Dispozitive Si Circuite Electronice

UNIVERSITATEA DIN PITETI
CATEDRA DE FIZIC
CONSTANTIN STNESCU
ELECTRONIC FIZIC
DISPOZITIVE I CIRCUITE
ELECTRONICE
- CURS -
Constantin Stnescu Electronic fizic. Dispozitive i circuite electronice
CUVNT NAINTE
Prezenta lucrare a fost scris iniial ca un curs destinat studenilor seciei de chimie i fizic
din Facultatea de tiine a Universitii din Piteti devenind ulterior o carte cu acoperire mai lar!
ce poate fi util i altor cate!orii cum este cazul profesorilor care doresc s se perfecioneze "n
vederea susinerii unor concursuri i e#amene de !rad precum i a tuturor celor care doresc s
capete cunotinele de $az din domeniul fizicii electronice. Evident nu au fost a$ordate toate
aspectele proceselor acest lucru fiind datorat "n primul r%nd faptului c lucrarea de fa "i
propune s a$ordeze $azele electronicii fizice fr a intra "n aspecte de detaliu.
&m scris aceast lucrare av%nd mereu "n minte ideea de a o prezenta su$ o form c%t mai
clar i c%t mai simpl 'nu simplificatoare( fr a insista prea mult pe aspectul matematic al
chestiunilor a$ordate pornind de la ideea c "nvarea nu "nseamn "n primul r%nd achiziionarea
unui volum c%t mai mare de date ci o$inerea unei viziuni de ansam$lu c%t mai corecte asupra
fenomenelor care au loc. De aceea am insistat c%t mai puin posi$il pe aspectul formal al faptelor
prezentate i mai ales pe aspectul calitativ fenomenolo!ic al acestora. Este mult mai puin
important s memorm o formul dec%t s tim s o interpretm corect i s o folosim c%nd este
cazul. Din aceast cauz s)ar putea ca uneori ri!urozitatea prezentrii unor demonstraii i
aspecte formale s fi avut de suferit dar aceast eventual pierdere este compensat cu si!uran de
formarea unei ima!ini clare a fenomenelor. Pentru cei care doresc s aprofundeze domeniul e#ist
numeroase lucrri 'unele din ele indicate "n $i$lio!rafia de la sf%ritul lucrrii( care detaliaz unele
sau altele din pro$lemele a$ordate.
*uturor celor care vor avea ocazia s consulte aceast carte le adresez ru!mintea de a)mi
transmite o$servaiile lor cu privire la diferitele aspecte ale lucrrii mulumindu)le cu anticipaie.
&utorul
+
C&P,*-.U. ,
NOIUNI DE FIZICA SOLIDULUI
Reele cristaline
Starea solid cristalin este caracterizat prin le!turi sta$ile "ntre fiecare particul
constituent i cele vecine precum i printr)o ordonare la distan a acestor particule. Pentru
descrierea structurii cristaline se folosete o reprezentare spaial a poziiei particulelor
constituente prin puncte numite noduri a cror poziie este dat de vectorul de o!i"ie/
0 + 1
a p a n a m r

+ +
'1. 2(
unde
0 + 1
a a a

sunt vectorii de poziie ai celui mai
apropiat nod fa de nodul considerat drept ori!ine pe cele
trei direcii "n sistemul tridimensional ales numii vectori
#und$%ent$li &de '$!() iar m n p sunt numere "ntre!i.
Poliedrul format de aceti vectori fundamentali se
numete celul( ele%ent$r(. Prin translatarea cu multipli
"ntre!i ai vectorilor fundamentali pe direciile lor a acestei
celule se o$ine o reea tridimensional.
Structura energetic a corpului solid
Din considerente ce au fost artate pe lar! "n cursul de fizica corpului solid structura
ener!etic discret a atomului izolat aa cum rezult ea din rezolvarea ecuaiei Schr3din!er nu
mai este vala$il i pentru atomii !rupai "n sisteme cristaline c%nd apar interaciuni dintre care
cele mai importante sunt cele dintre electronii periferici ai atomilor. Ca urmare a acestui fapt
teoria cuantic arat c fiecare nivel ener!etic discret se despic "n mai multe su$niveluri foarte
apropiate "ntre ele al cror numr este e!al cu numrul atomilor din reea aceste su$niveluri
form%nd o '$nd( ener*etic(. Pentru un numr suficient de mare de atomi "n reea se poate
considera o distri$uie continu a nivelurilor ener!etice dintr)o $and. Pturile electronice ale
atomilor determin astfel de $enzi ener!etice ocupate cu electroni separate "ntre ele prin zone "n
care ener!ia electronilor nu poate lua valori numite 'en!i inter!i+e,
Dup modul de ocupare a $enzilor ener!etice cu electroni apare deose$irea dintre diferitele
solide fiind posi$il i clasificarea acestora.
Dac "n solid sunt N celule elementare fiecare av%nd + atomi numrul atomic al acestora
fiind Z numrul total de electroni din solid va fi atunci 4s5. 4umrul strilor ener!etice 'in%nd
cont de du$la valoare a spinului electronic( este e!al cu. 6om face mai "nt%i o analiz la * 7 2 8.
&tunci/
dac electronii "n numr de 4s5 ocup complet un anumit
numr de $enzi 'adic ener!ia celui mai "nalt nivel ener!etic
ocupat coincide cu limita superioar a ultimei $enzi ocupate(
$anda de deasupra acesteia separat de ea printr)o $and
interzis va fi complet !oal 'a se vedea fi!ura 1.+(.
Pentru a crea un curent electric printr)un solid ar tre$ui ca
electronii 'sau cel puin o parte din ei( s treac "n stri
ener!etice superioare celor "n care se !sesc 'ceea ce "nseamn
ruperea lor din le!turile pe care le au cu atomii crora le aparin
i trecerea lor "n stare li$er "n solid( su$ aciunea unui c%mp
electric e#terior. Procesul nu poate avea loc "ns "n cazul
solidelor cu structura descris mai sus su$ aciunea unui c%mp electric o$inuit electronilor fiindu)
0
a
0
a
+
a
1
z
9
#
Fi!.1.1
le necesar o ener!ie mare 'cel puin e!al cu lr!imea $enzii interzise E
!
( pentru a :sri:
1
peste
$anda interzis i a trece "ntr)o stare neocupat aflat "n $anda de deasupra iniial !oal 'care se
numete '$nd( de conduc"ie- deoarece "n ea se pot afla aceti electroni care pot participa la
conducia electric(. Ultima $and complet ocupat se numete '$nd( de v$len"( conin%nd
electronii de valen ai atomilor solidului. Ca urmare a celor e#puse solidul este un dielectric
&i!ol$tor) el neput%nd permite trecerea unui curent electric dec%t "n prezena unui c%mp electric
foarte intens 'de ordinul a 12
;
6<m( c%nd se produce
fenomenul de strpun!ere electric.
dac electronii nu ocup complet ultima $and
ener!etic nivelul ener!etic cel mai "nalt ocupat afl%ndu)se
"n interiorul acesteia atunci ei pot trece foarte uor chiar i
su$ aciunea unui c%mp electric foarte sla$ "n stri
ener!etice superioare 'aflate la valori infinit mici deasupra
celor iniiale( ceea ce asi!ur trecerea lor "n stare li$er "n
cristal
+
i posi$ilitatea de a forma un curent electric.
Structura ener!etic "n acest caz este prezentat "n
fi!ura 1.0 i ea corespunde solidelor numite conductori la care la * 7 2 8 ultima $and ocupat
'parial( este $anda de conducie. 4ivelul ener!etic ma#im al strilor ocupate cu electroni este
nivelul Fer%i.
Deci la * 7 2 8 solidele sunt fie conductori fie dielectrici 'izolatori(.
.a * = 2 8 dielectricii cu o lr!ime E
!
a $enzii interzise mic '> 0 e6( pot prezenta o
conducie electric datorit fluctuaiilor termice care permit o$inerea ener!iei necesare de ctre
unii electroni pentru a trece "n $anda de conducie. .a conducia electric a acestor solide particip
i !olurile formate "n $anda de valen prin trecerea unor electroni "n stri ener!etice superioare
din $anda de conducie. &stfel de solide sunt numite +e%iconductori, Pentru un cristal cu un
sin!ur atom pe celul numrul $enzilor ocupate 'rezultat ca raport dintre numrul total de stri
ener!etice ocupate 45<+ i numrul de stri dintr)o $and 4( este 5<+.
Dac 5 este impar ultima $and este incomplet ocupat solidul respectiv fiind un conductor
'metal( cum sunt de e#emplu metalele monovalente/ alcaline '.i 4a 8 ?$ Cs( i no$ile 'Cu
&! &u( care au o $and ocupat pe @umtate ca i cele trivalente '&l Aa(.
Elementele cu 5 par nu sunt "ns "ntotdeauna dielectrici aa cum ar rezulta ca urmare a
faptului c ultima $and ocupat este complet ocupat. &stfel datorit suprapunerii pariale a
$enzii de valen cu cea de conducie elementele $ivalente sunt toate metale 'de e#emplu Be
C! Ca D! 5n(. Unele dintre acestea sunt "ns sla$i conductori ca urmare a unei suprapuneri
mici a $enzilor ener!etice. *ot datorit suprapunerii $enzilor ener!etice elementele pentavalente
'&s S$ Bi etc.( sunt metale dei av%nd doi atomi "n celula elementar ultima $and este
complet ocupat. .a aceste elemente se o$serv o conducie mi#t 'de electroni i de !oluri( ele
fiind +e%i%et$le.
En aceste cazuri nivelul Fermi este plasat "n zona de suprapunere a $enzilor 'vezi fi!ura 1.F(
Elementele tetravalente sunt metale sau semiconductori cazul cel mai interesant fiind cel al
staniului care prezent%nd dou faze solide este metal "ntr)una i semiconductor "n cealalt. De
asemenea car$onul cu structura de diamant este un izolator pe c%nd ca !rafit este un
semiconductor. Din aceeai cate!orie a elementelor tetravalente Ae i Si sunt semiconductori
:standard: iar P$ este metal.
Cu e#cepia cazurilor amintite elementele cu 5 par sunt dielectrici.
- pro$lem ce merit a fi amintit aici este cea a
aa)numitelor +t(ri loc$le datorate unor defecte
1
De multe ori pentru simplificare se folosete e#presia :trecerea electronului de pe un nivel ener!etic pe altul: sau
altele asemntoare. Facem aici precizarea c este doar o e#primare formal nefiind nicidecum vor$a de un salt real
fizic dintr)un loc "n altul al electronului ci doar de o schim$are a strii ener!etice a acestuia care nu implic "n mod
necesar o modificare a poziiei lui "n spaiu.
+
Electronul respectiv nu este complet li$er ci se poate mica :li$er: "n c%mpul periodic al reelei solidului fr a
putea s)l prseasc 'aceasta "nt%mpl%ndu)se numai "n condiii deose$ite(.
F
structurale ale reelei de tipul celor descrise "n cursul de fizica corpului solid. &ceste defecte
determin apariia pe l%n! $enzile de ener!ie permise normale ale solidului i a unor niveluri
ener!etice discrete plasate uneori "n interiorul $enzilor permise alteori "n interiorul $enzilor
interzise. &ceste niveluri ener!etice corespunztoare strilor locale sunt foarte importante
"ntruc%t electronii din aceste stri pot fi e#citai i pot trece "n stri din $enzile permise modific%nd
concentraia purttorilor de sarcin electric li$eri "n solid i "n acest fel numeroase proprieti ale
acestuia. .e!at de aplicaiile practice cel mai cunoscut e#emplu este cel al semiconductorilor cu
impuriti 'e#trinseci(.
En concluzie din punctul de vedere al conduciei electrice "n funcie de structura celor trei
$enzi ener!etice 'de valen ) B6 de conducie ) BC i interzis( la temperaturi normale cristalele
se clasific "n/
1. izolatori 'dielectrici( la care lr!imea $enzii interzise este cuprins "ntre 0 i 12 e6G
+. semiconductori care au $anda interzis de lr!ime mai mic dec%t 0 e6G
0. conductori la care $anda interzis are o lr!ime practic ne!li@a$il sau "n unele cazuri
$anda de valen i cea de conducie se suprapun parial.
Concentraia de purttori n metale
Consider%nd pentru simplificare o reea unidimensional ener!ia potenial "n reea poate fi
reprezentat conform fi!urii 1.H "n care n
1
n
+
... reprezint nodurile reelei. Potenialul la
mar!inea cristalului a fost ales cu valoarea zero.
Se o$serv c un electron cu ener!ia I
1
nu poate fi li$er "n cristal neput%nd prsi !roapa de
potenial "n care se afl. El poate trece doar la un atom vecin pe acelai nivel ener!etic fiind astfel
un electron :le!at: care nu poate participa la conducia electric. En schim$ un electron cu ener!ia
I
+
se poate deplasa li$er "n interiorul metalului el fiind un electron de conducie. Pentru a putea
prsi metalul unui electron nu "i este "ns
suficient ener!ia I
+
"ntruc%t dup cum se poate
vedea "n fi!ur el "nt%lnete la mar!inea cristalului
o $arier de potenial. 4umai electronii cu valori
pozitive ale ener!iei cum este I
0
prsesc
metalul devenind li$eri "n e#teriorul acestuia. En
mod o$inuit electronii metalului nu au ener!ii
care s le permit prsirea acestuia.
Electronii li$eri din metal sunt distri$uii pe
diverse niveluri ener!etice din $anda de conducie
conform relaiei/
dn 7 f'J( 4'J( dJ '1. 2(
unde dn este concentraia de electroni cu ener!ii
cuprinse "n intervalul ener!etic dJ f'J( este pro$a$ilitatea ca starea cuantic de ener!ie J s fie
ocupat de un electron iar 4'J( este den+it$te$ de +t(ri ener*etice din $anda de conducie
'numrul de stri ener!etice din unitatea de volum i pe unitatea de ener!ie(.
S considerm un metal de form cu$ic de latur a "n interiorul cruia potenialul este
considerat constant
1
$ariera de potenial la mar!inea acestuia fiind suficient de "nalt pentru ca nici
un electron s nu poat prsi cristalul. En acest caz funcia de und asociat electronului 'funcia
Bloch
+
( este nul "n e#teriorul metalului ceea ce este posi$il numai dac unda asociat este
staionar av%nd un minim de amplitudine 'nod( la capetele cristalului. &cest lucru impune ca
dimensiunea cristalului a s fie un multiplu "ntre! al semilun!imii de und a undei asociate
electronilor li$eri din cristal adic a 7 f
+
i cum p 7
h
rezult/
1
En realitate el are forma din fi!ura 1.H dar pentru electronii li$eri din metal apro#imaia fKcutK este suficient de
$unK.
+
a se vedea cursul de fizica solidului.
H
p 7 f
a +
h
'1. 2(
J 7
+
+ + +
ma ;
h f
m +
p
'1. 2(
Pentru cele trei direcii relaia 1.0 devine/ p
#
7 f
#
Lh<+a p
9
7 f
9
Lh<+a p
z
7 f
z
Lh<+a. Electronii
li$eri din metal sunt caracterizai deci de patru numere cuantice/ f
#
f
9
f
z
i s 'numrul cuantic de
spin(.
Entr)o reprezentare "n spaiul impulsurilor in%nd cont de principiul de e#cluziune al lui Pauli
i de cele dou valori posi$ile ale lui s densitatea electronilor "n acest spaiu este +'+a<h(
0
deci
numrul electronilor cu impulsul cuprins "n intervalul 'p p M dp( este
dp p
h
a ;
dp p F
h
a +
+
;
1
+
0
0
+
0
,
_
. Cum p 7 mJ + p dp 7 m dJ i p
+
dp 7 dJ J m +
0
se
poate scrie/ 4'J( dJ 7
( )
dJ J
h
m + F
h
dp p ;
0
+
0
0
+
. Dac se noteaz C 7
( )
0
+
0
h
m + F
7 N;+ 12
+O
( )
0
+
0
m e6

rezult/
4'J( 7 C J '1. 2(
*re$uie precizat c "n toat aceast discuie m reprezint masa efectiv a electronilor aa
cum a fost ea definit "n cursul de fizica corpului solid.
Electronii li$eri ai metalului se supun statisticii Fermi)Dirac astfel "nc%t pro$a$ilitatea de
ocupare a unui nivel ener!etic de ener!ie J este dat de relaia/
f'J( 7
P*
I J
F
e 1
1
+
'1.
2(
unde I
F
este ener!ia Fermi * ) temperatura a$solut a cristalului i P constanta Boltzmann. Se
vede c la * 7 2 8 pentru J = I
F
f'J( 7 2 i pentru J > I
F
f'J( 7 1 ceea ce semnific faptul
c la 2 8 toate strile ener!etice aflate su$ nivelul Fermi sunt ocupate iar cele de deasupra sunt
toate li$ere. .a * = 2 8 c%nd J 7 I
F
f'J( 7 1<+ ceea ce d posi$ilitatea unei alte interpretri a
nivelului Fermi 'nivelul ener!etic a crei pro$a$ilitate de ocupare este H2 Q(. En fi!ura 1.N este
reprezentat !rafic e#presia f'J( 4'J( la diferite temperaturi.
4umrul total de electroni din unitatea de volum 'concentraia de electroni( este/
n 7 ( ) +
0
F
I
2
+
1
I C
0
+
dJ CJ
F
'1.
2(
Se constat c la metale concentraia electronilor de conducie este practic constant
nedepinz%nd de temperatur. ?ezult c "ntruc%t mo$ilitatea electronilor este invers proporional
cu temperatura conductivitatea metalelor este i ea invers proporional cu temperatura
'rezistivitatea este direct proporional cu temperatura(.
Pentru a scoate un electron din metal dup cum s)a vzut anterior este necesar ca ener!ia sa
s fie cel puin e!al cu "nlimea $arierei de potenial de la mar!inea cristalului. Ener!ia
electronilor la 2 8 este "ns cel mult e!al cu
ener!ia Fermi. Ca atare pentru e#tracia unui
electron este nevoie "n medie de o ener!ie e!al
cu diferena dintre nivelul $arierei de potenial
de la mar!inea cristalului i ener!ia Fermi
valoarea respectiv fiind o caracteristic a
N
fiecrui metal numit ener*ie de e.tr$c"ie
/
. &ceast ener!ie poate fi primit de unii din electronii
de conducie ai metalului pe diferite ci. De e#emplu prin "nclzirea metalului cum se poate vedea
din fi!ura 1.N unii din electroni pot avea ener!ii mai mari dec%t I
F
i pot depi astfel $ariera de
potenial ieind din metal. Din calcule rezult c prin emisia electronilor din metal ca urmare a
"nclzirii acestuia la temperatura * 'fenomen numit e%i+ie ter%oelectronic((se formeaz un
curent termoelectronic a crui densitate este dat de/
@ 7 &*
+
P*
I
e#t
e
'1. 2(
&ceasta este le!ea emisiei termoelectronice cunoscut i su$ numele de le*e$ Ric0$rd+on-
Du+0%$n.
Conducia electric la metale
Din cele vzute anterior rezult c la temperaturi o$inuite electronii de valen ai
metalelor se !sesc "n $anda de conducieG acest lucru "nseamn c ei sunt li$eri s se mite "n
interiorul cristalului nemaiaparin%nd unui atom anume i constituind astfel purttori de sarcin
electric li$eri. &ceti electroni se comport ca un !az "n care este :scufundat: reeaua cristalin.
Su$ aciunea unui c%mp electric e#terior de intensitate
E
electronii de conducie capt o

micare ordonat ce se constituie "ntr)un curent electric de densitate/
E
E
dt dS
dR
@
'1. 2(
unde dR este sarcina electric transportat "n intervalul de timp dt prin suprafaa transversal de
arie dS pe direcia c%mpului electric.
&ceast micare diri@at se suprapune peste a!itaia
termic a purttorilor i are loc cu o vitez medie
constant numit vite!( de dri#t,
S considerm un electron de conducieG asupra sa
acioneaz c%mpul electric e#terior de intensitate
E
cu
fora E e F

imprim%ndu)i o acceleraie a
. Ca
urmare viteza electronului crete p%n c%nd acesta
ciocnete plastic un ion al reelei ced%ndu)i "ntrea!a
ener!ie dup care micarea se reia "n acelai mod cu o
vitez iniial nul. Presupun%nd c ciocnirile se succed la
intervale de timp e!ale 'acest lucru "nsemn%nd c distana parcurs "ntre dou ciocniri consecutive
este e!al cu drumul li$er mediu( dependena de timp a vitezei electronului este de forma din
fi!ura 1.O "n care t
C
este timpul dintre dou ciocniri consecutive iar v
ma#
este dat de relaia/
E
m
et
t a v
n
C
C ma#

. 6iteza medie a acestei micri este dat de relaia/
E
m +
et
+
v
v
n
C ma#
m

din care se vede c v
m
'care este viteza de drift( este constant deci micarea este uniform. En
realitate ciocnirile nu au loc la intervale e!ale de timp dar formula se poate folosi consider%nd o
valoare medie a acestor intervale de timp dintre dou ciocniri consecutive t
Cm
. &tunci viteza de
drift a electronilor de conducie are e#presia/
E E
m +
et
v
n
n
C
n

'1. 2(
Crimeareprezint %o'ilit$te$ electronilor de conducie. Densitatea de curent va fi deci/
E en v en
E
E
dt dS
d dS en
E
E
dt dS
dR
@
n n
Enlocuind/
1
&desea se folosete termenul de lucru %ec$nic de e.tr$c"ie
O
en
n
7 7
1
'1. 2(
unde este conductivit$te$ electric( a metalului iar este re!i+tivit$te$ electric( a acestuia
densitatea de curent se scrie su$ forma/
E @

'1. 2(
care reprezint forma local a le*ii lui O0%,
&cest model clasic d rezultate "n concordan cu datele e#perimentale la temperaturi
o$inuite. .a temperaturi sczute "ns acest model nu mai corespunde rezultatelor e#perimentale
fiind necesar o tratare cuantic.
Concentraia de purttori n semiconductori
Semiconductori intrinseci
Dup cum s)a vzut "n para!raful 1.+ la semiconductori $anda de valen este 'la 2 8(
complet ocupat i separat de $anda de conducie 'li$er la 2 8( printr)o $and interzis cu o
lr!ime de ma#im 0 e6. En ta$elul 1.1 este dat valoarea lr!imii $enzii interzise pentru unele
materiale semiconductoare. .a temperaturi sczute semiconductorii se comport deci ca un
izolator nedispun%nd de purttori de sarcin electric li$eri care s formeze un curent electric su$
aciunea unui c%mp electric e#terior.
TA1ELUL /,/, L(r*i%e$ 'en!ii inter!i+e $ unor +e%iconductori
Semiconductor E! 'e6( Semiconductor E! 'e6(
Si 11 CdS +F
Se 2; P$S 2F1
Ae 2NO P$Se 2+0
*e 20F P$*e 2N
Sn 21 AaP ++F
,nS$ 20+ Aa&s 10H
,n&s 20S SiC +;
,nP 1+H D!Se 2N
,nS$ 21; &l+-0 +H
&lS$ 1H Cu+- 1H
CdSe 1; 5n- 0+
Cresc%nd "ns temperatura are loc aa)numitul proces de *ener$re ter%ic( intrin+ec( a
purttorilor de sarcin electric li$eri ca urmare a faptului c un anumit numr de electroni din
$anda de valen vor cpta suficient ener!ie 'prin intensificarea a!itaiei termice( pentru a rupe
le!turile covalente la formarea crora particip i a deveni li$eri "n interiorul cristalului. Din punct
de vedere ener!etic acest lucru "nseamn trecerea acestor electroni din $anda de valen "n $anda
de conducie ener!ia minim necesar fiind e!al cu lr!imea $enzii interzise. Este evident c
spre deose$ire de metale concentraia electronilor de conducie la semiconductori depinde de
temperatur av%nd "n vedere c tocmai ea este cauza apariiei acestor electroni.
.e!turile covalente corespunztoare electronilor trecui "n $anda de conducie rm%n
nesatisfcute echival%nd cu o re!iune de sarcin electric pozitiv numit *ol care la r%ndu)i
particip la conducie ca urmare a deplasrii sale "n sensul c%mpului electric e#terior. &cest proces
are loc prin saltul pe care "l poate face un electron :le!at: 'situat ener!etic "n $anda de valen( de
la un atom vecin electron care ocup !olul 'situat de asemenea "n $anda de valen( refc%nd
le!tura covalent rupt i ls%nd "n locul su un alt !ol. Enlocuirea deplasrii reale a electronilor
din $anda de valen cu deplasarea "n sens invers a !olurilor lsate de acetia permite simplificarea
studierii fenomenului de conducie electric la semiconductori.
Deci !enerarea termic intrinsec const "n apariia electronilor de conducie 'prin e#citarea
acestora din $anda de valen "n cea de conducie( concomitent cu formarea !olurilor "n $anda de
valen. Fiecrui electron din $anda de conducie "i corespunde un !ol "n $anda de valen ceea ce
"nseamn c i concentraia electronilor de conducie este e!al cu cea a !olurilor fapt caracteristic
semiconductorilor puri 'intrinseci( a cror conducie electric este numit conduc"ie intrin+ec(.
;
Procesul de !enerare este du$lat de un proces invers de recom$inare electron)!ol astfel
"nc%t la o temperatur constant cele dou procese se echili$reaz concentraia 'e!al( de electroni
de conducie i de !oluri n
i
numit concentr$"ie intrin+ec(- rm%n%nd constant.
Pentru determinarea concentraiei intrinseci se procedeaz ca "n cazul metalelor cu precizarea
c ener!ia !olurilor se msoar "n sens invers ca cea electronilor de conducie. Conform fi!urii 1.;
ener!ia cinetic a electronilor I
Pn
i cea a !olurilor I
P!
au
e#presiile/ I
Pn
7 J I
C
respectiv I
P!
7 I
6
J unde I
C
este limita inferioar a $enzii de conducie iar I
v
este limita
superioar a $enzii de valen. &tunci densitatea strilor
ener!etice pentru electroni i !oluri sunt date de e#presiile/
4
n
'J( 7 ( ) ( ) ( ) +
1
C n
+
1
C
+
0
n
0
I J C I J m +
h
F

4
p
'J( 7 ( ) ( ) ( ) +
1
6 p
+
1
6
+
0
p
0
J I C J I m +
h
F

Pro$a$ilitatea de ocupare a unei stri este dat tot de funcia

Fermi)Dirac. Pentru electronii din $anda de conducie e#presia este tot cea dat de relaia 1.N
care la temperaturi o$inuite "ntruc%t f'J( >> 1 se poate apro#ima su$ forma/
( )
P*
J I
F
e J f

ceea ce ne arat c "n aceste condiii funcia de distri$uie se reduce la una de tip clasic 'Ca#Jell)
Boltzamnn(. Concentraia de electroni este/
n 7
( ) ( )

C
F
C
I
P*
I J
C n
I
n
dJ e I J C dJ J f J 4
n 7
( )
P*
I I
C
P*
I I
+
0
n
0
C F C F
e 4 e P* m +
h
+

'1.
2(
&nalo! pentru !oluri p 7 ( ) ( )

6
I
p
dJ J f J 4 unde fT'J( 7 1 f'J( ceea ce
deriv din faptul c o stare ener!etic poate fi ocupat fie de un electron fie de un !ol deci suma
pro$a$ilitilor de ocupare a acelei stri cu un electron respectiv de un !ol este e!al cu unitatea.
Evident cum f'J( >> 1 fT'J(
P*
I J
F
e

. &tunci
p 7
( )
P*
I I
6
P*
I I
+
0
p
0
F 6 F 6
e 4 e P* m +
h
+

'1.
2(
Entruc%t la un semiconductor e#trinsec n 7 p 7 n
i

( ) ( )
P*
I I
+
0
p
P*
I I
+
0
n
F 6 C F
e m e m

de unde
rezult/
I
F
7
n
p !
6
n
p
C 6
m
m
ln P*
F
0
+
E
I
m
m
ln P*
F
0
+
I I
+ + +
+
'1. 2(
unde E
!
7 I
C
I
6
este lr!imea $enzii interzise.
Din relaia de mai sus se vede c dac m
n
7 m
p
sau * 7 2 8 nivelul Fermi este situat chiar
la mi@locul $enzii interziseG dac m
n
> m
p
nivelul Fermi este mai aproape de $anda de conducie "n
timp ce dac m
n
= m
p
el este mai aproape de $anda de valen. Calcul%nd nLp 7
+
i
n rezult
concentraia intrinsec/
n
i
7 P* +
E
6 C
!
e 4 4

'1. 2(
S
Semiconductori extrinseci
,ntroducerea unor impuriti "n proporie foarte redus "ntr)un semiconductor se numete
do$re. Folosind drept impuriti elemente pentavalente cum sunt S$ &s P Bi numite
i%urit("i dono$re se o$ine un +e%iconductor e.trin+ec de ti 2n2 "n timp ce folosind drept
impuriti elemente trivalente ca B &l Aa ,n numite i%urit("i $cceto$re- se o$ine un
+e%iconductor e.trin+ec de ti 22,
&ceste impuriti fiind "ntr)o concentraie foarte redus '12
1F
12
1;
atomi<cm
0
( nu modific
structura cristalin a semiconductorului comport%ndu)se ca impuriti su$stituionale adic
su$stituind "n reea atomii de semiconductor i fiind deci o$li!ate s se comporte ca acetia 's
formeze patru le!turi covalente cu cei patru atomi de semiconductor vecini(.
&tomii de impuriti donoare dispun astfel de un electron "n plus fa de numrul necesar
realizrii confi!uraiei electronice complete pe stratul de valen electron care este foarte sla$ le!at
'ener!ia de le!tur fiind de ordinul a 12
+
e6(. Prezena impuritilor donoare determin apariia
unor stri locale "nsoite de un nivel ener!etic discret situat "n $anda interzis "n imediata
apropiere a $enzii de conducie numit nivel ener*etic donor- cruia "i corespunde ener!ia I
D
. .a
2 8 acest nivel este complet ocupat cu c%te un electron provenit de la fiecare atom de impuritate
donoare. Chiar i la temperaturi mai sczute unii din electronii aflai pe nivelul donor pot trece "n
$anda de conducie "ntruc%t ener!ia de care au nevoie pentru aceasta numit ener*ie de $ctiv$re
este foarte mic "n comparaie cu ener!ia necesar procesului de !enerare intrinsec. Evident
aflai "n $anda de conducie electronii respectivi sunt electroni de conducie "ns locul !ol lsat de
acetia pe nivelul donor nu este un !ol care s poat participa la conducia electric. &cest proces
de apariie a electronilor de conducie prin e#citarea electronilor de pe nivelul donor "n $anda de
conducie 'proces ne"nsoit de apariia corespunztor fiecrui electron de conducie a unui !ol "n
$anda de valen ca la conducia intrinsec( se numete *ener$re ter%ic( e.trin+ec( a
electronilor de conducie. Fizic procesul const "n ruperea electronului sla$ le!at de atomul cruia
"i aparine el devenind astfel li$er "n cristal. Concomitent cu acest proces are loc i procesul
invers de trecere a electronilor de conducie pe nivelul donor astfel "nc%t la o temperatur
constant concentraia electronilor de conducie !enerai e#trinsec se menine constant ca urmare
a sta$ilirii unui echili$ru dinamic "n cristal.
En cazul impurificrii semiconductorului cu impuriti acceptoare acestea au o le!tur
nesatisfcut ca urmare a faptului c nu dispun dec%t de trei electroni de valen care "mpreun
cu cei patru pui "n comun de cei patru atomi vecini nu pot asi!ura confi!uraia electronic
complet de octet. &ceast le!tur nesatisfcut creeaz o stare local caracterizat de un nivel
ener!etic discret situat "n $anda interzis "n imediata apropiere a $enzii de valen nivel care la 2
8 este complet li$er. .e!tura poate fi saturat prin acceptarea unui electron le!at de la un atom
vecin acesta rm%n%nd le!at de atomul de impuritate deci nedevenind electron li$er. .ocul lsat
li$er de acest electron la atomul cruia i)a aparinut este "ns un !ol care poate participa la
conducie prin procesele artate anterior. Ener!etic procesul const "n e#citarea unui electron din
$anda de valen pe nivelul donor i apariia unui !ol "n $anda de valen proces care se poate
petrece chiar i la temperaturi mai sczute "ntruc%t ener!ia de care este nevoie pentru aceasta este
foarte mic "n comparaie cu ener!ia necesar procesului de !enerare intrinsec.
&cest proces de apariie a !olurilor "n $anda de valen prin e#citarea unor electroni din
$anda de valen pe nivelul acceptor 'proces ne"nsoit de apariia corespunztor fiecrui !ol a unui
electron "n $anda de conducie ca la conducia
intrinsec( se numete *ener$re ter%ic( e.trin+ec( a
!olurilor. Concomitent cu acest proces are loc i
procesul invers de trecere a electronilor de pe nivelul
donor "n $anda de valen astfel "nc%t la o temperatur
constant concentraia !olurilor !enerate e#trinsec se
menine constant ca urmare a sta$ilirii unui echili$ru
dinamic "n cristal.
12
En am$ele situaii peste procesele descrise se suprapune i cel de !enerare termic intrinsec
i ca urmare oric%nd "n semiconductorii impurificai vor e#ista am$ele tipuri de purttori de
sarcin electric li$eri electroni de conducie i !oluri dar concentraiile lor nu mai sunt e!ale ca
la conducia intrinsec. Semiconductorii impurificai cu impuriti donoare 'semiconductori
e#trinseci de tip n( vor avea o concentraie mai mare de electroni de conducie dec%t de !oluri
'motiv pentru care electronii de conducie sunt urt(tori %$3orit$ri iar !olurile urt(tori
%inorit$ri( conducia electric realizat "n acest caz numindu)se conduc"ie e.trin+ec( de ti n
iar cei impurificai cu impuriti acceptoare 'semiconductori e#trinseci de tip p( vor avea o
concentraie mai mare de !oluri dec%t cea a electronilor de conducie '"n acest caz !olurile sunt
ma@oritare i electronii minoritari(. Procesele descrise mai sus sunt reprezentate "n fi!ura 1.S.
S considerm acum un semiconductor e#trinsec de tip n. Entruc%t la 2 8 nivelul donor este
complet ocupat rezult c nivelul Fermi este situat "ntre acest nivel i limita inferioar a $enzii de
conducie/ I
C
= I
F
= I
D
.
.a o temperatur oarecare "n $anda de conducie se !sesc electroni provenii at%t prin
!enerare intrinsec dar i prin !enerare e#trinsec "n concentraie n 7 n
D
M n
i
unde n
i
este
concentraia de purttori !enerai prin procese intrinseci iar n
D
este concentraia de electroni
!enerai prin procese e#trinseci.
| .a temperaturi mici !enerarea intrinsec este ne!li@a$il n
i

2 i deci n n
D
. Concentraia
electronilor de conducie !enerai e#trinsec este e!al cu concentraia de atomi donori ionizai i
care printr)un calcul analo! celor anterioare se arat c are e#presia/
n
D
7 4
D
P*
I I
F D
e

'1. 2(
unde 4
D
este concentraia de atomi donori.
Pe de alt parte "n para!raful anterior s)a dedus relaia 1.11 care e#prim concentraia de
electroni din $anda de conducie i care este vala$il indiferent de modul de apariie a acestora/ n 7
4
C
P*
I I
C F
e

. Uin%nd cont c n n
D
"nmulind cele dou relaii i e#tr!%nd rdcina ptrat se
o$ine/
n 7 P* +
I I
D C
D C
e 4 4

Un calcul mai e#act d valoarea/

n 7
P* +
I I
D C
D C
e
+
4 4

'1. 2(
| .a temperaturi de ordinul a 12
+
8 practic toi atomii donori sunt ionizai i "ntruc%t "nc n
i
2 n 4
D
deci concentraia electronilor de conducie rm%ne practic constant. *emperatura la
care practic toi donorii sunt ionizai se numete te%er$tur( de eui!$re *
E
.
| .a temperaturi i mai mari peste o valoare *
i
1
!enerarea termic intrinsec "ncepe s se
manifeste "n mod evident i cum concentraia atomilor de semiconductor este mult mai mare dec%t
cea a atomilor de impuriti i concentraia electronilor de conducie provenii din !enerarea
intrinsec va fi mult mai mare dec%t cea a electronilor de conducie provenii prin !enerarea
e#trinsec astfel "nc%t n
i
== 4
D
i deci n n
i
.
En !raficul din fi!ura 1.12 este reprezentat
variaia cu temperatura a concentraiei electronilor de
conducie "ntr)un semiconductor e#trinsec de tip n de
unde se poate constata c e#ist un domeniu de
temperaturi destul de lar! '"n domeniul de temperaturi
ale mediului am$iant( "n care aceasta este constant fapt
1
De fapt nu e#istK o temperaturK e#actK la care putem spune cK toi donorii sunt complet epuizai sau la care
!enerarea intrinsecK devine evidentK deci *E i *i nu sunt "n realitate valori e#acte ci domenii de valori ale
temperaturii. Formal este mai comod "nsK sK le considerKm drept valor e#acte.
11
pe care se $azeaz i ma@oritatea aplicaiilor materialelor semiconductoare e#trinseci. Pentru
comparaie s)a reprezentat cu linie mai !roas variaia cu temperatura a concentraiei de electroni
de conducie "ntr)un semiconductor intrinsec. 5ona , la temperaturi su$ temperatura de epuizare
este zona de conducie e#trinsec "n care concentraia crete e#ponenial cu temperatura
e#ponentul fiind "ns mic. 5ona a ,, ) a la temperaturi cuprinse "ntre *
E
i *
i
este zona de
epuizare "n care concentraia de purttori rm%ne constant. 5ona a ,,,)a la temperaturi peste *
i

este zona de conducie intrinsec unde concentraia purttorilor crete din nou e#ponenial "ns
mult mai rapid e#ponentul fiind mult mai mare. Cai e#act "n aceast zon concentraia este dat
practic de relaia 1.1N unde e#ponentul este proporional cu E
!
7 I
C
I
6
'E
!
V 1 e6( "n timp ce
"n prima zon concentraia este dat de relaia 1.1; "n care e#ponentul este proporional cu I
C

I
D
'I
C
I
D
V 12
+
e6(.
En mod analo! se produc i procesele "ntr)un semiconductor e#trinsec de tip p "n care "ns
purttorii ma@oritari sunt !olurile provenite din !enerarea termic intrinsec i din !enerarea
termic e#trinsec '"n acest caz electronii provin numai prin !enerare termic intrinsec(. .a
temperaturi mici concentraia !olurilor "ntr)un semiconductor e#trinsec de tip p este dat de
relaia/
p 7 P* +
I I
& 6
D C
e 4 4 +

'1.
2(
unde 4
&
este concentraia de impuriti acceptoare. Un !rafic asemntor celui din fi!ura 1.12 se
poate trasa i pentru concentraia de !oluri dintr)un semiconductor e#trinsec de tip p.
En ta$elele 1.+ i 1.0 sunt date valorile ener!iei de activare la !ermaniu i siliciu dopai cu
diferite impuriti.
TA1ELUL /,4, V$lo$re$ ener*iei de $ctiv$re l$ +e%iconductori do$"i cu i%urit("i dono$re
impuritate
donoare
S$ P &s
I
C
) I
D
'12
)0
e6(
semiconductor Si F0 FH H0
Ae 12 1+ 10
TA1ELUL /,5, V$lo$re$ ener*iei de $ctiv$re l$ +e%iconductori do$"i cu i%urit("i $cceto$re
impuritate
acceptoare
B &l Aa ,n
I
&
) I
6
'12
)0
e6(
semiconductor Si FF N; O+ 1HH
Ae 12F 12+ 12; 11+
Conducia electric la semiconductori
Consideraiile e#puse "n para!raful 1.F sunt vala$ile i "n cazul semiconductorilor numai c
aici tre$uie s inem seama c e#ist dou tipuri de purttori/ electronii 'cu sarcin ne!ativ( i
!olurile 'cu sarcin pozitiv(. &cetia se vor deplasa su$ aciunea unui c%mp electric e#terior cu
viteza de drift
1
/
E E
m +
et
v G E E
m +
et
v
p
p
cm
p n
n
cm
n

'1. 2(
Se constat c viteza de drift a !olurilor este "n sensul c%mpului electric "n timp ce viteza de
drift a electronilor este "n sens invers acestuia. Fiecare tip de purttor va crea un curent electric cu
densitatea/
n
@
7 en
n E
7
n E
G
p
@
7 en
p E
7
p E
'1. 2(
Sensul celor doi cureni determinai de cele dou tipuri de purttori este acelai cu sensul
c%mpului electric e#terior. Curentul total rezultat prin suprapunerea lor are densitatea/
p n
@ @ @

+
7 e'n
n
M p
p
(
E
7 '
n
M
p
(
E
7
E
'1. 2(
1
En continuare pentru electroni vom folosi indicele n i pentru !oluri indicele p
1+
Crimea
7 e'n
n
M p
p
( '1. 2(
reprezint conductivitatea electric a semiconductorului relaia 1.+0 fiind cunoscut su$ denumirea
de #or%ul$ conductivit("ii unui +e%iconductor cu i%urit("i,
Cureni de difuzie n semiconductori
&m vzut c "ntr)un cristal 'metal sau semiconductor( "n prezena unui c%mp electric
e#terior apare un curent electric numit curent de c6% sau de dri#t. C%mpul electric e#terior nu
este "ns sin!ura cauz care poate produce o deplasare diri@at a purttorilor de sarcin electric
li$eri. &ceasta poate fi produs i de e#istena unui !radient de concentraie a purttorilor datorat
fie unui !radient de temperatur fie in@eciei "ntr)o anumit zon a unor noi purttori fie aciunii
unor radiaii care produc !enerarea de noi purttori etc. &cest !radient de concentraie d natere
unui curent de difuzie analo! cu procesul de difuzie a !azelor.
S considerm un semiconductor "n care e#ist un !radient de concentraie de electroni de
conducie. &cesta d natere unei difuzii a electronilor din zona de concentraie mai mare spre cea
de concentraie mai mic tinz%nd spre uniformizarea concentraiei "n toat masa cristalului.
Deplasarea diri@at a purttorilor ca urmare a !radientului de concentraie reprezint un curent de
di#u!ie a crui densitate este dat de relaia/
n
@
7 eD
n
( ) r n

'1. 2(
unde D
n
este coe#icientul de di#u!ie al electronilor o constant ce depinde de material.
Dar cum nLp 7 n
i
+
"nseamn c paralel cu !radientul de electroni e#ist i un !radient de
!oluri ce determin la r%ndul su un curent de difuzie de densitate
1
/
p
@
7 eD
p
( ) r p

'1. 2(
Ca urmare a difuziei "n re!iunile prsite de electroni respectiv !oluri rm%n sarcini
electrice imo$ile necompensate 're!iunea din care au difuzat electronii este srcit "n sarcini
electrice ne!ative deci are un surplus de sarcini pozitive iar cea din care au difuzat !olurile are un
surplus de sarcini ne!ative( de semn opus. &ceast distri$uie de sarcin electric determin
apariia unui c6% electric intern "n cristal
int
E
+
care determin la r%ndul su apariia unui
curent electric de drift at%t pentru electroni c%t i pentru !oluri. Conform relaiei 1.+1. acetia au
e#presiile/
int p pd int n nd
E ep @ G E en @

Se o$serv c cei doi cureni de drift au sens opus 'vezi nota de su$sol( sensului curenilor de
difuzie. Ca urmare se va produce un fenomen de echili$ru dinamic "ntruc%t efectul 'curentul de
drift( se opune cauzei '!radientul de concentraie i curentul de difuzie(. Echili$rul se sta$ilete
c%nd cei doi cureni de difuzie respectiv de drift sunt e!ali "n modul deci c%nd curentul total este
nul. Densitile totale de curent de electroni i respectiv de !oluri sunt date de relaiile/
( )
int n n nd n n
E n n D e @ @ W

'1. 2(
( )
int p p pd p p
E p p D e @ @ W

'1. 2(
Un semiconductor izolat a@un!e deci la echili$ru c%nd
n
W
i
p
W
sunt e!ali cu zero.

