1.

Atomul

1.1 Modelul atomic al lui Bohr. Modelul planetar

Fig.1.1 Modelul planetar a1 atomului

Modelul planetar este un model dinamic in care electronii negativi se misca in jurul nucleului
pozitiv, similar cu planetele in jurul soarelui (figura 1.1). Pentru ca traiectoria sa fie stabila este necesar
ca forta electrica cu care electronul este atras de nucleu sa fie echilibrata de forta centrifuga.

Nucleul atomului este compus din protoni si neutroni. Protonul este o particula elementara cu
sarcina pozitiva (egala in modul cu sarcina electronului), in timp ce neutronul este neutru din punct de
vedere electric. Sarcina nucleului este egala cu Q = +Ze, unde Z este numarul dc protoni, iar e este
sarcina protonului. In tabelul l sunt date principalele marimi caracteristice ale celor trei particule
elementare care constitue atomul.
Particula Simbol Semn Masa [Kg] Sarcina [C]
-31
electron e negativ 9,11x10 1,6x10-19
proton p pozitiv 1,672x10-27 1,6x10-19
neutron n neutru 1,675x10-27 0

1.2 Marimi caracteristice atomului

Din punct de vedere electric atomul este neutru. In consecinta, numarul de electroni dintr-un
atom trebuie sa fie egal cu numarul de protoni, Ne=Np. Numarul de protoni dintr-un atom se noteaza cu
Z si poarta denumirea de numar atomic.
Deoarece masa protonului si a neutronului este mult mai mare decat masa electronului se poate
considera, cu o buna aproximatie, ca masa atomului este egala cu masa nucleului. Astfel, masa atomica
este
mA = Zmp + Nmn,
unde Z si N reprezinta numarul de protoni si, respectiv, de neutroni din nucleu.
Marimea A = Z + N poarta denumirea de numar de masa.
Prin conventie, numarul atomic si numarul de masa se reprezinta ca indice dreapta inferior si,
respectiv, superior atasati simbolului elementului :

Pentru un atom dat, numarul atomic Z este constant el fiind o caracteristica fundamentala a
atomului. In schimb, numarul de masa A poate avea valori diferite pentru acelasi atom, din cauza ca
nucleul atomului poate contine un numar diferit de neutroni pentru acelasi Z fara ca neutralitatea
atomului sa fie schimbata. Atomii cu acelasi Z dar cu numar de masa atomic, A, diferit poarta
denumirea de izotopi.

Fig. 1.2. Izotopii hidrogenului. Deuteriu si tritiu au un singur proton ca si atomul de hidrogen in schimb
au un neutron si, respetiv, doi neutroni in plus.

Masa atomilor este mult mai mica decat unitatea de masa din sistemul international , kilogramul
(Kg). Din aceasta cauza, exprimarea masei unui atom in kilograme este greoaie si genereaza unele
dificultati de interpretare. Pentru a elimina acest neajuns s-a introdus unitatea atomica de masa (u), a
carei valoare este de acelasi ordin de marime cu masele atomice sau moleculare.
Unitatea atomica de masa este egala cu a 12-a parte din masa izotopului de 12C:
 Avantajul
introducerii unitatii atomice de masa este evident daca privim, de exemplu pentru Fe, modul de
exprimare al masei atomice in cele doua unitati de masura: mFe = 55,85u sau mFe = 92,738 x 10-27 Kg.

2. Tipuri de materiale electronice

Materialele electronice sunt utilizate pentru realizarea componentelor/dispozitivelor electronice.

Aceste materiale au o structur cristalin n care atomii sunt legai ntre ei prin intermediul unor
legturi covalente la care particip electronii de valen ai atomilor din care este realizat materialul
respectiv.

Din punct de vedere electric, materialele electronice se mpart n trei mari categorii i anume:
- Conductoare
- Semiconductoare
- Izolatoare

n Figura 2.1 sunt prezentate cele mai uzuale elemente chimice utilizate pentru obinerea
materialelor din care sunt realizate componentelor/dispozitivele electronice.

