Subiectul 1- Definitia sistemului tehnologic

Sistemul tehnologic reprezinta scopul principal de obtinere a unei piese in anumite conditii de precizie si
prelucrare. Aceste piese sunt confectionate dintr-o deversitate de mat. care pot fi grupate in functie de caracterizarea
de rupere la tractiune in 2 grupe:- mat cu un component fragil si - mat cu component ductil;
Subiectul 2- Sistemul tehnologic de prelucrare prin aschiere
Scula aschietoare, semifabricatul de prelucrare, echipamentul de masura si controlul, sunt amplasate in
ordinea fireasca procesului de prelucrare prin aschiere. ele formeaza un sistem care poate fi schematizat prin urm.
reprezentare: fig 1
Subiectul 3-Probleme generale privind comportarea materialelor la aschiere
Orice proces de asciere se desfasoara in prezenta unui sistem tehnologic alcatuit din:- masina unealta; -
dispozitiv de fixare a sculei aschiatoare pe M.U.; - semifabricat pe M.U.;
Subiectul 4- Principiul de lucru la nanoaschiere
Reprezinta procesul de asciere care se dezvolta in urmatoarele conditii:- taisul aschietor; reprezentat de
monocristale de diamant, care are configuratie geometrica echivalenta cu monoaschierea;- presiunea specifica de
aschiere e foarte mare comparativ cu micro-nanoaschierea; fig 2- raza de raportare a sculei aschietoare este mult mai
mare decat adancimea de aschiere, in aceste conditii prelucrarea mat fragile si ductile au rolul mecanismului: fig 3-
taisul aschietor propriu-zis poate sa aiba in domeniu nanometrii, dar si in zecilor-sutelor de nanometrii in functie de
monocristalul diamant folosit ca scula ascietoare.
Subiectul 5- Reprezentarea calitatii suprafetelor in urma nanoaschierii
Actionarile M.U. se efectueaza cu motoare de curent continuu, controlate si comandate cu ajutorul
calculatorului. dispozitivele de strangere folosite, realizeaza deplasari cu ajutorul unor mat. magnetostrictive,
piezoelectrice. calitatea suprafetei prelucrate e dependenta de val minima sub care procesul de nanoadiere nu mai
poate fi dezvoltat. fig 4
Subiectul 6- Tehnici de prelucrare prin electroeroziune
Se bazeaza pe scanteie electrica care sunt trimise in spatii riguros determinate pe suprafata de prelucrare. In
loc de contact de scanteie si suprafata mat are loc o dezvoltare puternica de caldura care duce la incalzirea, topirea si
vaporizarea instantanee a mat din zona de contact. Prin eliminarea mat. si vaporilor se formeaza microcrater.
Scanteia e timisa prin intermediu unui dispozitiv numit scula de prelucrare. In functie de caracteristica dimensionala
se permite departarea de mat de pe suprafata, intr-un perimetru de prelucrare a zonei. Daca se imprima o miscare
relativa intre scula de prelucrat si suprafata de prelucrat se obtine o prelucrare volumica.

Subiectul 7-Tehnici de prelucrare cu rad iatii laser
Principiul de lucru al rad laser se bazeaza pe urm caracteristici:
- rad laser e focalizata riguros in spatiu pe unitatea de suprafata si cu o anumita dimensiune a fascicului de
focalizare; - rad focalizata e trimisa pe suprafata ce trebuie prelucrata , pozitia punctului de focalizare poate fi
focalizata sau modificata prin modalitatile mecanice sau optice; fig 5 - in momentul contactului cu suprafata de
prelucrat are loc un transfer f puternic de la rad spre suprafata de prelucrat; - calitatea si productivitatea prelucrarii e
caract de un ansamblu de factori ce tin de utilaje: frecventa, precizia de focalizare, factori de interfata, capacitatea de
absortie. Din acest motiv suprafata mat e acoperita cu straturi de protectie care micsoreaza coeficientul de reflexie a
rad. Sub acest aspect se utilizeaza f mult prelucrarea cu laser la fabricarea sculelor in dom nanometric, mm, um.