Consider%nd pentru simplificare un !radient unidimensional condiia de mai sus pentru curentul
de electroni se scrie/
1
&a cum sunt scrise cele douK relaii 1.+F i 1.+H sensul pozitiv ales este sensul lui !rad n 'care are la r%ndul sKu
sensul de la zona de concentraie de electroni mai micK spre cea de concentraie mai mare( deci i @ n i @p au sens
pozitivG !rad p are sens ne!ativ.
+
Sensul c%mpului intern este de la zona din care au difuzat electronii li$eri 'unde a rKmas un surplus de sarcinK
electricK pozitivK imo$ilK( spre cea "n care au difuzat acetiaG cum difuzia are loc din zona de concentraie mai mare
spre cea de concentraie mai micK sensul c%mpului electric intern este invers sensului !radientului concentraiei de
electroni 'care este de la zona de concentraie mai micK spre cea de concentraie mai mare( deci conform conveniei
ne!ativ.
10
n
n
E
int
7 D
n
d#
dn
'1. 2(
Concentraia electronilor de conducie este dat de relaia 1.10/ n
2
7 4
C
P*
I I
C F
e

. Dac "ns
e#ist i un c%mp electric 'c%mpul electric intern "n cazul de fa( la ener!ia I
C
tre$uie adu!at
un termen suplimentar eU care provine din faptul c ener!ia minim a electronilor de conducie
este mai mare ca urmare a accelerrii lor "n diferena de potenial U creat de c%mpul electric
respectiv. Concentraia electronilor de conducie este "n acest caz/
n 7 4
C
P*
eU I I
C F
e

7 n
2
P*
eU
e
'1. 2(
Cum E
int
7
d#
dU
putem scrie/
int
P*
eU
2
E
P*
en
d#
dU
P*
e
e n
d#
dn

,
_

'1. 2(
Enlocuind relaia 1.02 "n 1.+; rezult/
D
n
7
e
P*
n
'1. 2(
Printr)un calcul analo! se o$ine i/
D
p
7
e
P*
p
'1. 2(
&a cum am artat anterior la echili$ru termic concentraia purttorilor "n orice punct din
semiconductor este constant "n timp ca urmare a echili$rului dinamic ce se sta$ilete "ntre cele
dou procese inverse/ !enerarea termic i recom$inarea purttorilor.
Se definesc vite!$ de *ener$re A respectiv vite!$ de reco%'in$re ? ca fiind numrul de
purttori !enerai respectiv recom$inai "n unitatea de volum i "n unitatea de timp 'dn<dt sau
dp<dt( . .a echili$ru ? 7 A.
De asemenea. se definete ti%ul de vi$"( %ediu $l urt(torilor
n
i
p
ca intervalul
de timp mediu "ntre momentul !enerrii i cel al recom$inrii.
Este evident c viteza de recom$inare depinde pe l%n! ali factori direct proporional de
concentraiile celor dou tipuri de purttori care se recom$in. &stfel putem scrie/ ? n p
relaie care "n cazul unor semiconductori e#trinseci la temperaturi medii capt forma/
? 4
D
p
2
pentru semiconductori de tip n
? 4
&
n
2
pentru semiconductori de tip p
unde 4
D
i 4
&
sunt concentraiile 'constante( de impuriti donoare respectiv acceptoare.
Uin%nd cont i de definiia vitezei de recom$inare putem scrie e#presiile vitezei de
recom$inare a purttorilor minoritari/
? 7 p
2
<
p
pentru semiconductori de tip n
? 7 n
2
<
n
pentru semiconductori de tip p
S considerm acum un semiconductor de tip n "n care la echili$ru concentraia de purttori
minoritari '!oluri( este p
no
. Dac printr)un mi@loc oarecare are loc creterea acestei concentraii la
valoarea p
no
M p
2
se produce o stare de neechili$ru la "ncetarea cauzei care a produs surplusul
de purttori concentraia acestora scz%nd spre valoarea iniial p
no
'p 2(. 6aloarea p
n
7 p
no
M
p reprezint concentr$"i$ urt(torilor de neec0ili'ru p fiind concentr$"i$ urt(torilor 7n
e.ce+. Ecuaia ce descrie acest proces esteG prin inte!rare
p
n
't( 7 p
n2
M p
2
p
t
e

'1. 2(
unde p
n
't( este concentraia purttorilor de neechili$ru la
momentul t dup "ncetarea cauzei care a produs
1F
dezechili$rul iar p
2
este concentraia iniial a purttorilor "n e#ces. Entr)un mod asemntor se
poate scrie i o relaie care s e#prime concentraia purttorilor de neechili$ru "ntr)un
semiconductor de tip p/
n
p
't( 7 n
p2
M n
2
n
t
e

'1. 2(
S considerm acum o poriune paralelipipedic de arie transversal & i lun!ime d# 'fi!ura
1.11( dintr)un semiconductor de tip n prin care trece un curent transversal de purttori minoritari
de densitate @.
Dac "n acest volum se produce !enerarea de noi purttori cu viteza de !enerare A 7 p
2
<
p

"ntr)o re!iune infinit mic "n interiorul volumului respectiv vom avea o concentraie p de purttori
minoritari provenii pe de o parte din !enerare pe de alt parte prin transport de ctre curentul @
concentraie mai mare dec%t p
2
i dependent de poziie. ?ecom$inarea purttorilor are loc cu
viteza ? 7 p<
p
i este evident c urmare a faptului c ? = A densitatea de curent la ieirea din
volumul considerat va fi diminuat cu o valoare d@. Din conservarea sarcinii electrice "n volumul
respectiv putem scrie/
e d# &
dt
dp
7 e d# &
p
p
M e d# &
p
2
p
d@ &
Dar & d@ 7 & e D
p
d#
dp
M & e p
p
E 'a se vedea relaia 1.+O( i deci/
( )
#
E p
#
p
D
p p
t
p
n
p +
n
+
p
p
2 n n n
'1. 2(
?elaia de mai sus reprezint ecu$"i$ de tr$n+ort 1olt!%$nn.
Dac E 7 2 i
t
p
n
7 2 relaia de mai sus devine/

p p
2 n n
+
n
+
D
p p
#
p
cu soluia/
p
n
'#( 7 p
n2
M p
n
'2(
p
.
#
e
'1. 2(
unde
.
p
7 p p
D
'1. 2(
se numete lun*i%e de di#u!ie i reprezint distana medie str$tut de un !ol in@ectat p%n la
recom$inarea lui cu un electron.
?elaia 1.0N e#prim scderea concentraiei de !oluri '"n !eneral de purttori minoritari
in@ectai "ntr)o zon din semiconductor( e#ponenial cu distana fa de locul de in@ectare.
Fenomene optice n semiconductori
Dac asupra unui material semiconductor cade o radiaie electroma!netic o parte din
aceasta este a$sor$it restul fiind reflectat sau transmis. ,nteracia radiaiei electroma!netice cu
semiconductorul poate consta "n a$sor$ia ener!iei fotonilor de ctre electroni care poate avea
drept consecin atunci c%nd ener!ia fotonilor a$sor$ii este cel puin e!al cu ener!ia de e#tracie
emisia "n e#terior a unui flu# de electroni fenomen cunoscut su$ numele de e#ect #otoelectric
e.tern, Dac ener!ia fotonilor a$sor$ii este mai mic dec%t ener!ia de e#tracie se poate produce
prin mai multe mecanisme e#ectul #otoelectric intern care const "n crearea "n semiconductor a
unor purttori de sarcin electric li$eri "n e#ces fapt ce duce evident la creterea conductivitii
electrice a acestuia.
Unul din mecanismele de producere a efectului fotoelectric intern este *ener$re$ otic(
intrin+ec( a perechilor electron li$er)!ol ca urmare a e#citrii prin a$sor$ia fotonilor de ctre
unii din electronii din $anda de valen i trecerea lor "n $anda de conducie concomitent cu
formarea corespunztoare a unor !oluri "n $anda de valen. &cest fenomen se poate produce
indiferent de tipul semiconductorului cu condiia ca ener!ia fotonului s fie cel puin e!al cu
lr!imea $enzii interzise adic h
1
XE
!
ceea ce impune pentru lun!imea de und a radiaiei
electroma!netice o valoare ma#im 'lun*i%e$ de und( de r$*(/
1H
m
7
!
E
hc
'1. 2(
Un alt mecanism de producere a efectului fotoelectric intern este cel de *ener$re otic(
e.trin+ec( prin e#citarea electronilor din $anda de valen pe nivelul acceptor cu apariia
corespunztoare a unor !oluri "n $anda de valen sau prin e#citarea electronilor de pe nivelul
donor "n $anda de conducie. Evident acest mecanism se poate produce numai "n semiconductorii
dopai la care e#ist nivelurile ener!etice discrete donor i<sau acceptor.
Condiia necesar producerii fenomenului este ca ener!ia fotonului a$sor$it s fie cel puin
e!al cu ener!ia de activare adic h
2
XI
C
I
D
pentru !enerarea optic e#trinsec a
electronilor de conducie respectiv h
3
XI
&
I
6
pentru !enerarea optic e#trinsec a
!olurilor. Yi "n aceste cazuri se poate scrie o relaie asemntoare relaiei 1.0; care s e#prime
lun!imea de und ma#im necesar producerii fenomenului.
Fenomenele descrise mai sus sunt reprezentate schematic "n fi!ura 1.1+. En ta$elul 1.F sunt
date valorile lun!imii de und de pra! pentru siliciu sau !ermaniu dopat cu diferite impuriti.
TA1ELUL /,8 V$lo$re$ lun*i%ii de und( de r$* entru di#eri"i +e%iconductori
impuritate B &l Aa ,n Bi &s P S$ Cu 5n )
m
' m(
semiconductor Si +; 1; 1O ; 1; +0 +; +S 11
Ae 12; 12F 02 0; 1;
Se vede c lun!imea de und de pra! este mai mic pentru semiconductorii puri dec%t pentru
aceiai semiconductori dopai lucru de altfel simplu de e#plicat. En schim$ la acetia fenomenul
de !enerare optic nu se poate petrece dec%t la temperaturi sczute 'V 12 8( la temperaturi medii
impuritile fiind de@a ionizate prin fenomenul de !enerare termic.
Procesul de !enerare optic nu se produce "n mod uniform "n tot volumul semiconductorului
acesta fiind cu at%t mai intens cu c%t el se produce mai aproape de suprafa.
Vite!$ de $'+or'"ie a fotonilor la o ad%ncime # "n semiconductor 'numrul de fotoni
a$sor$ii "n unitatea de timp i "n unitatea de volum( este dat de relaia/ & 7 ,'#( 7 ,
2
e
#

unde este coe#icientul de $'+or'"ie ce depinde de ener!ia de activare sau de lr!imea $enzii
interzise '"n funcie de mecanismul de a$sor$ie( ,'#( este intensitatea radiaiei la ad%ncimea # "n
semiconductor iar ,
2
este intensitatea radiaiei la suprafaa acestuia.
4u toi fotonii a$sor$ii produc !enerarea optic a unor purttoriG pe de alt parte este posi$il
ca un sin!ur foton s !enereze mai muli purttori. Din aceast cauz viteza de !enerare a
purttorilor su$ aciunea radiaiei electroma!netice a$sor$ite este doar proporional cu viteza de
a$sor$ie/ A 7 L& unde este r$nd$%entul de *ener$re 'r$nd$%ent cu$ntic( definit ca
numrul mediu de purttori de un anumit tip !enerai prin a$sor$ia unui sin!ur foton. &tunci
A'#( 7 ,'#( 7 ,
2
e
#
7 A
2
e
#
'1. 2(
Din relaia de mai sus se vede c viteza de !enerare
optic a purttorilor scade e#ponenial cu ad%ncimea "n
semiconductor ceea ce "nseamn c procesul de !enerare
optic este semnificativ doar "ntr)un strat su$ire de la
suprafaa semiconductorului.
Dup cum am artat anterior fenomenul de !enerare
este compensat de fenomenul invers de recom$inare la un
flu# constant al radiaiei incidente sta$ilindu)se un
echili$ru "ntre cele dou fenomene '? 7 A( astfel "nc%t
concentraia purttorilor "n e#ces rm%ne constant 'n 7
?
n
sau p 7 ?
p
( adu!%ndu)se celei de echili$ru.
&cest lucru duce la creterea conductivitii
semiconductorului/
7 eZ
n
'n M n( M
p
'p M p([ 7 e'n
n
M p
p
( M e'n
n
M p
p
( 7
2
M
f
'1. 2(
unde
o
este conductivitatea la "ntuneric i
f
este fotoconductivitatea semiconductorului
1N
En anumite situaii se poate produce reco%'in$re$ r$di$tiv( a purttorilor care este un
fenomen invers celui de a$sor$ie a radiaiei electroma!netice. Dac procesul de recom$inare
radiativ are loc lent 'durata de 1 12
F

s( fenomenul de emisie optic se numete #o+#ore+cen"(
iar dac el are loc rapid '12
H

12
;
s( emisia optic se numete #luore+cen"(, En fapt este vor$a
de tranziia electronic de pe un nivel ener!etic superior I
i
pe unul inferior I
f
av%nd ca urmare
emisia unui foton de ener!ie h 7 I
i
I
f
. Cecanismele prin care poate avea loc emisia optic
sunt/
) reco%'in$re$ r$di$tiv( direct( adic trecerea unui electron de conducie direct "n $anda
de valen i emisia unui fotonG
) reco%'in$re$ r$di$tiv( indirect( c%nd trecerea electronului de conducie "n $anda de
valen nu se face direct ci prin intermediul unui nivel ener!etic discret e#istent "n $anda
interzis corespunztor unei stri locale ceea ce determin emisia a doi fotoni evident cu
respectarea conservrii ener!ieiG acest caz are "ns o pro$a$ilitate de producere mult mai mic
dec%t recom$inarea radiativ direct.
) reco%'in$re$ r$di$tiv( rin $liire- care spre deose$ire de celelalte dou tipuri de
recom$inare radiativ se produce numai "n semiconductorii e#trinseci i const "n captarea de
ctre un ion de impuritate a unui purttor de semn contrar i emisia unui foton.
Tehnici de obinere a semiconductorilor intrinseci i extrinseci
&a cum se va vedea "n continuare materialele semiconductoare au numeroase aplicaii
motiv pentru care o importan deose$it o au metodele i tehnicile de fa$ricare a acestora. En
prezent se cunoate un numr foarte mare de su$stane semiconductoare care se pot clasifica "n
mai multe cate!orii/
su$stane simple 'elemente(/ Si Ae Se Sn etc.
compui $inari
) de tip ,,, ) 6/ Aa&s ,nS$ ,nP$
) de tip ,, ) 6,/ 5n- CdS CdSe 5nS
) de tip ,6 ) ,6/ SiC
) de tip ,, ) ,6/ *i-
+
6-
+

precum i alii mai puin importani
compui ternari
) de tip , ) ,6 ) 6/ &!BiSe
) de tip ,, ) ,6 ) 6/ C!AeP
+
) de tip , ) ,6 ) 6,/ CuSi
+
P
0
) de tip ,6 ) ,6 ) 6,/ P$Sn*e etc.
compui cuaternari/ CuP$&sS
0
soluii solide/ Ae ) Si ,n&s ) ,nS$ P$Se ) P$*e etc.
Prima pro$lem ce se pune "n practic la fa$ricarea diferitelor dispozitive semiconductoare
este o$inerea semiconductorului cu o puritate c%t mai mare i cu defecte ale reelei c%t mai reduse.
Urmeaz apoi dac este cazul o impurificare controlat pentru o$inerea unui semiconductor
intrinsec cu caracteristicile dorite.
Pentru aceasta mai "nt%i se o$ine un monocristal printr)una din metodele o$inuite de
cretere a cristalelor. - metod foarte des utilizat este cea de cre9tere eit$.i$l( a unui strat
monocristalin pe un suport cu rol de !ermene c%nd are loc transportul unor atomi din faz solid
lichid sau !azoas la suprafaa unui monocristal astfel "nc%t stratul nou depus continu structura
cristalin a su$stratului. Prin aceast metod se pot crete straturi epita#iale de natur chimic
diferit de cea a su$stratului cu condiia ca am%ndou straturile s ai$ acelai tip de reea cu
parametrul reelei foarte apropiat i cu coeficieni de dilatare apro#imativ e!ali.
Cetodele de purificare utilizate sunt metode fizice $azate pe trecerea lent a
semiconductorului din faza lichid "n faza solid c%nd are loc o redistri$uire a impuritilor aflate
iniial "n materia prim acestea rm%n%nd "n cea mai mare parte "n faza lichid.
1O
,mpurificarea controlat 'doparea( cu impuriti donoare sau acceptoare se poate realiza fie
concomitent cu creterea cristalului prin introducerea in contact cu materia prim semiconductoare
'care tre$uie s ai$ o puritate suficient de mare( aflat "n stare de topitur soluie sau vapori a
unei cantiti corespunztoare de impuritate fie prin difuzia atomilor de impuriti aflai "n stare
de vapori "n monocristalul solid de semiconductor 'aceast metod se folosete "n mod special
c%nd este necesar realizarea unor straturi multiple de semiconductor e#trinsec cu tip de conducie
diferit a cror !rosime tre$uie controlat "n mod strict(.
Aplicaii directe
ale materialelor semiconductoare

Proprietile deose$ite pe care le au semiconductorii intrinseci sau e#trinseci fac ca acetia s
fie folosii "n construcia unor dispozitive semiconductoare printre care sunt i cele care vor fi
descrise "n continuare.
Ter%i+torul este un dispozitiv construit dintr)o plachet de semiconductor intrinsec sau
e#trinsec a crui rezisten electric este varia$il cu temperatura. 6ariaia rezistenei cu
temperatura este datorat evident variaiei e#poneniale a concentraiei purttorilor i<sau variaiei
liniare a mo$ilitii acestora cu temperatura.
Cele mai utilizate materiale pentru construirea termistorilor sunt o#izii unor metale ca Fe
Cn C! *i Co Cr 4i Cu etc.
Crimea caracteristic a acestui dispozitiv este coe#icientul ter%ic $l re!i+ten"ei/
7
d*
d?
?
1
'1. 2(
*ermistorul este folosit la msurarea temperaturii precum i pentru compensarea scderii
rezistenei rezistorilor la creterea temperaturii.
Fotore!i+torul este un dispozitiv semiconductor a crui rezisten electric se modific su$
aciunea radiaiei electroma!netice incidente. El poate fi construit din semiconductor intrinsec sau
e#trinsec i funcioneaz pe $aza fenomenului de !enerare optic ce duce aa cum s)a vzut la
modificarea conductivitii materialului i deci a rezistenei sale.
Caracteristica esenial a unui fotorezistor este cur'$ +ectr$l( de rspuns ? 7 ?'( "n
funcie de care se sta$ilete domeniul de utilizare a dispozitivului respectiv. De asemenea raportul
/
2
este o mrime caracteristic ce ne arat +en+i'ilit$te$ dispozitivului la aciunea radiaiei
incidente.
Cele mai utilizate materiale pentru construirea de fotorezistori sunt pentru vizi$il i
ultravioletul apropiat/ CdS CdSe *l
+
S iar pentru infrarou/ P$S P$Se P$*e ,nS$.
&plicaia de $az a fotorezistorilor este cea de convertor opto)electric.
Un caz particular este cel c%nd dispozitivul este utilizat ca detector de radiaii nucleare
+

materialele semiconductoare utilizate "n acest scop fiind de re!ul Si sau Ae intrinsec.
Caterialele semiconductoare mai sunt utilizate i "n construcia sondelor Dall 'Ae ,nS$
,n&s D!Se( a termocuplelor i ca materiale piezoelectrice 'CdS CdSe 5n- Aa&s(

1
En acest para!raf ne vom referi la acele aplicaii ale semiconductorilor "n care nu apar @onciuni.
+
Fenomenele ce se petrec "n acest caz sunt mai comple#e dar nu vom intra "n detalii.
1;
C&P,*-.U. ,,
DIODA SEMICONDUCTOAE
!onciunea p " n
Wonciunea p)n este o alturare de dou zone semiconductoare de tip de n respectiv p unde
deci are loc trecerea $rusc de la conducia e#trinsec de tip n la cea de tip p. Ea se poate realiza
fie "n acelai semiconductor "n care se creeaz dou re!iuni alturate cu tip de conducie diferit
caz "n care ea se numete 0o%o3onc"iune- fie altur%nd doi semiconductori diferii ca tip de
conducie sau ca lr!ime a $enzii interzise caz "n care se numete 0etero3onc"iune.
Pentru "nele!erea fenomenelor ce se desfoar "ntr)o @onciune tre$uie s se in seama de
faptul c "ntotdeauna c%nd se altur dou materiale diferite care dispun de purttori de sarcin
electric li$eri are loc un transfer de sarcin dintr)un material "n altul p%n c%nd ener!iile Fermi
ale acestora se e!aleaz
1
.
S considerm o homo@onciune p)n. Fc%nd deocamdat a$stracie de purttorii minoritari
iniial cele dou zone conin/
| ioni donori 'pozitivi( i electroni li$eri ) zona n
| ioni acceptori 'ne!ativi( i !oluri ) zona .
Ca urmare a !radientului de concentraie a purttorilor are loc difuzia acestora "ntre cele dou
zone/ electronii li$eri difuzeaz din zona n spre zona iar !olurile "n sens invers difuzia tinz%nd
s uniformizeze concentraia celor dou tipuri de purttori "n cele dou zone. &cest lucru nu se
"nt%mpl totui deoarece prin difuzia care are loc zonele din care difuzeaz purttorii 'aflate la
suprafaa de contact dintre cele dou re!iuni 9i n( rm%n srcite "n sarcini electrice de semnul
celor ale purttorilor difuzai deci vor conine sarcini electrice imo$ile necompensate 'ale ionilor
de impuriti(. &stfel "n re!iunea n- zona din care au difuzat electronii de conducie va rm%ne cu
un surplus de sarcini electrice pozitive iar "n
re!iunea - zona prsit de !oluri va
rm%ne cu un surplus de sarcini electrice
ne!ative. &ceast zon "n care e#ist o
srcire "n sarcini electrice mo$ile
electrizat pozitiv "n re!iunea n i ne!ativ
"n re!iunea se numete re*iune de
+(r(cire- de tr$n!i"ie sau de +$rcin(
+$"i$l(. Formarea ei determin reducerea
difuziei purttorilor dintr)o re!iune "n
cealalt p%n la sta$ilizarea !rosimii sale.
Fenomenul are loc "n felul urmtor/
distri$uia de sarcin spaial creeaz un
c%mp electric intern 'orientat de la zona n la
zona ( care este cu at%t mai intens cu c%t sarcina electric imo$il acumulat "n re!iunea de
tranziie este mai mare deci cu c%t un numr mai mare de purttori au difuzat dintr)o zon "n alta.
&cest c%mp electric intern se opune difuzrii "n continuare a acestor purttori prin crearea unei
$ariere de potenialG cu c%t el este mai intens deci $ariera de potenial mai "nalt cu at%t flu#ul de
difuzie a purttorilor va fi mai mic pentru c numai purttorii cu ener!ii mari vor mai putea
"nvin!e aceast $arier.
C%mpul electric intern dup cum s)a vzut "n capitolul anterior determin apariia unui
curent de drift "n sens opus curentului de difuzie sta$ilindu)se astfel un echili$ru dinamic la care
curentul de difuzie prin @onciune este compensat de curentul de drift "n sens invers.
1
E#plicaia poate fi dat "n acelai mod cu e#plicaia parama!netismului Pauli 'vezi cursul de fizica corpului solid(
ca urmare a tendinei de minimizare a ener!iei sistemului.
1S
P%n acum ne)am referit numai la purttorii ma@oritari ne!li@%nd e#istena celor minoritari a
cror concentraie este mult mai mic. *otui e#istena purttorilor minoritari nu poate fi ne!li@at
ei suferind aceleai procese ca i cei ma@oritari. Pe de alt parte purttorii ma@oritari care au
difuzat "n cealalt re!iune devin minoritari "n aceasta. De aceea se poate o$serva c purttorii
ma@oritari formeaz curentul de difuzie iar cei minoritari curentul de drift. Purttorii minoritari
fiind "n concentraie mic i curentul de drift este foarte sla$G de aceea curentul de difuzie la care
se sta$ilete echili$rul este i el foarte mic ceea ce se o$ine "n momentul c%nd c%mpul electric
intern are o valoare suficient de mare.
?e!iunea de sarcin spaial la care se
sta$ilete echili$rul se numete +tr$t de
'$r$3 i este "n practic foarte su$ire de
ordinul a 12
N
m. &cesta este i motivul
pentru care nu se poate o$ine o @onciune -
n prin simpla alturare a doi semiconductori
cu tip de conducie diferit c%nd continuitatea
reelei este "ntrerupt pe o !rosime de cel
puin acelai ordin de mrime procedeul real
de fa$ricare fiind descris "ntr)un para!raf
ulterior.
*oate fenomenele descrise mai sus p%n
la formarea stratului de $ara@ de !rosime
sta$il au loc "ntr)un timp e#trem de scurt
la fa$ricarea @onciunii dup care se
sta$ilete echili$rul dinamic 'descris "n
fi!ura +.1( ce nu mai poate fi modificat
dec%t prin intervenia unor cauze e#terioare.
En fi!ura +.1 sunt reprezentai ionii de
impuriti i purttorii ma@oritari din cele
dou zone 9i n- stratul de $ara@ de lr!ime
\ cu distri$uia de sarcini imo$ile ce creeaz
c%mpul electric intern precum i curenii de
difuzie a electronilor ma@oritari din zona n "n
zona - @
n
dif
i a !olurilor ma@oritare din zona
"n zona n @
p
dif
precum i curenii de drift
@
nd
i @
pd
. Evident aceast reprezentare este
simplificat fa de situaia real pentru c
ea presupune o concentraie constant a
electronilor "n zona n 9i a !olurilor "n zona
i o valoare nul a acestora "n stratul de $ara@
i "n zona respectiv zona n, En realitate
variaia concentraiei purttorilor este de
forma reprezentat "n fi!ura +.+.a "n care se
vede c "ntr)adevr la distan mai mare de stratul de $ara@ 'de lr!ime \
p
"n zona i \
n
"n zona
n( concentraiile sunt constante dar trecerea de la aceast valoare la una foarte mic "n zona opus
se face treptat i nu $rusc. En fi!ura +.+.$ este reprezentat distri$uia de potenial al c%mpului
intern "n @onciune. Din punct de vedere ener!etic stratul de $ara@ reprezint o zon de salt ca
urmare a prezenei c%mpului electric intern apr%nd o decalare cu valoarea e6
2
a structurilor
ener!etice ale celor dou zone i n dup cum se poate vedea "n fi!ura +.+.c.
4e propunem "n continuare s determinm distri$uia potenialului 'numit oten"i$l de
cont$ct( i a intensitii c%mpului electric intern "n interiorul stratului de $ara@ precum i lr!imea
acestuia.
+2
.a echili$ru curentul total de electroni este nul ceea ce "nseamn c densitatea curentului
electronic de difuzie este e!al "n modul 'i de sens contrar( cu densitatea curentului electronic de
drift/ @
n
dif
7 @
nd
. &celai lucru se poate spune i despre curenii de !oluri deci @
p
dif
7 @
pd
. Ca
urmare sunt vala$ile relaiile/
eD
p
d#
dp
7 e
p
pE
int
G eD
n
d#
dn
7 e
n
nE
int
unde D
p
7
e
P*
p
G D
n
7
e
P*
n
. ?ezult/
d#
dp
e
P*
7 pE
int
G
d#
dn
e
P*
7 nE
int
sau in%nd seama c E
int
7
d#
d6

p
dp
e
P*
7 d6 G
n
dn
e
P*
7 d6.
&cestea sunt dou ecuaii difereniale de ordinul , care se rezolv prin separarea varia$ilelor
i inte!rare "ntre cele dou limite ale stratului de $ara@ de la zona '# 7 \
p
( unde la echili$ru
concentraia !olurilor ma@oritare este p
po
i cea a electronilor minoritari n
po
la zona n '# 7 \
n
(
unde la echili$ru concentraia !olurilor minoritare este p
no
iar a electronilor ma@oritari n
no
.
6ariaia potenialului este de la zero "n zona la 6
2
"n zona n. ?ezult/
6
2
7
2 p
2 n
2 n
2 p
n
n
ln
e
P*
p
p
ln
e
P*
'+. 2(
Din ecuaia de mai sus se pot scrie relaiile/
p
no
7 p
p2
P*
e6
2
e
G n
po
7 n
n2
P*
e6
2
e
'+. 2(
Pentru calculul distri$uiei potenialului de contact al intensitii c%mpului electric intern
precum i al lr!imii stratului de $ara@ pornim de la ecuaia Poisson

+
+
d#
6 d
unde este
densitatea de sarcin electric a distri$uiei ce creeaz c%mpul electric i este permitivitatea
electric a mediului 'semiconductor(. 6om considera pentru simplificare c "n domeniul 2 > # >
\
n
este e!al cu Men
no
iar "n domeniul \
p
> # > 2 este e!al cu ep
po
. &tunci ecuaia Poisson
se scrie/

2 n
+
+
en
d#
6 d
"n zona n respectiv

2 p
+
+
ep
d#
6 d
"n zona , Dup cum se tie soluia
!eneral a unei ecuaii de tip Poisson este de forma 6'#( 7 &#
+
M B# M C constantele & B i C
determin%ndu)se din condiiile la limit i din valoarea constantei cu care este e!al derivata a doua
a potenialului. &stfel condiiile la limitele stratului de $ara@ impun ca 6' \
p
( 7 2 i 6'\
n
( 7 6
2
.
De asemenea
d#
d6
7 E
int
7 2 pentru # 7 \
p
i # 7 \
n
. ?ezult c potenialul i c%mpul "n stratul de
$ara@ au e#presiile/
7n !on$ n & : ; . ; <
n
)=
6 7 6
2

+
en
2 n
'\
n
#(
+
G E
int
7
+
en
2 n
'\
n
#( '+. 2(
7n !on$ &> <
n
; . ; :)=
6 7
+
ep
2 p
'\
p
M #(
+
G E
int
7
+
ep
2 p
'\
p
M #( '+. 2(
Pun%nd de asemenea condiia ca pentru # 7 2 cele dou soluii s coincid rezult
!rosimea 'lr!imea( stratului de $ara@ . 7 \
n
M \
p
/
. 7
( )
2 p 2 n
2 p 2 n 2
p en
p n 6 + +
G \
n
7
2 p 2 n
2 p
p n
.p
+
G \
p
7
2 p 2 n
2 n
p n
.n
+
'+. 2(
Se poate constata c cu c%t concentraia purttorilor este mai mare cu at%t stratul de $ara@
are "n zona respectiv o !rosime mai mic.
Dac din e#terior se aplic un c%mp electric E
e#t
cruia "i corespunde o tensiune e#terioar
6 atunci stratul de $ara@ "i modific !rosimea ea devenind/
+1
. 7
( )( )
2 p 2 n
2 p 2 n 2
p en
p n 6 6 + + t
'+. 2(
unde 6 are semnul :M: respectiv :: dup cum c%mpul electric e#terior are acelai sens sau sens
invers celui al c%mpului electric interior adic tensiunea de polarizare este direct 'plusul pe zona
( respectiv invers 'plusul pe zona n(.
Folosind formulele +.+ rezult c la aplicarea unei tensiuni e#terioare directe concentraiile
purttorilor minoritari de neechili$ru n
p
i p
n
vor crete conform relaiilor/
p
n
7 p
p2
( )
P*
6 6 e
2
e

7 p
n2 P*
e6
e
G n
p
7 n
n2
( )
P*
6 6 e
2
e

7 n
p2 P*
e6
e
'+. 2(
&pariia acestui numr suplimentar de purttori minoritari reprezint o in@ecie de purttori "n
@onciunea -n. Cum concentraiile
purttorilor minoritari variaz
e#ponenial cu distana fa de locul de
in@ectare 'a se vedea relaia 1.0N(
rezult c i densitile curenilor
datorai acestora care sunt
proporionale cu !radientul de
concentraie scad e#ponenial cu
distana fa de @onciune.
?eprezentarea !rafic a curenilor prin
@onciune este dat "n fi!ura +.0
curentul total prin @onciune fiind dat de e#presia @ 7 '@
np
M @
pn
(
# 7 2
i reprezentat prin linia
punctat paralel cu a#a -# din fi!ur.
Se constat c pentru # > 2 @
pp
'#(7 @ @
np
'#(. Dac # > 2 i este suficient de mare curentul
total este numai un curent de !oluri '@
np
2( adic de purttori ma@oritari.
&nalo! "n zona n '# = 2( @
nn
'#( 7 @ @
pn
'#( i c%nd # este suficient de mare curentul total
este numai un curent de electroni '@
pn
2(. &cest fapt este datorat fenomenului de recom$inare a
!olurilor din zona cu electronii in@ectai din zona n i a electronilor din zona n cu !olurile
in@ectate din zona .
.a aplicarea unei tensiuni de polarizare direct a @onciunii concentraia de !oluri "n e#ces la
limita de separare dintre zona neutr n i zona de sarcin spaial '# 7 \
n
( este/
p
n
7 p
n
p
n2
7 p
n2

,
_
1 e
P*
e6
&nalo! la limita de separare dintre zona neutr i zona de sarcin spaial '# 7 \
p
(
concentraia electronilor "n e#ces are e#presia/
n
p
7 n
p
n
p2
7 n
p2

,
_
1 e
P*
e6
.a o distan # = \
n
concentraia de !oluri "n e#ces scade e#ponenial cu distana dup relaia
'a se vedea formula 1.0N(/
p
n
'#( 7 p
n2
p
n
.
#
P*
e6
e 1 e

,
_
'+. 2(
.a o distan # > \
p
"n zona neutr n concentraia de electroni "n e#ces are e#presia/
n
p
'#( 7 n
p2
n
p
.
#
P*
e6
e 1 e
+
,
_
'+.;T(
En zona n la # 7 \
n
curentul de !oluri are e#presia/
++
( )
( ) [ ]
n n
n
#
n
p
#
p
#
p
d#
# p d
eD
d#
dp
eD # @

adic/
( )
,
_
1 e
.
p eD
# @
P*
e6
p
2 $ p
#
p
n
'+.
2(
&nalo! "n zona la # 7 \
p
curentul de electroni are e#presia/
( )
,
_

1 e
.
n eD
# @
P*
e6
n
2 p n
#
n
p
'+.ST(
Curentul total prin @onciune este dat deci de e#presia/
@ 7 @
p
M @
n
7
,
_
,
_
+ 1 e
.
n eD
.
p eD
P*
e6
n
2 p n
p
2 n p
4ot%nd/
@
S
7
n
2 p n
p
2 n p
.
n eD
.
p eD
+
'+.
2(
unde @
s
se numete curent de +$tur$"ie- relaia de mai sus devine/
@ 7 @
S
,
_
1 e
P*
e6
'+. 2(
?elaia +.11 reprezint ecu$"i$ diodei ide$le, Ea este vala$il i la tensiuni de polarizare
inverse. *re$uie su$liniat de asemenea c ecuaia diodei ideale a fost o$inut "n condiii
simplificatoare dintre care cea mai important este cea de ne!li@are a proceselor de recom$inare a
purttorilor "n re!iunea de sarcin spaial.
&v%nd "n vedere aceste procese ecu$"i$ diodei re$le capt o form puin modificat/
@ 7 @
S

