrie influenta mecanismului de Tmprastiere asupra constantei Hall:
R {B)
H
= qn
15 3
(3.19) la temperatura camerei, s-a gasit ca
Pentru concentratii de dopaj mai mici decat 1 0 c m "
Tmprastierea fononica acustica Tn siliciu poate fi considerate izotropa [29]; Tn acest caz factorul de Tmprastiere este scazut si se consider^:
' ^ V *
o
Pentru a descrie dependenta campului magnetic d e m e c a n i s m e l e de Tmprastiere, Popovic [29] a introdus un set de coeficienti cinetici, ce Tnlocuiesc parametrii din ecuatia (3.16). Pentru a explica influenta ciocnirilor asupra factorului Hall, trebuie sa privim ecuatiile cinetice pentru purtatori de sarcina Tn miscare. Aceasta abordare se bazeazS pe solutia ecuatiei cinetice B o l t z m a n n . Rezolvand ecuatia cinetica Boltzmann pentru un solid sub influenta campului electric si magnetic lent variabile Tn timp o b t i n e m ca solutie un set de trei coeficienti cu trei componente de curent. Unui este colinear cu campul electric, un asociati este
altul
perpendicular pe a m b e l e - c a m p electric si c a m p magnetic, iar eel de-al treilea este colinear cu c a m p u l magnetic. Densitatea totaia de curent se poate scrie: J = e K{E
2
+K, m
( E x B) + -^TK3B[E m~
B]
(3.21) suprafete
Ki, K
si K
sunt asa-numitii coeficienti cinetici. care Tn cazul general pentru
energetice nesferice sunt tensori [30]. A b o r d a r e a microscopica a ecuatiei (3.21) este de aceeasi forma cu ecuatia (3.11) Tn care abordarea a fost macroscopica.
3.2.
Microsenzon
Hall
integrati
De c u r a n d , progresul deosebit Tnregistrat de tehnologia de procesare a siliciului a condus la realizarea mai multor tipuri de senzori magnetici integrati. Principiul lor de operare se bazeaza Tn principal pe efectul Hall, care consta Tn aparitia unei tensiuni pe o directie perpendiculara pe planul format de directia curentului si directia inductiei magnetice. In cadrul teoriei clasice
44
se admite ca purtStorii de sarcinS care intervin in conductia curentului sunt deviati de la traiectoria rectilinie datorita fortei Lorentz: F = c/(vxB) (3.22)
Acumularea sarcinii la una dintre marginile pIScii Hall conduce la aparitia unui cSmp electric transversal, campul electric Hall, E . La echilibru. forta electrics datoratS campului transversal
H
egaleazS forta Lorentz : e[\xB\ eE

H
= 0
(3.23)
conducand la expresia explicita pentru intensitatea campului electric Hall: E

/ /
=-[vxB]
H
(3.24) poate sS fie
Din aceastS ecuatie se observS cS, pentru o viteza cunoscutS v a purtatorilor, E
utilizat drept o mSsurS a inductiei campului magnetic B. Viteza v a unui purtStor de sarcinS poate fi exprimatS ca produs al mobilitStii y a purtStorului, un parametru uzual cunoscut asociat materialului, si campul electric aplicat E: v = /*E Deci intensitatea campul electric Hall poate fi definitS prin: E =-JLI[EXB] (3.26) (3.25)
PIScile Hall de volum de tipul celor din figura 3.2 pot fi usor Incorporate Intr-o structurS de circuit integrat pe siliciu (IC). Figura 3.4 aratS o placS Hall orizontalS integratS realizatS pe un strat epitaxial tip n (colector) crescut pe un substrat tip p Intr-un proces IC bipolar. Deoarece stratul epitaxial este tip n, purtatorii majoritari sunt electronii. Intre viteza purtStorilor si densitatea de curent exists relatia: j = -qnv unde n este concentratia purtStorilor de sarcinS. (3.27)
Fig. 3 2 Tensiunea Hall masurata V este integrala campului electric Hall E generat peste placa de latime w.
H H
E B
Fig. 3.3. Sub influenta inductiei magnetice B. vectorul densitatii de curent J i vectorul campului electric E nu mai sunt colineari. ei formeaza unghiul Hall Q . Campul electric total E este vectorul suma al campului electric extern E si campului electric Hall E
e H
4-
Fig. 3.4. Structura unui senior Hall vertical realizat in tehnologia circuitelor integrate. Acest dispozitiv are aceleasi proprietafi ca i placa Hall conventionala. El este sensibil la componenta inductiei magnetice paralela la planul suprafetei. Efectele de suprafata sunt considerabil reduse prin folosirea unei jonctiuni pn polarizate invers in zona activa.
Considerand directiile vectorilor din fig.3.2, campul transversal se obtine sub forma: E = - Bj/qn u n d e -1/qn este constanta Hall care este negativS pentru electroni. T e n s i u n e a (3.28) Hall se
calculeazS ca integrals de linie a campului electric Tntre electrozii transversali. Pentru o placa Hall infinit de lungS cu electrozi punctuali, tensiunea Hall este [31]: V sau V
H H
= jBb/qn
(3.29)
= IB/qnh
(3.29')
unde b este IStimea placii Hall, h grosimea sa, j densitatea de curent, B inductia magnetica si I intensitatea curentului electric. Relatia (3.27) pune Tn evidentS faptul ca pentru senzorii Hall sunt interesante materialele cu coeficient Hall mare. Dar coeficientul Hall este cu atat mai m a r e cu cat concentratia de purtStori este mai micS. Semiconductorul slab dopat (cazul stratului epitaxial) va fi deci un material foarte bun pentru realizarea unui senzor Hall. C a m p u l electric total aplicat E poate fi scris drept suma vectorialS a campului electric extern E , si a
E
campului electric perpendicular Hall E :