Subiectul 8- Tehnici de prelucrare cu ultrasunete
Principiul de lucru al metodei consta in bombardarea suprafetei de prelucrat cu un flux de granule abrazive
care prezinta acceleratii f mari obtinute in dom ultrasonic. Prelucrarea se real pe o instalatie care cuprinde o parte
mecanica pt prinderea piesei de prelucrat, o parte pt realizarea regimului ultrasonic imprimat granulelor abrazive, o
parte de control. Schema de principiu a prelucrarii cuprinde: - scula de prelucrat numita si obiect de transfer, aceasta
are posibilitatea sa oscileze intr-o directie perpendicular pe suprafata de prelucrat cu vrecventa ultrasonica; -
semifabricatul care e scufundata intr-un lichid care area rolul de a accelera procesul de prelucrare; - echipamente de
comanda si control; In momentul in care granulele ating suprafata de prelucrat, aceasta energie se transmite
suprafetei ca urmare, in suprafata de prelucrat se genereaza socuri mecanice si termice care duc la distrugerea leg.
inter-atomice.
Subiectul 9- Mecanismul eroziunii de prelucrare a sticlei
Sticla nu poate fi prelucrata cu scule aschietoare care au densitatea egala sau inferioara ei, deoarece
comportamentul fragil se manifesta in vasul de aschiere prin faptul ca ruperea mat din fata taisului aschietor se
realizeaza ca urmare a efectului solicitariinormale a mat.Ca urmare sticla(optica) se prelucreaza cu mat abraziv din
carbon metalic sau cu diamant , toate acestea avand duritate superioara sticlei. In prelucrarile de mecatronica si
optica se urm ca stratul de forma sa aiba valori cat mai mici. Din acest motiv prelucrarile prin aschiere ale sticlei
sunt grupate in 3 cat: - prelucrare prin slefuire u>m; - prelucrari de polisare m>n; - prelucrari de suprapolisare m
mult mai mica decat n. In general procesul de prelucrare a sticlei optice este un proces de evadare al mat, respectiv
un proces mecanic de eroziune.


Subiectul 10- Structura tipurilor de prelucrare
Tehnici de microsisteme Materiale si efecte
Concepte/ microsisteme Materiale: metale,polimeri,ceramica,sticla,cualt
Structura
Fenomene electostatice
Procesarea semnalelor si a informatiilor
Proiectarea microsistemelor Efecte piezoelectrice
Diagnosticare si testare Efecte magneto-electrostrictive
Tehnologii de interconectare Campuri electromagnetice
Tehnologii de incapsulare
Standardizare



Metode termice
Microtehnici filme subtiri metode chimice
Depune de straturi subtiri metode fizice
Filme groase realizare strat conducatoare electrice
termice magnetice
Circuite imprimate
Depuneri stare lichida metode catodice
Met. galvanice
Met. de depunere centrifugale
Tehnici micro-nano mecanice nanoaschieri
Preluc. Neconventionale
Preluc cu plasma
Preluc hibride
Teh microelectronica
Teh de preluc a siliciului,a sticlei optice si a altor mat.
Optica integrata procedeul liga
Fibre optice
Micromodelare







Subiectul 11- Litografie
Metoda litografica e folosita pt obtinerea de microstructuri pe pachete de siliciu. La ora actuala litografia
ramane principala metoda de prelucrare a pachetelor de siliciu din constructia microstructurilor in conditiile unui
raport optim dintre precizia microstructurii pachetului si pretului de cost. Precizia microstructurii e definita prin
raportul dintre a/h sau h/a. In esenta procesul de litografie inseamna un proces de corodare izotropa sau anizotropa.
Procesul de litografie inseamna bombardarea stratului fotosensibil prin intermediul mastii formate din sticla si crom.
In locul in care stratul fotosensibil nu e protejat de catre partea pasiva din masca are loc un proces de evadare
chimica.
Subiectul 12- Tehnologii de prelucrare a circuitelor imprimate
Avantaje:
-permite prelucrarea unei game diverse de materiale caract printr-o larga paleta a caracteristiciloor fizic-
chimice,fizico-mecanice
-prelucrarea nu este insotita de socuri mecanice,termice fapt ce permite executia unor repere din materiale fgragile
,putin rigide de dimensiuni mari sau foarte mici ,simple sau complexe
-procesul asigura precizii bune de prelkucrare si productivitati ridicate
- prelucrare caracterizata prin absenta bavurilor .
Prelucrarile dimensionale chimice isi gasesc la ora actuala o larga aplicare intr-o serie de varf ale tehnicii in
electronica(prelucrari de cablaje imprimate ,circuite integrate).
-in aeronautica(obtinerea de repere de formecomplexe din materiale speciale)
-in mecanica fina (grille ,site,elemente alfanumerice ,scari din domeniu opticii)
In implementarea prelucrarilor dimensionalechimice in dom. Mentionate se realizeaza cu predilectie prin op. de
decupare (stantare), frezare sau gravare chimica.
Procesul permite obtinerea unor repere la grosimi,gabarite si contururi greu sau imposibil de realizat prin procedee
de prelucrari conventionale.
Procedeul are urm. Calitati:
-permite indepartarea neselectiva de material
- permite indepartarea selective de material(zona de pe suprafata supusa frezarii )
-inhdepartarea materialului este controlata
La realizarea mastilor de protectie se apeleaza la sorturi metalice sau din cauciuc sintetic ,rasini fotosensibile.
Un flux tehnologic de frezare chimica cuprinde urm etape:
-pregatirea suprafetei(decupare,spalare)
- plicarea solutie de mascare(imersie,pulverizare )-obtinerea formei finale a mastii de protectie
-frezare chimica
-indepartarea mastii
-control final
In general frezarea chimica se face prin scufundarea in cuva.in functie de scopul urmarit operatia de frezare chimica
poate fi :
-integrala
-in trepte
-conica