,
_
1 e
P*
e6
'+. 2(
En aceast relaie reprezint #$ctorul de diod( un
parametru cu valoarea e!al cu 1 1H pentru !ermaniu i +
) 0 pentru siliciu. Evident o relaie analoa! relaiei +.1+
poate fi scris i pentru intensitatea curentului prin diod/
, 7 ,
S
,
_
1 e
P*
e6
'+.1+T(
?eprezentat !rafic ecuaia diodei ideale arat ca "n
fi!ura +.F. Se constat c la polarizare direct 'plusul pe
zona ( curentul prin @onciune crete e#ponenial cu
tensiunea aplicat "n timp ce la tensiuni inverse 'minusul
pe zona ( curentul tinde rapid spre o valoare de saturaie ,
s

foarte mic 'de ordinul 12
N
12
S
&(. ?ezult deci o
proprietate esenial a @onciunii -n- aceea de conduc"ie
unil$ter$l( a curentului electric rezistena acesteia la
polarizare direct fiind foarte mic iar la polarizare invers )
foarte mare.
?ealizarea practic a unei @onciuni -n este un dispozitiv electronic numit diod(
+e%iconducto$re a crei caracteristic este prezentat "n fi!ura +.H.
Forma practic a caracteristicii unei diode semiconductoare diferit "n anumite privine de
cea a diodei ideale se e#plic astfel/
+0
I
V
Fi*,4,8
I
V
V
V
!
d
I
+
Fi*,4,?
) la polarizare direct curentul este diferit de zero 'dioda se deschide( doar dac tensiunea
de polarizare este cel puin e!al cu o valoare 6
d
numit ten+iune de de+c0idereG la diodele
cu siliciu 6
d
are valoarea 2H 2; 6 iar la cele cu !ermaniu 2+ 2F 6.
) pentru temperaturi o$inuite 'V 022 8( factorul e<P* 'inversul su se numete ten+iune
ter%ic(- e!al cu apro#imativ 22+ 6( are o valoare de apro#imativ F2 6
)1
. .a tensiuni
pozitive mai mari dec%t tensiunea de deschidere intensitatea curentului prin diod se poate
e#prima prin relaia apro#imativ/
, 7 ,
S
e
F26
'+. 2(
) curentul invers este practic constant i e!al cu ) ,
s
valoare ne!li@a$il "n aplicaiile
practice. ,
S
are o valoare mai mic la diodele cu siliciu i mai mare la cele cu !ermaniu.
) la aplicarea pe diod a unor tensiuni ne!ative cel puin e!ale cu o valoare 6
5
se produce
strpun!erea acesteia 'fenomen ce va fi analizat ulterior( curentul put%nd crete nelimitat.
#arametrii diodei semiconductoare
Ca orice dispozitiv electronic dioda semiconductoare este caracterizat de mai muli
parametri de funcionare dintre care cei mai importani sunt/
1. Re!i+ten"$ +t$tic( a diodei care se definete pentru un punct oarecare de funcionare al
acesteia/
? 7
d
d
,
U
'+. 2(
En conducie direct rezistena static are valori foarte mici "n timp ce "n conducie invers
ea are valori foarte mari. Putem spune deci c "n !eneral rezistena static a diodei variaz "ntr)un
domeniu foarte lar! de valori "n funcie de punctul de funcionare al diodei motiv pentru care ea
este un parametru mai puin util.
2. Rezistena dinamic
R
i
=
S
1
d,
dU
d
d
'+. 2(
S este panta caracteristicii diodei "n punctul de funcionare. Este evident c i rezistena dinamic
este dependent de punctul de funcionare ea caracteriz%nd "ns comportarea diodei "n re!im
dinamic adic atunci c%nd tensiunea aplicat diodei ' i curentul prin ea( are variaii rapide. &a
cum se va vedea mai departe "n schemele echivalente liniarizate ale diodei rezistena dinamic
este considerat un parametru constant deci mult mai util.
+F
3. Capacitatea stratului de baraj
Codul "n care este distri$uit sarcina spaial din stratul de $ara@ face ca acesta s poat fi
asemnat cu un condensator plan pe plcile cruia se aplic o tensiune 6 M 6
2
. Consider%nd c
sarcina spaial este distri$uit "n dou straturi de !rosime ne!li@a$il aflate la distana . 'lr!imea
stratului de $ara@( se poate calcula capacitatea stratului de $ara@ cu formula capacitii
condensatorului plan C 7
d
S
deci/
C 7 S
( )( )
2 p 2 n 2
2 p 2 n
p n 6 6 +
p en
+
'+. 2(
F. C$$cit$te$ de di#u!ie
Dup cum s)a vzut anterior c%nd dioda este polarizat direct curentul de difuzie crete un
numr mai mare de purttori ma@oritari put%nd strpun!e stratul de $ara@. *rec%nd "n cealalt zon
ei devin minoritariG la distana # de stratul de $ara@ concentraia purttorilor minoritari de
neechili$ru este dat de relaia '1.0N(.
6ariaia concentraiei purttorilor de difuzie determin o variaie a sarcinii electrice
acumulate de o parte i de alta a stratului de $ara@ apr%nd deci o capacitate suplimentar numit
capacitate de difuzie/ C
d
7
d6
dR
. S considerm pentru "nceput difuzia electronilor "n zona - a
cror sarcin electric total este/ R 7 eS
( )
2
.
#
p
d# e 2 n
n 7 eS.
n
n
p
'2(. &tunci C
d
7
d6
dR
7 eS.
n
( )
d6
2 dn
p
.
Uin%nd cont de relaia '+.S]( putem scrie e#presia curentului prin diod datorat difuziei
electronilor/ ,
n
7
( )
n
p n
.
2 n eSD
de unde n
p
'2( 7
n
n n
JSD
. ,
. &tunci
( )
d6
d,
eSD
.
d6
2 dn
n
n
n
p
i C
d
7
d6
d,
D
.
n
n
+
n
. Dar
+
n
. 7
n
D
n
de unde
C
d
7
n
P*
e
d6
d,
n
,
n
n
'+. 2(
.u%nd "n considerare i difuzia !olurilor capacitatea de difuzie total are e#presia/
C
d
7
P*
e
',
n
n
M ,
p
p
( '+. 2(
.a polarizare direct capacitatea de difuzie este mult mai mare dec%t cea a stratului de $ara@
care este ne!li@a$il fa de prima. En schim$ la polarizare invers capacitatea de difuzie este
ne!li@a$il importan deose$it cpt%nd capacitatea stratului de $ara@.
En afara acestor parametri diodele mai au i alii cum sunt ti%ul de co%ut$re direct(
'intervalul de timp "n care curentul prin diod crete de la 12Q la S2 Q din valoarea nominal(
ti%ul de co%ut$re inver+( 9i alii mai importani "n cazul diodelor cu destinaie special.
Schema echi$alent a diodei semiconductoare
Un model ce caracterizeaz destul de $ine
dioda la semnale mici i frecvene @oase este cel
care apro#imeaz caracteristica diodei reale cu
una liniar pe poriuni 'fi!ura +.N(.
Conform acestuia o diod real echivaleaz
cu un circuit serie format dintr)un rezistor cu
rezistena e!al cu rezistena dinamic a diodei
'presupus constant( o diod ideal 'rezisten
nul la polarizare direct rezisten infinit la
+H
polarizare invers( i o surs de tensiune cu t.e.m. e!al cu tensiunea de deschidere a diodei care
polarizeaz dioda invers.
.a frecvene mai mari capacitatea diodei @oac un rol foarte important i ca urmare schema
echivalent utilizat "n acest caz este cea din fi!ura +.O "n care ?
i
este rezistena ohmic a
@onciunii celelalte mrimi av%nd semnificaia cunoscut.
Schema de mai sus se poate simplifica "n funcie de
polarizare. &stfel la polarizare invers C
$
== C
d
iar ?
i
este foarte
mare ceea ce "nseamn c dioda echivaleaz cu o capacitate de
valoare C
$
. .a polarizare direct C
d
devine semnificativ ?
i
este
foarte mic scurtcircuit%nd capacitatea diodei aceasta echival%nd
cu un rezistor de rezisten ?
@
.
%etode de obinere a &onciunilor semiconductoare
- parte din pro$lemele le!ate de o$inerea unor dispozitive semiconductoare aa cum este i
cazul diodelor semiconductoare au fost prezentate "n para!raful 1.S. &v%nd "n vedere "ns c o
@onciune este format din dou zone de semiconductor cu tip de conducie diferit lucrurile sunt
ceva mai comple#e. En continuare vom prezenta pe scurt cele mai importante din aceste pro$leme.
Practica a consacrat trei metode de impurificare a semiconductorului/
1. Difuzia este cea mai utilizat metod ea realiz%ndu)se astfel/ o plachet
semiconductoare 'de re!ul de forma unui disc cu diametrul de c%iva cm i !rosimea de c%teva
zecimi de mm( se introduce "ntr)o incint ce conine un amestec !azos format dintr)un !az inert
i atomi de impuritate "n concentraie $ine determinat. Aradientul de concentraie a atomilor
de impuritate duce la apariia procesului de difuzie a acestora din mediul !azos ctre mediul
semiconductor. Pentru mrirea vitezei acestui proces el are loc la o temperatur $ine controlat
cu valoarea de ;22 1022C. &mestecul !azos se poate realiza "n diferite feluri/ fie prin
plasarea unei surse solide de impuriti ce se evapor chiar "n incinta de difuzie fie prin trecerea
!azului inert printr)o surs lichid de impuriti "nainte de intrarea "n incinta de difuzie fie prin
transport chimic c%nd impuritatea este introdus prin asi!urarea condiiilor de declanare a unei
reacii chimice la surs.
Pentru realizarea @onciunii dup difuzia "ntr)un strat mai !ros a unui tip de impuritate se
realizeaz o nou difuzie cu impuriti de tip opus "ntr)un su$strat 'numit +tr$t eit$.i$l( al
stratului iniial dopat
1
.
Pe o sin!ur plachet de semiconductor se realizeaz un numr mare de @onciuni lucru
posi$il prin utilizarea unor aa)numite %(9ti de di#u!ie o$inute prin procedee lito!rafice. &stfel
pe suprafaa plachetei se depune un strat omo!en de !rosime convena$il dintr)un material prin
care impuritile difuzeaz mult mai lent 'constituind astfel practic un $ara@ "mpotriva difuziei
impuritilor "n semiconductor( iar peste acesta un al doilea strat dintr)un material special
denumit "n mod !eneric #otore!i+t, Fotorezistul este sensi$il la radiaii ultraviolete el put%nd fi de
dou feluri/ #otore!i+t o!itiv 'un polimer care sufer o reacie de depolimerizare su$ aciunea
razelor ultraviolete( i #otore!i+t ne*$tiv 'un monomer care sufer o reacie de polimerizare su$
aciunea razelor ultraviolete(. Stratul de fotorezist este supus aciunii unui flu# de radiaie
ultraviolet prin intermediul unei mti 'o plac cu zone opace i transparente corespunztor
zonelor ce urmeaz a fi impurificate(. Dup e#punere zonele de fotorezist e#puse sunt dizolvate cu
un solvent or!anic ales corespunztor pentru ca el s nu dizolve i zonele de fotorezist nee#puse
aciunii radiaiei ultraviolete. &stfel primul strat depus pe placheta de semiconductor va rm%ne "n
unele zone 'acolo unde a acionat radiaia ultraviolet( neacoperit cu fotorezist. En aceste zone el
1
&a cum s)a vzut pentru c lr!imea stratului de $ara@ este foarte mic @onciunea nu se poate realiza prin
alturarea fizic a dou $uci de semiconductori diferii ca tip de conducie motiv pentru care ea tre$uie realizat
"ntr)un monocristal semiconductor. Procesul de realizare a @onciunii "ntr)un monocristal semiconductor prin dopare
succesiv cu donori i acceptori este posi$il datorit efectului de compensare 'a se vedea cursul de corp solid( care
apare "ntr)un semicondutor dopat cu am$ele tipuri de impuriti "n concentraii 4a respectiv 4d ca urmare a cruia
acesta se comport ca i cum ar fi dopat doar cu impuritatea de concentraie mai mare "n concentraie e!al cu
diferena dintre concentraiile reale.
+N
este corodat 'cu un a!ent coroziv care nu tre$uie s atace fotorezistul( i "ndeprtat de pe suprafaa
semiconductorului dup care fotorezistul rmas este i el "ndeprtat cu un solvent corespunztor.
En acest fel pe suprafaa semiconductorului s)a format o masc de difuzie care permite difuzia
impuritilor doar "n anumite zone. Dup o prim impurificare urmeaz o a doua cu impuriti de
tip opus folosindu)se acelai procedeu al mtii de difuzie i apoi decuparea @onciunilor astfel
o$inute rezult%nd "n acest mod $uci mici de cristal semiconductor numite ci)uri
1
cu suprafaa
de cel mult 1 mm
+
care dup verificare se "ncapsuleaz i devin "n acest fel diode
semiconductoare.
2. Implantarea ionic este un alt procedeu de impurificare prin $om$ardarea
semiconductorului cu un fascicul nefocalizat de ioni de impuritate accelerai la tensiuni de
ordinul a 1 122 P6. Wonciunile sunt realizate folosind tot tehnica mtilor ca la difuzie.
3. Alierea este un procedeu prin care o anumit cantitate de impuritate se plaseaz pe o
plachet de semiconductor sistemul fiind "nclzit la o temperatur convena$il care s asi!ure
topirea impuritii dar nu i a semiconductorului atomii de impuritate ptrunz%nd astfel "n
semiconductor. Urmeaz apoi o rcire lent care s reduc la minim posi$il apariia defectelor
de structur "n semiconductor.
Tipuri de diode semiconductoare
1. Diode cu cont$ct uncti#or% &Sc0ott@A
4
)
&cest tip de diod este de fapt o @onciune metal)semiconductor 'cu proprieti asemntoare
@onciunii -n( realizat printr)un contact punctiform "ntre un fir metalic 'din Jolfram( foarte
ascuit i un monocristal semiconductor e#trinsec 'de o$icei Ae de tip n( "ntre!ul ansam$lu fiind
"nchis "ntr)o capsul. Pentru formarea @onciunii se aplic o serie de impulsuri de curent de scurt
durat cu mult peste valoarea admis fapt ce produce "nclzirea p%n la topire a re!iunii de
contact. Se formeaz astfel o micro@onciune
0
cu capacitatea stratului de $ara@ de ordinul a 21 pF
diodele construite "n acest fel fiind utilizate la frecvene "nalte pentru procesul de detecie i ca
diode de comutaie.
2. Diode redresoare
&ceste diode sunt construite cu @onciuni o$inuite de tipul celor descrise mai sus realizate
de o$icei prin difuzie. Funcioneaz numai la frecvene @oase parametrii caracteristici cei mai
importani fiind/ curentul mediu redresat curentul de v%rf ma#im admis tensiunea invers ma#im
admis 'de o$icei H2 ) ;2 Q din tensiunea de strpun!ere( cderea de tensiune direct pentru un
curent de valoarea curentului mediu redresat curentul invers '12
N
) 12
S

&( rezistena termic
puterea disipat i alii. &ceste diode sunt folosite la redresarea curentului alternativ i la detecie i
comutaie la frecvene @oase.
0. Diode tunel (sa!i
"
#
&ceste diode au am$ele re!iuni dopate foarte
puternic ceea ce face ca lr!imea stratului de $ara@
s fie mult mai mic dec%t la o diod o$inuit 'V
12
;
m(. En aceste condiii la aplicarea unei tensiuni
de polarizare direct purttorii ma@oritari pot
traversa stratul de $ara@ prin efect tunel adic i "n
situaia c%nd ener!ia lor este mai mic dec%t
"nlimea $arierei de potenial. Datorit acestui fapt
caracteristica diodei tunel este cea din fi!ura +.; '"n
care este dat i sim$olul folosit pentru reprezentarea
1
En lim$a en!lez chip 7 fr%m achie
+
*eoria difuziei care descrie fenomenele din @onciunile metal)semiconductor a fost dezvoltat de I. SchottP9
'1S0;(. Diodele SchottP9 pentru frecvene foarte "nalte au o tehnolo!ie de construcie mai comple# dec%t cea
descris mai sus.
0
Suprafaa unei astfel de @onciuni este de ordinul a 12
)F
mm
+
.
F
Primele studii i cercetri practice "n le!tur cu dioda tunel au fost fcute de .. EsaPi "ncep%nd cu anul 1SH;.
+O
"n scheme electronice a acestui tip de diod( din care se vede c ea are o re!iune de pant ne!ativ
"ntre punctele & i B adic la tensiuni pozitive cuprinse "ntre 6
&
i 6
B
. ?ezistena ne!ativ a
diodei tunel este de ordinul zecilor de ohmi. .a tensiuni ne!ative dioda tunel prezint o
caracteristic liniar ', V 6( ceea ce semnific faptul c spre deose$ire de diodele o$inuite ea nu
are proprietatea de conducie unilateral. Entruc%t influena temperaturii este foarte sla$ i dioda
poate funciona p%n la frecvene foarte mari 'V 12
12
CDz( ea se folosete ca amplificator
convertor i !enerator de oscilaii "n domeniile F,F i U,F sau "n circuite de comutare rapid i de
formare a impulsurilor de foarte scurt durat. Caterialul semiconductor folosit pentru construcia
diodelor tunel este Ae sau Aa&s iar tehnolo!ia de realizare a @onciunii este de o$icei alierea.
8, Diode v$ric$ &v$r$ctor)
&cest tip de diod funcioneaz pe $aza dependenei capacitii stratului de $ara@ de tensiune
'a se vedea relaia +.1N( fiind folosit la polarizare invers 'pentru
a avea o rezisten foarte mare(. Sim$olul folosit precum i
schema echivalent sunt prezentate "n fi!ura +.S.
Diodele varicap au capaciti de ordinul picofarazilor sau
zecilor de picofarazi materialul semiconductor folosit la
construcia lor fiind siliciul care asi!ur o rezisten mai mare la
polarizare invers i cureni inveri mai mici dec%t alte materiale. Sunt folosite "n circuite de acord
re!lare automat a frecvenei modulatoare de frecven etc.
?, Diode +t$'ili!$to$re de ten+iune &Zener)
Dup cum s)a artat "n para!raful +.1 'a se vedea fi!ura +.H( la polarizare invers aplic%nd o
tensiune peste o anumit valoare se produce fenomenul de strpun!ere a @onciunii - n- fenomen
ce const "n creterea foarte mare a curentului invers la o variaie foarte mic a tensiunii de
polarizare. Strpun!erea se poate produce pe dou ci/
{ %ec$ni+%ul Zener 'tunelare( este datorat trecerii electronilor din $anda de valen "n
$anda de conducie travers%nd $anda interzis "n prezena unui c%mp electric intens cel puin e!al
cu o valoare critic caracteristic materialului semiconductor 'de e#emplu la siliciu intensitatea
c%mpului electric critic la care se produce strpun!erea prin mecanism 5ener este de ordinul a 12
;
6<m(. Fenomenul apare "n @onciuni cu dopare mare tensiunea de strpun!ere fiind relativ mic.
Pentru puteri disipate su$ o anumit limit el este reversi$il.
{ %ec$ni+%ul +tr(un*erii 7n $v$l$n9( apare "n @onciuni mai sla$ dopate tot "n prezena
unui c%mp electric e#terior a crui valoare minim 'critic( este mai mic dec%t cea necesar
producerii mecanismului 5ener 'la siliciu V 12
O
6<m(. &cest mecanism se produce ca urmare a
accelerrii purttorilor "n c%mpul electric la ener!ii la care acetia interacion%nd cu reeaua
cristalin a semiconductorului produc noi perechi de purttori care i ei vor fi accelerai i vor
produce ali purttori procesul continu%nd "n avalan astfel "nc%t numrul de purttori este
multiplicat determin%nd o cretere rapid a curentului prin @onciunea polarizat invers.
En !eneral "ntr)o @onciune strpun!erea se produce prin am$ele mecanisme preponderena
unuia sau altuia dintre acestea fiind determinat de caracteristicile @onciunii. Dei teoretic orice
diod poate fi folosit ca diod sta$ilizatoare de tensiune "n practic se construiesc "n acest scop
diode speciale folosind siliciul la care intrarea "n re!iunea de strpun!ere se face a$rupt i care
rezist la temperaturi mai mari ceea ce permite disiparea unor puteri mai mari. Ten+iune$ de
+tr(un*ere 6
z
a unei diode 5ener poate avea valoarea cuprins "ntre 0 i F22 6 odat atins
aceast valoare ea menin%ndu)se aproape constant 'fluctuaiile nedepind 2H ) 1H Q( pentru
cureni inveri prin @onciune de zeci i chiar sute de miliamperi. Putere$ di+i$t( de diodele
5ener poate avea i ea valori cuprinse "n limite lar!i de la 2+H p%n la H2 I. Re!i+ten"$
din$%ic( a diodei 5ener "n re!iunea de strpun!ere ?
5
7
di
du
are valori "n domeniul 12 ) 122 .
Se constat 'lucru evident de altfel( o dependen a tensiunii de strpun!ere de temperatur fapt
ce poate fi caracterizat de coe#icientul ter%ic $l ten+iunii +t$'ili!$te c/
+;
c 7
d*
d6
6
1
5
5
'+. 2(
Diodele sta$ilizatoare de tensiune '5ener( aa cum le spune i numele sunt utilizate "n
circuitele de sta$ilizare a tensiunii sau a curentului fie direct 'cum se va vedea "n capitolul
urmtor( fie ca element de referin "n scheme mai comple#e.
En afara tipurilor de diode descrise mai sus "n practic se "nt%lnesc i altele cum sunt diod$
de co%ut$"ie 'diode construite special pentru a trece rapid din starea $locat "n cea de conducie i
invers( diod$ Bunn
/
'de fapt un cristal semiconductor de tip n fr @onciune -n prezent%nd "n
caracteristica curent)tensiune ca i dioda tunel o re!iune de rezisten ne!ativ folosit la
!enerarea oscilaiilor de U,F( diod$ ICPATT 'structuri de tip p
M
)n)i)n
M
caracterizate de o
rezisten ne!ativ folosite "n !enerarea oscilaiilor cu frecvene "n domeniul sutelor de ADz cu
puteri de ordinul Jailor( diod$ PIN 'structuri de tip p
M
)i)n
M
comport%ndu)se ca un rezistor cu
rezisten invers proporional cu curentul prin el folosite "n circuite de comutaie sau modulaie
la frecvene foarte "nalte "n special "n domeniul microundelor(.
Fenomene optice n &onciunea p'n
&a cum s)a vzut "n para!raful 1.; su$ aciunea radiaiei electroma!netice incidente "n
semiconductor are loc !enerarea unor purttori de neechili$ru care "ntr)o @onciune >n determin
apariia unui curent suplimentar fa de curentul de polarizare curent pe care "l vom numi
#otocurent de intensitate ,
.
dat de o e#presie de forma/
,
.
7

h
e
'+. 2(
unde este e#icien"$ cu$ntic( 'numrul de purttori !enerai de un foton a$sor$it( h constanta
PlancP flu#ul radiaiei incidente i frecvena acesteia mai mare sau cel puin e!al cu
frecvena de pra!. En aceste condiii curentul electric total prin diod are e#presia/
, 7 ,
S

,
_
1 e
P*
e6
,
.
'+. 2(
Se poate constata c "n scurtcircuit 'fr polarizare din e#terior 6 7 2( prin diod circul un
curent e!al cu fotocurentul , 7 ,
.
. Un astfel de dispozitiv posed%nd o @onciune - n sensi$il la
radiaia electroma!netic se numete #otodiod(.
De o$icei fotodioda se folosete "n circuite electronice ca traductor optic permi%nd
comanda curentului electric din circuit prin intermediul unui flu# luminos aa cum se poate vedea
"n fi!ura +.12 a. Ea se mai poate folosi i "n circuite de msurare a mrimilor fotometrice
'fotometre lu#metre e#ponometre( caz "n care la $ornele fotodiodei se lea! un !alvanometru 'a
se vedea fi!ura +.12 $( ce msoar direct fotocurentul proporional cu flu#ul incident i deci cu
iluminarea. Puterea de$itat de o fotodiod este mic.
Dac @onciunea fotosensi$il este "n circuit
deschis ', 7 2( atunci se constat c su$ aciunea
radiaiei electroma!netice la $ornele acesteia apare o
tensiune electromotoare 6
.
av%nd e#presia/
6
2
7

,
_
+
s
.
,
,
1
e
P*
'+. 2(
En acest caz dispozitivul se numete
#otoele%ent- celul( #otovolt$ic( sau celul( +ol$r(
reprezent%nd o surs de tensiune electromotoare ce
convertete direct ener!ia luminoas "n ener!ie electric. Pentru o eficien c%t mai mare
fotoelementele tre$uie s ai$ o suprafa de recepie a luminii c%t mai mare 'mult mai mare dec%t
1
E#ectul Bunn- o$servat "n 1SN0 la Aa&s apoi i la ali semiconductori compui care prezint mai multe minime "n
$anda de conducie pentru anumite direcii "n cristal const "n producerea microundelor "ntr)un semiconductor aflat
"ntr)un c%mp electric e#terior mai mare dec%t o valoare de pra! caracteristic semiconductorului.
+S
cea a unei fotodiode(. Puterea de$itat "n mod o$inuit de un fotoelement este de ordinul a 12
+

I
iar randamentul de conversie 'raportul dintre puterea electric disipat i flu#ul ener!etic incident(
atin!e +1Q utiliz%nd Aa&s i 1;Q utiliz%nd Si.
Evident at%t fotodiodele c%t i fotoelementele tre$uie construite "n capsule transparente "n
domeniul spectral al radiaiei electroma!netice la care ele funcioneaz.
- alt cate!orie de diode "n care se produc fenomene optice este cea a diodelor
electrolu%ine+cente
/
"n care @onciunea >n este polarizat direct cu o tensiune suficient pentru
a e#cita electronii din $anda de valen astfel ca apoi s se produc fenomenul de recom$inare
radiativ 'a se vedea para!raful 1.;(. Este necesar ca aceasta s se produc cu o pro$a$ilitate
suficient de mare '"n comparaie cu recom$inrile neradiative( pentru a se o$ine un randament de
conversie a ener!iei electrice "n ener!ie luminoas suficient de $un. Cele mai $une materiale
semiconductoare din acest punct de vedere sunt cele compuse de tipul ,,, ) 6 cum sunt Aa&s
AaP i SiC. Pentru ca radiaia emis s fie "n domeniul vizi$il este necesar ca diferena dintre
nivelurile ener!etice "ntre care ale loc tranziia electronilor s fie mai mare dec%t 1O e6. .r!imea
$enzii interzise a Aa&s este de 1F0 e6 ceea ce face ca radiaia emis s fie "n domeniul infrarou
' 7 S+22 ^( "n timp ce lr!imea $enzii interzise a AaP este de +1 e6 astfel "nc%t radiaia emis
este "n domeniul vizi$il de culoare verde ' 7 HN22 ^(. Dac se realizeaz o soluie solid a celor
dou materiale se pot o$ine radiaii de diferite culori "ntruc%t lr!imea $enzii interzise depinde de
proporia celor dou materiale "n soluie. C%teva e#emple sunt date "n ta$elul +.1.
En condiii speciale "ntr)o @onciune >n se poate o$ine o inversie de populaie care
com$inat cu un fenomen de emisie stimulat face ca radiaia emis s fie o radiaie .&SE? cu
$inecunoscutele proprieti de coeren monocromaticitate
+
unidirecionalitate i intensitate mare.
En acest caz dispozitivul se numete diod( l$+er- folosit "n numeroase domenii cum sunt
transmiterea optic a informaiei prin fi$re optice i citirea)scrierea informaiilor pe compact)
discuri.
TA1EL 4,/,
Semiconductor '^( domeniu spectral
Aa&s S+22 infrarou
2NLAa&s ) 2F AaP NN22 rou
2HLAa&s ) 2H AaP N122 oran!e
2+LAa&s ) 2; AaP HS22 !al$en
AaP HN22 verde
1
Ele sunt mai cunoscute su$ denumirea de .ED ) uri 'nu diode .ED ceea ce este un pleonasm _( .ED fiind
iniialele cuvintelor din lim$a en!lezK :.i!ht Emittin! Diode: ceea ce "nseamnK :diodK emiKtoare de luminK:
+
Conocromaticitatea diodelor laser nu este at%t de netK ca "n cazul altor cate!orii de laseri ca urmare a tranziiilor
care nu au loc "ntre niveluri discrete radiaia emisK av%nd lun!imea de undK cuprinsK intr)un interval "n!ust.
02
C&P,*-.U. ,,,
CICUITE DE EDESAE
(eneraliti
Datorit proprietii de conducie unilateral a diodei acesta poate fi folosit "n procesul de
redresare a curentului alternativ o$in%ndu)se astfel curent continuu
1
. Schema)$loc a unui
redre+or este dat "n fi!ura 0.1 i cuprinde urmtoarele pri '$locuri( componente/ T )
transformatorul cu rol de separare !alvanic a redresorului de reeaua de alimentare cu ener!ie
electric i de o$inere a tensiunii alternative de o valoare corespunztoare R ) redresorul propriu)
zis alctuit din unul sau mai multe dispozitive redresoare prin intermediul crora se realizeaz
procesul de redresare prin care se o$ine un curent electric continuu cu valoare varia$il 'pulsant(
i F ) filtrul de netezire cu rol de micorare a amplitudinii pulsaiilor tensiunii redresate pentru
o$inerea unei tensiuni c%t mai apropiate de cea constant.
Pentru frecvene sczute ale curentului
alternativ se pot folosi redresoare mecanice dar
practica a consacrat datorit avanta@elor din toate
punctele de vedere redresoarele electronice
acestea put%ndu)se clasifica astfel/
1. dup numrul de faze ale tensiunii redresate/
redresoare monofazateG
redresoare polifazate 'de e#emplu trifazate(.
+. dup numrul alternanelor redresate/
redresoare monoalternanG
redresoare $ialternan.
0. dup posi$ilitatea controlului tensiunii redresate/
redresoare necomandateG
redresoare comandate 're!la$ile(.
F. dup natura sarcinii/
redresoare cu sarcin rezistivG
redresoare cu sarcin inductivG
redresoare cu sarcin capacitivG
redresoare cu sarcin mi#t.
Redresorul monoalternan monofazat cu sarcin rezisti$
Schema unui astfel de redresor este prezentat "n fi!ura 0.+.a i cuprinde un transformator
care asi!ur "n secundar tensiunea alternativ instantanee u i dioda redresoare tensiunea redresat
u
s
fiind aplicat rezistorului de sarcin de rezisten ?
s
. Pentru analiza funcionrii redresorului
este util schema echivalent a monta@ului prezentat "n fi!ura 0.+.$. En aceasta r are e#presia/
r 7 r
+
M r
1
+
1
+
n
n
,
_
'0. 2(
"n care r
1
i r
+
sunt rezistenele $o$inei primare respectiv secundare ale transformatorului n
1
i n
+
fiind numrul de spire ale acestora. &l doilea termen al relaiei '0.1( reprezint rezistena reflectat
de primar "n secundar. *ot "n schema echivalent ?
i
este rezistena dinamic a diodei 6
d
tensiunea
de deschidere a acesteia iar ?
s
rezistena de sarcin. 4otm/
? 7 ?
i
M r '0. 2(
1
?edresarea curentului alternativ reprezintK procesul de transformare a acestuia "ntr)un curent continuu. *re$uie sK
su$liniem 'pentru evitarea oricKror confuzii posi$ile( cK un curent continuu "nseamnK acel curent ce "ì pKstreazK
mereu acelaì sens spre deose$ire de cel alternativ care "ì schim$K periodic sensul. Cu alte cuvinte un curent
continuu nu este neapKrat ì constant adicK intensitatea acestuia poate sK se modifice de la un moment la altul doar
sensul pKstr%ndu)se mereu acelaì.
01
&plic%nd teorema a ,,)a lui 8irchhoff "n ochiul de reea al schemei echivalente rezult/
u 7 '? M ?
s
( i M 6
d
7 U
m
sin t de unde/
i 7
s
d m
? ?
6 t sin U
+

'0. 2(
Evident relaia de mai sus este vala$il numai at%t timp c%t dioda conduce "n restul timpului
curentul "n circuit fiind nul. 6ariaiile "n
timp
1
a tensiunii u 7 U
m
L sint i a
curentului i sunt reprezentate "n fi!ura
0.0 "n care u este fi!urat cu linie
punctat iar i cu linie continu. Se
o$serv c "ntre momentele t 7 2 i t
1

dei u este pozitiv i 7 2 acest lucru fiind
datorat tensiunii de deschidere diferite
de zero a diodei 'pentru deschiderea
acesteia tensiunea tre$uie s depeasc
valoarea 6
d
(. Un!hiul
1
'un*0iul de de+c0idere(
corespunztor momentului t
1
al intrrii "n conducie a diodei se
o$ine tocmai din condiia ca i dat de relaia 0.0 s se anuleze.
1
7 t
1
7 arcsin

,
_
m
d
U
6
'0. 2(
En mod analo! momentului t
+
c%nd dioda "nceteaz s mai
conduc "i corespunde un!hiul
+
'un*0iul de 7nc0idere(/
+
7 t
+
7
1
'0. 2(
Diferena 7
+

1
reprezint un*0iul de conduc"ie $l diodei, *ensiunea redresat u
s
la
$ornele rezistorului se sarcin este/
u
s
7 i ?
S
'0. 2(
i evident are aceea i form cu cea a lui i. Curentul mediu redresat are valoarea/
,
2
7
( ) ( )
( )
S
2
S
d
S
m
+
2 S
d m
+
2
? ?
U
? ?
6
? ?
U
t d
? ?
6 t sin U
+
1
t d i
+
1
+
+

+

'0. 2(
unde U
2
7
m
U
6
d
. En cursul unei perioade dioda suport o tensiune invers ma#im e!al cu U
m

"n timpul perioadei ne!ative c%nd dioda nu conduce. Curentul ma#im suportat de diod este ,
ma#
7
S
m
? ?
U
+
. Dac se ne!li@eaz tensiunea 6
d
'care de altfel este mic( un!hiul de deschidere
1

este nul i atunci/
u
S
7
'
< <
< <
+
2 t p e n t r u
0 p e n t r u
2
t t s i n U
? ?
?
m
S
S
'0. 2(
&ceast tensiune ca funcie matematic se poate descompune "n serie Fourier dup cum
urmeaz/
u
S
7
,
_
+
+
t F cos
1H
+
t + cos
0
+
t sin
+
1 1
? ?
? U
S
S m
'0. 2(
1
Cai e#act pentru comoditate s)a reprezentat variaaia mKrimilor respective "n funcaie de t 7 2 t.
0+
Se constat c u
s
conine o component continu cu valoarea U
7
7
( )
S
S m
? ?
? U
+
'ceea ce s)a
o$inut i "n relaia 0.O( peste care se suprapun o infinitate de componente de componente
alternative din care ne!li@%nd termenii de ordin superior reinem componenta fundamental cu
pulsaia e!al cu cea a tensiunii de alimentare i amplitudinea U
V
7
( )
S
S m
? ? +
? U
+
. ?aport%nd aceast
amplitudine la valoarea componentei continue se definete #$ctorul de ondul$"ie=
7
+ U
U
V

'0. 2(
?andamentul procesului de redresare ca raport dintre puterea util de curent continuu P i
puterea medie primit de circuitul redresor P
m
se poate calcula 'pentru o diod ideal( astfel/
P 7
S
+
+
m
?
1 U
7 U
2
,
2
G P
m
7
( )
( )
( )
S
+
m
2 S
+
m
2
? F
U
t d
?
t sin U
+
1
t d ui
+
1

Deci/
7
+ +
m
S
S
+
+
m
F
U
? F
?
1 U
7 F2N Q '0. 2(
&a cum se o$serv randamentul este destul de sczut fapt datorat prezenei armonicilor
superioare sau din punct de vedere fenomenolo!ic neutilizrii uneia din alternane. .a un redresor
real randamentul este de fapt chiar mai sczut.
Redresorul monofazat bialternan cu sarcin rezisti$
Pentru "m$untirea randamentului redresrii este necesar redresarea am$elor alternane
fapt ce se poate realiza folosind monta@ul din fi!ura 0.F a. Forma tensiunii redresate u
s
este cea
din fi!ura 0.F.$. 's)a ne!li@at valoarea tensiunii de deschidere 6
d
(.
Curentul prin ?
s
este dat de suma curenilor furnizai de cele dou seciuni ale redresorului
care funcioneaz "n contratimp pe c%te o
semiperioad a tensiunii de alimentare. De
fapt se poate considera c redresorul du$l
alternan este alctuit din dou redresoare
monoalternan care folosesc aceeai
"nfurare primar a transformatorului i
de$iteaz pe aceeai sarcin. .a acest tip de
redresor tensiunea invers ma#im pe
parcursul unei perioade suportat de fiecare
diod este du$lul tensiunii ma#ime dintr)o seciune a secundarului transformatorului adic U
inv ma#
7 +U
m
. Evident curentul mediu prin fiecare diod este @umtate din curentul redresat.
Fc%nd analiza Fourier a tensiunii redresate "ntr)un mod asemntor celui de la redresorul
monoalternan se o$ine tensiunea redresat/
u
S
7
,
_
+
t F cos
1H
F
t + cos
0
F +
? ?
? U
S
S m
'0. 2(
&ceasta conine o component continu cu valoarea U
7
7
( )
S
S m
? ?
? U +
+
'du$l fa de cea de la
redresarea monoalternan( i o serie de componente alternative dintre care reinem numai pe cea
00
fundamental cu frecvena du$l
1
fa de cea a curentului alternativ de alimentare i cu
amplitudinea U
V
7
( )
S
S m
? ? 0
? U F
+
. En acest caz e#presia factorului de ondulaie este/
7
0
+
U +
0
U F
m
m
7 NNO Q '0.
2(
Dac se face o comparaie "ntre redresorul du$l alternan i cel monoalternan rezult c
primul este evident mai avanta@os/ randamentul su este du$lu iar factorul de ondulaie se reduce
apro#imativ la @umtate. *otui sunt i unele dezavanta@e/ are un !a$arit mai mare '"nfurarea
secundar a transformatorului du$l( i folosete dou diode "n loc de una acestea av%nd tensiunea
invers ma#im du$l fa de cea a diodei redresorului monoalternan.
Pentru a elimina i aceste dezavanta@e "n practic se folosete un alt tip de redresor du$l
alternan/ redre+orul 7n unte 'fi!ura 0.H.a(. &a cum se poate vedea pe una din alternane
curentul circul prin diodele D
F
i D
+
celelalte dou fiind $locate 'fi!ura 0.H.$( iar pe cealalt
alternan rolurile se inverseaz/ diodele D
F
i D
+
sunt $locate curentul circul%nd prin diodele D
0
i
D
1
'fi!ura 0.H.c( astfel "nc%t permanent prin rezistorul de sarcin sensul curentului rm%ne
acelai. 6alorile tensiunii medii redresate i curentului mediu redresat sunt aceleai ca la redresorul
du$l alternan clasic "n schim$ tensiunea invers ma#im suportat de fiecare diod este numai
U
m
. *ransformatorul av%nd numai
o sin!ur "nfurare secundar ca
la redresorul monoalternan
rezult c redresorul "n punte are
un sin!ur dezavanta@ fa de
redresorul monoalternan/
folosirea a patru diode "n loc de
una ceea ce "nseamn un pre de
cost mai mare. Cum preul
diodelor este mic comparativ cu
preul total al redresorului iar
redresorul "n punte pstreaz toate
avanta@ele redresrii am$elor
alternane este evident de ce "n
practic folosirea redresorului "n
punte s)a !eneralizat. De altfel
fa$ricanii de dispozitive
semiconductoare pun "n prezent la
dispoziia utilizatorilor puni
redresoare inte!rate conin%nd
toate cele patru diode "ntr)o sin!ur capsul "ntr)o !am lar! de variante cu parametri de
funcionare diveri.
Redresorul monofazat cu sarcin R)
Schema corespunztoare acestui tip de redresor "n varianta monoalternan este prezentat "n
fi!ura 0.N. ,nductana . poate fi coninut "n sarcin sau poate fi adiionat acesteia pentru o mai
$un filtrare 'efectul fiind analizat "n continuare(. Ca urmare a faptului c prin aceast inductan
1
Se poate considera cK faaK de redresarea monoalternanaK componenta fundamentalK a tensiunii redresate a fost
"nlKturatK rKm%n%nd numai armonicile. En acest mod se poate e#plica reducerea factorului de ondulaaie.
0F
trece un curent varia$il se produce fenomenul de autoinducie const%nd "n apariia la $ornele
elementului inductiv a unei tensiuni autoinduse date de relaia/
e 7
dt
di
. '0. 2(
&plic%nd a doua teorem a lui 8irchhoff "n circuitul de
redresare pentru timpul c%t dioda presupus ideal conduce se
o$ine/
U 7 .
dt
di
M i?
S
7 U
m
sint '0. 2(
&ceasta este o ecuaie diferenial de ordinul , neomo!en a
crei soluie este dat de suma dintre soluia !eneral a ecuaiei
omo!ene corespunztoare 'componenta tranzitorie( i o soluie particular a ecuaiei neomo!ene/
i 7
( )
( )
1
]
1
+
+
t
.
?
+ +
S
m
S
e sin t sin
. ?
U
'0. 2(
"n care
t! 7
S
?
.
'0. 2(
Pentru o valoare suficient de mare a inductanei . valoarea
?
s
<. este mic astfel "nc%t al doilea termen al relaiei 0.1N este
practic constant peste acesta suprapun%ndu)se o component
alternativ dat de primul termen 'amplitudinea acestei
componente este cu at%t mai mic cu c%t . este mai mare(.
Forma curentului redresat i este dat "n fi!ura 0.O.
Pun%nd "n relaia 0.1N condiia i 7 2 se poate calcula
un!hiul de conducie care crete odat cu scderea raportului .<?
s
ceea ce "nseamn o mai $un
filtrare la creterea valorii lui . rezultat o$inut i mai sus. De aceea "n practic pentru filtrare se
folosesc $o$ine cu inductan c%t mai mare sin!urele limitri fiind impuse de !a$aritul acestora i
de o$inerea unui factor de calitate al lor c%t mai ridicat.
Redresorul monofazat cu sarcin RC
Schema corespunztoare acestui tip de redresor "n varianta monoalternan este prezentat "n
fi!ura 0.;.a "n fi!ura 0.;.$ fiind dat forma tensiunii la $ornele rezistorului de sarcin.
Dup cum se poate vedea capacitatea C este le!at "n paralel cu rezistorul de sarcin put%nd
fi coninut chiar "n consumator sau put%nd fi adu!at pentru reducerea pulsaiilor tensiunii
redresate.
Procesul care are loc este urmtorul/ condensatorul se "ncarc atunci c%nd dioda conduce
descrc%ndu)se pe ?
s
c%nd dioda este $locat "n acest fel o$in%ndu)se netezirea prin repartizarea
mai uniform "n timp a ener!iei electrice consumate de sarcin. De fapt condensatorul av%nd o
capacitate mare deci o reactan capacitiv mic scurtcircuiteaz "n curent alternativ rezistorul de
sarcin astfel "nc%t prin acesta circul numai componenta continu a tensiunii redresate i o foarte
mic parte din cea alternativ restul trec%nd prin condensator.
*ensiunea la $ornele diodei este u
d
7 u u
s
astfel "nc%t aceasta este polarizat at%t pozitiv c%t
i ne!ativ. Dioda conduce numai at%t timp c%t este polarizat pozitiv deci c%nd u = u
s
"n rest ea
este $locat i condensatorul se descarc pe ?
s
.
Practic dioda se deschide doar pe v%rful alternanei pozitive c%nd u = u
s
XU
7
. Din relaiile C
7
C
du
db
G i
C
7
dt
db
rezult i
C
7 C
dt
du
C
. Dac dioda 'presupus ideal( conduce i 7 i
?
M i
C
unde i
C
7
C
dt
du
C
7 CU
m
cost G i
? 7
C
m
?
U
sint. Dup "nlocuirea e#presiilor lui i
?
i i
c
rezult/
0H
i 7 U
m
( ) ( ) + + t sin C
?
1
+
+
S
'0. 2(
unde
t! 7 C?
S
'0. 2(
En restul timpului c%t dioda nu
conduce condensatorul se descarc
pe ?
s
tensiunea variind la $ornele
sale conform relaiei/
u
C
7 u
S
7 U
C
S
C?
t
e
'0. 2(
unde U
c
este tensiunea ma#im de
"ncrcare a condensatorului. En
condiia "n care C este suficient de mare constanta de timp C?
s
este i ea mare astfel "nc%t
descrcarea condensatorului se face suficient de lent pentru ca tensiunea u
c
s nu scad prea mult
p%n la o nou "ncrcare. En cazul redresorului du$l alternan efectul de netezire a pulsaiilor
tensiunii redresate de ctre condensator este i mai pronunat ca urmare a reducerii timpului de
descrcare.
En analiza sumar a fenomenului nu s)a luat "n considerare rezistena secundarului i nici cea
a diodei. Dac se ine cont i de acestea se constat c un!hiul de conducie al diodei 'i aa destul
de mic( se reduce foarte mult impulsurile curentului redresat devin foarte scurte dar cresc "n
amplitudine fapt care duce la creterea valorii efective a tensiunii redresate.
Redresorul cu dublare de tensiune
Schema de principiu a unui astfel de redresor este
prezentat "n fi!ura 0.S. Dup cum se vede ea deriv din cea a
unui redresor "n punte la care dou din diodele redresoare au
fost "nlocuite cu c%te un condensator. Funcionarea acestui
redresor este urmtoarea/ c%nd se aplic tensiunea de alimentare
a punii apare un re!im tranzitoriu "n care pe una din alternane
se "ncarc un condensator iar pe cea de)a doua cellalt
condensator 'mai e#act c%nd conduce dioda D
1
se "ncarc
condensatorul C
1
la tensiunea U
m
iar c%nd conduce dioda D
+
se
"ncarc condesatorul C
+
la tensiunea U
m
(. *ensiunea la $ornele
lui ?
s
este e!al cu cea la $ornele !ruprii "n serie a celor dou
condensatoare deci dac rezistena proprie a redresorului este
mult mai mic dec%t ?
s
constanta de timp la descrcare este mult mai mare dec%t cea la "ncrcare
astfel "nc%t pe rezistena de sarcin va e#ista permanent o tensiune doar cu puin mai mic dec%t
du$lul tensiunii ma#ime furnizate de secundarul transformatorului.
Filtre de netezire a tensiunii redresate
Pentru asi!urarea unui factor de ondulaie corespunztor se pot utiliza filtre de netezire.
Confi!uraiile acestora sunt diverse dar se pot reduce "ntotdeauna la confi!uraia de $az
prezentat "n fi!ura 0.12.
*ensiunea furnizat de redresor u i aplicat filtrului are dou componente/ una continu
U
o
cealalt alternativ cu valoarea efectiv U. *ensiunea la $ornele lui ?
s
u
s
'adic la ieirea
filtrului( va avea i ea o component continu U
so
i una alternativ cu valoarea efectiv U
s
.
Pentru o filtrare perfect s)ar impune ca U
so
7 U
o
i U
s
7 2 dar "n realitate condiiile nu pot fi
asi!urate dec%t cu apro#imaie adic U
so
U
o
i U
s
>> U. Entre cele patru mrimi e#ist relaiile/
0N
U
S2
7
2
S + 1
S +
2
? 5 5
? 5
U