H
E = E + E
E
,
E
(3.30)
Conform celor prezentate Tn figura 3.3, E si E formeazS un unghi de Tnclinare, unghiul Hall 0 , ce poate fi exprimat cu ajutorul mobilitStii purtatorilor de sarcina si inductiei magnetice aplicate: tg 0 = | E
H
| / |E
|= MS
(3.31)
Materiale semiconductoare au o densitate mica de purtatori de sarcinS liberi. PurtStorii d e sarcinS nu interactioneazS puternic cu reteaua cristalinS, ceea ce le confers o mobilitate relativ m a r e . Mai mult, ei sunt suficient de putini. fapt ce permite aplicarea unui c a m p d e drift Tnalt fSrS pericolul degenerSrii termice a materialului [30, 3 1 , 32]. A m b e l e caracteristici c o n d u c
46
la o vitezS TnaltS si ulterior la un nivel Tnalt de semnal [33]. Aceasta este ratiunea pentru care dispozitivele Hall de astSzi sunt construite exclusiv pe suport semiconductor. Pentru a calcula functja de transfer a pIScii Hall se impun cSteva precizSri: 1. Expresia coeficientului Hall, calculate in cadrul teoriei cuantice a corpului solid nu se deosebeste esential de relatia (3.19). In cazul TmprSstierii pe fononi Tntr-un semiconductor nedegenerat, efect dominant Tn cazul de interes pentru circuitul integrat. Tn expresia (3.19) apare un factor suplimentar egal cu 3n/8 [34]. 2. Pentru placa Hall cu dimensiuni finite, tensiunea Hall Tn gol difera de tensiunea Hall Tn placa infinit lunga din cauza distorsionarii liniilor de c a m p Tn apropierea electrozilor [ 3 1 , 32]. Funct,ia de transfer depinde de geometria senzorului si de inductia Hall din figura 3.4, este V
H
magnetica si pentru placa
= 0.24*B.
Placa este mSrginitS de o difuzie adancS tip p, care este de obicei difuzia de izolare (turnurile de izolare). Contactele senzorului (n*i si n ' t ) sunt fScute prin difuzii n \e corespund
difuziilor obisnuite de emitor si determine contactele ohmice pentru stratul de metal. Izolarea placii Hall de restul cipului este realizatS prin jonctiuni inverse p-n care TnconjurS placa. PIScile Hall tipice au lungimi de 400 si latimi d e 100 urn. De preferat, Tntr-un dispozitiv Hall
integrat se foloseste ca regiune activS un material de tip n, care are o sensibilitate mai mare relativa la potential, iar stratul epitaxial trebuie sS fie dopat intre 1 0 - 1 0 c m " pe grosimea de
l 5 1 6 3
10-12 urn. DacS concentratia dopajului stratului epitaxial nu este insuficientS se poate face o plusare prin implantare ionica. Tensiunea Hall maxima pentru placa alimentatS la tensiunea V c este V
C H
* 0.74 f.i BV unde 0.74 este un coeficient Tn care sunt inglobate dimensiunile
n
placii si ale contactelor, n e s t e mobilitatea electronilor, B este inductia magnetica, iar V este tensiunea de alimentare. Suprafata superioarS a placii Hall integrate este acoperitS de obicei cu SiG"2 [37], Interfata oxid-siliciu implied dispersia purtStorilor de sarcinS, ceea ce este Tn detrimentul performantelor dispozitivului Hall. Acest efect este evitat dacS se realizeazS o structurS TngropatS, la care suprafata se acoperS cu o difuzie s u p e r f i c i a l tip p care ecraneazS purtStorii de interfatS.
B
VH
I Fig. 3.5. Reprezentarea schematics a unui senzor Hall realizat pe substrat de siliciu
4"
Microsenzon magnetoelectronici sa
Fig.3.6. Curentul i liniile echipotentiale pentru placa Hall
Alta problema a placilor Hall cu jonctiuni de izolare o constituie efectul de c a m p al jonctiunii. Datorite acestui efect, latimea tensiunea inversa. Grosimea efectiva regiunii de golire a jonctiunii p-n depinde Hall integrate depinde de tensiunea de de pe
a placii
alimentare. Drept consecinta. tensiunea Hall si caderea de potential corespunzatoare
placa vor depinde de tensiunea aplicata jonctiunii. A c e s t efect duce la o m o d u l a r e a grosimii dispozitivului de catre potential si, astfel, la un raspuns neliniar al senzorului (figura 3.6). Neliniaritatile senzorului datorate materialului si geometriei sunt proportionate cu patratul inductiei magnetice, dar au s e m n e o p u s e . Anularea celor douS efecte se poate realiza prin alegerea unui material al carui coeficient de neliniaritate sS anihileze coeficientii de
neliniaritate geometriei. Alta cale de a c o m p e n s a neliniaritatea geometrica este cuplarea unui rezistor de sarcina la iesirea dispozitivului Hall [39. 4 0 ] . Un alt subject important este reducerea ofsetului [41 - 50]. Trimerarea laser a unui rezistor extern se foloseste adesea pentru a ajusta ofsetul, dar aceasta metoda nu se foloseste d e obicei la ofseturi ale inductiei magnetice de 10 pana la 100mT, datorite Tn principal stresurilor mecanice si tolerantelor geometrice. Intr-un dispozitiv Hall cu configuratie simetricS cu
respectarea rotatiei de rc/2, curentii si contactele senzorului pot fi interschimbate. Doua astfel de dispozitive Hall au proprietati similare. Cand ele sunt interconectate astfel meat
potentialele Hall rezultate sa fie paralele, dar directiile celor doi curenti sa fie ortogonale, asimetriile lor tind sa se anuleze si astfel ofsetul se reduce. O noua metoda interesanta de reducere a ofsetului pe o singura placa Hall integrate este realizarea unei configuratii cu 16 contacte, care este simetrica cu respectarea rotatiei cu n/8. Directia curentului este facuta sa se roteascS prin comutarea contactelor. Ofsetul se reduce astfel de 100 ori. Pe langa senzorul Hall, circuitul integrat poate sa contina pe a c e l a f i cip circuitele d e polarizare, amplificare si stabilizare. Aceste dispozitive se pot realiza fie ca punti Hall, fie comutatoare Hall, dar numai pentru aplicatii care folosesc un semnal de iesire binar. Dispozitivele pot de a s e m e n e a sa contina un trigger Schmidt pentru a controla etajul final. O fotografie a structurii primului dispozitiv Hall pe care l-am realizat Tn anul 1996 se arata Tn figura 3.7 [63]. Tensiunea d e ofset la iesire este obtinuta pentru o tensiune de alimentare date, senzorul fiind plasat numai Tn c a m p u l magnetic terestru. Valoarea absolute a acestui p a r a m e t r u . foarte micS de altfel, nu influenteaza foarte mult comportamentul dispozitivului Tn aplicatii , ea fiind c o m p e n s a t e relativ
48
usor. Problemele care apar in cadrul mSsurSrii acestui parametru sunt legate de variatia lui cu temperatura si cu tensionarea mecanicS, cu acesta din urma neexistand nici mScar o
d e p e n d e n t s monotonS. Acest impediment apare in special la Tncapsulare, la fixarea plachetei Tn vederea testSrii si se manifests prin modificSri ale valorii tensiunii de ofset, Tn a m b e l e sensuri si cu gravitatii diferite de la circuit la circuit. In general fortele mecanice care apar Tn cele douS careuri nu au acelasi sens si aceeasi directie pentru toate circuitele, fiind de presupus cS, astfel efectuate, mSsurStorile pot fi eronate . Daca fortele ar actiona Tntr-un
singur sens fats de orientarea retelei cristaline, atunci ar apare efectul piezorezistiv o a r e c u m controlabil, datoritS dependentei u n i l a t e r a l si proportionate a valorii tensiunii de offset de constantele piezorezistive. Variatia tensiunii de offset cu temperatura este controlabilS si se pot da garantii Tn procente despre aceasta. In cazul circuitelor Tncapsulate, cSldura acîoneazS si asupra rSsinii Tn care este Tnchis senzorul, deformarea acesteia conducand la tensionarea mecanicS a circuitului [51 - 53]. Problemele apar Tn acest caz atunci cSnd efortul mecanic la care este expusS structura datoritS dilatSrii rSsinii, c o n d u c e la un efect piezorezistiv mai Tnsemnat decSt eel termic, deoarece poate fi de acelasi sens cu acesta, amplificSndu-l. sau Tn sens contrar, diminuandu-l. Comportamentul termic al tensiunii de offset este foarte important Tn functionarea unei aplicatii bazate pe senzori semiconductori, deoarece chiar dacS valoarea tensiunii este compensatS la o anumitS temperaturS, deriva termicS mare a acesteia poate duce la nefunctionarea schemei rezistive, la necesitatea reluSrii reglajului de c o m p e n s a r e s.a.m.d. De mentionat cS acest efect poate apare chiar la temperatura ambiantS constants, atunci cand prin senzor este injectat un curent mai mare Tn vederea obtinerii unei sensibilitSti mai bune. La o inductie magnetica de 50 mT, tensiunea Hall pentru placa Hall din figura 3.7 este sub 15 mT, motiv pentru care erorile care pot apSrea Tn realizarea geometriilor sau / si variatiile rezistivitStii stratului epitaxial pot produce tensiuni de eroare (offset), care, suprapuse peste tensiunea Hall utilS, pot afecta puternic randamentele de f a b r i c a t e ale senzorului. Valoarea acestor erori cumulate este [54] AVoffsetA/ = AV offse.A/ + AV offse./V + AV ffset A /
H R H C H Ho H
(3.32)
unde: AVRoffset este eroarea datoratS deplasSrii prin rotatie a contactelor Hall; AVcoffset neuniforme; AV ffsei este eroarea datoratS variatiei mobilitStii electronilor Tn stratul epitaxial.
HO
este
eroarea
datoratS
IStimii
diferite
contactelor
Hall
datoritS
corodSrii
Aceste erori sunt minime pentru geometrii la care raportul lungime / IStime este Tn domeniul 0,8 + 1,7. De a s e m e n e a a m observat cS Tntr-un proces de f a b r i c a t e bine controlat. contributia erorii datoratS variatiei mobilitStii este sub 1 0 % din eroarea totals [63]. In afara erorilor
49
enuntate, tensiunea Hall este afectatS si de efectele piezorezistive determinate de solicitSrile mecanice care se exercitS asupra pIScii Hall Tn u r m a procesului de Tncapsulare.
FIG. 3.7. Fotografia primului senzor Hall planar realizat pe suport de siliciu in 1996. pe baza structurii aratata in fig. 3.4.
Diminuarea
acestui
efect
nedorit
porneste
de
la
observatia ca tensiunea de eroare ce apare datoritS solicitSrilor mecanice este dependents de directia
curentului prin elementul Hall si variazS cu cosinusul unghiului dintre directia curentului si o axS de referintS, paralelS cu suprafata elementului Hall. C o n f o r m acestei observatii, conectand Tn paralel douS sau mai multe elemente Hall, directia curentului prin ele fiind diferitS, se poate obtine
diminuarea tensiunii de offset (teoretic chiar anularea ei pentru unghiuri convenabil alese Tntre directiile curent,ilor).
> "> FIG. 3.8. Conectarea in circuit a elementului Hall
r
1
1
G e o m e t r i a superficialS a unei pISci Hall realizatS pe acest principiu este prezentata patru Tn figura 3.8.
Elementul
cuprinde
subgrupe
(1,2,8,0),
(4,5,6,0), (2,3,4,0) si (6,7,8,0), unde 0 este punctul virtual reprezentat printr-un patrat punctat Tn fig.3.8. Sensul curentilor. sensul Tn care are loc curbarea traiectoriilor purtStorilor de sarcinS si tensiunea Hall sunt indicate Tn aceeasi figura. Sunt evidente cateva dintre avantajele utilizSrii unei astfel de structuri: c o m p o n e n t a tensiunii de offset datoratS solicitSrilor mecanice este mult redusS; realizarea unei bune compactitSti, subelementele Hall nefiind izolate unui de celSlalt. Compactitatea elementului Hall determinS reducerea offsetului datorat neuniformitStilor d e rezistivitate a stratului epitaxial sau ale eventualelor defecte ale ret,elei cristaline [57].
50
A m folosit o tehnicS de Tncapsulare prin care a m urmarit si diminuarea tensiunilor mecanice ce se exercitS asupra structurii senzorului. Astfel lipirea structurii pe grila am fScut-o cu rasinS KJR, iar structura a m acoperit-o cu un material siliconic elastic. A m realizat placi Hall integrate pe substrat de siliciu (111) si (100), observandu-se un offset mult mai mic si o tensiune Hall mai mare pe substratul (100). Pentru exemplificare, In tabelul 3.1 prezint cateva dintre rezultatele masuratorilor facute pe senzorii Hall. Se observS cS, In absenta campului magnetic, B = 0. offsetul pentru Si(100) este mai mic pentru 45, Intre 0-^1,5mV, In timp ce pentru Si( 111) offsetul este mai mare, intre 4,4 - 8 , 5 m V (tabelul 3.1), iar In prezenta campului magnetic, B * 0, sensibilitatea fata de acesta este de aproximativ 1,5mV/mT pentru substrat cristalografic (100) si aproximativ 0.9m V7mT pentru Si (111). Acest lucru se vede In figurile 3.9, 3.10 si. 3 . 1 1 .
a)
(b) Fig. 3.9. (a) Fotografia senzorului Hall planar cu offset-ul redus pe care l-am realizat prin optimizarea celui prezentat in Fig. 3.7. (b) Variatia tensiunii Hall in functie de inductia magnetica
Fig. 3.10. Dependenta semnalului de ieire V de inductia magnetica pentru placa Hall realizata pe substrat Si (111)
H
Fig. 3.11. Dependenta semnalului de ieire V de inductia magnetica pentru placa Hall realizata pe substrat Si (100)
H
5]
Tabelul 3.1. Tensiunlle de ofset (;iV) ma'surate pentru dispozitivele Hall (Fig.3.7 i Fig. 3.9) realizate pe Si (100) si Si (111) cu orientarea contactelor la 45 si 90 Si (100) 45 0 1 0,1 1 1,5 0,25 0,1 0,1 0,95 0 0,1 90
u
Si (111) 45" 6,85 8,5 5,6 7,3 6,25 8,25 8,25 7,5 13,65 2,1 16 90
u
4,8 6,15 4,8 8,5 7 7,4 5,35 4,4 7,4 6 4,4
2,40 2,8 1 0,5 3,6 2,7 2 3,15 4 9,2 4,5
3.2.1. Proiectarea microsenzoruiui Hall integrat

Tehnologia circuitelor integrate moderne permite realizarea unor structuri mai adanci prin implantare ionicS si difuzie termica a ionilor impuritate [58]. In plus, aceasta tehnologie a facut posibilS fabricarea unor dispozitive Hall cu dimensiuni foarte mici la un pret foarte scazut [57]. In acelasi timp tehnologia CI garanteaza o Tnalta reproductibilitate a proprietatilor geometrice si fizice. Dispozitivul Hall vertical, fabricat prin tehnologia circuitelor integrate, este un senzor foarte avantajos, structurat pentru masurarea cu acuratete a campului magnetic aplicat [64, 65]. Senzorul Hall a fost proiectat prin a s u m a r e a unui c o m p r o m i s Tntre performantele
parametrilor de nelinearitate si sensibilitate. Pentru reducerea nelinearitetii, structura Hall a fost proiectata sa aiba contacte de curent lungi Tn raport cu contactele Hall. In acest m o d ,
contributia cu sens negativ la nelinearitatea dispozitivului a parametrilor de material poate fi c o m p e n s a t e prin contributia cu sens pozitiv a elementelor de geometrie, iar Tn a n s a m b l u , se obtine o reducere substantiate a nelinearitetii. Prin utilizarea acestei configuratii pentru
contactele senzorului, la o valoare date a puterii disipate, a m obtinut de a s e m e n e a si o mare sensibilitate a dispozitivului. Pentru atenuarea factorilor generatori d e efecte de offset si de instabilitate termica, a m conceput layout-ul Tntr-o forma perfect simetrica, Tn care elementul senzor (placa Hall) este amplasat Tn z o n a centrate a cipului, avand contactele aplicarea semnalului de excitatie situate Tn capete, pe axa orizontala. Pentru pentru
micsorarea
efectului magnetorezistiv si cresterea ponderii efectului Hall Tn functionarea senzorului, a m dimensionat placa Hall la valorile de 6 9 0 urn pentru lungime si 175 |am pentru latime (raportul latime/lungime =1/4), iar pentru asigurarea preciziei masuratorii, elementul Hall este integrat
52
Tntr-un sistem unitar, impreunS cu circuitele de polarizare, de amplificare a semnalului si de calibrare, eliminandu-se astfel efectele parazite. Circuitul de polarizare a fost integrat pe acelasi cip cu placa Hall, astfel meat extrage o parte din tensiunea de intrare pe dispozitiv, ceea ce duce la reducerea ofset-ului si la eliminarea efectelor legate de dependenta lui de temperatura. Variatia ofset-ului cu campul magnetic se compenseazS usor. deoarece offsetul si tensiunea de intrare sunt influentate in acelasi sens de efectul magnetorezistiv. Utilizarea alternative a contactelor pentru polarizare si pentru detectare poate de a s e m e n e a reduce offsetul. Traseele de aluminiu ale contactelor electrice au fost implementate tot in configuratie simetricS pentru a reduce efectul piezorezistiv [54 - 56]. Dimensiunile caracteristice pentru placa Hall sunt: > > > Dimensiuni palcS Hall: 690 / 170 n m ; Dimensiuni contacte curent: 8 0 / 1 0 p m ; Dimensiuni contacte tensiune Hall: 10 / 1 0 p m
Circuitul electronic de amplificare diferentiala, c o m p u s din trei perechi de tranzistoare, este dispus intr-o simetrie circulars fats de directia de culegere a semnalului, de o parte si de cealaltS a cipului. Colectorii acestor tranzistoare sunt conectati simetrie de o parte si de cealalta a placii Hall prin intermediul straturilor ingropate aferente, iar semnalul Hall
amplificat este cules pe padurile corespunzatoare. dispuse simetrie fata de axa orizontala si situate in extrema dreapta a cipului (figura 3.12). Bazele acestor tranzistoare, care culeg semnalul direct de la senzor, sunt conectate direct la placa Hall prin intermediul conexiunilor metalice corespunzStoare. Pentru o bunS stabilitate termicS si o bunS amplificare a de
semnalului, emitorii acestor tranzistoare sunt excitati prin intermediul unui generator
curent c o m u n , c o m p u s din patru tranzistoare amplasate in extrema dreaptS a cipului. Padurile din partea stanga a cipului servesc pentru conectarea la circuitul exterior de
polarizare a circuitului electronic de culegere si amplificare a semnalului. In zona inferioarS din partea dreaptS a cipului se afla dispus setul semnelor de aliniere, compus din patru elemente. A m optat pentru s e m n e in forma de cruce, cu dimensiunile m e r g a n d de la mic spre mai mare in cadrul proceselor succesive de mascare, dimensiuni a cSror alegere tine cont de efectele de supracorodare din oxid si din metalul de contactare (aluminiu, in cazul de fatS). De a s e m e n e a , tot pentru o bunS precizie a alinierii, unui si acelasi s e m n se utilizeazS in numai trei procese succesive de mascare. DupS trei utilizSri succesive ale unui s e m n , pe a treia mascS pe care el apare, se adaugS alaturat lui un nou s e m n cruce, care va fi folosit in continuare pe urmStoarele douS mSsti. Dimensiunea totals a cipului (inclusiv cadrul inter-cip) este d e 1520x1020 p m , iar configuratia de a n s a m b l u continand toate mSstile suprapuse, este prezentatS in figura 3.12.
53
Fig. 3.12. Setul de mati suprapuse al senzorului Hall integrat pe siliciu impreuna cu circuitul de polarizare. calibrare, amplificare i prelucrare a semnalului
3.2.2. Tehnologia de realizare a microsenzorului integrat Hall