Figura 2.1
Proprietatea care difereniaz cele trei tipuri de materiale electronice este conductibilitatea
electric (proprietatea unui material de a permite trecerea curentului electric). Conductibilitatea
electric a materialelor este determinat de apariia purttorilor de sarcin electric, n anumite
condiii energetice i de deplasarea acestora n structura intern a materialului respectiv.
Descrierea purttorilor de sarcin electric se realizeaz pe baza modelului simplificat al benzilor
energetice al corpului solid. Conform acestui model, electronii atomului sunt plasai pe diferite nivele
energetice, care pot fi grupate n benzi energetice.
Banda de valen.
Exist o band energetic n care toate nivelele energetice sunt ocupate de electroni. Aceast
band se numeste band de valen, iar electronii respectivi se numesc electroni de valen. n structura
cristalin a materialului, aceti electroni sunt legai prin legturi covalente, fiind imobili.
Banda de conducie. Electronul de conducie.
Banda energetic n care nivelele energetice au valorile cele mai mari se numete band de
conducie. n aceast band, toate nivelele energetice sunt libere. Pentru ca un electron s poat ocupa
un nivel energetic n benda de conducie este necesar ca acesta s beneficieze de un aport energetic.
Electronul care ocup un nivel energetic din banda de conducie se numete electron de conducie.
Electronii de conducie sunt liberi s se deplaseze prin structura cristalin a materialului. Aceti
electroni provin din electronii de valen care, pe baza aportului energetic provenit din exteriorul
materialului, pot rupe legturile covalente n care au fost iniial fixai devenind electroni liberi. Datorit
faptului c se pot deplasa, electronii de conducie particip la generarea curentului electric prin
structura unui material.
Apariia unui curent electric n structura unui material presupune deplasarea orientat a unor
purttori de sarcin electric (n acest caz electronii) prin structura respectiv.
Diagrama benzilor energetice a materialelor electronice
Tipul unui material electronic poate fi caracterizat de modul n care sunt dispuse benzile
energetice ale acestuia. Informaiile despre dispunerea benzilor energetice sunt furnizate de ctre
diagrama de benzi energetice a materialului respectiv.
n figura 2.2.a se prezint diagrama benzilor energetice pentru materialele conductoare. Prin EC
s-a notat nivelul energetic inferior al benzii de conducie, iar prin EV s-a notat nivelul energetic
superior al benzii de valen. Se observ c, pentru materialele conductoare, cele dou benzi energetice
prezint o suprapunere. n acest caz, conducia curentului electric este asigurat de ctre un singur tip
de purttori de sarcin electric i anume electronul de conducie.
n figura 2.2.b se prezint diagrama benzilor energetice pentru materialele izolatoare, respectiv
semiconductoare. n acest caz, se remarc faptul c banda de conducie este izolat de banda de valen
de o a 3a band energetic, numit band interzis. Banda interzis grupeaz nivele energetice care NU
sunt permise electronilor; electronii nu pot ocupa nivelele energetice din aceast band. Diferena
dintre materialele semiconductoare i cele izolatoare este dat de limea benzii interzise, notate EG, la
materialele izolatoare fiind mult mai mare (5eV; eV=electron-volt) dect la cele semiconductoare
(1,1eV).
n cazul n care, materialul izolator sau semiconductor este supus aciunii unui agent exterior
(cmp electric, magnetic, cldur, lumin), se poate furniza unora dintre electronii de valen energia
necesar depirii benzii interzise astfel nct acetia pot ajunge pe un nivel energetic superior, aflat n
banda de conducie. n consecin, printr-un aport energetic extern suficient de mare, aceti electroni de
valen devin electroni de conducie, fiind liberi s se deplaseze prin structura cristalin a materialului.
Prin plecarea unui electron din banda de valen, se elibereaz un loc pe un nivel energetic din
banda de valen, care, n continuare, poate fi ocupat de un alt electron de valen, aflat pe un nivel
energetic inferior n banda de valen. Locul liber, lasat prin plecarea unui electron de pe un nivel
energetic al benzii de valen se numete gol.
La materialele semiconductoare i izolatoare, fenomenele de conducie ale curentului electric sunt
generate de apariia electronilor de conducie i a golurilor.

Figura 2.2

Materiale semiconductoare

Sunt utilizate la obinerea dispozitivelor semiconductoare: tranzistoare, diode, etc precum i la

realizarea circuitelor integrate.

2.1. Materiale semiconductoare intrinseci.

Materialele semiconductoare intrinseci sunt materiale semiconductoare pure, la care atomii din
reeaua cristalin sunt de un singur tip, din grupa aIVa a tabelului periodic al elementelor i anume:
Siliciul i Germaniul. n prezent, cel mai utilizat element pentru obinerea materialelor
semiconductoare este siliciul, structura sa fiind prezentat n figura 2.3.