+
'0. 2(
U
S
7
S + 1
S +
? 5 5
? 5
U
+
'0. 2(
Din condiiile impuse rezult/
2
1
2
S +
5 ? 5

'0. 2(
1 S +
5 ? 5 <<
'0. 2(
Dac factorul de ondulaie al redresorului 'la intrarea filtrului( este atunci la ieirea
filtrului acesta este/
S
7
2
S + 1
S +
S + 1
S +
? 5 5
? 5
? 5 5
? 5

+
+
'0. 2(
E#plicit%nd "n funcie de confi!uraia filtrului impedanele comple#e 5
1
i X5
+
"n $aza relaiei
'0.+H( se poate calcula factorul de ondulaie "n diferite cazuri particulare.
Stabilizatoare de tensiune
Sta$ilizatorul este un dispozitiv electronic cu impedan varia$il comandat de variaia unei
mrimi electrice 'tensiune curent( de la intrarea sa astfel "nc%t aceast variaie este compensat
prin variaia cderii de tensiune pe impedan la ieirea sta$ilizatorului mrimea electric
respectiv pstr%ndu)i o valoare constant.
Sta$ilizatoarele se pot clasifica dup diferite criterii astfel/
a( dup parametrul electric sta$ilizat/
) sta$ilizatoare de tensiune
) sta$ilizatoare de curent
$( dup metoda de sta$ilizare/
) sta$ilizatoare parametrice
) sta$ilizatoare prin compensare
) sta$ilizatoare cu reacie
c( dup modul de conectare a elementului de sta$ilizare/
) sta$ilizatoare serie
) sta$ilizatoare paralel
Pentru a caracteriza eficiena unui sta$ilizator se definete
1
#$ctorul de +t$'ili!$re 7n
ten+iune- ca raport "ntre variaiile relative ale tensiunii la intrare respectiv la ieire/
F 7
. ct ?
S
S
in
in
S
U
U
U
U
'0. 2(
De asemenea se poate utiliza coe#icientul de +t$'ili!$re- definit astfel/
S 7
. ct ?
S
in
S
U
U
'0. 2(
En cele dou relaii U
in
este tensiunea la intrarea sta$ilizatorului iar U
s
cea de la ieirea
acestuia adic tensiunea la $ornele rezistorului de sarcin.
1
Definiaia s)a fKcut pentru un sta$ilizator de tensiune. Evident pentru unul de curent formulele se
adapteazK "n mod corespunzKtor. De altfel "n cele ce urmeazK ne vom referi numai la sta$ilizatoarele de
tensiune.
0O
St!"i#i$!to!re %!r!metrice
Sta$ilizatoarele parametrice folosesc "n componena lor elemente neliniare caracterizate
printr)un parametru varia$il "n funcie de tensiunea la intrare. Un astfel de element este dioda
5ener schema unui sta$ilizator de tensiune parametric utiliz%nd o diod 5ener fiind dat "n fi!ura
0.11.
En fi!ura
0.11.a este
prezentat schema
de principiu a
sta$ilizatorului
alctuit numai din
dioda 5ener i
re!i+torul de
'$l$+t ? "n fi!ura
0.11.$ este dat
schema echivalent
a sta$ilizatorului iar
"n fi!ura 0.11.c este prezentat caracteristica liniarizat a diodei 5ener la polarizare invers pe care
sunt reprezentate punctele de funcionare & la tensiune minim i B la tensiune ma#im. Sursa de
alimentare 'redresorul( furnizeaz tensiunea continu U
r
i are rezistena intern ?
r
.
&naliz%nd fi!ura 0.11.c se poate constata c la variaii mari ale curentului prin dioda 5ener
"ntre ,
z ma#
i ,
z min
are loc o variaie foarte mic a tensiunii U
z
de la U
z ma#
la U
z min
ca urmare a
pantei foarte a$rupte a caracteristicii diodei 5ener. &stfel chiar dac punctul de funcionare se
deplaseaz destul de mult 'de la & la B sau invers ca urmare a variaiei rezistenei de sarcin sau a
tensiunii U
r
( variaia curentului , va fi preluat "n cea mai mare parte prin dioda 5ener. Se poate
scrie/
U
in
7 ?, M U
S
7 ?',
5
M ,
S
( M U
5
7 ?

,
_
+
S
5
5
?
U
,
M U
5
'0. 2(
Calcul%nd coeficientul de sta$ilizare se o$ine/
S 7
1
?
1
r
1
? 1
?
1
U
,
?
U
U
U
U
S 5 S 5
5
5
in
S
in
+
,
_
+ +
,
_
Deci/
S 7 1 M

,
_
+
S 5
?
1
r
1
?
'0. 2(
Cum de o$icei r
z
este foarte mic 'r
z
>> ?
s
( se poate apro#ima S 7 1 M
5
r
?
ceea ce ne
permite s scriem/
F 7 S

,
_
+
5 in
S
in
S
r
?
1
U
U
U
U
in
S
U
U
'0. 2(
Se poate constata c pentru a o$ine o sta$ilizare mai $un adic un coeficient de sta$ilizare
mai mare tre$uie s creasc rezistena de $alast ? ceea ce duce "ns la o pierdere de ener!ie "n
circuit deci la o utilizare ineficient a acesteia.
St!"i#i$!to!re cu com%ens!re
En fi!ura 0.1+ este prezentat schema)$loc a unui sta$ilizator cu compensare "n varianta serie
'fi!ura 0.1+.a( respectiv paralel 'fi!ura 0.1+.$(.
Funcionarea are loc astfel/ detectorul de eroare DE este un dispozitiv care compar
permanent tensiunea de la intrarea sta$ilizatorului U
in
cu o tensiune de referin U
ref
de valoare
c%t mai constant furnizat de un dispozitiv electronic 'poate fi o diod 5ener polarizat invers ce
0;
funcioneaz la tensiunea de strpun!ere(. Diferena dintre cele dou tensiuni este amplificat de
amplificatorul de eroare &E tensiunea o$inut la ieirea acestuia aplic%ndu)se elementului de
re!la@ E? cu rezisten varia$il "n funcie tocmai de aceast tensiune. Cderea de tensiune pe
elementul de re!la@ compenseaz variaia tensiunii de intrare astfel "nc%t la ieirea sta$ilizatorului
se o$ine o tensiune practic constant.
En schemele mai simple
amplificatorul de eroare poate s
lipseasc diferena dintre cele
dou tensiuni comparate
comand%nd direct elementul de
re!la@. &cest tip de sta$ilizator
este mai eficient dec%t cel
anterior utiliz%nd ener!ia sursei
de tensiune cu un randament
sporit dar are dezavanta@ul c nu reacioneaz dec%t la variaiile tensiunii de intrare nu i la cele ale
rezistenei de sarcin.
St!"i#i$!to!re cu re!c&ie
Cele dou variante constructive serie i paralel ale schemei)$loc a sta$ilizatorului cu reacie
sunt prezentate "n fi!ura
0.10.a respectiv 0.10.$.
Se poate constata
asemnarea cu schema
sta$ilizatorului cu
compensare doar c
tensiunea de referin U
ref

este comparat direct cu
tensiunea de ieire U
s

semnalul rezultat din
aceast comparare i 'eventual( amplificare fiind aplicat elementului de re!la@.
En acest caz procesul de sta$ilizare are loc indiferent de cauza ce produce variaia tensiunii
de ieire adic i "n cazul variaiei tensiunii de intrare i "n cel al variaiei rezistenei de sarcin
efectul de sta$ilizare fiind deci mult mai eficient.
0S
C&P,*-.U. ,6
TANZISTOUL 'I(OLA
Construcie* principiu de funcionare
*ranzistorul $ipolar
'numit astfel deoarece la
procesele ce au loc particip
am$ele tipuri de purttori( este
construit dintr)un monocristal
semiconductor "mprit "n trei
zone al cror tip de conducie
alterneaz form%ndu)se astfel
dou @onciuni -n. Este evident
c e#ist dou variante
constructive -n- i n--n aa
cum se arat i "n fi!ura F.1 "n
care se prezint i sim$olul
folosit "n schemele electronice pentru acest dispozitiv.
5ona central se numete '$!( cele laterale e%itor i respectiv colector. Pentru
funcionarea corect i apariia efectului de tranzistor $aza tre$uie s ai$ o !rosime foarte mic
iar emitorul tre$uie s fie mult mai
puternic dopat dec%t colectorul.
Dia!rama $enzilor de ener!ie i
structura @onciunilor "ntr)un tranzistor
-n-
/
sunt prezentate "n fi!ura F.+.a
respectiv F.+.$.
Contarea tranzistoarelor "n circuite
poate fi fcut "n trei feluri diferite
numite/ cone#iune cu $aza comun cu
emitor comun i respectiv cu colectorul
comun dup cum unul din cei trei
electrozi este comun circuitelor de
intrare i ieire 'fi!ura F.0(.
S considerm confi!uraia cu $az comun din fi!ura F.0.a pentru un tranzistor -n-G
@onciunea E)B fiind polarizat direct are loc in@ectarea !olurilor din emitor "n $az acestea
difuz%nd mai departe spre colector. En condiia "n care !rosimea $azei este mic ' HL12
)N
m( cu
e#cepia unui mic numr de !oluri care se recom$in "n $az celelalte vor trece "n colector. Cai
e#act pentru ca acest lucru s se produc este necesar ca !rosimea $azei s fie mai mic dec%t
lun!imea de difuzie a
!olurilor "n $az.
En acest fel deci
curentul ce apare "n
@onciunea B)C este
aproape e!al cu cel prin
@onciunea E)B. Cum
aceasta din urm este
polarizat direct
rezistena sa fiind foarte
mic "n timp ce
1
Fenomenele "n tranzistoarele n--n se petrec "n acelaì mod
F2
@onciunea B)C este polarizat invers rezistena sa fiind foarte mare putem spune c "n condiiile
precizate are loc un transfer, practic fr pierderi, al unui curent dintr-un circuit de rezisten
mic ntr-unul de rezisten mare. &cesta reprezint e#ectul de tr$n!i+tor 'de unde i numele
dispozitivului o$inut din com$inarea a dou cuvinte/ *?&4sfer ) re5,S*-?(.
S determinm acum e#presiile curenilor prin tranzistor. Pentru re!iunea $azei din formula
'1.0H( "n condiiile E 7 2 i cp<ct 7 2 rezult/
2
p p
#
p
D
B
B
+
+
B

'F. 2(
De asemenea
@
p
7 eD
B
#
p
G @
n
7 @ @
p
'F. 2(
unde @
n
@
p
i @ sunt densitile de curent de electroni de !oluri i respectiv total "n $az D
B
coeficientul de difuzie al !olurilor "n $az
B
timpul de via al !olurilor "n $az i p
B
concentraia
de !oluri "n $az la echili$ru '"n lipsa in@eciei de !oluri din emitor(. Dac notm lr!imea $azei cu
J atunci la limitele dinspre emitor respectiv colector ale acesteia concentraia de !oluri are
e#presiile/
( ) ( )
,
_
,
_
1 e J p G 1 e p 2 p
P*
e6
P*
e6
B
BC EB
'F. 2(
?ezolv%nd ecuaia F.1 "n condiiile la limit F.0 rezult/
p'#( 7 p
B
M C
1
B
.
#
e
M C
+
B
.
#
e
'F. 2(
unde
C
1
7
( ) ( )
B B
B
.
J
.
J
.
J
e e
e 2 p J p
G C
+
7
( ) ( )
B B
B
.
J
.
J
.
J
e e
e 2 p J p
En aceste relaii .
B
7
B B
D este lun!imea de difuzie a !olurilor "n $az. Se poate o$serva
c dac lr!imea $azei este prea mare 'J == .
B
( relaia F.F se reduce la p'#( 7 p
B
M p'2(
B
.
#
e

e#presie ce caracterizeaz @onciunea E)B fr nici o influen din partea @onciunii B)C deci ca "n
cazul c%nd cele dou @onciuni sunt complet separate ceea ce arat c "n aceast situaie efectul de
tranzistor nu se mai produce.
Concomitent cu difuzia !olurilor are loc o in@ectare de electroni din $az "n emitor electroni
e#trai la r%ndul lor din colector. Concentraiile acestora la mar!inile $azei 'condiiile la limit(
sunt date de e#presiile/
( ) ( )
,
_
,
_
1 e # n G 1 e n # n
P*
e6
C
P*
e6
E E
BC EB
'F. 2(
?ezolv%nd i ecuaia de continuitate pentru electroni 'analoa! cu relaia F.1( rezult/
n'#( 7
( )
( )
'
> +
< +
+
C
.
# #
C C
E
.
# #
E E
# # p e n t r u e # n n
# # p e n t r u e # n n
C
C
E
E
'F. 2(
unde n
E
i n
C
sunt concentraiile de electroni la echili$ru "n emitor respectiv colector iar .
E
i .
C
sunt lun!imile de difuzie ale electronilor "n emitor respectiv colector. Utiliz%nd relaia F.+ i
F1
echivalentul ei pentru electroni se calculeaz @
n
i @
p
i consider%nd c suprafaa transversal a $azei
are aria S rezult curenii/
,
E
7

,
_
+
1
1
1
]
1
,
_
1 e
.
p D
eS
e e
1 e
1 e
e e
e e
.
p D
eS
P*
e6
E
E E
.
J
.
J
P*
e6
P*
e6
.
J
.
J
.
J
.
J
B
B B
EB
B B
BC
EB
B B
B B
'F. 2(
,
C
7

,
_
+
1
1
1
]
1
1 e
.
p D
eS
e e
1 e
e e
1 e
e e
e e
.
p D
eS
P*
e6
C
C C
.
J
.
J
P*
e6
.
J
.
J
P*
e6
.
J
.
J
.
J
.
J
B
B B
EB
B B
BC
B B
EB
B B
B B
'F. 2(
Pentru a o$ine un efect de tranzistor c%t mai pronunat este necesar ca partea de curent de
!oluri din @onciunea E)B care nu circul prin colector s fie c%t mai mic. Se definete #$ctorul de
in3ec"ie $l e%itorului/
B B
B B
.
J
.
J
.
J
.
J
E B B
B E E
e e
e e
. D p
. D n
1
1
curent
+
+

emitor n total
emitor n goluri de curent
'F. 2(
Se definete de asemenea #$ctorul de tr$n+ort/
B B
.
J
.
J
*
e e
1
curent
+

baz n injectate goluri de
colector la ajunse goluri de curent
'F. 2(
care "n condiia J >> .
$
devine/
*
1
+
B
.
J
+
1
,
_
'F. 2(
&cum putem defini #$ctorul de
$%li#ic$re 7n curent al tranzistorului pentru
confi!uraia cu $az comun ca raport dintre
curentul de !oluri "n colector i curentul total
"n emitor/
7
*
7
E
C
,
,
'F. 2(
En fi!ura F.F este reprezentat procesul
formrii curenilor "ntr)un tranzistor >n> "n care ,
nE
i I
pE
sunt componentele electronic i
respectiv de !oluri ale curentului de emitor ,
r
curentul de recom$inare a !olurilor "n $az ,
CB2
curentul rezidual de colector cu emitorul "n !ol 'cu @onciunea E)B nepolarizat( iar ,
E
este
curentul de !oluri in@ectate din emitor "n colector.
Se poate constata c/
,
B
7 ,
nE
M ,
r
,
CB2
'F. 2(
i
,
E
7 ,
B
M ,
C
'F. 2(
?elaia F.10 este cunoscut ca prima ecuaie fundamental a tranzistorului. De asemenea este
evident din fi!ura F.F a doua ecuaie fundamental a tranzistorului/
,
C
7 ,
E
M ,
CB2
'F. 2(
En relaia de mai sus ,
CB2
este mult mai mic dec%t primul termen astfel "nc%t de multe ori ea
se scrie/ ,
C
,
E
. Dac "n ecuaia F.1F se "nlocuiete ,
E
din relaia F.10 se e#prim ,
C
"n funcie
F+
de ,
B
rezult%nd/ ,
C
7

+

1
,
,
1
2 CB
B
. *ermenul ,
CE2
7
1
,
2 CB
reprezint curentul rezidual de
colector cu $aza "n !ol
1
iar factorul
7

1
'F. 2(
reprezint factorul de amplificare "n curent "n cone#iune emitor comun. Pentru aceast cone#iune
a doua relaie fundamental a tranzistorului se scrie su$ forma/
,
C
7 ,
B
M ,
CB2
'F. 2(
De o$icei are valori cuprinse "ntre 2SH i 2SSH iar "ntre 02 i ;22.
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
&naliz%nd fi!ura F.0 se poate constata c tranzistorul
$ipolar indiferent de modul de cone#iune poate fi reprezentat
ca un cuadripol 'fi!ura F.H( pentru care "n !eneral pot fi
definite trei cate!orii de caracteristici/
1. caracteristici de intrare care e#prim variaia
curentului de intrare "n funcie de tensiunea la intrare I
i
7
f'U
i
( c%nd unul din cei doi parametri de ieire 'I
e
sau U
e
(
este constant.
+. caracteristici de ieire care e#prim variaia curentului de ieire "n funcie de tensiunea de
ieire I
e
7 f'U
e
( c%nd unul din cei doi parametri de intrare 'I
i
sau U
i
( este constant.
0. caracteristici de transfer care e#prim dependena curentului de ieire "n funcie de unul
din cei doi parametri de intrare I
e
7 f'U
i
( sau I
e
7 f'I
i
( pentru o tensiune de ieire constant.
F. caracteristici de reacie, care e#prim dependena tensiunii de intrare "n funcie de unul din
cei doi parametri de ieire U
i
7 f'U
e
( sau U
i
7 f'I
e
( pentru un curent de intrare constant.
S considerm confi!uraia $az comun 'fi!.F.0.a(. En acest caz caracteristicile de ieire
sunt ,
C
7 f'U
CB
( la ,
E
7 ct. i ,
C
7 f'U
CB
( la U
EB
7 ct. cele de intrare sunt ,
E
7 f'U
EB
( la ,
C
7 ct. i ,
E
7
f'U
EB
( la U
CB
7 ct. cele de transfer/ ,
C
7 f'U
EB
( la U
CB
7 ct. i ,
C
7 f',
E
( la U
CB
7 ct. iar cele de
reacie sunt U
EB
7 7f'U
CB
( la ,
E
7 ct. i U
EB
7 f',
C
( la ,
E
7 ct. - parte din ele sunt reprezentate "n
fi!ura F.N.
&stfel "n fi!ura F.N.a este reprezentat o familie de caracteristici de ieire ,
C
7f'U
CB
( la ,
E
7
ct. Caracteristica pentru ,
E
7 2 corespunde unui curent de colector ,
C
7 ,
CB2
. Se o$serv trei re!iuni
distincte/
$) re*iune$ $ctiv( nor%$l( pentru U
CB
> 2 i U
EB
= 2 corespunztoare funcionrii normale
a tranzistoruluiG
') re*iune$ de t(iere pentru U
CB
> 2 U
EB
X2 i ,
E
X 2. En acest caz am$ele @onciuni sunt
polarizate invers ceea ce are ca urmare faptul c prin tranzistor circul cureni reziduali de
valoare foarte mic el fiind practic $locat.
c) re*iune$ de +$tur$"ie
4
pentru U
CB
= 2 i ,
E
=X2 corespunztoare funcionrii tranzistorului
cu am$ele @onciuni polarizate direct.
Se constat c panta acestor cur$e este practic nul acest lucru semnific%nd independena
curentului de colector de tensiunea de polarizare a @onciunii C)B ca urmare a rezistenei foarte
mari a circuitului de ieire.
1
Se constatK cK "n cone#iune emitor comun curentul rezidual de colector ,CE2 este mult mai mare 'de apro#imativ
ori( dec%t curentul rezidual de colector "n cone#iune $azK comunK ,CB2 dar este totuì de douK)trei ordine de mKrime
mai mic dec%t ,C astfel "nc%t ì el poate fi de cele mai multe ori ne!li@at put%ndu)se scrie/ ,C 7 ,B.
+
E#istK ì o a patra re!iune re*iune$ $ctivD inver+D c%nd @oncaiunea E)B este polarizatK invers ì @oncaiunea C)B
direct ceea ce echivaleazK cu faptul cK emitorul ì colectorul "ì inverseazK rolurile. &v%nd "nsK "n vedere diferenaele
constructive dintre cei doi electrozi 'emitorul mai puternic dopat colectorul cu o suprafaaK mai mare( nu este
recomandatK utilizarea tranzistorului "n acest re!im.
F0
&naliz%nd prin comparaie i fi!ura F.N.$ care prezint familia de caracteristici de ieire ,
C
7
f'U
CB
( la U
EB
7 ct se vede c rezistena circuitului de intrare este mult mai mic dac intrarea este
"n scurtcircuit'U
EB
7 ct.( dec%t dac ea este "n !ol',
E
7 ct.(.
En fi!urile F.N.c i F.N.d sunt prezentate caracteristicile de intrare ,
E
7 f'U
EB
( la ,
C
7 ct. i ,
E
7
f'U
EB
( la U
CB
7 ct. &cestea sunt foarte asemntoare i relev o variaie e#ponenial a curentului
de emitor "n funcie de tensiunea de polarizare a @onciunii E)B ceea ce este firesc 'variaia
curentului printr)o @onciune -n polarizat direct este e#ponenial(. Entruc%t cur$ele sunt foarte
apropiate rezult o influen foarte sla$ a tensiunii de ieire asupra celei de intrare.
Entruc%t ,
C
practic e!al cu ,
E
este evident c
,
C
7 f'U
EB
( la U
CB
7 ct. va arta la fel cu ,
E
7 f'U
EB
(
la U
CB
7 ct. motiv pentru care nu a mai fost
reprezentat. Ultima caracteristic cea din fi!ura
F.N.e are de asemenea o confi!uraie foarte
evident av%nd "n vedere c este reprezentarea
!rafic a relaiei F.1F.
En numeroase cazuri pentru simplificare se
reprezint doar caracteristicile cele mai importante
pe un sin!ur !rafic "n felul urmtor/ pe a#a
a$sciselor "n sens pozitiv se reprezint tensiunea
de ieire iar "n sens ne!ativ curentul de intrareG pe
a#a ordonatelor "n sens pozitiv se reprezint
curentul de ieire iar "n sens ne!ativ tensiunea de
intrare. 6om e#emplifica acest lucru "n cazul
confi!uraiei emitor comun 'fi!ura F.O(. Dup cum
se vede "n aceast fi!ur "n cadranul , este reprezentat caracteristica de ieire "n cadranul ,,
caracteristica de transfer "n curent "n cadranul ,,, caracteristica de intrare iar "n cadranul ,6
caracteristica de reacie "n tensiune. De remarcat c panta caracteristicii de ieire este mai mare
dec%t cea corespunztoare "n cazul cone#iunii BC ceea ce semnific faptul c rezistena de ieire
este mai mic dec%t "n cazul cone#iunii BC.
FF
Circuite echi$alente statice liniarizate
Dac tensiunile i curenii prin tranzistor sunt constani sau foarte lent varia$ili 'aa)numitul
re!im static de funcionare( studiul fenomenelor se poate simplifica prin utilizarea unor modele
statice liniariz%nd caracteristicile statice. &stfel
"n cazul cone#iunii B)C putem scrie/
,
E
7
'
>
D
B E
e
D E B
D E B
U U p e n t r u
?
U U
U U p e n t r u 2
'F.
2(
unde U
D
este tensiunea de deschidere a @onciunii B)E iar ?
e
este dat de relaia apro#imativ/
?
e
7
E
,
1
e
P*
'F. 2(
Circuitul echivalent ce se o$ine pe $aza relaiilor 'F.1O( vala$il numai pentru re!iunea
activ este prezentat "n fi!ura F.;. El cuprinde "n circuitul de intrare rezistena ?
e
i o diod ideal
"nseriat cu un !enerator de tensiune U
D
iar "n circuitul de ieire un !enerator de curent comandat
de ,
E
.
Pentru confi!uraia cu emitor comun se
procedeaz de asemenea la liniarizarea
caracteristicilor de intrare dar aici intervine o
alt rezisten. Pentru c ,
B
7
1
,
E

aceast
rezisten are valoarea/
?
$
7 ' ) 1(?
e
G ?
$
7
B
,
1
e
P*
'F. 2(
Circuitul echivalent este vala$il "n
re!iunea activ i "n cea de tiere fiind prezentat
"n fi!ura F.S.
#olarizarea tranzistorului bipolar* stabilizarea termic
Funcionarea tranzistorului ca de altfel a oricrui
dispozitiv semiconductor este afectat de variaia
temperaturii la care se afl acesta. &cest fapt se
manifest prin modificarea unor mrimi dintre care cele
mai importante sunt curentul rezidual de colector ,
CB2
',
CE2
( factorul de amplificare "n curent tensiunea de
deschidere U
D
a @onciunii B)E.
De e#emplu curentul rezidual de colector ,
CB2

crete odat cu creterea temperaturii "ntr)un ritm destul
de rapid practic el du$l%ndu)se la fiecare cretere de S d
12 !rade "n cazul !ermaniului respectiv H d N !rade "n
cazul siliciului. &cesta din urm este totui preferat "n
construcia tranzistoarelor "ntruc%t chiar dac creterea
lui ,
CB2
cu temperatura este mai rapid valoarea lui la
temperatura camerei este mult mai mic 'V 12
S
&( fa de cea pentru !ermaniu 'V 12
N
&(.
FH
.a r%ndul ei temperatura de lucru a
dispozitivului se poate modifica fie datorit
modificrii condiiilor e#terioare ale mediului
am$iant fie datorit de!a@rii de cldur ca
urmare a efectului caloric produs la trecerea
curentului electric prin @onciunile acestuia. Ca
urmare un parametru important din punct de
vedere practic este utere$ di+i$t( %$.i%(
$d%i+i'il( dat de relaia/
P
d ma#
7
t
a ma# @
?
* *
'F. 2(
unde *
@ma#
este temperatura ma#im admisi$il a @onciunii B)C
1
*
a
temperatura mediului am$iant
i ?
t
re!i+ten"$ ter%ic( reprezent%nd un parametru de catalo! al tranzistorului respectiv ce
depinde de modelul constructiv al acestuia. &ceast ultim mrime
are "n !eneral valori de ordinul 1 d H2 C<I pentru tranzistoarele de
putere i 122 d H22 C<I pentru tranzistoarele de mic putere.
Funcionarea tranzistorului "n re!iunea activ normal este
determinat de aa)numitul unct +t$tic de #unc"ion$re 'PSF( av%nd
coordonatele ',
C
U
CE
( "ntr)un sistem de a#e orto!onale conform
fi!urii F.12. Poziia sa este limitat "n acest plan de mai multe condiii
restrictive care determin o arie cuprins "ntre zonele haurate.
&stfel ,
C
X,
Cma#
U
CE
U
CEma#
iar ,
C
U
CE
P
d ma#
+
.
En locul perechii de valori ',
C
U
CE
( se mai pot folosi perechile
',
C
U
CB
( 'U
CB
U
EB
( sau 'U
CE
U
BE
(. Pentru fi#area PSF "n re!iunea
activ normal se pot folosi diferite scheme de polarizare a
@onciunilor tranzistorului dintre care o prim variant este cea cu dou surse 'fi!ura F.11(.
Pentru sta$ilirea valorilor corespunztoare funcionrii "n re!iunea activ normal se
procedeaz astfel 'schema din fi!ura F.11.a(/ ,
E
7
E
EB EB
?
U E
G ,
C
7 ,
E
M ,
CB2
,
C
7
E
EB EB
?
U E
M
,
CB2
. ?ezult/ U
CB
7 E
BC
M ,
C
?
C
7 E
BC
M
E
EB EB
?
U E
M ?
C
,
CB2
. En re!iunea admis U
CB
> 2
'sau U
BC
= 2( ceea ce impune/
EB
BC
E
E
=
E
C
EB
2 CB C
EB
EB
E
C
?
?
E
, ?
E
U
1
?
?
+
,
_

&nalo! se procedeaz i pentru cazul schemei din fi!ura F.11.$.
Schemele de polarizare cu dou surse se dovedesc "n practic incomode motiv pentru care
pentru simplificare se utilizeaz scheme cu o sin!ur surs varianta cea mai simpl fiind cea din
fi!ura F.1+ 'monta@ emitor comun( la care polarizarea am$elor @onciuni se face de la aceeai
surs. Pentru analiza circuitului se utilizeaz caracteristicile statice de ieire ale tranzistorului
'fi!ura F.10(. Pentru schema respectiv se poate scrie/
E U
CE
7 ,
C
?
C
'F. 2(
E U
BE
7 ,
B
?
B
'F. 2(
&ceste ecuaii permit dimensionarea rezistenelor ?
B
i
?
C
. Ecuaia F.+1 reprezint dre$t$ de +$rcin( trasat i
"n fi!ura F.10 intersecia acesteia cu caracteristica de ieire
corespunztoare unui curent ,
B
dat fiind punctul static de
funcionare C de coordonate ,
C
U
CEE
. Panta dreptei de
sarcin are valoarea 1<?
C
. .a o variaie a lui U
BE
se poate
constata din ecuaia F.++ c are loc i o variaie a lui ,
B
i.
1
;H C pentru !ermaniu 1H2 d +22 C pentru siliciu
+
Cur$a I
C
LU
CE
7 P
d ma#
se nume`te 0ier'olD de di+i$Eie
FN
deci o deplasare a PSF pe dreapta de sarcin. &celai lucru se petrece i la o variaie a
temperaturii. &stfel din ecuaia diodei putem scrie/ ,
E
7 ,
s

,
_
1 e
P*
eU
BE
. Pe de alt parte ,
C
7 ,
E
M
,
CB2
. De aici rezult c ,
C
depinde de ,
CB2
U
BE
i toi aceti factori fiind la r%ndul lor dependeni
de temperatur. &stfel
,
C
7
*
*
,
*
U
U
,
*
,
,
,
C
BE
BE
C 2 CB
2 CB
C

,
_
Se definesc #$ctorii de +en+i'ilit$te l$ te%er$tur( ai curentului de colector "n raport cu

,
CB2

X U
BE
X i respectiv /

C
0
BE
C
+
2 CB
C
1
,
S G
U
,
S G
,
,
S
'F. 2(
Este evident c pentru o $un sta$ilitate cu temperatura cei trei
factori tre$uie s ai$ valori c%t mai mici. De e#emplu pentru schema
din fi!ura F.1+ S
1
7 M 1 care este o valoare foarte mare ceea ce
"nseamn c monta@ul are o insta$ilitate pronunat la variaii ale
temperaturii concretizat "n faptul c la o variaie dat a lui ,
CB2

variaia lui ,
C
este de M1 ori mai mare 'tranzistorul "i amplific
propriul curent rezidual(.
Pentru o sta$ilizare termic a PSF mai eficient se utilizeaz una
din schemele prezentate "n fi!urile F.1F i F.1H. Pentru schema din
fi!ura F.1F se poate scrie/ de unde se o$ine/
S
1
7
( )
C
B
C
B
?
?
1
?
?
1 1
+ +
,
_
+ +
'F. 2(
&le!%nd un raport "ntre ?
B
i ?
C
cu valoarea H d 12 valoare lui S
1
este de apro#imativ 12 ori mai mic dec%t "n cazul precedent ceea ce
arat o sta$ilitate termic mai pronunat.
FO
Cea mai des folosit schem 'i cea mai eficient din punct de vedere al termosta$ilizrii
PSF( este cea din fi!ura F.1H "n care ne!li@%nd ,
B
fa de curentul care circul prin divizorul de
tensiune ?
1
?
+
se poate e#prima potenialul
$azei fa de mas cu e#presia/ 6
B
7
+ 1
+
? ?
E?
+

de unde se vede c acesta este practic
independent de ,
CB2
. De asemenea S
1
este dat
tot de e#presia F.+F "n care ?
B
este rezistena
echivalent le!rii "n paralel a lui ?
1
cu ?
+
.
Prin ale!erea convena$il a acestora se poate
o$ine o valoare mic a lui S
1
c%t i valoarea
dorit a tensiunii de polarizare a @onciunii B)
E. En situaii deose$ite c%nd se cere o
sta$ilitate termic foarte mare a PSF 'de
e#emplu "n monta@e care funcioneaz "n
condiii de variaii mari de temperatur( se pot utiliza scheme cu compensare termic aa cum
sunt cele din fi!ura F.1N. En fi!ura F.1N.a compensarea termic a curentului ,
CB2
se face folosind o
diod polarizat invers conectat "ntre $az i mas aleas astfel "nc%t s ai$ curentul invers e!al
cu ,
CB2
i aceeai variaie cu temperatura ceea ce face ca orice variaie cu temperatura a curentului
rezidual de colector s fie compensat prin variaia "n sens contrar a curentului invers al diodei.
?ezistena ?
E
sta$ilizeaz 'ca i "n cazul fi!urii F.1H( PSF fa de variaia lui i permite
polarizarea invers a diodei. Schema din fi!ura F.1N.$ folosete "n locul diodei un termistor care
realizeaz o compensare mai !eneral incluz%nd toate cauzele de insta$ilitate la variaia
temperaturii.
En funcie de aplicaia practic "n care se utilizeaz tranzistorul se pot "nt%lni i alte scheme
'"n afara celor prezentate aici( de polarizare a @onciunilor acestuia care s asi!ure o sta$ilitate a
PSF la diveri factori pertur$atori. De asemenea este evident c analiza prezentat aici pe c%teva
situaii mai des "nt%lnite se poate e#tinde i particulariza i "n alte cazuri.
#arametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar* scheme echi$alente
&a cum s)a artat "n para!raful F.+ tranzistorul $ipolar poate fi echivalat "n oricare din
modurile de cone#iune ale sale cu un cuadripol 'vezi fi!ura F.H(. S considerm c at%t tensiunea i
curentul de intrare c%t i tensiunea i curentul de ieire sunt mrimi varia$ile av%nd amplitudini
mici 'de unde i e#presia semnal mic(. &ceste mrimi varia$ile pe care le vom nota cu u
1
i i
1
la
intrare i cu u
+
i i
+
la ieire nu sunt independente ci pot fi e#primate unele fa de altele prin
scrierea teoremelor lui 8irchhoff "n cele dou circuite ale cuadripolului 'circuitul de intrare i cel
de ieire( su$ forma unor ecuaii de !radul , care conin patru coeficieni care caracterizeaz
funcionarea tranzistorului la semnale varia$ile de amplitudine mic. En funcie de mrimile alese
ca fiind independente se pot sta$ili trei cate!orii de parametri mai des utilizai aa cum se poate
vedea "n cele ce urmeaz.
Ecu!&ii#e )i sc*em! ec*i+!#ent, cu %!r!metrii Z
F;
En acest caz ca varia$ile independente se ale!
i
1
i i
+
G atunci
'
+
+
+ + + 1 + 1 +
+ 1 + 1 1 1 1
i 5 i 5 u
i 5 i 5 u
'F. 2(
Se constat uor c parametrii 5 se pot o$ine
din ecuaiile F.+H astfel/
5
11
7
2 i
1
1
+
i
u
G 5
1+
7
2 i
+
1
1
i
u
G 5
+1
7
2 i
1
+
+
i
u
G 5
++
7
2 i
+
+
1
i
u
Se mai poate constata c parametrii 5 au natura unor impedane semnificaiile acestora fiind/
5
11
) impedana de intrare, cu ieirea n golG
5
1+
) impedana de reacie, cu intrarea n golG caracterizeaz influena curentului de ieire
asupra tensiunii de intrareG
5
+1
) impedana de transfer, cu ieirea n golG caracterizeaz influena curentului de intrare
asupra tensiunii de ieireG
5
++
) impedana de ieire, cu intrarea n golG
Se poate o$serva c potrivit relaiilor F.+H la intrarea cuadripolului tensiunea u
1
se aplic pe
5
11
str$tut de i
1
"n serie cu un !enerator de tensiune cu valoarea 5
1+
Li
+
. .a ieire avem tensiunea
u
+
aplicat impedanei 5
++
"n serie cu un !enerator de tensiune cu valoarea 5
+1
Li
1
. Pe $aza acestor
o$servaii se poate alctui schema echivalent a tranzistorului pentru parametrii 5 ca "n fi!ura
F.1O.
Ecu!&ii#e )i sc*em! ec*i+!#ent, cu %!r!metrii -
&le!%nd ca varia$ile independente u
1
i u
+
ecuaiile care e#prim curenii sunt/
'
+
+
+ + + 1 + 1 +
+ 1 + 1 1 1 1
u e u e i
u e u e i
'F. 2(
Parametrii e se o$in astfel/
e
11
7
2 u
1
1
+
u
i
G e
1+
7
2 u
+
1
1
u
i
G e
+1
7
2 i
1
+
+
i
u
G e
++
7
2 i
+
+
1
i
u
4atura lor este cea a inverselor unor impedane adic sunt admitane/ e 7
5
1
Ze[
S,
7 ohm
1
7 siemens.
Semnificaia fizic a parametrilor e este/
e
11
) admitana de intrare, cu ieirea n
scurtcircuitG
e
1+
) admitana de reacie, cu intrarea n
scurtcircuitG caracterizeaz influena
tensiunii de ieire asupra curentului de
intrareG
e
+1
) admitana de transfer, cu ieirea n scurtcircuitG caracterizeaz influena tensiunii de
intrare asupra curentului de ieireG
e
++
) admitana de ieire, cu intrarea n scurtcircuitG
Conform relaiilor F.+N la intrarea schemei echivalente avem dou ramuri una conin%nd o
impedan corespunztoare lui e
11
i cealalt un !enerator de curent cu valoarea e
1+
Lu
+
iar la ieire
de asemenea dou ramuri una conin%nd o impedan corespunztoare lui e
++
i cealalt un
FS
!enerator de curent de valoare e
+1
Lu
1
. En fi!ura F.1; este dat schema echivalent a tranzistorului cu
parametrii e.
Ecu!&ii#e )i sc*em! ec*i+!#ent, cu %!r!metrii *i"ri$i. *
Unele dezavanta@e ale sistemelor prezentate mai sus au impus adoptarea unui al treilea
folosind parametrii hi$rizi 'numii astfel "ntruc%t natura lor fizic nu este aceeai pentru toi( "n
care drept varia$ile independente se ale! curentul de intrare i
1
i tensiunea de ieire u
+
. Sistemul
de ecuaii ce e#prim celelalte dou varia$ile este urmtorul/
'
+
+
+ + + 1 + 1 +
+ 1 + 1 1 1 1
u h i h i
u h i h u
'F. 2(
Este evident c/
h
11
7
2 u
1
1
+
i
u
G h
1+
7
2 i
+
1
1
u
u
G h
+1
7
2 u
1
+
+
i
i
G h
++
7
2 i
+
+
1
u
i
Parametrii hi$rizi nu sunt definii prin acelai tip de condiie 'de scurtcircuit sau de !ol(
natura lor fiind i ea diferit. &stfel semnificaia lor este urmtoarea/
h
11
) impedana de intrare, cu ieirea n scurtcircuitG
h
1+
) factorul de reacie n tensiune, cu intrarea n golG caracterizeaz influena tensiunii de
ieire asupra celei de intrareG
h
+1
) factorul de amplificare (de transfer) n curent, cu ieirea n scurtcircuitG caracterizeaz
influena curentului de intrare asupra celui de ieireG
h
++
) admitana de ieire, cu intrarea n golG
Schema echivalent a tranzistorului cu
parametrii hi$rizi este dat "n fi!ura F.1S.
En toate cele trei moduri de descriere i
caracterizare a tranzistorului cei patru parametri
'5 e sau h( pot fi definii "n trei variante
diferite dup tipul de confi!uraie/ cu $aza
comun cu emitorul comun sau cu colectorul
comun. Dac se cunosc parametrii de un anumit
tip pentru o anumit confi!uraie se pot calcula parametrii i pentru celelalte confi!uraii. &stfel
"ntre parametrii hi$rizi definii pentru cone#iunea cu emitor comun respectiv cu $az comun
e#ist relaiile/
h
11e
7
$ +1
$ 11
h 1
h
+
G h
1+e
7
$ +1
$ ++ $ 11
h 1
h h
+
+
G h
+1e
7
$ +1
$ +1
h 1
h
+
G h
++e
7
$ +1
$ 1+
h 1
h
+
h
11e

h
11b
1+h
21b
; h
12e

h
11b
L h
22b
1+h
21b
; h
21e

h
21b
1+h
21b
; h
22e

h
12b
1+h
21b
De asemenea "ntre aceti parametri dinamici i cei statici ai tranzistorului $ipolar se pot
sta$ili le!turi apro#imative. &stfel
h
+1$
G h
+1e
'F. 2(
Circuitu# ec*i+!#ent n!tur!# /0i!co#etto1
Un circuit echivalent vala$il "ntr)un lar! domeniu de frecvene i care reflect mai $ine
procesele fizice din tranzistor este circuitul echivalent natural hi$rid 'Aiacoletto(.
S considerm un tranzistor -n- "n cone#iune emitor comun. Dac peste tensiunea de
polarizare a @onciunii E)B U
EB
se suprapune o tensiune varia$il u
e$
tensiunea total va fi/ u
EB
7
U
EB
Mu
e$
varia$il i ea. &cest fapt determin variaia curentului de colector ,
C
ca urmare a
variaiei curentului de difuzie al purttorilor minoritari prin $az dar i variaia curentului ,
B
ca
urmare a variaiei curentului de purttori in@ectai din $az "n emitor i a variaiei curentului de
H2
recom$inare "n $az datorit variaiei numrului de purttori "n e#ces "n zona neutr a $azei.
Curentul de colector este/ i
C
7 ,
C
M i
c
"n care componenta varia$il i
c
are e#presia/
i
C
7
C
,
P*
e
u
e$
7 !
m
u
e$
'F. 2(
Crimea
!
m
7
C
,
P*
e
'F. 2(
se numete conduct$n"( %utu$l(
sau tr$n+conduct$n"(.
Pe de alt parte componenta
varia$il a curentului din $az i
$

este dat de/
i
$
7 !
u
$e
M C
d
dt
du
$e
'F. 2(
"n care !
este conduct$n"$ de intr$re la semnal mic dat de relaia/