Acest nou dispozitiv Hall, fabricat Tn tehnologia circuitelor integrate, are o structura de senzor foarte avantajoasa pentru masurarea cu precizie a campurilor magnetice. Pentru fabricarea lui am utilizat plachete de siliciu monocristalin de foarte buna calitate, cu orientarea
cristalograficS < 1 0 0 > . Dispozitivul a fost structurat astfel meat laturile sunt fie paralele, fie perpendiculare pe marginea tesita a plachetei, curentul circuland astfel paralel cu suprafata plachetei, de-a lungul directiei cristalografice <110>.
Emitter Bate
E 3
HaB contact Hall contact Emmet Base
Fig. 3.13. Flux tehnologic de realizare a structurii senzorului Hall integrat o Fotogravura Ml, deschidere ferestre de difuzie pentru strat ingropat i difuzie strat ingropat Fotogravura M2 i difuzie turnuri de izolare Epitaxie n* Fotogravura M3 i difuzie baza Fotogravura M4, difuzie emitori i plusare contacte de colector i placa Hall Fotogravura M6, deschidere ferestre pentru contacte metalice Metalizare Fotogravura Ml, corodare metal Fotogravura M8, deschidere ferestre paduri in oxidul de pasivare
o o Q
o o o
54
Senzorul Hall a fost fabricat In tehnologie standard de circuite integrate, printr-un proces care utilizeaza opt rrtesti (figura 3.13). Rezistivitatea substratului este p = 7.5 Q c m ( n o * 1 0
1 5
cm' ),
3
orientarea cristalografica a siliciului este (100), iar grosimea plachetelor este de aproximativ 350 (.im. Structura Hall a fost realizata pe un strat epitaxial de tip n si este izolate de circuitele auxiliare ale senzorului prin intermediul unei difuzii adanci de tip p. Concentratia de impuritati din stratul epitaxial este de aproximativ 6 . 1 0 c m , iar grosimea stratului12 |am. Influenta
15 3
tensiunii Hall si a efectului magnetorezistiv asupra nelinearitetii, ca urmare a efectului de c a m p al jonctiunii, a fost redusS prin realizarea intre electrozi, pe suprafata de tip p, a unor insule de tip n. Pentru precizia masurSrii si eliminarea efectelor parazite. dispozitivul Hall este incorporat Intr-un sistem unic ImpreunS cu elementele de circuit de amplificare a semnalului si de calibrare. In acest fel, offsetul, dependenta de temperature a sensibilitetii, zgomotul si nelinearitatea sunt fie reduse chiar de la nivelul elementului Hall, fie sunt compensate la nivelul sistemului.
^4 "5 C S
CJ _
8} IB ID Wj ffi ffi ZE 3?
7 c J
LiKkictiii imyietka (mT) (a) (b)
I 8 &
o
>
2
e
Ic = 1mA lp= 0,8mA Voc= 5V likkictie linjaretica (mT)

1 2 D
0 0
0 2
0 4 | 0 6 0 6 Qirentul de pufcuaw (itv\
1 0 (d)
Fig. 3.14.(a). Structura senzorului Hall integrat pe siliciu impreuna cu circuitul de polarizare, circuitul de calibrare i de amplificare a semnalului de ieire (b) . Variapa diferentei de curent de colector Al in funcpe de inductia magnetica pentru senzorul din fig.(a). Sensibilitatea relativa este S = 3 (1/T) (c) . Variatia tensiunii Hall V in functie de inductia magnetics pentru senzorul din fig.(a). (d) . Variatia tensiunii Hall V in functie de curentul de polarizare a bazei
c H H
Structura senzorului si conditiile detaliate de polarizare au fost optimizate. in scopul obtinerii unei sensibilitSti mari si variatiei mici a offsetului. S c h e m a echivalentS a senzorului Hall din figura 3.14 (a), este schrtatS in figura 3.15.
Fig. 3.15. Schema electronica echivalenta a senzorului Hall din figura 3.14.
3.3.
M i c r o s e n z o r i de c a m p m a g n e t i c 3 D
Microsenzorul pe care il prezint In continuare consta din opt structuri senzitive Hall, TmpSrtite In trei grupe, fiecare m a s u r a n d o directje a inductiei magnetice [58, 59, 60]. C o m p o n e n t e l e x si y, paralele cu suprafata senzorului. se mSsoarS fiecare printr-o pereche de senzori Hall verticali, localizati pe laturile o p u s e ale microsenzorului astfel: pentru directia x sunt asezati pe latura stanga si, respectiv, latura dreaptS a structurii din figura 3.16, pentru directia y sunt asezatj sus si, respectiv, j o s . C o m p o n e n t a z a inductiei magnetice se mSsoarS prin patru elemente Hall orizontale localizate Tn colturile structurii din figura 3.16. Elementele Hall ale fiecSrei grupe sunt conectate Tn paralel. astfel meat semnalul lor de iesire combinat reprezinta o interpolare la centrul senzorului. Din acest considerent. toate cele trei c o m p o n e n t e ale vectorului inductie magnetica se mSsoarS Tn acelasi spot. Deoarece toate elementele Hall sunt integrate pe aceeasi structura, dezalinierile apar numai din procesul de f a b r i c a t e si pot fi considerate neglijabile. Fiecare dintre cele trei canale este conectat la circuite electronice de polarizare si amplificare. astfel meat cele trei s e m n a l e pot fi citite separat la iesire. A m realizat microsistemul In tehnologia standard a circuitelor integrate bipolare pe plachete de siliciu de tip p si orientare cristalografica (100) si l-am Incapsulat pe u n suport de rSsinS epoxidica pentru reducerea stresului indus de temperatura In zona activS a elementelor Hall. In final elementele Hall sunt conectate prin fire de aur la pinii circuitului integrat (Fig. 3.17). Senzorul are o suprafata totals de 9,5 m m , iar suprafata activS este de 4 m m .
2 2
In figura 3.18
a m reprezentat sensibilitatea
elementelor
Hall verticale si orizontale
ale
microsistemului 3D In functie de inductia m a g n e t i c s .
56
Fig. 3.16. Setul mastilor fotolitografice suprapuse ale microsenzorului integrat 3D. In stanga i in dreapta se afIS perechea de elemente Hall verticale care mSsoarS componenta x a inductiei magnetice. Sus ijos sunt localizate elementele Hall verticale care mSsoarS componenta y a campului magnetic, fn cele patru colturi se afla elementele Hall orizontale care masoara componenta z a inductiei magnetice. Toate masuratorile se fac fata de centrul structurii.
Fig. 3.17. Fotografia unui microsenzor de camp magnetic 3D dupi mulare i lipirea firelor. Suprafata structurii active este 4 mm
2
0.7 0,6 0,5 0,4 0.3 0.2 0.1 0 0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45 0,5 Inductia magnetica (T) Elemente Hall orizontale -Elemente Hall verticale
Fig. 3.18. Sensibilitatea elementelor Hall verticale i orizontale in functie de inductia magnetics
57
4.
MAGNETOTRANZISTORI BIPOLARI
bipolari sunt dispozitive bipolare active cu iesire in curent. In ciuda
Magnetotranzistorii
diversitStii lor, orice magnetotranzistor are drept c o m p o n e n t a esentialS o sursa de curent d e forma unei jonctiuni pn, care injecteazS purtatorii minoritari Tn regiunea bazei, si una sau mai multe jonctiuni polarizate invers drept colectori, de pe care se culege semnalul de interes [66]. C u m magnetotranzistorii bipolari se fac pe substrat nemagnetic, siliciu Tn cazul nostru, campul magnetic extern, B, influenteaza numai procesele cinetice Tn diverse regiuni ale tranzistorului [67]. Ca rezultat. variatiile curentului de colector Tn prezenta campului magnetic d a u indicatii despre modulul si directia vectorului inductie m a g n e t i c s . Tipic pentru magnetotranzistorii
bipolari este ca inductia magnetica influenteaza atat deplasarea curentului prin structura, cat si modularea lui. Ca rezultat, semnalul electric de iesire se modifies a c o r d a n d u - s e rSspunsul dispozitivului este cu
intensitatea influentei. Mecanismul care dominS
modularea
injectiei emitorului, campul magnetic mSrind injectia Tn unele regiuni si micsorand-o Tn altele. In concluzie, magnetotranzistorii bipolari sunt proiectati astfel meat curentul de colector sS fie modelat de campul magnetic [68]. In functie de geometria lor. magnetotranzistorii bipolari pot detecta c o m p o n e n t a vectorului c a m p magnetic paralelS cu planul structurii s e m i c o n d u c t o a r e sau perpendiculars pe aceasta. Cele mai multe dintre structurile de magnetotranzistori
bipolari sunt de tip dual-colector. In absenta campului magnetic operarea celor doi colectori este simetricS, astfel meat ei vor indica curenti egali, l a = Ic2- In prezenta campului magnetic, forta Lorentz creeazS o asimetrie Tn distributia de curent si potential, care se traduce Tntr-o diferentS de curent de colector, Ale =lci - Ic2 Magnetotranzistorii bipolari se bazeazS pe douS principii de operare: (1) deflectia Lorentz: forta Lorentz curbeazS traiectoria purtStorilor
minoritari spre unui din colectori, depSrtandu-i de celSlalt; (2) modularea injectiei emitorului: inductia magnetics actioneazS asupra purtStorilor majoritari care se deplaseazS Tn regiunea bazei, d a n d nastere unui potential Hall, care moduleazS potentialul emitor-bazS. creind astfel o asimetrie Tn injectia purtStorilor minoritari. In functie de directia de miscare a purtStorilor minoritari Tn bazele magnetotranzistorilor Tn absenta campului magnetic, se numesc
magnetotranzistori bipolari laterali sau verticali [65. 6 6 ] .
4.1.
Simularea
magnetotranzistorilor
cu strat ingropat
compact
O class de magnetotranzistori pe care a m s i m u l a t - o pe calculator (cu programele M E D I C I si S U P R E M IV) este aceea cu strat Tngropat sub regiunea activS a structurii, la jonctiunea strat epitaxial - substrat (figura 4.1). El determinS cresterea nivelului de recombinare a purtStorilor minoritari Tn regiunea bazei, care determinS scSderea eficientei dispozitivului. O d o p a r e puternicS n** a stratului Tngropat situat sub regiunea activS a structurii pentru cresterea nivelului de recombinare Tn regiunea bazei determinS aparitia unui tranzistor vertical parazit
58
care reduce factorul de amplificare in curent. El reduce de a s e m e n e a curentii activi ai colectorului si tensiunea Hall, astfel meat sensibilitatea dispozitivului scade.
rtt
'
1 1
'to' Jtrm
1
Fig. 4.3. Distribute vectorilor de curent in absenta campului magnetic (stanga) i in prezenta campului magnetic (dreapta)
Fig.4.4. Distribute potentialului electric in absenta campului magnetic (stanga) i in prezenta campului magnetic (dreapta)
59
Fig. 4.5. Distribute campului electric in absenta campului magnetic i in prezenta campului magnetic (dreapta)
(stanga)
Fig. 4.6. Distribute curentului de conducte (stanga) i in prezenta campului magnetic
in absenta campului (dreapta)
magnetic
Fig.4.7. Mobilitatea electronilor conductie in absenta campului magnetic (stanga) i in prezenta campului magnetic (dreapta)
Fig. 4.8. Curentii celor dot colectori in functie de tensiunea Hall in prezenta unui camp magnetic de 30 mT
. M
v. IM
60
Din simulSrile fScute se observS urmStoarele aspecte: distributia de potential (figura 4.4) si distributia campului electric (figura 4.5) se modifies substantial Tn prezenta Tn absenta campului campului
magnetic: distributia curentului de conductie
este relativ uniforms
magnetic, dar odatS cu aplicarea campului magnetic, curentul de conductie se concentreazS pe unui dintre cei doi colectori (figura 4.6), dupa cum era de asteptat, mobilitatea electronilor nu este influentatS de campul magnetic (figura 4.7); diferenta curentilor de colector Tn prezenta campului magnetic, si deci sensibilitatea acestui tip de magnetotranzistor (figura
4.8), nu este semnificativS, dar aceastS structure se integreaza foarte usor Tntr-un circuit integrat.
4.2.
Simularea magnetotranzistorului microprelucrat
A doua class de magnetotranzistori de care m-am ocupat mult este aceea cu jonct,iunea colector substrat de sub regiunea activS a tranzistorului lateral E-B-C TndepSrtatS prin
corodare anizotropS umedS (figura 4 . 9 ) . In acest fel, dispozitivul parazit practic dispare. AceastS metodS reduce deci la zero influenta tranzistorului parazit E-B-S. Nivelul de
recombinare al purtStorilor minoritari este foarte mic, aceasta deoarece cea mai mare parte a curentului de colector este captat de contacte si tensiunea Hall nu este afectatS.
61
Fig. 4.11. Distributia vectorilor de curent in absenta campului magnetic (stanga) i in prezenta campului magnetic (dreapta)
Fig. 4.12. Distributia potentialului electric in absenta magnetic (stanga) si in prezenta campului magnetic
campului (dreapta)
62
Fig.4.14. Distributia curentului de conductie in absenta campului magnetic (stanga) i in prezenta campului magnetic (dreapta)
Fig. 4.15. Mobilitatea electronilor conductie in absenta campului magnetic (stanga) si in prezenta campului magnetic (dreapta)
In cazul magnetotranzistorilor microprelucrati se observa o modificare importanta a distributiei de potential (figura 4.12) si a curentului de conductie in prezenta campului magnetic (figura 4.14), dar nu se observa nici o modificare a distributiei campului electric (figura 4.13) sau a mobilitatii electronilor (figura 4.15).
Fig. 4.16. Curentii celor doi colectori in functie de tensiunea Hall in prezenta unui camp magnetic de 30 mT
1.19
.<
f. CI
8.11
I.N
(lOlltlUi Autor Manoara Avram
63
Diferenta curenjilor de colector este mai m a r e la magnetotranzistorul microprelucrat fata de eel cu strat Tngropat compact (figura 4.16). dar acesta are dezavantajul ca nu poate fi integrat. In plus magnetotranzistorul c o n s u m mic de putere. microprelucrat prezinta o stabilitate termica mai buna si u n
4.3.
Simularea magnetotranzistorului cu strat ingropat despicat
A treia clasa de magnetotranzistori consta Tn conectarea tranzistorului parazit Tn paralel cu structura de interes. care contribuie si la cresterea sensibilitatii dispozitivului (figura 4.17). Aceasta metoda foloseste caracteristicile electrice ale tranzistorului vertical pnp E-B-S prin conectarea structurii parazite in paralel cu dispozitivul activ. Fig.4.17. Magnetotranzistor cu o eficienta a emitorului mare si sensibilitate crescuta
Fig. 4 18 Distributia concentrate/ de impuritati in magnetotranzistorul microprelucrat (cu substratui indepartat pnntr-o corodare anizotropS a siliciului
Fig. 4.19. Distribute vectorilor de curent in absenta campului magnetic (stanga) i in prezenta campului magnetic (dreapta)
Fig. 4.20. Distributia potentelului
electric
in absenta campului magnetic si in prezenta
campului
Tigif.21. Distributiacampului electric in absenta campului magnetic (stanga) i in prezenta campului magnetic (dreapta)
Fig.4.22. Distributia curentului de conductie in absenta campului magnetic (stanga) i in prezenta campului magnetic (dreapta)
Autor Manoara Avram
65
Diferenta curentilor celor doi colectori in prezenta campului magnetic este foarte m a r e Tn cazul acestui tip de magnetotranzistor (figura 4.24), deci sensibilitatea lui este mult mai mare decat a celorlalti doi pusi Tn discutie.
4.4.
Modelarea magnetotranzistorilor bipolari

