II.2.2.

PRINCIPALII PARAMETRI CARACTERISTICI

Caracterizarea comportrii dinamice, n regim sinusoidal, a unui etaj de
amplificare diferenial necesit dou tipuri de parametri caracteristici, de mod
diferenial i de mod comun.
Prin definiie, tensiunile de mod comun reprezint semisuma tensiunilor
fa de mas, n dou puncte omoloage ale circuitului, iar tensiunile de mod
diferenial reprezint semidiferena acestor tensiuni. De regul, semnalele de
mod diferenial sunt semnale utile, iar cele de mod comun sunt perturbatoare.
Cu aceste precizri, se pot defini urmtorii parametri caracteristici:
Tensiunea de intrare de mod diferenial i de mod comun:
v id = (v x1 v x2 ) 2 = v x 2
,
(II.85)
v ic = (v x1 + v x2 ) 2

de unde rezult:
v x1 = v ic + v id
v x2 = v ic v id

(II.86)

Prin urmare, tensiunea de mod comun este tensiunea din punctul static de
funcionare, n jurul creia se balanseaz tensiunea de mod diferenial.
Curentul de intrare de mod diferenial i de mod comun:
iid = (ii1 ii2 ) 2
.
(II.87)
iic = (ii1 + ii2 ) 2

Impedana de intrare de mod diferenial i de mod comun:

Rid =

v
2v id
, respectiv Ric = ic
.
iid v ic = 0
iic v id = 0

Tensiunea de ieire de mod diferenial i de mod comun:

v 0d = (v 01 v 02 ) 2 = v 0 2
.
v 0c = (v 01 + v 02 ) 2

(II.88)

(II.89)

de unde rezult:
v 01 = v 0c + v 0d
v 02 = v 0c v 0d

(II.90)

Corespunztor celor dou tipuri de tensiuni, de mod diferenial i de

mod comun, le corespund patru tipuri de amplificri definite dup urmeaz:

35

 Amplificarea de mod diferenial i de mod comun:

Add =

v 0d
v
, respectiv Acc = 0c
.
v ic v id = 0
v id v ic = 0

(II.91)

Amplificarea de transfer de la modul diferenial la modul comun:

Acd =

v 0c
.
v id v ic = 0

(II.92)

Amplificarea de transfer de la modul comun la modul diferenial:

Adc =

v 0d
.
v ic v id = 0

(II.93)

Pe baza (II.91)(II.93), pot fi explicitate expresiile tensiunilor de ieire:

v 0d = Add v id + Adc v ic
.
(II.94)
v 0c = Acc v ic + Acd v id
n condiii de simetrie perfect, ambele amplificri de transfer sunt nule.
n circuitele practice ns, sunt inevitabile unele mici asimetrii care genereaz
amplificri de transfer de valori finite, reduse, dar diferite de zero. Dintre
acestea, cea mai suprtoare este amplificarea de transfer de la modul comun
la cel diferenial, Adc, fiindc produce o tensiune de ieire diferenial datorit
unei tensiuni de intrare de mod comun, care se suprapune peste tensiunea de
ieire diferenial util, produs de tensiunea diferenial de intrare. Semnalele
utile fiind cele de mod diferenial, etajele difereniale trebuie s maximizeze
amplificarea pe mod diferenial i s o minimizeze pe cea de mod comun.
Capabilitatea unui amplificator diferenial de a separa efectul util al
tensiunii de intrare difereniale de efectul perturbator al tensiunii de intrare de
mod comun se exprim prin factorul de discriminare, definit astfel:
F = Add Acc .
(II.95)
Capabilitatea unui amplificator diferenial de a separa tensiunea de
ieire diferenial datorit tensiunii de intrare difereniale de de tensiunea de
ieire diferenial datorit tensiunii de intrare de mod comun se exprim prin
raportul de rejecie a modului comun, definit astfel:
RRMC = Add Adc .
(II.96)
n nod analog se poate defini i factorul de rejecie al modului diferenial:
RRMD = Acc Acd ,
(II.97)
care este mai puin important i utilizat.

36

II.2.3. EFECTELE NESIMETRIEI ETAJULUI

Un aspect important al performanelor unui amplificator diferenial este
cel cu privire la tensiunea minim de intrare care poate fi detectat. Apariia
inevitabil de nesimetrii ntre valorile unor parametri tehnologici se traduce n
final prin apariia unor tensiuni difereniale la ieire care nu pot fi decelate de
semnalul util de ieire. Prin urmare, la ieire apar nite erori de curent continuu
(c.c.) care provoac o limitare major a rezoluiei.
Pentru amplificatoarele difereniale cu tranzistoare efectul nesimetriilor
asupra performanelor de c.c. este exprimat convenional prin doi parametri i
anume, tensiunea de decalaj la intrare i curentul de decalaj la intrare, care
reprezint efectul acestor nesimetrii raportat la intrarea amplificatorului. Aa
cum rezult din Fig.II.31, un amplificator real, cu nesimetrii, este echivalent cu
un amplificator ideal, perfect simetric, avnd la intrare conectate n serie sursa
de tensiune de decalaj i n paralel sursa de curent de decalaj.
RC1

+VCC
OUT

Q1

vioff

Q2

IN

IN

ii1
ii2

iioff/2

Etaj de amplificare ideal

RC1

VCC

Fig.II.31. Evidenierea tensiunii i curentului de decalaj la intrare.