!
7

m
!
'F. 2(
iar C
d
este capacitatea de "ncrcare a $azei la semnal mic 'cu valori de H d +22 pF pentru cureni
de colector de ordinul a 1 m&(
?elaiile F.+S i F.01 permit construirea circuitului echivalent aa cum este prezentat "n
fi!ura F.+2.a. Uin%nd cont i de alte procese care au loc "n tranzistorul $ipolar funcion%nd "n re!im
dinamic cum ar fi variaia sarcinii electrice stocate "n re!iunile de tranziie ale @onciunilor
tranzistorului 'se introduc capacitile C
$c
7 C
i C
$e
( cderea de tensiune "ntre contactul ohmic al
$azei i centrul re!iunii active a $azei 'se introduce rezistena r
#
( rezult forma final a circuitului
echivalent Aiacoletto din fi!ura F.+2.$ "n care s)a notat C
7 C
d
M C
$e
.
&cest circuit este vala$il pentru toate cele trei confi!uraii i "n funcie de domeniul de
frecvene "n care funcioneaz tranzistorul el poate fi simplificat prin eliminarea unor elemente
care pot fi ne!li@ate.
Tranzistorul bipolar n regim de comutaie
?e!imul de comutaie const "n procesele care au loc la trecerea $rusc a tranzistorului din
starea de $locare "n cea de conducie i invers. &a cum s)a artat anterior 'f F.+( starea de $locare
se o$ine la un tranzistor c%nd am$ele @onciuni sunt polarizate invers curentul de colector av%nd o
valoare foarte mic ',
CB2
( deci practic ne!li@a$il. Starea de conducie se ale!e "n re!iunea de
saturaie sau la limita dintre re!iunea de saturaie i cea activ normal 'a se vedea fi!ura F.12(.
Entruc%t "n acest caz tensiunea dintre colector i emitor U
CE
este de ma#im c%teva zecimi de volt
practic curentul de colector este e!al 'pentru cone#iunea emitor comun( cu raportul dintre
tensiunea de alimentare i suma
rezistenelor de colector i emitor
fiind deci independent de valoarea
curentului prin $az.
S considerm un tranzistor
-n- "n cone#iune emitor comun
aflat "n stare $locat 'fi!ura
F.+1.a(. Evident pentru aceasta E
tre$uie s ai$ o valoare pozitiv.
Fie ME
1
aceast valoare. .a
momentul iniial t 7 2 tensiunea E
sufer un salt $rusc de la valoarea
ME
1
la o valoare ne!ativ )E
+

corespunztoare strii de
H1
conducie. Curentul de $az i cel de colector sufer i ei variaii fapt ce se petrece i la saltul
$rusc "n sens invers de la )E
+
la ME
1
a tensiunii E. ?eprezentarea !rafic a acestor variaii este cea
din fi!ura F.+1.$. &naliz%nd variaia "n timp a curentului de colector se constat c de la t 7 2
p%n la t 7 t
d
acesta rm%ne cu valoare nul fapt datorat necesitii ca primii purttori in@ectai s
difuzeze prin $az i s a@un! la colector ceea ce implic o anumit "nt%rziere 'inerie(.
,ntervalul de timpul necesar pentru apariia modificrilor "n curentul de colector t
d
numit
ti% de 7nt6r!iere sau ti% de tr$n!it rin di#u!ie este dat de e#presia/
t
d
7
B
+
D +
J
'F. 2(
unde J este lr!imea $azei i D
B
coeficientul de difuzie al purttorilor minoritari "n $az.
Curentul de colector "ncepe s creasc de la momentul t
d
p%n la o valoare ma#im staionar
,
CS
e!al '"n cazul circuitului analizat( cu
C
C
?
E
.
,ntervalul de timp t
c
7 t
1
t
d
"n care curentul de colector crete de la zero p%n la valoarea
ma#im staionar ,
CS
1
se numete ti% de cre9tere. &cest interval de timp pentru atin!erea
curentului de colector corespunztor este datorat procesului de descrcare a capacitii @onciunii
colector)$az ca urmare a schim$rii sensului de polarizare a acesteia.
Se definete ti%ul de co%ut$re direct( ca fiind intervalul de timp din momentul aplicrii
comenzii de comutare p%n c%nd curentul de colector atin!e S2Q din valoarea ma#im staionar
,
CS
. Este evident relaia/
t
cd
7 t
d
M t
c
'F. 2(
*ranzistorul rm%ne "n starea de conducie at%t timp c%t E "i pstreaz valoarea. Dac la un
moment t
+
E sufer un salt $rusc de la E
+
la ME
1
curentul din $az sufer i el un salt $rusc
curentul de colector rm%n%nd "ns constant "nc un interval de timp t
s
7 t
0
t
+
numit ti% de
+toc$re necesar evacurii surplusului de sarcin electric stocat "n $az. Dup trecerea acestui
interval de timp curentul de colector scade la zero
+
"ntr)un interval de timp t
f
7 t
F
t
0
numit ti%
de +c(dere necesar re"ncrcrii capacitii @onciunii colector)$az.
*impul scurs de la aplicarea comenzii de comutare invers p%n c%nd curentul de colector
scade la 21 '12Q( din valoarea ma#im staionar ,
CS
se numete ti% de co%ut$re inver+(/
t
ci
7 t
s
M t
f
'F. 2(
Cunoaterea proceselor tranzitorii ce au loc atunci c%nd tranzistorul trece din stare $locat "n
stare de conducie sau invers are o mare importan "n mod special pentru aplicaiile acestuia "n
circuitele lo!ice.
Alte dispoziti$e semiconductoare cu &onciuni
Tr!n$istoru# uni2onc&iune /TU31
*ranzistorul uni@onciune este un dispozitiv semiconductor alctuit conform fi!urii F.++.a
dintr)o zon semiconductoare de tip n '( i o alta alturat cu tip de conducie diferit 'n( la
contactul dintre cele
dou zone realiz%ndu)
se sin!ura @onciune a
dispozitivului. Cei trei
electrozi ai acestuia
sunt $aza 1 'B
1
( $aza
+ 'B
+
( i emitorul 'E(.
1
Cai e#act p%nK la 2S 'S2Q( din ,CS valoare la care se poate considera cK tranzistorul se !Kse`te "n stare de
conducaie.
+
Cai e#act p%nK la 12Q din ,CS valoare la care se poate considera cK tranzistorul este de@a $locat.
H+
En fi!ura F.++.$. este dat sim$olul tranzistorului uni@onciune iar "n fi!ura F.++.c modul de
alimentare al acestuia.
Constructiv tranzistorul uni@onciune se realizeaz utiliz%nd de e#emplu o $ar de siliciu de
tip n sla$ dopat @onciunea fiind o$inut prin sudarea "n zona de mi@loc a $arei a unui fir de
aluminiu. &tomii acestui metal difuzeaz "n siliciu ca impuriti acceptoare form%ndu)se astfel o
zon de tip la contactul dintre cele dou zone apr%nd evident o @onciune -n.
Entre B
1
i B
+
$ara semiconductoare este omo!en. &t%t timp c%t @onciunea -n nu este
polarizat zona dintre cele dou $aze se comport 'la temperatur constant( ca un rezistor liniar.
Dac "ns @onciunea este polarizat cu o tensiune 6
e
se produc anumite fenomene pe care le
putem descrie mai uor utiliz%nd schema echivalent a tranzistorului uni@onciune prezentat "n
fi!ura F.+0.$.
S considerm pentru
"nceput c 6
e
7 6
ee
?
E
,
e
7 2.
Bara de siliciu fiind omo!en
cderea de tensiune 'datorat
aplicrii tensiunii 6
$
( "ntre $aza B
1
'considerat le!at la mas adic
la potenial nul( i un punct
oarecare P din interior este
proporional cu distana de la acel
punct la $aza B
1
'datorit
distri$uiei uniforme a
potenialului(.
Dac @onciunea considerat punctiform se !sete la mi@locul distanei dintre cele dou
$aze ?
$1
7 ?
$+
i cderea de tensiune pe ?
$1
este @umtate din 6
$
. En !eneral "ns @onciunea nu se
!sete dispus simetric fa de cele dou $aze astfel "nc%t ?
$1
?
$+
. Cele dou rezistoare
formeaz o punte divizoare de tensiune/
$
1 $
+ $ 1 $
1 $
$ $
$
+ $
1 $
?
?
? ?
?
6 6
6
?
?
'F. 2(
Crimea se numete r$ort intrin+ec i are de o$icei valoarea de 2FH d 2N2. Uin%nd cont
de acest fapt cderea de tensiune pe ?
$1
datorat aplicrii tensiunii 6
$
"ntre cele dou $aze este
e!al cu 6
$
.
S vedem acum ce se "nt%mpl c%nd se aplic i o tensiune 6
e
aa cum se arat "n fi!ura
F.++.c. .a valori mici ale acesteia c%nd 6
e
> 6
$
M 6
d
unde 6
d
este tensiunea de deschidere a
@onciunii aceasta este polarizat invers prin ea trec%nd deci un curent foarte sla$ curentul invers
de saturaie. C%nd 6
e
devine cu puin mai mare dec%t 6
$
M 6
d
@onciunea este polarizat direct
ceea ce determin un curent direct de valoare mare 'cresctoare odat cu tensiunea de polarizare
direct a @onciunii(. &cest lucru determin o in@ecie de !oluri "n $ar "n zona dintre emitor i B
1

fapt ce duce la scderea rezistenei ?
1
ceea ce determin i scderea tensiunii 6
$
i creterea "n
consecin a tensiunii de polarizare a @onciunii 'fr s fie nevoie pentru aceasta s creasc i
6
e
( ceea ce duce la creterea i mai mare a curentului ,
e
i la o in@ecie mai puternic de !oluri "n
$ar i aa mai departe. Putem su$linia acest fapt dac scriem/
6
e
'descresctoare( 7 6
ee
'constant( ?
E
,
e
'cresctoare(.
&ceast cretere a curentului ,
e
concomitent cu scderea tensiunii de emitor determin o
rezisten dinamic ne!ativ de intrare a dispozitivului aa cum rezult i din fi!ura F.+0.a "n care
este reprezentat caracteristica de intrare a tranzistorului uni@onciune. &naliz%nd aceast
caracteristic se constat urmtoarele/ cresc%nd uor tensiunea 6
e
'curentul ,
e
fiind foarte mic(
aceasta trece printr)un ma#im numit ten+iune de ic 6
p
apoi scade p%n la o valoare numit
ten+iune de v$le 6
v
"ntre aceste dou valori curentul ,
e
cresc%nd rapid. Dac de la valoarea 6
v
se
crete din nou tensiunea 6
e
curentul ,
e
crete "n continuare i el trec%ndu)se "n re!iunea de
saturaie. Este evident faptul c "ntre pic i vale rezistena dinamic de intrare a tranzistorului
uni@onciune este ne!ativ.
H0
Practic 6
p
6
$
M 6
d
. iar "n vecintatea punctului de vale 6
ee
?
E
,
e
ceea ce "nseamn c
,
e
este limitat numai de ?
E
.
*ranzistorul uni@onciune este folosit "n mai multe aplicaii cum sunt releele de timp circuite
pentru comanda tiristoarelor precum i oscilatoare de rela#are schema unui astfel de circuit
precum i forma semnalelor !enerate fiind prezentate "n fi!ura F.+F. Funcionarea oscilatorului de
rela#are are loc astfel/ dac iniial condensatorul C este descrcat el se "ncarc cu o constant de
timp
1
7 ?C '? 7 122 d +22 ( at%t timp c%t @onciunea *UW este $locat. En momentul c%nd
tensiunea u
c
la $ornele condensatorului atin!e valoarea 6
p
@onciunea se deschide curentul i
e
crete
rapid i condensatorul C se descarc rapid prin ?
$1
i ?
1
'cu constanta de timp
+
7 '?
$1
M ?
1
(C(.
*ensiunea u
c
descrete de asemenea
rapid p%n la valoarea 6
v
.
En acest moment @onciunea
este din nou $locat
condensatorul "ncep%nd din
nou s se "ncarce
fenomenele repet%ndu)se
periodic. *ensiunea de
ieire u
s
la $ornele
rezistorului ?
1
este o tensiune "n impulsuri cu o perioad dat de/
* 7 ?C ln
p $
v $
6 6
6 6
'F. 2(
Consider%nd 6
v
2 i 6
p
6
$
<+ rezult * 2O ?C.
Tiristoru#
*iristorul este un dispozitiv semiconductor av%nd o structur -n--n aa cum este
prezentat "n fi!ura F.+Ha "n fi!ura F.+H.$ fiind dat sim$olul utilizat pentru acest dispozitiv.
Dup cum se constat structura cu conducie alternant dispune de trei electrozi numii
$nod ) A c$tod - F i o$rt( - P. acesta din urm fiind un electron de comand care poate lipsi
caz "n care dispozitivul se numete diod( S0oc@leA. Cele patru straturi semiconductoare cu
conducie alternant au urmtoarele caracteristici/
stratul anod A din semiconductor de tip
cu !rosime i dopare mediiG
stratul de $locare C din semiconductor de
tip n de !rosime mic i dopare sla$G
stratul poart P din semiconductor de tip
de !rosime mic i cu dopare medieG
stratul catod F din semiconductor de tip n
su$ire i cu dopare puternic.
*rec%nd de la anod spre catod "nt%lnim 0 @onciuni -n n- i -n pe care pentru
identificare le vom nota W
&C
W
CP
i respectiv W
P8
. Entr)o prim apro#imaie din punct de vedere al
conduciei tiristorul poate fi echivalat cu trei diode le!ate "n serie dintre care cea din mi@loc are
sens de conducie invers fa de celelalte. S urmrim fi!ura F.+N.a. Dac anodul este la un
potenial mai mare dec%t cel al catodului adic u
&
= 2 se spune c tiristorul este polarizat direct.
Dac "n aceast condiie u
P
7 2 @onciunea W
&C
este "n stare de conducie dar W
CP
este $locat.
&plic%nd o tensiune direct u
&
moderat 'c%teva sute de voli( curentul i
&
rm%ne foarte sczut.
'su$ 1 &( el reprezent%nd curentul invers al @onciunii W
CP
. *iristorul rm%ne deci "n stare $locat
rezistena lui "ntre anod i catod av%nd valori de cel puin 122 C. Dac tensiunea direct crete la
o anumit valoare critic U
am
@onciunea se deschide cderea de tensiune pe tiristor scz%nd drastic
'la valoarea de apro#imativ 1 6( rezistena acestuia fiind i ea de numai c%teva sutimi de ohm. Se
HF
spune c tiristorul s)a amorsat tensiunea U
am
la care se produce acest lucru fiind ten+iune$ de
$%or+$re la un curent i
P
7 2. Dup amorsare curentul i
&
nu mai este limitat dec%t de rezistena
circuitului e#terior. Dac se micoreaz tensiunea direct aplicat u
&
tiristorul rm%ne amorsat
at%t timp c%t curentul i
&
se menine peste o valoare limit care este curentul de %en"inere ,
m
cu
o valoare de ordinul a c%teva zeci de m&. Su$ aceast valoare limit tiristorul se dezamorseaz i
trece "n stare $locat pentru reamorsare fiind necesar aplicarea unei tensiuni cel puin e!al cu
valoarea de amorsare.
.a aplicarea unei tensiuni inverse u
&
> 2 @onciunile W
&C
i W
P8
fiind polarizate invers
curentul invers prin tiristor este foarte mic 'su$ 1 &( el fiind de fapt e!al cu curentul invers al
@onciunii W
&C
. Cresc%nd tensiunea invers la o anumit valoare U
s
se produce strpun!erea
tiristorului aceast valoare fiind de fapt determinat de condiia ca partea din ea ce reprezint
cderea de tensiune pe @onciunea polarizat invers care are tensiunea de strpun!ere mai mare s
fie e!al cu aceasta.
En concluzie la polarizare direct tiristorul prezint dou stri sta$ile/ starea $locat c%nd
tiristorul se comport ca un "ntreruptor deschis i starea de conducie 'sau amorsat( c%nd
tiristorul echivaleaz cu un "ntreruptor "nchis. *recerea de la starea $locat la cea de conducie se
numete aa cum am precizat amorsare. Caracteristica i
&
) u
&
este prezentat "n fi!ura F.+N.$.
S considerm acum c pe un tiristor este aplicat o tensiune direct mai mic dec%t
tensiunea de amorsare U
am
. tiristorul fiind deci $locat. Dac se aplic i o tensiune u
P
pozitiv
'poarta la un potenial mai mare dec%t catodul vezi fi!ura F.+N.a( care asi!ur un curent i
P
se
constat c amorsarea se produce dac acest curent are o anumit valoare minim. .a i
P
2 'cu
valori de zeci de m&( caracteristica i
&
) u
&
are acelai aspect calitativ ca "n cazul c%nd i
P
7 2 dar
tensiunea de amorsare are o valoare mai mic. Cu c%t curentul i
P
este mai mare cu at%t tensiunea
de amorsare este mai sczut. Dac dup amorsare curentul i
P
se anuleaz tiristorul rm%ne
amorsat at%t timp c%t curentul i
&
este mai mare dec%t ,
m
.
En concluzie aplic%nd pe un tiristor tensiuni de valori normale de funcionare la polarizare
invers el rm%ne $locat pe c%nd la polarizare direct el se poate amorsa trec%nd "n stare de
conducie "n condiiile prezentate mai sus. &morsarea tiristorului se poate face prin aplicarea unei
tensiuni pe poart care s asi!ure un curent minim i
P
ceea ce semnific faptul c trecerea din stare
de $locare "n stare de conducie a acestui
dispozitiv se poate comanda prin
intermediul porii care este electrodul de
comand al tiristorului.
E#plicarea fenomenelor care au loc
este urmtoarea/ la i
P
7 2 la polarizare
direct @onciunile W
&C
i W
P8
fiind
polarizate direct deci deschise practic
"ntrea!a tensiune u
&
aplicat pe tiristor
este aplicat "ntre stratul de $loca@ i cel al porii. &ceasta produce "n @onciunea W
CP
un c%mp
electric intens care accelereaz puttorii minoritari 'electronii( din stratul porii aceast accelerare
fiind suficient 'c%nd u
&
7 U
am
( pentru ca ea s determine strpun!erea @onciunii W
CP
cu scderea
$rusc a cderii de tensiune pe aceasta i creterea concomitent a curentului i
&
ceea ce determin
amorsarea tiristorului. Dac se suprim tensiunea de polarizare direct recom$inarea electronilor
!enerai la strpun!ere cu ionii pozitivi ai reelei determin anularea curentului prin tiristor i
reconstituirea @onciunii W
CP
. En cazul "n care pe l%n! tensiunea de polarizare direct u
&
se aplic
i o tensiune pozitiv u
P
pe poart curentul de poart 'care mai este numit curent de co%$nd((
i
P
determin trecerea electronilor din stratul catodului "n stratul porii i "ntruc%t aceasta este
su$ire ma@oritatea acestor electroni sunt in@ectai mai departe "n stratul de $loca@ su$ aciunea
c%mpului electric produs "n @onciunea W
CP
de ctre tensiunea de polarizare direct u
&
. &ceti
electroni fiind "n numr mai mare dec%t "n lipsa curentului i
P
este evident c fenomenele de
strpun!ere a @onciunii W
CP
i amorsarea tiristorului se vor produce mai uor la o tensiune de
amorsare mai mic. Creterea lui i
P
determin creterea numrului de electroni i amorsarea se va
HH
produce la un c%mp i o tensiune de amorsare cu valoarea i mai mic creterea numrului de
electroni compens%nd scderea ener!iei lor individuale cptate prin accelerare.
- e#plicaie mai ri!uroas a fenomenelor poate fi dat dac se echivaleaz structura
tiristorului cu cea a dou tranzistoare dup cum se poate vedea "n fi!ura F.+O.
S considerm c
facem o secionare ar$itrar
printr)un tiristor ca "n fi!ura
F.+O.a astfel "nc%t se
formeaz dou structuri de
tip -n- 'dreapta)sus(
respectiv n--n 'st%n!a)@os(
care pot fi asimilate cu doi
tranzistori aa cum se poate
vedea "n fi!urile F.+O.$ i
F.+O.c. Dac pe tiristor se
aplic o tensiune u
&
adic
"ntre emitorul primului tranzistor '*
1
( i emitorul celui de)al doilea tranzistor '*
+
( @onciunea
central W
CP
este str$tut de trei cureni/ un curent de !oluri in@ectate din emitorul tranzistorului
*
1
"n colectorul acestuia ,
C1
un curent de electroni in@ectat de emitorul tranzistorului *
+
"n
colectorul acestuia ,
C+
i curentul invers propriu @onciunii W
CP
polarizat invers ,
so
. &cesta poate fi
considerat ca fiind suma dintre curenii inveri de colector ai celor dou tranzistoare adic/
,
so
7 ,
C21
M ,
C2+
Putem scrie de asemenea relaiile/
,
E1
7 ,
&
G ,
8
7 ,
E+
G ,
8
7 ,
&
M ,
P
&tunci curentul total prin @onciunea W
CP
e!al cu curentul ,
&
este date de/
,
&
7
1
,
E1
M
+
,
E+
M ,
so
unde
1
i
+
sunt factorii de amplificare "n curent ai celor dou tranzistoare. Din relaia de mai sus
rezult/
,
&
7
( ) ( )
+ 1
2+ C 21 C p +
+ 1
2 s p +
1
, , ,
1
, ,
+
+ +
'F. 2(
?elaia F.0; e#plic comportarea tiristorului i forma caracteristicii acestuia. &morsarea se
produce c%nd ,
&
adic atunci c%nd numitorul e#presiei F.0; tinde spre zero deci c%nd 7
1
M
+
1. Dac
1
M
+
> 1 tiristorul este $locat iar dac
1
M
+
= 1 tiristorul este "n stare de
conducie. &ceste condiii pot fi "ndeplinite la anumite valori ale tensiunii aplicate "ntre anod i
catod "ntruc%t
1
i
+
sunt mrimi caracteristice funcionrii celor dou tranzistoare "n re!im
dinamic 'diferii de factorii statici de amplificare "n curent continuu( i fiind deci dependente de
curentul prin tiristor.
,nfluena tensiunii aplicate pe poart i deci a curentului i
P
asupra tensiunii de amorsare se
poate vedea dac din relaia F.0; prin derivare se scrie/
( )
+ 1 p
a
1 di
di
+
En condiia de amorsare
1
M
+
1 o cretere mic a lui i
P
determin o cretere infinit a lui
i
&
.
Fr a intra "n detalii este evident din comportarea tiristorului c acesta poate fi folosit drept
comutator electronic comandat dar i "n alte domenii cum este cazul redresoarelor comandate i al
controlului vitezei de rotaie a unui motor de curent continuu sau alternativ.
Tri!cu# )i di!cu#
Pro$lema practic ce poate s apar "n anumite cazuri este aceea de a dispune de un
comutator electronic comandat care s permit conducia "n am$ele sensuri ceea ce evident nu
este cazul tiristorului. &ceast pro$lem poate fi rezolvat prin utilizarea unui dispozitiv a crui
HN
construcie rezult din cele ce urmeaz. &a cum am vzut "n para!raful anterior tiristorul este o
structur -n--n care poate fi comandat pentru a trece din stare $locat "n stare de conducie
'unilateral( prin intermediul unui curent sla$ aplicat pe poarta dispozitivului. En afar de modul de
construcie al tiristorului prezentat "n para!raful de mai sus care este un tiristor P acesta se poate
construi i "n varianta tiristor N care difer de prima prin faptul c poarta este fi#at pe stratul
interior n vecin cu anodul. En acest caz tiristorul poate fi comandat printr)un curent de poart i
P

ne!ativ funcionarea dispozitivului e#plic%ndu)se "n mod analo! cu cea din cazul prezentat
anterior. &sociind doi tiristori unul de tip P cellalt de tip N se poate o$ine o structur
semiconductoare numit tri$c
/
aa cum se arat "n fi!ura F.+; "n care se prezint i sim$olul
dispozitivului.
En fi!ura F.+;.$ este prezentat structura
unui triac "n care se vede c mai apare o zon
n difuzat "n zona ce constituie electrodul +
'E
+
( necesar pentru ca cele dou pori ale
celor dou tiristoare de la care s)a pornit s
constituie un sin!ur electrod. En acest fel prin
schim$area poziiei porii tiristorului din
dreapta prin poart pot fi in@ectai at%t
electroni prin partea din dreapta c%t i !oluri
prin partea din st%n!a in@ecie ce poate
determina trecerea "n stare de conducie a
triacului "ntr)un sens sau "n altul. Caracteristica
, 6 a triacului este o caracteristic simetric
av%nd "n cadranul , e#act aspectul caracteristicii
unui tiristor form ce se repet evident cu schim$area sensurilor i "n cadranul ,,,. ?ezult c un
triac se comport e#act ca un tiristor cu sin!ura deose$ire c aceast comportare este vala$il "n
am$ele sensuri ale curentului. ?ezult deci c triacul are proprietatea de conducie $idirecional i
poate fi comandat s treac "n stare de conducie 'amorsat( printr)o tensiune de comand aplicat
pe poart. Comanda se poate aplica "n patru moduri/ normale c%nd impulsul de comand este
pozitiv dac electrodul vecin porii este polarizat ne!ativ sau c%nd impulsul de comand este
ne!ativ dac electrodul vecin porii este polarizat pozitiv i respectiv inverse "n cazul c%nd
impulsul de comand este pozitiv ca i polarizarea electrodului vecin porii sau c%nd impulsul de
comand este ne!ativ ca i polarizarea electrodului vecin porii.
Cele mai importante aplicaii ale triacului sunt cele de re!lare a intensitii efective a unui
curent alternativ i "n comanda reversi$il a motoarelor electrice.
En cazul "n care poarta lipsete amorsarea fc%ndu)se numai prin creterea tensiunii U
aplicate "ntre electrozii E
1
i E
+
se o$ine un alt dispozitiv numit di$c
4
folosit "n mod special la
comanda tiristoarelor i a triacelor.
1
de la e#presia *?,ode &lternative Current '"n lim$a en!lezK(
+
de la e#presia D,ode &lternative Current '"n lim$a en!lezK(
HO
C&P,*-.U. 6
TANZISTOUL CU EFECT DE CM(
Tranzistorul cu poart +gril, &onciune +T-C'!,
Construc&i! TEC43
*ranzistoarele cu efect de c%mp sunt tranzistoare unipolare 'funcionarea lor este determinat
de un sin!ur tip de purttori ) cei ma@oritari( i sunt de dou feluri dintre care primul este descris
"n acest para!raf. Structura i sim$olul
folosit "n schemele electronice pentru
tranzistorul cu poart @onciune '*EC)W
1
(
sunt prezentate "n fi!ura H.1. Dup cum se
poate constata sunt dou variante
constructive cu canal n 'fi!ura H.1.a( i cu
canal 'fi!ura H.1.$( am$ele fiind
construite pe un cristal semiconductor 'de
tip n respectiv p( la capetele cruia se afl
contactele la cei doi electrozi numii +ur+( )
S i dren( ) D i "ntre care se formeaz un
canal. Cel de)al treilea electrod este *ril$
&o$rt$) ) A format aa cum se vede "n
fi!ura H.1 pe un su$strat semiconductor cu
tip de conducie diferit de cel al stratului "n
care s)a realizat canalul ceea ce "nseamn
c "ntre !ril i canal se formeaz o
@onciune -n. Arila este puternic dopat "n
timp ce sursa i drena sunt mai sla$ dopate.
Func&ion!re! TEC43
Fenomenul principal care se petrece "ntr)un *EC)W este deplasarea purttorilor ma@oritari de
la surs spre dren prin canal a crui lr!ime se poate modifica prin tensiunea aplicat pe poart
dispozitivul comport%ndu)se ca o rezisten comandat prin aceast tensiune.
Pentru a "nele!e mai $ine funcionarea *EC)W s reamintim c%teva lucruri. &m vzut c
atunci c%nd o @onciune -n este polarizat invers 'potenialul zonei este mai mic dec%t cel al
zonei n( re!iunea srcit "n purttori 're!iunea de sarcin spaial stratul de $ara@( se lr!ete.
.r!irea este cu at%t mai mare cu c%t tensiunea de polarizare invers este mai mare '"n valoare
a$solut(.
De asemenea se poate constata c dac doparea este foarte diferit "ntre cele dou zone 'de
e#emplu 4
&
== 4
D
( re!iunea de sarcin spaial este mult mai e#tins "n zona sla$ dopat 'zona
n "n e#emplul nostru( dec%t "n cea puternic dopat.
S considerm un *EC)W cu canal n la care doparea este foarte puternic "n re!iunea !rilei i
sla$ "n canal ceea ce face ca @onciunea ce apare "ntre !ril i canal s prezinte o re!iune de
sarcin spaial e#tins practic numai "n canal.
A, Considerm mai "nt%i situaia "n care potenialul porii
este nul 6
AS
7 2. En aceast situaie s analizm ce se
"nt%mpl c%nd "ntre dren i surs se aplic o tensiune 6
DS
=
2 cresctoare. .a valori mici ale acestei tensiuni apare un
curent ,
D
proporional cu 6
DS
situaie "n care tranzistorul se
1
*ranzistoarele cu efect de c%mp mai sunt cunoscute i su$ numele de FE*)uri 'de la :Field Effect *ransistor: "n
lim$a en!lez(. En cazul *EC)W ele se noteaz W)FE* iar "n cazul *EC)C-S se noteaz C-S)FE*.
H;
comport ca o rezisten constant. Cresc%nd valoarea tensiunii 6
DS
se produce urmtorul
fenomen/ diferena de potenial dintre canal i !ril este mai mare "n vecintatea drenei i mai mic
"n vecintatea sursei 'ca urmare a distri$uiei potenialului de)a lun!ul canalului(. Ca urmare
tensiunea de polarizare a @onciunii formate "ntre !ril i canal este mai mic "n vecintatea sursei i
mai mare "n vecintatea drenei ceea ce impune i faptul c re!iunea de sarcin spaial din canal
este mai lar! "n vecintatea drenei i mai "n!ust "n vecintatea sursei. Cu alte cuvinte canalul se
"n!usteaz "n apropierea drenei 'fi!ura H.+( ceea ce "nseamn creterea rezistenei sale.
Ca urmare creterea curentului ,
D
odat cu creterea tensiunii 6
DS
se face din ce "n ce mai
lent p%n c%nd la un moment dat pentru o valoare 6
p
numit ten+iune de r$* canalul se
"nchide complet. Dei acest lucru s)ar putea interpreta ca o reducere la zero a curentului prin canal
"n realitate acest lucru nu se "nt%mpl datorit unor fenomene pe care le putem descrie simplificat
i pe scurt astfel/ c%nd canalul se "n!usteaz densitatea de curent "n zona "n care acesta este foarte
"n!ust crete dar lo!ic aceast cretere nu poate avea loc la infinit astfel "nc%t curentul ,
D
capt o
valoare constant de saturaie ,
Ds
. 6ariaia ,
D
7 f'6
DS
( este dat "n fi!ura H.0.
1, S considerm acum situaia "n care "ntre !ril i surs se aplic o tensiune 6
AS
> 2.
Dac 6
DS
7 2 lr!imea canalului este
constant pe toat lun!imea lui dar mai mic dec%t
"n cazul c%nd 6
AS
7 2. .a creterea tensiunii 6
DS
se
vor produce aceleai fenomene ca "n situaia
analizat mai sus caracteristica ,
D
7 f'6
DS
( av%nd
aceeai form 'calitativ( ca "n cazul anterior dar
curentul de saturaie va avea o valoare mai mic 'a
se vedea tot fi!ura H.0(.
Cu c%t 6
AS
este mai mare '"n valoare
a$solut( cu at%t curentul de dren de saturaie ,
Ds

este mai mic astfel "nc%t pentru o anumit
tensiune 6
AS
7 6
p
numit ten+iune de r$* &de
7nc0idere) curentul ,
Ds
se anuleaz.
?ezult astfel c prin potenialul aplicat pe !ril se poate controla lr!imea canalului
tranzistorul comport%ndu)se ca o re!i+ten"( co%$nd$t( 7n ten+iune,
Putem face un studiu simplificat astfel/ pentru tensiuni 6
DS
> 6
p
potenialul sursei este 6
DS
iar cel al drenei este 6
DS
M 6
AS
. Este evident c "n acest caz o$turarea canalului i saturarea lui ,
D
se o$in c%nd/
6
AS
M 6
DS
7 6
p
'H. 2(
S considerm c "n canalul tranzistorului de lun!ime . purttorii mo$ili au o sarcin
electric total R. Deplasarea acestora "ntre surs i dren care are loc "n timpul numit ti% de
tr$n!it determin curentul de dren ,
D
7
C
6
DS
7
( )
AS p
6 6
C
unde C este capacitatea

@onciunii create "ntre poart i canal. Dar tensiunea 6
AS
nu este uniform distri$uit de)a lun!ul
canalului ci crete de la 6
AS
la surs la 6
AS
M 6
DS
la dren. .u%nd o valoare medie e!al cu 6
AS
M
+
1
6
DS
curentul de dren are e#presia/
,
D
7
,
_
DS AS p
6
+
1
6 6
C
'H. 2(
Se poate determina timpul de tranzit din relaia/ v 7
.
7 E 7
.
6
DS
unde E este
intensitatea c%mpului electric creat "ntre surs i dren ce determin deplasarea purttorilor "n canal
cu viteza de drift v. Din relaia de mai sus rezult/
7
DS
+
6
.
'H. 2(
Enlocuind relaia H.0 "n H.+ o$inem/
HS
,
D
7
,
_
+
DS DS AS DS p +
6
+
1
6 6 6 6
.
C
'H. 2(
.a saturaie c%nd 6
AS
M 6
DS
7 6
p
relaia H.F devine/
,
D
7 ( )
+
p
AS
2 DS
+
AS p +
6
6
1 , 6 6
.
C
,
_
'H. 2(
?elaia de mai sus este o relaie apro#imativ o$inut "n situaia simplificatoare c tensiunea
crete liniar de)a lun!ul canalului.
Un studiu mai detaliat se poate face dup cum urmeaz "n condiia "n care facem urmtoarele
presupuneri iniiale/
) concentraia de impuriti donoare
4
D
este constant "n canal
) zona de sarcin spaial se "ntinde
numai "n zona n '"n canal(
) "n re!iunea de sarcin spaial
potenialul nu depinde dec%t de coordonata
9 'a se vedea fi!ura H.F.a(
) consider%nd seciunea canalului de
form dreptun!hiular limea canalului este e!al cu unitatea "nlimea lui este +D i lun!imea
..
Fie h !rosimea re!iunii de sarcin spaial "n punctul de a$scis #. Cum 6 nu depinde dec%t
de 9 ecuaia Poisson 6 7
b
se scrie/
b
d9
6 d
+
+
care prin inte!rare d
. ct 9
b
d9
d6
+
En
aceast relaie R reprezint densitatea de sarcin electric "n canal b 7 e4
D
. Pentru determinarea
constantei de inte!rare inem cont c la 9 7 2 avem o zon de potenial constant '"ntruc%t nu e#ist
sarcin spaial( deci
2 9
d9
d6
,
_
( 2 ceea ce ne conduce la relaia/