bipolari ocupa un loc important Tn cadrul imensei varietati de
Magnetotranzistorii
magnetosenzori. Ei c o m b i n a efectul de tranzistor cu efectul Hall. Sensibilitatea dispozitivului se bazeaza pe doua f e n o m e n e cauzate d e actiunea fortei Lorentz asupra purtatorilor d e sarcina: modularea injectiei curentului de emitor si deflectia purtatorilor minoritari Tn regiunea bazei [68]. In functie de topologia concrete a dispozitivelor. predomina unui sau celalalt dintre efecte. La unele dispozitive ambele efecte j o a c a un rol semnificativ. In cazul aplicarii unui c a m p magnetic de inductie B , densitatea curentului (J) face un unghi 8 cu intensitatea campului electric ( E ) . Deoarece golurile se deplaseaza Tn sensul campului, iar electronii Tn sens invers, o fata a probei semiconductoare va a c u m u l a purtatori, Tn timp ce cealalta va fi saracita [66, 67]. Electronii vor face un unghi 9 , iar golurile un unghi 9
n P
cu
directia vectorului E . A p a r e astfel un c a m p electric perpendicular pe forta Lorentz, campul Hall (E

H
), care depinde de semnul purtatorilor. E
continue s3 creasca pana cand forta Lorentz
este c o m p e n s a t e de campul transversal. Dupa a c e e a , sarcinile se vor misca ca si cand ar exista numai c a m p electric, iar campul magnetic ar fi inexistent. E
H
=-R)xB
= -RaEsB
(4.1)
unde R este constanta Hall, care se determina usor daca consideram ca forta Lorentz este c o m p e n s a t e de campul Hall.
eE"+F = 0
E =
(4.2)
(4.3)
= -vxB = -//ExB
unde u este mobilitatea purtatorilor. Constanta Hall se defineste ca raportul dintre mobilitatea purtatorilor si conductivitatea probei semiconductoare, fiind dependenta atat de sarcina, mobilitatea si concentratia purtatorilor, cat si de mecanismul de Tmprastiere al purtatorilor. \ cp {x)\)
p
unde p (x) este concentratia golurilor majoritare, curentul de electroni minoritari putand fi
p
neglijat. v = - i - . E = ^ (4-5)
Pentru semiconductorul tip p, p ( x ) poate fi bine aproximata cu N , concentratia acceptorilor,

p A
iar N este concentratia donorilor si astfel,

0
66
_ jxB " ' eN '

A
" "
=
p
jxB J x B en (x) eN
n
A
(4.6)
D
Conditia neutralitatii sarcinii cere ca p ( x ) N

p
departe de jonctiune, si p ( x ) = N + n ( x ) Tn
p A p
apropierea jonctiunii, unde n ( x ) este concentratia electronilor minoritari Tn exces pe partea p a jonctiunii, rezultati din injectia emitorului. Concentratia purtatorilor n ( x ) scade cu departarea
p
de j o n c t i u n e , ceea ce Tnseamna ca intensitatea campului Hall. E , creste.

H
La marginea regiunii de golire a sarcinii pe partea p a jonctiunii, rezulta l ? ( 0 ) -
'
(4-8)
Expresia campului Hall pe partea n a jonctiunii este
=-Jfro en \x)
n
<->
4 9
n D
Este rezonabil sa p r e s u p u n e m ca Tn regiunea emitorului n*. n ( x ) = N . Rezulta astfel, Ef = i ^

D
(4.10)
eN
Efectul celor d o u a campuri Hall induse la marginile regiunii de golire p si respectiv n este cresterea potentialului jonctiunii pe partea dreapta si scaderea lui pe partea stanga, c u m se poate vedea si Tn figura 4.26. Partea dreapta (y = -w/2) are potentialul jonctiunii V r = V + <I> 2
d 0 L
, iar partea stanga (y = w/2) are potentialul jonctiunii V , = V - <1>U2. unde V este potentialul Tn
s 0 0
absenta campului magnetic. Presupunand campurile Hall constante la marginile regiunii de golire, independente de y, suma caderilor de potential de-a lungul unei curbe Inchise trebuie sa fie nuia. Rezulta:
EJJ (0)- W- V + E ? ( - / ) W + V =0
ilr m
(4.11)
unde / este lungimea stratului de golire. (0)4-EM-/)
(4.12;
C a m p u l Hall la marginea regiunii de golire pe partea p, (x = 0), poate fi scrisa: E"(0)=

J ( U
V )
X B
(4.13)
e(N +n (0 y))
A p t
Densitatea de curent si concentratia purtatorilor minoritari variaza Tn directia y. In conditii de nivel mic de injectie si neglijand curentul de drift, densitatea de curent poate fi scrisa sub forma:
Autor Manoara Avram
67
j{0,y)=-e
D
Dn D p
p0+ p
(
P
eV(v)
L.,
A
L.
tT
-l
(4.14)
Pentru o jonctiune n* - p. N N , astfel Tncat, n . =' p

u0
=, iar j(0,y) poate fi aproximat cu
j(0,y)=-e
Dn
p0
eV{r)
kT
-1
(4.15)
Concentratia purtatorilor minoritari, densitatea d e curent si respectiv c a m p u l Hall pe partea p a jonctiunii pot fi exprimate ca:
e "
-i .
J<9,y)=-^n (0 y)
p t
(4.16)
N +n {O y)
A p t
Trebuie observat ca la nivel mare de injectie, concentratia electronilor minoritari i n exces la marginea jonctiunii devine ,2 ft' eVKy)"
n pO
-2e{V(0)-Y{y))
CT
-l
(4.17)
si densitatea d e curent corespunzatoare (neglijand din nou driftul) este data d e :

,2 *vM \
D.n.
&
j(0,y)=-
PpO
e - l \-e
Pentru cazul cand regiunea n* este mult mai puternic dopata decat regiunea p, se obtine
*V (' ) pO
KT
-2e(V(0)-v(7W'
(4.18)
l- e
iar densitatea d e curent este
k t
j(0 )=-î(0 y)
>y 9
D.n n j(0,y)=-e
l - e
In comparatie cu ecuatia
pO
(4.19)
"
Aceste ultime trei ecuatii sunt valabile atat In conditii d e nivel mic cat si nivel mare d e injectie,
68
eVjv)
j(0,y)=-e
L.
kT
- l
(4.14)
Pentru o jonctiune n* - p. N D N A , astfel meat, n

)
=-Hi-
=Jh,
iar j(0,y) poate fi aproximat c u
j(0,y)=-e
Dn
p0
iv)
kT
(4.15)
Concentratia purtatorilor minoritari, densitatea d e curent si respectiv c a m p u l Hall pe partea p a jonctiunii pot fi exprimate ca:
kT
j(0,yh-^n (0,y)
p
(4.16)
Trebuie observat ca la nivel mare d e injectie, concentratia electronilor minoritari Tn exces la marginea jonctiunii devine
,2 eV(y)'
n
P
0
*by{v>\-v{y)) KT
<Hy)
"X0,y)=
KT
- l
(4.17)
si densitatea d e curent corespunzatoare (neglijand din nou driftul) este data d e : r(jr) "\ I. ./(0,v)=Pro -2e (F (0M '(.v)'|
D.n.
<nr)
-l
\-e
kT
Pentru cazul cand regiunea n* este mult mai puternic dopata decat regiunea p, se obtine
n pO
(0,y)=
P
k t
(4.18)
i-e
iar densitatea de curent este
KT
my)=-^n (p y)
p 9
D.n
( * on
(4.19)
-2(y(o)-y(.v)>
)(p,y)=-e
1 -
CT
Aceste ultime trei ecuatii sunt valabile atat Tn conditii d e nivel m i c cat si nivel mare d e injectie, Tn comparatie cu ecuatia
68
N +n,(0,y)
A
valabila Tn toate conditiile de injectie, atata timp cat componentele curentului de drift ale bazei se neglijeazS. Cu atat mai mult, aceasta ultima ecuatie poate fi independents de y numai pentru nivele extrem de mari de injectie (de e x e m p l u . n ' ( 0 , y ) N ) , iar Tn conditii de nivel mic
p A
sau moderat de injectie, campul Hall E
P H
poate fi considerat constant.
In aceleasi conditii, campul Hall pe partea n a jonctiunii este:
?(-/)=
J (0^v)xB
ciN.+pA-Ly))
J(0j')xB
e N
( 4 2 1 )
mcirimea sa putand fi scrisa sub forma:
unde p ( - l , y ) < < N . Deoarece N N

n D D
se poate scrie potentialul electric sub forma:
D
WK-Z- -,
p
w JO, v]Bw
(4.23)
"
^,+/7(0,v)
Inainte de a trece la analiza problemei, trebuie s3 luam Tn consideratie efectul contactului de metal asupra potentialului Hall langa contact. Contactul are efectul de a micsora campul Hall Tn vecinatatea sa [68].
4.4.1.
In cazul
Modularea injectiei emitorului

magnetotranzistorului, mecanismul care doming raspunsul dispozitivului este
modulatia injectiei emitorului, campul magnetic marind injectia Tn unele regiuni sj reducand-o Tn altele [85, 66]. Efectul Hall genereazS doua f e n o m e n e care conduc la modulatia injectiei emitorului, si a n u m e : efectul campului magnetic asupra purtatorilor minoritari Tn baza injectati de catre emitor, ceea ce duce la modificSri ale potentialului pe ambele parti ale jonctiunii emitor - baza (Fig.4.25 - 4.26) si efectul campului magnetic asupra purtatorilor majoritari ce curg prin baza, ducand la modificarea distributitlor de camp si potential pe suprafata bazei (Fig. 4.27 - 4.29). Consideram tranzistorul bipolar lateral cu o baza, un emitor si doi colectori. Structura are grosimea H, lungimea L si latimea W. C a m p u l magnetic se aplica perpendicular pe suprafata structurii. In prezenta campului magnetic, cei doi colectori vor primi curenti diferiti, atat datorita efectului de modulare al injectiei emitorului, prin efect Hall de-a lungul jonctiunii, cat si datorita curbarii traiectoriei purtatorilor de sarcina.
zzzzzf
'I
WZZZZZZZZZZZA rr
Fig. 4.26. Configurate magnetotranzistor cu doi colectori Fig.4.25 Jonctiunea emitor - baza
j
= C
ZL
_ 2KT
C2
=le
0
"
=2
e2KT
(4.24)
u n d e VJO este potentialul de alimentare directa a contactului de baza, O L este potentialul Hall total de-a lungul jonctiunii care moduleaza injectia emitorului, I este intensitatea curentului total, iar In scurgerea de curent. Dimensiunile W si H care apar in text reprezinta aria de injectie a emitorului. Se poate presupune ca potentialul colectorului 1 , eel care se p r e s u p u n e a primi un curent mai mare In prezenta campului magnetic, este W / 2 < y < 0 , iar potentialul celuilalt colector V = V
2 J 0
= V
) 0
+ ci)
u2
pentru
- <I>u2 pentru 0<y< W / 2 . Diferenta de curent
intre cei doi colectori este:

ed>
i -
e4> i
I\ 12 = A / = /
I' 2 KT
- C 2 KT
= / sinh
(4.25)
2 AT
Expresia eficientei este atunci: A/ . . e0> i (4.26) n = = sinh I 2KT Pentru cazul unui tranzistor bipolar n - p - n , densitatea de curent J(0,y) poate fi modificatS
+
tinand s e a m a de dimensiunea finita a bazei, W .