II.2.3.1. Tensiunea de decalaj la intrare

Relativ la Fig.II.31, tensiunea de decalaj sau de offset la intrare este egal i de
semn contrar cu tensiunea care ar trebui aplicat la intrare, ntre cele dou
intrri, pentru ca tensiunea diferenial de ieire s fie adus la valoarea zero.
Aplicnd legea tensiunii a lui Kirchhof pe bucla de intrare, se obine:

I I
Vioff = VBE1 V BE2 = VT ln C1 S2 .
I C2 I S1

(II.98)

37

Condiia ca tensiunea de ieire s fie zero, este echivalent cu:

I
R
I C1 RC1 = I C2 RC2 sau C1 = C2 ,
I C2 RC1

(II.99)

pe baza creia (II.98) devine:

R I
Vioff = VBE1 VBE2 = VT ln C2 S2 .
(II.100)
RC1 I S1
Conform (II.100), tensiunea de decalaj la intrare, dat de diferena de
tensiune baz-emitor, este raportat la nesimetria rezistenelor de colector i a
curenilor de saturaie. Altfel zis, nesimetria tensiunilor baz-emitor se reflect
n nesimetria curenilor de saturaie care poate fi corectat prin introducerea
unei nesimetrii de sens contrar ntre rezistenele de colector.
Nesimetria ntre doi parametri poate fi exprimat n general astfel:
x = ( x1 + x 2 ) 2
.
(II.101)
x = x1 x 2

unde x este media, iar x diferena celor doi parametri. Din (II.101) rezult:
x1 = x + x 2
.
(II.102)
x 2 = x x 2
Utiliznd (II.102) pentru a exprima parametrii RC i IS, (II.100) devine:
R RC 2 I S I S 2

Vioff = VT ln C

RC + RC 2 I S + I S 2
1 RC 2 RC 1 I S 2 I S
= VT ln

1 + RC 2 RC 1 + I S 2 I S

(II.103)

Presupunnd c RC << RC i IS << IS, n (II.103) se poate folosi substituia:

1 x
1
1 x , deci
(1 x )(1 x ) 1 2 x ,
(II.104)
1+ x
1+ x
care conduce la rezultatul:
R
Vioff = VT ln 1 C
RC

I S
1
.
I S

(II.105)

Dac (II.105) se dezvolt n serie Taylor i se neglijeaz termenii de

ordin superior, rezult:
R
I
Vioff = VT C + S
IS
RC

38

(II.106)

Dac considerm pentru abaterile de la simetrie valorile tipice, posibil

de obinut practic, de RC/RC = 1%, IS/IS = 5%, tensiunea de offset rezult:
Vioff = (26 mV)(0,01 + 0,05) 1,5 mV .
(II.107)

II.2.3.2. Curentul de decalaj la intrare

Relativ la Fig.II.31, curentul de decalaj sau de offset la intrare este egal i de
semn contrar cu curentul care ar trebui aplicat la intrare, pentru ca tensiunea
diferenial de ieire s fie adus la valoarea zero. Prin urmare, se poate scrie:
I
I
I ioff = I B1 I B2 = C1 C2 .
(II.108)
1
2
Aplicnd artificiul (II.102) parametrilor din (II.08), se obin expresiile:
I C1 = I C + I C 2
= + 2
, respectiv 1
,
(II.109)
I C2 = I C I C 2
2 = 2
pe baza crora, (II.108) devine:
I ioff =

I C + I C 2 I C I C 2 I C 1 + I C 2 I C 1 I C 2 I C

. (II.110)

1 2
+ 2
2
1 + 2

Considernd IC << IC, << i folosind artificiul (II.104), se poate scrie:

I ioff =

IC

I C
1 +
2 I C

I C
1
1
2 2 I C

1 +
,
2

(II.111)

de unde neglijnd termenii de ordin superior, rezult:

I C

(II.112)

IC
Avnd n vedere condiia ca tensiunea de ieire s fie zero, (II.99):
I C1 RC2
I C
R
=
= C ,

(II.113)
I C2 RC1
IC
RC
deci (II.112) devine:
I R

.
I ioff = C C +
(II.114)
RC

I ioff =

IC

Dac considerm pentru abaterile de la simetrie valorile tipice, posibil

de obinut practic, de / = 10%, RC/RC = 1%, curentul de offset rezult:
I ioff = 0,11(I C ) 0,1iB .
(II.115)
Prin urmare, tensiunea de offset este de ordinul milivolilor, iar curentul
de offset este de ordinul a 10% din curentul de baz.

39

II.2.4. ETAJE DIFERENIALE CU SARCINI ACTIVE

Etajele de amplificare difereniale cu sarcini active pot fi i cu ieire
diferenial simetric, dar de regul sunt cu ieire asimetric, conform
Fig.II.32. Amplificarea n tensiune a acestui tip de etaj este egal n volum cu
amplificarea diferenial a etajului, dei ieirea este asimetric:
iL = 2 g m (v x 2 ) = g m v x
v0 = iL RL = g m v x R L

(II.116)

A = v0 v x = g m R L
+VCC
Q4

Q3

vx
vx1

vx2

Q1

iL

Q2

RL

v0

I0
VCC

Fig.II.32. Etaj diferenial cu sarcin activ i ieire asimetric.