Figura 2.3.

Revenind la diagrama benzilor energetice, la temperatura de 00K, electronii sunt plasai numai
n banda de valen. Deoarece nu exist electroni de conducie (electroni liberi), n structura
materialului semiconductor nu se genereaz curent electric.
La temperaturi mai mari de 00K, o parte a energiei termice este preluat de ctre electronii de
valen, care, beneficiind de acest aport energetic, pot trece de nivelele energetice din banda interzis i
ajunge pe nivelele energetice din banda de conducie, devenind liberi s se deplaseze prin structura
materialului.
Prin plecarea acestor electroni din banda de valen, locul ocupat iniial de ctre acetia pe nivelul
energetic din banda de valen devine liber, altfel spus - gol. Acest gol poate fi ocupat de un alt electron
de valen, fr un aport energetic substanial. Acest al 2lea electron de valen, prin ocuparea nivelului
energetic lsat liber de primul electron, las la rndul lui un nou loc liber, un nou gol, pe nivelul
energetic ocupat n banda de valen. Se constat astfel, o deplasare a golurilor n banda de valen,
motiv pentru care i golul este un purttor de sarcin mobil. Acest fenomen este prezentat n Figura 2.4.

Figura 2.4

Acelai fenomen poate fi explicat pe baza structurii reelei cristaline a atomului de siliciu. La
temperatura de 00K, atomii de siliciu sunt legai prin legturi covalente la care fiecare dintre acetia
particip cu cte 4 electroni de valen. La nivelul reelei cristaline, electronii de valen pot cpta
suficient energie astfel nct s rup legturile covalente n care au fost fixai. Prin ruperea legturii
covalente, electronii de valen devin liberi (devin electroni de conducie) i las n urm, la nivelul
atomului de unde au plecat un gol, caracterizat printr-un un exces de sarcin pozitiv la nivelul
atomului respectiv. Din acest motiv, golul respectiv poate fi echivalat, din punct de vedere electric, cu o
sarcin electric pozitiv fictiv. n continuare, dac un alt electron de valen rupe o legtur
covalent, devenind liber, poate ocupa golul lsat de primul electron de valen. Acest fenomen este
sugerat n Figura 2.5.
 Figura 2.5.

Purttori mobili de sarcin electric

Purttorii mobili de sarcin electric n semiconductoare sunt electronii de conducie i golurile.
Deoarece acetia sunt mobili, se pot deplasa prin structura semiconductorului. n cazul n care
deplasarea purttorilor de sarcin este orientat (nu este haotic), fenomen care se poate observa, de
exemplu, n cazul n care se aplic asupra semiconductorului un cmp electric, prin structura
semiconductorului se observ apariia unor fenomene de conducie electric (fenomene legate de
generarea curentului electric). n consecin, fenomenele de conducie n materialele semiconductoare
sunt generate pe baza electronilor de conducie i a golurilor.

Generarea purttorilor mobili de sarcin

Din cele prezentate mai sus se constat c, ntr-un material semiconductor, purttorii mobili de
sarcin (electroni de conducie i goluri) sunt generai prin ruperea legturilor covalente.
n plus, se constat c prin creterea temperaturii, numrul de electroni de valen care capt
suficient energie pentru a rupe legturile covalente, crete. n concluzie, prin creterea temperaturii, tot
mai multe legturi covalente se rup i astfel sunt generai tot mai muli purttori mobili de sarcin.
Mecanismul de generare a purttorilor mobili de sarcin n semiconductoare pe baza creterii
temperaturii se numete generare termic de purttori de sarcin.

Din fenomenele descrise mai sus s-a constatat c, prin ruperea legturilor covalente, electronii de
conducie i golurile sunt generai n perechi.
Deoarece electronii de conducie i golurile sunt generai n perechi, concentraiile de purttori
mobili de sarcin electric ntr-un semiconductor intrinsec sunt egale. Concentraiile de purttori mobili
de sarcin electric ntr-un semiconductor se noteaz astfel:

n = concentraia de electroni de conducie,

p = concentraia de goluri.