B
KT
(4-27)
Prin dezvoltarea in serie MacLaurin a cotangentei hiperbolice, se obtine
ctnh
3L
_WJ_ 4 5 L;
(4.28)
70
din care, se retine doar primul termen, rezulta:
j(0,y)*-e " IV,

D n
"
-1
(4.29)
iar expresia corespunzStoare pentru potentialul <1> pentru tranzistorul bipolar n*-p-n devine:
L
n (0)B
p
(4.30)
N n (0)
A+ p
iar eficienta sa:

7
= ^sinh
^
1 +
(4.31;
fl
n (0
p
unde D poate fi Tnlocuit prin expresia (KT7q)n .

n n
DacS p r e s u p u n e m ca IStimea stratului de golire este [71]
,
0
^(v
-V)
^
+ D A
(4.32)
unde V este potentialul jonctiunii: pentru o jonctiune n -p ( N N ) , se poate scrie \2e_ 1 (4.33)
Se observS cS l scade cu cresterea lui N .

p A
In conditii de nivel mic de injectie, N n ( 0 ) eficienta va fi egala cu:

A p
AI
2/uBn {i)ll D )
p ii+ n
-2B(l +l) \j{i))

y n
n = * sinh
/
mare de injectie, n ( 0 )
p
sinh
W.N.
(4.34)
KTN
A
Pentru o densitate de curent fixatS, eficienta scade in timp ce N N , eficienta va fi:

A
creste. In conditii de nivel
(4.35)
/
ceea ce sugereazS ca la nivel mare de injectie eficienta este independents de curent. Faptul cS mobilitatea scade cu cresterea concentratiei de dopare a bazei, aratS de a s e m e n e a cS eficienta creste cu scSderea concentratiei acceptorilor, N . DacS tinem s e a m a de faptul cS
A
mobilitatea purtatorilor minoritari (electroni) u decat mobilitatea purtStorilor
in baza pentru structura n -p este mai mare

T
minoritari (goluri) in
bazS pentru
structura
p*-n,
eficienta
dispozitivului n*-p-n ar trebui sS fie mai mare In comparatie cu structura p*-n-p pentru operarea la nivel mare de injectie. Este important de identificat exact mecanismul dominant al sensibilitStii magnetice la un anumit dispozitiv, pentru a-i putea creste eficienta
Autor Manoara Avram
71
transconductiei si a-i optimiza parametrii operationali. DupS c u m s-a observat si mai sus atat Tn cazul simularii cat si eel al modelSrii teoretice, aplicarea unui c a m p magnetic are ca efect modificarea distributiei de c a m p si potential (Fig. 4.27).
04 dp
Fig.4.27. Liniile de camp i suprafetele echipotentiate intr-un semiconductor de tip n, aflat sub influenta campului magnetic perpendicular pe suprafata semiconductorului
ft ^ \ij
ill
&
Fig. 4.28. Efectul de modulare al injectiei emitorului prin efect Hall in baza, campul magnetic fiind perpendicular pe suprafata semiconductorului
DacS baza este polarizata prin douS contacte Bi si B2, atunci emitorii magnetotranzistorului din figura 4.28 se vor afla la potentiale diferite, date de campul electric transversal. DacS d este distanta dintre cei doi emitori, I distanta dintre cele douS contacte B1 si B , iar
2 2
diferenta de potential dintre cele doua contacte de baza, atunci diferenta de potential dintre cei doi emitori va fi data de:
K2
UH = EHd = j-fA
n
Bd
(4.36)
fiind direct proportionals cu cSderea de tensiune pe bazS, cu mobilitatea purtStorilor majoritari din bazS, cu distanta dintre cei doi emitori si cu inductia m a g n e t i c s . DacS cei doi emitori sunt polarizati de o sursS d e curent ce injecteazS curentul l :
0
! =i = e I =l = e 2
1
2kT
ILJL
2kT
(4.37)
iar sensibilitatea dispozitivului va fi datS de:
AI
I
= sinh
I,-L L
. .(
qV
l2
2kT-l
(4.38)
72
asemSnStoare expresiei (4.35). Ca si Tn cazul de mai sus, acest dispozitiv prezintS o bunS liniaritate si se pot face urmStoarele observatii: 1. De aceasta data sensibilitatea este controlata de mobilitatea purtatorilor majoritari Tn bazS, si nu de cea a purtStorilor minoritari injectati. 2. Sensibilitatea poate fi modificatS cu ajutorul diferentei de potential aplicatS Tntre cele doua contacte de bazS. 3. Dispozitivul analizat este sensibil la cSmpuri magnetice perpendiculare pe suprafata semiconductorului. In figura. 4.29 se prezintS un magnetotranzistor analog pentru campuri magnetice paralele cu suprafata semiconductorului. 4. RSspunsul Tn frecventa al magnetotranzistorilor care se bazeaza pe efectul modulatiei injectiei emitorului depinde de viteza cu care se instaleaza campul Hall si este invers proportional cu dimensiunea transversals a dispozitivului. Deoarece sensibilitatea este direct proportionals cu d, produsul dintre sensibilitate si banda de raspuns Tn frecventS este aproximativ constant, frecventa maximS la care dispozitivul rSspunde scSzand odatS cu cresterea sensibilitStji. Acest neajuns poate fi eliminat cu ajutorul configuratiei de magnetotranzistor din figura 4.30. In acest caz, norul purtStorilor minoritari injectati Tn bazS de cStre emitorul, numit filament, se Tmparte Tntre cei doi colectori.
Fig. 4.29. Cofiguratie dual a de magnetotranzistor care se bazeazS pe modulatia injectiei emitorului indusi de efectul Hall in baza, campul magnetic fiind paralel cu suprafata semiconductorului
tyf=
ltd3
Fig.4.30. Configurape de magnetotranzistor cu colector dual care se bazeaza pe efectul de rotatie a norului de purtatori minoritari injectati in baza. Campul magnetic este perpendicular pe suprafata seminnnductorului Aplicarea unui c a m p magnetic duce la rotatia filamentului cu un unghi a cSrui tangents este: (4.39)
73
rezultand o TmpSrtire diferita a curentului intre cei doi colectori. Sensibilitatea acestui dispozitiv este aproximatS de formula:
2q>
2u-B
(4.40)
unde i ' reprezintS unghiul solid al norului electronic. In cazul unui gradient mare de potential in bazS, se pot realiza unghiuri * mici, de cateva grade, si deci o sensibilitate relativ buna. 4.4.2. Modularea grosimii bazei (efect Early)
Grosimea bazei este d e p e n d e n t a de tensiunile aplicate prin modificarea IStimii regiunilor de sarcina spatiala a celor doua jonctiuni. Efectul de modulare a grosimii bazei este, deci, bilateral si se studiazS in d o u a situatii [69]: 1. Modificarea grosimii bazei datorita tensiunii VBC, pentru V B E = constant, cunoscutS sub numele de efect Early si 2. Modificarea grosimii bazei datorita tensiunii V E . pentru V c = constant, cunoscuta
B B
sub numele de efect Late. Modelul presupune o d e p e n d e n t s liniarS a curentului de colector, l , de tensiunea colector c
emitor, V E , iar extrapolSrile caracteristicilor se considers convergente Tntr-un punct (-V ) pe

C A
axa tensiunii. Aceste aproximSri au la bazS o d e p e n d e n t s liniarS a grosimii bazei de tensiunea aplicatS jonctiunii colector - bazS, W ( V c )
B
W(V ) = W(0)(1+V /V )
B C B C A
(4.41)
u n d e W ( 0 ) este grosimea bazei la V regimul activ n o r m a l , iar V uzualede4050V.

A
B C
= 0. limita de separare dintre regimul de saturatie si
este un p a r a m e t r u de model numit tensiunea Early, cu valori
In cazul magnetotranzistorului microprelucrat, baza este reprezentatS d e stratul epitaxial, de s u b care se corodeazS anizotrop substratul de siliciu. O problems importantS Tn procesul de fabricare este controlul adancimii de corodare, care este deosebit de dificil. O blocare
insuficientS a corodSrii poate d u c e la o subtiere a stratului epitaxial. Influenta subtierii stratului epitaxial asupra performantelor magnetotranzistorului se poate v e d e a Tn tabelul d e mai j o s , pentru magnetotranzistorul microprelucrat Tn comparatie cu magnetotranzistorul cu
suprimarea injectjei laterale (SSIMT).

Magnetotranzistorul lateral Grosime strat epi (^m) lc(mA) Is(mA) N, S (mAT )
a 1
SSIMT 104 1,11 7.30 0,15 0,98 0,44
10,4 4,28 0.35 12,1 2,22 C 27
8,4 2,98 0,27 19,1 3,28 0,55
s,
"4
Valorile din tabel sunt calculate pentru un curent de bazS l emitor VCE -5V.
= 5 m A si o tensiune colector -
N =!fr
(4.42)
s
este raportul semnal - zgomot, l , Is si l sunt curentii de colector, substrat si respectiv baza.
c B
AlC l-> r
(4.43)
reprezinta sensibilitatea absolute, iar \ (4.44)

c
2/
sensibilitatea relativa a senzorului la prezenta campului magnetic. Din tabelul de mai sus, se observe influenta semnificativa a grosimii bazei asupra raspunsului senzorului, cu o crestere considerabite a sensibilitetii magnetice pentru straturi epitaxiate subtiri. Micsorarea dimensiunilor verticale ale bazei, astfel Incat adancimea bazei sS fie mai micS decat lungimea de difuzie a purtetorilor minoritari, este o conditie imperios necesara pentru obtinerea unui dispozitiv sensibil la prezenta campului magnetic. Plasarea unui
obstacol geometric in calea purtatorilor minoritari injectati de emitor faciliteaza despicarea fluxului purtatorilor in c o m p o n e n t e separate: stanga, dreapta si, posibil, central.
4.4.3.
Influenta recombinarii de suprafata
Un alt efect important care apare la indepartarea substratului este puternica recombinare de suprafata care apare pe partea corodata a stratului epitaxial; datorite calitatii proaste a suprafetei, timpul de viata al purtatorilor scade drastic [70]. Astfel, lungimea de difuzie a purtetorilor minoritari in bazS scade de a s e m e n e a , rezultand un cstig in curent mic al tranzistorilor laterali si implicit o degradare a caracteristicilor de iesire. A m analizat efectul recombinarii de suprafata asupra comporterii dispozitivului prin repetarea simuterilor
structurilor de magnetotranzistori microprelucrati cu diverse viteze de recombinare, variind intre 10-10

4
cm/s. Valorile acestora
depind puternic de procesul

n D
tehnologic.
Pentru
suprafata de foarte buna calitate vitezele de recombinare sunt: v v
= 10cm/s. in timp ce
pentru suprafetele rugoase, cu densitate mare de defecte, valorile tipice ale vitezelor de recombinare sunt de ordinul v v
n p
= 10
- 1 0 c m / s . Pentru viteze de recombinare v * v

5 n
>
10 cm/s,
5
datorite
saturarii,
efectele
recombinarii
de
suprafata
determina
caracteristici
asimptotice ale dispozitivului. Curentii de colector si de substrat scad cu cresterea vitezei de recombinare. Vitezele superficiale de recombinare mai mici de 100 cm/s nu au influente perceptibile asupra castigului in curent.
75
4.4.
Magnetotranzistorii bipolari vertical!
Fig.4.31. Magnetotranzistor bipolar vertical dublu colector cu stratul ingropat despicat
In figura 4.32 se arata un ex em plu de structura de magnetotranzistor