II.3. ETAJE DE DEPLASARE A NIVELULUI

Etajele CIA sunt cuplate ntre ele prin cuplaj direct n curent continuu.
Din acest motiv, nivelul de curent continuu tinde s varieze de la etaj la etaj,
ntr-un singur sens, ctre nivelul uneia dintre sursele de alimentare. Ca urmare,
excursia de semnal la ieire tinde s scad de la etaj la etaj, ctre valoarea zero.
Acest fapt implic asigurarea prin proiectare a compatibilitii nivelului
de curent continuu de la ieirea unui etaj cu cel de intrarea etajului urmtor. n
acest scop se folosesc etaje de deplasare a nivelului, cu rolul de a modifica
nivelul de curent continuu, asigurnd o atenuare minim a semnalului util.
n general, un etaj de deplasare a nivelului este un etaj tampon care
trebuie s asigure o amplificare unitar, simultan cu impedan mare de intrare
i impedan mic de ieire. n principiu, astfel de etaje pot fi realizate i cu
circuite pasive, dar fiind mai performante, se prefer cele cu circuite active.

40

Dou din soluiile uzuale de realizare a etajelor de deplasare a nivelului

sunt cele bazate pe diodele Zener i pe tranzistoarelor pnp, conform Fig.II.33.
Etajul de deplasare cu diod Zener include repetorul pe emitor Q5, dioda
Zener D1 i o sarcin activ (Fig.II.33.a). n acest caz, nivelul de curent
continuu din punctul A (ieirea etajului diferenial) este deplasat n jos pn la
nivelul din punctul B (ieirea etajului de deplasare), cu diferena de tensiune:
VAB = VBE5 + VZ1 (0,6 + 6) V = 6,6 V .
(II.117)

Din Fig.II.33.a i (II.117) se observ c n cazul etajului de deplasare cu

diod Zener, deplasarea de nivel are o anumit valoare fix, fapt ce limiteaz
inferior intervalul de variaie al tensiunii de alimentare. Aceast soluie se
utilizeaz de obicei la circuite care lucreaz n comutaie (comparatoare etc.).
Etajul de deplasare cu tranzistor pnp include tranzistorul Q5, rezistena
R1 i o sarcin activ (Fig.II.33.b). n acest caz, nivelul de curent continuu din
punctul A (ieirea etajului diferenial) este deplasat pn la nivelul din punctul
B (ieirea etajului de deplasare), cu tensiunea colector-baz a tranzistorului Q5.
VAB = VBC5 .
(II.118)
Etajul de deplasare a nivelului cu tranzistor pnp, spre deosebire de cel
cu diod Zener, poate realiza deplasri de nivel de orice valoare, evident ntre
anumite limite i este mai puin sensibil la variaiile tensiunii de alimentare.
n ambele cazuri, datorit amplificrii mari a etajului diferenial, este
necesar o bucl de reacie negativ pentru a fixa nivelului de curent continuu.
Extrapolnd ideea din Fig.II.33.b, problema deplasrii de nivel dispare,
dac etajele de amplificare sunt realizate alternativ cu tranzistoare npn i pnp.
+VCC
Q4

Q3

IN

+VCC

A
Q1 Q2

D1

Q4

Q3

Q5
IN

R!
Q5

Q1 Q2
B

OUT
VCC
(a)

OUT
VCC
(b)

Fig.II.33. Etaje de deplasare a nivelului de curent continuu:

(a) etaj cu diod Zener; (b) etaj cu tranzistor pnp.

41

II.4. ETAJE DE IEIRE

Spre deosebire de celelalte etaje componente, etajele de ieire ale CIA
difer relativ puin de etajele convenionale de ieire realizate cu componente
discrete. Ele trebuie s ndeplineasc o serie de condiii generale, cum ar fi:
debitarea puterii specificate n sarcin, la un nivel acceptabil de distorsiuni;
rezisten de ieire ct mai redus, pentru ca funcionarea lor s fie ct mai
independent de rezistena de sarcin;
asigurarea unui randament i a unei benzi de frecven proprii ct mai bune;
cuplarea comod a sarcinii.
Ca i n cazul etajelor finale cu componente discrete, etajele de ieire ale
CIA pot fi realizate cu funcionare n clas A, B i AB. Fiind etaje de semnal
mare, comport o serie de particulariti care necesit precauii relativ la:
limitrile introduse n dispozitivele active integrate cu privire la puteri,
tensiuni i cureni, valori minime i valori maxime;
neliniaritile dispozitivelor active, necesitnd msuri adecvate de reducere
a efectului lor (reacie negativ puternic, compensare etc.);
puterea consumat de circuitele de polarizare i stabilizare a punctelor
statice de funcionare, care trebuie s aib pondere ct mai redus;

necesitatea unor etaje prefinale defazoare cu semnale de ieire n antifaz.

II.4.1. ETAJE DE IEIRE CLAS A
n cazul n care puterea de ieire necesar n sarcin este de valoare
redus, se pot utiliza etaje de ieire clas A, n oricare din cele trei configuraii
posibile: colector comun, emitor comun i baz comun.