Subiectul 13- Microprelucrarea de suprafata
Pe lng realizarea de caviti, pe suprafaa unei plachete de siliciu pot fi construite pas cu pas microstructuri.
Microprelucrarea de suprafa provine din microelectronic i, de aceea, este orientat ctre procesele i materialele
folosite pentru fabricarea cip-urilor. Metoda permite obinerea de structuri plane, neancorate, aa cum ar fi console
sau membrane, care sunt formate chiar deasupra suprafeei substratului (fig. 4.17).


Fig. 4.17 Structuri tipice obinute prin microprelucrarea de suprafa

Tehnicile pentru straturi subiri i coordonarea selectiv discutate anterior sunt metodele fundamentale
folosite n microprelucrarea de suprafa. Materialele de baz sunt metalele i siliciul policristalin. Diversele
proprieti ale siliciului policristalin sunt descrise n [Faro95]. O caracteristic special a microprelucrrii de
suprafa este aceea c pot fi realizate microstructuri cu grosimi n domeniul nm. Acesta se datoreaz faptului c
materialul structurii este depus n straturi foarte subiri. Exist totui un dezavantaj i anume posibilitatea apariiei n
interiorul stratului depus a tensiunilor mecanice, ceea ce limiteaz dimensiunile laterale de structurare. O
reprezentare schematic a procesului de obinere a unei console libere este artat n fig. 4.18. Figura ne ofer o
prezentare general a posibilitilor microprelucrrii de suprafa. Procesul respectiv de structurare ncepe cu
depunerea unui strat de dioxid de siliciu pe substrat, de exemplu prin oxidare termic. Grosimea acestui strat
determin distana de la microstructur la suprafaa substratului. Acest aa-numit strat de sacrificiu este format prin
metoda litografic (1) i prin ndeprtarea selectiv a materialului de pe suprafaa substratului (2). Dup aceea este
depus un strat de structur de polisiliciu (3) care este structurat printr-un al doilea proces combinat litografie-
corodare (4) i (5). Cnd acest proces este complet, materialul de sacrificiu este corodat i rmne microstructura
dorit (6). Pentru a obine o structur tridimensional mai complex, straturi de sacrificiu i straturi structurale pot fi
succesiv depuse i formate folosind tehnicile potrivite de litografiere i respectiv, corodare.

Fig. 4.18 Paii de procesare ai microprelucrrii de suprafa. Conform cu [Stix92]

Paii de procesare prezentai n fig. 4.18 explic de ce microprelucrarea de suprafa este uneori numit i
tehnica straturilor de sacrificiu. Aa cum a fost menionat, aceast tehnic poate fi folosit pentru a realiza structuri
tridimensionale complexe, din mai multe straturi subiri i avnd o grosime final de aproximativ 20 m.