B
bipolar
vertical
realizat bipolare
Tn Tn
tehnologia
circuitelor
integrate
laboratorul nostru si care constS din doi tranzistori n-p-n cuplati printr-un emitor c o m u n si o baza comunS, iar Tn figura 4.31 se arata o sectiune transversals printr-o structura magnetotranzistor bipolar vertical. Inductia magnetica B trebuie sa fie perpendiculars de pe
curentul purtStorilor minoritari, si deci paralelS cu planul structurii. Purtatorii minoritari sunt injectati din regiunea puternic dopatS a emitorului. tree prin regiunea mai putin adancS a bazei si ajung la colectorul reprezentat de stratul epitaxial care este putin dopat, u n d e ei devin purtatori majoritari. Aici, curentul se despicS Tn douS parti, fiecare ajungand la unui din cele douS straturi Tngropate. In absenta campului magnetic si la o simetrie perfects a dispozitivului, cele douS parti primesc acelasi curent, l i = Ic2 = W 2 ,
C
unde l
c o
este curentul total de colector
Tn absenta inductiei magnetice.
Fig. 4.32. Fotografia structurii magnetotranzistoului bipolar vertical realizat in tehnologie bipolara
Forta
Lorentz
curbeazS
traiectoria Tn stratul
purtStorilor epitaxial,
| -
>jm
injectati Tn bazS si implicit
d e t e r m i n a n d o diferentS a curentului de colector A\ = lei - 'c2-
DatoritS drumului scurt Tn
regiunea bazei, a v e m de-a fac e Tn principal cu deflectia purtStorilor majoritari Tn stratul epitaxial. Diferenta dintre curentii de colector Tn prezenta campului magnetic este [72]: Ale = G u ( L / W ) l B ,
n E C 0
(4.45)
E
unde L este distanta emitor-colector, W
IStimea emitorului, iar G este un factor geometric,
care este aproximativ unitar Tn conditiile Tn care L W E . Sensibilitatea relativS a magnetotranzistorului bipolar se defineste ca
76
S = |AloflcoB|, sau prin inlocuirea relatiei 4.45 Tn relatia 4.46 se obtine

S = GML/WE)
(4.46)
(4.47)
4.5.
Magnetotranzistori
bipolari
laterali
In figura 4.33 se arata un exemplu de structura de magnetotranzistor bipolar lateral p-n-p. dublu colector, realizat Tn tehnologia circuitelor integrate si care este caracterizat printr-o regiune a bazei mare unde purtatorii minoritari curg lateral de la emitor la colectori. In contrast cu magnetotranzistorul bipolar vertical, aici apare Tn principal deflectia purtatorilor minoritari Tn regiunea bazei. Emitorul si cei doi colectori sunt Tnglobati Tn stratul epitaxial, care serveste ca regiune a bazei. Cele douS contacte de bazS n* se folosesc pentru a produce un camp de accelerare de-a lungul regiunii bazei. Datorita potentialului de accelerare, cea mai mare parte a purtatorilor minoritari injectati Tn emitor sunt directionati spre cei doi colectori si numai o micS parte se scurge Tn substrat. Acest dispozitiv este sensibil la campuri perpendiculare pe suprafata structurii dispozitivului. magnetice
Fig. 4.33. Fotografia structuii unuia dintre primii magnetotranziston bipolari laterali pe care i-am realizat dupa un protect original.
si'BS Fig.4.34. Sectiune transversals printr-un magnetotranzistor bipolar cu suprimarea injectiei laterale(SSIMT)
SUBS
Un model rafinat de
magnetotranzistor
bipolar lateral este eel a carei sectiune transversala, asa cum este el proiectat Tn tehnologie bipolara [76], este aratat Tn figura 4.34. Doi tranzistori p-n-p Impart acelasi emitor si aceeasi baza\a bazei este definita de stratul epitaxial. Un inel de garda puternic dopat n* Tnconjura emitorul pentru a preveni injectia laterala a purtatorilor minoritari din emitor Tn baza. Acesta face ca dispozitivul sS fie mult mai sensibil la prezenta campului magnetic paralel cu
suprafata cipului si perpendicular pe planul desenului. Prin alimentarea inversS a jonctiunii emitor-inel de gardS, injectia purtatorilor poate fi concentrata in centrul jonctiunii emitor-bazS. Simultan se formeaza un c a m p de accelerare intre inelul de gardS si contactele de b a z a . Toate aceste efecte mSresc rSspunsul la prezenta campului magnetic. In termeni de deflectie Lorentz. explicarea intuitive a operSrii acestui tip de dispozitiv este urmStoarea: purtatorii minoritari sunt injectati de emitor in regiunea bazei. Aici, curentul se despicS in trei pSrti. In absenta campului magnetic, cantitSti egale de purtatori minoritari ajung la cei doi colectori, a treia parte fiind colectatS de substrat, care actioneaza ca un colector aditional. In prezenta campului magnetic, are loc o dubIS deflectie. dupS cum urmeazS. 1. Curentul de substrat este deflectat de forta Lorentz, si. in functie de sensul campului magnetic, el se adunS la curentul colectorului din stanga sau din dreapta. 2. Scurgerile laterale ale curentilor de colector sunt deflectate spre substrat sau spre colector A m b e l e tipuri de deflectie coopereazS la mSrirea sensibilitStii i n prezenta campului magnetic, care poate ajunge mai mare de 2 mA/T pentru structuri de magnetotranzistori bipolari laterali pnp. Toate structurile de magnetotranzistori bipolari laterali c o n d u c la aceeasi curenti de baza mari, de cativa mA, castigul lor In curent fiind foarte mic, p 1, din trei motive: 1. Latimea efectivS a bazei fiind destul de m a r e , ea depSseste lungimea de difuzie a purtatorilor minoritari si astfel mai putini purtatori ajung la colector. 2. Substratul actioneaza ca un colector aditional. Dimensiunea verticals a
magnetotranzistorului bipolar lateral este definit d e grosimea regiunii bazei, care este mult mai micS decat extensia lui laterals. Astfel, un tranzistor vertical este mult mai eficient decat unui lateral. 3 . In cazul magnetotranzistorului bipolar lateral cu suprimarea injectiei laterale, de tipul celui arStat In figura 4 . 3 4 , inelul de gardS puternic dopat din jurul emitorului reduce eficienta emitorului, si in consecintS castigul in curent. Pentru magnetotranzistorii bipolari laterali de sensibilitate mare si In particular pentru
magnetotranzistorii bipolari cu suprimarea injectiei laterale devine inutilS relatia ( 4 . 4 7 ) pentru determinarea sensibilitStii, d e o a r e c e ea neglijeazS curentul de substrat care are o contributie importantS la mSrirea diferentei curentilor de colector, A l , care apare In prezenta campului
c
magnetic,
si deci
are
contributie
importantS
la
mSrirea
sensibilitStii
acestui
tip
de
magnetotranzistor [ 7 4 ] . Pentru aceste tipuri de dispozitive relatia de calcul a sensibilitStii este urmStoarea:
S =
T
|- |5I /<B|
1 C
=O
(4.48)
unde I = l
- l
= lc
Is este curentul total de alimentare al magnetotranzistorului. Relatia
( 4 . 4 8 ) se poate folosi pentru calculul sensibilitStii magnetotranzistorului bipolar vertical din
7S
figura 4.34, care are castigul Tn curent p 1 si curentul de substrat, Is, neglijabil, astfel meat lc : l . Relatia (4.41) este preferabila pentru magnetotranzistorii bipolari laterali cu
E T
si S
S . In termeni de S . valorile sensibilitatilor magnetotranzistorilor bipolari laterali si verticali sunt de acelasi ordin de marime. Influenta curentului de substrat va fi discutata Tn continuare. Au fost investigate diverse metode de reducere a curentului de substrat pentru
magnetotranzistorii bipolari cu suprimarea injectiei laterale (fig.4.34). In tehnologia bipolara a circuitelor integrate se poate folosi stratul Tngropat pentru a suprima tranzistorul vertical care apare Tntre emitor, baza si substrat. Aceasta structure maYeste raportul dintre curentul de colector si eel de substrat cu mai mult de un ordin de marime. Sensibilitatea, totusi, scade cu un ordin de marime, datorita doparii puternice a stratului Tngropat, dar acesta determine o cale de rezistenta scazuta Tn regiunea bazei, reducand caderea de potential si, deci, deflectia curentului. O alta posibilitate este scurtarea latimii bazei laterale, cu cresterea curentului de colector pe s e a m a curentului de substrat. Intr-adevSr, castigul Tn curent si curentul de colector este invers proportional cu patratul IStimii bazei, dar sensibilitatea scade liniar cu scaderea dimensiunilor laterale. Optimizarea amandoura, Tn vederea obtinerii simultane a unei
sensibilitati mari si a unui curent de substrat mic, pare inutila. Mai mult, prin micsorarea dispozitivului folosind un minim de reguli de proiectare. se poate pastra o sensibilitate rezonabila atata timp cat creste raportul l /l.s- O alta metoda
c
de a elimina
prezenta
tranzistorului vertical care apare Intre emitor, baza si substrat este introducerea unui strat Tngropat izolator de S i 0 .
2
4.6.
Proiectarea
magnetotranzistorilor
bipolari
Senzorul magnetic bipolar pentru camp paralel cu suprafata al carui layout este prezentat in figura 4.35 este proiectat Tn tehnologie bipolara standard. Se c o m p u n e dintr-o pereche de tranzistoare npn verticale identice orientate antisimetric a Cciror baze sunt realizate din cate douS difuzii de adancimi diferite. Fiecare din cele doua tranzistoare este compus practic din cate doua structuri conectate Tn paralel. Unica diferenta dintre ele constS Tn grosimea si concentratia de impuritati din interiorul bazei. Diferenta de latime a bazei determine o
diferenta de factor de amplificare. In conditii de echilibru, la polarizare identica (emitorul la potential pozitiv - V+, generator de curent Tn baza - IB. si colectorul la masa), tranzistoarele fiind identice se comporta la fel, diferenta de curent de colector fiind teoretic nuia. La aparitia unui c a m p magnetic B paralel cu suprafata si perpendicular pe axa longitudinala a
structurii are loc o interactiune Tntre acesta si campul electric generat de polarizarea colector - emitor V C E = V + . Rezultatul acestei interactii este un camp electric perpendicular pe planul celorlalte doua, paralel cu axa longitudinala a structurii. Baza, fiind polarizata prin generator de curent, are un potential flotant dictat de potentialul fix al emitorului si de tensiunea de deschidere a jonctiunii emitor - baza. Deoarece contactul pe baza este prevSzut numai Tn
79
centrul structurii, datorita efectului rezistiv al stratului pe de o parte si campului Hall pe de alta parte, se produce un gradient de potential Tn baza, Tn lungul dispozitivului. C a m p u l Hall afecteaza diferit cele doua jurrteteti ale structurii Tn sensul c a pentru o j u m a t a t e favorizeaza deschiderea suplimentara a jonctiunii emitor b a z a , Tn timp ce pentru cealalta jumatate
favorizeaza blocarea ei. Acest gradient de potential genereazS potentialul flotant al bazei si este fixat doar Tn centrul structurii. Proiectarea magnetotranzistorilor bipolari cu doua baze s-a facut cu respectarea regulilor de proiectare pentru circuite integrate bipolare adaptate procesului tehnologic standard de
realizare a circuitelor integrate cu tranzistoare dublu baza. Acest proiect este realizat prin optimizarea proiectelor magnetotranzistorilor bipolari prezentati mai sus. Acesta este un
proces care utilizeazS 8 rrtesti, avand urmatoarele denumiri si coduri Tn etapele succesive ale procesului de fotogravura: Masca M 1 , strat Tngropat, c o d S I ; Masca M 2 , turn de izolare, c o d IZ; M a s c a M3, baza groasa\d B H ; Masca M 4 , baza subtire, c o d BL; Masca M 5 , emitor, c o d E M : M a s c a M6, contacte, cod C T ; Masca M7, metalizare, c o d M E ; M a s c a M 8 , pasivare, c o d OP. Ca o conditie de ordin general, s-a avut Tn primul rand Tn vedere asigurarea garzilor Tntre ferestrele de difuzie pentru baza, si ferestrele de difuzie pentru emitor si de plusare pentru contactul de colector. Astfel, distanta minima Tntre difuzia de baz si cea de emitor este de 4 p m , Tntre difuzia de baza si cea de plusare pentru contactul de colector de 18 p m , iar Tntre fereastra de emitor si cea de colector pe m a s c a de difuzie a emitorului de 26 p m . A c e s t e valori ale garzilor asigura obtinerea tensiunilor de lucru colector-baza\r emitor bazS Tn limitele necesare strapungerii jonctiunilor si prevenirea minimizarea
si impuse de foaia d e catalog si asigura
la valori mici ale tensiunilor de alimentare. Pentru
efectelor parazite. zona activa a senzorului. amplasata Tn zona centraia, este strict delimitate si izolate de restul cipului prin intermediul unui zid izolare de tip p. Acesta este realizat printr-o difuzie a d a n c a . de c o n c e n t r a t e foarte mare, astfel meat patrunde Tn Tntregime stratul epitaxial pana la substrat si f o r m e a z a de jur Tmprejurul structurii active o jonctiune p-n invers polarizata si o izoleaza de celelalte elemente de pe cip. Turnuri de izolare sunt prevazute de a s e m e n e a , Tn jurul fiecarui p a d , pentru eliminarea cuplajelor capacitive Tntre terminale si fate de substrat. Latimea turnurilor de izolare este d e 10 p m . Proiectul prevede de a s e m e n e a , accesul la substrat prin intermediul padului d e contactare a substratului, a m p l a s a t Tn partea dreapte a structurii. Dimensiunile cipului sunt de 1520 x 1020 p m , structura fiind proiectata Tntr-o
2
c o n f i g u r a t e simetrica, avand zona activa cu dimensiunile de 564/288 urn a m p l a s a t a Tn centru, iar padurile de alimentare, iesire si testare a m p l a s a t e perfect simetrie Tn zona perifericei a cipului. Pentru definirea zonei intercip, Tn conformitate cu specificul procesului de fotogravura pentru fiecare etapa tehnologica, au fost configurate cadre pe rrtestile: M3 (difuzie b a z a groasa), M4 (difuzie baza subtire), M5 (difuzie emitor), M6 (deschidere ferestre pentru
SO
contacte) si M8 (deschidere ferestre Tn oxidul de pasivare, pentru contactele de paduri). Masca M1 (deschidere ferestre de difuzie a stratului Tngropat) nu are figurat cadru si de a s e m e n e a , nu au cadru nici mastile M2 (difuzie de izolare) si M7 (metalizare), care, datorita particularitatilor procesului de mascare din aceste etape ale procesului tehnologic, realizate Tn polaritate negative! fata de celelalte masti. sunt
Fig. 4.35. Setul m&stilor suprapuse ale structurii diferentiale cu tranzistor n-p-n vertical cu doua baze
i.i.u.ui.Ai4irarMF
u.
*
1
Ic = 1mA lb = 0.8mA Vce = 5V
lixkictie nnyietica (mT)
Ic= 1mA lb = 0,8mA Vce = 5V 100 150 200 Induct ie iragnetica (mT)
Fig. 4.36. (a). Structunle a doi magnetotranzistori bipolari laterali (unui in partea de sus i altul in partea de jos) realizati. (b) Variatia diferentei de curent de colector Al in functie de inductia magnetica pentru magnetotranzistorul din partea supenoara a figuni (a). Sensibilitatea relativa este S = 0.11 (1/T) . (c) Variatia diferentei de curent de colector Al in functie de inductia magnetica pentru magnetotranzistorul din partea inferioara' a figurii (a). Sensibilitatea relativa este S = 0.15 (1/T)
c c
si
S c h e m a de a n s a m b l u a layout-ului senzorului a fost gandita Tn sistem modular, astfel ca pentru elementele c o m p o n e n t e similare Tntre ele, au fost proiectate layout-uri Tnregistrate Tn celule distincte care au fost Tn final utilizate la realizarea layout-ului general prin a s a m b l a r e a lor. In figura 4.36 se poate vedea o fotografie a structurii magnetotranzistorului realizat si sensibilitatea lui Tn functie de inductia m a g n e t i c a .
4.7.
Tehnologie de realizare p-n cu doua baze
a magnetotranzistorilor
bipolari
n-
Senzorul de c a m p magnetic cu structure integrate de tranzistor n-p-n se realizeaza pe plachete de siliciu tip p, cu orientare cristalografica (100), iar fluxul tehnologie de realizare al senzorului se bazeaza pe tehnologia bipolara pentru circuitele integrate. Initial, pe substratul de siliciu se creste un strat gros de bioxid de siliciu Tn care, dupa fotogravare, se realizeaza stratul Tngropat prin difuzie de stibiu. Dupa dezoxidarea totals, placheta d e siliciu se
epitaxiaza si apoi. d u p a
oxidare termica si fotogravura, se realizeaza turnurile d e izolare. In
fazele urmatoare ale procesului, se realizeaza bazele si emitorul prin difuzie de bor si respectiv de fosfor, dupa care se realizeaza contactele pentru paduri si traseele de metalizare ale interconexiunilor pe cip. iar Tn final, pe Tntreaga plachete se creste un strat gros de oxid pirolitic pentru pasivarea structurii. Instructiunile tehnologice contin urmatoarele elemente
caracteristice: Se folosesc plachete de siliciu de rezistivitate 8 - 1 2 Q c m d o p a t e cu bor, care se oxideaza Tn atmosfera d e 0

