Curs 1

SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
I.Tipuri de senzori optici
Exista o varietate de senzori optici si aceste dipozitive pot
fi
clasificate dupa mai multe criterii si anume:
dupa de domeniul spectral in care functioneaza, astfel
pot fi
senzori pentru radiatia vizibila, radiatia ultravioleta sau senzori pentru
domeniul infrarosu;
functie de materialul utilizat pentru realizarea lor: senzori pe
siliciu, pe compusi semiconductori de tipul A 3B5, pe straturi subtiri ;
dupa
domeniul de aplicatie senzori de gaze, senzori de
proximitate, biosenzori, senzori de imagine;
functie
de tipul structurii senzorului si principiul de
functionare
fotodetectoare, senzori optici integrati, opto FET, senzori cu fibra optica
si cu ghiduri optice s.a.
nano-senzori pe baza de ma teriale nanostructurate sau
nanostructuri senzori cu nanofire de diverse materiale, CNT, QD-uri,
nanocompozite polimerice cu nanostructuri
Se vor prezenta cateva tipuri de senzori optici care sunt frecvent
utilizati in realizarea de microsisteme complexe cu aplicatii in diverse
domenii :
industrie (metrologie optica si automatizari, ), comunicatii optice,
instrumentate optice; telemetrie (telemetria laser); monitorizarea
mediului , biotehnologii si in biomedicina.

Curs 1
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Se vor prezenta urmatoarele tipuri de senzori optici:
fotodetectoare pe materiale semiconductoare, sensor
pe baza de fibra optica, senzori pentru radiatia
infrarosie,
senzori
de
proximitate,
senzori
interferometrici, biosenzori optici
Fotodetectoarele pe materiale semiconductoare,
indiferent de
tip, constituie elementul cheie in detectarea radiatiei e.m. cu
o anumita lungime de unda specificata fie intr-o anumita
banda si in furnizarea unui semnal de iesire (fotocurent sau
fototensiune) care sa fie proportional cu puterea radiatiei
absorbite.
Tipurile de structuri pe materiale semiconductoare sensibile
la radiatia optica includ jonctiunile p-n, hetero-jonctiunile,
barierele Schottky, structuri MIS (metal-insulatorsemiconductor), MSM (metal-semiconductor-metal) si
oricare alt tip de structura in care s-a creat o bariera
bariera interna de potential .
4

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Fotodectectoare
Fotodetectoare pe siliciu si pe compusi semiconductori
Fotodiode pe siliciu optimizate pentru radiatia ultravioleta
Fotodioda cu avalansa de tip reach-through pe siliciu: cu
compensarea variatiilor castigului cu temperatura
Matrici de fotodetectoare uni- si bi- dimensionale
Structuri de fotodiode quadrant pe heterostructura
InGaAs/InP
- Fotodiode cu avalansa cu regiunea de generare
separata de
regiunea de multiplicare a purtatorilor fotogenerati
- Fotodiode cu bariera Schottky pe heterostructura
InGaAs/InP

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Senzori pe baza de fibra optica.
Acest tip de senzori poate fi utilizat la masurarea
unei game largi de marimi fizice functie
de configuratia constructiva materialul
care acopera fibra si care raspunde la
schimbarile de temperatura, stres sau umiditate.

Senzorul de proximitate.

Diagrama bloc

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Senzori interferometrici
Se utilizeaza la masurarea stresului intr-o proba pe care
este
plasata reteaua de difractie. Ca elemente de detectie a
deplasarii radiatiei
difractate datorita deformarii se utilzeaza o pereche de
senzor de pzitie
(PSD).

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Biosenzor Optici
Principalele
componente ale unui
senzor optic pentru
aplicatii biomedicale
si de mediu

Specia
de
analizat

Senzori pe baza de ghiduri optice

Strat senzitiv: specii chimice,
enzime, anticorpi,
microorganisme, DNA, s.a.