II.4.1.1 Etaj de ieire colector comun

Etajul de ieire colector comun este cunoscut sub denumirea de repetor pe
emitor, conform schemei din Fig.II.34. De regul, se utilizeaz varianta cu
sarcin activ din Fig.II.34.b, deoarece este mai indicat din punct de vedere
tehnologic i asigur o polarizare de mai bun calitate a tranzistorului final.
Pentru schema cu sarcin activ, neglijnd tensiunile de saturaie ale
tranzistoarelor n raport cu tensiunile de alimentare, considerate simetrice,

42

amplitudinea semnalului de ieire are valoarea maxim:

V0 _max = V0+_ max = V0_max = VCC VCE_sat VCC .

(II.119)

iar o valoare oarecare mai mic dect cea maxim poate fi exprimat astfel:
V0 = V0+ = V0 = KVCC ,

(II.120)

unde K = 01, se numete factor de utilizare a tensiunii de alimentare.

+VCC

+VCC

Q1

vx

iC1

i0

Ip

RL

Q1

vx
v0

iC1

i0

Ip

RL
Q2

RE
(a)

v0

VCC

VCC

(b)

Fig.II.34. Etaj de ieire colector comun (repetor pe emitor):

(a) etaj cu sarcin rezistiv; (b) etaj cu sarcin activ.

Pe baza (II.119) se poate determina valoarea optim a rezistenei de

sarcin, care asigur un transfer maxim de putere ctre sarcin:
RL = V0_max I 0_max = VCC I p .
(II.121)
i pentru curentul de ieire se poate scrie o relaie similar cu (II.120):
I 0 = V0 RL = KVCC RL = KI 0_max = KI p .
(II.122)
Pentru RL > (VCC/Iref) se reduce curentul prin sarcin, iar pentru RL < (VCC/Iref)
se limiteaz excursia de tensiune pe alternana negativ la valoarea:

V0 = I ref R L < V0_ max .

(II.123)

n cazul etajelor de ieire prezint interes efectuarea bilanului energetic

i determinarea randamentului. Considernd semnal sinusoidal de intrare,
puterea disipat instantanee pe tranzistorului Q1 se poate calcula cu relaia:
pQ1 = v CE1iC1 = (VCC V0 sin t )(I p + I 0 sin t )

= VCC I p (1 K sin t )(1 + K sin t ) = VCC I p 1 K 2 sin 2 t

[(

) (

= VCC I p 1 K 2 (1 cos 2t ) 2 = VCC I p 1 K 2 2 + K 2 2 cos 2t

, II.124)

iar puterea medie disipat rezult ca valoare medie a puterii instantanee:

t +T

PQ1 = p D1dt = VCC I p 1 K 2 2 .

t

(II.125)

43

Pentru K = 0, PQ1_0 = VCCIp reprezint puterea disipat de tranzistorul Q1

n repaus, adic pentru semnal de intrare zero, iar pentru K = 1, PQ1_1 = VCCIp/2
reprezint puterea disipat de tranzistorul Q1 pentru semnal maxim de intrare.
n mod analog se poate calcula i puterea disipat de tranzistorul Q2:
pQ2 = vCE2iC2 = (VCC + V0 sin t )I p = VCC I p (1 + K sin t ) ,
(II.126)

de unde puterea medie disipat rezult ca valoare medie a puterii instantanee:

t +T

PQ2 = p D2 dt = VCC I p .

(II.127)

Pentru calculul puterii consumate de la sursa de alimentare se are n

vedere faptul c curentul consumat de la sursa negativ este Ip, iar curentul
consumat de la sursa pozitiv este Ip + I0. Prin urmare, rezult:
p A = VCC I p + VCC I p (1 + K sin t ) ,
(II.128)
de unde puterea medie consumat de la sursele de alimentare rezult:
t +T

PA = p A dt = 2VCC I p .

(II.129)

Din (II.125), (II.127) i (II.129) se observ c numai puterea disipat de

tranzistorul Q1 depinde de nivelul semnalului de intrare, iar puterea disipat de
Q2 i cea consumat de la sursele de alimentare este independent de nivelul
semnalului de intrare, fiind constant i egal cu puterea consumat n repaus.
Puterea util debitat pe rezistena de sarcin are valoarea:
p0 = v 0 i0 = (V0 sin t )(I 0 sin t ) = V0 I 0 sin 2 t
= V0 I 0 (1 cos 2t ) 2

(II.130)

de unde puterea util debitat pe rezistena de sarcin rezult ca valoare medie

a puterii instantanee:
t +T

P0 = p0 dt = (1 2 )V0 I 0 = (1 2 )K 2VCC I p ,
t

(II.131)

care, conform (II.126), reprezint tocmai diferena dintre puterea disipat de

tranzistorul Q1 n repaus i n sarcin.
Pentru determinarea randamentului energetic, se exprim puterea util
n funcie de puterea consumat de la sursa de alimentare, (II.129):
P0 = (1 4 )K 2 PA ,

(II.132)

deci randamentul poate fi exprimat astfel:

= P0 PA = (1 4 )K 2 = 0,25K 2 ,
nregistrnd valoarea maxim de 25% pentru K = 1.

