Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
1. Clasificarea microsenzorilor
2
Concept operaţional
Dispozitivul este foarte sensibil la schimbările multiple şi
imperceptibile de masă, detectând straturi cu 100 pg/cm2 mai puţin
decât 1% a unui strat monomolecular de atomi de carbon.
Dispozitivele noastre folosesc cuarțul microfonului piezoelectric ca
substrate; funcţionează în regim de 100-MHz, bazanduse pe două
traductoarele interdigitale pentru a lansa şi detecta o undă care
traversează dispozitiul de la un capăt la altul. Fiecare traductor este
cuprins de multe perechi de degete fine photolithografice, fiecare
deget având o lărgime numai de câţiva micrometri.
Când dispozitivul SAW este acoperit cu o peliculă foarte
subţire de film chimic cu absorbţie selectivă, dispozitivul
reacţionează cu mare precizie la chimicalele care interacţionează cu
filmul. Figura arată schematic interacţiunea între filmul senzorului şi
substanţă chimică diisopropil-metil-fosfonat ( DIMP), care este unul
dintre cei mai comuni agenţi de simulare.
3
Senzori de monitorizare a fluidelor pe bază de cuarţ
rezonator
Microsenzorii bazaţi pe rezonatoarele de cuarţ en gros sunt
dezvoltate pentru a urmări proprietățile fluidelor cum ar fi densitatea
şi vâscozitatea şi pentru a servi drept microsenzori în situ senzori
chimici pentru lichide. Dispozitivul este electric excitat în urma
vibraţiilor mecanice ale unui fluid. Fiind un mic dispozitiv el poate
să funcţioneze înăuntrul motoarelor sau conductelor, la accesoriile
de monitorizare a lichidelelor lubrifiante, de exemplu lubrifianţii.
5
Senzorul de hidrogen constă dintr-un FET şi un chemiresistor,
ambii folosind metalizarea cu Pd-Ni, care măsoară împreună
concentrările de hidrogen de la 1 la 100% în condiţii de
temperatură cuprinse într-un interval de (-100 grade C la 140
grade C) și lucrând în diferite medii cum ar fi: vacuum, spaţii
neoxigenate, în condiţii ostile cu vibraţii şi radiaţii mari. Aceşti
microsenzori sunt caracterizaţi de o mare reproductibilitate îs
reversibilitate, au o bună stabilitate pe termen lung. Aceste
dispozitivele sunt integrate în circuite electronice pentru
procesarea semnalelor prelucrând şi controlând variaţiile de
temperatură. Aplicaţiile includ detecţia scăpărilor de hidrogen
prin microfiurile motoarelor de rachetă şi la rafinării, şi
monitorizarea coroziunii echipamentului de valoare.
6
Fig. Micromasina filament pentru combustibili gazoşi
Policrometru programabil cu reţea de difracţie
(Polychrometer Programmable Diffraction Grating)
Speciile chimice pot fi detectate din punct de vedere optic
folosind spectroscopia de corelare optică:o bandă luminoasă extinsă
traversează o mostră de gaz necunoscut înregistrând un simplu pick
spectral care corelat cu spectrul luminos standard poate identifica
specia necunoscută a mostrei.Acest policrometru cu rețele de
difracţie poate să sintetizeze spectrele moleculare pentru folosire
într-un spectrometrul de corelare optic. Acesta este compus din
elementele de difracţie ale unei mașini cu greutate variabilă. Când
spectrul de banda luminoasă este incident pe matrice, lumina
reflectată de la elementele individuale interferează producând
spectrul dorit.
8
Fig. Spectrometria cu ioni mobili
Microsenzori electrochimici
Microsenzorii electrochimici sunt dispozitive sensibile la
reacţiile electrochimice dezvoltate să detecteze chimicalele
deversate în apă. Aceste dispozitive pentru generarea semnalelor se
compun din mătrici nanometrice foarte ordonate, cu electroziaranjati
după mărime care detectează urmele sau nivele de contaminanţi din
apă. Mătricile sunt proiectate având pe suprafaţa lor zeci de
milioane de electrozi foarte fini şi au avantajul fenomenelor de
difuzie la suprafaţă datorită distibutiei fine a cestor microelectrozi,
proprietate inaxistenta la mătricile cu electrozi de dimensiuni mari.