Valoarea comun a acestor concentraii se numete concentraie intrinsec i se noteaz cu ni. n

concluzie, pentru un semiconductor intrinsec este valabil relaia:

n=p=n i
 Figura 2.6

Concentraia intrinsec crete cu creterea temperaturii semiconductorului. La temperatura

camerei, considerat 3000K, ni are valoarea 1,451010cm-3 pentru siliciu, respectiv 21013cm-3, la
germaniu. n Figura 6 se prezint modul n care variaz cu temperatura T concentraia intrinsec a unui
material semiconductor din siliciu.

Recombinarea purttorilor de sarcin

n cadrul semiconductoarelor, pe lng mecanismul de generare a purttorilor de sarcin este
prezent i mecanismul invers, care duce la dispariia purttorilor de sarcin. Mecanismul respectiv se
numete recombinare de purttori de sarcin i este caracterizat prin revenirea electronilor de pe un
nivel energetic superior, din banda de conducie, pe un nivel energetic inferior, n banda de valen.
Revenirea n banda de valen a unui electron de conducie duce att la dispariia unui electron de
conducie ct i a unui gol.
Deci, mecanismul de recombinare a purttorilor de sarcin duce la dispariia n perechi a acestora.

2.2. Doparea materialelor semiconductoare. Materiale semiconductoare extrinseci.

Fenomenul de dopare const n introducerea n materialul semiconductor intrinsec, prin diverse
procedee controlate, a unor atomi diferii fa de cei din Si sau Ge, denumii i atomi de impuritate, n
scopul modificrii proprietilor electrice ale materialului semiconductor. Un material semiconductor
dopat cu atomi de impuritate se numete material semiconductor extrinsec. Condiia necesar ca un
material semiconductor s fie extrinsec este ca concentraia de atomi de impuritate cu care este dopat
materialul semiconductor intrinsec, notat Nimpuriti s fie mult mai mare dect concentraia intrinsec
ni:

N impuritati >> n i

Materialele semiconductoare extrinseci sunt utilizate pentru realizarea dispozitivelor

semiconductoare: circuite integrate, tranzistoare sau diode.
Atomii de impuritate cu care se dopeaz materialele semiconductoare intrinseci sunt atomi din
grupele V, respectiv III, din care cei mai frecvent utilizai sunt cei prezentai n Figura 2.7.
 n funcie de atomii de impuritate cu care sunt dopate materialele semiconductoare intrinseci,
materialele semiconductoare extrinseci se mpart n 2 categorii:
materiale semiconductoare de tip N
materiale semiconductoare de tip P

Figura 2.7.

Materiale semiconductoare de tip N

Pentru obinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este dopat cu atomi de
impuritate pentavaleni, (din grupa a Va a tabelului periodic al elementelor chimice), care, n structura
cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Patru din cei cinci electroni de
valen a atomului de impuritate formeaz 4 legturi covalente cu electronii de valen ai atomilor de
Siliciu sau Germaniu nvecinai, n timp ce al 5lea electron de valen al atomului de impuritate este
slab legat, astfel c la temperatura camerei primete suficient energie pentru a se desprinde de atomul
de impuritate, devenind astfel electron liber, sau electron de conducie, capabil s participe la
fenomenele de conducie, aa cum este prezentat i n Figura 2.8.

Figura 2.8.

Se constat c formarea electronului de conducie nu este nsoit de generarea unui gol.

Electronii de conducie obinui n acest mod sunt generai prin doparea materialului cu atomii de
impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a electronilor de conducie, acetia mai pot fi generai i
prin mecanismul de generare termic (prin creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui
electron de conducie este nsoit de generarea unui gol.
 Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip N,
concentraia de electroni de conducie este mult mai mare dect cea de goluri. Din acest motiv,
electronii de conducie se numesc purttori de sarcin majoritari, iar golurile se numesc purttori
de sarcin minoritari.

Deoarece atomul de impuritate cedeaz acest al 5lea electron de valen, el se numete atom
donor. n urma cedrii celui de al 5lea electron, atomul donor devine ion pozitiv (se reamintete c un
atom este neutru dpdv electric; prin cedarea unui electron, atomul respectiv devine ion pozitiv, iar prin
primirea unui electron, atomul respectiv devine ion negativ).