44

(II.133)

II.4.1.2. Etaj de ieire emitor comun

Etajul de ieire emitor comun, prevzut cu sarcin activ, are schema conform
Fig.II.20. Pentru exprimarea analitic funciei de transfer se pot scrie relaiile:
i0 = I p iC1 = I p I S exp (v x VT )
.
(II.134)
v 0 = RL i0 = RL I p I S exp (v x VT )

Etajul cu emitor comun este mai puin utilizat dect etajul cu colector
comun din cauza caracteristicii neliniare deci distorsiuni mari i rezistenei de
ieire mare deci rezisten de sarcin mai mare n aceeai msur. Ca avantaje,
pot fi amintite ctigul mare n curent i tensiunea de ieire de valoare ridicat.
O aplicaie tipic a etajului de ieire cu emitor comun, n varianta cu
colector deschis, este n cazul comparatoarelor de tensiune, unde nu se pune
problema neliniaritii. Colectorul deschis permite conectarea rezistenei de
sarcin la o alt tensiune dect cea de alimentare a circuitului.

II.4.1.3. Etaj de ieire baz comun

Configuraia baz comun este utilizat ca etaj de ieire n anumite aplicaii
particulare. Principalul dezavantaj este ctigul n curent unitar, astfel nct
etajul prefinal trebuie s debiteze acelai curent ca i etajul final. ns etajul
baz comun prezint dou avantaje importante:
tensiunea de strpungere fiind mai mare dect n alte configuraii, tipic
valoare dubl, face etajul adecvat pentru lucru cu tensiuni nalte de ieire;
comportare bun n frecven, caracteristic configuraiei baz comun.
O aplicaie uzual a etajului cu baz comun este amplificatoarele video
i de baleaj pentru osciloscoape, schema de principiu fiind conform Fig.35.
RL

v0

RL

Q1

Q1
Q1

vx1

+VCC

RE

VB

Q1
RE

vx2

VCC

Fig.II.35. Etaj de ieire diferenial cu baz comun.

45

II.4.2. ETAJE DE IEIRE N CONTRATIMP CLAS B

Etajele de ieire clas A analizate la pct.II.4.1 prezint dou dezavantaje
importante: prezint randament mic, iar puterea disipat n repaus (semnal de
intrare zero) este mare, fapt ce conduce la creterea ariei cipului, deci a
preului de cost al circuitelor integrate care folosesc astfel de etaje de ieire.
Aceste dezavantaje pot fi eliminate prin utilizarea etajelor de ieire n
contratimp clas B, care prezint randamente mari (valoarea teoretic maxim
este de 78,5%), iar consumul de curent n repaus este aproape nul.
n esen, etajele n contratimp clas B includ dou dispozitive active
lucrnd n clas B, adic blocate n lipsa semnalului de intrare. La apariia unui
semnal de intrare, cele dou dispozitive active conduc pe rnd, cte unul pe
fiecare semialterna, de unde provine i denumirea lor de etaje n contratimp.
Schema tipic a unui etaj n contratimp clas B, utilizat n CIA, este
reprezentat n Fig.II.36, de unde se observ c etajul este constituit din dou
tranzistoare complementare, unul npn (Q1) i cellalt pnp (Q2).
+VCC
Q1
vx

iC1

i0

iC2

RL
Q2

v0
VCC

Fig.II.36. Etaj de ieire n contratimp clas B.

II.4.2.1. Caracteristica de transfer static

Pentru etajul de Fig.II.36, caracteristica de transfer v0 = f(vx) este reprezentat
n Fig.II.37, observndu-se trei regimuri de funcionare n funcie de nivelul vx:
dac (VBeon vx +VBeon) v0 = 0, ambele tranzistoare fiind blocate;
dac (vx > +VBeon), Q2 rmne blocat, iar Q1 lucreaz ca repetor pe emitor,
tensiunea v0 urmrind tensiunea vx pn cnd Q1 intr n saturaie;
dac (vx < VBeon), Q1 rmne blocat, iar Q2 lucreaz ca repetor pe emitor,
tensiunea v0 urmrind tensiunea vx pn cnd Q2 intr n saturaie.

46

Pant 1
Q1 activ
Q2 blocat

(+VCC VCES1 + vBE1)

+VBEon

Pant 1
Q1 blocat
Q2 activ
Q2 saturat

Q1 saturat

VBEon

(VCC + VCES2 vBE2)

v0

vx

Fig.II.37. Caracteristicile de transfer a unui etaj de ieire clas B.

Specific etajelor de ieire n contratimp clas B este neliniaritatea sau
zona moart din jurul originii, corespunztoare comutrii conduciei de la un
tranzistor la cellalt, care genereaz distorsiuni de trecere. Ponderea acestor
distorsiuni scade pe msur ce semnalul de intrare crete. ns dac semnalului
de intrare depete o anumit limit, tranzistoarele pot intra n saturaie,
tensiunea de ieire intrnd n limitare, distorsiunile vor crete din nou.

II.4.2.2. Bilanul energetic

Avnd n vedere, dup cum reiese din Fig.II.36, c excursia maxim a
tensiunii pe sarcin are valoarea aproximativ egal cu tensiunea de alimentare:
V0_max = VCC VCES VCC ,
(II.135)
tensiunea de ieire poate fi exprimat cu o relaie de forma (II.120):
V0 = KV0_max = KVCC ,

(II.136)

unde K = 01, reprezint factor de utilizare a tensiunii de alimentare.