Subiectul 14- Microprelucrarea in volum
Cu aceast tehnic se pot obine componente micromecanice direct din placheta de siliciu, avnd un raport de aspect
(lime/ nlime) ridicat. Orientarea cristalului plachetei joac un rol hotrtor. Placheta de siliciu este preprocesat
prin litografie optic i rezistul expus este ndeprtat. Folosind soluii de corodare anizotrop, cu selectivitate la
rezist, se pot realiza anuri adnci n substrat. Rezistul rmas acioneaz ca o masc. Forma rezultat depinde numai
de orientarea cristalului n substrat, adic de-a lungul crei fee a cristalului a fost tiat placheta. Prin aceast
tehnic pot fi fabricate diferite construcii, cum ar fi poduri, raze, membrane etc. (fig. 4.14).















Fig. 4.14 Diverse structuri microprelucrate n volum, Conform cu [Howe90]

Mai multe plachete prelucrate n acest fel pot fi conectate folosind lipirea sau alte tehnologii de
interconectare pentru a forma structuri tridimensionale complexe. Posibilitile sunt totui limitate, deoarece
structura reelei cristalului de siliciu nu este variabil. Caviti cilindrice simple sau coloane nu pot fi realizate cu
aceast metod.
n vedea structurrii exacte a substratului, sunt necesare tehnici adiionale care s opreasc procesul de
corodare la momentul potrivit. Altfel, substratul poate fi, pur i simplu, corodat complet. n aceast situaie sunt
aplicate tehnici de stopare a corodrii pentru a forma membrane foarte subiri sau anuri cu fundul plat, care altfel
ar fi dificil de obinut. O descriere detaliat a tehnicilor de stopare a corodrii poate fi gsit n [Peet90]. n
continuare vor fi descrise dou metode de baz.
a)Implantarea cu bor (stoparea p* a corodrii)
Tehnica p* de stopare a corodrii prezint multe aplicaii. Aceasta se bazeaz pe doparea substratului de
siliciu cu atomi de germaniu, fosfor sau bor. n acest fel, viteza de corodare a diverselor soluii de corodare selectiv
poate fi drastic redus. Borul are cel mai puternic efect i, de aceea, este cel mai des folosit. Pentru a forma o
membran subire, substratul de siliciu este dopat pe o parte cu atomi de bor, folosind o concentraie de aproximativ
10
20
cm
-3
sau mai mare. Apoi substratul este corodat pe cealalt parte. Imediat ce soluia ntlnete stratul dopat cu
bor, procesul de corodare este drastic ncetinit. n acest fel, dependent de adncimea de dopare, poate fi obinut o
membran cu grosimea de 2-3 m. Figura 4.15 prezint paii de execuie a unei membrane de siliciu, ntr-o structur
sandwich, folosind mpreun tehnica de prelucrare n volum i doparea. Mai nti, suprafaa substratului este saturat
cu atomi de bor pn cnd este atins concentraia dorit. Acesta formeaz un strat de stopare a corodrii (1). Un al
doilea strat de siliciu este depus epitaxial peste stratul care stopeaz corodarea (2), iar apoi ambele fee ale piesei de
prelucrat sunt oxidate (3). Stratul de dioxid de siliciu poate fi apoi structurat fotolitografic (4) i dup corodarea
izitrop pe ambele fee, stratul dopat cu bor rmne ca o membran (5). Doparea prin metoda difuziei face dificil
obinerea de membrane subiri cu grosime uniform, deoarece grosimea membranei depinde de diveri parametri,
cum ar fi concentraia de ioni, grosimea plachetei etc. n schimb poate fi folosit implantarea ionic, dar procesul
este de lung durat. Pentru o implantare cu bor de 2 m i cu o concentraie de 10
20
cm
-3
, un implantator de 150 A
are nevoie de pn la o or pentru fiecare plachet [Mokw93].


Fig. 4.15 Producerea unnei membrane prin tehnica p* de stopare a
corodrii








b) Tehnica electrochimic de stopare a corodrii
O alternativ la metoda precedent o reprezint aa-numita tehnic electrochimic de stopare a corodrii. n
acest caz, pentru anumite soluii de corodare procesul de corodare este ntrerupt atunci cnd se aplic o tensiune
electric pe un substrat de siliciu np sau pn. De exemplu, un strat de protecie de siliciu dopat n este depus peste un
substrat p. Atunci cnd este aplicat tensiunea de ntrerupere, procesul de corodare se oprete la nivelul tranziiei pn
(fig. 4.16). Grosimea stratului n, care rmne ca membrana dorit, poate fi determinat n timpul procesului de
depunere.

Fig. 4.16 Membran produs prin metoda electrochimic de stopare a corodrii