Materiale semiconductoare de tip P

Pentru obinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este impurificat cu atomi
trivaleni, (din grupa a IIIa a tabelului periodic al elementelor chimice), cum ar fi borul, galiul, indiul,
care, n structura cristalin a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Atomul de
impuritate poate participa, prin cei trei electroni de valen ai si, la formarea numai a trei legturi
covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu sau germaniu nvecinai, lsnd electronul de
valen al celui de-al 4-lea atom de siliciu nvecinat fr legtur covalent, astfel crend un gol la
nivelul atomului de impuritate respectiv.
Electronul de valen al celui de-al 4-lea atom de siliciu nvecinat (n figura 2.9, atomul de siliciu
din dreapta) poate forma o legtur covalent cu un alt electron de valen al unui alt atom de siliciu
nvecinat, care, prin completarea acestei legturi covalente, las la rndul su, n urma sa un gol.

Figura 2.9.

Se constat c formarea unui gol nu este nsoit de generarea unui electron de conducie.

Golurile obinute n acest mod sunt generate prin impurificarea materialului cu atomii de
impuritate. Pe lng acest procedeu de obinere a golurilor, acestea mai pot fi generate i prin
mecanismul de generare termic (prin creterea temperaturii), dar, n acest caz, generarea unui gol nu
este nsoit de generarea unui electron de conducie.

Din cele prezentate mai sus, se constat c, n cazul materialului semiconductor de tip P,
concentraia de goluri este mult mai mare dect cea a electronilor de conducie. Din acest motiv,
golurile se numesc purttori de sarcin majoritari, iar electronii de conducie se numesc purttori
de sarcin minoritari.
 Deoarece atomul de impuritate primete un electron de valen de la un atom de siliciu nvecinat,
el se numete atom acceptor. n urma primirii acestui electron, atomul acceptor devine ion negativ.

3. Solutii
Soluie un amestec intim al dou sau mai multe substane. Prin intim se nelege c moleculele
uneia dintre substanele din amestec sunt amestecate i n contact direct cu celelalte tipuri de molecule.
Datorit acestui caracter intim al amestecului, soluiile sunt ntotdeauna omogene.
Dizolvat componentul care este prezent n cantitate mai mic n amestec
Solvent componentul care este prezent n cantitate mai mare n amestec.

3.1 Solubilitatea
Daca adugam ulei in apa, putem observa ca cele doua componente nu se amesteca. De ce unele
tipuri de vopseluri pot fi curate cu ap, n timp ce altele necesita un tip de solvent total diferit? De ce
unele substane formeaz soluii iar altele nu?
n general este valabil afirmaia c o substan dizolv o alt substan asemntoare. Aceast
afirmaie se refer la tipul de legtur dintre diferitele molecule. Dac tipul de legtur dintre
moleculele unei substane de dizolvat este asemntor cu tipul de legtur dintre moleculele
solventului, ansele ca prima substan s se dizolve n a doua sunt foarte mari.
Legturile intramoleculare
Legturile intramoleculare se refer la legturile chimice care unesc mai muli atomi ai aceleiai
substane ntr-o molecul. Principalele tipuri de astfel de legturi sunt legtura covalent i legtura
ionic.
Legtura covalent implic partajarea electronilor de valen ntre doi atomi. Un exemplu de
astfel de legtur este cea pe care o gsim n molecula de ap (H2O). Uneori, electronii partajai stau
mai aproape de unul dintre atomi, formnd ceea ce se cheam o legtur covalent polar.
Legtura ionic implic transferul electronilor de valen de la un atom la altul. Unul dintre
atomi pierde electronii de valen, formnd un cation pozitiv, iar cellalt atom ctig electroni,
formnd un anion negativ. Fora de atracie electrostatic dintre cei doi electroni ncrcai cu sarcini
opuse ca semn ine molecula unit. Un exemplu comun de molecul cu legtur ionica este clorura de
sodiu (NaCl).
Legturile intermoleculare
Legturile intermoleculare unesc dou sau mai multe molecule, n faz lichid sau solid. Tipul de
legtur intermolecular depinde de doi factori principali:
- Legturile din interiorul unei singure molecule sunt polare sau nu
- Forma general a moleculei
O molecul polar va avea un capt cu sarcin parial pozitiv, n timp ce cellalt capt va purta o
sarcin parial negativ.
 Moleculele nepolare nu au capete negative sau pozitive.
Forele care in mpreun dou sau mai multe molecule por fi slabe (cum ar fi forele tip van der
Waals) sau puternice (forele dipol-dipol). Un tip special de legtur dipol-dipol, foarte puternic, este
legtura de hidrogen. Acest tip de legtur l regsim n molecula de ap.
De cele mai multe ori substanele nepolare se dizolv cel mai bine n solveni nepolari, n timp
ce substanele polare se dizolv cel mai bine n solveni polari. Explicaia simpl const n faptul c
legturile care se stabilesc ntre moleculele de dizolvat i cele de solvent substituie legturile dintre
moleculele de dizolvat.
3.2 Factori care influeneaz solubilitatea
Imaginai-v ca adugai mult sare ntr-un pahar cu ap. La un moment dat sarea nu se va mai
dizolva, ci pur i simplu se va aduga pe fundul paharului. Oricnd un dizolvat este dizolvat ntr-un
solvent, se atinge un punct cnd dizolvatul nu se mai dizolv, iar acest punct se numete punctul de
saturare.
Saturarea reprezint un echilibru al sistemului, putnd fi reprezentat de urmtoarea ecuaie
generic:
dizolvat (s, l, g) = dizolvat (aq)
Efectul temperaturii asupra solubilitii
Dac dorim ca mai mult sare s se dizolve n pahar, acest lucru se poate realiza prin nclzirea
coninutului paharului.
n general, creterea temperaturii conduce la creterea solubilitii lichidelor i solidelor. Pe de
alt parte, creterea temperaturii are ca rezultat scderea solubilitii gazelor. Sau sub form de ecuaii:
solid / liquid + cldur = aqueous
gas = aqueous + cldur
Influena presiunii asupra solubilitii gazelor
Solubilitatea gazelor crete odat cu creterea presiunii gazului de deasupra solventului.