Pe baza (II.136), amplitudinea curentului n sarcin presupus sinusoidal,
egal cu amplitudinea curenilor de colector ai celor dou tranzistoare, rezult:
I 0 = V0 RL = K VCC RL = I C1 = I C2 = I C .
(II.137)

a) Calculul puterii medii absorbite de la sursele de alimentare. Curenii

absorbii de la sursele de alimentare sunt identici cu curenii de colector ai

47

celor dou tranzistoare i reprezint o semialternan de semnal sinusoidal.

n aceste condiii, valoarea medie a curentului pe o semiperioad fiind:
2 T2
1
1 VCC
I surs = I 0 sin tdt = I 0 = K
,
(II.138)
T 0

RL
sau, utiliznd (II.137):

I surs =

1
1 VCC
,
I0 = K

RL

(II.139)

se obine expresia puterii medii absorbite de la sursele de alimentare:

PA = 2VCC I surs = K

2
2 VCC
= KPA_max ,
RL

(II.140)

unde:

PA-max =

2
2 VCC
.
RL

(II.141)

Din (II.140) se observ c, spre deosebire de etajele clas A, pentru

etajele clas B puterea medie absorbit de la sursele de alimentare nu mai
este constant, ci depinde de nivelul semnalului, fiind direct proporional
cu factorul de utilizare a tensiunii de alimentare. n lipsa semnalului, adic
pentru K = 0, tranzistoarele fiind blocate puterea absorbit de etaj este zero.
b) Calculul puterii utile medii i a randamentului. Deoarece puterea util
medie debitat n sarcin are, conform (II.130) i (II.131), expresia:
P0 = (1 2 )V0 I 0 ,
(II.142)

pe baza (II.136), (II.137), se poate scrie:

P0 = K 2

2
1 VCC
= K 2 P0_max ,
2 RL

(II.143)

2
1 VCC
.
2 RL

(II.144)

unde:
P0-max =

Avnd n vedere (II.141), (II.143) devine:

P0 = ( 4 )K 2 PA_max .

(II.145)

Pe baza (II.140) i (II.145), se poate determina expresia randamentului:

= P0 PA = ( 4 )K ,
(II.146)
avnd valoarea teoretic maxim, pentru K = 1, de 78,6%. Aceast valoare

48

maxim este superioar celei de 25% specific etajelor clas A.

Valoarea ridicat a randamentului i valoarea zero a curentului absorbit
n repaus sunt avantaje decisive ale etajelor de ieire clas B, comparativ cu
etajele de ieire clas A, care impun utilizarea lor preponderent n CIA.

c) Calculul puterii medii disipate de tranzistoare. Valoarea puterii medii

disipate de tranzistoare, utiliznd (II.140), (II.145), se poate calcula astfel:

PDT = PA P0 = K ( 4 )K 2 PA_max .

(II.147)

Din (II.147) se observ c maximul puterii medii disipate nu se obine la

semnal maxim (K = 1), ci la o valoare a factorului de utilizare a tensiunii de
alimentare (K) care anuleaz derivata n raport cu K a expresiei (II.147):
dPDT dK = 1 2 K = 0 K = 2 = 0,637 .
(II.148)
Pentru K = 2/, avnd n vedere (II.141), puterea disipat maxim este:

2 2 2
1
2 V2
PDT_max = PA_max = PA_max = 2 CC .

RL
4

(II.149)

Puterea disipat maxim mai poate fi exprimat i n funcie de puterea

maxim debitat n sarcin (K = 1), pe baza (II.144) i (II.149), astfel:
PDT_max =

2
2 VCC
4
= 2 P0_max 0,4 P0_max .
2
RL

(II.150)

Considernd c puterea disipat maxim atinge valoarea admisibil

pentru cele dou tranzistoare, (II.150) poate fi interpretat i astfel:

2
2
PDT_max =
PDT_adm 2 ,5PDT_adm ,
(II.151)
4
4
unde PDT_adm este puterea disipat admisibil a celor dou tranzistoare.
Avnd n vedere (II.144) i (II.151), se poate calcula valoarea minim
admisibil pentru rezistena de sarcin, n funcie de valoarea tensiunii de
alimentare i de puterea disipat admisibil a tranzistoarelor, astfel:
P0_max =

R L_min_adm =

2
2
1 VCC
1 VCC
.

2 P0_max 5 PDT_adm

(II.152)

Din (II.152) se poate trage o concluzie practic important i anume,

dac rezistena de sarcin scade sub valoarea minim admisibil, puterea
disipat de ctre tranzistoare depete valoarea maxim admisibil, deci
tranzistoarele se vor defecta. Prin urmare, se impune necesitatea protejrii
etajului de ieire n clas B mpotriva scurtcircuitelor accidentale la ieire.