9
b
d9
d6
'H. 2(
,nte!r%nd a doua oar "ntre limitele 9 7 2 i 9 7 h rezult/
6'h( 6'2( 7
+
h
b
+
1
'H. 2(
Potenialul 6'h( este cel al punctului & iar 6'2( al punctului B din fi!ura H.F a. Consider%nd
potenialul sursei e!al cu zero atunci 6'h( este diferena de potenial "ntre & i S iar 6'2( diferena
de potenial "ntre B i S adic diferena de potenial "ntre !ril i surs 6
AS
. Pentru c 6
AS
este
ne!ativ vom nota 6
AS
7 6
AS
1 . Putem scrie deci/
6'h( 7
+
h
b
+
1
6
AS
1 'H. 2(
Dac notm
n
mo$ilitatea electronilor "n canal i ,
D
curentul "n punctul de a$scis # putem
scrie/ ,
D
7
n
b ( ) [ ] h D +
d#
d6
de unde
D
h
1
1
bD +
,
h D
1
b +
,
d#
d6
n
D
n
D

'H. 2(
Din relaia H.; e#primm h 7
( )
AS
6 6
b
+
+
de unde/
( )
AS +
n
6 6
bD
+
1
1
bD +
1
d#
d6
+
de unde prin inte!rare/

6 ( ) . ct
bD +
# ,
6 6
bD
+
0
+
n
D
+
0
AS +
+
'H. 2(
N2
Pentru determinarea constantei de inte!rare inem cont c/
la # 7 2 6 7 6
DS
deci/
6
DS
( ) . ct 6 6
bD
+
0
+
+
0
AS DS +
+
'H. 2(
la # 7 . 6 7 2 deci/
bD +
. ,
ct 6
bD
+
0
+
n
D
+
0
AS +
'H. 2(
?ezult/
( )
1
]
1
+
0
AS DS
+
0
AS
+
DS
n
D
6 6 6
bD
+
0
+
6
bD +
.,
'H. 2(
Pentru 6
AS
1 7 2 relaia de mai sus devine/
( ) +
0
DS + DS
n
D
6
bD
+
0
+
6
bD +
.,
'H. 2(
Din derivarea ei se poate o$ine ma#imul cur$ei ,
D
7 f'6
DS
(.
( )
1
]
1
+
1
DS +
n
DS
D
6
bD
+
1
.
bD +
d6
d,
Cur$a ,
D
7 f'6
DS
( pentru 6
AS
1 7 2 prezint un ma#im 'adic ,
D
capt valoarea de saturaie
ma#im ,
DSma#
( la/
6
DS
7 6
p
7
+
bD
+
'H. 2(
6aloarea curentului de saturaie ma#im ,
DSma#
este/
,
Dsma#
7
0
6
.
bD +
+
bD
bD
+
0
+
+
bD
.
bD +
p
n
+
0
+
+
+
n

,
_
,
_
'H. 2(
?elaia H.10 se scrie "n aceste condiii su$ forma/
( )
1
]
1
+ +
+
0
AS DS
+
0
AS
p
DS
ma# Ds
D
p
6 6 6
6
1
0
+
6
,
,
0
6
'H. 2(
sau
1
1
1
]
1
,
_
,
_
+
+
0
p
AS
p
DS
+
0
p
AS
p
DS
ma# Ds
D
6
6
6
6
6
6
+
6
6
0
,
,
'H. 2(
C!r!cteristici#e TEC43
Pentru a uura discuiile "n relaia H.1O vom face "nlocuirile/
z 7
ma# Ds
D
,
,
G # 7
p
DS
6
6
G 9 7
p
AS
6
6
Cu aceste "nlocuiri relaia respectiv devine/
9 ( 0# M + +
0
9
+'9 M #(
+
0

A, ,
D
7
( ) [ ]
. ct 6 DS
AS
6 f

. Studiem funcia z 7 f'#( cu 9 parametru constant.
*ensiunea de pra! se o$ine c%nd derivata acestei funcii se anuleaz adic
d#
dz
7 2. &cest
lucru "nseamn/ 0 0
# 9 +
7 2 9 7 1 # z
p
7 + M 0# M +'1 #(
+
1
.
Putem scrie deci/
N1
+
0
p
DS
p
DS
ma# Ds
D
6
6
1 +
6
6
0 +
,
,
,
_
+ +
'H. 2(
?elaia de mai sus e#prim variaia curentului de saturaie ,
Ds
"n funcie de 6
DS
'cur$a
punctat din fi!ura H.H(
Pentru valori mici ale lui 6
DS
caracteristicile sunt practic rectilinii/
9 7 0# M +z
+
0
+z
+
0
+
0
9
#
1

,
_
+
0# M+9
+
0
+9
+
0
M ... M

,
_
+
9
#
+
0
1
7 0#

,
_
+
0
9 1
p
DS
p
AS
ma# Ds
D
6
6
6
6
1 0
,
,
,
_

'H. 2(
,
_
p
AS
ma# Ds
p
D
DS
6
6
1 0
1
,
6
,
6
'H. 2(
Pun%nd r
2
(
ma# Ds
p
, 0
6
putem
considera *EC)W ca un rezistor de
rezisten r dependent de 6
AS

conform relaiei/
r (
p
AS
2
6
6
1
r
'H. 2(
1, ,
Ds
7
( ) [ ]
. ct 6
AS
DS
6 f

. ,
Ds
se o$ine c%nd # 7 1 9
de unde/
z
s
7 0'1 9( M +9
+
0
+ 7 1 09 M +9
+
0
+
0
p
AS
p
AS
ma# Ds
D
6
6
+
6
6
0 1
,
,
,
_
+
'H. 2(
Cur$a ce reprezint relaia de mai sus este cea
din cadranul al ,,)lea din fi!ura H.H. Se poate
constata din aceasta c ,
Ds
7 2 c%nd 6
AS
7 6
p
Utiliz%nd aceeai metod de trasare a
caracteristicilor ca cea de la fi!ura F.O se o$in
toate caracteristicile unui *EC)W aa cum se
poate vedea "n fi!ura H.N.
&naliz%nd aceste caracteristici se pot e#tra!e
c%teva o$servaii/
din caracteristicile de ieire 'cadranul ,(
rezult c *EC)W funcioneaz ca o rezisten
'varia$il liniar( comandat "n tensiune la
tensiuni 6
DS
> 6
p
'canalul deschis( i
respectiv ca un dispozitiv cu curent constant
'canal "nchis( la 6
DS
= 6
p
.
din caracteristica de transfer 'cadranul ,,(
rezult c se poate face o analo!ie foarte $un
"ntre comportarea *EC)W 'la 6
AS
> 2( i cea a
unei triode.
N+
caracteristica de intrare 'cadranul ,,,( relev un curent ,
A
foarte mic 'V12
12
&( ca urmare a
polarizrii inverse a @onciunii dintre !ril i canal.
caracteristica de reacie 'cadranul ,6( relev o influen ne!li@a$il a tensiune de ieire 6
DS

asupra curentului de intrare.
Tranzistorul cu poart +gril, izolat +T-C'%.S,
&cest tip de tranzistor este construit pe $aza unei structuri metal)o#id)semiconductor
1
"n
dou variante/ cu canal iniial i cu canal indus care poate fi la r%ndul lui de tip sau n. Codul
de construcie i sim$olul folosit "n schemele electronice pentru *EC)C-S cu canal indus sunt
prezentate "n fi!ura H.N iar cele pentru *EC)C-S cu canal iniial "n fi!ura H.O.
Dup cum rezult din fi!ura H.N construcia *EC)C-S cu canal indus este urmtoarea/ pe
un su$strat semiconductor de tip n 'fi!ura H.N.a( respectiv de tip 'fi!ura H.N.$( se creeaz prin
difuzie dou re!iuni de tip 'fi!ura H.O.a( respectiv n 'fi!ura H.O.$( la o distan . 7 H H2 m
una de alta re!iuni care formeaz una +ur+$
cealalt dren$. 5ona su$stratului fiind sla$ dopat
cele dou @onciuni ce se formeaz "ntre surs i
su$strat i "ntre dren i su$strat @oac un rol
ne"nsemnat 'ceea ce nu se "nt%mpl "n cazul *EC)
W(. Pe faa superioar a su$stratului "ntre surs i
dren se depune un strat de Si-
+
care este un
foarte $un izolator iar peste acesta un electrod
metalic ) o$rt$ &*ril$). .a cei trei electrozi 'surs
dren i !ril( se mai adau! "nc unul ) '$!$
reprezentat de stratul metalic depus pe su$strat i
care de re!ul se lea! la surs.
En mod asemntor este realizat i *EC)C-S
cu canal iniial 'fi!ura H.O( deose$irea const%nd "n
faptul c dac la *EC)C-S cu canal indus
re!iunea sursei este complet separat de cea a
drenei la *EC)C-S cu canal iniial se realizeaz de la $un "nceput un canal de conducie cu
acelai tip de conducie ca cel al sursei. En am$ele cazuri stratul izolator de Si-
+
are !rosimi de
ordinul H22 +222 g Prin potenialul aplicat pe poart se poate controla sarcina spaial mo$il
dintre surs i dren i deci curentul dintre aceti doi
electrozi.
S considerm un *EC)C-S cu canal iniial
de tip nG "ntre drena i sursa acestuia se aplic o
tensiune 6
DS
de valoare mic. Pentru o tensiune 6
AS
nul dispozitivul funcioneaz ca un *EC)W
curentul de dren ,
D
fiind cresctor odat cu
creterea lui 6
DS
p%n la atin!erea saturaiei. Dac
pe !ril se aplic o tensiune pozitiv 6
AS
"n canal
vor fi atrai mai muli purttori 'electroni "n acest
caz( din su$strat astfel c '"n condiia c 6
DS
este
constant i mai mic dec%t 6
p
( ,
D
crete la creterea
lui 6
AS
. .a tensiuni 6
AS
ne!ative efectul este invers
curentul ,
D
scade la creterea "n valoare a$solut a
lui 6
AS
ceea ce ne permite s tra!em concluzia c
*EC)C-S funcioneaz ca i *EC)W ca o rezisten
comandat prin tensiunea 6
AS
aplicat porii.
?elaiile deduse pentru *EC)W sunt ca urmare vala$ile i pentru *EC)C-S cu sin!ura deose$ire
c acesta din urm poate funciona i la tensiuni U
AS
pozitive ceea ce nu este cazul la *EC)W.
1
De la iniialele acestor trei cuvinte provine i denumirea/ C-S
N0
Caracteristicile *EC)C-S sunt i ele asemntoare cu cele ale *EC)W deose$irea esenial
constat%ndu)se numai la caracteristica de transfer ,
D
7 f'6
AS
( care este prezentat "n fi!ura H.;. En
plus se mai constat i unele deose$iri cantitative "n ceea ce
privete curentul ,
A
foarte mic 'V 12
1+
&( i rezistena de intrare
foarte mare '12
12
12
10
( datorit stratului foarte $un izolator.
.a *EC)C-S cu canal indus funcionarea se datoreaz
fenomenelor de suprafa care au loc la interfaa o#id)
semiconductor unde ca urmare a "ntreruperii reelei atomii de
semiconductor din aceste zone se comport ca nite impuriti
acceptoare
1
care determin apariia unor niveluri ener!etice
discrete "n $anda interzis. E#istena acestor stri de suprafa ale
electronilor determin apariia unei sarcini de suprafa ce creeaz
un c%mp electric superficial i corespunztor o diferen de
potenial "ntre suprafaa semiconductorului i interiorul su. Densitatea strilor de suprafa poate fi
crescut prin adsor$ia unor atomi de impuriti la suprafaa semiconductorului.
S considerm un *EC)C-S cu canal indus av%nd su$stratul
$azei de tip . &plic%nd o tensiune pozitiv 6
AS
"ntre poart i surs
electronii aflai "n su$strat vor fi atrai spre interfaa o#id)
semiconductor unde vor ocupa strile de suprafaG cresc%nd valoarea
tensiunii 6
AS
la un moment dat toate strile de suprafa vor fi ocupate
"n continuare electronii acumul%ndu)se "n aceast zon iniial "ncrcat
cu sarcin pozitiv i electriz%nd)o ne!ativ. Stratul format numit +tr$t
de inver+iune- "m$o!it "n electroni constituie un canal 'de tip n( care
permite trecerea curentului electric "ntre surs i dren "n momentul
aplicrii unei tensiuni 6
DS
. En mod asemntor funcioneaz i *EC)
C-S cu canal indus de tip p.
Caracteristicile *EC)C-S cu canal indus arat la fel cu cele ale *EC)C-S cu canal iniial
sau ale *EC)W sin!ura deose$ire esenial fiind la caracteristica de transfer care arat conform
fi!urii H.S.
#arametrii de semnal mic ai T-C/ Schema echi$alent
Funcionarea *EC poate fi caracterizat prin valoarea a dou tensiuni 6
DS
i 6
AS
i a doi
cureni ,
A
i ,
D
. &a cum s)a vzut ,
A
este practic constant deci ,
D
depinde numai de cele dou
tensiuni astfel "nc%t putem scrie/
d,
D
7 DS
DS
D
AS
AS
D
d6
6
,
d6
6
,
'H. 2(
Se definesc urmtorii parametri/
tr$n+conduct$n"$ &conduct$n"$ %utu$l()
!
m
7
. ct 6
AS
D
DS
6
,
'H. 2(
conduct$n"$ de dren(
!
D
7
. ct 6
DS
D
D
AS
6
,
r
1
'H. 2(
#$ctorul de $%li#ic$re +t$tic
7
. ct ,
AS
DD
D
6
6
'H. 2(
Entre cei parametri se poate sta$ili
relaia/
1
&cest fapt se petrece "ntruc%t atomii respectivi au octetul incomplet 'cel puin un atom vecin lipsind din reea( ei
put%nd accepta deci electroni pe un nivel ener!etic discret asemntor celui determinat de impuritile acceptoare.
NF
!
m
r
D
7 'H. 2(
En re!iunea nesaturat datorit liniaritii caracteristicilor se poate scrie 'pentru mrimi
alternative(/
i
D
7 !
m
u
AS
M !
D
u
ds
'H. 2(
Pornind de la relaia H.+; se poate sta$ili schema echivalent a *EC 'fi!ura H.12( vala$il
at%t pentru *EC)W c%t i pentru *EC)C-S valorile parametrilor fiind "ns deduse prin relaii
specifice fiecrui tip de C-S.
#olarizarea T-C
En aplicaiile practice la fel ca "n cazul tranzistoarelor $ipolare i la tranzistoarele cu efect de
c%mp se pune pro$lema asi!urrii polarizrii corespunztoare folosind o sin!ur surs.
En cazul *EC)W i *EC)C-S cu
canal iniial "ntre care e#ist o mare
asemnare funcional polarizarea
corect de la o sin!ur surs se o$ine
prin metoda polarizrii automate a
porii 'analo! cu metoda ne!ativrii
automate a !rilei la tu$uri electronice(.
Schema folosit este cea din fi!ura
H.11.a. Elementul esenial este
rezistena ?
S
prin care trece curentul
,
D
ce produce o cdere de tensiune la
$ornele acesteia potenialul mai mare
'pozitiv( fiind la surs i cel mai mic 'ne!ativ( la mas. Cum !rila este practic le!at la mas ',
A
este practic nul deci cderea de tensiune pe ?
A
este i ea nul( ea se afl la un potenial mai mic
'mai ne!ativ( dec%t cel al sursei asi!ur%ndu)se astfel tensiunea
6
AS
ne!ativ necesar/
6
AS
7 ?
S
,
D
G E 7 6
DS
M ,
D
'?
D
M ?
S
(
Capacitatea C
S
scurtcircuiteaz rezistena ?
S
"n curent
alternativ astfel "nc%t numai componenta continu a curentului
de dren s treac prin ?
S
ceea ce asi!ur o tensiune de
polarizare a !rilei constant.
?eprezent%nd !rafic relaia 6
AS
7 ?
S
,
D
se o$ine o
dreapt care se intersecteaz cu caracteristica de transfer ,
D
7
f'6
AS
( "n punctul C 'fi!ura H.11.$( care proiectat pe dreapta
de sarcin o$inut prin reprezentarea !rafic a relaiei E 7
6
DS
M ,
D
'?
D
M ?
S
( d punctul 4.
Pentru *EC)C-S cu canal indus la care funcionarea se
face "n mod normal cu tensiuni 6
AS
de acelai semn cu 6
DS
polarizarea cu o sin!ur surs se
realizeaz prin scheme asemntoare cu cele de la polarizarea tranzistorului $ipolar 'fi!ura H.1+(
cu deose$irea c pentru a folosi avanta@ul *EC 'rezisten foarte mare de intrare( rezistenele
divizorului de polarizare vor avea i ele valori mari.
NH
C&P,*-.U. 6,
AM(LIFICATOAE
0oiuni generale/ Clasificare
Definit "n modul cel mai !eneral un amplificator este un cuadripol la intrarea cruia dac se
aplic un semnal varia$il la ieire se o$ine un semnal de aceeai form i frecven dar cu
amplitudine mai mare. Este evident c sporul de putere la ieirea amplificatorului este o$inut
datorit unei surse de ener!ie electric cu care este prevzut acesta.
&mplificatorul este deci "n sens lar! un cuadripol activ caracterizat de perechile de mrimi
u
i
i i
i
) la intrare i u
e
i i
e
) la ieire "ntre care se sta$ilete o relaie $iunivoc 'unei perechi de
valori u
i
i
i
"i corespunde o pereche i numai una de valori u
e
i
e
(. De re!ul se impune ca mrimile
de intrare s fie c%t mai puin influenate de mrimile de ieire.
Clasificarea amplificatoarelor se poate face dup mai multe criterii/
1. dup natura semnalului amplificat
) amplificatoare de tensiune
) amplificatoare de curent
) amplificatoare de putere
Primelor dou tipuri li se aplic la intrare semnale de amplitudini mici motiv pentru care se
mai numesc i amplificatoare de semnal mic. &l treilea tip necesit lucrul cu puteri mari motiv
pentru care amplificatoarele din aceast cate!orie se mai numesc i amplificatoare de semnal mare.
+. dup tipul elementelor active utilizate
) amplificatoare cu tu$uri electronice
) amplificatoare cu tranzistoare
) amplificatoare cu circuite inte!rate
0. dup frecvena semnalelor amplificate
) amplificatoare de curent continuu
) amplificatoare de @oas frecven 'WF( sau audiofrecven '&F( care lucreaz "n
!ama de frecvene 12 12
H
Dz
) amplificatoare de "nalt frecven 'EF( sau radiofrecven '?F( care lucreaz "n
!ama de frecvene 12
H
12
O
Dz
) amplificatoare de foarte "nalt frecven 'F,F( i de ultra"nalt frecven 'U,F( care
lucreaz "n !ama de frecvene 12
;
12
12
Dz
F. dup lr!imea $enzii de frecvene "n care lucreaz
) amplificatoare de $and "n!ust 'V 12 PDz(
) amplificatoare de $and lar! 'V 12
N
Dz(
H. dup tipul cupla@ului "ntre eta@e de amplificare
) amplificatoare cu cupla@ ?C
) amplificatoare cu circuite acordate
) amplificatoare cu cupla@ prin transformator
) amplificatoare cu cupla@ rezistiv '!alvanic(
#arametrii amplificatoarelor
Dintre multitudinea de parametri care caracterizeaz un amplificator "i enumerm aici pe cei
mai importani/
1. parametri de intrare
a( !ama de tensiuni de intrare
$( impedana de intrare
5
i
7
i
i
i
u
'N. 2(
+. parametri de ieire
NN
a( !ama de tensiuni de ieire
$( !ama de cureni de ieire
c( impedana de ieire
d( puterea ma#im la ieire
0. parametri de transfer
F.
a( coeficientul de amplificare 'amplificare c%ti!(
i. amplificarea "n tensiune/
&
u
7
i
e
u
u
'N. 2(
ii. amplificarea "n curent/
&
i
7
i
e
i
i
'N. 2(
iii. amplificarea "n putere/
&
P
7
i
e
P
P
'N. 2(
Se mai folosesc formulele/
&
u
7 +2 l!
i
e
u
u
G &
u
7 ln
i
e
u
u
'N. 2(
i cele analoa!e pentru amplificarea "n curent i putere
1
. Unitatea de msur a amplificrii este "n
cazul primei formule din N.H deci$elul 'dB( iar "n cazul celei de)a doua formule neperul
+
'4p(.
$( caracteristica amplitudine)frecven
&ceast mrime reprezint cur$a &1 7 f'(. Se definesc/ #recven"$ li%it( in#erio$r(
m
i
respectiv #recven"$ li%it( +uerio$r(
C
care reprezint frecvenele la care amplificarea scade
la
+
1
din valoarea acesteia "n mi@locul $enzii de frecvene a amplificatorului. Diferena B 7
C

m
reprezint '$nd$ de #recven"e a amplificatorului.
c( distorsiunile amplificatorului
.a amplificatoarele reale semnalul de ieire nu reproduce identic semnalul de intrare
datorit neliniaritii caracteristicii de transfer sau apariiei unor armonici. &stfel "nt%lnim
distorsiuni ale amplitudinii "n funcie de frecven pentru care definim #$ctorul de di+tor+iuni de
$%litudine C/
C 7
( )
2
&
&
'N. 2(
distorsiuni ale fazei "n funcie de frecven distorsiuni armonice i de intermodulaie. Pentru
distorsiunile armonice se definete #$ctorul de di+tor+iuni $r%onice/
7
2
+
+
+
1
U
U U + +
'N. 2(
unde U
1
U
+
... reprezint amplitudinile armonicilor i U
2
amplitudinea semnalului fundamental.
d( raportul semnal)z!omot
&ceast mrime reprezint raportul dintre tensiunea semnalului util i cea a z!omotului
propriu
0
.
e( !ama dinamic
1
En acest caz factorul din prima formul este 12 i nu +2 iar "n a doua formul lo!aritmul natural se multiplic cu
factorul 1<+.
+
1 4p 7 ;N;N dB
0
Z*o%otul roriu reprezint semnalul e#istent la ieirea amplificatorului atunci c%nd la intrarea sa semnalul este
nul.
NO
Aama dinamic reprezint raportul dintre semnalul de putere ma#im i respectiv de putere
minim pe care le poate furniza amplificatorul. .imita superioar a puterii furnizate este
determinat de puterea amplificatorului iar cea inferioar de raportul semnal)z!omot.
f( sensi$ilitatea
&ceast mrime se definete ca fiind tensiunea minim la intrare care asi!ur la ieire puterea
util nominal "n sarcin.
Amplificatorul de semnal mic cu cupla& RC
Schema acestui tip de amplificator este prezentat "n fi!ura N.1.a 'folosind un tranzistor
$ipolar( respectiv "n fi!ura N.1.$ 'folosind un *EC(. En schema din fi!ura N.1.a rezistenele ?
1
?
+
i ?
0
au rol "n polarizarea tranzistorului 'a se vedea para!raful F.F( "n timp ce ?
F
are rol at%t "n
polarizare c%t i "mpreun cu ?
H
la
constituirea rezistenei de sarcin.
Condensatoarele C
1
i C
0
permit cuplarea
amplificatorului at%t la intrare c%t i la ieire
numai "n curent alternativ iar C
+
scurtcircuiteaz ?
0
"n curent alternativ. &cest
amplificator este inversor "n sensul c
semnalul de la ieire este defazat cu 1;2 fa
de cel de la intrare.
En mod analo! "n schema din fi!ura
N.1.$ ?
1
?
+
i ?
0
asi!ur polarizarea
tranzistorului ?
+
alctuind "n acelai timp
"mpreun cu ?
H
rezistena de sarcin a amplificatorului. Condensatoarele C
1
C
+
i C
0
au i ele
acelai rol cu cele corespunztoare din schema N.1.a. Yi acest amplificator este inversor. S
analizm acum funcionarea amplificatorului din schema N.1.a pe $aza schemei echivalente a
tranzistorului aa cum a fost ea confi!urat
cu parametrii hi$rizi.
?ezistena de sarcin a
amplificatorului este ?
F
dac avem un
sin!ur eta@ de amplificare sau ?
s
7
$ F
$ F
? ?
? ?
+
unde ?
$
este rezistena de intrare a
tranzistorului din eta@ul urmtor le!at "n
paralel cu cele dou rezistene de polarizare
a $azei acestuia. Schema echivalent cu
parametrii hi$rizi a monta@ului este dat "n fi!ura N.+. .a frecvene medii reactanele
condensatoarelor de cupla@ se pot considera practic nule "n timp ce capacitatea parazit C
p
are o
reactan infinit. Curentul la ieirea amplificatorului este/ i
+
7 h
+1
i
+
M h
++
h
+
unde i
1
este curentul la
intrare i u
+
tensiunea la ieire. Pe de alt parte u
+
7 ?
s
i
+
de unde/ i
+
'1 M h
++
?
s
( 7 h
+1
i
1
relaie care
ne permite s calculm amplificarea "n curent/
&
i
7
S ++
+1
1
+
? h 1
h
i
i
+
'N. 2(
,mpedana de intrare considerat pur rezistiv este dat de/
?
i
7
( )
S ++
S +1 1+ ++ 11 11
1
1
? h 1
? h h h h h
i
u
+
+
'N. 2(
&mplificarea "n tensiune este dat de/ &
u
7
i
S
i
1 i
+ S
1
+
?
?
&
i ?
i ?
u
u

i "nlocuind e#presia lui &
i
din 'N.;( se o$ine/
N;
&
u
7
( )
S +1 1+ ++ 11 11
S +1
? h h h h h
? h
+
'N. 2(
Putem scrie de asemenea/ u
1
7 ?
!
i
1
unde ?
!
este rezistena intern a !eneratorului ce
furnizeaz semnalul de intrare i u
1
7 h
11
i
1
Mh
1+
u
+
. Elimin%nd u
1
din aceste dou relaii i folosind i
relaia 'N.;( putem calcula impedana de ieire considerat pur rezistiv/
?
e
7
+1 1+ ++ 11 ! ++
! 11
h h h h ? h
? h
+
+
'N. 2(
Formulele astfel o$inute sunt vala$ile pentru semnale de frecvene medii. En cazul
frecvenelor @oase efectul capacitilor de cupla@ nu mai poate fi ne!li@at i ca atare "n e#presia
amplificrii va aprea i influena capacitii C
0
. ?efc%nd calculele rezult/
&
u@
7 &
u
( ) [ ]
+
$ F 0
? ? C +
1
1
1
+
+
7 &
u
+
1
+
@
1

1
1
]
1
,
_
+
'N. 2(
unde s)a notat/
@
7
( )
$ F 0
? ? C +
1
+
'N. 2(
&a cum se poate constata la frecvene @oase amplificarea scade odat cu scderea
frecvenei. Definim #recven"$ li%it( in#erio$r(
@
frecvena dat de relaia 'N.10( la care
amplificarea scade de + ori fa de valoarea la frecvene medii. De asemenea se o$serv i
faptul c frecvena limit inferioar este cea la care reactana capacitii de cupla@ C
0
este e!al cu
rezistena echivalent a le!rii "n serie a lui ?
F
cu ?
$
.
.a frecvene mari capacitile de cupla@ au efecte ne!li@a$ile "n schim$ capacitatea parazit
C
p
influeneaz evident funcionarea amplificatorului. &ceast capacitate parazit este capacitatea
echivalent a !ruprii "n paralel a capacitii colector)emitor a capacitii de intrare a eta@ului
urmtor i a capacitii cone#iunilor monta@ului. Uin%nd cont de aceast influen dup efectuarea
calculelor se o$ine amplificarea la frecvene "nalte/
&
u"
7 &
u
( )
+
S p
? C + 1
1
+
7 &
u
+
1
+
"
1

1
1
]
1
,
_
+
'N. 2(
unde s)a notat/
"
7
S p
? C +
1
'N. 2(
Yi "n acest caz se poate vedea c se definete o #recven"( li%it( +uerio$r(
i
ce reprezint
frecvena la care amplificarea scade de + ori fa de valoarea la frecvene medii i la care
reactana capacitii parazite este e!al cu rezistena ?
s
.
.a frecvene "nalte mai intervin i alte fenomene ca urmare a influenei capacitilor C
$e
i
C
$c
care determin scderea amplificrii acestea acion%nd ca i C
p
'put%nd fi de altfel incluse "n
C
p
(. En mod special capacitatea C
$c
care are valori de ordinul 0 d N pF acioneaz ca un circuit de
reacie ne!ativ ce limiteaz amplificarea la frecvene mari acest fenomen fiind cunoscut su$
numele de e#ect Ciller sau re$c"ie intern(.
Crimea/ B 7
"
)
@
se numete '$nd( de trecere 'de frecvene( a amplificatorului
reprezent%nd domeniul de frecvene "n care amplificatorul amplific semnalele aplicate la intrare.
Amplificatoare de putere
Dac la intrarea unui amplificator se aplic un semnal varia$il de o anumit putere iar la
ieire se o$ine semnalul amplificat la o putere mai mare amplificatorul respectiv este un
amplificator de putere. Fa de amplificatorul de tensiune amplificatorul de putere necesit la
intrare un semnal mare iar impedana de sarcin este de c%teva zeci sau sute de ori mai mic.
NS
&mplificatoarele de putere se pot clasifica dup mai multe criterii. &stfel "n funcie de
tensiunea de polarizare a $azei i de amplitudinea semnalului la intrare amplificatoarele pot
funciona "n trei clase de funcionare/
clas & c%nd elementul activ este "n stare de conducie pe toat
durata semnalului de la intrare semnalul de la ieire reproduc%nd
"n totalitate semnalul de intrareG
clas B c%nd timpul "n care elementul activ este "n stare de
conducie este @umtate din perioada semnalului aplicat la intrareG
clas C c%nd timpul "n care elementul activ este "n stare de
conducie este mai mic dec%t o semiperioad.
De asemenea "n funcie de tipul de cupla@ al amplificatorului
cu sarcina "nt%lnim/
amplificator cu cupla@ prin transformatorG
amplificator cu cupla@ capacitivG
amplificator cu cupla@ direct '!alvanic(.
En fi!ura N.0 este prezentat schema unui amplificator de putere funcion%nd "n clas & cu
cupla@ prin transformator. Pentru uurina "nele!erii funcionrii acestui amplificator vom folosi i
dia!rama din fi!ura N.F. Dac la intrare se aplic un semnal sinusoidal punctul de funcionare se
deplaseaz pe dreapta de sarcin de o parte i de alta a punctului static de funcionare ales prin
polarizarea tranzistorului "ntre tensiunile U
CEma#
i U
CEmin
i respectiv "ntre valorile curentului ,
Cma#
i ,
Cmin
. Practic se poate scrie/
U
CE
7
+
U U
min CE ma# CE
+
'N. 2(
*ensiunea de alimentare E
C
se ale!e practic e!al cu U
CE
iar curentul de colector corespunztor punctului static de
funcionare respectiv se ale!e astfel "nc%t puterea disipat
de tranzistor "n acest punct s nu depeasc puterea
ma#im disipat admisi$il. En aceste condiii Puterea
ma#im util a amplificatorului este/
P
u
7
+
1
U
CE
,
C
'N. 2(
iar puterea a$sor$it de la sursa de alimentare/
P
C
7 E
C
,
C
U
CE
,
C
'N. 2(
?andamentul amplificatorului este deci/
7
c
u
P
P
7 H2 Q 'N. 2(
&cesta este randamentul ma#im
posi$il "n realitate apr%nd pierderi i "n
transformator i pe alte ci astfel "nc%t
randamentul este "n realitate mai mic.
*otui acest tip de amplificator are
avanta@ul introducerii unor distorsiuni
neliniare ne!li@a$ile.
Dezavanta@ul amplificatorului de clas
& "n ceea ce privete randamentul sczut
se poate evita prin folosirea
amplificatoarelor de clasa B la care datorit
funcionrii doar pe o semiperioad sunt
necesare de fapt dou eta@e care
funcioneaz "n contratimp. Schema unui
astfel de amplificator este dat "n fi!ura N.H.
O2
&stfel de amplificatoare au un randament ridicat a@un!%nd la ;2 Q distorsiunile armonice sunt i
ele reduse fiind posi$il i eliminarea folosirii transformatoarelor.
#rincipiul reaciei* reacia n amplificatoare
Re$c"i$ reprezint procesul de aducere a unei pri din semnalul de la ieirea unui
amplificator la intrarea acestuia prin
intermediul unei $ucle de reacie. Schema
!eneral de realizare a reaciei este prezentat "n
fi!ura N.N.
?eeaua de reacie asi!ur atenuarea
corespunztoare a semnalului de la ieire i
dac este cazul o defazare corespunztoare
mrimea caracteristic a acesteia fiind #$ctorul
de re$c"ie . Semnalul la intrarea
amplificatorului este/ s
7 s
i
M s
r
7 s
i
M s
2
. Pe de alt parte/ s
2
7 &
2

s

.
Din cele dou relaii se o$ine/
s
2
7 i
2
2
s
& 1
&

'N. 2(
?ezult deci c amplificarea sistemului amplificator)circuit de reacie este/
& 7

2
2
i
2
& 1
&
s
s
'N. 2(
Se vede c pentru &
2
suficient de mare amplificarea & tinde spre o valoare e!al cu inversul
factorului de reacie deci devine independent fa de amplificarea amplificatorului de $az. Se
spune c amplificarea amplificatorului cu reacie este desensi$ilizat fa de amplificarea
amplificatorului de $az. Dup modul de readucere a semnalului de la ieire la intrare se distin!
patru confi!uraii tipice de realizare a reaciei/ serie)serie serie)paralel paralel)serie paralel)
paralel. &cestea sunt prezentate "n fi!ura N.O. En funcie de confi!uraie mrimile care apar "n
relaiile de mai sus au semnificaii diferite dup cum urmeaz/
) reacia serie)serie/
&
29
7
u
i
2
G &
9
7
9
9 2
9 2
i
2
& 1
&
u
i

G
9
7
2
r
i
u
'N. 2(
) reacia serie)paralel/
&
2u
7
u
u
2
G &
u
7
u
u 2
u 2
i
2
& 1
&
u
u

G
u
7
2
r
u
u
'N. 2(
O1
) reacia paralel)paralel/
&
2z
7
i
u
2
G &
z
7
z
z 2
z 2
i
2
& 1
&
i
u

G
z
7
2
r
u
i
'N. 2(
) reacia paralel)serie/
&
2i
7
i
i
2
G &
i
7
i
i 2
i 2
i
2
& 1
&
i
i

G
i
7
2
r
i
i
'N. 2(
En !eneral se distin! urmtoarele trei situaii/
1 &
2
> 1 ) reacie pozitivG
1 &
2
7 2 ) amplificatorul devine oscilator 'vezi f O.+(
1 &
2
= 1 ) reacie ne!ativ
1nfluena reaciei asupra parametrilor amplificatoarelor
Prezena reaciei ne!ative la un amplificator determin modificri ale parametrilor acestuia
aa cum se poate vedea "n cele ce urmeaz/
1. In#luen"$ re$c"iei ne*$tive $+ur$ $%li#ic(rii
Dup cum se poate constata din relaia 'N.+1( amplificarea unui amplificator cu reacie
ne!ativ scadeG pe de alt parte "ns crete sta$ilitatea amplificrii lucru pe ce poate fi artat "n
modul urmtor/ dac amplificarea fr reacie &
2
sufer o variaie d&
2
>> &
2
atunci &
2
devine
&
2
M d&
2
iar & devine & M d&. Difereniind relaia N.+1 se o$ine/
d& 7
( )
+
2
2
& 1
d&

'N. 2(
&tunci
2
2
2
&
d&
& 1
1
&
d&

'N. 2(
Din relaia de mai sus se vede c variaia relativ a amplificrii cu reacie este mai mic de
1 &
2
ori dec%t cea fr reacie sta$ilitatea "n amplificare a amplificatorului cresc%nd deci de
1 &
2
ori prin utilizarea reaciei ne!ative.
+. In#luen"$ re$c"iei ne*$tive $+ur$ 'en!ii de #recven"(
Entruc%t pe de o parte produsul $and)amplificare este constant i pe de alt parte
amplificarea cu reacie ne!ativ scade de 1 &
2
ori rezult c $anda de frecvene a
amplificatorului cu reacie crete de 1 &
2
ori.
O+
0. In#luen"$ re$c"iei ne*$tive $+ur$ i%ed$n"elor de intr$re 9i de ie9ire $le
$%li#ic$torului 9i $+ur$ di+tor+iunilor nelini$re.
Se poate demonstra c impedana de intrare a amplificatorului cu reacie ne!ativ crete iar
cea de ieire scade "n comparaie cu mrimile corespunztoare ale amplificatorului fr reacie de
1 &
2
ori. De asemenea se arat c factorul de distorsiuni se reduce i el cu acelai factor
c%nd se utilizeaz reacia ne!ativ.
Amplificatorul diferenial
&mplificatorul diferenial este un amplificator simetric funcion%nd ca amplificator de
semnale varia$ile sau de curent continuu i care permite eliminarea practic total a influenei
derivei termice asupra parametrilor si. Schema de principiu este cea din fi!ura N.; i din ea se
vede c amplificatorul diferenial dispune de dou intrri simetrice i una sau dou ieiri.
Dac la cele dou intrri se aplic semnalele u
i1
i respectiv u
i+
se definesc/
) semnalul de intrare diferenial/
u
d
7 u
i+
u
i1
'N. 2(
) semnalul de intrare de mod comun/
u
mc
7
+
u u
+ i 1 i
+
'N. 2(
Din relaiile de mai sus se pot
e#prima invers semnalele de intrare "n
funcie de cel diferenial i cel de mod
comun/
u
i1
7 u
mc
+
u
d
'N. 2(
Pentru studiul funcionrii amplificatorului diferenial se utilizeaz schema echivalent care
este dat "n fi!ura N.S. Consider%nd c amplificatorul diferenial analizat este perfect simetric vom
nota/ ?
C1
7 ?
C+
7 ?
C
h
+1E1
7 h
+1E+
7 h
+1E

h
11E1
7 h
11E+
7 h
11E
r
e
7
e +1
e 11
h
h
. &tunci/
u
e1
7
e E
mc C
e
d C
r ? +
u ?
r +
u ?
+
'N. 2(
u
e+
7
e E
mc C
e
d C
r ? +
u ?
r +
u ?
+

'N. 2(
u
e
7 u
e1
u
e+
7
e
d C
r
u ?
'N. 2(
Se poate constata cu uurin c "n
timp ce semnalele de ieire u
e1
i u
e+
conin at%t semnalul de intrare diferenial c%t i semnalul de
intrare de mod comun semnalul de ieire diferenial u
e
conine numai componenta diferenial de
intrare. &ceasta reprezint caracteristica esenial a amplificatorului diferenial care i permite
acestuia s funcioneze fr a fi influenat de factori varia$ili cum ar fi deriva termic z!omotul
etc. "ntruc%t acetia apar numai "n semnalul de intrare de mod comun nu i "n cel diferenial unde
prin scderea celor doi termeni care sunt semnalele la cele dou intrri se reduc.
Definim amplificarea diferenial i pe cea de mod comun astfel/
&
d
7
e
C
r +
?
G &
mc
7
e E
C
r ? +
?
+
'N. 2(
Cu aceste relaii e#presiile 'N.01( 'N.0+( i 'N.00( devin/
u
e1
7 &
d
u
d
&
mc
u
mc
G u
e+
7 &
d
u
d
&
mc
u
mc
G u
e
7 +&
d
u
d
'N. 2(
O0
En aplicaiile practice este de dorit ca amplificarea diferenial s fie c%t mai mare iar cea de
mod comun c%t mai mic ideal chiar nul. Evident acest lucru nu se poate realiza la un
amplificator diferenial real la care amplificarea de mod comun este su$unitar dar nu nul.
&$aterea amplificatorului diferenial real de la situaia ideal este caracterizat de #$ctorul de
re3ec"ie $ %odului co%un notat cu CC??
1
/
CCC? 7
e
E
e
e E
mc
d
r
?
r +
r ? +
&
&
'N. 2(
Cu c%t CC?? este mai mare cu at%t
amplificatorul diferenial real se apropie mai mult de
cel ideal. Pentru a crete CC?? tre$uie s creasc
foarte mult ?
E
fapt ce necesit o tensiune de
alimentare mare ceea ce face ca valoarea lui ?
E
s fie
limitat. Creterea CC?? peste limita impus de
valoarea lui ?
E
se poate face prin utilizarea unor
elemente active cum este !eneratorul de curent
constant cu tranzistor montat "n circuitul de emitor ca
"n fi!ura N.12 prin care valoarea factorului de re@ecie
a modului comun este su$stanial crescut.
En !eneral la amplificatorul diferenial semnalul de intrare de mod comun poate varia "n
limite lar!i "n schim$ pentru a avea distorsiuni reduse la ieire semnalul diferenial tre$uie s fie
mic de o$icei de ordinul zecilor de m6.
Amplificatoare operaionale
Descriere5 6unc&ion!re
&mplificatorul operaional ) a crui denumire vine de la faptul c poate efectua diferite
operaii matematice de unde au aprut i primele aplicaii ) este
alctuit "n principiu dintr)un eta@ diferenial urmat de un eta@ de
amplificare "n prezent el fiind realizat su$ form inte!rat ca un
dispozitiv electronic de sine stttor av%nd caliti deose$ite cum
sunt impedana de intrare foarte mare deriv a tensiunii
ne!li@a$il impedan de ieire foarte mic amplificare foarte
mare.
6om studia "n cele ce urmeaz amplificatorul operaional
ideal care este un amplificator prevzut cu dou intrri 'intrarea
neinversoare :M: i intrarea inversoare :: aa cum se vede "n
fi!ura N.11( i care are urmtoarele proprieti/
dac la intrri se aplic semnalele u
iM
i u
i
la ieire se o$ine semnalul
u
e
7