Aplicaţiile includ monitorizarea mediilor ambientale, industriale, şi
a instalaţiilor casnice pentru siguranţa surselor de apă.
Fig. Electro-ace
Sunt utilizate pentru analiza: glucozei din sânge, enzimelor,
protetinelor, anticorpilor, a tuturor celulelor organismului uman şi a
toxinelor .
Microsenzori pe bază de celule
Scopul de acest proiect este dezvoltarea în mod genetic a unor
grupuri celulare bio-compatibile cu ţesuturile din jur , microsenzori
celularisensibile la modificări celulare biologice şi chimice.
10
Combinând genetică şi tehnicile de biologie moleculare, s-au
proiectat : un promotor direct în cromozomul drojdiei care produce
proteine verzi, mov şi roşu fluarescent prin expunerea la toxina
holerică.
13
Figura 1. Sructura unui senzor semiconductor cu bioxid de staniu.
În prezenta unui gaz reducător rezistența electrică a substanței
semiconductoare se modifică drastic chiar pentru concentrații mici
de gaz. Cel mai utilizat material semiconductor sensibil la gaze este
bioxidul de staniu (SnO2), o substanta relativ comună, mult utilizată
pentru glazurarea de culoare alba a porțelanurilor. Mulți alți oxizi
sunt sensibili față de gaze ca oxizii de fier, oxidul de zinc, oxizii de
crom, etc. precum și compușii oxidici.
Materialul semiconductor este depus pe tubul ceramic din alumină
(Al2O3) fie ca o pastă ce este ulterior sinterizată, fie ca film subțire
obținut prin evaporarea termică sau pulverizarea catodică in incinte
vidate a substanței dorite. Pasta folosită pentru senzori se obține prin
amestecarea pulberii cu granulație foarte fină (diametrul granulelor
< 1m m) din bioxid de staniu cu un lichid care să mențină pulberea
în suspensie. Lichidul poate fi apă, dar mult mai bine este dacă se
folosește un lichid de tipul uleiurilor volatile precum uleiul de
lavandă si terbentină sau alcooli grei de tipul alcoolului propilic,
glicerinei, etc. La uscare pasta nu trebuie să crape, comportarea ei
trebuind sa fie asemănătoare cu cea a vopselelor din comerț.
14
Figura 2. Aspectul unui senzor semiconductor cu strat gros din
SnO2.
2. Principiul de functionare
Materialul semiconductor al senzorului de gaz este de obicei
bioxidul de staniu (SnO2) sub forma unei ceramici poroase. Staniul
se află în stare de oxidare maxima în bioxidul de staniu (Sn4+),
existând și oxidul de staniu (SnO) unde staniul este in stare
inferioară de oxidare (Sn2+). Ca regulă generală oxizii superiori au
deficit de atomi de oxigen, din această cauză răman electroni liberi
în bandă de conducție de la atomii de staniu de langă care lipsesc
atomii de oxigen. In acest fel SnO2 este un semiconductor de tip "n"
cu o zonă interzisă mare (3,6 eV).
Pe suprafața granulelor de bioxid de staniu se adsorb
moleculele de oxigen care preiau electroni din banda de conducție și
din această cauză conductivitatea electrică la suprafața granulelor
scade foarte mult. În plus suprafața se încarcă negativ față de restul
semiconductorului ingreunând adsorbția in continuare a oxigenului.
Din punct de vedere energetic benzile de energie ale electronilor se
curbeaza în sus , către energii mai mari, astfel ca poziția nivelului
Fermi din interiorul semiconductorului sa coincidă cu cea de la
suprafață. Energia de extracție devine mai mare în prezența
oxigenului adsorbit. In acest mod se formează la zona de contact
dintre 2 granule de SnO2 o barieră de potențial ce impiedică trecerea
electronilor de la o granulă la alta.