3.3. Concentraia soluiilor

Se pune foarte des problema cantitii de dizolvat dintr-o cantitate dat de soluie. Pentru
nceput, putem aprecia acest lucru folosind doi termeni relativi: diluat i concentrat.
O soluie diluat este o soluie care conine o cantitate relativ mic de dizolvat.
O soluie concentrat conine o cantitate relativ mare de dizolvat.
Aceti doi termeni nu ofer informaii cantitative, dar sunt de folos cnd comparm n general
soluiie. De asemenea, aceti termeni nu ne spun dac soluia este saturat sau nu.
Pentru a aprecia cantitativ cantitatea de dizolvat dintr-o soluie, sunt folosite mai multe metode.
Cea mai des folosit n chimie este molaritatea (CM, concentraia molar) care reprezint
numrul de moli de dizolvat dizolvai ntr-un litru de soluie. Un astfel de exemplu ar fi 0,5 M NaOH,
care se citete soluie de hidroxid de sodiu 0,5 molar.
 Concentraia procentual este definit ca raportul dintre masa de dizolvat i masa soluiei,
nmulit cu 100.
O alta modalitate des ntlnit de exprimare a concentraiei este cantitatea de dizolvat pe
unitatea de volum. Ca uniti de msur ntlnite: mg/mL, mg/cm3.
Cnd discutm de cantiti foarte mici de dizolvat, putem folosi modalitatea de exprimare a
concentraiei prin pri pe milion (PPM), care se definete ca fiind masa de dizolvat din soluie
raportat la masa total a soluiei, nmulit cu 106.

4. Acizii i bazele

Acizi comuni Baze comune

Hidroxid de sodiu, NaOH

Acid clorhidric, HCl
(sod caustic)
acid sulfuric, H2SO4 Hidroxid de potasiu, KOH
Hidroxid de magneziu,
Acid azotic, HNO3
Mg(OH)2
acid acetic, HC2H3O2 Hidroxid de calciu, Ca(OH)2
acid carbonic, H2CO3 amoniac, NH3
acid citric, C6H8O7
acid acetilsalicilic,
C6H4(OCOCH3)CO2H

4.1 Teoria lui Arrhenius privind acizii i bazele

Proprietile acizilor se datoreaz prezenei ionilor de hidrogen, H+, iar proprietile bazelor se
datoreaz prezenei ionilor hidroxil, OH-. Aceasta este cunoscut ca fiind teoria lui Arrhenius cu privire
la acizi i baze, dup numele celui care a enunat-o prima dat, Svante Arrhenius n 1880.
Un aspect important al acestei teorii este acela c aceti compui devin acizi sau baze doar n
soluie. Acidul clorhidric, de exemplu, nu este acid atunci cnd se gsete n faz gazoas, conform
teoriei lui Arrhenius. Adugndu-l ns n ap, acesta devine un acid puternic. De ce?
Cnd compuii ionici se dizolv i produc ioni sufer un proces numit disociere. Exemple:
NaCl(s) Na+(aq) + Cl-(aq)