2
+ vapori H 0 (Xo 1,1 p m ) Tn vederea realizarii stratului

2 X
Tngropat. Prin tehnica fotolitografica se deschid ferestre Tn oxid cu ajutorul mastii M1(SI). In aceste ferestre se difuzeaza stratul Tngropat prin tehnica oxizilor dopati Tn d o u e t a p e predifuzie Tn amestec 2 0 % O Tn N , difuzie Tn a m e s t e c 5 % 0
2 2 2
Tn N - pana la o a d a n c i m e d e 9
2
- 1 0 p m si rezistivitate 9 - 11 Q c m ( C
= 1 0 c m " ) . In oxidul d e strat Tngropat se deschid

19 3
ferestrele pentru predifuzia de izolare (masca M2). Predifuzia de bor se realizeaza astfel meat sa se obtina o rezistivitate de 1,5 Q c m . Plachetele se d e z o x i d e a z a si se creste un strat epitaxial de tip n de grosime 18 - 20 p m si rezistivitate de 20 - 25 Q c m . Se oxideaza la T = 1050C (Xo = 1100nm) Tn vederea realizarii oxidului de m a s c a r e pentru etapa a doua a
X
realizarii zidului de izolare. Cu ajutorul mastii M2 se redeschid ferestrele pentru difuzia de izolare a insulelor de c o m p o n e n t e . Se execute o noua predifuzie de bor cu parametrii mai sus mentionati. Se realizeaza apoi difuzia de bor simultana a celor doua zone predifuzate anterior Tn d o u a etape, prima pana la o adancime de aproximativ 8 p m , cea de a doua coincizand cu difuzia de baza. Rezistivitatea finala a stratului de bor se estimeaza la 8-10 Q c m . Plachetele se dezoxideaza si reoxideaza pirogenic in atmosfera de 0 + v a p o r i de apa, ceea ce permite
2
obtinerea unui strat de S i 0
de buna calitate, Tn care se deschid fotolitografic, cu ajutorul
mastii M 3 , ferestrele pentru prima difuzie de bor pentru baza puternic dopate. U r m e a z a un nou proces de mascare cu masca M4, dupa care are loc difuzia de bor pentru baza slab
82
dopate. Bazele, colectorii si emitorii se realizeaza in doua etape: predifuzie si difuzie, obtinandu-se In final o adancime x
B
= 3,5 p m si V/l = 8 - 10 Q. Cu masca M5, prin tehnica
fotolitografica. se deschid ferestre In oxid pentru realizarea emitorilor si a contactelor de colector. In aceste ferestre se execute o difuzie de fosfor tot In dou etape (predifuzie in atmosfera de N + 0
2 2
+ sursa de dopare - si difuziune), obtinandu-se x = 2,7 - 2,8 p m si V/l =

E
3 - 4 Q. In oxidul crescut la difuzia de baza si emitor, cu masca M6, se deschid ferestrele de contactare a componentelor realizate pe cip. Pentru interconectarea componentelor se
d e p u n e un strat de metal (TiAl) de grosime - 1 , 6 p m in care se definesc traseele de conexiune cu ajutorul ntestii M7. Stratul de Al se sinterizeazci pentru obtinerea de contacte ohmice in amestec de N2+H2. Plachetele se acopete cu un strat de oxid depus prin sistemul C V D la presiune atmosfericci din sursS de silan+02+fosfina pentru protectie. Oxidul de pasivare
format are urmatoarea c o n f i g u r a t e in functie de concentratia de dopant: 0,2 p m nedopat, 0.6 p m dopat cu P aprox 7,5%, 0,2 p m nedopat. In oxidul de pasivare, cu ajutorul mastii M8. se deschid ferestre de contactare in zonele de lipire a terminalelor (paduri). Caracterizarea electrica se face prin masurarea principalilor parametri ai urrrtetoarelor componente:
tranzistorul n-p-n vertical, tranzistorul p-n-p lateral, tranzistorul p-n-p de substrat, dioda Zener, rezistorul difuzat din difuzie de bor (baza). Caracterizarea electric^ s-a efectuat prin
ntesurarea principalilor parametri ai componentelor tranzistoarelor n-p-n verticale.
Fluxul
prezentat reprezinta varianta optima din punct de vedere al minimizarii nivelelor de mascare prin care se realizeaza senzorul magnetic in tehnologie bipolara. Tabelul de mai jos prezinta sintetic toate etapele fluxului tehnologie, fmpreuna cu procesele si operatiile care se execute In fiecare etapS a fluxului, iar In figura 4.37 sunt ilustrate etapele acestui flux. Tabelul 4.1 Fluxul tehnologie pentru realizarea senzorului magnetic cu structura de tranzistor dublu baza Nr.crt Proces tehnologie Observatii 1 2 3 4 5 6 7 8 10 11 12 13 Formare lot Oxidare initiala Fotogravura M1 Indepartare fotorezist Predifuzie strat ingropat Dezoxidare partiala Difuzie strat ingropat Dezoxidare totala Oxidare turnuri de izolare Fotogravura M2 Indepartare fotorezist Predifuzie turnuri de izolare 1100C V/l = 1,1 - 1,50 30minO +24hN -1200 C
2 2 u
n-p-n
1065C, grosime 1,2pm Strat Ingropat
Sb 0
2
V/I = 9 - 1 5 Q
2 min HF concentrat 1065C, grosime 0,8pm Turnuri de izolare
14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47
Deglazurare turnuri de izolare Dezoxidare partiala Difuzie turnuri de izolare Dezoxidare totala Masurarea tensiunii de izolare Crestere strat epitaxial Oxidare baza groasa Fotogravura M3 Indepartare fotorezist Dezoxidare partiala Predifuzie baza groasa Deglazurare baza groasa Difuzie baza groasa Oxidare baza subtire Fotogravura M4 Indepartare fotorezist Dezoxidare partiala Predifuzie baza subtire Difuzie baza subtire Fotogravura M5 Indepartare fotorezist Dezoxidare partiala Predifuzie emitor Difuzie emitor Fotogravura M6 Metalizare Fotogravura M7 Indepartare fotorezist Sinterizare Al Depunere oxid de pasivare Fotogravura M8 Indepartare fotorezist Lepuire mecanica si chimica Metalizare spate
30min 650 C
U
8 min HF 5% 1200 C 4h 0
J 2
1,5min HF concentrat
1 2 - 1 5 urn; 10Q 1065C, grosime 1um Baza groasa
0,5 min HF 5% 950C V/l = 3 , 5 - 5 0

U
30min 650 C 1160C V/l = 8 - 1 0 0 1065C, grosime 1u Baza subtire Emitor
0,5 min HF 5% 1025C V/l = 1 6 . 5 - 1 7 , 5 0
965C 20min V/l = 48 - 5 4 0 Emitor
0,5 min HF 5% 1025C V/l = 1 , 6 - 1 , 9 0
965C 20min V/l = 4 , 6 - 4 , 7 0 Deschidere contacte Al 1,2