15
Figura 3. Efectul oxigenului adsorbit asupra structurii de benzi a
semiconductorului este de a sărăci suprafața senzorului în electroni
de conducție (formeaza o bariera de potențial).
Bioxidul de staniu sub forma de film gros ceramic este materialul de
baza în senzorii pentru gaze din sistemele de alarmare folosite
pentru monitorizarea concentrației gazelor inflamabile sau toxice.
Conductanța acestui material de tip "n" in funcție de temperatura
este:
G = G0 × e-e× Vs / (k× T) (1)
unde:
eVS –este energia barierei de potential de suprafața dintre
granulele de SnO2, iar
G0 –este un factor care include geometria materialului și
conductivitatea în volum din interiorul granulei.
În ecuatia (1) s-a presupus o cădere de potențial pe fiecare contact
intergranular mai mică decat kT/e astfel încat dependența dintre
curent și tensiune sa fie liniara (ohmică).
Nivelele donoare aflate la 0,03¸ 0,034 eV si 0,14¸ 0,15 V sub
bandă de conducție, datorate ionizarii simple sau duble a vacantelor
de oxigen se presupune că sunt complet ionizate la temperatura de
lucru (sute de grade Celsius). Acest fapt face G0 practic independent
de temperatura comparativ cu termenul exponential. Pe baza acestui
16
model influența diferitelor gaze se manifestă asupra barierei de
energie eVS. Înalțimea barierei de potențial eVS la suprafața
semiconductorului este descrisă de ecuația Schottky [1] :
e·VS = Nt2·e2 /(2·er·eo·Nd) (2)
unde:
Nt – densitatea pe suprafata a oxigenului ionosorbit (O2-, O- ) ;
er×e o – permitivitatea de volum a materialului ;
Nd – densitatea de volum a donorilor ;
Et – nivelul de energie al oxigenului ionosorbit
Conform statisticii Fermi - Dirac avem:
Nt = NS(pO2,T)·e - (Et - F)/(kT)
NS(pO2,T) @ NO ·(a·pO2 )kT/Eo
unde:
NO - numarul moleculelor de O2 adsorbite pe unitatea de
suprafață;
E0 @ 0,2 eV - energie caracteristică suprafeței.
În general astfel de materiale au o comportare neohmică,
dependența curent - tensiune nu este liniara. Dependența de
presiunea de oxigen a rezistenței electrice este:
R = R0 · e Ea /(kT) · p1/h (O2)
La temperatura de functionare a senzorului de 300 ¸ 4000C,
prezența unei anumite cantități de gaz reducator in atmosfera
declansează reacția de oxidare a gazului pe suprafața
semiconductorului. Îndepartând o parte din oxigenul adsorbit,
gazul reducator reduce bariera de potențial și scade drastic
rezistența electrică a materialului.
17
Dependența conductanței materialului de concentrația gazului
reducător este de tipul:
G = G0 + g ·p S
unde:
"S" –este un indice subunitar în general aproape de 0,5,
"p" –presiunea parțială a gazului reducător,
"G0", "g " –constante.
Cum conductanța în aer curat (G0) este mică se poate scrie ca:
G ~ p S sau R ~ p-S
Graficul logaritmului rezistenței electrice în funcție de logaritmul
concentrației de gaz reducător este o linie dreaptă cu panta "- S".
19
care cu aproximația precedentă la timpi mici are forma :
n(t) = c·A·N·t
Din cele expuse rezultă următoarele concluzii:
conductivitatea de echilibru este proportională cu concentrația
gazului reducător;
creșterea conductivitații la timpi mici este proporțională cu
concentrația;
timpul de revenire (cand c=0) este mai mare decat timpul de
creștere (cand c? 0) fiindcă :
B·cOx <B·cOx+A·c
4. Circuitul electric
Sensibilitatea mare la gaz a senzorului semiconductor face posibilă
utilizarea unor circuite simple pentru interfațarea lui.