Na2SO4 (s) 2 Na+(aq) + SO42-(aq)

(NH4)3PO4 (s) 3 NH4+(aq) +

PO43-(aq)

NaOH(s) Na+(aq) + OH (aq)

 KOH(s) K+(aq) + OH (aq)

Mg(OH)2 (s) Mg2+(aq) + 2 OH (aq)

Dup cum se vede, ultimele 3 reacii produc ionii de hidroxid, i deci aceti 3 compui NaOH,
KOH, i Mg(OH)2 sunt baze Arrhenius.
Cnd compuii moleculari se dizolv n ap i produc ioni sufer un proces denumit ionizare.
Cei mai muli compui moleculari nu sufer acest proces, ns acizii sunt o excepie:
HCl (g) H+(aq) + Cl-(aq)

H2SO4 (g) 2 H+(aq) + SO42-(aq)

HC2H3O2 (l) H+(aq) + C2H3O2-(aq)

i totui, n lista de la nceputul acestui capitol se regsete i amoniacul printre baze. Cum
poate fi acesta o baz, din moment ce nu respect teoria lui Arrhenius?
Acesta este unul din exemplele n care teoria lui Arrhenius nu mai funcioneaz, de aceea a fost
nevoie de o nou teorie pentru a defini acizii i bazele.

4.2. Teoria Brnsted-Lowry privind acizii i bazele

Lipsa gruprii hidroxil din amoniac pare o problem la prima vedere, dar privind ce se ntmpl
la adugarea amoniacului n ap, ne lmurim:
NH3 (g) + H2O(l) NH4+(aq) + OH(aq)
Iat i gruparea hidroxil, care ns nu apare conform teoriei lui Arrhenius

Una dintre teoriile acceptate astzi cu privire la acizi i baze este teoria Brnsted-Lowry, care spune:
- Acizii sunt substane care produc un ion de hidrogen (sau donor de proton)
- Bazele sunt substane care accept un ion de hidrogen (sau acceptor de proton).
Astfel, putem scrie reaciile:
HCl(g) + H2O(l) H3O+(aq) + Cl-(aq
NH3 (g) + H2O(l) NH4+(aq) + OH(aq)
Substanele care se comport ca acid n unele reacii i ca baz n altele poart numele de substane
amfoterice. Un exemplu este apa:
NH3 (g) + H2O(l) NH4+(aq) + OH(aq)
HCl(g) + H2O(l) H3O+(aq) + Cl-(aq)
Acizii care pot dona mai mult de un ion de hidrogen se numesc poliprotici. Exemplu:
H2SO4 (aq) H+(aq) + HSO4-(aq)
HSO4-(aq) H+(aq) + SO42-(aq)
4.3. Tria acizilor i bazelor
Acizii puternici produc muli ioni de hidrogen, iar acizii slabi produc puini ioni de hidrogen.
Cu ct un acid este mai puternic, cu att mai muli ioni de hidrogen sunt produi.
Similar, bazele puternice produc muli ioni hidroxil, iar bazele slabe produc puini ioni hidroxil.
Acizii i bazele puternice sufer reacii ntr-un singur sens: se ionizeaz total:
 Acizi tari Baze tari

HCl(aq) H+(aq) + Cl-(aq) NaOH(aq) Na+(aq) + OH-(aq)

H2SO4 (aq) H+(aq) + Mg(OH)2 (aq) Mg2+(aq) + 2

HSO41-(aq) OH-(aq)
Acizii i bazele slabe nu se ionizeaz complet, procesul fiind reprezentat ca n exemplele
urmtoare:
Acizi slabi Baze slabe

HC2H3O2 (aq) H+(aq) + C2H3O2-(aq) NH3 (aq) + H2O(l) NH4+(aq) + OH-(aq)

HCHO2 (aq) H+(aq) + CHO2-(aq) NH2CH3(aq) + H2O(l) NH3CH3+(aq) + OH-(aq)