Strat
bio/chemo
senzitiv

Microstructura
fotonica/
optoelectronica

Semnal
ul

Senzori optici pe baza de arii

de fotodiode pentru analiza
enzimelor

Schema de
principiu
Fotodioda de referinta

Fotodioda
de semnal

Elementul activ
al matricii de
fotodiode

Institutul National de Cercetare - Dezvoltare pentru Microtehnologie IMT - Bucuresti

Senzori

optici pe baza de ghiduri optice integrate cu fotodiode in tehnologia

CI pe substrat de siliciu

Realizare structuri de detectie integrate cu ghiduri

optice

Propagarea unei radiatii

rosii prin ghidul optic

Responsivitatea
fotodetectorului R=0.37A/W
la = 670 nm

Structura de fotodetector
integrata cu ghid optic cu
conexiunile sudate.

Fotocurentul,[nA]

Imaginea la microscopul optic a

unei portiuni de placheta cu
structura de fotodetector
integrata cu ghid optic.

Dependenta raspunsului
de densitatea de putere
incidenta

100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0

1
2

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

Densitatea de putere incidenta, [ W/cm2]

0.3

Institutul National de Cercetare - Dezvoltare pentru Microtehnologie IMT - Bucuresti

Senzori optici pe baza de microrezonatoare cu

ghiduri optice pentru identificare specii moleculare
Geometrii posibile pentru inele rezonatoare
cuplate cu unul sau doua ghiduri optice.
Simularea cuplajului utilizand softurile FDTD and BPM
raza inelului-20 m; grosimea miezului - 300 nm
z=28 m (z = 8 m)

Ofset 0 m

Senzori optici pe baza de arii de fotodiode

pentru analiza enzimelor

Elementul activ al
matricii de fotodiode

Ofset 1 m

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Caracteristicile principale ale senzorilor optici pe
materiale semiconductoare.
Analiza raspunsului-eficienta cuantica si factorul de
multiplicare
Pentru specificarea si compararea performantelor diferitelor
tipuri de
fotodetectoare se utilizeaza anumite caracteristici pe care le vom
enumera si explicita in continuare.
Responsivitatea, R definita ca raportul dintre semnalul de
iesire furnizat de fotodetector (curent - Iph sau tensiunea
masurata pe o rezistenta de sarcina- ( Vph = IphRL) si puterea
[nm]
I [ A]
radiatiei incidente. RAstfel
[ A / W ] unitatea
de masura a responsivitatii
este fie A/W fie V/W sau pentru
in vizibil puterea este
P[W ] detectorii
1240
data in lumen.

(3.1)
unde : este denumita eficienta cuantica si reprezinta raportul
dintra numarul de sarcini electrice (nr. total de electroni si
goluri) colectati de fotodetector si numarul de fotoni incidenti;
este lungimea de unda a radiatiei incidente; 1240 = hc/q
unde h=6,63x10-34 J/s, c=3x108 m/s si q=1,6x1019 C.

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici

Puterea echivalenta de zgomot, NEP ( Noise Equivalent Power)

reprezinta puterea incidenta minima care produce un semnal de iesire
( fotocurent) egal cu zgomotul fotodetectorului (curentul total de zgomot,
In ) sau altfel spus cand raportal semnal/zgomot este egala cu unitatea :
I ntotal
I ntotal

NEP [ W / Hz
]

[nm]
R [ A / W ]

(3.2)
1240

I
I2
[C A Hz
ntotal

zgomot sursa

unde: si este eficienta cuantica atunci cand se colecteaza la

jonctiune un numar de fotopurtatori numeric egal cu numarul de purtatori
de sarcina care formeaza curentul de intuneric ( Pincident=0).
Detectivitatea

specifica. D* este o marime ideala pentru a demonstra

capabilitatea de detectie a dispozitivului si este definita pentru raportul
aemnal/zgomot egal cu unu si cand o radiatie de 1W este incidenta pe
arie de 1 cm2 .
{ A[cm 2 ] F [ Hz ]}1 / 2

D [cmHz 1 / 2W 1 ]
NEP
(3.4)

Detectivitatea este o marime utila atunci cand compararea

performantelor
fotodetectoarelor ia in considerare si aria, lungimea de unda a radiatiei
incidente, frecventa a radiatiei incidente. Se observa ca prin intermediul
NEP-ului detectivitatea specifica este direct proportionala cu eficienta

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Timpul de raspuns, tr este foarte imporatant deoarece
determina capabilitatea detectorului de a functiona la
frecvente de modulare a radiatiei incidente. Timpul de
raspuns tr este specificat ca timpul necesar semnalului
furnizat de fotodetector sa creasca la (1-1/e) din valoarea
maxima a fotosenmnalului cand detectorul este iluminat cu
pulsuri optice dreptunghiulare. Rapiditatea fotodiodei este
determinat de maximul dintre timpul necesar transportului
fotopurtatorilor catre jonctiune (prin difuzie sau drift) si
constanta de timp de tip RLC ( RLrezistenta externa utilizata
, C-capacitatea dispozitivului ).