49

Condiia (II.152) este valabil dac frecvena semnalului este suficient

de mare, pentru ca perioada s fie mult mai mic dect constanta de timp
termic a tranzistoarelor, astfel nct temperatura lor s se stabileasc pe
valoarea medie. n caz contrar, temperatura jonciunilor va urmri variaia
puterii instantanee disipate de tranzistor. n aceste condiii, dac puterea
instantanee depete valoarea admisibil, exist pericolul ca tranzistorul s
se distrug prin nclzire pe anumite poriuni ale curbei semnalului, dei
puterea medie pe o perioad rmne inferioar puterii disipate admisibile.
Valoarea maxim a puterii instantanee disipate de ambele tranzistoare se
obine, pentru K = 1, n punctul de funcionare de coordonate vCE = VCC/2 i
iC = VCC/2RL, pentru fiecare tranzistor n parte, conform relaiei:
2
1 VCC
=
.
(II.153)
2 RL
Dac se pune condiia ca puterea disipat instantanee s nu depeasc
puterea disipat admisibil:
p DT_max = PDT_adm ,
(II.154)

V
p DT_max = 2v CE iC = 2 CC
2

VCC

2 R L

rezistena de sarcin, conform (II.153), trebuie s ndeplineasc condiia:

RL

2
1 VCC
,
2 PDT_adm

(II.155)

unde PDT_adm reprezint puterea disipat admisibil total, adic suma

puterilor disipate admisibile pentru ambele tranzistoare. Se observ c
condiia (II.155) este mult mai restrictiv dect condiia (II.152).

II.4.2.3. Etaje clas B cu tranzistoare compuse

Etajele de ieire n contratimp clas B cu tranzistoare complementare, conform
schemei de principiu din Fig.II.36, prezint avantajul c acelai semnal aplicat
simultan pe baza celor dou tranzistoare, realizeaz comanda lor n contratimp.
Comanda unui etaj final n contratimp clas B se poate realiza simplu cu
ajutorul unui etaj prefinal n clas A. Dac ns etajul final este de putere peste
nivelul mediu (> 1W), atunci etajul prefinal poate ajunge la o disipaie ridicat.
Acest aspect constituie un dezavantaj al etajelor n contratimp clas B, care
poate fi eliminat prin utilizarea tranzistoarelor compuse, conform Fig.II.38.
n Fig.II.38.a este reprezentat un etaj realizat cu dou tranzistoare de
acelai tip, n configuraie Darlington. Se observ c n circuitul de intrare apar

50

nseriate dou jonciuni baz-emitor, motiv pentru care panta tranzistorului

echivalent, IC/uBE, se reduce, deci se reduce i amplificarea etajului.
+VCC

+VCC

Q1A

Q2B

RL

Q1A

Q1B

v0

v0

vx

Q2A

(a)

Q1B

Q1A
Q1B

vx

+VCC

RL

Q2A

v0
vx

Q2B

VCC

(b)

RL

Q2A
Q2B

VCC

(c)

VCC

Fig.II.38. Etaje de ieire n contratimp clas B cu tranzistoare compuse:

(a) configuraie Darlington; (b) simetrie quasi complementar;
(c) simetrie complementar.
Alte configuraii posibile de etaje finale cu tranzistoare compuse sunt
cele cu simetrie quasi complementar i complementar. Simetria quasi
complementar (Fig.II.38.b) se refer la faptul c numai unul din cele dou
tranzistoare compuse este realizat cu tranzistoare complementare, cellalt fiind
realizat cu tranzistoare de acelai tip. Ca urmare simetria quasi complementar
mai prezint o variant n care tranzistorul compus echivalent npn este realizat
ca n Fig.II.38.c, iar cel pnp ca n Fig.II.38.a. Simetria quasi complementar
este o quasi simetrie i pentru c etajul final prezint impedan de intrare
nesimetric (pe o alternan intervine numai o tensiune baz-emitor, iar pe
cealalt alternan intervin dou tensiuni baz-emitor). Acest dezavantaj este
eliminat de ctre configuraia cu simetrie complementar din Fig.II.38.c.

II.4.3. ETAJE DE IEIRE N CONTRATIMP CLAS A-B

II.4.3.1. Caracteristica de transfer
Dup cum s-a menionat la pct.II.4.2, etajele de ieire clas B se remarc prin
randament ridicat i consum redus de curent de la sursele de alimentare, dar
prezint n schimb o zon moart cu limea de 2VBE 1,2 V, centrat pe
valoarea zero a semnalului de intrare, n care ambele tranzistoare sunt blocate.

51

Deci pentru semnal de intrare cu amplitudinea mai mic de 0,6 V, tensiunea

de ieire va avea valoarea zero conform caracteristicii de transfer din Fig.II.37.
Efectul acestei zone moarte pe care o prezint etajul final clas B l
reprezint apariia de distorsiuni de neliniaritate, numite distorsiuni de trecere.
Etajul final fiind inclus ntr-o bucl global de reacie, zona moart i
distorsiunile de trecere vor fi reduse proporional cu amplificarea pe bucla de
reacie. Deoarece amplificarea scade cu frecvena, rezult c etajele finale
clas B pot da rezultate satisfctoare doar n aplicaiile de joas frecven.
Pentru a se obine aceleai rezultate acceptabile i n aplicaiile de medie
sau nalt frecven, se impune liniarizarea caracteristicii de transfer a etajului
final. n acest sens, soluia const n prepolarizarea jonciunilor baz-emitor a
tranzistoarelor finale, astfel nct acestea s fie n faza incipient a conduciei,
n lipsa semnalului de intrare, adic s lucreze n clas A-B, conform Fig.II.39.
v0