2
&
lim
&
2
'u
iM
u
i
( 'N. 2(
dac u
e
7 2 atunci u
iM
7 u
i
impedana de ieire este nul
amplificarea &
2
este constant "n toat $anda de frecvene i &
2

impedana de intrare este infinit
CC?? este infinit
timpii de tranziie sunt nuli.
En mod o$inuit amplificatoarele operaionale reale funcioneaz cu reacie ne!ativ ceea ce
reduce amplificarea dar "n acelai timp duce la creterea sta$ilitii a $enzii de frecvene i a
imunitii fa de semnale parazite.
1
4otaia CC?? vine de la denumirea "n lim$a en!lez/ :Common)Code ?e@ection ?atio:
OF
E#ist trei moduri de utilizare a amplificatorului operaional '&-(/ ca amplificator
neinversor amplificator inversor sau amplificator diferenial schemele respective fiind prezentate
"n fi!ura N.1+.
1. En cazul amplificatorului neinversor 'fi!ura N.1+.a( tensiunea de intrare se aplic la intrarea
neinversoare 'u
i
7 u
iM
( i reacia ne!ativ se realizeaz pe intrarea inversoare la care avem
tensiunea/ u
i
7 u
e
+ 1
1
5 5
5
+
. Cum u
e
este dat de relaia 'N.0O( dup efectuarea calculelor
rezult/
u
e
7 u
i

,
_
+
1
+
5
5
1
'N. 2(
Funcia de transfer este dat de
raportul u
e
<u
i
care dac impedanele
sunt pur rezistive reprezint
amplificarea "n $ucl "nchis/
&
neinv
7
1
+
?
?
1+
'N. 2(
Se constat c semnalul la ieirea
amplificatorului neinversor este
proporional cu cel de la intrare i "n
faz cu acesta.
+. En cazul amplificatorului
inversor 'fi!ura N.1+.$(
consider%nd impedana de intrare infinit rezult c i
i
2 i deci i
1
7 i
+
. Pe de alt parte
i
1
7 i
i
7
1
i
5
u
G i
+
7
+
e
5
u
de unde
u
e
7 u
i
1
+
5
5
'N. 2(
Funcia de transfer dat de raportul u
e
<u
i
este deci e!al cu 5
+
<5
1
i "n cazul c%nd
impedanele sunt pur rezistive coincide cu amplificarea "n $ucl "nchis pentru amplificatorul
inversor/
&
inv
7
1
+
?
?
'N. 2(
Dup cum se poate constata semnalul la ieirea amplificatorului inversor este proporional cu
cel de la intrarea lui dar defazat fa de acesta cu 1;2
2
.
0. Pentru amplificatorul diferenial 'fi!ura N.1+.c( se poate scrie/
i
i
7 i
1
Mi
+
i
2 i
5
u u
5
u e
i
+
i e
1
i 1

. Pun%nd condiiile/ i
i
7 i
iM
7 2 i u
d
7 2 rezult/ u
e
7 u
i
,
_
+
1
+
5
5
1
7

e
1
1
+
5
5
. Pe de alt parte u
iM
7 i
iM
5
F
7
F 0
F +
5 5
5 e
+
7 u
i
. &tunci
u
e
7 e
+
1
+
1
F 0
F
1
+
5
5
e
5 5
5
5
5
1
+
,
_
+
'N. 2(
&le!%nd impedanele astfel "nc%t
F
0
+
1
5
5
5
5
se o$ine/
u
e
7
( )
1
+
1 +
?
?
e e
'N. 2(
OH
Funcia de transfer este "n acest caz e!al cu raportul impedanelor 5
+
<5
1
i dac acestea
sunt pur rezistive ea este e!al cu amplificarea "n $ucl "nchis/
&
dif
7
1
+
?
?
'N. 2(
A%#ic!&ii !#e !m%#i6ic!to!re#or o%er!&ion!#e
Pe $aza rezultatelor o$inute la analiza funcionrii amplificatorului operaional ca
amplificator neinversor inversor sau diferenial rezult i o prim serie de aplicaii ale acestuia
utiliz%nd schemele corespunztoare conform fi!urii N.1+. En afar de aceste operaii amplificatorul
operaional poate efectua i altele dup cum urmeaz/
1. SUCATOR INVERSOR I NEINVERSOR
&plic%nd la intrarea unui
amplificator operaional montat
ca amplificator neinversor
'fi!ura N.10.a( respectiv
inversor 'fi!ura N.10.$( mai
multe tensiuni la ieirea
acestuia se o$ine o tensiune ce
poate fi calculat astfel/
a( pentru
amplificatorul
neinversor la
intrarea neinversoare
se poate scrie/
i
1
M i
+
M...M i
n
7 i
iM
7 2 unde i
P
7
P
i P
?
u e
+
P 7 1 + ... n .
Dac ?
1
7 ?
+
7 ... 7 ?
n
7 ? atunci e
1
M e
+
M...M e
n
7 n u
iM
.
Dar u
iM
7 u
i
7
$ S
e
S
? ?
u
?
+
. Pun%nd condiia/ ?
a
M ?
$
7 n ?
a
se o$ine/
u
e
7
n
1 P
P
e
'N. 2(
$( pentru amplificatorul inversor la intrarea inversoare se poate scrie/
i
1
M i
+
M...M i
n
M i
r
7 i
i
7 2 . Dar i
r
7
?
u
e
i
P
7
P
P
?
e
P 7 1 + ... n
De aici rezult/
?
u
?
e
e
n
1 P P
P

. Pun%nd condiia ?
1
7 ?
+
7 ... 7 ?
n
7 ? rezult/
u
e
7

n
1 P
P
e
'N. 2(
ON
+. SU1STRACTOR
Circuitul su$stractor este un circuit care efectueaz operaia de scdere a dou tensiuni. El se
poate realiza pornind de la circuitul amplificator diferenial 'fi!ura N.1+.c( la care "n plus se pune
condiia/ ?
1
7 ?
+
. En acest caz din relaia 'N.F0( se o$ine/
u
e
7 e
1
e
+
'N. 2(
0. CULTIPLICATOR I DECULTIPLICATOR
Circuitul multiplicator 'demultiplicator( este un circuit ce realizeaz operaia de "nmulire
'"mprire( a valorii unei tensiuni cu o valoare constant. El se poate realiza pornind de la circuitul
amplificator inversor 'fi!ura N.1+.$( la care "n plus se pune condiia/ ?
+
7 P ?
1
. En acest caz din
relaia 'N.F2( se o$ine/
u
e
7 P u
i
'N. 2(
Dup cum constanta P este supraunitar respectiv su$unitar se realizeaz operaia de
"nmulire cu P respectiv de "mprire cu 1<P. Un caz particular este cel la care P 7 1 c%nd se o$ine
circuitul repetor la care u
e
7 u
i
.
F. INTEBRATOR
Circuitul inte!rator este un circuit ce realizeaz operaia de inte!rare a valorilor unei tensiuni
aplicate la intrare pe un interval de timp schema acestui circuit
prezentat "n fi!ura N.1F fiind realizat plec%nd de la circuitul
amplificator inversor. Entruc%t u
iM
7 u
i
la intrarea inversoare
avem/ i
1
7 i
+
7 i
C
. Dar i
C
7 C
dt
du
C
. &tunci u
C
7

dt i
C
1
C
. Cum
u
C
7 u
e
rezult u
e
7

t
2
i
t
2
i
dt u
?C
1
dt i
C
1
. &le!%nd valorile lui ?
i C astfel "nc%t ?C 7 1 se o$ine/
u
e
7

t
2
i
dt u
'N. 2(
H. DERIVATOR
Circuitul derivator este un circuit ce realizeaz operaia de derivare a unei tensiuni aplicate la
intrarea circuitului schema acestuia prezentat "n fi!ura N.1H fiind realizat plec%nd de la circuitul
amplificator inversor. Entruc%t u
iM
7 u
i
tensiunea la $ornele condensatorului este chiar u
i
. &tunci
putem scrie/ . Pe de alt parte u
e
7 ? i
C
. Din aceste dou relaii se o$ine/ u
e
7 ?C
dt
du
i
.
&le!%nd ? i C astfel ca ?C 7 1 avem/
u
e
7
dt
du
i
'N. 2(
En afara acestor aplicaii amplificatoarele operaionale sunt folosite
i "n alte circuite cum sunt/ filtre active comparatoare limitatoare
circuite de msurare etc.
- ultim precizare se impune a fi fcut/ "n toate discuiile de p%n
acum s)a lucrat "n condiiile unui amplificator operaional ideal.
&mplificatoarele operaionale reale au proprieti care se a$at de la cele
ale unui amplificator operaional ideal ceea ce face ca "n aplicaiile reale s apar unele aspecte
suplimentare de care tre$uie s se in seama. &stfel un amplificator operaional real nu este
niciodat echili$rat perfect ceea ce face ca atunci c%nd la intrri se aplic tensiuni e!ale la ieire
tensiunea s nu fie nul. Pentru a o$ine la ieire o tensiune nul la intrare tre$uie aplicat o
tensiune diferenial numit ten+iune de o#+et cu valori uzuale de ordinul a c%iva m6. Evident
acest lucru determin i un curent "n circuitul de intrare numit curent de o#+et.
OO
C&P,*-.U. 6,,
0ENEATOAE DE SEMNAL
Circuitele electronice care "n funcionarea lor !enereaz un anumit semnal se numesc
*ener$to$re de +e%n$l i dup cum este produs acesta ele sunt de dou tipuri/ o+cil$to$re i
*ener$to$re co%$nd$te.
.scilatoare
(!r!metri5 c#!si6ic!re
-scilatoarele reprezint circuite electronice neliniare care !enereaz semnale electrice
'oscilaii electrice "ntreinute( cu o frecven caracteristic utiliz%nd "n acest scop ener!ia electric
furnizat de o surs de alimentare.
Principalii parametri ce caracterizeaz un oscilator sunt/
{ forma semnalului !eneratG
{ frecvena'domeniul de frecvene( semnalului !eneratG
{ amplitudinea semnalului !eneratG
{ impedana de ieire a sursei echivalenteG
{ impedana de sarcin pe care oscilatorul de$iteaz semnalulG
{ sta$ilitatea "n frecven a semnalului !eneratG
{ sta$ilitatea "n amplitudine a semnalului !eneratG
{ coeficientul de distorsiuni al semnalului !eneratG
{ tensiunea i curentul de alimentareG
{ randamentul de utilizare a ener!iei sursei de alimentare.
Clasificarea oscilatoarelor se poate face dup mai multe criterii/
1. du( #or%$ +e%n$lului *ener$t/
{ oscilatoare sinusoidaleG
{ oscilatoare nesinusoidale.
+. du( #recven"$ &do%eniul de #recven"e) +e%n$lului *ener$t/
{ oscilatoare de @oas 'audio( frecven 'WF &F(G
{ oscilatoare de "nalt 'radio( frecven 'EF ?F(G
{ oscilatoare de foarte "nalt frecven 'U,F F,F(.
5, du( rinciiul de #unc"ion$re
{ oscilatoare cu reacieG
{ oscilatoare cu reacie ne!ativ.
8, du( tiul re"elei de re$c"ie
{ oscilatoare ?CG
{ oscilatoare .CG
{ oscilatoare cu cuar etc.
?, du( tiul ele%entelor nelini$re #olo+ite
{ oscilatoare cu tu$uri electroniceG
{ oscilatoare cu tranzistoareG
{ oscilatoare cu circuite inte!rate etc.
Osci#!to!re cu re!c&ie
S analizm schema din fi!ura O.1 ce reprezint un amplificator cu reacie pozitiv
asi!urat prin circuitul de reacie cu funcia de transfer . &mplificarea proprie a amplificatorului
este &
2
7
u
u
2
. En prezena reaciei amplificarea este/
O;
& 7
2
2
i
2
& 1
&
u
u

'O. 2(
Dac u
i
7 2 se poate o$ine semnal diferit de zero la ieirea circuitului dac/
&
2
7 1 'O. 2(
?elaia 'O.+( este cunoscut su$ numele de condi"i$ 1$r@0$u+en de "ntreinere a oscilaiilor.
Uin%nd cont c factorul de transfer 'de reacie( ca i amplificarea sunt mrimi comple#e relaia
'O.+( se poate scrie &
2
7( )( )
&
i
2
i
e & e

7 1 ceea ce implic/
&
2
7 1 &G.+T)
i
( )
&
i
e
+
7 1de unde
+
&
7 +P. Pentru P 7 2 rezult/
+
&
7 2 &G.+TT)
?elaiile 'O.+T( i 'O.+TT( arat c pentru amorsarea i "ntreinerea oscilaiilor este necesar ca
factorul de reacie al reelei de reacie s fie e!al "n modul cu inversul modulului amplificrii
proprii a amplificatorului i defaza@ul introdus de reeaua de reacie la semnalul readus la intrare s
fie astfel "nc%t acest semnal s fie "n faz cu semnalul de
intrare.
Confi!uraia !eneral a unui oscilator cu reacie este dat
"n fi!ura O.+. ?eeaua de reacie format de impedanele 5
1
5
+
5
0
tre$uie s asi!ure o inversare de faz la frecvena
de lucru "ntruc%t dup cum s)a vzut la ieirea
amplificatorului cu tranzistor semnalul este defazat cu fa
de cel de intrare. ,mpedana de sarcin a monta@ului este/ 5
S
7
( )
0 + 1
0 + +
5 5 5
5 5 5
+ +
+
. &mplificarea
monta@ului este/ & 7
11
+1
h
h
5
S
7 S 5
S
77 S 5
+
0 + 1
0 1
5 5 5
5 5
+ +
+
. Factorul de reacie are e#presia/
7
0 1
1
CE
BE
5 5
5
u
u
+
. &tunci din condiia BarPhausen

rezult/ S
0 + 1
+ 1
5 5 5
5 5
+ +
7 1 sau/
5
1
M 5
+
M 5
0
M 5
1
5
+
S 7 2 'O. 2(
?elaia 'O.0( reprezint condiia de oscilaie a
monta@ului din fi!ura O.+. Consider%nd impedanele 5
1
i 5
+
pur reactive i de aceeai natur din 'O.0( rezult
relaiile/
S 7
+ 1
0
h h
?
&G.0T)
h
1
M h
+
M h
0
7 2 &G.0TT)
Din relaia 'O.0T( rezult c panta S a tranzistorului tre$uie s ai$ o valoare minim dat de
relaia respectiv iar din 'O.0TT( c 5
0
este de natur opus celorlalte dou astfel "nc%t oscilatoarele
cu aceast confi!uraie pot fi 'fi!ura O.0(/
{ oscilatoare Colpitts cu 5
1
i 5
+
capacitive i 5
0
inductiv.
{ oscilatoare Dartle9 cu 5
1
i 5
+
inductive i 5
0
capacitiv.
Din relaia 'O.0TT( se poate deduce frecvena de oscilaie a monta@ului. De e#emplu pentru
oscilatorul Colpitts 'fi!ura O.0.$( avem/ h
1
7
1
C i
1
h
+
7
+
C i
1
h
0
7 i. i "nlocuind "n 'O.0TT(
o$inem/
,
_
+ 1
+ 1
2
C C
C C
i
1
de unde
OS
2
7
+ 1
+ 1
C C
C .C
+
'O. 2(
De asemenea pentru oscilatorul Dartle9 'fi!ura
O.0.a( h
1
7 i.
1
h
+
7 i.
+
i h
0
7
C i
1
. Enlocuind "n
aceeai relaie 'O.0TT( se o$ine / i'.
1
M .
+
( M
C i
1
7 2
de unde/
2
7 ( )
+ 1
. . C + 'O. 2(
Din schema de $az din fi!ura O.+ deriv i alte
variante cum sunt oscilatoarele cu cupla@ ma!netic la care "ntre 5
1
i 5
+
care sunt de natur
inductiv se realizeaz un cupla@ mutual.
En mod asemntor se
pot construi oscilatoare
?C la care reeaua de
reacie este alctuit din
rezistoare i
condensatoare. &cestea
sunt utilizate "n mod
special ca oscilatoare de
@oas frecven "ntruc%t
oscilatoarele .C ar
necesita la frecvene
@oase $o$ine cu
inductane mari i deci
cu un !a$arit i consum
de material mare.
-scilatoarele .C se
utilizeaz pentru
!enerarea frecvenelor radio la care reelele de tip ?C ar necesita capaciti de valori foarte mici
!reu sau chiar imposi$il de realizat practic.
Confi!uraiile reelelor ?C pot fi foarte diverse dar fiecare tre$uie s "ndeplineasc condiia
BarPhausen at%t de amplitudine c%t i de faz. Dac la oscilatoarele .C frecvena de oscilaie a
acestora este chiar frecvena de rezonan a circuitului .C la oscilatoarele ?C circuitul de reacie
se comport "n mod selectiv condiia de faz fiind satisfcut numai pentru o anumit frecven
aceasta fiind frecvena de oscilaie a oscilatorului.
En fi!ura O.F sunt prezenta te cele mai des utilizate reele ?C/
?elaiile care caracterizeaz aceste reele sunt urmtoarele/
{ reeaua trece)@os/
7
( ) ( )
+
+ + + + + +
+
+ + +
C ? N C ? C ? H 1
1
+
G
7
( )
+ + +
+ + +
C ? H 1
C ? N ?C
arct!

{ reeaua trece)sus/
7
( ) ( )
+
+ + + + + +
+
+ + +
0 0 0
C ? H C ? C ? N 1
C ?
+
7
( )
+ + +
+ + +
C ? N 1
C ? H ?C
arct!
+
0

{ reeaua Iien/
7
( )
+ + +
+
+ + +
C ? S C ? 1
?C
+
7
+ + +
C ? 1
?C 0
arct!
+
;2
Osci#!to!re cu re$isten&, ne7!ti+,
&cest tip de oscilator folosete pentru !enerarea oscilaiilor un element neliniar a crui
caracteristic static curent)tensiune prezint o re!iune de pant ne!ativ adic o re!iune "n care
rezistena dinamic 'diferenial( este ne!ativ. Cum rezistena static "n re!iunea respectiv este
pozitiv elementul neliniar respectiv a$soar$e ener!ie "n curent continuu !ener%nd ener!ie su$
form de oscilaii. &ceast proprietate de conversie a ener!iei de curent continuu "n ener!ie de
curent alternativ este folosit pentru "ntreinerea oscilaiilor "ntr)un circuit oscilant "n care
pierderea de ener!ie prin disiparea ai pe rezistena proprie este compensat prin ener!ia !enerat de
elementul neliniar.
Elementele neliniare cu rezisten dinamic
ne!ativ sunt de dou tipuri/
{ dispozitive 64?
1
av%nd caracteristica de
tipul celei din fi!ura O.H.a.
{ dispozitive C4?
+
av%nd caracteristica de
tipul celei din fi!ura O.H.$.
Este evident dup modul de control al
fiecruia dintre cele dou tipuri c
dispozitivele 64? se conecteaz "n paralel cu circuitul oscilant iar cele C4? "n serie cu acesta. Ca
dispozitive 64? se pot da ca e#emplu tetroda i
dioda tunel iar ca dispozitiv C4? ) tranzistorul
uni@onciune.
Schemele de principiu ale unui oscilator cu
element cu rezisten ne!ativ sunt prezentate "n
fi!ura O.N.
,ndiferent de tipul oscilatorului o pro$lem
important "n proiectarea i construcia unui astfel
de circuit este cea privind sta$ilitatea frecvenei i a
altor parametri ai semnalului !enerat fa de variaiile de temperatur de tensiune de alimentare de
valoare ale mrimilor ? . C ale circuitului oscilant etc. Pentru o sta$ilitate c%t mai $un se
folosesc metode de compensare 'utiliz%nd termistori( i de protecie prin termostatare. De
asemenea utilizarea cristalelor de cuar 'sau a altor cristale piezoelectrice( permite o$inerea unor
performane deose$ite din punctul de vedere al sta$ilitii semnalului !enerat.
1mpulsuri
,mpulsul este o variaie rapid de tensiune sau curent. Durata unui impuls este foarte scurt
comparativ cu intervalul de succesiune dintre
impulsuri i cu procesele tranzitorii !enerate de
acesta "n circuit.
Principalii parametri ce caracterizeaz
impulsurile 'vezi fi!ura O.O( sunt/
$%litudine$ & dur$t$ t
i
'intervalul de timp
dintre momentele de timp corespunztoare
atin!erii unei valori e!ale cu @umtate din
amplitudine( dur$t$ $u!ei t
p
'intervalul de
timp "ntre sf%ritul unui impuls i "nceputul
celui urmtor( erio$d$ de +ucce+iune *
'intervalul dintre dou impulsuri succesive(
ti%ul de cre9tere t
a
'sau durata frontului
1
Denumirea vine din en!lez/ :6olta!e controlled 4e!ative ?esistor: adic dispozitiv cu rezisten ne!ativ
controlat prin tensiune.
+
Denumirea vine din en!lez/ :Current controlled 4e!ative ?esistor: adic dispozitiv cu rezisten ne!ativ
controlat prin curent.
;1
anterior ) intervalul de timp "n care tensiunea ) sau curentul ) crete de la o zecime din valoarea
amplitudinii la nou zecimi din valoarea acesteia( ti%ul de c(dere t
c
'sau durata frontului
posterior ) intervalul de timp "n care tensiunea ) sau curentul ) scade de la o nou zecimi din
valoarea amplitudinii la o zecime din valoarea acesteia( coe#icientul de u%lere 'raportul dintre
durata i perioada impulsului t
i
<*(.
,mpulsurile pot fi o$inute fie prin formare 'din semnale de alt form cu circuite
specializate( fie prin !enerare 'cu monta@e care !enereaz direct astfel de semnale(.
Circuite de 6orm!re ! im%u#suri#or
En !eneral pentru formarea impulsurilor se
pleac de la semnale periodice de alt form 'de
o$icei sinusoidal( care se aplic la intrarea unui
circuit de formare la ieirea cruia se o$ine
semnalul dorit. Circuitele de formare a impulsurilor
pot fi liniare 'av%nd "n componen elemente
pasive ? . C( sau neliniare 'av%nd "n componen
elemente neliniare(.
Cele mai importante tipuri de circuite de
formare a impulsurilor sunt circuitele de limitare
circuitele de derivare i circuitele de inte!rare.
Pentru e#emplificare s analizm c%teva din
cele mai utilizate circuite dintre care face parte
i circuitul de limitare cu diode prezentat "n
fi!ura O.;.a. Dac la intrarea acestui circuit se
aplic o tensiune sinusoidal la ieire forma
semnalului este cea din fi!ura O.;.$. fapt datorat
proprietii de conducie unilateral a diodelor
din monta@. Se constat c "n acest fel semnalul
o$inut este 'cu o foarte $un apro#imaie( de form dreptun!hiular.
.a circuitul de derivare 'fi!ura O.S.a( prin aplicarea la intrare a unui semnal dreptun!hiular
la ieire se o$ine un semnal de forma celui din fi!ura O.S.$.
.ucrurile se petrec "n felul urmtor/ la
creterea $rusc a tensiunii de intrare u
i
de la
zero la valoarea ma#im tensiunea de ieire u
e

sufer de asemenea un salt $rusc de la zero la
valoarea ma#im dup care scade e#ponenial "n
timp 'rapid dac ?C >> t
i
( lucrurile petrec%ndu)
se la fel dar cu schim$area polaritii semnalului
de ieire la scderea semnalului de intrare de la
valoarea ma#im la zero.
.a circuitul de inte!rare 'fi!ura
O.12.a( aplic%nd un semnal
dreptun!hiular la intrare u
i
din
momentul saltului $rusc al tensiunii
de intrare de la zero la valoarea
ma#im condensatorul se "ncarc
p%n la tensiunea ma#im dup
care din momentul c%nd semnalul
de intrare scade $rusc la zero
semnalul de la ieire scade e#ponenial la zero Dac constanta de timp a circuitului este mult mai
mare dec%t durata impulsului '?C == t
i
( semnalul de ieire are o form apro#imativ triun!hiular
'fi!ura O.12.$(
;+
Ca circuite de limitare neliniare se pot folosi amplificatoarele limitatoare care utilizeaz "n
funcionare re!iunea de saturaie a tranzistoarelor.
Pentru e#emplificare prezentm "n continuare circuitul de limitare cu amplificator
operaional 'fi!ura O.11( a crui caracteristic de transfer 'tensiunea diferenial de ieire u "n
funcie de tensiunea diferenial de intrare u
d
7 u
M
) u
( prezentat 'idealizat( "n fi!ura O.11.$

prezint zone de saturare at%t la tensiuni difereniale de intrare ne!ative c%t i pozitive. &plic%nd la
intrarea amplificatorului operaional o tensiune sinusoidal cu amplitudine de ordinul a 16 acesta
itaiej sinusoida realiz%nd acelai efect ca circuitul de limitare cu diode.
Circuite "!scu#!nte
Circuitele $asculante sunt circuite electronice de !enerare a impulsurilor
1
caracterizate prin
dou sau mai multe stri cvasista$ile 'de acumulare( trecerea
de la o stare la alta '$ascularea( fc%ndu)se foarte rapid curenii
i tensiunile din circuit av%nd i ei variaii foarte rapide.
Circuitele $asculante sunt de fapt amplificatoare cu
reacie pozitiv i dup numrul strilor sta$ile pe care le au
sunt de trei feluri/ circuite $ista$ile circuite monosta$ile i
circuite asta$ile. Pentru "nele!erea funcionrii lor s urmrim
schema !eneral prezentat "n fi!ura O.1+ alctuit din dou
eta@e de amplificare cuplate "ntre ele prin impedanele 5
1
i 5
+

care asi!ur astfel $ucla de reacie pozitiv. .a conectarea
sursei de alimentare datorit imperfeciunilor simetriei
monta@ului unul din cei doi tranzistori primete pe $az un impuls ne!ativ 'de e#emplu *
+
( acesta
se va deschide parial tensiunea ne!ativ din colectorul su va scdea ceea ce echivaleaz cu
producerea unui impuls pozitiv transmis $azei tranzistorului *
1
prin 5
+
G "n acest fel tranzistorul *
1
se $locheaz curentul su de colector scz%nd ceea ce duce la creterea tensiunii ne!ative pe
colector aceast tensiune transmi%ndu)se tranzistorului *
+
i aa mai departe astfel "nc%t "ntr)un
timp foarte scurt *
+
este complet deschis i *
1
complet "nchis. En funcie de natura impedanelor 5
1
i 5
+
se o$in cele trei tipuri de circuite $asculante.
1. Circuitul '$+cul$nt 'i+t$'il
Circuitul $asculant $ista$il 'CBB( a crui schem este cea din fi!ura O.10 prezint dou
stri sta$ile e!al posi$ile. Funcionarea circuitului poate fi descris pe $aza celor discutate mai sus.
.a conectarea tensiunii de alimentare unul din cei doi tranzistori trece "n stare de conducie 'la
saturaie( cellalt fiind $locat starea menin%ndu)se un timp
nelimitat dac condiiile se menin aceleai deci starea este sta$il.
Dac pe $aza tranzistorului aflat "n stare de conducie se aplic un
puls de tensiune ne!ativ circuitul $asculeaz rapid "ntr)o stare
complementar "n care tranzistorul aflat iniial la saturaie se
$locheaz iar cellalt trece "n stare de conducie stare de asemenea
sta$il din care circuitul poate $ascula "n cealalt stare prin
aplicarea unui nou impuls ne!ativ pe $aza tranzistorului aflat "n
stare de conducie. En colectorul fiecruia din cei doi tranzistori se
o$in semnale dreptun!hiulare de polariti opuse av%nd durata
e!al cu intervalul dintre dou impulsuri succesive de comand a
$asculrii aplicate pe $azele tranzistoarelor. Pentru o $asculare mai
rapid "n paralel cu rezistoarele ?
0
i ?
F
se poate monta c%te un
condensator care asi!ur astfel o form c%t mai apropiat de cea ideal dreptun!hiular a
semnalelor. Dup modul de comand a $asculrii se pot reliza mai multe variante constructive aa
cum se va vedea "n capitolul urmtor.
1
&ceasta este doar una din aplicaii e#ist%nd "ns i altele aa cum se va vedea ulterior
;0
+. Circuitul '$+cul$nt %ono+t$'il
Schema circuitului $asculant monosta$il 'CBC( este
prezentat "n fi!ura O.1F. ea deriv%nd din cea a circuitului $ista$il
la care ?
F
din fi!ura O.10 se "nlocuiete cu un condensator. .a
aplicarea tensiunii de alimentare prin fenomenele tranzitorii
descrise anterior se a@un!e "n starea sta$il "n care *
1
conduce iar
*
+
este $locat. &plic%nd un impuls ne!ativ pe $aza lui *
+
acesta
este adus "n stare de conducie iar *
1
se $locheaz. &ceast stare
este "ns insta$il deoarece condensatorul C "ncepe s se "ncarce
tensiunea pe $aza lui *
1
"ncepe s creasc cu polaritate ne!ativ i
circuitul $asculeaz "n starea sta$il "n care *
1
conduce i *
+
este
$locat. *impul de revenire din starea insta$il "n cea sta$il este
determinat de constanta de timp de "ncrcare a !ruprii
condensatorului.
0. Circuitul '$+cul$nt $+t$'il
Schema circuitului $asculant asta$il 'CB&( este cea din fi!ura O.1H i din analiza ei se vede
c se poate considera c deriv din schema circuitului $asculant
$ista$il prin "nlocuirea rezistoarelor ?
0
i ?
F
din fi!ura O.10 cu
condensatoare. Dac la momentul iniial *
1
conduce i *
+
este
$locat C
1
"ncepe s se "ncarce prin ?
+
"n final asi!ur%nd o
tensiune ne!ativ pe $aza lui *
+
care duce la trecerea acestuia "n
stare de conducie circuitul $ascul%nd "n starea "n care *
1
este
$locat i *
+
conduce. En aceast stare circuitul rm%ne p%n la
"ncrcarea lui C
+
c%nd circuitul comut din nou lucrurile
repet%ndu)se astfel la infinit circuitul neav%nd nici o stare sta$il.
S facem acum i o analiz cantitativ a proceselor din acest
circuit. Pentru aceasta considerm momentul t
o
ca fiind momentul c%nd *
+
tocmai a trecut "n stare
de conducie. 6
CE1
crete $rusc de la )E la 2 i acest salt pozitiv de tensiune este transmis prin C
1
la
$aza lui *
+
6
BE+
cresc%nd $rusc de la 2 la ME ceea ce duce la $locarea ferm a lui *
+
.
Condensatorul C
+
cu tensiunea iniial zero se "ncarc
e#ponenial 'constanta de timp fiind ?
F
C
+
( la tensiunea
)E prin ?
F
. 6
CE+
"n acelai timp a@un!e de la 2 la E
C
1
la r%ndul su descrc%ndu)se de la tensiunea iniial
ME 'plusul pe $aza lui *
+
( la 2 i "ncrc%ndu)se apoi cu
polaritate schim$at prin ?
+
'constanta de timp fiind
?
+
C
1
(. C%nd la momentul t
1
6
BE+
trece prin valoarea 2
spre valori ne!ative *
+
trece "n stare de conducieG *
1
primete "n $az un puls de tensiune cu valoarea ME
$loc%ndu)se deci circuitul $asculeaz "n noua stare "n
care va rm%ne un timp scurt determinat de constanta
de timp ?
0
C
+
. Curentul de "ncrcare a lui C
1
prin ?
+
este
i 7
( ) [ ]
0
C ?
t t
?
e E E
1 +
2 1

. .a t
1
c%nd 6
BE+
7 2 cderea de
tensiune pe ?
+
este/ E 7 i?
+
7 +E
1 +
2 1
C ?
t t
e