Raspunsul spectral este caracteristica ce defineste

capabilitatea de a detecta in raport cu lungimea de unda a
radiatiei incidente. Se prezinta fie prin curba R() fie prin
curba eficientei cuantice () si este determinata de
material si de caracteristicile structurii fotodetectorului.
Se observa ca eficienta cuantica, , definita ca raportul dintre
numarul de electroni colectati care contribuie la formarea
fotosemnalului si numarul de fotoni absorbiti in detector
intervine explicit sau implicit in toate caracteristicile ce
definesc performantele unui fotodetector.
Maximizarea eficienta cuantica, , in raport cu acesti parametrii
constituie un criteriu de baza in obtinerea unui fotodetector
performant.
10

Curs 1
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Eficienta cuantica a fotodetectoarelor pe materiale
semiconductoare
Pentru o radiatie incidenta cu rata fluxului de fotoni o [fotoni/cm2.s]
eficienta
cuantica a unei structuri de fotodetector cu jonctiune p-n
prezentat
schematic in fig. 2.1 este definita prin :

T = [ 1 - r( ) ] JL / q o
( 3.5 )
unde: JL este densitatea fotocurentului, r este coeficientul de reflexie
pentru suprafata de incidenta a radiatiei si care este functie de
lungimea de unda ( ) a radiatiei incidente si q sarcina
electronului.

In aceste conditii JL este constituit din trei componente:

curentul de goluri din stratul epitaxial de tip n , J p ;
curentul de electroni din regiunea difuzata p, J n ;
curentul de drift din regiunea de sarcina spatiala, J dr ;

JL/xj = Jp/xj+w + Jn/xj + Jdr/xj

( 3.6 )

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Cele trei componente se deduc pe baza ecuatiilor de
continuitate a
purtatorilor minoritari scrise pentru fiecare regiune
mentionata.
Integrarea ecuatiilor de continuitate cu conditiile la limita
corespunzatoare conduce la determinarea distributiei
purtatorilor
fotogenerati
in ofinal
d2p
p si
x la expresiile densitatilor

e
2
2
fotocurentilor
D p ce se
dx
Lp
colecteaza
din cele trei regiuni:
2

o x
d p
p

e
2
D
dx 2
Lp
p

( 2.7 )

J dr q

x j w

xj

( 2.8 )

g ( x)dx

pentru xj + w < x < xj + xc

0 < x < xj
2

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Eficienta cuantica totala va fi data de relatia :

= [ Jn+ Jp + Jdr ] / q0

Modelul cuprinde cele trei regiuni specifice unui

fotodetector cu jonctiune p-n si anume:

- regiunea (0-xj) care unui strat cu nivel de dopare

mare >1018 cm-3 ;

- regiunea {xj (xj + w ) } care este reprezentat de

strat golit de

purtatori mobili obtinut prin aplicarea unei tensiuni

de
polarizare inversa ;

- regiunea (xj+w)(xc+xj) care corespunde unui strat

neutru cu nivel de dopare mic < 1015 cm-3.
2

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Eficienta cuantica totala este obtinuta
contributiilor celor trei
regiuni ale microstructurii de detectie.

pe

baza

insumarii

Curs
SENZORI INTELIGENTI SI MICROSISTEME

Senzori optici
Pproiectarea senzorilor optoelectronici integrati monolitic
ce
Cuprind - o fotodioda integrata cu un circuit electronic de
preamplificare a semnalului detectat
realizate in
tehnologia de circuite integrate linear sau CMOS
necesita optimizarea simultana a parametrilor
fotodiodei cu cei ai tranzistorului pentru amplificarea
(responsivitate, R>50 A/W
adica fotodiode cu eficiente cuantice,
>20%
si
amplificari >200).