4.4. Scala pH
pH-ul este un mod de exprimare a concentraiei ionilor de hidrogen, ntr-o soluie acid sau
bazic. Aceste concentraii sunt de obicei mici, de exemplu 1,3 x 10-3, iar pH-ul transforma acest numr
ntr-unul cu care se poate lucra mai uor.
Astfel pH-ul este definit ca fiind logaritmul negativ al concentraiei de ioni de hidrogen din
soluie:
pH = - log [H+]
[H+] pH

1. 1 10-3 3.0

2. 2.5 10-11 10.6

3. 4.7 10-9 8.3

4. 5.8 10-4 3.2

5. 1.010-7 7.0
Observai ultimul exemplu: 1.0 10-7 reprezint concentraia ionului de hidrogen n apa pur.

Folosind astfel valorile pH, este mult mai uor sa identificm caracterul acid sau bazic al unei soluii:
Acizi Baze Soluii neutre
pH < 7 pH > 7 pH = 7
Cu ct pH-ul este mai Cu ct pH-ul este mai
mic cu att acidul este mare cu att baza este
mai tare mai puternic

4.5. Indicatori
Indicatorii sunt pigmeni care i schimb culoarea n funcie de condiiile de aciditate. Dei nu sunt la
fel de precii ca instrumente precum pH-metrul, indicatorii sunt folosii pentru determinri rapide.
Indicatorii sunt compui colorai care exist att n form acid, ct i n form bazic. O formula
general:
HIn H+ + In-
Forma acid Forma bazic
culoarea 1 culoarea 2
Indicatorii se gsesc sub form de soluie sau hrtie. Hrtia de pH este pregtit prin tratarea
hrtiei cu soluie de indicator.

pH Range in Which Colour Change

Indicator
Colour Change Occurs as pH Increases
Methyl violet 0.0 1.6 yellow to blue
Thymol blue 1.2 2.8 red to yellow
Orange IV 1.4 2.8 red to yellow
Methyl yellow 2.9 4.0 red to yellow
Methyl orange 3.2 4.4 red to yellow
Bromcresol green 3.8 5.4 yellow to blue
Methyl red 4.8 6.0 red to yellow
Chlorophenol red 5.2 6.8 yellow to red
Litmus 5.8 8.0 red to blue
Bromthymol blue 6.0 7.6 yellow to blue
Phenol red 6.6 8.0 yellow to red
Neutral red 6.8 8.0 red to amber
Thymol blue 8.0 9.6 yellow to blue
Phenolphthalein 8.2 - 10.0 colourless to pink
Thymolphthalein 9.4 10.6 colourless to blue
Alizarin yellow 10.1 12.0 yellow to red
Indigo carmine 11.4 13.0 blue to yellow

4.6. Reacii de neutralizare. Titrri acid-baz

Ce se ntmpl cnd un acid ca HCl este amestecat cu o baz ca NaOH:

HCl(aq) + NaOH(aq) NaCl(aq) + H2O(l)

Cnd sunt amestecate un acid i o baz, produii de reacie sunt apa i o sare. Srurile sunt
compui ionici coninnd alt ion pozitiv dect H+i alt ion negativ dect OH-.
Aceast reacie poart numele de reacie de neutralizare.

Forma explicit a reaciei anterioare este:

H+(aq) + Cl-(aq) + Na+(aq) + OH-(aq) Na+(aq) + Cl-(aq) + H2O(l)
Cu ecuaia ionic net:
H+(aq) + OH-(aq) H2O(l)
Cnd un acid puternic i o baz puternic sunt amestecate n cantiti corespunztoare, soluia
rezultat este neutr, cu un pH=7.
Titrrile acid-baz sunt proceduri de laborator folosite pentru determinarea concentraiei unei
soluii. Titrrile sunt instrumente importante de analiz n chimie. Pe timpul titrrii, un acid cu o
concentraie cunoscut (soluie standard) este adugat ncet ntr-o soluie bazic de concentraie
necunoscut (sau invers). Cteva picturi de indicator sunt adugate n soluia bazic. Indicatorul va
semnala, prin schimbarea de culoare, momentul n care baza a fost neutralizat (concentraia de H+ este
egal cu concentraia OH-). n acest moment, denumit punct de echivalen, titrarea este oprit.
Cunoscnd volumele de acid i baz folosite i concentraia soluiei standard, se pot determina prin
calcul concentraiei celeilalte soluii.