M
Trasee metalizare
450C 30 min N H
2
CVD P 0
2
0,7um
Paduri
N4
Microsenzon magnetoelectronici Fig.4.37. Flux tehnologie de realizare a magnetotranzistorului n-p-n bipolar cu doua baze o Oxidare initiala o Fotogravura M1. deschidere ferestre de difuzie pentru strat ingropat o Difuzie strat ingropat o Fotogravura M2 i difuzie turnuh de izolare o Epitaxie n o Fotogravura M2 i difuzie turnuri de izolare o Fotogravura M3 i difuzie baza groasi o Fotogravura M4 si difuzie baza subtire o Fotogravura M5 i difuzie emitori si plusare contact de colector o Fotogravura M6. deschidere ferestre pentru contacte metalice o Depunere metal i fotorezist o Fotogravura M7. corodare metal o Fotogravura M8. deschidere ferestre padun in oxidul de pasivare
In figura 4.38 s-a reprezentat sensibilitatea magnetotranzistorului cu doua baze in functie de inductia magnetica, pentru diverse valori ale curentilor de polarizare a bazelor, iar in figura 4.39 s-a reprezentat sensibilitatea aceluiasi magnetotranzistor in functie de tensiunea baza colector pentru diverse valori ale curentului de emitor. In figura 4.40 s-a reprezentat grafic diferenta curentilor de colector in functie de inductia magnetica pentru diverse valori ale curentilor de polarizare a bazelor. In figura 4.41 se prezinta pin-out-ul magnetotranzistorului p-n-p din partea de sus a figurii 4.36.(a), iar in figura 4.42 se prezinta schema electronica echivalenta a aceluiasi
magnetotranzistor. In figura 4.43 se prezinta pin-out-ul magnetotranzistorului n-p-n din partea de jos a figurii 4.36.(a), iar in figura 4.44 se vede s c h e m a electronica echivalenta a aceluiasi magnetotranzistor. S-a observat din compararea rezultatelor masuratorilor obtinute pentru cei doi
magnetotranzistori, ca sensibilitatea la prezenta campului magnetic este mai mare pentru magnetotranzistorii cu emitor lung, iar offsetul mai mic s-a obtinut pentru magnetotranzistori fabricati pe substrat de siliciu cu orientare cristalografica (100).
Fig. 4.38. Sensibilitatea relativa masurata a magnetotranzistorului cu doua baze
n-p-n
Inductia magnetica (T)
Fig. 4.39. Sensibilitatea relativa masurata in functie de tensiunea baza - colector pentru diveri curenti de emitor. inductia magnetica 0,5 T, iar curentul de polarizare a bazei 1 mA
-18=0.2 m A -IB=0 4 m A 18=0 6 m A IB=0 8 m A . 18=1 m A -18=' : m A
Fig. 4.40. Diferenta curentilor de colector in functie de inductia magnetica pentru diversi curenti de polarizare a bazelor magnetotranzistorului
Inductia magnetica (T)
-TJD
-~LCD
{T>---
Fig. 4.41. Pin - out - ui magnetotranzistorului prezentat in partea superioara a figurii 4.36 (a)
Fig.4.42. Schema electronica echivalenta a magnetotranzistorului prezentat in partea superioara a fig.4.36. (a).
86
Microsenzon magnetoelectronici v
+
Fig. 4.43. Pin-out-ul senzorului prezentat in partea infenoara a fig. 4.36.(a)
Fig.4.44. Schema electronica echivalenta a magnetotranzistorului prezentat in partea inferioara a fig.4.36. (a).
T E N S I U N E A DE O F S E T A M A G N E T O T R A N Z I S T O R I L O R LATERALI IN MONTAJ DIFERENTIAL
Pentru un senzor magnetic, tensiunea de offset se manifests in general la iesirea acestuia in cazul cand acesta este polarizat. Pentru un senzor privit ca o punte rezistivS, acest offset
este datorat micilor diferente dintre cele patru ramuri ale punt,ii si se manifests n u m a i ca un decalaj d e iesire al dispozitivului. Problema offsetului este mult mai c o m p l e x a , atat ca definire cat si din punctul de vedere al comportamentului in cazul senzorilor formati cu tranzistoare verticale sau laterale in montaj diferential [87. 91]. In acest caz offsetul perceput pentru etajul diferential este diferenta tensiunilor baza emitor ale celor douS tranzistoare, ce poate fi generate atat de diferentele celor douS difuzii cat si de asimetria generals a Tntregului dispozitiv intre cele douS tranzistoare : zone de contact ale regiunilor difuzate, treceri cu metal peste regiunile difuzate, mici imperfectiuni in orientarea retelei cristaline etc. Offsetul real este puternic influentat si de offsetul de iesire al celor doua tranzistoare, acesta din urirte rezultand din diferentele accidentale dintre cele doua c o m p o n e n t e ale etajului diferential, care conduc la o neliniaritate a tensiunii de offset la iesire in functie de offsetul intrSrilor: V * V , * A v o D D
C o m p o r t a m e n t u l la iesire influenteaza offsetul global in ambele directii. amplificand insS in ambele cazuri valoarea sa absolute; se poate ajunge chiar pana acolo incat valoarea
offsetului sa fie mai mare decat deviatia magnetica utilS nominalS pentru o anumitS valoare de camp magnetic. In acest caz problema este, ca si in cazul offsetului nul, simetria
mSsurStorilor:
I V ( B ) - VOFFSETI =IV(-B)-V FFSET
0
DacS exista aceastS relatie intre cele douS mSsurStori, practic se poate modifica sistemul de referintS astfel incat valoarea noului decalaj sS fie zero, iar valoarea absolutS a mSsurStorii V ( B ) = V ( B ) - VOFFSET offset trebuie = V ' ( - B ) . A c e a s t a este c o m p e n s a r e a decalajului, dar tensiunea de pentru a-i fi cunoscutS existenta si valoarea. Caracteristicile
mSsuratS
87
magnetice se analizeaza dupa c o m p e n s a r e a tensiunii de offset. Valorile tensiunilor de offset masurate pe cei doi magnetotranzistori bipolari laterali din figura 4.36 sunt prezentate Tn tabelul 4.2, Tn stanga pentru tranzistorul de sus si Tn dreapta pentru eel de jos.
label 4.2.Tensiumle de offset pentru structuri de magnetotranzistori realizati pe substrat onentare cristalografica (100) i (111). si doua polarizari diferite: 150mV 4mA i WOrnV 1mA
Magnetotranzistor Fig. 4.36 (a) s u s Si (111) 150mV/4m A 69 73 32 52 6 37 3 12 58 14 100mV/1m A 28 20 12 42 28 46 14 17 15 37 Si (100) 150mV/4m A 0 3 6 8 7 3 1 1 2 0 100mV71 A 1 3 0 0 2 1 2 2 1 0 Magnetotranzistor Fig. 4.36 (a) jos Si (111) 150mV74m A 30 35 25 22 23 '5 19 39 37 40 100mV/1m A 20 20 33 24 10 25 24 17 21 21
de Si de
Si (100) 150mV/4m A 0 6 4 5 1 2 1 3 4 6 100mV/1m A 0 1 3 2 2 1 4 3 0 1
Pe langa o serie de parametri uzuali. (cum ar fi tensiunile de strapungere, curentii reziduali, curentii de alimentare), senzorii de c a m p magnetic integrati realizati Tn tehnologia circuitelor
Z Output
Fig. 4.45. Schema electrica echivalenta a circuitului de configurare externa a senzorului magnetic diferential realizat cu tranzistoare n-p-n
\"SS
integrate bipolare au si o serie de parametri specifici ca, de e x e m p l u , sensibilitatea, curentul si / sau tensiunea de decalaj. Caracterizarea electrica a senzorilor magnetici diferentiali
necesita, de obicei. o configuratie externa de polarizare atat a bazei cat si a colectorilor sau emitorilor. A v a n d Tn vedere valoarea mare a c o m p o n e n t e i de m o d c o m u n Tn comparatie cu cea diferentiala. pentru acuratetea masurarii, se impune o postprocesare a semnalului care elimina aceasta c o m p o n e n t a continua, astfel meat la iesire sa apara numai c o m p o n e n t a diferentiala. Etajele de polarizare p r e c u m si extractorul de curent - de mod c o m u n - pot fi Tnglobate Tntr-un singur circuit tampon de configurare externa a senzorului. Un e x e m p l u al unui a s e m e n e a circuit se prezinta Tn figura 4.45.
88
Semnalul d e iesire, care poate fi si de ordinul pV, este amplificat cu ajutorul unui amplificator de instrumentatie. La senzorii diferentiali, decalajul intre curentii sau tensiunile de iesire se masoara in absenta campului magnetic. MSsurarea sensibilitStii se face Tn prezenja campului magnetic transversal. Acesta se
genereazS cu ajutorul unei bobine cu miez magnetic Tn forma de C. Bobina este plasata Tn colectorul unui amplificator de semnal realizat cu un tranzistor n-p-n Tn conexiune cu emitor c o m u n , Tn baza cSruia se plaseaza un generator de s e m n a l . Blocul de generare a campului magnetic precum si amplificatorul de instrumentatie sunt prezentate Tn figura 4.46.
Fig. 4.46. Schema electronic^ de masura a parametrilor magnetotranzistorilor
bipolari
Semnalul amplificat obtinut la iesirea amplificatorului de instrumentatie poate fi citit direct cu un aparat de mSsura sau preluat de un sistem de achizitie de date Tn vederea testarii automate. Amplificatorul de instrumentatie prezinta doua intrari diferentiale cu impedanta foarte mare, notate cu + (intrarea neinversoare) si respectiv cu - (intrarea inversoare).
Caracteristica de atenuare a semnalului de mod c o m u n micsoreaza efectul buclelor de m a s a , varfurile semnalelor de curent alternativ ce pot sa apara pe alimentare, precum si erorile datorate zgomotului indus. Amplificatoarele de instrumentatie sunt folosite Tn special pentru masurarea semnalelor de nivel mic, cum este si cazul senzorilor de camp magnetic realizati pe suport semiconductor. Pentru a pastra acurateta masuraiorii semnalelor Tn diverse g a m e de lucru, dar si pentru ca masuratorile sa nu influenteze sursa de semnal s-au folosit amplificatoare de instrumentatie integrate cu amplificatoare programabile prin soft astfel Incat impedanta de intrare, rejectia de m o d c o m u n si banda unui astfel de amplificator sS fie foarte mari, iar curentul de intrare si diferenta tensiunii intre intrari sS fie nulS. Sistemul de achizitii de date a fost completat cu un c o n v e n o r analog-digital care sa preia datele de la
amplificatorul de instrumentatie.
89

Microsenzori Curs10

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Microsenzori Curs10

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

1.

M3- Strat de mascare pentru difuzia de baza groasa (cod: BH)

M4- Strat de mascare pentru difuzia de baza (cod: BL)

M5- Strat de mascare pentru difuzia de emitor (cod: EM)

MASCA M6- Strat de mascare pentru deschiderea de metalizare (cod: CT)

S e m n u l SA 0 De la interior la exterior: SA 0.1 pe stratul SI SA 0.2 pe stratul IZ

S e m n u l SA 1 De la interior la exterior: SA 1.1 pe stratul IZ SA1.2 pe stratul BH SA1.3 pe stratul BL

Semnul SA 2 De la interior exterior SA 2.1 pe stratul BL SA 2.2 pe stratul EM SA2.3 pe stratul CT

Semnul SA 3 De la interior la exterior: SA 3.1 pe stratul CT SA 3.2 pe stratul ME SA 3.3 pe stratul OP

Fig. 4 Layout-ul tranzistoarelor din sursa de curent

Celula padului de conectare

mecanismul si structura magnetorezistentei gigant.

Efecte galvanomagnetice realizarii microsenzorilor

care stau la baza proiectarii de camp magnetic

2.1.1. Efectul Hall

localizarea lor pot explica satisfScStor efectul Hall cuantic Tntreg.

Autor Manoara Avram

DacS conductorului i se aplica un c a m p magnetic perpendicular, de inductie B , Tn conductor

Fig.2.1. Efectul Hall intr-o placa conductoare

slab Tn metale. Tensiunea

Autor Marioara Avram

e B frecventa ciclotronica a electronilor. Rezulta = m *

In experiment se poate considera j = 0, deci O ) T E + E = 0, urmand E = - a> xE . Se obtine astfel:

Autor Marioara Avram

Constanta Hall este R

, valoarea sa fiind de ordinul - 0 , 5 - 1 0 " m / A s pentru

iar dacS semiconductorul este tip n p , P = sau conductivitatea cr = q/j n

Autor Marioara Avram

Hall, echilibreaza forta Lorentz. F ii = - F entz, astfel meat j = 0 . Pornind de la aceasta

Pentru proba reprezentata Tn figura 2.2, tensiunea Hall se scrie [17]:

Efectul Hall in placi

(2.16) unde U = E d , l = j W d . iar constanta Hall se exprimS astfel:

expj kT m=1, 2 (2.18) _E_] kT

Autor Marioara Avram

Material izotrop fara Tmprastiere a purtatorilor de sarcina

unde rezistivitatea p este TnlocuitS de conductivitatea a .

Material anizotrop fara efecte de Tmprastiere

Autor Marioara Avram

unde U este vectorul de modul egal cu unitatea, iar c o m p o n e n t e l e densitatii de curent:

Autor Marioara Avram

Autor Manoara Avram

Material izotrop si imprastiere pe fononi

In ecuatia (3.15) a m definit constanta Hall R

pentru eel mai simplu model ca fund invers

(3.19) la temperatura camerei, s-a gasit ca

Pentru concentratii de dopaj mai mici decat 1 0 c m "

sunt asa-numitii coeficienti cinetici. care Tn cazul general pentru

Autor Marioara Avram

egaleazS forta Lorentz : e[\xB\ eE

conducand la expresia explicita pentru intensitatea campului electric Hall: E

(3.24) poate sS fie

Din aceastS ecuatie se observS cS, pentru o viteza cunoscutS v a purtatorilor, E

Autor Marioara Avram

campului electric perpendicular Hall E :

Autor Marioara Avram

magnetica si pentru placa

Autor Marioara Avram

Fig.3.6. Curentul i liniile echipotentiale pentru placa Hall

alimentare. Drept consecinta. tensiunea Hall si caderea de potential corespunzatoare

Autor Marioara Avram

Autor Marioara Avram

> "> FIG. 3.8. Conectarea in circuit a elementului Hall

Autor Marioara Avram