20
in aer curat tensiunea la borna de masura B să fie sub 0,6V,
tensiunea de deschidere a tranzistorului,
iar la concentratia periculoasă de gaz să fie mai mare decât
0,6V.
Exemplu:
Rezistența electrică a senzorului în aer curat este 20kW .
Rezistența electrică a senzorului în aer cu 0,5% metan este 5kW .
Curentul prin rezistența senzorului va fi :
5V = (RS + R) × I => I = 5V/ (RS + R)
care impreună cu condiția impusă pentru alarmare :
R× I = 1V (tensiunea de alarmare) => I = 1V/R
fixeaza valoarea rezistenței R :
I = 1V/R = 5V/ (RS + R) => R = RS /4 = 1,2 kW .
În varianta a doua amplificatorul operațional AO1 aplică pe
rezistența senzorului RS o tensiune constantă, cea de deschidere a
diodei D, UD » 0,65 V prin intermediul curentului I1 injectat cu
tranzistorul T1.
21
Figura 6. Circuit cu amplificatoare operaționale cu tensiunea de
ieșire proportionalăcu conductanța senzorului (inversul rezistenței
electrice).
Acest curent este preluat ca o cădere de tensiune pe rezistență
R de intrarea "+" a operaționalului AO2. Curentul prin tranzistorul
T2 este comandat de AO2 astfel că potențialele pe intrările "+" si "-"
să fie egale:
R·I1 = R1·I2 .
Căderea de tensiune pe rezistența R2 va fi:
U2 = R2·I2 = UD·(R2/R1)·(R/RS)
Proporțională cu inversul rezisțentei senzorului. Se asigură în acest
fel un răspuns al circuitului mult mai aproape de liniaritate și un
domeniu de măsurare mai larg.
22
Aplicație practică.
Senzor de gaz cu Arduino Uno și MQ2
Senzor de gaz MQ2.
Caracteristici tehnice:
Tensiune: 5V;
Curent: 150mA;
Rezistență heater: 33R;
Temperatură de lucru: -20°C - 50°C;
Output digital sau analogic.
Dimensiuni: 33 x 14 x 1.6mm;
23
Modulul este folosit pentru a detecta scurgerile de gaze în încăperi
mici sau mari și reprezintă o metodă de precauție pentru incendii sau
pentru intoxicații.
Senzorul are o sensibilitate ridicată și principalele gaze pe care le
vizează sunt GPL-ul, izobutan, propan, metan, alcool, hidrogen și
fum.
Senzorul dispune de un comparator, astfel că puteți citi date
analogice în timp real sau puteți afla dacă concentrația de gaz a
depășit o anumita limită.
Microcontroler ATmega328
Voltaj de operare 5V
Voltaj de intrare 7-10 V
14 pini de intrare/ieșire digitali (cu suport pentru PWM)
6 intrări analogice
Curent per pin 40 mA
Memorie Flash 32 KB
SRAM 2 KB
EEPROM 1 KB
Ceas 16 MHz
25
În programul Arduino se va încărca următorul cod:
26
La apariția gazului în contact cu senzorul modulul Arduino uno va
primi un semnal analog de la sensor care îl va converti într-un
semnal digital.
Acest semnal va putea :
-aprinde un led;
-alimenta un buzzer care ne atentioneaza ca în încăpere există o
concentrație ridicată de fum, gaz.
5. Bibliografie
1. V. Lantto, P. Romppainen, S. Leppavuori, "A study of the
temperature dependence of the barrier energy in porous tin
dioxide", Sensors & Actuators, 14, (1988), 149-163
2. S.E. Fredericks, R.S. Scott, "Design for a combustible gas
measuring circuit", Rev. Scientific Instruments, 46 (6), 657,
(1975)
3. N.M. Barlea, M.L. Barlea, "Model de functionare a senzorilor
semiconductori pentru gaze", Sesiunea de comunicari stiintifice
"Tineretul - valorile stiintifice si tehnice actuale si de
perspectiva", Bistrita 11 - 13 octombrie 1988, program lucrarea
30.
4. Internet
27