+VCC
VBE
vx

VBE

Q1

Caracteristica
compus

Q1

VBE

v0

Q2

RL
VCC

(a)

vx2

vx1
Q2

v0

(b)

Fig.II.39. Etaje de ieire n contratimp clas A-B:

(a) schema de principiu; (b) caracteristica de transfer compus.
Sarcina prepolarizrii etajului final clas A-B revine etajului prefinal,
care funcioneaz de regul n clas A. Circuitul suplimentar de prepolarizare
trebuie s ndeplineasc nite condiii destul de critice, cum ar fi:
s asigure un factor de utilizare al tensiunii de alimentare ct mai apropiat
de unitate, astfel nct s nu fie afectat randamentul din aceast cauz;
s asigure un curent de prepolarizare care s reprezinte un compromis
optim ntre limea zonei moarte reziduale i puterea disipat n repaus;
s permit un control riguros al curentului de repaus (de prepolarizare);
s fie stabil cu temperatura, pentru a se evita ambalarea termic a etajului;
s fie compatibil ca implementare cu tehnologia circuitelor integrate.

52

II.4.3.2. Prepolarizarea etajului final

n principiu, exist mai multe soluii de prepolarizare a etajului final, utiliznd
rezistoare, termistoare pentru compensare termic, diode, tranzistoare etc.,
dintre care cea mai performant este cea bazat pe dioda multiplicativ.
Schema de comand a unui etaj final n clas A-B, prepolarizat cu diod
multiplicativ este reprezentat n Fig.II.40. Dac n Fig.II.40.a se neglijeaz
curentul de baz al tranzistorului, expresia tensiunii colector-emitor are forma:
v CE
v BE
=
vCE = v BE (1 + Ra Rb ) .
(II.156)
Rb
Ra + Rb
Prin urmare, cderea de tensiune pe circuitul n discuie reprezint o
tensiune baz-emitor multiplicat cu un factor a crei valoare poate fi stabilit
prin raportul a dou rezistene. Dac schema este dimensionat adecvat i
tranzistoarele sunt cuplate termic, dioda multiplicativ asigur prepolarizarea
tranzistoarelor finale cu o tensiune proporional cu tensiunea lor baz-emitor.
n Fig.II.40.b, dioda multiplicativ este conectat ntre bazele tranzistoarelor
finale, etajul prefinal fiind constituit din tranzistorul Q3 i sarcina rezistiv RC3.
+VCC

RC3
Ra
vBE

vCE

Rb

Ra

Q1

Rb
vx
(a)

v0

Q
Q3
(b)

Q2

RL
VCC

Fig.II.40. Etaj de ieire clas A-B prepolarizat cu diod multiplicativ:

(a) diod multiplicativ; (b) etaj final clas A-B cu diod multiplicativ.

II.4.3.3. Protecia la scurtcircuit

O alt problem important, specific etajelor de ieire, o constituie
protecia la scurtcircuit, astfel nct s se evite distrugerea tranzistoarelor finale
n caz de suprasarcin sau de scurtcircuit la ieire. Exist mai multe soluii de
limitare a curentului de ieire, diferind ntre ele prin precizia limitrii i prin
complexitatea schemei. Precizia limitrii se refer la capabilitatea circuitului
de protecie de a controla puterea disipat fr a perturba buna funcionare a

53

circuitului integrat n apropierea valorii limit a curentului de ieire.

Schemele concrete de circuite de protecie ncep de la cele mai simple,
constnd n utilizarea unor rezistene de protecie plasate n colectoarele
tranzistoarelor finale i continu pn la scheme complexe bazate pe utilizarea
unor componente de circuit neliniare, diode sau tranzistoare.
Spre exemplificare, n Fig.II.41 se prezint un circuit de protecie cu
tranzistoare, care reprezint n acest sens soluia tipic, utilizat pe scar larg.
Protecia este asigurat de tranzistoarele Q6, Q7 i rezistenele Re cu rol de
senzori de curent. Cnd cderea de tensiune pe rezistenele Re atinge valoarea
VBeon, tranzistoarele Q6, Q7 se deschid i taie curentul de baz al tranzistoarelor
finale Q1, Q2. Prin urmare, curentul de ieire nu poate depi valoarea:
v
(II.157)
I 0_SC = BE .
Re
n Fig.II.41, etajul prefinal este prevzut cu sarcin activ, care asigur
performane maxime privind amplificarea i utilizarea tensiunii de alimentare.
Q5

Q4

Rp

Q1

Q6
Ra
Rb

vx

+VCC

Re

Q
Q7

Re

v0
RL

Q2
Q3

VCC

Fig.II.41. Etaj de ieire clas A-B prevzut cu protecie la scurtcircuit.

Observaie:
Etajele de ieire analizate mai sus fiind etaje n contratimp, cu tranzistoare
complementare, necesit pentru comand un singur semnal de intrare.
n structura circuitelor integrate, n special a celor de putere, cum ar fi
amplificatoarele audio cu putere de peste 10 W, se pot utiliza i etaje de ieire
cu tranzistoare de acelai tip, de regul npn, situaie n care pentru comanda
tranzistoarelor finale sunt necesare dou semnale identice, dar n antifaz.

54