. De aici
rezult t
1
t
2
7 ?
+
C
1
ln+ i analo! t
+
t
1
7 ?
0
C
+
ln+. Deci perioada semnalelor ce se o$in la
colectoarele celor doi tranzistori de aceeai form dar "n opoziie de faz este/
* 7 '?
+
C
1
M ?
0
C
+
( ln+ 7 2NS0 '?
+
C
1
M ?
0
C
+
( 'O. 2(
Forma semnalelor !enerate de circuitul $asculant asta$il numit i multivi$rator este cea din
fi!ura O.1N.
F. Circuitul '$+cul$nt Sc0%itt
;F
Schema acestui circuit este cea din fi!ura O.1O din care rezult c el este un circuit asimetric
cupla@ul "ntre eta@e realiz%ndu)se prin rezistena comun de emitor ?
N
care introduce o reacie
pozitiv ca urmare a creia starea circuitului depinde de tensiunea aplicat pe $aza tranzistorului
*
1
. S considerm c "n starea iniial *
1
este $locat i *
+
"n stare de conducie la saturaie. &ceast
stare se pstreaz at%t timp c%t potenialul pe $aza lui *
1
rm%ne mai mare dec%t cel al emitorului.
Dac acesta scade su$ potenialul emitorului *
1
"ncepe s
conduc pe colectorul acestuia apare un puls pozitiv de
tensiune care se transmite la $aza lui *
+
$loc%ndu)l.
?ezult deci c circuitul $asculant Schmitt este un circuit cu
dou stri sta$ile care pot fi comutate prin aplicarea la
intrare a unei tensiuni cu variaia continu care tre$uie s
depeasc un pra! critic.
De remarcat faptul c circuitul Schmitt prezint o
comportare cu caracter de histerezis tensiunea de pra! de
comutare invers fiind "n !eneral diferit de cea de
comutare direct.
Forma de variaie a tensiunii de comutaie poate fi
oarecare. Caracteristicile specifice ale acestui circuit fac ca el s fie utilizat cu mai multe funcii
dintre care cele mai importante sunt cea de formator de impulsuri dreptun!hiulare din semnale
sinusoidale cea de memorator de impulsuri aplicate la intrare i cea de discriminator de
amplitudine a unor impulsuri.
En afara circuitelor prezentate aici mai sunt i altele multe din acestea fa$ric%ndu)se "n
prezent su$ form inte!rat cu caracteristici specifice tipului de aplicaie "n care sunt folosite.
;H
C&P,*-.U. 6,,,
CICUITE LO0ICE
-lemente de algebr boolean
&l!e$ra $oolean
1
numit i al!e$ra lo!icii $inare opereaz cu varia$ile care pot avea
numai dou valori numerice 2 i 1 crora le
corespund valorile lo!ice NU FALS NICIC
respectiv DA ADEVRAT TOT.
Funciile lo!ice de $az sunt urmtoarele/
/, ne*$"i$ sau co%le%entul lo*ic sau
funcia lo!ic NU &NOT) face ca unei
varia$ile $inare # s "i corespund
varia$ila $inar # cu proprietatea/
# # 7 1 ';. 2(
*a$ela de adevr a acestei funcii este/
#
#
2 1
1 2
4, inter+ec"i$ sau rodu+ul lo*ic sau funcia lo!ic I &AND) a crei ta$el de adevr este
urmtoarea/
# 9 # 9
2 1 2
1 2 2
2 2 2
1 1 1
5, reuniune$ sau +u%$ lo*ic( sau funcia lo!ic SAU &OR) a crei ta$el de adevr este
urmtoarea/
# 9 # 9
2 2 2
1 2 1
2 1 1
1 1 1
&ceste funcii lo!ice au urmtoarele proprieti/
1( # 9 z 7 '# 9( z 7 # '9 z( ';. 2(
+( # '9 z( 7 '# 9( '# z( ';. 2(
0(
#
7 # ';. 2(
F( z 9 # z 9 # ';. 2(
H(
z 9 # z 9 #
';. 2(
Ultimele dou relaii sunt cunoscute su$ numele de teoremele
lui de Morgan.
Cai pot fi demonstrate i relaiile/
# # # . . . 7 # ';.
2(
# # # . . . 7 # ';.
2(
# # 7 2 ';.
2(
# 2 7 # 'elementul neutru fa de sum( ';. 2(
# 1 7 # 'elementul neutru fa de produs( ';. 2(
# '# 9( 7 # ';. 2(
1
&l!e$ra $oolean a fost ela$orat de matematicianul en!lez Boole "n secolul trecutG ea a fost folosit "n
tehnica de calcul pentru prima dat de ctre Shannon "n 1S0;.
;N
# ' # 9( 7 # 9 ';. 2(
Pentru reprezentarea !rafic a funciilor lo!ice de $az se utilizeaz sim$olurile !rafice
'lo!i!ramele( din fi!ura ;.1.
Folosind funciile lo!ice de $az se pot defini i alte
funcii au#iliare/
1. funcia lo!ic NICI &SAU-NU 4OR) are sim$olul !rafic
i ta$ela de adevr prezentate "n fi!ura ;.+ 'se folosete
relaia ;.H(
+. funcia lo!ic I-NU &NAND) are sim$olul !rafic i
ta$ela de adevr prezentate "n fi!ura ;.0 'se folosete
relaia ;.N(
0. funcia lo!ic SAU-EHCLUSIV &HOR) sau adunarea modulo doi are sim$olul !rafic i
ta$ela de adevr prezentate "n fi!ura ;.F.
Funcia S&U)EhC.US,6 se definete astfel/
# 9 7 '# y( 'x 9( ';. 2(
F. funcia lo!ic COINCIDENI &SAU-EHCLUSIV-NU)
are sim$olul !rafic i ta$ela de adevr prezentate "n fi!ura
;.H i este definit prin relaia/
( ) ( ) ( ) ( ) 9 # 9 # 9 # 9 # 9 # ';. 2(
En discuiile de p%n acum s)au considerat funcii lo!ice
realizate cu numai dou varia$ile $inare # i 9. En !eneral "n
practic se "nt%lnesc funcii realizate cu mai multe varia$ile lo!ice
caz "n care funcia respectiv se poate e#prima prin aa)numiii termeni P i S. *ermenii produs 'P(
reprezint o funcie care ia valoarea lo!ic 1 pentru
o sin!ur com$inaie de valori ale varia$ilelor
scriindu)se ca produs al tuturor varia$ilelor
'fiecare din acestea put%nd fi ne!at sau nene!at(G
termenii sum 'S( reprezint o funcie care ia
valoarea lo!ic 2 pentru o sin!ur com$inaie de
valori ale varia$ilelor scriindu)se ca o sum a
tuturor varia$ilelor 'fiecare din acestea put%nd fi
ne!at sau nene!at(.
E#primarea funciilor lo!ice de mai multe
varia$ile se face su$ forma unei sume lo!ice de
termeni P sau a unui produs de termeni S aceste forme numindu)se #or%e c$nonice.
S considerm urmtorul e#emplu/ se d funcia de trei varia$ile # 9 z a crei ta$el de
adevr este dat mai @os. Scrierea "n form
canonic cu termeni P sau S a funciei f'# 9 z( se
face astfel/ pentru scrierea cu termeni P se iau
acele com$inaii de varia$ile pentru care funcia ia
valoarea 1 com$inaiile fiind produse ale tuturor
varia$ilelor ne!ate dac au valoarea 2 i respectiv
nene!ate dac au valoarea 1G pentru scrierea cu
termeni S se iau acele com$inaii de varia$ile
pentru care funcia ia valoarea 2 com$inaiile fiind
suma tuturor varia$ilelor ne!ate dac au valoarea
1 respectiv nene!ate dac au valoarea 2.
# 9 z f'# 9 z(
2 2 2 1
2 2 1 2
2 1 2 2
1 2 2 2
;O
2 1 1 1
1 1 2 2
1 2 1 1
1 1 1 1
&stfel pentru funcia a crei ta$el de adevr este cea de mai sus formele canonice cu
termeni P i S sunt/
f
P
7 ' # 9 z ( ' # 9 z( '# 9 z( '# 9 z(
f
S
7 ' #
9
z ( ' # 9 z( '#
9
z( '# 9 z (
Scrierea funciei su$ form canonic permite implementarea ei "ntr)o schem lo!ic. Pentru
funcia de mai sus schema lo!ic este cea din fi!ura ;.N.a 'cu termeni P( respectiv ;.N.$ 'cu
termeni S(.
Dup cum se vede schemele
lo!ice rezultate sunt destul de
complicateG pentru simplificarea lor
se poate face %ini%i!$re$ funciei
pe $aza relaiilor ';.0( ';.H( ';.N( i
';.1+(. Dac numrul varia$ilelor nu
este prea mare se poate folosi
minimizarea prin metoda dia!ramelor
8arnau!h aceste fiind matrice cu +
n
csue 'n fiind numrul varia$ilelor(
fiecare csu corespunz%nd unei
anume com$inaii de valori ale
varia$ilelor i av%nd "nscris "n ea
valoarea com$inaiei respective.
?ezult c fiecrei csue "i corespunde un termen P sau S 'dup cum a fost e#primat funcia(.
Pentru funcia de mai sus dia!rama 8arnau!h este cea de mai sus.
Pentru minimizarea funciei se procedeaz astfel/ se !rupeaz
c%mpurile adiacente av%nd valoarea 1 "n dreptun!hiuri sau ptrate cu
laturile e!ale cu una dou sau patru csue urmrindu)se ca toate
c%mpurile cu valoarea 1 s fie cuprinse "n cel puin o !rupare iar
!ruprile s ai$ suprafaa ma#im. Funcia lo!ic minimizat se o$ine
prin "nsumarea termenilor corespunztori !rupurilor realizate.
Conform acestei metode
funcia luat ca e#emplu se poate scrie su$ forma
minimizat astfel/
f 7 ' # 9 z ( '# 9 z( '9 z( 7
' #
9
z ( ' # 9 z( '# z( 7
7 ' # 9 z ( '# 9( z
Schema lo!ic prin care se implementeaz funcia
minimizat astfel o$inut este reprezentat "n fi!ura ;.O.
Pentru funcii de dou varia$ile dia!rama 8arnau!h
are dimensiunea + k + pentru patru varia$ile F k F iar pentru cinci varia$ile se construiesc dou
dia!rame cu dimensiunea F k F pentru patru din cele cinci varia$ile fiecare corespunz%nd uneia din
cele dou stri ale celei de)a cincea varia$ile.
Circuite logice cu
dispoziti$e
semiconductoare
Dup modul de realizare a
lor circuitele lo!ice cu
componente semiconductoare sunt
de mai multe feluri/ circuite lo!ice
;;
cu rezistene i diode '?D.( circuite lo!ice cu rezistene i tranzistori '?*.( circuite lo!ice cu
diode i tranzistori 'D*.( circuite lo!ice cu tranzistori '**.(.
Dintre acestea nu vom descrie aici dec%t ultima cate!orie av%nd "n vedere c at%t din punct
de vedere al performanelor c%t i din punct de vedere al tehnolo!iei de fa$ricaie acestea sunt cu
mult superioare celorlalte motiv pentru care primele cate!orii nici nu se mai folosesc "n practic.
,ndiferent de tipul lor circuitele lo!ice funcioneaz "n aa fel "nc%t starea lo!ic 2 are asociat
un nivel de tensiune sczut 'potenialul masei care se consider 2( iar starea lo!ic 1 are asociat
nivelul de tensiune ridicat. Dup cum potenialul nivelului lo!ic 1 este pozitiv respectiv ne!ativ
fa de mas spunem c se lucreaz "n lo!ic pozitiv respectiv ne!ativ.
Circuitele lo!ice cu tranzistori se realizeaz pe $aza schemelor din fi!ura ;.;.
Circuitul 4U se $azeaz pe proprietatea tranzistorului de a comuta din starea de conducie "n
cea $locat i invers su$ aciunea unor semnale aplicate pe $az. ,niial "n lo!ica pozitiv aceasta
este polarizat cu o mic tensiune ne!ativ 6
B
ceea ce determin $locarea tranzistorului.
Curentul de colector este deci ,
CB2
foarte mic deci 6
CE
E
C
la ieire o$in%ndu)se nivelul lo!ic 1.
&plic%nd un semnal pozitiv pe $az apare un curent ,
B
ca urmare ,
C
7 ,
B
i 6
CE
7 E
C
,
C
?
C
la
ieire o$in%ndu)se nivelul de tensiune sczut corespunztor nivelului lo!ic 2. En acest fel circuitul
realizeaz funcia lo!ic 4U. Pentru ca nivelul lo!ic sczut s fie practic nul adic 6
CE
2
tre$uie ca ,
C
7 E
C
<?
C
ceea ce "nseamn funcionarea tranzistorului "n re!iunea de saturaie.
Utiliz%nd un tranzistor -n- i schim$%nd polaritatea
tensiunilor "n circuit se o$ine un circuit 4U "n lo!ic
ne!ativ.
En acelai mod se pot analiza i circuitele Y, i S&U din
fi!ura ;.;.$ respectiv ;.;.c realizate tot "n lo!ic pozitiv.
En prezent dezvoltarea tehnolo!iei de fa$ricare a
dispozitivelor semiconductoare a permis realizarea
circuitelor electronice inte!rate astfel "nc%t i "n domeniul
circuitelor lo!ice acestea s)au impus definitiv. Cele mai
avansate tipuri de circuite lo!ice inte!rate sunt circuitele
lo!ice **. realizate cu tranzistori multiemitor $ipolari sau
cu efect de c%mp. Cel mai comun circuit lo!ic inte!rat **. este circuitul Y,)4U numit i poart
elementar cu a@utorul cruia se pot sintetiza toate tipurile de circuite lo!ice. Schema standard a
unui astfel de circuit este prezentat "n fi!ura ;.S. 4ivelul lo!ic de intrare este 2 dac U
i
> 2; 6 i
1 dac U
i
= + 6 iar cel de ieire este 2 dac U
e
> 2; 6 i respectiv 1 dac U
e
= +F 6.
Dac @onciunile "nseriate BC
1
BE
+
i BE
0
sunt deschise potenialul $azei lui *
1
este +1 6
'tensiunea de deschidere a unei @onciuni p)n cu siliciu este apro#imativ 2O 6(. Dac una din cele
dou @onciuni BE
1
este deschis prin aplicarea unui nivel lo!ic 2 'le!are la mas( potenialul $azei
lui *
1
este de ma#im 2O 6. &plic%nd la am$ele intrri un semnal de nivel lo!ic 1 'U
i
= + 6( 6
B
7
+1 6 i ca urmare @onciunea BE
1
este $locat "n timp ce *
+
este saturat iar curentul de colector
al lui *
0
este de asemenea la saturaie lucru asi!urat de *
F
i D
0
ceea ce determin o valoarea a
lui U
e
su$ 2F 6 adic 2 lo!ic. &plic%nd unei intrri o tensiune de nivel lo!ic 2 adic mai mic
dec%t 2; 6 @onciunea BE
1
este polarizat direct i potenialul $azei lui *
1
este de ma#im 1H 6
cele trei @onciuni BC
1
BE
+
i BE
0
rm%n%nd $locate i cum *
F
este meninut "n stare de saturaie
tensiunea la ieire va fi mai mare dec%t +F 6 deci de nivel lo!ic 1 indiferent de nivelul lo!ic
aplicat celeilalte intrri. Se constat deci c circuitul are la ieire nivelul lo!ic 1 dac cel puin una
din intrri este la nivel lo!ic 2 i respectiv nivelul lo!ic 2 dac am$ele intrri sunt la nivel lo!ic 1G
circuitul realizeaz deci funcia lo!ic Y,)4U. Cu acest circuit se pot sintetiza i celelalte circuite
fundamentale aa cum se poate vedea "n fi!ura ;.12.
;S
En !eneral sinteza se poate realiza
folosind formulele lui de Cor!an i
celelalte proprieti ale funciilor lo!ice.
&v%nd realizate funciile lo!ice de $az
'4U S&U Y,( se pot astfel sintetiza orice fel de circuite lo!ice utiliz%nd numai circuite Y,)4U
adic pori elementare **..
Un e#emplu de aplicaie a celor discutate mai sus s lum cazul calculatoarelor electronice
care lucreaz "n sistemul de numeraie $inar pentru aceasta utiliz%ndu)se circuite de adunare a
numerelor $inare conform re!ulilor/
2 M 2 7 2 G 2 M 1 7 1 M 7 7 1 G 1 M 1 7 12.
Se poate vedea c rezultatul
adunrii poate fi un numr $inar format
din dou cifre dintre care cea mai puin
semnificativ 'prima din dreapta( numit
'it-+u%( se poate o$ine cu funcia
lo!ic S&U)EhC.US,6 iar cea mai
semnificativ 'cea din st%n!a( numit
tr$n+ort se poate o$ine cu funcia
lo!ic Y, . Circuitul care rezolv
adunarea $inar a dou cifre $inare
numit +e%i+u%$tor 'reprezentat "n fi!ura ;.11.a( se poate sintetiza cu pori elementare **. ca
"n fi!ura ;.11.$.
Circuite basculante utilizate ca circuite logice
Circuitele lo!ice prezentate "n para!raful anterior numite circuite lo!ice com$inaionale
realizeaz sinteza unor operaii lo!ice. Pentru aceasta este "ns
necesar ca varia$ilele s fie memorate 'temporar sau permanent(
"n circuite lo!ice specializate. Ca circuite de memorie pot fi
utilizate circuitele $asculante $ista$ile care dup modul de
funcionare pot fi asincrone la care tranziiile la ieire urmresc
acelai ritm cu cele de la intrare indiferent de momentul
producerii acestora i sincrone c%nd tranziiile la ieire au loc numai la momente de timp $ine
determinate de un semnal de comand numit tact. Circuitele $asculante mai ales c%nd sunt folosite
"n circuite de memorie pot fi realizate cu circuite lo!ice de $az care la r%ndul lor se pot sintetiza
cu pori elementare **..
Cel mai simplu $ista$il se poate realiza cu dou pori inversoare ca "n fi!ura ;.1+ el fiind
"ns impropriu pentru utilizarea ca memorie
"ntruc%t el nu poate fi comandat. Pentru a
rezolva aceast pro$lem se poate utiliza
schema din fi!ura ;.10.a cu circuite S&U)
4U sau ;.10$ cu circuite Y,)4U. En fi!ura
;.10.c. este dat ta$ela de adevr pentru
schema cu circuite Y,)4U.
Bista$ilul astfel realizat este un 'i+t$'il R-S
$+incron el comut%nd la orice modificare a
strii la intrare. En echipamentele numerice este "ns nevoie ca diversele operaii s se e#ecute
sincron i pentru aceasta se completeaz schema din
fi!ura ;.10.$ dup cum se arat "n fi!ura ;.1F o$in%ndu)
se un 'i+t$'il R-S +incron 'cu tact(.
S2
Dup cum se poate constata analiz%nd schema de mai sus datorit circuitelor Y, $ascularea
nu este posi$il dec%t dac semnalul se aplic la intrare sincron cu semnalul de tact. Pentru
"nlturarea nedeterminrii aprute la ieirea acestui tip de $ista$il c%nd intrrile sunt la nivel lo!ic 2
'sau 1 la $ista$ilul ?)S fr tact( cele dou intrri pot fi le!ate "ntre ele
prin intermediul unei pori inversoare elimin%ndu)se astfel posi$ilitatea
ca cele dou intrri s se afle la acelai nivel lo!ic "n acelai timp. Se
o$ine "n acest fel un 'i+t$'il l$tc0 D cu o sin!ur intrare de date av%nd
schema din fi!ura ;.1H. .a acest circuit
apare "ns inconvenientul c "n timp ce
linia de tact trece din starea lo!ic 1 "n starea lo!ic 2 poate aprea
o comutare a intrrii de date.
Un alt circuit care elimin nedeterminarea de la circuitul ?)S
este circuitul 'i+t$'il J-F derivat dintr)un circuit ?)S aa cum se
poate vedea "n fi!ura
;.1N. Dac intrrile W i 8 sunt simultan la nivelul
lo!ic 1 i se aplic impulsul de tact ieirea "i
modific starea.
- variant cu o sin!ur intrare de date a $ista$ilului
W)8 este 'i+t$'ilul T prezentat "n fi!ura ;.1O la
care starea la ieire nu se modific dec%t dac
intrarea de date *
d
este anterior aplicrii
impulsului "n starea lo!ic 1 realiz%ndu)se
astfel un ciclu complet la ieire pentru dou
cicluri la intrare deci o divizare cu +.
En practic pentru evitarea comutrii
"ntrrilor de date "n timp ce linia de tact trece
de la nivelul lo!ic 2 la nivelul lo!ic 1 mai "nt%i
se determin starea intrrilor se deconecteaz intrrile i apoi se modific ieirile conform strii
intrrilor. &cest lucru se poate realiza prin cone#iunea :master)slave:
1
sau prin tehnica declanrii
pe front.
Circuitul 'i+t$'il R-S 2%$+ter-
+l$ve2 este reprezentat "n fi!ura ;.1; "n
care este dat i ta$ela de adevr.
Funcionarea lui are loc astfel/ c%nd
intrarea de tact trece din starea lo!ic 2 "n
starea lo!ic 1 porile H i N se $locheaz
deschiz%ndu)se "ns porile 1 i + ceea ce
permite transferul datelor de intrare ctre
primul $ista$il ?)S numit :master: format de porile 0 i F. .a tranziia intrrii de tact din starea
lo!ic 1 "n starea lo!ic 2 mai "nt%i are loc $locarea porilor 1 i + "ntrerup%ndu)se le!tura dintre
intrrile de date i $ista$ilul :master: dup care se deschid porile
H i N ceea ce permite transferul coninutului ieirilor :master:)ului
ctre $ista$ilul ?)S numit :slave: format de porile O i ;.
Separarea complet a ieirilor R i R de intrrile ? i S precum i
comanda i transferul de date pe palierul semnalului de tact fac ca
acest $ista$il s prezinte o mare imunitate la z!omot.
Sin!ura pro$lem rm%ne nedeterminarea pentru ? i S "n
starea lo!ic 1 concomitentG ea se poate rezolva prin introducerea
1
:stp%n)sclav: "n lim$a en!lez.
S1
unei reacii o$in%ndu)se astfel circuitul '$+cul$nt 'i+t$'il J-F 2%$+ter-+l$ve2 care este
prezentat "n fi!ura ;.1S.
En anumite cazuri este necesar ca transferul unor date s se fac "nt%rziat cu un impuls de
tact
1
. En acest scop se utilizeaz circuitul 'i+t$'il D
4
cu acionare pe front. Schema circuitului este
prezentat "n fi!ura ;.+2.
En !eneral circuitele $ista$ile de diferite tipuri realizate su$ form inte!rat sunt prevzute
"n plus cu intrri asincrone de comand prin care se poate aciona direct asupra ieirilor/ intrarea
re+et poziioneaz starea iniial dorit la ieire i intrarea cle$r ter!e datele "nscrise la ieire.
&plicaia lor cea mai important este "n realizarea memoriilor pentru tehnica de calcul aa cum se
va arta "n capitolul urmtor.
Circuite logice sec$eniale
Spre deose$ire de circuitele lo!ice com$inaionale la care mrimile de ieire sunt funcii
numai de mrimile aplicate la intrare circuitele lo!ice secveniale sunt circuite la care mrimile de
ieire depind at%t de cele de intrare c%t i de starea anterioar a sistemului. &cestea pot funciona
sincron c%nd tranziiile se produc simultan "n ritmul semnalelor de tact sau asincron tranziiile
produc%ndu)se "n acest caz la momente de timp diferite.
Re*i+tre
&cestea sunt circuite ce permit "nscrierea 'memorarea( unor informaii 'valori lo!ice( i
transferarea la cerere a acestora. En funcie de modul de introducere i citire a datelor 'simultan "n
toate celulele re!istrului sau succesiv poziie cu poziie( re!istrele pot fi/
) cu scriere paralel 'scrierea se face simultan "n toate celulele( sau serie 'scrierea se face
succesiv fiind comandat prin impulsurile de tact c%te unul pentru fiecare cifr $inar ) $it(G
) cu citire paralel sau serie .
Prin com$inarea acestor moduri de citire i scriere se pot o$ine re!istre de tip serie)serie
paralel)paralel serie)paralel i paralel)serie. Codul de scriere)citire al acestora este artat "n fi!ura
;.+1.
Pentru construirea re!istrelor se folosesc $ista$ili D. Un e#emplu de re!istru serie)serie cu
patru celule este cel din fi!ura ;.++. Pentru "nscrierea informaiei mai "nt%i la intrarea de reset '?(
se aplic un puls av%nd ca efect trecerea tuturor ieirilor "n starea lo!ic 2 'ter!ere( dup care la
fiecare impuls de tact se aplic concomitent la intrare $iii de informaie.
.a primul impuls de tact dac
primul $it este 2 ieirea R
1
rm%ne 2
dac aceasta este 1 R
1
trece de
asemenea "n 1. .a al doilea impuls de
tact aceast valoare "nscris la ieirea
primului $ista$il va fi transferat la
ieirea celui de)al doilea $ista$il la
ieirea primului fiind acum "nscris
valoarea de la intrare aplicat "n timpul
celui de)al doilea impuls de tact. Dup
aplicarea celui de)al treilea impuls
respectiv a celui de)al patrulea primul $ista$il va conine informaia transmis la intrare "n timpul
celui de)al patrulea impuls de tact al doilea pe cea din timpul celui de)al treilea impuls al treilea
$ista$il pe cea din timpul celui de)al doilea
impuls i al patrulea $ista$il pe cea din timpul
primului impuls. &stfel la fiecare impuls de tact
informaia "nscris "ntr)un $ista$il se deplaseaz
la urmtorul astfel de re!istre numindu)se
re*i+tre de del$+$re.
1
de e#emplu la re!istrele de deplasare
+
D provine de la iniiala cuv%ntului dela9 7 "nt%rziere '"n lim$a en!lez(
S+
1 + . . . . . n
scriere citire
a( re!istru serie)serie
1 + . . . . . n
scriere
citire
$( re!istru serie)paralel
1 + . . . . . n
scriere
citire
d( re!istru paralel)serie
1 + . . . . . n
scriere
citire
c( re!istru paralel)paralel
Fi!. ;.+1
Dac $ista$ilii sunt prevzui i cu intrri de preset acestea se pot folosi la scrierea paralel a
informaiei. ,nformaia este citit "n mod serial "n ritmul impulsurilor de tact la ieirea serie.
Unele re!istre permit deplasarea i "n sens invers a informaiei ele numindu)se re*i+tre
rever+i'ileG de asemenea re!istrele construite "n form inte!rat pot fi mi#te permi%nd accesul la
intrare i<sau ieire at%t "n format serie c%t i paralel. Dup cum se poate constata citirea serial
este distructiv informaia distru!%ndu)se "n timpul acestui proces "n timp ce citirea paralel este
nedistructiv.
Nu%(r(to$re
4umrtoarele sunt circuite lo!ice secveniale care permit numrarea impulsurilor aplicate la
intrare i memorarea rezultatului. 4umrarea se $azeaz pe faptul c un circuit $ista$il prin
aplicarea la intrare a unui impuls "i schim$ starea la aplicarea impulsului urmtor revenind "n
starea iniial. 4umrarea se face "n sistemul de numeraie $inar.
S urmrim funcionarea circuitului din
fi!ura ;.+0 realizat cu patru $ista$ili.
,ntrrile W i 8 ale fiecrui $ista$il sunt
le!ate "mpreun i meninute "n starea lo!ic 1 iar
ieirea R este le!at la intrarea de tact a
$ista$ilului urmtor. ,mpulsurile de numrat se
aplic la intrarea de tact a primului $ista$il. Un astfel de numrtor este $+incron tranziia ieirii
$ista$ilului n fiind "nt%rziat fa de momentul aplicrii impulsului de tact cu timpul necesar
propa!rii semnalului prin n $ista$ili.
Pentru a mri frecvena de lucru se utilizeaz nu%(r(to$re +incrone la care toi $ista$ilii
sunt controlai de acelai impuls de tact transportul fc%ndu)se paralel.
Pentru numrarea "n sistem zecimal sau se#a!esimal 'sau "n orice alt sistem de numeraie(
tre$uie ca numrtorul s fie prevzut cu posi$ilitatea de revenire la zero dup un numr presta$ilit
de impulsuri lucru realiza$il prin utilizarea unor com$inaii de circuite lo!ice adecvate.
4umrtoarele pot funciona i invers 'coninutul scade la fiecare impuls aplicat( sau
reversi$il 'at%t ca numrtor direct c%t i ca numrtor invers av%nd c%te o intrare pentru fiecare
mod de lucru(.
S0
CAPI!"#" I$
MICO(OCESOAE 8I CALCULATOAE ELECTONICE
Calculatoare electronice numerice
Dei calculatoarele electronice se prezint "ntr)o mare diversitate ele conin anumite $locuri
constructive comune arhitectura unui calculator cuprinz%nd "n !eneral urmtoarele $locuri de
$az 'fi!ura S.1(/
1. unit$te$ centr$l( de c$lcul sau unit$te$ $rit%etico-lo*ic( 'U&.(
1
realizeaz operaii
aritmetice funcii lo!ice i transferuri de date "ntre re!istrele interne sau "n e#terior prin
ma!istrala de date. -perarea se face cu :cuvinte: $inare cu lun!imea de F p%n la NF $ii
+
"n
funcie de tipul calculatorului 'pentru minicalculatoare de o$icei 1N $ii(.
+. 'locul de co%$nd( 9i control 'BCC( este "n le!tur cu toate celelalte $locuri asi!ur%nd
efectuarea automat a tuturor operaiilor de la introducerea datelor p%n la o$inerea
rezultatelor precum i controlul operrii corecte a calculatorului. De o$icei
microcalculatoarele au realizate aceste dou $locuri de $az 'U&. i BCC( su$ form
inte!rat '.S, 6.S,
0
( dispozitivul astfel realizat numindu)se %icroroce+or care mai
include "n plus re!istre interne.
0. %e%ori$ este partea constructiv a unui calculator electronic "n care sunt stocate date su$
form $inar. Ea poate fi de dou feluri/ %e%orie ROC '?ead)-nl9 Cemor9( sau %e%orie
er%$nent( adic memorie ce nu poate fi tears sau inscripionat ci numai citit "n care
sunt "nscrise cuvintele instruciunilor de pro!ram i alte informaii necesare funcionrii
calculatorului acestea neput%nd fi terse i %e%orie RAC '?andom)&ccess Cemor9( sau
%e%orie vol$til( adic memorie cu acces aleatoriu "n care se poate "nscrie citi i ter!e
informaie. Datele sunt "nma!azinate "n memorie su$ form $inar "n diferite celule de
memorie 'locaii( unei locaii corespunz%ndu)i un $it i o adres de identificare. Capacitatea
memoriei este dat de numrul ma#im de locaii i se e#prim "n octei.
En afara locaiilor sistemul de memorie mai cuprinde un re!istru de date i unul de adrese.
Pentru "ncrcarea memoriei mai "nt%i informaia este introdus "n re!istrul de date apoi adresa este
i ea "ncrcat "n re!istrul de adrese iar prin comanda de "nscriere a datelor are loc transferul
informaiei la locaia sta$ilit. .a citire etapele sunt aceleai dar se desfoar "n ordine invers.
De o$icei sistemele de calcul utilizeaz o %e%orie intern( de capacitate mic 'la
microcalculatoarele din primele !eneraii era de cel mult NF sau 1+; 8$ a@un!%ndu)se la cele din
cate!oria ,BC)PC p%n la valori de 1+; C$( i vitez mare de operare i o %e%orie e.tern( cu
capacitate mare dar vitez de operare mai mic.
Dimensiunea memoriei interne nu poate avea orice valoare "ntruc%t procesorul prin
construcia sa nu poate accesa dec%t un anumit volum de memorie. De re!ul pentru
calculatoarele prevzute cu microprocesoare ;2;N sau mai evoluate acest volum este de 1 C$. Din
acesta o parte de 0;F 8$ care alctuiete %e%ori$ +uerio$r( 'hi!h memor9( este rezervat de
un pachet de pro!rame speciale 'rutine de intrare)ieire( cunoscut su$ numele de B,-S 'Basic
,nput -utput S9stem adic Sistem de Baz pentru ,ntrri i ,eiri(. ?estul de NF2 8$ reprezint
%e%ori$ de '$!( care este la dispoziia pro!ramelor aplicative. Pe msur ce aceste pro!rame au
devenit din ce "n ce mai comple#e capacitatea memoriei de $az s)a dovedit nesatisfctoare.
Pentru a nu o mri ceea ce ar fi complicat foarte mult arhitectura microprocesorului s)a recurs la
un artificiu. &stfel pornind de la constatarea c "n zona de memorie superioar unde este rezident
B,-S)ul e#ist zone li$ere care ar putea fi folosite s)a a@uns la instalarea unui nou tip de
1
se mai utilizeaz i prescurtarea CPU ) de la e#presia '"n lim$a en!lez( :central processin! unit:.
+
$it)ul este cea mai mic unitate de informaie reprezentat de o cifr $inar care poate avea valoarea 2 sau 1.
Cultiplii $it)ului sunt/ 1 $9te 'octet( 7 +
0
$ii 7 ; $iiG 18$ 'Pilo$9te( 7 +
12
$ii 7 12+F $iiG 1C$ 'me!a$9te(
7 +
+2
$iiG 1 A$ '!i!a$9te( 7 +
02
$iiG 1 *$ 'tera$9te( 7 +
F2
$ii
0
'6(.S, reprezint iniialele cuvintelor e#presiei '"n lim$a en!lez( :'6er9( .ar!e Scale ,nte!rated: ceea ce
"nseamn :inte!rare pe scar 'foarte( lar!:
SF
memorie numit %e%orie e.$nd$t( 'ECS( care ar putea avea teoretic o dimensiune infinit.
Practic ea funcioneaz astfel/ "n zonele li$ere ale memoriei superioare :alunec: pe r%nd diferite
pri ale memoriei e#pandate "n funcie de necesiti. Evident pentru acest lucru este nevoie de un
soft 'pro!ram( special ) !estionarul de memorie. Dimensiunea memoriei e#pandate este numai
teoretic infinit practic ea fiind limitat de capacitatea re!istrelor de adrese ale microprocesorului.
Dac microprocesorul poate accesa fizic o capacitate de memorie mai mare de 1 C$ partea
acesteia de peste 1 C$ este numit %e%orie e.tin+( 'hCS(. Cemoria e#pandat poate fi o parte a
memoriei e#tinse sau o parte din memoria e#tern.
En afara acestor tipuri de
memorie la calculatoarele din
!eneraiile mai noi e#ist i o
aa)numit %e%orie c$c0e care
este o memorie special le!at
de microprocesor "ntr)un mod
mai direct dec%t memoria intern
i care funcioneaz ca memorie
tampon "ntre aceste dou
elemente permi%nd transferul
mai rapid al datelor i
instruciunilor deci o vitez de
lucru mrit. Dimensiunea
acesteia poate a@un!e p%n la
H1+ 8$.
Cemoria e#tern este aa cum "i spune i numele o memorie cu dimensiuni practic infinite
e#terioar calculatorului realizat pe diverse medii de stocare.
Din punctul de vedere al realizrii fizice memoriile pot fi de diverse tipuri. Dac la
"nceputurile tehnicii de calcul se foloseau relee memorii cu ferit circuite $asculante cu tu$uri
electronice i apoi cu tranzistori "n prezent memoria intern a calculatorului este constituit de
circuite $asculante 'un circuit reprezent%nd o unitate de memorie( realizate prin inte!rarea pe scar
lar! pe principiile microminiaturizrii astfel "nc%t ea are dimensiuni foarte mici la o capacitate
mare 'de ordinul chiar al sutelor de C$( i o vitez de lucru de asemenea foarte mare. Cemoria
e#tern are o varietate mai mare de forme de realizare "ncep%nd cu cele mai vechi '$anda i cartela
perforat $anda ma!netic cu densitate i vitez de lucru mici( i a@un!%nd p%n la cele actuale
care sunt discurile ma!netice i CD)urile "n diverse variante. Discurile ma!netice sunt medii de
stocare a datelor 'memorii( care pot fi citite terse i "nscrise 'prin tehnica o$inuit a "nre!istrrii
pe suport feroma!netic( fiind realizate su$ diverse forme "mprite "n dou mari cate!orii/ 0$rd-
di+@)uri 'discuri fi#e( cu capaciti de p%n la zeci de A$ care sunt uniti de memorie instalate "n
interiorul calculatoarelor pe suportul lor funcion%nd i memoria e#pandat i #loA-di+@)uri
realizate ca uniti de memorie independente cu capaciti de stocare mai mici 'de p%n la 122 C$
la flopp9)disP)urile de tip 5,P(
Co%$ct-di+@)urile 'CD( reprezint mediile de stocare cele mai recent realizate. Prima
variant aprut a fost CD-ROC)ul care aa cum "i spune numele este o un mediu de memorie
permanent care nu poate fi ters sau rescris ci numai citit. Datele sunt stocate pe suprafaa de
aluminiu depus pe un suport de material plastic 'su$ forma unor mici !uri corespunz%nd valorii
1 lipsa acestora reprezent%nd 2 lo!ic( i citite prin refle#ie cu a@utorul fasciculului emis de o diod
laser. &lte variante ulterioare sunt CD-R 'CD)?ecorda$le( un CD special pe care se pot "nscrie i
apoi citi date pe un suport or!anic CD-RK 'CD)?eJrita$le( i mai nou din punct de vedere
tehnolo!ic DVD 'Di!ital 6ersatile DisP(.
CD)?I este un disc pe care este aplicat un strat reflectorizant de aluminiu i deasupra
acestuia un strat de o#id teluric. - raz laser provenit de la o diod laser transform la "nre!istrare
structura cristalin a o#idului teluric "ntr)o faz amorf modific%ndu)se astfel coeficientul de
refle#ie al suprafeei ceea ce permite inscripionarea datelor. Pentru a se o$ine schim$area de faz
a o#idului teluric la "nre!istrare suprafaa respectiv este "nclzit local puternic pentru o perioad
SH
scurt prin intermediul razei laser. Pentru ter!ere "ntre!ul strat de o#id este "nclzit un timp mai
lun! necesar recristalizrii acestuia. Citirea se face "n mod o$inuit ca la un CD)?-C.
Capacitatea unui CD 'indiferent de tipul lui( este de NH2 C$ rata de transfer a datelor fiind de
ordinul a 022)N22 8$<s.
D6D)ul este un disc de concepie mai recent care a fost i el realizat su$ diferite forme
'D6D D6D)? D6D)?&C( din necesitatea stocrii unei cantiti mai mari de informaie pentru
a putea folosi mediul de stocare ca disc video. &stfel D6D)?&C const dintr)un disc cu mai
multe straturi de stocare ce se pot inscripiona de mai multe ori pe am$ele fee citirea fc%ndu)se
cu capete de citire multiple fr a fi nevoie s se "ntoarc discul de pe o parte pe cealalt. &v%nd o
rat de transfer de 1022 8$<s i o capacitate de +N d 1O C$ acest tip de unitate de stocare a
datelor s)a impus "n domeniul profesional pentru stocarea ima!inilor video i ca mediu de arhivare.
1. inter#$"$ de intr$reLie9ire ',<- adic input<output(. Empreun cu perifericele 'tastatur
displa9 imprimant perforator i cititor de cartele i $enzi etc.( permite utilizatorului s
comunice cu calculatorul.
+. %$*i+tr$lele reprezint suportul fizic de transmitere a informaiei acestea fiind/
%$*i+tr$l$ de d$te %$*i+tr$l$ de $dre+e i %$*i+tr$l$ de co%$nd(. De o$icei acest suport
este constituit din ca$luri electrice "mpreun cu alte dispozitive speciale dar "n ultimul timp "n
tehnica e calcul a ptruns i are o dezvoltare deose$it transmisia datelor prin fi$re optice.
%icroprocesoare
Cicroprocesorul reprezint :creierul: unui calculator electronic el fiind un circuit inte!rat pe
scar lar! '.S,( ce permite efectuarea operaiilor aritmetice i lo!ice prin intermediul unui
pro!ram. Schema)$loc a unui microprocesor este dat "n fi!ura S.+
Unit$te$ $rit%etico-lo*ic(
'U&.( este partea propriu)zis de
efectuare a operaiilor aritmetice i
lo!ice. -peraia fundamental
efectuat este adunarea efectuat
prin intermediul unor circuite
semisumatoare. Scderea se face
tot prin intermediul operaiei de
adunare dar "n locul numrului
respectiv se adun complementul
suG "nmulirea se reduce la o
adunare repetat iar "mprirea se
face prin scderi repetate. -
component important a U&.
este un re!istru special
$cu%ul$torul care pstreaz iniial
unul din operanzi i "n final rezultatul operaiei. &lte circuite din U&. sunt indic$torii de condi"ie
care memoreaz condiiile specifice prin care trece +u%$torul "n urma efecturii operaiilor
aritmetice i lo!ice/ indic$torul de tr$n+ort 'Ce( indic$torul de re!ult$t !ero '5( indic$torul
de +e%n 'S( indic$torul de $rit$te 'P( etc.
- alt parte a microprocesorului o constituie re*i+trele conectate la ma!istrala de date prin
intermediul unui multiple#or. &cestea sunt re!istre cu destinaie !eneral care pstreaz operanzi
sau rezultate intermediare re!istre de adresare dintre care cel mai important este numrtorul de
adrese 'care conine adresa instruciunii care urmeaz s fie e#ecutat( re!istre de instruciuni etc.
En sf%rit $locul cel mai comple# cu rol de !enerare a secvenei de semnale necesare pentru
e#ecuia fiecrei operaii este unit$te$ de co%$nd( 9i control 'UCC(.
Codul de lucru al microprocesorului este urmtorul/ pentru e#ecutarea unui pro!ram se
e#ecut succesiv instruciunile aflate "n zona de memorie)pro!ram. Dup e#ecuia unei instruciuni
SN
numrtorul)pro!ram se incrementeaz cu o unitate dup care pentru e#ecuia urmtoarei
instruciuni microprocesorul transmite pe ma!istrala de adrese adresa locaiei de memorie la care
se afl "nscris aceast instruciune citete coninutul locaiei 'instruciunea( "l decodific
!ener%nd apoi semnalele necesare pentru e#ecuie. &stfel microprocesorul parcur!e repetat cicluri
de e#tra!ere a instruciunii i e#ecuie a ei lucr%nd secvenial 'al!oritmic( ritmul de efectuare a
fiecrei operaii fiind dat de un !enerator de tact.
Scurt istorie a calculatoarelor electronice
Primul calculator electronic numeric a fost construit "n 1SFF la comanda firmei americane
,BC de ctre profesorul DoJard &itPen de la Universitatea Darvard. Funcion%nd cu relee
electromecanice i tu$uri electronice el putea "nmuli dou numere de c%te +0 de cifre "n H
secunde. Urmaul su construit "n 1SFN se numea E4,&C 'Electronic 4umerical ,nte!rator and
Calculator( i a fost folosit "n domeniul militar la calculul traiectoriilor tra!erilor de artilerie.
&v%nd "n componen 1;222 tu$uri electronice O2222 rezistoare i 12222 condensatoare ocup%nd
volumul unei camere mari acest calculator putea realiza H222 de adunri pe secund. En 1SFO
e#istau "n "ntrea!a lume doar N calculatoare.
-dat cu inventarea "n 1SF; a tranzistorului de ctre Bardeen Brattain i ShocPle9 s)a
intrat "n era dispozitivelor semiconductoare ceea ce a permis miniaturizarea i a dat un nou impuls
tehnicii de calcul. Sillicon 6alle9 din California ale crei $aze au fost puse de ShocPle9 a devenit
centrul mondial al fa$ricrii dispozitivelor semiconductoare i locul unde 'cel puin "n domeniul
microelectronicii( se construia viitorul. Compania ,BC a devenit liderul mondial al construciei
calculatoarelor poziie pe care o menine i "n prezent "n ciuda apariiei concurenei celei mai
performante. &lturi de ea alte companii au adus contri$uii eseniale la dezvoltarea rapid a
tehnicii de calcul. &stfel "n 1SNH Di!ital Ebuipament Corporation a produs primul minicalculator
numit PDP); ocazie cu care s)a introdus definitiv utilizarea tastaturii ca periferic. Un pas
important "nainte a fost fcut "n 1SO1 c%nd firma ,ntel a realizat primul microprocesor. & urmat "n
1SOF punerea la punct a microprocesorului ;22; i a lui ;2;2 realizat de Ed ?o$erts "n cadrul
firmei sale C,*S. En 1SOH se "nfiineaz firma Cicrosoft de ctre Iilliam Aates i Paul &llen
prima firm de soft care a "nceput s creeze pro!rame aplicative pentru minicalculatoare "n
lim$a@ul B&S,C. En prezent firma Cicrosoft autoarea sistemului de operare CS)D-S)IindoJs
deine o mare parte din piaa de soft iar Aates este unul din cei mai $o!ai oameni din lume.
Evoluia microprocesoarelor
1
este prezentat succint "n ta$elul urmtor.
Procesor Frecvena
de tact
'CDz(
?e!istr
u intern
'$ii(
Ca!istra)
l de date
'$ii(
Ca!istra)
l de
adrese
'$ii(
Cemorie
ma#im
adminis)
trat 'C$(
Cem.
cache
'8$(
niv.,
4umr
de
tranzis)
tori
Data
apariiei
;.2;; FOO 1N ; +2 1 2 +S.222 iunie 1SOS
;2.+;N NG ;G 12G 1+G
1NG +2
1N 1N +F 1N 2 10F.222 fe$. 1S;+
0;NSh 1NG +2G +HG 00 0+ 1N +F 1N 2 +OH.222 iunie 1S;;
0;NDh 1NG +2G +HG 00 0+ 0+ 0+ F.222 2 +OH.222 oct. 1S;H
F;NSh 1NG +2G +HG
00G F2G H2
0+ 0+ 0+ F.222 ; 1.1;H.22
2
apr. 1SS1
F;NDh +HG 00G H2 0+ 0+ 0+ F.222 ; 1.+22.22
2
apr. 1S;S
F;NDh<+ F2G H2G NNG ;2 0+ 0+ 0+ F.222 ; 1.F22.22
2
mart. 1SS+
1
Este vor$a de procesoarele fa$ricate de cel mai mare productor din lume firma ,ntel. &lturi de acesta
ali doi productori &CD i C9ri# 'i mai recent al treilea Cer$er( au dezvoltat tehnolo!ii performante i
asemntoare de fa$ricare a microprocesoarelor.
SO
F;NDh<F OHG 122G 1+2 0+ 0+ 0+ F.222 ; 1.N22.22
2
fe$. 1SSF
Pentium N2G NN 0+ NF 0+ F.222 1N 0.122.22
2
mart. 1SS0
Pentium
OHG S2G 122G
1+2G 100G
1NNG +22
0+ NF 0+ F222 1N 0022222 mart. 1SSF
Pentium
Pro
1H2G 1;2G +22 0+ NF 0N NF.222 1N H.H22.22
2
sept. 1SSH
Pentium ,, +00G +NN 0+ NF 0N NF.222 0+ O.H22.22
2
mai 1SSO
-dat cu evoluia microprocesoarelor a avut loc i dezvoltarea mini i microcalculatoarelor
din cate!oria ipersonal computerj. &stfel "n 1S;1 ,BC lanseaz modelul ,BC PC cu 1N 8$
memorie ?&C i o unitate de flopp9)disP. Urmeaz "n 1S;0 modelul PC)h* 'e#tended
technolo!9( cu 1+; 8$ ?&C i hard)disP de 12 C$ iar "n 1S;F PC)&* 'advanced technolo!9(
dotat cu procesor ;2+;N i av%nd ca sistem de operare sistemul D-S 0.2 ela$orat de Cicrosoft. En
1S;O apare PS<+ prile@ cu care produsul soft IindoJs dezvoltat din 1S;H de Cicrosoft ca o
e#tensie a sistemului de operare D-S 'DisP -peratin! S9stem( s)a impus definitiv. Din acel
moment dezvoltarea s)a produs rapid ea continu%nd i "n prezent "n acelai ritm. S mai su$liniem
faptul c ceea ce am descris pe scurt reprezint doar o parte din dezvoltarea tehnicii de calcul
anume cea a :home computer:)elor e#ist%nd "ns i o alt latur cea a computerelor de mare
capacitate care a avut i ea o dezvoltare la fel de rapid rm%n%nd "ns mai puin cunoscut
datorit aplicaiilor strict tiinifice i profesionale.
S;

Dispozitive Si Circuite Electronice

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Si Circuite Electronice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

UNIVERSITATEA DIN PITETI

electronii de conducie capt o

Pro$a$ilitatea de ocupare a unei stri este dat tot de funcia

Un calcul mai e#act d valoarea/

sunt e!ali cu zero.

7 2 relaia de mai sus devine/

ale materialelor semiconductoare

Se definesc #$ctorii de +en+i'ilit$te l$ te%er$tur( ai curentului de colector "n raport cu

este conduct$n"$ de intr$re la semnal mic dat de relaia/

unde C este capacitatea

( 2 ceea ce ne conduce la relaia/

de unde prin inte!rare/

. &tunci din condiia BarPhausen

( prezentat 'idealizat( "n fi!ura O.11.$

S-ar putea să vă placă și